JP2003217844A - 発光装置の製造装置、発光装置の製造方法、電子装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造装置が配設される施設内のスペースを有
効に利用できるとともに、複数の処理装置の間での相互
影響による不都合を防止し、発光装置の品質を向上させ
ることができる発光装置の製造装置を提供する。 【解決手段】 発光装置の製造装置２０は、基体を搬送
し、連続的に配置された搬送装置２１と、基体の上に発
光素子を形成するための複数の処理装置２２とを有して
なる。複数の処理装置２２は、搬送装置２１に対して両
側に分かれて配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置の製造装
置、発光装置の製造方法、電子装置の製造装置、電気光
学装置、並びに電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学素子や半導体素子などの電子素
子は、基体上に複数の物質を積層した多層構造からな
り、その製造過程においては、各層を形成する処理が繰
り返し行われる。ここで、電気光学素子としては、有機
ＥＬ素子、液晶表示素子、及び撮像素子（ＣＣＤ）など
が挙げられる。図１９に、電子素子の一例としての有機
ＥＬ素子（発光素子）を備える有機ＥＬ装置（発光装
置）の断面模式図を示す。

【０００３】図１９において、有機ＥＬ装置は、基体と
しての基板９００上に、回路素子部９０１、画素電極
（陽極）９０２、発光層を含む有機機能層９０３、対向
電極（陰極）９０４、及び封止部９０５等が順次積層さ
れた構造からなる。このうち画素電極９０２、機能層９
０３、及び対向電極９０４等を含んで、電気光学素子と
しての発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。

【０００４】こうした発光装置を含む電子装置を製造す
る装置は、従来より、電子素子が形成される基体を搬送
する搬送系と、基体に対して所定の処理を行う処理系と
を備えて構成され、このうち処理系は、基体上に積層さ
れる各層に対応して複数の処理装置を有する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】電子装置の製造装置で
は、基体上に積層される各層に対応して複数の処理装置
を有するため、それらを含む処理系と搬送系とが連続し
て並ぶと、全体の長さが長くなりやすい。そのため、製
造装置が配設される施設内のスペースを有効に利用しに
くい。また、従来の電子装置の製造装置では、ある処理
装置の熱や振動が別の処理装置に伝わり、それが電子装
置の品質を向上させる上で不都合となる場合があった。

【０００６】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、製造装置が配設される施設内のスペースを
有効に利用できるとともに、複数の処理装置の間での相
互影響による不都合を防止し、発光装置（電子装置）の
品質を向上させることができる発光装置（電子装置）の
製造装置を提供することを目的とする。また、本発明
は、品質の向上を図ることができる電気光学装置を提供
することを目的とする。また、本発明は、表示手段の性
能が向上した電子機器を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の発光装置の製造
装置は、発光素子を形成するための発光装置の製造装置
であって、基体を搬送し、連続的に配置された搬送装置
と、前記基体の上に前記発光素子を形成するための複数
の処理装置と、を有してなり、前記複数の処理装置は、
前記搬送装置に対して両側に分かれて配置されてなるこ
とを特徴とする。上記発光装置の製造装置によれば、複
数の処理装置が搬送装置に対して両側に分けて配置され
ることから、製造装置全体の長さを短くできる。そのた
め、製造装置が配設される施設内のスペースを有効に利
用できる。

【０００８】上記発光装置の製造装置において、前記複
数の処理装置のうち、前記搬送装置の少なくとも一方の
側にほぼ同様な機能を有する装置が配置されてなるのが
好ましい。搬送装置の少なくとも一方の側にほぼ同様な
機能を有する装置が配置されてなることにより、ユーテ
ィリティの配置設計の最適化や、メンテナンス性の向上
が図られる。また、まとめられた複数の装置の間で熱や
振動等の相互影響が生じても、機能的に同列なもの同士
であることから、その影響による不都合が生じにくい。

【０００９】この場合において、前記複数の処理装置の
うち、前記搬送装置の一方の側に塗布装置が配置されて
なり、他方の側に乾燥装置が配置されてなるのが好まし
い。加熱装置と塗布装置とが搬送装置に対して両側に分
けて配置されることにより、加熱装置の熱の影響が塗布
装置に及ぶのを防ぐことができる。

【００１０】また上記発光装置の製造装置において、前
記塗布装置としては、例えば、前記発光素子に形成され
てなる発光層を形成するためのインクジェット装置であ
ってもよく、前記発光素子に形成されてなる正孔注入／
輸送層を形成するためのインクジェット装置であっても
よい。

【００１１】本発明の電子装置の製造装置は、電子素子
が形成される基体を搬送する搬送装置と、前記基体に対
して所定の処理を行う複数の処理装置とを備える電子装
置の製造装置であって、前記搬送装置は、連続的に配置
され、前記複数の処理装置は、前記搬送装置に対して両
側に分けて配置されていることを特徴とする。上記電子
装置の製造装置によれば、複数の処理装置が搬送装置に
対して両側に分けて配置されることから、製造装置全体
の長さを短くできる。そのため、製造装置が配設される
施設内のスペースを有効に利用できる。

【００１２】上記電子装置の製造装置において、前記複
数の処理装置は、前記搬送装置の少なくとも一方の側に
ほぼ同様な機能を有する装置が配置されているのが好ま
しい。搬送装置の少なくとも一方の側に機能的に同列な
複数の処理装置がまとめられることにより、ユーティリ
ティの配置設計の最適化や、メンテナンス性の向上が図
られる。また、まとめられた複数の処理装置の間で熱や
振動等の相互影響が生じても、機能的に同列なもの同士
であることから、その影響による不都合が生じにくい。

【００１３】この場合において、前記搬送装置の一方の
側に複数の乾燥装置が配置され、他方の側に複数の塗布
装置が配置されているのが好ましい。加熱装置と塗布装
置とが搬送装置の両側に分けて配置されることにより、
加熱装置の熱の影響が塗布装置に及ぶのを防ぐことがで
きる。

【００１４】前記塗布装置としては、例えば、前記所定
の物質を含む液滴を吐出する液滴吐出装置を用いること
ができる。

【００１５】また、上記電子装置の製造装置において、
前記複数の処理装置は、互いに間隔を空けて配置されて
いるのが好ましい。複数の処理装置が互いに間隔を空け
て配置されることにより、熱や振動等、複数の処理装置
の間で互いの影響を受けにくい。

【００１６】本発明の電気光学装置は、上記電子装置の
製造装置を用いて製造された電子装置を備えることを特
徴とする。上記電気光学装置によれば、上述した製造装
置を用いて製造された電子装置を備えることから、品質
の向上を図ることができる。

【００１７】本発明の電子機器は、上記電気光学装置を
表示手段として備えることを特徴とする。上記電子機器
によれば、表示手段の性能の向上を図ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。図１は、本発明の電子装置の製造装置の実施の形
態例を模式的に示す図である。図１において、本例の電
子装置の製造装置２０は、有機ＥＬ装置（発光装置）を
製造するものであり、電子素子の一例としての有機ＥＬ
素子が形成される基体である基板を搬送する搬送系２１
と、基板に対して所定の処理を行う複数の処理装置を含
む処理系２２とを備えて構成されている。

【００１９】具体的には、図１に示す製造装置２０は、
有機ＥＬ装置の機能層を形成する際の前処理を行うプラ
ズマ処理装置２５、機能層の一部である正孔注入／輸送
層を形成する正孔注入／輸送層形成装置２６、及び同じ
く機能層の一部である発光層を形成する発光層形成装置
２７を備えて構成されている。なお、本発明はこれらの
処理装置に限定されるものではない。また、各装置にお
ける詳しい処理工程については後述する。

【００２０】搬送系２１においては、多関節型の搬送ア
ームを備える複数の振り分け装置３０，３１，…３６が
互いに間隔を空けて直線状に配置されており、その複数
の振り分け装置３０，３１，…３６の間に、基板の受け
渡しを行う受け渡し装置４０，４１，…４６が配置され
ている。つまり、複数の振り分け装置３０，３１，…３
６と、複数の受け渡し装置４０，４１，…４６とがほぼ
交互に直列に接続されている。

【００２１】図２は、上記振り分け装置、及び受け渡し
装置を含む搬送系２１の構成例を概略的に示している。
図２において、振り分け装置は、水平方向、垂直方向、
及び垂直軸周りの回転方向に移動自在な多関節型のロボ
ットアーム（搬送アーム３７Ａ）を有しており、搬送ア
ーム３７Ａには、基板２を保持するための複数の吸着孔
３８が設けられている。吸着孔３８は不図示の真空ポン
プに接続されており、圧力差を利用して基板を吸着保持
する。また、受け渡し装置は、基板２を支持するための
複数のピン４７を有し、この複数のピン４７の高さは、
複数のピン４７上に基板２を搭載した際に基板２の下に
搬送アーム３７Ａを挿入できる空間が形成される高さで
ある。基板２の受け渡しにあたっては、まず、第１の搬
送アーム３７Ａが移動して複数のピン４７の上方に基板
２を搬送し、その後、搬送アーム３７Ａが下降して基板
２を複数のピン４７上に搭載する。第１の搬送アーム３
７Ａは、基板２の搭載が完了すると、複数のピン４７か
ら離れる。次に、第２の搬送アーム３７Ｂが基板２の下
に移動し、その後上昇して複数のピン４７から基板２を
受け取る。なお、本発明は、搬送系の構成として上記し
た構成に限定されない。上記例では、搬送アームが垂直
方向に移動することにより複数のピンに対して基板の受
け渡しや受け取りを行う構成となっているが、複数のピ
ンを上下に移動させる機構を設け、複数のピンの上下移
動により上記基板の受け渡しや受け取りを行う構成とし
てもよい。さらに、基板の位置を整える整列機構、各処
理室への基板振り分け方向を整える回転機構を設けても
よい。また、本発明の搬送系は、多関節型の搬送アーム
を備えることにより、搬送系の両側の装置に基板を容易
に振り分けることができるという利点を有するが、これ
に限らず、ローラコンベアを備えるもの等、他の形態の
搬送手段を用いてもよい。

【００２２】図１に戻り、プラズマ処理装置２５は、予
備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラ
ズマ処理室５３、及び冷却処理室５４を備えている。予
備加熱処理室５１と冷却処理室５４とは同一箇所で多段
に配置されている。また、予備加熱処理室５１／冷却処
理室５４、第１プラズマ処理室５２、及び第２プラズマ
処理室５３は、振り分け装置３０を中心として放射状に
配置されている。処理対象の基板は基板投入部４８を介
して投入され、振り分け装置３０に受け渡される。振り
分け装置３０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処
理室５２、第２プラズマ処理室５３、及び冷却処理室５
４に順次基板を搬入するとともに、処理後の基板を各処
理室から搬出する。プラズマ処理装置２５で処理された
基板は、振り分け装置３０、及び受け渡し装置４０を介
して正孔注入／輸送層形成装置２６に送られる。

【００２３】正孔注入／輸送層形成装置２６は、正孔注
入／輸送層の形成材料を含む組成物を基板上に塗布する
塗布処理室７０の他に、予備加熱処理室７１、加熱処理
室７２、及び冷却処理室７３を備えている。加熱処理室
７２と冷却処理室７３とは同一箇所で多段に配置されて
いる。また、進行方向に向かって振り分け装置３１，３
２の一方の側（ここでは右側）に塗布処理室７０が配置
され、他方の側（ここでは左側）に、予備加熱処理室７
１、及び加熱処理室７２／冷却処理室７３が配置されて
いる。振り分け装置３１は、受け渡し装置４０から基板
を受け取ると、塗布処理室７０、及び予備加熱処理室７
１に順次基板を搬入するとともに、処理後の基板を各処
理室から搬出し、受け渡し装置４１に受け渡す。また、
振り分け装置３２は、受け渡し装置４１から基板を受け
取ると、その基板を加熱処理室７２／冷却処理室７３に
搬入し、処理後の基板を搬出する。正孔注入／輸送層形
成装置２６で処理された基板は、振り分け装置３２，３
３、及び受け渡し装置４２，４３を介して発光層形成装
置２７に送られる。

【００２４】ここで、受け渡し装置４２は、複数の基板
を一時的に保持するバッファ部を有している。バッファ
部に保持された基板は振り分け装置３３によって随時取
り出され、受け渡し装置４３に受け渡される。受け渡し
装置４３も同様に、複数の基板を一時的に保持するバッ
ファ部を有しており、バッファ部に保持された基板は振
り分け装置３４によって随時取り出される。なお、振り
分け装置３３及び受け渡し装置４３は省略してもよい。
また、受け渡し装置４２においてカセットに基板を収納
し、そのカセットを受け渡し装置４３に搬送してもよ
い。

【００２５】発光層形成装置２７は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色に対応して、発光層の
形成材料を含む組成物を基板上に塗布する塗布処理室７
５，７６，７７を備えている。また、各塗布処理室７
５，７６，７７ごとに、加熱処理室７８，７９，８０、
及び冷却処理室８１，８２，８３を備えている。各加熱
処理室と各冷却処理室とは同一箇所で多段に配置されて
いる。また、進行方向に向かって振り分け装置３４，３
５，３６の右側に塗布処理室７５，７６，７７が配置さ
れ、同左側に、加熱処理室７８，７９，８０／冷却処理
室８１，８２，８３が配置されている。振り分け装置３
４は、受け渡し装置４３から基板を受け取ると、塗布処
理室７５、加熱処理室７８／冷却処理室８１に順次基板
を搬入するとともに、処理後の基板を各処理室から搬出
し、受け渡し装置４４に受け渡す。同様に、振り分け装
置３５、振り分け装置３６においても各処理室に対して
基板の搬出入を順次行う。発光層形成装置２７で処理さ
れた基板は、振り分け装置３６、及び受け渡し装置４６
を介して不図示の陰極形成装置に送られる。

【００２６】このように、本例の製造装置２０では、搬
送系２１がほぼ直線状に連続的に配置され、処理系２２
を構成する複数の処理装置（処理室）がその搬送系２１
の両側に分けて配置されている。そのため、製造装置全
体の長さを短くでき、製造装置が配設される施設内のス
ペースを有効に利用できる。しかも、処理系２２に含ま
れる複数の処理室のうち、機能的に同列なものがまとめ
て配置されている。すなわち、進行方向に向かって搬送
系２１の右側に塗布処理室７０，７５，７６，７７がま
とめて配置され、同左側に、加熱装置及び冷却処理装置
７８〜８３がまとめて配置されている。そのため、ユー
ティリティの配置設計の最適化や、メンテナンス性の面
で有利である。また、まとめられた複数の処理装置の間
で熱や振動等の相互影響が生じても、機能的に同列なも
の同士であることから、その影響による不都合が生じに
くい。また、熱源を有する加熱処理室７８，７９，８０
と、塗布処理室７０，７５，７６，７７とが搬送系２１
の両側に分けて配置されているので、加熱処理室の熱の
影響が塗布処理室に及びにくい。そのため、熱による塗
布材料の粘度変化や、塗布機構の熱変化が起こりにく
く、品質の向上を図りやすい。

【００２７】また、本例の製造装置２０では、処理系２
２の各処理室が搬送系２１の両側のそれぞれにおいて互
いに間隔を空けて配置されている。すなわち、塗布処理
室７０、７５、７６、７７はそれぞれ互いに離間して配
置されており、加熱／冷却装置７８〜８３もそれぞれ互
いに離間して配置されている。そのため、搬送系２１の
同一側（右側あるいは左側）に配される複数の処理装置
の間においても、熱や振動等の相互影響は小さい。

【００２８】上記製造装置２０においては、処理対象と
なる基板が配される空間を、水、酸素が排除された雰囲
気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン
雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。こ
れにより、基板上に形成される層の酸化等の劣化が防止
される。

【００２９】また、不図示の空調装置により、プラズマ
処理装置２５、正孔注入／輸送層形成装置２６、発光層
形成装置２７が配される空間の雰囲気を個別に制御する
のが好ましい。すなわち、例えば、上述した各装置２
５，２６，２７の間に壁を設けて複数の空間を設け、各
空間の雰囲気（温度、パージガスなど）を個別に制御す
る。これにより、装置間の熱や振動の伝達を確実に防止
できる。また、各装置２５，２６，２７が配される空間
を上述した不活性ガス雰囲気に置換することにより、基
板が配される空間の上記不活性ガス雰囲気状態を確実に
維持することができる。さらに、メンテナンス時などに
おいて上述した不活性ガス雰囲気が破壊される場合にも
その破壊領域を最小限に抑制できる。

【００３０】また、上記製造装置２０において、塗布処
理室７０，７５，７６，７７における塗布方法として
は、材料を液滴状に吐出する液滴吐出技術、いわゆるイ
ンクジェット方式を用いるとよい。インクジェット方式
は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所
望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。

【００３１】ここで、インクジェット方式としては、帯
電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変
換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式
は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の
飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。
また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加してノズル
先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけ
ない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御
電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が
飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換
方式（ピエゾ方式）は、ピエゾ素子（圧電素子）がパル
ス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもの
で、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した
空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料
を押し出してノズルから吐出させるものである。また、
電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒー
タにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生
させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させる
ものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に
微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、
この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すもので
ある。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利
用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用
可能である。上記液滴吐出技術のうち、ピエゾ方式は、
材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにく
いという利点を有する。

【００３２】図３は、本発明の電気光学装置を有機ＥＬ
装置を用いたアクティブマトリクス型の表示装置（有機
ＥＬ表示装置）に適用した実施の形態例であり、上記電
子装置の製造装置２０を用いて製造される有機ＥＬ素子
を発光素子として備えるものである。また、この表示装
置１は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動
方式を採用している。

【００３３】表示装置１は、基板２の上に、回路素子と
しての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、発光層
を含む機能層１１０、陰極１２、及び封止部３等を順次
積層した構造からなる。

【００３４】基板２としては、本例ではガラス基板が用
いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の
他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金
属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板
等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な
基板が適用される。基板２上には、発光領域としての複
数の画素領域Ａがマトリクス状に配列されており、カラ
ー表示を行う場合、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色に対応する画素領域Ａが所定の配列で並
ぶ。各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、そ
の近傍には信号線１３２、電源線１３３、走査線１３１
及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されて
いる。画素領域Ａの平面形状は、図に示す矩形の他に、
円形、長円形など任意の形状が適用される。

【００３５】また、封止部３は、水や酸素の侵入を防い
で陰極１２あるいは機能層１１０の酸化を防止するもの
であり、基板２に塗布される封止樹脂、及び基板２に貼
り合わされる封止基板３ｂ（封止缶）等を含む。封止樹
脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線
硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種である
エポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板
２の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロデ
ィスペンサ等により塗布される。封止基板３ｂは、ガラ
スや金属等からなり、基板２と封止基板３ｂとは封止樹
脂を介して張り合わされる。

【００３６】図４は、上記表示装置１の回路構造を示し
している。図４において、基板２上には、複数の走査線
１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる
複数の信号線１３２と、信号線１３２に並列に延びる複
数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１
３１及び信号線１３２の各交点ごとに上記画素領域Ａが
形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレ
ジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイ
ッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。
また、走査線１３１には、シフトレジスタ及びレベルシ
フタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。

【００３７】画素領域Ａには、走査線１３１を介して走
査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第１
の薄膜トランジスタ１２３と、この薄膜トランジスタ１
２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保
持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持
された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第２
の薄膜トランジスタ１２４と、この薄膜トランジスタ１
２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電
源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（陽
極）と、画素電極１１１と対向電極１２（陰極）との間
に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。機能
層１１０は、発光層としての有機ＥＬ層を含む。

【００３８】画素領域Ａでは、走査線１３１が駆動され
て第１の薄膜トランジスタ１２３がオンとなると、その
ときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持さ
れ、この保持容量１３５の状態に応じて、第２の薄膜ト
ランジスタ１２４の導通状態が決まる。また、第２の薄
膜トランジスタ１２４のチャネルを介して電源線１３３
から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０
を通じて対向電極１２（陰極）に電流が流れる。そし
て、このときの電流量に応じて、機能層１１０が発光す
る。

【００３９】図５は、表示装置１における表示領域の断
面構造を拡大した図である。この図５には３つの画素領
域Ａが図示されている。表示装置１は、基板２上に、Ｔ
ＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、機能層
１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次
積層されて構成されている。表示装置１においては、機
能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４
及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射
されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発
した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及
び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射さ
れるようになっている。なお、陰極１２として、透明な
材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射さ
せることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐ
ｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜
厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、こ
の膜厚よりも薄くした方がより好ましい。

【００４０】回路素子部１４には、基板２上にシリコン
酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保
護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１
４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソ
ース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐ
イオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入
されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなってい
る。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半
導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成さ
れ、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成さ
れ、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透
明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂ
が形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１
のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを
貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４
１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール
１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶
縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極
１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一
方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接
続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４
６が電源線１３３に接続されている。このようにして、
回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆
動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。な
お、回路素子部１４には、前述した保持容量１３５及び
スイッチング用の薄膜トランジスタ１２４も形成されて
いるが、図５ではこれらの図示を省略している。

【００４１】発光素子部１１は、複数の画素電極１１１
…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１
１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０
を区画するバンク部１１２とを主体として構成されてい
る。機能層１１０上には陰極１２が配置されている。発
光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１１１、陰極１
２、及び機能層１１０等を含んで構成される。ここで、
画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてな
り、平面視略矩形にパターニングされて形成されてい
る。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの
範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画
素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられてい
る。

【００４２】バンク部１１２は、図５に示すように、基
板２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク
層）と基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２
ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。

【００４３】無機物バンク層、有機物バンク層（１１２
ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げ
るように形成されている。平面的には、画素電極１１１
の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるよ
うに配置された構造となっている。また、有機物バンク
層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面
的に重なるように配置されている。また無機物バンク層
１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１
１１の中央側にさらに形成されている。このようにし
て、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが
画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電
極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設
けられている。また、有機物バンク層１１２ｂには、上
部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１
１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１
１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１
１２ｄは、図５に示すように、下部開口部１１２ｃより
広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、
上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の
端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もあ
る。この場合は、図５に示すように、有機物バンク層１
１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状とな
る。そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及
び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バ
ンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する
開口部１１２ｇが形成されている。

【００４４】また、無機物バンク層１１２ａは、例え
ば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなることが好ま
しい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２
００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜
厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述
する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層
の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜
厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる
段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後
述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくな
い。

【００４５】さらに、有機物バンク層１１２ｂは、アク
リル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、
特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後
述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物
バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１
２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、
厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによ
る段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成
する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなる
ので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚
さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１
２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。

【００４６】また、バンク部１１２には、親液性を示す
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ
化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭
素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化
処理（撥液性に処理）されている。

【００４７】図５に示すように、機能層１１０は、画素
電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａ
と、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された
発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１
１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさ
らに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成する事
も可能である。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発
光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を
正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を
有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電
極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発
光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上す
る。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電
子が発光層で再結合し、発光が得られる。

【００４８】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１
上であって、且つ無機物バンク層１１２ａの間（下部開
口部１１２ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した
平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１
０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範
囲に形成される。周縁部１１０ａ2が形成される場合に
おいては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上
に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有
機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１
１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電
極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口
部１１２ｃの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１
１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注
入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び
極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出して
から極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶
媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上
で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部
１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。

【００４９】また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５
０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、
赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色
（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。

【００５０】上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａ
の周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機
物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１
０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがな
い。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１
１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層
１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ
2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１
２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態とな
り、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入
されることがない。これにより、画素電極１１１からの
電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１
２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることがで
き、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることが
できるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定
にすることができる。また、無機物バンク層１１２ａが
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
にさらに延出されているので、この無機物バンク層１１
２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接
合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１
１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

【００５１】さらに、画素電極１１１の電極面１１１ａ
及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示
すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バン
ク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上
で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と
陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層
１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が
撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１
２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１
２ｇから溢れて形成されることがない。

【００５２】なお、正孔注入／輸送層形成材料として
は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物
を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料と
しては、例えば、［化１］〜［化５］が、ポリフルオレ
ン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン
誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，
１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジ
エン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をド
ープして用いることができる。

【００５３】

【化１】

【００５４】

【化２】

【００５５】

【化３】

【００５６】

【化４】

【００５７】

【化５】

【００５８】陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成
されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０
に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、
カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成され
ている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数
が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態にお
いては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに
電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは
発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発
光層１１０ｂと陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合
もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１
１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用い
ても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ
3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色
及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチ
ウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色
の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを
形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。なお、フ
ッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ま
しく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さ
は、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、陰極
１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発
した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａ
ｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。
また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲
が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミ
ニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防
止用の保護層を設けても良い。

【００５９】次に、図１に示した電子装置の製造装置２
０を用いて有機ＥＬ装置を製造する方法について図６〜
図２０を参照して詳しく説明する。本例の有機ＥＬ装置
の製造方法は、（１）プラズマ処理工程、（２）正孔注
入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）対
向電極（陰極）形成工程、及び（７）封止工程を含む。
なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応
じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合
もある。また、製造装置２０には、回路素子としての薄
膜トランジスタが形成された基板２上に画素電極１１
１、及びバンク部１１２が形成されたものが投入され
る。

【００６０】（１）プラズマ処理工程 プラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化
すること、さらにバンク部１１２の表面を表面処理する
事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電
極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、さらに仕事関数の調整を
主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の
表面の親液化処理、バンク部１１２表面の撥液化処理を
行う。

【００６１】プラズマ処理工程は、(1)-1予備加熱工
程、(1)-2活性化処理工程（親液性にする親液化工
程）、(1)-3撥液化処理工程、及び(1)-4冷却工程とに大
別される。なお、このような工程に限られるものではな
く、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われ
る。

【００６２】まず、図１に示すプラズマ処理装置２５を
用いた概略の工程を説明する。予備加熱工程は、図１に
示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの
処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基
板２を所定の温度に加熱する。予備加熱工程の後、親液
化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基板は第
１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、そ
れぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプ
ラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液
化処理を行う。撥液化処理の後に基板を冷却処理室に搬
送し、冷却処理室５４おいて基板を室温まで冷却する。
この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注
入／輸送層形成工程に基板を搬送する。

【００６３】以下に、それぞれの工程について詳細に説
明する。 (1)-1 予備加熱工程 予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処
理室５１において、バンク部１１２を含む基板２を所定
の温度まで加熱する。基板２の加熱方法は、例えば処理
室５１内にて基板２を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板２を加熱する手
段がとられている。なお、これ以外の方法を採用するこ
とも可能である。予備加熱処理室５１において、例えば
７０℃〜８０℃の範囲に基板２を加熱する。この温度は
次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次
の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、基板２の温度
ばらつきを解消することを目的としている。仮に予備加
熱工程を加えなければ、基板２は室温から上記のような
温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了ま
でのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しなが
ら処理される事になる。したがって、基板温度が変化し
ながらプラズマ処理を行うことは、特性の不均一につな
がる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保
ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。

【００６４】そこで、プラズマ処理工程においては、第
１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ
上に基板２を載置した状態で親液化工程または撥液化工
程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥
液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ
一致させることが好ましい。そこで、第１，第２プラズ
マ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温
度、例えば７０〜８０℃まで予め基板２を予備加熱する
ことにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行っ
た場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ
処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、
基板２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組
成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品
質を有する表示装置を製造することができる。また、基
板２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ
処理における処理時間を短縮することができる。

【００６５】(1)-2 活性化処理 つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行わ
れる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関
数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の
親液化処理が含まれる。親液化処理として、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ
処理）を行う。図６は第１プラズマ処理を模式的に示し
た図である。図６に示すように、バンク部１１２を含む
基板２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置さ
れ、基板２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度
の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板２に対向し
て配置されている。基板２は、試料ステージ５６によっ
て加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向
けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対し
てプラズマ状態の酸素が照射される。Ｏ2プラズマ処理
の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋ
Ｗ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速
度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の
条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱
は、主として予備加熱された基板２の保温のために行わ
れる。

【００６６】このＯ2プラズマ処理により、図７に示す
ように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バン
ク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層
１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１
２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの
各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図８で
は、親液処理された部分を一点鎖線で示している。な
お、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみな
らず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事
関数の調整も兼ねている。

【００６７】(1)-3 撥液処理工程 つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程とし
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスと
するプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２
プラズマ処理室５３の内部構造は図６に示した第１プラ
ズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基板２
は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージ
ごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対し
てプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）が照射される。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度
０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条
件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１
プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱
された基板２の保温のために行われる。なお、処理ガス
は、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、
他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。

【００６８】ＣＦ4プラズマ処理により、図８に示すよ
うに、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上
面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、こ
れらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与され
る。図８では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示してい
る。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカ
ーボンが照射することで容易に撥液化させることができ
る。また、Ｏ2プラズマにより前処理した方がフッ素化
されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には
特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１１１
ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅも
このＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性
に影響を与える事は少ない。図８では、親液性を示す領
域を一点鎖線で示している。

【００６９】(1)-4 冷却工程 次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ
処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程であるインクジェット工程
（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却するために行う工
程である。この冷却処理室５４は、基板２を配置するた
めのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却する
ように水冷装置が内蔵された構造となっている。また、
プラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度（例
えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却する
ことにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、
基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無い均
一な温度で次工程を行うことができる。したがって、こ
のような冷却工程を加えることにより、インクジェット
法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成でき
る。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を
含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の
容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送
層を均一に形成することができる。

【００７０】上記のプラズマ処理工程では、材質が異な
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ2プラズマ処理とＣＦ4プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。また，上記プ
ラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプ
ラズマ装置を用いても良い。

【００７１】（２）正孔注入／輸送層形成工程 次に正孔注入／輸送層形成工程では、先の図１に示した
正孔注入／輸送層形成装置２６を用いて電極（ここでは
画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。正
孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出法（インクジェ
ット法）を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐
出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極
１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸
送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１
０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第
１積層部１１２ｅという。この正孔注入／輸送層形成工
程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とす
る事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気
等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

【００７２】なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積
層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、
画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される
形態もある。

【００７３】インクジェット法による層の形成方法は以
下の通りである。図９に示すように、インクジェットヘ
ッドＨ1に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送
層形成材料を含む第１組成物を吐出する。ここではイン
クジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成
物を充填しているが、基板２を走査することによっても
可能である。さらに、インクジェットヘッドと基板２と
を相対的に移動させることによっても組成物を充填させ
ることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッ
ドを用いて行う工程では上記の点は同様である。

【００７４】インクジェットヘッドによる吐出は以下の
通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ1に形
成されてなる吐出ノズルＨ2を電極面１１１ａに対向し
て配置し、ノズルＨ2から第１組成物を吐出する。画素
電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバ
ンク部１１２が形成されており、この下部開口部１１２
ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘ
ッドＨ1を対向させ、このインクジェットヘッドＨ1と基
板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ2から１滴
当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを電極
面１１１ａ上に吐出する。

【００７５】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。より具体
的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDO
T/PSS=1:20)：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量
％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：
５０重量％のものを例示できる。なお、第１組成物の粘
度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ
程度が良い。上記の第１組成物を用いることにより、吐
出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出でき
る。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対
して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良
い。

【００７６】図９に示すように、吐出された第１組成物
滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第１
積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１
０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐
出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０
ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０
ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【００７７】電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物量
は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形
成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中
の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定され
る。また、第１組成物滴１１０ｃは１回のみならず、数
回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。
この場合、各回における第１組成物の量は同一でも良
く、各回毎に第１組成物を変えても良い。さらに電極面
１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１
ａ内の異なる箇所に第１組成物を吐出しても良い。

【００７８】インクジェットヘッドの構造については、
図１０のようなヘッドＨを用いる事ができる。さらに、
基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１１の
ように配置することが好ましい。図１０中、符号Ｈ7は
前記のインクジェットヘッドＨ1を支持する支持基板で
あり、この支持基板Ｈ7上に複数のインクジェットヘッ
ドＨ1が備えられている。インクジェットヘッドＨ1のイ
ンク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向
に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２
列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合
計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジ
ェットヘッドＨ1は、吐出ノズルを基板側に向けるとと
もに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態
で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔を
あけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板
に複数（図１１では１列６個、合計１２個）位置決めさ
れて支持されている。また図１１に示すインクジェット
装置において、符号１１１５は基板２を載置するステー
ジであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸
方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。ま
たヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール
１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動で
きるようになっており、さらにヘッドＨは図中θ軸方向
に回転できるようになっており、インクジェットヘッド
Ｈ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることがで
きるようになっている。このように、インクジェットヘ
ッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノ
ズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。ま
た、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッ
チに対しても対応させることができる。

【００７９】また、図１１に示す基板２は、マザー基板
に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１
チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、
３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られ
るものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２
ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１
１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるととも
に、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に
移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、
ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域
２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２
ａに対しても前記と同様である。なお、図１０に示すヘ
ッドＨ及び図１１に示すインクジェット装置は、正孔注
入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用
いるとよい。

【００８０】次に、図１２に示すような乾燥工程を行
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図１３に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。

【００８１】また、これと同時に、乾燥処理によって電
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ1が形成さ
れる。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１
１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。

【００８２】上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、
室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度
にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが
突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以
上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を
形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好まし
くは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行
うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性
溶媒や水を除去することが好ましい。

【００８３】上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐
出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１
１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理され
た有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下
部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。こ
れにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、
上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することがで
き、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成することができる。

【００８４】（３）発光層形成工程 次に発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程、およ
び乾燥工程、とからなり、先の図１に示した発光層形成
装置２７を用いて行われる。

【００８５】発光層形成工程として、インクジェット法
（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成
物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処
理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂ
を形成する。

【００８６】図１４に、インクジェットによる吐出方法
を示す。図１４に示すように、インクジェットヘッドＨ
5と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッド
に形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここで
は青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が
吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに
吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基
板２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出され
る。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの
液量が制御されている。このように液量が制御された液
（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、
この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。

【００８７】発光層形成材料としては、［化１］〜［化
５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、
あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる
事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、
ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープす
ることにより用いることができる。

【００８８】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【００８９】図１４に示すように、吐出された第２組成
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【００９０】各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する
第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第
２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。ま
た、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分け
て同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良
い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも
良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。さら
に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各
回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２
組成物を吐出配置しても良い。

【００９１】次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図１５に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図１５においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より
明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成
されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対
応）が形成されている。

【００９２】続けて、図１６に示すように、前述した青
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。

【００９３】また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１
０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突
沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上
にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成
材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうの
で好ましくない。また緑色発光層１１０ｂ2、および赤
色発光層１１０ｂ1の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、
４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするの
がよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射
法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにし
て、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び
発光層１１０ｂが形成される。

【００９４】（４）対向電極（陰極）形成工程 次に対向電極形成工程では、図１７に示すように、発光
層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１
２（対向電極）を形成する。なお、陰極１２は複数の材
料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側
には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、
例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材
料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場
合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕
事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。こ
れらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成する
ことが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点
で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ
上のみに形成しても良く、さらに所定の色に対応して形
成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ
3上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）
発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2に
は、カルシウムからなる上部陰極層が接することとな
る。

【００９５】また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用
いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００
〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００
ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のために
ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。

【００９６】（５）封止工程 最後に封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止
基板３ｂ（図３参照）とを封止樹脂を介して封止する工
程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂
からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂
上に封止基板３ｂを配置する。この工程により基板２上
に封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、
ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じ
ていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に
侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好まし
くない。

【００９７】以上のプロセスにより、有機ＥＬ装置が完
成する。この後、基板２の配線に陰極１２を接続すると
ともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ
（駆動回路）に回路素子部１４（図３参照）の配線を接
続することにより、本例の有機ＥＬ装置１が完成する。

【００９８】図１８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電子機
器の実施の形態例を示している。本例の電子機器は、上
述した有機ＥＬ装置等の本発明の電気光学装置を表示手
段として備えている。図１８（ａ）は、携帯電話の一例
を示した斜視図である。図１８（ａ）において、符号６
００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装
置を用いた表示部を示している。図１８（ｂ）は、ワー
プロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示し
た斜視図である。図１８（ｂ）において、符号７００は
情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、
符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表
示装置を用いた表示部を示している。図１８（ｃ）は、
腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１８
（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８
０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。図
１８（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、本発
明の電気光学装置を表示手段として備えているので、品
質の優れた表示を実現することができる。

【００９９】以上、添付図面を参照しながら本発明に係
る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に
限定されないことは言うまでもない。上述した例におい
て示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であ
って、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要
求等に基づき種々変更可能である。

【０１００】

【発明の効果】本発明の電子装置の製造装置によれば、
複数の処理装置が搬送系の両側に分けて配置されること
により、製造装置が配設される施設内のスペースを有効
に利用できる。また、搬送系の少なくとも一方の側に機
能的に同列な複数の処理装置がまとめられることによ
り、複数の処理装置の間での相互影響による不都合を防
止し、電子装置の品質を向上させることができる。

【０１０１】また、本発明の電気光学装置によれば、上
記電子装置を備えることから、品質の向上を図ることが
できる。

【０１０２】また、本発明の電子機器によれば、上記電
気光学装置を表示手段として備えることから、表示手段
の性能を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電子装置の製造装置の実施の形態例
を模式的に示す図である。

【図２】 振り分け装置及び受け渡し装置を含む搬送系
の構成例を概略的に示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図３】 本発明の電気光学装置の実施の形態例である
有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す図である。

【図４】 アクティブマトリクス型有機ＥＬ装置の回路
の一例を示す回路図である。

【図５】 有機ＥＬ装置における表示領域の断面構造を
拡大した図である。

【図６】 プラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内
部構造を示す模式図である。

【図７】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図で
ある。

【図８】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図で
ある。

【図９】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図で
ある。

【図１０】 液滴吐出用のヘッド（インクジェットヘッ
ド）を示す平面図である。

【図１１】 液滴吐出装置（インクジェット装置）を示
す平面図である。

【図１２】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１３】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１４】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１５】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１６】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１７】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１８】 本発明の電子機器の実施の形態例を示す図
である。

【図１９】 電子装置の一例としての有機ＥＬ素子を備
える有機ＥＬ装置の断面模式図である。

【符号の説明】

１…有機ＥＬ装置（発光装置、電気光学装置） ２…基板（基体） ３…封止部 １２…陰極（対向電極） ２０…製造装置 ２１…搬送系（搬送装置） ２２…処理系（処理装置） ２５…プラズマ処理装置 ２６…正孔注入／輸送層形成装置 ２７…発光層形成装置 ７０，７５，７６，７７…塗布処理室（塗布装置） ７２，７３，７８，７９，８０…加熱処理室（加熱装
置） １１０…機能層 １１０ａ…正孔注入／輸送層 １１０ｂ…発光層 １１１…画素電極（電極） １１２…バンク部

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 BB07 DB03 FA01 FA02 5C094 AA07 AA08 AA43 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 FA01 FA02 FB01 FB20 GB10 5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 EE37 HH01 HH20 KK05 KK10

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子を形成するための発光装置の製
   造装置であって、 基体を搬送し、連続的に配置された搬送装置と、 前記基体の上に前記発光素子を形成するための複数の処
   理装置と、を有してなり、 前記複数の処理装置は、前記搬送装置に対して両側に分
   かれて配置されてなることを特徴とする発光装置の製造
   装置。
2. 【請求項２】 前記複数の処理装置のうち、前記搬送装
   置の少なくとも一方の側にほぼ同様な機能を有する装置
   が配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の発
   光装置の製造装置。
3. 【請求項３】 前記複数の処理装置のうち、前記搬送装
   置の一方の側に塗布装置が配置されてなり、他方の側に
   乾燥装置が配置されてなることを特徴とする請求項２に
   記載の発光装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記塗布装置は、前記発光素子に形成さ
   れてなる発光層を形成するためのインクジェット装置で
   あることを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造
   方法。
5. 【請求項５】 前記塗布装置は、前記発光素子に形成さ
   れてなる正孔注入／輸送層を形成するためのインクジェ
   ット装置であることを特徴とする請求項３に記載の発光
   装置の製造方法。
6. 【請求項６】 電子素子が形成される基体を搬送する搬
   送装置と、前記基体に対して所定の処理を行う複数の処
   理装置とを備える電子装置の製造装置であって、 前記搬送装置は、連続的に配置され、 前記複数の処理装置は、前記搬送装置に対して両側に分
   けて配置されていることを特徴とする電子装置の製造装
   置。
7. 【請求項７】 前記複数の処理装置は、前記搬送装置の
   少なくとも一方の側にほぼ同様な機能を有する装置が配
   置されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装
   置の製造装置。
8. 【請求項８】 前記搬送装置の一方の側に複数の乾燥装
   置が配置され、他方の側に複数の塗布装置が配置されて
   いることを特徴とする請求項７に記載の電子装置の製造
   装置。
9. 【請求項９】 前記複数の塗布装置は、前記所定の物質
   を含む液滴を吐出する液滴吐出装置を含むことを特徴と
   する請求項８に記載の電子装置の製造装置。
10. 【請求項１０】 前記複数の処理装置は、互いに間隔を
    空けて配置されていることを特徴とする請求項６乃至請
    求項９のいずれかに記載の電子装置の製造装置。
11. 【請求項１１】 請求項６乃至請求項１０のいずれかに
    記載の電子装置の製造装置を用いて製造された電子装置
    を備えることを特徴とする電気光学装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の電気光学装置を表
    示手段として備えることを特徴とする電子機器。