JP2003015750A - 低静止電流増幅器のための動的入力段バイアス - Google Patents
低静止電流増幅器のための動的入力段バイアスInfo
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- Power Engineering (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低静止電流増幅器のための動的入力段バイア
スを提供する 【解決手段】 動的入力段バイアスを有して、レギュレ
ータ回路や他のアプリケーションに用いる増幅器は、増
幅器の入力に作動的に結合する入力段を含んでいる。入
力段に結合された被制御電流源は、被制御電流源で生成
された入力バイアス電流を少なくとも部分的に制御する
制御信号に対応している。増幅器は、被制御電流源と増
幅器の出力との間にフィードバック構成で作動的に接続
された検知回路を更に含んでいる。検知回路は、増幅器
の出力負荷電流を測定し、それに応答して制御信号を生
成し、そこで、入力バイアス電流は増幅器の出力負荷電
流の関数になる。このように、増幅器に付随する寄生極
は、特に低出力負荷電流レベルで、低静止電流を放散し
ながら優れた増幅器の安定性を呈するように、周波数に
おいて押し出される。
スを提供する 【解決手段】 動的入力段バイアスを有して、レギュレ
ータ回路や他のアプリケーションに用いる増幅器は、増
幅器の入力に作動的に結合する入力段を含んでいる。入
力段に結合された被制御電流源は、被制御電流源で生成
された入力バイアス電流を少なくとも部分的に制御する
制御信号に対応している。増幅器は、被制御電流源と増
幅器の出力との間にフィードバック構成で作動的に接続
された検知回路を更に含んでいる。検知回路は、増幅器
の出力負荷電流を測定し、それに応答して制御信号を生
成し、そこで、入力バイアス電流は増幅器の出力負荷電
流の関数になる。このように、増幅器に付随する寄生極
は、特に低出力負荷電流レベルで、低静止電流を放散し
ながら優れた増幅器の安定性を呈するように、周波数に
おいて押し出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レギュレータ回路
と他のアプリケーションとに用いる増幅器回路に一般的
に関し、特に、最小静止電流動作のための動的入力段バ
イアスを有する増幅器に関する。
と他のアプリケーションとに用いる増幅器回路に一般的
に関し、特に、最小静止電流動作のための動的入力段バ
イアスを有する増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】不適切に規定され、しばしば変動する入
力電圧又は電流から、指定された一定の出力電圧または
電流を呈するレギュレータ回路が、よく知られている。
電源電圧の調整と制御は、特に変化する負荷条件のもと
で、任意の電子システム・デザインのなかで最も基本的
で重要な規定のおそらく一つと思われる。このために、
モノリシック電圧レギュレータ又は電力制御回路が、任
意のアナログ又はデジタル・システムの本質的な構成ブ
ロックに含まれると考えられる。
力電圧又は電流から、指定された一定の出力電圧または
電流を呈するレギュレータ回路が、よく知られている。
電源電圧の調整と制御は、特に変化する負荷条件のもと
で、任意の電子システム・デザインのなかで最も基本的
で重要な規定のおそらく一つと思われる。このために、
モノリシック電圧レギュレータ又は電力制御回路が、任
意のアナログ又はデジタル・システムの本質的な構成ブ
ロックに含まれると考えられる。
【０００３】図１は、従来のリニア直列レギュレータ回
路１００を示す単純ブロック図である。図１を参照する
と、基本直列レギュレータは、３つの一次サブ回路、す
なわち、基準電圧ゼネレータ１０２と誤差増幅器１０４
とパス要素１０６とから成るフィードバック回路であ
る。基準電圧ゼネレータ１０２は、基準電圧ゼネレータ
が接続する未調整の電圧ＶＩＮと温度変動の両方に実質
的に依存しない、基準電圧ＶＲを形成する。誤差増幅器
１０４は、レギュレータの調整された出力電圧Ｖ Ｏの縮
尺版を示す測定電圧ＶＳと基準電圧ＶＲとを比較する。
この縮尺電圧ＶＳは、例えば、出力ＶＯと直列に接続し
た抵抗Ｒ１とＲ２とから成る単純なタップ付き抵抗分割
器から一般的に導かれる。誤差増幅器１０４は、パス要
素１０６における電圧降下を調整するパス要素１０６に
結合するノード１０８で誤差出力信号を生成するので、
縮尺電圧ＶＳ が基準電圧ＶＲとほぼ実質的に等しく維
持される。基本的なレギュレータ回路についての詳細
は、例えば、テキストＡ．Ｂ．Ｇｒｅｂｅｎｅ、Ｂｉｐ
ｌｏａｒとＭＯＳアナログ集積回路デザイン、Ｊｏｈｎ
ＷｉｌｅｙとＳｏｎｓ、ｐｐ４８１−５１４（１９８
４）に記載されていて、それは、ここで引例によって包
含されている。
路１００を示す単純ブロック図である。図１を参照する
と、基本直列レギュレータは、３つの一次サブ回路、す
なわち、基準電圧ゼネレータ１０２と誤差増幅器１０４
とパス要素１０６とから成るフィードバック回路であ
る。基準電圧ゼネレータ１０２は、基準電圧ゼネレータ
が接続する未調整の電圧ＶＩＮと温度変動の両方に実質
的に依存しない、基準電圧ＶＲを形成する。誤差増幅器
１０４は、レギュレータの調整された出力電圧Ｖ Ｏの縮
尺版を示す測定電圧ＶＳと基準電圧ＶＲとを比較する。
この縮尺電圧ＶＳは、例えば、出力ＶＯと直列に接続し
た抵抗Ｒ１とＲ２とから成る単純なタップ付き抵抗分割
器から一般的に導かれる。誤差増幅器１０４は、パス要
素１０６における電圧降下を調整するパス要素１０６に
結合するノード１０８で誤差出力信号を生成するので、
縮尺電圧ＶＳ が基準電圧ＶＲとほぼ実質的に等しく維
持される。基本的なレギュレータ回路についての詳細
は、例えば、テキストＡ．Ｂ．Ｇｒｅｂｅｎｅ、Ｂｉｐ
ｌｏａｒとＭＯＳアナログ集積回路デザイン、Ｊｏｈｎ
ＷｉｌｅｙとＳｏｎｓ、ｐｐ４８１−５１４（１９８
４）に記載されていて、それは、ここで引例によって包
含されている。
【０００４】多くの従来のレギュレータの事例では、大
電流ｐ−チャンネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トラ
ンジスタ・デバイス（図示せず）が、直列パス要素１０
６として採用されている。ＰＭＯＳデバイスのゲート端
子は、本例では、誤差増幅器の出力に結合し、ＰＭＯＳ
デバイスのソース端が未調整の入力ＶＩＮに結合し、Ｐ
ＭＯＳデバイスのドレイン端子が調整された出力ノード
ＶＯを形作っている。ＰＭＯＳデバイスの抵抗、すなわ
ち、デバイスの電圧降下は、前述のように出力電圧ＶＯ
を調整するために、誤差増幅器１０４が生成した誤差出
力信号で制御される。
電流ｐ−チャンネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トラ
ンジスタ・デバイス（図示せず）が、直列パス要素１０
６として採用されている。ＰＭＯＳデバイスのゲート端
子は、本例では、誤差増幅器の出力に結合し、ＰＭＯＳ
デバイスのソース端が未調整の入力ＶＩＮに結合し、Ｐ
ＭＯＳデバイスのドレイン端子が調整された出力ノード
ＶＯを形作っている。ＰＭＯＳデバイスの抵抗、すなわ
ち、デバイスの電圧降下は、前述のように出力電圧ＶＯ
を調整するために、誤差増幅器１０４が生成した誤差出
力信号で制御される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】超低出力電流レベルの
場合、フィードバック回路のループ帯域幅は、一般的に
１マイクロファラッド（１μＦ）の単位である、大きな
外部静電容量ＣＢＹＰ（及び等価直列抵抗ＲＥＳＲ）
と、レギュレータの実効出力抵抗ＲＯとから主として決
まる。ＣＢＹＰとＲＯとの組合わせは、数ヘルツ以下の
範囲で３ｄＢのロールオフを生じる極（ｐｏｌｅ）が形
成される結果になる。高周波における利得の最終的な急
激なロールオフは、例えば、脈動の抑制（これは、レギ
ュレータの入力で整流された交流電圧信号の周期的な変
動を抑えるためのレギュレータの性能の尺度である）の
ように、レギュレータの或る特性を大きく劣化させるこ
とになる。
場合、フィードバック回路のループ帯域幅は、一般的に
１マイクロファラッド（１μＦ）の単位である、大きな
外部静電容量ＣＢＹＰ（及び等価直列抵抗ＲＥＳＲ）
と、レギュレータの実効出力抵抗ＲＯとから主として決
まる。ＣＢＹＰとＲＯとの組合わせは、数ヘルツ以下の
範囲で３ｄＢのロールオフを生じる極（ｐｏｌｅ）が形
成される結果になる。高周波における利得の最終的な急
激なロールオフは、例えば、脈動の抑制（これは、レギ
ュレータの入力で整流された交流電圧信号の周期的な変
動を抑えるためのレギュレータの性能の尺度である）の
ように、レギュレータの或る特性を大きく劣化させるこ
とになる。
【０００６】例えば、セルラー電話で一般的に見受けら
れる電圧制御発振器（ＶＣＯｓ）や無線周波（ＲＦ）回
路のような敏感な集積回路の応用事例の場合、増幅器ベ
ースのリニア・レギュレータは、５又は６次の大きさで
変動する出力電流を供給しながら、調整された出力電圧
を効率的に提供しなければならない。このような応用事
例における基本的な目的は、この広い動的負荷電流の範
囲の全体にわたって安定した高速のレギュレータの特性
を提供することにある。更に、負荷電流が僅かに又は全
く流れない時に、最小限の静止電流を放散しながら、こ
のような安定した応答性を提供することが望まれる。
れる電圧制御発振器（ＶＣＯｓ）や無線周波（ＲＦ）回
路のような敏感な集積回路の応用事例の場合、増幅器ベ
ースのリニア・レギュレータは、５又は６次の大きさで
変動する出力電流を供給しながら、調整された出力電圧
を効率的に提供しなければならない。このような応用事
例における基本的な目的は、この広い動的負荷電流の範
囲の全体にわたって安定した高速のレギュレータの特性
を提供することにある。更に、負荷電流が僅かに又は全
く流れない時に、最小限の静止電流を放散しながら、こ
のような安定した応答性を提供することが望まれる。
【０００７】種々の技術と回路構成が、例えば、誤差増
幅器の出力段における動的なソース／エミッタのバイア
スを含めて、出力コンデンサＣＢＹＰに付随する等価直
列抵抗（ＲＥＳＲ）と出力コンデンサのサイズに対して
厳しい制限を要求し、直流と交流の信号パスを処理する
ために調整／帰還パスに多重増幅器を設け、安定性と動
的応答性とを改善するために帰還増幅器の静止電流を増
加することによって、前述の問題を解決するために用い
られている。前述の問題を解決する従来の手法は、しか
し、更なる静止電流、高コストの構成要素、又は更なる
シリコン領域あるいはその全てを一般的に必要とするの
で、結果として不十分な特性になる。
幅器の出力段における動的なソース／エミッタのバイア
スを含めて、出力コンデンサＣＢＹＰに付随する等価直
列抵抗（ＲＥＳＲ）と出力コンデンサのサイズに対して
厳しい制限を要求し、直流と交流の信号パスを処理する
ために調整／帰還パスに多重増幅器を設け、安定性と動
的応答性とを改善するために帰還増幅器の静止電流を増
加することによって、前述の問題を解決するために用い
られている。前述の問題を解決する従来の手法は、しか
し、更なる静止電流、高コストの構成要素、又は更なる
シリコン領域あるいはその全てを一般的に必要とするの
で、結果として不十分な特性になる。
【０００８】従って、低出力電流動作中に最小静止電流
を放散しながら、負荷の静電容量と負荷電流の全範囲に
わたって優れた安定性と動的応答性とを提供できる、レ
ギュレータ回路と他のアプリケーションとに用いるため
の増幅器回路の必要性が存在する。
を放散しながら、負荷の静電容量と負荷電流の全範囲に
わたって優れた安定性と動的応答性とを提供できる、レ
ギュレータ回路と他のアプリケーションとに用いるため
の増幅器回路の必要性が存在する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、負荷電流と負
荷静電容量値の広い範囲にわたって改善された安定性と
動的応答性とを提供しながら、低出力電流動作で最小限
の静止電流を放散する、レギュレータ回路や他のアプリ
ケーションに用いる、増幅器を提供する。本発明は動的
入力段バイアス構造を採用し、入力段バイアス電流が出
力負荷電流の関数として作動的に制御されるので、負荷
電流の増加に伴って、増幅器の帯域幅も広がる。このよ
うに、増幅器に付随する寄生極は、増幅器の出力インピ
ーダンスと出力バイアス静電容量とによって形成された
主要極が負荷電流に応じて増加すると、特に低出力負荷
電流レベルで、増幅器の安定性を損ねないように、周波
数においてプッシュアウトされる。
荷静電容量値の広い範囲にわたって改善された安定性と
動的応答性とを提供しながら、低出力電流動作で最小限
の静止電流を放散する、レギュレータ回路や他のアプリ
ケーションに用いる、増幅器を提供する。本発明は動的
入力段バイアス構造を採用し、入力段バイアス電流が出
力負荷電流の関数として作動的に制御されるので、負荷
電流の増加に伴って、増幅器の帯域幅も広がる。このよ
うに、増幅器に付随する寄生極は、増幅器の出力インピ
ーダンスと出力バイアス静電容量とによって形成された
主要極が負荷電流に応じて増加すると、特に低出力負荷
電流レベルで、増幅器の安定性を損ねないように、周波
数においてプッシュアウトされる。
【００１０】本発明のある見解に基づいて、動的入力段
バイアスを有する増幅器は、増幅器の入力に作動的に結
合する入力段を含んでいる。被制御電流源が、入力段に
結合され、被制御電流源で生成された入力バイアス電流
を少なくとも部分的に制御する制御信号に対応してい
る。増幅器は、被制御電流源と増幅器の出力との間にフ
ィードバック構成で作動的に接続された検知回路を更に
含んでいる。検知回路は、増幅器の出力負荷電流を測定
し、それに応答して制御信号を生成する。このように、
入力バイアス電流だけでなく増幅器の帯域幅も、増幅器
の出力負荷電流の関数になる。
バイアスを有する増幅器は、増幅器の入力に作動的に結
合する入力段を含んでいる。被制御電流源が、入力段に
結合され、被制御電流源で生成された入力バイアス電流
を少なくとも部分的に制御する制御信号に対応してい
る。増幅器は、被制御電流源と増幅器の出力との間にフ
ィードバック構成で作動的に接続された検知回路を更に
含んでいる。検知回路は、増幅器の出力負荷電流を測定
し、それに応答して制御信号を生成する。このように、
入力バイアス電流だけでなく増幅器の帯域幅も、増幅器
の出力負荷電流の関数になる。
【００１１】本発明のこれらの及び他の特徴と長所は、
添付の図面を参照しながら、本発明の図示する実施例に
関する次の詳細な説明から明らかになると思われる。
添付の図面を参照しながら、本発明の図示する実施例に
関する次の詳細な説明から明らかになると思われる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、図示する直列レギュレ
ータ回路に関連して述べる。しかし、本発明は、この又
は任意の特定のレギュレータ回路に限定されないことに
注意すべきである。むしろ、本発明は、負荷電流と負荷
容量値の広い範囲にわたって回路の安定性と動的応答性
とを維持しながら、低静止電流動作が望まれる、任意の
増幅器回路に全体的に適用できる。更に、本発明の事例
では相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを用
いて述べているが、本発明はこのようなデバイスに限定
されず、例えば、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪ
Ｔ）デバイスのような他の適切なデバイスを、当業者が
認めるように、回路に対する変更の有無にかかわらず同
様に採用できることも分かる。更に、当業者は、本発明
が示すものと逆の極性をもつデバイスを用いて同様に構
成できることも認めるものと考える。
ータ回路に関連して述べる。しかし、本発明は、この又
は任意の特定のレギュレータ回路に限定されないことに
注意すべきである。むしろ、本発明は、負荷電流と負荷
容量値の広い範囲にわたって回路の安定性と動的応答性
とを維持しながら、低静止電流動作が望まれる、任意の
増幅器回路に全体的に適用できる。更に、本発明の事例
では相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを用
いて述べているが、本発明はこのようなデバイスに限定
されず、例えば、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪ
Ｔ）デバイスのような他の適切なデバイスを、当業者が
認めるように、回路に対する変更の有無にかかわらず同
様に採用できることも分かる。更に、当業者は、本発明
が示すものと逆の極性をもつデバイスを用いて同様に構
成できることも認めるものと考える。
【００１３】全体性を損ねずに、図２は、本発明の一つ
の見解に基づく動的回路段バイアスを採用する直列レギ
ュレータ回路２００を示す。図のレギュレータ回路２０
０は、誤差増幅器２０２と、電流検知回路２０４と、Ｐ
ＭＯＳトランジスタ・デバイス２０６として構成したパ
ス要素とを含んでいる。パス・トランジスタ２０６は、
そのソース端子（Ｓ）が未調整の入力ＶＩＮに結合し、
ドレイン端子（Ｄ）がレギュレータ回路２００の調整さ
れた出力ＶＯを形作るように接続している。タップ付き
電圧分割器は、例えば、直列で接続する２つ以上の抵抗
Ｒ１とＲ２から構成して、パス・トランジスタ２０６の
ドレイン端子と回路グランドとの間に結合して、出力Ｖ
Ｏの所定の部分を測定するほかに、トランジスタ２０６
の電流シンク・パスを呈する（例えば、負荷又はプルダ
ウン）ために使用できる。代わりに、当業者が周知のよ
うに、電圧分割器の１つ又は複数の抵抗の代わりに或い
はそれに加えて、１つ又は複数の動的デバイス（例え
ば、適切な静止点にバイアスされたトランジスタ）を用
いて構成できる。外部レギュレータは、レギュレータ回
路の出力ＶＯと平行して互いに結合した負荷抵抗Ｒ
ＬＯＡＤと負荷コンデンサＣＢＹＰ（それに付随する等
価直列抵抗ＲＥＳＲを有する）として表現できる。負荷
抵抗ＲＬＯＡＤは、レギュレータ回路が供給することを
要求される広範囲の出力負荷電流を呈するために、可変
抵抗要素として図示されている。
の見解に基づく動的回路段バイアスを採用する直列レギ
ュレータ回路２００を示す。図のレギュレータ回路２０
０は、誤差増幅器２０２と、電流検知回路２０４と、Ｐ
ＭＯＳトランジスタ・デバイス２０６として構成したパ
ス要素とを含んでいる。パス・トランジスタ２０６は、
そのソース端子（Ｓ）が未調整の入力ＶＩＮに結合し、
ドレイン端子（Ｄ）がレギュレータ回路２００の調整さ
れた出力ＶＯを形作るように接続している。タップ付き
電圧分割器は、例えば、直列で接続する２つ以上の抵抗
Ｒ１とＲ２から構成して、パス・トランジスタ２０６の
ドレイン端子と回路グランドとの間に結合して、出力Ｖ
Ｏの所定の部分を測定するほかに、トランジスタ２０６
の電流シンク・パスを呈する（例えば、負荷又はプルダ
ウン）ために使用できる。代わりに、当業者が周知のよ
うに、電圧分割器の１つ又は複数の抵抗の代わりに或い
はそれに加えて、１つ又は複数の動的デバイス（例え
ば、適切な静止点にバイアスされたトランジスタ）を用
いて構成できる。外部レギュレータは、レギュレータ回
路の出力ＶＯと平行して互いに結合した負荷抵抗Ｒ
ＬＯＡＤと負荷コンデンサＣＢＹＰ（それに付随する等
価直列抵抗ＲＥＳＲを有する）として表現できる。負荷
抵抗ＲＬＯＡＤは、レギュレータ回路が供給することを
要求される広範囲の出力負荷電流を呈するために、可変
抵抗要素として図示されている。
【００１４】誤差増幅器２０２は、例えば、非反転又は
陽性入力（＋）と、反転又は負性入力（−）と、ノード
２１４のパス・トランジスタ２０６のゲート端子（Ｇ）
に結合した出力とを有する演算増幅器のような、好都合
な差動増幅器である誤差増幅器２０２は、ノード２１０
の誤差増幅器の反転入力に結合する測定電圧ＶＭ（例え
ば、電圧分割器の抵抗Ｒ２に生じる）と、誤差増幅器の
非反転入力に結合する基準電圧ＶＲＥＦ（例えば、未調
整の電源から理想的に無関係である電源２０８によって
生成）とを好都合に比較して、誤差増幅器の出力に補正
誤差信号を生成する。実効インピーダンス、すなわち、
パス・デバイス２０６の電圧降下は、誤差増幅器２０２
からの補正誤差信号で修正されるので、レギュレータ回
路の出力ＶＯが入力電圧ＶＩＮにかかわらず実質的に一
定の所定の電圧に保たれる。測定電圧ＶＭは、前述のよ
うに、直列抵抗Ｒ１とＲ２を含んでいる抵抗分割器によ
って調整された出力ＶＯから導かれる。このように、帰
還ループが誤差増幅器の周囲に形作られる。誤差増幅器
２０２に対する入力接続が逆になり、その場合、パス・
トランジスタ２０６の極性も同様に逆転し（例えば、Ｎ
ＭＯＳデバイス）、トランジスタをフォロア構成に用い
ると、当業者が周知のように、陽性の帰還条件の生成を
回避できる。
陽性入力（＋）と、反転又は負性入力（−）と、ノード
２１４のパス・トランジスタ２０６のゲート端子（Ｇ）
に結合した出力とを有する演算増幅器のような、好都合
な差動増幅器である誤差増幅器２０２は、ノード２１０
の誤差増幅器の反転入力に結合する測定電圧ＶＭ（例え
ば、電圧分割器の抵抗Ｒ２に生じる）と、誤差増幅器の
非反転入力に結合する基準電圧ＶＲＥＦ（例えば、未調
整の電源から理想的に無関係である電源２０８によって
生成）とを好都合に比較して、誤差増幅器の出力に補正
誤差信号を生成する。実効インピーダンス、すなわち、
パス・デバイス２０６の電圧降下は、誤差増幅器２０２
からの補正誤差信号で修正されるので、レギュレータ回
路の出力ＶＯが入力電圧ＶＩＮにかかわらず実質的に一
定の所定の電圧に保たれる。測定電圧ＶＭは、前述のよ
うに、直列抵抗Ｒ１とＲ２を含んでいる抵抗分割器によ
って調整された出力ＶＯから導かれる。このように、帰
還ループが誤差増幅器の周囲に形作られる。誤差増幅器
２０２に対する入力接続が逆になり、その場合、パス・
トランジスタ２０６の極性も同様に逆転し（例えば、Ｎ
ＭＯＳデバイス）、トランジスタをフォロア構成に用い
ると、当業者が周知のように、陽性の帰還条件の生成を
回避できる。
【００１５】誤差増幅器２０２は、例えば、ライン２１
２を経由して少なくとも一つの制御信号を受信し、それ
に応答して誤差増幅器の入力バイアス電流を作動的に制
御する、少なくとも一つのバイアス制御入力を更に含ん
でいる。本発明に基づいて形成した誤差増幅器の詳細に
ついて、図３と４とを参照して次に述べる。
２を経由して少なくとも一つの制御信号を受信し、それ
に応答して誤差増幅器の入力バイアス電流を作動的に制
御する、少なくとも一つのバイアス制御入力を更に含ん
でいる。本発明に基づいて形成した誤差増幅器の詳細に
ついて、図３と４とを参照して次に述べる。
【００１６】引き続き図２を参照すると、電流検知回路
２０４は、誤差増幅器２０２の出力２１４に作動的に結
合している。電流検知回路２０４は、誤差増幅器２０２
が生成する出力電圧又は電流をモニタし、それに応答し
てライン２１２上に制御信号を生成する。電流検知回路
２０４が生成した制御信号は、誤差増幅器が生成する検
知出力電圧又は電流に好都合に比例して、誤差増幅器の
入力段バイアス電流を動的に制御する誤差増幅器２０２
のバイアス制御入力に好都合にフィードバックされる。
制御信号２１２は、誤差増幅器が生成した出力電流の所
定部分の形状になる。本例では、誤差増幅器２０２出力
負荷電流が増加するにつれて、誤差増幅器にフィードバ
ックする電流の量も比例して増加する。
２０４は、誤差増幅器２０２の出力２１４に作動的に結
合している。電流検知回路２０４は、誤差増幅器２０２
が生成する出力電圧又は電流をモニタし、それに応答し
てライン２１２上に制御信号を生成する。電流検知回路
２０４が生成した制御信号は、誤差増幅器が生成する検
知出力電圧又は電流に好都合に比例して、誤差増幅器の
入力段バイアス電流を動的に制御する誤差増幅器２０２
のバイアス制御入力に好都合にフィードバックされる。
制御信号２１２は、誤差増幅器が生成した出力電流の所
定部分の形状になる。本例では、誤差増幅器２０２出力
負荷電流が増加するにつれて、誤差増幅器にフィードバ
ックする電流の量も比例して増加する。
【００１７】例だけでも、電流検知回路２０４の制御信
号２１２は、レギュレータ回路の出力負荷電流の関数で
ある、誤差増幅器の入力段のための入力バイアス電流を
生成するように、誤差増幅器２０２のバイアス・ゼネレ
ータ（図示せず）が生成する電流と合体される。このよ
うに、負荷電流が増加すると、誤差増幅器の入力段にフ
ィードバックする電流量も増加するので、僅かの又は全
く出力電流が流れ込まない時にレギュレータ回路２００
の低静止電流を維持しながら、出力負荷電流が増加す
る、誤差増幅器の入力段の帯域幅を広げる、動的入力段
バイアスを提供できる。この新規の入力段バイアス構造
が、特に低い出力負荷電流レベルで優れた安定性を提供
する。当業者には自明のように、他の適切な電圧依存性
の又は電流依存性の電流源構造が、前述の原理に基づい
て本発明を用いて同様に採用できる。
号２１２は、レギュレータ回路の出力負荷電流の関数で
ある、誤差増幅器の入力段のための入力バイアス電流を
生成するように、誤差増幅器２０２のバイアス・ゼネレ
ータ（図示せず）が生成する電流と合体される。このよ
うに、負荷電流が増加すると、誤差増幅器の入力段にフ
ィードバックする電流量も増加するので、僅かの又は全
く出力電流が流れ込まない時にレギュレータ回路２００
の低静止電流を維持しながら、出力負荷電流が増加す
る、誤差増幅器の入力段の帯域幅を広げる、動的入力段
バイアスを提供できる。この新規の入力段バイアス構造
が、特に低い出力負荷電流レベルで優れた安定性を提供
する。当業者には自明のように、他の適切な電圧依存性
の又は電流依存性の電流源構造が、前述の原理に基づい
て本発明を用いて同様に採用できる。
【００１８】レギュレータ回路２００の実効帯域幅が増
加すると、誤差増幅器２０２を含んで用いるトランジス
タ・デバイスに付随する小信号相互コンダクタンス（例
えば、ｇｍとｇｏ）が大きく増加し、出力負荷電流も増
加する。従って、トランジスタ・デバイスの寄生静電容
量が増加すると負荷電流も増加し、負荷静電容量の値は
本質的に一定の状態を保つので、誤差増幅器の寄生極
は、レギュレータ回路の全体的なループ安定性を決定す
る際に更に大きな影響を及ぼすことになる。そのうえ、
レギュレータ回路の出力インピーダンスが減少すると出
力負荷電流が増加するので、レギュレータの出力インピ
ーダンスと出力静電容量によって形成された極は、周波
数において更に押し出される。従って、この極は、もう
レギュレータ回路の他の寄生極に対して大きな極になる
と考えることができない。
加すると、誤差増幅器２０２を含んで用いるトランジス
タ・デバイスに付随する小信号相互コンダクタンス（例
えば、ｇｍとｇｏ）が大きく増加し、出力負荷電流も増
加する。従って、トランジスタ・デバイスの寄生静電容
量が増加すると負荷電流も増加し、負荷静電容量の値は
本質的に一定の状態を保つので、誤差増幅器の寄生極
は、レギュレータ回路の全体的なループ安定性を決定す
る際に更に大きな影響を及ぼすことになる。そのうえ、
レギュレータ回路の出力インピーダンスが減少すると出
力負荷電流が増加するので、レギュレータの出力インピ
ーダンスと出力静電容量によって形成された極は、周波
数において更に押し出される。従って、この極は、もう
レギュレータ回路の他の寄生極に対して大きな極になる
と考えることができない。
【００１９】ここで図３を見ると、図の誤差増幅器２０
２の詳細が本発明に基づいて図示されている。本実施例
の誤差増幅器２０２は、２つのＮＭＯＳトランジスタ・
デバイス３０４と３０６とから成る第一の又は入力差動
段を含めた差動増幅器（例えば、演算増幅器又はその適
切な代替物）として構成され、２つの各々がゲート
（Ｇ）とソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）端子を備えてい
る。２つのトランジスタ・デバイス３０４，３０６は、
ノード３１２のテール接続部又は共通源により異なる一
対の構成で互いに結合している。トランジスタ・デバイ
ス３０４、３０６のゲート端子は、各々、誤差増幅器２
０２の非反転と反転入力を形作っている。各々入力トラ
ンジスタ・デバイス３０４、３０６のドレイン端子は対
応する入力負荷３０８に結合している。当業者には自明
のように、入力負荷３０８は、例えば、ほぼ同じ値の一
対の抵抗として構成し、各々抵抗は、入力デバイス３０
４と３０６のなかで対応するもののドレイン端子に第一
の末端で接続し、第二の末端で陽性の電源（例えば、Ｖ
ＩＮ）に接続している。代わりに、入力負荷３０８は、
適切な静止動作点にバイアスされた一対の動的デバイス
（例えば、トランジスタ）を用いて構成できる。種々の
他の負荷回路構成が本発明により同様に実現できる。誤
差増幅器の入力段の出力３１６は、トランジスタ・デバ
イス３０６のドレイン端子と入力負荷３０８の対応する
端子との間の接合部で本実施例では形作られている。
２の詳細が本発明に基づいて図示されている。本実施例
の誤差増幅器２０２は、２つのＮＭＯＳトランジスタ・
デバイス３０４と３０６とから成る第一の又は入力差動
段を含めた差動増幅器（例えば、演算増幅器又はその適
切な代替物）として構成され、２つの各々がゲート
（Ｇ）とソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）端子を備えてい
る。２つのトランジスタ・デバイス３０４，３０６は、
ノード３１２のテール接続部又は共通源により異なる一
対の構成で互いに結合している。トランジスタ・デバイ
ス３０４、３０６のゲート端子は、各々、誤差増幅器２
０２の非反転と反転入力を形作っている。各々入力トラ
ンジスタ・デバイス３０４、３０６のドレイン端子は対
応する入力負荷３０８に結合している。当業者には自明
のように、入力負荷３０８は、例えば、ほぼ同じ値の一
対の抵抗として構成し、各々抵抗は、入力デバイス３０
４と３０６のなかで対応するもののドレイン端子に第一
の末端で接続し、第二の末端で陽性の電源（例えば、Ｖ
ＩＮ）に接続している。代わりに、入力負荷３０８は、
適切な静止動作点にバイアスされた一対の動的デバイス
（例えば、トランジスタ）を用いて構成できる。種々の
他の負荷回路構成が本発明により同様に実現できる。誤
差増幅器の入力段の出力３１６は、トランジスタ・デバ
イス３０６のドレイン端子と入力負荷３０８の対応する
端子との間の接合部で本実施例では形作られている。
【００２０】誤差増幅器２０２の入力段は、バイアス電
流ＩＢＩＡＳを入力段に送るために、テール・ノード３
１２に作動的に結合した被制御電流源３０２を更に含ん
でいる。被制御電流源３０２は、入力段を流れるバイア
ス電流ＩＢＩＡＳを選択的に制御する制御信号（例え
ば、制御電圧又は電流）に対応している。本発明での使
用に適した被制御電流源は、電圧制御電流源（ＶＣＣ
Ｓ）と電流制御電流源（ＣＣＳ）、例えば、電流差動増
幅器とを含んでいる。このような被制御電流源の詳細
は、例えば、ここで引例を用いて包含されている、Ｐ．
Ｅ．ＡｌｌｅｎとＤ．Ｒ．ＨｏｌｂｅｒｇのＣＭＯＳア
ナログ回路デザイン、Ｈｏｌｔ、ＲｉｎｅｈａｒｔとＷ
ｉｎｓｔｏｎ、ｐｐ３０８−３１３（１９８７）の文献
に記載されている。
流ＩＢＩＡＳを入力段に送るために、テール・ノード３
１２に作動的に結合した被制御電流源３０２を更に含ん
でいる。被制御電流源３０２は、入力段を流れるバイア
ス電流ＩＢＩＡＳを選択的に制御する制御信号（例え
ば、制御電圧又は電流）に対応している。本発明での使
用に適した被制御電流源は、電圧制御電流源（ＶＣＣ
Ｓ）と電流制御電流源（ＣＣＳ）、例えば、電流差動増
幅器とを含んでいる。このような被制御電流源の詳細
は、例えば、ここで引例を用いて包含されている、Ｐ．
Ｅ．ＡｌｌｅｎとＤ．Ｒ．ＨｏｌｂｅｒｇのＣＭＯＳア
ナログ回路デザイン、Ｈｏｌｔ、ＲｉｎｅｈａｒｔとＷ
ｉｎｓｔｏｎ、ｐｐ３０８−３１３（１９８７）の文献
に記載されている。
【００２１】本実施例の誤差増幅器２０２は入力段の出
力３１６に結合する第二の段３１０を更に備えている。
この第二の段３１０は、後に増幅器段が用いられないと
いう想定のもとで、出力段になる（図３に示す）。当業
者には自明のように、多くの異なる増幅器に固有の共通
特性として、それらは、低抵抗又は高静電容量負荷ある
いはその両方をドライブする時に好ましくない、高出力
インピーダンスを普通は有している。そこで、第二の段
３１０が導入され、このような外部条件又は後の増幅器
段から誤差増幅器２０２の入力段を隔離するので効果的
である。更に、第二の段３１０は、例えば、電圧又は電
流の形態で十分な出力パワーを呈する。第二の段３１０
は所定の利得を呈するように構成できる、又は、標準的
なバッファ回路と一致する単位利得を呈することができ
る。第二の段３１０は、必要に応じて、所定の値に誤差
増幅器の出力電圧を設定するレベル・シフト回路も含む
ことができる。第二の段３１０の出力は、このような段
が装備される場合に、前述のように、パス・トランジス
タ２０６のインピーダンスを変更するために誤差増幅器
２０２の全体的な入力２１４を形作る。
力３１６に結合する第二の段３１０を更に備えている。
この第二の段３１０は、後に増幅器段が用いられないと
いう想定のもとで、出力段になる（図３に示す）。当業
者には自明のように、多くの異なる増幅器に固有の共通
特性として、それらは、低抵抗又は高静電容量負荷ある
いはその両方をドライブする時に好ましくない、高出力
インピーダンスを普通は有している。そこで、第二の段
３１０が導入され、このような外部条件又は後の増幅器
段から誤差増幅器２０２の入力段を隔離するので効果的
である。更に、第二の段３１０は、例えば、電圧又は電
流の形態で十分な出力パワーを呈する。第二の段３１０
は所定の利得を呈するように構成できる、又は、標準的
なバッファ回路と一致する単位利得を呈することができ
る。第二の段３１０は、必要に応じて、所定の値に誤差
増幅器の出力電圧を設定するレベル・シフト回路も含む
ことができる。第二の段３１０の出力は、このような段
が装備される場合に、前述のように、パス・トランジス
タ２０６のインピーダンスを変更するために誤差増幅器
２０２の全体的な入力２１４を形作る。
【００２２】前述のように、実質的に一定の電圧Ｖ
ＲＥＦ（例えば、電源非依存性で且つ温度非依存性）を
生成する、基準電圧源２０８は、誤差増幅器２０２の非
反転入力に作動的に結合している。誤差増幅器の反転入
力は、レギュレータ回路３００の出力電圧ＶＯの所定の
部分に対応して、ノード２１０で測定電圧ＶＭに作動的
に結合している。測定電圧ＶＭの値は、単純な電圧分割
器の式を用いて、下記のように決定できる。
ＲＥＦ（例えば、電源非依存性で且つ温度非依存性）を
生成する、基準電圧源２０８は、誤差増幅器２０２の非
反転入力に作動的に結合している。誤差増幅器の反転入
力は、レギュレータ回路３００の出力電圧ＶＯの所定の
部分に対応して、ノード２１０で測定電圧ＶＭに作動的
に結合している。測定電圧ＶＭの値は、単純な電圧分割
器の式を用いて、下記のように決定できる。
【数１】
誤差増幅器２０２とパス・トランジスタ２０６とを具備
する帰還回路が基準電圧ＶＲＥＦと実質的に等しい測定
電圧ＶＭを保持していることが分かる。従って、前述の
式を用いると、抵抗Ｒ１とＲ２とが、抵抗分割器に流れ
る静止プルダウン電流又は希望調整出力電圧ＶＯ或いは
その両方を生成するように選択できる。
する帰還回路が基準電圧ＶＲＥＦと実質的に等しい測定
電圧ＶＭを保持していることが分かる。従って、前述の
式を用いると、抵抗Ｒ１とＲ２とが、抵抗分割器に流れ
る静止プルダウン電流又は希望調整出力電圧ＶＯ或いは
その両方を生成するように選択できる。
【００２３】引き続き図３を見ると、図のレギュレータ
回路３００は、レギュレータ回路の代表的な出力（例え
ば、出力負荷電流）を作動的にモニタし、それに応答し
て制御信号２１２を生成する、誤差増幅器２０２の入力
２１４に結合する電流検知回路２０４を更に具備してい
る。制御信号２１２は、誤差増幅器２０２の被制御電流
源３０２に結合して、パス・トランジスタ２０６が送る
出力電圧又は電流の少なくとも一部をフィードバックす
るパスを好都合に呈し、図２に関連して既に述べたよう
に、誤差増幅器の入力段のバイアス電流を動的に制御す
る。
回路３００は、レギュレータ回路の代表的な出力（例え
ば、出力負荷電流）を作動的にモニタし、それに応答し
て制御信号２１２を生成する、誤差増幅器２０２の入力
２１４に結合する電流検知回路２０４を更に具備してい
る。制御信号２１２は、誤差増幅器２０２の被制御電流
源３０２に結合して、パス・トランジスタ２０６が送る
出力電圧又は電流の少なくとも一部をフィードバックす
るパスを好都合に呈し、図２に関連して既に述べたよう
に、誤差増幅器の入力段のバイアス電流を動的に制御す
る。
【００２４】本発明は、付加依存性（動的）バイアス・
フィードバック構造を、ここで述べた動的入力段バイア
スに加えて及びそれと一致するレギュレータ回路３００
の他の機能的なサブ回路で構成することを意図してい
る。図３に示すように、電流検知回路２０４からのライ
ン２１２上の制御信号（又はレギュレータ出力の関数で
ある他の信号）も、誤差増幅器２０２の第二の段３１０
又は入力段負荷３０８或いはその両方に結合できる。こ
れらの更なる負荷依存性バイアス電流帰還パスの各々を
同様に用いると、このようなフィードバック・パスが結
合する各々の回路の１つ又は複数の特性を動的に制御で
きる。従って、制御信号を用いると、出力負荷電流の増
加が検出される時に、又はその逆の時に、第二の段３１
０の静止電流を動的に増加できる。このように、動的入
力段バイアスの長所を、レギュレータ回路３００の他の
機能的なサブ回路に同様に適用できる。
フィードバック構造を、ここで述べた動的入力段バイア
スに加えて及びそれと一致するレギュレータ回路３００
の他の機能的なサブ回路で構成することを意図してい
る。図３に示すように、電流検知回路２０４からのライ
ン２１２上の制御信号（又はレギュレータ出力の関数で
ある他の信号）も、誤差増幅器２０２の第二の段３１０
又は入力段負荷３０８或いはその両方に結合できる。こ
れらの更なる負荷依存性バイアス電流帰還パスの各々を
同様に用いると、このようなフィードバック・パスが結
合する各々の回路の１つ又は複数の特性を動的に制御で
きる。従って、制御信号を用いると、出力負荷電流の増
加が検出される時に、又はその逆の時に、第二の段３１
０の静止電流を動的に増加できる。このように、動的入
力段バイアスの長所を、レギュレータ回路３００の他の
機能的なサブ回路に同様に適用できる。
【００２５】図４Ａは、本発明の実施例に基づいて形成
した代表的なリニア・レギュレータ回路を示す。図４Ａ
を見ると、例示するレギュレータ回路４００が本発明の
動的入力バイアス構造を備えている。レギュレータ回路
４００は誤差増幅器４０２を具備し、その詳細部とし
て、パス要素として機能するＰＭＯＳトランジスタ・デ
バイス４０８のゲート（Ｇ）端子に結合する出力４１４
を有して図示されている。出力電圧ＯＵＴＡが出力４１
４にある。パス・トランジスタ４０８のソース（Ｓ）端
子は、レギュレータ回路４００の未調整の入力ＶＩＮに
結合し、トランジスタ４０８のドレイン（Ｄ）端子は、
図２に関連して既に述べたものと同様に、レギュレータ
回路の調整された出力ＶＯを形成する。電圧源２０８
は、誤差増幅器４０２（例えば、反転入力ＩＮＮ）の入
力に結合し、前述のように、電源電圧と温度変動とから
理想的に無関係である基準電圧ＶＲＥＦを送る。電圧基
準２０８は、帯域ギャップ基準回路のように、レギュレ
ータ４００の内部に生成できる。同様に、このような電
圧ＶＲＥＦは外部電圧源から供給できる。誤差増幅器４
０２に対する入力接続を逆にすることも可能であり、そ
の場合、パス・トランジスタ４０８の極性も同様に逆転
（例えば、ＮＭＯＳデバイス）し、トランジスタ４０８
をフォロア構成で用いると、当業者には自明のように、
陽性の帰還条件を回避できる。
した代表的なリニア・レギュレータ回路を示す。図４Ａ
を見ると、例示するレギュレータ回路４００が本発明の
動的入力バイアス構造を備えている。レギュレータ回路
４００は誤差増幅器４０２を具備し、その詳細部とし
て、パス要素として機能するＰＭＯＳトランジスタ・デ
バイス４０８のゲート（Ｇ）端子に結合する出力４１４
を有して図示されている。出力電圧ＯＵＴＡが出力４１
４にある。パス・トランジスタ４０８のソース（Ｓ）端
子は、レギュレータ回路４００の未調整の入力ＶＩＮに
結合し、トランジスタ４０８のドレイン（Ｄ）端子は、
図２に関連して既に述べたものと同様に、レギュレータ
回路の調整された出力ＶＯを形成する。電圧源２０８
は、誤差増幅器４０２（例えば、反転入力ＩＮＮ）の入
力に結合し、前述のように、電源電圧と温度変動とから
理想的に無関係である基準電圧ＶＲＥＦを送る。電圧基
準２０８は、帯域ギャップ基準回路のように、レギュレ
ータ４００の内部に生成できる。同様に、このような電
圧ＶＲＥＦは外部電圧源から供給できる。誤差増幅器４
０２に対する入力接続を逆にすることも可能であり、そ
の場合、パス・トランジスタ４０８の極性も同様に逆転
（例えば、ＮＭＯＳデバイス）し、トランジスタ４０８
をフォロア構成で用いると、当業者には自明のように、
陽性の帰還条件を回避できる。
【００２６】誤差増幅器４０２は、基準電圧ＶＲＥＦと
誤差増幅器（例えば非反転入力ＩＮＰ）の第二の入力に
結合する測定電圧ＶＭとを比較し、それは、前述のよう
に、ノード４１０でレギュレータ回路出力ＶＯの少なく
とも一部を示し、２つの電圧ＶＲＥＦとＶＭとの間の差
に応答して誤差増幅器の出力４１４に誤差信号を生成す
る。前述のように、測定電圧ＶＭは、タップ付き電圧分
割器回路又はその適切な代替物を用いてレギュレータ回
路出力ＶＯから導くことができる。電圧分割器回路は、
調整された出力ＶＯと互いに直列に接続する２つの抵抗
Ｒ１とＲ２を好都合に具備している。
誤差増幅器（例えば非反転入力ＩＮＰ）の第二の入力に
結合する測定電圧ＶＭとを比較し、それは、前述のよう
に、ノード４１０でレギュレータ回路出力ＶＯの少なく
とも一部を示し、２つの電圧ＶＲＥＦとＶＭとの間の差
に応答して誤差増幅器の出力４１４に誤差信号を生成す
る。前述のように、測定電圧ＶＭは、タップ付き電圧分
割器回路又はその適切な代替物を用いてレギュレータ回
路出力ＶＯから導くことができる。電圧分割器回路は、
調整された出力ＶＯと互いに直列に接続する２つの抵抗
Ｒ１とＲ２を好都合に具備している。
【００２７】引き続き図４Ａを見ると、電流検知回路２
０４は、一対のＰＭＯＳトランジスタ・デバイス４０
４、４０６を用いて、本発明の一つの見解に基づいて構
成されている。２つのトランジスタ・デバイス４０４、
４０６は積重構成で好都合に接続し、各々デバイスのゲ
ート端子が誤差増幅器４０２の出力４１４に結合し、上
部トランジスタ・デバイス４０４のドレイン端子が底部
トランジスタ・デバイス４０６のソース端子に接続して
いる。上部デバイス４０４のソース端子は、パス・トラ
ンジスタ４０８のソース端子に沿って未調整の入力Ｖ
ＩＮに好都合に接続している。底部トランジスタ・デバ
イス４０６のドレイン端子は、ライン４１２を介して誤
差増幅器４０２のバイアス制御入力ＩＦＢに結合してい
る。このように、トランジスタ・デバイス４０４、４０
６は、誤差増幅器から出力電圧ＯＵＴＡを検知して、パ
ス・トランジスタ４０８が送る出力負荷電流の関数であ
る、ライン４１２を介して電圧依存性の電流を生成す
る。当業者は、他の検知回路（例えば、電圧検知回路を
含めて）が本発明を具体化する際に採用できることを理
解できると思われる。
０４は、一対のＰＭＯＳトランジスタ・デバイス４０
４、４０６を用いて、本発明の一つの見解に基づいて構
成されている。２つのトランジスタ・デバイス４０４、
４０６は積重構成で好都合に接続し、各々デバイスのゲ
ート端子が誤差増幅器４０２の出力４１４に結合し、上
部トランジスタ・デバイス４０４のドレイン端子が底部
トランジスタ・デバイス４０６のソース端子に接続して
いる。上部デバイス４０４のソース端子は、パス・トラ
ンジスタ４０８のソース端子に沿って未調整の入力Ｖ
ＩＮに好都合に接続している。底部トランジスタ・デバ
イス４０６のドレイン端子は、ライン４１２を介して誤
差増幅器４０２のバイアス制御入力ＩＦＢに結合してい
る。このように、トランジスタ・デバイス４０４、４０
６は、誤差増幅器から出力電圧ＯＵＴＡを検知して、パ
ス・トランジスタ４０８が送る出力負荷電流の関数であ
る、ライン４１２を介して電圧依存性の電流を生成す
る。当業者は、他の検知回路（例えば、電圧検知回路を
含めて）が本発明を具体化する際に採用できることを理
解できると思われる。
【００２８】理想的には、電流検知回路２０４は、半導
体集積回路チップ上のパス・トランジスタ４０８に近接
して製造される。例えば、電流検知回路２０４を具備す
るデバイスは、トランジスタ４０８自体の一部として構
成できる。このように、電流検知回路は、例えば、温度
特性、インピーダンス、ノイズ特性などを含めて、パス
・トランジスタ４０８の電気特性に特に対応又は相応す
ることができる。
体集積回路チップ上のパス・トランジスタ４０８に近接
して製造される。例えば、電流検知回路２０４を具備す
るデバイスは、トランジスタ４０８自体の一部として構
成できる。このように、電流検知回路は、例えば、温度
特性、インピーダンス、ノイズ特性などを含めて、パス
・トランジスタ４０８の電気特性に特に対応又は相応す
ることができる。
【００２９】レギュレータ回路４００の出力負荷は負荷
抵抗ＲＬＯＡＤと負荷コンデンサＣ ＢＹＰとして表さ
れ、それは、それに付随する等価直列抵抗ＲＥＳＲを有
すると共に負荷抵抗ＲＬＯＡＤと平行に接続している。
前述のように、レギュレータが発生源である負荷電流は
広範囲にわたって変動するので、負荷抵抗は可変抵抗要
素として表される。
抵抗ＲＬＯＡＤと負荷コンデンサＣ ＢＹＰとして表さ
れ、それは、それに付随する等価直列抵抗ＲＥＳＲを有
すると共に負荷抵抗ＲＬＯＡＤと平行に接続している。
前述のように、レギュレータが発生源である負荷電流は
広範囲にわたって変動するので、負荷抵抗は可変抵抗要
素として表される。
【００３０】ここで図４Ｂを見ると、図４Ａの誤差増幅
器４０２の構成が本発明の実施例に基づいて図示されて
いる。図３に関連して述べた誤差増幅器２０２と同様
に、誤差増幅器４０２は、異なる一対の構成で接続した
入力ＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ１とＭ２を具備
する入力段を含んでいて、共通源又はテール・ノードが
４２０にある。トランジスタＭ１のゲート端子が、誤差
増幅器４０２の非反転入力ＩＮＰを形成する。同様に、
トランジスタＭ２のゲート端子が、誤差増幅器の反転入
力ＩＮＮを形成する。各々デバイスＭ１とＭ２のドレイ
ン端子は、各々、一対のＰＭＯＳトランジスタ・デバイ
スＭ３とＭ４として構成されている、対応する入力負荷
デバイスに結合している。負荷デバイスＭ３とＭ４とを
適切な動作点にバイアスするために、負荷デバイスＭ３
とＭ４のゲート端子をバイアス電圧ＰＢＩＡＳに結合で
きる。バイアス電圧ＰＢＩＡＳは、誤差増幅器の内部に
生成してもよいし、又は、例えば、外部基準源から誤差
増幅器に送ることもできる。２つの負荷デバイスＭ３と
Ｍ４のソース端子は陽性の電源ＶＤＤに接続し、それは
未調整の入力ＶＩＮであってもよい。
器４０２の構成が本発明の実施例に基づいて図示されて
いる。図３に関連して述べた誤差増幅器２０２と同様
に、誤差増幅器４０２は、異なる一対の構成で接続した
入力ＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ１とＭ２を具備
する入力段を含んでいて、共通源又はテール・ノードが
４２０にある。トランジスタＭ１のゲート端子が、誤差
増幅器４０２の非反転入力ＩＮＰを形成する。同様に、
トランジスタＭ２のゲート端子が、誤差増幅器の反転入
力ＩＮＮを形成する。各々デバイスＭ１とＭ２のドレイ
ン端子は、各々、一対のＰＭＯＳトランジスタ・デバイ
スＭ３とＭ４として構成されている、対応する入力負荷
デバイスに結合している。負荷デバイスＭ３とＭ４とを
適切な動作点にバイアスするために、負荷デバイスＭ３
とＭ４のゲート端子をバイアス電圧ＰＢＩＡＳに結合で
きる。バイアス電圧ＰＢＩＡＳは、誤差増幅器の内部に
生成してもよいし、又は、例えば、外部基準源から誤差
増幅器に送ることもできる。２つの負荷デバイスＭ３と
Ｍ４のソース端子は陽性の電源ＶＤＤに接続し、それは
未調整の入力ＶＩＮであってもよい。
【００３１】誤差増幅器４０２の入力段は、テール・ノ
ード４２０に結合する入力バイアス電流源（テール電流
源）を更に具備している。図の誤差増幅器の入力バイア
ス電流源は、カスコード構成で互いに作動的に結合す
る、ＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ５とＭ６を含ん
でいる。デバイスＭ５とＭ６のゲート端子は、各々、ノ
ードＮＣＡＳとＮＢＩＡＳで対応するカスコード・バイ
アス電圧に結合している。トランジスタＭ５のドレイン
端子がテール・ノード４２０に結合し、Ｍ５のソース端
子がトランジスタＭ６のドレイン端子に結合し、その接
合部がノード４２６を形成している。トランジスタＭ６
のソース端子は、バイアス電流リターン・パスを呈する
ために、接地できる、負の電源ＶＳＳに接続している。
ード４２０に結合する入力バイアス電流源（テール電流
源）を更に具備している。図の誤差増幅器の入力バイア
ス電流源は、カスコード構成で互いに作動的に結合す
る、ＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ５とＭ６を含ん
でいる。デバイスＭ５とＭ６のゲート端子は、各々、ノ
ードＮＣＡＳとＮＢＩＡＳで対応するカスコード・バイ
アス電圧に結合している。トランジスタＭ５のドレイン
端子がテール・ノード４２０に結合し、Ｍ５のソース端
子がトランジスタＭ６のドレイン端子に結合し、その接
合部がノード４２６を形成している。トランジスタＭ６
のソース端子は、バイアス電流リターン・パスを呈する
ために、接地できる、負の電源ＶＳＳに接続している。
【００３２】引き続き図４Ｂを見ると、ＮＢＩＡＳとＮ
ＣＡＳの生成に適したバイアス源は、ＮＭＯＳトランジ
スタ・デバイスＭ１１とＭ１２を更に具備し、各々が、
カスコード構成で互いに作動的に結合し、デバイスＭ５
とＭ６とに対応している。バイアス抵抗Ｒ
ＮＢＩＡＳが、ノードＮＣＡＳに接続する、基準電圧又
は電流ＩＢとノードＮＢＩＡＳとの間に結合している。
トランジスタＭ１２とＭ１１とに流れるバイアス電流
は、適切な基準電流ＩＢを選ぶか又はＲＮＢＩＡＳに対
して希望した基準電圧と抵抗値とを選ぶことにより選択
できる。ノードＮＢＩＡＳは、デバイスＭ１１のゲート
端子とデバイスＭ１２のドレイン端子との接合部として
形成されているノードＮＣＡＳは、トランジスタＭ１２
のゲート端子に結合している。トランジスタＭ１２のソ
ース端子がトランジスタＭ１１のドレイン端子に結合
し、Ｍ１１のソース端子が負の電源ＶＳＳに接続してい
る。誤差増幅器の内部又は外部に位置する他のバイアス
回路を、当業者には自明のように同様に採用できる。
ＣＡＳの生成に適したバイアス源は、ＮＭＯＳトランジ
スタ・デバイスＭ１１とＭ１２を更に具備し、各々が、
カスコード構成で互いに作動的に結合し、デバイスＭ５
とＭ６とに対応している。バイアス抵抗Ｒ
ＮＢＩＡＳが、ノードＮＣＡＳに接続する、基準電圧又
は電流ＩＢとノードＮＢＩＡＳとの間に結合している。
トランジスタＭ１２とＭ１１とに流れるバイアス電流
は、適切な基準電流ＩＢを選ぶか又はＲＮＢＩＡＳに対
して希望した基準電圧と抵抗値とを選ぶことにより選択
できる。ノードＮＢＩＡＳは、デバイスＭ１１のゲート
端子とデバイスＭ１２のドレイン端子との接合部として
形成されているノードＮＣＡＳは、トランジスタＭ１２
のゲート端子に結合している。トランジスタＭ１２のソ
ース端子がトランジスタＭ１１のドレイン端子に結合
し、Ｍ１１のソース端子が負の電源ＶＳＳに接続してい
る。誤差増幅器の内部又は外部に位置する他のバイアス
回路を、当業者には自明のように同様に採用できる。
【００３３】図の誤差増幅器４０２は、ソース・フォロ
アとして構成した、ＰＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ
８とＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ９とを含んでい
る出力段を具備している。トランジスタ・デバイスＭ７
とＭ１０は、各々、ソース・フォロア・デバイスＭ８と
Ｍ９のソース端子に作動的に結合して、各々出力デバイ
スＭ８、Ｍ９との動作点を定めるための電流ソース負荷
として機能する。デバイスＭ７のゲート端子は、出力デ
バイスＭ８に所定のバイアス電流を送るためにノードＰ
ＢＩＡＳに結合している。Ｍ８のソース端子はノード４
２４でＭ７のドレイン端子に結合し、Ｍ８のドレイン端
子は電流リターン・パスを呈するために負の電源ＶＳＳ
に接続している。同様に、トランジスタＭ１０のゲート
端子は、出力デバイスＭ９に所定のバイアス電流を送る
ためにノードＮＢＩＡＳに結合している。デバイスＭ１
０のドレイン端子はデバイスＭ９のソース端子に結合
し、その接合部が誤差増幅器４０２の出力４１４を形成
している。デバイスＭ８のゲート端子は、ノード４２２
で入力段の出力に結合している。負荷デバイスＭ７とＭ
１０は、例えば、トランジスタ・デバイスＭ８とＭ９
を、各々、希望の動作点にバイアスするように選択した
抵抗値を有して、対応する抵抗体と交換できる。
アとして構成した、ＰＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ
８とＮＭＯＳトランジスタ・デバイスＭ９とを含んでい
る出力段を具備している。トランジスタ・デバイスＭ７
とＭ１０は、各々、ソース・フォロア・デバイスＭ８と
Ｍ９のソース端子に作動的に結合して、各々出力デバイ
スＭ８、Ｍ９との動作点を定めるための電流ソース負荷
として機能する。デバイスＭ７のゲート端子は、出力デ
バイスＭ８に所定のバイアス電流を送るためにノードＰ
ＢＩＡＳに結合している。Ｍ８のソース端子はノード４
２４でＭ７のドレイン端子に結合し、Ｍ８のドレイン端
子は電流リターン・パスを呈するために負の電源ＶＳＳ
に接続している。同様に、トランジスタＭ１０のゲート
端子は、出力デバイスＭ９に所定のバイアス電流を送る
ためにノードＮＢＩＡＳに結合している。デバイスＭ１
０のドレイン端子はデバイスＭ９のソース端子に結合
し、その接合部が誤差増幅器４０２の出力４１４を形成
している。デバイスＭ８のゲート端子は、ノード４２２
で入力段の出力に結合している。負荷デバイスＭ７とＭ
１０は、例えば、トランジスタ・デバイスＭ８とＭ９
を、各々、希望の動作点にバイアスするように選択した
抵抗値を有して、対応する抵抗体と交換できる。
【００３４】図４Ｂに示すように、誤差増幅器４０２
は、抵抗Ｒ３とＭ１７を経由するＮＭＯＳトランジスタ
・デバイスＭ１３を具備する電流帰還制御回路を更に含
んでいる。電流帰還制御回路は、誤差増幅器に送られる
入力バイアス制御信号を受信するために、デバイスＭ１
５のドレイン端子とトランジスタＭ１４のゲート端子に
結合する、誤差増幅器のバイアス制御入力を形成する、
入力ＩＦＢを含んでいる。トランジスタ・デバイスＭ１
４のドレイン端子は誤差増幅器の出力４１４に好都合に
結合し、デバイスＭ１４のソース端子はノード４２８で
トランジスタＭ１３、Ｍ１５、Ｍ１６のゲート端子の接
合部に結合している。プル−ダウン・デバイスＭ１７
は、ノード４２８で所定の電圧を少なくとも部分的に定
めるために、デバイスＭ１４に電流パスを呈する。デバ
イスＭ１７は、トランジスタＭ１４がオフする際に、ノ
ード４２８が未定のレベルで浮遊することも防止する。
トランジスタＭ１５のソース端子がトランジスタＭ１６
のドレイン端子に結合し、Ｍ１６のソース端子が負の電
源ＶＳＳに接続している。トランジスタＭ１３は、その
ドレイン端子が、直列接続抵抗Ｒ３を経由してノード４
２６で入力バイアス電流源（Ｍ５、Ｍ６）に結合し、そ
のソース端子が負の電源ＶＳＳに接続するように、作動
的に接続している。トランジスタＭ１３と抵抗Ｒ３との
接合部が、ノード４３０で電流帰還制御回路の出力を形
成している。
は、抵抗Ｒ３とＭ１７を経由するＮＭＯＳトランジスタ
・デバイスＭ１３を具備する電流帰還制御回路を更に含
んでいる。電流帰還制御回路は、誤差増幅器に送られる
入力バイアス制御信号を受信するために、デバイスＭ１
５のドレイン端子とトランジスタＭ１４のゲート端子に
結合する、誤差増幅器のバイアス制御入力を形成する、
入力ＩＦＢを含んでいる。トランジスタ・デバイスＭ１
４のドレイン端子は誤差増幅器の出力４１４に好都合に
結合し、デバイスＭ１４のソース端子はノード４２８で
トランジスタＭ１３、Ｍ１５、Ｍ１６のゲート端子の接
合部に結合している。プル−ダウン・デバイスＭ１７
は、ノード４２８で所定の電圧を少なくとも部分的に定
めるために、デバイスＭ１４に電流パスを呈する。デバ
イスＭ１７は、トランジスタＭ１４がオフする際に、ノ
ード４２８が未定のレベルで浮遊することも防止する。
トランジスタＭ１５のソース端子がトランジスタＭ１６
のドレイン端子に結合し、Ｍ１６のソース端子が負の電
源ＶＳＳに接続している。トランジスタＭ１３は、その
ドレイン端子が、直列接続抵抗Ｒ３を経由してノード４
２６で入力バイアス電流源（Ｍ５、Ｍ６）に結合し、そ
のソース端子が負の電源ＶＳＳに接続するように、作動
的に接続している。トランジスタＭ１３と抵抗Ｒ３との
接合部が、ノード４３０で電流帰還制御回路の出力を形
成している。
【００３５】前述のように、電流帰還制御構成が、レギ
ュレータ回路の出力負荷電流の関数である、入力バイア
ス制御信号に応答して誤差増幅器４０２の入力バイアス
電流を、少なくとも部分的に制御するように機能する。
従って、誤差増幅器４０２では、電流帰還制御回路が、
入力バイアス電流源（Ｍ５、Ｍ６）と組合わさって、図
３に示す被制御電流源３０２になる。
ュレータ回路の出力負荷電流の関数である、入力バイア
ス制御信号に応答して誤差増幅器４０２の入力バイアス
電流を、少なくとも部分的に制御するように機能する。
従って、誤差増幅器４０２では、電流帰還制御回路が、
入力バイアス電流源（Ｍ５、Ｍ６）と組合わさって、図
３に示す被制御電流源３０２になる。
【００３６】トランジスタＭ１４はソース・フォロアと
して機能し、そこで、誤差増幅器の入力ＩＦＢ（Ｍ１４
のゲート端子）に送られる電圧が、ノード４２８でトラ
ンジスタＭ１３のゲート端子に転送されて、デバイスＭ
１４のゲート−ソース電圧降下ＶＧＳをマイナスさせ
る。デバイスＭ１４の電圧降下ＶＧＳは、デバイスに流
れる電流に主として基づいて変動する。この電流は、当
業者には自明のように、デバイスＭ１７のサイズを適正
にすることによって制御できる。デバイスＭ１３のゲー
ト端子の電圧が上昇するにつれて、Ｍ１３のドレイン端
子に流れる電流も増加する。これは順にノード４２６か
らの更なる電流をシンクするので、誤差増幅器４０２の
入力段のバイアス電流が増加することになる。同様に、
入力ＩＦＢに送られる電圧が減少するにつれて、入力段
のバイアス電流も減少する。
して機能し、そこで、誤差増幅器の入力ＩＦＢ（Ｍ１４
のゲート端子）に送られる電圧が、ノード４２８でトラ
ンジスタＭ１３のゲート端子に転送されて、デバイスＭ
１４のゲート−ソース電圧降下ＶＧＳをマイナスさせ
る。デバイスＭ１４の電圧降下ＶＧＳは、デバイスに流
れる電流に主として基づいて変動する。この電流は、当
業者には自明のように、デバイスＭ１７のサイズを適正
にすることによって制御できる。デバイスＭ１３のゲー
ト端子の電圧が上昇するにつれて、Ｍ１３のドレイン端
子に流れる電流も増加する。これは順にノード４２６か
らの更なる電流をシンクするので、誤差増幅器４０２の
入力段のバイアス電流が増加することになる。同様に、
入力ＩＦＢに送られる電圧が減少するにつれて、入力段
のバイアス電流も減少する。
【００３７】本発明は、従って、増幅器の入力段に増幅
器の出力負荷電流を表す電圧又は電流をフィードバック
することにより、動的入力段バイアスを有する増幅器を
提供する。本発明に基づいて、増幅器の入力段の帯域幅
とバイアス電流レベルは、増幅器の出力負荷電流の関数
になる。ここで述べた技術を用いると、本発明の増幅器
は、最小限の静止電流を放散しながら、特に低（又は、
ゼロ）出力電流レベルで優れた帯域幅と安定性とを提供
できる。更に、本発明は、例えば、ＣＭＯＳやバイポー
ラなどを含めて、任意の適正な半導体製造プロセスを用
いて、単独に又は他の機能的なサブ回路と組み合わさっ
て、集積回路デバイスとして全体的に又は部分的に製造
できることが分かる。
器の出力負荷電流を表す電圧又は電流をフィードバック
することにより、動的入力段バイアスを有する増幅器を
提供する。本発明に基づいて、増幅器の入力段の帯域幅
とバイアス電流レベルは、増幅器の出力負荷電流の関数
になる。ここで述べた技術を用いると、本発明の増幅器
は、最小限の静止電流を放散しながら、特に低（又は、
ゼロ）出力電流レベルで優れた帯域幅と安定性とを提供
できる。更に、本発明は、例えば、ＣＭＯＳやバイポー
ラなどを含めて、任意の適正な半導体製造プロセスを用
いて、単独に又は他の機能的なサブ回路と組み合わさっ
て、集積回路デバイスとして全体的に又は部分的に製造
できることが分かる。
【００３８】本発明の実施例について添付の図面を参照
しながら述べてきたが、本発明はこれらの実施例そのも
のに限定されず、種々の他の変更や修正を本発明の範囲
又は趣旨から逸脱せずに当業者が実施できることを理解
すべきである。
しながら述べてきたが、本発明はこれらの実施例そのも
のに限定されず、種々の他の変更や修正を本発明の範囲
又は趣旨から逸脱せずに当業者が実施できることを理解
すべきである。
【図１】従来の直列レギュレータ回路を示す略図であ
る。
る。
【図２】本発明に基づいて形成したレギュレータ回路を
示す略図である。
示す略図である。
【図３】本発明に基づいて形成した、図２に示すレギュ
レータ回路の誤差増幅器の詳細を示す略図である。
レータ回路の誤差増幅器の詳細を示す略図である。
【図４Ａ】本発明に基づいて形成した、典型的なリニア
・レギュレータ回路の構成を示す略図である。
・レギュレータ回路の構成を示す略図である。
【図４Ｂ】本発明に基づいて形成した、典型的なリニア
・レギュレータ回路の構成を示す略図である。
・レギュレータ回路の構成を示す略図である。
２００ レギュレータ回路
２０２ 誤差増幅器
２０４ 電流検知回路
２０６ パス・トランジスタ
２０８ 基準電圧源
２１０ ノード
２１２ ライン（制御信号）
２１４ 出力
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ダグラス デー．ロパタ
アメリカ合衆国 19512 ペンシルヴァニ
ア，ボイヤータウン，レッド シェイル
ドライヴ 84
Ｆターム(参考） 5H430 BB01 BB05 BB09 BB11 EE06
FF01 FF02 FF07 FF12 FF13
GG01 HH03 HH05 JJ03 JJ04
JJ07 LB05
Claims (28)
- 【請求項１】 動的入力段バイアスを有する増幅器であ
って、 前記の増幅器の入力に作動的に結合された入力段と、 前記の入力段に作動的に結合された被制御電流源におい
て、前記の被制御電流源によって生成された入力バイア
ス電流を少なくとも部分的に制御する制御信号に対応し
ている、被制御電流源と、 前記の被制御電流源と前記の増幅器の出力との間のフィ
ードバック構成で作動的に接続された検知回路におい
て、前記の増幅器の出力負荷電流を測定し、それに応答
して前記の制御信号を生成する、検知回路とを含んでい
て、 前記の入力バイアス電流は、前記の増幅器の前記の出力
負荷電流の関数である、増幅器。 - 【請求項２】 前記の入力段が、 第一と第二の動的デバイスを含んでいる差動ペアにおい
て、各々の動的デバイスが前記の増幅器の、各々、第一
と第二の入力に作動的に結合されていて、前記の動的デ
バイスがテール・ノードで前記の被制御電流源に作動的
に結合されている、差動ペアと、 前記の差動ペアに作動的に結合された入力負荷とを含ん
でいる、請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項３】 前記の入力負荷が、それに応答して前記
の入力負荷に流れる電流を制御する第二の制御信号を受
信する入力を含んでいて、前記の入力負荷に流れる前記
の電流が前記の増幅器の前記の出力負荷電流の関数であ
る、請求項２に記載の増幅器。 - 【請求項４】 前記の差動ペアが第一と第二のＮＭＯＳ
トランジスタを含んでいて、各々トランジスタがゲート
端子とソース端子とドレイン端子とを有していて、前記
の第一と第二のトランジスタの前記のソース端子が互い
に接続して前記のテール・ノードを形成し、前記の第一
と第二のトランジスタの前記のゲート端子が前記の増幅
器の各々前記の第一と第二の入力を形成し、前記の第一
と第二のトランジスタの前記のドレイン端子が前記の入
力負荷に作動的に結合されている、請求項２に記載の増
幅器。 - 【請求項５】前記の制御信号が、前記の出力負荷電流の
少なくとも一部であり、 前記の制御信号が、前記の被制御電流源によって生成さ
れた電流に作動的に加えられる、請求項１に記載の増幅
器。 - 【請求項６】 前記の増幅器の前記の入力段に結合され
た第一の入力と、第二の制御信号を受信する第二の入力
と、前記の増幅器の前記の出力に結合された出力とを含
んでいる第二の段において、前記の第二の段に流れる電
流を制御するために前記の第二の制御信号に反応する、
第二の段を更に含んでいて、 前記の第二の段に流れる前記の電流が、前記の増幅器の
前記の出力負荷電流の関数である、請求項１に記載の増
幅器。 - 【請求項７】 前記の被制御電流源がカスコード構成で
互いに作動的に結合された第一と第二のトランジスタを
含んでいて、前記の第一と第二のトランジスタが前記の
制御入力に結合された共通カスコード・ノードを形成し
ている、請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項８】 前記の被制御電流源が第一と第二のＮＭ
ＯＳトランジスタを具備し、各々トランジスタがゲート
端子とソース端子とドレイン端子とを有し、前記の第一
のトランジスタの前記のドレイン端子が前記の入力段に
接続され、前記の第一のトランジスタの前記のソース端
子が前記の第二のトランジスタの前記のドレイン端子と
前記の制御信号とに接続され、前記の第二のトランジス
タの前記のソース端子が前記の増幅器の電流リターンに
接続され、前記の第一と第二のトランジスタの前記のゲ
ート端子が第一と第二のバイアス電圧に結合されてい
る、請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項９】 前記の増幅器が集積回路で製造されてい
る、請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項１０】 未調整の入力と調整された出力とを含
むと共に動的入力段バイアスを有するレギュレータ回路
であって、 第一と第二の入力と出力とを含む誤差増幅器において、
前記の誤差増幅器の前記の第一と第二の入力に作動的に
結合された入力段と、前記の入力段に作動的に結合され
た被制御電流源において、前記の被制御電流源によって
生成された入力バイアス電流を少なくとも部分的に制御
する制御信号に対応している前記の被制御電流源とを含
んでいて、前記の誤差増幅器の前記の第一の入力に結合
された基準電圧と前記のレギュレータの前記の調整され
た出力の少なくとも一部を表す測定電圧との間の差に応
答して誤差信号を生成する、誤差増幅器と、 前記のレギュレータの前記の未調整の入力に結合された
第一の端子と、前記のレギュレータの前記の調整された
出力に結合された第二の端子と、前記の誤差増幅器の前
記の出力に結合された第三の端子とを有するパス・デバ
イスにおいて、前記の誤差信号を受信し、それに応答し
て前記のパス・デバイスの前記の第一と第二の端子間の
電圧降下を制御する、パス・デバイスと、 前記の誤差増幅器の前記の被制御電流源と前記のレギュ
レータの前記の出力との間でフィードバック構成で作動
的に接続された検知回路において、前記のレギュレータ
の出力負荷電流を測定し、それに応答して前記の制御信
号を生成する、検知回路とを含んでいて、 前記の誤差増幅器の前記の入力バイアス電流は前記のレ
ギュレータの前記の出力負荷電流の関数である、レギュ
レータ回路。 - 【請求項１１】 前記の入力段が、 第一と第二の動的デバイスを含んでいる差動ペアにおい
て、各々の動的デバイスが前記の誤差増幅器の、各々、
前記の第一と第二の入力に作動的に結合されていて、前
記の動的デバイスがテール・ノードで前記の被制御電流
源に作動的に結合されている、差動ペアと、 前記の差動ペアに作動的に結合された入力負荷とを含ん
でいる、請求項１０に記載のレギュレータ。 - 【請求項１２】 前記の入力負荷が、それに応答して前
記の入力負荷に流れる電流を制御する第二の制御信号を
受信する入力を含んでいて、 前記の入力負荷に流れる前記の電流が前記のレギュレー
タの前記の出力負荷電流の関数である、請求項１１に記
載のレギュレータ。 - 【請求項１３】 前記の検知回路が第一と第二のＰＭＯ
Ｓトランジスタを含んでいて、各々トランジスタがゲー
ト端子とソース端子とドレイン端子とを有していて、前
記の第一と第二のトランジスタの前記のゲート端子が前
記の誤差増幅器の前記の出力に結合され、前記の第一の
トランジスタの前記のソース端子が前記の未調整の入力
に接続され、前記の第一のトランジスタの前記のドレイ
ン端子が前記の第二のトランジスタの前記のソース端子
に接続され、前記の第二のトランジスタの前記のドレイ
ン端子が前記の被制御電流源に作動的に結合されてい
る、請求項１０に記載のレギュレータ。 - 【請求項１４】 前記の制御信号が前記のレギュレータ
の前記の出力負荷電流の少なくとも一部であり、 前記の制御信号が前記の被制御電流源によって生成され
た電流に作動的に加えられる、請求項１０に記載のレギ
ュレータ。 - 【請求項１５】 前記の誤差増幅器の前記の入力段に結
合された第一の入力と、第二の制御信号を受信する第二
の入力と、前記の誤差増幅器の前記の出力に結合された
出力とを含んでいる第二の段において、前記の第二の段
に流れる電流を制御する前記の第二の制御信号に対応す
る第二の段を更に含んでいて、 前記の第二の段に流れる前記の電流が前記のレギュレー
タの前記の出力負荷電流の関数である、請求項１０に記
載のレギュレータ。 - 【請求項１６】 前記のレギュレータが集積回路で製造
されている、請求項１０に記載のレギュレータ。 - 【請求項１７】 増幅器の静止電流を減少する方法であ
って、 前記の増幅器の出力を検知するステップと、 前記の増幅器の前記の検知された出力の少なくとも一部
に応答して、前記の増幅器の入力段に流れる入力バイア
ス電流を制御するステップとを含んでいて、 前記の入力バイアス電流が、前記の増幅器の前記の出力
の関数として動的に制御される、方法。 - 【請求項１８】 前記の増幅器の前記の入力バイアス電
流を制御する前記のステップが、前記の入力段に前記の
増幅器の出力負荷電流の少なくとも一部をフィードバッ
クするステップを含んでいる、請求項１７に記載の方
法。 - 【請求項１９】 前記の増幅器の前記の検知された出力
の少なくとも一部に応答して、前記の増幅器の前記の入
力段に作動的に結合された入力負荷に流れるバイアス電
流を動的に制御するステップを更に含んでいる、請求項
１７に記載の方法 - 【請求項２０】 前記の増幅器の前記の検知された出力
の少なくとも一部に応答して、前記の増幅器の前記の入
力段に作動的に結合された第二の段に流れるバイアス電
流を動的に制御するステップを更に含んでいる、請求項
１７に記載の方法 - 【請求項２１】 増幅器を含んでいる集積回路であっ
て、 前記の増幅器の入力に作動的に結合された入力段と、 前記の入力段に作動的に結合された被制御電流源におい
て、前記の被制御電流源によって生成された入力バイア
ス電流を少なくとも部分的に制御する制御信号に対応し
ている、被制御電流源と、 前記の被制御電流源と前記の増幅器の出力との間のフィ
ードバック構成で作動的に接続された検知回路におい
て、前記の増幅器の出力負荷電流を測定し、それに応答
して前記の制御信号を生成する、検知回路とを含んでい
て、 前記の入力バイアス電流は、前記の増幅器の前記の出力
負荷電流の関数である、前記の集積回路。 - 【請求項２２】 前記の入力段が、 第一と第二の動的デバイスを含んでいる差動ペアにおい
て、各々の動的デバイスが前記の増幅器の、各々、第一
と第二の入力に作動的に結合されていて、前記の動的デ
バイスがテール・ノードで前記の被制御電流源に作動的
に結合されている、差動ペアと、 前記の差動ペアに作動的に結合された入力負荷とを含ん
でいる、請求項２１に記載の集積回路。 - 【請求項２３】 前記の入力負荷が、それに応答して前
記の入力負荷に流れる電流を制御する第二の制御信号を
受信する入力を含んでいて、前記の入力負荷に流れる前
記の電流が前記の増幅器の前記の出力負荷電流の関数で
ある、請求項２２に記載の集積回路。 - 【請求項２４】 前記の増幅器の前記の入力段に結合さ
れた第一の入力と、第二の制御信号を受信する第二の入
力と、前記の増幅器の前記の出力に結合された出力とを
含んでいる第二の段において、前記の第二の段に流れる
電流を制御するために前記の第二の制御信号に対応して
いる、第二の段を更に含み、 前記の第二の段に流れる前記の電流が、前記の増幅器の
前記の出力負荷電流の関数である、請求項２１に集積回
路。 - 【請求項２５】 未調整の入力と調整された出力とを含
んでいる集積回路であって、 第一と第二の入力と出力とを含む誤差増幅器において、
前記の誤差増幅器の前記の第一と第二の入力に作動的に
結合された入力段と、前記の入力段に作動的に結合され
た被制御電流源において、前記の被制御電流源によって
生成された入力バイアス電流を少なくとも部分的に制御
する制御信号に対応している前記の被制御電流源とを含
んでいて、前記の誤差増幅器の前記の第一の入力に結合
された基準電圧と前記の集積回路の前記の調整された出
力の少なくとも一部を表す測定電圧との間の差に応答し
て誤差信号を生成する、誤差増幅器と、 前記の集積回路の前記の未調整の入力に結合された第一
の端子と、前記の集積回路の前記の調整された出力に結
合された第二の端子と、前記の誤差増幅器の前記の出力
に結合された第三の端子とを有するパス・デバイスにお
いて、前記の誤差信号を受信し、それに応答して前記の
パス・デバイスの前記の第一と第二の端子間の電圧降下
を制御する、パス・デバイスと、 前記の誤差増幅器の前記の被制御電流源と前記の集積回
路の前記の調整された出力との間でフィードバック構成
で作動的に接続された検知回路において、前記の集積回
路出力負荷電流を測定し、それに応答して前記の制御信
号を生成する、検知回路とを含んでいて、 前記の誤差増幅器の前記の入力バイアス電流は前記の集
積回路の前記の出力負荷電流の関数である、集積回路。 - 【請求項２６】 前記の入力段が、 第一と第二の動的デバイスを含んでいる差動ペアにおい
て、各々の動的デバイスが前記の誤差増幅器の、各々、
前記の第一と第二の入力に作動的に結合されていて、前
記の動的デバイスがテール・ノードで前記の被制御電流
源に作動的に結合されている、差動ペアと、 前記の差動ペアに作動的に結合された入力負荷とを含ん
でいる、請求項２５に記載の集積回路。 - 【請求項２７】 前記の入力負荷が、それに応答して前
記の入力負荷に流れる電流を制御する第二の制御信号を
受信する入力を含んでいて、 前記の入力負荷に流れる前記の電流が前記の集積回路の
前記の出力負荷電流の関数である、請求項２６に記載の
集積回路。 - 【請求項２８】 前記の誤差増幅器の前記の入力段に結
合された第一の入力と、第二の制御信号を受信する第二
の入力と、前記の誤差増幅器の前記の出力に結合された
出力とを含んでいる第二の段において、前記の第二の段
に流れる電流を制御するために前記の第二の制御信号に
反応する、第二の段を更に含んでいて、 前記の第二の段に流れる前記の電流が、前記の集積回路
の前記の出力負荷電流の関数である、請求項２５に集積
回路
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