JP2003187477A - Optical pickup device - Google Patents
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- JP2003187477A JP2003187477A JP2001382117A JP2001382117A JP2003187477A JP 2003187477 A JP2003187477 A JP 2003187477A JP 2001382117 A JP2001382117 A JP 2001382117A JP 2001382117 A JP2001382117 A JP 2001382117A JP 2003187477 A JP2003187477 A JP 2003187477A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
記録媒体に対する記録・再生を行うための光ピックアッ
プ装置に関するものであり、特に、光ピックアップ装置
に搭載された半導体レーザ装置の温度上昇を低減するた
めの放熱手段を備えた光ピックアップ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device for recording / reproducing information on / from an optical recording medium such as an optical disk, and more particularly to reducing the temperature rise of a semiconductor laser device mounted on the optical pickup device. The present invention relates to an optical pickup device provided with a heat radiating means.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ピックアップ装置は、半導体レーザ等
の光源を有する半導体レーザ装置、対物レンズ等の集光
光学系、受光部を備え、光記録媒体への情報の記録や、
光記録媒体に記録された情報の再生を行う。上記半導体
レーザ装置は、情報の記録・再生を行うためのレーザ光
を発生させるため、半導体レーザを駆動することによっ
て発生する熱は、半導体レーザ装置を破損あるいは劣化
させ、信頼性に影響を与える。2. Description of the Related Art An optical pickup device is equipped with a semiconductor laser device having a light source such as a semiconductor laser, a condensing optical system such as an objective lens, and a light receiving section, and records information on an optical recording medium.
The information recorded on the optical recording medium is reproduced. Since the semiconductor laser device generates a laser beam for recording / reproducing information, heat generated by driving the semiconductor laser damages or deteriorates the semiconductor laser device and affects reliability.
【０００３】近年、光記録媒体への情報記録の高速化に
伴い、レーザ光の高出力化が進んでいるため、半導体レ
ーザ装置が高消費電力にて駆動することになり、半導体
レーザ装置での発熱量が増加する傾向にある。また、半
導体レーザ装置も小型化される傾向にあり、半導体レー
ザ装置により発生した熱を外部へ逃がすための冷却部材
も小型化される傾向がある。それゆえ、半導体レーザ装
置からの発熱を効率よく外部へ放出し、半導体レーザ装
置の冷却能を向上することが、実用上、非常に重要とな
っている。冷却効率を高めるためには、半導体レーザ装
置内に、熱伝導性に優れた部材を設けて、発生した熱を
効率よく放散する手法が考えられる。In recent years, as the speed of recording information on an optical recording medium has been increased, the output of laser light has been increased, so that the semiconductor laser device is driven with high power consumption. The calorific value tends to increase. Further, the semiconductor laser device also tends to be downsized, and the cooling member for releasing the heat generated by the semiconductor laser device to the outside also tends to be downsized. Therefore, it is very important for practical use to efficiently release the heat generated from the semiconductor laser device to the outside and improve the cooling ability of the semiconductor laser device. In order to improve the cooling efficiency, a method of disposing the generated heat efficiently by providing a member having excellent thermal conductivity in the semiconductor laser device is considered.
【０００４】特開平１０−２８３６５０号公報の光ピッ
クアップ装置では、半導体レーザ装置での発熱を効率よ
く放出するために、２つの放熱部材を設けている。これ
ら２つの放熱部材は、熱伝導性シートを介して接触して
おり、半導体レーザ装置にて発生した熱は、第１の放熱
部材から熱伝導性シートを介して、第２の放熱部材に伝
導し、第２の放熱部材から外部へと放出される。In the optical pickup device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-283650, two heat radiation members are provided in order to efficiently release the heat generated by the semiconductor laser device. These two heat dissipation members are in contact with each other via the heat conductive sheet, and the heat generated in the semiconductor laser device is conducted from the first heat dissipation member to the second heat dissipation member via the heat conductive sheet. Then, it is released from the second heat dissipation member to the outside.
【０００５】一方、近年の光ピックアップ装置の小型化
や軽量化の要請に基づいて、半導体レーザ装置は、部品
点数が削減され、部品材料の小型化や軽量化が図られて
いる。そのため、上記公報の光ピックアップ装置のよう
に、熱の放出のみを行う放熱専用の部材を設けること
は、装置の小型化や軽量化の観点からは好ましくない。
そこで、半導体レーザ装置に備えられている他の部材を
放熱部材として兼用することによって、半導体レーザ装
置の部品点数を削減し、装置の大型化を伴うことなく、
効率的な冷却を可能とした光ピックアップ装置がある。On the other hand, in response to recent demands for downsizing and weight reduction of optical pickup devices, the semiconductor laser device has been reduced in the number of components, and the material of the components has been reduced in size and weight. Therefore, it is not preferable from the viewpoint of downsizing and weight saving of the device to provide a member dedicated to heat dissipation, which only releases heat, like the optical pickup device of the above publication.
Therefore, by also using another member provided in the semiconductor laser device as a heat dissipation member, the number of parts of the semiconductor laser device is reduced and the device is not enlarged,
There is an optical pickup device that enables efficient cooling.
【０００６】例えば、特開平８−２８７５０１号公報で
は、半導体レーザ装置をハウジング部に装着するために
金属製の押さえバネを用い、さらに、この押さえバネが
半導体レーザ装置の放熱部材としての機能を兼ねること
によって、装置の小型化を図りながら冷却能に優れた光
ピックアップ装置を得ることを可能にしている。For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-287501, a metal pressing spring is used to mount the semiconductor laser device on the housing, and the pressing spring also functions as a heat dissipation member of the semiconductor laser device. As a result, it is possible to obtain an optical pickup device excellent in cooling ability while achieving downsizing of the device.
【０００７】また、図９に示す別の従来の光ピックアッ
プ装置９０では、半導体レーザ装置９１をハウジング部
９３に装着するために用いられる金属製の押さえ金具９
２を、放熱部材としても利用している。光ピックアップ
装置９０は、半導体レーザ装置の基台側面にて、直接的
あるいは、配線部等を介して間接的に、レーザ駆動用の
集積回路に接続される複数のリード端子９４が突出して
いる。押さえ金具９２には足９２ａが設けられ、この足
９２ａが半導体レーザ装置９１の基台底面に押し当てら
れることにより、半導体レーザ装置９１がハウジング部
９３に固定されている。Further, in another conventional optical pickup device 90 shown in FIG. 9, a metal pressing member 9 used for mounting the semiconductor laser device 91 on the housing portion 93.
2 is also used as a heat dissipation member. In the optical pickup device 90, a plurality of lead terminals 94 connected to an integrated circuit for driving a laser project directly or indirectly via a wiring part or the like on the side surface of the base of the semiconductor laser device. The press fitting 92 is provided with a foot 92a, and the foot 92a is pressed against the bottom surface of the base of the semiconductor laser device 91, whereby the semiconductor laser device 91 is fixed to the housing portion 93.
【０００８】光ピックアップ装置９０の半導体レーザ装
置９１にて発生した熱は、一旦、半導体レーザ装置９１
の基台底面に接触して設けられている押さえ金具９２の
足９２ａに伝導する。そして、足９２ａから押さえ金具
９２全体へと拡散されて、押さえ金具９２の表面全体か
ら熱を放出している。The heat generated by the semiconductor laser device 91 of the optical pickup device 90 is temporarily generated by the semiconductor laser device 91.
Conductive to the foot 92a of the pressing metal fitting 92 provided in contact with the bottom surface of the base. Then, the heat is radiated from the entire surface of the pressing metal member 92 by being diffused from the foot 92a to the entire pressing metal member 92.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平８−２８７５０１号公報の光ピックアップ装置で
は、半導体レーザ装置をハウジング部に設置する際に、
押さえバネの弾性力を利用して固定しているため、押さ
えバネが撓むことによって、半導体レーザ装置と押さえ
バネとが十分な密着状態を保って接触することができな
いという問題を有している。However, in the optical pickup device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-287501, when the semiconductor laser device is installed in the housing part,
Since the elastic force of the pressing spring is used for fixing, there is a problem that the semiconductor laser device and the pressing spring cannot be brought into contact with each other while maintaining a sufficiently close contact state due to the bending of the pressing spring. .
【００１０】さらに、半導体レーザ装置の基台底面から
リード端子が突出している場合や、この基台底面にてリ
ード端子が、直接的、又は配線部を介して間接的に、集
積回路に接続されている場合には、基台底面と配線部又
は集積回路との間の隙間に熱がこもり、半導体レーザ装
置の基台底面からの放熱効果が低下するという問題もあ
る。Further, when the lead terminal is projected from the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, or at the bottom surface of the base, the lead terminal is directly or indirectly connected to the integrated circuit through the wiring portion. In that case, there is also a problem that heat is trapped in the gap between the bottom surface of the base and the wiring part or the integrated circuit, and the heat radiation effect from the bottom surface of the base of the semiconductor laser device is reduced.
【００１１】また、図９に示す従来の光ピックアップ装
置９０では、半導体レーザ装置９１から押さえ金具９２
へ伝導する熱は、半導体レーザ装置９１の基台底面と小
さい面積にて接触している足９２ａを経て伝えられるの
で、熱伝導効率が低いという問題を有している。さら
に、足９２ａが半導体レーザ装置９１の基台底面に接触
することにより、押さえ金具９２と半導体レーザ装置９
１との間に隙間が形成される。この隙間には、半導体レ
ーザ装置９１から放出される熱がこもってしまうため、
半導体レーザ装置９１に発生した熱を効率よく冷却する
ことができないという問題がある。Further, in the conventional optical pickup device 90 shown in FIG. 9, the semiconductor laser device 91 is pushed to the pressing metal fitting 92.
Since the heat conducted to the semiconductor laser device 91 is transmitted through the foot 92a which is in contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device 91 in a small area, there is a problem that the heat conduction efficiency is low. Further, the foot 92a comes into contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device 91, so that the press fitting 92 and the semiconductor laser device 9 are connected.
A gap is formed between the two. Since the heat emitted from the semiconductor laser device 91 is trapped in this gap,
There is a problem that the heat generated in the semiconductor laser device 91 cannot be efficiently cooled.
【００１２】それゆえ、従来の光ピックアップ装置で
は、押圧バネ又は押さえ金具９２と、半導体レーザ装置
とを十分に密着させることができないために、半導体レ
ーザ装置の発熱を効率よく押圧バネ又は押さえ金具９２
へ伝導せず、優れた放熱効果を得ることができないとい
う問題点を有している。Therefore, in the conventional optical pickup device, the pressing spring or the pressing metal member 92 and the semiconductor laser device cannot be sufficiently brought into close contact with each other, so that the heat generation of the semiconductor laser device can be efficiently performed.
However, there is a problem in that it does not conduct heat to the battery and cannot obtain an excellent heat dissipation effect.
【００１３】また、特開平１０−２８３６５０号公報の
第２の放熱部材は、半導体レーザ装置の基台に相当し、
半導体レーザ装置の小型化に伴って、この第２の放熱部
材が小型化された場合に生じる半導体レーザ装置の冷却
能の低下を改善することに関する記載はない。さらに、
該公報には、ハウジング部への半導体レーザ装置の装着
に関する記載もない。The second heat radiating member disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-283650 corresponds to the base of the semiconductor laser device,
There is no description relating to the improvement of the cooling ability of the semiconductor laser device, which is caused when the second heat radiation member is miniaturized as the semiconductor laser device is miniaturized. further,
The publication also does not describe mounting of the semiconductor laser device in the housing portion.
【００１４】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであって、その目的は、装置の小型化
や軽量化を実現するとともに、優れた冷却効果を有する
半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置を提供す
ることにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to realize a semiconductor laser device having an excellent cooling effect while realizing the size and weight reduction of the device. An object is to provide an optical pickup device provided with the optical pickup device.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、上記課題を解決するために、レーザ光を出射す
る光源部を有する半導体レーザ装置を備え、該半導体レ
ーザ装置が、ハウジング部に設けられた取付穴に、半導
体レーザ装置の基台をハウジング部に対して押し当てる
押し当て部材を用いて固定されている光ピックアップ装
置において、上記押し当て部材と、上記半導体レーザ装
置の基台底面及びハウジング部における上記取付穴の形
成面との間に、押し当て部材と上記した基台底面及び取
付穴の形成面の両方とに接するように、熱伝導部材が挟
持されていることを特徴としている。In order to solve the above problems, an optical pickup device of the present invention comprises a semiconductor laser device having a light source section for emitting a laser beam, and the semiconductor laser apparatus is provided in a housing section. In the optical pickup device, in which the base of the semiconductor laser device is pressed against the housing portion by using the pressing hole, the pressing member, the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, and The heat conducting member is sandwiched between the pressing portion and the surface of the housing portion where the mounting hole is formed so as to be in contact with both the pressing member bottom surface and the mounting hole forming surface. .
【００１６】上記の構成によれば、光源部にて発生した
熱は、半導体レーザ装置全体へ伝導し、半導体レーザ装
置の基台底面から熱伝導部材を介して押し当て部材へと
伝導する経路と、半導体レーザ装置からハウジング部へ
伝わり、熱伝導部材を介して押し当て部材へと伝導する
経路とを経て、押し当て部材の表面全体から放出され
る。その結果、半導体レーザ装置の冷却が効率よく行わ
れ、半導体レーザ装置の温度上昇を低減することがで
き、また、半導体レーザ装置の破損や劣化を防ぐことが
できる。According to the above construction, the heat generated in the light source section is conducted to the entire semiconductor laser device and is conducted from the bottom surface of the base of the semiconductor laser device to the pressing member via the heat conducting member. , Is emitted from the entire surface of the pressing member via a path that is transmitted from the semiconductor laser device to the housing portion and is conducted to the pressing member via the heat conducting member. As a result, the semiconductor laser device is efficiently cooled, the temperature rise of the semiconductor laser device can be suppressed, and the damage and deterioration of the semiconductor laser device can be prevented.
【００１７】また、押し当て部材が、半導体レーザ装置
の発熱を放出する放熱部材としての機能を兼ね備えてい
るので、半導体レーザ装置の部品点数を削減して装置の
小型化、軽量化を図りつつ、半導体レーザ装置の優れた
冷却効果を備えた光ピックアップ装置を提供することが
できる。Further, since the pressing member also has a function as a heat radiating member for radiating the heat generated by the semiconductor laser device, the number of parts of the semiconductor laser device can be reduced to reduce the size and weight of the device. An optical pickup device having an excellent cooling effect for a semiconductor laser device can be provided.
【００１８】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記熱伝導部材は、
弾性を有していることを特徴としている。Also, the optical pickup device of the present invention is the above-mentioned optical pickup device, wherein the heat conducting member is
It is characterized by having elasticity.
【００１９】上記の構成によれば、金属のように表面が
粗い部材に接触する場合にも、金属表面に密着すること
ができ、金属同士が接触する場合や熱伝導部材が弾性を
有していない場合に比べて、接触面積を増加させること
ができる。これにより、熱伝導部材は、半導体レーザ装
置の基台底面、ハウジング部、押し当て部材に密着する
ことができるので、上記経路を経て、半導体レーザ装置
から効率よく押し当て部材に熱を伝導し、押し当て部材
の表面から外気へ効率よく熱を放散させることができ
る。According to the above structure, even when a member having a rough surface such as a metal is brought into contact with the metal surface, the metal surface can be adhered closely to the metal surface and the heat conducting member has elasticity. The contact area can be increased as compared to the case without the contact. As a result, the heat conduction member can be brought into close contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, the housing portion, and the pressing member, so that heat is efficiently conducted from the semiconductor laser device to the pressing member via the above path, Heat can be efficiently dissipated from the surface of the pressing member to the outside air.
【００２０】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記熱伝導部材は、
ケイ素樹脂、グラファイト、アルミニウム、銀のいずれ
かの材質にて形成されていることを特徴としている。Further, the optical pickup device of the present invention is the above optical pickup device, wherein the heat conducting member is
It is characterized by being formed of any one of silicon resin, graphite, aluminum and silver.
【００２１】上記の構成によれば、熱伝導部材は、熱伝
導性に優れ、かつ、弾性を有する柔らかい材質にて形成
されているので、半導体レーザ装置、ハウジング部、押
し当て部材に密着することができる。従って、半導体レ
ーザ装置及びハウジング部から即座に熱を吸収し、速や
かに押し当て部材へ放熱することができ、半導体レーザ
装置の温度上昇を低減することができる。According to the above construction, since the heat conducting member is formed of a soft material having excellent heat conductivity and elasticity, it should be in close contact with the semiconductor laser device, the housing portion and the pressing member. You can Therefore, the heat can be immediately absorbed from the semiconductor laser device and the housing, and can be quickly radiated to the pressing member, and the temperature rise of the semiconductor laser device can be reduced.
【００２２】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記半導体レーザ装
置は、該半導体レーザ装置を駆動する集積回路と上記光
源部とを電気的に接続するリード端子を有し、該リード
端子は、基台底面から引き出されて、上記集積回路に直
接的もしくは、配線部を介して間接的に接続されている
ことを特徴としている。Further, the optical pickup device of the present invention is the above-mentioned optical pickup device, wherein the semiconductor laser device has a lead terminal for electrically connecting the integrated circuit for driving the semiconductor laser device and the light source section. The lead terminal is drawn out from the bottom surface of the base, and is directly or indirectly connected to the integrated circuit through a wiring portion.
【００２３】上記の構成によれば、リード端子が基台底
面から引き出され、基台底面と押し当て部材との接触面
積を十分に確保することができない場合にも、熱伝導部
材が押し当て部材と基台底面及び上記取付穴の形成面の
両方とに接しているので、半導体レーザ装置の冷却を効
率よく行うことができる。また、基台底面と集積回路又
は配線部との間に隙間が形成された場合にも、熱伝導部
材が押し当て部材と基台底面及び取付穴の形成面の両方
とに接しているので、上記隙間に熱がこもることはな
い。そのため、半導体レーザ装置にて発生した熱は、上
記した経路を経て効率よく放出される。According to the above structure, even when the lead terminal is pulled out from the bottom surface of the base and the contact area between the bottom surface of the base and the pressing member cannot be sufficiently secured, the heat conducting member presses the pressing member. Since it is in contact with both the bottom surface of the base and the surface where the mounting hole is formed, the semiconductor laser device can be cooled efficiently. Further, even when a gap is formed between the bottom surface of the base and the integrated circuit or the wiring portion, since the heat conducting member is in contact with both the pressing member and the bottom surface of the base and the surface where the mounting hole is formed, No heat is trapped in the gap. Therefore, the heat generated in the semiconductor laser device is efficiently released through the above-mentioned path.
【００２４】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記半導体レーザ装
置の基台底面は、上記ハウジング部に設けられた取付穴
に、取付穴の形成面と同一平面を成す、又は、取付穴の
形成面から製造誤差の範囲内にて突出するように装着さ
れ、上記熱伝導部材がシート状であることを特徴として
いる。Further, in the optical pickup device of the present invention, in the above optical pickup device, the bottom surface of the base of the semiconductor laser device is flush with the mounting hole provided in the housing part on the same plane as the mounting hole forming surface. The heat conducting member is formed in a sheet shape or is mounted so as to protrude from the surface where the mounting hole is formed within a manufacturing error range.
【００２５】上記の構成によれば、半導体レーザ装置の
基台底面が、ハウジング部の取付穴の形成面と製造誤差
の範囲内で同一の平面を形成しているので、熱伝導部材
をシート状としても、押し当て部材を押し当てること
で、熱伝導部材を半導体レーザ装置、ハウジング部、押
し当て部材に密着させることができる。また、シート状
の熱伝導部材が弾性を有するため、半導体レーザ装置の
基台底面が、ハウジング部の取付穴の形成面からわずか
に突出している場合にも、弾性変形することで、半導体
レーザ装置、ハウジング部、押し当て部材に密着するこ
とが可能となっている。According to the above construction, since the bottom surface of the base of the semiconductor laser device forms the same plane as the surface of the mounting hole of the housing within the manufacturing error, the heat conducting member is in the form of a sheet. Also, by pressing the pressing member, the heat conducting member can be brought into close contact with the semiconductor laser device, the housing portion, and the pressing member. Further, since the sheet-shaped heat conduction member has elasticity, even when the bottom surface of the base of the semiconductor laser device slightly projects from the surface where the mounting hole of the housing is formed, the semiconductor laser device is elastically deformed. It is possible to make close contact with the housing part and the pressing member.
【００２６】また、熱伝導部材を、半導体レーザ装置の
基台底面、ハウジング部、押し当て部材に密着させ得る
ように、複雑な形状に加工する必要がなく、製造工程を
簡略化することができ、かつ、コストを削減することが
できる。Further, the heat conducting member does not need to be processed into a complicated shape so as to be brought into close contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, the housing portion, and the pressing member, and the manufacturing process can be simplified. And, the cost can be reduced.
【００２７】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、熱伝導部材は、さら
に電気的絶縁性を有していることを特徴としている。Further, the optical pickup device of the present invention is characterized in that, in the above-mentioned optical pickup device, the heat conducting member further has an electrical insulating property.
【００２８】上記の構成によれば、基台底面からリード
端子が引き出されている場合に、リード端子と熱伝導部
材とが接触しても、リード端子間の電気的絶縁性を保つ
ことができる。According to the above structure, when the lead terminal is pulled out from the bottom surface of the base, even if the lead terminal and the heat conducting member come into contact with each other, the electrical insulation between the lead terminals can be maintained. .
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１ないし図８に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 8.
【００３０】本実施の形態の光ピックアップ装置１は、
図１に示すように、単体半導体レーザ装置１０と、ハウ
ジング部３０と、熱伝導部材である熱伝導性シート４０
と、押し当て部材である押し当て金具５０と、配線部で
あるＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）７０とを備え
ている。The optical pickup device 1 of this embodiment is
As shown in FIG. 1, a single semiconductor laser device 10, a housing portion 30, and a heat conductive sheet 40 that is a heat conductive member.
And a pressing metal fitting 50 which is a pressing member, and an FPC (flexible printed circuit board) 70 which is a wiring portion.
【００３１】単体半導体レーザ装置１０は、図２に示す
ように、光源部であるレーザチップ１１及びＰＩＮチッ
プ１２と、基台であるステム１３と、キャップ１５と、
複数、ここでは３本のリード端子１８・１８・１８とを
有している。この単体半導体レーザ装置１０は、レーザ
チップ１１とＰＩＮチップ１２とが、ステム１３の上面
に設けられたキャップ１５の内部に収容され、各リード
端子１８が、キャップ１５の内部にて、レーザチップ１
１とＰＩＮチップ１２とに接続されるように構成されて
いる。なお、以下では、キャップ１５が設けられている
側をステム上面１３ａと称し、各リード端子１８が引き
出されている側をステム底面（基台底面）１３ｂと称す
る。As shown in FIG. 2, the single semiconductor laser device 10 includes a laser chip 11 and a PIN chip 12 which are light source parts, a stem 13 which is a base, and a cap 15.
It has a plurality of, here three lead terminals 18, 18, 18. In this single-piece semiconductor laser device 10, a laser chip 11 and a PIN chip 12 are housed inside a cap 15 provided on the upper surface of a stem 13, and each lead terminal 18 is inside the cap 15 and the laser chip 1 is provided.
1 and the PIN chip 12 are connected. In the following, the side on which the cap 15 is provided is referred to as the stem upper surface 13a, and the side from which each lead terminal 18 is drawn out is referred to as the stem bottom surface (base bottom surface) 13b.
【００３２】単体半導体レーザ装置１０の各部につい
て、図２に基づいて、以下に詳細に説明する。Each part of the single semiconductor laser device 10 will be described in detail below with reference to FIG.
【００３３】レーザチップ１１は、各リード端子１８を
介して電力が供給され、レーザ光を出射する。The laser chip 11 is supplied with electric power through each lead terminal 18 and emits laser light.
【００３４】ＰＩＮチップ１２は、レーザチップ１１か
ら、図１に示す後述するコリメートレンズ４に向けてレ
ーザ光が出射される方向とは逆の方向に出射されるレー
ザ光をモニターし、ＡＰＣ（Auto Power Control）をか
けて、レーザチップ１１が出力するレーザ光の出力を制
御している。The PIN chip 12 monitors the laser light emitted from the laser chip 11 in the direction opposite to the direction in which the laser light is emitted toward the collimator lens 4 shown in FIG. Power control) is applied to control the output of the laser light output from the laser chip 11.
【００３５】ステム１３は、熱伝導性の優れた銅等の金
属によって全体が形成され、直径５．６ｍｍの円盤形状
を有している。レーザ光の出射に伴うレーザチップ１１
の発熱は、ステム１３に伝導して拡散し、ステム１３の
表面全体から、熱を放出することによって、レーザチッ
プ１１の温度上昇を低減する。The stem 13 is wholly formed of a metal such as copper having excellent thermal conductivity, and has a disk shape with a diameter of 5.6 mm. Laser chip 11 associated with emission of laser light
The heat generated in (1) is conducted to the stem 13 and diffused, and the heat is radiated from the entire surface of the stem 13 to reduce the temperature rise of the laser chip 11.
【００３６】また、キャップ１５が設けられたステム上
面１３ａには、図２に示すように、突起部１４とＰＩＮ
チップ１２とが載置され、突起部１４には、熱伝導性の
高い接着剤によってレーザチップ１１が接合されてい
る。また、このステム上面１３ａは、単体半導体レーザ
装置１０を図１に示すハウジング部３０に取り付ける際
に、位置を決定するための基準面となっている。Further, as shown in FIG. 2, the stem upper surface 13a provided with the cap 15 has a protrusion 14 and a PIN.
The chip 12 is placed, and the laser chip 11 is bonded to the protrusion 14 with an adhesive having high thermal conductivity. Further, the stem upper surface 13a serves as a reference surface for determining the position when the single semiconductor laser device 10 is attached to the housing portion 30 shown in FIG.
【００３７】さらに、ステム１３は、ステム上面１３ａ
及び、ステム上面１３ａに平行なステム底面１３ｂの双
方の面に垂直となるように、ステム１３を貫通した３つ
の貫通穴１７・１７・１７を有している。ステム１３に
設けられた各貫通穴１７は、ステム底面１３ｂの中心点
から半径１ｍｍの同心円上に配置されている。各貫通穴
１７には、各リード端子１８が挿入され、各貫通穴１７
と各リード端子１８との間はガラス材によって封止され
ている。Further, the stem 13 has a stem upper surface 13a.
Also, three through holes 17, 17, 17 penetrating the stem 13 are provided so as to be perpendicular to both surfaces of the stem bottom surface 13b parallel to the stem upper surface 13a. The through holes 17 provided in the stem 13 are arranged on a concentric circle with a radius of 1 mm from the center point of the stem bottom surface 13b. Each lead terminal 18 is inserted into each through hole 17, and each through hole 17
The space between the lead terminal 18 and each lead terminal 18 is sealed with a glass material.
【００３８】キャップ１５は、レーザチップ１１、ＰＩ
Ｎチップ１２、突起部１４を内部に格納するように、ス
テム上面１３ａに設置されている。キャップ１５は、レ
ーザチップ１１からコリメートレンズ４（図１参照）に
向けて出射されるレーザ光が通過する窓１６を有してい
る。The cap 15 includes the laser chip 11 and the PI.
It is installed on the stem upper surface 13a so that the N tip 12 and the protrusion 14 are stored inside. The cap 15 has a window 16 through which laser light emitted from the laser chip 11 toward the collimator lens 4 (see FIG. 1) passes.
【００３９】各リード端子１８は、レーザチップ１１へ
の電力供給、又は、ＰＩＮチップ１２からの信号伝送に
用いられる。そのため、リード端子１８の一つは、ステ
ム上面１３ａ側に突出した一端にて金線１９を介してレ
ーザチップ１１に接続され、別のリード端子１８の一端
では、金線１９を介してＰＩＮチップ１２に接続されて
いる。また、上述したように、各貫通穴１７と各リード
端子１８との間にはガラス材が設けられているので、各
リード端子１８は、互いに電気的に絶縁された状態にな
っている。Each lead terminal 18 is used for supplying power to the laser chip 11 or transmitting a signal from the PIN chip 12. Therefore, one of the lead terminals 18 is connected to the laser chip 11 via the gold wire 19 at one end protruding to the stem upper surface 13a side, and one end of the other lead terminal 18 is connected to the PIN chip via the gold wire 19. It is connected to 12. Further, as described above, since the glass material is provided between the through holes 17 and the lead terminals 18, the lead terminals 18 are electrically insulated from each other.
【００４０】続いて、図１及び図３に基づいて、上述し
た本実施の形態の光ピックアップ装置１に備えられた、
ハウジング部３０、熱伝導性シート４０、押し当て金具
５０、ＦＰＣ７０について説明する。Subsequently, based on FIGS. 1 and 3, the optical pickup device 1 of the present embodiment described above is equipped with
The housing portion 30, the heat conductive sheet 40, the pressing metal fitting 50, and the FPC 70 will be described.
【００４１】ハウジング部３０は、図１に示すように、
コリメートレンズ４、反射ミラー５、対物レンズ６等の
光学系素子を収容する支持体であるとともに、単体半導
体レーザ装置１０を固定する基台である。ハウジング部
３０は、図３に示すように、端面に、取付穴としてのレ
ーザ取付穴３２を備え、単体半導体レーザ装置１０が取
り付けられるようになっている。以下では、このレーザ
取付穴３２が形成されている端面を取付穴形成面３１と
称する。The housing portion 30 is, as shown in FIG.
It is a support for accommodating optical system elements such as the collimator lens 4, the reflection mirror 5, the objective lens 6, and the base for fixing the single semiconductor laser device 10. As shown in FIG. 3, the housing portion 30 is provided with a laser mounting hole 32 as a mounting hole on the end surface so that the single semiconductor laser device 10 can be mounted. Hereinafter, the end surface on which the laser mounting hole 32 is formed is referred to as a mounting hole forming surface 31.
【００４２】熱伝導性シート４０は、図１に示すレーザ
チップ１１から、単体半導体レーザ装置１０のステム１
３に伝導した熱や、ステム１３を経てハウジング部３０
に伝導した熱を効率よく、後述する押し当て金具５０に
伝える。熱伝導性シート４０は、弾性変形が可能なケイ
素樹脂で形成され、熱伝導率が1.7W/m・K、電気体積固有
抵抗値が1.0×1015Ω・cmである熱伝導性に優れたシート
材である。熱伝導性シート４０の外形は、押し当て金具
５０の外形とほぼ同じである。また、熱伝導性シート４
０は、図３に示すように、各リード端子１８が貫通する
３つのリード貫通穴４１・４１・４１と、押し当て金具
５０の足５１・５１をはめ込む金具穴４２・４２とを備
えている。The heat conductive sheet 40 is formed from the laser chip 11 shown in FIG. 1 to the stem 1 of the single semiconductor laser device 10.
The heat conducted to 3 and the housing part 30 via the stem 13.
The heat conducted to the heat transfer member is efficiently transferred to the pressing metal fitting 50 described later. The heat conductive sheet 40 is made of elastically deformable silicon resin, has a thermal conductivity of 1.7 W / m · K, and an electric volume resistivity of 1.0 × 10 15 Ω · cm, which is excellent in thermal conductivity. It is a sheet material. The outer shape of the heat conductive sheet 40 is substantially the same as the outer shape of the pressing metal fitting 50. In addition, the heat conductive sheet 4
As shown in FIG. 3, 0 has three lead through holes 41, 41, 41 through which each lead terminal 18 penetrates, and metal fitting holes 42, 42 into which the feet 51, 51 of the pressing metal fitting 50 are fitted. .
【００４３】押し当て金具５０は、図３に示すように、
熱伝導性に優れた金属で形成された平板であり、ハウジ
ング部３０の取付穴形成面３１に収まる大きさを有して
いる。押し当て金具５０の中央部には、３つのリード端
子１８・１８・１８が貫通可能となるように、また、後
述するＦＰＣ７０が押し当て金具５０に接触しないよう
に、中央穴５２が設けられている。さらに、中央穴５２
の対向する２箇所に、足５１・５１が備えられている。
各足５１は、Ｌ字型になるように曲げ加工され、熱伝導
性シート４０の厚さと同じ量だけ、押し当て金具５０の
面から突出している。各足５１は、熱伝導性シート４０
の各金具穴４２にはめ込まれて、単体半導体レーザ装置
１０をハウジング部３０に押圧する。The pressing metal fitting 50 is, as shown in FIG.
It is a flat plate formed of a metal having excellent thermal conductivity, and has a size that can be accommodated in the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30. A central hole 52 is provided in the central portion of the pressing metal fitting 50 so that the three lead terminals 18, 18, 18 can be penetrated and the FPC 70 described later does not contact the pressing metal fitting 50. There is. Further, the central hole 52
Feet 51 are provided at two opposite positions.
Each foot 51 is bent to have an L-shape, and protrudes from the surface of the pressing metal fitting 50 by the same amount as the thickness of the heat conductive sheet 40. Each foot 51 has a heat conductive sheet 40.
The single semiconductor laser device 10 is fitted into the metal fitting holes 42 and is pressed against the housing portion 30.
【００４４】ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）７０
は、図示しないレーザ駆動集積回路と各リード端子１８
とを接続する配線部であり、各リード端子１８を介し
て、単体半導体レーザ装置１０に電流信号を送ってい
る。また、ＦＰＣ７０には３つのランド穴部７１・７１
・７１が設けられ、各ランド穴部７１にて、半田により
各リード端子１８に接続されている。FPC (flexible printed circuit board) 70
Is a laser driving integrated circuit (not shown) and each lead terminal 18
Is a wiring portion for connecting the and, and sends a current signal to the single semiconductor laser device 10 via each lead terminal 18. Further, the FPC 70 has three land hole portions 71, 71.
71 is provided and is connected to each lead terminal 18 by soldering at each land hole portion 71.
【００４５】次に、単体半導体レーザ装置１０のハウジ
ング部３０への装着について、図３に基づいて説明す
る。Next, mounting of the single semiconductor laser device 10 on the housing portion 30 will be described with reference to FIG.
【００４６】単体半導体レーザ装置１０は、ハウジング
部３０の取付穴形成面３１に設けられたレーザ取付穴３
２に取り付けられる。レーザ取付穴３２は、ステム１３
のステム上面１３ａに当接する当接面３３を有し、ステ
ム上面１３ａが当接面３３に当接することにより、ハウ
ジング部３０に装着される単体半導体レーザ装置１０の
位置が決定される。このように、ハウジング部３０にレ
ーザ取付穴３２を設けることによって、単体半導体レー
ザ装置１０の位置決め、及び、後述する押し当て金具５
０による固定を容易に行うことができる。The single semiconductor laser device 10 includes the laser mounting hole 3 provided on the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30.
It is attached to 2. The laser mounting hole 32 is used for the stem 13
Has a contact surface 33 that contacts the stem upper surface 13a, and the position of the single semiconductor laser device 10 mounted in the housing portion 30 is determined by the stem upper surface 13a contacting the contact surface 33. By thus providing the laser mounting hole 32 in the housing portion 30, the positioning of the single semiconductor laser device 10 and the pressing fitting 5 to be described later are performed.
Fixing with 0 can be easily performed.
【００４７】レーザ取付穴３２の取付穴形成面３１から
当接面３３までの長さは、ステム１３のステム上面１３
ａからステム底面１３ｂまでの長さに、製造誤差の範囲
内で一致している。なお、本実施の形態の製造誤差は、
取付穴形成面３１から当接面３３までの最大の長さと、
ステム上面１３ａからステム底面１３ｂまでの最小の長
さとが等しくなる範囲内にある。従って、単体半導体レ
ーザ装置１０がレーザ取付穴３２に取り付けられたと
き、ステム底面１３ｂとハウジング部３０の取付穴形成
面３１とが同一平面になる、あるいは、ステム底面１３
ｂが、取付穴形成面３１からわずかに突出した状態にな
っている。The length from the mounting hole forming surface 31 of the laser mounting hole 32 to the contact surface 33 is the stem upper surface 13 of the stem 13.
The length from "a" to the bottom surface 13b of the stem coincides with the manufacturing error. The manufacturing error of the present embodiment is
The maximum length from the mounting hole forming surface 31 to the contact surface 33,
It is within a range where the minimum length from the stem top surface 13a to the stem bottom surface 13b is equal. Therefore, when the single semiconductor laser device 10 is mounted in the laser mounting hole 32, the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30 are flush with each other, or the stem bottom surface 13
b is in a state of slightly protruding from the mounting hole forming surface 31.
【００４８】これにより、後述するように、ステム底面
１３ｂ及び取付穴形成面３１上に、熱伝導性シート４０
を介して、押し当て金具５０が取り付けられても、ステ
ム底面１３ｂと熱伝導性シート４０との間に隙間が形成
されることはない。Thereby, as will be described later, the heat conductive sheet 40 is formed on the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31.
Even if the pressing metal fitting 50 is attached via, the gap is not formed between the stem bottom surface 13b and the heat conductive sheet 40.
【００４９】これに対し、ステム底面１３ｂが、取付穴
形成面３１よりもハウジング部３０側へ陥入した状態に
なるように単体半導体レーザ装置１０が取り付けられる
と、押し当て金具５０が熱伝導性シート４０を押圧して
も、熱伝導性シート４０とステム底面１３ｂとの間には
隙間が形成されてしまう。従って、このような隙間の形
成を防止するために、ステム底面１３ｂが製造誤差の範
囲内で、取付穴形成面３１からわずかに突出するよう
に、設計されることが望ましい。On the other hand, when the single semiconductor laser device 10 is mounted so that the stem bottom surface 13b is recessed toward the housing portion 30 side from the mounting hole forming surface 31, the pressing metal fitting 50 has thermal conductivity. Even if the sheet 40 is pressed, a gap is formed between the heat conductive sheet 40 and the stem bottom surface 13b. Therefore, in order to prevent the formation of such a gap, it is desirable that the bottom surface 13b of the stem is designed to slightly project from the mounting hole forming surface 31 within a manufacturing error range.
【００５０】単体半導体レーザ装置１０がレーザ取付穴
３２に取り付けられると、ハウジング部３０の取付穴形
成面３１上に、熱伝導性シート４０を介して押し当て金
具５０が配置され、固定ネジ６０にて締結される。固定
ネジ６０は、押し当て金具５０、熱伝導性シート４０の
それぞれに設けられたネジ穴５４・５４、４４・４４を
貫通し、ハウジング部３０のネジ穴３４・３４に固定さ
れる。When the single semiconductor laser device 10 is mounted in the laser mounting hole 32, the pressing metal fitting 50 is arranged on the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30 via the heat conductive sheet 40, and is fixed to the fixing screw 60. Will be concluded. The fixing screw 60 penetrates the screw holes 54, 54, 44, 44 provided in the pressing metal fitting 50 and the heat conductive sheet 40, respectively, and is fixed to the screw holes 34, 34 of the housing portion 30.
【００５１】このとき、ステム底面１３ｂから突出した
各リード端子１８が熱伝導性シート４０の各リード貫通
穴４１を貫通し、押し当て金具５０の中央穴５２を通過
するように、熱伝導性シート４０及び押し当て金具５０
が配置されている。さらに、押し当て金具５０に設けら
れた両足５１・５１は、熱伝導性シート４０の各金具穴
４２にはめ込まれている。押し当て金具５０の平面から
突出した各足５１の突出量と、熱伝導性シート４０の厚
さとは、ほぼ等しくなるように設計されているので、熱
伝導性シート４０及び各足５１は、ステム底面１３ｂ及
び取付穴形成面３１が形成している平面上に接触するこ
とができる。At this time, each lead terminal 18 protruding from the bottom surface 13b of the stem penetrates each lead through hole 41 of the heat conductive sheet 40 and passes through the central hole 52 of the pressing metal fitting 50 so that the heat conductive sheet is formed. 40 and pressing metal fitting 50
Are arranged. Further, both feet 51, 51 provided on the pressing metal fitting 50 are fitted into the metal fitting holes 42 of the heat conductive sheet 40. Since the protrusion amount of each foot 51 protruding from the plane of the pressing member 50 and the thickness of the heat conductive sheet 40 are designed to be substantially equal to each other, the heat conductive sheet 40 and each foot 51 have a stem. It can come into contact with the plane formed by the bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31.
【００５２】また、ＦＰＣ７０は、各ランド穴部７１と
ステム底面１３ｂから突出した各リード端子１８とが半
田によって接続され、押し当て金具５０の中央穴５２に
て熱伝導性シート４０に対向するように取り付けられて
いる。Further, in the FPC 70, each land hole 71 and each lead terminal 18 protruding from the stem bottom surface 13b are connected by solder, and the central hole 52 of the pressing metal fitting 50 faces the heat conductive sheet 40. Is attached to.
【００５３】以上のように、単体半導体レーザ装置１０
のステム底面１３ｂ及びハウジング部３０の取付穴形成
面３１と、押し当て金具５０とに接するように、熱伝導
性シート４０が挟持されていることにより、ステム底面
１３ｂ及び取付穴形成面３１と、押し当て金具５０との
間に隙間が形成されないので、ステム底面１３ｂ及び取
付穴形成面３１から、熱伝導性シート４０を介して押し
当て金具５０への熱伝導が効率よく行われる。As described above, the single semiconductor laser device 10
Since the heat conductive sheet 40 is sandwiched so as to contact the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30 and the pressing fitting 50, the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 Since no gap is formed between the pressing metal fitting 50, heat is efficiently transferred from the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 to the pressing metal fitting 50 through the heat conductive sheet 40.
【００５４】また、上記熱伝導性シート４０は、弾性を
有しているので、表面の粗い金属にも密着することがで
き、ステム底面１３ｂ、取付穴形成面３１、押し当て金
具５０に密着して接している。そのため、熱伝導性シー
ト４０を介さずに、ステム底面１３ｂ及び取付穴形成面
３１と押し当て金具５０とを直接接触させた場合はもち
ろんのこと、熱伝導性シート４０が弾性を有していない
場合と比較して、熱伝導性シート４０とステム底面１３
ｂ及び取付穴形成面３１との接触面積、熱伝導性シート
４０と押し当て金具５０との接触面積を増加させること
ができる。接触面積が増加することによって、ステム底
面１３ｂ及び取付穴形成面３１から、熱伝導性シート４
０を介して、押し当て金具５０への熱伝導効率を高める
ことができるので、単体半導体レーザ装置１０の温度上
昇が低減される。Since the heat conductive sheet 40 has elasticity, it can be adhered to a metal having a rough surface, and is adhered to the stem bottom surface 13b, the mounting hole forming surface 31, and the pressing metal fitting 50. Are in contact with each other. Therefore, the heat conductive sheet 40 does not have elasticity as well as the case where the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 and the pressing metal fitting 50 are directly contacted without interposing the heat conductive sheet 40. Compared with the case, the heat conductive sheet 40 and the stem bottom surface 13
It is possible to increase the contact area between the b and the mounting hole forming surface 31, and the contact area between the heat conductive sheet 40 and the pressing fitting 50. By increasing the contact area, the heat conductive sheet 4 is removed from the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31.
0, the heat conduction efficiency to the pressing fitting 50 can be increased, so that the temperature rise of the single semiconductor laser device 10 is reduced.
【００５５】さらに、ステム底面１３ｂ及び取付穴形成
面３１が、製造誤差の範囲内で同一の平面を形成するこ
とによって、シート状の熱伝導性シート４０を用いて
も、熱伝導性シート４０と、ステム底面１３ｂ、取付穴
形成面３１、押し当て金具５０とを密着させることがで
きる。そのため、ステム底面１３ｂ、取付穴形成面３
１、押し当て金具５０に密着させ得るように、熱伝導部
材をその形状に合わせて複雑に加工する必要がなく、製
造工程を簡略化することができる。Further, since the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 form the same plane within the range of manufacturing error, even if the sheet-shaped heat conductive sheet 40 is used, The stem bottom surface 13b, the mounting hole forming surface 31, and the pressing fitting 50 can be brought into close contact with each other. Therefore, the stem bottom surface 13b, the mounting hole forming surface 3
1. The heat conducting member does not need to be processed intricately according to its shape so that it can be brought into close contact with the pressing fitting 50, and the manufacturing process can be simplified.
【００５６】また、ステム底面１３ｂが取付穴形成面３
１からわずかに突出している場合においても、熱伝導性
シート４０が、押し当て金具５０を押し当てることによ
って弾性変形し、ステム底面１３ｂと取付穴形成面３１
との差を吸収して双方に密着するクッションの役割を果
たす（クッション効果）。そのため、シート状の熱伝導
性シート４０を用いても、単体半導体レーザ装置１０に
て発生した熱は、ステム底面１３ｂ及び取付穴形成面３
１の双方から、熱伝導性シート４０を介して、効率よく
押し当て金具５０に伝えられる。そして、押し当て金具
５０の表面全体から外気へ熱を放出し、単体半導体レー
ザ装置１０を効率よく冷却することができる。The bottom surface 13b of the stem is the mounting hole forming surface 3
Even when slightly projecting from 1, the heat conductive sheet 40 is elastically deformed by pressing the pressing metal fitting 50, and the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31.
It plays the role of a cushion that absorbs the difference between and to adhere to both sides (cushion effect). Therefore, even if the sheet-shaped heat conductive sheet 40 is used, the heat generated in the single semiconductor laser device 10 is still applied to the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 3
From both of the above, it is efficiently transmitted to the pressing metal fitting 50 via the heat conductive sheet 40. Then, heat can be released from the entire surface of the pressing metal fitting 50 to the outside air, and the single semiconductor laser device 10 can be cooled efficiently.
【００５７】逆に、ステム底面１３ｂが取付穴形成面３
１よりもハウジング部３０側へ陥入している場合、押し
当て金具５０が熱伝導性シート４０を押圧しても、熱伝
導性シート４０とステム底面１３ｂとの間に隙間が形成
されてしまう。そのため、熱伝導性シート４０とステム
底面１３ｂとの接触面積が減少し、ステム底面１３ｂか
ら熱伝導性シート４０への熱伝導効率が低下する。その
結果、単体半導体レーザ装置１０の冷却効率が低下し、
単体半導体レーザ装置１０の耐用寿命が短くなってしま
う。On the contrary, the stem bottom surface 13b is the mounting hole forming surface 3
When the pressing metal fitting 50 presses the heat conductive sheet 40 when it is recessed toward the housing portion 30 side from 1, the gap is formed between the heat conductive sheet 40 and the stem bottom surface 13b. . Therefore, the contact area between the heat conductive sheet 40 and the stem bottom surface 13b decreases, and the heat conduction efficiency from the stem bottom surface 13b to the heat conductive sheet 40 decreases. As a result, the cooling efficiency of the single semiconductor laser device 10 decreases,
The service life of the single semiconductor laser device 10 is shortened.
【００５８】それゆえ、ステム底面１３ｂ及び取付穴形
成面３１が、同一の平面を形成している、又は、ステム
底面１３ｂが、製造誤差の範囲内で取付穴形成面３１か
ら突出していることが好ましい。Therefore, the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 form the same plane, or the stem bottom surface 13b projects from the mounting hole forming surface 31 within a manufacturing error. preferable.
【００５９】また、熱伝導性シート４０は、押し当て金
具５０とほぼ同じ外形を有していることから、ステム１
３及びハウジング部３０から熱伝導性シート４０が吸収
した熱は、熱伝導性シート４０と押し当て金具５０との
接触部分から、押し当て金具５０全体へ即座に伝えるこ
とができる。よって、単体半導体レーザ装置１０にて発
生した熱は、ステム底面１３ｂから熱伝導性シート４０
を介して、また、ハウジング部３０の取付穴形成面３１
から熱伝導性シート４０を介して、押し当て金具５０全
体に拡散され、押し当て金具５０の表面全体から放出さ
れる。Since the heat conductive sheet 40 has substantially the same outer shape as the pressing metal fitting 50, the stem 1
The heat absorbed by the thermally conductive sheet 40 from the housing 3 and the housing portion 30 can be immediately transferred to the entire pressing metal fitting 50 from the contact portion between the thermally conductive sheet 40 and the pressing metal fitting 50. Therefore, the heat generated in the single semiconductor laser device 10 is transferred from the stem bottom surface 13b to the heat conductive sheet 40.
Through the mounting hole forming surface 31 of the housing portion 30.
Is diffused to the entire pressing metal fitting 50 through the heat conductive sheet 40 and is released from the entire surface of the pressing metal fitting 50.
【００６０】熱伝導性シート４０から押し当て金具５０
への熱伝導は、熱伝導性シート４０と押し当て金具５０
との接触部分にて行われるので、熱伝導性シート４０と
押し当て金具５０との接触面積が大きいほど熱伝導効率
が向上する。従って、熱伝導性シート４０の外形は、少
なくとも押し当て金具５０の外形よりも大きい方が好ま
しい。これにより、熱伝導性シート４０が単体半導体レ
ーザ装置１０から吸収した熱を、押し当て金具５０全体
へ効率よく伝導することができるので、単体半導体レー
ザ装置１０の優れた冷却効果を得ることができる。The heat conductive sheet 40 is pressed against the metal fitting 50.
Heat conduction to the heat conductive sheet 40 and the pressing metal fitting 50.
Since it is performed in the contact portion with the heat conducting sheet, the larger the contact area between the heat conducting sheet 40 and the pressing metal fitting 50, the higher the heat conducting efficiency. Therefore, the outer shape of the heat conductive sheet 40 is preferably at least larger than the outer shape of the pressing metal fitting 50. Thereby, the heat absorbed by the heat conductive sheet 40 from the single semiconductor laser device 10 can be efficiently conducted to the entire pressing metal fitting 50, so that an excellent cooling effect of the single semiconductor laser device 10 can be obtained. .
【００６１】さらに、押し当て金具５０に備えられた各
足５１が付け根付近で撓んだ場合も、熱伝導性シート４
０のクッション効果により、押し当て金具５０は、熱伝
導性シート４０に密着することができるので、ステム１
３から押し当て金具５０への熱伝導効率が低減すること
はない。Further, even when each foot 51 provided on the pressing metal fitting 50 is bent near the base, the heat conductive sheet 4
Due to the cushioning effect of 0, the pressing metal fitting 50 can be brought into close contact with the heat conductive sheet 40.
The efficiency of heat transfer from 3 to the press fitting 50 does not decrease.
【００６２】また、ＦＰＣ７０とステム底面１３ｂとの
間に熱伝導性シート４０を介在させることによって、ス
テム底面１３ｂからリード端子１８が突出していたり、
ステム底面１３ｂに対向する位置にＦＰＣ７０が配置さ
れている場合においても、ステム底面１３ｂ全体から、
熱伝導性シート４０を介して押し当て金具５０へ熱を逃
がすことが可能となり、押し当て金具５０での放熱効果
が向上する。Further, by interposing the heat conductive sheet 40 between the FPC 70 and the stem bottom surface 13b, the lead terminal 18 is projected from the stem bottom surface 13b,
Even when the FPC 70 is arranged at a position facing the stem bottom surface 13b, from the entire stem bottom surface 13b,
Heat can be released to the pressing metal fitting 50 via the heat conductive sheet 40, and the heat dissipation effect of the pressing metal fitting 50 is improved.
【００６３】さらに、熱伝導部材の材質は、ＦＰＣ７０
が配置されているために、十分ではなかったステム底面
１３ｂから押し当て金具５０への放熱効果を向上するこ
とができる材質であれば、特に限定されず、ケイ素樹
脂、グラファイト、アルミ、銀等を挙げることができ
る。これらのうち、ステム底面１３ｂ及び押し当て金具
５０に熱伝導が十分になされ、各リード端子１８間の電
気的絶縁性を保つことができる材質として、特に、ケイ
素樹脂が好ましい。Further, the material of the heat conducting member is FPC70.
Is not particularly limited as long as it is a material that can improve the heat radiation effect from the stem bottom surface 13b to the pressing fitting 50, which is not sufficient, and silicon resin, graphite, aluminum, silver, etc. can be used. Can be mentioned. Of these, a silicon resin is particularly preferable as a material capable of sufficiently conducting heat to the stem bottom surface 13b and the pressing metal fitting 50 and maintaining the electrical insulation between the lead terminals 18.
【００６４】単体半導体レーザ装置１０にて発生した熱
は、主に以下の経路を経て、押し当て金具５０の表面全
体から効率よく冷却されると考えられる。It is considered that the heat generated in the single semiconductor laser device 10 is efficiently cooled from the entire surface of the pressing metal fitting 50 mainly through the following paths.
【００６５】単体半導体レーザ装置１０内部のレーザ
チップ１１にて発生した熱は、図４に示すように、突起
部１４を介して、ステム１３全体に伝えられ、ステム１
３に接するハウジング部３０に伝導する。続いて、ハウ
ジング部３０から熱伝導性シート４０を経て押し当て金
具５０に伝えられ、押し当て金具５０から外部に放熱さ
れる。レーザチップ１１にて発生した熱がステム１３
に伝えられ、ステム底面１３ｂから足５１を経て、押し
当て金具５０全体に拡散する。レーザチップ１１での
発熱がステム１３へ伝えられ、ステム底面１３ｂから熱
伝導性シート４０を介して押し当て金具５０全体に伝導
する。The heat generated by the laser chip 11 inside the single semiconductor laser device 10 is transferred to the entire stem 13 via the protrusion 14 as shown in FIG.
3 is conducted to the housing portion 30 which is in contact therewith. Subsequently, the heat is transmitted from the housing portion 30 to the pressing metal fitting 50 through the heat conductive sheet 40, and is radiated to the outside from the pressing metal fitting 50. The heat generated by the laser chip 11 is generated by the stem 13
Is transmitted to the whole of the pressing metal fitting 50 from the stem bottom surface 13b through the foot 51. The heat generated by the laser chip 11 is transmitted to the stem 13, and is conducted to the entire pressing metal fitting 50 from the stem bottom surface 13b through the heat conductive sheet 40.
【００６６】なお、本実施の形態では、熱伝導部材とし
て熱伝導性シート４０を用いたが、これに限定されるも
のではなく、ステム底面１３ｂ及び取付穴形成面３１
と、押し当て金具５０とに接し、単体半導体レーザ装置
１０にて発生した熱を効率よく押し当て金具５０へ伝達
することができる部材であればよい。In this embodiment, the heat conductive sheet 40 is used as the heat conductive member, but the present invention is not limited to this, and the stem bottom surface 13b and the mounting hole forming surface 31 are used.
And a member which is in contact with the pressing member 50 and can efficiently transfer the heat generated in the single semiconductor laser device 10 to the pressing member 50.
【００６７】また、熱伝導部材の外形は、特に限定され
るものではないが、半導体レーザ装置のステム底面１３
ｂよりも大きく、ハウジング部３０の取付穴形成面３２
にも接することができる大きさであることが好ましく、
さらに、押し当て金具５０の外形と同程度である、ある
いは押し当て金具よりも大きいことが好ましい。The outer shape of the heat conducting member is not particularly limited, but the bottom surface 13 of the stem of the semiconductor laser device is used.
The mounting hole forming surface 32 of the housing portion 30 that is larger than b
It is preferable that the size is such that
Furthermore, it is preferable that the outer diameter of the pressing metal fitting 50 is similar to or larger than the outer shape of the pressing metal fitting 50.
【００６８】以上のように、ハウジング部３０に装着さ
れた単体半導体レーザ装置１０を備えた光ピックアップ
装置１の動作について、図１に基づいて説明する。The operation of the optical pickup device 1 including the single semiconductor laser device 10 mounted in the housing portion 30 as described above will be described with reference to FIG.
【００６９】単体半導体レーザ装置１０のレーザチップ
１１から出射されたレーザ光は、コリメートレンズ４を
通過することにより、発散光から平行光に変換される。
次いで、この平行光は、反射ミラー５によって反射さ
れ、対物レンズ６を介して光記録媒体７の信号記録面上
の所定位置に照射される。そして、オーディオ信号やそ
の他のデータに基づくデジタル信号に応じて、光記録媒
体７の信号記録面でのピットの長さを変化させ、データ
の記録を行う。The laser light emitted from the laser chip 11 of the single semiconductor laser device 10 is converted from divergent light into parallel light by passing through the collimator lens 4.
Then, this parallel light is reflected by the reflection mirror 5 and is irradiated onto a predetermined position on the signal recording surface of the optical recording medium 7 via the objective lens 6. Then, the length of the pit on the signal recording surface of the optical recording medium 7 is changed in accordance with the digital signal based on the audio signal and other data, and the data is recorded.
【００７０】なお、対物レンズ６は、光記録媒体７の面
振れに対して、レーザ光の焦点深度を追従させるフォー
カスアクチュエータと、光記録媒体７の偏心に対してト
ラックに追従させるトラッキングアクチュエータを備え
た、図示しない対物レンズアクチュエータに搭載されて
いる。The objective lens 6 is provided with a focus actuator for making the focal depth of the laser beam follow the surface wobbling of the optical recording medium 7 and a tracking actuator for making the track follow the eccentricity of the optical recording medium 7. It is also mounted on an objective lens actuator (not shown).
【００７１】また、光記録媒体７の情報の再生に際して
は、光記録媒体７の信号記録面にてレーザ光が集光さ
れ、信号記録面でのレーザ光スポットに対するピットの
位置に応じて、反射光の強度が変化する。この反射光が
対物レンズ６を通過して反射ミラー５により反射され、
コリメートレンズ４を経て、ビームスプリッタ等によ
り、図示しない受光素子に入射する。受光素子では、反
射光の変化が電流の変化に変換される。この電流は、受
光素子又は、各リード端子１８を介して信号処理回路等
に出力されて増幅され、光記録媒体７の信号記録面に記
録されたオーディオ信号やその他のデータに基づくデジ
タル信号が再生される。When reproducing information from the optical recording medium 7, the laser light is focused on the signal recording surface of the optical recording medium 7 and reflected according to the position of the pit with respect to the laser light spot on the signal recording surface. The intensity of light changes. This reflected light passes through the objective lens 6 and is reflected by the reflection mirror 5,
After passing through the collimator lens 4, it is incident on a light receiving element (not shown) by a beam splitter or the like. In the light receiving element, changes in reflected light are converted into changes in current. This current is output to the signal processing circuit or the like via the light receiving element or each lead terminal 18, amplified, and reproduced as a digital signal based on the audio signal recorded on the signal recording surface of the optical recording medium 7 or other data. To be done.
【００７２】受光素子は、単体半導体レーザ装置１０の
内部ではなく外部に設けられ、ハウジング部３０の内部
あるいは外部に設けられている。The light receiving element is provided not inside the single semiconductor laser device 10 but outside thereof, and is provided inside or outside the housing portion 30.
【００７３】また、上述した光記録媒体７としては、例
えば、再生専用のコンパクトディスク（ＣＤ）や、追記
型のコンパクトディスクレコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、書
き換え可能の相変化ディスク（ＣＤ−ＲＷ）等を挙げる
ことができるが、特に限定されるものではなく、目的や
用途に応じて、適宜選択すればよい。The above-mentioned optical recording medium 7 is, for example, a compact disc (CD) for reproduction only, a compact disc recordable (CD-R) of recordable type, a rewritable phase change disc (CD-RW). However, it is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the purpose and use.
【００７４】なお、本実施の形態においては、レーザチ
ップ１１を駆動する集積回路駆動源と各リード端子１８
とを接続するために、配線部であるＦＰＣ７０を用いて
いるが、必ずしもこれに限定されず、例えば、図５に示
すように、集積回路基板（集積回路）８０を用いてもよ
い。In this embodiment, the integrated circuit drive source for driving the laser chip 11 and the lead terminals 18 are provided.
The FPC 70, which is the wiring unit, is used to connect to and, but the present invention is not limited to this. For example, an integrated circuit board (integrated circuit) 80 may be used as shown in FIG.
【００７５】集積回路基板８０は、単体半導体レーザ装
置１０に備えられたレーザチップ１１を駆動する集積回
路を有している。集積回路基板８０は、図示しない集積
回路駆動源に接続されている。The integrated circuit board 80 has an integrated circuit for driving the laser chip 11 included in the single semiconductor laser device 10. The integrated circuit board 80 is connected to an integrated circuit drive source (not shown).
【００７６】集積回路基板８０は、図６に示すように、
各リード端子１８が通る３つのランド穴８１・８１・８
１を有しているので、この各ランド穴８１にて、集積回
路基板８０と各リード端子１８とが半田によって接続さ
れ、ハウジング部３０に取り付けられる。集積回路基板
８０は、熱伝導性シート４０に接触しないように取り付
けられ、集積回路基板８０と熱伝導性シート４０との間
には、図７に示すように、空間が存在している。The integrated circuit board 80, as shown in FIG.
Three land holes 81.8 / 8 through which each lead terminal 18 passes
The integrated circuit board 80 and the lead terminals 18 are soldered to each other through the land holes 81, and are attached to the housing portion 30. The integrated circuit board 80 is attached so as not to contact the heat conductive sheet 40, and there is a space between the integrated circuit board 80 and the heat conductive sheet 40 as shown in FIG. 7.
【００７７】上記集積回路基板８０が取り付けられた光
ピックアップ装置２（図５参照）では、集積回路駆動源
から電流信号が、図示しない配線を介して、集積回路基
板８０に送られ、さらに、各リード端子１８を介して単
体半導体レーザ装置１０に電流が送られる。続いて、単
体半導体レーザ装置１０が駆動し、レーザチップ１１か
らレーザ光が出射される。In the optical pickup device 2 (see FIG. 5) to which the integrated circuit board 80 is attached, a current signal is sent from the integrated circuit drive source to the integrated circuit board 80 via a wire (not shown), and each An electric current is sent to the single semiconductor laser device 10 via the lead terminal 18. Then, the single semiconductor laser device 10 is driven, and the laser light is emitted from the laser chip 11.
【００７８】光ピックアップ装置２では、図７に示すよ
うに、ステム底面１３ｂと集積回路基板８０との間に熱
伝導性シート４０が介在している。そのため、ステム底
面１３ｂに対向する位置に集積回路基板８０が配置され
ている場合においても、熱伝導性シート４０がステム底
面１３ｂから熱を吸収することができる。ステム底面１
３ｂから吸収された熱は、熱伝導性シート４０と押し当
て金具５０との接触面から、即座に押し当て金具４０全
体へと拡散するので、押し当て金具５０表面から熱を効
率よく逃がすことが可能となる。その結果、単体半導体
レーザ装置１０の温度上昇が低減され、単体半導体レー
ザ装置１０の破損や劣化を防止することができる。In the optical pickup device 2, as shown in FIG. 7, the heat conductive sheet 40 is interposed between the stem bottom surface 13b and the integrated circuit board 80. Therefore, even when the integrated circuit board 80 is arranged at a position facing the stem bottom surface 13b, the heat conductive sheet 40 can absorb heat from the stem bottom surface 13b. Bottom of stem 1
The heat absorbed from 3b immediately diffuses from the contact surface between the heat conductive sheet 40 and the pressing metal fitting 50 to the entire pressing metal fitting 40, so that the heat can be efficiently released from the surface of the pressing metal fitting 50. It will be possible. As a result, the temperature rise of the single semiconductor laser device 10 is reduced, and the single semiconductor laser device 10 can be prevented from being damaged or deteriorated.
【００７９】また、本実施の形態においては、半導体レ
ーザ装置として、単体半導体レーザ装置を用いている
が、必ずしもこれに限定されず、例えば、ホログラム半
導体レーザ装置とすることも可能である。図８（ａ）
（ｂ）に基づいて、ホログラム半導体レーザ装置２０に
ついて説明する。Further, in the present embodiment, a single semiconductor laser device is used as the semiconductor laser device, but the present invention is not limited to this, and a hologram semiconductor laser device can be used, for example. Figure 8 (a)
The hologram semiconductor laser device 20 will be described based on FIG.
【００８０】ホログラム半導体レーザ装置２０は、図８
（ａ）に示すように、ステム２３と、キャップ２５と、
ホログラム素子２６と、複数のリード端子２７とを有し
ている。このホログラム半導体レーザ装置２０は、ステ
ム２３の一面に設けられたキャップ２５の内部に、図８
（ｂ）に示すように、レーザチップ２１と複数の、ここ
では２つの受光素子２２・２２とを備えた受光素子基板
２４が収容されている。また、ステム２３の側面から、
リード端子２７が突出している。The hologram semiconductor laser device 20 is shown in FIG.
As shown in (a), the stem 23, the cap 25,
It has a hologram element 26 and a plurality of lead terminals 27. This hologram semiconductor laser device 20 is provided inside the cap 25 provided on one surface of the stem 23 as shown in FIG.
As shown in (b), a light receiving element substrate 24 including a laser chip 21 and a plurality of, in this case, two light receiving elements 22, 22 is housed. In addition, from the side surface of the stem 23,
The lead terminal 27 projects.
【００８１】以下では、ホログラム半導体レーザ装置２
０の各部について説明する。In the following, the hologram semiconductor laser device 2 will be described.
Each unit of 0 will be described.
【００８２】レーザチップ２１は、図８（ｂ）に示すよ
うに、各リード端子２７から電力供給を受けて、レーザ
光を出射する。As shown in FIG. 8B, the laser chip 21 receives electric power from each lead terminal 27 and emits laser light.
【００８３】各受光素子２２は、図１又は図５に示す光
記録媒体７からの反射光が入射し、この入射光に基づい
て、サーボ信号及びＲＦ信号を検出する。The light receiving element 22 receives the reflected light from the optical recording medium 7 shown in FIG. 1 or FIG. 5, and detects the servo signal and the RF signal based on the incident light.
【００８４】ステム２３は、図８（ａ）に示すように、
金属部２３ａと樹脂部２３ｂとからなっている。金属部
２３ａには、図８（ｂ）に示す受光素子基板２４が直接
又は間接的に載置され、受光素子基板２４上には、レー
ザチップ２１及び２つの受光素子２２・２２が備えられ
ている。また、金属部２３ａは、熱伝導性のよい材質を
介して、レーザチップ２１と熱的に結合されており、レ
ーザチップ２１にて発生した熱を効率よくホログラム半
導体レーザ装置２０の外部へ放出する。The stem 23, as shown in FIG.
It is composed of a metal portion 23a and a resin portion 23b. The light receiving element substrate 24 shown in FIG. 8B is directly or indirectly mounted on the metal portion 23a, and the laser chip 21 and the two light receiving elements 22 are provided on the light receiving element substrate 24. There is. The metal portion 23a is thermally coupled to the laser chip 21 via a material having good thermal conductivity, and efficiently radiates the heat generated in the laser chip 21 to the outside of the hologram semiconductor laser device 20. .
【００８５】さらに、金属部２３ａのレーザ光出射側の
面は、ホログラム半導体レーザ装置２０を、光ピックア
ップ装置のハウジング部３０に装着する際に、取り付け
位置を決定する基準面になる。Further, the surface of the metal portion 23a on the laser light emitting side serves as a reference surface for determining the mounting position when the hologram semiconductor laser device 20 is mounted on the housing portion 30 of the optical pickup device.
【００８６】キャップ２５は、金属部２３ａ上に載置さ
れた受光素子基板２４を覆うように設けられている。ま
た、キャップ２５は、レーザ光が出射される図示しない
窓を有し、窓上には、ホログラム素子２６が備えられて
いる。The cap 25 is provided so as to cover the light receiving element substrate 24 placed on the metal portion 23a. The cap 25 has a window (not shown) through which laser light is emitted, and a hologram element 26 is provided on the window.
【００８７】ホログラム素子２６は、回折格子を有し、
この回折格子にて、光記録媒体からの反射光を各受光素
子２２に回折する。The hologram element 26 has a diffraction grating,
By this diffraction grating, the reflected light from the optical recording medium is diffracted by each light receiving element 22.
【００８８】リード端子２７は、レーザチップ２１への
電力供給や各受光素子２２からの信号を取り出すため
に、レーザチップ２１を駆動させる集積回路と直接的
に、あるいはＦＰＣ等の配線を介して接続されている。
各リード端子２７の一端は、キャップ２５内部に突出
し、図示しない金線によって、レーザチップ２１及び受
光素子基板２４に接続されている。また、各リード端子
２７の他端は、ステム２３の樹脂部２３ｂの側壁から外
部へ突出し、集積回路やＦＰＣ等の配線に接続されてい
る。The lead terminal 27 is connected directly to an integrated circuit for driving the laser chip 21 or in order to supply electric power to the laser chip 21 and to extract a signal from each light receiving element 22, or through a wiring such as an FPC. Has been done.
One end of each lead terminal 27 projects into the cap 25 and is connected to the laser chip 21 and the light receiving element substrate 24 by a gold wire (not shown). The other end of each lead terminal 27 projects outward from the side wall of the resin portion 23b of the stem 23 and is connected to a wiring such as an integrated circuit or an FPC.
【００８９】上記構成のホログラム半導体レーザ装置２
０は、レーザ光を出射する場合には、図８（ｂ）に示す
ように、レーザチップ２１からレーザ光が出射され、ホ
ログラム素子２６を直進通過する。また、レーザ光が入
射される場合は、ホログラム素子２６を通過時に、レー
ザ光が左右に回折して各受光素子２２に入射する。Hologram semiconductor laser device 2 having the above configuration
In the case of 0, when laser light is emitted, laser light is emitted from the laser chip 21 and passes straight through the hologram element 26, as shown in FIG. 8B. When the laser light is incident, the laser light is diffracted to the left and right and is incident on each light receiving element 22 when passing through the hologram element 26.
【００９０】上記ホログラム半導体レーザ装置２０は、
前述した単体半導体レーザ装置１０と同様に、光ピック
アップ装置のハウジング部３０に取り付けられて用いら
れる。The hologram semiconductor laser device 20 includes:
Like the single semiconductor laser device 10 described above, it is used by being attached to the housing portion 30 of the optical pickup device.
【００９１】さらに、本発明は、上記の実施の形態に限
定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が
可能である。Furthermore, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but various modifications can be made within the scope of the present invention.
【００９２】例えば、光ピックアップ装置に用いられる
半導体レーザ装置は、上述した単体半導体レーザ装置や
ホログラム半導体レーザ装置のいずれでもよく、また、
パッケージの形状、寸法、リード端子数、リードフレー
ム形状、ステム形状等に関わらず、適応可能である。For example, the semiconductor laser device used in the optical pickup device may be any of the above-mentioned single semiconductor laser device and hologram semiconductor laser device, and
This is applicable regardless of the shape, size, number of lead terminals, lead frame shape, stem shape, etc. of the package.
【００９３】また、ハウジング部３０への半導体レーザ
装置の装着する手法に関しても、半導体レーザ装置のス
テム底面と熱伝導性シート４０等の熱伝導部材とが接
し、かつ、押し当て部材としての押し当て金具５０と熱
伝導部材とが接するように装着することができれば、特
に限定されるものではない。従って、押し当て金具５０
を固定ネジ６０によってネジ止めせずに、半導体レーザ
装置をハウジング部３０に押し込むことによって装着し
てもよく、また、従来の特開平８−２８７５０１号公報
に記載されているように、コの字型の押圧バネを押し当
て部材として用いて、半導体レーザ装置をハウジング部
３０に装着してもよい。Also regarding the method of mounting the semiconductor laser device in the housing portion 30, the bottom surface of the stem of the semiconductor laser device and the heat conductive member such as the heat conductive sheet 40 are in contact with each other and pressed as a pressing member. There is no particular limitation as long as the metal fitting 50 and the heat conducting member can be attached so as to be in contact with each other. Therefore, the pressing metal fitting 50
The semiconductor laser device may be mounted by pushing it into the housing portion 30 without being screwed by the fixing screw 60. Also, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-287501, a U-shape is provided. The semiconductor laser device may be mounted on the housing portion 30 by using a mold pressing spring as a pressing member.
【００９４】上記の構成によっても、本発明の光ピック
アップ装置は、半導体レーザ装置にて発生した熱を押し
当て部材に放熱し、半導体レーザ装置の温度上昇を低減
することができる。With the above arrangement, the optical pickup device of the present invention can dissipate the heat generated in the semiconductor laser device to the pressing member and reduce the temperature rise of the semiconductor laser device.
【００９５】さらに、押し当て部材の外形、押し当て部
材に設けられた中央穴の形状、足の形状は、半導体レー
ザ装置のステム底面から突出したリード端子、リード端
子に接続されたＦＰＣ７０等の配線部や集積回路基板８
０に干渉しないように、設計されればよい。Further, the outer shape of the pressing member, the shape of the central hole formed in the pressing member, and the shape of the foot are the lead terminal protruding from the bottom surface of the stem of the semiconductor laser device, and the wiring of the FPC 70 connected to the lead terminal. Parts and integrated circuit board 8
It may be designed so as not to interfere with 0.
【００９６】また、半導体レーザ装置をハウジング部３
０に装着する際の位置決めを、より高精度に、あるい
は、より容易に行うことを目的とした中間部材を設けて
もよい。Further, the semiconductor laser device is mounted on the housing portion 3
An intermediate member may be provided for the purpose of positioning with high accuracy or more easily when it is mounted on 0.
【００９７】また、熱伝導部材の全体形状、熱伝導部材
に設けられたリード貫通穴及び金具穴の形状は、熱伝導
部材がステム底面及び押し当て部材の双方に対して、一
部分でも面接触状態となり、ステム底面から押し当て部
材への熱伝導が効率よく行われるならば、半導体レーザ
装置のリード端子数、押し当て部材の形状に応じて、適
宜選択すればよい。Further, regarding the overall shape of the heat conducting member, and the lead through holes and the metal fitting holes provided in the heat conducting member, the heat conducting member is in surface contact with both the bottom surface of the stem and the pressing member even in part. Therefore, if heat conduction from the bottom surface of the stem to the pressing member is efficiently performed, it may be appropriately selected depending on the number of lead terminals of the semiconductor laser device and the shape of the pressing member.
【００９８】また、熱伝導部材は、直接的に、もしく
は、熱伝導性に優れた部材を介して間接的に、放熱フィ
ンに接続されていてもよい。これにより、半導体レーザ
装置の温度上昇をさらに低減することができる。Further, the heat conducting member may be directly or indirectly connected to the heat radiating fin via a member having excellent heat conductivity. Thereby, the temperature rise of the semiconductor laser device can be further reduced.
【００９９】また、ＦＰＣ７０や集積回路基板８０は、
熱伝導部材に直接接触してもよいが、ＦＰＣ７０や集積
回路基板８０が熱伝導部材によって加熱されることを防
止するために、ＦＰＣ７０や集積回路基板８０と熱伝導
部材との間に、隙間を設ける、あるいは、熱伝導性の小
さい材質の部材を介在させてもよい。The FPC 70 and the integrated circuit board 80 are
Although it may be in direct contact with the heat conducting member, in order to prevent the FPC 70 and the integrated circuit board 80 from being heated by the heat conducting member, a gap is provided between the FPC 70 and the integrated circuit board 80 and the heat conducting member. It may be provided, or a member made of a material having low thermal conductivity may be interposed.
【０１００】[0100]
【発明の効果】本発明の光ピックアップ装置は、以上の
ように、押し当て部材と、半導体レーザ装置の基台底面
及びハウジング部における取付穴の形成面との間に、押
し当て部材と基台底面及び取付穴の形成面の両方とに接
するように、熱伝導部材が挟持されているものである。As described above, the optical pickup device of the present invention has the pressing member and the base between the pressing member and the bottom surface of the base of the semiconductor laser device and the surface of the housing portion where the mounting hole is formed. The heat conducting member is sandwiched so as to come into contact with both the bottom surface and the surface where the mounting hole is formed.
【０１０１】それゆえ、光源部にて発生した熱は、半導
体レーザ装置全体へ伝導し、半導体レーザ装置の基台底
面から熱伝導部材を介して押し当て部材へと伝導する経
路と、半導体レーザ装置からハウジング部へ伝わり、熱
伝導部材を介して押し当て部材へと伝導する経路とを経
て、押し当て部材の表面全体から放出される。その結
果、半導体レーザ装置の冷却が効率よく行われ、半導体
レーザ装置の温度上昇を低減することができ、また、半
導体レーザ装置の破損や劣化を防ぐことができるという
効果を奏する。Therefore, the heat generated in the light source section is conducted to the entire semiconductor laser device and is conducted from the bottom surface of the base of the semiconductor laser device to the pressing member via the heat conducting member, and the semiconductor laser device. From the entire surface of the pressing member through the heat conduction member to the pressing member via the heat conducting member to the pressing member. As a result, the semiconductor laser device is efficiently cooled, the temperature rise of the semiconductor laser device can be reduced, and the damage and deterioration of the semiconductor laser device can be prevented.
【０１０２】また、押し当て部材が、半導体レーザ装置
の発熱を放出する放熱部材としての機能を兼ね備えてい
るので、半導体レーザ装置の小型化、軽量化を図りつ
つ、半導体レーザ装置の冷却効果に優れた光ピックアッ
プ装置を提供することができるという効果を奏する。Further, since the pressing member also has a function as a heat radiating member for radiating the heat generated by the semiconductor laser device, the semiconductor laser device can be made compact and lightweight, and the semiconductor laser device can be excellently cooled. It is possible to provide an improved optical pickup device.
【０１０３】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記熱伝導部材は、
ケイ素樹脂、グラファイト、アルミニウム、銀のいずれ
かの材質にて形成されているものである。The optical pickup device of the present invention is the same as the optical pickup device, wherein the heat conducting member is
It is made of any one of silicon resin, graphite, aluminum and silver.
【０１０４】それゆえ、熱伝導部材は、熱伝導性に優
れ、かつ、弾性を有する柔らかい材質にて形成されてい
るので、半導体レーザ装置、ハウジング部、押し当て部
材に密着することができるという効果を奏する。また、
基台底面と押し当て部材との接触面積を十分に確保する
ことができない場合にも、半導体レーザ装置から押し当
て部材への放熱経路を十分に確保し、半導体レーザ装置
から押し当て部材への放熱を効率よく行うことができる
という効果を奏する。Therefore, since the heat conducting member is formed of a soft material having excellent heat conductivity and elasticity, the heat conducting member can be brought into close contact with the semiconductor laser device, the housing portion and the pressing member. Play. Also,
Even when it is not possible to secure a sufficient contact area between the bottom surface of the base and the pressing member, a sufficient heat radiation path from the semiconductor laser device to the pressing member is secured, and heat radiation from the semiconductor laser device to the pressing member is ensured. There is an effect that can be efficiently performed.
【０１０５】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記熱伝導部材は、
弾性を有しているものである。The optical pickup device of the present invention is the same as the optical pickup device, wherein the heat conducting member is
It has elasticity.
【０１０６】それゆえ、金属のように表面が粗い部材に
接触する場合にも、金属表面に密着することができ、金
属同士が接触する場合や熱伝導部材が弾性を有していな
い場合に比べて、接触面積を増加させることができると
いう効果を奏する。これにより、熱伝導部材は、半導体
レーザ装置の基台底面、ハウジング部、押し当て部材に
密着し、半導体レーザ装置から効率よく外気へ効率よく
熱を放散させることができるという効果を奏する。Therefore, even when a member having a rough surface such as a metal is brought into contact with the metal surface, the metal surface can be closely adhered, and compared with the case where the metals are in contact with each other or the heat conducting member does not have elasticity. As a result, the contact area can be increased. As a result, the heat conducting member is brought into close contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, the housing portion, and the pressing member, and the heat can be efficiently dissipated from the semiconductor laser device to the outside air.
【０１０７】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記半導体レーザ装
置は、該半導体レーザ装置を駆動する集積回路と上記光
源部とを電気的に接続するリード端子を有し、該リード
端子は、基台底面から引き出されて、上記集積回路に直
接的もしくは、配線部を介して間接的に接続されている
ものである。Further, the optical pickup device of the present invention is the above-mentioned optical pickup device, wherein the semiconductor laser device has a lead terminal for electrically connecting the integrated circuit for driving the semiconductor laser device and the light source section. The lead terminal is pulled out from the bottom surface of the base and directly connected to the integrated circuit or indirectly connected to the integrated circuit via a wiring portion.
【０１０８】それゆえ、リード端子が基台底面から引き
出され、基台底面と押し当て部材との接触面積を十分に
確保することができない場合にも、半導体レーザ装置の
冷却を効率よく行うことができるという効果を奏する。
また、基台底面と集積回路又は配線部との間に隙間が形
成された場合にも、上記隙間に熱がこもることはないと
いう効果を奏する。Therefore, even when the lead terminal is pulled out from the bottom surface of the base and the contact area between the bottom surface of the base and the pressing member cannot be sufficiently secured, the semiconductor laser device can be cooled efficiently. It has the effect of being able to.
Further, even when a gap is formed between the bottom surface of the base and the integrated circuit or the wiring portion, there is an effect that heat is not trapped in the gap.
【０１０９】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、上記半導体レーザ装
置の基台底面は、上記ハウジング部に設けられた取付穴
に、取付穴の形成面と同一平面を成す、又は、取付穴の
形成面から製造誤差の範囲内にて突出するように装着さ
れ、上記熱伝導部材がシート状であるものである。Further, in the optical pickup device of the present invention, in the above optical pickup device, the bottom surface of the base of the semiconductor laser device is flush with the mounting hole formed in the housing portion in the same plane as the mounting hole forming surface. The heat conducting member is formed into a sheet or is mounted so as to protrude from the surface where the mounting hole is formed within a manufacturing error range, and the heat conducting member is a sheet.
【０１１０】それゆえ、熱伝導部材をシート状として
も、押し当て部材を押し当てることで、熱伝導部材を半
導体レーザ装置、ハウジング部、押し当て部材に密着さ
せることができるという効果を奏する。また、半導体レ
ーザ装置の基台底面が、ハウジング部の取付穴の形成面
からわずかに突出している場合にも、シート状の熱伝導
部材が弾性変形することにより、半導体レーザ装置、ハ
ウジング部、押し当て部材に密着することが可能になる
という効果を奏する。Therefore, even if the heat conducting member is in the form of a sheet, it is possible to bring the heat conducting member into close contact with the semiconductor laser device, the housing portion and the pushing member by pushing the pushing member. Even when the bottom surface of the base of the semiconductor laser device slightly projects from the surface of the housing part where the mounting hole is formed, the sheet-shaped heat conducting member is elastically deformed, so that the semiconductor laser device, the housing part, and the pressing part are pressed. The effect that it is possible to closely contact the contact member is achieved.
【０１１１】また、熱伝導部材を、半導体レーザ装置の
基台底面、ハウジング部、押し当て部材に密着させ得る
ように、複雑な形状に加工する必要がなく、製造工程を
簡略化することができ、かつ、コストを削減することが
できるという効果を奏する。Further, the heat conducting member does not need to be processed into a complicated shape so as to be brought into close contact with the bottom surface of the base of the semiconductor laser device, the housing portion and the pressing member, and the manufacturing process can be simplified. Moreover, there is an effect that the cost can be reduced.
【０１１２】また、本発明の光ピックアップ装置は、上
記の光ピックアップ装置において、熱伝導部材は、さら
に電気的絶縁性を有しているものである。Further, in the optical pickup device of the present invention, in the above-mentioned optical pickup device, the heat conducting member further has electrical insulation.
【０１１３】それゆえ、リード端子と熱伝導部材とが接
触しても、リード端子間の電気的絶縁性を保つことがで
きるという効果を奏する。Therefore, even if the lead terminals come into contact with the heat conducting member, there is an effect that the electrical insulation between the lead terminals can be maintained.
【図１】本発明における光ピックアップ装置の実施の一
形態を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an optical pickup device according to the present invention.
【図２】上記光ピックアップ装置に装着される単体半導
体レーザ装置を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a single semiconductor laser device mounted on the optical pickup device.
【図３】上記光ピックアップ装置の主要部品を示す展開
斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing main components of the optical pickup device.
【図４】上記光ピックアップ装置を光記録媒体側から見
た断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the optical pickup device viewed from the optical recording medium side.
【図５】本発明における光ピックアップ装置の他の実施
の形態を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the optical pickup device according to the present invention.
【図６】上記他の実施の形態の光ピックアップ装置の主
要部品を示す展開斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view showing main components of an optical pickup device according to another embodiment.
【図７】上記他の光ピックアップ装置を光記録媒体側か
ら見た断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the other optical pickup device seen from the optical recording medium side.
【図８】本発明における光ピックアップ装置に装着され
るホログラム半導体レーザ装置の斜視図であり、（ａ）
は、ホログラム半導体レーザ装置全体を示す斜視図であ
り、（ｂ）は、ホログラム半導体レーザ装置の主要部品
を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a hologram semiconductor laser device mounted on the optical pickup device according to the present invention, FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing the entire hologram semiconductor laser device, and FIG. 3B is a perspective view showing main parts of the hologram semiconductor laser device.
【図９】従来の光ピックアップ装置を示す断面図であ
る。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a conventional optical pickup device.
１ 光ピックアップ装置
２ 光ピックアップ装置
１０ 単体半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
１１ レーザチップ（光源部）
１３ ステム（基台）
１３ａ ステム上面
１３ｂ ステム底面（基台底面）
１８ リード端子
２０ ホログラム半導体レーザ装置（半導体レーザ装
置）
３０ ハウジング部
３１ 取付穴形成面（形成面）
３２ レーザ取付穴（取付穴）
４０ 熱伝導性シート（熱伝導部材）
５０ 押し当て金具（押し当て部材）
６０ 固定ネジ
７０ ＦＰＣ（配線部）
８０ 集積回路基板（集積回路）1 Optical Pickup Device 2 Optical Pickup Device 10 Single Semiconductor Laser Device (Semiconductor Laser Device) 11 Laser Chip (Light Source Part) 13 Stem (Base) 13a Stem Top 13b Stem Bottom (Base Bottom) 18 Lead Terminal 20 Hologram Semiconductor Laser Device (Semiconductor laser device) 30 Housing portion 31 Mounting hole forming surface (forming surface) 32 Laser mounting hole (mounting hole) 40 Thermal conductive sheet (heat conducting member) 50 Pressing metal fitting (pressing member) 60 Fixing screw 70 FPC ( Wiring part) 80 integrated circuit board (integrated circuit)
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D117 HH01 HH12 JJ21 5D119 AA33 CA09 DA01 DA05 FA05 FA32 FA33 LB04 MA09 5D789 AA33 CA09 DA01 DA05 FA05 FA32 FA33 LB04 MA09 5F073 AB21 AB25 AB27 BA04 FA02 FA06 Continued front page F-term (reference) 5D117 HH01 HH12 JJ21 5D119 AA33 CA09 DA01 DA05 FA05 FA32 FA33 LB04 MA09 5D789 AA33 CA09 DA01 DA05 FA05 FA32 FA33 LB04 MA09 5F073 AB21 AB25 AB27 BA04 FA02 FA06
Claims (6)
レーザ装置を備え、該半導体レーザ装置が、ハウジング
部に設けられた取付穴に、半導体レーザ装置の基台をハ
ウジング部に対して押し当てる押し当て部材を用いて固
定されている光ピックアップ装置において、 上記押し当て部材と、上記半導体レーザ装置の基台底面
及びハウジング部における上記取付穴の形成面との間
に、押し当て部材と上記した基台底面及び取付穴の形成
面の両方とに接するように、熱伝導部材が挟持されてい
ることを特徴とする光ピックアップ装置。1. A semiconductor laser device having a light source part for emitting laser light, wherein the semiconductor laser device presses a base of the semiconductor laser device against the housing part in a mounting hole provided in the housing part. In an optical pickup device fixed by using a pressing member, the pressing member is provided between the pressing member and a bottom surface of the base of the semiconductor laser device and a surface of the housing portion where the mounting hole is formed. An optical pickup device, wherein a heat conducting member is sandwiched so as to come into contact with both the bottom surface of the base and the surface where the mounting hole is formed.
を特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the heat conducting member has elasticity.
イト、アルミニウム、銀のいずれかの材質にて形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ
装置。3. The optical pickup device according to claim 1, wherein the heat conducting member is made of any one of silicon resin, graphite, aluminum and silver.
装置を駆動する集積回路と上記光源部とを電気的に接続
するリード端子を有し、該リード端子は、基台底面から
引き出されて、上記集積回路に直接的もしくは、配線部
を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求
項１又は２記載の光ピックアップ装置。4. The semiconductor laser device has a lead terminal for electrically connecting an integrated circuit for driving the semiconductor laser device and the light source section, and the lead terminal is pulled out from a bottom surface of a base, The optical pickup device according to claim 1 or 2, wherein the optical pickup device is directly or indirectly connected to the integrated circuit via a wiring portion.
ハウジング部に設けられた取付穴に、取付穴の形成面と
同一平面を成す、又は、取付穴の形成面から製造誤差の
範囲内にて突出するように装着され、 上記熱伝導部材がシート状であることを特徴とする請求
項２又は４記載の光ピックアップ装置。5. The bottom surface of the base of the semiconductor laser device is flush with the mounting hole forming surface in the mounting hole provided in the housing portion, or within a manufacturing error range from the mounting hole forming surface. 5. The optical pickup device according to claim 2, wherein the heat conducting member is mounted so as to project at, and the heat conducting member is in the form of a sheet.
有していることを特徴とする請求項４又は５記載の光ピ
ックアップ装置。6. The optical pickup device according to claim 4, wherein the heat conducting member further has electrical insulation.
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|---|---|---|---|
| JP2001382117A JP2003187477A (en) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Optical pickup device |
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| JP2001382117A JP2003187477A (en) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Optical pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187477A true JP2003187477A (en) | 2003-07-04 |
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