JP2002535380A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 （１）塩基の存在下でハライドR-C(O)-X I [XIはCl、Brであり、Rは下記の基である]とヒドロキシベンズアルデヒドの１つのイソマーとを反応させて(カルボニル)フェニルエステルを形成する工程；
（２）前記カルボニル(フェニル)エステルのアルデヒド基を還元して(ヒドロキシメチル)フェニルエステルを形成する工程；
（３）ａ）SOX2 [XはCl及びBrから選択されるハロゲンである]、又は
ｂ）トシルクロライドもしくはメシルクロライド
と前記(ヒドロキシメチル)フェニルエステルとを反応させる工程；
（４）工程（３）で形成されたエステルと無機硝酸塩(金属カチオンはIB族又はIIB族に属す)とを反応させて(ニトロキシメチル)フェニルエステルを形成する工程
からなる、
式R-COOH [式中、Rは以下の式を有する基の１つから選択される：
【化１】
ここで、R1はOCOR3基であり；R3はメチル、エチル又は直鎖状もしくは分枝状のアルキルC3-C5、又はＯ及びＮから個々に選択されるヘテロ原子を含む５もしくは６個の原子を有する飽和へテロ環式環の基であり；
R2は水素、ハロゲン、直鎖状又は可能である場合には分枝状のC1-C4アルキル、直鎖状又は可能である場合には分枝状のC1-C4アルコキシ；直鎖状又は可能である場合には分枝状のC1-C4パーフルオロアルキル；ニトロ、モノ-又はジ-(C1-4)アルキルアミノ；
R 1及びR2 は一緒になってジオキシメチレン基であってもよく、但し、式Ib)において、R1は、R3がメチルである際に２位でOCOR3基ではなく；
nIは整数であり、かつ０又は１の値であってもよい]
のアスピリン誘導体の(ニトロキシメチル)フェニルエステルを得るための方法。
【請求項２】 工程（１）における(カルボニル)フェニルエステルの形成が、アルキル基C1-C4でN,N二置換されたアミノピリジン誘導体の存在下における脱水剤、又は塩基の存在下におけるC1-C4アルキルクロロホルメート、又はN,N'-カルボニルジイミダゾールと式R-COOHのアスピリン誘導体との反応によって代替的に行われる請求項１による方法。
【請求項３】 工程（４）で用いられる硝酸塩が硝酸銀である請求項１による方法。
【請求項４】 式R-COOHのアスピリン誘導体がアセチルサリチル酸である請求項１〜３のいずれか１項による方法。
【請求項５】 式R-COOH (Rは請求項１に定義するとおりである)のアスピリン誘導体の(ヒドロキシメチル)フェニルエステル。
【請求項１】 （１）塩基の存在下でハライドR-C(O)-X I [XIはCl、Brであり、Rは下記の基である]とヒドロキシベンズアルデヒドの１つのイソマーとを反応させて(カルボニル)フェニルエステルを形成する工程；
（２）前記カルボニル(フェニル)エステルのアルデヒド基を還元して(ヒドロキシメチル)フェニルエステルを形成する工程；
（３）ａ）SOX2 [XはCl及びBrから選択されるハロゲンである]、又は
ｂ）トシルクロライドもしくはメシルクロライド
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（４）工程（３）で形成されたエステルと無機硝酸塩(金属カチオンはIB族又はIIB族に属す)とを反応させて(ニトロキシメチル)フェニルエステルを形成する工程
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のアスピリン誘導体の(ニトロキシメチル)フェニルエステルを得るための方法。
【請求項２】 工程（１）における(カルボニル)フェニルエステルの形成が、アルキル基C1-C4でN,N二置換されたアミノピリジン誘導体の存在下における脱水剤、又は塩基の存在下におけるC1-C4アルキルクロロホルメート、又はN,N'-カルボニルジイミダゾールと式R-COOHのアスピリン誘導体との反応によって代替的に行われる請求項１による方法。
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