JP2003258580A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 AGC回路による自動利得制御を行っても高
域の周波数特性に影響を与えず、かつ波形歪みの少ない
光受信回路を提供する。 【解決手段】 電流信号を電圧信号に変換して出力する
プリアンプ202と、プリアンプ202から出力された
電圧信号を平滑化して、低域濾波信号を出力する低域通
過フィルタ103と、低域通過フィルタ103を通過し
た低域濾波信号を入力する第1の入力と、プリアンプか
らの電圧信号を入力する第2の入力とを有し、第1の入
力に入力した低域濾波信号を増幅し、第2の入力に入力
した電圧信号により高域の利得を制御して、プリアンプ
202に帰還信号を出力し、プリアンプ202の電流−
電圧変換効率を制御する自動利得制御回路205とを備
えた。
域の周波数特性に影響を与えず、かつ波形歪みの少ない
光受信回路を提供する。 【解決手段】 電流信号を電圧信号に変換して出力する
プリアンプ202と、プリアンプ202から出力された
電圧信号を平滑化して、低域濾波信号を出力する低域通
過フィルタ103と、低域通過フィルタ103を通過し
た低域濾波信号を入力する第1の入力と、プリアンプか
らの電圧信号を入力する第2の入力とを有し、第1の入
力に入力した低域濾波信号を増幅し、第2の入力に入力
した電圧信号により高域の利得を制御して、プリアンプ
202に帰還信号を出力し、プリアンプ202の電流−
電圧変換効率を制御する自動利得制御回路205とを備
えた。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信回路に関
し、光信号を電気信号に変換する変換器の変換効率を自
動的に調整する自動利得調整回路を有する光受信回路に
関する。
し、光信号を電気信号に変換する変換器の変換効率を自
動的に調整する自動利得調整回路を有する光受信回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】光受信回路は、光ファイバから出射され
た光信号を電気信号に変換するための回路であり、光信
号を電流信号に変換する受光デバイスと、電流信号を電
圧信号に変換し、後段に接続される回路に必要な電圧に
増幅するアンプとから構成されている。
た光信号を電気信号に変換するための回路であり、光信
号を電流信号に変換する受光デバイスと、電流信号を電
圧信号に変換し、後段に接続される回路に必要な電圧に
増幅するアンプとから構成されている。
【0003】図1に、従来の光受信回路の構成を示す。
光受信回路100は、光ファイバ106から出射された
光信号を電気信号に変換する受光デバイス(PD)10
1と、PD101の出力に接続され、反転増幅器121
と帰還抵抗122とで構成されたプリアンプ102と、
抵抗(R)131とコンデンサ(C)132で構成され
たローパスフィルタ(LPF)103と、2段の差動増
幅器141,142で構成されたメインアンプ104と
を有している。また、光受信回路100は、プリアンプ
102の出力を帰還して、プリアンプ102の利得を調
整する自動利得制御(AGC:Auto Gain Control)回
路105を有している。PD101は、P型−i型−n
型構造によりi層の電界強度を高めて動作速度を向上さ
せたPIN−PD(Photo Diode),APD(Avalanche
Photo Diode)等を用いることができる。
光受信回路100は、光ファイバ106から出射された
光信号を電気信号に変換する受光デバイス(PD)10
1と、PD101の出力に接続され、反転増幅器121
と帰還抵抗122とで構成されたプリアンプ102と、
抵抗(R)131とコンデンサ(C)132で構成され
たローパスフィルタ(LPF)103と、2段の差動増
幅器141,142で構成されたメインアンプ104と
を有している。また、光受信回路100は、プリアンプ
102の出力を帰還して、プリアンプ102の利得を調
整する自動利得制御(AGC:Auto Gain Control)回
路105を有している。PD101は、P型−i型−n
型構造によりi層の電界強度を高めて動作速度を向上さ
せたPIN−PD(Photo Diode),APD(Avalanche
Photo Diode)等を用いることができる。
【0004】PD101は、光ファイバ106から出射
された光信号を受光し、光信号に対応する電流信号(Ph
oto Current)に変換する。プリアンプ102の反転増
幅器121の入力インピーダンスは、非常に高く設定さ
れているので、電流信号のほとんどは帰還抵抗122に
流れこみ、反転増幅器121の出力段に吸い込まれる。
帰還抵抗122の両端には電位差が生じ、これに対応し
てプリアンプ102の出力電位が変化する。このような
プリアンプ102の動作を、電流/電圧変換という。光
ファイバ106からの光強度が大きく、PD101から
の電流信号が大きい時には、プリアンプ102の出力電
位は低下する。逆に、光ファイバ106からの光強度が
小さい時には、プリアンプ102の出力電位は上昇す
る。
された光信号を受光し、光信号に対応する電流信号(Ph
oto Current)に変換する。プリアンプ102の反転増
幅器121の入力インピーダンスは、非常に高く設定さ
れているので、電流信号のほとんどは帰還抵抗122に
流れこみ、反転増幅器121の出力段に吸い込まれる。
帰還抵抗122の両端には電位差が生じ、これに対応し
てプリアンプ102の出力電位が変化する。このような
プリアンプ102の動作を、電流/電圧変換という。光
ファイバ106からの光強度が大きく、PD101から
の電流信号が大きい時には、プリアンプ102の出力電
位は低下する。逆に、光ファイバ106からの光強度が
小さい時には、プリアンプ102の出力電位は上昇す
る。
【0005】プリアンプ102の出力は、メインアンプ
104の差動増幅器141の一方の入力(正相入力)に
導かれる。差動増幅器141の他方の入力(逆相入力)
には、プリアンプ102の出力からLPF103を通し
た低周波信号が入力される。この低周波信号は、プリア
ンプ102から出力される信号の瞬時平均値(R131
とC132の時定数以下)を与える。メインアンプ10
4は、2つの信号入力、すなわち光信号に重畳されたデ
ータに対応する信号と、その瞬時平均値との差を増幅し
て、相補的な出力POUTとNOUTとを生成する。
104の差動増幅器141の一方の入力(正相入力)に
導かれる。差動増幅器141の他方の入力(逆相入力)
には、プリアンプ102の出力からLPF103を通し
た低周波信号が入力される。この低周波信号は、プリア
ンプ102から出力される信号の瞬時平均値(R131
とC132の時定数以下)を与える。メインアンプ10
4は、2つの信号入力、すなわち光信号に重畳されたデ
ータに対応する信号と、その瞬時平均値との差を増幅し
て、相補的な出力POUTとNOUTとを生成する。
【0006】受光デバイスに入力される光信号のダイナ
ミックレンジは、−40dBm〜+10dBmの広い範
囲に及ぶ。このような広いダイナミックレンジを、プリ
アンプ回路に持たせるのは困難である。小信号に対応し
て回路設計した場合には、+10dBmもの大信号に対
しては、回路が飽和してしまう。極端な例では出力が入
力の増加につれて減少することもある。逆に大信号に対
応して回路設計を行うと、小信号に対しては出力が現れ
ないことさえある。この問題を克服するために、プリア
ンプの利得特性を信号の大きさに対応してダイナミック
に変化させる、AGC回路を用いるのが一般的である。
ミックレンジは、−40dBm〜+10dBmの広い範
囲に及ぶ。このような広いダイナミックレンジを、プリ
アンプ回路に持たせるのは困難である。小信号に対応し
て回路設計した場合には、+10dBmもの大信号に対
しては、回路が飽和してしまう。極端な例では出力が入
力の増加につれて減少することもある。逆に大信号に対
応して回路設計を行うと、小信号に対しては出力が現れ
ないことさえある。この問題を克服するために、プリア
ンプの利得特性を信号の大きさに対応してダイナミック
に変化させる、AGC回路を用いるのが一般的である。
【0007】図1において、AGC回路105は、反転
増幅器151一段の構成を有する。この反転増幅器15
1には、プリアンプ102の出力からLPF103を通
した低周波信号が入力される。反転増幅器151の出力
は、プリアンプ102の帰還抵抗122に並列に挿入さ
れたFET152のゲートに接続されている。
増幅器151一段の構成を有する。この反転増幅器15
1には、プリアンプ102の出力からLPF103を通
した低周波信号が入力される。反転増幅器151の出力
は、プリアンプ102の帰還抵抗122に並列に挿入さ
れたFET152のゲートに接続されている。
【0008】光ファイバ106からの光信号の平均値が
大きくなると、プリアンプ102の出力電位が低下す
る。出力電位の低下により、AGC回路105の反転増
幅器151の入力電位も低下し、反転増幅器151の出
力電位は上昇する。そうすると、FET152のゲート
電位も上昇するので、FET152のドレイン−ソース
間を流れる電流も上昇する。ドレイン−ソース間電流の
上昇は、見かけ上、FET152のオン抵抗が小さくな
ることを意味し、帰還抵抗122の値も小さくなる。従
って、電流/電圧変換利得も減少するので、プリアンプ
102の出力電位は上昇する。このことは、信号入力が
大きくなると、それにつれて利得が減少することにな
る。光ファイバ106からの光信号が小さくなると、逆
の帰還が働いて利得が増大する。このようにして、自動
利得制御が可能となる。
大きくなると、プリアンプ102の出力電位が低下す
る。出力電位の低下により、AGC回路105の反転増
幅器151の入力電位も低下し、反転増幅器151の出
力電位は上昇する。そうすると、FET152のゲート
電位も上昇するので、FET152のドレイン−ソース
間を流れる電流も上昇する。ドレイン−ソース間電流の
上昇は、見かけ上、FET152のオン抵抗が小さくな
ることを意味し、帰還抵抗122の値も小さくなる。従
って、電流/電圧変換利得も減少するので、プリアンプ
102の出力電位は上昇する。このことは、信号入力が
大きくなると、それにつれて利得が減少することにな
る。光ファイバ106からの光信号が小さくなると、逆
の帰還が働いて利得が増大する。このようにして、自動
利得制御が可能となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、AGC
回路105による帰還制御によって、プリアンプ102
の帯域特性が損なわれるという問題があった。プリアン
プ102の帰還抵抗122に並列に挿入したFET15
2に起因する容量(Cgs,Cds,Cgd)が、帰還
抵抗122に並列に挿入されることになるため、プリア
ンプ102の周波数特性が損なわれるからである。
回路105による帰還制御によって、プリアンプ102
の帯域特性が損なわれるという問題があった。プリアン
プ102の帰還抵抗122に並列に挿入したFET15
2に起因する容量(Cgs,Cds,Cgd)が、帰還
抵抗122に並列に挿入されることになるため、プリア
ンプ102の周波数特性が損なわれるからである。
【0010】また、FET152に起因する容量Cgs
の変化は、受信した光信号の発光時に大きくなる。従っ
て、光信号の消光時から発光時への変化に相当する、プ
リアンプ102の出力である電圧信号がなまってしま
う。発光時と消光時とにおいて容量が変化するため、波
形歪みを生じるという問題もあった。
の変化は、受信した光信号の発光時に大きくなる。従っ
て、光信号の消光時から発光時への変化に相当する、プ
リアンプ102の出力である電圧信号がなまってしま
う。発光時と消光時とにおいて容量が変化するため、波
形歪みを生じるという問題もあった。
【0011】さらに、プリアンプ102の負荷として、
R131とC132で構成されたLPF103が新たに
接続されるので、プリアンプ102の周波数特性、特に
高域での周波数特性に影響を与えてしまうという問題も
あった。
R131とC132で構成されたLPF103が新たに
接続されるので、プリアンプ102の周波数特性、特に
高域での周波数特性に影響を与えてしまうという問題も
あった。
【0012】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、AGC回路による
自動利得制御を行っても高域の周波数特性に影響を与え
ず、かつ波形歪みの少ない光受信回路を提供することに
ある。
たもので、その目的とするところは、AGC回路による
自動利得制御を行っても高域の周波数特性に影響を与え
ず、かつ波形歪みの少ない光受信回路を提供することに
ある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項1に記載の発明は、受信し
た光信号を電流信号に変換する受光デバイスに接続され
た光受信回路において、前記電流信号を電圧信号に変換
して出力するプリアンプと、該プリアンプから出力され
た前記電圧信号を平滑化して、低域濾波信号を出力する
低域通過フィルタと、該低域通過フィルタを通過した前
記低域濾波信号を入力する第1の入力と、前記プリアン
プからの前記電圧信号を入力する第2の入力とを有し、
前記第1の入力に入力した前記低域濾波信号を増幅し、
前記第2の入力に入力した前記電圧信号により高域の利
得を制御して、前記プリアンプに帰還信号を出力し、前
記プリアンプの電流−電圧変換効率を制御する自動利得
制御回路とを備えたことを特徴とする。
的を達成するために、請求項1に記載の発明は、受信し
た光信号を電流信号に変換する受光デバイスに接続され
た光受信回路において、前記電流信号を電圧信号に変換
して出力するプリアンプと、該プリアンプから出力され
た前記電圧信号を平滑化して、低域濾波信号を出力する
低域通過フィルタと、該低域通過フィルタを通過した前
記低域濾波信号を入力する第1の入力と、前記プリアン
プからの前記電圧信号を入力する第2の入力とを有し、
前記第1の入力に入力した前記低域濾波信号を増幅し、
前記第2の入力に入力した前記電圧信号により高域の利
得を制御して、前記プリアンプに帰還信号を出力し、前
記プリアンプの電流−電圧変換効率を制御する自動利得
制御回路とを備えたことを特徴とする。
【0014】この構成によれば、低域通過フィルタを介
する負帰還と、プリアンプの出力による正帰還とによ
り、自動利得制御回路において高域での利得を増加させ
るように動作し、自動利得制御回路による高域特性の劣
化を補正することができる。
する負帰還と、プリアンプの出力による正帰還とによ
り、自動利得制御回路において高域での利得を増加させ
るように動作し、自動利得制御回路による高域特性の劣
化を補正することができる。
【0015】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の前記プリアンプは、増幅器と、該増幅器の入力と出力
とを接続する帰還抵抗とを備え、前記自動利得制御回路
からの前記帰還信号を、前記帰還抵抗に並列に接続され
たトランジスタの制御端子に入力して、前記帰還抵抗と
前記トランジスタとから構成されるトランスインピーダ
ンスを変化させて、前記電流−電圧変換効率を制御する
ことを特徴とする。
の前記プリアンプは、増幅器と、該増幅器の入力と出力
とを接続する帰還抵抗とを備え、前記自動利得制御回路
からの前記帰還信号を、前記帰還抵抗に並列に接続され
たトランジスタの制御端子に入力して、前記帰還抵抗と
前記トランジスタとから構成されるトランスインピーダ
ンスを変化させて、前記電流−電圧変換効率を制御する
ことを特徴とする。
【0016】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の前記自動利得制御回路は、前記プリアンプか
らの前記電圧信号を増幅し、前記第2の入力に入力する
増幅器を備え、前記プリアンプの前記電圧信号の振幅と
前記自動利得制御回路の前記帰還信号の振幅と位相と
が、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数以上の周
波数帯域でほぼ等しい値であることを特徴とする。
2に記載の前記自動利得制御回路は、前記プリアンプか
らの前記電圧信号を増幅し、前記第2の入力に入力する
増幅器を備え、前記プリアンプの前記電圧信号の振幅と
前記自動利得制御回路の前記帰還信号の振幅と位相と
が、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数以上の周
波数帯域でほぼ等しい値であることを特徴とする。
【0017】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
の前記プリアンプは、増幅トランジスタに接続された負
荷素子に接続された電圧利得制御用トランジスタを含む
増幅段と、該増幅段の出力バッファである出力段と、前
記増幅段の入力と前記出力段の出力とを接続する帰還抵
抗とを備え、前記自動利得制御回路からの前記帰還信号
を、前記利得制御用トランジスタの制御端子に入力し
て、前記増幅段の利得を制御することにより、前記電流
−電圧変換効率を制御することを特徴とする。
の前記プリアンプは、増幅トランジスタに接続された負
荷素子に接続された電圧利得制御用トランジスタを含む
増幅段と、該増幅段の出力バッファである出力段と、前
記増幅段の入力と前記出力段の出力とを接続する帰還抵
抗とを備え、前記自動利得制御回路からの前記帰還信号
を、前記利得制御用トランジスタの制御端子に入力し
て、前記増幅段の利得を制御することにより、前記電流
−電圧変換効率を制御することを特徴とする。
【0018】請求項5に記載の発明は、請求項1ないし
4のいずれかに記載の前記光受信回路は、前記プリアン
プから出力された前記電圧信号を増幅するメインアンプ
を備え、前記プリアンプと前記メインアンプと前記自動
利得制御回路とが一体に集積化されて構成されているこ
とを特徴とする。
4のいずれかに記載の前記光受信回路は、前記プリアン
プから出力された前記電圧信号を増幅するメインアンプ
を備え、前記プリアンプと前記メインアンプと前記自動
利得制御回路とが一体に集積化されて構成されているこ
とを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。 (第1の実施形態)本実施形態においては、AGC制御
回路を二重帰還回路とする。図1に示した従来のAGC
回路105の入力信号は、LPF103を通過した信号
のみで制御していた。本実施形態においては、これに加
えて、AGC回路の高域特性を補償するために、プリア
ンプの出力を直接AGC回路に入力する。低域通過フィ
ルタを介する帰還が負帰還であり、プリアンプの出力に
よる帰還は正帰還となっている。すなわち、従来のAG
C回路による高域特性の劣化を補正するために、高域で
のAGC回路の利得を増加させるように動作する。以
下、具体的な回路構成について説明する。
の実施形態について詳細に説明する。 (第1の実施形態)本実施形態においては、AGC制御
回路を二重帰還回路とする。図1に示した従来のAGC
回路105の入力信号は、LPF103を通過した信号
のみで制御していた。本実施形態においては、これに加
えて、AGC回路の高域特性を補償するために、プリア
ンプの出力を直接AGC回路に入力する。低域通過フィ
ルタを介する帰還が負帰還であり、プリアンプの出力に
よる帰還は正帰還となっている。すなわち、従来のAG
C回路による高域特性の劣化を補正するために、高域で
のAGC回路の利得を増加させるように動作する。以
下、具体的な回路構成について説明する。
【0020】図2に、本発明の第1の実施形態にかかる
光受信回路の構成を示す。光受信回路200は、光ファ
イバ106から出射された光信号を電気信号に変換する
受光デバイス(PD)101と、PD101の出力に接
続され、反転増幅器221と帰還抵抗222とで構成さ
れたプリアンプ202と、抵抗(R)131とコンデン
サ(C)132で構成されたローパスフィルタ(LP
F)103と、二段の差動増幅器141,142で構成
されたメインアンプ104とを有している。また、光受
信回路200は、プリアンプ202の出力を帰還して、
プリアンプ202の利得を調整するAGC回路205を
有している。
光受信回路の構成を示す。光受信回路200は、光ファ
イバ106から出射された光信号を電気信号に変換する
受光デバイス(PD)101と、PD101の出力に接
続され、反転増幅器221と帰還抵抗222とで構成さ
れたプリアンプ202と、抵抗(R)131とコンデン
サ(C)132で構成されたローパスフィルタ(LP
F)103と、二段の差動増幅器141,142で構成
されたメインアンプ104とを有している。また、光受
信回路200は、プリアンプ202の出力を帰還して、
プリアンプ202の利得を調整するAGC回路205を
有している。
【0021】PD101は、InGaAs系のPIN−
PDまたはAPDを使用することができる。受光波長帯
は、InGaAsの組成により、1.3μm帯または
1.55μm帯を任意に選択することができる。受光面
の有感領域の径は、30μm〜100μmである。小さ
ければ容量が小さくなり高速動作可能が可能であるが、
受光感度が低くなり、光ファイバとの調芯作業は難しく
なる。
PDまたはAPDを使用することができる。受光波長帯
は、InGaAsの組成により、1.3μm帯または
1.55μm帯を任意に選択することができる。受光面
の有感領域の径は、30μm〜100μmである。小さ
ければ容量が小さくなり高速動作可能が可能であるが、
受光感度が低くなり、光ファイバとの調芯作業は難しく
なる。
【0022】図3に、本発明の第1の実施形態にかかる
光受信回路のプリアンプの回路構成を示す。プリアンプ
202は、FET(Tr1)一段の増幅段と、FET
(Tr2,Tr3)の出力段とを有する反転増幅器22
1と、1kΩの帰還抵抗222とにより構成されてい
る。帰還抵抗222の値は、電流/電圧変換効率により
適宜選択される。抵抗値を大きくすれば変換効率は大き
くなるが、プリアンプ202の周波数特性は劣化する。
プリアンプ202の帯域幅をfw、帰還抵抗222の抵
抗値をRfとすると、fw×Rfは一定の関係がある。
光受信回路のプリアンプの回路構成を示す。プリアンプ
202は、FET(Tr1)一段の増幅段と、FET
(Tr2,Tr3)の出力段とを有する反転増幅器22
1と、1kΩの帰還抵抗222とにより構成されてい
る。帰還抵抗222の値は、電流/電圧変換効率により
適宜選択される。抵抗値を大きくすれば変換効率は大き
くなるが、プリアンプ202の周波数特性は劣化する。
プリアンプ202の帯域幅をfw、帰還抵抗222の抵
抗値をRfとすると、fw×Rfは一定の関係がある。
【0023】FET(Tr1)のゲートを自己バイアス
するために、ソースには、ダイオードD3を挿入する。
ダイオード1個で、ほぼ0.75V程度の電圧降下があ
るので、ゲートは、ソースに対して−0.75程度バイ
アスされる。負荷抵抗RLは1kΩである。増幅段の利
得は、FET(Tr1)のゲート幅をWg、相互コンダ
クタンスgmとすると、RL×Wg×gmで決定され
る。Wgを大きくすれば、プリアンプ202の利得は増
加するが、FET(Tr1)の入力容量が増加するの
で、プリアンプ202の帯域特性は劣化する。利得と帯
域とを総合的に判断して、RL,Wg,Rf,gmの値
を決定する。
するために、ソースには、ダイオードD3を挿入する。
ダイオード1個で、ほぼ0.75V程度の電圧降下があ
るので、ゲートは、ソースに対して−0.75程度バイ
アスされる。負荷抵抗RLは1kΩである。増幅段の利
得は、FET(Tr1)のゲート幅をWg、相互コンダ
クタンスgmとすると、RL×Wg×gmで決定され
る。Wgを大きくすれば、プリアンプ202の利得は増
加するが、FET(Tr1)の入力容量が増加するの
で、プリアンプ202の帯域特性は劣化する。利得と帯
域とを総合的に判断して、RL,Wg,Rf,gmの値
を決定する。
【0024】出力段は、FET(Tr2,Tr3)とダ
イオードD1,D2とによるソースフォロワ構成であ
る。FET(Tr3)は、ゲートとソースが短絡されて
おり、電流源の機能を有し、ダイオードD1,D2は、
電位を降下させるために挿入する。ダイオードD1,D
2と並列にコンデンサC1を接続してもよい。コンデン
サC1により、高周波信号は、ダイオードD1,D2を
バイパスすることから、スピードアップコンデンサとし
て機能する。コンデンサC1の容量値は、信号周波数に
依存するが、数GHzの信号に対しては、数pFを選択
することが好ましい。
イオードD1,D2とによるソースフォロワ構成であ
る。FET(Tr3)は、ゲートとソースが短絡されて
おり、電流源の機能を有し、ダイオードD1,D2は、
電位を降下させるために挿入する。ダイオードD1,D
2と並列にコンデンサC1を接続してもよい。コンデン
サC1により、高周波信号は、ダイオードD1,D2を
バイパスすることから、スピードアップコンデンサとし
て機能する。コンデンサC1の容量値は、信号周波数に
依存するが、数GHzの信号に対しては、数pFを選択
することが好ましい。
【0025】プリアンプ202の出力は、ダイオードD
2のカソードから、LPF103を介してメインアンプ
104の正相入力に、FET(Tr2)のソースから、
AGC回路205の正帰還入力に接続される。これら二
つの出力は、直流レベルが異なるのみで、位相は全く同
じである。
2のカソードから、LPF103を介してメインアンプ
104の正相入力に、FET(Tr2)のソースから、
AGC回路205の正帰還入力に接続される。これら二
つの出力は、直流レベルが異なるのみで、位相は全く同
じである。
【0026】図4に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路のLPFの回路構成を示す。プリアンプ202の
出力は、メインアンプ104の正相入力に直接接続され
る。一方、プリアンプ202の出力は、抵抗131とコ
ンデンサ132で構成されたLPF103を介して、メ
インアンプ104の逆相入力に接続される。コンデンサ
132は、光受信回路を構成する集積回路の内部に構成
してもよいし、外部のコンデンサを接続するようにして
もよい。
信回路のLPFの回路構成を示す。プリアンプ202の
出力は、メインアンプ104の正相入力に直接接続され
る。一方、プリアンプ202の出力は、抵抗131とコ
ンデンサ132で構成されたLPF103を介して、メ
インアンプ104の逆相入力に接続される。コンデンサ
132は、光受信回路を構成する集積回路の内部に構成
してもよいし、外部のコンデンサを接続するようにして
もよい。
【0027】低域通過フィルタLPF103のカットオ
フ周波数は、1/(2πCpRp)より、およそ800
kHzとなる。カットオフ周波数より低い周波数の低域
濾波信号は、メインアンプ104の逆相入力端子に入力
されるが、高い周波数の信号は、コンデンサ132によ
り接地され、逆相入力端子に入力されない。AGC回路
205には、LPF103を通過した低域濾波信号が入
力されるので、AGC回路205の負帰還は、800k
Hz以上では動作しないことになる。
フ周波数は、1/(2πCpRp)より、およそ800
kHzとなる。カットオフ周波数より低い周波数の低域
濾波信号は、メインアンプ104の逆相入力端子に入力
されるが、高い周波数の信号は、コンデンサ132によ
り接地され、逆相入力端子に入力されない。AGC回路
205には、LPF103を通過した低域濾波信号が入
力されるので、AGC回路205の負帰還は、800k
Hz以上では動作しないことになる。
【0028】図5に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路のメインアンプの回路構成を示す。メインアンプ
104は、2段の差動増幅器により構成されている。初
段の差動増幅器は、FET(Tr4〜Tr10)と、抵
抗R1〜R3と、ダイオードD4〜D7とにより構成さ
れ、終段の差動増幅器は、FET(Tr11〜TR1
7)と、抵抗R4〜R6とにより構成されている。ま
た、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器とを接続する
コンデンサC2,C3を備える。
信回路のメインアンプの回路構成を示す。メインアンプ
104は、2段の差動増幅器により構成されている。初
段の差動増幅器は、FET(Tr4〜Tr10)と、抵
抗R1〜R3と、ダイオードD4〜D7とにより構成さ
れ、終段の差動増幅器は、FET(Tr11〜TR1
7)と、抵抗R4〜R6とにより構成されている。ま
た、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器とを接続する
コンデンサC2,C3を備える。
【0029】初段の差動増幅器の負荷抵抗R1,R2
は、650Ωであり、Vref及び抵抗R3の抵抗値5
0Ωで決定される電流I1が流れる。初段の差動増幅器
の利得は、負荷抵抗R1,R2の抵抗値と、FET(T
r4,Tr5)のゲート幅で決定される。FET(Tr
4,Tr5)のゲート幅を広げるか、負荷抵抗R1,R
2の抵抗値を大きくすれば、利得は増大するが、帯域特
性は劣化する。また、入力信号の大きさによっては、流
れる電流I1と負荷抵抗R1,R2の抵抗値との積が電
源電圧より大きくなり、増幅段が飽和して信号が歪む。
これらを考慮して、ゲート幅、抵抗値及び電流Iを決定
する。
は、650Ωであり、Vref及び抵抗R3の抵抗値5
0Ωで決定される電流I1が流れる。初段の差動増幅器
の利得は、負荷抵抗R1,R2の抵抗値と、FET(T
r4,Tr5)のゲート幅で決定される。FET(Tr
4,Tr5)のゲート幅を広げるか、負荷抵抗R1,R
2の抵抗値を大きくすれば、利得は増大するが、帯域特
性は劣化する。また、入力信号の大きさによっては、流
れる電流I1と負荷抵抗R1,R2の抵抗値との積が電
源電圧より大きくなり、増幅段が飽和して信号が歪む。
これらを考慮して、ゲート幅、抵抗値及び電流Iを決定
する。
【0030】終段の差動増幅器は、初段の差動増幅器と
同じ回路構成を有している。但し、抵抗R6の抵抗値を
25Ωとし、流れる電流I2は、流れる電流I1のほぼ
2倍とする。流れる電流I2の大きさを相殺するため
に、負荷抵抗R4,R5は300Ωである。この結果、
負荷抵抗R4,R5の両端に発生する信号波形の大きさ
は、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器とで、ほぼ同
一である。出力ソースフォロワ回路には、電圧降下用の
ダイオードは用いていない。メインアンプ104の出力
POUT,NOUTは、容量性結合により、次段の信号
処理回路に入力されるためである。
同じ回路構成を有している。但し、抵抗R6の抵抗値を
25Ωとし、流れる電流I2は、流れる電流I1のほぼ
2倍とする。流れる電流I2の大きさを相殺するため
に、負荷抵抗R4,R5は300Ωである。この結果、
負荷抵抗R4,R5の両端に発生する信号波形の大きさ
は、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器とで、ほぼ同
一である。出力ソースフォロワ回路には、電圧降下用の
ダイオードは用いていない。メインアンプ104の出力
POUT,NOUTは、容量性結合により、次段の信号
処理回路に入力されるためである。
【0031】初段の差動増幅器と終段の差動増幅器との
間には、コンデンサC2,C3による正帰還が施されて
いる。これは、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器と
の間で、同相の信号となる点を、コンデンサC2,C3
を介して接続することで、高周波信号のみをバイパスす
る。
間には、コンデンサC2,C3による正帰還が施されて
いる。これは、初段の差動増幅器と終段の差動増幅器と
の間で、同相の信号となる点を、コンデンサC2,C3
を介して接続することで、高周波信号のみをバイパスす
る。
【0032】図6に、本発明の第1の実施形態にかかる
光受信回路のAGC回路の回路構成を示す。AGC回路
205の増幅器251は、2段の差動増幅器により構成
されている。初段の差動増幅器は、FET(Tr18〜
Tr24)と、抵抗R7〜R10と、ダイオードD8〜
D10とにより構成され、終段の差動増幅器は、FET
(Tr25〜Tr30)と、抵抗R11〜R12と、ダ
イオードD12〜D13とにより構成されている。
光受信回路のAGC回路の回路構成を示す。AGC回路
205の増幅器251は、2段の差動増幅器により構成
されている。初段の差動増幅器は、FET(Tr18〜
Tr24)と、抵抗R7〜R10と、ダイオードD8〜
D10とにより構成され、終段の差動増幅器は、FET
(Tr25〜Tr30)と、抵抗R11〜R12と、ダ
イオードD12〜D13とにより構成されている。
【0033】初段の差動増幅器の入力は、LPF103
に接続され、メインアンプ104の逆相入力と同じ信号
が入力される。上述したように、低域濾波信号は、80
kHz以上の信号成分を含んでいないため、初段の差動
増幅器は、周波数特性に留意する必要性は少ない。負荷
抵抗R7,R8は、2.2kΩと比較的高い値を設定す
る。初段の差動増幅器の他方の入力は、電源を抵抗分圧
して得られる基準電圧が入力される。
に接続され、メインアンプ104の逆相入力と同じ信号
が入力される。上述したように、低域濾波信号は、80
kHz以上の信号成分を含んでいないため、初段の差動
増幅器は、周波数特性に留意する必要性は少ない。負荷
抵抗R7,R8は、2.2kΩと比較的高い値を設定す
る。初段の差動増幅器の他方の入力は、電源を抵抗分圧
して得られる基準電圧が入力される。
【0034】終段の差動増幅器は、一方の負荷抵抗R1
2を純抵抗に設定し、他方の負荷を純抵抗R11とFE
T(Tr28)との直列接続とした。FET(Tr2
8)のゲートには、プリアンプ202の出力が直接入力
される。すなわち、図3に示したプリアンプ202のF
ET(Tr2)のソースと接続される。FET(Tr2
8)に入力されたプリアンプ202の出力に対して、終
段の差動増幅器は、増幅作用を有さず、周波数特性の補
正を介しないソースフォロアとしてはたらく。
2を純抵抗に設定し、他方の負荷を純抵抗R11とFE
T(Tr28)との直列接続とした。FET(Tr2
8)のゲートには、プリアンプ202の出力が直接入力
される。すなわち、図3に示したプリアンプ202のF
ET(Tr2)のソースと接続される。FET(Tr2
8)に入力されたプリアンプ202の出力に対して、終
段の差動増幅器は、増幅作用を有さず、周波数特性の補
正を介しないソースフォロアとしてはたらく。
【0035】FET(Tr25)の出力は、FET(T
r29〜Tr30)のソースフォロワを介して、プリア
ンプ202の帰還抵抗222に接続されたFET252
のゲートに入力される。FET(Tr28)とソースフ
ォロワとは、信号周波数が通過するので、周波数特性に
留意する必要がある。ダイオードD12,D13と並列
に、スピードアップコンデンサを挿入してもよい。
r29〜Tr30)のソースフォロワを介して、プリア
ンプ202の帰還抵抗222に接続されたFET252
のゲートに入力される。FET(Tr28)とソースフ
ォロワとは、信号周波数が通過するので、周波数特性に
留意する必要がある。ダイオードD12,D13と並列
に、スピードアップコンデンサを挿入してもよい。
【0036】次に、第1の実施形態にかかる光受信回路
の動作について説明する。LPF103が動作しない高
域、例えば信号周波数帯について考える。この場合、L
PF103を通過した低域濾波信号は、等価的に直流、
すなわち信号周波数に対して十分小さい周波数である故
にほとんど変化しない信号とみなすことができる。図6
に示したAGC回路205の増幅器251の入力FET
(Tr18)に、等価的な直流信号を入力すると、単に
電流源FETとして機能するのみである。
の動作について説明する。LPF103が動作しない高
域、例えば信号周波数帯について考える。この場合、L
PF103を通過した低域濾波信号は、等価的に直流、
すなわち信号周波数に対して十分小さい周波数である故
にほとんど変化しない信号とみなすことができる。図6
に示したAGC回路205の増幅器251の入力FET
(Tr18)に、等価的な直流信号を入力すると、単に
電流源FETとして機能するのみである。
【0037】一方、プリアンプ202の出力を直接入力
する増幅器251のFET(Tr28)は、プリアンプ
202の出力に対してソースフォロワとして動作する。
従って、AGC回路205の出力は、プリアンプ202
の出力を直接反映したものとなる。
する増幅器251のFET(Tr28)は、プリアンプ
202の出力に対してソースフォロワとして動作する。
従って、AGC回路205の出力は、プリアンプ202
の出力を直接反映したものとなる。
【0038】光信号が大きくなり、プリアンプ202の
出力電位が低下すると、LPF103の出力電位は低下
する。AGC回路205の増幅器251において、入力
FET(Tr18)の出力電位が上昇し、逆相の入力F
ET(Tr19)の出力電位が低下する。FET(Tr
21,Tr22)を介して、FET(Tr25,Tr2
6)のゲートに導かれると、FET(Tr25)のゲー
トの電位が低下する。FET(Tr25)を流れる電流
が減少するので、FET(Tr28)、抵抗R11、及
びFET(Tr25)で構成されるソースフォロワのレ
ベルシフト量も減少する。従って、FET(Tr29)
からは、プリアンプ202の出力と比較して、同相であ
り、振幅もほぼ等しく、直流レベルが上昇した出力が得
られる。
出力電位が低下すると、LPF103の出力電位は低下
する。AGC回路205の増幅器251において、入力
FET(Tr18)の出力電位が上昇し、逆相の入力F
ET(Tr19)の出力電位が低下する。FET(Tr
21,Tr22)を介して、FET(Tr25,Tr2
6)のゲートに導かれると、FET(Tr25)のゲー
トの電位が低下する。FET(Tr25)を流れる電流
が減少するので、FET(Tr28)、抵抗R11、及
びFET(Tr25)で構成されるソースフォロワのレ
ベルシフト量も減少する。従って、FET(Tr29)
からは、プリアンプ202の出力と比較して、同相であ
り、振幅もほぼ等しく、直流レベルが上昇した出力が得
られる。
【0039】この結果、プリアンプ202の帰還抵抗2
22に並列に挿入されているFET252のゲート電位
が上昇するので、FET252のドレイン−ソース間の
等価抵抗が小さくなる。このようにして、プリアンプ2
02の電流/電圧変換利得を可変することができる。こ
のような正帰還は、光信号の変化に随時追従して起こる
ので、AGC回路205を挿入することで劣化した、プ
リアンプ202の高域の周波数特性を補償する。
22に並列に挿入されているFET252のゲート電位
が上昇するので、FET252のドレイン−ソース間の
等価抵抗が小さくなる。このようにして、プリアンプ2
02の電流/電圧変換利得を可変することができる。こ
のような正帰還は、光信号の変化に随時追従して起こる
ので、AGC回路205を挿入することで劣化した、プ
リアンプ202の高域の周波数特性を補償する。
【0040】(第2の実施形態)本実施形態において
は、プリアンプ202の出力を、高域の周波数特性にお
いて劣化のない差動増幅器を通過させた後、AGC回路
の増幅器に入力する。
は、プリアンプ202の出力を、高域の周波数特性にお
いて劣化のない差動増幅器を通過させた後、AGC回路
の増幅器に入力する。
【0041】図7に、本発明の第2の実施形態にかかる
光受信回路の構成を示す。図2に示した第1の実施形態
との相違は、AGC回路305の構成である。AGC回
路305は、増幅器351と、プリアンプ202の帰還
抵抗222に並列に挿入されたFET352と、差動増
幅器353とから構成されている。増幅器351の構成
は、図6に示した増幅器251の構成と同一であり、終
段の差動増幅器のFET(Tr28)のゲートに、差動
増幅器353の出力が接続されている。
光受信回路の構成を示す。図2に示した第1の実施形態
との相違は、AGC回路305の構成である。AGC回
路305は、増幅器351と、プリアンプ202の帰還
抵抗222に並列に挿入されたFET352と、差動増
幅器353とから構成されている。増幅器351の構成
は、図6に示した増幅器251の構成と同一であり、終
段の差動増幅器のFET(Tr28)のゲートに、差動
増幅器353の出力が接続されている。
【0042】図8に、本発明の第2の実施形態にかかる
光受信回路のAGC回路における差動増幅器の回路構成
を示す。差動増幅器353の入力には、メインアンプ1
04の正相入力と逆相入力と同じ信号が導かれる。差動
増幅器353の負荷抵抗R13,R14は650Ωであ
る。差動増幅器353の電流源であるFET(Tr3
3)には、基準電位として別途生成されたVrefが入
力されている。
光受信回路のAGC回路における差動増幅器の回路構成
を示す。差動増幅器353の入力には、メインアンプ1
04の正相入力と逆相入力と同じ信号が導かれる。差動
増幅器353の負荷抵抗R13,R14は650Ωであ
る。差動増幅器353の電流源であるFET(Tr3
3)には、基準電位として別途生成されたVrefが入
力されている。
【0043】増幅器351の終段の差動増幅器における
FET(Tr28)のゲートには、逆相側の出力が接続
される。逆相側の出力ということは、位相の面でみれば
正相信号が入力される。終段の差動増幅器のソースフォ
ロワでは、位相の反転は生じないので、プリアンプ20
2には正相の帰還が施されることとなり、高域での周波
数特性を改善することができる。
FET(Tr28)のゲートには、逆相側の出力が接続
される。逆相側の出力ということは、位相の面でみれば
正相信号が入力される。終段の差動増幅器のソースフォ
ロワでは、位相の反転は生じないので、プリアンプ20
2には正相の帰還が施されることとなり、高域での周波
数特性を改善することができる。
【0044】差動増幅器353の構成は、図5に示した
メインアンプ104の初段の差動増幅器と、回路定数ま
で含めて同じ構成である。従って、差動増幅器353と
メインアンプ104の初段の差動増幅器とを共通化する
こともできる。すなわち、図8に示した差動増幅器35
3を省略して、メインアンプ104の初段の差動増幅器
におけるFET(Tr5)と負荷抵抗R2との接続点
と、増幅器351の終段の差動増幅器におけるFET
(Tr28)のゲートとを接続してもよい。
メインアンプ104の初段の差動増幅器と、回路定数ま
で含めて同じ構成である。従って、差動増幅器353と
メインアンプ104の初段の差動増幅器とを共通化する
こともできる。すなわち、図8に示した差動増幅器35
3を省略して、メインアンプ104の初段の差動増幅器
におけるFET(Tr5)と負荷抵抗R2との接続点
と、増幅器351の終段の差動増幅器におけるFET
(Tr28)のゲートとを接続してもよい。
【0045】次に、第2の実施形態にかかる光受信回路
の動作について説明する。第1の実施形態では、高域に
おいてAGC回路205の増幅器251は、ソースフォ
ロワとして機能するので、利得は1を越えることはな
い。実際には0.5〜0.7程度である。プリアンプ2
05の出力を0.5〜0.7倍した制御信号が、FET
252のゲートに入力される。このとき、FET252
のゲート−ソース間電圧も、信号の変化に応じて変動す
るために、ゲート−ソース間容量Cgsが、高域の周波
数特性に影響する。
の動作について説明する。第1の実施形態では、高域に
おいてAGC回路205の増幅器251は、ソースフォ
ロワとして機能するので、利得は1を越えることはな
い。実際には0.5〜0.7程度である。プリアンプ2
05の出力を0.5〜0.7倍した制御信号が、FET
252のゲートに入力される。このとき、FET252
のゲート−ソース間電圧も、信号の変化に応じて変動す
るために、ゲート−ソース間容量Cgsが、高域の周波
数特性に影響する。
【0046】このCgsによる効果を抑制するために、
プリアンプ202の出力とAGC回路305の増幅器3
51との間に、ソースフォロワによる利得低下を補償す
る増幅器353を挿入した。プリアンプ202の出力と
AGC回路305の出力の比を、ほぼ1.0とすること
で、FET352のVgsの変動が抑制され、FET3
52のCgsの効果を相殺することができる。
プリアンプ202の出力とAGC回路305の増幅器3
51との間に、ソースフォロワによる利得低下を補償す
る増幅器353を挿入した。プリアンプ202の出力と
AGC回路305の出力の比を、ほぼ1.0とすること
で、FET352のVgsの変動が抑制され、FET3
52のCgsの効果を相殺することができる。
【0047】以上説明したように、光受信回路は、プリ
アンプ202と、メインアンプ104と、AGC回路2
05,305と、Vref電圧発生回路とを1つの集積
回路として作製することができる。
アンプ202と、メインアンプ104と、AGC回路2
05,305と、Vref電圧発生回路とを1つの集積
回路として作製することができる。
【0048】図9に、本実施形態にかかる光受信回路の
出力特性を示す。横軸は周波数、縦軸はトランスインピ
ーダンスZtであり、20・log(Zt)で表され
る。トランスインピーダンスZtは、プリアンプ205
の帰還抵抗222と、AGC回路205,305のFE
T252,352の並列回路により決定される。例え
ば、60dbΩはZt=1kΩ、40dbΩはZt=1
00Ωに対応する。
出力特性を示す。横軸は周波数、縦軸はトランスインピ
ーダンスZtであり、20・log(Zt)で表され
る。トランスインピーダンスZtは、プリアンプ205
の帰還抵抗222と、AGC回路205,305のFE
T252,352の並列回路により決定される。例え
ば、60dbΩはZt=1kΩ、40dbΩはZt=1
00Ωに対応する。
【0049】通過域である低域に対して−3dB低下し
た点を、トランスインピーダンスの帯域とする。従来の
正帰還を全く施さない回路においては、1.2GHzに
満たない。これに対して、正帰還を施した第1の実施形
態においては、1.7GHzにまで帯域が増加し、第1
の実施形態においては、2.0GHzを超える帯域が実
現される。
た点を、トランスインピーダンスの帯域とする。従来の
正帰還を全く施さない回路においては、1.2GHzに
満たない。これに対して、正帰還を施した第1の実施形
態においては、1.7GHzにまで帯域が増加し、第1
の実施形態においては、2.0GHzを超える帯域が実
現される。
【0050】(第3の実施形態)図10に、本発明の第
3の実施形態にかかる光受信回路の構成を示したブロッ
ク図である。図2に示した第1の実施形態との相違は、
プリアンプ302とAGC回路405の構成である。プ
リアンプ302の利得制御は、増幅段の負荷抵抗に直列
に接続したトランジスタのオン抵抗を、AGC回路40
5によりダイナミックに利得を制御することにより行
う。
3の実施形態にかかる光受信回路の構成を示したブロッ
ク図である。図2に示した第1の実施形態との相違は、
プリアンプ302とAGC回路405の構成である。プ
リアンプ302の利得制御は、増幅段の負荷抵抗に直列
に接続したトランジスタのオン抵抗を、AGC回路40
5によりダイナミックに利得を制御することにより行
う。
【0051】図11に、本発明の第3の実施形態にかか
る光受信回路のプリアンプの回路構成を示す。図3に示
したプリアンプ202において、増幅段のFET(Tr
1)の負荷として、負荷抵抗RLに加えて利得制御用の
FET(Tr35)を並列に接続する。AGC回路40
5からの制御信号は、FET(Tr35)のゲートに入
力される。
る光受信回路のプリアンプの回路構成を示す。図3に示
したプリアンプ202において、増幅段のFET(Tr
1)の負荷として、負荷抵抗RLに加えて利得制御用の
FET(Tr35)を並列に接続する。AGC回路40
5からの制御信号は、FET(Tr35)のゲートに入
力される。
【0052】このような構成により、光信号が大きくな
ると、AGC回路405からの制御信号の直流レベルが
上昇する。そうするとゲートバイアスが+側に触れるこ
とになるので、FET(Tr35)のオン抵抗(RO
N)は減少する。FET(Tr1)の負荷は、負荷抵抗
RLとRONとの並列抵抗値となるので、光信号が大き
くなるとRLとRONとの並列抵抗値が小さくなる。こ
の結果、増幅段の利得が減少し、負帰還が働くことにな
る。プリアンプ302の出力を、AGC回路405に直
接入力する構成による高域側の制御についても、第1の
実施形態の場合と同様の動作となる。
ると、AGC回路405からの制御信号の直流レベルが
上昇する。そうするとゲートバイアスが+側に触れるこ
とになるので、FET(Tr35)のオン抵抗(RO
N)は減少する。FET(Tr1)の負荷は、負荷抵抗
RLとRONとの並列抵抗値となるので、光信号が大き
くなるとRLとRONとの並列抵抗値が小さくなる。こ
の結果、増幅段の利得が減少し、負帰還が働くことにな
る。プリアンプ302の出力を、AGC回路405に直
接入力する構成による高域側の制御についても、第1の
実施形態の場合と同様の動作となる。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低域通過フィルタを通過した低域濾波信号を入力する第
1の入力と、プリアンプからの電圧信号を入力する第2
の入力とを有し、第1の入力に入力した低域濾波信号を
増幅し、第2の入力に入力した電圧信号により高域の利
得を制御して、プリアンプに帰還信号を出力するので、
低域通過フィルタを介する負帰還と、プリアンプの出力
による正帰還とにより、自動利得制御回路において高域
での利得を増加させるように動作し、自動利得制御回路
による高域特性の劣化を補正することが可能となる。
低域通過フィルタを通過した低域濾波信号を入力する第
1の入力と、プリアンプからの電圧信号を入力する第2
の入力とを有し、第1の入力に入力した低域濾波信号を
増幅し、第2の入力に入力した電圧信号により高域の利
得を制御して、プリアンプに帰還信号を出力するので、
低域通過フィルタを介する負帰還と、プリアンプの出力
による正帰還とにより、自動利得制御回路において高域
での利得を増加させるように動作し、自動利得制御回路
による高域特性の劣化を補正することが可能となる。
【図1】従来の光受信回路の構成を示したブロック図で
ある。
ある。
【図2】本発明の第1の実施形態にかかる光受信回路の
構成を示したブロック図である。
構成を示したブロック図である。
【図3】本発明の第1の実施形態にかかる光受信回路の
プリアンプの構成を示した回路図である。
プリアンプの構成を示した回路図である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる光受信回路のLP
Fの構成を示した回路図である。
Fの構成を示した回路図である。
【図5】本発明の一実施形態にかかる光受信回路のメイ
ンアンプの構成を示した回路図である。
ンアンプの構成を示した回路図である。
【図6】本発明の第1の実施形態にかかる光受信回路の
AGC回路の構成を示した回路図である。
AGC回路の構成を示した回路図である。
【図7】本発明の第2の実施形態にかかる光受信回路の
構成を示したブロック図である。
構成を示したブロック図である。
【図8】本発明の第2の実施形態にかかる光受信回路の
AGC回路における差動増幅器の構成を示した回路図で
ある。
AGC回路における差動増幅器の構成を示した回路図で
ある。
【図9】本実施形態にかかる光受信回路の出力特性を示
したグラフである。
したグラフである。
【図10】本発明の第3の実施形態にかかる光受信回路
の構成を示したブロック図である。
の構成を示したブロック図である。
【図11】本発明の第3の実施形態にかかる光受信回路
のプリアンプの構成を示した回路図である。
のプリアンプの構成を示した回路図である。
100,200 光受信回路
101 受光デバイス(PD)
102,202,302 プリアンプ
103 ローパスフィルタ(LPF)
104 メインアンプ
105,205,305,405 自動利得調整(A
GC)回路 106 光ファイバ 121,151,221,321 反転増幅器 122,222,322 帰還抵抗 131 抵抗(R) 132 コンデンサ(C) 141,142,353 差動増幅器 152,252,352 FET 251,351,451 増幅器
GC)回路 106 光ファイバ 121,151,221,321 反転増幅器 122,222,322 帰還抵抗 131 抵抗(R) 132 コンデンサ(C) 141,142,353 差動増幅器 152,252,352 FET 251,351,451 増幅器
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Fターム(参考) 5J090 AA01 AA56 CA00 CA21 FA17
FA20 GN08 HA09 HA19 HA25
HA44 KA00 KA02 KA04 KA42
MA08 MA11 MA21 MN01 NN13
SA13 TA01 TA03
5J092 AA01 AA56 CA00 CA21 FA00
FA17 HA09 HA19 HA25 HA44
KA00 KA02 KA04 KA42 MA08
MA11 MA21 SA13 TA01 TA03
UL02
5J100 JA01 LA02 QA01 QA04 SA01
5J500 AA01 AA56 AC00 AC21 AF00
AF17 AF20 AH09 AH19 AH25
AH44 AK00 AK02 AK04 AK42
AM08 AM11 AM21 AS13 AT01
AT03 LU02 NM01 NN13
Claims (5)
- 【請求項1】 受信した光信号を電流信号に変換する受
光デバイスに接続された光受信回路において、 前記電流信号を電圧信号に変換して出力するプリアンプ
と、 該プリアンプから出力された前記電圧信号を平滑化し
て、低域濾波信号を出力する低域通過フィルタと、 該低域通過フィルタを通過した前記低域濾波信号を入力
する第1の入力と、前記プリアンプからの前記電圧信号
を入力する第2の入力とを有し、前記第1の入力に入力
した前記低域濾波信号を増幅し、前記第2の入力に入力
した前記電圧信号により高域の利得を制御して、前記プ
リアンプに帰還信号を出力し、前記プリアンプの電流−
電圧変換効率を制御する自動利得制御回路とを備えたこ
とを特徴とする光受信回路。 - 【請求項2】 前記プリアンプは、増幅器と、該増幅器
の入力と出力とを接続する帰還抵抗とを備え、 前記自動利得制御回路からの前記帰還信号を、前記帰還
抵抗に並列に接続されたトランジスタの制御端子に入力
して、前記帰還抵抗と前記トランジスタとから構成され
るトランスインピーダンスを変化させて、前記電流−電
圧変換効率を制御することを特徴とする請求項1に記載
の光受信回路。 - 【請求項3】 前記自動利得制御回路は、前記プリアン
プからの前記電圧信号を増幅し、前記第2の入力に入力
する増幅器を備え、 前記プリアンプの前記電圧信号の振幅と前記自動利得制
御回路の前記帰還信号の振幅と位相とが、前記低域通過
フィルタのカットオフ周波数以上の周波数帯域でほぼ等
しい値であることを特徴とする請求項1または2に記載
の光受信回路。 - 【請求項4】 前記プリアンプは、 増幅トランジスタに接続された負荷素子に接続された電
圧利得制御用トランジスタを含む増幅段と、 該増幅段の出力バッファである出力段と、 前記増幅段の入力と前記出力段の出力とを接続する帰還
抵抗とを備え、 前記自動利得制御回路からの前記帰還信号を、前記利得
制御用トランジスタの制御端子に入力して、前記増幅段
の利得を制御することにより、前記電流−電圧変換効率
を制御することを特徴とする請求項1に記載の光受信回
路。 - 【請求項5】 前記光受信回路は、前記プリアンプから
出力された前記電圧信号を増幅するメインアンプを備
え、 前記プリアンプと前記メインアンプと前記自動利得制御
回路とが一体に集積化されて構成されていることを特徴
とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光受信回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002059376A JP2003258580A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002059376A JP2003258580A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 光受信回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003258580A true JP2003258580A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28669091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002059376A Pending JP2003258580A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 光受信回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003258580A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223638A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 前置増幅器 |
JP2007295531A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 電子回路 |
US7579915B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-08-25 | Eudyna Devices Inc. | Electronic circuit |
JP2009232135A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Hitachi Ltd | 光信号受信回路 |
US7755020B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving circuit and light coupling device |
JP2013115562A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | トランスインピーダンスアンプ |
CN114094967A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-25 | 江苏科技大学 | 一种用于动作电位检测的自适应阈值发生器 |
JP7637134B2 (ja) | 2019-11-05 | 2025-02-27 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | フォトダイオード電流増幅器のための統合オフセット電圧のための装置 |
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002059376A patent/JP2003258580A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223638A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 前置増幅器 |
JP2007295531A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 電子回路 |
US7579915B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-08-25 | Eudyna Devices Inc. | Electronic circuit |
US7671680B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-03-02 | Eudyna Devices Inc. | Electronic circuit |
US7755020B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving circuit and light coupling device |
JP2009232135A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Hitachi Ltd | 光信号受信回路 |
US8170425B2 (en) | 2008-03-24 | 2012-05-01 | Hitachi, Ltd. | Optical signal receiving circuit |
JP2013115562A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | トランスインピーダンスアンプ |
JP7637134B2 (ja) | 2019-11-05 | 2025-02-27 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | フォトダイオード電流増幅器のための統合オフセット電圧のための装置 |
CN114094967A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-25 | 江苏科技大学 | 一种用于动作电位检测的自适应阈值发生器 |
CN114094967B (zh) * | 2021-11-26 | 2023-08-22 | 江苏科技大学 | 一种用于动作电位检测的自适应阈值发生器 |
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