JP2003203683A

JP2003203683A - 光電変換素子用導電性ガラス

Info

Publication number: JP2003203683A
Application number: JP2001400595A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Okada; 顕一岡田; Hiroshi Matsui; 浩志松井; Nobuo Tanabe; 信夫田辺
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2001-12-28
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2003-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】色素増感太陽電池などの光電変換素子に用いら
れる導電性ガラスにおいて、その表面の電気抵抗を大幅
に低減し、かつ光の透過量が低下しないようにし、光電
変換効率を高める。【解決手段】ガラス板１１上にＦＴＯなどからなる透明
導電膜１２を設け、この透明導電膜１２上に金属薄膜か
らなるグリッド１３を設け、このグリッド１３と透明導
電膜１２を酸化スズなどからなる厚さ５０ｎｍ以下の保
護薄膜１７で被覆して、光電変換素子用導電性ガラスと
する。このグリッド１３は、その平面形状が、格子状、
櫛歯状などであり、金、銀、白金などからなる厚さ１〜
２０μｍのもので、メッキ法などで作られ、その開口率
が９０〜９９％である。また、導電性ガラスのシート抵
抗は１〜０．０１Ω／□、波長５５０ｎｍでの光線透過
率が６０〜９０％である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、色素増感太陽電
池などの光電変換素子に用いられる導電性ガラスに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】色素増感太陽電池は、スイスのグレツェ
ルらが開発したもので、光電変換効率が高く、製造コス
トが安いなどの利点があり、新しいタイプの太陽電池と
して注目を浴びている。図１０は、この色素増感太陽電
池の一例（特公平８−１５０９７号公報）を示すもので
ある。

【０００３】図中符号１は、透明基板となるガラス板で
あり、このガラス板１の一面にはインジュウムドープ酸
化スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）な
どの厚さ１μｍ程度の透明導電膜２が形成されて、導電
性ガラス３となっている。この導電性ガラス３の透明導
電膜２の上には、酸化チタン、酸化ニオジムなどの酸化
物半導体微粒子からなり、光増感色素が担持された酸化
物半導体多孔質膜４が形成されている。

【０００４】また、符号５は、対極となる導電性ガラス
であり、上記酸化物半導体多孔質膜４との間には、ヨウ
素／ヨウ素イオンなどのレドックス対を含む非水溶液か
らなる電解液が満たされ、電解質層６となっている。ま
た、電解質層６に代えて、ヨウ化銅、チオシアン銅など
の固体のｐ形半導体からなるホール輸送層を設けるもの
もある。この色素増感太陽電池では、太陽光などの光が
導電性ガラス３側から入射されると、透明導電膜２と対
極５との間に起電力が生じる。

【０００５】ところで、このような色素増感太陽電池に
あっては、導電性ガラス３には通常ガラス板としての耐
熱ガラス板の表面に透明導電膜２となる厚さ０．５〜１
μｍ程度のＩＴＯあるいはＦＴＯを予め蒸着、スパッタ
などの薄膜形成法により被覆した市販の透明導電ガラス
が使用されている。

【０００６】しかしながら、この透明導電ガラスは、材
料コスト、加工コストが嵩み、かつ透明導電膜２をなす
ＩＴＯ、ＦＴＯの比抵抗が１０^-4〜１０^-3Ω・ｃｍ程度
であり、銀、金などの金属の比抵抗の約１００倍の値を
示すことから、透明導電膜２としたときの抵抗値が高
く、これにより太陽電池としての光電変換効率が低くな
る問題があった。

【０００７】このため、透明導電ガラスの透明導電膜２
の抵抗を下げるために、透明導電膜２の厚さを厚くする
ことが考えられるが、透明導電膜２の膜厚を５μｍ程度
に厚くすると、透明導電膜２による光吸収が大きくな
り、これによって透明導電ガラスの光線透過率が約７５
％程度から約２０％程度にまで低下し、酸化物半導体多
孔質膜３に届く光が減少し、これによっても太陽電池と
した際の光電変換効率が低下することになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、ガラス表面に設けられ、電子の通路として機
能する導電層の電気抵抗値が低く、しかも透明性の高い
光電変換素子用導電性ガラスを得ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、請求項１にかかる発明は、ガラス表面に透明導電
膜が設けられ、この透明導電膜上に金属薄膜からなるグ
リッドが設けられ、少なくともグリッドが保護薄膜で被
覆されたことを特徴とする光電変換素子用導電性ガラス
である。

【００１０】請求項２にかかる発明は、グリッドの平面
形状が、格子状または櫛歯状であることを特徴とする請
求項１２記載の光電変換素子用導電性ガラスである。請
求項３にかかる発明は、グリッドの開口率が９０〜９９
％であることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子
用導電性ガラスである。請求項４にかかる発明は、グリ
ッドをなす金属が、金、銀、白金、クロム、ニッケルの
いずれかまたはこれらの２種以上の合金であることを特
徴とする請求項１記載の光電変換素子用導電性ガラスで
ある。

【００１１】請求項５にかかる発明は、グリッドが、メ
ッキ法により形成されたものであることを特徴とする請
求項１記載の光電変換素子用導電性ガラスである。請求
項６にかかる発明は、グリッドの厚さが、１〜２０μｍ
であることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子用
導電性ガラスである。

【００１２】請求項７にかかる発明は、保護薄膜が、酸
化スズまたは酸化チタンからなることを特徴とする請求
項１記載の光電変換素子用導電性ガラスである。請求項
８にかかる発明は、保護薄膜をなす酸化チタンの厚さ
が、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の光電変換素子用導電性ガラスである。

【００１３】請求項９にかかる発明は、シート抵抗が、
１〜０．０１Ω／□であることを特徴とする請求項１記
載の光電変換素子用導電性ガラスである。請求項１０に
かかる発明は、波長５５０ｎｍでの光線透過率が、６０
〜９０％であることを特徴とする請求項１記載の光電変
換素子用導電性ガラスである。

【００１４】請求項１１にかかる発明は、請求項１ない
し１０のいずれかに記載の光電変換素子用導電性ガラス
を用いてなる光電変換素子である。請求項１２にかかる
発明は、色素増感太陽電池である請求項１１記載の光電
変換素子である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態に基づい
て詳しく説明する。図１は、本発明の光電変換素子用導
電性ガラスの一例を示すものである。図１において、符
号１１はガラス板を示す。このガラス板１１は、厚さ１
〜５ｍｍ程度のソーダガラス、耐熱ガラス、石英ガラス
などのガラスからなるものである。

【００１６】このガラス板１１の上には、このガラス板
１１の全面を被覆する透明導電膜１２が設けられてい
る。この透明導電膜１２は、ＩＴＯ、ＦＴＯなどの透明
性を有し導電性を示す薄膜からなるもので、厚さが０．
２〜１μｍ程度のもので、スパッタ法、ＣＶＤ法などの
薄膜形成方法により形成されたものである。

【００１７】この透明導電膜１２上には、金属薄膜から
なるグリッド１３がこれに密着して設けられている。こ
のグリッド１３は、この導電性ガラスを色素増感太陽電
池などに用いた際に酸化物半導体多孔質膜で発生した電
子の通路として、上記透明導電膜１２とともに働くもの
である。

【００１８】このグリッド１３は、その平面形状が、例
えば図２に示すような格子状のものや、図３に示すよう
な櫛歯状のものである。図２に示す格子状のグリッド１
３では、縦４５０〜２０００μｍ、横２０００〜２００
００μｍの長方形状の開口部１４、１４・・・が無数形
成されており、格子をなす縦横の金属薄膜からなる線１
５の線幅は１０〜１０００μｍとなっている。また、そ
の一辺には集電用の幅広の集電極１６が縦方向に伸びて
形成されている。

【００１９】図３に示す櫛歯状のグリッド１３では、櫛
歯をなす金属薄膜からなる幅１０〜１０００μｍの線１
５、１５・・・が無数に互いに平行に４５０〜２０００
μｍの間隔をあけて形成されて、無数の開口部１４、１
４・・・が形成されており、それらの一端には集電用の
幅広の集電極１６が形成されている。グリッド１３の平
面形状は、図２および図３に示した格子状および櫛歯状
に限られるものではないことは言うまでもない。

【００２０】このグリッド１３は、後述するように例え
ばメッキ法などで形成されたものであり、金、銀、白
金、クロム、ニッケルなどの金属の１種または２種以上
の合金からなり、その線１５の厚さは１〜２０μｍ、好
ましくは３〜１０μｍとなっている。この厚さが１μｍ
未満では導電性向上の効果が少なく、２０μｍを越えて
もかかる効果は頭打ちとなり、この上に設けられる酸化
物半導体多孔質膜よりも厚くなり好ましくない。

【００２１】また、このグリッド１３の開口率は、９０
〜９９％とされる。ここでの開口率とは、単位面積中に
占める線１５の全面積の比で定義されるものである。こ
の開口率が９０％未満では光線透過率が低下して入射光
量が低下し、９９％を超えると導電性の向上が不十分な
ものとなる。

【００２２】さらに、透明導電膜１２およびグリッド１
３は、保護薄膜１７でその全体が被覆されている。この
保護薄膜１７は、この導電性ガラスを色素増感太陽電池
などに用いた場合に、電解液によってグリッド１３が侵
食されることを防止するためのバリアーの機能を有する
とともに、光を透過させて内部の酸化物半導体多孔質膜
に十分な光量が届くようにするためのものである。

【００２３】この保護薄膜１７は、酸化スズ、酸化チタ
ン、酸化ケイ素、酸化亜鉛などのセラミックからなる透
明な薄膜からなる厚さ５０ｎｍ以下、好ましくは２０〜
５０ｎｍのものである。この厚さが２０ｎｍ未満では保
護効果が不足する。また、５０ｎｍを越えても保護効果
が頭打ちとなり、電流が流れにくくなる。保護薄膜１７
が酸化スズからなるときは、その厚さは５０ｎｍ以上で
あってもよい。この保護薄膜１７は、ＣＶＤ法、ＳＰＤ
法、スパツタ法、蒸着法などの薄膜形成手段によって形
成される。この保護薄膜１７は、セラミック以外に透明
なポリマー薄膜でもよい。

【００２４】図４は、この発明の導電ガラスの他の例を
示すもので、図１に示したものと同一構成部分には同一
符号を付してその説明を省略する。この例では、保護薄
膜１７がグリッド１３のみを被覆するように、すなわち
グリッド１３の各線１５、１５・・・の上面および両側
面が保護薄膜１７で被覆され、透明導電膜１２の表面は
保護薄膜１７で被覆されていない点が、先の例と異なる
ところである。

【００２５】このような構造の導電性ガラスにあって
は、その全表面におけるグリッド１３と透明導電膜１２
とを加味した全体の表面抵抗（シート抵抗と言う。）
は、１〜０．０１Ω／□となり、従来のＩＴＯ、ＦＴＯ
などの透明導電膜を設けた透明導電ガラスに比べて、約
１０〜１０００分の１となっている。このため、極めて
導電性の高い導電性ガラスと言うことができる。

【００２６】さらに、この導電性ガラスでは、全表面の
平均した光線透過率を高くすることができる。すなわ
ち、グリッド１３の存在により導電性が格段に向上する
ので、透明性の劣る透明導電膜１２の厚さを薄くするこ
とができ、しかもグリッド１３の開口率が９０〜９９％
であるので、グリッド１３の存在による入射光の遮断も
ほとんどなく、保護薄膜１７の厚さも極めて薄いためで
ある。したがって、波長５５０ｎｍでの光線透過率を９
０％程度にまで高めることができる。

【００２７】つぎに、このような導電性ガラスの製造方
法の一例について説明する。まず、図５に示す市販のＩ
ＴＯ、ＦＴＯなどの透明導電膜１２が設けられた透明導
電ガラス１８を用意する。このような透明導電ガラス１
８は、例えば旭硝子（株）、日本板硝子（株）などから
入手できる。

【００２８】この透明導電ガラス１８の透明導電膜１２
の表面をプラズマ洗浄などにより洗浄したのち、この上
に銀、クロム、ニッケルまたは金をスパッタしてシード
層１９とする（図５）。ついで、このシード層１９上に
ドライレジストフィルムを貼り、露光、現像して、図６
に示すように、グリッド１３の平面形状のパターンを有
するマスク２０を形成し、さらにベーキング、活性化処
理を施す。

【００２９】この後、マスク２０から露出しているシー
ド層１９上に、このシード層１９を一方の電極として厚
さ１〜２０μｍの金メッキを施し、図７に示すように、
グリッド１３となる金層２１を形成する。この金メッキ
には、初めに高電流密度でのストライクメッキを行い、
ついで通常の電流密度でのメッキを行う方法が密着性が
向上して好ましい。

【００３０】この後、図８に示すように、残っているマ
スク２０を剥離、除去し、マスク２０の下に残ったシー
ド層１９をエッチング除去した後、全面に常圧ＣＶＤ法
などにより厚さ２０〜５０ｎｍの酸化スズなどを成膜し
て保護薄膜１７を設け、全体を洗浄するなどして、図１
に示す構造の導電性ガラスが製造される。

【００３１】図９は、本発明の導電性ガラスを用いた光
電変換素子としての色素増感太陽電池の例を示すもので
ある。図９において、符号３１は、図１に示した導電性
ガラスである。この導電性ガラス３１の保護薄膜１７上
には酸化物半導体多孔質膜３２が設けられている。

【００３２】この酸化物半導体多孔質膜３２は、酸化チ
タン、酸化スズ、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ジ
ルコニウム、酸化ニオブなどの半導性を示す金属酸化物
微粒子が結合されて構成され、内部に無数の微細な空孔
を有し、表面に微細な凹凸を有する多孔質体であって、
その厚みが５〜５０μｍものである。この酸化物半導体
多孔質膜３２は、図９に示すように、グリッド１３の開
口部１４、１４・・・に対応する凹部を埋め、かつ保護
薄膜１７の表面全体を覆うようにして、保護薄膜１７と
一体的に結合されている。

【００３３】この酸化物半導体多孔質膜３２の形成は、
上記金属酸化物の平均粒径５〜５０ｎｍの微粒子を分散
したコロイド液や分散液等を保護薄膜１７の表面に、ス
クリーンプリント、インクジェットプリント、ロールコ
ート、ドクターコート、スプレーコートなどの塗布手段
により塗布し、３００〜８００℃で焼結する方法などで
行われる。

【００３４】また、この酸化物半導体多孔質膜３２に
は、光増感色素が坦持されている。この光増感色素に
は、ビピリジン構造、ターピリジン構造などの配位子を
含むルテニウム錯体、ポルフィリン、フタロシアニンな
どの金属錯体、エオシン、ローダミン、メロシアニンな
どの有機色素などが用いられ、用途、金属酸化物半導体
の種類等に応じて適宜選択することができる。

【００３５】また、符号３３は、対極である。この例で
の対極３３は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレー
トなどのプラスチックフィルムの一方の面に銅箔、ニッ
ケル箔などの金属箔を積層した金属箔積層フィルム３３
ａの金属箔の表面に、白金、金などの導電薄膜３３ｂを
蒸着、スパッタなどにより形成したものが用いられ、こ
れの導電薄膜３３ｂがこの太陽電池の内面側になるよう
に配置されて、この例の色素増感太陽電池となってい
る。

【００３６】また、対極３３としては、これ以外に、金
属板などの導電性基板あるいはガラス板などの非伝導性
基板３３ａ上に白金、金、炭素などの導電膜３３ｂを形
成したものを用いてもよい。また、ｐ型半導体をホール
輸送層とする場合には、ｐ型半導体が固体であるため、
この上に直接白金などの導電薄膜を蒸着、スパッタなど
により形成してこの導電薄膜を対極２３とすることもで
きる。

【００３７】この対極３３と導電性ガラス２１の酸化物
半導体多孔質膜３２との間には電解液が充填されて電解
質層３４となっている。この電解液としては、レドック
ス対を含む非水系電解液であれば、特に限定されるもの
ではない。溶媒としては、例えばアセトニトリル、メト
キシアセトニトリル、プロピオニトリル、炭酸エチレ
ン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトンなどが用いら
れる。

【００３８】レドックス対としては、例えばヨウ素／ヨ
ウ素イオン、臭素／臭素イオンなどの組み合わせを選ぶ
ことができ、これを塩として添加する場合の対イオンと
しては、上記レドックス対にリチウムイオン、テトラア
ルキルイオン、イミダゾリウムイオンなどを用いること
ができる。また、必要に応じてヨウ素などを添加しても
よい。また、このような電解液を適当な高分子マトリッ
クスによりゲル化させた固体状のものを用いてもよい。

【００３９】また、電解質層３４に代えて、ｐ型半導体
からなるホール輸送層を用いてもよい。このｐ型半導体
には、例えばヨウ化銅、チオシアン銅などの１価銅化合
物やポリピロールなどの導電性高分子を用いることがで
き、なかでもヨウ化銅が好ましい。このｐ型半導体から
なる固体のホール輸送層やゲル化した電解質を用いたも
のでは、電解液の漏液の恐れがない。

【００４０】このような構成の導電性ガラスにあって
は、電気伝導性が高い金属薄膜からなるグリッド１３が
設けられているので、導電性ガラス全体としての電気抵
抗値が低くなり、色素増感太陽電池などの光電変換素子
に用いた場合には、光電変換効率が高いものとなる。

【００４１】また、低抵抗のグリッド１３が存在してい
るので、透明性の劣る透明導電膜１２の厚さを薄くで
き、これの透明性を高めることができ、グリッド１３の
存在により光が遮断されることがないことにも起因し
て、光の透過量が増加し、色素増感太陽電池に用いた際
に、酸化物半導体多孔質膜２２に入射される光が増加し
て、これによっても光電変換効率が向上する。さらに、
色素増感太陽電池などに用いた際に、保護薄膜１７が設
けられているため、金属からなるグリッド１３が電解液
に浸食されることがない。

【００４２】以下、具体例を示す。厚さ２ｍｍのガラス
板上に厚さ０．５μｍのＦＴＯが設けられた透明導電ガ
ラス（旭硝子（株）製）を準備した。この透明導電ガラ
スの上記ＦＴＯ上に上述の製造方法により、金と銀との
合金からなる図２に示すような格子状のグリッドを設け
た。

【００４３】このグリッドの線の厚さは、５μｍ、線の
幅は、４０μｍ、開口部の大きさは、縦８６０μｍ、横
５０００μｍの長方形で、開口率は９５％とした。つい
で、このグリッド上からガラス板全体に、常圧ＣＶＤ法
により厚さ３０ｎｍの酸化スズからなる保護薄膜を形成
して、導電性ガラスとした。このようにして得られた導
電性ガラスのシート抵抗は、０．１Ω／□、波長５５０
ｎｍでの光線透過率は７５％であった。

【００４４】ついで、この導電性ガラスの保護導電膜上
に酸化物半導体多孔質膜を形成した。この酸化物半導体
多孔質膜の形成は、粒径約２０ｎｍの酸化チタン微粒子
をアセチルニトリルに分散してペーストとし、これを上
記グリッド上にバーコード法により厚さ１５μｍに塗布
し、乾燥後４００℃で１時間加熱焼成しておこなった。
焼成後の酸化物半導体多孔質膜にルテニウム色素を担持
した。

【００４５】対極として、厚さ２ｍｍのガラス板に厚さ
５μｍのＦＴＯを設けた透明導電ガラス（市販品）を用
意し、上記導電性ガラスと対極とを貼り合わせ、その間
隙にヨウ素／ヨウ化物の電解液を充填して電解質層とし
色素増感太陽電池を作製した。得られた太陽電池の平面
寸法は、１００ｍｍ×１００ｍｍとした。

【００４６】この太陽電池について、人工太陽光（ＡＭ
１．５）を照射し、電流−電圧特性を測定し、その発電
効率（η）を求めた。その結果、発電効率は５％であつ
た。比較のため、グリッドおよび保護薄膜のない市販の
透明導電ガラスをそのまま用いて色素増感太陽電池を組
み立て、発電効率を求めたところ、０．０７％であっ
た。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電変換
素子用導電性ガラスは、ガラス表面に透明導電膜を設
け、この透明導電膜上に金属薄膜からなるグリッドを設
け、少なくともグリッドを保護薄膜で被覆したものであ
るので、導電性ガラスとしての電気伝導度が極めて高い
ものとなり、かつ透明導電膜の厚さを薄くすることがで
き、グリッドでの光の遮断がほとんどないため、光透過
率が高く、これにより光電変換素子としたときに光電変
換効率が高いものが得られる。

【００４８】また、この導電性ガラスを色素増感太陽電
池に用いた場合に、金属薄膜からなるグリッドが保護薄
膜で被覆されているので、電池の電解液で侵食されるこ
とがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換素子用導電性ガラスの一例を
示す概略断面図である。

【図２】本発明でのグリッドの一例を示す平面図であ
る。

【図３】本発明でのグリッドの他の例を示す平面図であ
る。

【図４】本発明の導電性ガラスの他の例を示す概略断面
図である。

【図５】本発明の光電変換素子用導電性ガラスの製造方
法を示す概略断面図である。

【図６】本発明の光電変換素子用導電性ガラスの製造方
法を示す概略断面図である。

【図７】本発明の光電変換素子用導電性ガラスの製造方
法を示す概略断面図である。

【図８】本発明の光電変換素子用導電性ガラスの製造方
法を示す概略断面図である。

【図９】本発明の光電変換素子用導電性ガラスを用いた
色素増感太陽電池の例を示す概略断面図である。

【図１０】従来の色素増感太陽電池を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１１・・・ガラス板、１２・・・透明導電膜、１３・・
・グリッド、１７・・・保護薄膜、３２・・・酸化物半
導体多孔質膜、３３・・・対極、３４・・・電解質層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田辺信夫東京都江東区木場一丁目５番１号株式会社フジクラ内Ｆターム(参考） 5F051 AA14 FA02 FA06 GA03 5H032 AA06 AS06 AS16 CC09 CC13 CC16 EE01 EE02 EE07 EE16 HH01 HH04 HH07 HH08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス表面に透明導電膜が設けられ、この
透明導電膜上に金属薄膜からなるグリッドが設けられ、
少なくともグリッドが保護薄膜で被覆されたことを特徴
とする光電変換素子用導電性ガラス。
【請求項２】グリッドの平面形状が、格子状または櫛歯
状であることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子
用導電性ガラス。
【請求項３】グリッドの開口率が９０〜９９％であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光電変換素子用導電性ガ
ラス。
【請求項４】グリッドをなす金属が、金、銀、白金、ク
ロム、ニッケルのいずれかまたはこれらの２種以上の合
金であることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子
用導電性ガラス。
【請求項５】グリッドが、メッキ法により形成されたも
のであることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子
用導電性ガラス。
【請求項６】グリッドの厚さが、１〜２０μｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の光電変換素子用導電性ガ
ラス。
【請求項７】保護薄膜が、酸化スズまたは酸化チタンか
らなることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子用
導電性ガラス。
【請求項８】保護薄膜をなす酸化チタンの厚さが、５０
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光電変
換素子用導電性ガラス。
【請求項９】シート抵抗が、１〜０．０１Ω／□である
ことを特徴とする請求項１記載の光電変換素子用導電性
ガラス。
【請求項１０】波長５５０ｎｍでの光線透過率が、６０
〜９０％であることを特徴とする請求項１記載の光電変
換素子用導電性ガラス。
【請求項１１】請求項１ないし１０のいずれかに記載の
光電変換素子用導電性ガラスを用いてなる光電変換素
子。
【請求項１２】色素増感太陽電池である請求項１１記載
の光電変換素子。