JP2003273571A - 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール - Google Patents
素子間干渉電波シールド型高周波モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール
に関し、ＭＣＭ型回路基板上に簡易封止して実装された
チップ間の電磁波干渉を抑える。 【解決手段】 配線２を設けた回路基板１上に搭載した
個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、１０
10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電
磁波吸収体層６で被覆する。
に関し、ＭＣＭ型回路基板上に簡易封止して実装された
チップ間の電磁波干渉を抑える。 【解決手段】 配線２を設けた回路基板１上に搭載した
個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、１０
10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電
磁波吸収体層６で被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は素子間干渉電波シー
ルド型高周波モジュールに関するものであり、特に、デ
バイス相互の電磁波干渉が問題となってくる２０ＧＨｚ
以上のマイクロ波、ミリ波帯域高周波無線機器等に実装
する複数の能動素子を搭載した回路基板上における素子
間の電磁波干渉を抑えるシールド構造に特徴のある素子
間干渉電波シールド型高周波モジュールに関するもので
ある。
ルド型高周波モジュールに関するものであり、特に、デ
バイス相互の電磁波干渉が問題となってくる２０ＧＨｚ
以上のマイクロ波、ミリ波帯域高周波無線機器等に実装
する複数の能動素子を搭載した回路基板上における素子
間の電磁波干渉を抑えるシールド構造に特徴のある素子
間干渉電波シールド型高周波モジュールに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話、無線ＬＡＮ、或いは、
自動車レーダなどが広く普及しているが、この様な高周
波無線機器にはＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波Ｉ
Ｃ）等の高周波電子デバイスを高密度に実装するＭＣＭ
（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）型高周波回路
基板が搭載されている。
自動車レーダなどが広く普及しているが、この様な高周
波無線機器にはＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波Ｉ
Ｃ）等の高周波電子デバイスを高密度に実装するＭＣＭ
（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）型高周波回路
基板が搭載されている。
【０００３】従来、この様な高周波ＭＭＩＣの実装とし
ては、ＭＭＩＣをセラミック基板上にワイヤボンドある
いはフリップチップにより接続し、その上にセラミック
キャップを被せ、気密封止構造にし、キャップ内側に金
属箔や電波吸収体シートを貼り付けることで、干渉電波
をシールドする性質を併せ持ったシングルチップパッケ
ージが一般的であるので、ここで、図４を参照して従来
のシングルチップパッケージを説明する。
ては、ＭＭＩＣをセラミック基板上にワイヤボンドある
いはフリップチップにより接続し、その上にセラミック
キャップを被せ、気密封止構造にし、キャップ内側に金
属箔や電波吸収体シートを貼り付けることで、干渉電波
をシールドする性質を併せ持ったシングルチップパッケ
ージが一般的であるので、ここで、図４を参照して従来
のシングルチップパッケージを説明する。
【０００４】図４参照
図４は、従来のシングルチップパッケージの概略的断面
図であり、表面配線４３及び裏面配線層４４を設けると
ともに、両者をビア４２によって導通させたセラミック
基板４１上に、ＭＭＩＣチップ３１に設けたバンプ電極
３２によってフリップチップボンディングしたのち、内
側に電磁波シールド膜４６を設けたセラミックキャップ
４５を用いて気密封止したものである。
図であり、表面配線４３及び裏面配線層４４を設けると
ともに、両者をビア４２によって導通させたセラミック
基板４１上に、ＭＭＩＣチップ３１に設けたバンプ電極
３２によってフリップチップボンディングしたのち、内
側に電磁波シールド膜４６を設けたセラミックキャップ
４５を用いて気密封止したものである。
【０００５】このシングルチップパッケージをコプレー
ナ線路を形成したアルミナ基板上に固定し、各シングル
チップパッケージ間をリボン等で相互接続することによ
って高周波モジュールを構成していた。
ナ線路を形成したアルミナ基板上に固定し、各シングル
チップパッケージ間をリボン等で相互接続することによ
って高周波モジュールを構成していた。
【０００６】このような構造のシングルチップパッケー
ジを使用した高周波モジュールはコストがかなり高いた
め、最近では低コストな簡易封止型ＭＣＭ、即ち、樹脂
封止型ＭＣＭによるモジュール化が求められている。
ジを使用した高周波モジュールはコストがかなり高いた
め、最近では低コストな簡易封止型ＭＣＭ、即ち、樹脂
封止型ＭＣＭによるモジュール化が求められている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、樹脂封止型Ｍ
ＣＭにおいては、樹脂封止されたＭＭＩＣチップのシー
ルド対策、即ち、電磁波干渉（ＥＭＩ：Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）対策が
必要になる。
ＣＭにおいては、樹脂封止されたＭＭＩＣチップのシー
ルド対策、即ち、電磁波干渉（ＥＭＩ：Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）対策が
必要になる。
【０００８】したがって、本発明は、ＭＣＭ型回路基板
上に簡易封止して実装されたチップ間の電磁波干渉を抑
えることを目的とする。
上に簡易封止して実装されたチップ間の電磁波干渉を抑
えることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理的
構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明に
おける課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明は、複数の能動素
子チップ３を配線２を設けた回路基板１上に搭載した高
周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップ３を被
覆樹脂層５を介して、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中
に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６で被覆したこ
とを特徴とする。
構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明に
おける課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明は、複数の能動素
子チップ３を配線２を設けた回路基板１上に搭載した高
周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップ３を被
覆樹脂層５を介して、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中
に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６で被覆したこ
とを特徴とする。
【００１０】この様に、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂
中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６を用いるこ
とによって、基板上の配線２に電磁波吸収体層６が接触
しても、隣の配線２とショートしない絶縁性と電磁波吸
収性能を両立させることができ、この様な電磁波シール
ド構造によって、これまで適用が困難であった高周波デ
バイスの簡易封止型ＭＣＭ実装が可能になる。なお、本
発明における「能動素子チップ」とは、チップに能動素
子を含んだ半導体チップを意味するものであり、その他
にどの様な素子が含まれていても構わないものである。
中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６を用いるこ
とによって、基板上の配線２に電磁波吸収体層６が接触
しても、隣の配線２とショートしない絶縁性と電磁波吸
収性能を両立させることができ、この様な電磁波シール
ド構造によって、これまで適用が困難であった高周波デ
バイスの簡易封止型ＭＣＭ実装が可能になる。なお、本
発明における「能動素子チップ」とは、チップに能動素
子を含んだ半導体チップを意味するものであり、その他
にどの様な素子が含まれていても構わないものである。
【００１１】この場合、金属粒子は、直径が１０〜３０
μｍの金属粒子が望ましく、特に、ミリ波帯電波に吸収
域のあるＮｉ或いはＡｇのいずれかからなる金属粒子が
望ましく、この金属粒子に樹脂コート層を設けてマイク
ロカプセル化することによって、基板上の配線２と電磁
波吸収体層６との短絡防止を確実に行うことができる。
なお、この様な電磁波吸収体層６は、スプレー塗布膜と
することによって、簡単に被覆形成することができる。
μｍの金属粒子が望ましく、特に、ミリ波帯電波に吸収
域のあるＮｉ或いはＡｇのいずれかからなる金属粒子が
望ましく、この金属粒子に樹脂コート層を設けてマイク
ロカプセル化することによって、基板上の配線２と電磁
波吸収体層６との短絡防止を確実に行うことができる。
なお、この様な電磁波吸収体層６は、スプレー塗布膜と
することによって、簡単に被覆形成することができる。
【００１２】また、本発明は、１０10Ωｃｍ以上の絶縁
性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６の代
わりに、金属フィルムを樹脂フィルムで挟んだ積層フィ
ルムを用いても良いものであり、例えば、熱可塑性の接
着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造フィルム、特
に、金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍの積層構造フ
ィルムを用いることが望ましい。
性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６の代
わりに、金属フィルムを樹脂フィルムで挟んだ積層フィ
ルムを用いても良いものであり、例えば、熱可塑性の接
着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造フィルム、特
に、金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍの積層構造フ
ィルムを用いることが望ましい。
【００１３】この様な積層フィルムを用いることによっ
て、真空ラッピングと熱圧着からなるラミネート工程に
よって、電磁波シールド構造を構成することができ、ま
た、金属箔の膜厚を使用する高周波の波長λのλ／４ｎ
（ｎは熱可塑性の接着樹脂の屈折率）の近傍の１００〜
２００μｍとすることによって、電磁波シールド効果を
高めることができる。
て、真空ラッピングと熱圧着からなるラミネート工程に
よって、電磁波シールド構造を構成することができ、ま
た、金属箔の膜厚を使用する高周波の波長λのλ／４ｎ
（ｎは熱可塑性の接着樹脂の屈折率）の近傍の１００〜
２００μｍとすることによって、電磁波シールド効果を
高めることができる。
【００１４】また、この場合、積層フィルムは、隣接す
る能動素子チップ３間で分断することによって、隣接す
る能動素子チップ３間の配線２は積層フィルムを構成す
る熱可塑性の接着樹脂で被覆されることがなく、それに
よってインピーダンス特性が設計値とずれることがない
ので、回路基板１上を伝送する高周波信号の伝送特性を
劣化させることがなくなる。
る能動素子チップ３間で分断することによって、隣接す
る能動素子チップ３間の配線２は積層フィルムを構成す
る熱可塑性の接着樹脂で被覆されることがなく、それに
よってインピーダンス特性が設計値とずれることがない
ので、回路基板１上を伝送する高周波信号の伝送特性を
劣化させることがなくなる。
【００１５】上述の各電磁波シールド構造は、２０ＧＨ
ｚ以上のマイクロ波、ミリ波帯高周波デバイスに対して
特に有効であり、この様な素子間干渉電波シールド型高
周波モジュールを搭載することによって、高周波無線機
器等の電子装置の信頼性が向上する。
ｚ以上のマイクロ波、ミリ波帯高周波デバイスに対して
特に有効であり、この様な素子間干渉電波シールド型高
周波モジュールを搭載することによって、高周波無線機
器等の電子装置の信頼性が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の高周波モジュールの製造工程を説
明するが、各図はそれぞれ概略的要部断面図である。 図２（ａ）参照 まず、コプレーナ線路１２をパターニングした、例え
ば、１０ｍｍ角で、厚さが０．４ｍｍのアルミナ基板１
１上に、７６ＧＨｚ２段アンプ構成の１．５×３ｍｍの
２個のＭＭＩＣチップ１３をＭＭＩＣチップ１３に設け
たバンプ電極１４を用いて、１ｍｍの間隔をあけてフリ
ップチップボンディングする。
の第１の実施の形態の高周波モジュールの製造工程を説
明するが、各図はそれぞれ概略的要部断面図である。 図２（ａ）参照 まず、コプレーナ線路１２をパターニングした、例え
ば、１０ｍｍ角で、厚さが０．４ｍｍのアルミナ基板１
１上に、７６ＧＨｚ２段アンプ構成の１．５×３ｍｍの
２個のＭＭＩＣチップ１３をＭＭＩＣチップ１３に設け
たバンプ電極１４を用いて、１ｍｍの間隔をあけてフリ
ップチップボンディングする。
【００１７】図２（ｂ）参照
次いで、お互いの樹脂が接触しないよう仕切りを置い
て、各ＭＭＩＣチップ１３の下部近傍にエポキシ樹脂を
注入し、例えば、９０〜１００℃に加熱して流動性を高
めることによって、ＭＭＩＣチップ１３の下部を埋め込
むエポキシ樹脂アンダーフィル層１５を形成する。
て、各ＭＭＩＣチップ１３の下部近傍にエポキシ樹脂を
注入し、例えば、９０〜１００℃に加熱して流動性を高
めることによって、ＭＭＩＣチップ１３の下部を埋め込
むエポキシ樹脂アンダーフィル層１５を形成する。
【００１８】図２（ｃ）参照
次いで、お互いの樹脂が接触しないよう仕切りを置いた
ままの状態で、エポキシ樹脂をポッティングすることに
よって、ＭＭＩＣチップ１３を覆うエポキシ樹脂ポッテ
ィング層１６を形成する。
ままの状態で、エポキシ樹脂をポッティングすることに
よって、ＭＭＩＣチップ１３を覆うエポキシ樹脂ポッテ
ィング層１６を形成する。
【００１９】図２（ｄ）参照
次いで、マイクロカプセル型Ｎｉ微粒子を１０10Ω・ｃ
ｍ以上の絶縁抵抗を有する合成樹脂中に分散させた電磁
波吸収塗料を約２００μｍの厚さになるように、スプレ
ー塗布して電磁波吸収層１７を形成する。
ｍ以上の絶縁抵抗を有する合成樹脂中に分散させた電磁
波吸収塗料を約２００μｍの厚さになるように、スプレ
ー塗布して電磁波吸収層１７を形成する。
【００２０】この場合の電磁波吸収層１７を構成する合
成樹脂母材は、エポキシ樹脂であり、また、マイクロカ
プセル型Ｎｉ微粒子は、粒径が１０〜３０μｍのＮｉ粒
子を厚さが０．１〜１μｍの変成ポリエステル樹脂でコ
ートして絶縁化したものを用いる。なお、金属粒子含有
樹脂における金属粒子の含有量は、例えば、４０重量％
であり、残りの６０重量％が母材樹脂である。
成樹脂母材は、エポキシ樹脂であり、また、マイクロカ
プセル型Ｎｉ微粒子は、粒径が１０〜３０μｍのＮｉ粒
子を厚さが０．１〜１μｍの変成ポリエステル樹脂でコ
ートして絶縁化したものを用いる。なお、金属粒子含有
樹脂における金属粒子の含有量は、例えば、４０重量％
であり、残りの６０重量％が母材樹脂である。
【００２１】この様にして製造した高周波モジュールに
おけるアイソレーション特性Ｓ12をネットワークアナラ
イザによって測定すると同時に、フリップチップボンデ
ィングしただけ（アンダーフィル、ポッティング、電磁
波吸収塗料なし）の比較サンプルのアイソレーション特
性も測定し、両者を比較した。
おけるアイソレーション特性Ｓ12をネットワークアナラ
イザによって測定すると同時に、フリップチップボンデ
ィングしただけ（アンダーフィル、ポッティング、電磁
波吸収塗料なし）の比較サンプルのアイソレーション特
性も測定し、両者を比較した。
【００２２】その結果、フリップチップボンディングし
ただけの比較サンプルのアイソレーション特性が−２０
ｄＢであったのに対し、本発明の第１の実施の形態の高
周波モジュールのアイソレーション特性は−４５ｄＢで
あり、十分な電磁シールド効果が認められた。
ただけの比較サンプルのアイソレーション特性が−２０
ｄＢであったのに対し、本発明の第１の実施の形態の高
周波モジュールのアイソレーション特性は−４５ｄＢで
あり、十分な電磁シールド効果が認められた。
【００２３】この様に、本発明はマイクロカプセル型Ｎ
ｉ粒子を分散させた樹脂を用いて電磁波シールド構造を
構成しているので、簡単な構成で樹脂封止した２０ＧＨ
ｚ以上の高周波デバイスに対して、優れた電磁波シール
ド特性と絶縁特性を両立することができる。
ｉ粒子を分散させた樹脂を用いて電磁波シールド構造を
構成しているので、簡単な構成で樹脂封止した２０ＧＨ
ｚ以上の高周波デバイスに対して、優れた電磁波シール
ド特性と絶縁特性を両立することができる。
【００２４】即ち、Ｎｉ粒子はミリ波帯電波に吸収域が
あるので、２０ＧＨｚ以上の高周波を効果的にシールド
することができ、また、導電性を有するＮｉ粒子を樹脂
コートすることによって絶縁化しているので、このＮｉ
粒子を含んだ樹脂層がコプレーナ線路１２に接しても、
グランド配線との間で短絡を起こすことがない。
あるので、２０ＧＨｚ以上の高周波を効果的にシールド
することができ、また、導電性を有するＮｉ粒子を樹脂
コートすることによって絶縁化しているので、このＮｉ
粒子を含んだ樹脂層がコプレーナ線路１２に接しても、
グランド配線との間で短絡を起こすことがない。
【００２５】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態の高周波モジュールの製工程を説明するが、こ
の場合も各図は概略的要部断面図である。 図３（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態の図２（ａ）及び（ｂ）
と全く同様にして、フリップチップボンディングすると
ともに、エポキシ樹脂アンダーフィル層１５を設けたＭ
ＭＩＣチップ１３対して積層フィルム２０を被せる。
施の形態の高周波モジュールの製工程を説明するが、こ
の場合も各図は概略的要部断面図である。 図３（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態の図２（ａ）及び（ｂ）
と全く同様にして、フリップチップボンディングすると
ともに、エポキシ樹脂アンダーフィル層１５を設けたＭ
ＭＩＣチップ１３対して積層フィルム２０を被せる。
【００２６】この場合の積層フィルム２０は、厚さが５
０〜１００μｍ、例えば、５０μｍの熱可塑性エポキシ
樹脂シート２１、厚さが１００〜２００μｍ、例えば、
１００μｍの銅箔２２、及び、厚さが５０〜１００μ
ｍ、例えば、１００μｍのポリイミド樹脂シート２３を
順次積層させた３層構造フィルムからなる。
０〜１００μｍ、例えば、５０μｍの熱可塑性エポキシ
樹脂シート２１、厚さが１００〜２００μｍ、例えば、
１００μｍの銅箔２２、及び、厚さが５０〜１００μ
ｍ、例えば、１００μｍのポリイミド樹脂シート２３を
順次積層させた３層構造フィルムからなる。
【００２７】図３（ｂ）参照
次いで、真空ラッピングして積層フィルム２０をＭＭＩ
Ｃチップ１３及びアルミナ基板１１に密着させた状態
で、例えば、１２０℃に加熱しながら圧着することによ
って、熱可塑性エポキシ樹脂シート２１とＭＭＩＣチッ
プ１３及びアルミナ基板１１とを接着させる。
Ｃチップ１３及びアルミナ基板１１に密着させた状態
で、例えば、１２０℃に加熱しながら圧着することによ
って、熱可塑性エポキシ樹脂シート２１とＭＭＩＣチッ
プ１３及びアルミナ基板１１とを接着させる。
【００２８】図３（ｃ）参照
次いで、隣接するＭＭＩＣチップ１３の間の積層フィル
ム２０を剥がすことによって、高周波モジュールの基本
構成は完成する。なお、隣接するＭＭＩＣチップ１３の
間のコプレーナ線路１２の上に積層フィルム２０が残存
すると、本来、空気に対して設計しているコプレーナ線
路１２のインピーダンスが、積層フィルム１３を構成す
る熱可塑性エポキシ樹脂シート２１の誘電率で伝送特性
が影響を受け信号特性が劣化することになる。
ム２０を剥がすことによって、高周波モジュールの基本
構成は完成する。なお、隣接するＭＭＩＣチップ１３の
間のコプレーナ線路１２の上に積層フィルム２０が残存
すると、本来、空気に対して設計しているコプレーナ線
路１２のインピーダンスが、積層フィルム１３を構成す
る熱可塑性エポキシ樹脂シート２１の誘電率で伝送特性
が影響を受け信号特性が劣化することになる。
【００２９】この様にして製造した高周波モジュールに
おけるアイソレーション特性Ｓ12をネットワークアナラ
イザによって測定すると、アイソレーション特性は−４
０ｄＢであり、上述のアイソレーション特性が−２０ｄ
Ｂのフリップチップボンディングしただけの比較サンプ
ルと比べて十分な電磁シールド効果が認められた。
おけるアイソレーション特性Ｓ12をネットワークアナラ
イザによって測定すると、アイソレーション特性は−４
０ｄＢであり、上述のアイソレーション特性が−２０ｄ
Ｂのフリップチップボンディングしただけの比較サンプ
ルと比べて十分な電磁シールド効果が認められた。
【００３０】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、予め形成した積層フィルムをラッピングするだ
けであるので、製造工程が非常に緩和される。なお、こ
の場合の積層フィルムを構成する銅箔の膜厚は、使用す
る高周波の波長の１／４近傍の厚さであることが望まし
い。一方、銅箔を挟む樹脂シートの膜厚はあまり厚すぎ
ても意味がないので５０〜１００μｍ程度が適当であ
る。
いては、予め形成した積層フィルムをラッピングするだ
けであるので、製造工程が非常に緩和される。なお、こ
の場合の積層フィルムを構成する銅箔の膜厚は、使用す
る高周波の波長の１／４近傍の厚さであることが望まし
い。一方、銅箔を挟む樹脂シートの膜厚はあまり厚すぎ
ても意味がないので５０〜１００μｍ程度が適当であ
る。
【００３１】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
各実施の形態の説明においては、実装する能動素子チッ
プを７６ＧＨｚのＭＭＩＣとしているが、周波数は任意
であり、２０ＧＨｚ以上の高周波に対して本発明の構成
は特に有効であるが、２０ＧＨｚ以下のデバイスに適用
することを妨げるものではない。
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
各実施の形態の説明においては、実装する能動素子チッ
プを７６ＧＨｚのＭＭＩＣとしているが、周波数は任意
であり、２０ＧＨｚ以上の高周波に対して本発明の構成
は特に有効であるが、２０ＧＨｚ以下のデバイスに適用
することを妨げるものではない。
【００３２】また、上記の第１の実施の形態において
は、電磁波吸収体層に分散する金属粒子をＮｉ粒子とし
ているが、Ｎｉ粒子に限られるものではなく、Ｎｉ粒子
と同様にミリ波帯電波に吸収領域を有するＡｇ粒子を用
いても良いものである。
は、電磁波吸収体層に分散する金属粒子をＮｉ粒子とし
ているが、Ｎｉ粒子に限られるものではなく、Ｎｉ粒子
と同様にミリ波帯電波に吸収領域を有するＡｇ粒子を用
いても良いものである。
【００３３】さらには、シールド対象となる高周波の波
長に応じて、その波長域に吸収域を有する金属材料から
なる粒子を分散させても良いものである。
長に応じて、その波長域に吸収域を有する金属材料から
なる粒子を分散させても良いものである。
【００３４】また、上記の第２の実施の形態において
は、積層フィルムの中間層を銅箔で構成しているが、銅
箔に限られるものではなく、銅と同様に導電性に優れる
Ａｌ箔、金箔、或いは、銀箔等を用いても良いものであ
る。
は、積層フィルムの中間層を銅箔で構成しているが、銅
箔に限られるものではなく、銅と同様に導電性に優れる
Ａｌ箔、金箔、或いは、銀箔等を用いても良いものであ
る。
【００３５】また、上記の各実施の形態においては言及
していないが、アンダーフィル層及びポッティング層を
構成するエポキシ樹脂中にシリカフィラーを混合して、
熱膨張系数等を調整しても良いものである。
していないが、アンダーフィル層及びポッティング層を
構成するエポキシ樹脂中にシリカフィラーを混合して、
熱膨張系数等を調整しても良いものである。
【００３６】ここで、再び図１を参照して、改めて本発
明の詳細な特徴を説明する。 再び、図１参照 （付記１） 複数の能動素子チップ３を配線２が設けら
れた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおい
て、個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、
１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させ
た電磁波吸収体層６で被覆したことを特徴とする素子間
干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記２） 上記金属粒子の直径が、１０〜３０μｍで
あることを特徴とする付記１記載の素子間干渉電波シー
ルド型高周波モジュール。 （付記３） 上記金属粒子が、Ｎｉ或いはＡｇのいずれ
かからなり、且つ、その表面に樹脂コート層が設けられ
たマイクロカプセル型金属粒子であることを特徴とする
付記１または２に記載の素子間干渉電波シールド型高周
波モジュール。 （付記４） 上記電磁波吸収体層６が、スプレー塗布膜
であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記
載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記５） 複数の能動素子チップ３を配線２が設けら
れた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおい
て、個々の能動素子チップ３を金属フィルムを樹脂フィ
ルムで挟んだ積層フィルムによって別個に被覆すること
を特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュー
ル。 （付記６） 上記積層フィルムは、上記能動素子チップ
３側から、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の
積層構造からなることを特徴とする付記５記載の素子間
干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記７） 上記金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍ
であることを特徴とした付記６記載の素子間干渉電波シ
ールド型高周波モジュール。 （付記８） 上記能動素子チップ３と回路基板１との間
に下部樹脂層４が設けられていることを特徴とする付記
１乃至７のいずれか１に記載の素子間干渉電波シールド
型高周波モジュール。 （付記９） 上記能動素子チップ３が、少なくとも２０
ＧＨｚ以上の高周波で動作する高周波素子を含んでいる
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載の素
子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
明の詳細な特徴を説明する。 再び、図１参照 （付記１） 複数の能動素子チップ３を配線２が設けら
れた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおい
て、個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、
１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させ
た電磁波吸収体層６で被覆したことを特徴とする素子間
干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記２） 上記金属粒子の直径が、１０〜３０μｍで
あることを特徴とする付記１記載の素子間干渉電波シー
ルド型高周波モジュール。 （付記３） 上記金属粒子が、Ｎｉ或いはＡｇのいずれ
かからなり、且つ、その表面に樹脂コート層が設けられ
たマイクロカプセル型金属粒子であることを特徴とする
付記１または２に記載の素子間干渉電波シールド型高周
波モジュール。 （付記４） 上記電磁波吸収体層６が、スプレー塗布膜
であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記
載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記５） 複数の能動素子チップ３を配線２が設けら
れた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおい
て、個々の能動素子チップ３を金属フィルムを樹脂フィ
ルムで挟んだ積層フィルムによって別個に被覆すること
を特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュー
ル。 （付記６） 上記積層フィルムは、上記能動素子チップ
３側から、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の
積層構造からなることを特徴とする付記５記載の素子間
干渉電波シールド型高周波モジュール。 （付記７） 上記金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍ
であることを特徴とした付記６記載の素子間干渉電波シ
ールド型高周波モジュール。 （付記８） 上記能動素子チップ３と回路基板１との間
に下部樹脂層４が設けられていることを特徴とする付記
１乃至７のいずれか１に記載の素子間干渉電波シールド
型高周波モジュール。 （付記９） 上記能動素子チップ３が、少なくとも２０
ＧＨｚ以上の高周波で動作する高周波素子を含んでいる
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載の素
子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロカプセル型金
属粒子を含んだ樹脂層、或いは、金属箔を挟んだ積層フ
ィルムによって電磁シールド構造を形成しているので、
高周波デバイスの簡易封止型ＭＣＭにおけるチップ間干
渉ノイズのシールドが可能になり、それによって、高周
波無線機器等に用いられる低コストな実装基板の実現に
寄与するところが大きい。
属粒子を含んだ樹脂層、或いは、金属箔を挟んだ積層フ
ィルムによって電磁シールド構造を形成しているので、
高周波デバイスの簡易封止型ＭＣＭにおけるチップ間干
渉ノイズのシールドが可能になり、それによって、高周
波無線機器等に用いられる低コストな実装基板の実現に
寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の高周波モジュール
の製造工程の説明図である。
の製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の高周波モジュール
の製造工程の説明図である。
の製造工程の説明図である。
【図４】従来のシングルチップパッケージの概略的断面
図である。
図である。
１ 回路基板
２ 配線
３ 能動素子チップ
４ 下部樹脂層
５ 被覆樹脂層
６ 電磁波吸収体層
１１ アルミナ基板
１２ コプレーナ線路
１３ ＭＭＩＣチップ
１４ バンプ電極
１５ エポキシ樹脂アンダーフィル層
１６ エポキシ樹脂ポッティング層
１７ 電磁波吸収層
２０ 積層フィルム
２１ 熱可塑性エポキシ樹脂シート
２２ 銅箔
２３ ポリイミド樹脂シート
３１ ＭＭＩＣチップ
３２ バンプ電極
４１ セラミック基板
４２ ビア
４３ 表面配線層
４４ 裏面配線層
４５ セラミックキャップ
４６ 電磁波シールド膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA03 CA04 CA10 EE07
5E321 AA22 BB25 BB32 BB44 CC16
GG05 GH10
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の能動素子チップを配線を設けた回
路基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の
能動素子チップを被覆樹脂層を介して、１０ 10Ωｃｍ以
上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体
層で被覆したことを特徴とする素子間干渉電波シールド
型高周波モジュール。 - 【請求項２】 上記金属粒子が、Ｎｉ或いはＡｇのいず
れかからなり、且つ、その表面に樹脂コート層が設けら
れたマイクロカプセル型金属粒子であることを特徴とす
る請求項１記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジ
ュール。 - 【請求項３】 複数の能動素子チップを配線を設けた回
路基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の
能動素子チップを金属フィルムを樹脂フィルムで挟んだ
積層フィルムによって別個に被覆することを特徴とする
素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。 - 【請求項４】 上記積層フィルムは、上記能動素子チッ
プ側から、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の
積層構造からなることを特徴とする請求項３記載の素子
間干渉電波シールド型高周波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074253A JP2003273571A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074253A JP2003273571A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273571A true JP2003273571A (ja) | 2003-09-26 |
| JP2003273571A5 JP2003273571A5 (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=29203700
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002074253A Pending JP2003273571A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003273571A (ja) |
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351737A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| EP1684341A3 (de) * | 2005-01-21 | 2007-01-10 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung |
| JP2009508339A (ja) * | 2005-09-15 | 2009-02-26 | スマートラック アイピー ビー．ヴィー． | チップモジュール及びその形成方法 |
| JP2010177520A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 電子回路モジュールおよびその製造方法 |
| CN102074516A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体元件封装及其制作方法 |
| US7989928B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8022511B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-09-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8110902B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-02-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| US8212339B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8212340B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| JP2012248848A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子、半導体パッケージ、及び電子装置 |
| US8350367B2 (en) | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8368185B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8378466B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-19 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8410584B2 (en) | 2008-08-08 | 2013-04-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8592958B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-11-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| US8653634B2 (en) | 2012-06-11 | 2014-02-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | EMI-shielded semiconductor devices and methods of making |
| WO2014027673A1 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | 住友ベークライト株式会社 | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| US8704341B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-04-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding |
| JP2014516212A (ja) * | 2011-06-09 | 2014-07-07 | アップル インコーポレイテッド | 基板上の構成部品を遮蔽するための電磁遮蔽構造 |
| US8884424B2 (en) | 2010-01-13 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| JP2014236100A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置、及び電子装置 |
| US9070793B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-06-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages having electromagnetic interference shielding and related methods |
| JP2016092275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置 |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
| US9627327B2 (en) | 2014-10-06 | 2017-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
| WO2018008657A1 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板 |
| US9929078B2 (en) | 2016-01-14 | 2018-03-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same |
| US10373917B2 (en) | 2017-12-05 | 2019-08-06 | Tdk Corporation | Electronic circuit package using conductive sealing material |
| CN111799230A (zh) * | 2019-04-01 | 2020-10-20 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件 |
| CN114171501A (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-11 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 一种射频半导体器件结构及其制造方法 |
| JP2024000949A (ja) * | 2022-06-17 | 2024-01-09 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 導電性シート、電子部品及びその製造方法 |
| WO2024053138A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Ｔｏｗａ株式会社 | シート材の位置決め装置、位置決め方法、及び電子部品に対するシールド層の形成方法 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54142001A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-05 | Tdk Corp | Forming metod of microwave reflection preventing layer |
| JPS60241237A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JPH0242499U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | ||
| JPH054592U (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-22 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造 |
| JPH09107191A (ja) * | 1995-05-12 | 1997-04-22 | Schlegel Corp | シールド体及び、シールド体とシールドされた回路素子の組み合わせ物 |
| JPH09116289A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Tokin Corp | ノイズ抑制型電子装置およびその製造方法 |
| JPH1064714A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Tokin Corp | Ｅｍｉ対策部品及びそれを備えた能動素子 |
| JPH1140709A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Nec Eng Ltd | 半導体実装構造およびその製造方法 |
| WO1999043084A1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Epcos Ag | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements, insbesondere eines mit akustischen oberflächenwellen arbeitenden ofw-bauelements |
| JP2000223884A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Daido Steel Co Ltd | 電磁波吸収体 |
| WO2000059036A1 (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method of mounting |
| JP2001057496A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Tokin Corp | 電磁干渉抑制体 |
| JP2001068888A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Sony Corp | 電磁波吸収体 |
| JP2001297905A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Tokin Corp | 高周波電流抑制体 |
-
2002
- 2002-03-18 JP JP2002074253A patent/JP2003273571A/ja active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54142001A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-05 | Tdk Corp | Forming metod of microwave reflection preventing layer |
| JPS60241237A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JPH0242499U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | ||
| JPH054592U (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-22 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造 |
| JPH09107191A (ja) * | 1995-05-12 | 1997-04-22 | Schlegel Corp | シールド体及び、シールド体とシールドされた回路素子の組み合わせ物 |
| JPH09116289A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Tokin Corp | ノイズ抑制型電子装置およびその製造方法 |
| JPH1064714A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Tokin Corp | Ｅｍｉ対策部品及びそれを備えた能動素子 |
| JPH1140709A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Nec Eng Ltd | 半導体実装構造およびその製造方法 |
| WO1999043084A1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Epcos Ag | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements, insbesondere eines mit akustischen oberflächenwellen arbeitenden ofw-bauelements |
| JP2000223884A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Daido Steel Co Ltd | 電磁波吸収体 |
| WO2000059036A1 (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method of mounting |
| JP2001057496A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Tokin Corp | 電磁干渉抑制体 |
| JP2001068888A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Sony Corp | 電磁波吸収体 |
| JP2001297905A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Tokin Corp | 高周波電流抑制体 |
Cited By (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1684341A3 (de) * | 2005-01-21 | 2007-01-10 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung |
| JP2006351737A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| JP2009508339A (ja) * | 2005-09-15 | 2009-02-26 | スマートラック アイピー ビー．ヴィー． | チップモジュール及びその形成方法 |
| US8212339B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8350367B2 (en) | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US7989928B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8022511B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-09-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8410584B2 (en) | 2008-08-08 | 2013-04-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8592958B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-11-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| JP2010177520A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 電子回路モジュールおよびその製造方法 |
| US8110902B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-02-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| US8212340B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
| US8378466B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-19 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8368185B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| CN102074516A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体元件封装及其制作方法 |
| US8030750B2 (en) | 2009-11-19 | 2011-10-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
| US8884424B2 (en) | 2010-01-13 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9196597B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9070793B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-06-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages having electromagnetic interference shielding and related methods |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
| JP2012248848A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子、半導体パッケージ、及び電子装置 |
| US9496226B2 (en) | 2011-05-30 | 2016-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device |
| US9179538B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-11-03 | Apple Inc. | Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate |
| JP2014516212A (ja) * | 2011-06-09 | 2014-07-07 | アップル インコーポレイテッド | 基板上の構成部品を遮蔽するための電磁遮蔽構造 |
| US8704341B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-04-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding |
| US8653634B2 (en) | 2012-06-11 | 2014-02-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | EMI-shielded semiconductor devices and methods of making |
| CN104584708A (zh) * | 2012-08-16 | 2015-04-29 | 住友电木株式会社 | 电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 |
| TWI675617B (zh) * | 2012-08-16 | 2019-10-21 | 日商住友電木股份有限公司 | 電磁波遮蔽用膜片及電子零件之被覆方法 |
| JP2014057042A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| WO2014027672A1 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | 住友ベークライト株式会社 | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| JP2014057043A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| WO2014027673A1 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | 住友ベークライト株式会社 | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| JP2014057041A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| JP2014057040A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 |
| JP2014236100A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置、及び電子装置 |
| US9627327B2 (en) | 2014-10-06 | 2017-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
| JP2016092275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置 |
| US9865518B2 (en) | 2014-11-07 | 2018-01-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus |
| US9929078B2 (en) | 2016-01-14 | 2018-03-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same |
| WO2018008657A1 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板 |
| JPWO2018008657A1 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-07-05 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板 |
| US10373917B2 (en) | 2017-12-05 | 2019-08-06 | Tdk Corporation | Electronic circuit package using conductive sealing material |
| CN111799230A (zh) * | 2019-04-01 | 2020-10-20 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件 |
| CN114171501A (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-11 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 一种射频半导体器件结构及其制造方法 |
| JP2024000949A (ja) * | 2022-06-17 | 2024-01-09 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 導電性シート、電子部品及びその製造方法 |
| WO2024053138A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Ｔｏｗａ株式会社 | シート材の位置決め装置、位置決め方法、及び電子部品に対するシールド層の形成方法 |
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