JP2003273612A - 導波管／マイクロストリップ線路変換器 - Google Patents
導波管／マイクロストリップ線路変換器Info
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- JP2003273612A JP2003273612A JP2002068754A JP2002068754A JP2003273612A JP 2003273612 A JP2003273612 A JP 2003273612A JP 2002068754 A JP2002068754 A JP 2002068754A JP 2002068754 A JP2002068754 A JP 2002068754A JP 2003273612 A JP2003273612 A JP 2003273612A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、マイクロ波帯域では変換器の小形化が
難しいという課題があった。 【解決手段】 誘電体基板１と、前記誘電体基板の下側
に形成された地導体パターン２と、前記誘電体基板の上
側に形成されたストリップ導体パターン３と、導波管短
絡用導体パターン４と、前記誘電体基板内で前記地導体
パターンと前記導波管短絡用導体パターンを接続する導
波管壁用ヴィア５と、前記地導体パターン抜き部に合わ
せて前記誘電体基板に接続された導波管７とを備え、前
記ストリップ導体パターン、前記地導体パターン及び前
記誘電体基板からマイクロストリップ線路が構成され、
前記導波管短絡用導体パターン、前記地導体パターン及
び前記接続用導体から誘電体導波管短絡部が構成され
る。 【効果】 誘電体基板の上から約１／４波長突き出てい
た短絡導波管ブロックがなくなり、高精度な組立ても必
要ないことから、小形で量産が容易である。
難しいという課題があった。 【解決手段】 誘電体基板１と、前記誘電体基板の下側
に形成された地導体パターン２と、前記誘電体基板の上
側に形成されたストリップ導体パターン３と、導波管短
絡用導体パターン４と、前記誘電体基板内で前記地導体
パターンと前記導波管短絡用導体パターンを接続する導
波管壁用ヴィア５と、前記地導体パターン抜き部に合わ
せて前記誘電体基板に接続された導波管７とを備え、前
記ストリップ導体パターン、前記地導体パターン及び前
記誘電体基板からマイクロストリップ線路が構成され、
前記導波管短絡用導体パターン、前記地導体パターン及
び前記接続用導体から誘電体導波管短絡部が構成され
る。 【効果】 誘電体基板の上から約１／４波長突き出てい
た短絡導波管ブロックがなくなり、高精度な組立ても必
要ないことから、小形で量産が容易である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主としてマイク
ロ波帯およびミリ波帯で用いる導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器に関するものである。
ロ波帯およびミリ波帯で用いる導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の導波管／マイクロストリップ線路
変換器について図面を参照しながら説明する。図１６
は、例えば特開２０００−２４４２１２号公報に示され
た従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す
斜視図であり、図１７は、図１６に示す従来の導波管／
マイクロストリップ線路変換器を示す断面図である。
変換器について図面を参照しながら説明する。図１６
は、例えば特開２０００−２４４２１２号公報に示され
た従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す
斜視図であり、図１７は、図１６に示す従来の導波管／
マイクロストリップ線路変換器を示す断面図である。
【０００３】図１６及び図１７において、１０１は誘電
体基板、１０２はストリップ導体パターン、１０３は地
導体パターン、１０４は導波管、１０５は短絡導波管ブ
ロックである。
体基板、１０２はストリップ導体パターン、１０３は地
導体パターン、１０４は導波管、１０５は短絡導波管ブ
ロックである。
【０００４】つぎに、従来の導波管／マイクロストリッ
プ線路変換器の動作について図面を参照しながら説明す
る。
プ線路変換器の動作について図面を参照しながら説明す
る。
【０００５】図１６に示した従来の導波管／マイクロス
トリップ線路変換器では、誘電体基板１０１が導波管１
０４と短絡導波管ブロック１０５とで挟み込むように固
定されている。誘電体基板１０１の一方の面にはストリ
ップ導体パターン１０２が、他方の面には導波管１０４
の開口部と接続される地導体パターン１０３が、それぞ
れ設けられており、ストリップ導体パターン１０２と地
導体パターン１０３と誘電体基板１０１とからマイクロ
ストリップ線路を構成している。
トリップ線路変換器では、誘電体基板１０１が導波管１
０４と短絡導波管ブロック１０５とで挟み込むように固
定されている。誘電体基板１０１の一方の面にはストリ
ップ導体パターン１０２が、他方の面には導波管１０４
の開口部と接続される地導体パターン１０３が、それぞ
れ設けられており、ストリップ導体パターン１０２と地
導体パターン１０３と誘電体基板１０１とからマイクロ
ストリップ線路を構成している。
【０００６】短絡導波管ブロック１０５の短絡面とスト
リップ導体パターン１０２との距離を導波管管内波長の
約１／４に設定すると、導波管１０４内の磁界がストリ
ップ導体パターン１０２を挿入した位置において最大と
なるため、マイクロストリップ線路の伝搬モードと導波
管の伝搬モードがよく結合する。したがって、導波管１
０４を伝搬してきた高周波信号は、大きな反射を生じる
ことなくマイクロストリップ線路に伝搬することができ
る。
リップ導体パターン１０２との距離を導波管管内波長の
約１／４に設定すると、導波管１０４内の磁界がストリ
ップ導体パターン１０２を挿入した位置において最大と
なるため、マイクロストリップ線路の伝搬モードと導波
管の伝搬モードがよく結合する。したがって、導波管１
０４を伝搬してきた高周波信号は、大きな反射を生じる
ことなくマイクロストリップ線路に伝搬することができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
導波管／マイクロストリップ線路変換器では、ストリッ
プ導体パターン１０２から短絡導波管ブロック１０５の
短絡面までの長さは導波管管内波長の約１／４程度必要
であるため、この短絡導波管ブロック１０５が誘電体基
板１０１から突き出す形となる。したがって、特にマイ
クロ波帯域においては変換器の小形化が難しいという問
題点があった。
導波管／マイクロストリップ線路変換器では、ストリッ
プ導体パターン１０２から短絡導波管ブロック１０５の
短絡面までの長さは導波管管内波長の約１／４程度必要
であるため、この短絡導波管ブロック１０５が誘電体基
板１０１から突き出す形となる。したがって、特にマイ
クロ波帯域においては変換器の小形化が難しいという問
題点があった。
【０００８】一方、導波管１０４、短絡導波管ブロック
１０５、およびストリップ導体パターン１０２との間で
位置ずれが生じると変換器の特性が劣化するため、各部
品の組み立てを高い位置精度で行う必要がある。しか
し、ミリ波帯域においては各部品の大きさが非常に小さ
くなるため高い精度で組立てることは難しく、量産が難
しいという問題点があった。
１０５、およびストリップ導体パターン１０２との間で
位置ずれが生じると変換器の特性が劣化するため、各部
品の組み立てを高い位置精度で行う必要がある。しか
し、ミリ波帯域においては各部品の大きさが非常に小さ
くなるため高い精度で組立てることは難しく、量産が難
しいという問題点があった。
【０００９】また、高周波素子を実装するパッケージの
入出力部にこの従来の導波管／マイクロストリップ線路
変換器を設ける場合、導波管とマイクロストリップ線路
の接続部に空間があるため、パッケージ内部を気密封止
できないという問題点もあった。
入出力部にこの従来の導波管／マイクロストリップ線路
変換器を設ける場合、導波管とマイクロストリップ線路
の接続部に空間があるため、パッケージ内部を気密封止
できないという問題点もあった。
【００１０】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、マイクロ波帯およびミリ波帯にお
いて、小形で量産が容易な導波管／マイクロストリップ
線路変換器を得ることを目的とする。
めになされたもので、マイクロ波帯およびミリ波帯にお
いて、小形で量産が容易な導波管／マイクロストリップ
線路変換器を得ることを目的とする。
【００１１】さらに、入出力部に導波管が接続される高
周波パッケージに適用した場合に、パッケージ内部の気
密封止が可能な導波管／マイクロストリップ線路変換器
を得ることを目的とする。
周波パッケージに適用した場合に、パッケージ内部の気
密封止が可能な導波管／マイクロストリップ線路変換器
を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る導波管／マイクロストリップ線路変換器は、誘電体基
板と、前記誘電体基板の一面に形成された地導体パター
ン抜き部を有する地導体パターンと、前記地導体パター
ンを有する面に対向する前記誘電体基板の面に形成され
たストリップ導体パターンと、前記ストリップ導体パタ
ーンに連続して形成された導波管短絡用導体パターン
と、前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前記導波
管短絡用導体パターンを接続する接続用導体と、前記地
導体パターン抜き部に合わせて前記誘電体基板に接続さ
れた導波管とを備え、前記ストリップ導体パターン、前
記地導体パターン及び前記誘電体基板からマイクロスト
リップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パター
ン、前記地導体パターン及び前記接続用導体から誘電体
導波管短絡部が構成されるものである。
る導波管／マイクロストリップ線路変換器は、誘電体基
板と、前記誘電体基板の一面に形成された地導体パター
ン抜き部を有する地導体パターンと、前記地導体パター
ンを有する面に対向する前記誘電体基板の面に形成され
たストリップ導体パターンと、前記ストリップ導体パタ
ーンに連続して形成された導波管短絡用導体パターン
と、前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前記導波
管短絡用導体パターンを接続する接続用導体と、前記地
導体パターン抜き部に合わせて前記誘電体基板に接続さ
れた導波管とを備え、前記ストリップ導体パターン、前
記地導体パターン及び前記誘電体基板からマイクロスト
リップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パター
ン、前記地導体パターン及び前記接続用導体から誘電体
導波管短絡部が構成されるものである。
【００１３】この発明の請求項２に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、第１の誘電体基板と、前記
第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パタ
ーン抜き部を有する第１の地導体パターンと、前記第１
の地導体パターンを有する面に対向する前記第１の誘電
体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、前
記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管
短絡用導体パターンと、前記第１の誘電体基板内で前記
第１の地導体パターンと前記導波管形成用導体パターン
とを接続する第１の接続用導体と、第２の誘電体基板
と、前記第２の誘電体基板の一面に形成された第２の地
導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、
前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前
記第２の誘電体基板を上下に貫通する第２の接続用導体
と、前記第２の地導体パターン抜き部に合わせて前記第
２の誘電体基板に接続された導波管とを備え、前記第１
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターンを有す
る面に対向する前記第２の誘電体基板の面とが向かいあ
うように、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基
板とが積層され、前記ストリップ導体パターン、前記第
１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基板からマイ
クロストリップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体
パターン、前記第１の地導体パターン及び前記第１の接
続用導体から導波管短絡部が構成され、前記第１の地導
体パターン、前記第２の地導体パターン及び前記第２の
接続用導体から誘電体導波管が構成されるものである。
ロストリップ線路変換器は、第１の誘電体基板と、前記
第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パタ
ーン抜き部を有する第１の地導体パターンと、前記第１
の地導体パターンを有する面に対向する前記第１の誘電
体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、前
記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管
短絡用導体パターンと、前記第１の誘電体基板内で前記
第１の地導体パターンと前記導波管形成用導体パターン
とを接続する第１の接続用導体と、第２の誘電体基板
と、前記第２の誘電体基板の一面に形成された第２の地
導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、
前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前
記第２の誘電体基板を上下に貫通する第２の接続用導体
と、前記第２の地導体パターン抜き部に合わせて前記第
２の誘電体基板に接続された導波管とを備え、前記第１
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターンを有す
る面に対向する前記第２の誘電体基板の面とが向かいあ
うように、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基
板とが積層され、前記ストリップ導体パターン、前記第
１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基板からマイ
クロストリップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体
パターン、前記第１の地導体パターン及び前記第１の接
続用導体から導波管短絡部が構成され、前記第１の地導
体パターン、前記第２の地導体パターン及び前記第２の
接続用導体から誘電体導波管が構成されるものである。
【００１４】この発明の請求項３に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、第１の誘電体基板と、前記
第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パタ
ーン抜き部を有する第１の地導体パターンと、前記第１
の地導体パターンを有する面に対向する前記第１の誘電
体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、前
記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管
短絡用導体パターンと、前記第１の誘電体基板内で前記
第１の地導体パターンと前記導波管短絡用導体パターン
とを接続する第１の接続用導体と、第２の誘電体基板
と、前記第２の誘電体基板の一面に形成された第２の地
導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、
前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前
記第２の誘電体基板を上下に貫通する第２の接続用導体
と、第３の誘電体基板と、前記第３の誘電体基板の一面
に形成された第３の地導体パターン抜き部を有する第３
の地導体パターンと、前記第３の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第３の誘電体基板を上下に貫通
する第３の接続用導体と、前記第３の地導体パターン抜
き部に合わせて前記第３の誘電体基板に接続された導波
管とを備え、前記第１の地導体パターンと、前記第２の
地導体パターンを有する面に対向する前記第２の誘電体
基板の面が向かいあうように、前記第１の誘電体基板と
前記第２の誘電体基板とが積層され、前記第２の地導体
パターンと、前記第３の地導体パターンを有する面に対
向する前記第３の誘電体基板の面が向かいあうように、
前記第２の誘電体基板と前記第３の誘電体基板とが積層
され、前記ストリップ導体パターン、前記第１の地導体
パターン及び前記第１の誘電体基板からマイクロストリ
ップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パターン、
前記第１の地導体パターン及び前記第１の接続用導体か
ら導波管短絡部が構成され、前記第１の地導体パター
ン、前記第２の地導体パターン及び前記第２の接続用導
体から第１の誘電体導波管が構成され、前記第２の地導
体パターン、前記第３の地導体パターン及び前記第３の
接続用導体から第２の誘電体導波管が構成されるもので
ある。
ロストリップ線路変換器は、第１の誘電体基板と、前記
第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パタ
ーン抜き部を有する第１の地導体パターンと、前記第１
の地導体パターンを有する面に対向する前記第１の誘電
体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、前
記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管
短絡用導体パターンと、前記第１の誘電体基板内で前記
第１の地導体パターンと前記導波管短絡用導体パターン
とを接続する第１の接続用導体と、第２の誘電体基板
と、前記第２の誘電体基板の一面に形成された第２の地
導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、
前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前
記第２の誘電体基板を上下に貫通する第２の接続用導体
と、第３の誘電体基板と、前記第３の誘電体基板の一面
に形成された第３の地導体パターン抜き部を有する第３
の地導体パターンと、前記第３の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第３の誘電体基板を上下に貫通
する第３の接続用導体と、前記第３の地導体パターン抜
き部に合わせて前記第３の誘電体基板に接続された導波
管とを備え、前記第１の地導体パターンと、前記第２の
地導体パターンを有する面に対向する前記第２の誘電体
基板の面が向かいあうように、前記第１の誘電体基板と
前記第２の誘電体基板とが積層され、前記第２の地導体
パターンと、前記第３の地導体パターンを有する面に対
向する前記第３の誘電体基板の面が向かいあうように、
前記第２の誘電体基板と前記第３の誘電体基板とが積層
され、前記ストリップ導体パターン、前記第１の地導体
パターン及び前記第１の誘電体基板からマイクロストリ
ップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パターン、
前記第１の地導体パターン及び前記第１の接続用導体か
ら導波管短絡部が構成され、前記第１の地導体パター
ン、前記第２の地導体パターン及び前記第２の接続用導
体から第１の誘電体導波管が構成され、前記第２の地導
体パターン、前記第３の地導体パターン及び前記第３の
接続用導体から第２の誘電体導波管が構成されるもので
ある。
【００１５】この発明の請求項４に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、前記第２の誘電体基板内で
第２の接続用導体に囲まれた領域と、前記第３の誘電体
基板内で第３の接続用導体に囲まれた領域の大きさが異
なるものである。
ロストリップ線路変換器は、前記第２の誘電体基板内で
第２の接続用導体に囲まれた領域と、前記第３の誘電体
基板内で第３の接続用導体に囲まれた領域の大きさが異
なるものである。
【００１６】この発明の請求項５に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、前記ストリップ導体パター
ンと前記導波管短絡用導体パターンとの間にストリップ
導体パターン幅広部を挿入したものである。
ロストリップ線路変換器は、前記ストリップ導体パター
ンと前記導波管短絡用導体パターンとの間にストリップ
導体パターン幅広部を挿入したものである。
【００１７】この発明の請求項６に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、前記導波管短絡用導体パタ
ーンに切り欠き部を設けたものである。
ロストリップ線路変換器は、前記導波管短絡用導体パタ
ーンに切り欠き部を設けたものである。
【００１８】この発明の請求項７に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、前記地導体パターン抜き部
が、多角形であり、前記ストリップ導体パターンと前記
導波管短絡用導体パターンとの境界線位置が、前記多角
形の一辺に一致するか、または前記多角形の内部にある
ものである。
ロストリップ線路変換器は、前記地導体パターン抜き部
が、多角形であり、前記ストリップ導体パターンと前記
導波管短絡用導体パターンとの境界線位置が、前記多角
形の一辺に一致するか、または前記多角形の内部にある
ものである。
【００１９】この発明の請求項８に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、前記接続用導体が、複数の
ヴィアから構成されるものである。
ロストリップ線路変換器は、前記接続用導体が、複数の
ヴィアから構成されるものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器に
ついて図面を参照しながら説明する。図１は、この発明
の実施の形態１に係る導波管／マイクロストリップ線路
変換器の構成を示す斜視図である。
形態１に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器に
ついて図面を参照しながら説明する。図１は、この発明
の実施の形態１に係る導波管／マイクロストリップ線路
変換器の構成を示す斜視図である。
【００２１】図２は、図１に示される導波管／マイクロ
ストリップ線路変換器の断面図である。また、図３は、
図１に示される誘電体基板の上側の面に配置された導体
パターンを示す図である。さらに、図４は、図１に示さ
れる誘電体基板の下側の面に配置された導体パターンを
示す図である。なお、図２に示された断面図は、図３及
び図４に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるもの
である。また、各図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
ストリップ線路変換器の断面図である。また、図３は、
図１に示される誘電体基板の上側の面に配置された導体
パターンを示す図である。さらに、図４は、図１に示さ
れる誘電体基板の下側の面に配置された導体パターンを
示す図である。なお、図２に示された断面図は、図３及
び図４に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるもの
である。また、各図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
【００２２】図１〜図４において、１は誘電体基板、２
は地導体パターン、３はストリップ導体パターン、４は
導波管短絡用導体パターン、５は導波管壁用ヴィア（接
続用導体）、６は地導体パターン抜き部、７は導波管で
ある。なお、ヴィアとは、本願明細書において円柱状導
体を示す用語として用いるものとする。
は地導体パターン、３はストリップ導体パターン、４は
導波管短絡用導体パターン、５は導波管壁用ヴィア（接
続用導体）、６は地導体パターン抜き部、７は導波管で
ある。なお、ヴィアとは、本願明細書において円柱状導
体を示す用語として用いるものとする。
【００２３】また、同図において、地導体パターン２と
ストリップ導体パターン３と誘電体基板１とから「マイ
クロストリップ線路」を構成している。導波管壁用ヴィ
ア５は、地導体パターン２と導波管短絡用導体パターン
４を接続し、地導体パターン抜き部６の周囲に設けられ
ており、地導体パターン２と導波管短絡用導体パターン
４と導波管壁用ヴィア５から「誘電体導波管短絡部」を
構成している。導波管７は、誘電体基板１の下側の地導
体パターン抜き部６に合わせて接続されている。
ストリップ導体パターン３と誘電体基板１とから「マイ
クロストリップ線路」を構成している。導波管壁用ヴィ
ア５は、地導体パターン２と導波管短絡用導体パターン
４を接続し、地導体パターン抜き部６の周囲に設けられ
ており、地導体パターン２と導波管短絡用導体パターン
４と導波管壁用ヴィア５から「誘電体導波管短絡部」を
構成している。導波管７は、誘電体基板１の下側の地導
体パターン抜き部６に合わせて接続されている。
【００２４】つぎに、この実施の形態１に係る導波管／
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
【００２５】マイクロストリップ線路では地導体パター
ン２とストリップ導体パターン３の間に電界が生じてい
る。一方、導波管７では導波管断面の中央部が最も強い
電界分布となっている。そこで、マイクロストリップ線
路を構成するストリップ導体パターン３を、誘電体導波
管短絡部を構成する導波管短絡用導体パターン４の誘電
体導波管短絡部の中央に接続すれば、マイクロストリッ
プ線路において電界が生じている部分と導波管７におい
て電界が強い部分が一致する。マイクロストリップ線路
と導波管７の電界分布が近いことから、高周波信号は大
きな反射を生じることなく伝搬することができる。
ン２とストリップ導体パターン３の間に電界が生じてい
る。一方、導波管７では導波管断面の中央部が最も強い
電界分布となっている。そこで、マイクロストリップ線
路を構成するストリップ導体パターン３を、誘電体導波
管短絡部を構成する導波管短絡用導体パターン４の誘電
体導波管短絡部の中央に接続すれば、マイクロストリッ
プ線路において電界が生じている部分と導波管７におい
て電界が強い部分が一致する。マイクロストリップ線路
と導波管７の電界分布が近いことから、高周波信号は大
きな反射を生じることなく伝搬することができる。
【００２６】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、誘電体基板の上から約１／４波長突き出ていた短絡
導波管ブロックがなくなり、高精度な組立ても必要ない
ことから、小形で量産が容易な導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器が得られるという効果がある。
ば、誘電体基板の上から約１／４波長突き出ていた短絡
導波管ブロックがなくなり、高精度な組立ても必要ない
ことから、小形で量産が容易な導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器が得られるという効果がある。
【００２７】また、基板の導体パターンとヴィアだけで
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
【００２８】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
【００２９】図５は、この発明の実施の形態２に係る導
波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図であ
る。また、図６は、図５に示される上の誘電体基板の上
側の面に配置された導体パターンを示す図である。図７
は、図５に示される上の誘電体基板の下側の面に配置さ
れる導体パターンを示す図である。さらに、図８は、図
５に示される下の誘電体基板の下側の面に配置される導
体パターンを示す図である。なお、図５に示された断面
図は、図６ないし図８に示されるＡ−Ａ’断面図として
与えられるものである。
波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図であ
る。また、図６は、図５に示される上の誘電体基板の上
側の面に配置された導体パターンを示す図である。図７
は、図５に示される上の誘電体基板の下側の面に配置さ
れる導体パターンを示す図である。さらに、図８は、図
５に示される下の誘電体基板の下側の面に配置される導
体パターンを示す図である。なお、図５に示された断面
図は、図６ないし図８に示されるＡ−Ａ’断面図として
与えられるものである。
【００３０】図５〜図８において、１ａ、１ｂは誘電体
基板、２ａ、２ｂは地導体パターン、３はストリップ導
体パターン、４は導波管短絡用導体パターン、５ａ、５
ｂは導波管壁用ヴィア、６ａ、６ｂは地導体パターン抜
き部、７は導波管である。
基板、２ａ、２ｂは地導体パターン、３はストリップ導
体パターン、４は導波管短絡用導体パターン、５ａ、５
ｂは導波管壁用ヴィア、６ａ、６ｂは地導体パターン抜
き部、７は導波管である。
【００３１】誘電体基板１ａの上側の面にストリップ導
体パターン３、下側の面に地導体パターン２ａを設ける
ことで、「マイクロストリップ線路」を構成している。
また、誘電体基板１ａの上側の面に導波管短絡用導体パ
ターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波
管短絡用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続す
る導波管壁用ヴィア５ａを設けることで、「導波管短絡
部」を構成している。さらに、誘電体基板１ｂの下側の
面に地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン２ａ、
２ｂを接続する導波管壁用ヴィア５ｂを設けることで
「誘電体導波管」を構成している。誘電体基板１ｂの下
には、この誘電体導波管の開口に合わせて導波管７が設
けられている。
体パターン３、下側の面に地導体パターン２ａを設ける
ことで、「マイクロストリップ線路」を構成している。
また、誘電体基板１ａの上側の面に導波管短絡用導体パ
ターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波
管短絡用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続す
る導波管壁用ヴィア５ａを設けることで、「導波管短絡
部」を構成している。さらに、誘電体基板１ｂの下側の
面に地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン２ａ、
２ｂを接続する導波管壁用ヴィア５ｂを設けることで
「誘電体導波管」を構成している。誘電体基板１ｂの下
には、この誘電体導波管の開口に合わせて導波管７が設
けられている。
【００３２】つぎに、この実施の形態２に係る導波管／
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
【００３３】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構
成されたマイクロストリップ線路に入力された高周波信
号は、導波管短絡部を介して誘電体基板１ｂに構成され
た誘電体導波管を伝搬する。さらに、地導体パターン抜
き部６ｂを通って導波管７に伝搬していく。
ロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構
成されたマイクロストリップ線路に入力された高周波信
号は、導波管短絡部を介して誘電体基板１ｂに構成され
た誘電体導波管を伝搬する。さらに、地導体パターン抜
き部６ｂを通って導波管７に伝搬していく。
【００３４】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、上記の実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約
１／４波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくな
り、高精度な組立ても必要ないことから、小形で量産が
容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現す
ることができる。
ば、上記の実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約
１／４波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくな
り、高精度な組立ても必要ないことから、小形で量産が
容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現す
ることができる。
【００３５】また、基板の導体パターンとヴィアだけで
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
【００３６】さらに、誘電体基板内に地導体パターンと
導波管壁用ヴィアで形成した誘電体導波管のインピーダ
ンスを調整することにより、外部に接続される導波管と
のインピーダンス整合がとりやすく、良好な特性の導波
管／マイクロストリップ線路変換器を実現することがで
きる。
導波管壁用ヴィアで形成した誘電体導波管のインピーダ
ンスを調整することにより、外部に接続される導波管と
のインピーダンス整合がとりやすく、良好な特性の導波
管／マイクロストリップ線路変換器を実現することがで
きる。
【００３７】実施の形態３．この発明の実施の形態３に
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
【００３８】図９は、この発明の実施の形態３に係る導
波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図であ
る。また、図１０は、図９に示される上の誘電体基板の
上側の面に配置された導体パターンを示す図である。図
１１は、図９に示される上の誘電体基板の下側の面に配
置される導体パターンを示す図である。さらに、図１２
は、図９に示される中の誘電体基板の下側の面に配置さ
れる導体パターンを示す図である。図１３は、図９に示
される下の誘電体基板の下側の面に配置される導体パタ
ーンを示す図である。なお、図９に示された断面図は、
図１０ないし図１３に示されるＡ−Ａ’断面図として与
えられるものである。
波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図であ
る。また、図１０は、図９に示される上の誘電体基板の
上側の面に配置された導体パターンを示す図である。図
１１は、図９に示される上の誘電体基板の下側の面に配
置される導体パターンを示す図である。さらに、図１２
は、図９に示される中の誘電体基板の下側の面に配置さ
れる導体パターンを示す図である。図１３は、図９に示
される下の誘電体基板の下側の面に配置される導体パタ
ーンを示す図である。なお、図９に示された断面図は、
図１０ないし図１３に示されるＡ−Ａ’断面図として与
えられるものである。
【００３９】図９〜図１３において、１ａ、１ｂ、１ｃ
は誘電体基板、２ａ、２ｂ、２ｃは地導体パターン、３
はストリップ導体パターン、４は導波管短絡用導体パタ
ーン、５ａ、５ｂ、５ｃは導波管壁用ヴィア、６ａ、６
ｂ、６ｃは地導体パターン抜き部である。
は誘電体基板、２ａ、２ｂ、２ｃは地導体パターン、３
はストリップ導体パターン、４は導波管短絡用導体パタ
ーン、５ａ、５ｂ、５ｃは導波管壁用ヴィア、６ａ、６
ｂ、６ｃは地導体パターン抜き部である。
【００４０】誘電体基板１ａの上側の面にストリップ導
体パターン３、下側の面に地導体パターン２ａを設ける
ことで、「マイクロストリップ線路」を構成している。
また、誘電体基板１ａの上側の面に導波管短絡用導体パ
ターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波
管短絡用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続す
る導波管壁用ヴィア５ａを設けることで、「導波管短絡
部」を構成している。さらに、誘電体基板１ｂの下側の
面に地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン２ａ、
２ｂを接続する導波管壁用ヴィア５ｂを設けることで
「誘電体導波管」（第１の誘電体導波管）を構成してい
る。また、誘電体基板１ｃの下側の面に地導体パターン
２ｃを設け、地導体パターン２ｂ、２ｃを接続する導波
管壁用ヴィア５ｃを設けることで「誘電体導波管」（第
２の誘電体導波管）を構成している。誘電体基板１ｃの
下には、この誘電体導波管の開口に合わせて導波管７が
設けられている。
体パターン３、下側の面に地導体パターン２ａを設ける
ことで、「マイクロストリップ線路」を構成している。
また、誘電体基板１ａの上側の面に導波管短絡用導体パ
ターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波
管短絡用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続す
る導波管壁用ヴィア５ａを設けることで、「導波管短絡
部」を構成している。さらに、誘電体基板１ｂの下側の
面に地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン２ａ、
２ｂを接続する導波管壁用ヴィア５ｂを設けることで
「誘電体導波管」（第１の誘電体導波管）を構成してい
る。また、誘電体基板１ｃの下側の面に地導体パターン
２ｃを設け、地導体パターン２ｂ、２ｃを接続する導波
管壁用ヴィア５ｃを設けることで「誘電体導波管」（第
２の誘電体導波管）を構成している。誘電体基板１ｃの
下には、この誘電体導波管の開口に合わせて導波管７が
設けられている。
【００４１】つぎに、この実施の形態３に係る導波管／
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参
照しながら説明する。
【００４２】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構
成されたマイクロストリップ線路に入力された高周波信
号は、導波管短絡部を介して誘電体基板１ｂに構成され
た誘電体導波管を伝搬する。さらに、誘電体基板１ｃに
構成された誘電体導波管を通り、地導体パターン抜き部
６ｃを介して導波管７に伝搬していく。
ロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構
成されたマイクロストリップ線路に入力された高周波信
号は、導波管短絡部を介して誘電体基板１ｂに構成され
た誘電体導波管を伝搬する。さらに、誘電体基板１ｃに
構成された誘電体導波管を通り、地導体パターン抜き部
６ｃを介して導波管７に伝搬していく。
【００４３】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
【００４４】また、基板の導体パターンとヴィアだけで
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
【００４５】さらに、誘電体基板内に地導体パターンと
導波管壁用ヴィアで形成した複数の誘電体導波管が多段
のインピーダンス変成器として動作するため、広帯域に
わたってインピーダンス整合をとることが可能となる。
導波管壁用ヴィアで形成した複数の誘電体導波管が多段
のインピーダンス変成器として動作するため、広帯域に
わたってインピーダンス整合をとることが可能となる。
【００４６】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
【００４７】図１４は、この発明の実施の形態４に係る
導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図で
ある。図１４において、８はストリップ導体パターン幅
広部である。このストリップ導体パターン幅広部８は、
ストリップ導体パターン３と導波管短絡用導体パターン
４の間に設けられている。
導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図で
ある。図１４において、８はストリップ導体パターン幅
広部である。このストリップ導体パターン幅広部８は、
ストリップ導体パターン３と導波管短絡用導体パターン
４の間に設けられている。
【００４８】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器においては、ストリップ導体パ
ターン幅広部８を設けることにより、並列容量成分を付
加することができるため、誘導性を有する変換器に対し
てインピーダンス整合を行うことができる。また、スト
リップ導体パターン幅広部８では、マイクロストリップ
線路における電界分布が誘電体基板側に集中するため、
ストリップ導体パターン３と導波管短絡用導体パターン
４の接続部における上側の空間への放射を抑えることが
できる。
ロストリップ線路変換器においては、ストリップ導体パ
ターン幅広部８を設けることにより、並列容量成分を付
加することができるため、誘導性を有する変換器に対し
てインピーダンス整合を行うことができる。また、スト
リップ導体パターン幅広部８では、マイクロストリップ
線路における電界分布が誘電体基板側に集中するため、
ストリップ導体パターン３と導波管短絡用導体パターン
４の接続部における上側の空間への放射を抑えることが
できる。
【００４９】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
【００５０】また、基板の導体パターンとヴィアだけで
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
【００５１】さらに、ストリップ導体パターン幅広部８
を有するため、変換器から空間への不要放射を抑えた導
波管／マイクロスストリップ線路変換器を実現できる。
を有するため、変換器から空間への不要放射を抑えた導
波管／マイクロスストリップ線路変換器を実現できる。
【００５２】実施の形態５．この発明の実施の形態５に
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
係る導波管／マイクロストリップ線路変換器について図
面を参照しながら説明する。
【００５３】図１５は、この発明の実施の形態５に係る
導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図で
ある。図１５において、９は導波管短絡用導体パターン
張り出し部である。この導波管短絡用導体パターン張り
出し部９は、ストリップ導体パターン３と導波管短絡用
導体パターン４の接続部の両側に、ストリップ導体パタ
ーン３から離れて設けられている。
導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図で
ある。図１５において、９は導波管短絡用導体パターン
張り出し部である。この導波管短絡用導体パターン張り
出し部９は、ストリップ導体パターン３と導波管短絡用
導体パターン４の接続部の両側に、ストリップ導体パタ
ーン３から離れて設けられている。
【００５４】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器においては、ストリップ導体パ
ターン３と導波管短絡用導体パターン４の接続部が地導
体パターン抜き部６の上部にある場合でも、地導体パタ
ーン抜き部６の上をほとんど導体パターンで覆うことが
できるため、上部空間への放射を抑えることができる。
ロストリップ線路変換器においては、ストリップ導体パ
ターン３と導波管短絡用導体パターン４の接続部が地導
体パターン抜き部６の上部にある場合でも、地導体パタ
ーン抜き部６の上をほとんど導体パターンで覆うことが
できるため、上部空間への放射を抑えることができる。
【００５５】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
ば、実施の形態１と同様、誘電体基板の上から約１／４
波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなくなり、高精
度な組立ても必要ないことから、小形で量産が容易な導
波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することが
できる。
【００５６】また、基板の導体パターンとヴィアだけで
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
構成するため、誘電体基板内部に形成することが可能で
あり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むこ
とも容易であるという効果もある。
【００５７】さらに、導波管短絡用導体パターン張り出
し部９を有するため、変換器から空間への不要放射を抑
えられるという効果もある。
し部９を有するため、変換器から空間への不要放射を抑
えられるという効果もある。
【００５８】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、誘
電体基板と、前記誘電体基板の一面に形成された地導体
パターン抜き部を有する地導体パターンと、前記地導体
パターンを有する面に対向する前記誘電体基板の面に形
成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ導
体パターンに連続して形成された導波管短絡用導体パタ
ーンと、前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前記
導波管短絡用導体パターンを接続する接続用導体と、前
記地導体パターン抜き部に合わせて前記誘電体基板に接
続された導波管とを備え、前記ストリップ導体パター
ン、前記地導体パターン及び前記誘電体基板からマイク
ロストリップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パ
ターン、前記地導体パターン及び前記接続用導体から誘
電体導波管短絡部が構成されるので、誘電体基板の上か
ら約１／４波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなく
なり、高精度な組立ても必要ないことから、小形で量産
が容易であるという効果を奏する。
クロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、誘
電体基板と、前記誘電体基板の一面に形成された地導体
パターン抜き部を有する地導体パターンと、前記地導体
パターンを有する面に対向する前記誘電体基板の面に形
成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ導
体パターンに連続して形成された導波管短絡用導体パタ
ーンと、前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前記
導波管短絡用導体パターンを接続する接続用導体と、前
記地導体パターン抜き部に合わせて前記誘電体基板に接
続された導波管とを備え、前記ストリップ導体パター
ン、前記地導体パターン及び前記誘電体基板からマイク
ロストリップ線路が構成され、前記導波管短絡用導体パ
ターン、前記地導体パターン及び前記接続用導体から誘
電体導波管短絡部が構成されるので、誘電体基板の上か
ら約１／４波長突き出ていた短絡導波管ブロックがなく
なり、高精度な組立ても必要ないことから、小形で量産
が容易であるという効果を奏する。
【００５９】この発明の請求項２に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、第１
の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の一面に形成さ
れた第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体
パターンと、前記第１の地導体パターンを有する面に対
向する前記第１の誘電体基板の面に形成されたストリッ
プ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続
して形成された導波管短絡用導体パターンと、前記第１
の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波
管形成用導体パターンとを接続する第１の接続用導体
と、第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面
に形成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通
する第２の接続用導体と、前記第２の地導体パターン抜
き部に合わせて前記第２の誘電体基板に接続された導波
管とを備え、前記第１の地導体パターンと、前記第２の
地導体パターンを有する面に対向する前記第２の誘電体
基板の面とが向かいあうように、前記第１の誘電体基板
と前記第２の誘電体基板とが積層され、前記ストリップ
導体パターン、前記第１の地導体パターン及び前記第１
の誘電体基板からマイクロストリップ線路が構成され、
前記導波管短絡用導体パターン、前記第１の地導体パタ
ーン及び前記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成
され、前記第１の地導体パターン、前記第２の地導体パ
ターン及び前記第２の接続用導体から誘電体導波管が構
成されるので、誘電体基板内に地導体パターンと接続用
導体で形成した誘電体導波管のインピーダンスを調整す
ることにより、外部に接続される導波管とのインピーダ
ンス整合がとりやすいという効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、第１
の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の一面に形成さ
れた第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体
パターンと、前記第１の地導体パターンを有する面に対
向する前記第１の誘電体基板の面に形成されたストリッ
プ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続
して形成された導波管短絡用導体パターンと、前記第１
の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波
管形成用導体パターンとを接続する第１の接続用導体
と、第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面
に形成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通
する第２の接続用導体と、前記第２の地導体パターン抜
き部に合わせて前記第２の誘電体基板に接続された導波
管とを備え、前記第１の地導体パターンと、前記第２の
地導体パターンを有する面に対向する前記第２の誘電体
基板の面とが向かいあうように、前記第１の誘電体基板
と前記第２の誘電体基板とが積層され、前記ストリップ
導体パターン、前記第１の地導体パターン及び前記第１
の誘電体基板からマイクロストリップ線路が構成され、
前記導波管短絡用導体パターン、前記第１の地導体パタ
ーン及び前記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成
され、前記第１の地導体パターン、前記第２の地導体パ
ターン及び前記第２の接続用導体から誘電体導波管が構
成されるので、誘電体基板内に地導体パターンと接続用
導体で形成した誘電体導波管のインピーダンスを調整す
ることにより、外部に接続される導波管とのインピーダ
ンス整合がとりやすいという効果を奏する。
【００６０】この発明の請求項３に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、第１
の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の一面に形成さ
れた第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体
パターンと、前記第１の地導体パターンを有する面に対
向する前記第１の誘電体基板の面に形成されたストリッ
プ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続
して形成された導波管短絡用導体パターンと、前記第１
の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波
管短絡用導体パターンとを接続する第１の接続用導体
と、第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面
に形成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通
する第２の接続用導体と、第３の誘電体基板と、前記第
３の誘電体基板の一面に形成された第３の地導体パター
ン抜き部を有する第３の地導体パターンと、前記第３の
地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前記第３の誘
電体基板を上下に貫通する第３の接続用導体と、前記第
３の地導体パターン抜き部に合わせて前記第３の誘電体
基板に接続された導波管とを備え、前記第１の地導体パ
ターンと、前記第２の地導体パターンを有する面に対向
する前記第２の誘電体基板の面が向かいあうように、前
記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板とが積層さ
れ、前記第２の地導体パターンと、前記第３の地導体パ
ターンを有する面に対向する前記第３の誘電体基板の面
が向かいあうように、前記第２の誘電体基板と前記第３
の誘電体基板とが積層され、前記ストリップ導体パター
ン、前記第１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基
板からマイクロストリップ線路が構成され、前記導波管
短絡用導体パターン、前記第１の地導体パターン及び前
記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成され、前記
第１の地導体パターン、前記第２の地導体パターン及び
前記第２の接続用導体から第１の誘電体導波管が構成さ
れ、前記第２の地導体パターン、前記第３の地導体パタ
ーン及び前記第３の接続用導体から第２の誘電体導波管
が構成されるので、誘電体基板内に地導体パターンと接
続用導体で形成した複数の誘電体導波管が多段のインピ
ーダンス変成器として動作するため、広帯域にわたって
インピーダンス整合をとることができるという効果を奏
する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、第１
の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の一面に形成さ
れた第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体
パターンと、前記第１の地導体パターンを有する面に対
向する前記第１の誘電体基板の面に形成されたストリッ
プ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続
して形成された導波管短絡用導体パターンと、前記第１
の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波
管短絡用導体パターンとを接続する第１の接続用導体
と、第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面
に形成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２
の地導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部
の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通
する第２の接続用導体と、第３の誘電体基板と、前記第
３の誘電体基板の一面に形成された第３の地導体パター
ン抜き部を有する第３の地導体パターンと、前記第３の
地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前記第３の誘
電体基板を上下に貫通する第３の接続用導体と、前記第
３の地導体パターン抜き部に合わせて前記第３の誘電体
基板に接続された導波管とを備え、前記第１の地導体パ
ターンと、前記第２の地導体パターンを有する面に対向
する前記第２の誘電体基板の面が向かいあうように、前
記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板とが積層さ
れ、前記第２の地導体パターンと、前記第３の地導体パ
ターンを有する面に対向する前記第３の誘電体基板の面
が向かいあうように、前記第２の誘電体基板と前記第３
の誘電体基板とが積層され、前記ストリップ導体パター
ン、前記第１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基
板からマイクロストリップ線路が構成され、前記導波管
短絡用導体パターン、前記第１の地導体パターン及び前
記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成され、前記
第１の地導体パターン、前記第２の地導体パターン及び
前記第２の接続用導体から第１の誘電体導波管が構成さ
れ、前記第２の地導体パターン、前記第３の地導体パタ
ーン及び前記第３の接続用導体から第２の誘電体導波管
が構成されるので、誘電体基板内に地導体パターンと接
続用導体で形成した複数の誘電体導波管が多段のインピ
ーダンス変成器として動作するため、広帯域にわたって
インピーダンス整合をとることができるという効果を奏
する。
【００６１】この発明の請求項４に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
第２の誘電体基板内で第２の接続用導体に囲まれた領域
と、前記第３の誘電体基板内で第３の接続用導体に囲ま
れた領域の大きさが異なるので、誘電体基板内に地導体
パターンと接続用導体で形成した複数の誘電体導波管が
多段のインピーダンス変成器として動作するため、広帯
域にわたってインピーダンス整合をとることができると
いう効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
第２の誘電体基板内で第２の接続用導体に囲まれた領域
と、前記第３の誘電体基板内で第３の接続用導体に囲ま
れた領域の大きさが異なるので、誘電体基板内に地導体
パターンと接続用導体で形成した複数の誘電体導波管が
多段のインピーダンス変成器として動作するため、広帯
域にわたってインピーダンス整合をとることができると
いう効果を奏する。
【００６２】この発明の請求項５に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
ストリップ導体パターンと前記導波管短絡用導体パター
ンとの間にストリップ導体パターン幅広部を挿入したの
で、変換器から空間への不要放射を抑えることができる
という効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
ストリップ導体パターンと前記導波管短絡用導体パター
ンとの間にストリップ導体パターン幅広部を挿入したの
で、変換器から空間への不要放射を抑えることができる
という効果を奏する。
【００６３】この発明の請求項６に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
導波管短絡用導体パターンに切り欠き部を設けたので、
変換器から空間への不要放射を抑えることができるとい
う効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
導波管短絡用導体パターンに切り欠き部を設けたので、
変換器から空間への不要放射を抑えることができるとい
う効果を奏する。
【００６４】この発明の請求項７に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
地導体パターン抜き部が、多角形であり、前記ストリッ
プ導体パターンと前記導波管短絡用導体パターンとの境
界線位置が、前記多角形の一辺に一致するか、または前
記多角形の内部にあるので、小形で量産が容易であると
いう効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
地導体パターン抜き部が、多角形であり、前記ストリッ
プ導体パターンと前記導波管短絡用導体パターンとの境
界線位置が、前記多角形の一辺に一致するか、または前
記多角形の内部にあるので、小形で量産が容易であると
いう効果を奏する。
【００６５】この発明の請求項８に係る導波管／マイク
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
接続用導体が、複数のヴィアから構成されるので、小形
で量産が容易であるという効果を奏する。
ロストリップ線路変換器は、以上説明したとおり、前記
接続用導体が、複数のヴィアから構成されるので、小形
で量産が容易であるという効果を奏する。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図３】 図１に示される誘電体基板の上側の面に配置
された導体パターンを示す図である。
された導体パターンを示す図である。
【図４】 図１に示される誘電体基板の下側の面に配置
された導体パターンを示す図である。
された導体パターンを示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態２に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図６】 図５に示される上の誘電体基板の上側の面に
配置された導体パターンを示す図である。
配置された導体パターンを示す図である。
【図７】 図５に示される上の誘電体基板の下側の面に
配置される導体パターンを示す図である。
配置される導体パターンを示す図である。
【図８】 図５に示される下の誘電体基板の下側の面に
配置される導体パターンを示す図である。
配置される導体パターンを示す図である。
【図９】 この発明の実施の形態３に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図１０】 図９に示される上の誘電体基板の上側の面
に配置された導体パターンを示す図である。
に配置された導体パターンを示す図である。
【図１１】 図９に示される上の誘電体基板の下側の面
に配置される導体パターンを示す図である。
に配置される導体パターンを示す図である。
【図１２】 図９に示される中の誘電体基板の下側の面
に配置される導体パターンを示す図である。
に配置される導体パターンを示す図である。
【図１３】 図９に示される下の誘電体基板の下側の面
に配置される導体パターンを示す図である。
に配置される導体パターンを示す図である。
【図１４】 この発明の実施の形態４に係る導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図であ
る。
イクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図であ
る。
【図１５】 この発明の実施の形態５に係る導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図であ
る。
イクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図であ
る。
【図１６】 従来の導波管／マイクロストリップ線路変
換器を示す斜視図である。
換器を示す斜視図である。
【図１７】 図１６に示す従来の導波管／マイクロスト
リップ線路変換器を示す断面図である。
リップ線路変換器を示す断面図である。
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 誘電体基板、２、２ａ、２ｂ、
２ｃ 地導体パターン、３ ストリップ導体パターン、
４ 導波管短絡用導体パターン、５、５ａ、５ｂ、５ｃ
導波管壁用ヴィア、６、６ａ、６ｂ、６ｃ 地導体パ
ターン抜き部、７は導波管、８ ストリップ導体パター
ン幅広部、９ 導波管短絡用導体パターン張り出し部。
２ｃ 地導体パターン、３ ストリップ導体パターン、
４ 導波管短絡用導体パターン、５、５ａ、５ｂ、５ｃ
導波管壁用ヴィア、６、６ａ、６ｂ、６ｃ 地導体パ
ターン抜き部、７は導波管、８ ストリップ導体パター
ン幅広部、９ 導波管短絡用導体パターン張り出し部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松尾 浩一
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 稲見 和喜
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 松永 誠
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体基板と、前記誘電体基板の一面に
形成された地導体パターン抜き部を有する地導体パター
ンと、前記地導体パターンを有する面に対向する前記誘
電体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、
前記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波
管短絡用導体パターンと、前記誘電体基板内で前記地導
体パターンと前記導波管短絡用導体パターンを接続する
接続用導体と、前記地導体パターン抜き部に合わせて前
記誘電体基板に接続された導波管とを備え、 前記ストリップ導体パターン、前記地導体パターン及び
前記誘電体基板からマイクロストリップ線路が構成さ
れ、 前記導波管短絡用導体パターン、前記地導体パターン及
び前記接続用導体から誘電体導波管短絡部が構成される
ことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換
器。 - 【請求項２】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板の一面に形成された第１の地導体パターン抜き部を
有する第１の地導体パターンと、前記第１の地導体パタ
ーンを有する面に対向する前記第１の誘電体基板の面に
形成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ
導体パターンに連続して形成された導波管短絡用導体パ
ターンと、前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体
パターンと前記導波管形成用導体パターンとを接続する
第１の接続用導体と、 第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面に形
成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地
導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部の周
囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通する
第２の接続用導体と、前記第２の地導体パターン抜き部
に合わせて前記第２の誘電体基板に接続された導波管と
を備え、 前記第１の地導体パターンと、前記第２の地導体パター
ンを有する面に対向する前記第２の誘電体基板の面とが
向かいあうように、前記第１の誘電体基板と前記第２の
誘電体基板とが積層され、 前記ストリップ導体パターン、前記第１の地導体パター
ン及び前記第１の誘電体基板からマイクロストリップ線
路が構成され、 前記導波管短絡用導体パターン、前記第１の地導体パタ
ーン及び前記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成
され、 前記第１の地導体パターン、前記第２の地導体パターン
及び前記第２の接続用導体から誘電体導波管が構成され
ることを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変
換器。 - 【請求項３】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板の一面に形成された第１の地導体パターン抜き部を
有する第１の地導体パターンと、前記第１の地導体パタ
ーンを有する面に対向する前記第１の誘電体基板の面に
形成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ
導体パターンに連続して形成された導波管短絡用導体パ
ターンと、前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体
パターンと前記導波管短絡用導体パターンとを接続する
第１の接続用導体と、 第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の一面に形
成された第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地
導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部の周
囲に設けられた前記第２の誘電体基板を上下に貫通する
第２の接続用導体と、 第３の誘電体基板と、前記第３の誘電体基板の一面に形
成された第３の地導体パターン抜き部を有する第３の地
導体パターンと、前記第３の地導体パターン抜き部の周
囲に設けられた前記第３の誘電体基板を上下に貫通する
第３の接続用導体と、前記第３の地導体パターン抜き部
に合わせて前記第３の誘電体基板に接続された導波管と
を備え、 前記第１の地導体パターンと、前記第２の地導体パター
ンを有する面に対向する前記第２の誘電体基板の面が向
かいあうように、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘
電体基板とが積層され、 前記第２の地導体パターンと、前記第３の地導体パター
ンを有する面に対向する前記第３の誘電体基板の面が向
かいあうように、前記第２の誘電体基板と前記第３の誘
電体基板とが積層され、 前記ストリップ導体パターン、前記第１の地導体パター
ン及び前記第１の誘電体基板からマイクロストリップ線
路が構成され、 前記導波管短絡用導体パターン、前記第１の地導体パタ
ーン及び前記第１の接続用導体から導波管短絡部が構成
され、 前記第１の地導体パターン、前記第２の地導体パターン
及び前記第２の接続用導体から第１の誘電体導波管が構
成され、 前記第２の地導体パターン、前記第３の地導体パターン
及び前記第３の接続用導体から第２の誘電体導波管が構
成されることを特徴とする導波管／マイクロストリップ
線路変換器。 - 【請求項４】 前記第２の誘電体基板内で第２の接続用
導体に囲まれた領域と、前記第３の誘電体基板内で第３
の接続用導体に囲まれた領域の大きさが異なることを特
徴とする請求項３記載の導波管／マイクロストリップ線
路変換器。 - 【請求項５】 前記ストリップ導体パターンと前記導波
管短絡用導体パターンとの間にストリップ導体パターン
幅広部を挿入したことを特徴とする請求項１から請求項
４までのいずれかに記載の導波管／マイクロストリップ
線路変換器。 - 【請求項６】 前記導波管短絡用導体パターンに切り欠
き部を設けたことを特徴とする請求項１から請求項５ま
でのいずれかに記載の導波管／マイクロストリップ線路
変換器。 - 【請求項７】 前記地導体パターン抜き部は、多角形で
あり、前記ストリップ導体パターンと前記導波管短絡用
導体パターンとの境界線位置が、前記多角形の一辺に一
致するか、または前記多角形の内部にあることを特徴と
する請求項１から請求項６までのいずれかに記載の導波
管／マイクロストリップ線路変換器。 - 【請求項８】 前記接続用導体は、複数のヴィアから構
成されることを特徴とする請求項１から請求項７までの
いずれかに記載の導波管／マイクロストリップ線路変換
器。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2002068754A JP3828438B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 導波管／マイクロストリップ線路変換器 |
| US10/477,404 US7148765B2 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-12 | Waveguide/microstrip line converter with multi-layer waveguide shorting portion |
| PCT/JP2003/002927 WO2003077353A1 (fr) | 2002-03-13 | 2003-03-12 | Transformateur d'alimentation a guide d'onde/ligne microruban |
| EP03710321.5A EP1396902B1 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-12 | Waveguide/microstrip line converter |
| EP15154475.6A EP2905839B1 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-12 | Waveguide-to-microstrip transition |
| US11/300,332 US7205862B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-12-15 | Waveguide-to-microstrip transition with a multi-layer waveguide shorting portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068754A JP3828438B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 導波管／マイクロストリップ線路変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273612A true JP2003273612A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3828438B2 JP3828438B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=27800309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002068754A Expired - Lifetime JP3828438B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 導波管／マイクロストリップ線路変換器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7148765B2 (ja) |
| EP (2) | EP1396902B1 (ja) |
| JP (1) | JP3828438B2 (ja) |
| WO (1) | WO2003077353A1 (ja) |
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| CN113745787A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-03 | 格兰康希微电子系统(上海)有限公司 | 信号转换器和微带线-波导信号转换装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100714451B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-05-04 | 한국전자통신연구원 | 유전체 도파관 대 표준 도파관 천이구조 |
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