KR100619626B1 - 평판 표시장치 - Google Patents
평판 표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100619626B1 KR100619626B1 KR1020040011339A KR20040011339A KR100619626B1 KR 100619626 B1 KR100619626 B1 KR 100619626B1 KR 1020040011339 A KR1020040011339 A KR 1020040011339A KR 20040011339 A KR20040011339 A KR 20040011339A KR 100619626 B1 KR100619626 B1 KR 100619626B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode pads
- sealing agent
- layer
- substrate
- flat panel
- Prior art date
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 159
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 패드 전극부의 부식을 방지할 수 있도록 한 평판표시소자에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 기판 상에 형성되는 다수의 전극 패드들과, 상기 기판에 도포되는 실링제와, 상기 실링제와 구동회로와의 본딩부 사이에 노출된 상기 전극 패드들 상에 형성되어 상기 전극 패드들의 부식을 방지하는 보호막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이러한, 본 발명은 구동회로와의 본딩부와 실링제 사이에 노출된 전극 패드부 상에 보호막을 형성함으로써 실링제와 투명기판간의 접착력을 감소시키기 않고 수분으로 인한 전극 패드부의 부식을 방지할 수 있으며, 실링제의 안쪽 및 바깥쪽에 차단막을 형성함으로써 실링제와 투명기판간의 접착력을 감소시키기 않고 수분으로 인한 전극 패드부의 부식을 방지함과 아울러 실링제로 인한 EL 층의 손상을 방지하고 스크라이빙 불량 및 외관불량을 방지하게 된다.
Description
도 1은 종래의 평판 표시장치 중 일렉트로 루미네센스 표시장치를 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 실링제의 퍼짐 현상을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 다른 평판 표시장치 중 일렉트로 루미네센스 표시장치를 나타내는 단면도.
도 4는 도 3에 도시된 투명기판 상에 동시에 형성된 절연막 및 보호막을 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치의 보호막을 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 평판 표시장치를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 평판 표시장치의 보호막을 나타내는 평면도.
도 9는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 평판 표시장치의 보호막을 나타내는 평면도.
도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치 중 일렉트로 루미네센스 표시장치를 나타내는 평면도.
도 11은 도 10에 도시된 차단막에 의해 실링제의 퍼짐 현상이 방지되는 상태를 나타내는 단면도.
도 12는 도 10에 도시된 보호막을 나타내는 평면도.
도 13은 도 10에 도시된 다른 형태의 보호막을 나타내는 평면도.
도 14는 도 10에 도시된 또 다른 형태의 보호막을 나타내는 평면도.
도 15는 보호막을 가지는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치를 나타내는 평면도.
도 16은 보호막 및 차단막을 가지는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치를 나타내는 평면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
6, 106 : 절연막 8, 108 : 격벽
10, 110, 210 : 투명기판 12, 112 : 애노드전극
14, 114, 214 : 실링제 16, 116 : 봉합판
20, 120 : EL 층 22, 122 : 캐소드전극
24, 124 : 게터 30, 130, 230, 232 : 칩온필름
32, 132 : ACF 134, 234a, 234b : 보호막
137, 237a, 37b : 전극 패드부 138, 238 : 본딩부
139 : 실링영역 140, 142 : 차단막
150, 250 : 화상 표시부
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로, 특히 패드 전극부의 부식을 방지할 수 있도록 한 평판표시소자에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 일렉트로 루미네센스 표시장치(Electro Luminescence Device : 이하 "ELD"라 함) 등이 있다. 특히 ELD는 기본적으로 정공수송층, 발광층, 전자수송층으로 이루어진 EL층의 양면에 전극을 붙인 형태의 것으로서, 넓은 시야각, 고개구율, 고색도 등의 특징 때문에 차세대 평판표시장치로서 주목받고 있다.
이러한 ELD는 사용하는 재료에 따라 크게 무기 ELD와 유기 ELD로 나뉘어진다. 이 중 유기 ELD는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성된 유기 EL 층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내기 때문에 무기 ELD에 비해 낮은 전압으로 구동 가능하다는 장점이 있다. 또한, 유기 ELD는 플라스틱같이 휠 수 있는(Flexible) 투명기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널이나 무기 ELD에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 작으며, 색감이 뛰어나다.
도 1을 참조하면, 종래의 ELD는 투명기판(10) 상에 형성된 애노드전극(Anode Electrode; 12)과, 애노드전극(12) 상에 형성된 EL층(20)과, EL층(20) 상에 형성된 캐소드전극(Cathode Electrode; 22)과, 애노드전극(12)과 캐소드전극(22) 및 EL층(20)을 덮도록 형성된 봉합판(16)과, 투명기판(10)과 봉합판(16)을 접합하기 위한 실링제(Sealant; 14)와, 봉합판(16)의 내부에 EL층(20)과 마주보도록 부착되는 게터(Getter ; 24)를 구비한다.
애노드전극(12)은 소정간격으로 이격되어 형성되는 다수의 데이터전극들로서 데이터전압이 인가되게 되며 일함수가 높고 광투과율이 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide; IZO), 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide; ITZO)를 증착하여 형성된다.
이러한, 애노드전극(12)이 형성된 투명기판(10) 상에는 EL층(20)에 대응되는 EL셀 영역마다 개구부를 갖는 절연막(6)이 형성된다.
절연막(6)은 EL셀 영역을 제외한 투명기판(10)의 전면에 형성된다. 이 때, 절연막(6)은 봉합판(16)과 투명기판(10)을 접합시키기 위한 실링제(14)가 도포되는 영역의 내부에만 형성된다. 이에 따라, 실링제(14)가 도포되는 투명기판(10) 상의 외부영역(투명기판(10)의 가장자리)에 형성된 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)은 외부의 대기에 노출되게 된다.
절연막(6) 위에는 EL층(20) 및 캐소드전극(22)의 분리하기 위한 격벽(8)이 형성된다. 격벽(8)은 애노드전극(12)을 가로지르는 방향으로 형성되며, 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhang) 구조를 갖게 된다.
EL층(20)은 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)으로부터 공급되는 전자 및 정공을 전송하거나, 이들이 재결합하여 여기자를 생성하고 발광하는 역할을 하는 단층 및 다층 박막으로 구성된다. 즉, EL층(20)은 절연막(6) 상에 도시하지 않은 정공주입층(Hole Injection Layer) 및 정공수송층(Hole Transfer Layer)이 순차적으로 형성된다. 그 위에 정공운송층 상에는 빛을 내는 기능을 하는 발광층(Emitting Layer)이 형성된다. 그리고, 발광층 상에 전자수송층(Electron Transfer Layer) 및 전자주입층(Electron Injection Layer)이 순차적으로 형성된다.
캐소드전극(22)은 주사전극으로서 일함수가 낮음과 아울러 반사율이 높은 알루미늄(Al)과 같은 금속을 EL층(20) 상에 증착함으로써 형성된다.
이에 따라, EL층(20)은 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)에 구동전압 및 전류가 인가되면 정공주입층 내의 정공과 전자주입층 내의 전자는 각각 발광층 쪽으로 진행하여 발광층 내의 형광물질을 여기시키게 된다. 이렇게 발광층으로부터 발생되는 가시광은 투명한 애노드전극(12)을 통해 밖으로 빠져 나오는 원리로 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
봉합판(16)은 EL층(20)의 유기물은 대기중의 수분이나 산소와 반응되어 EL 소자의 수명이 단축되는 문제가 발생하기 때문에 실링제(14)를 사용하여 투명기판(10)과 접합되어 EL층(20)을 밀봉하게 된다. 이러한, 봉합판(16)은 가장자리의 배면에 실링제(14)가 도포되는 제 1 수평면과, 제 1 수평면과 소정 높이의 단차를 가지는 제 2 수평면과, 제 2 수평면과 소정 높이의 단차를 가지는 내부 공간을 구비한다.
봉합판(16)의 내부 공간은 수분 및 산소를 흡수하기 위한 게터(24)가 수납되도록 오목하게 형성된다. 게터(24)는 도시하지 않은 양면 테이프에 의해 봉합판(16)의 내부공간에 부착된다.
게터(24)는 폴리에틸렌계 포장재 내부에 오산화인(P2O5), 산화칼슘(CaO) 및 산화바륨(BaO) 등의 수분과 반응하여 수산기(OH)를 형성하는 흡습제들이 저장된다. 즉, 흡습제는 CaO+H2O=Ca(OH)2, 또는 BaO+H2O=Ba(OH)2의 과정을 거쳐 ELD 내에 발생되는 수분을 흡습하게 된다. 이러한, 게터(24)의 배면에는 산소 및 수분이 드나들 수 있도록 다공질 패드가 부착된다. 이에 따라, 게터(24)는 수분 또는 산소로부터 ELD를 보호하게 된다.
실링제(14)는 광경화성 수지 혹은 열경화성 수지가 사용되고, 투명기판(10)의 가장자리에 도포되어 봉합판(16)과 투명기판(10)을 접합한다.
한편, 종래의 ELD는 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)을 구동회로에 접속시키기 위하여 투명기판(10)의 일측에 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)이 형성된 패드영역에 부착되는 칩온필름(Chip On Film)(30)을 구비한다.
칩온필름(30)은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film : ACF)(32)에 의해 전극 패드부에 부착된다. 이에 따라, 종래의 ELD는 칩온필름(30)을 경유하여 구동회로로부터 공급되는 구동신호에 따라 EL층(20)을 구동시켜 원하는 화상을 표시하게 된다.
그러나, 이러한 종래의 ELD에서는 애노드전극(12) 및 캐소드전극(22)이 실링제(14)와 칩온필름(30) 사이의 영역(40)에서 대기 중으로 노출되게 된다. 이에 따라, 대기 중으로 노출된 애노드전극(12)/캐소드전극(22)은 외부의 수분(H2O)에 의해 부식되는 현상이 발생하게 된다. 구체적으로, 전극들의 부식은 대기 중으로 노출된 애노드전극(12)/캐소드전극(22)에 침투하는 미세한 수분과 애노드전극(12)/캐소드전극(22)에 인가되는 전압에 의해 발생하게 된다. 또한, 대기 중으로 노출된 애노드전극(12)/캐소드전극(22)은 ELD 공정 상의 오염(유기물, 지문 등)된 부분에 침투하는 수분에 의해 발생하게 된다. 이러한, 대기 중의 수분으로 인한 전극의 부식으로 인하여 ELD의 수명이 단축되는 문제점이 있다.
한편, 종래의 ELD에서는 봉합판(16)과 투명기판(10)의 합착시 봉합판(16) 및 투명기판(10)에 가해지는 압력에 의해 도 2에 도시된 바와 같이 실링제(14)의 퍼짐(35) 현상이 발생하게 된다. 이에 따라, 실링제(14)의 퍼짐(35) 현상은 EL층(20)에 접촉되어 EL층(20)을 손상시키거나 스크라이빙 공정의 불량 및 ELD의 외관불량이 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 패드 전극부의 부식을 방지할 수 있도록 한 평판표시소자를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 패드 전극부의 부식을 방지함과 아울러 실링제의 퍼짐을 방지할 수 있도록 한 평판표시소자를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 기판 상에 형성되는 다수의 전극 패드들과, 상기 기판에 도포되는 실링제와, 상기 실링제와 구동회로와의 본딩부 사이에 노출된 상기 전극 패드들 상에 형성되어 상기 전극 패드들의 부식을 방지하는 보호막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 폴리 이미드와 폴리 아크릴을 포함하는 유기물 및 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 중첩되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 일부가 중첩되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 200㎛ 미만으로 중첩되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 무기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 중첩되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막의 두께는 0.5 내지 4㎛ 범위인 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치는 상기 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극들과, 상기 애노드 전극들의 일부가 노출되도록 형성되는 절연막과, 상기 노출된 상기 애노드 전극들 상에 형성되는 발광층과, 상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극들과, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 발광층을 분리하기 위한 격벽과, 상기 실링제에 의해 상기 기판과 접합되는 봉합판을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 절연막과 동일한 재질을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 절연막과 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 다수의 전극 패드들은 상기 애노드 전극들에 접속되는 애노드 전극패드들과, 상기 캐소드 전극들에 접속되는 캐소드 전극패드들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성됨과 아울러 상기 실링제를 둘러싸도록 상기 기판의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치는 상기 실링제의 외측 및 내측에 인접하도록 형성되어 상기 기판과 상기 봉합판과의 접합시 상기 실링제의 퍼짐을 차단하는 차단막을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 차단막은 폴리 이미드와 폴리 아크릴을 포함하는 유기물 및 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 차단막은 상기 보호막 및 상기 기판 상에 형성되고 상기 실링제의 외측에 인접한 제 1 차단막과, 상기 기판 및 애노드전극 상에 형성되고 상기 실링제의 내측에 인접한 제 2 차단막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 제 1 및 제 2 차단막 각각과 상기 실링제와의 이격거리는 300㎛ 이내인 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치에서 상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성됨과 아울러 상기 실링제를 둘러싸도록 상기 기판의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평판 표시장치는 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널, 전계방출 표시장치 및 일렉트로-루미네센스 표시장치 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 3 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 실링제(114)가 도포되는 투명기판(110)과, 투명기판(110) 상에 형성되는 전극 패드부(137)와, 실링제(114)가 도포되는 실링영역(139)과 구동회로와의 본딩부(138) 사이에 노출된 전극 패드부(137) 상에 형성되어 수분에 의한 전극 패드부(137)의 부식을 방지하는 보호막(134)을 구비한다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 일렉트로 루미네센스 표시장치(Electro Luminescence Device : 이하 "ELD"라 함) 중 어느 하나가 될 수 있으며, 이하 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 ELD를 예로 들어 설명하기로 한다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 투명기판(110) 상에 형성 된 애노드전극(Anode Electrode; 112)과, 애노드전극(112) 상에 형성된 EL층(120)과, EL층(120) 상에 형성된 캐소드전극(Cathode Electrode; 122)과, 실링제(114)에 의해 투명기판(110)에 접합되고 애노드전극(112)과 캐소드전극(122) 및 EL층(120)을 덮도록 형성된 봉합판(116)과, 봉합판(116)의 내부에 EL층(120)과 마주보도록 부착되는 게터(Getter ; 124)와, 본딩부(138) 상에 부착되는 칩온필름(Chip On Film)(130)을 더 구비한다.
애노드전극(112)은 도 4에 도시된 바와 같이 소정간격으로 이격되어 형성되는 다수의 데이터전극들로서 데이터전압이 인가되게 되며 일함수가 높고 광투과율이 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide; IZO), 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide; ITZO)를 증착하여 형성된다.
이러한, 애노드전극(112)이 형성된 투명기판(110) 상에는 EL층(120)에 대응되는 EL셀 영역마다 개구부를 갖는 절연막(106)이 형성된다.
절연막(106)은 EL셀 영역을 제외한 투명기판(110)의 전면에 형성된다. 이 때, 절연막(106)은 봉합판(116)과 투명기판(110)을 접합시키기 위한 실링제(114)가 도포되는 실링영역(139)의 내부에만 형성된다. 이에 따라, 실링영역(139)과 투명기판(110)의 끝단 사이에 형성된 애노드전극(112) 및 캐소드전극(122)은 외부의 대기에 노출되게 된다.
보호막(134)은 절연막(106)과 동일한 재질이거나, 폴리 이미드와 폴리 아크 릴을 포함하는 유기물과, 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질을 가지며 칩온필름(130)이 부착되어질 본딩부(138)와 실링영역(139) 사이에 형성된다.
유기물 재질의 보호막(134)이 실링제(114)와 투명기판(110) 사이에 형성될 경우 실링제(114)와 투명기판(110)의 접착력을 감소시키기 때문에 유기물 재질의 보호막(134)은 실링제(114)와 중첩되지 않도록 본딩부(138)와 실링제(114) 사이에 형성된다. 한편, 유기물 재질의 보호막(134)은 실링제 도포 공정마진에 의해 일부가 중첩되더라도 실링제(114)와 투명기판(110)의 접착력 감소에 큰 영향을 미치지 않기 때문에 본딩부(138)에 부착되는 칩온필름 부착의 공정마진과 실링영역(139)에 실링제(114)를 도포하는 실링제 도포의 공정마진을 고려하여 본딩부(138)와 실링제(114)에 일부, 즉 공정마진 200㎛ 미만이 중첩되도록 형성될 수 있다.
또한, 무기물 재질의 보호막(134)이 실링제(114)와 투명기판(110) 사이에 형성될 경우 실링제(114)와 투명기판(110)의 접착력을 증가시키게 된다. 이로 인하여, 무기물 재질의 보호막(134)은 본딩부(138)에 부착되는 칩온필름 부착의 공정마진과 실링영역(139)에 실링제(114)를 도포하는 실링제 도포의 공정마진을 고려하여 본딩부(138)와 실링제(114) 각각에 일부가 중첩되거나, 실링제(114)에 중첩되도록 형성된다.
이에 따라, 보호막(134)은 전극 패드부(137)가 대기 중에 노출되지 않도록 실링영역(139)과 본딩부(138)에 형성된다. 그리고, 보호막(134)은 절연막(106)과 동시에 형성되며, 대략 0.5㎛ ~ 4㎛(격벽(108)의 높이보다 낮은) 범위의 두께를 가지게 된다.
이러한, 보호막(134)은 대기 중으로부터 대기 중에 노출된 전극 패드부(137)에 미세하게 침투하는 수분(H2O)을 차단하게 된다. 이에 따라, 보호막(134)은 대기 중으로 노출된 애노드전극(112)/캐소드전극(122)에 침투하는 미세한 수분과 애노드전극(112)/캐소드전극(122)에 인가되는 전압에 의해 발생되는 전극 패드부(137)의 부식을 방지하게 된다. 또한, 보호막(134)은 ELD 공정 상의 오염(유기물, 지문 등)된 부분에 침투하는 수분에 의해 발생되는 전극 패드부(137)의 부식을 방지하게 된다. 결과적으로, 보호막(134)은 대기 중의 수분에 의한 전극 패드부(137)의 부식을 방지하여 ELD의 수명을 연장시킬 수 있다.
절연막(106) 위에는 EL층(120) 및 캐소드전극(122)의 분리하기 위한 격벽(108)이 형성된다. 격벽(108)은 애노드전극(112)을 가로지르는 방향으로 형성되며, 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhang) 구조를 갖게 된다.
EL층(120)은 애노드전극(112) 및 캐소드전극(122)으로부터 공급되는 전자 및 정공을 전송하거나, 이들이 재결합하여 여기자를 생성하고 발광하는 역할을 하는 단층 및 다층 박막으로 구성된다. 즉, EL층(120)은 절연막(106) 상에 도시하지 않은 정공주입층(Hole Injection Layer) 및 정공수송층(Hole Transfer Layer)이 순차적으로 형성된다. 그 위에 정공운송층 상에는 빛을 내는 기능을 하는 발광층(Emitting Layer)이 형성된다. 그리고, 발광층 상에 전자수송층(Electron Transfer Layer) 및 전자주입층(Electron Injection Layer)이 순차적으로 형성된다.
캐소드전극(122)은 주사전극으로서 일함수가 낮음과 아울러 반사율이 높은 알루미늄(Al)과 같은 금속을 EL층(120) 상에 증착함으로써 형성된다.
이에 따라, EL층(120)은 애노드전극(112) 및 캐소드전극(122)에 구동전압 및 전류가 인가되면 정공주입층 내의 정공과 전자주입층 내의 전자는 각각 발광층 쪽으로 진행하여 발광층 내의 형광물질을 여기시키게 된다. 이렇게 발광층으로부터 발생되는 가시광은 투명한 애노드전극(112)을 통해 밖으로 빠져 나오는 원리로 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
봉합판(116)은 EL층(120)의 유기물은 대기중의 수분이나 산소와 반응되어 EL 소자의 수명이 단축되는 문제가 발생하기 때문에 실링제(114)에 의해 투명기판(110)과 접합되어 EL층(120)을 밀봉하게 된다. 이러한, 봉합판(116)은 가장자리의 배면에 실링제(114)가 도포되는 제 1 수평면과, 제 1 수평면과 소정 높이의 단차를 가지는 제 2 수평면과, 제 2 수평면과 소정 높이의 단차를 가지는 내부 공간을 구비한다.
봉합판(116)의 내부 공간은 수분 및 산소를 흡수하기 위한 게터(124)가 수납되도록 오목하게 형성된다. 게터(124)는 도시하지 않은 양면 테이프에 의해 봉합판(116)의 내부공간에 부착된다.
게터(124)는 폴리에틸렌계 포장재 내부에 오산화인(P2O5), 산화칼슘(CaO) 및 산화바륨(BaO) 등의 수분과 반응하여 수산기(OH)를 형성하는 흡습제들이 저장된다. 즉, 흡습제는 CaO+H2O=Ca(OH)2, 또는 BaO+H2O=Ba(OH)2의 과정을 거쳐 ELD 내에 발생되는 수분을 흡습하게 된다. 이러한, 게터(124)의 배면에는 산소 및 수분이 드나들 수 있도록 다공질 패드가 부착된다. 이에 따라, 게터(124)는 수분 또는 산소로부터 ELD를 보호하게 된다.
실링제(114)는 광경화성 수지 혹은 열경화성 수지가 사용되고, 투명기판(110)의 가장자리에 도포되어 봉합판(116)과 투명기판(110)을 접합한다.
칩온필름(130)은 투명기판(110)의 일측에 애노드전극(112) 및 캐소드전극(122)이 형성된 전극 패드부(137), 즉 애노드전극(112) 및 캐소드전극(122)을 구동회로에 접속시키게 된다. 이러한, 칩온필름(130)은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film : ACF)(132)에 의해 본딩부(138)의 패드 전극부(137)에 부착된다. 이에 따라, 본 발명의 평판 표시장치는 칩온필름(130)을 경유하여 구동회로로부터 공급되는 구동신호에 따라 EL층(120)을 구동시켜 원하는 화상을 표시하게 된다.
이와 같은, 본 발명의 평판 표시장치는 실링제(114)가 도포되는 실링영역(139)과 본딩부(138) 사이에 노출된 전극 패드부(137) 상에 보호막(134)을 형성함으로써 오염 및 수분에 의한 전극 패드부(137)의 부식 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 후술되는 본 발명의 실시 예들과 같이 여러 가지의 형태로 변경될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치는 투명기판(110) 상에 형성된 화상 표시부(150)와, 화상 표시부(150)를 감싸도록 투명기판(110)의 가장자리를 따라 형성되는 실링제(114)와, 화상 표시부(150)의 하단부에 형성되는 전극 패드부(137)와, 전극 패드부(137)에 부착되는 칩온필름(130)과, 칩온필름(137)이 부착되는 전극 패드부(137) 상의 본딩부(138)와 실링제(114) 사이에 노출된 전극 패드부(137)를 덮는 보호막(134)을 구비한다.
전극 패드부(137)는 화상 표시부(150)의 애노드전극에 접속되는 애노드전극 패드들(DL)과, 애노드전극 패드들(DL)의 양쪽에 형성되고 화상 표시부(150)의 캐소드전극에 접속되는 캐소드전극 패드들(SL)이 형성된다. 캐소드전극 패드들(SL)과 캐소드전극은 캐소드전극들로부터 일측면으로 신장됨과 아울러 애노드전극들과 나란하게 신장되는 링크들에 의해 접속된다. 이러한, 패드 전극부(137)는 대기 중으로부터 미세하게 침투하는 수분과 패드 전극부(137)에 인가되는 전압에 의해 부식되게 된다.
보호막(134)은 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되지 않거나 일부가 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 애노드전극 패드들(DL) 상에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출되는 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 애노드전극 패드들(DL) 상에 형성된다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치는 애노드전극 패드들(DL) 상에만 보호막(134)을 형성하여 애노드전극 패드들(DL)로 침투하는 수분을 차단함으로써 애노드전극 패드들(DL)의 부식현상을 방지할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 평판 표시장치는 보호막(134)을 제외한 다른 구성요소들은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치와 동일하게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 평판 표시장치는 보호막(134)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명을 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 설명으로 대신하기로 한다.
보호막(134)은 일부가 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출되는 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성된다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 평판 표시장치는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 같이 전극 패드들(137) 상에 보호막(134)을 형성하여 전극 패드들(137)로 침투하는 수분을 차단함으로써 수분에 의해 발생되는 전극 패드들(137)의 부식현상을 방지할 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 평판 표시장치는 보호막(134)을 제외한 다른 구성요소들은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치와 동일하게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 평판 표시장치는 보호막(134)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명을 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 설명으로 대신하기로 한다.
보호막(134)은 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되지 않거나 일부가 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성됨과 아울러 투명기판(110)의 가장자리에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출된 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성됨과 아울러 실링제(114)와 투명기판(110)의 끝단, 즉 투명기판(110)의 가장자리에 형성된다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 평판 표시장치는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 같이 전극 패드들(137) 상에 보호막(134)을 형성하여 전극 패드들(137)로 침투하는 수분을 차단함으로써 수분에 의해 발생되는 전극 패드들(137)의 부식현상을 방지할 수 있다.
한편, 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치는 도 3에 도시된 본 발명에 따른 평판 표시장치의 구성요소들과, 실링제(114)의 안쪽 및 바깥쪽에 인접하도록 형성되는 차단막(140, 142)을 구비한다.
본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치에서 차단막(140, 142)을 제외한 다른 구성요소들은 도 3에 도시된 본 발명에 따른 평판 표시장치의 설명으로 대신하기로 한다.
차단막(140, 142)은 실링영역(139)과 본딩부(138) 사이에 형성되는 제 1 차단막(140)과, 실링제(114)의 안쪽, 즉 실링제(114)와 EL층(120) 사이에 형성되는 제 2 차단막(142)을 구비한다.
제 1 차단막(140)은 실링제(114)의 외측벽에 인접하도록 투명기판(110) 상에 형성됨과 아울러 실링제(114)의 외측벽에 인접하도록 보호막(134) 상에 형성된다. 제 2 차단막(142)은 실링제(114)의 내측벽에 인접하도록 투명기판(110) 및 애노드전극(112) 상에 형성된다. 이 때, 제 1 및 제 2 차단막(140, 142) 각각은 절연막(106)과 동일한 재질, 폴리 이미드와 폴리 아크릴을 포함하는 유기물과, 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질을 가지며, 실링제(114)의 디스펜싱 공정 마진을 고려하여 실링제(114)에 최대한 인접하도록 형성되며, 실링제(114)와의 이격 거리는 대략 300㎛ 이내가 된다.
이러한, 제 1 및 제 2 차단막(140, 142) 각각은 도 11에 도시된 바와 같이 실링제(114)에 의한 투명기판(110)과 봉합판(116)의 접합시 투명기판(110)과 봉합판(116) 각각에 가해지는 가압에 의해 발생되는 실링제(114)의 퍼짐(135)을 차단하게 된다.
이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치는 실링영역(139)과 본딩부(138) 사이에 노출된 전극 패드부(137) 상에 보호막(134)을 형성함으로써 오염 및 수분에 의한 전극 패드부(137)의 부식 현상을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치는 제 1 차단막(140)을 이용하여 실링제(114)의 퍼짐(135) 현상으로 인한 스크라이빙 공정의 불량 및 ELD의 외관불량을 방지할 수 있으며, 제 2 차단막(142)을 이용하여 실링제(114)의 퍼짐(135) 현상으로 인하여 EL층(120)에 접촉되는 실링제(114)에 의해 발생되는 EL층(120)의 손상을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치에서 보호막(134)은 도 12에 도시된 바와 같이 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되지 않거나 일부가 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 애노드전극 패드들(DL) 상에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출되는 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 애노드전극 패드들(DL) 상에 형성된다.
다른 한편으로, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치에서 보호막(134)은 도 13에 도시된 바와 같이 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되지 않거나 일부가 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출되는 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성된다.
또 다른 한편으로, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 평판 표시장치에서 보호막(134)은 도 14에 도시된 바와 같이 실링제(114)와 본딩부(138)에 중첩되지 않거나 일부가 중첩되도록 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성됨과 아울러 투명기판(110)의 가장자리에 형성된다. 이러한, 보호막(134)은 대기 중에 노출된 실링제(114)와 본딩부(138) 사이의 전극 패드들(137) 상에 형성됨과 아울러 실링제(114)와 투명기판(114)의 끝단, 즉 투명기판(114)의 가장자리에 형성된다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 투명기판(210) 상에 형성된 화상 표시부(250)와, 화상 표시부(250)로부터 신장되어 투명기판(210)의 일측 하단에 형성되는 애노드전극 패드부(237a)와, 화상 표시부(250)로부터 신장되어 투명기판(210)의 좌측에 형성되는 캐소드전극 패드부(237b)와, 화상 표시부(250)를 감싸도록 투명기판(210)의 가장자리를 따라 형성되는 실링제(214)와, 애노드전극 패드부(237a) 및 캐소드전극 패드부(237b) 각각에 부착되는 칩온필름(230, 232)과, 칩온필름(230, 232) 각각이 부착되는 애노드전극 패드부(237a) 및 캐소드전극 패드부(237b) 각각의 본딩부(238)와 실링제(214) 사이에 노출된 전극 패드부(237a, 237b) 상에 각각 형성되는 제 1 및 제 2 보호막(234a, 234b)을 구비한다. 여기서, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 투 패드(Two Pad) 구조라 하며, 도 3에 도시된 본 발명에 따른 평판 표시장치는 원 패드(One Pad) 구조라 한다.
이와 같은, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 애노드전극 패드부(237a) 및 캐소드전극 패드부(237b) 각각이 서로 다른 영역에 형성되는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치와 동일한 구성요소들을 가지게 된다. 즉, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판 표시장치의 원 패드 구조를 투 패드 구조로 변경한 실시 예가 된다. 따라서, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치에 대한 자세한 설명은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 평판표시장치의 설명으로 대신하기로 한다.
또한, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 도 16에 도시된 바와 같이 실링제(214)의 안쪽 및 바깥쪽에 인접하도록 형성되는 제 1 및 제 2 차단막(240, 242)을 더 구비한다.
제 1 차단막(240)은 실링제(214)의 외측벽에 인접하도록 투명기판(210) 상에 형성됨과 아울러 실링제(214)의 외측벽에 인접하도록 보호막(134) 상에 형성된다. 제 2 차단막(242)은 실링제(214)의 내측벽에 인접하도록 투명기판(210) 및 애노드전극(212) 상에 형성된다. 이러한, 제 1 및 제 2 차단막(240, 242) 각각은 실링제(214)에 의한 투명기판(210)과 봉합판(116)의 접합시 투명기판(210)과 봉합판(116) 각각에 가해지는 가압에 의해 발생되는 실링제(214)의 퍼짐을 차단하게 된다.
이러한, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표 실링제(214)가 도포되는 실링제(214)와 본딩부(238) 사이에 노출된 전극 패드부(237a, 237b) 상에 보호막(234a, 234b)을 형성함으로써 오염 및 수분에 의한 전극 패드부(237a, 237b)의 부식 현상을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 평판 표시장치는 제 1 차단막(240)을 이용하여 실링제(214)의 퍼짐 현상으로 인한 스크라이빙 공정의 불량 및 ELD의 외관불량을 방지할 수 있으며, 제 2 차단막(242)을 이용하여 실링제(214)의 퍼짐 현상으로 인하여 EL층에 접촉되는 실링제(214)에 의해 발생되는 EL층의 손상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 ELD를 예를 들어 주로 설명하였으나 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널 및 전계방출 표시장치 각각에서 대기 중에 노출된 전극 패드부 상에 형성되어 수분에 의한 전극 패드부의 부식을 방지하게 된다.
한편, 본 출원인에 의해 제안된 대한민국 특허출원번호 2000-007430호에서는 접착제와 투명기판 사이에 버퍼층이 형성되고, 버퍼층은 제 1 전극의 구동부와의 연결부분을 제외한 기판 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시소자가 개시되어 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치와 본 출원인에 의해 제안된 유기 EL 표시소자를 대비해 보면 다음과 같다.
우선, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 투명기판 상에 절연막과 함께 구동회로와의 본딩부와 실링제 사이에 노출된 전극 패드부 상에 보호막을 형성함으로써 수분에 의해 대기 중에 노출되는 전극 패드의 부식 현상을 방지하게 된다. 이 때, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 보호막은 절연막과 동일한 재질로 형성됨과 아울러 동일한 공정에 의해 형성되기 때문에 별다른 공정 추가 없이 보호막을 형성할 수 있다.
반면에, 본 출원인에 의해 제안된 유기 EL 표시소자는 접착제와 투명기판 사이에 버퍼층을 형성함으로써 인캡슐레이션시 소자와 패널과의 접착력을 증가시켜 소자의 수명을 증가시키게 된다. 이 때, 버퍼층은 구동부와의 연결부분을 제외한 기판 전체에 형성되고, 구동부와의 연결부분에 비아홀 형태의 콘택홀을 형성하여 제 1 전극과 구동회로를 접속시키게 된다. 이에 따라, 본 출원인에 의해 제안된 유기 EL 표시소자에서 구동부와의 연결부분을 제외한 기판 전체에 형성되는 버퍼층은 진공 증착공정 또는 PR도포, 노광, 현상, 에칭의 공정을 통하여 형성된다.
따라서, 본 출원인에 의해 제안된 유기 EL 표시소자의 버퍼층은 본 발명에 비하여 복잡한 제조공정에 의해 형성됨과 아울러 재료 낭비가 있으므로 생산성이 낮은 문제점이 있고, 유기물 또는 무기질의 재질로 형성되는데 이 중 유기물질로 버퍼층을 형성할 경우에는 오히려 접착제와 투명기판 간의 접착력을 감소시킬 수 있는 문제점이 있으며, 인캡슐레이션시 접착제의 퍼짐으로 인하여 EL층이 손상되는 문제점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 구동회로와의 본딩부와 실링제 사이에 노출된 전극 패드부 상에 보호막을 형성함으로써 실링제와 투명기판간의 접착력을 감소시키기 않고 수분으로 인한 전극 패드부의 부식을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 구동회로와의 본딩부와 실링제 사이에 노출된 전극 패드부 상에 보호막을 형성함과 아울러 실링제의 안쪽 및 바깥쪽에 차단막을 형성함으로써 실링제와 투명기판간의 접착력을 감소시키지 않고 수분으로 인한 전극 패드부의 부식을 방지함과 아울러 실링제로 인한 EL 층의 손상을 방지하고 스크라이빙 불량 및 외관불량을 방지하게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
Claims (22)
- 기판 상에 형성되는 다수의 전극 패드들과,상기 기판에 도포되는 실링제와,상기 실링제와 구동회로와의 본딩부 사이에 노출된 상기 전극 패드들 상에 형성되어 상기 전극 패드들의 부식을 방지하는 보호막을 구비하고,상기 보호막은, 폴리 이미드와 폴리 아크릴을 포함하는 유기물 및 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질로 이루어지며,상기 보호막의 두께는 0.5 내지 4㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 중첩되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 일부가 중첩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 유기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 200㎛ 미만으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 기판 상에 형성되는 다수의 전극 패드들과,상기 기판에 도포되는 실링제와,상기 실링제와 구동회로와의 본딩부 사이에 노출된 상기 전극 패드들 상에 형성되어 상기 전극 패드들의 부식을 방지하는 보호막을 구비하고,상기 보호막은 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 재질로 이루어지며, 상기 무기물 재질의 보호막은 상기 실링제와 상기 본딩부에 중첩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 삭제
- 기판 상에 형성되는 다수의 전극 패드들과,상기 기판에 도포되는 실링제와,상기 실링제와 구동회로와의 본딩부 사이에 노출된 상기 전극 패드들 상에 형성되어 상기 전극 패드들의 부식을 방지하는 보호막과,상기 실링제의 외측 및 내측 중 적어도 일측에 인접하도록 형성되어 상기 기판 상에서 상기 실링제의 퍼짐을 차단하는 차단막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극들과,상기 애노드 전극들의 일부가 노출되도록 형성되는 절연막과,상기 노출된 상기 애노드 전극들 상에 형성되는 발광층과,상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극들과,상기 절연막 상에 형성되어 상기 발광층을 분리하기 위한 격벽과,상기 실링제에 의해 상기 기판과 접합되는 봉합판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 보호막은 상기 절연막과 동일한 재질을 갖는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 보호막은 상기 절연막과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 다수의 전극 패드들은,상기 애노드 전극들에 접속되는 애노드 전극패드들과,상기 캐소드 전극들에 접속되는 캐소드 전극패드들을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성됨과 아울러 상기 실링제를 둘러싸도록 상기 기판의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 차단막은,폴리 이미드와 폴리 아크릴을 포함하는 유기물 및산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기물 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 차단막은,상기 보호막 및 상기 기판 상에 형성되고 상기 실링제의 외측에 인접한 제 1 차단막과,상기 기판 및 애노드전극 상에 형성되고 상기 실링제의 내측에 인접한 제 2 차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 차단막 각각과 상기 실링제와의 이격거리는 300㎛ 이내인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 전극 패드들은, 상기 애노드 전극들에 접속되는 애노드 전극패드들과, 상기 캐소드 전극들에 접속되는 캐소드 전극패드들을 구비하고,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 전극 패드들은, 상기 애노드 전극들에 접속되는 애노드 전극패드들과, 상기 캐소드 전극들에 접속되는 캐소드 전극패드들을 구비하고,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 전극 패드들은, 상기 애노드 전극들에 접속되는 애노드 전극패드들과, 상기 캐소드 전극들에 접속되는 캐소드 전극패드들을 구비하고,상기 보호막은 상기 노출된 애노드 전극패드들 및 캐소드전극 패드들 상에 형성됨과 아울러 상기 실링제를 둘러싸도록 상기 기판의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제 1 항, 제 6 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 평판 표시장치는 액정 표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널, 전계방출 표시장치 및 일렉트로-루미네센스 표시장치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040011339A KR100619626B1 (ko) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 평판 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040011339A KR100619626B1 (ko) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 평판 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050082771A KR20050082771A (ko) | 2005-08-24 |
| KR100619626B1 true KR100619626B1 (ko) | 2006-09-12 |
Family
ID=37269126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040011339A KR100619626B1 (ko) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 평판 표시장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100619626B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781616B1 (ko) * | 2006-04-07 | 2007-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유리 절연막을 포함하는 디스플레이 장치와 유리 절연막을제조하는 방법 및 유리 절연막을 이용하는 유기전계발광소자의 제조방법 |
| KR100879858B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04278983A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | 表示パネルの封止方法 |
| JP2003272834A (ja) | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Denso Corp | 表示装置 |
| KR20040050862A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
| KR20050070908A (ko) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 상부발광형 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-02-20 KR KR1020040011339A patent/KR100619626B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04278983A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | 表示パネルの封止方法 |
| JP2003272834A (ja) | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Denso Corp | 表示装置 |
| KR20040050862A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
| KR20050070908A (ko) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 상부발광형 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1020050070908 |
| 15272834 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050082771A (ko) | 2005-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100873704B1 (ko) | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR100681022B1 (ko) | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR102088867B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100619626B1 (ko) | 평판 표시장치 | |
| KR100456150B1 (ko) | 일렉트로루미네센스 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100623451B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR101948173B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 | |
| KR100623449B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100629180B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 | |
| KR100717327B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100623450B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100638139B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100815761B1 (ko) | 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 | |
| KR100503602B1 (ko) | 평판 표시소자와 그의 제조방법 | |
| KR100641738B1 (ko) | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100736578B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 패널 및 그의 제조방법 | |
| KR100641733B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR20100000208A (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR100488146B1 (ko) | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100726941B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20110067366A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR100726940B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100726994B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100726939B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20070038312A (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130619 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150728 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160712 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170713 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190723 Year of fee payment: 14 |