[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2003218398A - 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003218398A
JP2003218398A JP2002010876A JP2002010876A JP2003218398A JP 2003218398 A JP2003218398 A JP 2003218398A JP 2002010876 A JP2002010876 A JP 2002010876A JP 2002010876 A JP2002010876 A JP 2002010876A JP 2003218398 A JP2003218398 A JP 2003218398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
metal substrate
package
surface mount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002010876A
Other languages
English (en)
Inventor
Megumi Horiuchi
恵 堀内
Shinobu Nakamura
忍 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Kawaguchiko Seimitsu KK
Original Assignee
Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Kawaguchiko Seimitsu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd, Citizen Electronics Co Ltd, Kawaguchiko Seimitsu KK filed Critical Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2002010876A priority Critical patent/JP2003218398A/ja
Publication of JP2003218398A publication Critical patent/JP2003218398A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱性、信頼性に優れた車載用に好適な表面
実装型LED。 【解決手段】 高熱伝導性のメタルコア材料を平板状に
成形したメタル基板2には、縦にスリット2cが形成さ
れており、そこへ絶縁部材3が充填されている。接着シ
ート5を介して、メタル基板2上に接合された樹脂基板
4には、上部開口4aと下部開口4bとをつなぐ鍋状の
側面4cとを有する貫通穴4dが形成されている。バン
プ付きLED素子6が、絶縁部材3を跨いでメタル基板
2の上面2aの両電極面にFCボンディングにより接合
されている。アンダーフィル樹脂7が、LED素子6と
上面2aとの隙間に充填されている。透明ガラス又は樹
脂から成るカバー板8が接着シート9を介してパッケー
ジ1上面1aに接合されて、空気を光の媒質とする貫通
穴4d内部を封止している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型発光ダ
イオード(以下LEDと略記する)に関し、更に詳しく
は、特に放熱性・信頼性を重視する表面実装型LED及
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LEDはAlInGaPやGaN等の化
合物半導体ウエハ上にPN接合を形成し、これに順方向
電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであ
り、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御等に広く応
用されている。一方、近年の電子機器は、高性能化・多
機能化と共に、小型化・軽量化を追求している。更に、
特に放熱性・信頼性が重視される分野にも適用範囲が拡
大している。そのために電子部品は、プリント基板上に
表面実装できる部品としたものが多い。そしてこのよう
な電子部品の多くは略立方体形状をしており、プリント
基板上の配線パターンにリフロー半田付け等の固着手段
で接続される。LEDにもこうした要求に応えるものが
開発されている。
【0003】このような従来の表面実装型LEDについ
て、図面に基づいてその概要を説明する。図10は従来
の表面実装型LEDの縦断面図である。図10におい
て、70は表面実装型LEDである。71は、予めプレ
ス成形されたCu系、Fe系の材料から成るリードフレ
ームを、耐熱性ポリマーによって光反射面71aを含む
ように立体形状にインサート成形して成るパッケージで
ある。
【0004】72は、上面電極72aから側面電極72
bを経由して下面電極72cに至るリードフレームであ
る一方の電極パターンであり、73は同じく上面電極7
3aから側面電極73bを経由して下面電極73cに至
る他方の電極パターンである。74は、上面電極72a
に一方の電極を銀ペーストによりダイボンディングした
LED素子である。75はAu線等より成るワイヤであ
り、ワイヤ75によりLED素子74の他方の電極と上
面電極73aとがワイヤボンディングにより接続されて
いる。76は、LED素子74、LED素子74の接続
部及びワイヤ55等の保護と、LED素子74の発光を
効果的にすることのために封止している、透光性のエポ
キシ樹脂等から成る封止樹脂である。こうして表面実装
型LED70が構成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表面実装型LED70においては、LED素子74から
の放熱をリードフレーム部でしか、受け取れない為に、
放熱性が十分ではない。また、封止樹脂76の影響で屈
折率が変化し、LED素子74から出射される光の反射
効率がうまく活用されない。パッケージをインサート成
形で形成しているため、集合体での多数個同時生産方式
が活用できない、金型コストが嵩む等、生産性の点で問
題があった。更に、LED素子74にはワイヤボンディ
ング、樹脂封止を採用しているので、車載用などの耐環
境性(温度や振動など)の厳しい条件のもとでは、信頼
性が不十分であった。
【0006】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、放熱性、
信頼性に優れた表面実装型LED及びその製造方法を提
供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、内面には発光素子を接続する電
極を有し、外面には該電極と導通する端子電極を有する
パッケージ上に、発光素子を実装した表面実装型発光ダ
イオードにおいて、前記パッケージは、メタルコア材料
より成ると共に、中央がスリットにより縦に2分され
て、該スリットに絶縁部材が充填されている平板状メタ
ル基板の上面に、中央に貫通穴を有する平板状成形樹脂
を接合して形成されており、前記メタル基板上面に前記
発光素子が実装され、前記パッケージの上面にはカバー
板を接合することにより前記発光素子を封止して、光の
媒質が空気であることを特徴とする。
【0008】また、前記発光素子は前記スリットを跨い
で実装されたフリップチップであり、該フリップチップ
と前記パッケージの前記メタル基板との隙間にアンダー
フィル樹脂を充填した前記発光素子は前記スリットを跨
いで実装されたフリップチップであり、該フリップチッ
プと前記パッケージの前記メタル基板との隙間にアンダ
ーフィル樹脂を充填したことを特徴とする。
【0009】また、前記メタル基板の少なくとも上面の
前記発光素子ボンディング部、並びに下面の外部接続端
子部には、金メッキ又は銀メッキの表面処理が施されて
いることを特徴とする。
【0010】また、前記成形樹脂の貫通穴内面は、円錐
面、略球面又は略放物面のいずれか一つの面の一部であ
る前記成形樹脂の貫通穴内面は、円錐面、略球面又は略
放物面のいずれか一つの面の一部であることを特徴とす
る。
【0011】また、前記貫通穴内面は、反射膜により被
覆されていることを特徴とする。
【0012】また、前記カバー板は、透明ガラス又は透
明樹脂で形成されていることを特徴とすることを特徴と
する。
【0013】また、前記カバー板は、シート状又は平板
状に形成されていることを特徴とする。
【0014】また、前記カバー板には、レンズ形状が形
成されていることを特徴とする。
【0015】また、前述した目的を達成するための本発
明の他の手段は、請求項1乃至請求項8のいずれかに記
載の表面実装型ダイオードを製造する方法において、前
記発光ダイオードを多数個取りすることができる集合状
態のメタル基板上に発光素子を実装する工程と、前記メ
タル基板上に集合状態の成形樹脂を接合してパッケージ
基板を形成する工程と、前記発光素子実装後の前記パッ
ケージ基板に、集合状態のカバー板を接合して集合状態
の前記発光ダイオードを形成する工程と、集合状態の前
記発光ダイオードをダイシングして、単個の前記発光ダ
イオードに分割する工程を有することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の実施の形態
である表面実装型LEDの縦断面図、図2はこのLED
のパッケージの斜視図である。図3乃至図9はこの表面
実装型LEDの製造方法を示す斜視図である。
【0017】図1、図2において、10は光の媒質を空
気とする表面実装型LEDである。1はパッケージであ
り、2はこのパッケージ1を構成する、50W/(m・
K)以上の熱伝導性の高いMg系、Al系、Cu系等の
メタルコア材料から成るメタル基板である。メタル基板
2の全面に金メッキ又はぜが施されている。メタル基板
2の上面2aから下面2bにかけて、メタル基板2を縦
に2分するスリット2cが形成されている。
【0018】3はスリット2cに充填されて両側を接合
しているエポキシ樹脂又は耐熱性ポリマー等の樹脂接着
剤である絶縁部材である。メタル基板2は、このように
絶縁部材3によって電気的に2分割されて一対の電極を
構成している。スリット2cを除くメタル基板2の全面
に、金メッキ等の表面処理が施されている。4は、パッ
ケージ1を構成する樹脂基板であり、メタル基板2の上
面2aに、後述の接着シートを介して接合されている。
樹脂基板4には、円形の上部開口4a及び下部開口4b
並びにこれらを接続する鍋状の側面4cを有する貫通穴
4dが形成されている。側面4cは円錐面の一部、放物
面の一部、又は球面の一部を成す形状をしている。樹脂
基板4の全面は、光沢銀メッキ等で被覆されて貫通穴4
d内面は光反射面となっている。
【0019】5は接着剤樹脂をフィルム状に成形した接
着シートであり、下部開口4bに対応する部分には穴が
明けてある。6は予めフリップチップ(FC)として形
成された発光素子であるバンプ付きLED素子であり、
バンプがスリット2cを跨ぐように、メタル基板2の上
面2aの両電極面にFCボンディングにより接合されて
いる。7はLED素子6とメタル基板2の上面2aとの
隙間に充填され、ボンディング部を被覆しているアンダ
ーフィル樹脂である。8はパッケージ1上面に、接着シ
ート5と同様の上部開口4aに対応する穴が明けられた
接着シート9を介して接合され、貫通穴4d内部を封止
している透明ガラス又は透明樹脂から成るシート状又は
平板状のカバー板である。
【0020】LED素子6を発した上向きの光は、矢印
のように媒質である空気中を通り、カバー板8を経て出
射方向である上方へ向かう。また、LED素子6を発し
た横方向の光は、側面4cにおいて反射して、矢印のよ
うにやはりカバー板8を経て上方へと向かう。
【0021】次に、このLED10の製造方法について
説明する。この方法は表面実装型LED10を多数個同
時に加工することができる集合基板を用いた製造方法で
ある。まず、図3に示すように、メタルコア材料から平
板状に成形した集合基板状態のメタル基板12を用意
し、これにレーザー若しくはプレス抜き加工によって、
板厚を貫通するスリット12a、12bを、それぞれ所
定の間隔で互いに平行に、両端はメタル基板12の外周
までには達しないように加工する。
【0022】スリット12aは、完成LED10のスリ
ット2cになる部分であり、スリット12bは、完成L
ED10の外周にあたる部分である。その後、全面を金
メッキ又は銀メッキ処理をする。次に、スリット12a
内に絶縁部材3である樹脂接着剤を充填・硬化させる。
【0023】次に、図4に示すように、予備加熱したメ
タル基板12のスリット12aに沿って所定間隔に、バ
ンプがスリット12aを跨ぐように、金バンプ付きLE
D素子6を超音波振動を加えながら搭載して半田接合
し、更にアンダーフィル樹脂7を供給して加熱硬化さ
せ、フリップチップ実装をする。
【0024】一方、図5に示すように、貫通穴4dが所
定の配列になるように、射出成形又はプレス成形などに
より形成した集合基板状態の成形樹脂である樹脂基板1
4を用意する。樹脂基板14の面形状はメタル基板12
と同じである。次に、樹脂基板14に、板厚を貫通する
スリット14bを、1方向のみのダイシング加工により
形成する。スリット14bは完成LED10の外周にあ
たる部分である。次に、樹脂基板14全体に光沢銀メッ
キ処理をする。
【0025】次に、図6に示すように、LED素子6を
実装済みのメタル基板12上に、集合状態の接着シート
15を挟んで樹脂基板14を加圧・加熱して接合し、パ
ッケージ基板11を形成する。接着シート15には、予
め所定の配列で、下部開口4bに合致する穴15aが形
成されている。
【0026】次に、図7に示すように、パッケージ基板
11と同じ面形状を持つ集合状態のカバー板18を用意
して、図8に示すように、カバー基板18をパッケージ
基板11上に集合状態の接着シート19を介して接合す
る。接着シート19には、予め所定の配列で、上部開口
4aに合致する穴19aが形成されている。
【0027】最後に、図9に示すように、2方向のダイ
シングラインに沿って、LED10を単個に分離して、
図2に示す表面実装型LED10を得る。なお、以上の
説明に使用した各図面において、LEDの取り個数を9
個としてあるが、取り個数、集合基板の大きさはこれに
限定されず、適宜選択できることは勿論である。また。
樹脂基板14は、一旦部品として完成させてからメタル
基板14上に接合しているが、これをメタル基板上に、
直接樹脂モールドすることによって形成してもよい。
【0028】次に、本実施の形態であるLED10の効
果について説明する。LED素子3の接合をFC実装に
よって行ったので、耐衝撃性に優れている。吸湿性があ
り、熱膨張の大きな封止樹脂を用いないで、線膨張係数
がパッケージ材料と近似したカバー板8を用いて封止し
た場合には、耐湿性、耐熱性に優れている。凹部4d内
は空であるから、屈折率の影響を受けず、光の反射効率
が向上する。パッケージ1が熱伝導性の高いメタルコア
材料で構成されているので、従来のLEDと比べて遙か
に放熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大き
いLEDには特に有効な構成である。また、射出成形又
はプレス成形といった方法で製造できるので、特殊な技
術や設備を必要としない。更に、多数個取りのできる集
合基板方式を用いて、集合状態で同時多数個の製造が可
能になるので、生産性が高く、高品質な製品とすること
ができ、製造コストの削減ができる。
【0029】なお、本発明は、以上説明した実施の形態
に限定されるものではなく、例えば、平板状のカバー板
5の代わりに、透明樹脂又は透明ガラスで凸レンズ状に
形成したカバー板を用いてもよい。カバー板には、他
に、凹レンズ、フレネルレンズ、セルフォックレンズ又
はホログラムレンズのいずれか一つが形成されていても
よい。これにより、発射光を絞れるから高輝度のLED
を得られる。また、光反射面となる凹部4dの側面を円
錐形状、略球面形状、若しくは略放物面形状に形成して
もよい。これらの場合、出射光の直行性がより向上す
る。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内面には発光素子を接続する電極を有し、外面には該電
極と導通する端子電極を有するパッケージ上に、発光素
子を実装した表面実装型発光ダイオードであって、前記
パッケージは、メタルコア材料より成ると共に、中央が
スリットにより縦に2分されて、該スリットに絶縁部材
が充填されている平板状メタル基板の上面に、中央に貫
通穴を有する平板状成形樹脂を接合して形成されてお
り、前記メタル基板上面に前記発光素子が実装され、前
記パッケージの上面にはカバー板を接合することにより
前記発光素子を封止したので、放熱性、信頼性、耐熱性
に優れたLEDパッケージを実現することができた。
【0031】また、貫通穴の内面形状を円錐、略球面、
略放物面等にして、内面の広さや深さを可変にすること
で、光の指向性を自由に制御することができた。
【0032】また、集合基板方式によって、同時多数個
の製造が可能になるので、生産効率の高い製造プロセス
を実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
縦断面図である。
【図2】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
斜視図である。
【図3】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図4】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図6】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図7】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図8】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図9】本発明の実施の形態である表面実装型LEDの
製造方法を示す斜視図である。
【図10】従来の表面実装型LEDを示す縦断面図であ
る。
【符号の説明】
1 パッケージ 1a、2a 上面 2、12 メタル基板 2b 下面 2c、12a、12b、14b、15b、18b、19
b スリット 3 絶縁部材 4、14 樹脂基板 4c 側面 4d 凹部 5、9、15、19 接着シート 6 LED素子 7 アンダーフィル樹脂 8、18 カバー板 10 表面実装型発光ダイオード 11 パッケージ基板
フロントページの続き (72)発明者 中村 忍 山梨県南都留郡河口湖町船津6663番地の2 河口湖精密株式会社内 Fターム(参考) 5F041 DA04 DA09 DA19 DA33 DA35 DA74 DA76 DA78 DA92 DB03 DC03 DC23 EE23

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内面には発光素子を接続する電極を有
    し、外面には該電極と導通する端子電極を有するパッケ
    ージ上に、発光素子を実装した表面実装型発光ダイオー
    ドにおいて、前記パッケージは、メタルコア材料より成
    ると共に、中央がスリットにより縦に2分されて、該ス
    リットに絶縁部材が充填されている平板状メタル基板の
    上面に、中央に貫通穴を有する平板状成形樹脂を接合し
    て形成されており、前記メタル基板上面に前記発光素子
    が実装され、前記パッケージの上面にはカバー板を接合
    することにより前記発光素子を封止して、光の媒質が空
    気であることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
  2. 【請求項2】 前記発光素子は前記スリットを跨いで実
    装されたフリップチップであり、該フリップチップと前
    記パッケージの前記メタル基板との隙間にアンダーフィ
    ル樹脂を充填したことを特徴とする請求項1記載の表面
    実装型発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記メタル基板の少なくとも上面の前記
    発光素子ボンディング部、並びに下面の外部接続端子部
    には、金メッキ又は銀メッキの表面処理が施されている
    ことを特徴とする請求項又は請求項2記載の表面実装型
    発光ダイオード。
  4. 【請求項4】 前記成形樹脂の貫通穴内面は、円錐面、
    略球面又は略放物面のいずれか一つの面の一部であるこ
    とを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
    の表面実装型発光ダイオード。
  5. 【請求項5】 前記貫通穴内面は、反射膜により被覆さ
    れていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいず
    れかに記載の表面実装型発光ダイオード。
  6. 【請求項6】 前記カバー板は、透明ガラス又は透明樹
    脂で形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求
    項5のいずれかに記載の表面実装型発光ダイオード。
  7. 【請求項7】 前記カバー板は、シート状又は平板状に
    形成されていることを特徴とする請求項6記載の表面実
    装型発光ダイオード。
  8. 【請求項8】 前記カバー板には、レンズ形状が形成さ
    れていることを特徴とする請求項6記載の表面実装型発
    光ダイオード。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載
    の表面実装型ダイオードを製造する方法において、前記
    発光ダイオードを多数個取りすることができる集合状態
    のメタル基板上に発光素子を実装する工程と、前記メタ
    ル基板上に集合状態の成形樹脂を接合してパッケージ基
    板を形成する工程と、前記発光素子実装後の前記パッケ
    ージ基板に、集合状態のカバー板を接合して集合状態の
    前記発光ダイオードを形成する工程と、集合状態の前記
    発光ダイオードをダイシングして、単個の前記発光ダイ
    オードに分割する工程を有することを特徴とする表面実
    装型発光ダイオードの製造方法。
JP2002010876A 2002-01-18 2002-01-18 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 Pending JP2003218398A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002010876A JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2002-01-18 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002010876A JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2002-01-18 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003218398A true JP2003218398A (ja) 2003-07-31

Family

ID=27648493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002010876A Pending JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2002-01-18 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003218398A (ja)

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005274933A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
US7061027B2 (en) 2004-03-09 2006-06-13 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device with heterojunction
KR100601891B1 (ko) 2005-08-04 2006-07-19 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
KR100613067B1 (ko) * 2004-07-22 2006-08-16 서울반도체 주식회사 금속본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지
KR100616680B1 (ko) 2005-05-13 2006-08-28 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2006303397A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US7173307B2 (en) 2003-09-24 2007-02-06 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100701980B1 (ko) 2006-04-08 2007-03-30 (주)비에이치세미콘 Led 패키지 제조방법 및 그로부터 제조된 led 패키지
US7262440B2 (en) 2005-03-24 2007-08-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
US7268014B2 (en) 2005-04-30 2007-09-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fabrication method of light emitting diode package
JP2007235085A (ja) * 2006-02-03 2007-09-13 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2008135227A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2008235868A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Sharp Corp 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP2009206424A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Aic Inc 貼り合わせ基板の製造方法
WO2009001982A3 (en) * 2007-06-22 2009-09-24 Wavenics, Inc Metal-based photonic device package module and manufacturing method thereof
CN101626000A (zh) * 2008-07-10 2010-01-13 晶元光电股份有限公司 金属阵列基板、光电元件和发光元件及其制造方法
WO2010076951A2 (ko) * 2008-10-16 2010-07-08 (주)참빛 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지
JP2010171270A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Denka Agsp Kk 発光素子搭載基板および発光素子搭載基板の製造方法
KR20100137375A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 발광장치의 제조방법, 발광장치 및 발광장치 탑재용 기판
JP2011049608A (ja) * 2010-12-07 2011-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 発光素子搭載用基板とその製造方法
EP2339900A2 (de) * 2009-12-22 2011-06-29 Automotive Lighting Reutlingen GmbH Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul
JP2011171765A (ja) * 2011-05-24 2011-09-01 Towa Corp 光デバイス及び光デバイスの組立方法
JP2011187979A (ja) * 2011-05-24 2011-09-22 Towa Corp 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法
WO2011122848A2 (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
US8310023B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
TWI381559B (zh) * 2006-04-21 2013-01-01 Samsung Electronics Co Ltd 具有多階反射表面結構之發光二極體封裝件及其製造方法
JP2013138221A (ja) * 2006-02-03 2013-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2013225713A (ja) * 2013-08-08 2013-10-31 Towa Corp 光デバイスの生産方法
US8742432B2 (en) 2009-06-02 2014-06-03 Mitsubishi Chemical Corporation Metal substrate and light source device
JP2014515553A (ja) * 2011-05-19 2014-06-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス装置及びオプトエレクトロニクス装置の製造方法
JP5590220B2 (ja) * 2011-03-24 2014-09-17 株式会社村田製作所 発光素子用台座基板およびledデバイス
JP2015527745A (ja) * 2012-08-23 2015-09-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 光電装置
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2017069587A (ja) * 2009-09-11 2017-04-06 ローム株式会社 発光装置
JPWO2016129658A1 (ja) * 2015-02-13 2017-11-30 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2018085368A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 日本特殊陶業株式会社 蓋部材、該蓋部材を用いた発光装置、およびこれらの製造方法
US10084117B2 (en) 2009-09-11 2018-09-25 Rohm Co., Ltd. Light emitting device
JP2020053535A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 光源装置とその製造方法

Cited By (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
US8053320B2 (en) 2003-09-24 2011-11-08 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8507345B2 (en) 2003-09-24 2013-08-13 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7173307B2 (en) 2003-09-24 2007-02-06 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7061027B2 (en) 2004-03-09 2006-06-13 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device with heterojunction
JP2005274933A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
KR100613067B1 (ko) * 2004-07-22 2006-08-16 서울반도체 주식회사 금속본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지
US8310023B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
US7262440B2 (en) 2005-03-24 2007-08-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
US7816156B2 (en) 2005-03-24 2010-10-19 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
JP2006303397A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
CN100423306C (zh) * 2005-04-30 2008-10-01 三星电机株式会社 发光二极管封装的制造方法
US7268014B2 (en) 2005-04-30 2007-09-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fabrication method of light emitting diode package
KR100616680B1 (ko) 2005-05-13 2006-08-28 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100601891B1 (ko) 2005-08-04 2006-07-19 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
JP2007235085A (ja) * 2006-02-03 2007-09-13 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2013138221A (ja) * 2006-02-03 2013-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
KR100701980B1 (ko) 2006-04-08 2007-03-30 (주)비에이치세미콘 Led 패키지 제조방법 및 그로부터 제조된 led 패키지
US8586128B2 (en) 2006-04-21 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package having multi-stepped reflecting surface structure and fabrication method thereof
TWI381559B (zh) * 2006-04-21 2013-01-01 Samsung Electronics Co Ltd 具有多階反射表面結構之發光二極體封裝件及其製造方法
JP2008135227A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 照明装置
US8100555B2 (en) 2006-11-27 2012-01-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lighting apparatus
JP2008235868A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Sharp Corp 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
WO2009001982A3 (en) * 2007-06-22 2009-09-24 Wavenics, Inc Metal-based photonic device package module and manufacturing method thereof
US8120045B2 (en) 2007-06-22 2012-02-21 Wavenics Inc. Metal-based photonic device package module
JP2009206424A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Aic Inc 貼り合わせ基板の製造方法
CN101626000A (zh) * 2008-07-10 2010-01-13 晶元光电股份有限公司 金属阵列基板、光电元件和发光元件及其制造方法
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573789B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10115870B2 (en) 2008-09-03 2018-10-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9490411B2 (en) 2008-09-03 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10700241B2 (en) 2008-09-03 2020-06-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9537071B2 (en) 2008-09-03 2017-01-03 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US11094854B2 (en) 2008-09-03 2021-08-17 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
WO2010076951A2 (ko) * 2008-10-16 2010-07-08 (주)참빛 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지
WO2010076951A3 (ko) * 2008-10-16 2010-08-19 (주)참빛 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지
JP2010171270A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Denka Agsp Kk 発光素子搭載基板および発光素子搭載基板の製造方法
US8742432B2 (en) 2009-06-02 2014-06-03 Mitsubishi Chemical Corporation Metal substrate and light source device
KR101714038B1 (ko) 2009-06-22 2017-03-08 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 발광장치의 제조방법, 발광장치 및 발광장치 탑재용 기판
KR20100137375A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 발광장치의 제조방법, 발광장치 및 발광장치 탑재용 기판
US10084117B2 (en) 2009-09-11 2018-09-25 Rohm Co., Ltd. Light emitting device
JP2017069587A (ja) * 2009-09-11 2017-04-06 ローム株式会社 発光装置
DE102009060781A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-30 Automotive Lighting Reutlingen GmbH, 72762 Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul
EP2339900A2 (de) * 2009-12-22 2011-06-29 Automotive Lighting Reutlingen GmbH Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul
KR101121745B1 (ko) 2010-03-31 2012-03-22 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011122848A2 (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011122848A3 (ko) * 2010-03-31 2012-01-12 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
JP2011049608A (ja) * 2010-12-07 2011-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 発光素子搭載用基板とその製造方法
JP5590220B2 (ja) * 2011-03-24 2014-09-17 株式会社村田製作所 発光素子用台座基板およびledデバイス
JP2014515553A (ja) * 2011-05-19 2014-06-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス装置及びオプトエレクトロニクス装置の製造方法
US9281301B2 (en) 2011-05-19 2016-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device and method for producing optoelectronic devices
JP2011171765A (ja) * 2011-05-24 2011-09-01 Towa Corp 光デバイス及び光デバイスの組立方法
JP2011187979A (ja) * 2011-05-24 2011-09-22 Towa Corp 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法
JP2015527745A (ja) * 2012-08-23 2015-09-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 光電装置
US9606231B2 (en) 2012-08-23 2017-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic apparatus
JP2013225713A (ja) * 2013-08-08 2013-10-31 Towa Corp 光デバイスの生産方法
JPWO2016129658A1 (ja) * 2015-02-13 2017-11-30 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2018085368A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 日本特殊陶業株式会社 蓋部材、該蓋部材を用いた発光装置、およびこれらの製造方法
JP2020053535A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 光源装置とその製造方法
JP7288172B2 (ja) 2018-09-26 2023-06-07 日亜化学工業株式会社 光源装置とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003218398A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US11411152B2 (en) Packaging photon building blocks with top side connections and interconnect structure
JP2003163378A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US7947999B2 (en) Luminescent device and method for manufacturing the same
US8017964B2 (en) Light emitting device
JP2005294736A (ja) 半導体発光装置の製造方法
KR20020090314A (ko) 반도체 장치
WO2008047933A1 (en) Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP2004335740A (ja) 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2002064226A (ja) 光 源
WO2006030671A1 (ja) Led用反射板およびled装置
CN103107272A (zh) 基板、发光装置、以及基板的制造方法
JP2000058924A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US8502261B2 (en) Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
KR20120079325A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2003008071A (ja) Led基板アセンブリを使用したledランプ
KR100610275B1 (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20140366369A1 (en) Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
JP6957599B2 (ja) 発光デバイス及びその製造方法
JP2003304000A (ja) 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2001308388A (ja) チップ型発光素子
JP5912471B2 (ja) 半導体デバイス
JP7022510B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR100529710B1 (ko) 플립칩 패키징 방법 및 이를 이용한 발광다이오드의패키징 구조
JP2003101070A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20051114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060315

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060504

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060829