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JP2002503556A - 素子製造方法 - Google Patents

素子製造方法

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Publication number
JP2002503556A
JP2002503556A JP2000531864A JP2000531864A JP2002503556A JP 2002503556 A JP2002503556 A JP 2002503556A JP 2000531864 A JP2000531864 A JP 2000531864A JP 2000531864 A JP2000531864 A JP 2000531864A JP 2002503556 A JP2002503556 A JP 2002503556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
ridge
dimensional structure
row
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000531864A
Other languages
English (en)
Inventor
マルティン，ハンス，ゲラン，エヴァルト
エーマン，ペル，オーヴェ
Original Assignee
オーミク アクティエ ボラーグ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オーミク アクティエ ボラーグ filed Critical オーミク アクティエ ボラーグ
Publication of JP2002503556A publication Critical patent/JP2002503556A/ja
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、電気素子、電子素子、光学素子、および／または機械的素子（１２）の製造方法であって、その素子の基板が３次元構造（３’’）あるいは形状として与えられ、その素子を作るために、その基板にさらなる処理過程が施される製造方法に関する。ダイあるいはモールドで、例えば、モールド成形、プレス加工、押出成形、あるいはエンボス加工等により、前記基板が成形される。ここにおいて、その素子に必要な３次元構造の精密さは、そのダイあるいはモールドを作る時のマイクロメカニカル加工によって達成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、素子基板が３次元構造または形状で与えられ、その基板がさらに加工
されて素子とされる電気素子、電子素子、光学素子、および／または機械素子の
製造方法に関する。
【０００２】 （背景技術） 素子の基体をシリコン、石英、あるいは多少とも高価な材料から形成する方法を
用いてセンサや機械的ユニット等の種々のタイプの素子を作ることは、従来より
知られている。場合によっては、材料はマイクロメカニカル（超微細加工的）に
加工され、必要ななんらかの３次元形状あるいは構造を付与される。次いで、こ
れらの基板のある種の領域に、材料を付加し、または除去する処理が行われる。
それらの領域は、例えばリトグラフ技術を用いて形成される。
【０００３】 処理・技術の本質的理由により、基板は伝統的にほとんど常に円形ディスク状基
板材料からなっている。３次元構造を形成するようにディスクをマイクロメカニ
カル加工することに引き続いて、ディスクはリトグラフ処理、ＰＶＤ処理（物理
的蒸着）、ＣＶＤ処理（化学的蒸着）、ドーピング、イオンー注入、あるいは種
々のエッチング処理（イオン、化学、プラズマエッチング処理等）をされる。こ
れらの処理の２つあるいはそれ以上を組み合わせることによっても、所望の結果
が得られる。
【０００４】 このような性質の円板は、一つまたは同じ円板の上に同時に複数の素子を作り上
げ、そして個別の素子に分割することが可能となるように寸法決めされる。
【０００５】 これらの処理段階のいくつかは、他の処理段階がそれほど致命的とは認識されな
いにもかかわらず、空前と言えるほどの精密さを要求されることがある。精度が
非常に高いので、個々のユニットはしばしば小さくされ、それによって多数のユ
ニットを同時に製造し、各ユニットの価格を比較的安価にできるにもかかわらず
、石英やシリコンのディスクを全工程に通すためのコストは、非常に高くなる。
【０００６】 しかしながら、ある種の物理的測定において見られるように、これらの条件はい
つでも適用されるわけではない。このことについての例として、ユニットが特定
の測定用光学ファイバへの結合を含む場合などである。特定の測定とは、化学あ
るいは生化学的分析のためのサンプル容積、ガスセンサのための光路長さ等であ
る。
【０００７】 これらの場合、空間についての要求、面積についての要求と、精密さと処理につ
いての要求の組み合わせによって、最終的な素子のコストは、その素子が達成す
る機能に較べて、相対的に高い機能となる。
【０００８】 ３次元構造を引き続いて処理することによって作成される素子の多数の例が従来
技術として知られている。
【０００９】 Ｔｓｉｎｇ Ｃｈｅｎｇ・Ｌａｎｄｉｓ＆Ｇｙｒコーポレーションの中央リサー
チ開発研究所の刊行物「３Ｄマイクロ技術によって作られた可燃性ガス検出器」
（ＣＨ−６３０１ Ｚｕｇ・スイス）は、コンパクトな３次元サーモパイル（熱
電対列）であるセンサがマイクロテクノロジによって、どのようにして作られる
かを図解している。
【００１０】 この文献で使われている基板はシリコンディスクである（図５ａ）。グレーティ
ング（格子）あるいは多数の突条がそのディスクの表面上に作られている。その
グレーティングは、相互に異なる斜め角度を有している二つの相互に異なる導体
を備える（図５ｃ）。これによって、一方の導体と他方の導体が次々に相互に結
合する多数のジャンクションが形成されている。このような処理の結果として、
サーモパイルができる。
【００１１】 この刊行物は、３次元構造を作るための材料としてポリイミドを使う可能性につ
いても開示している（図５ｂ）。
【００１２】 スウェーデンのストックホルムのＯｌｌｅＬａｒｓｓｏｎ工業マイクロエレクト
ロニクスセンタ（ＩＭＣ）が、１９９６年３月２６−２７日にスウェーデンのウ
プサラで開催された国内研究会「マイクロ構造ワークショップ」に関連して発表
した刊行物「マイクロ構造と複製」は、マイクロメカニカル加工で作られたモデ
ルがどのようにして複製されるか、すなわち、そのモデルから型を作り、その型
を用いてそのモデルの多数の複製またはレプリカを作ることを開示していること
もまた、特筆すべきである。この文献は、このことを達成するための多数の異な
る方法を開示している。
【００１３】 スウェーデン国特許出願第９３０２０５１−９号および第９５００８４９−６号
は、電気泳動分離に基づく生化学的分析のためのサンプルを保持することを意図
しているチャンネルを複製するための方法を教示している。
【００１４】 （発明の開示） 技術的課題： 当業者が遭遇する一つまたは多数の技術的課題への解答を出すために技術的検討
をする時、先ず、そのための目安および／または目安の系列を知り、さらに、一
つまたは多数のそれらの課題を解くためにはどの手段またはどの複数の手段が要
求されるかを知らねばならない。このような理由により、下記に挙げた技術的課
題のリストは、本発明の展開に重要な関係がある。
【００１５】 上述した現在の技術水準を考察し、電子素子、電気素子、電気機械的素子、およ
び／または機械素子の製造方法として、素子基板が３次元構造または形状として
与えられ、素子を作るためにさらにその基板が処理を受けるという製造方法を出
発点とするとき、一つの問題は、素子が３次元構造の寸法について高度な正確性
を要求され、そして伝統的なサイズの各ディスクの上に１個あるは数個の素子が
作られるという大きなサイズの素子であるとき、素子の３次元構造を作るコスト
を、その素子が達成するものとの相対的な関係において合理的な水準に保つこと
をどのようにして実現するかにあることは明らかであろう。
【００１６】 他の技術的問題は、各個別の素子にマイクロメカニカルな作業を施すことなく、
それらの製造をどのようにして実現するかにある。
【００１７】 他の技術的問題は、シリコンあるいは石英等の、常套的な基板に存在するある種
の制限を克服し、例えばシリコンあるいは石英基板には存在しない基板の特性を
要求する素子を、要求される精密性と合理的なコストで、どのようにして実現す
るかということにある。
【００１８】 さらに他の問題は、リトグラフ処理、金属化処理、ドーピング処理、エッチング
処理等においてシリコンと石英以外の材料を使用することについて、伝統的な素
子製造に存在する先入観を克服することにある。
【００１９】 さらに他の問題は、前記素子に加えて、他の素子および／または必要な導体経路
を、３次元構造の次の処理により作成する技術を実現することにある。
【００２０】 他の技術的問題は、前記の素子を作ることに加えて、外方向に突出部分あるいは
凹部を有しそれによって基礎構造にその素子が固定されるスナップファスナ等の
機械的部品を提供するためにも有効な３次元構造を実現することにある。
【００２１】 マイクロメカニカル加工された構造を多数の３次元構造に分割し、後続の処理を
施して精密な寸法にすることをどのように実現するかも技術的問題である。
【００２２】 他の技術的問題は、シリコンあるいは石英中にマイクロメカニカル加工された正
確な３次元構造を化学重合物質における３次元構造に転写することにより、製造
上の利点や経済上の利点をどのように実現するかにある。
【００２３】 他の技術的課題は、異なった個別の素子、例えば、熱電対、圧力センサ、光学セ
ンサのための電気光学的カップリングユニット、あるいは電気信号処理器と結合
しているユニットまたは電気接点の形成に、本発明の方法を適用することにある
。
【００２４】 解決手段： 一つまたはそれ以上の前記技術的課題を解決することを意図して、本発明は、そ
の出発点として、素子基板が３次元構造または形状として与えられ、素子を形成
するためにその基板がさらに加工されるようにした電気素子、電子素子、光学素
子および／または機械的素子の製造方法を採用する。端的にいうと、平面状の（
そして、おそらく円板状である）シリコン板の代わりに、本発明では、基板構造
として、素子に必要な程度の細かさの幾何学的詳細形状がマイクロメカニカルな
方法でシリコンあるいは石英に形成される。これらの幾何学的形状は、化学的重
合体の板に複製される。重合体の板は円板形状であることもある。このような処
理により優れた精度で実施されるべきコストの高い工程は、そのような精度が最
も必要な工程に限ることが可能になる。このような近道により、ある種の素子で
はコストを低いレベルに抑えることが可能になり、別の観点からは、他の方法で
は恐らく不可能であるような更なる複雑さを付け加えることが可能になる。
【００２５】 幾何学的詳細形状に形成された３次元構造は、シリコン板あるいは石英板から重
合体の板に、ダイ（抜き型）や成形型に対応するモールディング、プレス、押出
成型、エンボス加工等による成形によって転写されることができる。
【００２６】 素子をもっと効率的に製造するために、本発明では、素子は限定された区画ある
いは領域に作られ、電気導体通路および／または他の電子および／または電気素
子もこの限定された表面区域に同様に形成され、これにより、その素子に必要な
周縁の部分をも一体化することが可能になる。
【００２７】 本発明によると、スナップファスナ等の外方向に突き出た部分あるいは凹部を有
し、それによりその素子が基板にはめ込まれる機械的部品を作ることが可能にな
る。
【００２８】 本発明は、複製されるべき３次元構造を可能にする二つの基本的方法を提案する
。
【００２９】 第１の方法によると、ダイまたは型の少なくとも素子に対応する部分は、そのダ
イを例えば、モールディングあるいは電気鍍金で、その構造のモデルとなるよう
に形作る。他方、そのモデルはマイクロメカニカル加工に合った材料からマイク
ロメカニカルに作られる。ここにおいて、その３次元構造および／またはそのモ
デルの配置は、その素子と関連する所望の表面部分、電気導体経路および／また
は他の電子回路および／または電気回路に対応して選ばれる。
【００３０】 第２の方法によると、ダイまたは型の少なくとも素子に対応する部分は、マイク
ロメカニカル加工に合った材料から直接にマイクロメカニカル加工で作られる。
ここにおいて、ダイまたは型の３次元構造は、その素子と関連する所望の表面部
分、電気導体経路および／または他の電子回路および／または電気回路に対応し
て相補的形状に作られる。
【００３１】 最終的３次元構造が依拠するオリジナル形状は、選択的に、例えば電子ビームリ
トグラフィで得ることができる。その時には、例えば回折光学素子等の形成に必
要な構造を作ることができる。
【００３２】 前に述べたように、本発明では、素子基板は重合体材料からなるが、前記マイク
ロメカニカル加工処理に適した材料は、シリコンまたは石英である。このことは
、マイクロメカニカル加工に適した材料をマイクロメカニカル加工して必要な精
度の３次元構造を作り、この３次元構造を、経済的に有利な材料の上に同じ精度
で複製することを可能にする。特に、比較的大きな素子となるような物理的測定
に関係する素子の場合にこのようなことが必要となる。
【００３３】 本発明によると、このようにして作られた３次元構造は、異なった処理法を用い
て更に加工される。例えば、リトグラフィック処理、ＰＶＤ処理、ＣＶＤ処理、
ドーピング、イオン注入処理、あるいは、イオンエッチング、化学エッチング、
プラズマエッチング等のエッチング処理が施される。
【００３４】 本発明の一実施例では、３次元構造に対して特定の角度で陰影効果を得る処理が
適用される。この陰影効果とは、処理が施された領域と処理が施されなかった領
域とを生じるものである。
【００３５】 このことに関して、２またはそれ以上の適用角度が使用され、相互に異なった処
理が施された領域が形成されることが提案される。
【００３６】 前記の更なる処理は、前述した処理の一つまたは多数の組み合わせからなること
ができる。
【００３７】 本発明の方法を適用して得られる素子の例は、例えば、熱電対、圧力センサ、電
気光学的カップリングユニットあるいは、生化学的分析のためのチャンネル構造
である。そのような素子の例は、提案された実施例についての以下の記載からよ
りいっそう明らかになるであろう。
【００３８】 利点： 本発明による方法から得られる利点の第１は、その製造にはマイクロメカニカル
加工によってのみ得られる３次元構造が要求される素子、および常套的な技術を
実施すると各基板に一つまたは少数の素子しか搭載できない物理的測定手段を含
む素子を、コスト効率良く生産できる能力である。
【００３９】 本発明は、従来、その素子が達成する機能に比して相対的に製造費がかかり過ぎ
ると考えられてきたような素子を作る可能性を開くものである。この方法は、素
子の製造に全く新しい分野を開き、今まで一度も作られたことがなかった素子を
作ることが可能となる。本発明は、種々の異なったタイプの素子の製造に決定的
な突破口を提供するものである。
【００４０】 本発明は、素子によって要求される周辺要素を素子と一緒に組み込むことを可能
にするものである。周辺要素としては、例えば、付加的素子、電子導体経路、機
械的要素がある。機械的要素としては、基板表面に素子を取り付ける目的で外方
向に突出している表面あるいは凹部を有するスナップファスナがある。
【００４１】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明に特有の特徴からなる方法は、添付図面を参照して、例に基づいて以下に
さらに詳しく説明されている。
【００４２】 図１は、電子、電気、光学、および／または機械的素子の製造方法を示す。
【００４３】 この記載は、この方法で製造される素子の例としての熱電対１に向けられている
。参照番号はスウェーデン特許出願第９８００４６２−５号に合わせられている
。前記熱電対の詳細はその中に記載されている。
【００４４】 図１に示されているように、熱電対１のための基板２は３次元構造あるいは形状
３を有し、そして最終製品すなわち熱電対を形成するために、更なる処理あるい
は処理を受けるようになっている。
【００４５】 図１に示されているように、熱電対のための３次元構造３は限定された表面領域
に形成され、そして、導電性経路および／または別の電子素子および／または電
気素子がこの限定された表面領域に相互に同じような方法で作られることができ
る。
【００４６】 これらの別の素子とは、例えば、図２に示されているように、増幅器１’、電圧
ユニット１’’、接続パッド、接続ターミナル１’’’、あるいは導電性経路１ 4 等である。
【００４７】 熱電対１、すなわち素子は、図３に示されているように、素子を基礎構造１ｄに
取り付けることができるように、スナップファスナ手段１ａ、突出部１ｂ、凹部
１ｃ等の機械部品を備える場合がある。
【００４８】 図３は、素子がどのようにして本発明に係る種々の機械的部品を備えることがで
きるのかを図示することのみを意図したものである。例えば、図３に示されてい
るスナップファスナ手段１ａはモールディング法で形成することが困難なもので
ある。当業者にとっては、この明細書に記載された種々の処理の一つまたは多数
の処理を用いて、一つの素子に種々の機械的部品を備えさせ得ることは自明であ
る。
【００４９】 本発明によると、基板２は、基材を成形することにより作られる。成形は、基材
をダイあるいは型２’に対してモールディング、プレス、押出成形、エンボス加
工すること等により行われる（図４ａ）。ここにおいて、ダイあるいは型の少な
くとも素子１に対応する部分は、基板のモデル２’’に対するモールディングあ
るいは電気鍍金（図４ｂに対応）等の成形方法によって作られる。そして、モデ
ル２’’は、マイクロメカニカル加工に適した材料をマイクロメカニカル加工す
ることによって作られる。
【００５０】 モデル２’’の３次元構造および／または形状は、所望の素子関連表面部品、導
電体経路および／または別の電気回路および／または電子回路についての希望に
対応して選ばれる。
【００５１】 図４ａから分かるように、基板２は、上に述べたことに代えて、ダイあるいは型
２’に対してモールディング、プレス、押出成形、エンボス加工等を施すことに
より形成することが可能である。ここにおいて、ダイの少なくとも素子２に対応
する部分は、マイクロメカニカル加工に適した材料をマイクロメカニカル加工す
ることによって作られる。そしてダイあるいはモールド型２’の３次元構造は、
関連する表面部品、導電体経路および／または別の電気回路および／または電子
回路についての希望に対して相補的形状にされる。
【００５２】 基板を上に述べたように形成あるいは成形するために、本発明により、前記基板
２を重合体材料より得ることが提案される。重合体基板の利点は、その基板が電
気的に絶縁性であり、高い耐熱性を有することである。これは、ある種の素子の
製造に関して基本的に有利なことである。
【００５３】 シリコンと石英は、マイクロメカニカル加工し易い材料である。
【００５４】 ３次元構造３を更に加工あるいは処理するために種々の処理法を用いることがで
きる。これらの処理は作られるべき素子の性質に依存する。本発明によると、こ
の３次元構造３を更に加工するための種々の処理には、リトグラフ処理、ＰＶＤ
処理、ＣＶＤ処理、種々のドーピング処理、イオン注入処理、あるいは、イオン
エッチング、化学エッチング、プラズマエッチング等のエッチング処理を含むこ
とができる。
【００５５】 ３次元構造３の更なる処理には、更なる機械加工を含むことができる。例えば、
基板がある処理を受けている間は、その基板はしっかりと真空チャックで保持さ
れているので、処理／技術的観点から、後の処理のために要求される穴を穿設す
ることが容易となる。基板を鋸で切ったり分割して個々の素子にすることも、後
続の機械加工操作の一つである。
【００５６】 ３次元構造は処理の他の段階においても加工されることは理解されるであろう。
例えば、ダイやモデルをマイクロメカニカル加工することに加えて、そのダイや
モデルを他の方法で加工することが適当な場合もある。例えば、そのダイやモデ
ルをリトグラフで、あるいは、機械的に加工して、その３次元構造に関連してさ
らに寸法を与えることが適当な場合がある。
【００５７】 図示された実施例では、素子は熱電対であり、その３次元構造を一または多数の
金属層で被覆するためにＰＶＤ処理が使用される。
【００５８】 図５においては、３次元構造に対して特定の適用角度で金属層が付設され、これ
によって達成された陰影効果によって、金属で被覆された領域と被覆されていな
い領域が形成される。
【００５９】 ３次元構造に対して特定の適用角度で金属層を付設するという考えは、得られる
陰影効果によって処理された表面領域と処理されていない表面領域を作るために
、ＰＶＤ処理以外の処理においても使うことができる。
【００６０】 種々の処理領域のパターンを形成するために、２またはそれ以上の適用角度を使
いうることが以下に示される。
【００６１】 この更なる処理は、前述した処理のどれかの一つまたはそれ以上の組み合わせで
あることができる。
【００６２】 本発明をより以上理解することが可能となるように、本発明に係る方法で作られ
る熱電対を作る方法を以下に記載する。
【００６３】 この実施例では、導電性金属の第１と第２の層が３次元構造の一つまたは複数の
表面領域に付けられる。
【００６４】 図１と図５に図示されているように、第１の金属Ｍ１の層は、非導電性の基板２
としての３次元構造３に９０度以外の第１の適用角度ａで付着させられている。
他方、第２の金属Ｍ２の層は、第１の適用角度ａとは異なるがやはり９０度以外
の角度である第２の適用角度ｂで、その３次元構造に付着させられている。
【００６５】 第１と第２の金属層Ｍ１とＭ２は、互いに離れた検出器関連の表面領域Ｍ１２、
Ｍ１２’、Ｍ１２’’、Ｍ２１、Ｍ２１’、Ｍ２１’’において互いに重なって
いる。ここにおいて、そのような導電体被覆を備える３次元構造および／または
ダイあるいは型（モールド）は、一つまたは多数の熱電対として機能する。
【００６６】 この目的のために、３次元構造は、複数の導電性突条５、５’、５’’を包含す
る。各導電性突条は第１の側表面５ａと、第２の側表面５ｂと、上表面５ｃを有
し、更に、中間導電表面６を、互いに隣接する突条５、５’の間に備えている。
【００６７】 「導電性突条」という表現は少し誤解を招くかもしれない。というのは、トポロ
ジー構造としては、大きく先細りした「塔状ブロック領域」を意味するからであ
り、しかもその構造は複数の狭い棒状部分からなり、そして一つの行（あるいは
列）の棒状部分が隣接する行の棒状部分に対して僅かにずれており、多数の棒状
部分は互いに異なった高さを持っているからである。
【００６８】 図１に示されているように、第１の角度ａは、各導電性突条５、５’、５’’の
第１の側表面５ａと、少なくとも上表面５ｃの一部と、中間導電表面６の少なく
とも一部が、第１の金属層Ｍ１で被覆されるように設定され、他方、第２の角度
ｂは、各導電性突条５、５’、５’’の第２の側表面５ｂと、少なくとも上表面
５ｃの一部と、中間導電表面６の少なくとも一部が、第２の金属層Ｍ２で被覆さ
れるように設定される。
【００６９】 第１と第２の角度ａとｂは、金属層が重なり合って電気的接触部Ｍ１２、Ｍ２１
および各導電性突条５、５’の上表面５ｃの上および中間導電表面６の上の第１
の金属層Ｍ１を形成し、その金属層Ｍ１、Ｍ２が相互に接続された一連の接点Ｍ
１２、Ｍ１２’、Ｍ１２’’、Ｍ２１、Ｍ２１’、Ｍ２１’’を第１と第２の金
属Ｍ１，Ｍ２の間に形成するように、設定されることもある。
【００７０】 図１は、このようにして形成された一連の熱電対を示す。この熱電対は複数の突
条を備える。電気的に機能する検出器１を得るために、全ての熱電対を周囲の金
属層から電気的に絶縁する必要がある。すなわち、検出器に関与する表面内の金
属層Ｍ１、Ｍ２を周囲の表面の上の金属層Ｍ１Ｒ、Ｍ２Ｒから電気的に絶縁する
必要がある。
【００７１】 図６に示されているように、本発明によるとき、素子あるいは検出器１は、検出
器で検出されるべき入射電磁波あるいは入射光線４の入射角ｃに対して相対的に
合わせて配置される。これは、検出されるべき光線が各導電性突条の上表面５ｃ
を照射し、中間導電表面６がその導電性突条の陰影部になるように、検出器１を
入射光線４に対して位置決めすることにより達成される。
【００７２】 図７、８に示されているように、検出器３と周囲の金属層Ｍ１Ｒ、Ｍ２Ｒの間の
電気的絶縁部７１が、絶縁性突条８１によって達成される。絶縁性突条８１は、
互いに隣接する絶縁表面９１を有し、３次元構造に属する。絶縁部７１は、それ
ら相互との関係において、そして導電性突条５、５’、５’’との関係において
、さらに第１と第２の角度ａ、ｂとの関係において、その絶縁表面７１が第１と
第２の金属層によって被覆されないように、位置決めされる。
【００７３】 図７と８は、突条の列の形成をも図示している。検出器１の分解能あるいは感度
を強化するためには、多数の直列に接続された金属層間接点を備えることが望ま
しい。直列接続された接点の数が増大すると、検出器表面は顕著に横長の形状に
なるであろう。しかし、測定技術上の理由から、検出器は基本的に正方形の形状
を有することが望まれる。
【００７４】 したがって、本発明では、導電性突条は、互いに平行な導電性突条のｎ本の列を
形成するように、配向されている。列は列１（ｋ１）、列２（ｋ２）、・・・、
列ｎ（ｋｎ）まで記号が付されている。ここにおいて各列は、ｍ本の導電性突条
を含んでいる。突条は、突条１（ａ１）、突条２（ａ２）、・・・、突条ｍ（ａ
ｍ）まで記号が付されている。ｍは各列毎に異なる。
【００７５】 各列の突条がコヒーレントな一連の相互結合を形成するように、本発明では、最
後の列ｋｎを除いて各列のｍ番目の突条ａｍが、次の列の第１の突条ａ１に、５
１によって電気的に接続されている。
【００７６】 これにより、全ての列の中の全ての導体性突条に属している第１と第２の金属の
間に複数の接点が、電気的に相互に接続された共通の一連の接点列として、形成
される。
【００７７】 図１０は、二つの相互に隣接する列Ｋ１、Ｋ２の中の二つの突条の間の電気的相
互接続部５１が、この相互接続をするために用意された導電性表面区域５１’に
よって達成されている実施例を示す。
【００７８】 図１１は、導電性突条ａ１、ａ２間に絶縁性突条８１を介在させ、ほぼ正方形の
熱電対を作る方法を図示している。
【００７９】 本発明によるとき、一連の導電性突条は直列に接続された熱電対を形成する。そ
して、その一連の導電性突条の中の第１の導電性突条ｋ１、ａ１の第１または第
２側表面上の金属層、あるいは、第１の導電性突条に隣接する導体表面の上の金
属層が、その直列に接続された熱電対の第１の接続電極５３を形成する。また、
その一連の導電性突条の中の、最後の導電性突条ｋｎ、ａｍ、あるいは、その突
条に隣接する突条の上の導電表面に属する第１または第２の表面が第２の接続電
極５４を形成する。
【００８０】 図１２に図示されているように、検出器３が赤外領域の光線の検出を意図してい
る場合には、３次元構造は、各導電性突条の頂上部分５ｃは熱吸収層５５によっ
てカバーされ、各中間導電表面６は熱反射層５６によってカバーされるように、
さらに加工される。
【００８１】 この加工は、熱電対の測定点であるホット接合点が入射光に晒されて、入射光に
含まれる熱エネルギの可能な最大量を吸収するように行われる。コールド接合点
すなわち導電性突条の間の導電表面は、入射光の影響を受けるべきではないため
、前述したように、導電性突条の陰影部に置かれる。しかしながら、検出器の周
縁部には迷光が発生する可能性がある。それ故、コールド接合点は熱反射層で被
覆されることが望ましい。
【００８２】 本発明の好ましい実施例では、熱吸収被覆５５はカーボン層からなり、熱反射層
５６は反射性の金属層Ｍ１、Ｍ２からなる。
【００８３】 使用される金属Ｍ１、Ｍ２は、光学的特性、すなわち使用光線の反射能、および
、それらの熱電特性の両方の観点から適当なものを選択すべきである。第１の金
属Ｍ１は第２の金属Ｍ２とは異なるものであり、互いに協働して熱電効果を発揮
するものでなければならない。
【００８４】 一つの実施例では、二つの金属はそれぞれ金とクロムである。クロムが第１の、
すなわち内側の金属Ｍ１であり、金が第２の金属Ｍ２である。
【００８５】 素子が熱電対である図示の実施例では、幾つかの点において重合体材料の方がシ
リコンより適当な特性を持っていることを示している。シリコンは望まれる熱絶
縁性を持っていないのである。
【００８６】 以下に、本発明の更なる理解を容易にすることを意図して、本発明に係る方法に
よって作られる別の素子について記載する。
【００８７】 図１３に図示されている素子は圧力センサ１１である。その圧力センサ１１は、
閉じた空洞１１４に面する壁面１１３の外表面に取り付けられたストレインゲー
ジ１１２を備える。壁面１１３は、空洞の中に閉じ込められているガス圧力Ｐ１
と、空洞の外の変動するガス圧力Ｐ２の圧力差に応じて、空洞から出っ張ること
ができる程度に十分に薄く作られている。
【００８８】 この実施例では、基板と３次元構造３’は空洞１１４を画定する本体１１４’を
含む。そして、基板の後の処理過程で、ストレインゲージ１１２を形成する金属
線条でその薄い壁面１１３を被覆する。
【００８９】 製造上の理由で、圧力センサ１１の空洞は、しばしば二つの部分１１ａと１１ｂ
から構成される。一方の部分１１ａは箱型であり、他方の部分１１ｂは箱の蓋の
形である。その薄い壁面１１３は、しばしば蓋１１ｂあるいは箱１１ａの底に付
けられた薄膜からなる。
【００９０】 いくつか複数の部分からなる素子を本発明に従って作ることはなんら妨げられな
い。いくつかの部分とは、例えば箱と蓋である。次いで、基板をさらに加工する
ことは、複数の部分を互いに組み付けることを含む。このことは、例えば、架橋
硬化、焼き入れ硬化、ＵＶ光線による接着、超音波融着、あるいは表面を化学的
あるいは物理的加工によって互いに直接に接着することによって達成される。３
次元構造は、現在使用されている方法で部品と組み付けられる。
【００９１】 これに代わる方法として、本発明に従って素子の部分を互いに組み付けるにあた
って特に有利な方法は、金等の金属で被覆したとき、さらに何ら処理することな
く、互いに締めつける（ｗｒｉｎｇ ｔｏｇｅｔｈｅｒ）ことにより、滑らかな
表面をつくることである。締めつけ接合は、両表面に直接原子接合が得られる程
に滑らかな二つの表面を合わせることにより達成される。重合体材料によって加
圧する場合の柔軟性は、なんらかの不規則性や汚染すらもプラスチックの柔軟性
で吸収してしまうという、他の材料、例えばシリコンや石英基板を用いては不可
能な特長を発揮するものである。
【００９２】 図１４は、電気‐光学カップリングユニット１２を構成する素子の、高度に単純
化された概念図である。この電気‐光学カップリングユニットは、例えば、広帯
域情報伝送に使える。そのようなカップリングユニットを用いて、例えば、光学
的に搬送される情報を家庭に配信するための、低価格の素子を製造することがで
きることが望まれる。
【００９３】 そのような素子１２の基板のための３次元構造３’’は、光ファイバ１２２のた
めの機械的整列部１２１と、光領域の情報を電気信号に変換するフォトダイオー
ド１２４のための第１のホルダ１２３を備えなければならない。
【００９４】 ３次元構造３’’は、導電体経路１２５と接続ターミナル１２６を形成すること
を可能にする。接続ターミナルにより、電気信号は、外部ユニット１２７、例え
ばコンピュータに接続さる。
【００９５】 もちろん、電気的に搬送されてきた情報にもとづいて光源から光パルスを発生し
、その光を光ファイバに結合するという、逆の信号経路も要求される。
【００９６】 従って、３次元構造は光源１２９のための第２のホルダ１２８を含まなければな
らない。そのホルダは、その光源１２９を光ファイバ１２２または光ファイバ機
械的整列部１２１と方向合わせするように作られる。
【００９７】 図示された素子１２は、本発明に従って作られる。先ず、基板に、光ファイバ１
２２の機械的整列部１２１、フォトダイオード１２４のための第１のホルダ１２
３、光源１２９のための第２のホルダ１２８についての全幾何学的要求を満足す
る３次元構造を与える。
【００９８】 必要な導電経路１２５の敷設、光ファイバ１２２、フォトダイオード１２４、光
源１２９、接続ターミナル１２６の取り付け等は前述の処理方式を用いて更に処
理される。後続の処理は、３次元構造３’の適当な寸法決めによって、可能とな
る。
【００９９】 本発明の一つの実施例によると、光ファイバ１２２は、フォトダイオード１２４
と光源１２９の直接接続によって基板内の光導波管として形成される。それでも
、外部から到着する光ファイバと、そのようにして形成された光導波管の間の接
続は、依然として好ましいものである。
【０１００】 図１５は、電気泳動分離に基づく生化学的分析器の例を図示する。それの最も簡
単な形式では、その分析器は、分離ヒドロゲルが置かれるチャンネル構造を含む
素子１３を必要とする。分離ヒドロゲルを置くことは、そのチャンネルをモノマ
の状態のゲルで満たし、次いで、ＵＶ光線を用いて、そのゲルの適当な領域を重
合化することにより行われる。
【０１０１】 分離は、電場を印加し、そして分子をチャンネルに沿って移動させ、そのゲルの
中でその分子を篩分けすることにより行われる。異なった分子は、それの大きさ
と電荷に関係して、異なったスピードで移動する。一般的に言って、大きな分子
は小さな分子よりゆっくり移動し、大きい電荷を有する分子は速やかに移動する
。
【０１０２】 この応用のために適切な３次元構造３’’’は、前に述べた複製技術を用いて作
られた、機械的チャンネル構造１３１を備える。陽極１３２と陰極１３３は、チ
ャンネル１３１のそれぞれの端部において電極パターンにより電気的に接続され
る。その電極パターンは、他の実施例に関連して述べた、陰影マスキングあるい
はリソグラフィック技術を用いて作られたものである。それ故、この素子のため
の３次元構造は、チャンネル１３１を含み、そして、陽極１３２と、陰極１３３
を、関連する電気接触部１３４とともに形成できるようにするものである。
【０１０３】 分離に引き続いて、分子は、好ましくは光学的方法、例えば、蛍光吸収によって
検出される。蛍光吸収の場合、もし、蛍光光線１３５が効率的に検出器１３６に
集められると大きなゲインが得られる。
【０１０４】 このことは、例えば、３次元構造の中に、適当な特性を有する回折光学素子１３
７を用いた集光レンズを置くことにより達成される。これに代えて、３次元構造
３’’’が、例えば、蛍光発生に必要な光を外部光源からチャンネル１３１に導
くことを可能にするように、光導波管１３８を形成することも可能である。
【０１０５】 素子１３を、チャンネルを閉じる蓋あるいはカバーと協働するようにすることも
できる。
【０１０６】 このようにして、試料チャンネル１３１、接続部１３４を有する電極１３２，１
３３、外部光源からチャンネル１３１に光を導く光導波管１３５、拡散する蛍光
１３５を外部検出１３６に焦点整合させる回折光学素子１３７を含む電気泳動分
離素子が得られる。普通はレーザである光源と、検出器１３６および関連する電
子装置等の高価な素子は、装置１３９に属し、本発明により作られた安価な素子
と協働するようにされる。
【０１０７】 回折光学要素１３７に対応する３次元構造３’’’の部分を作るために使われる
ダイあるいはモデルの部分の加工は、例えば、電子線リトグラフで達成される。
【０１０８】 以上述べた全ての実施例の更なる加工および更なる処理は、論理回路、Ａｓｉｃ
ｓ，増幅器等の異なった集積回路を搭載することを含み、前記３次元構造はその
ような素子を取り付けることができるようにされたものであることを理解された
い。
【０１０９】 本発明は以上に述べ且つ図解した実施例に限られるものではなく、請求の範囲の
各項中で定義された発明の概念の範囲内で変更することが可能であることを理解
されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 相互に異なった金属からなる２層を含み、多数の直列結合された熱電対を形成す
る検出器としての素子である。
【図２】 本発明の素子と一緒に形成されることができる、導体経路、電気回路、および／
または電子回路および結合パッドの高度に単純化された概念的図である。
【図３】 本発明の素子と一緒に形成されることができる機械部品の高度に単純化された概
念的図である。
【図４ａおよび４ｂ】 検出器を付設した基礎構造がどのようにしてモールドとモデルから形成されるか
を示す、概念的側面図である。
【図５】 本発明の検出器の何程か拡大された側面図である。
【図６】 検出器が、どのようにして入射光線の選ばれた角度に合わせられたり位置決めさ
れたりできるかを図示する単純化された側面図である。
【図７】 検出器が、どのようにして周囲の金属層から電気的に絶縁できるかを上から概念
的に図示する。
【図８】 検出器が、どのようにして周囲の金属層から電気的に絶縁できるかを側面図で概
念的に図示する。
【図９】 電気的に相互に結合されているいくつかの導電性突条の列を含む検出器を上方か
ら見て概念的に図示する。
【図１０】 前記列が導電性表面部分によって相互に結合された図９の検出器を、同じく上方
から見て概念的に図示する。
【図１１】 複数の導電性突条の列を含むこともある検出器を形成するように、導電性突条と
電気的絶縁性の突条が協働する様子を上から概念的に図示する。
【図１２】 導電性突条が入射光線を吸収するようにされている様子を側面図で概念的に図示
する。
【図１３】 空洞とストレインゲージを含む圧力センサを形成する素子を概念的に単純化して
示す図である。
【図１４】 電気‐光学スイッチングユニットおよびそれに関連した部品としての素子の概念
的な高度に単純化された図である。
【図１５】 電気泳動分離に基づく生化学的分析で使用されるテストチャンネルとしての素子
の概念的な高度に単純化された図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 6/42 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｇ０１Ｎ 27/26 ３１５Ａ ３２５Ａ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気素子、電子素子、光学素子、および／または機械的素子の製
    造方法であって、その素子の基板が３次元構造あるいは３次元形状として与えら
    れ、その素子を作るために、その基板にさらなる処理が施される製造方法におい
    て、抜き型あるいは成形型により、例えば、モールド成形、プレス加工、押出成
    型、あるいはエンボス加工等によりその基板を処理することを特徴とする電気素
    子、電子素子、光学素子、および／または機械的素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 その素子を限定された表面領域内に作り、そして導電経路および
    ／または別の電気素子および／または電子素子をその限定された表面領域に互い
    に同じ方法で作ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記素子が、スナップファスナ手段等の機械的部分、例えば、そ
    の素子を基礎基板に取り付けるための突起部と凹部を備えたものであることを特
    徴とする請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 その素子に対応する前記抜き型あるいは成形型の少なくとも一部
    は、その構造のモデルから、例えばモールディングあるいは電気鍍金によって形
    成することと、前記モデルはマイクロメカニカル加工（超微細機械加工）法によ
    り、その加工法に適した材料から作ることと、そのモデルの３次元構造あるいは
    形状を、所望の、素子関連表面部品、導電経路、および／または電気回路および
    ／または電子回路と対応するように選ぶことを特徴とする請求項１、２または３
    に記載の方法。
  5. 【請求項５】 その素子に対応する前記抜き型あるいは成形型の少なくとも一部
    は、マイクロメカニカル加工に適した材料をその加工法で作ることと、前記ダイ
    あるいはモールドの３次元構造あるいは形状は、所望の、素子関連表面部品、導
    電経路、および／または電気回路および／または電子回路に関して相補的形状で
    あることを特徴とする請求項１、２または３に記載の方法。
  6. 【請求項６】 基板が重合体材料からなることを特徴とする請求項１から５のい
    ずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 マイクロメカニカル加工を適用できる材料がシリコンであること
    を特徴とする請求項４または５記載の方法。
  8. 【請求項８】 マイクロメカニカル加工を適用できる材料が石英であることを特
    徴とする請求項４または５記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記更なる処理がリトグラフ工程によるものであることを特徴と
    する請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記更なる処理がＰＶＤ工程によるものであることを特徴とす
    る請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記更なる処理がＣＶＤ工程によるものであることを特徴とす
    る請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記更なる処理が、イオン注入等のある種のドーピング処理で
    あることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記更なる処理が、イオンエッチング、化学エッチング、プラ
    ズマエッチング等のエッチング処理であることを特徴とする請求項１から８のい
    ずれか１項に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記処理が前記３次元構造に対して特定の適用角度で適用され
    、結果として得られる陰影効果により、処理された表面領域と処理されなかった
    表面領域が形成されることを特徴とする、請求項１１、１２または１３記載の方
    法。
  15. 【請求項１５】 異なった処理領域のパターンが形成されるように、２またはそ
    れ以上の適用角度を使用することを特徴とする請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記更なる処理が、機械加工であることを特徴とする請求項１
    から８のいずれか１項に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記更なる処理が、請求項８から１５に記載した処理の一つま
    たはそれ以上の組み合わせであることを特徴とする請求項８から１６のいずれか
    １項に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記素子が熱電対であり、前記３次元構造が一つまたは複数の
    表面領域を備え、少なくともその３次元構造を第１と第２の導電金属で被覆し、
    その際、前記第１の金属による被覆の際には、前記３次元構造に対して９０度以
    外の第１の適用角度を適用し、第２の金属による被覆の際には、前記３次元構造
    に対し９０度以外で前記第１の適用角度とも異なる第２の適用角度を適用し、前
    記第１と第２の金属層は、分離した検出器関連表面部品で互いに重なり合わせら
    れその部分が検出に関与し、その３次元構造あるいは配向が、一つまたはそれ以
    上の熱電対の機能を持つ導電層を持つようにされていることを特徴とする、請求
    項１から１７のいずれか１項に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記３次元構造が、複数の、第１の側表面と第２の側表面と上
    表面を有する導電性突条と、各隣接する導電性突条の間に中間導電表面を備え、
    前記第１の適用角度が、各導電性突条の前記第１の側表面と前記上表面の少なく
    とも一部と各前記中間導電表面の少なくとも一部が前記第１の金属で被覆される
    ように調整され、前記第２の適用角度が、前記各導電性突条の前記第２の側表面
    と前記上表面の少なくとも一部と各前記中間導電表面の少なくとも一部が前記第
    ２の金属で被覆されるように調整され、前記第１と第２の角度が、前記第２の金
    属層が、各導電性突条の上表面および各前記中間導電表面の上の前記第１の金属
    層と重なり合って電気的接触をし、その結果、それらの金属層が第１と第２の金
    属層の間で相互接続ジャンクションのシリーズを形成するように、調整されるも
    のであることを特徴とする請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記３次元構造が、検出されるべき入射光線あるいは電磁波が
    各導電性突条の上表面を照射し、前記中間導電表面が前記入射光に対して前記導
    電性突条の陰影部に入るように、前記入射光に対して位置決めされることを特徴
    とする請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記中間導電表面を伴う導電性突条と、前記基礎構造に属する
    周縁表面部分の間に、電気的絶縁表面区域を形成することを特徴とする請求項１
    ９記載の方法。
  22. 【請求項２２】 互いに隣接した絶縁表面を有する絶縁性突条を、互いの関係と
    、前記導電性突条との関係と、前記第１と第２の角度との関係において位置決め
    することにより、前記第１と第２の金属層が前記絶縁表面上で排除され、それに
    より前記電気的絶縁が達成されるようにしたことを特徴とする請求項２１記載の
    方法。
  23. 【請求項２３】 前記導電性突条が、列１、列２、・・・、列ｎと順次名付けら
    れたｎ列の導電性突条を形成するように配置され、各列は、突条１、突条２、・
    ・・、突条ｍと名付けられたｍ個（ｍは各列毎に異なる）の導電性突条を含むよ
    うに配置され、ｎ番列を除く各列の最初の突条、および最終列を除く各列のｍ番
    目の突条は、相互に結合された突条を形成し、最終列を除く各列のｍ番目の突条
    は、次の列の最初の突条に電気的に接続され、そして、全ての列の全ての導電性
    突条に属する第１と第２の金属層の間のジャンクションが、電気的に接続された
    ジャンクション列を形成することを特徴とする請求項１９記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ある列のｍ番目の突条とその列に隣接する列の突条の間の電気
    的接続が、前記隣接する列の間において導電表面区域を形成することにより行わ
    れ、前記導電表面区域は、隣接する列の相互接続された突条とは電気的に接続さ
    れるが、前記隣接する列の他の個所とは電気的に絶縁されていることを特徴とす
    る請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記導電性突条のシリーズが直列に接続された熱電対を形成し
    、前記導電性突条の列中の最初の導電性突条の第１または第２の側表面の上の金
    属層、あるいは、前記最初の導電性突条に隣接する導電表面が前記熱電対の第１
    の接続電極を形成し、前記導電性突状の列中の最後の導電性突条の第１または第
    ２の側表面の上の金属層、あるいは、前記最後の導電性突条に隣接する導電表面
    が前記熱電対の第２の接続電極を形成することを特徴とする請求項１９記載の方
    法。
  26. 【請求項２６】 各導電性突条の上表面が熱吸収層で被覆され、各中間導電表面
    が熱反射層で被覆されていることを特徴とする請求項１９記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記熱吸収層がカーボンからなり、前記熱反射層が前記金属か
    らなることを特徴とする請求項２６記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記第１の金属層の金属は、前記第２の金属層の金属と異なる
    ものであり、前記第１と第２の金属の間に熱電効果が得られるものであることを
    特徴とする請求項１９記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記二つの金属層は、クロムと、それを被覆している金である
    ことを特徴とする請求項１９記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記素子が圧力センサであり、その圧力センサが閉鎖された空
    洞に面する壁面の外側に取り付けられたストレインゲージを備え、その壁面の厚
    さが、その空洞の中の圧力と前記空洞の外側のガス圧力の圧力差に応動してその
    空洞から突出することができる程度に薄いものであって、前記３次元構造が前記
    空洞を形成し、前記更なる処理で、ストレインゲージを形成する金属線条を前記
    薄い壁面に付けることを特徴とする、請求項１から１７のいずれか１項に記載の
    方法。
  31. 【請求項３１】 前記素子が、光ファイバ、フォトダイオードおよび光源を互い
    に他のものと機械的に整列させるための電気光学的カップリングユニットであり
    、前記３次元構造が、前記光ファイバ、フォトダイオード、および光源を互いに
    関連配置しうる幾何学的要求を満たすように作られ、前記３次元構造は、前記更
    なる処理によって、必要な導体経路を設けることおよび、光ファイバ、フォトダ
    イオード、および光源を取り付けることを可能にするようにされたものであるこ
    とを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記素子が、電気泳動分離に基づく生化学的分析器を企図した
    ものであって、分離ヒドロゲルが収容されるチャンネル構造を含み、分析される
    分子は、二電極間に加えられた電場間をチャンネルに沿って移動させられること
    により、ゲルの中で篩分けされるものであり、前記３次元構造が、前記チャンネ
    ルを含むとともに、前記更なる処理によって、前記電極および関連接続導体を設
    けるようにしたものであることを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に
    記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記３次元構造が、前記更なる処理によって、必要な光を外部
    光源から前記チャンネルに導くための光ガイドの取り付け、発散する蛍光を外部
    検出器に向かって焦点合せさせるための回折光学要素を取り付けるようにされて
    いることを特徴とする請求項３２記載の方法。
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JPS60253944A (ja) 圧力センサおよびその製造方法

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