JP2003209330A - 両面回路基板及びその製造方法 - Google Patents
両面回路基板及びその製造方法Info
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- JP2003209330A JP2003209330A JP2002005717A JP2002005717A JP2003209330A JP 2003209330 A JP2003209330 A JP 2003209330A JP 2002005717 A JP2002005717 A JP 2002005717A JP 2002005717 A JP2002005717 A JP 2002005717A JP 2003209330 A JP2003209330 A JP 2003209330A
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- metal
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 量産性が改良された両面回路基板、及びその
製造方法、更に小径ブラインドビアホ−ル上に保護膜を
形成しても孔底部の気泡残りを実質上なくした両面回路
基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 金属層２，３がポリイミドフィルム４の
両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望の位
置にレ−ザ−加工により面の金属層およびポリイミドフ
ィルムに孔が形成されており、孔内に金属メッキによっ
てブラインドビアホ−ル６が形成され、両面の金属層が
エッチング加工され、両面にソルダ−レジスト７が形成
されてなる両面回路基板１。
製造方法、更に小径ブラインドビアホ−ル上に保護膜を
形成しても孔底部の気泡残りを実質上なくした両面回路
基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 金属層２，３がポリイミドフィルム４の
両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望の位
置にレ−ザ−加工により面の金属層およびポリイミドフ
ィルムに孔が形成されており、孔内に金属メッキによっ
てブラインドビアホ−ル６が形成され、両面の金属層が
エッチング加工され、両面にソルダ−レジスト７が形成
されてなる両面回路基板１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子を搭
載できる両面回路基板及びその製造方法に関し、特にＵ
Ｖ−ＹＡＧレ−ザ−加工を孔加工に用いることにより、
所望の位置に金属箔への孔形成とポリイミドフィルムへ
の孔形成とを同時に行うことにより、量産性に優れた両
面回路基板及びその製造方法に関する。
載できる両面回路基板及びその製造方法に関し、特にＵ
Ｖ−ＹＡＧレ−ザ−加工を孔加工に用いることにより、
所望の位置に金属箔への孔形成とポリイミドフィルムへ
の孔形成とを同時に行うことにより、量産性に優れた両
面回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の小型化、高密度実装
化、高性能化の要求に対し、導体パタ−ンの細線化、ス
ル−ホ−ル、部品孔等の孔の小孔化、ランド、パッド等
の小径化および配線板のフレキシブル化及び多層化に対
して、スル−ホ−ルを設ける代わりにブラインドビアホ
−ルを設ける場合が増えている。小径ブラインドビアホ
−ル形成は、従来のドリルやパンチング加工方法では不
可能である。一般には、片側の金属箔にエッチング加工
にて孔加工を施した後、ＣＯ２レ−ザ−を照射してブラ
インドビアホ−ルが形成される。
化、高性能化の要求に対し、導体パタ−ンの細線化、ス
ル−ホ−ル、部品孔等の孔の小孔化、ランド、パッド等
の小径化および配線板のフレキシブル化及び多層化に対
して、スル−ホ−ルを設ける代わりにブラインドビアホ
−ルを設ける場合が増えている。小径ブラインドビアホ
−ル形成は、従来のドリルやパンチング加工方法では不
可能である。一般には、片側の金属箔にエッチング加工
にて孔加工を施した後、ＣＯ２レ−ザ−を照射してブラ
インドビアホ−ルが形成される。
【０００３】例えば、特開平１０−１５４７３０号公報
には、２層ＣＣＬとして新日化学社製テ−プを使用し、
片面の銅箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ン
を形成した後、ＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部
分のポリイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを
形成し、ブラインドホ−ル底部に堆積したポリイミド膜
をデスミアした後、底部の銅箔の一部および微量のポリ
イミドをエッチングおよびデスミアして除去し、導電化
処理した後、銅メッキしてブラインドビアホ−ルを形成
した例が記載されている。
には、２層ＣＣＬとして新日化学社製テ−プを使用し、
片面の銅箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ン
を形成した後、ＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部
分のポリイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを
形成し、ブラインドホ−ル底部に堆積したポリイミド膜
をデスミアした後、底部の銅箔の一部および微量のポリ
イミドをエッチングおよびデスミアして除去し、導電化
処理した後、銅メッキしてブラインドビアホ−ルを形成
した例が記載されている。
【０００４】このように、従来公知の方法によれば、銅
箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ンを形成す
る工程とＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部分のポ
リイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを形成す
る必要があり、ブラインドビアホ−ル形成に二工程が必
要である。さらに、特に小径ブラインドビアホ−ル形成
の場合にはＣＯ２レ−ザ−のみを使用すると薄膜が孔最
下底部に残存しやすい。このため、従来公知の両面回路
基板及びその製造方法は量産性が劣る。
箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ンを形成す
る工程とＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部分のポ
リイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを形成す
る必要があり、ブラインドビアホ−ル形成に二工程が必
要である。さらに、特に小径ブラインドビアホ−ル形成
の場合にはＣＯ２レ−ザ−のみを使用すると薄膜が孔最
下底部に残存しやすい。このため、従来公知の両面回路
基板及びその製造方法は量産性が劣る。
【０００５】また、形成された小径ブラインドビアホ−
ル上に保護膜（ソルダ−レジスト）を形成する場合、一
般的なスクリ−ン印刷では孔底部に気泡が残りやすく、
気泡の生じない保護膜形成が求められている。
ル上に保護膜（ソルダ−レジスト）を形成する場合、一
般的なスクリ−ン印刷では孔底部に気泡が残りやすく、
気泡の生じない保護膜形成が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、この発明の目
的は、量産性が改良された両面回路基板、及びその製造
方法を提供することである。また、この発明の他の目的
は、小径ブラインドビアホ−ル上に保護膜を形成しても
孔底部の気泡残りを実質上なくした両面回路基板の製造
方法を提供することである。
的は、量産性が改良された両面回路基板、及びその製造
方法を提供することである。また、この発明の他の目的
は、小径ブラインドビアホ−ル上に保護膜を形成しても
孔底部の気泡残りを実質上なくした両面回路基板の製造
方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属層がポ
リイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の
一方の面の所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金
属層およびポリイミドフィルムに孔が形成されており、
孔内に金属メッキによってブラインドビアホ−ルが形成
され、両面の金属層がエッチング加工され、両面にソル
ダ−レジストが形成されてなる両面回路基板に関する。
さらに、この発明は、前記の両面回路基板のソルダ−レ
ジストの開孔部分の金属層上に金メッキ層が形成されて
なる両面回路基板（両面配線基板ともいう。）に関す
る。
リイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の
一方の面の所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金
属層およびポリイミドフィルムに孔が形成されており、
孔内に金属メッキによってブラインドビアホ−ルが形成
され、両面の金属層がエッチング加工され、両面にソル
ダ−レジストが形成されてなる両面回路基板に関する。
さらに、この発明は、前記の両面回路基板のソルダ−レ
ジストの開孔部分の金属層上に金メッキ層が形成されて
なる両面回路基板（両面配線基板ともいう。）に関す
る。
【０００８】また、この発明は、金属層がポリイミドフ
ィルムの両面に積層された両面金属積層体の一方の面の
所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層および
ポリイミドフィルムに同時に孔加工を行い、孔内に金属
メッキしてブラインドビアホ−ルを形成し、両面の金属
層にエッチング加工を施した後、両面にソルダ−レジス
トを形成する両面回路基板の製造方法に関する。
ィルムの両面に積層された両面金属積層体の一方の面の
所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層および
ポリイミドフィルムに同時に孔加工を行い、孔内に金属
メッキしてブラインドビアホ−ルを形成し、両面の金属
層にエッチング加工を施した後、両面にソルダ−レジス
トを形成する両面回路基板の製造方法に関する。
【０００９】さらに、この発明は、金属層がポリイミド
フィルムの両面に積層された両面金属積層体の一方の面
の所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層およ
びポリイミドフィルムに同時に孔加工を行い、孔内に金
属メッキしてブラインドビアホ−ルを形成し、両面の金
属層にエッチング加工を施した後、真空下において感光
性ドライフィルムをラミネ−トし、露光現像操作にて所
定の位置にパタ−ンを形成する両面回路基板の製造方法
に関する。
フィルムの両面に積層された両面金属積層体の一方の面
の所望の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層およ
びポリイミドフィルムに同時に孔加工を行い、孔内に金
属メッキしてブラインドビアホ−ルを形成し、両面の金
属層にエッチング加工を施した後、真空下において感光
性ドライフィルムをラミネ−トし、露光現像操作にて所
定の位置にパタ−ンを形成する両面回路基板の製造方法
に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の好ましい態様を
列記する。 １）両面金属積層体が、金属箔が熱圧着特性を付与され
たポリイミドフィルムの両面に熱圧着して積層されたも
のである上記の両面回路基板及びその製造方法。 ２）ソルダ−レジストが、硬化後の単体で１００ｋｇｆ
／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものであって、実質
的に反りの発生しないものである上記の両面回路基板。
列記する。 １）両面金属積層体が、金属箔が熱圧着特性を付与され
たポリイミドフィルムの両面に熱圧着して積層されたも
のである上記の両面回路基板及びその製造方法。 ２）ソルダ−レジストが、硬化後の単体で１００ｋｇｆ
／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものであって、実質
的に反りの発生しないものである上記の両面回路基板。
【００１１】３）レ−ザ−加工が、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ
−を用いて行われる上記の両面回路基板の製造方法。 ４）ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプ
であって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操
作にて所定の位置にパタ−ンを形成できるものである上
記の両面回路基板の製造方法。
−を用いて行われる上記の両面回路基板の製造方法。 ４）ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプ
であって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操
作にて所定の位置にパタ−ンを形成できるものである上
記の両面回路基板の製造方法。
【００１２】以下、この発明を、この発明の両面回路基
板の一例を示す図１およびこの発明の製造方法の一例の
工程を示す図２を用いて説明する。図１において、両面
回路基板１は、金属層２および３がポリイミドフィルム
４の両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望
の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層３およびポ
リイミドフィルム４に孔が形成されており、孔内に金属
メッキ５によってブラインドビアホ−ル６が形成され、
両面の金属層がエッチング加工され、両面にソルダ−レ
ジスト７が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジスト
の開孔部分の金属層上に金属メッキ層８が形成されてい
る。
板の一例を示す図１およびこの発明の製造方法の一例の
工程を示す図２を用いて説明する。図１において、両面
回路基板１は、金属層２および３がポリイミドフィルム
４の両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望
の位置にレ−ザ−加工により当該面の金属層３およびポ
リイミドフィルム４に孔が形成されており、孔内に金属
メッキ５によってブラインドビアホ−ル６が形成され、
両面の金属層がエッチング加工され、両面にソルダ−レ
ジスト７が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジスト
の開孔部分の金属層上に金属メッキ層８が形成されてい
る。
【００１３】この発明の両面回路基板の製造方法の一例
を示す図２において、最終工程である（Ｅ）における両
面回路基板１は、（Ａ）に示す金属層２および３がポリ
イミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体
が、（Ｂ）に示す両面金属積層体の一方の面の所望の位
置にレ−ザ−加工により当該面の金属層およびポリイミ
ドフィルムに同時に孔加工を行い、（Ｃ）に示す孔内に
金属メッキして金属メッキ５およびブラインドビアホ−
ル６を形成し、（Ｄ）に示す両面の金属層にエッチング
加工を施した後、（Ｅ）に示す両面にソルダ−レジスト
７を形成して製造され、通常は、ソルダ−レジストの開
孔部分の金属層上に金メッキ層８が形成される。
を示す図２において、最終工程である（Ｅ）における両
面回路基板１は、（Ａ）に示す金属層２および３がポリ
イミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体
が、（Ｂ）に示す両面金属積層体の一方の面の所望の位
置にレ−ザ−加工により当該面の金属層およびポリイミ
ドフィルムに同時に孔加工を行い、（Ｃ）に示す孔内に
金属メッキして金属メッキ５およびブラインドビアホ−
ル６を形成し、（Ｄ）に示す両面の金属層にエッチング
加工を施した後、（Ｅ）に示す両面にソルダ−レジスト
７を形成して製造され、通常は、ソルダ−レジストの開
孔部分の金属層上に金メッキ層８が形成される。
【００１４】この発明における金属層としては、銅、ア
ルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれ
ら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延
銅箔、電解銅箔、蒸着および／またはメッキ銅膜などが
あげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなく
かつ余り小さくない、好適にはポリイミドとの接触面の
Ｒｚが３μｍ以下、特に０．５〜３μｍ、その中でも特
に１．５〜３μｍであるものが好ましい。このような金
属箔、例えば銅箔はＶＬＰ、ＬＰ（またはＨＴＥ）とし
て知られている。金属箔の厚さは、１μｍ〜１２μｍ程
度、特に２μｍ〜９μｍ程度であることが好ましい。金
属箔の厚みが大きくなるほどファインパタ−ン化に不利
である。また、Ｒｚが小さい場合には、金属箔表面を表
面処理したものを使用してもよい。
ルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれ
ら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延
銅箔、電解銅箔、蒸着および／またはメッキ銅膜などが
あげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなく
かつ余り小さくない、好適にはポリイミドとの接触面の
Ｒｚが３μｍ以下、特に０．５〜３μｍ、その中でも特
に１．５〜３μｍであるものが好ましい。このような金
属箔、例えば銅箔はＶＬＰ、ＬＰ（またはＨＴＥ）とし
て知られている。金属箔の厚さは、１μｍ〜１２μｍ程
度、特に２μｍ〜９μｍ程度であることが好ましい。金
属箔の厚みが大きくなるほどファインパタ−ン化に不利
である。また、Ｒｚが小さい場合には、金属箔表面を表
面処理したものを使用してもよい。
【００１５】この発明におけるポリイミドフィルムとし
て、高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えたガラス転移温度が
３００〜３７５℃程度であるポリイミドからなる単一層
ポリイミドフィルムであってもよいが、多層ポリイミド
フィルム、特に両面に熱圧着性および／または柔軟性の
ポリイミド層を有し全体の厚みが７〜４０μｍ程度、特
に７〜２５μｍ程度であって引張弾性率（２５℃）が４
００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度であるものが高密度
化の点から好ましい。
て、高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えたガラス転移温度が
３００〜３７５℃程度であるポリイミドからなる単一層
ポリイミドフィルムであってもよいが、多層ポリイミド
フィルム、特に両面に熱圧着性および／または柔軟性の
ポリイミド層を有し全体の厚みが７〜４０μｍ程度、特
に７〜２５μｍ程度であって引張弾性率（２５℃）が４
００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度であるものが高密度
化の点から好ましい。
【００１６】この発明においては、好適には金属箔と熱
圧着性多層ポリイミドフィルムとを、好適にはダブルベ
ルトプレスによって加熱圧着して張り合わせることによ
って、金属箔がポリイミドフィルムの両面に積層された
両面金属積層体を得ることができる。
圧着性多層ポリイミドフィルムとを、好適にはダブルベ
ルトプレスによって加熱圧着して張り合わせることによ
って、金属箔がポリイミドフィルムの両面に積層された
両面金属積層体を得ることができる。
【００１７】この発明においては、前記のようにして形
成した積層体のポリイミドフィルムをレ−ザ−加工し
て、フィルムに貫通穴（スル−ホ−ル）を形成する。例
えば、レ−ザ−として、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−（あるい
は同じ作用・効果を発揮するレ−ザ−）によって発振波
長が２６０〜４００ｎｍ程度の範囲にある紫外領域にあ
るレ−ザ−を使用することができる。また、レ−ザ−加
工は、両面の金属層の片面の金属層の所望の位置にレ−
ザ−を照射して、好適には２０〜１００μｍφ、特に約
３０〜１００μｍφの孔を形成する。同時にディフォ−
カスしてポリイミドフィルム層にも同一形状にレ−ザ−
を照射して孔を形成する。
成した積層体のポリイミドフィルムをレ−ザ−加工し
て、フィルムに貫通穴（スル−ホ−ル）を形成する。例
えば、レ−ザ−として、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−（あるい
は同じ作用・効果を発揮するレ−ザ−）によって発振波
長が２６０〜４００ｎｍ程度の範囲にある紫外領域にあ
るレ−ザ−を使用することができる。また、レ−ザ−加
工は、両面の金属層の片面の金属層の所望の位置にレ−
ザ−を照射して、好適には２０〜１００μｍφ、特に約
３０〜１００μｍφの孔を形成する。同時にディフォ−
カスしてポリイミドフィルム層にも同一形状にレ−ザ−
を照射して孔を形成する。
【００１８】次いで、レ−ザ−加工部を過マンガン酸カ
リ水溶液などの酸化剤によってデスミア処理した後、金
属メッキによってブラインドホ−ルを形成する。前記の
金属メッキ法としては、例えば特開平１１−５１４２５
号公報に記載された方法によって行うことができる。例
えば、ブラインドビアホ−ル等の内部において、Ｐｄ−
Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高めて金属メッキ、好適
には電解銅メッキする方法が挙げられる。
リ水溶液などの酸化剤によってデスミア処理した後、金
属メッキによってブラインドホ−ルを形成する。前記の
金属メッキ法としては、例えば特開平１１−５１４２５
号公報に記載された方法によって行うことができる。例
えば、ブラインドビアホ−ル等の内部において、Ｐｄ−
Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高めて金属メッキ、好適
には電解銅メッキする方法が挙げられる。
【００１９】すなわち、パラジウム−スズコロイド触媒
を用いることにより形成されるパラジウム−スズ被膜
を、還元剤を含むアルカリアクセラレ−タ−浴に浸漬す
ることことによってパラジウム−スズ被膜の導電性向上
方法である。パラジウム−スズ被膜は、パラジウム−ス
ズコロイド触媒を用いることにより得られる被膜で、こ
の被膜は、一般にはいわゆるＤＰＳ（Direct Plating S
ystem）法の中で行われるものである。
を用いることにより形成されるパラジウム−スズ被膜
を、還元剤を含むアルカリアクセラレ−タ−浴に浸漬す
ることことによってパラジウム−スズ被膜の導電性向上
方法である。パラジウム−スズ被膜は、パラジウム−ス
ズコロイド触媒を用いることにより得られる被膜で、こ
の被膜は、一般にはいわゆるＤＰＳ（Direct Plating S
ystem）法の中で行われるものである。
【００２０】具体的なＤＰＳ法は、次のようにして実施
される。まず、モノエタノ−ルアミン、ノニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、孔部の金属
およびポリイミドを脱脂し、アルカリ性過マンガン酸溶
液でデスミアし、次いで過硫酸ソ−ダを用いてソフトエ
ッチング後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップす
る。 これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの
液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜
を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオ
ンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む
酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用
いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれ
ば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例
えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カ
テコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられ
る。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレ−タ−浴と
しては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオン
を含むものが好ましい。前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎ
からなる抵抗値の低い被膜を得ることができ、次工程で
の電気銅めっきによる被覆時間を短縮することが可能と
なる。
される。まず、モノエタノ−ルアミン、ノニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、孔部の金属
およびポリイミドを脱脂し、アルカリ性過マンガン酸溶
液でデスミアし、次いで過硫酸ソ−ダを用いてソフトエ
ッチング後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップす
る。 これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの
液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜
を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオ
ンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む
酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用
いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれ
ば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例
えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カ
テコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられ
る。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレ−タ−浴と
しては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオン
を含むものが好ましい。前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎ
からなる抵抗値の低い被膜を得ることができ、次工程で
の電気銅めっきによる被覆時間を短縮することが可能と
なる。
【００２１】次いで、酸洗浄した後、金属メッキ、好適
には電気銅メッキする。電気メッキにおいては、電流密
度を２Ａ／ｄｍｍ〜８Ａ／ｄｍｍに設定し、硫酸銅が１
８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオ
ン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキスト
リン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行うことが好まし
い。前記の方法によって厚さ３〜３０μｍの銅メッキな
どの金属メッキ層５を形成し、孔径が３０〜１００μｍ
程度のブラインドビアホ−ル６を形成することができ
る。
には電気銅メッキする。電気メッキにおいては、電流密
度を２Ａ／ｄｍｍ〜８Ａ／ｄｍｍに設定し、硫酸銅が１
８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオ
ン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキスト
リン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行うことが好まし
い。前記の方法によって厚さ３〜３０μｍの銅メッキな
どの金属メッキ層５を形成し、孔径が３０〜１００μｍ
程度のブラインドビアホ−ル６を形成することができ
る。
【００２２】次いで、メッキした金属層および金属層に
フォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを
有するグランド配線層を形成し、銅箔層にフォトプロセ
スとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配
線層を形成することが好ましい。この両面に、または少
なくともブラインドホ−ルが形成されているグランド配
線層側に、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソル
ダ−レジストを、好適には真空ラミネ−タにてラミネ−
トし、露光現像操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−
レジスト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成す
ることにより、両面回路基板を得ることができる。この
後、通常はソルダ−レジストの開孔部分の銅層に、それ
自体公知の方法によって電解ニッケル／金メッキ層ある
いは電解すず／金メッキ層を形成することにより、両面
回路基板を得ることができる。
フォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを
有するグランド配線層を形成し、銅箔層にフォトプロセ
スとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配
線層を形成することが好ましい。この両面に、または少
なくともブラインドホ−ルが形成されているグランド配
線層側に、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソル
ダ−レジストを、好適には真空ラミネ−タにてラミネ−
トし、露光現像操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−
レジスト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成す
ることにより、両面回路基板を得ることができる。この
後、通常はソルダ−レジストの開孔部分の銅層に、それ
自体公知の方法によって電解ニッケル／金メッキ層ある
いは電解すず／金メッキ層を形成することにより、両面
回路基板を得ることができる。
【００２３】この発明における感光性ソルダ−レジスト
としては、インキタイプの感光性ソルダ−レジスト、例
えば特開２０００−２１２４４６号公報に記載のイミド
シロキサン系の感光性樹脂組成物や、特開２０００−１
０９５４１号公報に記載のエポキシアクリレ−ト系の感
光性熱硬化性樹脂組成物などであってもよいが、好適に
はドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストが挙
げられる。
としては、インキタイプの感光性ソルダ−レジスト、例
えば特開２０００−２１２４４６号公報に記載のイミド
シロキサン系の感光性樹脂組成物や、特開２０００−１
０９５４１号公報に記載のエポキシアクリレ−ト系の感
光性熱硬化性樹脂組成物などであってもよいが、好適に
はドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストが挙
げられる。
【００２４】特に、ソルダ−レジストとして硬化後の単
体で１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するも
のは、実質的に反りの発生しない保護膜として使用でき
るため好適である。このような硬化後に保護膜として使
用できるドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジス
トとして、日本ポリテック株式会社のＦＰＣ用ドライフ
ィルムソルダ−マスク（ウレタンゴムとエポキシアクリ
レ−トとを主材とし、難燃剤、開始剤を含有する感光性
樹脂組成物：硬化後に３８ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率
を示す）や、宇部興産株式会社の特願２００１−３５９
７９０号明細書に記載のエポキシアクリレ−ト樹脂と非
対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物とα、ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンとの反
応物であるオリゴマ−とエポキシ樹脂と光重合開始剤と
を含む感光性樹脂組成物のドライフィルム（硬化後に約
６０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）が好適であ
る。前記のドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジ
ストによれば、従来のカバ−レイタイプに比べて、耐メ
ッキ性良好、ブランキング不要、微細化が可能、接着剤
のしみ出しがなくなるなどの効果が得られる。
体で１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するも
のは、実質的に反りの発生しない保護膜として使用でき
るため好適である。このような硬化後に保護膜として使
用できるドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジス
トとして、日本ポリテック株式会社のＦＰＣ用ドライフ
ィルムソルダ−マスク（ウレタンゴムとエポキシアクリ
レ−トとを主材とし、難燃剤、開始剤を含有する感光性
樹脂組成物：硬化後に３８ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率
を示す）や、宇部興産株式会社の特願２００１−３５９
７９０号明細書に記載のエポキシアクリレ−ト樹脂と非
対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物とα、ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンとの反
応物であるオリゴマ−とエポキシ樹脂と光重合開始剤と
を含む感光性樹脂組成物のドライフィルム（硬化後に約
６０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）が好適であ
る。前記のドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジ
ストによれば、従来のカバ−レイタイプに比べて、耐メ
ッキ性良好、ブランキング不要、微細化が可能、接着剤
のしみ出しがなくなるなどの効果が得られる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を具体的に説明
するが、この発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例、比較例における試験・評価方法または
判定基準は次に示すとおりである。
するが、この発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例、比較例における試験・評価方法または
判定基準は次に示すとおりである。
【００２６】合成例１
ブタンジオ−ル型エポキシ樹脂６０．９２ｇ、アクリル
酸３９．０８ｇ、反応促進剤０．５０ｇ、重合禁止剤を
８０℃で３０時間反応させて得た、酸価２．２６ｍｇＫ
ＯＨ／ｇの淡黄色透明なエポキシアクリレ−ト樹脂１
６．６９ｇ、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物５９．９５ｇとメタノ−ル７５ｇ、消
泡剤、α、ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチ
ルシロキサン（アミン当量４６０）９３．７２ｇを加
え、１９０℃まで昇温し、水を留去しながら、６時間反
応させて得た、茶褐色の粘調物である生成物［ＧＰＣ分
析による分子量分布は重量平均分子量５１２０、１１８
０、４００にピ−クを持つトリモ−ダルなもの］３３．
３１ｇ、シクロヘキサノン３０ｇとを８０℃で３時間反
応させて得られた、淡褐色のオリゴマ−溶液［酸価：３
６．６７ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＧＰＣ分析による分子量分
布：重量平均分子量６４７０、９９０、５６０、２５０
にピ−クを持つマルチモ−ダルなもの］６０ｇに対し、
フタロシアニングリ−ン０．３８ｇを加え、一旦ろ過し
た。
酸３９．０８ｇ、反応促進剤０．５０ｇ、重合禁止剤を
８０℃で３０時間反応させて得た、酸価２．２６ｍｇＫ
ＯＨ／ｇの淡黄色透明なエポキシアクリレ−ト樹脂１
６．６９ｇ、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物５９．９５ｇとメタノ−ル７５ｇ、消
泡剤、α、ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチ
ルシロキサン（アミン当量４６０）９３．７２ｇを加
え、１９０℃まで昇温し、水を留去しながら、６時間反
応させて得た、茶褐色の粘調物である生成物［ＧＰＣ分
析による分子量分布は重量平均分子量５１２０、１１８
０、４００にピ−クを持つトリモ−ダルなもの］３３．
３１ｇ、シクロヘキサノン３０ｇとを８０℃で３時間反
応させて得られた、淡褐色のオリゴマ−溶液［酸価：３
６．６７ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＧＰＣ分析による分子量分
布：重量平均分子量６４７０、９９０、５６０、２５０
にピ−クを持つマルチモ−ダルなもの］６０ｇに対し、
フタロシアニングリ−ン０．３８ｇを加え、一旦ろ過し
た。
【００２７】このろ液５０ｇに対し、光重合開始剤０．
６２ｇ、重合禁止剤０．１６ｇ、４３％シクロヘキサノ
ン溶液としたエポキシ樹脂（日本化薬製ＥＯＣＮ−４５
００）の溶液１５．９５ｇ、タルク（平均粒径１．８μ
ｍ）９．３２ｇ、ハイドロタルサイト（平均粒径０．４
２μｍ）０．２４ｇを加え、三本ロ−ルにて均一に混錬
し、感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物を
離型処理を施したＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃で
５分乾燥し、厚み２５μｍのフィルムとした。このフィ
ルム成形体を、離型剤付きＰＥＴフィルムに貼り付け
て、ＰＥＴフィルム付きドライフィルムタイプの感光性
レジストとした。
６２ｇ、重合禁止剤０．１６ｇ、４３％シクロヘキサノ
ン溶液としたエポキシ樹脂（日本化薬製ＥＯＣＮ−４５
００）の溶液１５．９５ｇ、タルク（平均粒径１．８μ
ｍ）９．３２ｇ、ハイドロタルサイト（平均粒径０．４
２μｍ）０．２４ｇを加え、三本ロ−ルにて均一に混錬
し、感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物を
離型処理を施したＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃で
５分乾燥し、厚み２５μｍのフィルムとした。このフィ
ルム成形体を、離型剤付きＰＥＴフィルムに貼り付け
て、ＰＥＴフィルム付きドライフィルムタイプの感光性
レジストとした。
【００２８】実施例１
両表面に熱圧着性を付与したポリイミドフィルム（厚
さ：２５μｍ）の両面に、電解銅箔（厚さ：９μｍ、日
本電解社製、商品名：ＵＳＬＰＲ２）を熱圧着した両面
金属箔積層体（宇部興産社製、商品名：ユピセルＮ）を
用い、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−（エレクトロ・サイエンテ
ィフィック・インダストリ−ズ社製、モデル：５３２
０、波長：３５５μｍ）にて銅箔層およびポリイミドフ
ィルム層を同時に孔開け加工した。続いて、孔内に荏原
ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導
電化皮膜を形成し、電解銅メッキ法によって銅箔層上に
厚さ１２μｍの銅メッキ層を形成した。次に、メッキし
た銅層５および銅箔層３にフォトプロセスとエッチング
により、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線
ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、銅箔層２にフ
ォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有
する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成した。
さ：２５μｍ）の両面に、電解銅箔（厚さ：９μｍ、日
本電解社製、商品名：ＵＳＬＰＲ２）を熱圧着した両面
金属箔積層体（宇部興産社製、商品名：ユピセルＮ）を
用い、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−（エレクトロ・サイエンテ
ィフィック・インダストリ−ズ社製、モデル：５３２
０、波長：３５５μｍ）にて銅箔層およびポリイミドフ
ィルム層を同時に孔開け加工した。続いて、孔内に荏原
ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導
電化皮膜を形成し、電解銅メッキ法によって銅箔層上に
厚さ１２μｍの銅メッキ層を形成した。次に、メッキし
た銅層５および銅箔層３にフォトプロセスとエッチング
により、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線
ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、銅箔層２にフ
ォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有
する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成した。
【００２９】この両面に前記のドライフィルムタイプの
感光性ソルダ−レジスト（厚み：２５μｍ、ＰＥＴフィ
ルムを剥離して使用）を真空ラミネ−タ（名機製作所社
製、ＭＶＬＰ５００／６００）にてプレス温度６０℃、
圧力０．４９ＭＰａ、時間３０秒にてラミネ−トし、露
光（露光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）・現像［６０秒、１
％炭酸ソ−ダ水溶液（３０℃）］・熱硬化（１５０℃、
３０分）操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−レジス
ト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成すること
により、両面回路基板を作成した。熱硬化後のソルダ−
レジストの弾性率は６０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。この
両面回路基板は孔底部に気泡は全く認められなかった。
感光性ソルダ−レジスト（厚み：２５μｍ、ＰＥＴフィ
ルムを剥離して使用）を真空ラミネ−タ（名機製作所社
製、ＭＶＬＰ５００／６００）にてプレス温度６０℃、
圧力０．４９ＭＰａ、時間３０秒にてラミネ−トし、露
光（露光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）・現像［６０秒、１
％炭酸ソ−ダ水溶液（３０℃）］・熱硬化（１５０℃、
３０分）操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−レジス
ト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成すること
により、両面回路基板を作成した。熱硬化後のソルダ−
レジストの弾性率は６０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。この
両面回路基板は孔底部に気泡は全く認められなかった。
【００３０】また、ソルダ−レジストの埋め込み性、電
気特性、ＰＣＴ、半田耐熱性を次のようにして評価し
た。 埋め込み性：ＳＥＭによって孔底部に気泡が認められな
い場合を良好、気泡が認められる場合を不良と判断 電気信頼性：１２１℃、８５ＲＨ％、０．７気圧、５０
Ｖ印加電圧、１６８時間、ｎ＝３で、抵抗値に大きな変
化が認められない場合を良好、抵抗値に大きな変化が認
められた場合を不良と判断 ＰＣＴ：１２１℃、１００ＲＨ％、０．２ＭＰａ、１０
０時間後の目視観察で異常が認められない場合を良好、
異常が認められる場合を不良と判断 半田耐熱性：２６０℃半田浴浸漬、１０秒×１回後の目
視観察で異常が認められない場合を良好、異常が認めら
れる場合を不良と判断
気特性、ＰＣＴ、半田耐熱性を次のようにして評価し
た。 埋め込み性：ＳＥＭによって孔底部に気泡が認められな
い場合を良好、気泡が認められる場合を不良と判断 電気信頼性：１２１℃、８５ＲＨ％、０．７気圧、５０
Ｖ印加電圧、１６８時間、ｎ＝３で、抵抗値に大きな変
化が認められない場合を良好、抵抗値に大きな変化が認
められた場合を不良と判断 ＰＣＴ：１２１℃、１００ＲＨ％、０．２ＭＰａ、１０
０時間後の目視観察で異常が認められない場合を良好、
異常が認められる場合を不良と判断 半田耐熱性：２６０℃半田浴浸漬、１０秒×１回後の目
視観察で異常が認められない場合を良好、異常が認めら
れる場合を不良と判断
【００３１】
埋め込み性：良好
電気信頼性：良好
ＰＣＴ：良好
半田耐熱性：良好
【００３２】実施例２
ドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストとし
て、日本ポリテック株式会社のトップフレックス（厚
み：２５μｍ）を使用した他は実施例１と同様に実施し
て、両面回路基板を作成した。熱硬化後のソルダ−レジ
ストの弾性率は３８ｋｇｆ／ｍｍ２であった。この両面
回路基板は孔底部に気泡は全く認められなかった。ま
た、ソルダ−レジストの埋め込み性、電気特性、ＰＣ
Ｔ、半田耐熱性を評価した。
て、日本ポリテック株式会社のトップフレックス（厚
み：２５μｍ）を使用した他は実施例１と同様に実施し
て、両面回路基板を作成した。熱硬化後のソルダ−レジ
ストの弾性率は３８ｋｇｆ／ｍｍ２であった。この両面
回路基板は孔底部に気泡は全く認められなかった。ま
た、ソルダ−レジストの埋め込み性、電気特性、ＰＣ
Ｔ、半田耐熱性を評価した。
【００３３】
埋め込み性：良好
電気信頼性：良好
ＰＣＴ：良好
半田耐熱性：良好
【００３４】比較例１
ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−に代えてＣＯ２レ−ザ−を使用し
た他は実施例１と同様に実施したが、銅箔層の孔開け加
工ができなかった。
た他は実施例１と同様に実施したが、銅箔層の孔開け加
工ができなかった。
【００３５】
【発明の効果】この発明によれば、小径ブラインドホ−
ルを有し、ブラインドビアホ−ル上に保護膜を形成して
も孔底部に気泡が実質上残存せず、片面の金属層をエッ
チングするためのマスキングが不要となりなど簡略化さ
れたプロセスによって両面回路基板を得ることができ
る。また、この発明によれば、金属層とポリイミドフィ
ルム層との孔形成とを同時に行うことにより、生産性良
く両面回路基板を得ることができる。
ルを有し、ブラインドビアホ−ル上に保護膜を形成して
も孔底部に気泡が実質上残存せず、片面の金属層をエッ
チングするためのマスキングが不要となりなど簡略化さ
れたプロセスによって両面回路基板を得ることができ
る。また、この発明によれば、金属層とポリイミドフィ
ルム層との孔形成とを同時に行うことにより、生産性良
く両面回路基板を得ることができる。
【図１】図１は、この発明の一例の両面回路基板の概略
図である。
図である。
【図２】図２は、この発明の一例の両面回路基板の製造
方法の工程図である。
方法の工程図である。
１ 両面回路基板
２ 金属層
３ 金属層
４ ポリイミドフィルム
５ 金属メッキ
６ ブラインドビアホ−ル
７ ソルダ−レジスト
８ 金メッキ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/42 ６２０ Ｈ０５Ｋ 3/42 ６２０Ａ
// Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42
(72)発明者 木暮 隆一郎
千葉県市原市五井南海岸８番の１ 宇部興
産株式会社高分子研究所内
(72)発明者 横沢 伊裕
千葉県市原市五井南海岸８番の１ 宇部興
産株式会社高分子研究所内
(72)発明者 青木 文雄
千葉県市原市五井南海岸８番の１ 宇部興
産株式会社高分子研究所内
Ｆターム(参考） 4E068 AF02 CA01 DA11 DB14
5E314 AA27 BB06 BB11 BB12 CC15
FF06 FF17 FF19 GG19 GG24
5E317 AA24 BB03 BB12 CC31 CC44
CC52 CD25 CD32 GG16
5F044 MM04 MM06 MM48
Claims (9)
- 【請求項１】金属層がポリイミドフィルムの両面に積層
された両面金属積層体の一方の面の所望の位置にレ−ザ
−加工により当該面の金属層およびポリイミドフィルム
に孔が形成されており、孔内に金属メッキによってブラ
インドビアホ−ルが形成され、両面の金属層がエッチン
グ加工され、両面にソルダ−レジストが形成されてなる
両面回路基板。 - 【請求項２】両面金属積層体が、金属箔が熱圧着特性を
付与されたポリイミドフィルムの両面に熱圧着して積層
されたものである請求項１に記載された両面回路基板。 - 【請求項３】ソルダ−レジストが、硬化後の単体で１０
０ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものであっ
て、実質的に反りの発生しないものである請求項１に記
載された両面回路基板。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載された両面
回路基板のソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金
メッキ層が形成されてなる両面回路基板。 - 【請求項５】金属層がポリイミドフィルムの両面に積層
された両面金属積層体の一方の面の所望の位置にレ−ザ
−加工により当該面の金属層およびポリイミドフィルム
に同時に孔加工を行い、孔内に金属メッキしてブライン
ドビアホ−ルを形成し、両面の金属層にエッチング加工
を施した後、両面にソルダ−レジストを形成する両面回
路基板の製造方法。 - 【請求項６】レ−ザ−加工が、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−を
用いて行われる請求項４に記載された両面回路基板の製
造方法。 - 【請求項７】ソルダ−レジストが、感光性ドライフィル
ムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露
光現像操作にて所定の位置にパタ−ンを形成できるもの
である請求項５に記載された両面回路基板の製造方法。 - 【請求項８】両面金属積層体が、金属箔が熱圧着特性を
付与されたポリイミドフィルムの両面に熱圧着して積層
されたものである請求項５に記載された両面回路基板の
製造方法。 - 【請求項９】金属層がポリイミドフィルムの両面に積層
された両面金属積層体の一方の面の所望の位置にレ−ザ
−加工により当該面の金属箔およびポリイミドフィルム
に同時に孔加工を行い、孔内に金属メッキしてブライン
ドビアホ−ルを形成し、両面の金属層にエッチング加工
を施した後、真空下において感光性ドライフィルムをラ
ミネ−トし、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ンを
形成して、ソルダ−レジストを設ける両面回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002005717A JP2003209330A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 両面回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002005717A JP2003209330A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 両面回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209330A true JP2003209330A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27644681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002005717A Pending JP2003209330A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 両面回路基板及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP2003209330A (ja) |
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-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002005717A patent/JP2003209330A/ja active Pending
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