JP2003031912A - Substrate - Google Patents
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- JP2003031912A JP2003031912A JP2001220428A JP2001220428A JP2003031912A JP 2003031912 A JP2003031912 A JP 2003031912A JP 2001220428 A JP2001220428 A JP 2001220428A JP 2001220428 A JP2001220428 A JP 2001220428A JP 2003031912 A JP2003031912 A JP 2003031912A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、半導体
装置に用いられる基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate used for a semiconductor device, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】通常、半導体装置に用いられる基板とし
て、たとえば、ガラス繊維を織製したガラス布を含む樹
脂により形成された基板が用いられている。2. Description of the Related Art Usually, as a substrate used for a semiconductor device, for example, a substrate formed of a resin containing a glass cloth woven of glass fibers is used.
【0003】図7(a)は、従来の基板の構造の一例を
示す上面図である。従来、基板100’は、図7(a)
に示すように、たとえば、熱硬化性樹脂からなる樹脂1
20中に、矩形状の基板100’の縦方向に形成された
縦糸111と左右方向に形成された横糸112とが直交
してなる繊維110が形成されている。FIG. 7A is a top view showing an example of the structure of a conventional substrate. Conventionally, the substrate 100 'is shown in FIG.
As shown in, for example, resin 1 made of thermosetting resin
In FIG. 20, a fiber 110 is formed in which a warp yarn 111 formed in the longitudinal direction of a rectangular substrate 100 ′ and a weft yarn 112 formed in the left-right direction are orthogonal to each other.
【0004】図7(b)は、図7(a)のA−A’線の
断面を拡大した図である。たとえば、図7(b)に示す
ように、上述の縦糸111は、複数のガラス繊維束で構
成されている。同様に、横糸112も複数のガラス繊維
束で構成されている。FIG. 7B is an enlarged view of the cross section taken along the line AA 'in FIG. 7A. For example, as shown in FIG. 7 (b), the warp yarn 111 is composed of a plurality of glass fiber bundles. Similarly, the weft 112 is also composed of a plurality of glass fiber bundles.
【0005】横糸112は縦糸111に対して織り込ん
だ構造を有し、同様に縦糸111も横糸112に対して
織り込んだ構造を有している。The weft thread 112 has a structure woven into the warp thread 111, and the warp thread 111 also has a structure woven into the weft thread 112.
【0006】上述のように縦糸111および横糸112
で形成されたガラス布は、基板100’の補強材として
の機能を有する。As described above, the warp yarn 111 and the weft yarn 112 are
The glass cloth formed in 1 has a function as a reinforcing material for the substrate 100 '.
【0007】図8は、基板100’を用いた半導体装置
の一例を示す上面図である。上述した基板100’は、
たとえば、基板100’の両面に配線パターンを有する
銅箔が積層され、図8に示すように、基板100’の中
央部に半導体パッケージ10が搭載され、半導体装置3
00として用いられる。FIG. 8 is a top view showing an example of a semiconductor device using the substrate 100 '. The above-mentioned substrate 100 ′ is
For example, copper foil having a wiring pattern is laminated on both sides of the substrate 100 ′, the semiconductor package 10 is mounted on the central portion of the substrate 100 ′ as shown in FIG.
It is used as 00.
【0008】たとえば、上述の半導体装置300を形成
する際に、矩形状の基板100’は、所望の形および大
きさに切断加工されて用いられる。For example, when forming the above-mentioned semiconductor device 300, the rectangular substrate 100 'is used after being cut into a desired shape and size.
【0009】基板100’の切断加工方法としては、溶
断、切削切断、およびせん断等の方法があり、一般的
に、生産性に優れている金型を用いたせん断加工方法が
行われている。The cutting method of the substrate 100 'includes methods such as fusing, cutting and shearing, and generally, a shearing method using a die having excellent productivity is performed.
【0010】図9は、図8の半導体装置300のせん断
加工方法の一例を説明するため図である。FIG. 9 is a diagram for explaining an example of a shearing method of the semiconductor device 300 of FIG.
【0011】たとえば、金型を用いたせん断装置は、図
9に示すように、ダイ20、パンチガイド21、および
パンチ22で構成される。For example, as shown in FIG. 9, the shearing device using a die comprises a die 20, a punch guide 21, and a punch 22.
【0012】半導体装置300は、基板100’の両面
に、配線パターンを有する銅箔130が積層された銅張
積層板101上に半導体パッケージ10が搭載されて構
成される。The semiconductor device 300 is constructed by mounting the semiconductor package 10 on a copper clad laminate 101 in which copper foils 130 having a wiring pattern are laminated on both sides of a substrate 100 '.
【0013】上述のせん断装置を用いたせん断方法を説
明する。まず、せん断装置のダイ20上に、上述の半導
体装置300が設置され、パンチガイド21で半導体装
置300の銅張積層板101の上面を押圧することで、
半導体装置300が固定される。A shearing method using the above shearing device will be described. First, the above-described semiconductor device 300 is installed on the die 20 of the shearing device, and the punch guide 21 presses the upper surface of the copper-clad laminate 101 of the semiconductor device 300.
The semiconductor device 300 is fixed.
【0014】この際、ダイ20の側面とパンチガイド2
1の側面とで形成される面が、半導体装置300の銅張
積層板101の切断面となるように、半導体装置300
をダイ20上に設置する。At this time, the side surface of the die 20 and the punch guide 2
The semiconductor device 300 is formed so that the surface formed by the side surface of the semiconductor device 1 and the side surface of the semiconductor device 1 is the cut surface of the copper clad laminate 101 of the semiconductor device 300.
Are set on the die 20.
【0015】そして、パンチ22をパンチガイド21の
側面に沿って下方向に加圧し、銅張積層基板101の周
縁部をせん断する。Then, the punch 22 is pressed downward along the side surface of the punch guide 21 to shear the peripheral portion of the copper-clad laminated substrate 101.
【0016】以上が、金型を用いたせん断装置による半
導体装置30のせん断方法である。The above is the method of shearing the semiconductor device 30 by the shearing device using a mold.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】図10は、図9のせん
断された基板100’の切断部を拡大した図である。従
来の基板100’では、上述のように金型を用いてせん
断加工を行う場合には、せん断された基板100’の切
断部に、図10に示すように、繊維110のほつれであ
る繊維屑(以下クズと呼ぶ)30が発生する。FIG. 10 is an enlarged view of the cut portion of the sheared substrate 100 'of FIG. In the conventional substrate 100 ′, when shearing is performed using the mold as described above, the cut portion of the sheared substrate 100 ′ is, as shown in FIG. 10, a fiber scrap that is a fray of the fiber 110. 30 (hereinafter referred to as scrap) is generated.
【0018】具体的には、基板100’のB−B’切断
線に対して、繊維方向が略平行方向である繊維112が
クズ30としての原因となる。Specifically, the fibers 112 whose fiber direction is substantially parallel to the BB 'cutting line of the substrate 100' cause the scrap 30.
【0019】図11は、図10のB−B’切断線に対し
て繊維方向が略垂直方向の繊維110のせん断を説明す
るための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining shearing of the fiber 110 in which the fiber direction is substantially perpendicular to the BB ′ cutting line in FIG.
【0020】図11に示すように、B−B’切断線に対
して繊維方向が略垂直方向の繊維110である縦糸11
1は、略垂直方向に切断されるために、確実にせん断さ
れる。このため、上述のクズ30は発生しない。As shown in FIG. 11, the warp yarn 11 is a fiber 110 whose fiber direction is substantially perpendicular to the BB 'cutting line.
Since 1 is cut in a substantially vertical direction, it is surely sheared. Therefore, the scrap 30 described above does not occur.
【0021】図12は、図10のB−B’切断線に対し
て繊維方向が略平行な繊維110のせん断を説明するた
めの図である。FIG. 12 is a view for explaining shearing of the fiber 110 whose fiber direction is substantially parallel to the BB 'cutting line of FIG.
【0022】しかし、図12に示すように、B−B’切
断線に対して繊維方向が略平行方向の繊維110である
横糸112は、切断時に繊維110の一部が引っ張りだ
されたり、ほつれたり、毛羽立ちが生じるために、繊維
110のほつれであるクズ30が発生する。However, as shown in FIG. 12, in the weft yarn 112, which is the fiber 110 whose fiber direction is substantially parallel to the BB ′ cutting line, a part of the fiber 110 is pulled out or frayed at the time of cutting. As a result, fluffing occurs, and thus scraps 30, which are frays of the fiber 110, are generated.
【0023】上述したように、繊維110のクズ30が
発生すると、基板100’の外観が悪くなるという問題
がある。また、切断面付近が脆くなるという問題があ
る。As described above, when the scraps 30 of the fiber 110 are generated, there is a problem that the appearance of the substrate 100 'is deteriorated. There is also a problem that the vicinity of the cut surface becomes brittle.
【0024】また、半導体パッケージ10を、たとえ
ば、ハンダ付けで基板100’に実装し半導体装置を製
造する際に、繊維110のクズ30が脱落して、基板1
00’と半導体パッケージ10間に入り実装不良が起こ
り、半導体装置の歩留りが悪くなるという問題がある。Also, when the semiconductor package 10 is mounted on the substrate 100 'by soldering, for example, to manufacture a semiconductor device, the scraps 30 of the fiber 110 fall off and the substrate 1
Between 00 'and the semiconductor package 10, a mounting failure occurs, and the yield of the semiconductor device deteriorates.
【0025】また、上述の基板を積層して多層積層基板
を製造する際にも、繊維110のクズ30のために、多
層積層基板の製品の歩留りが悪くなるという問題があ
る。Further, even when the above-mentioned substrates are laminated to manufacture a multilayer laminated substrate, there is a problem that the product yield of the multilayer laminated substrate is deteriorated due to the scraps 30 of the fiber 110.
【0026】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、せん断等で切断しても、繊維ク
ズの発生を抑えることができる基板を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a substrate capable of suppressing the generation of fiber scraps even when cut by shearing or the like.
【0027】また、他の目的は、せん断等で切断して
も、繊維クズの発生を抑え、半導体を実装して半導体装
置を製造する際の歩留りが向上し、また、多層積層基板
を製造する際の歩留りを向上する基板を提供することに
ある。Another object is to suppress the generation of fiber scraps even when cut by shearing or the like, improve the yield when a semiconductor is mounted and manufacture a semiconductor device, and manufacture a multilayer laminated substrate. It is to provide a substrate that improves the yield at the time.
【0028】[0028]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板は、補強のための繊維を含む樹脂によ
り形成された基板であって、前記繊維は、周縁部に対し
てバイアス方向となるように配列されている。In order to achieve the above object, the substrate of the present invention is a substrate formed of a resin containing fibers for reinforcement, the fibers being in a bias direction with respect to a peripheral portion. Are arranged so that
【0029】好適には、前記繊維は、ガラス繊維であ
る。Suitably, the fibers are glass fibers.
【0030】また、好適には、前記繊維は、繊維方向が
前記基板の周縁部に対して第1の方向に形成されている
複数の第1の繊維群と、繊維方向が当該第1の繊維群と
所定の角度をもって交差するように第2の方向に形成さ
れている第2の繊維群とを含む。Further, preferably, the fibers include a plurality of first fiber groups whose fiber directions are formed in a first direction with respect to the peripheral edge portion of the substrate, and the first fiber whose fiber direction is the first fiber group. A second fiber group formed in the second direction so as to intersect the group at a predetermined angle.
【0031】上記の本発明の基板によれば、補強のため
のガラス繊維を含む樹脂により形成されている。そし
て、繊維は、基板の周縁部に対してバイアス方向(斜め
方向)になるように形成されている。According to the above-mentioned substrate of the present invention, it is formed of a resin containing glass fiber for reinforcement. The fibers are formed so as to be in the bias direction (oblique direction) with respect to the peripheral portion of the substrate.
【0032】そして、たとえば、金型等を用いたせん断
装置を用いて、本発明の基板を、基板の周縁部に対して
略平行に、つまり、繊維方向に対してバイアス方向にせ
ん断すると、繊維の繊維方向が基板の周縁部に対してバ
イアス方向に形成されているので、繊維が確実にせん断
され、繊維クズを発生することなく基板がせん断され
る。Then, for example, when the substrate of the present invention is sheared substantially parallel to the peripheral edge of the substrate, that is, in the bias direction with respect to the fiber direction, using a shearing device using a die or the like, the fibers are Since the fiber direction is formed in the bias direction with respect to the peripheral portion of the substrate, the fibers are reliably sheared, and the substrate is sheared without generating fiber scraps.
【0033】また、繊維を、繊維方向が基板の周縁部に
対して第1の方向に形成されている複数の第1の繊維群
と、繊維方向が第1の繊維群と所定の角度をもって交差
するように第2の方向に形成されている第2の繊維群と
を含むように形成すると、より基板の強度が強くなる。
そして、たとえば、せん断装置により基板を、基板の周
縁部に対して略平行に、せん断加工すると、繊維が確実
にせん断され、繊維クズを発生することなく基板がせん
断される。Further, the fiber intersects with the plurality of first fiber groups whose fiber direction is formed in the first direction with respect to the peripheral portion of the substrate, and the fiber direction intersects the first fiber group at a predetermined angle. When it is formed so as to include the second fiber group formed in the second direction, the strength of the substrate becomes stronger.
Then, for example, when the substrate is sheared by a shearing device so as to be substantially parallel to the peripheral portion of the substrate, the fibers are reliably sheared, and the substrate is sheared without generating fiber scraps.
【0034】さらに、上記目的を達成するため、本発明
の基板は、補強のための繊維を含む樹脂により形成さ
れ、前記繊維が周縁部に対して、バイアス方向になるよ
うに配列された主基板の一部を、前記繊維と所定角度を
もって交わるような方向でせん断して形成されている。Further, in order to achieve the above object, the substrate of the present invention is formed of a resin containing fibers for reinforcement, and the fibers are arranged so as to be in the bias direction with respect to the peripheral portion. Is sheared in a direction that intersects the fibers at a predetermined angle.
【0035】好適には、前記繊維は、ガラス繊維であ
る。Preferably, the fibers are glass fibers.
【0036】また、好適には、前記繊維は、繊維方向が
前記基板の周縁部に対して第1の方向に形成されている
複数の第1の繊維群と、繊維方向が当該第1の繊維群と
所定の角度をもって交差するように第2の方向に形成さ
れている第2の繊維群とを含む。Preferably, the fibers include a plurality of first fiber groups whose fiber direction is formed in a first direction with respect to the peripheral portion of the substrate, and the first fiber whose fiber direction is the first fiber group. A second fiber group formed in the second direction so as to intersect the group at a predetermined angle.
【0037】上記の本発明の基板は、あらかじめ、補強
のためのガラス繊維を含む樹脂により形成され、前記繊
維が周縁部に対してバイアス方向になるように配列され
た主基板を用意し、その主基板の一部を繊維と所定角度
をもって交わるような方向でせん断して形成されてい
る。The above-mentioned substrate of the present invention is prepared in advance by a resin containing glass fibers for reinforcement, and a main substrate is prepared in which the fibers are arranged in the bias direction with respect to the peripheral portion. It is formed by shearing a part of the main substrate in such a direction as to intersect the fibers at a predetermined angle.
【0038】そして、たとえば、金型等を用いたせん断
装置を用いて、本発明の基板を、基板の周縁部に対して
略平行に、つまり、繊維方向に対して所定の角度、たと
えば、確実にせん断可能な角度で切断することで、繊維
クズを発生することなく基板がせん断される。Then, for example, by using a shearing device using a die or the like, the substrate of the present invention is made substantially parallel to the peripheral portion of the substrate, that is, at a predetermined angle with respect to the fiber direction, for example, surely. By cutting at a shearable angle, the substrate is sheared without generating fiber scraps.
【0039】また、繊維を、繊維方向が基板の周縁部に
対して第1の方向に形成されている複数の第1の繊維群
と、繊維方向が第1の繊維群と所定の角度をもって交差
するように第2の方向に形成されている第2の繊維群と
を含むように形成すると、より基板の強度が強くなる。
そして、たとえば、せん断装置により基板を、基板の周
縁部に対して略平行に、つまり、繊維をせん断可能な角
度でせん断加工すると、繊維が確実にせん断され、繊維
クズを発生することなく基板がせん断される。Further, the fiber intersects with the plurality of first fiber groups whose fiber direction is formed in the first direction with respect to the peripheral portion of the substrate, and the fiber direction intersects the first fiber group at a predetermined angle. When it is formed so as to include the second fiber group formed in the second direction, the strength of the substrate becomes stronger.
Then, for example, when the substrate is sheared by a shearing device substantially parallel to the peripheral portion of the substrate, that is, the fibers are sheared at an angle at which the fibers can be sheared, the fibers are surely sheared, and the substrate is generated without generating fiber scraps. Sheared.
【0040】[0040]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態の基板
について、図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A substrate according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0041】図1は、本実施の形態に係る基板の上面図
である。FIG. 1 is a top view of the substrate according to this embodiment.
【0042】本実施の形態の基板100は、図1に示す
ように、たとえばガラス繊維からなる繊維110は、基
板100の周縁部に対してバイアス方向(斜め方向)に
配列された繊維113と、その繊維113に直交するよ
うに配列された繊維114で形成されている。In the substrate 100 of this embodiment, as shown in FIG. 1, the fibers 110 made of, for example, glass fibers are arranged in the bias direction (oblique direction) with respect to the peripheral portion of the substrate 100, and the fibers 113. The fibers 114 are arranged so as to be orthogonal to the fibers 113.
【0043】ここで、上述のように、繊維110が、基
板100の周縁部に対してバイアス方向に形成されてい
る構造のことを、バイアス構造と呼ぶこととする。Here, the structure in which the fibers 110 are formed in the bias direction with respect to the peripheral portion of the substrate 100 as described above is referred to as a bias structure.
【0044】繊維113および繊維114は、たとえ
ば、複数のガラス繊維束で構成されている。The fibers 113 and 114 are composed of, for example, a plurality of glass fiber bundles.
【0045】上述の繊維束は、具体的には、たとえば、
一般的にEガラスと呼ばれるガラスを溶融し、5,7,
9,11μm等の所望の太さで、繊維束の本数に応じた
ノズルを通して形成される。The above-mentioned fiber bundle is specifically, for example,
Glass that is generally called E glass is melted,
It is formed with a desired thickness of 9, 11 μm or the like through a nozzle corresponding to the number of fiber bundles.
【0046】そして、繊維110は、たとえば、空気精
紡方式の織機で織製される。この際、交差する糸と糸の
テンションや縒りが、たとえば後の基板寸法の伸縮が同
じになるように調節される。The fibers 110 are woven by, for example, an air-spinning loom. At this time, the tension and twist of the intersecting yarns are adjusted so that, for example, the subsequent expansion and contraction of the substrate dimensions are the same.
【0047】そして、たとえば、熱硬化性樹脂からなる
樹脂120に、その織製された繊維110を浸し、硬化
して基板100が形成される。Then, for example, the woven fiber 110 is dipped in a resin 120 made of a thermosetting resin and cured to form the substrate 100.
【0048】熱硬化性樹脂は脆くそれ自体では板状にな
らない。そのため、補強材として繊維110が使用され
る。The thermosetting resin is brittle and does not form a plate by itself. Therefore, the fiber 110 is used as a reinforcing material.
【0049】樹脂120は、たとえば、一般にFR−4
と呼ばれるエポキシ樹脂、4官能基エポキシ樹脂、また
はポリイミド等で形成される。The resin 120 is, for example, generally FR-4.
It is formed of an epoxy resin called, a tetrafunctional epoxy resin, a polyimide, or the like.
【0050】樹脂120は、たとえば、繊維110の熱
膨張係数と、なるべく同じ大きさの熱膨張係数であるこ
とが望ましい。これは、たとえば、温度変化した場合
に、繊維の伸縮と樹脂の伸縮の差が大きい場合には、基
板100内でマイクロクラックや剥離などが生じやすい
ためである。It is desirable that the resin 120 has, for example, the same coefficient of thermal expansion as the coefficient of thermal expansion of the fiber 110. This is because, for example, when there is a large difference between the expansion and contraction of the fiber and the expansion and contraction of the resin when the temperature changes, microcracks and peeling easily occur in the substrate 100.
【0051】図2は、図1のC−C’線に沿ってせん断
した際の繊維110の拡大図である。図中、破線で示し
た面は、切断面である。FIG. 2 is an enlarged view of the fiber 110 when sheared along the line CC ′ in FIG. In the figure, the surface indicated by the broken line is a cut surface.
【0052】たとえば、基板100を、上述した図9に
示したような金型等を用いたせん断装置で、基板100
の周縁部に平行であるC−C’線に沿ってせん断した場
合には、図2に示すように、基板100の周縁部に平行
であるC−C’線に対して、繊維110の繊維方向がバ
イアス方向になるために、確実に繊維110が切断され
る。For example, the substrate 100 is processed by a shearing device using a mold or the like as shown in FIG. 9 described above.
When sheared along a line CC ′ parallel to the peripheral edge of the fiber 110, as shown in FIG. 2, the fiber of the fiber 110 with respect to the line CC ′ parallel to the peripheral edge of the substrate 100. Since the direction is the bias direction, the fiber 110 is reliably cut.
【0053】この際、繊維110である繊維113およ
び繊維114は、せん断装置により確実に繊維110が
せん断されるバイアス方向になるように配列される。具
体的には、たとえば、基板100の周縁部に対して、繊
維110の繊維方向が45°±数十%であることが好ま
しい。At this time, the fibers 113 and 114 which are the fibers 110 are arranged so that the fibers 110 are surely sheared by the shearing device in the bias direction. Specifically, for example, it is preferable that the fiber direction of the fiber 110 is 45 ° ± several tens% with respect to the peripheral portion of the substrate 100.
【0054】上述したように、本実施の形態の基板10
0は、繊維110の繊維方向が、基板100の周縁部に
対して、バイアス方向となるように形成されている。こ
のため、基板100の周縁部に対して、たとえば平行
に、つまり繊維110の方向に対してバイアス方向に切
断加工する際に、従来に比べて切断面付近の強度が上が
り、確実に繊維110を切断することができ、繊維クズ
を発生することなく基板100を切断することができ
る。As described above, the substrate 10 of this embodiment
0 is formed so that the fiber direction of the fiber 110 is in the bias direction with respect to the peripheral portion of the substrate 100. Therefore, when cutting is performed in parallel with the peripheral portion of the substrate 100, that is, in the bias direction with respect to the direction of the fiber 110, the strength in the vicinity of the cut surface is increased as compared with the conventional technique, and the fiber 110 is reliably cut. It can be cut, and the substrate 100 can be cut without generating fiber scraps.
【0055】また、上述した基板100では、切断加工
の際に、繊維クズの発生が抑えられるために、従来より
も基板100の切断面の外観がよくなる。Further, in the above-described substrate 100, the generation of fiber scraps during the cutting process is suppressed, so the appearance of the cut surface of the substrate 100 becomes better than in the prior art.
【0056】また、たとえば、上述した基板100上に
半導体パッケージをハンダ付け実装を行う際に、実装基
板と半導体パッケージの間に、脱落した繊維クズが混入
することがなくなり、ハンダづけ不良等を防ぐことがで
きる。In addition, for example, when the semiconductor package is mounted on the substrate 100 by soldering, the dropped fiber scraps are not mixed between the mounting substrate and the semiconductor package, and soldering failure is prevented. be able to.
【0057】図3は、従来の繊維構造を有する母材20
0から基板100を形成することを説明するための図で
ある。FIG. 3 shows a base material 20 having a conventional fiber structure.
It is a figure for explaining forming substrate 100 from 0.
【0058】基板100は、たとえば、図3に示すよう
に、母材200の周縁部に対して繊維方向が垂直および
平行な繊維110を有する主基板である母材200を、
繊維110とバイアス方向になるような方向で、かつ所
定の間隔でせん断して、矩形状の基板100を形成す
る。The substrate 100 is, for example, as shown in FIG. 3, a base material 200 which is a main board having fibers 110 whose fiber directions are perpendicular and parallel to the peripheral portion of the base material 200.
The rectangular substrate 100 is formed by shearing the fibers 110 in a bias direction and at a predetermined interval.
【0059】上述したように基板100を形成すれば、
従来、一般的に用いられている、母材200の周縁部に
対して、平行および垂直になるように配列された繊維1
10を有する母材200から、簡単に基板100を形成
することができる。If the substrate 100 is formed as described above,
Fibers 1 that are arranged so as to be parallel and perpendicular to the peripheral portion of the base material 200 that is generally used in the past
The substrate 100 can be easily formed from the base material 200 having 10.
【0060】図4は、バイアス構造を有する母材200
から基板100を形成することを説明するための図であ
る。FIG. 4 shows a base material 200 having a bias structure.
FIG. 6 is a diagram for explaining that the substrate 100 is formed from FIG.
【0061】上述した基板100の形成方法の他に、た
とえば、図4に示すように、あらかじめ、繊維110の
繊維方向が母材200の周縁部に対してバイアス方向と
なるように繊維110を積層して母材200を形成して
おく。In addition to the method of forming the substrate 100 described above, for example, as shown in FIG. 4, the fibers 110 are laminated in advance so that the fiber directions of the fibers 110 are in the bias direction with respect to the peripheral portion of the base material 200. Then, the base material 200 is formed.
【0062】そして、図9に示したようなせん断装置を
用いて、繊維110とバイアス方向になるような方向
で、かつ所定の間隔でせん断して、矩形状の基板100
を形成する。Then, using the shearing device as shown in FIG. 9, the rectangular substrate 100 is sheared by shearing at a predetermined interval with the fiber 110 in the bias direction.
To form.
【0063】上述したように基板100を形成すれば、
母材200がバイアス構造をしているために、たとえ
ば、母材200の周縁部に平行および垂直に、所定の間
隔で切断することにより、簡単に基板100を形成する
ことができる。If the substrate 100 is formed as described above,
Since the base material 200 has the bias structure, the substrate 100 can be easily formed, for example, by cutting the base material 200 in parallel and perpendicularly to the peripheral edge portion at a predetermined interval.
【0064】図5は、本発明に係る一実施の形態の基板
100を積層して多層銅張積層板の形成を説明するため
の図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the formation of a multilayer copper clad laminate by laminating the substrates 100 according to one embodiment of the present invention.
【0065】たとえば、上述した基板100は、半導体
装置を形成する多層銅張積層板に用いられる。たとえ
ば、多層銅張積層板は、図5に示すように、上述した基
板100を所望の厚さに応じた数だけ積層し、両面に銅
箔130をおいた編成品を不図示の鏡板の間に置き、所
定の数をスタックし、不図示の真空プレスでボイドの発
生を抑えながら加熱、加圧して成形を行い形成する。そ
して、多層銅張積層板が得られる。For example, the substrate 100 described above is used for a multilayer copper clad laminate forming a semiconductor device. For example, as shown in FIG. 5, a multilayer copper-clad laminate is formed by laminating the above-mentioned substrates 100 in a number corresponding to a desired thickness, and placing a copper foil 130 on both surfaces of a knitted product between end plates (not shown). Place, stack a predetermined number, and heat and pressurize with a vacuum press (not shown) while suppressing the generation of voids to perform molding. Then, a multilayer copper clad laminate is obtained.
【0066】上述の多層銅張積層板を用いて、たとえ
ば、所望の半導体装置を製造する工程での多層銅張積層
板の切断工程の際に、基板100の切断面が繊維方向に
対してバイアス方向であり、繊維110が確実に切断さ
れるために、繊維クズの発生を抑えることができる。ま
た、上述した多層銅張積層板を製造する際に、基板10
0の積層間に繊維クズの混在を抑えることができ、多層
銅張積層板の製品の歩留りが向上する。Using the above-mentioned multilayer copper-clad laminate, for example, in the step of cutting the multilayer copper-clad laminate in the process of manufacturing a desired semiconductor device, the cut surface of the substrate 100 is biased in the fiber direction. Since the fiber 110 is reliably cut, the generation of fiber scraps can be suppressed. Further, when manufacturing the above-mentioned multilayer copper clad laminate, the substrate 10
It is possible to suppress the mixing of fiber scraps between the laminated layers of 0, and the product yield of the multilayer copper-clad laminated board is improved.
【0067】図6は、上述の基板100を用いた一例の
リードフレームを示す図である。上述の基板100を、
たとえば、図6に示すように、中央部付近にスリット4
0を形成し、リードフレーム300として用いてもよ
い。FIG. 6 is a diagram showing an example of a lead frame using the substrate 100 described above. The above-mentioned substrate 100 is
For example, as shown in FIG. 6, a slit 4 is formed near the center.
0 may be formed and used as the lead frame 300.
【0068】上述した本実施の形態の基板100を用い
て、リードフレーム300を形成した場合には、リード
レーム300に不図示の半導体チップを搭載して封止樹
脂で封止して、個々の半導体装置に切り分ける際に、基
板100の切断面が繊維方向に対してバイアス方向であ
り、繊維110が確実に切断されるために、繊維クズの
発生を抑えることができる。When the lead frame 300 is formed by using the above-described substrate 100 of the present embodiment, a semiconductor chip (not shown) is mounted on the lead frame 300, and the lead frame 300 is sealed with a sealing resin. When cutting into semiconductor devices, the cut surface of the substrate 100 is in the bias direction with respect to the fiber direction, and the fibers 110 are reliably cut, so that generation of fiber scraps can be suppressed.
【0069】なお、本発明は本実施の形態に限られるも
のではなく、任意好適な種々の改変が可能である。たと
えば、本実施の形態では、繊維110を織り込んだ形態
で基板100を形成したが、この形態に限られるもので
はない。たとえば、繊維110は、織り込まなくてもよ
いし、1方向の繊維の方向だけを有してもよいし、複数
の繊維の方向を有してもよい。The present invention is not limited to this embodiment, and various suitable modifications can be made. For example, in the present embodiment, the substrate 100 is formed in a form in which the fibers 110 are woven, but the present invention is not limited to this form. For example, the fibers 110 may not be woven, may have only one fiber direction, or may have multiple fiber directions.
【0070】また、本実施の形態では、繊維110は、
Eガラスを用いて繊維を形成したが、この形態に限られ
るものではない。たとえば、Qガラス、Dガラス、Sガ
ラス等でもよいし、ポリエステルや、他の有機の繊維や
無機の繊維を用いてもよい。Further, in this embodiment, the fiber 110 is
The fibers were formed using E glass, but the form is not limited to this. For example, Q glass, D glass, S glass or the like may be used, or polyester, other organic fiber or inorganic fiber may be used.
【0071】また、本実施の形態では、基板100を、
実装基板や、多層銅箔積層板に用いたが、この形態に限
られるものではない。たとえば、多層接着用のプリプレ
グとして用いてもよいし、他の用途に用いてもよい。In this embodiment, the substrate 100 is
Although it is used for the mounting substrate and the multilayer copper foil laminated plate, the present invention is not limited to this form. For example, it may be used as a prepreg for multilayer adhesion, or may be used for other purposes.
【0072】[0072]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
せん断等で切断しても、繊維クズの発生を抑えることが
できる基板を実現することができる。As described above, according to the present invention,
It is possible to realize a substrate that can suppress the generation of fiber scraps even when cut by shearing or the like.
【図1】本発明の実施の形態に係る基板の断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of a substrate according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のC−C’線に沿ってせん断した際の繊維
の拡大図でるある。FIG. 2 is an enlarged view of a fiber when sheared along the line CC ′ of FIG.
【図3】従来の繊維構造を有する母材から本発明の実施
の形態に係る基板を形成することを説明するための図で
ある。FIG. 3 is a diagram for explaining forming a substrate according to an embodiment of the present invention from a base material having a conventional fiber structure.
【図4】バイアス構造を有する母材から本発明の実施の
形態に係る基板を形成することを説明するための図であ
る。FIG. 4 is a diagram for explaining forming a substrate according to an embodiment of the present invention from a base material having a bias structure.
【図5】本発明に係る一実施の形態の基板を積層して多
層銅張積層板の形成を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining formation of a multilayer copper-clad laminate by laminating substrates according to an embodiment of the present invention.
【図6】本発明に係る実施の形態の基板を用いた一例の
リードフレームを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of a lead frame using the substrate according to the embodiment of the present invention.
【図7】図7(a)は従来の基板の構造の一例を示す上
面図であり、図7(b)は図7(a)のA−A’線の断
面を拡大した図である。7 (a) is a top view showing an example of a structure of a conventional substrate, and FIG. 7 (b) is an enlarged view of a cross section taken along the line AA ′ of FIG. 7 (a).
【図8】本実施の形態の基板に半導体パッケージを搭載
した半導体装置の上面図である。FIG. 8 is a top view of a semiconductor device in which a semiconductor package is mounted on the substrate of the present embodiment.
【図9】図8の半導体装置のせん断加工方法を説明する
ため図である。9A and 9B are views for explaining a shearing method of the semiconductor device in FIG.
【図10】図9のせん断された基板の切断部を拡大した
図である。FIG. 10 is an enlarged view of a cut portion of the sheared substrate of FIG.
【図11】図10の切断面に略垂直な繊維のせん断を説
明するための図である。11 is a diagram for explaining shearing of fibers substantially perpendicular to the cut surface of FIG.
【図12】図10の切断面に略平行な繊維のせん断を説
明するための図である。12 is a diagram for explaining shearing of fibers substantially parallel to the cut surface of FIG.
10…半導体パッケージ、20…ダイ、21…パンチガ
イド、22…パンチ、30…繊維屑、40…スリット、
100,100’…基板、101…銅張積層板、110
…繊維、111…縦糸、112…横糸、120…樹脂、
130…銅箔、200…母材、300…半導体装置。10 ... Semiconductor package, 20 ... Die, 21 ... Punch guide, 22 ... Punch, 30 ... Textile waste, 40 ... Slit,
100, 100 '... Substrate, 101 ... Copper clad laminate, 110
... fiber, 111 ... warp thread, 112 ... weft thread, 120 ... resin,
130 ... Copper foil, 200 ... Base material, 300 ... Semiconductor device.
Claims (6)
れた基板であって、 前記繊維は、周縁部に対してバイアス方向となるように
配列されている基板。1. A substrate formed of a resin containing fibers for reinforcement, wherein the fibers are arranged in a bias direction with respect to a peripheral portion.
記載の基板。2. The substrate according to claim 1, wherein the fibers are glass fibers.
に対して第1の方向に形成されている複数の第1の繊維
群と、繊維方向が当該第1の繊維群と所定の角度をもっ
て交差するように第2の方向に形成されている第2の繊
維群とを含む請求項1に記載の基板。3. The plurality of first fiber groups, each of which has a fiber direction formed in a first direction with respect to a peripheral portion of the substrate, and a predetermined fiber direction with respect to the first fiber group. The substrate according to claim 1, further comprising a second fiber group formed in a second direction so as to intersect at an angle.
れ、前記繊維が周縁部に対して、バイアス方向になるよ
うに配列された主基板の一部を、前記繊維と所定角度を
もって交わるような方向でせん断して形成されている基
板。4. A part of a main substrate, which is formed of a resin containing fibers for reinforcement and arranged so that the fibers are in a bias direction with respect to a peripheral portion, intersects the fibers at a predetermined angle. A substrate formed by shearing in various directions.
記載の基板。5. The substrate according to claim 4, wherein the fibers are glass fibers.
に対して第1の方向に形成されている複数の第1の繊維
群と、繊維方向が当該第1の繊維群と所定の角度をもっ
て交差するように第2の方向に形成されている第2の繊
維群とを含む請求項4に記載の基板。6. The fiber includes a plurality of first fiber groups whose fiber direction is formed in a first direction with respect to a peripheral portion of the substrate, and a predetermined fiber direction with the first fiber group. The substrate according to claim 4, further comprising a second fiber group formed in a second direction so as to intersect at an angle.
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2001
- 2001-07-19 JP JP2001220428A patent/JP2003031912A/en active Pending
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