JP2003347149A

JP2003347149A - 金属転写シート、金属転写シートの製造方法およびセラミックコンデンサの製造方法

Info

Publication number: JP2003347149A
Application number: JP2002148469A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ishizaka; 整石坂; Yasuhiko Yamamoto; 康彦山本; Kazuo Ouchi; 一男大内; Takashi Oda; 高司小田; Takuji Okeyui; 卓司桶結
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-05-23
Filing date: 2002-05-23
Publication date: 2003-12-05
Also published as: US20030219608A1

Abstract

(57)【要約】【課題】剥離力が小さく、簡易かつ確実に転写するこ
とができる金属転写シート、その金属転写シートの製造
方法、および、その金属転写シートを用いて金属層を転
写することにより、信頼性の高いセラミックコンデンサ
を、小型・薄層にて生産効率良く製造することのでき
る、セラミックコンデンサの製造方法を提供すること。【解決手段】キャリアフィルム１上に、スパッタリン
グ法や電解めっき法により第１金属層２を形成した後、
これをめっき浴に浸漬して、第１金属層２側を陽極とす
る電圧の印加により不働態膜３を形成し、極性を反転さ
せ、不働態膜３側を陰極とする電圧の印加により第２金
属層４を形成する。これにより、第１金属層２と第２金
属層４とが不働態膜３を介して積層される金属転写シー
ト５を得て、第２金属層４を、セラミックグリーンシー
ト１１に内部電極として転写する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属転写シート、
金属転写シートの製造方法およびセラミックコンデンサ
の製造方法に関し、詳しくは、金属層を転写することの
できる金属転写シート、その金属転写シートの製造方
法、および、その金属転写シートを用いて金属層を転写
するセラミックコンデンサの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサの
内部電極など、電子部品の電極を形成する方法として、
スクリーン印刷法などが知られているが、近年、大容量
かつ小型化を図るべく、転写技術を用いて、電極を薄層
で形成することが提案されている。

【０００３】このような転写技術を用いる方法として、
例えば、特許第２９９０６２１号公報には、（ａ）蒸着
によりフィルム上に第１の金属層を形成するステップ
と、（ｂ）湿式めっきにより第１の金属層の上に第２の
金属層を形成するステップと、（ｃ）第１および第２の
金属層をパターニングするステップと、（ｄ）金属層を
覆うように、フィルム上にセラミックのスラリーをコー
ティングしてセラミックグリーンシートを形成するステ
ップと、（ｅ）フィルムに支持された金属一体化グリー
ンシートをセラミックグリーンシートまたは他の金属一
体化グリーンシート上に圧着し積層するステップと、
（ｆ）フィルムを剥離するステップと、（ｇ）積層した
セラミックグリーンシートを焼成するステップとを備え
る積層セラミック電子部品の製造方法が記載されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、特許第２９
９０６２１号公報に記載される方法では、フィルムに対
して、蒸着により形成された第１の金属層の付着力が小
さい（剥離力が小さい）ことを利用するものであるが、
この方法では、それらの剥離強度を十分に小さくするこ
とができず、実際には、離型剤を塗布する必要があり、
積層セラミックコンデンサの大容量化に伴なって、積層
数を増加させる場合には、生産効率の向上を図ることが
できず、また、離型剤の残存によって信頼性が低下する
という不具合がある。

【０００５】本発明は、このような不具合に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、剥離力が小さ
く、簡易かつ確実に転写することができる金属転写シー
ト、その金属転写シートの製造方法、および、その金属
転写シートを用いて金属層を転写することにより、信頼
性の高いセラミックコンデンサを、小型・薄層にて生産
効率良く製造することのできる、セラミックコンデンサ
の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の金属転写シートは、第１金属層と第２金属
層とが、不働態膜を介して積層されていることを特徴と
している。

【０００７】また、本発明の金属転写シートにおいて、
前記第１金属層がニッケルであってもよく、前記第２金
属層がニッケルであってもよく、前記第２金属層が銅で
あってもよい。また、前記第２金属層が複数の金属層か
らなるものでもよく、その場合には、前記第２金属層が
ニッケル層および銅層からなるものでもよい。

【０００８】また、前記第１金属層が、蒸着法または電
解めっき法により形成され、前記第２金属層が、電解め
っき法により形成され、さらには、前記不働態膜が、め
っき浴内において、前記第２金属層の電解めっきに対し
て極性が反転された状態で、電圧が印加されることによ
り、形成されていることが好ましい。

【０００９】また、本発明は、第１金属層を用意する工
程、めっき浴内において、前記第１金属層側を陽極とし
て電圧を印加することにより、不働態膜を形成する工
程、めっき浴内において、前記不働態膜側を陰極として
電圧を印加することにより、第２金属層を形成する工程
を備える、金属転写シートの製造方法を含んでいる。こ
の方法では、前記不働態膜を形成する工程において、２
〜１０秒間電圧を印加することが好ましい。

【００１０】さらに、本発明は、本発明の金属転写シー
トの第２金属層を、セラミックグリーンシートに転写す
る工程、前記第２金属層が転写されたセラミックグリー
ンシートを積層する工程、積層されたセラミックグリー
ンシートを焼成する工程を備える、セラミックコンデン
サの製造方法をも含んでいる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の金属転写シート
の製造方法の一実施形態を示す工程図である。以下、図
１参照して、本発明の金属転写シートの一実施形態を製
造する方法を説明する。

【００１２】まず、この方法では、図１（ａ）に示すよ
うに、キャリアフィルム１を用意する。キャリアフィル
ム１は、特に制限されず、公知のキャリアフィルムを用
いることができ、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリ
プロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化
ビニルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネ
ートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフ
ィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアミド
フィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケ
トンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなど
の公知のプラスチックフィルムが挙げられる。これらの
うち、寸法安定性、耐熱性の点では、ポリイミドフィル
ムが好ましく、材料コストの点では、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムなどのポリエステルフィルムが好ま
しく用いられる。また、キャリアフィルム１の厚みは、
特に制限されないが、例えば、２０〜４０μｍ程度であ
る。

【００１３】なお、キャリアフィルム１には、第１金属
層２が形成される表面に、例えば、アルカリ処理やプラ
ズマ処理などの公知の表面処理を施してもよい。

【００１４】次いで、この方法では、図１（ｂ）に示す
ように、キャリアフィルム１上に、第１金属層２を形成
する。第１金属層２の形成は、特に制限されないが、例
えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法などの蒸着法、例えば、電解めっき法、無電解
めっき法などのめっき法などが用いられる。

【００１５】上記の中でも、表面平滑性が良好である
と、後工程での第２金属層４の平滑性も良好となること
から、蒸着法が好ましく、特にスパッタリング法が好ま
しい。

【００１６】第１金属層２を形成する金属としては、特
に制限されず、公知の金属を用いることができ、例え
ば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金などが挙げら
れる。これらのうち、電解めっきなどによる第１金属層
２の形成に引き続いて不働態膜３を形成する場合には、
例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、
Ｃｕなどの不働態膜３を形成できる金属が用いられ、好
ましくは、Ｎｉ、Ｃｕが用いられる。

【００１７】また、このような第１金属層２としては、
例えば、蒸着法によって金属薄膜のみを形成してもよ
く、また、例えば、蒸着法によって金属薄膜を形成し、
その金属薄膜上に、電解めっき法によって電解めっき層
を形成してもよく、さらには、例えば、無電解めっき法
によって金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、電解め
っき法によって電解めっき層を形成してもよく、その層
数や形成方法の組み合わせは、適宜選択することができ
る。

【００１８】また、第１金属層２の厚みは、特に制限さ
れないが、例えば、金属薄膜では、３００〜５０００Å
程度、電解めっき層では、０．１〜１．０μｍ程度であ
る。厚みが、３００Å未満であると、電気抵抗が高くな
って、十分なめっき電流を供給することができない場合
がある。

【００１９】そして、この方法では、図１（ｃ）に示す
ように、第１金属層２の表面に、不働態膜３を形成す
る。不働態膜３の形成は、特に制限されないが、例え
ば、電気化学的不働態化法や化学的不働態化法などの公
知のパシベーション法が用いられる。好ましくは、電気
化学的不働態化法により、アノードまたはカソードを分
極させ、不働態領域あるいは過不働態領域での電位コン
トロールにより、不働態膜３を形成する。不働態膜３を
形成する金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕなどが挙げられ、好ましく
は、Ｎｉ、Ｃｕが用いられる。Ｎｉ、Ｃｕを用いること
により、金属転写シート５の剥離力のさらなる低減化を
図ることができる。

【００２０】より具体的には、例えば、次に述べる第２
金属層４を電解めっきにより形成する場合には、めっき
浴に、第１金属層２が積層されているキャリアフィルム
１を浸漬して、第２金属層４を電解めっきする場合に対
して、極性を反転させた状態（通常、第１金属層２側が
陽極となる状態）で電圧を印加すればよい。

【００２１】このような方法によって、不働態膜３を形
成すれば、制御の容易なパラメータである印加電圧およ
び印加時間をコントロールすることによって、不働態膜
３を形成することができるので、剥離度合を正確かつ確
実に管理して、安定した転写性能を実現できる金属転写
シート５を製造することができる。また、電解めっき装
置を用いて、第２金属層４の電解めっきに対して極性を
反転させるのみで、不働態膜３を形成することができる
ので、簡易かつ生産効率よく、金属転写シート５を製造
することができる。

【００２２】例えば、ニッケルなどにより不働態膜３を
形成する場合には、ニッケルめっき浴に、第１金属層２
が積層されているキャリアフィルム１を浸漬して、第１
金属層２側を陽極として、例えば、＋０．２〜＋５Ｖ、
好ましくは、＋０．４〜＋２Ｖの電圧を、例えば、０．
１〜６０秒間、好ましくは、２〜１０秒間印加する。
０．１秒未満では、不働態膜３が形成されにくい傾向が
あり、また、６０秒より長いと、第１金属層２にダメー
ジを与えてしまう場合がある。

【００２３】なお、このような電圧の印加は、例えば、
参照電極をめっき浴に挿入して、その参照電極に対する
作用電極（第１金属層２）の電位を計測しながら電流を
流すポテンシオスタットなどの電気化学的計測方法によ
って、電位コントロールすることが好ましい。

【００２４】また、不働態膜３の上記した形成条件（印
加電圧および印加時間など）は、特にニッケルに限定さ
れるものではなく、その他の金属においても適用するこ
とができる。また、通常、不働態膜３の形成時は、電解
めっき時に比べて電流の絶対値が非常に小さいため、そ
の他の金属においては、通常の電解めっき条件を基準と
して、極性を反転させた電圧を目安に、印加電圧を決定
することができる。

【００２５】これによって、第１金属層２の表面に、数
十Å程度の不働態膜３を形成することができる。この不
働態膜３は、導体もしくは半導体であるため、次に第２
金属層４を、電解めっきによって形成することができ
る。

【００２６】次いで、この方法では、図１（ｄ）に示す
ように、不働態膜３の表面に第２金属層４を形成して、
金属転写シート５を得る。第２金属層４の形成は、特に
制限されないが、第１金属層２の形成と同様に、例え
ば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法などの蒸着法、例えば、電解めっき法、無電解め
っき法などのめっき法などが用いられ、好ましくは、電
解めっき法が用いられる。

【００２７】第２金属層４を形成する金属としては、特
に制限されず、公知の金属を用いることができ、例え
ば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈおよびこれら
の合金などが挙げられる。これらのうち、不働態膜３の
形成に引き続いて第２金属層４を形成する場合には、例
えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃ
ｕなどの不働態膜３を形成する金属がそのまま用いら
れ、好ましくは、Ｎｉ、Ｃｕが用いられる。Ｎｉ、Ｃｕ
を用いることにより、金属転写シート５の剥離力のさら
なる低減化を図ることができる。

【００２８】また、このような第２金属層４としては、
例えば、電解めっき法によって電解めっき層を複数形成
してもよく、その層数や形成方法の組み合わせは、適宜
選択することができる。また、第２金属層４の厚みは、
特に制限されないが、例えば、０．１〜３μｍ程度であ
る。

【００２９】より具体的には、例えば、第２金属層４を
電解めっきにより形成する場合には、めっき浴内におい
て、第１金属層２の表面に不働態膜３を形成した後に、
引き続き、その不働態膜３の形成時と極性を反転させた
状態（通常、不働態膜３側が陰極となる状態）で電圧を
印加すればよい。

【００３０】例えば、ニッケルなどにより第２金属層４
を形成する場合には、ニッケルめっき浴内において、第
１金属層２の表面に不働態膜３を形成した後に、極性を
反転させて、不働態膜３側を陰極として、例えば、電流
密度が−０．５〜−４０Ａ／ｄｍ^２、好ましくは、−
２．０〜−１５Ａ／ｄｍ^２になるように、例えば、１〜
１８０秒間、好ましくは、５〜６０秒間電圧を印加す
る。

【００３１】なお、このような第２金属層４の形成は、
不働態膜３の形成とは、別途（工業的には、別のライン
で）形成することもできる。

【００３２】そして、このようにして得られる金属転写
シート５は、第１金属層２と第２金属層４とが、不働態
膜３を介して積層されており、この金属転写シート５を
被転写体に貼着して引き剥がせば、不働態膜３を易剥離
界面として、第２金属層４を、小さい剥離力で簡易かつ
確実に被転写体に転写することができる。

【００３３】なお、キャリアフィルム１は、必ずしも必
要ではなく、適宜除去して用いてもよい。

【００３４】そして、この金属転写シート５は、離型剤
などを用いずとも、第２金属層４を効率良く転写するこ
とができるので、特に制限されないが、例えば、電子部
品の電極や回路基板の配線および端子などの回路パター
ンを形成するために、好適に用いることができる。

【００３５】次に、このような金属転写シート５におい
て、第２金属層４を予め所定の回路バターンとして形成
する方法について、図２〜図５を参照して、より具体的
に説明する。

【００３６】図２に示す方法では、まず、図２（ａ）に
示すように、上記と同様に、キャリアフィルム１を用意
した後、図２（ｂ）に示すように、スパッタリング法に
より、第１金属層２として第１金属薄膜２ａを形成す
る。第１金属薄膜２ａとしては、ニッケルや銅などが好
ましく、その厚みが、例えば、３００〜３０００Åであ
ることが好ましい。次に、この方法では、図２（ｃ）に
示すように、第１金属薄膜２ａ上に、電解めっき法によ
り、第１金属層２として第１金属めっき層２ｂを形成す
る。第１金属めっき層２ｂとしては、ニッケルや銅など
が好ましく、上記したように、第１金属薄膜２ａを陰極
として、電圧を印加することにより、形成することがで
きる。なお、第１金属めっき層２ｂの厚みは、例えば、
０．１〜０．５μｍであることが好ましい。その後、こ
の方法では、図２（ｄ）に示すように、第１金属めっき
層２ｂ上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっき
レジスト６を形成する。めっきレジスト６は、例えば、
ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法によ
り、所定のレジストパターンとして形成すればよい。

【００３７】そして、この方法では、図２（ｅ）に示す
ように、第１金属めっき層２ｂにおけるめっきレジスト
６が形成されていない表面に、不働態膜３を形成し、そ
れに引き続いて、図２（ｆ）に示すように、不働態膜３
の表面に、電解めっき法により、第２金属層４として第
２金属めっき層４ａを形成する。

【００３８】不働態膜３の形成は、上記したように、次
に形成する第２金属めっき層４ａのめっき浴に、第１金
属めっき層２ｂおよび第１金属薄膜２ａが積層されてい
るキャリアフィルム１を浸漬して、第１金属めっき層２
ｂ側を陽極として、電圧を印加することにより、形成す
ることができる。

【００３９】また、第２金属めっき層４ａの形成は、不
働態膜３の形成に引き続いて、めっき浴内において極性
を反転させ、不働態膜３側を陰極として、電圧を印加す
ることにより、形成することができる。

【００４０】このような不働態膜３および第２金属めっ
き層４ａとしては、ニッケルや銅などが好ましく用いら
れる。また、第２金属めっき層４ａの厚みは、例えば、
０．１〜３μｍであることが好ましい。

【００４１】このような方法によれば、極性を反転させ
るのみの簡易な方法および設備によって、不働態膜３お
よび第２金属めっき層４ａを連続して形成することがで
きる。なお、不働態膜３および第２金属めっき層４ａの
形成は、それぞれ別々のラインにおいて形成してもよ
い。

【００４２】そして、図２（ｇ）に示すように、めっき
レジスト６を除去することにより、第２金属めっき層４
ａが所定の回路バターンとして形成されている金属転写
シート５を得ることができる。めっきレジスト６は、特
に制限されず、例えば、化学エッチング（ウェットエッ
チング）などの公知のエッチングや剥離によって除去す
ればよい。

【００４３】また、図３（ｈ）に示すように、第２金属
層４を、第２金属めっき層４ａおよび第３金属めっき層
４ｂの２層として形成してもよい。すなわち、この方法
では、図２に示す方法と同様の工程（図３（ａ）〜
（ｅ）の各工程は、それぞれ、図２（ａ）〜（ｅ）の各
工程に対応し、同一の部材には同一符号が付されてい
る。）によって、図３（ｆ）に示すように、第２金属め
っき層４ｂを形成した後に、さらに、図３（ｇ）に示す
ように、第２金属めっき層４ｂ上に、電解めっき法によ
り、第２金属層４として第３金属めっき層４ｂを形成す
る。第３金属めっき層４ｂの形成は、上記と同様に、め
っき浴内において、第２金属層４側を陰極として、電圧
を印加することにより、形成することができる。

【００４４】なお、このように、第２金属層４を２層と
して形成する場合には、不働態膜３に直接積層されてい
ない第３金属めっき層４ｂは、不働態膜３を形成する金
属にかかわらず、その目的および用途に応じた金属を広
く選択することができる。

【００４５】より具体的には、第２金属めっき層４ａお
よび第３金属めっき層４ｂが、それぞれ、ニッケルおよ
び銅であることが好ましく、第２金属めっき層４ａの厚
さが、例えば、０．１〜０．５μｍであり、第３金属め
っき層４ｂの厚さが、例えば、０．１〜１０μｍである
ことが好ましい。

【００４６】また、図４に示す方法では、まず、図４
（ａ）に示すように、上記と同様に、キャリアフィルム
１を用意した後、図４（ｂ）に示すように、スパッタリ
ング法により、第１金属層２として第１金属薄膜２ａを
形成する。第１金属薄膜２ａとしては、ニッケルや銅な
どが好ましく、その厚みが、例えば、３００〜３０００
Åであることが好ましい。次に、この方法では、図４
（ｃ）に示すように、第１金属薄膜２ａ上に、所定の回
路パターンと逆パターンでめっきレジスト６を形成す
る。めっきレジスト６は、例えば、ドライフィルムレジ
ストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパ
ターンとして形成すればよい。

【００４７】そして、この方法では、図４（ｄ）に示す
ように、第１金属薄膜２ａにおけるめっきレジスト６が
形成されていない表面に、不働態膜３を形成し、それに
引き続いて、図４（ｅ）に示すように、不働態膜３の表
面に、電解めっき法により、第２金属層４として第２金
属めっき層４ａを形成する。

【００４８】不働態膜３の形成は、次に形成する第２金
属めっき層４ａのめっき浴に、第１金属薄膜２ａが積層
されているキャリアフィルム１を浸漬して、第１金属薄
膜２ａ側を陽極として、電圧を印加することにより、形
成することができる。

【００４９】また、第２金属めっき層４ａの形成は、不
働態膜３の形成に引き続いて、めっき浴内において極性
を反転させ、不働態膜３側を陰極として、電圧を印加す
ることにより、形成することができる。

【００５０】このような不働態膜３および第２金属めっ
き層４ａとしては、ニッケルや銅などが好ましく用いら
れる。また、第２金属めっき層４ａの厚みは、例えば、
０．１〜３μｍであることが好ましい。

【００５１】このような方法によれば、極性を反転させ
るのみの簡易な方法によって、不働態膜３および第２金
属めっき層４ａを連続して形成することができる。な
お、不働態膜３および第２金属めっき層４ａの形成は、
それぞれ別々のラインにおいて形成してもよい。

【００５２】そして、図４（ｆ）に示すように、めっき
レジスト６を除去することにより、第２金属めっき層４
ａが所定の回路バターンとして形成されている金属転写
シート５を得ることができる。めっきレジスト６は、特
に制限されず、例えば、化学エッチング（ウェットエッ
チング）などの公知のエッチングや剥離によって除去す
ればよい。

【００５３】また、図５に示す方法では、まず、図５
（ａ）に示すように、上記と同様に、キャリアフィルム
１を用意した後、図５（ｂ）に示すように、スパッタリ
ング法により、第１金属層２として第１金属薄膜２ａを
形成する。第１金属薄膜２ａとしては、ニッケルや銅な
どが好ましく、その厚みが、例えば、３００〜３０００
Åであることが好ましい。次に、この方法では、図５
（ｃ）に示すように、第１金属薄膜２ａ上に、電解めっ
き法により、第１金属層２として第１金属めっき層２ｂ
を形成する。第１金属めっき層２ｂとしては、ニッケル
や銅などが好ましく、上記したように、第１金属薄膜２
ａ側を陰極として、電圧を印加することにより、形成す
ることができる。なお、第１金属めっき層２ｂの厚み
は、例えば、０．１〜０．５μｍであることが好まし
い。

【００５４】その後、この方法では、図５（ｄ）に示す
ように、第１金属めっき層２ｂの表面に不働態膜３を形
成し、それに引き続いて、図５（ｅ）に示すように、不
働態膜３の表面に、電解めっき法により、第２金属層４
として第２金属めっき層４ａを形成する。

【００５５】不働態膜３の形成は、次に形成する第２金
属めっき層４ａのめっき浴に、第１金属めっき層２ｂお
よび第１金属薄膜２ａが積層されているキャリアフィル
ム１を浸漬して、第１金属めっき層２ｂ側を陽極とし
て、電圧を印加することにより、形成することができ
る。

【００５６】また、第２金属めっき層４ａの形成は、不
働態膜３の形成に引き続いて、めっき浴内において極性
を反転させ、不働態膜３側を陰極として、電圧を印加す
ることにより、形成することができる。

【００５７】このような不働態膜３および第２金属めっ
き層４ａとしては、ニッケルや銅などが好ましく用いら
れる。また、第２金属めっき層４ａの厚みは、例えば、
０．１〜３μｍであることが好ましい。

【００５８】このような方法によれば、極性を反転させ
るのみの簡易な方法によって、不働態膜３および第２金
属めっき層４ａを連続して形成することができる。な
お、不働態膜３および第２金属めっき層４ａの形成は、
それぞれ別々のラインにおいて形成してもよい。

【００５９】次いで、この方法では、図５（ｆ）に示す
ように、第２金属めっき層４ａ上に、所定の回路パター
ンと同一のパターンでエッチングレジスト７を形成す
る。エッチングレジスト７は、例えば、ドライフィルム
レジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジス
トパターンとして形成すればよい。

【００６０】その後、この方法では、図５（ｇ）に示す
ように、このエッチングレジスト７をレジストとして、
第２金属めっき層４ａ、不働態膜３および第１金属めっ
き層２ｂをエッチングする。第２金属めっき層４ａ、不
働態膜３および第１金属めっき層２ｂのエッチングは、
例えば、公知のエッチング液を用いて、化学エッチング
（ウェットエッチング）すればよい。

【００６１】そして、図５（ｈ）に示すように、エッチ
ングレジスト７を除去することにより、第２金属めっき
層４ａが所定の回路バターンとして形成されている金属
転写シート５を得ることができる。エッチングレジスト
７は、特に制限されず、例えば、化学エッチング（ウェ
ットエッチング）などの公知のエッチングや剥離によっ
て除去すればよい。

【００６２】そして、このようにして得られる第２金属
層４が所定の回路バターンとして形成されている金属転
写シート５を用いれば、転写技術によって、積層セラミ
ックコンデンサの内部電極を効率的に形成することがで
きる。

【００６３】次に、図６を参照して、この金属転写シー
ト５を用いて、積層セラミックコンデンサを製造する方
法を説明する。

【００６４】この方法では、まず、図６（ａ）に示すよ
うに、この金属転写フィルム５の第２金属層４を、セラ
ミックグリーンシート１１上に接触させ、キャリアフィ
ルム１側からセラミックグリーンシート１１側に向かっ
て圧力を加えた後、引き剥がせば、不働態膜３を易剥離
界面として第２金属層４が第１金属層２から剥離して、
図６（ｂ）に示すように、第２金属層４が所定の回路パ
ターンからなる内部電極としてセラミックグリーンシー
ト１１上に転写される。

【００６５】次いで、第２金属層４が所定の回路パター
ンとして転写されたセラミックグリーンシート１１を、
目的とする枚数分積層した後、セラミックグリーンシー
ト１１を、例えば、約４００℃〜１２００℃で焼成する
ことにより、図６（ｃ）に示すような積層セラミックコ
ンデンサ１２を製造することができる。

【００６６】このようにして積層セラミックコンデンサ
１２を製造すれば、セラミックグリーンシート１１上
に、回路パターンに相当する第２金属層４が転写される
ので、これによって、セラミックグリーンシート１１上
に内部電極を薄い回路パターンで、簡易かつ確実に形成
することができる。そのため、積層セラミックコンデン
サ１２の大容量化および小型・薄層化を図ることができ
る。しかも、この金属転写シート５では、離型剤などを
用いずとも、効率良く転写することができるので、積層
セラミックコンデンサ１２の生産効率および信頼性を向
上させることができる。

【００６７】また、金属転写シート５を用いて積層セラ
ミックコンデンサ１２を製造する方法としては、例え
ば、金属転写シート５の第２金属層４を、粘着テープに
１次転写して、その粘着テープから、第２金属層４をセ
ラミックグリーンシート１１に２次転写し、これを積層
後に焼成してもよい。

【００６８】すなわち、この方法では、まず、図７
（ａ）に示すように、基材１３上に粘着剤１４が塗布さ
れている粘着テープ１５を用意して、金属転写フィルム
５の第２金属層４を、その粘着テープ１５の粘着剤１４
上に接触させ、図７（ｂ）に示すように、上記と同様に
加圧して１次転写する。また、この方法では、図７
（ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート１１上
に、接着剤１６を塗布する。そして、図７（ｄ）に示す
ように、粘着テープ１５に転写されている第２金属層４
を、セラミックグリーンシート１１の接着剤１６上に接
触させ、図８（ｅ）に示すように、上記と同様に加圧し
て２次転写する。その後、第２金属層４が転写されたセ
ラミックグリーンシート１１を、目的とする枚数分積層
した後、接着剤１６の消失温度以上で焼成することによ
り、図８（ｆ）に示すような積層セラミックコンデンサ
１２を製造することができる。

【００６９】なお、この方法において、粘着テープ１５
の粘着力は、５０〜５００Ｎ／ｍ程度であることが、２
次転写のためには好ましい。

【００７０】また、本発明の金属転写フィルムは、上記
した積層セラミックコンデンサ１２の製造に制限される
ことなく、他の積層型電子部品などの電子部品の電極
や、プリント基板などの回路基板の配線や端子などを形
成する場合にも、好適に用いることができる。

【００７１】

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて、本発明
をさらに具体的に説明する。

【００７２】実施例１まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図２（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åの銅薄膜
を形成した（図２（ｂ）参照）。次いで、これを、電解
ニッケルめっき浴に浸漬し、銅薄膜側を陰極として、
０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０秒間電圧を印加する
ことにより、電解ニッケルめっきを行ない、銅薄膜上に
厚さ０．１μｍのニッケルめっき層を形成した（図２
（ｃ）参照）。

【００７３】その後、このニッケルめっき層に、フォト
レジストからなるめっきレジストを貼着して、所定の回
路パターンと逆パターンとなるように、フォトリソグラ
フ法によりパターン化した（図２（ｄ）参照）。

【００７４】次いで、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、ニッケルめっき層側を陽極として、１０秒間電
圧を印加して、ニッケルめっき層におけるめっきレジス
トが形成されていない表面に、不働態膜を形成した後
（図２（ｅ）参照）、そのまま続けて、極性を反転さ
せ、不働態膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流
密度で約６０秒間電圧を印加することにより、電解ニッ
ケルめっきを行ない、不働態膜の表面に、厚さ０．５μ
ｍのニッケルめっき層を形成した（図２（ｆ）参照）。
その後、めっきレジストを化学エッチングにより除去す
ることによって（図２（ｇ）参照）、金属転写シートを
得た。

【００７５】実施例２まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図３（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åの銅薄膜
を形成した（図３（ｂ）参照）。次いで、これを、電解
ニッケルめっき浴に浸漬し、銅薄膜側を陰極として、
０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０秒間電圧を印加する
ことにより、電解ニッケルめっきを行ない、銅薄膜上に
厚さ０．１μｍのニッケルめっき層を形成した（図３
（ｃ）参照）。

【００７６】その後、このニッケルめっき層に、フォト
レジストからなるめっきレジストを貼着して、所定の回
路パターンと逆パターンとなるように、フォトリソグラ
フ法によりパターン化した（図３（ｄ）参照）。

【００７７】次いで、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、ニッケルめっき層側を陽極として、１０秒間電
圧を印加して、ニッケルめっき層におけるめっきレジス
トが形成されていない表面に、不働態膜を形成した後
（図３（ｅ）参照）、そのまま続けて、極性を反転さ
せ、不働態膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流
密度で１０秒間電圧を印加することにより、電解ニッケ
ルめっきを行ない、不働態膜の表面に、厚さ０．１μｍ
のニッケルめっき層を形成した（図３（ｆ）参照）。次
いで、これを、電解銅めっき浴に浸漬し、ニッケルめっ
き層側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１
０分間、さらに、２Ａ／ｄｍ^２の電流密度で３０秒間電
圧を印加することにより、電解銅めっきを行ない、ニッ
ケルめっき層上に厚さ０．５μｍの銅めっき層を形成し
た（図３（ｇ）参照）。その後、めっきレジストを化学
エッチングにより除去することによって（図３（ｈ）参
照）、金属転写シートを得た。

【００７８】実施例３まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図４（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åのニッケ
ル薄膜を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、このニ
ッケル薄膜に、フォトレジストからなるめっきレジスト
を貼着して、所定の回路パターンと逆パターンとなるよ
うに、フォトリソグラフ法によりパターン化した（図４
（ｃ）参照）。

【００７９】その後、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、ニッケル薄膜側を陽極として、１０秒間電圧を
印加して、ニッケル薄膜におけるめっきレジストが形成
されていない表面に、不働態膜を形成した後（図４
（ｄ）参照）、そのまま続けて、極性を反転させ、不働
態膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で約
６０秒間電圧を印加することにより、電解ニッケルめっ
きを行ない、不働態膜の表面に、厚さ０．５μｍのニッ
ケルめっき層を形成した（図４（ｅ）参照）。その後、
めっきレジストを化学エッチングにより除去することに
よって（図４（ｆ）参照）、金属転写シートを得た。

【００８０】実施例４まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図４（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åのニッケ
ル薄膜を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、このニ
ッケル薄膜に、フォトレジストからなるめっきレジスト
を貼着して、所定の回路パターンと逆パターンとなるよ
うに、フォトリソグラフ法によりパターン化した（図４
（ｃ）参照）。

【００８１】その後、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、ニッケル薄膜側を陽極として、１０秒間電圧を
印加して、ニッケル薄膜におけるめっきレジストが形成
されていない表面に、不働態膜を形成した（図４（ｄ）
参照）。

【００８２】次いで、一旦、電解ニッケルめっき浴から
引き上げて乾燥した後、再び、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、不働態膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の
電流密度で約６０秒間電圧を印加することにより、電解
ニッケルめっきを行ない、不働態膜の表面に、厚さ０．
５μｍのニッケルめっき層を形成した（図４（ｅ）参
照）。その後、めっきレジストを化学エッチングにより
除去することによって（図４（ｆ）参照）、金属転写シ
ートを得た。

【００８３】実施例５まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図４（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åのニッケ
ル薄膜を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、このニ
ッケル薄膜に、フォトレジストからなるめっきレジスト
を貼着して、所定の回路パターンと逆パターンとなるよ
うに、フォトリソグラフ法によりパターン化した（図４
（ｃ）参照）。

【００８４】その後、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、ニッケル薄膜側を陽極として、１０秒間電圧を
印加して、ニッケル薄膜におけるめっきレジストが形成
されていない表面に、不働態膜を形成した（図４（ｄ）
参照）。

【００８５】次いで、一旦、電解ニッケルめっき浴から
引き上げて乾燥した後、電解銅めっき浴に浸漬し、不働
態膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で３
０秒間、さらに、２Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０分間電
圧を印加することにより、電解銅めっきを行ない、不働
態膜の表面に、厚さ１０μｍの銅めっき層を形成した
（図４（ｅ）参照）。その後、めっきレジストを化学エ
ッチングにより除去することによって（図４（ｆ）参
照）、金属転写シートを得た。

【００８６】実施例６まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して（図５（ａ）参照）、このキャリアフィルム
上に、スパッタリング法により、厚さ８００Åの銅薄膜
を形成した（図５（ｂ）参照）。次いで、これを、電解
ニッケルめっき浴に浸漬し、銅薄膜側を陰極として、
０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０秒間電圧を印加する
ことにより、電解ニッケルめっきを行ない、銅薄膜上に
厚さ０．１μｍのニッケルめっき層を形成した（図５
（ｃ）参照）。

【００８７】次いで、電解ニッケルめっき浴内におい
て、そのまま続けて、極性を反転させ、ニッケルめっき
層側を陽極として、１０秒間電圧を印加して、ニッケル
めっき層の表面に、不働態膜を形成した後（図５（ｄ）
参照）、そのまま続けて、極性を反転させ、不働態膜側
を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で約６０秒
間電圧を印加することにより、電解ニッケルめっきを行
ない、不働態膜の表面に、厚さ０．５μｍのニッケルめ
っき層を形成した（図５（ｅ）参照）。

【００８８】その後、このニッケルめっき層に、フォト
レジストからなるエッチングレジストを貼着して、所定
の回路パターンと同一パターンとなるように、フォトリ
ソグラフ法によりパターン化した（図５（ｆ）参照）。

【００８９】次いで、このエッチングレジストをレジス
トとして、上側のニッケルめっき層、不働態膜、下側の
ニッケルめっき層を化学エッチングし、（図５（ｇ）参
照）、その後、エッチングレジストを化学エッチングに
より除去することによって（図２（ｈ）参照）、金属転
写シートを得た。

【００９０】比較例１まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して、このキャリアフィルム上に、スパッタリン
グ法により、厚さ８００Åの銅薄膜を形成した。次い
で、これを、電解ニッケルめっき浴に浸漬し、銅薄膜側
を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０秒間
電圧を印加することにより、電解ニッケルめっきを行な
い、銅薄膜上に厚さ０．１μｍのニッケルめっき層を形
成した。

【００９１】その後、このニッケルめっき層に、フォト
レジストからなるめっきレジストを貼着して、所定の回
路パターンと逆パターンとなるように、フォトリソグラ
フ法によりパターン化した。

【００９２】次いで、これを、電解ニッケルめっき浴に
浸漬し、不働態膜を形成することなく、ニッケルめっき
層側を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で約６
０秒間電圧を印加することにより、電解ニッケルめっき
を行ない、ニッケルめっき層の表面に、厚さ０．５μｍ
のニッケルめっき層を形成した。その後、めっきレジス
トを化学エッチングにより除去することによって、金属
転写シートを得た。

【００９３】比較例２まず、キャリアフィルムとして厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなるキャリアフィルム
を用意して、このキャリアフィルム上に、スパッタリン
グ法により、厚さ８００Åの銅薄膜を形成した。次い
で、これを、電解ニッケルめっき浴に浸漬し、銅薄膜側
を陰極として、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度で１０秒間
電圧を印加することにより、電解ニッケルめっきを行な
い、銅薄膜上に厚さ０．１μｍのニッケルめっき層を形
成した。

【００９４】次いで、このニッケルめっき層の表面に、
スパッタリング法により、厚さ１０００Åのニッケル薄
膜を形成した。その後、これを、電解ニッケルめっき浴
に浸漬し、ニッケル薄膜側を陰極として、０．５Ａ／ｄ
ｍ^２の電流密度で約６０秒間電圧を印加することによ
り、電解ニッケルめっきを行ない、ニッケル薄膜の表面
に、厚さ０．５μｍのニッケルめっき層を形成した。

【００９５】その後、このニッケルめっき層に、フォト
レジストからなるエッチングレジストを貼着して、所定
の回路パターンと同一パターンとなるように、フォトリ
ソグラフ法によりパターン化した。次いで、このエッチ
ングレジストをレジストとして、上側のニッケルめっき
層、ニッケル薄膜、下側のニッケルめっき層を化学エッ
チングし、その後、エッチングレジストを化学エッチン
グにより除去することによって、金属転写シートを得
た。

【００９６】評価各実施例および各比較例で得られた金属転写シートを用
いて、各金属転写シートにおける回路パターンとして形
成されている上側のめっき層に、１００Ｎ／ｍの密着力
を有する粘着テープを貼着した後、引き剥がす剥離試験
を、各金属転写シートについて１０回実施して、そのめ
っき層を粘着テープに転写できる確率を求めた。その結
果を表１に示す。

【００９７】

【表１】

【００９８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属転写シ
ートの製造方法によれば、易剥離界面を形成する不働態
膜を、制御の容易なパラメータである印加電圧および印
加時間をコントロールすることによって形成することが
できるので、剥離度合を正確かつ確実に管理して、安定
した転写性能を実現できる金属転写シートを製造するこ
とができる。また、本発明の金属転写シートの製造方法
によれば、電解めっき装置を用いて、第２金属層の電解
めっきに対して極性を反転させるのみで、不働態膜を形
成することができるので、簡易かつ生産効率よく、金属
転写シートを製造することができる。

【００９９】そして、本発明の金属転写シートは、小さ
い剥離力で簡易かつ確実に被転写体に転写することがで
き、離型剤などを用いずとも、第２金属層を薄層に形成
して、効率良く転写することができる。そのため、電子
部品の電極や回路基板の配線および端子などの形成、と
りわけ、近年、大容量化、小型・薄層化が要求されてい
る積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するため
に、好適に用いることができる。

【０１００】そのため、本発明のセラミックコンデンサ
の製造方法によれば、セラミックグリーンシート上に内
部電極を薄い回路パターンで、簡易かつ確実に形成する
ことができるので、セラミックコンデンサの大容量化お
よび小型・薄層化を図ることができる。しかも、本発明
のセラミックコンデンサの製造方法によれば、離型剤な
どを用いずとも、効率良く転写することができるので、
セラミックコンデンサの生産効率および信頼性を向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の金属転写シートの製造方法の一実施形
態を示す工程図であって、（ａ）は、キャリアフィルム
を用意する工程、（ｂ）は、キャリアフィルム上に、第
１金属層を形成する工程、（ｃ）は、第１金属層の表面
に、不働態膜を形成する工程、（ｄ）は、不働態膜の表
面に、第２金属層を形成する工程を示す。

【図２】図１に示す金属転写シートの製造方法におい
て、第２金属層を予め所定の回路バターンとして形成す
る方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、
キャリアフィルムを用意する工程、（ｂ）は、スパッタ
リング法により、第１金属薄膜を形成する工程、（ｃ）
は、第１金属薄膜上に、電解めっき法により、第１金属
めっき層を形成する工程、（ｄ）は、第１金属めっき層
上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっきレジス
トを形成する工程、（ｅ）は、第１金属めっき層におけ
るめっきレジストが形成されていない表面に、不働態膜
を形成する工程、（ｆ）は、不働態膜の表面に、電解め
っき法により、第２金属めっき層を形成する工程、
（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程を示す。

【図３】図１に示す金属転写シートの製造方法におい
て、第２金属層を予め所定の回路バターンとして形成す
る方法の他の実施形態を示す工程図であって、（ａ）
は、キャリアフィルムを用意する工程、（ｂ）は、スパ
ッタリング法により、第１金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、第１金属薄膜上に、電解めっき法により、第
１金属めっき層を形成する工程、（ｄ）は、第１金属め
っき層上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっき
レジストを形成する工程、（ｅ）は、第１金属めっき層
におけるめっきレジストが形成されていない表面に、不
働態膜を形成する工程、（ｆ）は、不働態膜の表面に、
電解めっき法により、第２金属めっき層を形成する工
程、（ｇ）は、第２金属めっき層上に、電解めっき法に
より、第３金属めっき層を形成する工程、（ｈ）は、め
っきレジストを除去する工程を示す。

【図４】図１に示す金属転写シートの製造方法におい
て、第２金属層を予め所定の回路バターンとして形成す
る方法の他の実施形態を示す工程図であって、（ａ）
は、キャリアフィルムを用意する工程、（ｂ）は、スパ
ッタリング法により、第１金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、第１金属薄膜上に、所定の回路パターンと逆
パターンでめっきレジストを形成する工程、（ｄ）は、
第１金属薄膜におけるめっきレジストが形成されていな
い表面に、不働態膜を形成する工程、（ｅ）は、不働態
膜の表面に、電解めっき法により、第２金属めっき層を
形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工
程を示す。

【図５】図１に示す金属転写シートの製造方法におい
て、第２金属層を予め所定の回路バターンとして形成す
る方法の他の実施形態を示す工程図であって、（ａ）
は、キャリアフィルムを用意する工程、（ｂ）は、スパ
ッタリング法により、第１金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、第１金属薄膜上に、電解めっき法により、第
１金属めっき層を形成する工程、（ｄ）は、第１金属め
っき層の表面に不働態膜を形成する工程、（ｅ）は、不
働態膜の表面に、電解めっき法により、第２金属めっき
層を形成する工程、（ｆ）は、第２金属めっき層上に、
所定の回路パターンと同一のパターンでエッチングレジ
ストを形成する工程、（ｇ）は、エッチングレジストを
レジストとして、第２金属めっき層、不働態膜および第
１金属めっき層をエッチングする工程、（ｈ）は、エッ
チングレジストを除去する工程を示す。

【図６】金属転写シートを用いて、積層セラミックコン
デンサを製造する方法を示す工程図であって、（ａ）
は、金属転写フィルムの第２金属層を、セラミックグリ
ーンシート上に接触させ、圧力を加える工程、（ｂ）
は、金属転写フィルムをセラミックグリーンシートに転
写する工程、（ｃ）は、第２金属層が転写されたセラミ
ックグリーンシートを、積層して焼成することにより、
積層セラミックコンデンサを製造する工程を示す。

【図７】金属転写シートを用いて、積層セラミックコン
デンサを製造する他の方法を示す工程図であって、
（ａ）は、金属転写フィルムの第２金属層を、粘着テー
プの粘着剤上に接触させる工程、（ｂ）は、金属転写フ
ィルムの第２金属層を、粘着テープの粘着剤上に１次転
写する工程、（ｃ）は、セラミックグリーンシート上
に、接着剤を塗布する工程、（ｄ）は、粘着テープに転
写されている第２金属層を、セラミックグリーンシート
の接着剤上に接触させる工程を示す。

【図８】図７に続いて、金属転写シートを用いて、積層
セラミックコンデンサを製造する他の方法を示す工程図
であって、（ｅ）は、粘着テープに転写されている第２
金属層を、セラミックグリーンシートの接着剤上に２次
転写する工程、（ｆ）は、第２金属層が転写されたセラ
ミックグリーンシートを、積層して焼成することによ
り、積層セラミックコンデンサを製造する工程を示す。

【符号の説明】

２第１金属層３不働態膜４第２金属層５金属転写シート１１セラミックグリーンシート１２積層セラミックコンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大内一男大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者小田高司大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者桶結卓司大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AE02 AE03 AH01 AJ01 5E082 AA01 AB03 BB07 BC14 BC38 FG46 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１金属層と第２金属層とが、不働態膜
を介して積層されていることを特徴とする、金属転写シ
ート。
【請求項２】前記第１金属層がニッケルであることを
特徴とする、請求項１に記載の金属転写シート。
【請求項３】前記第２金属層がニッケルであることを
特徴とする、請求項１または２に記載の金属転写シー
ト。
【請求項４】前記第２金属層が銅であることを特徴と
する、請求項１または２に記載の金属転写シート。
【請求項５】前記第２金属層が複数の金属層からなる
ことを特徴とする、請求項１に記載の金属転写シート。
【請求項６】前記第２金属層がニッケル層および銅層
からなることを特徴とする、請求項５に記載の金属転写
シート。
【請求項７】前記第１金属層が、蒸着法または電解め
っき法により形成されていることを特徴とする、請求項
１〜６のいずれかに記載の金属転写シート。
【請求項８】前記第２金属層が、電解めっき法により
形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の金
属転写シート。
【請求項９】前記不働態膜が、めっき浴内において、
前記第２金属層の電解めっきに対して極性が反転された
状態で、電圧が印加されることにより、形成されている
ことを特徴とする、請求項８に記載の金属転写シート。
【請求項１０】第１金属層を用意する工程、めっき浴内において、前記第１金属層側を陽極として電
圧を印加することにより、不働態膜を形成する工程、めっき浴内において、前記不働態膜側を陰極として電圧
を印加することにより、第２金属層を形成する工程を備
えることを特徴とする、金属転写シートの製造方法。
【請求項１１】前記不働態膜を形成する工程におい
て、２〜１０秒間電圧を印加することを特徴とする、請
求項１０に記載の金属転写シートの製造方法。
【請求項１２】請求項１〜９のいずれかに記載の金属
転写シートの第２金属層を、セラミックグリーンシート
に転写する工程、前記第２金属層が転写されたセラミックグリーンシート
を積層する工程、積層されたセラミックグリーンシートを焼成する工程を
備えることを特徴とする、セラミックコンデンサの製造
方法。