JP2003270627A - Transflective liquid crystal device and electronic device using the same - Google Patents
Transflective liquid crystal device and electronic device using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半透過・反射型液
晶装置に関するものである。さらに詳しくは、1画素内
で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を
適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semi-transmissive / reflective liquid crystal device. More specifically, the present invention relates to a multi-gap type liquid crystal device in which the thickness of the liquid crystal layer is changed to an appropriate value between the transmissive display area and the reflective display area within one pixel.
【0002】[0002]
【従来の技術】各種の液晶装置のうち、透過モードおよ
び反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過・
反射型液晶装置と称せられ、あらゆるシーンで使用され
ている。2. Description of the Related Art Among various liquid crystal devices, those capable of displaying an image in both transmissive mode and reflective mode are semi-transmissive.
It is called a reflective liquid crystal device and is used in every scene.
【0003】この半透過・反射型液晶装置では、図21
(A)、(B)、(C)に示すように、表面に第1の透
明電極11が形成された透明な第1の基板10と、第1
の電極11と対向する面側に第2の透明電極21が形成
された透明な第2の基板20と、第1の基板10と第2
の基板20との間に保持されたTN(ツイステッドネマ
ティック)モードの液晶層5とを有している。また、第
1の基板10には、第1の透明電極11と第2の透明電
極21とが対向する画素領域3に反射表示領域31を構
成する光反射層4が形成され、この光反射層4の形成さ
れていない残りの領域は、透過表示領域32になってい
る。第1の基板10および第2の基板20の各々の外側
の面には偏光板41、42が配置され、偏光板41の側
にはバックライト装置7が対向配置されている。In this semi-transmissive / reflective liquid crystal device, FIG.
As shown in (A), (B), and (C), a transparent first substrate 10 having a first transparent electrode 11 formed on the surface thereof, and a first
Transparent second substrate 20 having a second transparent electrode 21 formed on the side facing the electrode 11 of the first substrate 10, the second substrate 20, and the second substrate 20.
And a liquid crystal layer 5 of TN (twisted nematic) mode held between the substrate 20 and the substrate 20. Further, on the first substrate 10, a light reflection layer 4 constituting a reflection display area 31 is formed in the pixel area 3 where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other. The remaining area where 4 is not formed is a transmissive display area 32. Polarizing plates 41 and 42 are arranged on the outer surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively, and the backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41.
【0004】このような構成の液晶装置1では、バック
ライト装置7から出射された光のうち、透過表示領域3
2に入射した光は、矢印L1で示すように、第1の基板
10の側から液晶層5に入射し、液晶層5で光変調され
た後、第2の基板20の側から透過表示光として出射さ
れて画像を表示する(透過モード)。In the liquid crystal device 1 having such a structure, of the light emitted from the backlight device 7, the transmissive display region 3 is included.
The light incident on 2 enters the liquid crystal layer 5 from the side of the first substrate 10 and is modulated by the liquid crystal layer 5 as shown by an arrow L1, and then transmitted display light from the side of the second substrate 20. And is displayed as an image (transmission mode).
【0005】また、第2の基板20の側から入射した外
光のうち、反射表示領域31に入射した光は、矢印L2
で示すように、液晶層5を通って反射層4に届き、この
反射層4で反射されて再び、液晶層5を通って第2の基
板20の側から反射表示光として出射されて画像を表示
する(反射モード)。Of the external light incident from the second substrate 20 side, the light incident on the reflective display area 31 is indicated by the arrow L2.
As shown by, the light reaches the reflection layer 4 through the liquid crystal layer 5, is reflected by the reflection layer 4, and is emitted again as reflection display light from the second substrate 20 side through the liquid crystal layer 5 to display an image. Display (reflection mode).
【0006】ここで、第1の基板10上には、反射表示
領域31および透過表示領域32の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82
が形成されているので、カラー表示が可能である。Here, on the first substrate 10, a reflective display color filter 81 and a transmissive display color filter 82 are provided in each of the reflective display area 31 and the transmissive display area 32.
Is formed, color display is possible.
【0007】このような光変調が行われる際、液晶のツ
イスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が
屈折率差Δnと液晶層5の層厚dの積(リターデーショ
ンΔn・d)の関数になるため、この値を適正化してお
けば視認性のよい表示を行うことができる。しかしなが
ら、半透過・反射型の液晶装置1において、透過表示光
は、液晶層5を一度だけ通過して出射されるのに対し
て、反射表示光は、液晶層5を2度、通過することにな
るため、透過表示光および反射表示光の双方において、
リターデーションΔn・dを最適化することは困難であ
る。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものと
なるように液晶層5の層厚dを設定すると、透過モード
での表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視
認性のよいものとなるように液晶層5の層厚dを設定す
ると、反射モードでの表示が犠牲となる。When such a light modulation is performed, when the twist angle of the liquid crystal is set to be small, the change in the polarization state is caused by the product of the refractive index difference Δn and the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 (retardation Δn · d). ), The display with good visibility can be performed by optimizing this value. However, in the semi-transmissive / reflective liquid crystal device 1, the transmissive display light passes through the liquid crystal layer 5 only once and is emitted, whereas the reflective display light passes through the liquid crystal layer 5 twice. Therefore, in both the transmitted display light and the reflected display light,
It is difficult to optimize the retardation Δn · d. Therefore, when the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 is set so that the display in the reflective mode has good visibility, the display in the transmissive mode is sacrificed. On the contrary, when the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 is set so that the display in the transmissive mode has good visibility, the display in the reflective mode is sacrificed.
【0008】そこで、特開平11−242226号に
は、反射表示領域31における液晶層の層厚dを透過表
示領域32における液晶層5の層厚dよりも小さくする
構成が開示されている。このような構成はマルチギャッ
プタイプと称せられ、例えば、図21(A)、(B)、
(C)5に示すように、第1の透明電極11の下層側、
かつ、光反射層4の上層側に、透過表示領域32に相当
する領域が開口となっている層厚調整層6によって実現
できる。すなわち、透過表示領域32では、反射表示領
域31と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、液晶層
5の層厚dが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔn・dを最適化する
ことが可能である。ここで、層厚調整層6で液晶層5の
層厚dを調整するには、層厚調整層6を分厚く形成する
必要があり、このような分厚い層の形成には感光性樹脂
などが用いられる。Therefore, Japanese Patent Laid-Open No. 11-242226 discloses a structure in which the layer thickness d of the liquid crystal layer in the reflective display area 31 is made smaller than the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 in the transmissive display area 32. Such a configuration is called a multi-gap type, and for example, FIGS.
(C) As shown in FIG. 5, the lower layer side of the first transparent electrode 11,
In addition, it can be realized by the layer thickness adjusting layer 6 on the upper layer side of the light reflection layer 4, the region corresponding to the transmissive display region 32 being an opening. That is, in the transmissive display region 32, the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 is larger than that in the reflective display region 31 by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6, and therefore, for both the transmissive display light and the reflective display light. It is possible to optimize the retardation Δn · d. Here, in order to adjust the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 with the layer thickness adjusting layer 6, it is necessary to form the layer thickness adjusting layer 6 thickly. To form such a thick layer, a photosensitive resin or the like is used. To be
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感光性
樹脂層で層厚調整層6を形成する際、フォトリソグラフ
ィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現
像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層6
は、反射表示領域31と透過表示領域32との境界部分
で斜め上向きの斜面60となってしまう。その結果、反
射表示領域31と透過表示領域32との境界部分では、
液晶層5の層厚dが連続的に変化する結果、リターデー
ションΔn・dも連続的に変化してしまう。また、液晶
層5に含まれる液晶分子は、第1の基板10および第2
の基板20の最表層に形成した配向膜12、22によっ
て初期の配向状態が規定されているが、斜面60では、
配向膜12の配向規制力が斜めに作用するので、この部
分では液晶分子の配向が乱れている。However, when the layer thickness adjusting layer 6 is formed of the photosensitive resin layer, a photolithography technique is used, which is caused by exposure accuracy at that time or side etching at the time of development. Then, the layer thickness adjusting layer 6
Becomes an obliquely upward slope 60 at the boundary between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32. As a result, in the boundary portion between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32,
As a result of the layer thickness d of the liquid crystal layer 5 changing continuously, the retardation Δn · d also changes continuously. In addition, the liquid crystal molecules included in the liquid crystal layer 5 are
Although the initial alignment state is defined by the alignment films 12 and 22 formed on the outermost surface of the substrate 20 of FIG.
Since the alignment regulating force of the alignment film 12 acts diagonally, the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed in this portion.
【0010】斜面にならない場合でも基板と段差部が垂
直となり、境界で液晶分子の配向が乱れる可能性があ
る。Even when the surface is not inclined, the step and the step are vertical, and the alignment of liquid crystal molecules may be disturbed at the boundary.
【0011】このため、従来の液晶装置1では、例え
ば、ノーマリホワイトで設計した場合、電場を印加状態
において全面黒表示となるはずであるが、斜面60に相
当する部分で光が漏れてしまい、コントラストが低下す
るなどといった表示不良が発生してしまう。Therefore, in the conventional liquid crystal device 1, for example, when it is designed to be normally white, the display should be entirely black when the electric field is applied, but light leaks at the portion corresponding to the slope 60. However, a display defect such as a decrease in contrast occurs.
【0012】以上の問題点に鑑みて、本発明では、1画
素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層
の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶
装置、およびそれを用いた電子機器において、透過表示
領域と反射表示領域との境界部分でリターデーションが
不適正な状態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状
態にあっても、品位の高い表示を行うことのできる構成
を提供することにある。In view of the above problems, in the present invention, a multi-gap type liquid crystal device in which the layer thickness of the liquid crystal layer is changed to an appropriate value between the transmissive display region and the reflective display region in one pixel region, And in electronic devices using the same, high-quality display is performed even if the retardation is inappropriate at the boundary between the transmissive display area and the reflective display area or the alignment of liquid crystal molecules is disturbed. It is to provide a configuration capable of doing.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、表面に第1の透明電極が形成された第
1の基板と、前記第1の電極と対向する面側に第2の透
明電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前
記第2の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記
第1の基板は、前記第1の透明電極と前記第2の透明電
極とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該
画素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、
前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過
表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層
厚調整層、および前記第1の透明電極を下層側から上層
側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置に
おいて、前記第1の基板および前記第2の基板のうちの
少なくとも一方には、前記反射表示領域と前記透過表示
領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されてい
ることを特徴とする。In order to solve the above problems, according to the present invention, a first substrate having a surface on which a first transparent electrode is formed and a surface opposite to the first electrode are provided with a first substrate. A second substrate on which two transparent electrodes are formed, and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is the first substrate. A light-reflecting layer that forms a reflective display area in a pixel area where the transparent electrode and the second transparent electrode face each other, and uses the remaining area of the pixel area as a transmissive display area;
A layer thickness adjusting layer for making the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region, and the first transparent electrode in this order from the lower layer side to the upper layer side. In the semi-transmissive / reflective liquid crystal device, a light-shielding film is formed on at least one of the first substrate and the second substrate so as to overlap a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. It is characterized by being.
【0014】また、本発明では、反射表示領域と透過表
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
1の基板と、前記第1の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第1の
基板は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域におけ
る前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液
晶層の層厚よりも小さくする層厚調整層、および光反射
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える一
方、前記透過表示領域に透明電極を備える半透過・反射
型液晶装置において、前記第1の基板および前記第2の
基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示領域と
前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が
形成されていることを特徴とする。Further, according to the present invention, there is provided a semi-transmissive / reflective liquid crystal device having a reflective display region and a transmissive display region, wherein a first substrate and a transparent electrode on a surface side facing the first substrate. A second substrate on which is formed, the first substrate and the second substrate.
A liquid crystal layer held between the liquid crystal layer in the reflective display area and the liquid crystal layer in the transmissive display area. In the semi-transmissive / reflective liquid crystal device, the layer thickness adjusting layer having a thickness smaller than the layer thickness and the light reflecting electrode are provided in this order from the lower layer side to the upper layer side, while the transparent electrode is provided in the transmissive display region. A light-shielding film is formed on at least one of the substrate and the second substrate so as to overlap a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region.
【0015】さらに、本発明では、表面に第1の透明電
極が形成された第1の基板と、前記第1の電極と対向す
る面側に第2の透明電極が形成された第2の基板と、前
記第1の基板と前記第2の基板との間に保持された液晶
層とを有し、前記第1の基板は、前記第1の透明電極と
前記第2の透明電極とが対向する画素領域に反射表示領
域を構成し、当該画素領域の残りの領域を透過表示領域
とする光反射層、および前記第1の透明電極を下層側か
ら上層側に向かってこの順に備え、前記第2の基板は、
前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前記液
晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層
厚よりも小さくする層厚調整層、および前記第2の透明
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透
過・反射型液晶装置において、 前記第1の基板および
前記第2の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射
表示領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるよう
に遮光膜が形成されていることを特徴とする。Further, according to the present invention, the first substrate having the first transparent electrode formed on the surface thereof, and the second substrate having the second transparent electrode formed on the surface side facing the first electrode. And a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, wherein the first transparent electrode and the second transparent electrode face each other in the first substrate. Forming a reflective display area in the pixel area, the light reflective layer having the remaining area of the pixel area as a transmissive display area, and the first transparent electrode in this order from the lower layer side to the upper layer side. The second substrate is
In the reflective display region, a layer thickness adjusting layer that makes the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region, and the second transparent electrode from the lower layer side to the upper layer side. In a semi-transmissive / reflective liquid crystal device provided in this order toward the side, at least one of the first substrate and the second substrate overlaps a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. The light-shielding film is thus formed.
【0016】また、本発明では、反射表示領域と透過表
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
1の基板と、前記第1の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第1の
基板は、前記反射表示領域に光反射電極を備えるととも
に前記透過表示領域に透明電極を備え、前記第2の基板
は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前
記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも小さくする層厚調整層、および前記透明電
極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透過
・反射型液晶装置において、前記第1の基板および前記
第2の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示
領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮
光膜が形成されていることを特徴とする。Further, according to the present invention, there is provided a semi-transmissive / reflective liquid crystal device having a reflective display area and a transmissive display area, wherein a first substrate and a transparent electrode on a surface side facing the first substrate. A second substrate on which is formed, the first substrate and the second substrate.
A liquid crystal layer held between the first substrate and the substrate, and the first substrate includes a light reflecting electrode in the reflective display region and a transparent electrode in the transmissive display region, and the second substrate is In the reflective display region, a layer thickness adjusting layer that makes the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region, and the transparent electrode from the lower layer side to the upper layer side. In the semi-transmissive / reflective liquid crystal device provided in this order, at least one of the first substrate and the second substrate is overlapped with a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. A light-shielding film is formed.
【0017】本発明において、反射表示領域と透過表示
領域との境界領域とは、光反射層又は光反射電極の端縁
で規定される反射表示領域と透過表示領域との境界と、
この境界に隣接する反射表示領域の端部および/または
該境界に隣接する透過表示領域の端部とからなる領域を
いう。本発明では、反射表示領域と透過表示領域との境
界領域に重なるように遮光膜が形成されている。このた
め、反射表示領域と透過表示領域との境界領域において
層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分におい
てリターデーションΔn・dが連続的に変化している場
合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合でも、
このような領域からは反射表示光も透過表示光も出射さ
れない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなどとい
った不具合の発生を回避することができるので、コント
ラストが高い、品位の高い表示を行うことができる。In the present invention, the boundary area between the reflective display area and the transmissive display area means the boundary between the reflective display area and the transmissive display area defined by the edge of the light reflective layer or the light reflective electrode.
An area formed by the end of the reflective display area adjacent to the boundary and / or the end of the transmissive display area adjacent to the boundary. In the present invention, the light-shielding film is formed so as to overlap the boundary area between the reflective display area and the transmissive display area. Therefore, when the thickness of the layer thickness adjusting layer continuously changes in the boundary region between the reflective display region and the transmissive display region, and the retardation Δn · d continuously changes in this portion, or Even if the alignment of liquid crystal molecules is disturbed,
Neither reflected display light nor transmitted display light is emitted from such a region. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of problems such as light leakage during black display, and thus it is possible to perform display with high contrast and high quality.
【0018】本発明において、前記遮光膜は、例えば、
前記第1の透明基板側に形成されている。或いは、前記
遮光膜は、前記第2の透明基板側に形成してもよい。In the present invention, the light shielding film is, for example,
It is formed on the side of the first transparent substrate. Alternatively, the light shielding film may be formed on the second transparent substrate side.
【0019】本発明において、前記層厚調整層は、前記
反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が斜面に
なっていることが好ましい。本発明において、前記遮光
膜は、前記層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域
に形成されていることが好ましい。ここで、遮光膜が前
記斜面と平面的に重なる領域に形成されているとは、平
面視したときに、前記斜面と前記遮光膜とが重なり合う
ことをいい、前記斜面が前記遮光膜に含まれてもよい。In the present invention, it is preferable that in the layer thickness adjusting layer, a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region is a slope. In the present invention, it is preferable that the light shielding film is formed in a region that planarly overlaps the slope of the layer thickness adjusting layer. Here, that the light-shielding film is formed in a region that overlaps with the slope in plan view means that the slope and the light-shielding film overlap with each other when seen in a plan view, and the slope includes the light-shielding film. May be.
【0020】本発明において、前記遮光膜は、前記光反
射層の端部と平面的に重なるように形成されていること
が好ましい。本発明においては、前記反射表示領域と前
記透過表示領域との境界領域が遮光膜で覆われるように
設計されるが、光反射膜の形成時の誤差や遮光膜の形成
時の誤差等により、反射表示領域と透過表示領域との境
界、すなわち光反射層又は光反射電極が形成されている
領域と残りの領域との境界から光漏れが発生し、この漏
れた光が層厚調整層の厚さが変化している部分や液晶分
子の配向が乱れている部分を透過して出射されることに
よってコントラスト低下などの不具合を生じる可能性が
ある。そこで、遮光膜を、光反射層又は光反射電極の端
部と平面的に重なるように形成することにより、反射表
示領域と前記透過表示領域との境界からの光漏れを確実
に防止することができる。In the present invention, it is preferable that the light shielding film is formed so as to planarly overlap with an end portion of the light reflecting layer. In the present invention, the boundary area between the reflective display area and the transmissive display area is designed to be covered with a light-shielding film, but due to an error in forming a light-reflecting film, an error in forming a light-shielding film, or the like, Light leaks from the boundary between the reflective display area and the transmissive display area, that is, the boundary between the area where the light reflective layer or the light reflective electrode is formed and the remaining area, and the leaked light is the thickness of the layer thickness adjusting layer. There is a possibility that a problem such as a decrease in contrast may occur due to the light being transmitted through a portion in which the orientation is changed or a portion in which the alignment of liquid crystal molecules is disturbed and emitted. Therefore, by forming the light-shielding film so as to planarly overlap the end portion of the light reflection layer or the light reflection electrode, it is possible to reliably prevent light leakage from the boundary between the reflection display region and the transmissive display region. it can.
【0021】本発明において、前記透過表示領域は、例
えば、前記反射表示領域内に島状に配置されている。In the present invention, the transmissive display area is, for example, arranged in an island shape in the reflective display area.
【0022】本発明において、前記透過表示領域は、前
記画素領域の端部に配置されている場合もある。In the present invention, the transmissive display area may be arranged at an end of the pixel area.
【0023】本発明において、前記画素領域が矩形領域
として形成されている場合には、前記透過表示領域は、
例えば、前記画素領域の辺に少なくとも1辺が重なる矩
形形状を有していることが好ましい。遮光膜の形成領域
が広いほど、表示に寄与する光量が低下するため表示が
暗くなるが、画素領域の辺に透過表示領域の辺を重ねる
と、その分、透過表示領域と反射表示領域との境界領域
の全長、すなわち、遮光層の全長を短くできるので、表
示に寄与する光量低下を最小限に抑えることができる。
また、隣接する画素領域の境界領域には、一般に、遮光
膜や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
の周りのうち、これらの遮光膜で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。In the present invention, when the pixel area is formed as a rectangular area, the transmissive display area is
For example, it is preferable to have a rectangular shape in which at least one side overlaps the side of the pixel region. The wider the area where the light-shielding film is formed, the lower the amount of light that contributes to the display and the darker the display becomes. However, when the side of the transmissive display area is overlapped with the side of the pixel area, the transmissive display area and the reflective display area are correspondingly separated. Since the total length of the boundary region, that is, the total length of the light shielding layer can be shortened, it is possible to minimize the decrease in the amount of light that contributes to display.
Further, a light-shielding film or a light-shielding wiring is generally formed in a boundary region between adjacent pixel regions, so that a portion of the periphery of the transmissive display region which is covered with these light-shielding films is originally used for display. Since it does not contribute, even if the retardation or the alignment of the liquid crystal is disturbed in this portion, the display quality is not deteriorated.
【0024】このような構成としては、例えば、前記透
過表示領域は、前記画素領域の辺に1辺が重なる位置に
配置されている構成、前記画素領域の辺に2辺が重なる
位置に配置されている構成、前記画素領域の辺に3辺が
重なる位置に配置されている構成のいずれであってもよ
い。ここで、前記画素領域を2分するように遮光性の配
線が前記遮光膜として通っており、該配線を挟む両側に
前記反射表示領域および前記透過表示領域がそれぞれ配
置すれば、前記透過表示領域が前記画素領域の辺に3辺
が重なる位置に配置されている構成となる。As such a structure, for example, the transmissive display area is arranged at a position where one side overlaps with the side of the pixel area, and is arranged at a position where two sides overlap with the side of the pixel area. Or the configuration in which three sides overlap the sides of the pixel region. Here, if a light-shielding wiring passes through the light-shielding film so as to divide the pixel area into two, and the reflection display area and the transmissive display area are arranged on both sides of the wiring, the transmissive display area is formed. Are arranged at positions where three sides overlap the sides of the pixel region.
【0025】本発明において、前記画像表示領域にカラ
ーフィルタを形成すれば、カラー表示用の半透過・反射
型液晶装置を構成できる。この場合、前記反射表示領域
には、反射表示用カラーフィルタを形成する一方、前記
透過表示領域には、前記反射表示用カラーフィルタより
も着色度の強い透過表示用カラーフィルタを形成するこ
とが好ましい。In the present invention, if a color filter is formed in the image display area, a semi-transmissive / reflective liquid crystal device for color display can be constructed. In this case, it is preferable that a reflective display color filter is formed in the reflective display area, and a transmissive display color filter having a higher degree of coloring than the reflective display color filter is formed in the transmissive display area. .
【0026】本発明において、前記反射表示領域が前記
透過表示領域よりも広い構成、前記反射表示領域が前記
透過表示領域よりも狭い構成、前記反射表示領域と前記
透過表示領域とは面積が等しい構成のいずれであっても
よい。In the present invention, the reflective display area is wider than the transmissive display area, the reflective display area is narrower than the transmissive display area, and the reflective display area and the transmissive display area are equal in area. Either of them may be used.
【0027】本発明を適用した液晶装置は、携帯電話
機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装
置として用いることができる。The liquid crystal device to which the present invention is applied can be used as a display device for electronic devices such as mobile phones and mobile computers.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each figure used in the following description,
In order to make each layer and each member recognizable in the drawing, the scale is different for each layer and each member.
【0029】[実施の形態1]図1(A)、(B)、
(C)はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの1つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのA−A′断面図、およびB−B′断
面図である。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成
が従来の液晶装置と共通するので、共通する機能を有す
る部分には同一の符号を付して説明する。[Embodiment 1] FIGS. 1 (A), 1 (B),
FIG. 3C is a plan view schematically showing one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in the liquid crystal device, the plan view thereof being taken along the line AA ′, and the cross section taken along the line BB ′. Is. Since the liquid crystal device of this embodiment has a basic configuration in common with a conventional liquid crystal device, parts having common functions will be described with the same reference numerals.
【0030】図1(A)、(B)、(C)に示す画素領
域は、後述するアクティブマトリクス型液晶装置のう
ち、画素スイッチング用の非線形素子として、TFDお
よびTFTのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜
き出して示してある。ここに示す液晶装置1は、ITO
膜などからなる第1の透明電極11が表面に形成された
石英やガラスなどの透明な第1の基板10と、第1の電
極11と対向する面側に同じくITO膜などからなる第
2の透明電極21が形成された石英やガラスなどの透明
な第2の基板20と、第1の基板10と第2の基板20
との間に保持されたTNモードの液晶からなる液晶層5
0とを有しており、第1の透明電極11と第2の透明電
極21とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領
域3となっている。The pixel regions shown in FIGS. 1A, 1B, and 1C are obtained by using either a TFD or a TFT as a nonlinear element for pixel switching in an active matrix type liquid crystal device described later. Also, the common parts are extracted and shown. The liquid crystal device 1 shown here is ITO
A transparent first substrate 10 such as quartz or glass having a first transparent electrode 11 made of a film or the like formed on the surface thereof, and a second substrate also made of an ITO film or the like on the side facing the first electrode 11. A transparent second substrate 20 such as quartz or glass on which a transparent electrode 21 is formed, a first substrate 10 and a second substrate 20.
Liquid crystal layer 5 made of TN mode liquid crystal held between
0, and the region where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other is the pixel region 3 that directly contributes to the display.
【0031】液晶装置1において、画素領域3はマトリ
クス状に多数、形成されているが、これらの画素領域3
同士の境界領域を平面的にみると、第1の基板10ある
いは第2の基板20に形成されているブラックマクスや
ブラックストライプと称せられる遮光膜90、あるいは
遮光性の配線(図示せず)が通っている。従って、画素
領域3は、平面的には遮光膜90や遮光性の配線によっ
て周りを囲まれた状態にある。In the liquid crystal device 1, a large number of pixel regions 3 are formed in a matrix, and these pixel regions 3 are formed.
When the boundary area between them is seen in a plan view, the light-shielding film 90 called black mask or black stripe formed on the first substrate 10 or the second substrate 20, or the light-shielding wiring (not shown) Passing through. Therefore, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view.
【0032】第1の基板10には、第1の透明電極11
と第2の透明電極21とが対向する矩形の画素領域3に
反射表示領域31を構成する矩形の光反射層4がアルミ
ニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層4
の中央には矩形の開口40が形成されている。このた
め、画素領域3において、光反射層4が形成されている
領域は反射表示領域31となっているが、開口40に相
当する領域は、光反射層4が形成されていない島状、か
つ、矩形の透過表示領域32になっている。The first transparent electrode 11 is formed on the first substrate 10.
The rectangular light reflection layer 4 forming the reflection display region 31 is formed of an aluminum film or a silver alloy film in the rectangular pixel region 3 where the second transparent electrode 21 and the second transparent electrode 21 face each other.
A rectangular opening 40 is formed in the center of the. Therefore, in the pixel region 3, the region in which the light reflection layer 4 is formed is the reflection display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is island-shaped in which the light reflection layer 4 is not formed, and , A rectangular transparent display area 32.
【0033】第1の基板10および第2の基板20の各
々の外側の面には偏光板41、42が配置され、偏光板
41の側にはバックライト装置7が対向配置されてい
る。Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively, and the backlight device 7 is disposed opposite to the polarizing plate 41 side.
【0034】このように構成した液晶装置1において、
バックライト装置7から出射された光のうち、透過表示
領域32に入射した光は、矢印L1で示すように、第1
の基板10の側から液晶層50に入射し、そこで、光変
調された後、第2の基板20の側から透過表示光として
出射されて画像を表示する(透過モード)。In the liquid crystal device 1 thus constructed,
Of the light emitted from the backlight device 7, the light incident on the transmissive display region 32 is the first light as indicated by the arrow L1.
The light enters the liquid crystal layer 50 from the side of the substrate 10, is light-modulated therein, and then is emitted as transmission display light from the side of the second substrate 20 to display an image (transmission mode).
【0035】また、第2の基板20の側から入射した外
光のうち、反射表示領域31に入射した光は、矢印L2
で示すように、液晶層50を通って反射層4に届き、こ
の反射層4で反射されて再び、液晶層50を通って第2
の基板20の側から反射表示光として出射されて画像を
表示する(反射モード)。Of the external light incident from the second substrate 20 side, the light incident on the reflective display area 31 is indicated by the arrow L2.
As shown in FIG. 2, the light reaches the reflective layer 4 through the liquid crystal layer 50, is reflected by the reflective layer 4, and again passes through the liquid crystal layer 50 to the second layer.
The image is displayed by being emitted as reflection display light from the substrate 20 side (reflection mode).
【0036】ここで、第1の基板10上には、反射表示
領域31および透過表示領域32の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82
が形成されているので、カラー表示が可能である。透過
表示用カラーフィルタ82としては、顔料が多量に配合
されているなど、反射表示用カラーフィルタ81よりも
着色度が強いものが用いられている。Here, on the first substrate 10, a reflective display color filter 81 and a transmissive display color filter 82 are provided in each of the reflective display region 31 and the transmissive display region 32.
Is formed, color display is possible. As the transmissive display color filter 82, a filter having a higher degree of coloring than the reflective display color filter 81, such as a large amount of pigment, is used.
【0037】このような半透過・反射型の液晶装置1に
おいて、透過表示光は、液晶層50を一度だけ通過して
出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層50を2
度、通過することになる。そこで、第1の基板10にお
いて、第1の透明電極11の下層側、かつ、光反射層4
の上層側には、透過表示領域32に相当する領域が開口
61となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層6が
形成されている。従って、透過表示領域32では、反射
表示領域31と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、
液晶層50の層厚dが大きいので、透過表示光および反
射表示光の双方に対してリターデーションΔn・dを最
適化できる。In such a semi-transmissive / reflective liquid crystal device 1, transmissive display light passes through the liquid crystal layer 50 only once and is emitted, whereas reflective display light passes through the liquid crystal layer 50.
It will pass once. Therefore, in the first substrate 10, the lower layer side of the first transparent electrode 11 and the light reflection layer 4
On the upper layer side, a layer thickness adjusting layer 6 made of a photosensitive resin layer having an opening 61 in a region corresponding to the transmissive display region 32 is formed. Therefore, in the transmissive display area 32, as compared with the reflective display area 31, only the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6 is
Since the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is large, the retardation Δn · d can be optimized for both the transmitted display light and the reflected display light.
【0038】この層厚調整層6を形成する際にはフォト
リソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、
あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層
厚調整層6は、反射表示領域31と透過表示領域32と
の境界部分が斜め上向きの斜面60になっており、この
斜面60を平面的にみると8μmの幅をもって形成され
ている状態にある。従って、透過表示領域32との境界
部分では、液晶層50の層厚dが連続的に変化する結
果、リターデーションΔn・dも連続的に変化してい
る。また、液晶層50に含まれる液晶分子は、第1の基
板10および第2の基板20の最表層に形成した配向膜
12、22によって初期の配向状態が規定されている
が、斜面60では、配向膜12の配向規制力が斜めに作
用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れてい
る。When the layer thickness adjusting layer 6 is formed, a photolithography technique is used. The exposure accuracy at that time is
Alternatively, due to side etching or the like at the time of development, in the layer thickness adjusting layer 6, the boundary portion between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 is an obliquely upward slope 60. When viewed, it is in a state of being formed with a width of 8 μm. Therefore, at the boundary with the transmissive display region 32, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 changes continuously, and as a result, the retardation Δn · d also changes continuously. The initial alignment state of the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 50 is defined by the alignment films 12 and 22 formed on the outermost layers of the first substrate 10 and the second substrate 20, but on the slope 60, Since the alignment regulating force of the alignment film 12 acts diagonally, the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed in this portion.
【0039】このような不安定な状態にある境界領域
は、表示の品位を低下させる原因となるので、本形態で
は、第1の基板10において、反射表示領域31と透過
表示領域32との境界領域の全てに重なるように遮光膜
9が形成されている。また遮光膜9は約9μmの幅で、
平面視したときに斜面60が遮光膜9に含まれるように
形成されている。すなわち、本形態では、反射表示領域
31と透過表示領域32とを仕切る光反射層4の内周縁
全体に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる
遮光膜9を、該遮光膜9の一部が光反射層4の端部を覆
うように、矩形の枠状に形成してある。Since such a boundary region in an unstable state causes deterioration of display quality, in the present embodiment, the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 is formed on the first substrate 10. The light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire region. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm,
The slope 60 is formed so as to be included in the light shielding film 9 when viewed in a plan view. That is, in the present embodiment, the light-shielding film 9 made of a light-shielding metal film such as a chrome film is provided along the entire inner peripheral edge of the light-reflecting layer 4 that partitions the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Is formed in a rectangular frame shape so that a part of the above covers the end of the light reflection layer 4.
【0040】このように本形態では、反射表示領域31
と透過表示領域32との境界領域の全てに重なるように
遮光膜9が形成されているため、反射表示領域31と透
過表示領域32との境界領域において層厚調整層6の厚
さが連続的に変化して、この部分においてリターデーシ
ョンΔn・dが連続的に変化しても、また液晶分子の配
向が乱れていても、このような領域からは、反射表示光
も透過表示光も出射されない。また、遮光膜9は、光反
射層4の内周端部と平面的に重なるように形成されてい
るので、反射表示領域31と透過表示領域32との境界
で光漏れが生じることがない。従って、黒表示時に光漏
れするなどといった不具合の発生を回避することができ
るので、コントラストが高くて品位の高い表示を行うこ
とができる。As described above, in this embodiment, the reflective display area 31 is provided.
Since the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, the thickness of the layer thickness adjusting layer 6 is continuous in the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32. Even if the retardation Δn · d changes continuously in this portion, or the orientation of the liquid crystal molecules is disturbed, neither reflective display light nor transmissive display light is emitted from such a region. . Further, since the light-shielding film 9 is formed so as to planarly overlap the inner peripheral end portion of the light reflection layer 4, light leakage does not occur at the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of problems such as light leakage during black display, and thus it is possible to perform high-quality display with high contrast.
【0041】また、透過表示用カラーフィルタ82とし
て、反射表示用カラーフィルタ81よりも着色度が強い
ものが用いられているため、透過表示光がカラーフィル
タを1度しか通過しない構成であっても、カラーフィル
タを2度、通過する反射表示光と同等の着色を受けるの
で、品位の高いカラー表示を行うことができる。Further, since the transmissive display color filter 82 having a higher degree of coloring than the reflective display color filter 81 is used, the transmissive display light may pass through the color filter only once. Since the same color as the reflected display light that passes through the color filter twice is obtained, high quality color display can be performed.
【0042】このような構造の液晶装置1を製造する
際、第1の基板10は以下のようにして形成する。When manufacturing the liquid crystal device 1 having such a structure, the first substrate 10 is formed as follows.
【0043】まず、石英やガラスなどからなる第1の基
板10を準備した後、その全面にアルミニウムや銀合金
などの反射性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を利用して、この金属膜をパターニングして光反
射層4を形成する。 散乱機能を第1の基板にもたせる
場合には金属膜を形成する前にガラスのエッチング又は
樹脂等を用いて散乱構造を形成する場合もある。First, after preparing the first substrate 10 made of quartz or glass, a reflective metal film such as aluminum or silver alloy is formed on the entire surface thereof, and then this metal is formed by using a photolithography technique. The film is patterned to form the light reflecting layer 4. When the first substrate has the scattering function, the scattering structure may be formed by etching glass or using resin before forming the metal film.
【0044】次に、第1の基板10の全面にクロムなど
の遮光性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を利用してこの金属膜をパターニングして遮光膜9を
形成する。Next, after forming a light-shielding metal film of chromium or the like on the entire surface of the first substrate 10, this metal film is patterned by using the photolithography technique to form the light-shielding film 9.
【0045】次に、フレキソ印刷法、フォトリグラフィ
技術、あるいはインクジェット法を利用して、所定の領
域に反射表示用カラーフィルタ81、および透過表示用
カラーフィルタ82を形成する。Next, the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in predetermined regions by using a flexographic printing method, a photolithography technique, or an inkjet method.
【0046】次に、スピンコート法を利用して、第1の
基板10の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層6を形成する。Next, by using a spin coating method, a photosensitive resin is applied to the entire surface of the first substrate 10 and then exposed and developed to form a layer thickness adjusting layer 6.
【0047】次に、第1の基板10の全面にITO膜な
どの透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を利用して、この透明導電膜をパターニングして第1の
透明電極11を形成する。Next, a transparent conductive film such as an ITO film is formed on the entire surface of the first substrate 10, and then the transparent conductive film is patterned by using the photolithography technique to form the first transparent electrode 11. To do.
【0048】次に、スピンコート法を利用して、第1の
基板10の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、焼成
し、しかる後にラビング処理などの配向処理を施して配
向膜12を形成する。Next, using a spin coating method, a polyimide resin is applied to the entire surface of the first substrate 10 and baked, and then an alignment treatment such as a rubbing treatment is performed to form an alignment film 12.
【0049】このように形成した第1の基板10につい
ては、別途、形成しておいた第2の基板20と所定の間
隔を介して貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶を注
入して液晶層50を形成する。The first substrate 10 thus formed is attached to the separately formed second substrate 20 with a predetermined gap, and then liquid crystal is injected between the substrates to form a liquid crystal. Form layer 50.
【0050】なお、液晶装置1では、第1の基板10の
側にTFDやTFTなどといった画素スイッチング用の
非線形素子が形成される場合があるので、遮光膜9、そ
の他の層については、TFDやTFTなどを形成する工
程の一部を利用して形成してもよい。In the liquid crystal device 1, since a non-linear element for pixel switching such as TFD or TFT may be formed on the side of the first substrate 10, the light shielding film 9 and other layers may have TFD or TFT. You may form using a part of process of forming TFT etc.
【0051】また、透過表示領域31および透過表示領
域32においては、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも広い構成、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも狭い構成、透過表示領域31と透過表示領域3
2とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。In the transparent display area 31 and the transparent display area 32, the transparent display area 31 is the transparent display area 3
2, the transparent display area 31 is wider than the transparent display area 3
Structure smaller than 2, transparent display area 31 and transparent display area 3
2 may have a structure having the same area.
【0052】[実施の形態2]図2(A)、(B)、
(C)はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの1つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのA−A′断面図、およびB
−B′断面図である。なお、本形態、および以下に説明
する実施の形態3〜8に係る液晶装置は、基本的な構成
が実施の形態1と共通するので、共通する機能を有する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
また、製造方法も実施の形態1と同様であるので、その
説明を省略する。[Second Embodiment] FIGS. 2A and 2B,
(C) is a plan view schematically showing one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in the liquid crystal device of the present embodiment, showing a schematic plan view thereof, an AA ′ cross-sectional view thereof, and B, respectively.
It is a -B 'sectional view. Since the liquid crystal devices according to the present embodiment and the third to eighth embodiments described below have the same basic configuration as that of the first embodiment, the same reference numerals are given to parts having common functions. And their description is omitted.
The manufacturing method is also the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
【0053】図2(A)、(B)、(C)に示す画素領
域も、実施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、TFDおよびTFTのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
1も、第1の透明電極11が表面に形成された透明な第
1の基板10と、第1の電極11と対向する面側に第2
の透明電極21が形成された透明な第2の基板20と、
第1の基板10と第2の基板20との間に保持されたT
Nモードの液晶からなる液晶層50とを有しており、第
1の透明電極11と第2の透明電極21とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域3となっている。ま
た、画素領域3は、平面的には遮光膜90や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。In the pixel regions shown in FIGS. 2A, 2B, and 2C, as in the first embodiment, in the active matrix type liquid crystal device, either TFD or TFT is used as the nonlinear element for pixel switching. In the case of using, the common part is extracted and shown. The liquid crystal device 1 shown here also includes a transparent first substrate 10 having a first transparent electrode 11 formed on the surface thereof, and a second substrate 10 on the side facing the first electrode 11.
A transparent second substrate 20 on which a transparent electrode 21 of
T held between the first substrate 10 and the second substrate 20
A liquid crystal layer 50 made of N-mode liquid crystal is provided, and a region where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other is a pixel region 3 that directly contributes to display. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view.
【0054】第1の基板10には、第1の透明電極11
と第2の透明電極21とが対向する矩形の画素領域3に
反射表示領域31を構成する光反射層4がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層4の1辺
に相当する部分には矩形の開口40が形成されている。
このため、画素領域3において、光反射層4が形成され
ている領域は反射表示領域31となっているが、開口4
0に相当する領域は、光反射層4が形成されていない矩
形の透過表示領域32になっている。ここで、透過表示
領域32は、その1辺が画素領域3の1辺と重なってい
る。The first transparent electrode 11 is formed on the first substrate 10.
The light reflection layer 4 forming the reflection display area 31 is formed of an aluminum film or a silver alloy film in the rectangular pixel area 3 where the second transparent electrode 21 and the second transparent electrode 21 face each other, and corresponds to one side of the light reflection layer 4. A rectangular opening 40 is formed in the portion.
Therefore, in the pixel area 3, the area where the light reflection layer 4 is formed is the reflection display area 31, but the opening 4
The area corresponding to 0 is a rectangular transmissive display area 32 in which the light reflection layer 4 is not formed. Here, one side of the transmissive display area 32 overlaps one side of the pixel area 3.
【0055】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、第1の基板10上には、反射表示領域3
1および透過表示領域32の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82が形成
されているので、カラー表示が可能である。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. In addition, the reflective display area 3 is formed on the first substrate 10.
Since the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in each of 1 and the transmissive display area 32, color display is possible.
【0056】本形態でも、第1の基板10において、第
1の透明電極11の下層側、かつ、光反射層4の上層側
には、透過表示領域32に相当する領域が開口61とな
っている感光性樹脂層からなる層厚調整層6が形成され
ている。従って、透過表示領域32では、反射表示領域
31と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、液晶層5
0の層厚dが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔn・dが最適化され
ている。Also in this embodiment, in the first substrate 10, the region corresponding to the transmissive display region 32 is the opening 61 on the lower layer side of the first transparent electrode 11 and the upper layer side of the light reflecting layer 4. A layer thickness adjusting layer 6 made of a photosensitive resin layer is formed. Therefore, in the transmissive display area 32, as compared with the reflective display area 31, the liquid crystal layer 5 is formed by the thickness of the layer thickness adjusting layer 6.
Since the layer thickness d of 0 is large, the retardation Δn · d is optimized for both the transmitted display light and the reflected display light.
【0057】ここで、層厚調整層6には、反射表示領域
31と透過表示領域32との境界部分に、斜め上向きの
斜面60が8μmの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第1の基板10において、反射表示領
域31と透過表示領域32との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜9が平面コの字形状に形成されている。ま
たこの遮光膜9は約9μmの幅で、平面視したときに斜
面60が遮光膜9に含まれるように形成されている。す
なわち、本形態では、矩形の透過表示領域32の4辺の
うち、画素領域3の1辺と重なっている領域を除く3辺
に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光
膜9を、該遮光膜9の一部が光反射層4の端部を覆うよ
うに、コの字形状に形成してある。Here, in the layer thickness adjusting layer 6, an obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed at the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Therefore, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed in a U-shape in plan view so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 on the first substrate 10. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view. That is, in the present embodiment, the light-shielding film made of a light-shielding metal film such as a chrome film is provided along three sides of the four sides of the rectangular transmissive display region 32 except for a region overlapping with one side of the pixel region 3. 9 is formed in a U shape so that a part of the light shielding film 9 covers the end portion of the light reflection layer 4.
【0058】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。As described above, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, as in the first embodiment.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display.
【0059】また、遮光膜9についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜9が平面コ
の字形状に形成され、透過表示領域32の1辺に相当す
る部分には遮光膜9が形成されていない。このため、遮
光膜9の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量
の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接す
る画素領域3の境界領域には、一般に、遮光膜90や遮
光性の配線が形成されているので、透過表示領域32の
周りのうち、これらの遮光膜90で覆われた部分は、も
とより表示に寄与しないので、この部分でリターデーシ
ョンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下
することはない。Further, as the light-shielding film 9 has a wider formation area, the amount of light contributing to the display decreases, so that the display tends to be darker. However, in the present embodiment, the light-shielding film 9 has a U-shaped planar shape. The light-shielding film 9 is not formed in the portion that is formed and corresponds to one side of the transmissive display region 32. For this reason, since the total length of the light shielding film 9 is short, it is possible to minimize the decrease in the amount of light contributing to the display. Here, since the light-shielding film 90 and the light-shielding wiring are generally formed in the boundary region between the adjacent pixel regions 3, a portion of the periphery of the transmissive display region 32 which is covered with these light-shielding films 90. Does not contribute to the display, and therefore, even if the retardation or the alignment of the liquid crystal is disturbed at this portion, the display quality is not deteriorated.
【0060】なお、本形態において、遮光膜9の端部
は、隣接する画素領域3の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜90、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜9を形成しても
よい。In this embodiment, since the end of the light-shielding film 9 reaches the boundary region between the adjacent pixel regions 3, it is extended from another light-shielding film 90 passing through this boundary region or the light-shielding wiring. The light shielding film 9 may be formed as a part.
【0061】また、透過表示領域31および透過表示領
域32においては、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも広い構成、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも狭い構成、透過表示領域31と透過表示領域3
2とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。In the transparent display area 31 and the transparent display area 32, the transparent display area 31 is the transparent display area 3
2, the transparent display area 31 is wider than the transparent display area 3
Structure smaller than 2, transparent display area 31 and transparent display area 3
2 may have a structure having the same area.
【0062】[実施の形態3]図3(A)、(B)、
(C)はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの1つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのA−A′断面図、およびB
−B′断面図である。[Third Embodiment] FIGS. 3A and 3B,
(C) is a plan view schematically showing one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in the liquid crystal device of the present embodiment, showing a schematic plan view thereof, an AA ′ cross-sectional view thereof, and B, respectively.
It is a -B 'sectional view.
【0063】図3(A)、(B)、(C)に示す画素領
域も、実施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、TFDおよびTFTのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
1も、第1の透明電極11が表面に形成された透明な第
1の基板10と、第1の電極11と対向する面側に第2
の透明電極21が形成された透明な第2の基板20と、
第1の基板10と第2の基板20との間に保持されたT
Nモードの液晶からなる液晶層50とを有しており、第
1の透明電極11と第2の透明電極21とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域3となっている。ま
た、画素領域3は、平面的には遮光膜90や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。In the pixel regions shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C, as in the first embodiment, in the active matrix type liquid crystal device, either TFD or TFT is used as a nonlinear element for pixel switching. In the case of using, the common part is extracted and shown. The liquid crystal device 1 shown here also includes a transparent first substrate 10 having a first transparent electrode 11 formed on the surface thereof, and a second substrate 10 on the side facing the first electrode 11.
A transparent second substrate 20 on which a transparent electrode 21 of
T held between the first substrate 10 and the second substrate 20
A liquid crystal layer 50 made of N-mode liquid crystal is provided, and a region where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other is a pixel region 3 that directly contributes to display. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view.
【0064】第1の基板10には、第1の透明電極11
と第2の透明電極21とが対向する矩形の画素領域3に
反射表示領域31を構成する光反射層4がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層4の角に
相当する部分には矩形の開口40が形成されている。こ
のため、画素領域3において、光反射層4が形成されて
いる領域は反射表示領域31となっているが、開口40
に相当する領域は、光反射層4が形成されていない矩形
の透過表示領域32になっている。ここで、透過表示領
域32は、その2辺が画素領域3の2辺と各々重なって
いる。The first transparent electrode 11 is formed on the first substrate 10.
The light reflection layer 4 forming the reflection display area 31 is formed of an aluminum film or a silver alloy film in the rectangular pixel area 3 where the second transparent electrode 21 and the second transparent electrode 21 face each other, and a portion corresponding to a corner of the light reflection layer 4 is formed. A rectangular opening 40 is formed in the. Therefore, in the pixel region 3, the region where the light reflection layer 4 is formed is the reflective display region 31, but the opening 40
The area corresponding to is a rectangular transmissive display area 32 in which the light reflection layer 4 is not formed. Here, the transparent display area 32 has its two sides overlapping with the two sides of the pixel area 3.
【0065】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、第1の基板10上には、反射表示領域3
1および透過表示領域32の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82が形成
されているので、カラー表示が可能である。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. In addition, the reflective display area 3 is formed on the first substrate 10.
Since the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in each of 1 and the transmissive display area 32, color display is possible.
【0066】さらに、第1の基板10において、第1の
透明電極11の下層側、かつ、光反射層4の上層側に
は、透過表示領域32に相当する領域が開口61となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層6が形成されて
いる。従って、透過表示領域32では、反射表示領域3
1と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、液晶層50
の層厚dが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔn・dが最適化されて
いる。Further, in the first substrate 10, on the lower layer side of the first transparent electrode 11 and the upper layer side of the light reflecting layer 4, a region corresponding to the transmissive display region 32 is an opening 61. A layer thickness adjusting layer 6 made of a flexible resin layer is formed. Therefore, in the transmissive display area 32, the reflective display area 3
Compared with 1, the liquid crystal layer 50 is formed by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6.
Since the layer thickness d is large, the retardation Δn · d is optimized for both the transmitted display light and the reflected display light.
【0067】ここで、層厚調整層6には、反射表示領域
31と透過表示領域32との境界部分に、斜め上向きの
斜面60が8μmの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第1の基板10において、反射表示領
域31と透過表示領域32との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜9が平面L字形状に形成されている。また
この遮光膜9は約9μmの幅で、平面視したときに斜面
60が遮光膜9に含まれるように形成されている。すな
わち、本形態では、矩形の透過表示領域32の4辺のう
ち、画素領域3の2辺と重なっている領域を除く2辺に
沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜
9を、該遮光膜9の一部が光反射層4の端部を覆うよう
に、L字形状に形成してある。Here, in the layer thickness adjusting layer 6, an obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed at the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Therefore, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed in a planar L-shape on the first substrate 10 so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view. That is, in the present embodiment, the light-shielding film made of a light-shielding metal film such as a chrome film is provided along two sides of the four sides of the rectangular transmissive display region 32 except the region overlapping the two sides of the pixel region 3. 9 is formed in an L shape so that a part of the light shielding film 9 covers the end portion of the light reflection layer 4.
【0068】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。As described above, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, as in the first embodiment.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display.
【0069】また、遮光膜9についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜9が平面L
字形状に形成され、透過表示領域32の2辺に相当する
部分には遮光膜9が形成されていない。このため、遮光
膜9の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の
低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する
画素領域3の境界領域には、一般に、遮光膜90や遮光
性の配線が形成されているので、透過表示領域32の周
りのうち、これらの遮光膜90で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。Further, with respect to the light-shielding film 9, the wider the formation area is, the less the amount of light contributing to the display is, so that the display tends to be dark, but in the present embodiment, the light-shielding film 9 has a flat surface L.
The light-shielding film 9 is not formed in a portion corresponding to two sides of the transmissive display region 32, which is formed in a letter shape. For this reason, since the total length of the light shielding film 9 is short, it is possible to minimize the decrease in the amount of light contributing to the display. Here, since the light-shielding film 90 and the light-shielding wiring are generally formed in the boundary region between the adjacent pixel regions 3, a portion of the periphery of the transmissive display region 32 which is covered with these light-shielding films 90. Does not contribute to the display, and therefore, even if the retardation or the alignment of the liquid crystal is disturbed at this portion, the display quality is not deteriorated.
【0070】なお、本形態において、遮光膜9の端部
は、隣接する画素領域3の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜90、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜9を形成しても
よい。In this embodiment, since the edge of the light-shielding film 9 reaches the boundary region between the adjacent pixel regions 3, it is extended from another light-shielding film 90 passing through this boundary region or the light-shielding wiring. The light shielding film 9 may be formed as a part.
【0071】また、透過表示領域31および透過表示領
域32においては、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも広い構成、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも狭い構成、透過表示領域31と透過表示領域3
2とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。In the transparent display area 31 and the transparent display area 32, the transparent display area 31 is the transparent display area 3
2, the transparent display area 31 is wider than the transparent display area 3
Structure smaller than 2, transparent display area 31 and transparent display area 3
2 may have a structure having the same area.
【0072】[実施の形態4]図4(A)、(B)はそ
れぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されて
いる複数の画素領域のうちの1つを抜き出して模式的に
示す平面図、およびそのB−B′断面図である。[Fourth Embodiment] FIGS. 4A and 4B schematically show one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in the liquid crystal device of the present embodiment. It is a top view and its BB 'sectional drawing.
【0073】図4(A)、(B)に示す画素領域も、実
施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液晶装置の
うち、画素スイッチング用の非線形素子として、TFD
およびTFTのいずれを用いた場合にも共通する部分を
抜き出して示してある。ここに示す液晶装置1も、IT
O膜などからなる第1の透明電極11が表面に形成され
た石英やガラスなどの透明な第1の基板10と、第1の
電極11と対向する面側に、同じくITO膜などからな
る第2の透明電極21が形成された石英やガラスなどの
透明な第2の基板20と、第1の基板10と第2の基板
20との間に保持されたTNタイプの液晶からなる液晶
層50とを有しており、第1の透明電極11と第2の透
明電極21とが対向する領域が表示に直接、寄与する画
素領域3となっている。また、画素領域3は、平面的に
は遮光膜90や遮光性の配線によって周りを囲まれた状
態にある。In the pixel region shown in FIGS. 4A and 4B, as in the first embodiment, the TFD is used as a nonlinear element for pixel switching in the active matrix type liquid crystal device.
In both cases of using the TFT and the TFT, common portions are extracted and shown. The liquid crystal device 1 shown here is also an IT
A transparent first substrate 10 such as quartz or glass having a first transparent electrode 11 formed of an O film or the like formed on its surface, and a first substrate 11 also formed of an ITO film or the like on the surface side facing the first electrode 11. A second transparent substrate 20 such as quartz or glass on which the second transparent electrode 21 is formed, and a liquid crystal layer 50 made of TN type liquid crystal held between the first substrate 10 and the second substrate 20. The area where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other is the pixel area 3 that directly contributes to the display. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view.
【0074】第1の基板10には、第1の透明電極11
と第2の透明電極21とが対向する矩形の画素領域3に
反射表示領域31を構成する光反射層4がアルミニウム
膜や銀合金膜によって矩形に形成されているが、画素領
域3の約半分に相当する領域は、光反射層4の形成され
ていない矩形の開口40になっている。このため、画素
領域3において、光反射層4が形成されている領域は反
射表示領域31となっているが、開口40に相当する領
域は、光反射層4が形成されていない矩形の透過表示領
域32になっている。ここで、透過表示領域32は、そ
の3辺が画素領域3の3辺と各々重なっている。The first transparent electrode 11 is formed on the first substrate 10.
The light reflection layer 4 forming the reflection display area 31 is formed in a rectangular shape by an aluminum film or a silver alloy film in the rectangular pixel area 3 where the second transparent electrode 21 and the second transparent electrode 21 face each other. The region corresponding to is a rectangular opening 40 in which the light reflection layer 4 is not formed. Therefore, in the pixel region 3, the region where the light reflection layer 4 is formed is the reflection display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is a rectangular transmissive display where the light reflection layer 4 is not formed. It is an area 32. Here, the transmissive display area 32 has its three sides overlapping with the three sides of the pixel area 3.
【0075】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、第1の基板10上には、反射表示領域3
1および透過表示領域32の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82が形成
されているので、カラー表示が可能である。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. In addition, the reflective display area 3 is formed on the first substrate 10.
Since the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in each of 1 and the transmissive display area 32, color display is possible.
【0076】さらに、第1の基板10において、第1の
透明電極11の下層側、かつ、光反射層4の上層側に
は、透過表示領域32に相当する領域が開口61となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層6が形成されて
いる。従って、透過表示領域32では、反射表示領域3
1と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、液晶層50
の層厚dが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔn・dが最適化されて
いる。Further, in the first substrate 10, on the lower layer side of the first transparent electrode 11 and on the upper layer side of the light reflection layer 4, a region corresponding to the transmissive display region 32 has an opening 61. A layer thickness adjusting layer 6 made of a flexible resin layer is formed. Therefore, in the transmissive display area 32, the reflective display area 3
Compared with 1, the liquid crystal layer 50 is formed by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6.
Since the layer thickness d is large, the retardation Δn · d is optimized for both the transmitted display light and the reflected display light.
【0077】ここで、層厚調整層6には、反射表示領域
31と透過表示領域32との境界部分に、斜め上向きの
斜面60が8μmの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第1の基板10において、反射表示領
域31と透過表示領域32との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜9が一直線に形成されている。またこの遮
光膜9は約9μmの幅で、平面視したときに斜面60が
遮光膜9に含まれるように形成されている。すなわち、
本形態では、矩形の透過表示領域32の4辺のうち、画
素領域3の3辺と重なっている領域を除く1辺に沿っ
て、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜9
を、該遮光膜9の一部が光反射層4の端部を覆うよう
に、一直線に形成してある。Here, in the layer thickness adjusting layer 6, an obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed at the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Therefore, in the present embodiment, the light shielding film 9 is formed in a straight line on the first substrate 10 so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view. That is,
In the present embodiment, the light-shielding film 9 made of a light-shielding metal film such as a chrome film is provided along one side of the four sides of the rectangular transmissive display area 32 except the area overlapping with the three sides of the pixel area 3.
Is formed in a straight line so that a part of the light shielding film 9 covers the end of the light reflecting layer 4.
【0078】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。As described above, in this embodiment, as in the first embodiment, the light shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display.
【0079】また、遮光膜9についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜9が一直線
に形成され、透過表示領域32の4辺のうち、3辺に相
当する部分には遮光膜9が形成されていない。このた
め、遮光膜9の全長が短いので、その分、表示に寄与す
る光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、
隣接する画素領域3の境界領域には、一般に、遮光膜9
0や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
32の周りのうち、これらの遮光膜90で覆われた部分
は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリター
デーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位
が低下することはない。Further, with respect to the light-shielding film 9, the wider the formation area is, the less the amount of light contributing to the display is, and therefore the display tends to be dark. However, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed in a straight line and is transmitted. The light-shielding film 9 is not formed on a portion corresponding to three sides of the four sides of the display area 32. For this reason, since the total length of the light shielding film 9 is short, it is possible to minimize the decrease in the amount of light contributing to the display. here,
In general, the light-shielding film 9 is formed in the boundary area between the adjacent pixel areas 3.
Since 0 or a light-shielding wiring is formed, the portion of the periphery of the transmissive display region 32 covered with these light-shielding films 90 does not contribute to display as a matter of course. Even if there is a disturbance, the display quality does not deteriorate.
【0080】なお、本形態において、遮光膜9の端部
は、隣接する画素領域3の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜90、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜9を形成しても
よい。In this embodiment, since the edge of the light-shielding film 9 reaches the boundary region of the adjacent pixel regions 3, it is extended from another light-shielding film 90 passing through this boundary region or the light-shielding wiring. The light shielding film 9 may be formed as a part.
【0081】また、透過表示領域31および透過表示領
域32においては、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも広い構成、透過表示領域31が透過表示領域3
2よりも狭い構成、透過表示領域31と透過表示領域3
2とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。In the transparent display area 31 and the transparent display area 32, the transparent display area 31 is the transparent display area 3
2, the transparent display area 31 is wider than the transparent display area 3
Structure smaller than 2, transparent display area 31 and transparent display area 3
2 may have a structure having the same area.
【0082】[実施の形態5]本実施形態の液晶装置
は、実施の形態1に係る液晶装置の遮光膜9の配置を変
形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図
1(a)と同様であるため流用し、そのA−A′断面図
のみ図5に示す。なお、B−B′断面図は図5と同様で
あるため、省略している。また、図5示す画素領域も、
実施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液晶装置
のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、TF
DおよびTFTのいずれを用いた場合にも共通する部分
を抜き出して示してある。[Embodiment 5] The liquid crystal device of this embodiment is obtained by modifying the arrangement of the light-shielding film 9 of the liquid crystal device according to Embodiment 1, and FIG. 5) is also used, and only the AA 'sectional view is shown in FIG. The sectional view taken along the line BB 'is similar to that of FIG. In addition, the pixel area shown in FIG.
Similar to the first embodiment, in the active matrix liquid crystal device, the TF is used as the nonlinear element for pixel switching.
The portions common to both D and TFT are extracted and shown.
【0083】ここに示す液晶装置1も、第1の透明電極
11が表面に形成された透明な第1の基板10と、第1
の電極11と対向する面側に第2の透明電極21が形成
された透明な第2の基板20と、第1の基板10と第2
の基板20との間に保持されたTNモードの液晶からな
る液晶層50とを有しており、第1の透明電極11と第
2の透明電極21とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域3となっている。また、画素領域3は、平
面的には遮光膜90や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第1の基板10には、第1の
透明電極11と第2の透明電極21とが対向する矩形の
画素領域3に反射表示領域31を構成する矩形の光反射
層4がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層4の中央には矩形の開口40が形成されてい
る。このため、画素領域3において、光反射層4が形成
されている領域は反射表示領域31となっているが、開
口40に相当する領域は、光反射層4が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域32になっている。The liquid crystal device 1 shown here also includes a transparent first substrate 10 having a first transparent electrode 11 formed on its surface, and a first transparent substrate 10.
Transparent second substrate 20 having a second transparent electrode 21 formed on the side facing the electrode 11 of the first substrate 10, the second substrate 20, and the second substrate 20.
A liquid crystal layer 50 made of TN mode liquid crystal held between the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 and directly contributing to the display. It is a pixel region 3 which is to be operated. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view. Then, on the first substrate 10, the rectangular light reflection layer 4 constituting the reflective display area 31 is formed of an aluminum film in the rectangular pixel area 3 where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other. It is formed of a silver alloy film, and a rectangular opening 40 is formed in the center of the light reflection layer 4. Therefore, in the pixel region 3, the region in which the light reflection layer 4 is formed is the reflection display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is island-shaped in which the light reflection layer 4 is not formed, and , A rectangular transparent display area 32.
【0084】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、第1の基板10上には、反射表示領域3
1および透過表示領域32の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82が形成
されているので、カラー表示が可能である。本形態で
も、第1の基板10において、第1の透明電極11の下
層側、かつ、光反射層4の上層側には、透過表示領域3
2に相当する領域が開口61となっている感光性樹脂層
からなる層厚調整層6が形成されている。従って、透過
表示領域32では、反射表示領域31と比較して、層厚
調整層6の膜厚分だけ、液晶層50の層厚dが大きいの
で、透過表示光および反射表示光の双方に対してリター
デーションΔn・dが最適化されている。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. In addition, the reflective display area 3 is formed on the first substrate 10.
Since the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in each of 1 and the transmissive display area 32, color display is possible. Also in this embodiment, in the first substrate 10, on the lower layer side of the first transparent electrode 11 and on the upper layer side of the light reflection layer 4, the transmissive display region 3 is provided.
A layer thickness adjusting layer 6 made of a photosensitive resin layer having an opening 61 in a region corresponding to 2 is formed. Therefore, in the transmissive display region 32, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is larger than that in the reflective display region 31 by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6, and therefore, for both the transmissive display light and the reflective display light. Retardation Δn · d is optimized.
【0085】ここで、層厚調整層6には、反射表示領域
31と透過表示領域32との境界部分に、斜め上向きの
斜面60が8μmの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第2の基板20において、平面視した
ときに反射表示領域31と透過表示領域32との境界領
域の全てに重なるように遮光膜9が矩形の枠状に形成さ
れている。またこの遮光膜9は約9μmの幅で、平面視
したときに斜面60が遮光膜9に含まれるように形成さ
れている。このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。Here, in the layer thickness adjusting layer 6, an obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed at the boundary between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32. Therefore, in the present embodiment, the light shielding film 9 is formed in a rectangular frame shape on the second substrate 20 so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 when viewed in a plan view. . The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view. As described above, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32, as in the first embodiment.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display.
【0086】[実施の形態6]本実施形態の液晶装置
は、実施の形態1に係る液晶装置の第1の基板10上に
形成される画素電極の構成及びカラーフィルタの配置を
変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては
図1(a)と同様であるため流用し、そのA−A′断面
図のみ図6に示す。なお、B−B′断面図は図6と同様
であるため、省略している。また、図6示す画素領域
も、実施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
TFDおよびTFTのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。[Embodiment 6] The liquid crystal device of this embodiment is obtained by modifying the configuration of the pixel electrodes and the arrangement of color filters formed on the first substrate 10 of the liquid crystal device according to Embodiment 1. However, the plan view of the pixel region is the same as that in FIG. 1A, so that it is also used, and only the AA ′ cross-sectional view is shown in FIG. The cross-sectional view taken along the line BB 'is similar to that shown in FIG. In addition, the pixel region shown in FIG. 6 is, as in the first embodiment, a non-linear element for pixel switching in the active matrix liquid crystal device.
A common portion is extracted and shown regardless of whether TFD or TFT is used.
【0087】ここに示す液晶装置1は、画素電極11
T,11Rが表面に形成された透明な第1の基板10
と、第1の基板10と対向する面側に第2の透明電極2
1が形成された透明な第2の基板20と、第1の基板1
0と第2の基板20との間に保持されたTNモードの液
晶からなる液晶層50とを有しており、画素電極11
T,11Rと第2の透明電極21とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域3となっている。また、画
素領域3は、平面的には遮光膜90や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口40に配置され
る。The liquid crystal device 1 shown here has a pixel electrode 11
Transparent first substrate 10 having T and 11R formed on its surface
And the second transparent electrode 2 on the side facing the first substrate 10.
Transparent second substrate 20 on which 1 is formed, and the first substrate 1
0 and the second substrate 20 and a liquid crystal layer 50 made of a TN mode liquid crystal and held between the pixel electrode 11 and the second electrode 20.
A region where T, 11R and the second transparent electrode 21 face each other is a pixel region 3 that directly contributes to display. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view. It is arranged in the opening 40.
【0088】ここで、第1の基板10の表面に形成され
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極11Rと、ITO等からなる第1の透明電極11
Tとから構成されている。この光反射電極11Rは画素
領域3の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口40の内側に第1の透明電極11Tが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域3におい
て、光反射電極11Rが形成されている領域は反射表示
領域31となっているが、開口40に相当する領域は、
光反射電極11Rが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域32になっている。Here, the pixel electrode formed on the surface of the first substrate 10 is a light reflecting electrode 11R made of an aluminum film or a silver alloy film, and a first transparent electrode 11 made of ITO or the like.
It is composed of T and T. The light reflection electrode 11R is arranged in a rectangular frame shape along the outer periphery of the pixel region 3, and the first transparent electrode 11T is arranged inside the opening 40 in the central portion. That is, in this embodiment, the light reflection layer is also used as the pixel electrode. Therefore, in the pixel region 3, the region where the light reflecting electrode 11R is formed is the reflective display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is
The island-shaped and rectangular transmissive display region 32 is formed without the light reflection electrode 11R.
【0089】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、本形態では、第2の基板20上に、反射
表示領域31および透過表示領域32の各々に反射表示
用カラーフィルタ81および透過表示用カラーフィルタ
82が形成されており、カラー表示を可能としている。
そして、このカラーフィルタ81,82の上に上記の第
2の透明電極21が形成されている。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. Further, in the present embodiment, the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, respectively, on the second substrate 20 to enable color display. There is.
Then, the second transparent electrode 21 is formed on the color filters 81 and 82.
【0090】本形態では、画素電極11R,11Tの下
層側に、透過表示領域32に相当する領域が開口61と
なっている感光性樹脂層からなる層厚調整層6が形成さ
れている。従って、透過表示領域32では、反射表示領
域31と比較して、層厚調整層6の膜厚分だけ、液晶層
50の層厚dが大きいので、透過表示光および反射表示
光の双方に対してリターデーションΔn・dが最適化さ
れている。ここで、層厚調整層6には、反射表示領域3
1と透過表示領域32との境界部分に、斜め上向きの斜
面60が8μmの幅をもって形成されている。そこで、
本形態では、第1の基板10において、平面視したとき
に反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域の
全てに重なるように遮光膜9が矩形の枠状に形成されて
いる。またこの遮光膜9は約9μmの幅で、平面視した
ときに斜面60が遮光膜9に含まれるように形成されて
いる。In this embodiment, the layer thickness adjusting layer 6 made of a photosensitive resin layer having the opening 61 in the region corresponding to the transmissive display region 32 is formed below the pixel electrodes 11R and 11T. Therefore, in the transmissive display region 32, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is larger than that in the reflective display region 31 by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6, and therefore, for both the transmissive display light and the reflective display light. Retardation Δn · d is optimized. Here, the layer thickness adjusting layer 6 includes the reflective display region 3
An obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed at the boundary between the transparent display area 32 and the transparent display area 32. Therefore,
In the present embodiment, the light shielding film 9 is formed in a rectangular frame shape on the first substrate 10 so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 when seen in a plan view. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view.
【0091】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態6では遮光膜9は第1の基
板10側に形成されているが、実施の形態5のように第
2の基板20側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。As described above, in this embodiment, the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, as in the first embodiment.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display. Although the light shielding film 9 is formed on the first substrate 10 side in the sixth embodiment described above, it may be formed on the second substrate 20 side as in the fifth embodiment, and the same applies in this case. The effect of can be obtained.
【0092】[実施の形態7]本実施形態の液晶装置
は、実施の形態1に係る液晶装置の層厚調整層6の配置
を変形したものであり、その画素領域の平面図に関して
は図1(a)と同様であるため流用し、そのA−A′断
面図のみ図7に示す。なお、B−B′断面図は図7と同
様であるため、省略している。また、図7示す画素領域
も、実施の形態1と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
TFDおよびTFTのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。[Embodiment 7] The liquid crystal device of this embodiment is obtained by modifying the arrangement of the layer thickness adjusting layer 6 of the liquid crystal device according to Embodiment 1, and FIG. Since it is similar to (a), it is diverted, and only the AA 'sectional view is shown in FIG. The sectional view taken along the line BB 'is similar to that of FIG. In addition, the pixel region shown in FIG. 7 is also a nonlinear element for pixel switching in the active matrix liquid crystal device, as in the first embodiment.
A common portion is extracted and shown regardless of whether TFD or TFT is used.
【0093】ここに示す液晶装置1も、第1の透明電極
11が表面に形成された透明な第1の基板10と、第1
の電極11と対向する面側に第2の透明電極21が形成
された透明な第2の基板20と、第1の基板10と第2
の基板20との間に保持されたTNモードの液晶からな
る液晶層50とを有しており、第1の透明電極11と第
2の透明電極21とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域3となっている。また、画素領域3は、平
面的には遮光膜90や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第1の基板10には、第1の
透明電極11と第2の透明電極21とが対向する矩形の
画素領域3に反射表示領域31を構成する矩形の光反射
層4がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層4の中央には矩形の開口40が形成されてい
る。このため、画素領域3において、光反射層4が形成
されている領域は反射表示領域31となっているが、開
口40に相当する領域は、光反射層4が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域32になっている。The liquid crystal device 1 shown here also includes a transparent first substrate 10 having a first transparent electrode 11 formed on the surface thereof, and a first transparent substrate 10.
Transparent second substrate 20 having a second transparent electrode 21 formed on the side facing the electrode 11 of the first substrate 10, the second substrate 20, and the second substrate 20.
A liquid crystal layer 50 made of TN mode liquid crystal held between the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 and directly contributing to the display. It is a pixel region 3 which is to be operated. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view. Then, on the first substrate 10, the rectangular light reflection layer 4 constituting the reflective display area 31 is formed of an aluminum film in the rectangular pixel area 3 where the first transparent electrode 11 and the second transparent electrode 21 face each other. It is formed of a silver alloy film, and a rectangular opening 40 is formed in the center of the light reflection layer 4. Therefore, in the pixel region 3, the region in which the light reflection layer 4 is formed is the reflection display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is island-shaped in which the light reflection layer 4 is not formed, and , A rectangular transparent display area 32.
【0094】なお、第1の基板10および第2の基板2
0の各々の外側の面には偏光板41、42が配置され、
偏光板41の側にはバックライト装置7が対向配置され
ている。また、第1の基板10上には、反射表示領域3
1および透過表示領域32の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ81および透過表示用カラーフィルタ82が形成
されているので、カラー表示が可能である。The first substrate 10 and the second substrate 2
Polarizing plates 41 and 42 are disposed on the outer surface of each of 0,
The backlight device 7 is arranged to face the polarizing plate 41. In addition, the reflective display area 3 is formed on the first substrate 10.
Since the reflective display color filter 81 and the transmissive display color filter 82 are formed in each of 1 and the transmissive display area 32, color display is possible.
【0095】本形態では、第2の基板20において、第
2の透明電極21の下層側に、透過表示領域32に相当
する領域が開口61となっている感光性樹脂層からなる
層厚調整層6が形成されている。従って、透過表示領域
32では、反射表示領域31と比較して、層厚調整層6
の膜厚分だけ、液晶層50の層厚dが大きいので、透過
表示光および反射表示光の双方に対してリターデーショ
ンΔn・dが最適化されている。ここで、層厚調整層6
には、反射表示領域31と透過表示領域32との境界部
分に、斜め上向きの斜面60が8μmの幅をもって形成
されている。そこで、本形態では、第1の基板10にお
いて、平面視したときに反射表示領域31と透過表示領
域32との境界領域の全てに重なるように遮光膜9が矩
形の枠状に形成されている。またこの遮光膜9は約9μ
mの幅で、平面視したときに斜面60が遮光膜9に含ま
れるように形成されている。In the present embodiment, in the second substrate 20, a layer thickness adjusting layer made of a photosensitive resin layer in which a region corresponding to the transmissive display region 32 has an opening 61 below the second transparent electrode 21. 6 is formed. Therefore, in the transmissive display area 32, as compared with the reflective display area 31, the layer thickness adjusting layer 6
Since the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is large by the film thickness of, the retardation Δn · d is optimized for both the transmitted display light and the reflected display light. Here, the layer thickness adjusting layer 6
At the boundary portion between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32, an obliquely upward slope 60 having a width of 8 μm is formed. Therefore, in the present embodiment, the light shielding film 9 is formed in a rectangular frame shape on the first substrate 10 so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32 when viewed in a plan view. . The light-shielding film 9 has a thickness of about 9μ.
The width of m is formed so that the inclined surface 60 is included in the light shielding film 9 when viewed in a plan view.
【0096】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態7では遮光膜9は第1の基
板10側に形成されているが、実施の形態5のように第
2の基板20側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。As described above, in this embodiment, as in the first embodiment, the light shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display. Although the light-shielding film 9 is formed on the first substrate 10 side in the seventh embodiment, it may be formed on the second substrate 20 side as in the fifth embodiment, and the same applies in this case. The effect of can be obtained.
【0097】[実施の形態8]本実施形態の液晶装置
は、実施の形態6に係る液晶装置の層厚調整層,遮光膜
9及び層厚調整層6の配置を変形したものであり、その
画素領域の平面図に関しては図1(a)と同様であるた
め流用し、そのA−A′断面図のみ図8に示す。なお、
B−B′断面図は図8と同様であるため、省略してい
る。また、図8示す画素領域も、実施の形態1と同様、
アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチ
ング用の非線形素子として、TFDおよびTFTのいず
れを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してあ
る。[Embodiment 8] The liquid crystal device of this embodiment is obtained by modifying the arrangement of the layer thickness adjusting layer, the light shielding film 9 and the layer thickness adjusting layer 6 of the liquid crystal device according to the sixth embodiment. The plan view of the pixel region is the same as that of FIG. 1A and is therefore used. Only the cross-sectional view along the line AA ′ is shown in FIG. In addition,
The cross-sectional view taken along the line BB 'is similar to that in FIG. The pixel region shown in FIG. 8 is also the same as in the first embodiment.
In the active matrix type liquid crystal device, a portion common to both TFD and TFT is used as a nonlinear element for pixel switching.
【0098】ここに示す液晶装置1は、画素電極11
T,11Rが表面に形成された透明な第1の基板10
と、第1の基板10と対向する面側に第2の透明電極2
1が形成された透明な第2の基板20と、第1の基板1
0と第2の基板20との間に保持されたTNモードの液
晶からなる液晶層50とを有しており、画素電極11
T,11Rと第2の透明電極21とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域3となっている。また、画
素領域3は、平面的には遮光膜90や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口40に配置され
る。The liquid crystal device 1 shown here has a pixel electrode 11
Transparent first substrate 10 having T and 11R formed on its surface
And the second transparent electrode 2 on the side facing the first substrate 10.
Transparent second substrate 20 on which 1 is formed, and the first substrate 1
0 and the second substrate 20 and a liquid crystal layer 50 made of a TN mode liquid crystal and held between the pixel electrode 11 and the second electrode 20.
A region where T, 11R and the second transparent electrode 21 face each other is a pixel region 3 that directly contributes to display. Further, the pixel region 3 is in a state of being surrounded by the light shielding film 90 and the light shielding wiring in a plan view. It is arranged in the opening 40.
【0099】ここで、第1の基板10の表面に形成され
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極11Rと、ITO等からなる第1の透明電極11
Tとから構成されている。この光反射電極11Rは画素
領域3の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口40の内側に第1の透明電極11Tが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域3におい
て、光反射電極11Rが形成されている領域は反射表示
領域31となっているが、開口40に相当する領域は、
光反射電極11Rが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域32になっている。なお、第1の基板1
0および第2の基板20の各々の外側の面には偏光板4
1、42が配置され、偏光板41の側にはバックライト
装置7が対向配置されている。また、本形態では、第2
の基板20上に、反射表示領域31および透過表示領域
32の各々に反射表示用カラーフィルタ81および透過
表示用カラーフィルタ82が形成され、カラー表示が可
能となっている。Here, the pixel electrode formed on the surface of the first substrate 10 is a light reflecting electrode 11R made of an aluminum film or a silver alloy film and a first transparent electrode 11 made of ITO or the like.
It is composed of T and T. The light reflection electrode 11R is arranged in a rectangular frame shape along the outer periphery of the pixel region 3, and the first transparent electrode 11T is arranged inside the opening 40 in the central portion. That is, in this embodiment, the light reflection layer is also used as the pixel electrode. Therefore, in the pixel region 3, the region where the light reflecting electrode 11R is formed is the reflective display region 31, but the region corresponding to the opening 40 is
The island-shaped and rectangular transmissive display region 32 is formed without the light reflection electrode 11R. The first substrate 1
0 and the second substrate 20 has a polarizing plate 4 on the outer surface of each.
1, 42 are arranged, and the backlight device 7 is arranged opposite to the polarizing plate 41 side. In the present embodiment, the second
A color filter 81 for reflective display and a color filter 82 for transmissive display are formed in each of the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 on the substrate 20 to enable color display.
【0100】本形態では、第2の基板20において、第
2の透明電極21の下層側、かつ、カラーフィルタ8
1,82の上層側に、透過表示領域32に相当する領域
が開口61となっている感光性樹脂層からなる層厚調整
層6が形成されている。従って、透過表示領域32で
は、反射表示領域31と比較して、層厚調整層6の膜厚
分だけ、液晶層50の層厚dが大きいので、透過表示光
および反射表示光の双方に対してリターデーションΔn
・dが最適化されている。ここで、層厚調整層6には、
反射表示領域31と透過表示領域32との境界部分に、
斜め上向きの斜面60が8μmの幅をもって形成されて
いる。そこで、本形態では、第2の基板20において、
平面視したときに反射表示領域31と透過表示領域32
との境界領域の全てに重なるように遮光膜9が矩形の枠
状に形成されている。またこの遮光膜9は約9μmの幅
で、平面視したときに斜面60が遮光膜9に含まれるよ
うに形成されている。In this embodiment, on the second substrate 20, the lower layer side of the second transparent electrode 21 and the color filter 8 are provided.
A layer thickness adjusting layer 6 made of a photosensitive resin layer having an opening 61 in a region corresponding to the transmissive display region 32 is formed on the upper layer side of the first and second layers 82. Therefore, in the transmissive display region 32, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is larger than that in the reflective display region 31 by the film thickness of the layer thickness adjusting layer 6, and therefore, for both the transmissive display light and the reflective display light. Retardation Δn
-D is optimized. Here, in the layer thickness adjusting layer 6,
At the boundary between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32,
An obliquely upward slope 60 is formed with a width of 8 μm. Therefore, in the present embodiment, in the second substrate 20,
The reflective display area 31 and the transmissive display area 32 when viewed in a plan view.
The light-shielding film 9 is formed in a rectangular frame shape so as to overlap the entire boundary area between the light-shielding film 9 and the light-shielding film 9. The light-shielding film 9 has a width of about 9 μm and is formed so that the slope 60 is included in the light-shielding film 9 when seen in a plan view.
【0101】このように本形態では、実施の形態1と同
様、反射表示領域31と透過表示領域32との境界領域
の全てに重なるように遮光膜9が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域31と透過表示領域32との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態7では遮光膜9は第1の基
板10側に形成されているが、実施の形態5のように第
2の基板20側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。As described above, in the present embodiment, the light-shielding film 9 is formed so as to overlap the entire boundary region between the reflective display region 31 and the transmissive display region 32, as in the first embodiment.
The same effects as those of the first embodiment can be obtained, such as the occurrence of a defect such as light leakage at the boundary area between the reflective display area 31 and the transmissive display area 32 during black display. Although the light-shielding film 9 is formed on the first substrate 10 side in the seventh embodiment, it may be formed on the second substrate 20 side as in the fifth embodiment, and the same applies in this case. The effect of can be obtained.
【0102】[実施の形態9]次に、実施の形態1ない
し8に係る構成が採用されるTFDアクティブマトリク
ス型液晶装置の構成を説明する。[Ninth Embodiment] Next, the structure of a TFD active matrix type liquid crystal device adopting the structure according to the first to eighth embodiments will be described.
【0103】図9は、液晶装置の電気的構成を模式的に
示すブロック図である。図10は、この液晶装置の構造
を示す分解斜視図である。図11は、液晶装置において
液晶を挟持する1対の基板のうち、素子基板における1
画素分の平面図である。図12(A)、(B)はそれぞ
れ、図11のIII−III′線断面図、および各画素に形成
されているTFD素子の斜視図である。FIG. 9 is a block diagram schematically showing the electrical configuration of the liquid crystal device. FIG. 10 is an exploded perspective view showing the structure of this liquid crystal device. FIG. 11 shows one of the pair of substrates that sandwich the liquid crystal in the liquid crystal device, which is one of the element substrates.
It is a top view of a pixel portion. 12A and 12B are a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 11 and a perspective view of the TFD element formed in each pixel, respectively.
【0104】図9に示す液晶装置100では、複数の配
線としての走査線151が行方向(X方向)に形成さ
れ、複数のデータ線152が列方向(Y方向)に形成さ
れている。走査線151とデータ線152との各交差点
に対応する位置には画素153が形成され、この画素1
53では、液晶層154と、画素スイッチング用のTF
D素子156(非線形素子)とが直列に接続されてい
る。各走査線151は走査線駆動回路157によって駆
動され、各データ線152はデータ線駆動回路158に
よって駆動される。In the liquid crystal device 100 shown in FIG. 9, the scanning lines 151 as a plurality of wirings are formed in the row direction (X direction), and the plurality of data lines 152 are formed in the column direction (Y direction). A pixel 153 is formed at a position corresponding to each intersection of the scanning line 151 and the data line 152.
53, the liquid crystal layer 154 and the TF for pixel switching.
The D element 156 (non-linear element) is connected in series. Each scanning line 151 is driven by the scanning line driving circuit 157, and each data line 152 is driven by the data line driving circuit 158.
【0105】このような構成のアクティブマトリクス方
式の液晶装置100は、図10に示すように、液晶10
6を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板120
では、複数本の走査線151が延びており、各走査線1
51には、TFD素子156を介して、画素電極166
が電気的に接続している。これに対して、対向基板11
0には、素子基板120の走査線151と交差する方向
に延びた複数列の帯状のデータ線152がITO膜によ
って形成され、各データ線152の間にはブラックスト
ライプと称せられる遮光膜159が形成されている。従
って、画素電極166の周りは、平面的には、遮光膜1
59および走査線151で囲まれた状態にある。As shown in FIG. 10, the active matrix type liquid crystal device 100 having the above structure has the liquid crystal 10
Of the pair of transparent substrates holding 6 the element substrate 120
In, a plurality of scanning lines 151 extend and each scanning line 1
51 to the pixel electrode 166 via the TFD element 156.
Are electrically connected. On the other hand, the counter substrate 11
At 0, a plurality of columns of band-shaped data lines 152 extending in a direction intersecting with the scanning lines 151 of the element substrate 120 are formed of an ITO film, and a light-shielding film 159 called a black stripe is provided between the data lines 152. Has been formed. Therefore, around the pixel electrode 166, the light-shielding film 1 is planarly viewed.
It is surrounded by 59 and the scanning line 151.
【0106】なお、液晶106として通常のTNモード
の液晶106が用いられ、この種の液晶106は、光の
偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基
板110および素子基板120の各外側表面には偏光板
108、109が重ねて配置される。また、偏光板10
8の側にはバックライト装置103が対向配置される。A normal TN mode liquid crystal 106 is used as the liquid crystal 106. Since this type of liquid crystal 106 performs light modulation by changing the polarization direction of light, it is located outside the counter substrate 110 and the element substrate 120. Polarizing plates 108 and 109 are arranged so as to overlap each other on the surface. In addition, the polarizing plate 10
A backlight device 103 is arranged to face 8 side.
【0107】なお、ここに示す例では、素子基板120
に走査線151を形成し、対向基板10にデータ線15
2を形成したが、素子基板120にデータ線を形成し、
対向基板110に走査線を形成してもよい。In the example shown here, the element substrate 120
Scan lines 151 are formed on the counter substrate 10 and the data lines 15 are formed on the counter substrate 10.
2 is formed, the data line is formed on the element substrate 120,
Scanning lines may be formed on the counter substrate 110.
【0108】TFD素子156は、例えば、図11およ
び図12(A)、(B)に示すように、素子基板120
の表面に成膜された下地層161の上に形成された第1
のTFD素子156a、および第2のTFD素子156
bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるB
ack−to−Back構造として構成されている。こ
のため、TFD素子156は、電流−電圧の非線形特性
が正負双方向にわたって対称化されている。下地層16
1は、例えば、厚さが50nm〜200nm程度の酸化
タンタル(Ta2O5)によって構成されている。The TFD element 156 may be used in the element substrate 120 as shown in FIGS. 11 and 12A and 12B, for example.
Formed on the underlayer 161 formed on the surface of the
TFD element 156a and second TFD element 156
By the two TFD element elements consisting of b, so-called B
It is configured as an ack-to-back structure. Therefore, in the TFD element 156, the non-linear current-voltage characteristics are symmetrical in both positive and negative directions. Underlayer 16
1 is made of, for example, tantalum oxide (Ta2O5) having a thickness of about 50 nm to 200 nm.
【0109】第1のTFD素子156a、および第2の
TFD素子156bは、第1の金属膜162と、この第
1の金属膜162の表面に形成された絶縁膜163と、
絶縁膜163の表面に互いに離間して形成された第2の
金属膜164a、164bとによって構成されている。
第1の金属膜162は、例えば、厚さが100nm〜5
00nm程度のTa単体膜、あるいはTa−W(タング
ステン)合金膜などのTa合金膜によって形成され、絶
縁膜163は、例えば、陽極酸化法によって第1の金属
膜162の表面を酸化することによって形成された厚さ
が10nm〜35nmの酸化タンタル(Ta2O5)であ
る。Each of the first TFD element 156a and the second TFD element 156b includes a first metal film 162, an insulating film 163 formed on the surface of the first metal film 162,
The second metal films 164a and 164b are formed on the surface of the insulating film 163 so as to be separated from each other.
The first metal film 162 has, for example, a thickness of 100 nm to 5 nm.
The insulating film 163 is formed of a simple Ta film of about 00 nm or a Ta alloy film such as a Ta-W (tungsten) alloy film, and the insulating film 163 is formed by, for example, oxidizing the surface of the first metal film 162 by an anodic oxidation method. It is tantalum oxide (Ta2O5) having a thickness of 10 nm to 35 nm.
【0110】第2の金属膜164a、164bは、クロ
ム(Cr)等といった遮光性の金属膜によって50nm
〜300nm程度の厚さに形成されている。第2の金属
膜164aは、そのまま走査線151となり、他方の第
2の金属膜164bは、ITOなどからなる画素電極1
66に接続されている。The second metal films 164a and 164b are made of a light-shielding metal film such as chromium (Cr) and have a thickness of 50 nm.
It is formed to a thickness of about 300 nm. The second metal film 164a serves as the scanning line 151 as it is, and the other second metal film 164b serves as the pixel electrode 1 made of ITO or the like.
It is connected to 66.
【0111】このように構成した液晶装置100におい
て、画素電極166とデータ線152とが対向している
領域が実施の形態1ないし8で説明した画素領域3とな
る。従って、素子基板120、対向基板110、画素電
極166、およびデータ線152はそれぞれ、実施の形
態1ないし8における第1の基板10、第2の基板2
0、第1の電極11、および第2の電極21に相当し、
画素電極166の下層側に、図1ないし図4を参照して
説明した反射膜4、遮光膜9、反射表示用カラーフィル
タ81、透過表示用カラーフィルタ82、および層厚調
整層6が形成されることになる。In the liquid crystal device 100 thus configured, the region where the pixel electrode 166 and the data line 152 face each other is the pixel region 3 described in the first to eighth embodiments. Therefore, the element substrate 120, the counter substrate 110, the pixel electrode 166, and the data line 152 are respectively the first substrate 10 and the second substrate 2 in the first to eighth embodiments.
0, the first electrode 11, and the second electrode 21,
The reflective film 4, the light shielding film 9, the reflective display color filter 81, the transmissive display color filter 82, and the layer thickness adjusting layer 6 described with reference to FIGS. 1 to 4 are formed on the lower layer side of the pixel electrode 166. Will be.
【0112】ここで、実施の形態4で説明した構成を液
晶装置100に適用する場合には、走査線151を跨ぐ
ように画素電極166を形成し、走査線151を挟む両
側の一方を透過表示領域31とし、他方を透過表示領域
32とすれば、その境界領域に沿って走査線151が形
成されることになる。従って、走査線151を、図4に
示した遮光膜9として利用することができる。Here, when the structure described in the fourth embodiment is applied to the liquid crystal device 100, the pixel electrode 166 is formed so as to straddle the scanning line 151, and one of both sides sandwiching the scanning line 151 is transparently displayed. If the area 31 is set and the other is set as the transmissive display area 32, the scanning lines 151 are formed along the boundary area. Therefore, the scanning line 151 can be used as the light shielding film 9 shown in FIG.
【0113】また、液晶装置100において、素子基板
120、対向基板、画素電極166、およびデータ線1
52をそれぞれ、実施の形態1ないし8における第2の
基板20、第1の基板10、第2の電極21、および第
1の電極11としてもよい。この場合には、データ線1
52の下層側に、図1ないし図4を参照して説明した反
射膜4、遮光膜9、反射表示用カラーフィルタ81、透
過表示用カラーフィルタ82、および層厚調整層6が形
成されることになり、対向基板200にバックライト装
置163が対向配置されることになる。In the liquid crystal device 100, the element substrate 120, the counter substrate, the pixel electrode 166, and the data line 1 are also provided.
52 may be the second substrate 20, the first substrate 10, the second electrode 21, and the first electrode 11 in the first to eighth embodiments, respectively. In this case, data line 1
On the lower layer side of 52, the reflective film 4, the light shielding film 9, the reflective display color filter 81, the transmissive display color filter 82, and the layer thickness adjusting layer 6 described with reference to FIGS. 1 to 4 are formed. Thus, the backlight device 163 is arranged to face the counter substrate 200.
【0114】[実施の形態10]次に、実施の形態1な
いし8に係る構成が採用されるTFTアクティブマトリ
クス型液晶装置の構成を説明する。[Embodiment 10] Next, the structure of a TFT active matrix type liquid crystal device adopting the structure according to Embodiments 1 to 8 will be described.
【0115】図13は、TFTアクティブマトリクス型
液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平
面図であり、図14は、図13のH−H′断面図であ
る。図15は、液晶装置の画像表示領域においてマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路図である。FIG. 13 is a plan view of the TFT active matrix type liquid crystal device together with the respective components as seen from the side of the counter substrate, and FIG. 14 is a sectional view taken along line HH 'of FIG. FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix in the image display area of the liquid crystal device.
【0116】図13および図14において、本形態の液
晶装置200は、TFTアレイ基板210と対向基板2
20とがシール材252によって貼り合わされ、このシ
ール材252によって区画された領域(液晶封入領域)
内には、電気光学物質としての液晶250が挟持されて
いる。TFTアレイ基板210および対向基板220の
各々には偏光板288、289が配置され、偏光板28
8の側に対してはバックライト装置290が対向配置さ
れている。In FIGS. 13 and 14, the liquid crystal device 200 of this embodiment has a TFT array substrate 210 and a counter substrate 2.
20 is bonded by a sealing material 252, and the area defined by the sealing material 252 (liquid crystal filled area)
A liquid crystal 250 as an electro-optical material is sandwiched inside. Polarizing plates 288 and 289 are arranged on the TFT array substrate 210 and the counter substrate 220, respectively.
The backlight device 290 is arranged so as to face the No. 8 side.
【0117】シール材252の形成領域の内側領域に
は、遮光性材料からなる周辺見切り253が形成されて
いる。シール材252の外側の領域には、データ線駆動
回路301、および実装端子302がTFTアレイ基板
210の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接
する2辺に沿って走査線駆動回路304が形成されてい
る。TFTアレイ基板210の残る一辺には、画像表示
領域の両側に設けられた走査線駆動回路304の間をつ
なぐための複数の配線305が設けられており、更に、
周辺見切り253の下などを利用して、プリチャージ回
路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板
220のコーナー部の少なくとも1箇所においては、T
FTアレイ基板210と対向基板220との間で電気的
導通をとるための基板間導通材306が形成されてい
る。A peripheral partition 253 made of a light-shielding material is formed inside the area where the sealing material 252 is formed. A data line driving circuit 301 and a mounting terminal 302 are formed along a side of the TFT array substrate 210 in a region outside the sealing material 252, and the scanning line driving circuit 304 is formed along two sides adjacent to the side. Are formed. A plurality of wirings 305 for connecting the scanning line driving circuits 304 provided on both sides of the image display area are provided on the remaining one side of the TFT array substrate 210.
A precharge circuit or an inspection circuit may be provided under the peripheral partition 253. Further, at least at one corner of the counter substrate 220, T
An inter-substrate conductive material 306 is formed for electrical conduction between the FT array substrate 210 and the counter substrate 220.
【0118】なお、データ線駆動回路301および走査
線駆動回路304をTFTアレイ基板210の上に形成
する代わりに、たとえば、駆動用LSIが実装されたT
AB(テープ オートメイテッド、ボンディング)基板
をTFTアレイ基板210の周辺部に形成された端子群
に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接
続するようにしてもよい。なお、本形態の液晶装置20
0でも、液晶50はTNモードで使用されている。Instead of forming the data line driving circuit 301 and the scanning line driving circuit 304 on the TFT array substrate 210, for example, a driving LSI mounted on a T
An AB (tape automated, bonding) substrate may be electrically and mechanically connected to a terminal group formed in the peripheral portion of the TFT array substrate 210 via an anisotropic conductive film. The liquid crystal device 20 of the present embodiment
Even at 0, the liquid crystal 50 is used in the TN mode.
【0119】このような構造を有する液晶装置200の
画像表示領域においては、図15に示すように、複数の
画素200aがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素200aの各々には、画素電極209
a、およびこの画素電極209aを駆動するための画素
スイッチング用のTFT230が形成されており、画素
信号S1、S2・・・Snを供給するデータ線206a
が当該TFT230のソースに電気的に接続されてい
る。データ線206aに書き込む画素信号S1、S2・
・・Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線206a同士に対して、グル
ープ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT23
0のゲートには走査線203aが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線203aにパルス的に
走査信号G1、G2・・・Gmをこの順に線順次で印加
するように構成されている。画素電極209aは、TF
T230のドレインに電気的に接続されており、スイッ
チング素子であるTFT230を一定期間だけそのオン
状態とすることにより、データ線206aから供給され
る画素信号S1、S2・・・Snを各画素に所定のタイ
ミングで書き込む。このようにして画素電極209aを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、
S2、・・・Snは、図14に示す対向基板220の対
向電極221との間で一定期間保持される。In the image display area of the liquid crystal device 200 having such a structure, as shown in FIG. 15, a plurality of pixels 200a are arranged in a matrix, and each of the pixels 200a has a pixel. Electrode 209
a and a pixel switching TFT 230 for driving the pixel electrode 209a are formed, and a data line 206a for supplying the pixel signals S1, S2 ... Sn.
Are electrically connected to the source of the TFT 230. Pixel signals S1 and S2 to be written in the data line 206a
..Sn may be supplied line-sequentially in this order,
The data lines 206a adjacent to each other may be supplied for each group. In addition, the TFT 23
The scanning line 203a is electrically connected to the gate of 0, and is configured to apply the scanning signals G1, G2 ... Gm to the scanning line 203a in a pulse-sequential order in this order at a predetermined timing. ing. The pixel electrode 209a is TF
The pixel signal S1, S2 ... Sn supplied from the data line 206a is predetermined for each pixel by being electrically connected to the drain of T230 and turning on the TFT 230 which is a switching element for a certain period. Write at the timing of. In this way, the pixel signal S1 of a predetermined level written in the liquid crystal through the pixel electrode 209a,
S2, ... Sn are held for a certain period between the counter electrode 221 of the counter substrate 220 shown in FIG.
【0120】ここで、液晶250は、印加される電圧レ
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶250の部分を通過する光量が低下し、ノー
マリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じ
て入射光がこの液晶250の部分を通過する光量が増大
していく。その結果、全体として液晶装置200からは
画素信号S1、S2、・・・Snに応じたコントラスト
を持つ光が出射される。Here, the liquid crystal 250 modulates the light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, and enables gradation display. In the normally white mode, the amount of incident light passing through the liquid crystal 250 decreases depending on the applied voltage, and in the normally black mode, the incident light changes according to the applied voltage. The amount of light passing through the liquid crystal 250 increases. As a result, light having a contrast according to the pixel signals S1, S2, ... Sn is emitted from the liquid crystal device 200 as a whole.
【0121】なお、保持された画素信号S1、S2、・
・・Snがリークするのを防ぐために、画素電極209
aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積
容量260を付加することがある。例えば、画素電極2
09aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3
桁も長い時間だけ蓄積容量260により保持される。こ
れにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比
の高い液晶装置200が実現できる。なお、蓄積容量2
60を形成する方法としては、図15に例示するよう
に、蓄積容量260を形成するための配線である容量線
203bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線
203aとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。The pixel signals S1, S2, ...
..Pixel electrode 209 to prevent Sn from leaking
A storage capacitor 260 may be added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between a and the counter electrode. For example, the pixel electrode 2
The voltage of 09a is 3 times longer than the time when the source voltage is applied.
The storage capacity 260 holds the digit for a long time. As a result, the charge retention characteristics are improved, and the liquid crystal device 200 having a high contrast ratio can be realized. In addition, storage capacity 2
As a method of forming the capacitor 60, as illustrated in FIG. 15, it is formed between the capacitor line 203b which is a wiring for forming the storage capacitor 260 or between the scan line 203a of the previous stage. Either case may be used.
【0122】図16(A)、(B)はそれぞれ、図13
に示す液晶装置において、実施の形態1ないし3又は5
ないし8に係る構成を適用したTFTアレイ基板に形成
された各画素の構成を示す平面図、および実施の形態4
に係る構成を適用したTFTアレイ基板に形成された各
画素の構成を示す平面図である。図17は、本形態の液
晶装置の画素の一部を図16(A)、(B)のC−C′
線に相当する位置で切断したときの断面図である。16 (A) and 16 (B) are respectively shown in FIG.
In the liquid crystal device shown in FIG.
8 is a plan view showing the configuration of each pixel formed on the TFT array substrate to which the configurations according to Nos. 8 to 8 are applied, and Embodiment 4
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of each pixel formed on a TFT array substrate to which the configuration according to the above is applied. FIG. 17 shows a part of the pixel of the liquid crystal device of this embodiment, which is taken along the line CC ′ of FIGS.
It is sectional drawing when it cut | disconnects in the position corresponding to a line.
【0123】図16(A)において、図13に示す液晶
装置において、実施の形態1ないし3又は5ないし8に
係る構成を適用した場合、TFTアレイ基板210上に
は、複数の透明なITO(Indium Tin Ox
ide)膜からなる画素電極209aがマトリクス状に
形成されており、これら各画素電極209aに対して画
素スイッチング用のTFT230がそれぞれ接続してい
る。また、画素電極209aの縦横の境界に沿って、デ
ータ線206a、走査線203a、および容量線203
bが形成され、TFT230は、データ線206aおよ
び走査線203aに対して接続している。すなわち、デ
ータ線206aは、コンタクトホールを介してTFT2
30の高濃度ソース領域201dに電気的に接続し、画
素電極209aは、コンタクトホールを介してTFT2
03の高濃度ドレイン領域201eに電気的に接続して
いる。また、TFT230のチャネル領域201a′に
対向するように走査線203aが延びている。なお、蓄
積容量260は、画素スイッチング用のTFT230を
形成するための半導体膜201の延設部分201fを導
電化したものを下電極とし、この下電極241に、走査
線203bと同層の容量線203bが上電極として重な
った構造になっている。In FIG. 16A, when the structure according to the first to third or fifth to eighth embodiments is applied to the liquid crystal device shown in FIG. 13, a plurality of transparent ITO (on the TFT array substrate 210 is formed). Indium Tin Ox
The pixel electrodes 209a made of a (ide) film are formed in a matrix, and the pixel switching TFTs 230 are connected to the respective pixel electrodes 209a. Further, along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 209a, the data line 206a, the scanning line 203a, and the capacitor line 203.
b is formed, and the TFT 230 is connected to the data line 206a and the scanning line 203a. That is, the data line 206a is connected to the TFT 2 through the contact hole.
The pixel electrode 209a is electrically connected to the high-concentration source region 201d of the TFT 30, and the pixel electrode 209a is connected to the TFT 2 through the contact hole.
No. 03, the high concentration drain region 201e is electrically connected. Further, the scanning line 203a extends so as to face the channel region 201a 'of the TFT 230. Note that the storage capacitor 260 has a lower electrode that is obtained by making the extended portion 201f of the semiconductor film 201 for forming the pixel switching TFT 230 conductive, and the lower electrode 241 has a capacitance line in the same layer as the scanning line 203b. 203b has an overlapping structure as an upper electrode.
【0124】ここで、容量線203bは、走査線203
bの近傍で走査線203bに沿って延びた本線部分20
3b′と、この本線部分203b′からデータ線206
aに沿って突き出た突出部分203b″とから構成され
ている。Here, the capacitance line 203b is the scanning line 203.
The main line portion 20 extending along the scanning line 203b near b
3b 'and the data line 206 from this main line portion 203b'
It is composed of a protruding portion 203b ″ protruding along a.
【0125】但し、図13に示す液晶装置において、実
施の形態4に係る構成を適用した場合には、図12
(B)に示すように、容量線203bは、隣接する2本
の走査線203bの略中間位置で走査線203bに沿っ
て延びた本線部分203b′と、この本線部分203
b′からデータ線206aに沿って突き出た後、走査線
203bの近傍で走査線203bに沿って延びた突出部
分203b″とから構成される。この場合、容量線20
3bの本線部分203b′を挟む両側の一方を透過表示
領域31とし、他方を透過表示領域32とすれば、その
境界領域に沿って容量線3bが形成されることになる。
従って、容量線3bの本線部分203b′を、図4に示
した遮光膜9として利用することができる。However, when the configuration according to the fourth embodiment is applied to the liquid crystal device shown in FIG.
As shown in (B), the capacitance line 203b includes a main line portion 203b 'extending along the scanning line 203b at a substantially intermediate position between two adjacent scanning lines 203b, and this main line portion 203.
After protruding from b ′ along the data line 206a, a protruding portion 203b ″ extending along the scan line 203b in the vicinity of the scan line 203b is formed.
If one of both sides sandwiching the main line portion 203b 'of 3b is the transmissive display area 31 and the other is the transmissive display area 32, the capacitive line 3b is formed along the boundary area.
Therefore, the main line portion 203b 'of the capacitance line 3b can be used as the light shielding film 9 shown in FIG.
【0126】このように構成した液晶装置200におい
て、TFTアレイ基板210の表面には、厚さが50n
m〜100nmの島状の半導体膜201aが形成されて
いる。半導体膜201aの表面には、厚さが約50〜1
50nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜202
が形成され、このゲート絶縁膜202の表面に、厚さが
300nm〜800nmの走査線203aがゲート電極
として通っている。半導体膜201aのうち、走査線2
03aに対してゲート絶縁膜202を介して対峙する領
域がチャネル領域201a′になっている。このチャネ
ル領域201a′に対して一方側には、低濃度ソース領
域201bおよび高濃度ソース領域201dを備えるソ
ース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域2
01cおよび高濃度ドレイン領域201eを備えるドレ
イン領域が形成されている。In the liquid crystal device 200 having the above structure, the surface of the TFT array substrate 210 has a thickness of 50 n.
An island-shaped semiconductor film 201a having a thickness of m to 100 nm is formed. The surface of the semiconductor film 201a has a thickness of about 50 to 1
Gate insulating film 202 made of a 50 nm silicon oxide film
Is formed, and a scanning line 203a having a thickness of 300 nm to 800 nm passes through as a gate electrode on the surface of the gate insulating film 202. The scan line 2 of the semiconductor film 201a
A region facing 03a through the gate insulating film 202 is a channel region 201a '. A source region including a low concentration source region 201b and a high concentration source region 201d is formed on one side of the channel region 201a ', and a low concentration drain region 2 is formed on the other side.
01c and a high-concentration drain region 201e are formed.
【0127】画素スイッチング用のTFT230の表面
側には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化
膜からなる第1層間絶縁膜204、および厚さが100
nm〜300nmのシリコン窒化膜からなる第2層間絶
縁膜205が形成されている。第1層間絶縁膜204の
表面には、厚さが300nm〜800nmのデータ線2
06aが形成され、このデータ線206aは、第1層間
絶縁膜204に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ソース領域201dに電気的に接続している。On the front surface side of the pixel switching TFT 230, a first interlayer insulating film 204 made of a silicon oxide film having a thickness of 300 nm to 800 nm and a thickness of 100 are formed.
A second interlayer insulating film 205 made of a silicon nitride film having a thickness of 300 nm to 300 nm is formed. A data line 2 having a thickness of 300 nm to 800 nm is formed on the surface of the first interlayer insulating film 204.
06a is formed, and the data line 206a is electrically connected to the high-concentration source region 201d through a contact hole formed in the first interlayer insulating film 204.
【0128】第2層間絶縁膜205の上層には、ITO
膜からなる画素電極209aが形成されている。画素電
極209aは、第2層間絶縁膜205に形成されたコン
タクトホールなどを介してドレイン電極206bに電気
的に接続している。画素電極209aの表面側にはポリ
イミド膜からなる配向膜212が形成されている。この
配向膜212は、ポリイミド膜に対してラビング処理が
施された膜である。ITO is formed on the second interlayer insulating film 205.
A pixel electrode 209a made of a film is formed. The pixel electrode 209a is electrically connected to the drain electrode 206b via a contact hole or the like formed in the second interlayer insulating film 205. An alignment film 212 made of a polyimide film is formed on the surface side of the pixel electrode 209a. The alignment film 212 is a film obtained by rubbing a polyimide film.
【0129】また、高濃度ドレイン領域201eからの
延設部分201f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜
202と同時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して、
走査線203aと同層の容量線203bが上電極として
対向することにより、蓄積容量260が構成されてい
る。Further, with respect to the extended portion 201f (lower electrode) extending from the high-concentration drain region 201e, an insulating film (dielectric film) formed simultaneously with the gate insulating film 202 is interposed,
A storage capacitor 260 is formed by the scanning line 203a and the capacitance line 203b in the same layer facing each other as an upper electrode.
【0130】なお、TFT230は、好ましくは上述の
ようにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域201
b、および低濃度ドレイン領域201cに相当する領域
に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を
有していてもよい。また、TFT230は、ゲート電極
(走査線203aの一部)をマスクとして高濃度で不純
物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよ
びドレイン領域を形成したセルフアライン型のTFTで
あってもよい。Although the TFT 230 preferably has the LDD structure as described above, the low concentration source region 201 is used.
An offset structure in which impurity ions are not implanted may be provided in the region corresponding to b and the low concentration drain region 201c. Further, the TFT 230 may be a self-aligned TFT in which high-concentration source and drain regions are formed in a self-aligned manner by implanting high-concentration impurity ions using the gate electrode (a part of the scanning line 203a) as a mask. .
【0131】また、本形態では、TFT230のゲート
電極(走査線203a)をソース−ドレイン領域の間に
1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これら
の間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。この
際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるよう
にする。このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、
あるいはトリプルゲート以上でTFT230を構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリー
ク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来
る。これらのゲート電極の少なくとも1個をLDD構造
或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減
でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。Further, in the present embodiment, only one gate electrode (scanning line 203a) of the TFT 230 is arranged between the source-drain regions, but a single gate structure is arranged, but two or more gate electrodes are arranged between them. You may. At this time, the same signal is applied to each gate electrode. In this way dual gate (double gate),
Alternatively, if the TFT 230 is composed of triple gates or more, it is possible to prevent a leak current at the junction between the channel and the source-drain region, and reduce the current when off. If at least one of these gate electrodes has an LDD structure or an offset structure, the off current can be further reduced, and a stable switching element can be obtained.
【0132】図17において、対向基板220では、T
FTアレイ基板210に形成されている画素電極209
aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜223が形成され、その上層側には、ITO膜からな
る対向電極221が形成されている。また、対向電極2
21の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜222
が形成され、この配向膜222は、ポリイミド膜に対し
てラビング処理が施された膜である。In FIG. 17, the counter substrate 220 has T
Pixel electrodes 209 formed on the FT array substrate 210
A light-shielding film 223 called a black matrix or a black stripe is formed in a region facing the vertical and horizontal boundary regions of a, and a counter electrode 221 made of an ITO film is formed above the light-shielding film 223. In addition, the counter electrode 2
An alignment film 222 made of a polyimide film is provided on the upper layer side of 21.
The alignment film 222 is formed by rubbing a polyimide film.
【0133】このように構成した液晶装置200におい
て、画素電極209aと対向電極221とが対向してい
る領域が実施の形態1ないし8で説明した画素領域3と
なる。従って、TFTアレイ基板210、対向基板22
0、画素電極209a、および対向電極221はそれぞ
れ、実施の形態1ないし8における第1の基板10、第
2の基板20、第1の電極11、および第2の電極21
に相当し、画素電極209aの下層側には、図1ないし
図4を参照して説明した反射膜4、遮光膜9、反射表示
用カラーフィルタ81、透過表示用カラーフィルタ8
2、および層厚調整層6が形成されることになる。In the liquid crystal device 200 having such a configuration, the region where the pixel electrode 209a and the counter electrode 221 face each other is the pixel region 3 described in the first to eighth embodiments. Therefore, the TFT array substrate 210 and the counter substrate 22
0, the pixel electrode 209a, and the counter electrode 221 are the first substrate 10, the second substrate 20, the first electrode 11, and the second electrode 21 in the first to eighth embodiments, respectively.
1 to 4, the reflective film 4, the light-shielding film 9, the reflective display color filter 81, and the transmissive display color filter 8 are disposed on the lower layer side of the pixel electrode 209a.
2 and the layer thickness adjusting layer 6 are formed.
【0134】また、液晶装置200において、TFTア
レイ基板210、対向基板220、画素電極209a、
および対向電極221をそれぞれ、実施の形態1ないし
8における第2の基板20、第1の基板10、第2の電
極21、および第1の電極11としてもよい。この場合
には、対向電極221の下層側に、図1ないし図8を参
照して説明した反射膜4、遮光膜9、反射表示用カラー
フィルタ81、透過表示用カラーフィルタ82、および
層厚調整層6が形成されることになり、対向基板200
にバックライト装置290が対向配置されることにな
る。In the liquid crystal device 200, the TFT array substrate 210, the counter substrate 220, the pixel electrodes 209a,
The counter electrode 221 and the counter electrode 221 may be the second substrate 20, the first substrate 10, the second electrode 21, and the first electrode 11 in Embodiments 1 to 8, respectively. In this case, on the lower layer side of the counter electrode 221, the reflective film 4, the light shielding film 9, the reflective display color filter 81, the transmissive display color filter 82, and the layer thickness adjustment described with reference to FIGS. The layer 6 is formed, and the counter substrate 200 is formed.
The backlight device 290 is arranged opposite to the above.
【0135】[液晶装置の電子機器への適用]このよう
に構成した反射型、あるいは半透過・反射型の液晶装置
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図18、図19、および図20を参照
して説明する。[Application of Liquid Crystal Device to Electronic Equipment] The reflective or semi-transmissive / reflective liquid crystal device configured as described above can be used as a display portion of various electronic equipments. This will be described with reference to FIGS. 18, 19 and 20.
【0136】図18は、本発明に係る液晶装置を表示装
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。FIG. 18 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the liquid crystal device according to the present invention as a display device.
【0137】図18において、電子機器は、表示情報出
力源570、表示情報処理回路571、電源回路57
2、タイミングジェネレータ573、そして液晶装置5
74を有する。また、液晶装置574は、液晶表示パネ
ル575および駆動回路576を有する。液晶装置57
4としては、本発明を適用した液晶装置1、100、2
00を用いることができる。In FIG. 18, the electronic equipment includes a display information output source 570, a display information processing circuit 571, and a power supply circuit 57.
2, timing generator 573, and liquid crystal device 5
Has 74. Further, the liquid crystal device 574 includes a liquid crystal display panel 575 and a drive circuit 576. Liquid crystal device 57
4 is the liquid crystal device 1, 100, 2 to which the present invention is applied.
00 can be used.
【0138】表示情報出力源570は、ROM(Rea
d Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各
種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画
像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジ
ェネレータ573によって生成された各種のクロック信
号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった
表示情報を表示情報処理回路571に供給する。The display information output source 570 is a ROM (Rea).
d Only Memory), RAM (Random)
A memory such as an Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and displays an image signal in a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 573. Information is supplied to the display information processing circuit 571.
【0139】表示情報処理回路571は、シリアル−パ
ラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路576
へ供給する。電源回路572は、各構成要素に所定の電
圧を供給する。The display information processing circuit 571 is provided with various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, etc., and executes processing of input display information. , The image signal together with the clock signal CLK the drive circuit 576
Supply to. The power supply circuit 572 supplies a predetermined voltage to each component.
【0140】図19は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ580は、
キーボード581を備えた本体部582と、液晶表示ユ
ニット583とを有する。液晶表示ユニット583は、
本発明を適用した液晶装置1、100、200を含んで
構成される。FIG. 19 shows a mobile personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The personal computer 580 shown here is
It has a main body portion 582 having a keyboard 581 and a liquid crystal display unit 583. The liquid crystal display unit 583 is
The liquid crystal device 1, 100, 200 to which the present invention is applied is included.
【0141】図20は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機590は、複数の操作ボタン591と、本発明を
適用した液晶装置1、100、200からなる表示部と
を有している。FIG. 20 shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. A mobile phone 590 shown here has a plurality of operation buttons 591 and a display unit including the liquid crystal devices 1, 100 and 200 to which the present invention is applied.
【0142】[0142]
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る半透過・反
射型の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されている。この
ため、反射表示領域と透過表示領域との境界領域におい
て層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分にお
いてリターデーションΔn・dが連続的に変化している
場合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合で
も、このような領域からは反射表示光も透過表示光も出
射されない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなど
といった不具合の発生を回避することができるので、コ
ントラストが高い、品位の高い表示を行うことができ
る。As described above, in the semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to the present invention, the light shielding film is formed so as to overlap the boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. Therefore, when the thickness of the layer thickness adjusting layer continuously changes in the boundary region between the reflective display region and the transmissive display region, and the retardation Δn · d continuously changes in this portion, or Even if the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed, neither reflected display light nor transmitted display light is emitted from such a region. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of problems such as light leakage during black display, and thus it is possible to perform display with high contrast and high quality.
【図1】 (A)、(B)、(C)はそれぞれ、本発明
の実施の形態1に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの1つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのA−A′断面
図、およびB−B′断面図である。1A, 1B, and 1C are each a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention. It is the top view which extracts one and shows it typically, its AA 'sectional view, and BB' sectional view.
【図2】 (A)、(B)、(C)はそれぞれ、本発明
の実施の形態2に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの1つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのA−A′断面
図、およびB−B′断面図である。2A, 2B, and 2C are each one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention. It is the top view which extracts one and shows it typically, its AA 'sectional view, and BB' sectional view.
【図3】 (A)、(B)、(C)はそれぞれ、本発明
の実施の形態3に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの1つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのA−A′断面
図、およびB−B′断面図である。3A, 3B, and 3C are each a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention. It is the top view which extracts one and shows it typically, its AA 'sectional view, and BB' sectional view.
【図4】 (A)、(B)はそれぞれ、本発明の実施の
形態4に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状
に形成されている複数の画素領域のうちの1つを抜き出
して模式的に示す平面図、およびそのB−B′断面図で
ある。FIGS. 4A and 4B respectively show one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing the above, and a BB ′ sectional view thereof.
【図5】 本発明の実施の形態5に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図1(B)に対応する図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a fifth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 1B. .
【図6】 本発明の実施の形態6に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図1(B)に対応する図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a sixth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. .
【図7】 本発明の実施の形態7に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図1(B)に対応する図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to a seventh embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 1B. .
【図8】 本発明の実施の形態8に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図1(B)に対応する図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to an eighth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 1B. .
【図9】 本発明の実施の形態9に係る半透過・反射型
のTFDアクティブマトリクス型液晶装置の電気的構成
を模式的に示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram schematically showing an electrical configuration of a semi-transmissive / reflective TFD active matrix type liquid crystal device according to a ninth embodiment of the present invention.
【図10】 図9に示す液晶装置の構造を示す分解斜視
図である。10 is an exploded perspective view showing the structure of the liquid crystal device shown in FIG.
【図11】 図10に示す液晶装置において液晶を挟持
する1対の基板のうち、素子基板における1画素分の平
面図である。11 is a plan view of one pixel on an element substrate of a pair of substrates holding liquid crystal in the liquid crystal device shown in FIG.
【図12】 (A)、(B)はそれぞれ、図11のIII
−III′線断面図、および図11に示すTFD素子の斜
視図である。12 (A) and (B) are respectively III of FIG.
FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line-III ′ and a perspective view of the TFD element shown in FIG. 11.
【図13】 本発明の実施の形態10に係る半透過・反
射型のTFTアクティブマトリクス型液晶装置を対向基
板の側からみたときの平面図である。FIG. 13 is a plan view of a semi-transmissive / reflective TFT active matrix liquid crystal device according to Embodiment 10 of the present invention when viewed from the counter substrate side.
【図14】 図13のH−H′線における断面図であ
る。14 is a cross-sectional view taken along the line HH 'in FIG.
【図15】 図13に示す液晶装置において、マトリク
ス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配
線などの等価回路図である。15 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, etc. formed in a plurality of pixels arranged in a matrix in the liquid crystal device shown in FIG.
【図16】 (A)、(B)はそれぞれ、図13に示す
液晶装置において、実施の形態1ないし3又は5ないし
8に係る構成を適用したTFTアレイ基板に形成された
各画素の構成を示す平面図、および実施の形態4に係る
構成を適用したTFTアレイ基板に形成された各画素の
構成を示す平面図である。16A and 16B respectively show the configuration of each pixel formed on the TFT array substrate to which the configuration according to Embodiments 1 to 3 or 5 to 8 in the liquid crystal device shown in FIG. 13 is applied. 6A and 6B are a plan view and a plan view showing a configuration of each pixel formed on a TFT array substrate to which the configuration according to the fourth embodiment is applied.
【図17】 図13に示す液晶装置の画素の一部を図1
6(A)、(B)のC−C′線に相当する位置で切断し
たときの断面図である。FIG. 17 shows part of a pixel of the liquid crystal device shown in FIG.
6 (A) and 6 (B) are cross-sectional views taken along the line CC ′ of FIG.
【図18】 本発明に係る液晶装置を表示装置として用
いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。FIG. 18 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the liquid crystal device according to the present invention as a display device.
【図19】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の
一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュー
タを示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the present invention.
【図20】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の
一実施形態としての携帯電話機の説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram of a mobile phone as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the invention.
【図21】 (A)、(B)、(C)はそれぞれ、従来
の半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの1つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのA−A′断面図、およびB−B′断
面図である。21 (A), (B), and (C) are schematic diagrams in which one of a plurality of pixel regions formed in a matrix in a conventional transflective / reflective liquid crystal device is extracted. FIG. 5 is a plan view, a sectional view taken along the line AA ′, and a sectional view taken along the line BB ′.
1、100、200 液晶装置 3 画素領域 5 液晶層 6 層厚調整層 7 バックライト装置 9 遮光膜 10 第1の基板 11,11T 第1の透明電極 11R 光反射電 20 第2の基板 21 第2の透明電極 31 反射表示領域 32 透過表示領域 40 光反射層の開口 41、42 偏光板 60 層厚調整層の斜面 61 層厚調整層の開口 81 反射表示用カラーフィルタ 82 透過表示用カラーフィルタ 90 画素領域を囲む遮光膜 1, 100, 200 Liquid crystal device 3 pixel area 5 Liquid crystal layer 6 layer thickness adjustment layer 7 Backlight device 9 Light-shielding film 10 First substrate 11,11T First transparent electrode 11R Light reflection 20 Second substrate 21 Second transparent electrode 31 reflective display area 32 transparent display area 40 Opening of light reflection layer 41, 42 Polarizing plate 60 Slope of thickness adjustment layer 61 Opening of layer thickness adjustment layer 81 Color filter for reflective display 82 Color filter for transmissive display Light-shielding film surrounding 90 pixel area
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H091 FA02Y FA15Y FA34Y FA41Z LA15 LA17 2H092 GA13 GA16 HA03 HA05 JA24 JB07 JB51 JB56 NA01 PA08 PA09 PA11 PA12 PA13 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H091 FA02Y FA15Y FA34Y FA41Z LA15 LA17 2H092 GA13 GA16 HA03 HA05 JA24 JB07 JB51 JB56 NA01 PA08 PA09 PA11 PA12 PA13
Claims (22)
の基板と、前記第1の電極と対向する面側に第2の透明
電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記
第2の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
1の基板は、前記第1の透明電極と前記第2の透明電極
とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、前
記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表
示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚
調整層、および前記第1の透明電極を下層側から上層側
に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置にお
いて、 前記第1の基板および前記第2の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。1. A first transparent electrode having a first transparent electrode formed on the surface thereof.
Substrate, a second substrate on which a second transparent electrode is formed on the surface side facing the first electrode, and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate. The first substrate has a reflective display region in a pixel region where the first transparent electrode and the second transparent electrode face each other, and the remaining region of the pixel region is a transmissive display region. A light reflection layer, a layer thickness adjusting layer for making the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region, and the first transparent electrode from the lower layer side to the upper layer. In a semi-transmissive / reflective liquid crystal device provided in this order toward the side, at least one of the first substrate and the second substrate overlaps a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. The light-shielding film is formed like Transflective liquid crystal device.
半透過・反射型液晶装置であって、第1の基板と、前記
第1の基板と対向する面側に透明電極が形成された第2
の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に保
持された液晶層とを有し、前記第1の基板は、前記反射
表示領域に、前記反射表示領域における前記液晶層の層
厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも
小さくする層厚調整層、および光反射電極を下層側から
上層側に向かってこの順に備える一方、前記透過表示領
域に透明電極を備える半透過・反射型液晶装置におい
て、 前記第1の基板および前記第2の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。2. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device having a reflective display region and a transmissive display region, wherein a first substrate and a transparent electrode are formed on a surface side facing the first substrate. Second
And a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is in the reflective display area, and the liquid crystal layer in the reflective display area. A layer thickness adjusting layer for making the layer thickness smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region, and a light reflecting electrode in this order from the lower layer side to the upper layer side, while the transparent electrode is provided in the transmissive display region. In the semi-transmissive / reflective liquid crystal device, a light-shielding film is formed on at least one of the first substrate and the second substrate so as to overlap with a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device characterized in that
の基板と、前記第1の電極と対向する面側に第2の透明
電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記
第2の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
1の基板は、前記第1の透明電極と前記第2の透明電極
とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、お
よび前記第1の透明電極を下層側から上層側に向かって
この順に備え、前記第2の基板は、前記反射表示領域
に、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記
透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくす
る層厚調整層、および前記第2の透明電極を下層側から
上層側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装
置において、 前記第1の基板および前記第2の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。3. A first transparent electrode having a first transparent electrode formed on the surface thereof.
Substrate, a second substrate on which a second transparent electrode is formed on the surface side facing the first electrode, and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate. The first substrate has a reflective display region in a pixel region where the first transparent electrode and the second transparent electrode face each other, and the remaining region of the pixel region is a transmissive display region. And a first transparent electrode in this order from the lower layer side to the upper layer side, the second substrate is provided in the reflective display area, and the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display area. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device comprising: a layer thickness adjusting layer that reduces the thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region to be smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer; At least one of a first substrate and the second substrate In the semi-transmissive / reflective liquid crystal device, a light-shielding film is formed so as to overlap a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region.
半透過・反射型液晶装置であって、第1の基板と、前記
第1の基板と対向する面側に透明電極が形成された第2
の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に保
持された液晶層とを有し、前記第1の基板は、前記反射
表示領域に光反射電極を備えるとともに前記透過表示領
域に透明電極を備え、前記第2の基板は、前記反射表示
領域に、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を
前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さ
くする層厚調整層、および前記透明電極を下層側から上
層側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置
において、 前記第1の基板および前記第2の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。4. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device having a reflective display region and a transmissive display region, wherein a first substrate and a transparent electrode are formed on a surface side facing the first substrate. Second
Substrate and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, the first substrate including a light reflection electrode in the reflection display region and the transmissive display. An area is provided with a transparent electrode, and the second substrate has a layer thickness adjustment for making the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display area smaller than that of the liquid crystal layer in the transmissive display area in the reflective display area. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device including a layer and the transparent electrode in this order from a lower layer side to an upper layer side, wherein the reflective display region is provided on at least one of the first substrate and the second substrate. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device, wherein a light-shielding film is formed so as to overlap a boundary region between the transparent display region and the transparent display region.
前記遮光膜は、前記第1の透明基板側に形成されている
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The semi-transmissive / reflective liquid crystal device, wherein the light shielding film is formed on the first transparent substrate side.
前記遮光膜は、前記第2の透明基板側に形成されている
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。6. The method according to any one of claims 1 to 4,
The semi-transmissive / reflective liquid crystal device, wherein the light shielding film is formed on the second transparent substrate side.
前記層厚調整層は、前記反射表示領域と前記透過表示領
域との境界領域が斜面になっていることを特徴とする半
透過・反射型液晶装置。7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The semi-transmissive / reflective liquid crystal device, wherein the layer thickness adjusting layer has an inclined surface at a boundary region between the reflective display region and the transmissive display region.
層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域に形成され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。8. The semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to claim 7, wherein the light-shielding film is formed in a region that planarly overlaps the slope of the layer thickness adjusting layer.
前記遮光膜は、前記光反射層の端部と平面的に重なるよ
うに形成されていることを特徴とする半透過・反射型液
晶装置。9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The semi-transmissive / reflective liquid crystal device, wherein the light-shielding film is formed so as to planarly overlap an end portion of the light-reflecting layer.
て、前記透過表示領域は、前記反射表示領域内に島状に
配置されていることを特徴とする半透過・反射型液晶装
置。10. The transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein the transmissive display region is arranged in an island shape in the reflective display region.
て、前記透過表示領域は、前記画素領域の端部に配置さ
れていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。11. The transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein the transmissive display area is arranged at an end of the pixel area.
は、矩形領域として形成され、前記透過表示領域は、前
記画素領域の辺に少なくとも1辺が重なる矩形形状を有
していることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。12. The pixel area according to claim 11, wherein the pixel area is formed as a rectangular area, and the transmissive display area has a rectangular shape in which at least one side overlaps a side of the pixel area. Transflective liquid crystal device.
域は、前記画素領域の辺に1辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。13. The transflective liquid crystal device according to claim 12, wherein the transmissive display region is arranged at a position where one side overlaps a side of the pixel region.
域は、前記画素領域の辺に2辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。14. The transflective liquid crystal device according to claim 12, wherein the transmissive display region is arranged at a position where two sides overlap the sides of the pixel region.
域は、前記画素領域の辺に3辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。15. The transflective liquid crystal device according to claim 12, wherein the transmissive display region is arranged at a position where three sides overlap the sides of the pixel region.
2分するように遮光する配線が前記遮光膜として通って
おり、該配線を挟む両側に前記反射表示領域および前記
透過表示領域がそれぞれ配置されていることを特徴とす
る半透過・反射型液晶装置。16. The wiring according to claim 15, wherein a wiring that shields the pixel area so as to divide the pixel area into two passes through as the light shielding film, and the reflective display area and the transmissive display area are arranged on both sides of the wiring. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device.
て、前記画像表示領域にはカラーフィルタが形成されて
いることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。17. A transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein a color filter is formed in the image display area.
て、前記反射表示領域には、反射表示用カラーフィルタ
が形成されている一方、前記透過表示領域には、前記反
射表示用カラーフィルタよりも着色度の強い透過表示用
カラーフィルタが形成されていることを特徴とする半透
過・反射型液晶装置。18. A reflective display color filter is formed in the reflective display area, while a reflective display color filter is formed in the transmissive display area. A semi-transmissive / reflective liquid crystal device characterized in that a color filter for transmissive display having strong coloring is formed.
て、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも広い
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。19. The transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective display region is wider than the transmissive display region.
て、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも狭い
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。20. The transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective display area is narrower than the transmissive display area.
て、前記反射表示領域と前記透過表示領域とは、面積が
等しいことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。21. The transflective liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective display area and the transmissive display area have the same area.
されている半透過・反射型液晶装置を表示部に備えるこ
とを特徴とする電子機器。22. An electronic device comprising a semi-transmissive / reflective liquid crystal device according to claim 1 in a display section.
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- 2002-08-05 JP JP2002227545A patent/JP2003270627A/en not_active Withdrawn
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