JP2003037709A

JP2003037709A - 画像読取方法および装置

Info

Publication number: JP2003037709A
Application number: JP2001222426A
Authority: JP
Inventors: Takao Kuwabara; 孝夫桑原
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-07-24
Filing date: 2001-07-24
Publication date: 2003-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】画像情報を静電潜像として記録し、読取用の
電磁波で走査されることにより静電潜像に応じた電流を
発生する画像検出器を使用する画像読取方法および装置
において、より適当な読取用の電磁波の大きさで読取り
を行うことにより読取効率を向上する。【解決手段】画像検出器１０に一様な放射線を照射す
ることにより濃度が一様なベタ画像を記録し、そして、
読取光照射手段２０により読取光の大きさを変化させな
がら上記画像検出器１０を走査露光し、このときの読取
光量の大きさと読取効率の関係を求め、読取効率がその
最大値の９０％の大きさとなるときの読取光量を制御用
プリント基板８０の制御手段に設定し、この設定された
読取光量の大きさに従って読取光照射手段２０の光源１
０１に流れる電流を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像読取方法および
装置に関し、より詳細には、画像を静電潜像として記録
する撮像デバイス（画像検出器）を備えた画像読取方方
法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、画像検出器を用いた装置とし
て、ファクシミリ、複写機或いは放射線撮像装置などが
知られている。

【０００３】特に、医療用Ｘ線撮影においては、被験者
の受ける被爆線量の低減、診断性能の向上などのため
に、Ｘ線などの放射線に感応する例えばａ−Ｓｅから成
るセレン板などの光導電体を有する放射線固体検出器
（静電記録体）を画像検出器として用い、該放射線固体
検出器にＸ線を照射し、照射されたＸ線の線量に応じた
量の電荷を放射線固体検出器内の蓄電部に潜像電荷とし
て蓄積させることにより、放射線画像情報を蓄電部に静
電潜像として記録すると共に、読取光としてのレーザビ
ーム或いはライン光で放射線画像情報が記録された放射
線固体検出器を走査することにより、該放射線固体検出
器から放射線画像情報を読み取る方法や装置が提案され
ている（例えば、米国特許第５２６８５６９号明細書、
国際公開１９９８年第５９２６１号明細書、特開平９−
５９０６号公報、本願出願人による特願平１０−２３２
８２４号、同１１−２４２８７６号、同１１−８７９２
２号など）。

【０００４】さらに、本出願人は、上記のような放射線
固体検出器を用いた放射線画像記録読取装置を実用的に
利用するため、上記放射線固体検出器と、記録光の照射
の前に画像検出器に蓄積される不要電荷を消滅させるた
めに画像検出器に電磁波を照射したり、本記録の前のプ
リチャージを行うために１次露光を行う前露光光源部
と、読取光を放射線固体検出器に対して走査露光せしめ
る読取用露光光源部と、読取光の走査露光により静電潜
像に応じて発生した電流を検出する電流検出手段とが、
同筐体内に備えられ、装置全体としてコンパクトかつ可
搬な構成とした胸部撮影装置を提案している（特願２０
００−１１３９４４号）。

【０００５】ここで、上記のような放射線固体検出器を
用いて放射線画像の記録を行ない、そして読取光の照射
により静電潜像を読み出す場合、理論的には読取光の光
量を大きくしたとき、その大きさの変化にともなって読
み出される画像信号の大きさは大きくなり、つまり読取
効率（記録された静電潜像の電荷の大きさに対して読み
出される画像信号の大きさの割合）が大きくなり、全て
の静電潜像を読み出すのに相当する光量に達した後は、
読取光の光量をそれ以上大きくしても読取効率は大きく
ならず一定値の画像信号が出力されるものと考えられ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は読取光の光量を次第に大きくしていくと、図６に示す
ように読取光の光量がある値以上になると読取光量は減
少していくことが本出願人の実験により明らかとなっ
た。このような傾向は、図６に示す実験結果に限らず、
他に放射線固体検出器においても同様の傾向がみられ、
さらに、放射線固体検出器によってこの読取効率が最大
となる読取光の光量がそれぞれ異なることも明らかとな
った。

【０００７】本発明は、上記ような事情に鑑みて、画像
情報を静電潜像として記録し、読取光等の読取用の電磁
波で走査されることにより静電潜像に応じた電流を発生
する画像検出器を使用する画像読取方法および装置にお
いて、より適当な大きさの読取用の電磁波で読取りを行
うことにより読取効率を向上することができる画像読取
方法および装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の画像読取方法
は、画像情報を静電潜像として記録し、読取用の電磁波
で走査露光されることにより静電潜像に応じた電流を発
生する画像検出器を用いて、この画像検出器に読取用の
電磁波を走査露光し、読取用電磁波の走査露光により静
電潜像に応じて発生した電流を画像信号として検出する
ことにより読取りを行う画像読取方法において、画像検
出器における読取効率がその読取効率の最大値の８０〜
１００％の範囲内の値となる大きさの読取用電磁波によ
り、画像情報が静電潜像として記録された画像検出器を
走査露光して読取りを行うことを特徴とする。

【０００９】ここで、上記「画像検出器」とは、画像情
報を静電潜像として記録し、読取用の電磁波で走査され
ることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生するも
のであって、例えば上述の特願平１０−２３２８２４号
に記載された静電記録体などである。この画像検出器と
しては、画像情報を担持する光（可視光に限らない）を
照射することによって、画像情報を静電潜像として記録
させることができるものであってもよいし、被写体を透
過した放射線など、放射線画像情報を担持する放射線を
照射することによって、放射線画像情報を静電潜像とし
て記録させることができるものであってもよい。

【００１０】また、上記「読取用の電磁波」は、画像検
出器から静電潜像を読み取ることができるものであれば
よく、具体的には光や放射線などである。

【００１１】また、上記「走査露光する」とは、平面状
の画像検出器に対して２次元的に読取用の電磁波を照射
することをいい、例えば、ビーム状の読取用電磁波を２
次元的に走査するようにしてもよいし、もしくは主走査
方向に線状に延びたライン光を副走査方向に走査するよ
うにしてもよい。

【００１２】また、上記「読取用電磁波の大きさ」と
は、画像検出器の読取用電磁波が照射される面において
単位面積および単位時間あたりに照射される読取用電磁
波の強度を意味する。

【００１３】また、上記「読取効率」とは、画像検出器
に記録された静電潜像の電荷量に対して読取光の照射に
より読み出された画像信号の割合を意味する。また、例
えば、一様な放射線が照射されることにより濃度が一様
なベタ画像が記録された画像検出器を読み取るような場
合には、そのときに検出される電流値そのものなども含
むものとする。

【００１４】また、上記「読取効率の最大値」とは、画
像検出器に照射する読取用の電磁波の大きさを変化させ
たときに検出される読取効率のピーク値を意味する。

【００１５】また、画像検出器における読取用電磁波の
大きさと読取効率との関係に基づいて、読取効率がその
読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる
読取用電磁波の大きさを選択し、この選択した大きさの
読取用電磁波により、画像情報が静電潜像として記録さ
れた画像検出器を走査露光して読取りを行うようにする
ことができる。

【００１６】ここで、上記「読取効率がその読取効率の
最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる読取用電磁
波の大きさを選択する」とは、例えば、上記読取用電磁
波の大きさと読取効率との関係がピーク値をもつような
関係である場合においては、そのピーク値を境に両側に
読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる
読取用電磁波の大きさが存在し得るが（但し、１００％
の場合は除く）、より小さい読取用電磁波の大きさを選
択することが望ましい。

【００１７】また、画像検出器における読取用電磁波の
大きさと読取効率との関係を、読取用電磁波の大きさを
設定するための基準画像が記録された画像検出器を読取
用電磁波の大きさを変化させながら走査露光して読取り
を行うことにより求めるようにすることができる。

【００１８】ここで、上記「読取用電磁波の大きさを設
定するための基準画像」とは、例えば、一様な放射線を
画像検出器に照射することにより記録された濃度が一様
な画像を意味する。

【００１９】また、読取効率がその読取効率の最大値の
８０〜９５％の範囲内の値となる大きさの読取用電磁波
により、画像情報が静電潜像として記録された画像検出
器を走査露光して読取りを行うようにすることができ
る。

【００２０】ここで、上記画像検出器の読み取りの際、
できるだけ高い読取効率となるように読取用電磁波を照
射することが望ましいが、例えば、図６に示すような読
取効率と読取光量との関係を有する画像検出器を利用す
る場合には、読取効率が９５％と１００％とではそれ程
その大きさに差がなく、これに対しこのときの読取光量
には大きな差があるので、パワーの削減、コストの削減
等を考慮すると読取効率が９５％程度となる読取用電磁
波の大きさで読取りを行う方が望ましい。

【００２１】また、例えば、読取用電磁波の大きさと読
取効率との関係が上記のようにピーク値を持つような場
合においては、そのピーク値を境に両側に読取効率の最
大値の８０〜９５％の範囲内の値となる読取用電磁波の
大きさが存在し得るが、より小さい読取用電磁波の大き
さを選択することが望ましい。

【００２２】本発明の画像読取装置は、画像情報を静電
潜像として記録し、読取用の電磁波で走査露光されるこ
とにより静電潜像に応じた電流を発生する画像検出器
と、画像情報が静電潜像として記録された画像検出器に
読取用の電磁波を走査露光する読取用電磁波照射手段
と、読取用電磁波の走査露光により静電潜像に応じて流
れる電流を画像信号として検出する画像信号検出手段と
を備えた画像読取装置において、読取用電磁波照射手段
が、画像検出器における読取効率がその読取効率の最大
値の８０〜１００％の範囲内の値となる大きさの読取用
電磁波により、画像情報が静電潜像として記録された画
像検出器を走査露光するものであることを特徴とするも
のである。

【００２３】また、読取用電磁波照射手段が、画像検出
器における読取用電磁波の大きさと読取効率との関係に
基づいて選択された読取効率がその読取効率の最大値の
８０〜１００％の範囲内の値となる大きさの読取用電磁
波により、画像情報が静電潜像として記録された画像検
出器を走査露光するものとすることができる。

【００２４】また、読取用電磁波照射手段が、読取用電
磁波の大きさを設定するための基準画像が記録された画
像検出器を読取用電磁波の大きさを変化させながら走査
露光して読取りを行うことにより画像検出器における読
取用電磁波の大きさと読取効率との関係を求め、この求
めた関係に基づいて読取効率がその読取効率の最大値の
８０〜１００％の範囲内の値となる読取用電磁波の大き
さを選択するものとすることができる。

【００２５】また、読取用電磁波照射手段が、読取効率
がその読取効率の最大値の８０〜９５％の範囲内の値と
なる大きさの読取用電磁波により、画像情報が静電潜像
として記録された画像検出器に走査露光するものとする
ことができる。

【００２６】また、画像情報として放射線画像情報を適
用することができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明による画像読取方法および装置に
よれば、画像検出器における読取効率がその読取効率の
最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる大きさの読
取用電磁波により、画像情報が静電潜像として記録され
た画像検出器を走査露光して読取りを行うようにしたの
で、より適当な読取用の電磁波の大きさで読取りを行っ
て読取効率の向上を図ることができる。

【００２８】読取用の電磁波の大きさをより適当な大き
さとできるので、読取用の電磁波を発するのに無駄なパ
ワーを消費することなく、装置としてのコストの削減も
図ることができる。

【００２９】また、画像検出器における読取用電磁波の
大きさと読取効率との関係に基づいて、読取効率がその
読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる
読取用電磁波の大きさを選択し、この選択した大きさの
読取用電磁波により、画像情報が静電潜像として記録さ
れた画像検出器を走査露光して読取りを行うようにした
場合には、さらに読取用の電磁波の大きさの最適化を図
ることが可能である。

【００３０】また、画像検出器における読取用電磁波の
大きさと読取効率との関係を、読取用電磁波の大きさを
設定するための基準画像が記録された画像検出器を読取
用電磁波の大きさを変化させながら走査露光して読取り
を行うことにより求めるようにした場合には、より簡略
な構成および方法により上記のような効果を得ることが
できる。

【００３１】また、読取効率がその読取効率の最大値の
８０〜９５％の範囲内の値となる大きさの読取用電磁波
により、画像情報が静電潜像として記録された画像検出
器を走査露光して読取りを行うようにした場合には、無
駄な読取用の電磁波の照射を抑制することができ、さら
にコストの削減も図ることができる。

【００３２】また、画像情報として放射線画像情報を使
用した場合には、読取効率が向上するので、より画質の
向上した放射線画像を画像診断に用いることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態について詳細に説明する。図１は本発明の画像
読取方法を実施する画像読取装置の一実施形態を適用し
た胸部撮影装置１の概略構成を示す側断面図である。図
１に示すように、本胸部撮影装置１は、撮影用支持柱３
に撮像部４がボールネジやシリンダなどの図示しないア
クチュエータを介して昇降自在に支持されてなるもので
ある。

【００３４】撮像部４は、ガラス基板５上に形成された
撮像デバイスである放射線画像検出器１０と、該画像検
出器１０が配されたガラス基板５をさらに保持する基台
６と、画像検出器１０に記録された放射線画像情報の読
取時に使用される読取光照射手段２０と、読取光照射手
段２０による画像検出器１０へ読取用の電磁波（以下、
読取光という）の走査露光により画像検出器１０にて静
電潜像に応じて発生した電流を検出して画像信号として
得る画像信号検出手段３０と、画像検出器１０に所定の
電圧を印加する高電圧電源部４５と、撮影開始前に画像
検出器１０に前露光光を照射する前露光光源部６０と、
図示しない被写体を透過した放射線が被写体により散乱
されて発生する散乱線を吸収する画像検出器１０の被写
体に面する側に配されたグリッド７０と、該グリッド７
０、前露光光源部６０および読取光照射手段２０を制御
する制御手段が構成された制御用プリント基板８０とが
同筐体２内に配置された構成となっている。

【００３５】また、撮像部４は、画像信号検出手段３０
からの画像信号を支持柱３内部を通って外部の画像処理
装置１５０に出力する信号ケーブル９０と、支持柱３内
部を通って外部のＡＣ（交流）電源１５２に接続されて
いるパワーケーブル９２とを備えている。

【００３６】画像信号検出手段３０は、プリント基板３
１、一端がプリント基板３１と接続された比較的短いＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム３２、およ
び該ＴＡＢフィルム３２上に載置されたチャージアンプ
ＩＣ３３からなる。ＴＡＢフィルム３２の他端は画像検
出器１０と接続されている。

【００３７】図２は画像検出器１０の一例と読取光照射
手段２０との配置関係を示した図である。なお、図２で
は後述する基台６は省略して示している。また、読取光
照射手段２０は光源部とその走査機構を有するものであ
るが、走査機構については省略して示している。

【００３８】画像検出器１０は、放射線画像情報を静電
潜像として記録し、読取光で走査されることにより静電
潜像に応じた電流を発生するものであり、具体的には図
２に示すように、ガラス基板５上に形成されており、被
写体を透過したＸ線などの記録用の電磁波など（以下記
録光という）に対して透過性を有する第一導電層１１、
記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性
を呈する記録用光導電層１２、第一導電層１１に帯電さ
れる潜像極性電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体
として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極
性電荷（前例においては正電荷）に対しては略導電体と
して作用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けるこ
とにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層
１４、読取光に対して透過性を有する第二導電層１５を
この順に積層してなるものである。記録用光導電層１２
と電荷輸送層１３との界面に蓄電部１９が形成される。

【００３９】第一導電層１１および第二導電層１５はそ
れぞれ電極をなすものであり、第一導電層１１の電極は
２次元状に平坦な平板電極とされ、第二導電層１５の電
極は図中斜線で示すように多数のエレメント（線状電
極）１５ａが画素ピッチでストライプ状に配されたスト
ライプ電極とされている（例えば特願平１０−２３２８
２４号記載の静電記録体を参照）。エレメント１５ａの
配列方向が主走査方向、エレメント１５ａの長手方向が
副走査方向に対応する。

【００４０】読取用光導電層１４としては、近紫外から
青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の電磁波に対し
て高い感度を有し、赤の領域の波長（７００ｎｍ以上）
の電磁波に対して低い感度を有するもの、具体的には、
ａ−Ｓｅ、ＰｂＩ_２、Ｂｉ_１ _２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ_２０、
ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロピル）、ペリレンビ
スイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）のうち少なくとも１
つを主成分とする光導電性物質が好適である。本実施の
形態ではａ−Ｓｅを使用する。

【００４１】なお、本実施形態においては、エレメント
１５ａは各幅を５０μｍとし、画素ピッチ１００μｍに
て配されており、波長５５０ｎｍ以下の光が透過するも
の、例えばＩＴＯ、もしくは薄膜Ａｌなどを用いる。

【００４２】図３は図１に示す撮像部４の画像検出器１
０およびそれを支持する基板５、基台６の筐体２への取
付部をより具体的に示す図であり、（Ａ）は画像検出器
１０側からみた正面図、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ
（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図、Ｃ−Ｃ線断面図を示す。基台
６は図に示すように画像検出器１０が形成されたガラス
基板５を支持するものである。一般にガラス基板５は厚
み１．１ｍｍ以下と非常に薄いものであるのに比較し
て、基台６は図のように垂直に配してもたわむことのな
い程度に十分厚いガラスからなり、ここでは５ｍｍ以上
とする。基台６は読取用光源および前露光光源から出力
された光に対して透過性を有し、ガラス基板５と略同一
の屈折率および熱膨張率を有する。また、読取光の反射
による光ロスや迷光を防止するため、読取光入射面６ａ
にＡＲ（反射防止）コートが施されている。なお、基台
６と基板５はエポキシ樹脂やカナダバルサムなどの接着
剤により接着されている。図３に示すように、基台６は
その四隅、左右および下端部で金属などからなる取付部
材７により挟みつけられて補強され筐体２に固定されて
いる。なお、基台６の上端部と取付部材７との間には、
画像検出器１０とプリント基板３１とを接続する前述の
ＴＡＢフィルム３２を通す隙間８が設けられている。詳
細には、断面図（Ｂ）に示すように基台６の画像検出器
１０の上方に位置する部分と取付部材７との間には隙間
８が設けられており、図（Ａ）に示す基台６の右上隅部
は断面図（Ｃ）に示すように取付部材７により挟みつけ
られている。

【００４３】読取光照射手段２０としては、ＬＥＤチッ
プが一列に複数並べられて構成された光源と、該光源か
ら出力された光を画像検出器１０上で線状に照射させる
光学系とからなるものを用いる。なお、読取光照射手段
２０は、光源部を画像検出器１０と必要な距離を保った
まま図示しない走査機構（リニアモータ）により、画像
検出器１０のストライプ電極１５ａ長手方向に走査する
ことにより画像検出器１０の全面の露光を行う。

【００４４】上述のように、読取用光導電層１４として
は近紫外から青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の
電磁波に対して高い感度を有し、赤の領域の波長（７０
０ｎｍ以上）の電磁波に対して低い感度を有するもので
あるで、光源として５５０ｎｍ以下の近紫外から青の領
域の波長の光を出力するものを利用する。

【００４５】読取光照射手段２０の光源の具体的な一例
を図４に示してその構成と作用を説明する。図４（Ａ）
は、図２に示す読取光照射手段２０の光源部の詳細な構
成を示した、Ｙ方向からみた側面図であり、図４（Ｂ）
は、光源部のＸ−Ｙ断面図である。なお図４では前述の
基台６は省略して示している。

【００４６】図４に示すように、読取光照射手段２０の
光源部は、Ｚ軸方向に線状に並べられている複数のＬＥ
Ｄチップ１０１ａ,１０１ｂ,…からなる光源１０１と、
該光源１０１から出射された光の品質を向上させるため
の、該光源１０１の長手方向に延びる開口１０２ａを有
するスリット１０２および該スリット１０２の開口１０
２ａに向けて光を集束せしめる光学部材１０３であるシ
リンドリカルレンズ１０４，１０５からなる第一の光学
手段１０６と、第一の光学手段１０６を通過した光を光
源１０１の長手方向に直交する方向について画像検出器
面上に集束せしめるシリンドリカルレンズ１０７，１０
８からなる第二の光学手段１０９とからなるものであ
る。

【００４７】スリット１０２は、光源から出力された光
を空間的にフィルタリングしてフレア光を抑え、検出器
上でのビーム径を決定するものである。なお、スリット
は光の空間的な広がりを抑えるものであればよく、本実
施形態のような開口を有する機械的なスリットのみなら
ず、濃度分布フィルタなどの光学的な隙間であってもよ
い。

【００４８】光源１０１の各発光点すなわち各ＬＥＤチ
ップ１０１ａ，１０１ｂ，…から出力された光は、シリ
ンドリカルレンズ１０４，１０５によりスリット１０２
の開口１０２ａでその長手方向に集束されてフィルタリ
ングされ、第二の光学手段１０９のシリンドリカルレン
ズ１０７，１０８により光源の長手方向に直交する方向
に集束されて画像検出器１０上に照射される。各ＬＥＤ
チップからの光ビームは等方的に広がって拡散するもの
であり、光源の長手方向については集束されていないた
め、各チップからの光は検出器上で光源の長手方向に拡
散する。これにより光源１０１からの光は検出器上を線
状に照射することとなり、各チップからの光は該線状に
並ぶ複数の画素を同時に露光する。すなわち、検出器上
の各画素は複数のＬＥＤチップから出力された光により
同時に露光される。例えば、図４は模式的に示したもの
であるが、検出器１０上の点Ａは７個のＬＥＤチップに
より同時に露光されている。

【００４９】より具体的には、例えば、光学系の焦点距
離を４０ｍｍ、画素サイズを１００μｍ、ＬＥＤチップ
の間隔（発光点間隔）を２００μｍ、ＬＥＤチップから
の光源長手方向のビーム広がり角を１２０°（半値）と
すると、検出器上の各画素は少なくとも７００個以上の
ＬＥＤチップからの光に同時に露光される。

【００５０】ここで、上記光源１０１から出力される読
取光の光量は制御用プリント基板８０に載置された制御
手段により電流制御によって制御されるが、本装置にお
ける光源１０１の光量は、以下のようにして制御手段に
設定されたものである。

【００５１】まず、画像検出器１０に一様な放射線を照
射することにより濃度が一様なベタ画像を記録し、そし
て、読取光照射手段２０により図５に示すように走査位
置に対して読取光の大きさを変化させながら上記画像検
出器１０を走査露光する。このとき、画像信号検出手段
３０により検出された画像信号に基づいて読取光量の大
きさと読取効率（画像信号検出手段３０により検出され
た画像信号の大きさを画像検出器１０に照射された放射
線量から算出される画像信号の大きさで除算した値に基
づく割合）との関係を求める。読取光量と読取効率との
関係は、理論的には読取光の大きさが所定の大きさ以上
になると読取効率の大きさは一定の値に漸近することに
なるが、実際には、例えば、図６に示すような関係とな
り、読取効率が最大となる読取光量の大きさが存在す
る。従って、読取効率がこの最大値の９０％の大きさと
なるときの読取光量の大きさを所定の入力手段により上
記制御手段に設定する。制御手段は、この設定された読
取光量の大きさに従って読取光照射手段２０の光源１０
１に電流が流れるよう制御する。

【００５２】なお、本実施形態では、読取効率がその最
大値の９０％の大きさとなるときの読取光量の大きさを
所定の入力手段により設定するようにしたが、制御手段
により自動的に上記読取光量の大きさを算出し設定する
ようにしてもよい。

【００５３】また、上述の読取光照射手段２０の光源１
０１は、ＬＥＤチップを複数並べて構成されたものであ
るが、ＬＥＤチップの代わりにＬＤチップを複数並べて
構成してもよい。さらに、複数の発光点が線状に並んで
形成されたＬＥＤアレイもしくはＬＤアレイを光源とし
て用いてもよい。

【００５４】また、上述の読取光照射手段２０の光源部
において、第一の光学手段１０６のシリンドリカルレン
ズ１０４、１０５のかわりにセルフォックレンズを用い
てもよい。

【００５５】図７は画像検出器１０、画像信号検出手段
３０、および高電圧電源部４５の接続態様の詳細を示し
た図である。図示するように、画像検出器１０の各エレ
メント１５ａがＴＡＢフィルム３２上に形成されたプリ
ントパターン（不図示）を介してチャージアンプＩＣ３
３と接続され、さらにチャージアンプＩＣ３３がＴＡＢ
フィルム３２上に形成されたプリントパターン（不図
示）を介してプリント基板３１と接続されている。な
お、本実施形態では全てのエレメント１５ａを１つのチ
ャージアンプＩＣ３３に接続するのではなく、全体とし
て数個〜数１０個のチャージアンプＩＣ３３を設け、順
次隣接する数本のエレメント１５ａごとに各チャージア
ンプＩＣ３３に接続するようにしている。

【００５６】画像検出器１０の平面電極である第一導電
層１１には、画像記録領域より一部が大きめに形成され
た非画像領域１１ａが設けられている。この非画像領域
１１ａには画像検出器１０の近傍に配された高電圧電源
部４５から出力されたケーブル４６のホット側（芯線）
４６ａが直接ボンディングされ、ケーブル４６のアース
側（外被）４６ｂがプリント基板３１にネジ止め４７に
より接続されている。本実施形態ではホット側４６ａが
アース側４６ｂに対してマイナス電位となるようにす
る。プリント基板３１に接続されたアース側４６ｂは、
ＴＡＢフィルム３２を通して各チャージアンプＩＣ３３
に共通に接続されることによりチャージアンプＩＣ３３
の基準電位ともなる。

【００５７】なお、本実施形態では画像検出器１０とプ
リント基板３１との接続にＴＡＢ接続を利用したが、ワ
イヤーボンディングや異方性導電ゴムで接続してもよ
い。

【００５８】図８は筐体２内に設けられた画像信号検出
手段３０および高電圧電源部４５の詳細、並びにこれら
と画像検出器１０、画像信号検出手段３０、および装置
１の外部に配された画像処理装置１５０などとの接続態
様を示したブロック図である。

【００５９】高電圧電源部４５は、高電圧電源４０とバ
イアス切換手段４２とが一体化された回路であり、高電
圧電源４０は、一旦、画像検出器１０へのバイアス印加
／短絡など切換えのためバイアス切換手段４５を介して
画像検出器１０に接続されている。なお、この回路は、
切換え時に流れる電流のピーク値を制限して装置の電流
が集中する箇所の破壊を防ぐために、充放電過大電流を
防止するように設計されている。

【００６０】ＴＡＢフィルム３２上に設けられたチャー
ジアンプＩＣ３３は、画像検出器１０の各エレメント１
５ａごとに接続された多数のチャージアンプ３３ａおよ
びサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）３３ｂ、各サンプルホー
ルド３３ｂからの信号をマルチプレクスするマルチプレ
クサ３３ｃを備えている。画像検出器１０において発生
する電流は各チャージアンプ３３ａにより電圧に変換さ
れ、該電圧がサンプルホールド３３ｂにより所定のタイ
ミングでサンプルホールドされ、サンプルホールドされ
た各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５
ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３３ｃか
ら順次出力される（主走査の一部に相当する）。マルチ
プレクサ３３ｃから順次出力された信号はプリント基板
３１上に設けられたマルチプレクサ３１ｃに入力され、
さらに各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント
１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３１
ｃから順次出力され主走査が完了する。マルチプレクサ
３１ｃから順次出力された信号はＡ／Ｄ変換部３１ａに
よりデジタル信号に変換され、デジタル信号がメモリ３
１ｂに格納される。

【００６１】前露光光源部６０としては、短時間で発光
／消光し、残光の非常に小さい光源が必要であり、本実
施形態においては外部電極型希ガス蛍光ランプを利用す
る。詳細には前露光光源部６０は、図１に示すように、
図中紙面奥方向に延びる複数の外部電極型希ガス蛍光ラ
ンプ６１と、該蛍光ランプ６１と画像検出器１０との間
に挿入された波長選択フィルタ６２と、蛍光ランプ６１
の後方に配され、蛍光ランプ６１から出力された光を効
率よく画像検出器１０側へ反射するための反射板６３と
を備えてなる。なお、前露光光は画像検出器１０の第二
電極層１５全体に照射すればよく特に集光手段は必要な
いが、照度分布は小さい方がよい。なお、光源としては
蛍光ランプの代わりに、例えばＬＥＤチップを面的に並
べたものを利用するもことできる。さらに、基台６に波
長選択性を持たせることにより、波長選択フィルタ６２
を省くこともできる。

【００６２】画像検出器１０から静電潜像を読み取る
際、基本的には蓄積されている潜像電荷を全て読み出す
ことができるが、場合によっては潜像電荷を完全に読み
出すことができず画像検出器１０に残留電荷として読み
残すことがある。また、画像検出器１０に静電潜像を記
録するとき、記録光の照射の前に画像検出器１０に高圧
を印加するが、この印加の際に暗電流が発生し、それに
よる電荷（暗電流電荷）も画像検出器１０に蓄積され
る。さらに、これら以外の原因によっても画像検出器１
０に種々な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが
知られている。記録光の照射の前に蓄積されるこれら残
留電荷，暗電流電荷などの不要電荷は、記録光を照射す
ることにより蓄積される画像情報を担持する電荷に加算
されることになるから、結局画像検出器１０から静電潜
像を読み取ったとき、出力される信号には画像情報を担
持する電荷に基づく信号以外に不要電荷による信号成分
が含まれることになり、残像現象やＳ／Ｎ劣化などの問
題を生じる。

【００６３】「前露光」は、この記録光を画像検出器に
照射する前に画像検出器に蓄積されている不要電荷を消
去し、残像現象やＳ／Ｎ劣化などの問題を解消するため
のものである。

【００６４】次いで、このように構成される胸部撮影装
置１の動作について説明する。まず、被写体（患者）の
体格に合わせて撮影部４を昇降し位置決めする。次に、
画像検出器１０に対して前露光光を照射し、画像検出器
１０に蓄積されている不要電荷を消去する。なお、前露
光処理は、画像検出器１０への電圧印加前に行ってもよ
いし、該電圧印加後に行ってもよい。さらには、電圧印
加前に前露光点灯し、電圧印加後に消灯する態様であっ
てもよい。

【００６５】撮影時には、まず、バイアス切換手段４２
により電源４０の負極を第１の導電体層１１に接続して
第一導電層１１と各エレメント１５ａとの間に直流電圧
を印加し両導電層１１，１５を帯電させる。これにより
画像検出器１０内の第一導電層１１とエレメント１５ａ
との間に、エレメント１５ａをＵ字の凹部とするＵ字状
の電界が形成される。

【００６６】その後、撮影者がタイミングを見計らって
図示しない照射ボタンを押すと、撮影部４の被写体側面
に配されているグリッド７０が揺動を開始し、このグリ
ッド７０の揺動速度が所定速度に達し、かつ上述の電圧
印加により画像検出器１０に十分な電圧が印加されたタ
イミングでＸ線が照射される。

【００６７】被写体を透過したＸ線、すなわち被写体の
放射線画像情報を担持する記録光を画像検出器１０に照
射すると、画像検出器１０の記録用光導電層１２内で正
負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布
に沿ってエレメント１５ａに集中せしめられ、記録用光
導電層１２と電荷輸送層１３との界面に形成された蓄電
部１９に負電荷が蓄積される。この蓄積された負電荷す
なわち潜像極性電荷の量は被写体を透過した放射線量に
略比例するので、この潜像極性電荷が静電潜像を担持す
ることとなる。このようにして静電潜像が画像検出器１
０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生す
る正電荷は第一導電層１１に引き寄せられて、高電圧電
源４０から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。

【００６８】Ｘ線を照射し画像記録を行った後、画像検
出器１０から静電潜像を読み取る際には、画像検出器１
０の両導電層１１，１５間はバイアス切換手段４２によ
り短絡される。

【００６９】読取光照射手段２０が作動し、光源１０１
から読取光Ｌが出力されるとともにエレメント１５ａに
長手方向すなわち副走査方向に図示しないリニアモータ
により移動させ、画像検出器１０の全面を走査する。上
述の読取光照射手段２０の動作説明の通り、該光源部か
ら出力されるライン状の読取光Ｌが基台６およびガラス
基板５を透過し、画像検出器１０の各エレメント１５ａ
に照射される。

【００７０】ここで、読取光照射手段２０の光源部から
出力される読取光Ｌの光量は、上述したように読取効率
がその最大値の９０％の大きさの読取効率となるときの
読取光Ｌの大きさが制御用プリント基板８０の制御手段
に予め設定されており、これに従って制御手段は読取光
照射手段２０の光源１０１に制御電流を流す。

【００７１】上記のように読取光Ｌの大きさを制御する
ことにより、より適当な読取用の電磁波の大きさで読取
りを行って読取効率の向上を図ることができる。

【００７２】また、読取光ｌの大きさをより適当な大き
さとするので、読取光Ｌを発するのに無駄なパワーを消
費することなく、装置としてのコストの削減も図ること
ができる。

【００７３】上記のようにして画像検出器１０に読取光
Ｌが照射されると、読取用光導電層１４内に正負の電荷
対が発生し、その内の正電荷が蓄電部１９に蓄積された
負電荷（潜像極性電荷）に引きつけられるように電荷輸
送層１３内を急速に移動し、蓄電部１９で潜像極性電荷
と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層１４に
生じた負電荷は第二導電層１５に注入される正電荷と電
荷再結合し消滅する。このようにして、画像検出器１０
に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、こ
の電荷再結合の際の電荷の移動による電流が画像検出器
１０内に生じる。

【００７４】各エレメント１５ａごとに接続された電流
検出用のチャージアンプ３３ａにより、この電流を各エ
レメント１５ａごとに並列的（同時）に検出する。チャ
ージアンプ３３ａにより検出された信号は、サンプルホ
ールド３３ｂによりサンプルホールドされ、サンプルホ
ールドされた各エレメント１５ａに対応する電圧がエレ
メント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレク
サ３３ｃから順次出力され、プリント基板３１上のマル
チプレクサ３１ｃによりさらに順次出力され、Ａ／Ｄ変
換部３１ａでＡ／Ｄ変換され、デジタルの画像信号とし
てメモリ３１ｂに格納される。

【００７５】読取光Ｌの走査露光に伴い画像検出器１０
内を流れる電流は潜像電荷すなわち静電潜像に応じたも
のであり、この電流を検出して得た画像信号は静電潜像
を表すので静電潜像を読取ることができる。

【００７６】なお、一旦メモリ３１ｂに格納された画像
信号は、信号ケーブル９０を介して外部の画像処理装置
１５０に送られ、この画像処理装置１５０において適当
な画像処理が施され、撮影情報と共にネットワーク１５
１にアップロードされ、サーバもしくはプリンタに送ら
れる。

【００７７】なお、上記実施の形態においては画像検出
器として、特願平１０−２３２８２４号記載の静電記録
体を使用したが、本発明はこれに限定されない。すなわ
ち、読取用の電磁波で走査されることにより、画像情報
を坦持する静電電荷に応じた電流を発生するものであれ
ば、どのような画像検出器にも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である胸部撮影装置の概略
構成を示す側断面図

【図２】上記胸部撮影装置に使用されている画像検出器
の斜視図と読取用露光光源部との配置関係を示した図

【図３】上記画像検出器を支持する基台を示す図

【図４】読取用露光光源部の詳細な構成を示す図

【図５】読取光量と走査位置の関係を示す図

【図６】本発明の画像読取方法および装置で使用される
画像検出器における読取光量と読取効率の関係を示す図

【図７】画像検出器、電流検出手段および高電圧電源部
の接続態様の詳細を示した図

【図８】電流検出手段および高電圧電源部の詳細および
これらと画像検出器の接続態様を示したブロック図

【符号の説明】

１胸部撮影装置３撮影用支持柱４撮影部１０画像検出器２０読取用露光光源部３０電流検出手段４０高電圧電源４５高電圧電源部６０前露光光源部７０グリッド８０制御用プリント基板９０信号ケーブル９２パワーケーブル１０１光源１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄＬＥＤチ
ップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像情報を静電潜像として記録し、読取
用の電磁波で走査露光されることにより前記静電潜像に
応じた電流を発生する画像検出器を用いて、該画像検出
器に前記読取用の電磁波を走査露光し、前記読取用電磁
波の走査露光により前記静電潜像に応じて発生した前記
電流を画像信号として検出することにより読取りを行う
画像読取方法において、前記画像検出器における読取効率が該読取効率の最大値
の８０〜１００％の範囲内の値となる大きさの前記読取
用電磁波により、前記画像情報が静電潜像として記録さ
れた画像検出器を走査露光して前記読取りを行うことを
特徴とする画像読取方法。
【請求項２】前記画像検出器における前記読取用電磁
波の大きさと前記読取効率との関係に基づいて、前記読
取効率が該読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲内
の値となる前記読取用電磁波の大きさを選択し、この選
択した大きさの前記読取用電磁波により、前記画像情報
が静電潜像として記録された画像検出器を走査露光して
前記読取りを行うことを特徴とする請求項１記載の画像
読取方法。
【請求項３】前記画像検出器における前記読取用電磁
波の大きさと前記読取効率との関係を、前記読取用電磁
波の大きさを設定するための基準画像が記録された前記
画像検出器を前記読取用電磁波の大きさを変化させなが
ら走査露光して前記読取りを行うことにより求めること
を特徴とする請求項２記載の画像読取方法。
【請求項４】前記読取効率が該読取効率の最大値の８
０〜９５％の範囲内の値となる大きさの前記読取用電磁
波により、前記画像情報が静電潜像として記録された画
像検出器を走査露光して前記読取りを行うことを特徴と
する請求項１から３いずれか１項記載の画像読取方法。
【請求項５】画像情報を静電潜像として記録し、読取
用の電磁波で走査露光されることにより前記静電潜像に
応じた電流を発生する画像検出器と、前記画像情報が静
電潜像として記録された画像検出器に前記読取用の電磁
波を走査露光する読取用電磁波照射手段と、前記読取用
電磁波の走査露光により前記静電潜像に応じて流れる電
流を画像信号として検出する画像信号検出手段とを備え
た画像読取装置において、前記読取用電磁波照射手段が、前記画像検出器における
読取効率が該読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲
内の値となる大きさの前記読取用電磁波により、前記画
像情報が静電潜像として記録された画像検出器を走査露
光するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】前記読取用電磁波照射手段が、前記画像
検出器における前記読取用電磁波の大きさと前記読取効
率との関係に基づいて選択された前記読取効率が該読取
効率の最大値の８０〜１００％の範囲内の値となる大き
さの前記読取用電磁波により、前記画像情報が静電潜像
として記録された画像検出器を走査露光するものである
ことを特徴とする請求項５記載の画像読取装置。
【請求項７】前記読取用電磁波照射手段が、前記読取
用電磁波の大きさを設定するための基準画像が記録され
た前記画像検出器を前記読取用電磁波の大きさを変化さ
せながら走査露光して読取りを行うことにより前記画像
検出器における前記読取用電磁波の大きさと前記読取効
率との関係を求め、この求めた関係に基づいて前記読取
効率が該読取効率の最大値の８０〜１００％の範囲内の
値となる前記読取用電磁波の大きさを選択するものであ
ることを特徴とする請求項６記載の画像読取装置。
【請求項８】前記読取用電磁波照射手段が、前記読取
効率が該読取効率の最大値の８０〜９５％の範囲内の値
となる大きさの前記読取用電磁波により、前記画像情報
が静電潜像として記録された画像検出器に走査露光する
ものであることを特徴とする請求項５から７いずれか１
項記載の画像読取装置。
【請求項９】前記画像情報が、放射線画像情報である
ことを特徴とする請求項５から８いずれか１項記載の画
像読取装置。