JP2003122030A - 多重露光描画装置および多重露光描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マトリクス状に配置された多数の変調素子を
持つ露光ユニットを用いて、簡単な構成で個々の露光ユ
ニットによって描画された回路パターンを高精度に繋ぎ
合わせる。 【解決手段】 マトリクス状に配列された多数の変調素
子を持つ複数個の露光ユニットを用いて、多重露光によ
り描画面上に所定パターンを描画する。各露光ユニット
に対応したＦＩＦＯメモリ５６２₀₁、５６２₀₂…を設
け、このＦＩＦＯメモリ５６２₀₁、５６２₀₂…からの露
光データの読出しタイミングを調整することにより、各
露光ユニットの取付け位置の違いによる回路パターンの
位置ずれを相殺する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマトリクス状に配置
された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画
面上に所定のパターンを描画する描画装置および描画方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述したような描画装置は一般的には適
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリソグラフィ（photolithography）の手
法によりプリント回路基板を製造する際の回路パターン
の描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマス
ク用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層であ
る。

【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンを設計するためのＣＡＤ（Computer Aided
Design）ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンのベクタデータを編集するＣＡＭ
（Computer Aided Manufacturing）ステーション等が設
けられる。ＣＡＤステーションで作成されたベクタデー
タ或いはＣＡＭステーションで編集されたベクタデータ
は描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換され
た後にビットマップメモリに格納される。

【０００４】露光ユニットの一タイプとして、例えばＤ
ＭＤ（Digital Micromirror Device）或いはＬＣＤ（Li
quid Crystal Display）アレイ等から構成されるものが
知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面には、マ
イクロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイク
ロミラーの反射方向が独立して制御されるようになって
おり、このためＤＭＤの反射面の全体に導入された光束
は個々のマイクロミラーによる反射光束として分割され
るようになっており、このため各マイクロミラーは変調
素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにおいては、
一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基
板には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極が
マトリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧
を印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御
されるようになっており、このため各一対の透明電極が
変調素子として機能する。

【０００５】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源装置、例えば超高圧水銀灯、キセノンラン
プ、フラッシュランプ、ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、レーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像
光学系が組み込まれる。光源装置から射出した光束は照
明光学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユ
ニットの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パ
ターンのラスタデータに従って変調し、これにより回路
パターンが被描画体上に露光されて光学的に描画され
る。

【０００６】通常、被描画体に描画されるべき回路パタ
ーンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥
かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体
を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査す
ることが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニ
ットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描
画してその全体の回路パターンを得ることが必要とな
る。そこで、従来では、描画装置には、例えば所定の走
査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、こ
の描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固定
位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所定
の位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿っ
て間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描
画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得ら
れることになる。このような露光方式についてはステッ
プ・アンド・リピート（Step & Repeat）方式と呼ばれ
る。

【０００７】ＤＭＤあるいはＬＣＤアレイを含む露光ユ
ニットは、一般にその露光可能な領域が数ｃｍ四方と限
られているため、描画テーブルの移動方向に垂直な方向
に露光ユニットを複数個並べ、一度に数十ｃｍの領域を
露光している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置にあっては、各露光ユニットの描画面に対
する露光位置を正確に位置決めする必要がある。各露光
ユニットの位置ずれはそのまま描画領域のずれ、即ち回
路パターンの位置ずれとなるためである。

【０００９】従来では、このような個々の露光ユニット
によって描かれる回路パターンを高精度に繋ぎ合わせる
ために、露光ユニットの取付け位置を専用の器具を用い
て微調整していた。

【００１０】しかし、露光ユニットの取付け位置を微調
整する作業は極めて煩雑で時間を要する作業であり、効
率化が望まれていた。

【００１１】従って、本発明の目的は、マトリクス状に
配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを複数個
用いて描画面上に所定のパターンを描画する描画装置で
あって、簡単な構成で個々の露光ユニットによって描画
された回路パターンを高精度に繋ぎ合わせることができ
る多重露光描画装置および多重露光描画方法を提供する
ことである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多重露光描
画装置は、マトリクス状に配置された多数の変調素子を
持つ露光ユニットを用いて所定のパターンを描画面上に
多重露光により描画する多重露光描画装置であって、複
数の露光ユニットを第１方向に沿って配列する配列手段
と、第１方向とは異なる第２方向に沿って描画面を露光
ユニットに対して相対移動させる移動手段と、個々の露
光ユニットの露光タイミングを調整するタイミング調整
手段とを備え、移動手段によって露光ユニットに対して
描画面を第２方向に沿って相対移動させた時に、描画面
上において個々の露光ユニットによる第１方向に沿う描
画開始位置を一致させることを特徴とする。

【００１３】上記多重露光描画装置において、タイミン
グ調整手段は最も露光タイミングの早い露光ユニットに
他の露光ユニットの露光タイミングを一致させることが
好ましい。

【００１４】多重露光描画装置において、露光ユニット
が第２方向に関してそれぞれ異なる位置に配列されても
よい。

【００１５】上記多重露光描画装置は、個々の前記露光
ユニットについて所定パターンに対応した露光データを
生成する露光データ生成手段を備え、さらにタイミング
調整手段は、具体的には露光ユニットに与えるべき露光
データを一時的に格納するＦＩＦＯ（First In First O
ut）メモリを有し、このＦＩＦＯメモリに対する読出し
パルスを所定時間だけ間引くことにより露光タイミング
を調整する。このＦＩＦＯメモリは露光ユニットの数と
同じ数だけ設けられることが好ましい。

【００１６】上記多重露光描画装置において、露光ユニ
ットが２列の千鳥格子状に配列され、第１列目の露光ユ
ニットが第２列目の露光ユニットに対して描画面の相対
移動方向に関して所定距離だけ後方に離れて配置されて
もよい。

【００１７】上記多重露光描画装置は、所定パターンに
対応するラスタデータを生成するラスタデータ生成手段
を備え、さらにタイミング調整手段が、所定パターンの
ラスタデータのうち少なくとも所定距離に相当する長さ
のパターンのラスタデータを一時的に格納するバッファ
メモリを有し、第1列目の露光ユニットに与えるべき露
光データをラスタデータ生成手段から直接得られるラス
タデータに基づいて生成すると共に前記第２列目の露光
ユニットに与えるべき露光データを前記バッファメモリ
を介して得られるラスタデータに基づいて生成すること
により露光タイミングを調整する。

【００１８】また、本発明に係る多重露光描画装置は、
マトリクス状に配置された多数の変調素子を持つ露光ユ
ニットを用いて所定のパターンを描画面上に多重露光に
より描画する多重露光描画装置であって、複数の露光ユ
ニットを第１方向に沿って２列の千鳥格子状に配列し、
かつ第１列目の露光ユニットを第２列目の露光ユニット
に対して第１方向とは異なる第２方向に関して所定距離
だけ後方に離れて配置する配列手段と、第２方向に沿っ
て描画面を露光ユニットに対して相対移動させる移動手
段と、第１列目または第２列目の露光ユニットの少なく
とも一方の露光タイミングを調整する露光タイミング調
整手段とを備え、移動手段によって露光ユニットに対し
て描画面を第２方向に沿って相対移動させた時に、露光
タイミング調整手段によって、描画面上において第１列
目および第２列目の露光ユニットによる第１方向に沿う
描画開始位置を一致させることを特徴とする。この多重
露光描画装置において、露光タイミング調整手段は、第
２列目の露光ユニットの露光タイミングを、第１列目お
よび第２列目の露光ユニット間の第２方向における所定
距離を描画面が進む時間だけ遅らせてもよい。

【００１９】また、本発明の多重露光描画方法は、マト
リクス状に配置された多数の変調素子を有し、第１方向
に沿って配列された複数個の露光ユニットを用いて、所
定のパターンを描画面上に多重露光により描画する多重
露光描画方法であって、第１方向とは異なる第２方向に
沿って描画面を相対移動させる時に、個々の露光ユニッ
トの露光タイミングを調整することによって、第１方向
に沿う描画開始位置を一致させることを特徴としてい
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の一実施形態について説明す
る。

【００２１】図１には、本発明による多重露光描画装置
の実施形態が斜視図として概略的に示される。この多重
露光描画装置はプリント回路基板を製造するための基板
上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを直接
描画するように構成されている。

【００２２】図１に示すように、多重露光描画装置１０
は床面上に据え付けられる基台１２を備える。基台１２
上には一対のガイドレール１４が平行に敷設され、さら
にそれらガイドレール１４上には描画テーブル１６が搭
載される。この描画テーブル１６は図示されない適当な
駆動機構、例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータにより駆動させられ、これにより一対のガイド
レール１４に沿ってそれらの長手方向であるＸ方向に相
対移動する。描画テーブル１６上には被描画体３０とし
てフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このとき被
描画体３０は図示されない適当なクランプ手段によって
描画テーブル１６上に適宜固定される。

【００２３】基台１２上には一対のガイドレール１４を
跨ぐようにゲート状構造体１８が固設され、このゲート
状構造体１８の上面には複数の露光ユニットが描画テー
ブル１６の移動方向（Ｘ方向）に対して直角なＹ方向に
２列に配列される。第１列目に配された８個の露光ユニ
ットを図の左側から順に符号２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、
２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅で示し、
その後方に配された第２列目の７個の露光ユニットを図
の左側から符号２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０
₁₀、２０₁₂および２０₁₄で示している。

【００２４】第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、
２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅
と、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄とは所謂千鳥状に
配置される。即ち、隣り合う２つの露光ユニット間の距
離は、全て１つの露光ユニットの幅に略等しく設定さ
れ、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄の配列ピッチは第
１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の配列ピッ
チに対して半ピッチだけずらされている。

【００２５】第１実施形態では、１５個の露光ユニット
２０₀₁〜２０₁₅はそれぞれＤＭＤユニットとして構成さ
れており、各露光ユニットの反射面は例えば１０２４×
１２８０のマトリクス状に配列された１３１０７２０個
のマイクロミラーから形成される。各露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅は、Ｘ方向に沿って１０２４個、Ｙ方向に沿
って１２８０個のマイクロミラーが配列されるように設
置される。

【００２６】ゲート状構造体１８の上面の適当な箇所、
例えば第１露光ユニット２０₀₁の図中左方には光源装置
２２が設けられる。この光源装置２２には図示しない複
数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）が含まれ、これら
ＬＥＤから発した光は集光されて平行光束として光源装
置２２の射出口から射出される。光源装置２２にはＬＥ
Ｄの他、レーザ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプお
よびフラッシュランプ等を用いてもよい。

【００２７】光源装置２２の射出口には１５本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
２４は１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれ
に対して延設され、これにより光源装置２２から各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅へ照明光が導入される。各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅は、光源装置２２からの照明光
を描くべき回路パターンに応じて変調し、図の下方即ち
ゲート状構造体１８の内側を進む描画テーブル１６上の
被描画体３０に向かって出射する。これにより、被描画
体３０の上面に形成されたフォトレジスト層において照
明光が照射された部分だけが感光する。

【００２８】図２には、第１露光ユニット２０₀₁の主要
構成が概念的に図示されている。他の１４個の露光ユニ
ット２０₀₂〜２０₁₅は第１露光ユニット２０₁と同じ構
成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。
第１露光ユニット２０₁には、照明光学系２６および結
像光学系２８が組み込まれ、両者の間の光路上にはＤＭ
Ｄ素子２７が設けられる。このＤＭＤ素子２７は、例え
ばウェハ上にアルミスパッタリングで作りこまれた、反
射率の高い正方形マイクロミラーを静電界作用により動
作させるデバイスであり、このマイクロミラーはシリコ
ンメモリチップの上に１０２４×１２８０のマトリクス
状に１３１０７２０個敷き詰められている。それぞれの
マイクロミラーは、対角線を中心に回転傾斜することが
でき、安定した２つの姿勢に位置決めできる。

【００２９】照明光学系２６は凸レンズ２６Ａおよびコ
リメートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源装
置２２から延設された光ファイバケーブル２４と光学的
に結合される。このような照明光学系２６により、光フ
ァイバケーブル２４から射出した光束は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＤＭＤ素子２７の反射面全体を照明するよう
な平行光束ＬＢに成形される。結像光学系２８には２つ
の凸レンズ２８Ａおよび２８Ｃと、２つの凸レンズ２８
Ａおよび２８Ｃ間に配されるリフレクタ２８Ｂとが含ま
れ、この結像光学系２８の倍率は例えば等倍（倍率１）
に設定される。

【００３０】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる個々の
マイクロミラーはそれぞれに入射した光束を結像光学系
２８に向けて反射させる第１の反射位置（以下、露光位
置と記載する）と該光束を結像光学系２８から逸らすよ
うに反射させる第２の反射位置（以下、非露光位置と記
載する）との間で回動変位するように動作させられる。
任意のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）（１≦ｍ≦１０２
４，１≦ｎ≦１２８０）が露光位置に位置決めされる
と、そこに入射したスポット光は一点鎖線ＬＢ₁で示さ
れるように結像光学系２８に向かって反射され、同マイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）が非露光位置に位置決めされる
と、スポット光は一点鎖線ＬＢ₂で示されるように光吸
収版２９に向かって反射されて結像光学系２８から逸ら
される。

【００３１】マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）から反射され
たスポット光ＬＢ₁は、結像光学系２８によって描画テ
ーブル１６上に設置された被描画体３０の描画面３２上
に導かれる。例えば、第１露光ユニット２０₀₁に含まれ
る個々のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）のサイズがＣ×Ｃ
であるとすると、結像光学系２８の倍率は等倍であるか
ら、マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の反射面は描画面３２
上のＣ×Ｃの露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として結像される。
Ｃは例えば２０μｍである。

【００３２】なお、１つのマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
によって得られるＣ×Ｃの露光領域は以下の記載では単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として言及され、全てのマイク
ロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１０２４，１２８０）によ
って得られる（Ｃ×１０２４）×（Ｃ×１２８０）の露
光領域は、全面露光領域Ｕａ₀₁として言及される。

【００３３】図２の左上隅のマイクロミラーＭ（１，
１）に対応する単位露光領域Ｕ（１，１）は全面露光領
域Ｕａ₀₁の左下隅に位置し、左下隅のマイクロミラーＭ
（１０２４，１）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１）は全面露光領域Ｕａ₀₁の左上隅に位置する。ま
た、右上隅のマイクロミラーＭ（１，１２８０）に対応
する単位露光領域Ｕ（１，１２８０）は全面露光領域Ｕ
ａ₀₁の右下隅に位置し、右下隅のマイクロミラーＭ（１
０２４，１２８０）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１２８０）は全面露光領域Ｕａ₀₁の右上隅に位置す
る。

【００３４】第１露光ユニット２０₀₁では、個々のマイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）は通常は非露光位置に位置決め
されているが、露光時には非露光位置から露光位置に回
動変位させられる。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の非露
光位置から露光位置への回動変位の制御については、後
述するように回路パターンのラスタデータに基づいて行
われる。なお、結像光学系２８から逸らされたスポット
光ＬＢ₂は描画面３２に到達しないように光吸収板２９
によって吸収される。

【００３５】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる１３１
０７２０個の全てのマイクロミラーが露光位置に置かれ
たときは、全マイクロミラーから反射された全スポット
光が結像光学系２８に入射させられ、描画面３２上には
第１露光ユニット２０₀₁による全面露光領域Ｕａ₀₁が形
成される。全面露光領域Ｕａ₀₁のサイズについては、単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺長さＣが２０μｍであれ
ば、２５．６ｍｍ（＝１０２４×２０μｍ）×２０．４
８ｍｍ（＝１２８０×２０μｍ）となり、そこに含まれ
る総画素数は勿論１０２４×１２８０個となる。

【００３６】図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、多重露光
描画装置における描画処理について説明する。図３
（ａ）〜（ｃ）は描画処理の経時変化を段階的に示す図
であり、被描画体３０の描画面３２の平面図である。以
下の説明の便宜上、描画面３２を含む平面上にはＸ−Ｙ
直交座標系が定義される。破線で囲まれた長方形の領域
は、１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれに
よってＸ−Ｙ平面上で得られる全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕ
ａ₁₅である。第１列の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕ
ａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵａ₁₅は
その図中下辺がＹ軸に一致するように配置させられ、第
２列の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、
Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄はその図中下辺がＹ軸から
負側に距離Ｓだけ離れた直線に一致するように配され
る。

【００３７】Ｘ−Ｙ直交座標系のＸ軸は露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅の配列方向に対して直角とされ、このため
各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅内のそれぞれ１３１０７
２０（１０２４×１２８０）個のマイクロミラーもＸ−
Ｙ直交座標系のＸ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に
配列される。

【００３８】図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点は
第１列目の第１露光ユニット２０₀₁によって得られる全
面露光領域Ｕａ₀₁の図中左下角に一致しているように図
示されているが、正確には、座標原点は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのう
ちの先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって得られ
る単位露光領域Ｕ（１，１）の中心に位置する。上述し
たように、本実施形態では単位露光領域Ｕ（１，１）の
サイズは２０μｍ×２０μｍであるので、Ｙ軸は第１露
光ユニット２０による全面露光領域Ｕａ₀₁の境界から１
０μｍだけ内側に進入したものとなっている。換言すれ
ば、第１列目の８つの露光ユニット２０ ₀₁、２０₀₃、２
０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の
それぞれの第１ラインに含まれる１２８０個のマイクロ
ミラーＭ（１，ｎ）（１≦ｎ≦１２８０）の全ての中心
がＹ軸上に位置する。

【００３９】描画面３２は描画テーブル１６により白抜
き矢印で示すようにＸ軸に沿ってその負の方向に向かっ
て移動させられるので、全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕａ₁₅は
描画面３２に対してＸ軸の正の方向に相対移動すること
になる。

【００４０】描画面３２に設定された描画開始位置ＳＬ
がＹ軸、即ち第１列目の８個の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０ ₁₅に対応する第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ
₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵ
ａ₁₅の境界に一致すると、まず第１列目の露光ユニット
２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２
０₁₃および２０₁₅により描画面３２の露光が開始され
る。図３（ａ）に示すように、第１列目の全面露光領域
Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕ
ａ₁₃およびＵａ₁₅のＹ軸に達していない部分に対応する
マイクロミラーについては非露光位置に位置決めされた
まま露光は行われず、また第２列目の全面露光領域Ｕａ
₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵ
ａ₁₄もＹ軸に達していないため、露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光も停止させられている。図３では、第１列目
の８個の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅によって露
光された領域を右上がりのハッチングで示している。

【００４１】さらに描画面３２が移動し、全面露光領域
Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およ
びＵａ₁₄の境界がＹ軸に一致すると、第２列目の７個の
露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２
０₁₀、２０₁₂および２０₁₄による露光が開始される。図
３(ｂ)に示すように、第２列目の露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光は、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０₁₅による露光よりも常に距離Ｓだけ遅れて進行す
る。図３では、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２
０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄に
よって露光された領域を右下がりのハッチングで示して
いる。

【００４２】さらに描画面３２が相対移動して、図３
（ｃ）に示すように第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕ
ａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃および
Ｕａ₁₅の境界が描画終了位置ＥＬに達すると、第１列目
の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０
₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅による露光が停止させ
られる。厳密にいえば、描画終了位置ＥＬに達した単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）に対応するマイクロミラーＭ
（ｍ，ｎ）から順に非露光位置に静止させられる。図３
（ｃ）の状態からさらに描画面３２が距離Ｓだけ進む
と、第２列目の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、
Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄の境界が描画終了
位置ＥＬに達し、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０
₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄によ
る露光が停止させられる。

【００４３】以上のように、１５個の露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅は、Ｘ軸に平行な帯状領域をそれぞれ露光
し、この帯状領域の幅はそれぞれ全面露光領域Ｕａ₀₁〜
Ｕａ₁₅の幅に実質的に一致する。隣り合う２つの帯状領
域の境界部分は微少量だけ重ね合わされている。なお、
同一ライン上に描かれるべき回路パターンを一致させる
ために、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０
₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅に所
定ラインの回路パターンに応じた露光データが与えられ
ると、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２
０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄には描画面
３２が距離Ｓを移動する時間だけ遅れたタイミングで同
一ラインの露光データが与えられる。

【００４４】露光方式としては、描画テーブル１６を走
査方向に沿って間欠的に移動させる動作と、描画テーブ
ル１６の停止時に回路パターンを部分的に順次描画する
動作とを交互に繰り返すことにより、各描画領域を継ぎ
足して全体の回路パターンを得るステップ・アンド・リ
ピート（Step & Repeat）方式を採用してもよいし、描
画テーブル１６を一定速度で移動させつつ同時に描画動
作を行う方式であってもよい。第１実施形態では説明を
容易にするためにステップ・アンド・リピート方式を採
用する。即ち、多重露光描画装置１０では、描画テーブ
ル１６を所定の移動間隔で間欠的に移動させつつ、回路
パターンのラスタデータに従って回路パターンを多重露
光により描画する描画方法が採用される。以下に、この
ような多重露光描画方法の原理について説明する。

【００４５】図４には、第１露光ユニット２０₀₁によっ
て描画面３２上に投影される全面露光領域Ｕａ₀₁の一部
が示され、この全面露光領域Ｕａ₀₁は各マイクロミラー
Ｍ（ｍ，ｎ）から得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）か
ら成る。ここで、パラメータｍは第１露光ユニット２０
₀₁のＸ軸方向に沿うライン番号を示し、パラメータｎは
第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸方向に沿う行番号を示
し、第１実施形態では１≦ｍ≦１０２４および１≦ｎ≦
１２８０となる。

【００４６】要するに、単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ
（１，２）、Ｕ（１，３）、Ｕ（１，４）、Ｕ（１，
５）、…、Ｕ（１，１２８０）は第１露光ユニット２０
₀₁のＹ軸に沿う第１ラインの１２８０個のマイクロミラ
ーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）から得られるもの
であり、単位露光領域Ｕ（２，１）、Ｕ（２，２）、Ｕ
（２，３）、Ｕ（２，４）、Ｕ（２，５）、…、Ｕ
（２，１２８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿
う第２ラインの１２８０個のマイクロミラーＭ（２，
１）〜Ｍ（２，１２８０）から得られるものであり、単
位露光領域Ｕ（３，１）、Ｕ（３，２）、Ｕ（３，
３）、Ｕ（３，４）、Ｕ（３，５）、…、Ｕ（３，１２
８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿う第３ライ
ンのマイクロミラーＭ（３，１）〜Ｍ（３，１２８０）
から得られるものである。

【００４７】例えば、露光１回当たりの移動距離が単位
露光領域の１つ分のサイズＣの整数倍である距離Ａ（例
えばＡ＝４Ｃ）と距離ａ（０≦ａ＜Ｃ）との和である場
合について説明すると、描画テーブル１６がＸ軸に沿っ
てその負側に移動させられる、即ち第１露光ユニット２
０₀₁が描画テーブル１６に対してＸ軸の正側に向かって
相対移動し、単位露光領域Ｕａ₀₁が描画面３２上の描画
開始位置ＳＬに到達すると、そこで一旦停止させられて
第１露光ユニット２０₀₁の第１ラインの１２８０個のマ
イクロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）が所定
の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて
第１回目の露光が行われる。このときの描画面３２の相
対位置を第１回目露光位置と定義する。

【００４８】第１回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は再びＸ軸に沿ってその正側に相対移動
し、その単位露光領域Ｕａ₀₁の移動量が（Ａ＋ａ）とな
ったとき、第１露光ユニット２０₀₁は第２回目露光位置
に到達したと判断されて停止され、第１露光ユニット２
０₀₁の第１〜第５ラインのマイクロミラーＭ（１，１）
〜Ｍ（５，１２８０）が所定の回路パターンのラスタデ
ータに従って動作させられて第２回目の露光が行われ
る。

【００４９】第２回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は更にＸ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ
＋ａ）だけ移動させられて第３回目露光位置で停止さ
れ、第１露光ユニット２０₀₁の第１〜第９ラインのマイ
クロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（９，１２８０）が所定の
回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第
３回目の露光が行われる。

【００５０】このように第１露光ユニット２０₀₁がＸ軸
に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられ
る度毎に停止されて露光作動が繰り返され、描画面３２
の同一領域が第１露光ユニット２０₀₁によって多数回に
渡って多重露光されることになる。例えば、ａ＝０の場
合、第１露光ユニット２０₀₁はＸ軸に沿ってその正側に
Ａ（＝４Ｃ）ずつ移動し、単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心は常に同一点上に一致する。このため、第１列目の
先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって露光された
Ｃ×Ｃの領域は、さらに第（４ｋ＋１）番目の先頭のマ
イクロミラーＭ（４ｋ＋１，１）によって露光され（た
だし、１≦ｋ≦２５５）、合計２５６回（＝１０２４Ｃ
／Ａ）だけ多重露光されることになる。一方、ａ≠０の
場合、重なり合う単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心は距
離ａだけ徐々にずれていくため、同一領域が２５６回多
重露光されるとは限らない。そこで、所定の領域を２５
６回露光させるために、各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心を２５６個だけこの所定領域内に均等に配列させ、
実質的に２５６回多重露光させている。

【００５１】図３では、被描画体３０の移動方向はＸ軸
に平行であったが、Ｘ軸に対して微少角αだけ傾斜させ
て移動させてもよい。このとき、第１露光ユニット２０
₀₁はＸ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動
させられる度毎に単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）はＹ軸に沿
ってその負側に所定距離だけ相対的にシフトすることに
なる。

【００５２】図５は、被描画体３０をＸ軸に対して傾斜
させつつ順次移動させたときの単位露光領域Ｕ（ｍ，
ｎ）の変位を経時的に示す図である。図５を参照する
と、第１回目露光位置での全面露光領域Ｕａ₀₁の一部が
破線で示され、第２回目露光位置での全面露光領域Ｕａ
₀₁の一部が一点鎖線で示され、第３回目露光位置での全
面露光領域Ｕａ₀₁の一部が実線で示され、各単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）のＹ軸の負側に沿う移動距離がｂで示さ
れている。

【００５３】第１回目露光位置において第１露光ユニッ
ト２０₀₁の第１ラインのマイクロミラーＭ（１，１）〜
Ｍ（１，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（１，２）、…Ｕ（１，１２８０）に注
目すると、これら単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ（１，
２）、…Ｕ（１，１２８０）に対して、第２回目露光位
置における第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインのマイ
クロミラーＭ（５，１）〜Ｍ（５，１２８０）によって
得られる単位露光領域Ｕ（５，１）、Ｕ（５，２）、…
Ｕ（５，１２８０）がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ
（＋ａ）および（−ｂ）だけずれて互いに重なり合い、
さらに第３回目露光位置においては第１露光ユニット２
０₀₁の第９ラインのマイクロミラーＭ（９，１）〜Ｍ
（９，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（９，１）、Ｕ（９，２）、…Ｕ（９，１２８０）は、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ（＋２ａ）および（−
２ｂ）だけずれて互いに重なり合うことになる。なお、
図５では、３つの互いに重なり合う単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（５，１）及びＵ（９，１）がそれぞれ
破線、一点鎖線及び実線の引出し線で例示的に示されて
いる。

【００５４】ここで各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の相対
位置をその中心である露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）の位置で代
表して示すと、第２回目露光位置における露光点ＣＮ
（５，１）は、第１回目露光位置における露光点ＣＮ
（１，１）から（＋ａ，−ｂ）だけ離れており、第３回
目露光位置における露光点ＣＮ（９，１）は、第１回目
露光位置における露光点ＣＮ（１，１）から（＋２ａ，
−２ｂ）だけ離れて存在することになる。なお、各ライ
ンにおける互いに隣接した露光点間の距離は単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）のサイズＣ（＝２０μｍ）に一致する。

【００５５】上述したように、移動距離が、単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺長さＣの４倍と距離ａとの和とさ
れるとき、距離ａ及びｂを適当に選ぶことにより、個々
の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×Ｃ
内に露光点を均一に分布させることができる。

【００５６】例えば、図６に示すように、単位露光領域
Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×Ｃ（＝２０μｍ×
２０μｍ）内に２５６個の露光点を分布させるために
は、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ２５６個の単位露光
領域の中心を１６個ずつ配列させればよいことになり、
距離ａ及びｂは以下の計算式によって定められる。 ａ＝Ｃ／１６ ＝２０μｍ／１６ ＝１．２５μｍ ｂ＝Ｃ／２５６＝２０μｍ／２５６＝０．０７８１２５
μｍ

【００５７】なお、言うまでもないが、距離ｂを０．０
７８１２５μｍに設定するということは、描画テーブル
１６がＸ軸の負側に距離（Ａ＋ａ＝８１．２５μｍ）だ
け移動したとき、個々の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）がＹ
軸の負側に０．０７８１２５μｍだけシフトするように
描画テーブル１６の傾斜角度α（約１．６８×１０
^-5度）を設定するということに他ならない。

【００５８】図６において、参照符号ＣＮ（１，１）で
示される露光点が例えば第１回目露光位置における第１
露光ユニット２０₀₁の第１ラインの先頭のマイクロミラ
ーＭ（１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ（１，
１）のものであるとすると、先の記載から明らかなよう
に、露光点ＣＮ（５，１）は第２回目露光位置における
第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインの先頭のマイクロ
ミラーＭ（５，１）によって得られる単位露光領域Ｕ
（５，１）のものであり、露光点ＣＮ（９，１）は第３
回目露光位置における第１露光ユニット２０₀₁の第９ラ
インの先頭のマイクロミラーＭ（９，１）によって得ら
れる単位露光領域Ｕ（９，１）のものとなる。

【００５９】さらに、露光点ＣＮ（１，１）から距離
（＋１６ａ，−１６ｂ）だけ離れた露光点ＣＮ（６１，
１）は、第１６回目露光位置における第６１ラインの先
頭のマイクロミラーＭ（６１，１）によって得られる単
位露光領域Ｕ（６１，１）の中心であり、露光点ＣＮ
（１，１）から距離（０，−ａ）だけ離れた露光点ＣＮ
（６５，１）は第１７回目露光位置における第６５ライ
ンの先頭のマイクロミラーＭ（６５，１）によって得ら
れる単位露光領域Ｕ（６５，１）の中心である。同様
に、露光点ＣＮ（１，１）から距離（０，−１５ａ）だ
け離れた露光点ＣＮ（６５，１）は第２４１回目露光位
置における第９６１ラインの先頭のマイクロミラーＭ
（９６１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ（９６
１，１）の中心であり、露光点ＣＮ（１，１）から距離
（１５ａ，−１６ａ）だけ離れた露光点ＣＮ（１０２
１，１）は第２５６回目露光位置における第１０２１ラ
インの先頭のマイクロミラーＭ（１０２１，１）によっ
て得られる単位露光領域Ｕ（１０２１，１）の中心であ
る。

【００６０】かくして、１５個の露光ユニット２０₀₁〜
２０₁₅に対して描画テーブル１６が上述した条件下でＸ
軸の負側に間欠的に移動させられると、それら露光ユニ
ット２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミラーＭ（ｍ，
ｎ）よって得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心、
即ち露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）がＸ軸及びＹ軸のそれぞれに
沿ってピッチａ及びｂで描画面３２の全体にわたって配
列されることになる。個々の単位画素領域と同じ大きさ
の領域Ｃ×Ｃ（２０μｍ×２０μｍ）内には２５６個の
露光点が均一に分布させられる。

【００６１】なお、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅におけ
る個々の露光点を描画面３２の全体にわたって更に高密
度に分布させることももちろん可能であり、例えば、2
０μｍ×２０μｍの面積内に５１２個の単位露光領域の
中心を均一に配列させる場合には、距離Ａは単位露光領
域のサイズＣの２倍（４０μｍ）に設定され、距離ａお
よびｂはそれぞれ１．２５μｍ／２、０．０７８１２５
μｍ／２に設定される。

【００６２】また、図６に示す例では１６個の露光点は
Ｙ軸に沿って平行に配列されているが、距離ａ及びｂの
値を僅かに変化させることによって、露光点をＹ軸に沿
って斜めに配列させることも可能である。

【００６３】このように第１実施形態の多重露光描画装
置１０においては、回路パターンのラスタデータに基づ
いて回路パターンの描画が行われるとき、該回路パター
ンデータの画素サイズがどのようなサイズであっても、
その回路パターンを描画することが可能である。換言す
れば、多重露光描画装置１０側には、描画されるべき回
路パターンに対する画素の概念は存在しないといえる。

【００６４】例えば、ラスタデータの画素サイズが２０
μｍ×２０μｍに設定されている場合には、任意の１ビ
ットデータに“１”が与えられると、露光作動時にその
１ビットデータに対応する一画素領域（２０μｍ×２０
μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）に対応し
たマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該１ビットデータによ
って動作されて非露光位置から露光位置に回動させら
れ、これによりかかる一画素領域（２０μｍ×２０μ
ｍ）が総計２５６回にわたって多重露光を受けることに
なる。

【００６５】また、別の例として、ラスタデータの画素
サイズが１０μｍ×１０μｍに設定されている場合に
は、任意の１ビットデータに“１”が与えられると、露
光作動時にその１ビットデータに対応する一画素領域
（１０μｍ×１０μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ
（ｍ，ｎ）に対応したマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該
１ビットデータによって動作されて非露光位置から露光
位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域（１
０μｍ×１０μｍ）が総計６４回にわたって多重露光を
受けることになる。

【００６６】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）が露光位置に留められる時間について
は、描画面３２における一画素領域内での露光回数、被
描画体３０（第１実施形態では、フォトレジスト層）の
感度、光源装置２２の光強度等に基づいて決められ、こ
れにより各一画素露光領域について所望の露光量が得ら
れるように設定される。

【００６７】図７は多重露光描画装置１０のブロック図
である。同図に示すように、多重露光描画装置１０には
マイクロコンピュータから構成されるシステムコントロ
ール回路３４が設けられる。詳述すると、システムコン
トロール回路３４は中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）、
種々のルーチンを実行するためのプログラムや定数等を
格納する読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、演算データ等を
一時的に格納する書込み／読出し自在なメモリ（ＲＡ
Ｍ）、および入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）から成
り、多重露光描画装置１０の作動全般を制御する。

【００６８】描画テーブル１６は、駆動モータ３６によ
ってＸ軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。描画テーブル１６と駆動モータ３６との
間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が
介在させられるが、そのような駆動機構については図７
では破線矢印で象徴的に示されている。

【００６９】駆動回路３８は描画テーブル制御回路４０
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１６に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１６の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１６のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図７では、リニアスケール４４からの光信号
の検出が破線矢印で象徴的に示されている。

【００７０】描画テーブル１６の移動中、描画テーブル
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１６をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１６
の移動制御自体は周知のものである。

【００７１】図７に示すように、描画テーブル制御回路
４０はシステムコントロール回路３４に接続され、これ
により描画テーブル制御回路４０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル位
置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パル
ス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコン
トロール回路３４にも入力され、これによりシステムコ
ントロール回路３４では描画テーブル１６のＸ軸に沿う
移動位置を常に監視することができる。

【００７２】システムコントロール回路３４はＬＡＮ
（Local Area Network）を介してＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーショ
ン或いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理され
た回路パターンのベクタデータがシステムコントロール
回路３４に転送される。システムコントロール回路３４
にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６が接
続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーション
から回路パターンのベクタデータがシステムコントロー
ル回路３４に転送されると、システムコントロール回路
３４は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディス
ク装置４６に書込んで格納する。また、システムコント
ロール回路３４には外部入力装置としてキーボード４８
が接続され、このキーボード４８を介して種々の指令信
号や種々のデータ等がシステムコントロール回路３４に
入力される。

【００７３】ラスタ変換回路５０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で動作させられる。描画作動に先立
って、ハードディスク装置４６から回路パターンのベク
タデータが読み出されてラスタ変換回路５０に出力さ
れ、このベクタデータはラスタ変換回路５０によって’
０’、’１’から成るビットデータ列即ちラスタデータ
に変換され、このラスタデータはビットマップメモリ５
２に書込まれる。要するに、ビットマップメモリ５２に
は回路パターンのラスタデータが格納される。ラスタ変
換回路５０でのデータ変換処理およびビットマップメモ
リ５２へのデータ書込み処理についてはキーボード４８
を介して入力される指令信号により開始される。

【００７４】ビットマップメモリ５２の後段には露光デ
ータ生成回路５４が接続される。露光データ生成回路５
４は、ビットマップメモリ５２から順次読み出されたラ
スタデータに基づいて、各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅
に与えるべき露光データを生成し、露光タイミング調整
回路５６に出力する。この露光データは、各露光ユニッ
ト２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミラーを露光位置ま
たは非露光位置に位置決めさせるための二値データであ
り、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅による露光作動が繰り
返される毎に書き換えられる。

【００７５】露光タイミング調整回路５６は、後述する
ように各露光ユニット２０₀₁〜２０ ₁₅に露光データを与
えるタイミングを調整し、ＤＭＤ駆動回路５８へ出力す
る。ＤＭＤ駆動回路５８は露光タイミング調整回路５６
から得られた露光データに基づいて１５個の露光ユニッ
ト２０₀₁〜２０₁₅を個々に独立して駆動制御し、これに
より各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミ
ラーは選択的に露光作動を行うことになる。なお、図７
では、個々のマイクロミラーの露光作動が破線矢印で象
徴的に図示されている。また、図７では図の複雑化を避
けるために露光ユニットは１つしか示されていないが、
実際には１５個（２０₀₁〜２０₁₅）存在し、ＤＭＤ駆動
回路５８によってそれぞれ駆動されることは言うまでも
ない。

【００７６】上述した第１実施形態では、描画作動時、
描画テーブル１６が露光位置に到達する度毎に停止さ
れ、その停止位置で露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅による
露光作動が行われている。しかしながら、描画作動時、
描画テーブル１６を間欠的に移動させることなく連続的
に一定速度で移動させつつ、所定の条件下で露光ユニッ
ト２０₀₁〜２０₁₅による露光作動を行うことも可能であ
る。

【００７７】詳述すると、描画テーブル１６が距離（Ａ
＋ａ）だけ移動する度毎に露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅
による露光作動が開始されることは上述の第１実施形態
と同じであるが、しかし露光時間については、描画テー
ブル１６が各露光ユニットの個々のマイクロミラーによ
って得られる単位露光領域のサイズ（２０μｍ）より小
さい距離ｄを移動する間の時間とされる。このように露
光時間を設定すれば、上述の場合と同様な態様で回路パ
ターンの描画を行うことができるだけでなく、回路パタ
ーンの描画に必要とされる描画時間も短縮することもで
きる。また、描画作動時、描画テーブル１６を連続的に
一定速度で移動させる別の利点として、描画テーブル１
６の駆動系が故障し難いということも挙げられる。

【００７８】図８は、露光データ生成回路５４および露
光タイミング調整回路５６の一部を詳細に示すブロック
図である。露光データ生成回路５４には、１５個の露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅にそれぞれ対応したデータ生成
タイミング調整回路が設けられているが、ここでは第
１、第２露光ユニット２０₀₁および２０₀₂に対応した第
１、第２データ生成回路５４₀₁および５４₀₂のみが示さ
れ、残り１３個のデータ生成回路については同様の構成
であるため省略される。また、露光タイミング調整回路
５６にも露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅にそれぞれ対応し
て１５個のタイミング調整回路が設けられているが、図
８では第１、第２タイミング調整回路５６ ₀₁および５６
₀₂のみが示される。

【００７９】第１データ生成回路５４₀₁は、対応する第
１露光ユニット２０₀₁の露光すべき領域、厳密には実際
に露光される領域よりも幅の大きい第１分割領域、に対
応するラスタデータをビットマップメモリ５２から得
て、露光データメモリ５４２₀₁に格納する。そして、読
出しアドレス制御回路５４４₀₁により露光データメモリ
５４２₀₁からラスタデータを選択的に読み出すことによ
り、第１露光ユニット２０₀₁に与えるべき露光データを
生成し、第１タイミング調整回路５６₀₁に出力する。座
標変換等を行う場合には、この読出しアドレス制御回路
５４４₀₁から送出される読出しアドレスデータが変更さ
れる。

【００８０】第１タイミング調整回路５４₀₁にはＦＩＦ
Ｏ（First In First Out）メモリ５６２₀₁が設けられ、
このＦＩＦＯメモリ５６２₀₁には１０２４×１２８０の
マトリクス状に配列されたマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
に対応する１３１０７２０個の露光データが一時的に保
持される。このＦＩＦＯメモリ５６２₀₁への書込みはシ
ステムコントロール回路３４から出力される制御クロッ
クパルスＣＬＫ０に同期して行われ、第１データ生成回
路５４₀₁から出力された露光データはその読み出された
順に順次ＦＩＦＯメモリ５６２₀₁へ書込まれる。そして
ＦＩＦＯメモリ５４２₀₁からの読み出しはパルス制御回
路５６４₀₁から出力された読出しクロックパルスＣＬＫ
１に同期して行われ、ＦＩＦＯメモリ５６２₀₁に早く入
力された露光データから順に読み出される。

【００８１】パルス制御回路５６４₀₁は、システムコン
トロール回路３４から入力される制御クロックパルスＣ
ＬＫ０、露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫおよびパルスデ
ータＮ₀₁に基づいて読み出しクロックパルスＣＬＫ１を
生成する。制御クロックパルスＣＬＫ０は、１３１０７
２０個の各マイクロミラーを順次作動させるタイミング
を制御するパルスであり、露光クロックパルスＥ＿ＣＬ
Ｋは全ての露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅の露光タイミン
グを統一させるためのパルスである。露光クロックパル
スＥ＿ＣＬＫの周期ｔ_eは制御クロックパルスＣＬＫ０
の周期の１３１０７２０倍以上とされる。パルスデータ
Ｎ₀₁については後で詳述する。

【００８２】第１実施形態においては、読出しクロック
パルスＣＬＫ１を制御することによってＦＩＦＯメモリ
５６２₀₁からの露光データの出力タイミングを調整して
おり、これにより第１露光ユニット２０₀₁の露光タイミ
ング、即ち描画面３２に対する全面露光領域Ｕａ₀₁の相
対位置を調整することができる。

【００８３】第２タイミング調整回路５６₀₂および残り
１３個のタイミング調整回路も第１タイミング調整回路
５６₀₁と同様の構成を有しており、露光データの出力タ
イミングを各自独立して調整できる。従って、各露光ユ
ニット２０₀₁〜２０₁₅の取付け位置がＸ方向にずれてい
たとしても、そのずれを相殺するように各読出しクロッ
クパルス（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、…）を調整すれば、描
画面３２上における露光領域を同一ライン上に高精度に
一致させることができ、繋ぎ目が目立たないように回路
パターンを描画できる。

【００８４】なお、図８において第２データ生成回路５
４₀₂の露光データメモリおよび読出しアドレス制御回路
にはそれぞれ符号５４２₀₂、５４４₀₂が付され、第２タ
イミング調整回路５６₀₂のＦＩＦＯメモリおよびパルス
制御回路にはそれぞれ符号５６２₀₂および５６４₀₂が付
されている。

【００８５】図９は、３つの露光ユニット２０₀₁、２０
₀₂および２０₀₃の相対位置と、描画面３２上における各
全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₂およびＵａ₀₃の相対位置を
示す模式図である。図１０は、露光クロックパルスＥ＿
ＣＬＫ、露光番号、パルスデータ、制御クロックパルス
ＣＬＫ０、各読出しクロックパルスＣＬＫ１、ＣＬＫ２
およびＣＬＫ３をそれぞれ示すタイミングチャートであ
る。他の露光ユニット２０₀₄〜２０₁₅はここでは省略さ
れる。

【００８６】本来であれば第１露光ユニット２０₀₁と第
３露光ユニット２０₀₃とは同一ライン上に正確に位置決
めされなければならないが、実際には各露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅をゲート状構造体１８に取付ける際に取付
け誤差が生じることがある。例えば図９に示すように、
第３露光ユニット２０₀₃が第１露光ユニット２０₀₁より
距離ＴだけＸ軸の正側に取付けられた場合には、描画面
３２がＸ軸の負側に移動している時に同一タイミングで
露光作動が実行されると、全面露光領域Ｕａ₀₃は全面露
光領域Ｕａ₀₁よりもＸ軸の正側に距離Ｔだけずれてしま
う。

【００８７】そこで、両全面露光領域Ｕａ₀₁およびＵａ
₀₃のＸ方向の位置を揃えるために、図１０に示すように
第１露光ユニット２０₀₁による露光開始タイミングを、
描画面３２が距離Ｔだけ進む間に実行される露光回数分
だけ、第３露光ユニット２０ ₀₃による露光開始タイミン
グより遅らせている。この最も露光タイミングを早くす
べき露光ユニット２０₀₃を基準とする露光回数の遅れが
パルスデータとして定義され、このパルスデータは１４
個の露光ユニット２０₀₁、２０₀₂、２０₀₄、…２０₁₅に
ついてそれぞれシステムコントロール回路３４により予
め算出され、個々のパルス制御回路５４４₀₁、５４
４₀₂、…に与えられている。

【００８８】パルスデータについて詳述する。全面露光
領域Ｕａ₀₃に対する全面露光領域Ｕａ₀₁のＸ方向のずれ
量が距離Ｔであって、露光１回当たりの移動量が（Ａ＋
ａ）であった場合、第１露光ユニット２０₀₁による露光
開始タイミングを決定するパルスデータＮ₀₁は下記の
（１）式により算出される。 Ｎ₀₁＝ＩＮＴ［Ｔ／（Ａ＋ａ）］ ・・・（１） ここで、一般的に、除算ｅ／ｆが行われるとき、演算子
ＩＮＴ［ｅ／ｆ］は除算ｅ／ｆの商を表し、０≦ｅ＜ｆ
のとき、ＩＮＴ［ｅ／ｆ］＝０として定義される。

【００８９】ここで、露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫの
パルス数を露光番号として定義する。読出しクロックパ
ルスＣＬＫ３が露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫの１番目
の立ち上がりに同期して出力された場合、読出しクロッ
クパルスＣＬＫ１は露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫの
（１＋Ｎ₀₁）番目の立ち上がりに同期して出力される。
従って、ＦＩＦＯメモリ５４２₀₁からの露光データの読
み出しは、ＦＩＦＯメモリ５４２₀₃よりも時間（ｔ_e×
Ｎ₀₁）だけ遅れることになる。言い換えると、第３露光
ユニット２０₀₃が露光番号”１”から露光作動を開始す
れば、第１露光ユニット２０₀₁は時間（ｔ_e×Ｎ₀₁）だ
け遅れた露光番号”１＋Ｎ₀₁”から露光作動を開始する
ことになる。

【００９０】このように、システムコントロール回路３
４は、所定周期の制御クロックパルスＣＬＫ０を遅らせ
て出力するためのパルスデータを算出して、パルス制御
回路５４４に出力する。パルス制御回路５４４は入力さ
れた制御クロックパルスＣＬＫ０をパルスデータ分の露
光回数が終了する時間だけ遅らせて読出しクロックパル
スＣＬＫ１として出力する。

【００９１】なお、（１）式の除算において剰余（Ｔ−
Ｎ₀₁×（Ａ＋ａ））が０でない場合には、図７のビット
マップメモリ５２から読み出すべきラスタデータをその
剰余に相当するピクセル数分だけずらせばよい。これに
より、Ｘ方向に関して第１露光ユニット２０₀₁による露
光位置を第３露光ユニット２０₀₃による露光位置とさら
に厳密に一致させることができる。

【００９２】第２露光ユニット２０₀₂についても同様、
第１露光ユニット２０₀₁よりＸ軸の負側に距離Ｓだけ離
れて取付けられていれば、第３露光ユニット２０₀₃から
の距離は（Ｓ＋Ｔ）となる。よって、第２露光ユニット
２０₀₂の露光開始タイミングを示すパルスデータＮ₀₂は
次の（２）式により決定される。 Ｎ₀₂＝ＩＮＴ［（Ｓ＋Ｔ）／（Ａ＋ａ）］ ・・・（２）

【００９３】従って、読出しクロックパルスＣＬＫ２は
露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫの（１＋Ｎ₀₂）番目の立
ち上がりに同期して出力され、ＦＩＦＯメモリ５６２₀₂
からの露光データの読み出しは、ＦＩＦＯメモリ５６２
₀₃よりも時間（ｔ_e×Ｎ₀₂）だけ遅れることになる。言
い換えると、第２露光ユニット２０₀₂は露光番号”１＋
Ｎ₀₂”から露光作動を開始することになる。なお、同様
に、（２）式の除算における剰余（（Ｓ＋Ｔ）−Ｎ₀₂×
（Ａ＋ａ））が０でなかった場合、図７のビットマップ
メモリ５２からラスタデータを読み出す位置がその剰余
に相当するピクセル数分だけずらされる。これにより描
画面３２において、第２露光ユニット２０₀₂のＸ方向に
関する露光開始位置と第１露光ユニット２０₀₁による露
光開始位置とが同じになる。

【００９４】このように、第１実施形態の多重露光描画
装置１０においては、露光タイミング調整回路５６によ
って個々の露光ユニットへの露光データの送出タイミン
グを調整することによりＸ軸方向における全面露光領域
Ｕａ₀₁〜Ｕａ₁₅の位置ずれを相殺するように構成されて
おり、これにより露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅がＸ軸方
向にずれて取付けられても個々の露光開始位置を一致さ
せるための微調整が容易に行える。なお、各タイミング
調整回路のパルス制御回路に設定される露光番号は各全
面露光領域の相対位置の実測値に基づいて予め算出され
ている。

【００９５】次に、図１１および図１２を参照して、本
発明による多重露光描画装置の第２実施形態を説明す
る。図１１は多重露光描画装置のブロック図であり、図
１２は露光タイミング調整回路を露光データ生成回路の
一部と共に詳細に示すブロック図である。第１実施形態
の多重露光描画装置では個々の露光ユニットの露光タイ
ミングのずれをそれぞれ調整する構成であるのに対し、
第２実施形態の多重露光描画装置では第１列目と第２列
目の露光ユニットの露光タイミングのずれを調整する点
が第１実施形態と異なっており、その他の構成は第１実
施形態と同様である。ここでは第１実施形態と同じ構成
には同符号を付し、説明を省略する。

【００９６】第２実施形態の多重露光描画装置は、ラス
タ変換回路５０と露光データ生成回路５４との間に露光
タイミング調整回路１５６を備えており、この露光タイ
ミング調整回路１５６には１つのバッファメモリ１５７
が設けられる。ラスタ変換回路５０から露光タイミング
調整回路１５６へ出力された回路パターンのラスタデー
タは直接露光データ生成回路５４に送られる一方、バッ
ファメモリ１５７において所定時間だけ遅らされて間接
的に露光データ生成回路５４に送られる。

【００９７】露光データ生成回路５４では、第１列目の
露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、…、２０₁₅に対応するデ
ータ生成回路（図１２では第１データ生成回路５４₀₁の
みを示す）が遅延せずに送られたラスタデータに基づい
てそれぞれ露光データを生成し、第２列目の露光ユニッ
ト２０₀₂、２０₀₄、…、２０₁₄に対応するデータ生成回
路（図１２では第２データ生成回路５４₀₂のみを示す）
がバッファメモリ１５７により遅延して送られたラスタ
データに基づいてそれぞれ露光データを生成する。バッ
ファメモリ１５７によるラスタデータの遅延時間は、第
１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、…、２０₁₅に対
する第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、…、２０
₁₄のＸ方向におけるずれ量Ｔ（図９参照）だけ描画面３
２が進む時間に相当する。

【００９８】バッファメモリ１５７の構成および機能に
ついて詳述すると、バッファメモリ１５７は第１列目の
露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、…、２０₁₅と第２列目の
露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、…、２０₁₄との取付位置
のＸ方向ずれ量Ｔに相当するラスタデータが格納できる
容量を有する。バッファメモリ１５７の書込み動作およ
び読出し動作はシステムコントロール回路３４により制
御される。

【００９９】このように、第２実施形態の多重露光描画
装置によると、露光ユニット２０₀₁、２０₀₂、…、２０
₁₅をＸ方向に関して異なる位置に２列に配列させたとき
に、バッファメモリ１５７によって描画面３２の進行方
向に対して前方に位置する第２列目の露光ユニット２０
₀₂、２０₀₄、…、２０₁₄の露光タイミングを遅らせてお
り、これにより両列の露光ユニット２０₀₁、２０₀₂、
…、２０₁₅の描画開始位置を一致させることができる。
特に、バッファメモリ１５７を１つ設けるだけでよいの
で、簡単な構成で２列間の位置ずれを解消できる。

【０１００】なお、第２実施形態で用いた１個のバッフ
ァメモリを第１実施形態に適用してもよい。即ち、例え
ばバッファメモリをビットマップメモリ（５２）と露光
データ生成回路（５４）との間に設けてもよい。この構
成によると、１個のバッファメモリによって第１列目に
対する第２列目の位置ずれを大まかに調整し、さらに１
５個のＦＩＦＯメモリによって同一列の露光ユニットに
おける位置ずれを細かく調整することができる。バッフ
ァメモリを追加することにより、各ＦＩＦＯメモリには
同一列の露光ユニット間で調整するだけのメモリ容量で
よいので、そのメモリ容量は第１実施形態に比べて遥か
に小さくて済む。

【０１０１】

【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素
サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画す
ることができるので、本発明による多重露光描画装置を
１台だけ用意するだけでＣＡＤステーション或いはＣＡ
Ｍステーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾
に高めることができる。

【０１０２】また、本発明による多重露光描画装置にあ
っては、各露光ユニットの取付け位置の誤差を露光デー
タの出力タイミングを調整することによって相殺してお
り、これにより高精度な位置決めは必要なく、煩雑な取
付作業を大幅に効率化できる。

【０１０３】また、本発明により得られる特徴的な作用
効果の１つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つか
が正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさ
せることなくパターンの描画を適正に行い得るという点
も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回
の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そ
のうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったと
しても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得ら
れるからである。

【０１０４】本発明による多重露光描画装置から得られ
る別の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込ま
れる結像光学系に起因する露光むらがあったとしても、
その露光むらの影響は多重露光のために小さくされると
いう点も挙げられる。

【０１０５】本発明による多重露光描画装置から得られ
る更に別の作用効果として、光源装置の出力が低くて
も、多重露光のために十分な露光量が確保し得るので、
光源装置を安価に構成し得る点も挙げられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による多重露光描画装置の概略斜視図で
ある。

【図２】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユ
ニットの機能を説明するための概略概念図である。

【図３】図１に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領
域を説明するための平面図である。

【図４】本発明による多重露光描画装置により実行され
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、Ｘ−Ｙ座標系のＸ軸に沿う複数の露光位置に露光
ユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。

【図５】図４と同様な模式図であって、Ｘ−Ｙ座標系の
Ｘ軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動さ
せた際に該露光ユニットがＹ軸に沿って所定距離だけ変
位する状態を経時的に示す図である。

【図６】本発明の多重露光方法に従って露光ユニットを
複数の露光位置に順次移動させた際に該露光ユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説明図
である。

【図７】本発明による多重露光描画装置のブロック図で
ある。

【図８】図７に示す露光データ生成回路および露光タイ
ミング調整回路の一部を詳細に示すブロック図である。

【図９】３つの露光ユニットおよび全面露光領域の相対
関係を模式的に示す斜視図である。

【図１０】露光データ生成回路の３つのＦＩＦＯメモリ
に対する読出しパルスを時系列的に示すタイミングチャ
ートである。

【図１１】本発明による多重露光描画装置の第２実施形
態を示すブロック図である。

【図１２】図１１に示す露光タイミング調整回路を露光
データ生成回路の一部と共に詳細に示すブロック図であ
る。

【符号の説明】

１０ 多重露光描画装置 ２０₀₁、２０₀₂、…２０₁₅ 露光ユニット Ｍ（１，１）、…Ｍ（１０２４，１２８０） マイクロ
ミラー（変調素子） ３２ 描画面 ３４ システムコントロール回路 ５０ ラスタ変換回路 ５４ 露光データ生成回路 ５６、１５６ 露光タイミング調整回路 ５８ ＤＭＤ駆動回路 ５６２₀₁、５６２₀₂ ＦＩＦＯメモリ １５７ バッファメモリ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された多数の変調素
   子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンを描画面
   上に多重露光により描画する多重露光描画装置であっ
   て、 複数の前記露光ユニットを第１方向に沿って配列する配
   列手段と、 前記第１方向とは異なる第２方向に沿って前記描画面を
   前記露光ユニットに対して相対移動させる移動手段と、 個々の前記露光ユニットの露光タイミングを調整する露
   光タイミング調整手段とを備え、 前記移動手段によって前記露光ユニットに対して前記描
   画面を前記第２方向に沿って相対移動させた時に、前記
   露光タイミング調整手段によって、前記描画面上におい
   て個々の前記露光ユニットによる前記第１方向に沿う描
   画開始位置を一致させることを特徴とする多重露光描画
   装置。
2. 【請求項２】 前記露光タイミング調整手段が、最も露
   光タイミングの早い露光ユニットを基準として他の露光
   ユニットの露光タイミングを調整することを特徴とする
   請求項１に記載の多重露光描画装置。
3. 【請求項３】 前記露光ユニットが前記第２方向に関し
   てそれぞれ異なる位置に配列されることを特徴とする請
   求項１に記載の多重露光描画装置。
4. 【請求項４】 個々の前記露光ユニットについて前記所
   定パターンに対応した露光データを生成する露光データ
   生成手段を備え、さらに前記露光タイミング調整手段
   が、前記露光ユニットに与えるべき露光データを一時的
   に格納するＦＩＦＯ（First In First Out）メモリを有
   し、このＦＩＦＯメモリに対する読出しパルスを所定時
   間だけ間引くことにより露光タイミングを調整すること
   を特徴とする請求項３に記載の多重露光描画装置。
5. 【請求項５】 前記ＦＩＦＯメモリが前記露光ユニット
   の数と同じ数だけ設けられることを特徴とする請求項４
   に記載の多重露光描画装置。
6. 【請求項６】 前記露光ユニットが２列の千鳥格子状に
   配列され、第１列目の露光ユニットが第２列目の露光ユ
   ニットに対して前記描画面の相対移動方向に関して所定
   距離だけ後方に離れて配置されることを特徴とする請求
   項１に記載の多重露光描画装置。
7. 【請求項７】 前記所定パターンに対応するラスタデー
   タを生成するラスタデータ生成手段を備え、さらに前記
   タイミング調整手段が、前記所定パターンのラスタデー
   タのうち少なくとも前記所定距離に相当する長さのパタ
   ーンのラスタデータを一時的に格納するバッファメモリ
   を有し、前記第1列目の露光ユニットに与えるべき露光
   データを前記ラスタデータ生成手段から直接得られるラ
   スタデータに基づいて生成すると共に前記第２列目の露
   光ユニットに与えるべき露光データを前記バッファメモ
   リを介して得られるラスタデータに基づいて生成するこ
   とにより露光タイミングを調整することを特徴とする請
   求項６に記載の多重露光描画装置。
8. 【請求項８】 マトリクス状に配置された多数の変調素
   子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンを描画面
   上に多重露光により描画する多重露光描画装置であっ
   て、 複数の前記露光ユニットを第１方向に沿って２列の千鳥
   格子状に配列し、かつ第１列目の露光ユニットを第２列
   目の露光ユニットに対して前記第１方向とは異なる第２
   方向に関して所定距離だけ後方に離れて配置する配列手
   段と、 前記第２方向に沿って前記描画面を前記露光ユニットに
   対して相対移動させる移動手段と、 前記第１列目または第２列目の露光ユニットの少なくと
   も一方の露光タイミングを調整する露光タイミング調整
   手段とを備え、 前記移動手段によって前記露光ユニットに対して前記描
   画面を前記第２方向に沿って相対移動させた時に、前記
   露光タイミング調整手段によって、前記描画面上におい
   て第１列目および第２列目の前記露光ユニットによる前
   記第１方向に沿う描画開始位置を一致させることを特徴
   とする多重露光描画装置。
9. 【請求項９】 前記露光タイミング調整手段が、前記第
   ２列目の露光ユニットの露光タイミングを、前記第１列
   目および第２列目の露光ユニット間の前記第２方向にお
   ける所定距離を前記描画面が進む時間だけ遅らせること
   を特徴とする請求項８に記載の多重露光描画装置。
10. 【請求項１０】 マトリクス状に配置された多数の変調
    素子を有し、第１方向に沿って配列された複数個の露光
    ユニットを用いて、所定のパターンを描画面上に多重露
    光により描画する多重露光描画方法であって、 前記第１方向とは異なる第２方向に沿って前記描画面を
    相対移動させる時に、個々の前記露光ユニットの露光タ
    イミングを調整することによって、前記第１方向に沿う
    描画開始位置を一致させることを特徴とする多重露光描
    画方法。