JP2003255853A

JP2003255853A - 電気光学装置、および電子機器

Info

Publication number: JP2003255853A
Application number: JP2002060722A
Authority: JP
Inventors: Shinsuke Fujikawa; 紳介藤川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-06
Filing date: 2002-03-06
Publication date: 2003-09-10

Abstract

(57)【要約】【課題】表示に直接、寄与しない領域を狭めても、記
号を形成する領域を十分、確保することのできる電気光
学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０
には、対向基板２０と基板間導通材１０６を介して基板
間導通を行う領域と平面的に重なる位置にＴＦＴアレイ
基板１０の裏面側から読み取られる識別記号４０が付さ
れている。この識別記号４０の上層側には、ベタの薄膜
６ｇが光反射性の背景領域として形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶などの電気光学物質が保持された電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気
光学装置に対して、当該電気光学装置の品番など示す記
号を形成するための技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置として最も代表的なものと
しては、一対の基板間に電気光学物質としての液晶を保
持した液晶装置がある。この液晶装置のうち、例えば、
画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴという）を用いたアクティブマトリクス型の液晶
装置では、図１９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、石英や
ガラスなどの透明基板１０ｂに画素スイッチング用のＴ
ＦＴ（図示せず）を形成したＴＦＴアレイ基板１０と、
同じく石英やガラスなどの透明基板に対向電極２１など
を形成した対向基板２０とを所定の間隙を介して対向配
置させるとともに、これらの基板間に液晶を保持させて
いる。

【０００３】これらの基板のうち、ＴＦＴアレイ基板１
０を製造する際には、半導体プロセスを利用して、透明
基板１０ｂ上にシリコン膜、アルミニウム膜、ＩＴＯな
どとといった薄膜を形成するとともに、これらの薄膜を
各々、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニング
して、液晶を駆動する画素電極、この画素電極を駆動す
るＴＦＴ、および配線などを形成する。ここで、ＴＦＴ
アレイ基板１０を製造する過程で不具合があってＴＦＴ
が動作不良を起すと、点欠陥や線欠陥などといった表示
欠陥が発生してしまうので、製造履歴を追跡できるよう
にしておく必要がある。

【０００４】そのため、液晶装置１００′では、ＴＦＴ
アレイ基板１０を製造する際、ＴＦＴなどを形成する工
程を利用して、ＴＦＴアレイ基板１０や液晶装置１０
０′の品番などを示す識別記号４０ａを、例えば２ｍｍ
×２ｍｍの大きさでＴＦＴアレイ基板１０に付してい
る。但し、識別記号４０ａについては、ＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０とを貼り合わせた以降も読み取る
ことが可能であることが求められる。従って、従来は、
フレキシブル基板（図示せず）を接続可能なように端子
１０２などを露出させるためにＴＦＴアレイ基板１０の
端部を対向基板２０の縁から張り出させているので、こ
の張り出し部分１０ｃに識別記号４０ａを形成してい
る。

【０００５】このような従来例としては、例えば、特開
平０９−０１７８４３に記載されたものがある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような液晶装置１
００′において、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部分
１０ｃには、端子１０２の他、多数の配線が形成されて
いるが、このような配線が識別記号４０ａの上層側を通
っていると、ＴＦＴアレイ基板１０の表面側から識別記
号４０ａを読み取ることができなくなる。従って、従来
の液晶装置１００′では、識別記号４０ａの上層側に遮
光性の薄膜を一切、形成しないようにしている。

【０００７】一方、液晶装置１００′では、画像表示領
域１０ａの外周領域は、表示に直接、寄与しない領域で
あるため、このような領域を極力、狭くしたいという強
い要求がある。

【０００８】しかしながら、従来の液晶装置１００′で
は、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部分１０ｃに対し
て、端子１０２や配線が一切、形成されていない領域を
識別記号４０ａの形成領域として例えば２ｍｍ×２ｍｍ
の大きさで確保する必要があるため、ＴＦＴアレイ基板
１０の張り出し部分１０ｃなど、表示に直接、寄与しな
い領域をこれ以上、狭めることができないという問題点
がある。

【０００９】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
表示に直接、寄与しない領域を狭めても、記号を形成す
る領域を十分、確保することのできる電気光学装置、お
よび電子機器を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、第１の基板と、該第１の基板に対して
対向配置された第２の基板と、該第２の基板と前記第１
の基板との間に保持された電気光学物質とを有し、前記
第１の基板と前記第２の基板とは当該基板間に挟まれた
導通部材で基板間導通が行われている電気光学装置にお
いて、前記第１の基板および前記第２の基板のうち少な
くとも一方が透明基板から構成され、かつ、前記基板間
導通が行われている領域と平面的に重なる領域には、前
記透明基板を介して読み取り可能な記号が付されている
ことを特徴とする。

【００１１】例えば、前記記号は、前記透明基板におい
て前記基板間導通を行うための電極の下層側に形成され
ていることにより、前記透明基板の裏面側から読み取り
可能である。

【００１２】本発明において、基板間導通を行うための
領域に記号を形成しているので、記号を形成する領域を
別途、確保する必要がない。しかも、記号は、透明基板
において前記基板間導通を行うための電極の下層側に形
成され、この透明基板の裏面側から読み取ることができ
る。従って、基板間導通を行うための電極と、記号とを
平面的に重なる領域に形成したとしても、透明基板の裏
面側から記号を読み取ることできる。また、透明基板の
裏面側から記号を読み取ることができるので、記号の上
層側に配線が通っていても、これらの配線は、記号を読
み取るのを妨げない。それ故、記号を形成するにあたっ
て、配線が一切、形成されていない領域を確保する必要
がないので、表示に直接、寄与しない領域を狭めること
ができる。

【００１３】本発明において、前記記号は、前記第１の
基板および前記第２の基板のうち、複数の薄膜によっ
て、前記電気光学物質を駆動する電極、該電極を駆動す
るスイッチング素子が形成されている透明な第１の基板
の側に形成されていることが好ましい。このように構成
すると、前記記号は、前記複数の薄膜のうちの一層と同
層に形成することができる。例えば、前記記号について
は、前記複数の薄膜のうち、前記スイッチング素子を構
成するに用いられている薄膜と同層に形成することがで
きる。従って、第１の基板の側において、スイッチング
素子を形成する工程を利用して、記号を第１の基板に作
りこむことができるので、記号を形成するための工程を
別途、行う必要がない。

【００１４】本発明において、前記スイッチング素子
は、例えば、薄膜トランジスタである。この場合、当該
薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体膜と同層の
半導体膜によって前記記号を形成することが好ましい。
第１の基板に形成される各薄膜のうち、薄膜トランジス
タの能動層を構成する半導体膜は、他の薄膜と比較して
かなり薄いので、この半導体膜を利用して記号を形成す
ると、記号の存在によって表面側に凹凸が形成されな
い。従って、記号と平面的に重なる領域に基板間導通用
の電極を形成しても、この電極は、表面が平坦であるの
で、基板間導通部分の信頼性が低下しない。また、ギャ
ップ制御に与える影響も小さいので好ましい。

【００１５】本発明において、前記基板間導通を行うた
めの電極は、前記複数の薄膜のうち、前記駆動電極を構
成する透明導電膜によって形成されている場合には、前
記記号と前記基板間導通を行うための電極との間のう
ち、前記記号と平面的に重なる領域には、前記透明基板
および前記記号と光学特性の異なる不透明膜によって前
記記号に対する背景領域が形成されていることが好まし
い。基板間導通材は通常、樹脂に導通材を配合したもの
で、それを硬化させた状態において、基板間導通材を見
ると複雑な模様が見える。従って、記号と基板間導通を
行うための電極との間に背景領域を形成しておけば、透
明導電膜が透明であっても、記号の背景から基板間導通
材を隠すことができるので、記号を正確に読み取ること
ができる。これはOCRなどによる機械読み取りの場合な
どに効果が大きい。

【００１６】この場合、背景領域を構成する不透明膜に
ついても、前記複数の薄膜のうちのいずれかの薄膜を利
用すれば、背景領域を形成するための工程を別途、行う
必要がない。

【００１７】本発明において、前記基板間導通を行うた
めの電極自身を前記透明基板および前記記号と光学特性
の異なる不透明層から形成して、前記記号に対する背景
領域を構成してもよい。このように構成すると、記号の
背景から基板間導通材を隠すことができるので、記号を
正確に読み取ることができ、かつ、背景領域を形成する
ための工程を別途、行う必要がない。

【００１８】本発明において、前記電気光学物質は、例
えば、液晶である。

【００１９】本発明に係る電気光学装置は、携帯型コン
ピュータや携帯電話機などといった電子機器において表
示部などを構成するのに用いられる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図面を参照して、代表的な電気光
学装置である液晶装置に本発明を適用した例を説明す
る。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。

【００２１】（液晶装置の全体構成）図１（Ａ）、
（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置をその上に形成された各構
成要素と共に対向基板の側から見た平面図、および対向
基板を含めて示す図１（Ａ）のＨ−Ｈ′断面図である。

【００２２】図１（Ａ）において、液晶装置１００（電
気光学装置）のＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール
材１０７（図１（Ａ）の右下がりの斜線領域）が貼り合
わされる対向基板２０の縁に沿うように設けられてい
る。また、ＴＦＴアレイ基板１０の外周側には、基板辺
１１１の側でシール材１０７と一部重なるようにデータ
線駆動回路１０１が形成され、基板辺１１３、１１４の
側には走査線駆動回路１０４が形成されている。また、
ＴＦＴアレイ基板１０において対向基板２０からの張り
出し領域１０ｃには多数の端子１０２が形成されてい
る。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０において基板辺１１
１と対向する基板辺１１２には、画像表示領域１０ａの
両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐため
の複数の配線１０５が形成されている。

【００２３】また、対向基板２０の４つのコーナー部に
は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気
的導通をとるための基板間導通材１０６が形成され、こ
の基板間導通材１０６は、エポキシ樹脂系の接着剤成分
に銀粉や金メッキファイバーなどの導電粒子が配合され
たものである。なお、走査線に供給される走査信号の遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は
片側だけでも良いことは言うまでもない。逆に、データ
線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両
側に配列してもよい。

【００２４】図１（Ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０とは、シール材１０７によって所
定の間隙を介して貼り合わされ、これらの間隙に液晶５
０が保持されている。シール材１０７は、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺で貼り合わせ
るための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤
であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスフ
ァイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合
されている。

【００２５】詳しくは後述するが、ＴＦＴアレイ基板１
０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されてい
る。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７
の内側領域に遮光性材料からなる周辺見切り用の遮光膜
１０８が形成されている。さらに、対向基板２０におい
て、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９
ａの縦横の境界領域と対向する領域には、ブラックマト
リクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる
遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜から
なる対向電極２１が形成されている。

【００２６】このように構成した液晶装置１００につい
ては、たとえば、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）
において使用する場合、３枚の液晶装置１００がＲＧＢ
用のライトバルブとして各々使用される。この場合、各
液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロ
イックミラーを介して分解された各色の光が投射光とし
て各々入射されることになるので、液晶装置１００には
カラーフィルタが形成されていない。但し、後述するよ
うに、モバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビ
などといった電子機器のカラー表示装置として用いる場
合には、図示を省略するが、対向基板２０において各画
素電極９ａに対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタを
その保護膜とともに形成する。

【００２７】（液晶装置１００の構成および動作）ＴＦ
Ｔアレイ基板１０および液晶装置１００の電気的な構成
および動作について、図２および図３を参照して説明す
る。

【００２８】図２は、液晶装置１００に用いられる駆動
回路内蔵型のＴＦＴアレイ基板１０の構成を模式的に示
すブロック図、図３は、この液晶装置１００において画
像表示領域１０ａを構成するためにマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線などの等価回
路図である。

【００２９】図２に示すように、駆動回路内蔵型のＴＦ
Ｔアレイ基板１０では、互いに交差する複数のデータ線
６ａと、複数の走査線３ａとが交差する部分に対応して
複数の画素がマトリクス状に構成されている。また、デ
ータ線駆動回路１０１には、Ｘ側シフトレジスタ回路、
Ｘ側シフトレジスタ回路から出力された信号に基づいて
動作するアナログスイッチとしてのＴＦＴを備えるサン
プルホールド回路、６相に展開された各画像信号ＶＩＤ
１〜ＶＩＤ６に対応する６本の画像信号線などが構成さ
れている。データ線駆動回路１０１は、例えば、前記の
Ｘ側シフトレジスタ回路が４相で構成されており、端子
１０２を介して外部からスタート信号ＤＸ、クロック信
号ＣＬＸ１〜ＣＬＸ４、およびその反転クロック信号Ｃ
ＬＸ１バー〜ＣＬＸ４バーがＸ側シフトレジスタ回路に
供給され、これらの信号によってデータ線駆動回路１０
１が駆動される。従って、サンプルホールド回路は、前
記のＸ側シフトレジスタ回路から出力された信号に基づ
いて各ＴＦＴが動作し、画像信号線を介して供給される
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を所定のタイミングでデー
タ線６ａに取り込み、各画素に供給することが可能であ
る。一方、走査線駆動回路１０４には、端子１０２を介
して外部からスタート信号ＤＹ、クロック信号ＣＬＹ、
およびその反転クロック信号ＣＬＹバーが供給され、こ
れらの信号によって走査線駆動回路１０４が駆動され
る。

【００３０】ＴＦＴアレイ基板１０において、基板辺１
１１には、定電圧ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ、ＶＤＤＹ、ＶＳ
ＳＹ、変調画像信号（画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）、
各種駆動信号などが入力されるアルミニウム膜等の金属
膜、金属シリサイド膜、あるいはＩＴＯ膜等の導電膜か
らなる多数の端子１０２が構成され、これらの端子１０
２からは、走査線駆動回路１０１およびデータ線駆動回
路１０４を駆動するためのアルミニウム膜等の低抵抗な
金属膜などからなる複数の配線１０９がそれぞれ引き回
されている。

【００３１】図３に示すように、液晶装置１００の画像
表示領域１０ａにおいて、マトリクス状に形成された複
数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画
素電極９ａを制御するための画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０が形成されており、画素信号を供給するデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・
Ｓｎは、この順に線順次に供給する。また、ＴＦＴ３０
のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所
定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ
１、Ｇ２・・・Ｇｍを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレ
インに電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることに
より、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２
・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。こ
のようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１
（Ｂ）を参照して説明した対向基板２０の対向電極２１
との間で一定期間保持される。

【００３２】ここで、ＴＦＴアレイ基板１０には、保持
された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画
素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量
と並列に蓄積容量７０（キャパシタ）を付加することが
ある。この蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧
は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も
長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性
は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことので
きる液晶装置１００が実現できる。なお、蓄積容量７０
を形成する方法としては、容量を形成するための配線で
ある容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の
走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。

【００３３】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、ＴＦ
Ｔアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。
図５は、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での断面、お
よびＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に液晶を封入し
た状態の断面を示す説明図である。

【００３４】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成
され、これら画素電極９ａに対して画素スイッチング用
のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極
９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３
ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、デー
タ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すな
わち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦ
Ｔ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、走査
線３ａは、その突出部分がＴＦＴ３０のゲート電極を構
成している。蓄積容量７０は、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０を形成するための半導体膜１ａの延設部分１ｆ
を導電化したものを下電極とし、この下電極４１に容量
線３ｂが上電極として重なった構造になっている。

【００３５】図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
では、その基体として透明基板１０ｂが用いられ、この
透明基板１０ｂの表面には、厚さが３００ｎｍ〜５００
ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１
１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが
３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成され
ている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５
０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成
され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ
〜８００ｎｍの走査線３ａが形成されている。半導体膜
１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介し
て対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。こ
のチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソー
ス領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース
領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃお
よび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形
成されている。

【００３６】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜４が形成され、この層間絶縁膜４の
表面には、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒
化膜からなる層間絶縁膜５が形成されている。層間絶縁
膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデー
タ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜
４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース
領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面
にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが
形成され、このドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形
成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域
１ｅに電気的に接続している。

【００３７】層間絶縁膜５の上層には、透光性の感光性
樹脂からなる凹凸形成層１３ａが所定のパターンで形成
されている。また、凹凸形成層１３ａの表面には、透光
性の感光性樹脂からなる上層絶縁膜７ａが形成され、こ
の上層絶縁膜７ａの表面には、アルミニウム膜などから
なる光反射膜８ａが形成されている。従って、光反射膜
８ａの表面には、凹凸形成層１３ａの凹凸が反映されて
凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇ
は、エッジのない、なだらかな形状になっている。な
お、図４には、凹凸形成層１３ａの平面形状について
は、六角形で表してあるが、その形状については、円形
や八角形など、種々の形状のものを採用することができ
る。

【００３８】また、光反射膜８ａの上層には画素電極９
ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの
表面に直接、積層されてもよい。また、画素電極９ａ
は、上層絶縁膜７ａ、凹凸形成層１３ａ、層間絶縁膜５
に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極６
ｂに電気的に接続している。

【００３９】ここで、光反射膜８ａには、画素電極９ａ
と平面的に重なる領域の一部に矩形の光透過窓８ｄが形
成されこの光透過窓８ｄに相当する部分には、ＩＴＯか
らなる画素電極９ａは存在するが、光反射膜８ａは存在
しない。

【００４０】画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。

【００４１】なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが
上電極として対向することにより、蓄積容量７０が構成
されている。

【００４２】このように、本形態の液晶装置１００で
は、透明な画素電極９ａの下層側に光反射膜８ａが形成
されているため、対向基板２０側から入射した光をＴＦ
Ｔアレイ基板１０側で反射し、対向基板１０側から出射
された光によって画像を表示する（反射モード）。ま
た、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側に配置されたバック
ライト装置（図示せず）から出射された光のうち、光反
射膜８ａが形成されていない光透過窓８ｄに向かう光
は、光透過窓８ｄを介して対向基板２０側に透過するの
で、透過モードでの表示も可能である。

【００４３】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００４４】また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。

【００４５】（対向基板２０の構成）対向基板２０で
は、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９
ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる
対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の
上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成さ
れ、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング
処理が施された膜である。

【００４６】（駆動回路の構成）再び図１（Ａ）におい
て、本形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１
０の表面側のうち、画像表示領域１０ａの周辺領域を利
用してデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１
０４などの周辺回路が形成されている。データ線駆動回
路１０１および走査線駆動回路１０４は、基本的には、
図６および図７に示すＮチャネル型のＴＦＴとＰチャネ
ル型のＴＦＴとによって構成されている。

【００４７】図６は、走査線駆動回路１０４およびデー
タ線駆動回路１０１等の周辺回路を構成するＴＦＴの構
成を示す平面図である。図７は、この周辺回路を構成す
るＴＦＴを図６のＢ−Ｂ′線で切断したときの断面図で
ある。

【００４８】図６および図７において、周辺回路を構成
するＴＦＴは、Ｐチャネル型のＴＦＴ１８０とＮチャネ
ル型のＴＦＴ１９０とからなる相補型ＴＦＴとして構成
されている。これらの駆動回路用のＴＦＴ１８０、１９
０を構成する半導体膜１６０（図６には輪郭を点線で示
す）は、透明基板１０ｂの下地保護膜１１の表面に島状
に形成されている。

【００４９】ＴＦＴ１８０、１９０には、高電位線１７
１と低電位線１７２がコンタクトホール１６３、１６４
を介して、半導体膜１６０のソース領域に電気的にそれ
ぞれ接続されている。また、入力配線１６６は、共通の
ゲート電極１６５にそれぞれ接続されており、出力配線
１６７は、コンタクトホール１６８、１６９を介して、
半導体膜１６０のドレイン領域に電気的にそれぞれ接続
されている。

【００５０】このような周辺回路領域も、画像表示領域
１０ａと同様なプロセスを経て形成されるため、周辺回
路領域にも、層間絶縁膜４、５およびゲート絶縁膜２が
形成されている。また、駆動回路用のＴＦＴ１８０、１
９０も、画素スイッチング用のＴＦＴ３０と同様、ＬＤ
Ｄ構造を有しており、チャネル形成領域１８１、１９１
の両側には、高濃度ソース領域１８２、１９２および低
濃度ソース領域１８３、１９３からなるソース領域と、
高濃度ドレイン領域１８４、１９４および低濃度ドレイ
ン領域１８５、１９５からなるドレイン領域とを備えて
いる。

【００５１】（識別記号／二次元コードの構成）図８
は、本形態の液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０に
付した識別記号をＴＦＴアレイ基板１０の裏面側からみ
た説明図である。図９は、識別記号の形成領域の断面図
である。

【００５２】本形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレ
イ基板１０や液晶装置１００の製造履歴を後々、追跡調
査を行えるように、ＴＦＴアレイ基板１０を裏面側から
みたとき、透明基板１０ｂを介して図８に示すように見
える識別記号４０が付されている。ここに示す識別記号
４０は、ＶｅｒｉＣｏｄｅと称せられる二次元コードで
あり、光の反射率の強弱によってデータを規定するセル
４１がマトリクス状に並んでいる。ここで、１ドット分
のセル４１のサイズは１００μｍ角であり、このような
セル４１は１０×１０〜１４４×１４４形成されるが、
本形態のＴＦＴアレイ基板１０に形成されている識別記
号は、１４×１４のセルサイズである。

【００５３】本形態において、識別記号４０は、図１
（Ａ）および図２に示すように、画像表示領域１０ａの
外周側のうち、基板間導通材１０６が配置されている４
つの領域のうちの１つに形成されている。従って、識別
記号４０が形成されている部分のＴＦＴアレイ基板１０
の断面は、図９に示すように表される。

【００５４】図９からわかるように、識別記号４０が形
成されている領域では、層間絶縁膜５の表面に画素電極
９ａと同層のＩＴＯ膜からなる透明な基板間導通電極９
ｇが形成され、この基板間導通電極９ｇは、基板間導通
材１０６を介して対向基板２０の対向電極２１に電気的
に接続されている。ここで、基板間導通電極９ｇには、
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す端子１０２や配線などを介し
て、対向電極２１に供給すべき定電圧（ＤＣＣＯＭ）が
供給されるので、対向電極２１に対しても定電位を供給
することができる。

【００５５】また、基板間導通電極９ｇの下層側のう
ち、基板間導通電極９ｇと平面的に重なる領域には、透
明基板１０ｂの下地保護膜１１の表面に、所定のパター
ン形状に形成された半導体膜１ｇによって識別記号４０
が形成されている。ここで、半導体膜１ｇは、ＴＦＴ３
０の能動層を構成する半導体膜１ａなどと同時形成され
たシリコン膜であり、このシリコン膜には不純物が導入
されている。なお、識別記号４０の上層側には、ゲート
絶縁膜２、および層間絶縁膜４、５が形成されている。

【００５６】また、本形態では、識別記号４０の上層側
には、データ線６ａなどと同時形成されたアルミニウム
膜、アルミニウム合金膜などと同層の薄膜６ｇがベタの
背景領域として層間層間絶縁膜４の表面側に形成されて
いる。なお、ベタの背景領域は、ゲート電極３ａと同時
形成された金属膜で構成することも出来る。

【００５７】このように構成した液晶装置１００におい
て、識別記号４０の読み取りは、図１（Ａ）、（Ｂ）に
示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対向基板２
０を重ねて液晶装置１００として組み立てた後に行われ
ることがなるが、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の
裏面側から識別記号４０を読み取る構成であるため、基
板間導通材１０６の存在が識別記号４０を読み取るのに
支障とならない。また、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側
からであれば、識別記号４０との間に介在するのは、ガ
ラスなどの透明基板１０ｂと、シリコン酸化膜などから
なる透明な下地保護膜１１だけであるので、識別記号４
０をイメージリーダで確実に読み取ることができる。

【００５８】しかも、基板間導通材１０６や基板間導通
電極９ｇが形成されている領域を有効利用して識別記号
４０を配置したので、識別記号４０を形成する領域を確
保することを目的にＴＦＴアレイ基板１０を対向基板２
０から大きくはみ出させる必要がない。それ故、ＴＦＴ
アレイ基板１０において、表示に直接、寄与しない領域
を狭めることができる。

【００５９】さらに、識別記号４０において、半導体膜
１ｇが残っているセル４１は光吸収性を有する一方、半
導体膜１ｇが残されていないセル４１には、光反射性を
有するアルミニウム膜などからなる薄膜６ｇが背景領域
として形成されているので、半導体膜１ｇが残っている
セル４１と、半導体膜１ｇが残されていないセル４１と
の間でコントラストが大きい。それ故、識別記号４０を
正確に読み取ることができる。また、基板間導通材１０
６は通常、樹脂に導通材を配合したもので、それを硬化
させた状態において、基板間導通材１０６を見ると複雑
な模様が見えるが、本形態では、基板間導通電極９１ｇ
が透明であっても、薄膜６ｇによって識別記号４０の背
景から基板間導通材１０６を隠すことができるので、識
別記号４０を正確に読み取ることができる。

【００６０】さらにまた、本形態では、ＴＦＴ３０の能
動層を構成する半導体膜１ａ、およびそれと同層の半導
体膜１ｇは、他の薄膜と比較してかなり薄く、この半導
体膜１ｇを利用して識別記号４０を形成してある。この
ため、識別記号４０の存在によって表面側に凹凸が形成
されない。従って、識別記号４０と平面的に重なる領域
に基板間導通電極９ｇを形成しても、この電極は、表面
が平坦であるので、基板間導通部分の信頼性が低下しな
い。また、ギャップ制御に与える影響も小さいので好ま
しい。

【００６１】また、識別記号４０は、透明基板１０ｂの
表面に形成された下地保護膜１１の表面に形成されてい
るので、平坦な下地の上に形成されている。このため、
識別記号４０を正確に読み取ることができる。

【００６２】（ＴＦＴアレイ基板の製造方法）図１０〜
図１５はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製
造方法を示す工程断面図である。なお、図１０〜図１５
は、いずれも図５、図７、図９に対応する部分の断面に
相当する。

【００６３】まず、図１０（Ａ）に示すように、超音波
洗浄等により清浄化したガラス製等の透明基板１０ｂを
準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件
下でプラズマＣＶＤ法により、透明基板１０ｂの全面に
厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からな
る下地保護膜１１を形成する。このときの原料ガスとし
ては、たとえばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴ
ＥＯＳと酸素、あるいはジシランとアンモニアを用いる
ことができる。

【００６４】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、下地保護膜１１の表面に、アモルファスの
シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法によ
り３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成した後、半導体膜
１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施し、
アモルファスの半導体膜を一度溶融させた後、冷却固化
過程を経て結晶化させる。この際には、各領域へのレー
ザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域
も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時
に高温に熱せられることがない。それ故、透明基板１０
ｂとしてガラス基板などを用いても熱による変形や割れ
等が生じない。なお、半導体膜１ａを形成するときの原
料ガスとしては、たとえばジシランやモノシランを用い
ることができる。

【００６５】次に、図１０（Ｂ）に示すように、半導体
膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジスト
マスク４０２を形成し、このレジストマスク４０２を介
して半導体膜１をエッチングすることにより、図１０
（Ｃ）に示すように、島状の半導体膜１ａ、１６０、１
ｇを形成する。

【００６６】次に、半導体膜１ａ、１６０、１ｇのう
ち、識別記号４０を形成するための半導体膜１ｇに対し
てレーザ光を照射し、図１０（Ｄ）に示すように、半導
体膜１ｇの一部を蒸発、除去させて、識別記号４０を形
成する。

【００６７】このようなレーザ加工を利用して識別記号
４０を形成すると、かなり複雑な識別記号４０をロット
毎、あるいは基板上に形成された多数のチップ毎に容易
に形成することができる。例えば、識別記号として二次
元コードを形成すると、この二次元コードはバーコード
と比較して情報化密度が高いので、各種情報を付すこと
ができる。ここで、二次元コードは、一般にデータを規
定するセル４１がマトリクス状に並ぶものであるが、レ
ーザ加工を利用すれば、このような複雑な形態のコード
であっても容易に形成することができる。

【００６８】なお、レーザ光の照射は、図１０（Ａ）に
示す工程において、半導体膜１をパターニングする前に
行ってもよい。

【００６９】次に、図１０（Ｅ）に示すように、３５０
℃以下の温度条件下で、透明基板１０ｂの全面に厚さが
５０ｎｍ〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート
絶縁膜２を形成する。このときの原料ガスは、たとえば
ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができ
る。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜
に代えてシリコン窒化膜であってもよい。

【００７０】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量７０を
構成するための下電極を形成する。

【００７１】次に、図１１（Ｆ）に示すように、スパッ
タ法などにより、透明基板１０ｂの全面にアルミニウム
膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属の
いずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３０
０ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストマスク４０３を形成し、こ
のレジストマスク４０３を介して導電膜３をドライエッ
チングする。その結果、図１１（Ｇ）に示すように、走
査線３ａ、ゲート電極１６５、および容量線３ｂが形成
される。

【００７２】次に、図１１（Ｈ）に示すように、Ｐチャ
ネル型のＴＦＴ１８０を形成するための半導体膜１６０
をレジストマスク４１１で覆った状態で、画素スイッチ
ング用のＴＦＴ３０を構成する半導体膜１ａと、駆動回
路用のＮチャネル型のＴＦＴ１９０を構成する半導体膜
１６０とに対して、走査線３ａやゲート電極１６５をマ
スクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²〜約１０×１０
¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度Ｎ型の不純物イオン（リ
ンイオン）を打ち込んで、走査線３ａおよびゲート電極
１６５に対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ、１
９３、および低濃度ドレイン領域１ｃ、１９５を形成す
る。ここで、走査線３ａやゲート電極１６５の真下に位
置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分
は半導体膜１ａ、１６０のままのチャネル領域１ａ′、
１９１となる。

【００７３】この工程では、識別記号４０を形成するた
めの半導体膜１ｇにも不純物が打ち込まれる。

【００７４】次に、図１１（Ｉ）に示すように、走査線
３ａおよびゲート電極６６より幅が広く、かつ、Ｐチャ
ネル型のＴＦＴ１８０を形成するための半導体膜１６０
を覆うレジストマスク４１２を形成し、この状態で、高
濃度Ｎ型の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１
０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち
込み、高濃度ソース領域１ｄ、１９２、およびドレイン
領域１ｅ、１９４を形成する。

【００７５】この工程では、識別記号４０を形成するた
めの半導体膜１ｇにも不純物が打ち込まれてもよい。

【００７６】次に、図１２（Ｊ）に示すように、Ｎチャ
ネル型のＴＦＴ３０、１９０を形成するための半導体膜
１ａ、１６０をレジストマスク４１３で覆った状態で、
駆動回路用のＰチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ１８０
を構成する半導体膜１６０に対して、ゲート電極１６５
をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²〜約１０×
１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純物イオン（ボ
ロンイオン）を打ち込んで、ゲート電極１６５に対して
自己整合的に低濃度ソース領域１８３、および低濃度ド
レイン領域１８５を形成する。ここで、ゲート電極１６
５の真下に位置しているため、不純物イオンが導入され
なかった部分は半導体膜１６０のままのチャネル領域１
８１となる。

【００７７】次に、図１２（Ｋ）に示すように、ゲート
電極１６５より幅が広く、かつ、Ｎチャネル型のＴＦＴ
３０、１９０を形成するための半導体膜１ａ、１６０を
覆うレジストマスク４１４を形成し、この状態で、高濃
度Ｐ型の不純物イオン（ボロンイオン）を約０．１×１
０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち
込み、高濃度ソース領域１８２、およびドレイン領域１
８４を形成する。

【００７８】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａお
よびゲート電極をマスクにして高濃度の不純物を打ち込
んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレイン
領域を形成してもよいことは勿論である。

【００７９】次に、図１２（Ｌ）に示すように、透明基
板１０ｂの表面全体に、シリコン酸化膜などからなる層
間絶縁膜４を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用
いて層間絶縁膜４の表面にレジストマスクを形成し、こ
のレジストマスクの開口部から層間絶縁膜４をエッチン
グして、コンタクトホール１６３、１６４、１６８、１
６９などをそれぞれ形成した後、レジストマスクを除去
する。

【００８０】次に、図１３（Ｍ）に示すように、アルミ
ニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜などの導電膜６を
スパッタ法などで３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成
した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマス
ク４０５を形成し、このレジストマスク４０５を介して
導電膜６にドライエッチングを行って、図１３（Ｎ）に
示すように、層間絶縁膜４の表面側にデータ線６ａおよ
びドレイン電極６ｂなどを形成する。また、識別記号４
０の表面側に、識別記号４０に対する背景領域となるベ
タの薄膜６ｇを形成する。

【００８１】次に、図１３（Ｏ）に示すように、透明基
板１０ｂの表面全体に、シリコン窒化膜などからなる層
間絶縁膜５を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用
いて層間絶縁膜５の表面にレジストマスクを形成し、こ
のレジストマスクの開口部から層間絶縁膜５をエッチン
グして、コンタクトホールを形成した後、レジストマス
クを除去する。

【００８２】次に、図１４（Ｐ）に示すように、層間絶
縁膜５の表面にスピンコート法などを用いて透明な感光
性樹脂を塗布した後、露光、現像を行って、凹凸形成層
１３ａを所定のパターンに形成するとともに、コンタク
トホールを形成する。

【００８３】次に、図１４（Ｑ）に示すように、凹凸形
成層１３ａの表面にスピンコート法などを用いて透明な
感光性樹脂を塗布した後、露光、現像を行って、上層絶
縁膜７ａを形成するとともに、コンタクトホールを形成
する。上層絶縁膜７ａを形成した後、必要に応じて加熱
し、上層絶縁膜７ａの表面をなだらかな形状とする。

【００８４】次に、図１４（Ｒ）に示すように、凹凸形
成層１３ａの表面にアルミニウムなどの金属膜８を形成
した後、その表面に、フォトリソグラフィ技術を用い
て、レジストマスク５５６を形成し、このレジストマス
ク５５６を介して金属膜８をパターングし、図１４
（Ｓ）に示すように、光反射膜８ａを形成する。このよ
うにして形成した光反射膜８ａでは、凹凸形成層１３ａ
の表面形状が上層絶縁膜７ａを介して反映されるので、
光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな凹
凸パターン８ａが形成される。この際、凹凸形成層１３
ａの平坦領域と平面的に重なる領域に光透過窓８ｄを形
成する。

【００８５】次に、図１５（Ｔ）に示すように、光反射
膜８ａの表面側に厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ
膜をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ
技術を用いてレジストマスク５５７を形成し、このレジ
ストマスク５５７を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行
って、図１５（Ｕ）に示すように、画素電極９ａ、およ
び基板間導通電極９ｇを形成する。

【００８６】しかる後には、画素電極９ａの表面側にポ
リイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチ
ルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜
１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポ
リイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化
（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板を
レーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリ
イミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結
果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作
用により液晶分子が一定方向に配列する。

【００８７】これにより、ＴＦＴアレイ基板１０が完成
するので、シール材１０７によって対向基板２０と貼り
合せるとともに、基板間導通材１０６によって、対向基
板２０の対向電極２１と基板間導通電極９ｇとを電気的
に接続する。

【００８８】［その他の実施の形態］上記形態では、半
導体膜１ｇで識別記号４０を形成したが、走査線３ａな
どを形成する導電膜を部分的に残して識別記号４０を形
成してもよい。

【００８９】また、上記形態では、データ線６ａと同層
の薄膜で背景領域が形成されている構成であったが、ベ
タの背景領域が、光反射膜８ａと同層の薄膜、あるい
は、走査線３ａと同層の導電膜から形成されている構成
であってもよい。

【００９０】さらに、上記形態では、半導体膜１ｇに対
してレーザ光を照射して薄膜の一部を蒸発、除去するこ
とにより識別記号４０を形成する構成であったが、半導
体膜１ｇにレーザ光を照射して、半導体膜を部分的に結
晶化させてその反射率を部分的に変えることにより識別
記号４０を形成してもよい。

【００９１】さらにまた、上記形態では、基板間導通電
極９ｇがＩＴＯ膜からなる透明電極であったため、デー
タ線６ａおよびドレイン電極６ｂなどと同層の薄膜６ｇ
によって、識別記号４０に対する背景領域を形成した
が、図１６に示すように、基板間導通電極９ｇがアルミ
ニウム膜などの不透明膜からなる場合には、基板間導通
電極９ｇ自身を識別記号４０に対する背景領域として利
用してもよい。

【００９２】さらに、上記形態ではトップゲート型のＴ
ＦＴを画素スイッチング用に形成した例であったが、ボ
トムゲート型のＴＦＴを画素スイッチング用に形成して
もよく、この場合、ゲート電極と同時形成された導電膜
で識別記号４０を形成してもよい。また、この場合も半
導体膜で識別記号４０を形成することも可能である。

【００９３】［液晶装置の電子機器への適用］このよう
に構成した半透過・反射型の液晶装置１００は、各種の
電子機器の表示部として用いることができるが、その一
例を、図１７、および図１８（Ａ）、（Ｂ）を参照して
説明する。

【００９４】図１７は、本発明に係る液晶装置を表示装
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。

【００９５】図１７において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た液晶装置１００を用いることができる。

【００９６】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【００９７】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【００９８】図１８（Ａ）は、本発明に係る電子機器の
一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０
は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユ
ニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述
した液晶装置１００を含んで構成される。

【００９９】図１８（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の
他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示
す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述し
た液晶装置１００からなる表示部とを有している。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、基板
間導通を行うための領域に記号を形成しているので、記
号を形成する領域を別途、確保する必要がない。しか
も、記号は、透明基板において前記基板間導通を行うた
めの電極の下層側に形成され、この透明基板の裏面側か
ら読み取ることができる。従って、基板間導通を行うた
めの電極と、記号とを平面的に重なる領域に形成したと
しても、透明基板の裏面側から記号を読み取ることでき
る。また、透明基板の裏面側から記号を読み取ることが
できるので、記号の上層側に配線が通っていても、これ
らの配線は、記号を読み取るのを妨げない。それ故、記
号を形成するにあたって、配線が一切、形成されていな
い領域を確保する必要がないので、表示に直接、寄与し
ない領域を狭めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置をその上
に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平
面図、および図１（Ａ）のＨ−Ｈ′断面図である。

【図２】図１に示す液晶装置に用いたＴＦＴアレイ基板
の構成を模式的に示すブロック図である。

【図３】図２の画像表示領域にマトリクス状に形成され
た複数の画素における各種素子、配線などの等価回路図
である。

【図４】図３に示す画素の平面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したと
きの断面図である。

【図６】図１に示す駆動回路の平面図である。

【図７】図６に示す駆動回路用のＴＦＴの断面図であ
る。

【図８】図１に示す識別記号をＴＦＴアレイ基板の裏面
側からみた説明図である。

【図９】図８に示す識別記号の形成領域の断面図であ
る。

【図１０】（Ａ）ないし（Ｅ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１１】（Ｆ）ないし（Ｉ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１２】（Ｊ）ないし（Ｌ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１３】（Ｍ）ないし（Ｏ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１４】（Ｐ）ないし（Ｓ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１５】（Ｔ）および（Ｕ）は、本発明を適用したＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１６】本発明を適用した別の液晶装置の端部の断面
図である。

【図１７】本発明に係る液晶装置を表示装置として用い
た電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る液
晶装置を用いたモバイル型のパーソナルコンピュータを
示す説明図、および携帯電話機の説明図である。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、従来の液晶装置
をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側か
ら見た平面図、およびその端部の断面図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｇ、１６０半導体膜３ａ走査線３ｂ容量線６ａデータ線６ｂドレイン電極６ｇ背景領域を構成する薄膜８ａ光反射膜９ａ画素電極９ｇ基板間導通電極１０ＴＦＴアレイ基板１０ａ画像表示領域１０ｂ透明基板（第１の基板）１３ａ凹凸形成層２０対向基板（第２の基板）２１対向電極３０画素スイッチング用のＴＦＴ４０識別記号７０蓄積容量１００液晶装置（電気光学装置）１０６基板間導通材

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｆターム(参考） 2H092 GA32 GA38 GA39 GA40 GA50 GA61 JA24 JA34 JA37 JA41 JA47 JB22 JB31 KA10 KA12 KA18 MA12 MA27 NA15 NA16 5C094 AA15 AA41 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 DB04 EA02 EB02 FA01 FA02 FB12 FB14 FB15 5G435 AA17 AA18 BB12 BB15 BB16 CC09 EE37 HH12 HH13 HH14 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板と、該第１の基板に対して対
向配置された第２の基板と、該第２の基板と前記第１の
基板との間に保持された電気光学物質とを有し、前記第
１の基板と前記第２の基板とは当該基板間に挟まれた導
通部材で基板間導通が行われている電気光学装置におい
て、前記第１の基板および前記第２の基板のうち少なくとも
一方が透明基板から構成され、かつ、前記基板間導通が
行われている領域と平面的に重なる領域には、前記透明
基板を介して読み取り可能な記号が付されていることを
特徴とする電気光学装置。
【請求項２】請求項１において、前記記号は、前記透
明基板において前記基板間導通を行うための電極の下層
側に形成されていることにより、前記透明基板の裏面側
から読み取り可能であることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項３】請求項２において、前記記号は、前記第
１の基板および前記第２の基板のうち、複数の薄膜によ
って、前記電気光学物質を駆動する電極、該電極を駆動
するスイッチング素子が形成されている透明な第１の基
板の側に形成されていることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項４】請求項３において、前記記号は、前記複
数の薄膜のうちの一層と同層に形成されていることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項５】請求項４において、前記記号は、前記複
数の薄膜のうち、前記スイッチング素子を構成するに用
いられている薄膜と同層に形成されていることを特徴と
する電気光学装置。
【請求項６】請求項４において、前記スイッチング素
子は、薄膜トランジスタであり、当該薄膜トランジスタ
の能動層を構成する半導体膜と同層の半導体膜によって
前記記号が形成されていることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項７】請求項３ないし６のいずれかにおいて、
前記基板間導通を行うための電極は、前記複数の薄膜の
うち、前記駆動電極を構成する透明導電膜によって形成
され、かつ、前記記号と前記基板間導通を行うための電
極との間のうち、前記記号と平面的に重なる領域には、
前記透明基板および前記記号と光学特性の異なる不透明
膜によって前記記号に対する背景領域が形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】請求項７において、前記不透明膜は、前
記複数の薄膜のうちのいずれかの薄膜であることを特徴
とする電気光学装置。
【請求項９】請求項３ないし６のいずれかにおいて、
前記基板間導通を行うための電極は、前記透明基板およ
び前記記号と光学特性の異なる不透明層から形成されて
いることにより、前記記号に対する背景領域を構成して
いることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】請求項１ないし９のいずれかにおい
て、前記電気光学物質は液晶であることを特徴とする電
気光学装置。
【請求項１１】請求項１ないし１０いずれかに規定す
る電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。