JP2002216952A - 電界発光表示装置 - Google Patents
電界発光表示装置Info
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Classifications
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 吸収剤を複数の領域に分離形成して、吸収
剤の荷重を分散させることにより、半透過性膜がドロッ
プすることを防止する電界発光素子装置を提供する。 【解決手段】 透明基板２０上に形成された第１電極１
１と、前記第１電極上の所定部位に順に積層されたＥＬ
層２２及び第２電極２４と、前記第２電極との対向面が
複数個の突出部を有するパッキジングプレート２９と、
前記各突出部に収容された吸収剤２６と、前記吸収剤２
６が前記パッキジングプレート２９から離脱することを
防止する半透過性膜２５と、前記透明基板とパッキジン
グプレートとを対向するよう合着させる接着剤２８とを
含むことを特徴とする。
剤の荷重を分散させることにより、半透過性膜がドロッ
プすることを防止する電界発光素子装置を提供する。 【解決手段】 透明基板２０上に形成された第１電極１
１と、前記第１電極上の所定部位に順に積層されたＥＬ
層２２及び第２電極２４と、前記第２電極との対向面が
複数個の突出部を有するパッキジングプレート２９と、
前記各突出部に収容された吸収剤２６と、前記吸収剤２
６が前記パッキジングプレート２９から離脱することを
防止する半透過性膜２５と、前記透明基板とパッキジン
グプレートとを対向するよう合着させる接着剤２８とを
含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は平板表示装置に関
し、特に、有機又は無機発光物質を使用する電界発光表
示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅ；ＥＬＤ）に関する。
し、特に、有機又は無機発光物質を使用する電界発光表
示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅ；ＥＬＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、平板ディスプレーに関する研究が
活発に行われており、その中、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ）、ＦＥＤ（Ｆｅｉ
ｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙｓ）、ＥＬＤ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎ
ｅｌｓ）などが脚光を浴びている。特に、前記ＥＬＤ
（電界発光表示装置）は、基本的にホール輸送層、発光
層、電子輸送層からなるＥＬ層の両面に電極を付けた形
態のものであって、広い視野角、高開口率、高色度など
の特徴のため、次世代の平板表示素子として注目されて
いる。
活発に行われており、その中、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ）、ＦＥＤ（Ｆｅｉ
ｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙｓ）、ＥＬＤ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎ
ｅｌｓ）などが脚光を浴びている。特に、前記ＥＬＤ
（電界発光表示装置）は、基本的にホール輸送層、発光
層、電子輸送層からなるＥＬ層の両面に電極を付けた形
態のものであって、広い視野角、高開口率、高色度など
の特徴のため、次世代の平板表示素子として注目されて
いる。
【０００３】かかるＥＬＤは、その使用材料に従って無
機ＥＬＤと有機ＥＬＤとに分けられる。無機ＥＬＤは高
い電界によって加速した電子が発光体に衝突、励起さ
せ、励起した発光体が基底状態に落ちつつ発光するのに
対して、有機ＥＬＤは陽極と陰極からそれぞれ注入した
電子とホールとが対を形成した後、励起状態から基底状
態に落ちつつ発光する。従って、有機ＥＬＤは無機ＥＬ
Ｄに比べて低い電圧で駆動可能であり、その他にもバッ
クライトが必要でないので、薄型化が実現され、電力消
耗が少ないという長所がある。
機ＥＬＤと有機ＥＬＤとに分けられる。無機ＥＬＤは高
い電界によって加速した電子が発光体に衝突、励起さ
せ、励起した発光体が基底状態に落ちつつ発光するのに
対して、有機ＥＬＤは陽極と陰極からそれぞれ注入した
電子とホールとが対を形成した後、励起状態から基底状
態に落ちつつ発光する。従って、有機ＥＬＤは無機ＥＬ
Ｄに比べて低い電圧で駆動可能であり、その他にもバッ
クライトが必要でないので、薄型化が実現され、電力消
耗が少ないという長所がある。
【０００４】一方、ＥＬＤは、ディスプレーパネルの駆
動方式に従って受動ＥＬＤ（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ
ＥＬＤ）と能動ＥＬＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｅ
ＬＤ）とに分けられる。受動ＥＬＤは直交する２つの電
極の間に有機機能層が備えられた単純な構造を有し、能
動ＥＬＤは各画素領域ごとにスイッチング用及び発光用
薄膜トランジスタを備えて、各画素を能動的に駆動させ
るやや複雑な構造を有している。
動方式に従って受動ＥＬＤ（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ
ＥＬＤ）と能動ＥＬＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｅ
ＬＤ）とに分けられる。受動ＥＬＤは直交する２つの電
極の間に有機機能層が備えられた単純な構造を有し、能
動ＥＬＤは各画素領域ごとにスイッチング用及び発光用
薄膜トランジスタを備えて、各画素を能動的に駆動させ
るやや複雑な構造を有している。
【０００５】以下、添付の図面を参照して従来技術の電
界発光表示装置を説明する。
界発光表示装置を説明する。
【０００６】図１は一般的な電界発光表示装置の駆動回
路図であり、図２ａは従来技術による電界発光表示装置
の断面図であり、図２ｂは従来技術の問題点を説明する
ための電界発光表示装置の断面図である。一般に、電界
発光表示装置（ＥＬＤ）は、透明基板上に形成された陽
極と、その陽極の上部に形成されたＥＬ層と、そのＥＬ
層上に形成された陰極と、その陰極の上部で前記透明基
板に対向するよう合着されたパッキジングプレートとか
ら構成されている。
路図であり、図２ａは従来技術による電界発光表示装置
の断面図であり、図２ｂは従来技術の問題点を説明する
ための電界発光表示装置の断面図である。一般に、電界
発光表示装置（ＥＬＤ）は、透明基板上に形成された陽
極と、その陽極の上部に形成されたＥＬ層と、そのＥＬ
層上に形成された陰極と、その陰極の上部で前記透明基
板に対向するよう合着されたパッキジングプレートとか
ら構成されている。
【０００７】この中、受動ＥＬＤはガラス材質の透明基
板上に帯状に一列に配列された透明な陽極と、その陽極
を含む全面に形成された保護膜と、その保護膜上にホー
ル輸送層、発光層及び電子輸送層が積層して形成された
ＥＬ層と、そのＥＬ層上で前記陽極と交差する帯状に形
成された陰極と、吸収剤を収容して半透過性膜を取り付
けて形成されたパッキジングプレートと、前記透明ガラ
ス基板と前記パッキジングプレートとを対向するよう合
着させるために使用される接着剤とから構成されてい
る。
板上に帯状に一列に配列された透明な陽極と、その陽極
を含む全面に形成された保護膜と、その保護膜上にホー
ル輸送層、発光層及び電子輸送層が積層して形成された
ＥＬ層と、そのＥＬ層上で前記陽極と交差する帯状に形
成された陰極と、吸収剤を収容して半透過性膜を取り付
けて形成されたパッキジングプレートと、前記透明ガラ
ス基板と前記パッキジングプレートとを対向するよう合
着させるために使用される接着剤とから構成されてい
る。
【０００８】一方、能動ＥＬＤは、図１に示すように、
互いに交差して配列され、複数個の画素を定義するゲー
ト配線（Ｇ．Ｌ）及びデータ配線（Ｄ．Ｌ）と、前記各
画素領域に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタ
（Ｔ１）及び発光用薄膜トランジスタ（Ｔ２）と、前記
発光用薄膜トランジスタ（Ｔ２）の出力端子に連結され
たＥＬ素子と、前記スイッチング用薄膜トランジスタ
（Ｔ１）の出力端子に連結されたストレージキャパシタ
（Ｃｓｔ）とから構成され、前記発光用薄膜トランジス
タ（Ｔ２）の入力端子とストレージキャパシタ（Ｃｓ
ｔ）には、電圧（ＶＤＤ）を印加する電力供給線（Ｐ．
Ｌ）が連結されている。
互いに交差して配列され、複数個の画素を定義するゲー
ト配線（Ｇ．Ｌ）及びデータ配線（Ｄ．Ｌ）と、前記各
画素領域に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタ
（Ｔ１）及び発光用薄膜トランジスタ（Ｔ２）と、前記
発光用薄膜トランジスタ（Ｔ２）の出力端子に連結され
たＥＬ素子と、前記スイッチング用薄膜トランジスタ
（Ｔ１）の出力端子に連結されたストレージキャパシタ
（Ｃｓｔ）とから構成され、前記発光用薄膜トランジス
タ（Ｔ２）の入力端子とストレージキャパシタ（Ｃｓ
ｔ）には、電圧（ＶＤＤ）を印加する電力供給線（Ｐ．
Ｌ）が連結されている。
【０００９】ここで、前記スイッチング用薄膜トランジ
スタ（Ｔ１）は、ゲート配線（Ｇ．Ｌ）の走査信号によ
ってデータ配線（Ｄ．Ｌ）の映像信号を各画素領域に選
択的に印加する役割を果たし、前記発光用薄膜トランジ
スタ（Ｔ２）は、陽極、ＥＬ層、陰極からなるＥＬ素子
の発光を制御する役割を果たす。
スタ（Ｔ１）は、ゲート配線（Ｇ．Ｌ）の走査信号によ
ってデータ配線（Ｄ．Ｌ）の映像信号を各画素領域に選
択的に印加する役割を果たし、前記発光用薄膜トランジ
スタ（Ｔ２）は、陽極、ＥＬ層、陰極からなるＥＬ素子
の発光を制御する役割を果たす。
【００１０】前記の要素から構成された電界発光表示装
置の構造を図２ａに基づき説明すると、絶縁特性を有す
る透明基板１０と、その透明基板１０上で互いに垂直し
て交差するゲート配線（図示せず）及びデータ配線（図
示せず）と、該２つの配線の交差部位に形成されたスイ
ッチング用薄膜トランジスタ（図示せず）と、前記スイ
ッチング用薄膜トランジスタの出力端子に連結された発
光用薄膜トランジスタ７と、その発光用薄膜トランジス
タ７の出力端子に連結されたＩＴＯ材質の陽極８と、そ
の陽極８を含む全面に形成された保護膜９と、その保護
膜９上にホール輸送層１、発光層２及び電子輸送層３が
積層して形成されたＥＬ層１２と、そのＥＬ層１２上に
形成された金属材質の陰極１４と、吸収剤１６を収容し
て半透過性膜１５を取り付けて形成されたパッキジング
プレート１９と、前記透明基板１０と前記パッキジング
プレート１９とを対向するよう合着するために使用され
る接着剤１８とから構成されている。
置の構造を図２ａに基づき説明すると、絶縁特性を有す
る透明基板１０と、その透明基板１０上で互いに垂直し
て交差するゲート配線（図示せず）及びデータ配線（図
示せず）と、該２つの配線の交差部位に形成されたスイ
ッチング用薄膜トランジスタ（図示せず）と、前記スイ
ッチング用薄膜トランジスタの出力端子に連結された発
光用薄膜トランジスタ７と、その発光用薄膜トランジス
タ７の出力端子に連結されたＩＴＯ材質の陽極８と、そ
の陽極８を含む全面に形成された保護膜９と、その保護
膜９上にホール輸送層１、発光層２及び電子輸送層３が
積層して形成されたＥＬ層１２と、そのＥＬ層１２上に
形成された金属材質の陰極１４と、吸収剤１６を収容し
て半透過性膜１５を取り付けて形成されたパッキジング
プレート１９と、前記透明基板１０と前記パッキジング
プレート１９とを対向するよう合着するために使用され
る接着剤１８とから構成されている。
【００１１】前記スイッチング用薄膜トランジスタは前
記発光用薄膜トランジスタにも連結されるが、ストレー
ジキャパシタ（図１の″Ｃｓｔ″）に連結され、ゲート
配線の走査信号に従ってデータ配線の映像信号を陽極８
に選択的に印加又は無印加させ、電荷容量を蓄積させる
こともある。ここで、前記パッキジングプレート１９と
ガラス基板１０は窒素、アルゴンなどの不活性気体１７
で密閉の所で一般的なインカップシュレーション（ｅｎ
ｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）方法に従ってエポキシ樹脂の
ような接着剤１８を隔てて合着される。
記発光用薄膜トランジスタにも連結されるが、ストレー
ジキャパシタ（図１の″Ｃｓｔ″）に連結され、ゲート
配線の走査信号に従ってデータ配線の映像信号を陽極８
に選択的に印加又は無印加させ、電荷容量を蓄積させる
こともある。ここで、前記パッキジングプレート１９と
ガラス基板１０は窒素、アルゴンなどの不活性気体１７
で密閉の所で一般的なインカップシュレーション（ｅｎ
ｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）方法に従ってエポキシ樹脂の
ような接着剤１８を隔てて合着される。
【００１２】ところが、電界発光表示装置のＥＬ層１２
と陰極１４は湿気や空気中の酸素と反応して酸化しやす
いため、素子において劣化現象が発生する。したがっ
て、吸収剤１６を使用して表示装置内の水分を除去し、
前記パッキジングプレートと基板との間に不活性気体が
満たされるようにする。この際、前記パッキジングプレ
ート１９は、ガラス、プラスチック、カニスターなどを
使用し、前記吸収剤１６としては酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、ゼオライト、シ
リカゲル、アルミナなどの微細粉末を使用し、その吸収
剤１６をパッキジングプレート１９に収容して、紙やテ
フロン（登録商標）などの半透過性膜１５を取り付けて
吸収剤１６を固定させる。但し、前記吸収剤は平坦且つ
均等に形成されるのが好ましい。
と陰極１４は湿気や空気中の酸素と反応して酸化しやす
いため、素子において劣化現象が発生する。したがっ
て、吸収剤１６を使用して表示装置内の水分を除去し、
前記パッキジングプレートと基板との間に不活性気体が
満たされるようにする。この際、前記パッキジングプレ
ート１９は、ガラス、プラスチック、カニスターなどを
使用し、前記吸収剤１６としては酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、ゼオライト、シ
リカゲル、アルミナなどの微細粉末を使用し、その吸収
剤１６をパッキジングプレート１９に収容して、紙やテ
フロン（登録商標）などの半透過性膜１５を取り付けて
吸収剤１６を固定させる。但し、前記吸収剤は平坦且つ
均等に形成されるのが好ましい。
【００１３】ところが、半透過性膜１５の材料が紙やテ
フロンなどのように軽いものであって、吸収剤１６が重
くなると、図２ｂに示すように、前記半透過性膜１５が
下部にドロップして、吸収剤１６がセンターに集まるこ
とになる。このような問題は、電界発光表示装置の面積
が大きくなるほど激しくなり、広くなったパッキジング
プレートに多量の吸収剤が収容されることでその重みに
より半透過性膜が下部にドロップする。この場合、僅か
数百μｍの基板１０とパッキジングプレート１９の間隔
で半透過性膜１５が陰極１４に当接して陰極が劣化し、
これにより、電界発光素子装置の寿命が短縮する。そし
て、吸収剤１６が全面に亘って均等に分布しないので素
子の信頼性が落ちる。
フロンなどのように軽いものであって、吸収剤１６が重
くなると、図２ｂに示すように、前記半透過性膜１５が
下部にドロップして、吸収剤１６がセンターに集まるこ
とになる。このような問題は、電界発光表示装置の面積
が大きくなるほど激しくなり、広くなったパッキジング
プレートに多量の吸収剤が収容されることでその重みに
より半透過性膜が下部にドロップする。この場合、僅か
数百μｍの基板１０とパッキジングプレート１９の間隔
で半透過性膜１５が陰極１４に当接して陰極が劣化し、
これにより、電界発光素子装置の寿命が短縮する。そし
て、吸収剤１６が全面に亘って均等に分布しないので素
子の信頼性が落ちる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、吸収剤を複数の領域に分離形成して、吸収剤の荷重
を分散させることにより、半透過性膜がドロップするこ
とを防止する電界発光素子装置を提供することにその目
的がある。
は、吸収剤を複数の領域に分離形成して、吸収剤の荷重
を分散させることにより、半透過性膜がドロップするこ
とを防止する電界発光素子装置を提供することにその目
的がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の電界発光素子は、透明基板上に形成さ
れた第１電極と、前記第１電極上の所定部位に順に積層
されたＥＬ層及び第２電極と、前記第２電極との対向面
が複数個の突出部を有するパッキジングプレートと、前
記各突出部に収容された吸収剤と、前記吸収剤が前記パ
ッキジングプレートから離脱することを防止する半透過
性膜と、前記透明基板とパッキジングプレートとを対向
するよう合着させる接着剤とを含むことを特徴とする。
るための本発明の電界発光素子は、透明基板上に形成さ
れた第１電極と、前記第１電極上の所定部位に順に積層
されたＥＬ層及び第２電極と、前記第２電極との対向面
が複数個の突出部を有するパッキジングプレートと、前
記各突出部に収容された吸収剤と、前記吸収剤が前記パ
ッキジングプレートから離脱することを防止する半透過
性膜と、前記透明基板とパッキジングプレートとを対向
するよう合着させる接着剤とを含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に沿って本発明
の実施形態による電界発光表示装置を詳細に説明する。
の実施形態による電界発光表示装置を詳細に説明する。
【００１７】図３ａは本発明の第１実施形態による電界
発光表示装置の断面図であり、図３ｂは本発明の第１実
施形態による電界発光表示装置の平面図である。そし
て、図４は、本発明の第２実施形態による電界発光表示
装置の断面図であり、図５ａ及び図５ｂは複数個の突出
部を有する電界発光素子の平面図である。
発光表示装置の断面図であり、図３ｂは本発明の第１実
施形態による電界発光表示装置の平面図である。そし
て、図４は、本発明の第２実施形態による電界発光表示
装置の断面図であり、図５ａ及び図５ｂは複数個の突出
部を有する電界発光素子の平面図である。
【００１８】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
よる電界発光表示装置は、パッキジングプレートとし
て、所望の形態で曲げ力が加え得るカニスターを材料に
使うことを特徴とする。図３ａ及び図３ｂに基づいて説
明すると、光が透過して画像が表示されるガラス材質の
透明基板２０と、その透明基板２０上に互いに交差して
複数の画素領域を形成するゲート配線（図示せず）及び
データ配線（図示せず）と、該２つの配線の交差部位に
形成されたスイッチング用薄膜トランジスタ（図示せ
ず）と、前記スイッチング用薄膜トランジスタの出力端
子にそれぞれ連結されたストレージキャパシタ及び発光
用薄膜トランジスタと、その発光用薄膜トランジスタと
連結され、各画素領域に形成される陽極１１と、その陽
極１１を含む全面に形成された保護膜２１と、その保護
膜２１上に平坦に形成されたＥＬ層２２と、そのＥＬ層
２２上の全面に形成された陰極２４と、複数個の突出部
を有するように製作したカニスター材質のパッキジング
プレート２９と、そのパッキジングプレート２９の突出
部に形成され半透過性膜２５の取り付けにより固定され
た吸収剤２６と、前記透明基板２０とパッキジングプレ
ート２９とを合着させるのに使用される接着剤２８とか
ら構成されている。
よる電界発光表示装置は、パッキジングプレートとし
て、所望の形態で曲げ力が加え得るカニスターを材料に
使うことを特徴とする。図３ａ及び図３ｂに基づいて説
明すると、光が透過して画像が表示されるガラス材質の
透明基板２０と、その透明基板２０上に互いに交差して
複数の画素領域を形成するゲート配線（図示せず）及び
データ配線（図示せず）と、該２つの配線の交差部位に
形成されたスイッチング用薄膜トランジスタ（図示せ
ず）と、前記スイッチング用薄膜トランジスタの出力端
子にそれぞれ連結されたストレージキャパシタ及び発光
用薄膜トランジスタと、その発光用薄膜トランジスタと
連結され、各画素領域に形成される陽極１１と、その陽
極１１を含む全面に形成された保護膜２１と、その保護
膜２１上に平坦に形成されたＥＬ層２２と、そのＥＬ層
２２上の全面に形成された陰極２４と、複数個の突出部
を有するように製作したカニスター材質のパッキジング
プレート２９と、そのパッキジングプレート２９の突出
部に形成され半透過性膜２５の取り付けにより固定され
た吸収剤２６と、前記透明基板２０とパッキジングプレ
ート２９とを合着させるのに使用される接着剤２８とか
ら構成されている。
【００１９】この際、前記スイッチング用薄膜トランジ
スタは、ゲート配線に分岐されたゲート電極と、そのゲ
ート電極と絶縁された半導体層と、前記データ配線から
分岐され半導体層上に形成されたソース／ドレイン電極
とからなっている。
スタは、ゲート配線に分岐されたゲート電極と、そのゲ
ート電極と絶縁された半導体層と、前記データ配線から
分岐され半導体層上に形成されたソース／ドレイン電極
とからなっている。
【００２０】そして、前記ＥＬ層２２はホール輸送層
４、発光層５、電子輸送層６の積層膜から構成され、陽
極１１から注入したホールと陰極２４から注入した電子
とが対を形成した後、励起状態から基底状態に落ちつつ
発光する。
４、発光層５、電子輸送層６の積層膜から構成され、陽
極１１から注入したホールと陰極２４から注入した電子
とが対を形成した後、励起状態から基底状態に落ちつつ
発光する。
【００２１】前記陽極１１はＥＬ層２２にホールを注入
する電極として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）のように導電性のある透明物質を材料にして、真
空蒸着法又はスパッタリング法で塗布した後、写真食刻
工程を用いてパターニングする。前記陰極２４は前記陽
極１１に対向しており、前記ＥＬ層２２にシャドーマス
クを掛けた後、Ｃａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどの金
属、又はこれらの合金を真空蒸着することにより形成さ
れる。
する電極として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）のように導電性のある透明物質を材料にして、真
空蒸着法又はスパッタリング法で塗布した後、写真食刻
工程を用いてパターニングする。前記陰極２４は前記陽
極１１に対向しており、前記ＥＬ層２２にシャドーマス
クを掛けた後、Ｃａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどの金
属、又はこれらの合金を真空蒸着することにより形成さ
れる。
【００２２】前記パッキジングプレート２９はフレキシ
ブル性の良いカニスターを材料にして複数個の突出部を
有するように製作し、前記突出部に酸化バリウムなどの
吸収剤２６を収容して半透過性膜２５を取り付けること
により、パッキジングプレート２９に吸収剤２６を固定
させる。ここで、前記半透過性膜２５は紙やテフロンな
どを材料にする。この際、パッキジングプレート２９の
突出部の面積は、前記半透過性膜２５が吸収剤２６の重
みによって下部にドロップしない程度であれば良く、そ
の形状は図５ａ及び５ｂに示すように何れの形でも構わ
ない。
ブル性の良いカニスターを材料にして複数個の突出部を
有するように製作し、前記突出部に酸化バリウムなどの
吸収剤２６を収容して半透過性膜２５を取り付けること
により、パッキジングプレート２９に吸収剤２６を固定
させる。ここで、前記半透過性膜２５は紙やテフロンな
どを材料にする。この際、パッキジングプレート２９の
突出部の面積は、前記半透過性膜２５が吸収剤２６の重
みによって下部にドロップしない程度であれば良く、そ
の形状は図５ａ及び５ｂに示すように何れの形でも構わ
ない。
【００２３】前記接着剤２８としてはエポキシ樹脂など
が使用されるが、前記透明基板２０の外郭部に印刷させ
た後、前記透明基板２０と前記パッキジングプレート２
９とを対向するように合着する。ここで、前記合着工程
は、窒素、アルゴンなどの不活性気体２７下で行い、透
明基板２０とパッキジングプレート２９との間に不活性
気体２７が満たされるようにする。
が使用されるが、前記透明基板２０の外郭部に印刷させ
た後、前記透明基板２０と前記パッキジングプレート２
９とを対向するように合着する。ここで、前記合着工程
は、窒素、アルゴンなどの不活性気体２７下で行い、透
明基板２０とパッキジングプレート２９との間に不活性
気体２７が満たされるようにする。
【００２４】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
よる電界発光表示装置は、パッキジングプレートとし
て、フレキシブル性の悪いガラスやプラスチックを材料
に使用することを特徴とする。具体的に、本発明による
電界発光表示装置は、図４に示すように、絶縁特性の優
れた透明基板３０と、その透明基板３０上に互いに交差
して、単位画素領域を区分づける２種類の配線と、その
２種類の配線の交差部位に形成され各画素領域に選択的
に電圧を印加するスイッチング用薄膜トランジスタ（図
示せず）と、前記スイッチング用薄膜トランジスタの出
力端子にそれぞれ連結されたストレージキャパシタ及び
発光用薄膜トランジスタと、前記発光用薄膜トランジス
タに連結された透明電極の陽極４２と、その陽極４２を
含む全面に絶縁物質を積層して形成された保護膜３１
と、その保護膜３１上に平坦に形成されたＥＬ層３２
と、そのＥＬ層３２上の全面に形成された金属材質の陰
極３４と、奥側面が成形され形成された溝を複数個有す
るパッキジングプレート３９と、そのパッキジングプレ
ート３９の溝に平坦に収容され、半透過性膜３５の取り
付けによって固定された吸収剤３６と、不活性気体３７
下で前記透明基板２０とパッキジングプレート２９とを
対向するよう合着させるのに使用される接着剤３８とか
ら構成されている。
よる電界発光表示装置は、パッキジングプレートとし
て、フレキシブル性の悪いガラスやプラスチックを材料
に使用することを特徴とする。具体的に、本発明による
電界発光表示装置は、図４に示すように、絶縁特性の優
れた透明基板３０と、その透明基板３０上に互いに交差
して、単位画素領域を区分づける２種類の配線と、その
２種類の配線の交差部位に形成され各画素領域に選択的
に電圧を印加するスイッチング用薄膜トランジスタ（図
示せず）と、前記スイッチング用薄膜トランジスタの出
力端子にそれぞれ連結されたストレージキャパシタ及び
発光用薄膜トランジスタと、前記発光用薄膜トランジス
タに連結された透明電極の陽極４２と、その陽極４２を
含む全面に絶縁物質を積層して形成された保護膜３１
と、その保護膜３１上に平坦に形成されたＥＬ層３２
と、そのＥＬ層３２上の全面に形成された金属材質の陰
極３４と、奥側面が成形され形成された溝を複数個有す
るパッキジングプレート３９と、そのパッキジングプレ
ート３９の溝に平坦に収容され、半透過性膜３５の取り
付けによって固定された吸収剤３６と、不活性気体３７
下で前記透明基板２０とパッキジングプレート２９とを
対向するよう合着させるのに使用される接着剤３８とか
ら構成されている。
【００２５】この際、前記溝の大きさは前記溝に形成さ
れた吸収剤３６の重みによって半透過性膜３５がドロッ
プしない程度であれば良く、多様な溝の形状が可能であ
る。そして、溝の数は電界発光素子のサイズによって変
わるが、２つ以上の複数個にする（図５ａ及び５ｂ参
照）。
れた吸収剤３６の重みによって半透過性膜３５がドロッ
プしない程度であれば良く、多様な溝の形状が可能であ
る。そして、溝の数は電界発光素子のサイズによって変
わるが、２つ以上の複数個にする（図５ａ及び５ｂ参
照）。
【００２６】前記吸収剤３６としては微細な粉末形態の
酸化バリウム、炭酸カルシウム及びゼオライトなどが使
用され、半透過性膜３５としては紙やテフロンなどが使
用される。参考に、前記本発明の実施形態による電界発
光表示装置は能動電界発光表示装置に限定されない。す
なわち、受動電界発光表示装置に対しても、大面積が要
求される時には吸収剤を分離して形成できるように複数
個の突出部が形成されたパッキジングプレートを使用す
る。
酸化バリウム、炭酸カルシウム及びゼオライトなどが使
用され、半透過性膜３５としては紙やテフロンなどが使
用される。参考に、前記本発明の実施形態による電界発
光表示装置は能動電界発光表示装置に限定されない。す
なわち、受動電界発光表示装置に対しても、大面積が要
求される時には吸収剤を分離して形成できるように複数
個の突出部が形成されたパッキジングプレートを使用す
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電界発光
表示装置は次のような効果がある。大面積の電界発光表
示装置を製作する時、広くなったパッキジングプレート
の面積に一定の面積の突出部を多重に形成させ、前記複
数個の突出部に吸収剤を分離形成して吸収剤の重さを分
散させることにより、吸収剤のドロップ現象を防止し
て、発光領域の劣化現象を防ぎ、これにより、安定的で
あり且つ耐久性に優れた大面積の電界発光表示装置を得
ることができる。また、吸収剤が素子の全面積に亘って
均等に分布するので、素子の信頼度が高まる。
表示装置は次のような効果がある。大面積の電界発光表
示装置を製作する時、広くなったパッキジングプレート
の面積に一定の面積の突出部を多重に形成させ、前記複
数個の突出部に吸収剤を分離形成して吸収剤の重さを分
散させることにより、吸収剤のドロップ現象を防止し
て、発光領域の劣化現象を防ぎ、これにより、安定的で
あり且つ耐久性に優れた大面積の電界発光表示装置を得
ることができる。また、吸収剤が素子の全面積に亘って
均等に分布するので、素子の信頼度が高まる。
【図１】一般的な電界発光表示装置の駆動回路図であ
る。
る。
【図２】図２ａは従来技術による電界発光表示装置の断
面図である。図２ｂは従来技術の問題点を説明するため
の電界発光表示装置の断面図である。
面図である。図２ｂは従来技術の問題点を説明するため
の電界発光表示装置の断面図である。
【図３】図３ａは本発明の第１実施形態による電界発光
表示装置の断面図である。図３ｂは本発明の第１実施形
態による電界発光表示装置の平面図である。
表示装置の断面図である。図３ｂは本発明の第１実施形
態による電界発光表示装置の平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による電界発光表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】図５ａ及び図５ｂは複数個の突出部を有する電
界発光表示装置の平面図である。
界発光表示装置の平面図である。
４：ホール輸送層 ５：発光層 ６：電子輸送層 １０：発光用薄膜トランジスタ １１：陽極 ２０：透明電極 ２１：保護膜 ２２：ＥＬ層 ２４：陰極 ２５：半透過性膜 ２６：吸収剤 ２７：不活性気体 ２８：接着剤 ２９：パッキジングプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オク ヒー キム 大韓民国 キョンギ−ドー，アニャン− シ，マナン−グ，アニャン６−ドン，435 −１，フリービル 711 Ｆターム(参考） 3K007 AB13 AB18 BA06 BB01 BB05 DA01 DB03 EB00 FA02 5C094 AA31 AA38 BA03 BA27 CA19 DA07 DA12 DB01 DB04 EB02 FA01 FA02 FB01 FB20 GB10
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板上に形成された第１電極と、 前記第１電極上の所定の部位に順に積層されたＥＬ層及
び第２電極と、 前記第２電極との対向面が複数個の突出部を有するパッ
キジングプレートと、 前記各突出部に収容された吸収剤と、 前記吸収剤が前記パッキジングプレートから離脱するこ
とを防止する半透過性膜と、 前記透明基板とパッキジングプレートとを対向するよう
に合着させる接着剤と、を含むことを特徴とする電界発
光表示装置。 - 【請求項２】 前記第１電極は一列に平行に配列され、
前記第２電極は前記第１電極に交差して配列されること
を特徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。 - 【請求項３】 前記第１電極はマトリックス配列の各画
素領域に独立したパターンに配置されたことを特徴とす
る請求項１記載の電界発光表示装置。 - 【請求項４】 前記吸収剤は微細な粉末であることを特
徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。 - 【請求項５】 前記突出部はパッキジングプレートを所
望の形態に曲げて製作されたものであることを特徴とす
る請求項１記載の電界発光表示装置。 - 【請求項６】 前記パッキジングプレートとしてカニス
ターが使用されることを特徴とする請求項５記載の電界
発光表示装置。 - 【請求項７】 前記突出部はパッキジングプレートの奥
側面を成形して製作されたものであることを特徴とする
請求項１記載の電界発光表示装置。 - 【請求項８】 前記パッキジングプレートとしてガラス
又はプラスチックの何れかが使用されることを特徴とす
る請求項７記載の電界発光表示装置。 - 【請求項９】 透明基板上に複数の画素領域が定義さ
れ、各画素領域を能動的に駆動する電界発光表示装置に
おいて、 前記各画素領域に備えられたスイッチング用薄膜トラン
ジスタ及び発光用薄膜トランジスタと、 前記発光用薄膜トランジスタに連結され、発光が制御さ
れる電界発光素子と、 前記透明基板との対向面が複数個の突出部を有するパッ
キジングプレートと、 前記各突出部に収容された吸収剤と、 前記吸収剤が前記パッキジングプレートから離脱するこ
とを防止する半透過性膜と、 前記透明基板とパッキジングプレートとを対向するよう
に合着させる接着剤と、を含むことを特徴とする電界発
光表示装置。 - 【請求項１０】 前記スイッチング用薄膜トランジスタ
に連結されたストレージキャパシタを更に含むことを特
徴とする請求項９記載の電界発光素子装置。 - 【請求項１１】 前記吸収剤は微細な粉末であることを
特徴とする請求項９記載の電界発光表示装置。 - 【請求項１２】 前記パッキジングプレートはカニスタ
ー、ガラス又はプラスチック中の何れかを使用すること
を特徴とする請求項９記載の電界発光表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-69847 | 2000-11-23 | ||
| KR1020000069847A KR100652039B1 (ko) | 2000-11-23 | 2000-11-23 | 전계발광소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002216952A true JP2002216952A (ja) | 2002-08-02 |
| JP4094280B2 JP4094280B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=19700776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001357932A Expired - Lifetime JP4094280B2 (ja) | 2000-11-23 | 2001-11-22 | 電界発光表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6867756B2 (ja) |
| JP (1) | JP4094280B2 (ja) |
| KR (1) | KR100652039B1 (ja) |
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| JP2004139987A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Thomson Licensing Sa | 前方発光型有機発光ダイオードパネルのカプセル化 |
| KR100756923B1 (ko) * | 2004-08-07 | 2007-09-07 | 주식회사 멤스웨어 | 유기전계발광 디스플레이용 글라스캡의 제조방법 |
| JP2007335365A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2015064162A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100478311B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2005-03-23 | 김시환 | 유기 이엘 표시소자 |
| KR100875098B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계발광소자 조립용 트레이 및 이를 구비한 전계발광소자조립장치 |
| KR100905331B1 (ko) * | 2002-12-13 | 2009-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널 |
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| TWI255153B (en) | 2003-10-20 | 2006-05-11 | Hitachi Displays Ltd | Organic EL display device |
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