JP2002215067A - 発光素子、及び表示装置 - Google Patents
発光素子、及び表示装置Info
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Abstract
せることで、明るい表示を実現する発光素子及び表示装
置を提供する。 【解決手段】発光層100と位相差板600との間に偏
光分離手段500を配置し、偏光分離手段は発光層の発
光波長範囲の一部または全部を含み、なおかつ可視波長
範囲よりも狭い波長範囲の光であって、発光層側から偏
光分離手段側へ向かう光のうち、位相差板の作用により
偏光板600で吸収される直線偏光に変換される円偏光
成分は反射し、それ以外の光は透過するものとする。
Description
素子の発光動作を制御して表示を行う表示装置に関し、
特に発光層の裏面に光反射部材を有する有機エレクトロ
ルミネッセンス素子などの発光素子と、これを備える表
示装置に利用して有効な技術に関するものである。
下有機EL素子と称する)は、有機薄膜からなる発光層
に電流を注入することにより、電気エネルギーを光エネ
ルギーに変換して発光する素子である。有機EL素子か
ら構成される表示装置は液晶表示装置に代表される非発
光型の表示装置とは異なり、自発光型であるためバック
ライトなどの補助光源が不要なことから、薄型、軽量で
あり、さらに視野角が広く、表示の応答速度が早いとい
った特徴を有する。
概略断面図である。この有機EL素子は透明基板400
に陽極である透明電極200、ホール輸送層102、発
光層100、電子輸送層101、光反射機能を有する金
属電極からなる陰極300を順次積層した構造となって
いる。
の間に直流電圧を印加すると、透明電極200から注入
されたホールがホール輸送層102を経由して、また、
陰極300から注入された電子が電子輸送層101を経
由して、それぞれが発光層100に到達し、電子−ホー
ルの再結合が生じて、ここから所定の波長分布を有する
発光が生じる。
極200側に向かった光は透明電極200を通過し、透
明基板400から出射する。また、陰極300に向かっ
た光は陰極300で反射して、発光層100、透明電極
200等を通過して同じく透明基板400から出射す
る。
作を制御することで表示を行う表示装置では、陰極を反
射率の高い電極にして透明電極側から出射する光量を増
やすことが、明るい画像を得るために重要である。
ていない状態では、陰極が反射率の高い鏡のような状態
であるため、周囲の景色等が写り込み、黒(暗)表示が
十分に暗くならない。つまり、周囲が明るい環境下では
黒表示が暗くならず、コントラスト比が低下するという
課題を生ずる。この課題を解決する方法として透明基板
400の光出射面側に円偏光板800を配置した構造が
実用化されている。円偏光板は偏光板600と1/4波
長板700から構成される。
囲から有機EL素子に入射する外光2000は一般に非
偏光であり、偏光板600を通過する際、特定の直線偏
光は透過し、これと直交する直線偏光は吸収される。偏
光板600を透過した直線偏光は1/4波長板700の
作用を受けて、円偏光(ここでは例えば右回りの円偏
光)となる。1/4波長板700を通過した光は陰極3
00で反射する際、位相がπずれて回転方向が逆の円偏
光(左回りの円偏光)になる。陰極300で反射した光
2000Rは再び1/4波長板700に入射し、これを
通過する際、その作用を受けて今度は偏光板600で吸
収される直線偏光に変換されて、偏光板600で吸収さ
れるため外部には戻らなくなる。つまり、外光の陰極3
00での反射はカットされるため黒表示が暗くなり、コ
ントラスト比が著しく改善される。
号公報、特開平9−127885号公報等に記載されて
いる。
のフルカラー化に関しては、いくつかの方式が提案・実
証されている。例えば青色発光素子と蛍光性の色変換層
(CCM:color changing mediu
s)を組み合わせた方式(以下、CCM法)、白色発光
と赤色(R),緑色(G),青色(B)の3原色のカラ
ーフィルタを組み合わせた方式(以下、RGE by
white法)、3原色(R,G,B)の発光素子から
なる画素を直接パターニングする方式(以下、RGB並
置型)などが提案されている。
性の色変換用蛍光色素層を励起し、青色から緑色、赤色
へ変換し3原色発光を得るものである。この方式は色変
換効率が低いと素子効率が低くなる。さらに明るい環境
下では外光により色変換層が励起されて明るくなり、黒
表示が暗くならないためコントラスト比が低下する。
光素子が白色の1種類だけなので、製造が最も容易とい
う特長を有するが、カラーフィルターを用いることか
ら、原理的に光の利用効率が1/3以下に低下する。
それぞれ作成する必要があるため、製造プロセスがやや
複雑になるが、光の損失が最も少なく、発光効率の面か
らは理想的な方式といわれている。また、RGBのパタ
ーニング(塗り分け)については、分子量の低い蛍光色
素や金属錯体などのいわゆる低分子系の材料を用いる場
合は、シャドウマスクを用いた有機層の真空蒸着により
RGBを微細な塗り分けする技術が提案されている。
た色素含有ポリマーなどのポリマー系の材料を用いる場
合は、フォトエッチングでポリイミドの土手を形成する
ことで、画素領域を分離し、インクジェットにより有機
材料を印刷することで、RGBを微細な塗り分ける技術
が提案されている(情報映像メディア学会誌Vol.5
4,No8,pp1115〜1113)。
技術によれば、有機EL素子の光反射機能を有する電極
(陰極)での外光反射が円偏光板の作用により低減できる
ため、明るい環境下でも高いコントラスト比を実現する
ことができる。しかし、発光時は発光層から出射した光
の一部が円偏光板で吸収されるため、表示が暗くなると
いう課題を有する。これは、一般に発光層から出射する
光は非偏光であるため、円偏光板を構成する偏光板で少
なくとも1/2の光が吸収されるためである。
置を実現する場合、RGB並置型が素子効率の面から最
も好ましい。しかし、現状の有機EL素子は色によって
は発光の波長範囲が広く、色純度が高いとはいえない。
各原色の色純度を高くするためにカラーフィルタを併用
するということが考えられるが、この場合はカラーフィ
ルターで光が吸収されるため、光の利用効率が低下して
表示が暗くなる。
その目的は発光層から出射した光を効率良く表示に寄与
させることで、明るい表示を実現すると同時に、発光層
裏面の電極などの反射部材による外光の反射を低減する
ことで、明るい環境下でも高いコントラスト比の表示を
実現する有機EL素子などの発光素子、及びこの発光素
子の発光動作を制御して表示を行う表示装置を提供する
ことにある。
高めた発光素子、及びこの発光素子の発光動作を制御し
て表示を行う表示装置を提供することにある。この他の
目的については以下の記述から明らかになるであろう。
本発明の発光素子は、発光層と位相差板との間に偏光分
離手段(コレステリック液晶層)を配置する。偏光分離
手段は発光層の発光波長範囲の一部または全部を含み、
なおかつ可視波長範囲よりも狭い波長範囲の光であっ
て、前記発光層側から前記偏光分離手段側へ向かう光の
うち、前記位相差板の作用により前記偏光板で吸収され
る直線偏光に変換される円偏光成分は反射し、それ以外
の光は透過するものとする。また、発光層の裏面側に位
置する反射部材は少なくとも垂直入射した円偏光は回転
方向が逆の円偏光として反射する反射面とする。発光層
から出射した光のうち、従来、偏光板で吸収されていた
偏光成分は偏光板で吸収される前に偏光分離手段で反射
して、反射部材へ向かう。偏光分離手段で反射し、反射
部材へ向かう光は円偏光であり、反射部材での反射によ
り偏光分離手段を透過する円偏光、すなわち、位相差板
の作用により偏光板を透過する直線偏光に変換される円
偏光となるため、偏光板で吸収されることなく利用され
る。つまり、従来、発光層から出射し、偏光板で吸収さ
れ、無駄となっていた光を偏光板で吸収される前に偏光
分離手段で反射して、再利用することで発光素子を明る
くすることができる。
発明の発光素子は、発光層とこの発光層の裏面に配置し
た光反射部材とを有する発光素子において、前記発光層
の表面側に発光層から出射する光に対応した所定の波長
範囲の光を反射と透過により2種類の円偏光成分に分離
する偏光分離手段と、位相差板と偏光板とを配置したも
のである。
ク液晶層を用いることができ、この際、コレステリック
液晶層の選択反射の波長範囲は、発光層の発光波長範囲
と同じ、或いはこれよりも狭くする。また、位相差板と
しては1/4波長板を用いる。
た光は直接、あるいは発光層の裏面に配置した反射部材
で反射した後、偏光分離手段を構成するコレステリック
液晶層に入射する。コレステリック液晶層に入射した光
は、コレステリック液晶の選択反射により一方の回転方
向の円偏光(例えば、ここでは左回りの円偏光)成分は
反射し、これとは逆回りの円偏光(右回りの円偏光)成
分は透過する。コレステリック液晶層を透過した光は位
相差板の作用により円偏光から直線偏光に変換され、偏
光板で吸収されることなく透過して観察者へ向かう。
は、発光層裏面の反射部材で反射して再びコレステリッ
ク液晶層に向うが、反射部材での反射の際、位相がπず
れて回転方向が逆の円偏光(右回りの円偏光)となる。
このため今度はコレステリック液晶層を透過して位相差
板の作用により、偏光板を透過する直線偏光に変換され
た後、偏光板を透過して観察者へ向う。つまり、従来、
偏光板で吸収され、無駄となっていた光を偏光板で吸収
される前に偏光分離手段(コレステリック液晶層)で反
射して、再利用することで発光素子を明るくすることが
できる。
層)で反射して再利用される光の波長範囲が、発光層の
発光波長範囲よりも狭ければ、実際に素子から出射する
光の波長分布は発光層の発光波長分布よりも急峻な分布
になるため、発光層の発光自体よりも色純度の高い色光
となる。
射する外光は一般に非偏光であるため、偏光板を通過す
る際、少なくともその半分が吸収される。偏光板を通過
した光は位相差板を透過する際、その作用を受け、円偏
光(例えば右回りの円偏光)となりコレステリック液晶
層を透過する。コレステリック液晶層を透過した光は反
射部材で反射する際、回転方向が逆の円偏光(左回りの
円偏光)となり、再びコレステリック液晶層に入射す
る。コレステリック液晶層に入射した光のうち、選択反
射波長以外の波長の光はそのまま透過して、位相差板の
作用を受けて偏光板で吸収される直線偏光となり、偏光
板で吸収されるため外部には透過しない。
コレステリック液晶層で反射して、再び反射部材でも反
射した後、コレステリック液晶層、位相差板、偏光板を
通過して外部に出る。この光はわずかなため明るい環境
下であっても、黒(暗)表示が暗くなり高いコントラス
ト比が実現できる。
により説明する。図1は本発明の発光素子の基本構成と
動作原理を説明するための概略断面図である。図1に示
す通り、本発明に係る発光素子24は図示しない基板上
に形成された透明電極200からなる陽極と、鏡面反射
手段を兼ねる陰極300と、陽極と陰極の間に形成した
有機層110とから構成される有機EL素子150と、
有機EL素子150の透明電極200側に順に配置した
偏光分離手段500と、位相差板700と、偏光板60
0とから構成される。
(透明電極200)と陰極300との間に陰極300側
から順に電子輸送層101、発光層100、ホール輸送
層102を積層配置したものを用いることができる。
用できる材料を用いることで1層としても良い。また、
有機EL素子150の構造としては、この他に陽極(透
明電極200)とホール輸送層102の間に陽極バッフ
ァ層を配置したものを用いてもよい。陽極バッファ層と
してはCuPcを用いることができる。CuPcは陽極
とホール輸送層のコンタクトを向上する役割を果たすも
のと考えられる。
い透明な電極材料を用いれば良く、例えばITO(In
dinm tin oxide)が好適である。また、
将来的にはInZnOを用いることができるようになる
であろう。
g,Mg-Ag合金やAl-Li合金などを用いることがで
きる。Al単体では駆動電圧が高く、寿命が短いことか
ら有機層との間に極薄いLi化合物(酸化リチウムLi
2O ,LiFフッ化リチウムなど)を挿入してAl−Li
合金に匹敵する特性を得るようにしたものを用いても良
い。
ムやストリンチウムなどの反応性の高い金属でドーピン
グして、駆動電圧を低くするようにしても良い。尚、陰
極300は光の反射率が高い材料から構成されること
が、発光層から出射した光の利用効率向上の面から望ま
しい。
なくとも垂直入射した円偏光を回転方向が逆の円偏光と
して反射する鏡面であることが、外光反射の低減、及び
発光層から出射した光の利用効率向上という面から望ま
しい。
陰極300との間に所定の電圧が印加されたとき所望の
色で発光する材料を用いる。
輸送層102はα−NPD( N、N'−ジ(α−ナフ
チル)−N、N'-ジフェニル1、1'−ビフェニル−4、
4'−ジアミン)や、トリフェニルジアミン誘導体TP
D(N,N'−ビス(3−メチルフェニル)1,1'−ビ
フェニル−4,4'−ジアミン)、電子輸送性発光層
(電子輸送層101と発光層100を兼用)は、Alq
3「トリス(8−キノリノレート)アルミニウム)」にD
CM−1「」4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6
−(p−ジメチルアミノスチリル」−4H−ピランを分
散したものを用いることができる。
輸送層102はα-NPDや、トリフェニルジアミン誘
導体TPD、電子輸送性発光層(電子輸送層101と発
光層100を兼用)はAlq3や、Bebqや、キナク
リドンでドーピングしたAlq3を用いることができ
る。
輸送層102はα−NPDや、トリフェニルジアミン誘
導体TPD、発光層100はDPVBi「4,4’−ビ
ス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル」や、これ
とBCzVBi「(4,4’−ビス(2−カルバゾール
ビニレン)ビフェニル」からなる材料、或いはジスチリ
ルアリレーン誘導体をホストとし、ジスチリルアミン誘
導体をゲストとしてドーピングしたもの、電子輸送層1
02としてはAlq3を用いることができる。
1と発光層100を兼用)として、Zn(oxz)2
「2−(o−ヒドロキシフェニル」−ベンズオキサゾール
の亜鉛錯体)を用いることができる。
ー系の材料を用いることができる。ポリマー系の材料と
してはPEDT/PSS(Polyethylene
dioxyhiopheneとPolyethylen
e sulphonateの混合層)とPPV「(Po
ly(p−Polyethylene vinyle
n)」の積層膜をホール輸送層102、発光層として用
いることができる。また、緑色の発光はPPVに緑イン
クを調合したもの、赤色の発光は緑インクに赤発光ドー
パントとしてローダミン101を添加調合したもので実
現でき、青色の発光層としてはF8「Poly(dioc
tylfluorene)」を用いることができる。
尚、F8は電子輸送層101としても機能する。
PVK(ポリビニルカルバゾール)のような色素含有ポ
リマーを用いることができる。
層は数十nm程度と薄く、これを透過する光の偏光状態
はほぼ維持されるものである。
は、陽極である透明電極200と陰極300とに直流電
源900を接続し、透明電極200と陰極300との間
に直流電圧を印加すると、透明電極200から注入され
たホールがホール輸送層102を経由して、また、陰極
300から注入された電子が電子輸送層101を経由し
て、それぞれが発光層に到達し、電子-ホールの再結合
が生じてここから所定の波長の発光が生じると考えられ
るものである。
には順に偏光分離手段500、位相差板700、偏光板
600が積層配置される。偏光分離手段500は所定の
波長範囲の光を反射と透過により、2種類の円偏光成分
に分離する機能を有するものである。偏光分離手段50
0としてはコレステリック液晶層が好適である。
列に基づく特異な光学特性を示すもので、ヘリカル軸に
平行に入射した光はコレステリック螺旋のピッチに対応
する波長において、螺旋の回転方向に応じて一方の回転
方向の円偏光成分は反射し、他方は透過するという選択
反射を示すものである。
心波長λ0と、その波長帯域Δλはそれぞれ式(1)、
式(2)で表される。
は液晶の平均屈折率、Δnは液晶の複屈折であり、液晶
分子の長軸に平行及び垂直な方向の屈折率をそれぞれn
e、nOとするとnmと、Δnはそれぞれ式(3)、式
(4)で表される。
れらの発光動作を制御してフルカラー表示を行う表示装
置を実現しようとする場合、発光素子24を構成する有
機EL素子150の発光のピーク波長(最大強度となる
波長)は、赤色(R),緑色(G),青色(B)の3原
色に対応したものとするとよい。つまり、画素毎に有機
EL素子150の発光のピーク波長を3原色に対応させ
て異なったものとする。これに対応してコレステリック
液晶層の選択反射の波長範囲、あるいは選択反射の中心
波長λOを有機EL素子150の発光波長範囲や発光の
ピーク波長に対応させる。
を入射した場合のコレステリック液晶層における透過率
の波長依存性を示すグラフであり、それぞれR,G,Bの
3原色に対応した選択反射の一例を示したものである。
の場合は偏光分離手段500として、図2で示すB反射
の特性を示すコレステリック液晶層を配置すれば良い。
つまり、偏光分離手段500は有機EL素子150の発
光色に対応した選択反射の波長範囲を有するコレステリ
ック液晶層で構成するようにすれば良い。
術において、所謂円偏光板を構成するものである。つま
り、偏光板600はこれを通過する光のうち特定の直線
偏光は透過し、これと直交する直線偏光は吸収するもの
である。
過した直線偏光を、円偏光に変換する1/4波長板とし
て機能するものを用いる。偏光板600は延伸させたポ
リビニルアルコールにヨウ素を吸収させて、偏光機能を
付与した膜の両面にトリアセチルセルロースの保護層を
施したものを用いることができる。
子フィルム、例えばポリビニルアルコール、ポリカーボ
ネート、ポリサルフォン、ポリスチレン、ポリアリレー
ト等を用いることができる。尚、一般に位相差板を構成
する透明体には屈折率の波長依存性(波長分散)がある
ため、太陽光や照明光などの外光のように波長範囲が広
い光に対しては、一種類の位相差板では十分な性能が得
られない。このため波長分散の異なる2種類の位相差フ
ィルムを、その光学軸をずらして張り合わせ、広い波長
範囲で1/4波長板として機能する位相差板を構成する
ようにしてもよい。
0を通過した光の円偏光の回転方向が、偏光分離手段5
00を構成するコレステリック液晶層が選択反射を示す
円偏光(例えば左回りの円偏光)とは、逆回りの円偏光
(右回りの円偏光)となるように位相差板700の遅相
軸の向きを決定することが重要である。
る。
900を接続し、電流を流すと発光層100から所定の
波長の発光が生じる。発光層100から出射した光のう
ち透明電極200側に向かった光1000は、そのまま
透明電極200を透過して偏光分離手段500に入射す
る。また、発光層100から出射した光のうち陰極30
0側に向かった光1001は、陰極300で反射した
後、同じく透明電極200を透過して偏光分離手段50
0に入射する。
偏光であるため、偏光分離手段500に入射する光は偏
光分離手段500であるコレステリック液晶層の選択反
射により、一方の回転方向の円偏光(例えば、ここでは
右回りの円偏光)成分は透過し、これとは逆回りの円偏
光(左回りの円偏光)成分は反射する。
は、位相差板700の作用により偏光板600を透過す
る直線偏光に変換され、偏光板600を透過して観察者
1000の方向へ向かう。
003は、陰極300で反射して再び偏光分離手段50
0に向かうが、陰極300での反射の際、位相がπずれ
て回転方向が逆の円偏光(右回りの円偏光)となるた
め、今度は偏光分離手段500を透過する。偏光分離手
段500を透過した光1003は、位相差板700の作
用により偏光板600を透過する直線偏光に変換され、
偏光板600を透過して観察者1000の方向へ向う。
大部分が偏光板で吸収されることなく、観察者1000
に向う。つまり、従来、偏光板で吸収され、無駄となっ
ていた光を有効に再利用することで、発光素子の輝度が
向上するという効果がある。また光取出方法としては偏
光分離手段500を透過した光1002と偏光分離手段
500で反射した光1003とを取り出すことができる
ので、光の効率が良い。
4に入射する外光について説明する。周囲から発光素子
24に入射する外光3000は一般に非偏光であるが、
偏光板600を通過する際に所定の直線偏光は吸収さ
れ、これと偏光面が直交する直線偏光は透過する。偏光
板600を透過した直線偏光は位相差板700の作用を
受け、円偏光(ここでは例えば右回りの円偏光)とな
る。
段500を透過して、陰極300で反射する際、位相が
πずれて回転方向が逆の円偏光(左回りの円偏光)にな
る。陰極300で反射した光は偏光分離手段500に入
射するが、偏光分離手段500であるコレステリック液
晶層における選択反射における波長範囲以外の波長の光
3001は、そのまま透過し、選択反射の波長範囲に相
当する波長の光は反射する。偏光分離手段500を透過
した光(左回りの円偏光)は、位相差板700の作用を
受けて偏光板600で吸収される直線偏光となり、偏光
板600で吸収されるため外部には戻らない。
002は、陰極300で反射して再び偏光分離手段50
0に向かうが、陰極300での反射の際、位相がπずれ
て回転方向が逆の円偏光(右回りの円偏光)となるた
め、今度は偏光分離手段500を透過する。偏光分離手
段50を透過した光3002(右回りの円偏光)は、位
相差板700の作用により、偏光板600を透過する直
線偏光に変換され、偏光板600を透過して観察者10
00の方向へ向う。
00は、まずそのうちの少なくとも半分が偏光板600
で吸収される。更に偏光板600を透過した光は陰極3
00で反射して、偏光分離手段500に入射するが、こ
のうち偏光分離手段500を透過した光3001は偏光
板600で吸収される。従って、外部へ出射する光は偏
光分離手段500の選択反射の波長範囲に相当するわず
かな光3002のみである。
下であっても、外光の大部分がカットされるため、黒表
示が暗くなり高いコントラスト比が実現できるという効
果がある。
00を構成するコレステリック液晶層の選択反射の波長
分布は、一般に急峻な分布をしており、選択反射の波長
範囲は採用する液晶のΔnと螺旋ピッチpにより、有機
EL素子の発光の波長範囲よりも小さくすることが可能
である。
っても、発光の波長範囲が広く、なだらかな波長分布の
場合には、色純度(色度図上での白色光源からの距離の
比)が低くなる。従って、偏光分離手段500で反射し
て再利用される光の波長範囲を、発光層の発光の波長範
囲よりも狭く、急峻な分布にすれば、実際に素子から出
射する光の波長分布は、発光層の発光波長分布よりも狭
く、急峻になるため、発光層からの発光よりも色純度を
高くすることができる。
子150自体の発光の色純度に対して、偏光分離手段5
00で反射して再利用される光の分だけ、色純度を高く
することができるという効果がある。
々の発光素子の発光動作を制御して表示を行う表示装置
の場合には、R,G,Bの3原色に対応する発光素子の
色純度をそれぞれ高めることで、表色範囲の広い表示装
置が実現できるという効果もある。
偏光分離手段500であるコレステリック液晶層の選択
反射の波長範囲が狭ければ、小さくなるためより高いコ
ントラスト比が得られるという効果がある。
光素子の出射光の相対強度と波長の関係を示すグラフ
と、色度を示すxy色度図であり、青色発光の有機EL
素子150に、偏光分離手段500として図2で例示し
た青色の波長に選択反射の波長範囲(B反射)を有する
コレステリック液晶層を用いた場合の結果である。ま
た、両図とも比較のため、同じ有機EL素子を用い円偏
光板を配置した従来方式の結果を併記し、さらに図4に
は参考のためNTSCの色度を併記した。
吸収されていた光を再利用することで、光の強度が増加
する。特に、青色の光として有効な波長範囲の光の強度
が増加しており、図4の色度図に示す通り、色純度は従
来(54%)から3%向上し、色度がNTSCの青色の値に
より近づいている。また、本実施例では輝度が従来の約
1.5倍に向上した。
素子の光の相対強度と波長の関係を示すグラフと、色度
を示すxy色度図であり、緑色発光の有機EL素子15
0に、偏光分離手段500として図2で例示した緑色の
波長に選択反射の波長範囲(G反射)を有するコレステ
リック液晶層を用いた場合の結果である。また、両図と
も比較のため、同じ有機EL素子を用い円偏光板を配置
した従来方式の結果を併記し、さらに図6には参考のた
めNTSCの色度を併記した。
吸収されていた光を再利用することで光の強度が増加す
る。特に、緑色の光として有効な波長範囲の光の強度が
増加しており、図6の色度図に示す通り、色純度は従来
(94.5%)から1.5%向上し、色度がNTSCの緑色
の値に近づいている。また、本実施例では輝度が従来の
約1.6倍に向上した。さらに、明るい環境下(垂直照
度180lxの条件)でのコントラスト比は有機EL素
子150単体の場合が19であるのに対し、本発光素子
では36に向上した。
50に偏光分離手段500として、赤色の波長に選択反
射の波長範囲を有するコレステリック液晶層を用いるこ
とで、青色、緑色と同様、色純度の向上、輝度の向上と
いった効果が得られる。
と、偏光分離手段500を構成するコレステリック液晶
層の選択反射の波長範囲との関係が本発明の発光素子で
は重要である。
変えても良い。例えば、色純度と明るい環境下でのコン
トラスト比を重視する場合は、有機EL素子150の発
光の波長範囲よりも、偏光分離手段500を構成するコ
レステリック液晶層の選択反射の波長範囲を狭くするこ
とが望ましい。この場合、選択反射の波長範囲が狭けれ
ば狭いほど外光の反射が減り、コントラスト比は向上す
るが、その分輝度の向上効果が減るので、使用環境(想
定される周囲の明るさ)を考慮した上で、選択反射帯域
を決定するようにすると良い。
EL素子150の発光の波長範囲と、偏光分離手段50
0を構成するコレステリック液晶層の選択反射の波長範
囲を略一致させ、再利用できる光量を最大にすることが
有効である。
機EL素子の発光の波長範囲を狭くした上で、有機EL
素子150の発光の波長範囲と偏光分離手段500を構
成するコレステリック液晶層の選択反射の波長範囲を略
一致させる。ここで、有機EL素子の発光の分布を半値
幅が75nmのガウス型と仮定して計算すると、R,
G,Bともに十分な色度(色純度)が得られる(映像メテ
゛ィア学会誌Vol.54,No8,p1116)。従っ
て、コントラスト比と輝度を両立するには有機EL素子
の発光波長の半値幅と、偏光分離手段500を構成する
コレステリック液晶層の選択反射波長の半値幅を75n
m以下とすると良だろう。
ック液晶層にR,G,Bで同じ液晶材料を使用する場
合、選択反射の波長範囲は原理的に選択反射の中心波長
が長くなるほど広くなる。つまり、赤色光に対応したコ
レステリック液晶層は青色や緑色に対応したコレステリ
ック液晶層に比べて、原理的に選択反射の波長範囲が広
くなりコントラスト比の向上効果や、色純度の向上効果
が小さくなる。
レステリック液晶層の選択反射の中心波長は、有機EL
素子の発光ピーク波長あるいは中心波長より長波長側に
設定して可視波長範囲における選択反射の波長範囲が、
有機EL素子の発光の波長範囲と略一致するようにする
と良い。
する発光素子において、この前面に偏光分離手段と、位
相差板と、偏光板とを配置したものであり、この用件を
満たすものであれば、上記実施例に記載のない構成であ
っても同様な効果が得られることは明らかであろう。 (表示装置の実施例1)次に本発明の発光素子を複数整
列配置し、これら複数の発光素子の発光動作を制御して
表示を行う表示装置について説明する。図7は本発明に
かかる表示装置1の全体のレイアウトを模式的に示すブ
ロック図であり、図8はその表示部2に構成されたアク
ティブマトリクスの等価回路図である。
のほぼ中央部に表示部2が設けられる。表示部2の上側
には、データ線7に対して画像信号を出力するデータ駆
動回路3、左側にはゲート線8に対して走査信号を出力
する走査駆動回路4が設置されている。これらの駆動回
路3,4はNチャネル型とPチャネル型のTFT(Th
in Film Transistor)による相補型
回路から構成されるシフトレジスタ回路,レベルシフタ
回路,アナログスイッチ回路などから構成される。
ブマトリクスと同様、第1の基板6上に複数のゲート線
と、該ゲート線の延在方向に対して交差する方向に延在
させた複数のデータ線が設けられており、図8に示すよ
うにそれらのゲート線G1,G2,…,Gmとデータ線
D1,D2,…,Dnとの交差するところにマトリクス
状に画素20が配置される。
と、ゲート電極がゲート線に接続し、ソース・ドレイン
電極の一方がデータ線に接続され、他方が蓄積容量23
に接続されているNチャネル型のTFTからなるスイッ
チトランジスタ21と、ゲート電極が該蓄積容量23に
接続し、ソース電極が上記データ線と同じ方向に延在す
る共通電位線9に接続され、ドレイン電極が発光素子2
4を構成する有機EL素子の一方の電極(陰極)に接続
されているNチャネル型のTFTからなるドライバトラ
ンジスタ22とから構成されている。
子の他方の電極(陽極)は、画素共通の電流供給線に接
続されて一定の電位Vaに保たれる。発光素子24は
R,G,Bのいずれかの色光を発するものが、所定の順
序でマトリクス状に配置される。
ッチトランジスタ21がオン状態になると、データ線か
ら画像信号がスイッチトランジスタ21を介して蓄積容
量23に書き込まれる。従って、ドライバトランジスタ
22のゲート電極は、スイッチトランジスタ21がオフ
状態になっても、蓄積容量23により画像信号に相当す
る電位に保持される。
優れるソース接地モードでの駆動状態に保たれ続けて,
電流供給線からの電流が発光素子24を構成する有機E
L素子を流れるので、発光素子24は発光状態に維持さ
れる。このときの発光輝度は、蓄積容量23に書き込ま
れるデータに依存する。発光の停止は,ドライバトラン
ジスタ22をオフ状態とすることで実現する。
構造を説明する。図9は表示装置1における画素部の平
面構造の一部概略図を示し、図10は図9上のA−A’
に沿った断面構造を示す。ガラスなどの平坦な第1の基
板6上に、スイッチトランジスタ21,ドライバトラン
ジスタ22を形成するための島状のシリコン膜が形成さ
れ、その表面にゲート絶縁膜が形成されている。ゲート
絶縁膜上には,ゲート電極,ゲート線,蓄積容量用電極
が形成され、その後ゲート電極に自己整合的にソース・
ドレイン領域が形成されている。さらに第1の層間絶縁
膜50が設けられ、コンタクトホールを介してデータ
線,共通電位線,蓄積容量用電極が形成されている。
らなる平坦化膜52が積層形成され、その上に発光素子
24の陰極300となる光反射機能を有する電極がしま
状にパターン形成されている。陰極300は第2の層間
絶縁膜51及び平坦化膜52のコンタクトホールを介し
てドライバトランジスタ22のドレインと接続されてい
る。平坦化膜52の上には、陰極300が形成された領
域を取り囲むように光吸収性の黒色顔料を分散した感光
性樹脂材料からなる隔壁60が形成されている。隔壁6
0はフォトリソグラフィ法により形成される。
発光する発光層を有する有機層110が所定の配置でパ
ターン形成される。有機層110は上述の構成及び材料
から選択すれば良い。有機層110のパターニングは有
機層110が低分子系の場合には、公知のシャドーマス
クによる真空蒸着有機膜のパターニング成膜技術(例え
ばS.Miyaguchi,et al,"Organ
ic LED Fullcolor Passive−
matrixx Display",Journal o
f the SID,7,3,pp221−226(199
9)に記載)を用いれば良い。この工程の際、隔壁60
はシャドウマスクの突き当て部材として使用することが
できる。
構成する場合は公知のインクジェットパターニング技術
「」例えば、T.Shimada,et al "Mult
icolor Pixel Patterning o
f Light−Emitting Polymers
by Ink−Jet Printing",SID9
9 ,DIGEST376(1999)に記載」を用いれば
良い。この工程の際、隔壁60は画素領域を分離する土
手として機能する。
(透明電極200)が全面的に形成されている。透明電
極200は図示しない電流供給線と接続される。透明電
極200の上には透明な絶縁材料からなる平坦化膜70
が形成される。平坦化膜70は透明電極200を保護す
ると同時に、この上に配置する部材の積層を容易にする
ためのものである。
脂、カルド系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等の有機材料を用いれば良い。これらの有機材
料はスピンコート法などで成膜することで、その表面が
比較的容易に平坦化できる。平坦化膜70の上には光学
的に等方で透明かつ平坦な基板からなる第2の基板90
が配置される。
トリクス層(BM層)80と偏光分離手段500が形成
され、他方の面に位相差板700と偏光板600が積層
配置されている。第2の基板90は偏光分離手段500
が形成された面が、第1の基板6の有機層110形成面
と対向するように配置する。第2の基板90上に形成さ
れた偏光分離手段500は、有機層110の発光層の発
光色に対応した選択反射の波長範囲を有するコレステリ
ック液晶層がパターン形成されており、コレステリック
液晶層の選択反射の波長範囲と有機層110における発
光の波長範囲の関係は上記説明の通りとする。
形成された有機層110の位置と、パターン形成された
コレステリック液晶層の位置が略一致するように重合せ
て、透明粘着材により全面を密着するか、表示部の周囲
を枠状のシール材でシールし,窒素を封入して、密閉接
着する。
構成図である。また、図12は表示装置1の一部正面図
である。図11に示す通り、赤色(R)発光の有機層11
0Rの上には、赤色に対応した選択反射の波長範囲を有
するR反射のコレステリック液晶層500Rを、緑色発
光(G)の有機層110Gの上には緑色に対応した選択反
射の波長範囲を有するG反射のコレステリック液晶層5
00Gを、青色(B)発光の有機層110Bの上には青色
に対応した選択反射の波長範囲を有するB反射のコレス
テリック液晶層500Bを配置する。
に形成したBM層80は第1基板60に形成された隔壁
50よりも小さく形成する。これは、BM層80を隔壁
よりも小さくすることで有機層110からの発光がBM
層80で遮られて表示が暗くなることを避けるためであ
り、位置合わせの際のマージンを確保するためでもあ
る。
離手段500の形成方法について説明する。
れているものと同様、金属クロム、酸化クロム、カーボ
ンブラックなどの遮光性顔料を分散させた感光性樹脂を
用いることが出来る。本発明の発光素子では特にBM層
に外光反射の低減による画質の向上(明環境下での高コ
ントラスト比の維持)が要求されるため、低い反射率が
要求される。この要求からBM層としては最も反射率が
低くできる遮光性顔料を分散させた感光性樹脂を用いた
ものが望ましい。
より外側、つまり観察者側には位相差板700と偏光板
600が配置され、これらが円偏光板として機能するた
め反射率が高い金属クロムであっても、金属クロムでの
外光反射は抑制されるため使用してもかまわない。
る工程の一例を説明する。図13は遮光性顔料を分散さ
せた感光性樹脂によるBM層80の形成工程の説明図で
ある。 (a)まず光学的に等方で透明、かつ平坦な第2の基板
90上にカーボンブラックを分散したネガ型感光性樹脂
85をスピンコーターやダイコーターなどにより塗布す
る。この際、第2の基板90上にあらかじめ密着性を向
上させる薄膜を形成しておいても良い。
スティング法(溶液流延法)により成膜したポリカーボ
ネートフィルムや、トリアセチルセルロースフィルム等
のポリマーフィルム、或いは射出成形により形成した脂
環式アクリル樹脂(商品名オプトレッツ:日立化成製)
等の光学的に等方なプラスチックシートやプラスチック
フィルムなどを用いることができる。
などを用いて仮硬化し、ネガ型感光性樹脂85の感度に
合致した波長を有する露光装置により所定のパターンを
有するマスク86を用いて露光する。(c)その後、現
像することで露光された部分がBM層80として残り、
マスクにより遮光された部分は溶出し、基板面が露出す
る。(d)引き続き洗浄、乾燥を行い、アクリル樹脂、
カルド樹脂、あるいはポリイミド系樹脂などの透明樹脂
を塗布して、表面を平坦化する平坦化膜を構成する。
0にコレステリック液晶層からなる偏光分離手段500
を形成する方法の例を説明する。
長範囲を有するコレステリック液晶層を形成する方法
は、公知の技術を用いればよく、例えば異なる液晶材料
を印刷する方法や、液晶ポリマーを一面に塗工してから
何らかの方法でR反射,G反射,B反射をパターン形成
する方法がある。
の方法でR,G,Bをパターン形成する方法としては、
選択反射波長の温度依存性を利用して温度を変えなが
ら、架橋により構造を固定する方法「例えばR.Maur
er,etale,SID94,Digest,pp399
−402(1994)に記載」や、選択反射波長を光照射
により制御する方法(例えば特開2000−14723
6号公報)などがある。
長帯域を有するコレステリック液晶層をパターン形成す
る方法は、所望の選択反射が得られる領域がパターン形
成される方法であれば、いずれの方法であっても良い。
板90にパターン形成されたコレステリック液晶層から
なる偏光分離手段500を、形成する方法の一例を説明
するための図である。
する方法について説明する。この方法は、シッフ塩基を
介して光学活性基を結合したモノマーユニットを一成分
とする側鎖型液晶ポリマーに光酸発生剤を添加した系に
おいて、紫外線照射により光学活性基を切断すことで選
択反射波長を制御する方法である。つまり、液晶ポリマ
ー(共重合体)は光学活性基を含有するモノマー単位の
含有率に基づいて、コレステリック液晶の螺旋ピッチが
変化し、選択反射波長は当該ピッチで決定されるため、
前記含有率の制御で選択反射波長を制御する方法であ
る。光学活性基を含有するモノマー単位の含有率が高い
ほどピッチが小さくなり、選択反射の波長範囲は短波長
側にシフトする。
液晶ポリマーをベースに用い、適宜フォトマスクを介し
て、まず緑色、赤色の選択反射を示すべき領域に紫外線
を照射し、加熱配向処理を施した後、改めて赤色の選択
反射を示すべき領域に緑色から赤色へ選択反射波長をシ
フトするだけの紫外線照射を行い、加熱配向処理するこ
とによって目的のR反射,G反射,B反射にパターン形
成されたコレステリック液晶層を形成する。
明する。(e)まず、第2の基板90のBM層80が形
成された面に図示しない配向膜としてポリビニルアルコ
ール層を設け、それをレーヨン布でラビング処理した処
理面に液晶ポリマーを塗布する。液晶ポリマーとしては
ネマチック性の液晶モノマーとして(化1)に示される
モノマーと、
2)に示されるモノマーの
体である液晶ポリマー」の意味になるようにする。共重
合体からなる側鎖型コレステリック液晶ポリマーを使用
することができ、この液晶ポリマーを溶解させたシクロ
ヘキサノン溶液に2,4−ビス(トリクロロメチル)−
6−(3'−クロロ−4'−メトキシ−β−スチリル)ト
リアジンを加えたものを基板90上に塗布し、乾燥後、
160℃で5分間加熱配向処理した後、室温にて放冷し
て、選択反射における中心波長440nmの非流動性の
コレステリック液晶層500Bを得る。
過率100%と0%の2領域を有するフォトマスク55
0を介して緑色、赤色の選択反射を示すべき領域に紫外
線を照射し、再度160℃、5分間加熱配向処理した
後、室温にて放冷して、パターニングされた選択反射の
中心波長が540nmの非流動性のコレステリック液晶
層500Gを得る。
赤色の選択反射を示すべき領域に紫外線を照射した後、
再度160℃、5分間加熱配向処理した後、室温にて放
冷してパターニングされた選択反射における中心波長6
30nmの非流動性のコレステリック液晶層500Rを
得る。
ン形成されたコレステリック液晶層が形成される。尚、
コレステリック液晶層の表面には必要に応じて透明な保
護層を設けても良い。
れた第2の基板90は偏光分離手段500が形成された
面が、第1の基板6の有機層110形成面と対向するよ
うに配置する。この際、第1の基板6と第2の基板90
はパターン形成された有機層110の位置と、パターン
形成されたコレステリック液晶層の位置が略一致するよ
うに位置合せをした上で、重ね合わせて透明粘着材によ
り全面を密閉接着するか、表示部以外の領域を枠状のシ
ール材により接着して、空間に窒素を封入した状態で密
閉する。
成された面とは逆の面には位相差板700及び偏光板6
00が積層配置される。位相差板700及び偏光板60
0は上記説明の通りであり、それぞれアクリル系の透明
接着剤により光学的に結合されるよう接着される。
偏光分離手段を形成しても良い。この場合はコレステリ
ック液晶層をパターン形成する工程で熱などにより、位
相差などの特性が変化しない材質を用いると良い。
を用いて説明する。図15(a)はゲート線G1,G
2,…,Gmに順次印加される電圧VG1,VG2,
…,VGmのタイムチャートである。また、図15
(b)は1行1列に位置するゲート電圧VG1とデータ
電圧VD1,及び蓄積容量23の電圧状態を例示する図
である。
G2,…Gmには順次スイッチトランジスタ21をター
ンオンする電圧VG1,VG2,…VGmが印加され
る。時刻t=t0にゲート線G1にスイッチトランジス
タ21をターンオンする電圧VG1が印加されると、1
フレーム期間Tf内に垂直方向の走査を1回終えて、再
びゲート線G1にターンオン電圧が印加されるのは時刻
t=t0+Tfである。この駆動スキームでは,1本の
ゲート線にターンオン電圧が印加される時間は、Tf/
m以下となる。一般的に、Tfの値としては、1/60
秒程度が用いられる。
ているときは、そのゲート線に接続されたスイッチトラ
ンジスタは全てオン状態となり、これに同期してデータ
線D1,D2,…,Dnには画像信号に応じたデータ電
圧が印加される。これは所謂線順次走査方式と呼ばれ、
アクティブマトリクス液晶では一般的に用いられている
方式である。
し、ゲート電圧VG1とデータ電圧VD1、及び蓄積容
量23の電圧状態を図15(b)を参照しながら説明す
る。t=t0において、VG1に同期したデータ電圧V
D1の値をd1とし、次フレームt=t0+Tfにおい
てのデータ電圧をd2とする。この場合、ゲート線G1
にターンオン電圧が印加されている間に、これらのデー
タ電圧は蓄積容量23に蓄えられ、1フレーム期間はほ
ぼそれらの値に保たれる。これらの電圧値は,ドライバ
トランジスタ22のゲート電圧を規定し、これによりト
ランジスタを流れる電流値が制御されるので、これらと
共通電位配線によって印加される電圧(一定)と、発光
素子24の透明電極に印加されている電圧Va(一定)
とで決まる一定の電流が発光素子24を流れ、所定の発
光を生じる。
たゲート線にターンオン電圧が印加されるのに同期し
て、画像情報に対応した電圧をデータ線に印加すること
で、画素の発光量を制御することができる。従って、表
示部2を構成する複数の画素の発光量を画像情報に応じ
て制御することで、所望の画像を表示することができ
る。尚、発光素子24の陰極及び陽極の両端に電圧が印
加されてから、発光が始まるまでの応答時間は通常1μ
s以下であるため、動きの速い画像にも追随できる画像
表示を実現できる。
る電流を大きくすると、その発光量が大きくなり明るい
表示が得られるが、その分消費電力が大きくなり、素子
の寿命(例えば、発光量が初期の半分になるまでの時
間)が短くなる。
の通り、偏光分離手段の作用により、従来、偏光板で吸
収され損失となっていた光も表示光として利用できるた
め、輝度が1.6倍以上に向上する。このため、同じ消
費電力であれば、より輝度が高く、明るい表示の表示装
置を実現できるという効果が有る。或いは、同じ輝度
(明るさ)であれば、発光素子に流れる電流を小さくで
きるので、消費電力が小さくなり、さらに寿命が長い表
示装置を実現できるという効果がある。
24の偏光分離手段の作用により、発光層からの発光色
自体より、観察者側へ出射する色光の色純度が向上する
という効果がある。このため、表示装置の表示色範囲が
広がるという効果がある。
周囲に光吸収性の顔料を分散した隔壁を設けた。この隔
壁により発光層から基板面に平行な方向へ出射する光は
遮断されるため、画素のぼやけが無い表示が得られる。
さらにこの隔壁は、発光層から出射して偏光分離手段で
反射した光が、別の画素へ漏れることを防ぐため、混色
やぼやけを防止する効果がある。つまり、各画素は隔壁
により光学的に分離されるため混色やぼやけのない高品
位な表示が得られる。
BM層よりも広い領域に形成することで、パターン形成
された発光層と、パターン形成された偏光分離手段の位
置合せのマージン確保による生産性の向上、及び外光反
射の低減による明環境下でのコントラスト比の向上とい
った効果を得られる。
れた第1の基板と、偏光分離手段が形成された第2の基
板を重ね合わせる際のスペーサーとして機能させること
ができ、この場合は有機EL素子と偏光分離手段との接
触による欠陥の発生を防止する効果がある。
L素子を異なる基板上に形成し、最後に重ね合わせるよ
うにした。これは、同一の基板に両者を形成する場合、
例えば有機層が既に形成された基板に偏光分離手段をパ
ターニングする場合、偏光分離手段のパターニング工程
において基板の温度が上がり有機層が劣化するなどの不
具合が生じるからである。
なる基板に形成するようにすれば、それぞれの工程の自
由度は広がり、互いに劣化させることがないのでより高
性能な素子を構成できる。ただし、本発明は例えば将
来、耐熱性の高い有機材料が開発されれば、偏光分離手
段と有機EL素子を同一の基板に形成することを拒むも
のではない。
陰極との距離が長いと偏光分離手段で反射した光が本来
の画素とは、別の画素の陰極へ漏れて解像度が低下した
り、発光層から出射した光や、偏光分離手段で反射した
光が隔壁などで吸収されて観察者へ向かう光が、減って
しまうなどの弊害を生じる。このため、偏光分離手段と
陰極との距離はできるだけ短いことが、画質及び発光層
から出射した光の利用効率向上の面から望ましい。
に基板が介在する場合、基板がガラスであれば、基板の
厚さだけで数百μm、プラスチックフィルムであっても
数十μm以上となり、偏光分離手段と陰極の距離が長く
なってしまう。
からの光の取り出しを有機EL素子が形成された第1の
基板とは逆の方向からとし、さらに透明で薄い平坦化膜
や絶縁膜を介して偏光分離手段を重ね合わせる構成とし
た。この構成により偏光分離手段と陰極との距離は10
μm以下と短くできるため、隔壁などで吸収され、損失
となる光が減り、発光光の利用効率が向上してより明る
い表示が得られる。さらにこの場合は、偏光分離手段で
反射した光が異なる画素へ漏れて、解像度の低下や、混
色などを起すことがないので、高品位な表示が得られる
という効果がある。
は、ストライプ配置、モザイク配置、デルタ配置等のい
ずれかの配置でもよく、表示装置の仕様に合せて適切な
配置を選択すれば良い。尚、上記実施例ではアクティブ
マトリクス駆動の表示装置について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではない。即ち、TFTを設け
ずに本発明の発光素子の陽極及び陰極をそれぞれ垂直走
査線、水平走査線に直結して駆動する単純マトリクス駆
動の表示装置に適用しても良い。 (表示装置の実施例2)次に本発明における表示装置の
他の実施例について説明する。図16は本発明の表示装
置の概略を示す一部断面図である。この表示装置は有機
層110Wの発光色が白色であることと、カラーフィル
タ−を有すること以外、基本的な構成は上記実施例と同
じであるため、同じ部分には同じ符号を付け詳細な説明
は省略する。
を参照して説明した上記実施例において、R,G,Bに
パターン形成されていた有機層を全て白色発光の有機層
110Wに変更し、第2の基板90と偏光分離手段50
0との間に、それぞれR,G,Bに相当する光を透過す
るカラーフィルタ−900R,900G,900Bをパ
ターン形成したものである。
色の異なる複数の発光層を積層する構成と、一つの発光
層中に発光色が異なる色素をドーピングする構成があ
る。
q3のAlq3を部分的にナイルレッドでドープし、
1,2,4−トリアゾール誘導体(TAZ)を組合せたも
のがある。また、後者としては、PVKに3種類の色
素、例えば1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタ
ジエン(TPB)、クマリン6、DCM1をドープした
ものがある。いずれにせよ、白色発光の有機層としては
発光効率が高く、寿命の長い白色発光が得られるものを
用いることが望ましい。
作製工程について説明する。図17は第2の基板90上
にカラーフィルター及び偏光分離手段を作製する際の工
程を説明するための図である。以下、カラーフィルター
及び偏光分離手段の作製工程について図面を参照しなが
ら説明する。(A)光学的に等方で透明、かつ平坦な第
2の基板90上に、金属クロム、酸化クロム、あるいは
光吸収性の顔料を分散した感光性樹脂からなるBM層8
0をパターン形成する。
法、顔料分散法、あるいは印刷法などの公知の技術(次
世代液晶ディスプレイ技術、内田龍男編著、工業調査
会)により、R,G,Bの各色光を透過するカラーフィ
ルターをパターン形成する。(C)さらにこの上に、透
明な樹脂材料からなるオーバーコート層910を形成す
る。(D)オーバーコート層910の上に図示しない配
向膜としてポリビニルアルコール層を設け、ラビング処
理した処理面に上記実施例と同様、液晶ポリマーの溶液
を塗布し、乾燥後、160℃で5分間加熱配向処理した
後、室温にて放冷して、青色に選択反射の中心波長を有
する非流動性のコレステリック液晶層500Bを得る。
過率100%と0%の2領域を有するフォトマスク55
0を介して、緑色、赤色の選択反射を示すべき領域、つ
まり緑色光を透過するカラーフィルター900G、及び
赤色光を透過するカラーフィルタ900Rに対応する位
置に紫外線を照射し、再度160℃、5分間加熱配向処
理して室温にて放冷して、パターン形成された緑色に選
択反射の中心波長を有する非流動性のコレステリック液
晶層500Gを得る。
赤色の選択反射を示すべき領域、つまりに赤色光を透過
するカラーフィルタ900Rに対応する位置に紫外線を
照射した後、再度160℃、5分間加熱配向処理した
後、室温にて放冷してパターン形成された赤色に選択反
射の中心波長を有するコレステリック液晶層500Rを
得る。以上により、R反射,G反射,B反射にパターン
形成されたコレステリック液晶層が形成される。コレス
テリック液晶層には必要に応じて透明な保護層を設けて
も良い。
ー、及びコレステリック液晶層からなる偏光分離手段5
00が形成された第2の基板90は偏光分離手段500
が形成された面が第1の基板6の有機層110Wを形成
した面が対向するよう重ね合わせる。この際、第1の基
板6と第2の基板90はパターン形成された有機層11
0Wの位置と、パターン形成されたコレステリック液晶
層の位置が略一致するように位置合せをした上で、透明
粘着材により全面を密着するか、表示部を囲む枠状のシ
ール材により窒素を封入して密閉接着する。
ン形成された偏光分離手段の位置合せは、赤色を表示す
べき画素の有機層の位置には、赤色に選択反射波長を有
するコレステリック液晶層及び赤色のカラーフィルター
を配置し、緑色を表示すべき画素の有機層の位置には、
緑色に選択反射波長を有するコレステリック液晶層及び
緑色のカラーフィルターを配置し、青色を表示すべき画
素の有機層の位置には、青色に選択反射波長を有するコ
レステリック液晶層及び青色のカラーフィルターを配置
する。
0が形成された面とは、逆の面には位相差板700及び
偏光板600をアクリル系の透明接着剤により光学的に
結合されるよう接着する。
表示装置の発光動作は上記実施例と同じである。つま
り、発光量を制御すべき画素に対応したゲート線にター
ンオン電圧が印加されるのに同期して、画像情報に対応
した電圧をデータ線に印加することで画素の発光量を制
御するものであり、表示部を構成する複数の画素の発光
量を画像情報に応じて制御することで、所望の画像を表
示するものである。
たは陰極で反射した後、偏光分離手段に入射する。偏光
分離手段は各画素が表示すべき色光に選択反射波長を有
するコレステリック液晶層がパターン形成されたもので
ある。このため、赤色を表示すべき画素の有機層110
Wから出射して偏光分離手段500Rに入射した光は、
偏光分離手段500Rを構成するコレステリック液晶層
の選択反射により、赤色に対応する所定の波長範囲であ
って、なおかつ一方の回転方向の円偏光(例えば、ここ
では左回りの円偏光)成分は反射し、これ以外の光は透
過する。
ち、赤色に対応する所定の波長範囲の光は右回りの円偏
光のみとなっており、これ以外の波長の光は非偏光であ
る。
色光を透過する赤色カラーフィルター900Rに入射し
て、赤色に対応する所定の波長範囲以外の光は、赤色カ
ラーフィルター900Rでほとんど吸収される。
赤色に対応する所定の波長範囲の光は、赤色カラーフィ
ルタ900Rを透過し、位相差板700の作用により円
偏光から直線偏光に変換され、偏光板600で吸収され
ることなく透過して観察者1000の方向へ向う。
は、陰極300で反射して再び偏光分離手段500Rに
向うが、陰極300での反射の際、位相がπずれて回転
方向が逆の円偏光(ここでは右回りの円偏光)となるた
め、今度は偏光分離手段500Rを透過する。偏光分離
手段500を透過した光は赤色カラーフィルタ900R
も透過して、位相差板700の作用により偏光板600
を透過する直線偏光に変換され、偏光板600を透過し
て観察者1000の方向へ向かう。
機層110Wから出射した白色光のうち、赤色に対応す
る所定の波長範囲の光のみが、カラーフィルタ500R
や偏光板600で吸収されることなく、観察者1000
に向かうため明るい赤色光が得られる。
対応する有機層110Wから出射した白色光に関しても
同様に、緑色(あるいは青色)に対応する所定の波長範
囲の光のみが、カラーフィルタ500G(あるいはカラ
ーフィルタ500B)や、偏光板600で吸収されるこ
となく、観察者1000に向かうため明るい緑色光(あ
るいは青色光)が得られる。
っていた光を有効に利用することで、発光素子の輝度が
向上し、明るい表示ができるという効果がある。
に入射する外光は、偏光板600を通過する際、少なく
ともその半分が吸収される。偏光板600を透過した光
は位相差板700を透過する際、その作用を受け、円偏
光となり、カラーフィルタを通過する際、さらにその2
/3が吸収される。カラーフィルタを透過した光は陰極
300で反射し、さらに偏光選択手段で反射した後、再
び陰極300で反射して、偏光選択手段、カラーフィル
タ、位相差板、偏光板を透過して観察者1000の方向
へ向かう。従って、明るい環境下であっても外光の大部
分がカットされるため、暗表示が暗くなり高いコントラ
スト比が実現できるという効果がある。
る場合、発光の波長範囲が狭く、急峻な分布の場合には
色純度が高くなる。また、コレステリック液晶層の選択
反射の波長分布は、顔料や染料を使用した通常のカラー
フィルターの透過波長分布よりも、波長範囲を狭くする
ことができ、波長分布が急峻である。
有機EL素子にR,G,Bのカラーフィルターを組み合
わせたカラー表示装置に比べて、R,G,B単色の色純
度が高く、表示色範囲が広い表示装置を実現することが
できる。また、本実施例の表示装置においても上記実施
例と同様な構造部分については同じ効果が得られること
は、云うまでもない。 (発光素子の他の実施例)次に本発明における発光素子
の他の実施例を示す図面を参照しながら説明する。図1
8は本発明における発光素子の他の実施例における基本
構成と動作原理を説明するための一部概略断面図であ
る。この発光素子は上記実施例において、偏光分離手段
として用いたコレステリック液晶層の代わりに、所定の
波長範囲の直線円偏光成分は反射し、他の成分は透過す
る偏光分離手段(以下、直線偏光分離手段と呼ぶ)55
5を用いたものである。このため上記実施例と共通な部
分には同じ符号を付け、詳細な説明は省略する。
い基板上に形成された透明電極200からなる陽極と、
鏡面反射手段を兼ねる陰極300と、陽極と陰極の間に
形成した有機層110とから構成される有機EL素子1
50と、有機EL素子150の透明電極200側から順
に積層配置した位相差板700と、直線偏光分離手段5
55と、偏光板600から構成される。
に入射する光におけるうちの所定の波長範囲における直
線偏光成分は反射し、これ以外の光は透過する機能を有
するものである。偏光分離手段555の構成は種々考え
られ、例えば、国際出願の国際公開番号:WO95/27
919に記載の異なる複屈折性高分子SID92 Di
gest p427に記載の頂角が略90度のプリズム
アレイを2枚重ね、その重ね合わせ部に誘電体多層膜に
よる偏光分離面を形成したものを使用することができ
る。この際、直線偏光分離手段で反射する波長範囲は、
有機EL素子の発光の波長範囲と略一致させる。
術における、いわゆる円偏光板を構成するものを用いれ
ば良い。つまり、偏光板600はこれを通過する光のう
ち特定の直線偏光は透過し、これと直交する直線偏光は
吸収するものである。また、位相差板700は偏光板6
00を通過した直線偏光を円偏光に変換する1/4波長
板として機能するものを用いる。
構成する偏光板600と位相差板700の間に配置する
が、この際、偏光分離手段555の直線偏光の透過軸は
偏光板600の直線偏光の透過軸と一致するように配置
する。
する。透明電極200と陰極300とに直流電源900
を接続し、透明電極200と陰極300との間に直流電
圧を印加すると発光層100から所定の波長の発光が生
じる。発光層100から出射した光のうち透明電極20
0側に向かった光1100はそのまま透明電極200、
及び位相差板700を透過して直線偏光分離手段555
に入射する。
陰極300側に向った光1101は陰極300で反射し
て、同じく透明電極200及び位相差板700を透過し
て直線偏光分離手段555に入射する。この際、発光層
100から出射し、直線偏光分離手段555に入射する
光は非偏光であるため、偏光板600で吸収されるべき
直線円偏光成分は反射し、偏光板600を透過する直線
円偏光成分は透過する。偏光分離手段555を透過した
光1102は偏光板600を透過して観察者1000の
方向へ向かう。
直線偏光光1103は、位相差板700を通過して陰極
300へ向うが、位相差板700を通過する際、その作
用を受けて円偏光(ここでは例えば左回りの円偏光)に
変換される。陰極300へ向かった光1103は陰極3
00での反射の際、位相がπずれて回転方向が逆の円偏
光(右回りの円偏光)となり、再び位相差板700を通
過する際に、その作用を受けて今度は直線偏光分離手段
555を透過する直線偏光に変換される。このため直線
偏光分離手段555及び偏光板600を透過して観察者
1000の方向へ向かう。
出射した光のうち、従来、偏光板で吸収され、損失とな
っていた光を有効に再利用するため観察者1000へ向
かう光量が増加し、輝度が向上するという効果がある。
素子に入射する外光の挙動について説明する。周囲から
発光素子に入射する外光3100は非偏光であるが、偏
光板600を通過する際に所定の直線偏光は吸収され、
これと直交する直線偏光のみが透過する。偏光板600
を透過した直線偏光は直線偏光反射手段555も透過
し、位相差板700の作用を受け、円偏光(ここでは例
えば右回りの円偏光)となる。
で反射する際、位相がπずれて回転方向が逆の円偏光
(左回りの円偏光)になる。陰極300で反射した光は
再び位相差板700を通過する際、今度は偏光板600
で吸収される直線偏光に変換された後、直線偏光分離手
段555に入射する。直線偏光分離手段555では有機
EL素子の発光波長範囲に相当する波長範囲の光は反射
し、それ以外の波長の光は透過する。直線偏光分離手段
555を透過した光3101は偏光板600で吸収され
るため外部には戻らない。
光3102は位相差板700を通過する際、その作用を
受け、左回りの円偏光に変換され、陰極300で再度反
射する際、位相がπずれて回転方向が逆の右回りの円偏
光となる。陰極300で再度反射した光は位相差板70
0を通過する際、今度は偏光板600を透過する直線偏
光に変換されるため、直線偏光分離手段555及び偏光
板600を透過して観察者1000の方向へ向かう。
のうち少なくとも半分が偏光板700で吸収される。偏
光板700を透過した光は、直線偏光分離手段555及
び位相差板700等を透過して、陰極300で反射し
て、再び直線偏光分離手段555に入射するが、このう
ち直線偏光分離手段555を透過する光3101は偏光
板600で吸収される。従って、外部へ出射する光は直
線偏光分離手段555で反射される波長範囲のわずかな
光3102のみである。つまり、本発明の発光素子にお
いても上記実施例と同様、明るい環境下であっても外光
の大部分がカットされるため、暗表示が暗くなり高いコ
ントラスト比が実現できるという効果がある。
の反射波長範囲を有機EL素子の発光の波長範囲よりも
狭くすることで観察者1000へ向かう色光の色純度を
向上したり、明るい環境下でのコントラスト比をさらに
向上することができるといった効果がある。
はコレステリック液晶層などから構成される偏光分離手
段の作用により、従来、偏光板で吸収され、損失となっ
ていた光を有効に再利用することで、観察者へ向かう光
量が増加し、輝度が向上するという効果がある。そのう
え、偏光分離手段で反射して再利用される光の波長範囲
の制御により、発光層からの発光自体よりも高い色純度
の色光が得られるという効果がある。
の大部分がカットされるため、黒表示が暗くなり高いコ
ントラスト比が実現できるという効果がある。
る発光素子が偏光分離手段の作用により、従来、偏光板
で吸収され損失となっていた光も表示光として利用でき
るため輝度が向上する。
度が高く、明るい表示の表示装置を実現できるという効
果がある。或いは、同じ輝度(明るさ)であれば、発光
素子に流れる電流を小さくできるので、消費電力が小さ
くなり、さらに寿命が長い表示装置を実現できるという
効果がある。
成する発光素子から出射する色光の色純度が高いため、
表示装置の表色範囲が広い高品位な表示が実現できると
いう効果がある。
素子の周囲に設けた光吸収性の隔壁により、各画素が光
学的に分離されるため、混色やぼやけのない高品位な表
示が得られるという効果がある。また、本発明の表示装
置では有機EL素子と偏光分離手段の間に基板が介在し
ない構成とすることで光の利用効率が向上し、さらに混
色やぼやけのない高品位な表示が得られるという効果が
ある。
概略断面図である。
の透過スペクトルの一例を示すグラフである。
の関係の一例を示すグラフである。
度図である。
の関係の一例を示すグラフである。
度図である。
式的に示すブロック図である。
ブマトリクスの等価回路図である。
を示す平面図である。
図である。
工程を説明する断面図である。
工程を説明する断面図である。
のタイムチャートである。
示す断面図である。
及び偏光分離手段の形成工程を説明する断面図である。
を示す概略断面図である。
る。
走査駆動回路、6…第1の基板、20…画素、21…ス
イッチトランジスタ、22…ドライバトランジスタ、2
3…蓄積容量、24…発光素子、60…隔壁、70…平
坦化膜、80…ブラックマトリクス(BM)層、90…
第2の基板、100…発光層、101…電荷輸送層、1
02…ホール輸送層、110,110R,110G,1
10B,10W…有機層、150…有機EL素子、20
0…透明電極(陽極)、300…陰極、400…透明基
板、500,500R,500G,500B…偏光分離
手段(コレステリック液晶層)、600…偏光板、70
0…位相差板(1/4波長版)、900R,900G,
900B…カラーフィルター。
Claims (21)
- 【請求項1】 反射部材と、発光層と、位相差板と、偏
光板とをこの順に備える発光素子であって、前記発光層
と前記位相差板との間に、偏光分離手段を設け、前記偏
光分離手段は、前記発光層の発光波長範囲の一部または
全部を含み、なおかつ可視波長範囲よりも狭い波長範囲
の光であって、前記発光層側から前記偏光分離手段側へ
向かう光のうち、前記位相差板の作用により前記偏光板
で吸収される直線偏光に変換される円偏光成分は反射
し、それ以外の光は透過するものであり、前記反射部材
は少なくとも垂直入射した円偏光は回転方向が逆の円偏
光として反射する反射面であることを特徴とする発光素
子。 - 【請求項2】 前記偏光分離手段がコレステリック液層
層であり、前記位相差板が1/4波長板であることを特
徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 【請求項3】 反射部材と、発光層と、位相差板と、偏
光板とをこの順に備える発光素子であって、前記位相差
板と前記偏光板との間に、偏光分離手段を設け、前記偏
光分離手段は、前記発光層の発光波長範囲の一部または
全部を含み、なおかつ可視波長範囲よりも狭い波長範囲
の光であって、前記発光層側から前記偏光分離手段へ向
かう光のうち、前記偏光板で吸収される直線偏光成分は
反射し、それ以外の光は透過する直線偏光分離手段であ
り、前記位相差板は1/4波長板であり、前記反射部材
は少なくとも垂直入射した円偏光を回転方向が逆の円偏
光として反射する反射面であることを特徴とする発光素
子。 - 【請求項4】 前記発光層が透明電極と金属電極とに挟
まれた有機薄膜であり、前記金属電極が前記反射部材を
兼ねた反射性の金属電極であることを特徴とする請求項
1から請求項3のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項5】 マトリクス状に配置された複数の発光素
子と、前記発光素子の発光動作を画像情報に基づいて制
御する制御手段を有する表示装置であって、前記発光素
子として請求項1から4のいずれかに記載の発光素子を
使用したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項6】 マトリクス状に配置した複数の画素を構
成する発光素子と、該発光素子の発光動作を画像情報に
基づいて制御する制御手段を有する表示装置において、
前記発光素子は反射部材を兼ねる金属電極と、有機薄膜
からなる発光層と、透明電極とを積層した構造の有機エ
レクトロルミネッセンス素子と、位相差板と、偏光板と
をこの順に備える発光素子であって、前記発光層と前記
位相差板との間に、偏光分離手段を設け、前記偏光分離
手段は、前記発光層の発光波長範囲の一部または全部を
含み、なおかつ可視波長範囲よりも狭い波長範囲の光で
あって、前記発光層側から前記偏光分離手段側へ向かう
光のうち、前記位相差板の作用により前記偏光板で吸収
される直線偏光に変換される円偏光成分は反射し、それ
以外の光は透過するものであり、前記反射部材は少なく
とも垂直入射した円偏光は回転方向が逆の円偏光として
反射する反射面であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項7】 前記偏光分離手段がコレステリック液層
層であり、前記位相差板が1/4波長板であることを特
徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 【請求項8】 前記発光層の発光色が画素により異な
り、前記偏光分離手段が反射する光の波長範囲が、該発
光色に対応して画素により異なることを特徴とする請求
項6または7に記載の表示装置。 - 【請求項9】前記複数の画素を構成する発光層が、それ
ぞれ赤色発光の発光層、緑色発光の発光層、及び青色発
光の発光層のいずれかから構成されるカラー表示を行う
表示装置であって、該赤色発光の発光層に対応する位置
には赤色光を反射する偏光分離手段、該緑色発光の発光
層に対応する位置には緑色光を反射する偏光分離手段、
該青色発光の発光層に対応する位置には青色光を反射す
る偏光分離手段をそれぞれパターン形成したことを特徴
とする請求項6または7に記載の表示装置。 - 【請求項10】 前記偏光分離手段が前記画素を構成す
る前記発光層の発光領域に対応してマトリクス状にパタ
ーン形成され、前記偏光分離手段のパターンの間にブラ
ックマトリクスが形成されていることを特徴とする請求
項6から請求項9のいずれか1項に記載の表示装置。 - 【請求項11】 前記ブラックマトリクスの開口部が、
前記画素を構成する前記発光層の発光領域よりも広いこ
とを特徴とする請求項10に記載の表示装置。 - 【請求項12】 前記発光層の発光波長範囲と、これに
対応する位置における前記偏光分離手段の反射の波長範
囲が略一致することを特徴とする請求項1から請求項9
のいずれか1項に記載の発光素子、または表示装置。 - 【請求項13】 前記発光層の発光波長の半値幅と、こ
れに対応する前記偏光分離手段の反射波長の半値幅がと
もに75nm以下であることを特徴とする請求項1から
請求項9のいずれか1項に記載の発光素子、または表示
装置。 - 【請求項14】 前記発光層の発光の中心波長、或いは
最大強度となる波長(ピーク波長)と、該発光層に対応
する位置の前記偏光分離手段の反射の中心波長が略一致
することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に
記載の発光素子、または表示装置。 - 【請求項15】 前記発光層の発光波長範囲に対して、
該発光層の発光領域に対応する位置における前記偏光分
離手段の反射の波長範囲が狭いことを特徴とする請求項
1から9のいずれか1項に記載の発光素子、または表示
装置。 - 【請求項16】 赤色発光の発光層に対応する位置に形
成された赤色光を反射する偏光分離手段の反射の中心波
長を該発光層の発光の中心波長、或いは最大強度となる
波長(ピーク波長)よりも長くすることで該発光層の発
光波長範囲と、該偏光分離手段の反射の波長範囲を可視
波長範囲内で略一致させる、もしくは該発光層の発光波
長範囲よりも該偏光分離手段の反射の波長範囲を可視波
長範囲内で狭くしたことを特徴とする請求項1から9の
いずれか1項に記載の発光素子、または表示装置。 - 【請求項17】 第1の基板に有機エレクトロルミネッ
センス素子を形成し、第1の基板とは異なる透明な第2
の基板に偏光分離手段を形成し、第1の基板の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の形成面と、第2の基板の偏
光分離手段形成面を重ね合わせて固定したことを特徴と
する請求項1から9のいずれか1項に記載の発光素子、
または表示装置。 - 【請求項18】 前記発光層と、前記偏光分離手段の間
に基板が介在しないことを特徴とする請求項1から9の
いずれか1項に記載の発光素子、または表示装置。 - 【請求項19】 前記透明電極と前記偏光分離手段の間
に透明な絶縁層を備えることを特徴とする請求項1から
9のいずれか1項に記載の発光素子、または表示装置。 - 【請求項20】 前記画素の非発光部分に光吸収性の顔
料を分散した隔壁を設けたことを特徴とする請求項1か
ら9のいずれか1項に記載の発光素子、または表示装
置。 - 【請求項21】 前記画素を構成する発光層が白色光を
発光する発光層であり、該画素を構成する発光層の発光
領域に対応する位置にそれぞれ赤色光を反射する偏光分
離手段、緑色光を反射する偏光分離手段、青色光を反射
する偏光分離手段をパターン形成し、さらに赤色光を反
射する偏光分離手段と偏光板との間には赤色光を透過す
るカラーフィルターを、緑色光を反射する偏光分離手段
と偏光板との間には緑色光を透過するカラーフィルター
を、青色光を反射する偏光分離手段と偏光板との間には
青色光を透過するカラーフィルターをそれぞれパターン
形成したことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US09/940,887 US20020093284A1 (en) | 2001-01-15 | 2001-08-29 | Light-emitting devices and light-emitting displays |
EP01120623A EP1223618B1 (en) | 2001-01-15 | 2001-08-29 | Light-emitting devices and light-emitting displays |
DE60144138T DE60144138D1 (de) | 2001-01-15 | 2001-08-29 | Lichtemittierende Vorrichtungen und lichtemittierende Anzeigevorrichtungen |
KR1020010052827A KR100703907B1 (ko) | 2001-01-15 | 2001-08-30 | 발광 소자 및 표시 장치 |
CNB011251565A CN1189781C (zh) | 2001-01-15 | 2001-08-30 | 光发射器件与光发射显示器 |
CN2004101046742A CN1627876B (zh) | 2001-01-15 | 2001-08-30 | 光发射器件 |
US10/814,639 US7012365B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-04-01 | Light-emitting device and light-emitting display with a polarization separator between an emissive layer and a phase plate |
US11/311,626 US7339316B2 (en) | 2001-01-15 | 2005-12-20 | Organic light-emitting devices and displays including a polarization separator, a phase plate, and a polarizer |
US11/967,888 US7781962B2 (en) | 2001-01-15 | 2007-12-31 | Organic light-emitting devices and displays including a polarization separator, a phase plate, and a polarizer |
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
JP2001006513A Expired - Fee Related JP4011292B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 発光素子、及び表示装置 |
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---|---|
US (4) | US20020093284A1 (ja) |
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CN (2) | CN1189781C (ja) |
DE (1) | DE60144138D1 (ja) |
TW (1) | TWI243928B (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003186413A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2004199033A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置とその駆動方法、および電子機器 |
JP2004361423A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
JP2005209651A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Lg Electronics Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2005528760A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネセント装置 |
JP2005268809A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Lumileds Lighting Us Llc | 面内発光層を含む半導体発光素子 |
JP2006011043A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその駆動方法 |
JP2007053069A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Lg Electron Inc | 電界発光素子 |
JP2007064999A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
JP2007227273A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | カラー有機el表示装置。 |
JP2009283246A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子に用いられる光学部材およびそれを備えたエレクトロルミネッセント素子 |
US7732809B2 (en) * | 2003-08-13 | 2010-06-08 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display providing with compensated cholesteric reflective polarizer for improved contrast even in high ambient light or large viewing angle |
JP2010170988A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011040365A (ja) * | 2009-08-13 | 2011-02-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011060604A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及び表示装置 |
JP2011081334A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-04-21 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
US8736794B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
JP2015099247A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | Hoya株式会社 | フォトマスク及び該フォトマスクを用いた基板の製造方法 |
US9219248B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
US9263704B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-02-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
JP2016149372A (ja) * | 2016-04-11 | 2016-08-18 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及び表示装置 |
JP2017097217A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
WO2018147184A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP2018170212A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置の製造方法 |
JP2018534620A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-11-22 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | 偏光板一体型のウィンドウ基板及びその製造方法 |
CN108931864A (zh) * | 2017-05-24 | 2018-12-04 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
JP2021036346A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
JP7522192B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-07-24 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | ディスプレイデバイスおよびディスプレイ装置 |
Families Citing this family (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3967895B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2007-08-29 | 日東電工株式会社 | 偏光板及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP4011292B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
JP2003058069A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sharp Corp | 自発光型画像表示装置 |
JP2003140561A (ja) | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
CN101728422B (zh) | 2001-12-18 | 2012-03-28 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置、其制造方法、电光学装置和电子仪器 |
KR20060035810A (ko) | 2002-02-26 | 2006-04-26 | 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 | 에어 갭 자연 발생 메커니즘 |
WO2003075369A1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic display device |
JP3838964B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-25 | 株式会社リコー | 機能性素子基板の製造装置 |
US6995739B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-02-07 | Zexus Technology Limited | Variable color display and articles incorporating same |
JP2004109826A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び投射型表示装置 |
US6936960B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | OLED displays having improved contrast |
TWI363573B (en) * | 2003-04-07 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Lab | Electronic apparatus |
US7862906B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
US6998776B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
KR100983149B1 (ko) * | 2003-05-21 | 2010-09-20 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 이.엘. 소자 |
US20040256978A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-23 | Gang Yu | Array comprising organic electronic devices with a black lattice and process for forming the same |
US6987355B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-01-17 | Eastman Kodak Company | Stacked OLED display having improved efficiency |
JP4342870B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2009-10-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el表示装置 |
US20050035361A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-17 | Peterson Charles M. | Polarized light emitting devices and methods |
US6917398B2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-07-12 | Wintek Corporation | Display utilizing cholesterin liquid crystal polymer for enhancing contrast |
US7541734B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative |
CN100379050C (zh) * | 2003-10-20 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 全色化有机电致发光显示器及其制作方法 |
JP4994567B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2012-08-08 | 日東電工株式会社 | 直線偏光分離フィルム、直線偏光分離積層フィルム、バックライトシステム、液晶表示装置 |
WO2005041155A1 (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 表示装置 |
GB0326853D0 (en) * | 2003-11-19 | 2003-12-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Optical device |
CN100463246C (zh) * | 2004-03-17 | 2009-02-18 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机电致发光显示元件 |
US7408201B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-08-05 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarized semiconductor light emitting device |
KR100683673B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20050280358A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Yaw-Chung Cheng | Light-polarizing film with high permeability for improving an interference light of a color organic light emitting diode |
JP2006032010A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7352124B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-01 | Goldeneye, Inc. | Light recycling illumination systems utilizing light emitting diodes |
US20070262693A1 (en) | 2004-10-29 | 2007-11-15 | Satoshi Seo | Composite Material, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof |
KR100601381B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
EP1662589A3 (en) * | 2004-11-30 | 2010-09-15 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having a polarizer |
KR20060060164A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 엘지전자 주식회사 | 편광판을 가지는 유기 전계 발광 소자 |
WO2006062177A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material including organic compound and inorganic compound, light-emitting element and light-emitting device using the composite compound, and manufacturing method of the light-emitting element |
US20060125734A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Eastman Kodak Company | OLED display with aging compensation |
KR100701092B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-29 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
JP4251292B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2009-04-08 | 日本精機株式会社 | 表示装置 |
JP4837295B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-12-14 | 株式会社沖データ | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
US7554112B1 (en) | 2005-03-10 | 2009-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic device and processes for forming and using the same |
KR100731285B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2007-06-21 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 명실 컨트라스트 개선을 위한 더미 전극 패턴을 갖는디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
JP2007025621A (ja) * | 2005-06-15 | 2007-02-01 | Seiko Instruments Inc | カラー表示装置 |
US20070048677A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Wintek Corporation | Exposure method for making separator |
US7675078B2 (en) * | 2005-09-14 | 2010-03-09 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure |
US8217572B2 (en) * | 2005-10-18 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with prism layer |
TWI284491B (en) * | 2005-10-28 | 2007-07-21 | Au Optronics Corp | Flat display panel |
TWI398705B (zh) | 2005-11-04 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置 |
WO2007063782A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1793264A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US20070132371A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | General Electric Company | Color tunable light-emitting devices and method of making the same |
US20070131949A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | General Electric Company | Color tunable light-emitting devices and method of making the same |
KR100714015B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
KR100714016B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
JP2007173084A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Canon Inc | 発光素子 |
WO2007072766A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1804114B1 (en) * | 2005-12-28 | 2014-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1804115A1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1826604B1 (en) * | 2006-01-31 | 2015-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1832915B1 (en) * | 2006-01-31 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with improved contrast |
EP1816508A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20080092466A (ko) * | 2006-02-02 | 2008-10-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
EP1826606B1 (en) * | 2006-02-24 | 2012-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP1826605A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
DE102006009217A1 (de) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4654207B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
US7499116B2 (en) * | 2006-04-11 | 2009-03-03 | Tpo Displays Corp. | Systems for displaying images having micro-reflective transmission liquid crystal display with particular storage capacitor arrangement |
KR100712178B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US20080006833A1 (en) * | 2006-06-02 | 2008-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and liquid crystal display device |
KR100838066B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
TWI312587B (en) * | 2006-08-10 | 2009-07-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting display devices and methods for fabricating the same |
KR100741137B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101293570B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US7825570B2 (en) * | 2007-06-11 | 2010-11-02 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved contrast |
ATE488981T1 (de) * | 2007-07-03 | 2010-12-15 | Schott Ag | Substrat mit einer hochleitfähigen schicht |
US20100286434A1 (en) * | 2007-10-11 | 2010-11-11 | Barrett Richard Bobsein | Ethylenically unsaturated monomers for thickener compositions |
WO2009053881A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Polarized light emitting device |
KR100860730B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2008-09-29 | 주식회사 엘엠에스 | 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
KR100926372B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2009-11-10 | 주식회사 엘엠에스 | 콜레스테릭 액정층을 포함하는 유기박막표시장치 |
TW200941076A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Ind Tech Res Inst | Color cholesteric liquid crystal display devices and fabrication methods thereof |
KR100925726B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2009-11-10 | 주식회사 엘엠에스 | 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
US8058783B2 (en) * | 2008-07-25 | 2011-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8198802B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8169386B2 (en) * | 2008-08-19 | 2012-05-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
KR100965258B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2010-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8643000B2 (en) | 2008-11-18 | 2014-02-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic device with low-reflectance electrode |
KR100965250B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2010-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR100953656B1 (ko) | 2009-01-09 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101608870B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2016-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2010243744A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Nitto Denko Corp | 映像鑑賞設備 |
JP5311654B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2013-10-09 | 日東電工株式会社 | 映像鑑賞設備 |
KR101333783B1 (ko) * | 2009-11-10 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101592919B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2016-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101663564B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2016-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
KR101251403B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2013-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101241131B1 (ko) * | 2010-08-03 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
KR101784994B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8796704B2 (en) * | 2011-05-02 | 2014-08-05 | Innolux Corporation | Emissive display having polarizer and retarder films |
TW201340781A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-01 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 有機發光二極體顯示器 |
CN202549937U (zh) * | 2012-05-10 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示结构及oled显示装置 |
US10879428B2 (en) * | 2012-05-17 | 2020-12-29 | Micron Technology, Inc. | Solid-state transducer devices with selective wavelength reflectors and associated systems and methods |
KR102067159B1 (ko) * | 2013-05-24 | 2020-01-16 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기발광 표시장치 |
US9846343B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-12-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device and display control method |
CN103441139B (zh) * | 2013-08-14 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示控制方法 |
CN104637977A (zh) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 发光显示装置 |
CN103682157A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
US11930662B2 (en) * | 2015-06-04 | 2024-03-12 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Transparent electroluminescent devices with controlled one-side emissive displays |
KR20170022047A (ko) * | 2015-08-19 | 2017-03-02 | 삼성전자주식회사 | 자체발광 디스플레이 패널 및 이를 가지는 디스플레이 장치 |
JP6510655B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR101700772B1 (ko) | 2015-10-30 | 2017-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
DE112017001717B4 (de) * | 2016-03-31 | 2019-12-24 | Sony Corporation | Anzeigevorrichtung und elektronische einrichtung |
KR102646213B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2024-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 휘도 향상을 위한 광학부재 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치 |
US11287563B2 (en) | 2016-12-01 | 2022-03-29 | Ostendo Technologies, Inc. | Polarized light emission from micro-pixel displays and methods of fabrication thereof |
WO2018152506A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | Red Bank Technologies, LLC | Circularly polarized light emitting organic light emitting diodes |
WO2018181634A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
WO2018181632A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
WO2018207851A1 (ja) | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
KR102429881B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP7055146B2 (ja) | 2017-11-08 | 2022-04-15 | 富士フイルム株式会社 | 光学積層フィルムおよび有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP6873269B2 (ja) | 2017-11-08 | 2021-05-19 | 富士フイルム株式会社 | 光学積層フィルムおよび有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
CN109904207B (zh) * | 2019-03-18 | 2021-03-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性偏光片、包含其的有机发光显示面板及制备方法 |
JP7402975B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-12-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 反射偏光子および光学システム |
US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
CN112186024B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-11-08 | 天马微电子股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112952025A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
US20240164174A1 (en) * | 2021-08-25 | 2024-05-16 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and display device |
WO2024197536A1 (zh) * | 2023-03-27 | 2024-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件、背光模组及显示装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01145058A (ja) | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Sogo Shika Iryo Kenkyusho:Kk | 人工歯 |
TW594115B (en) * | 1992-10-09 | 2004-06-21 | Asahi Glass Co Ltd | A liquid crystal display device and an illumination device for a direct viewing type display element |
JPH0712365A (ja) * | 1992-12-22 | 1995-01-17 | Matsushita Seiko Co Ltd | パーソナル空調システム |
RU2119274C1 (ru) | 1992-12-23 | 1998-09-20 | Нортроп Грамман Норден Системз Инкорпорейтед | Тонкопленочный электролюминесцентный дисплей с высокой контрастностью и способ его изготовления |
JP3803370B2 (ja) | 1994-04-06 | 2006-08-02 | スリーエム カンパニー | 偏光源 |
US6101032A (en) * | 1994-04-06 | 2000-08-08 | 3M Innovative Properties Company | Light fixture having a multilayer polymeric film |
JP3219943B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2001-10-15 | 株式会社東芝 | 平面直視型表示装置 |
CN1182524A (zh) * | 1995-04-25 | 1998-05-20 | 西铁城时计株式会社 | 有机场致发光器件 |
EP0793814B1 (en) * | 1995-09-25 | 2005-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent illumination system and a flat-panel picture display device provided with such a system |
JPH09127885A (ja) | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Sony Corp | 表示素子 |
EP0804749B1 (en) * | 1995-11-22 | 2004-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system, linear polarizer for such an illumination system and display device comprising such an illumination system |
EP0958617A1 (en) * | 1996-06-12 | 1999-11-24 | The Trustees Of Princeton University | Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays |
JPH10115826A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-05-06 | Seiko Epson Corp | 表示素子およびそれを用いた電子機器 |
US5705285A (en) * | 1996-09-03 | 1998-01-06 | Motorola, Inc. | Multicolored organic electroluminescent display |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JPH1145058A (ja) | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP3580125B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2004-10-20 | 日東電工株式会社 | 光学素子、照明装置及び液晶表示装置 |
EP1793650B1 (en) * | 1998-03-17 | 2014-03-05 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a flat panel display |
JP2000014726A (ja) | 1998-06-29 | 2000-01-18 | Toshiba Tec Corp | エア給排気装置 |
JP2000019323A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Nippon Mitsubishi Oil Corp | カラー反射型偏光板 |
JP2000113988A (ja) | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示装置およびその点灯方法 |
JP4033424B2 (ja) | 1998-11-09 | 2008-01-16 | 日東電工株式会社 | 多色反射板の製造方法 |
JP2000195673A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び発光素子 |
US7288420B1 (en) * | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
US6094126A (en) | 1999-06-08 | 2000-07-25 | Sorenson; Richard W. | Thermal circuit breaker switch |
JP3296333B2 (ja) | 1999-06-15 | 2002-06-24 | 日本電気株式会社 | 液晶表示方法、液晶パネルおよび液晶表示装置 |
US6641933B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
JP2001244080A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001244068A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001311826A (ja) | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Nitto Denko Corp | 高輝度円偏光フィルムとこれを用いた表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001357979A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | El素子 |
JP2002083691A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型有機led表示装置及びその製造方法 |
US6515428B1 (en) * | 2000-11-24 | 2003-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method |
JP4011292B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
KR100426964B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2003115383A (ja) | 2002-09-12 | 2003-04-18 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006513A patent/JP4011292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-06 TW TW090119161A patent/TWI243928B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-29 US US09/940,887 patent/US20020093284A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-29 EP EP01120623A patent/EP1223618B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 DE DE60144138T patent/DE60144138D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-30 CN CNB011251565A patent/CN1189781C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-30 KR KR1020010052827A patent/KR100703907B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-30 CN CN2004101046742A patent/CN1627876B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-01 US US10/814,639 patent/US7012365B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-20 US US11/311,626 patent/US7339316B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-12-31 US US11/967,888 patent/US7781962B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003186413A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2005528760A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネセント装置 |
JP2004199033A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置とその駆動方法、および電子機器 |
US8760375B2 (en) | 2003-04-09 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
JP2004361423A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
US8330670B2 (en) | 2003-04-09 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
US8009145B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
JP4614633B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2011-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
US8368080B2 (en) | 2003-08-13 | 2013-02-05 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display with optical compensation layer and circularly polarized reflective layer for improved contrast even in high ambient light |
US7732809B2 (en) * | 2003-08-13 | 2010-06-08 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display providing with compensated cholesteric reflective polarizer for improved contrast even in high ambient light or large viewing angle |
JP2005209651A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Lg Electronics Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2005268809A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Lumileds Lighting Us Llc | 面内発光層を含む半導体発光素子 |
JP4713190B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2011-06-29 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 面内発光層を含む半導体発光素子 |
JP2006011043A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその駆動方法 |
JP4637513B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-02-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置およびその駆動方法 |
JP2007053069A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Lg Electron Inc | 電界発光素子 |
JP2007064999A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
JP2007227273A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | カラー有機el表示装置。 |
JP2009283246A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子に用いられる光学部材およびそれを備えたエレクトロルミネッセント素子 |
US8125143B2 (en) | 2009-01-21 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
JP2010170988A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011040365A (ja) * | 2009-08-13 | 2011-02-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011060604A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及び表示装置 |
JP2011081334A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-04-21 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
US8736794B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
US9219248B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
JP2015099247A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | Hoya株式会社 | フォトマスク及び該フォトマスクを用いた基板の製造方法 |
US9263704B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-02-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
JP2018534620A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-11-22 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | 偏光板一体型のウィンドウ基板及びその製造方法 |
US11360347B2 (en) | 2015-10-20 | 2022-06-14 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Window substrate integrated with polarizing plate and method of preparing the same |
JP2017097217A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
JP2016149372A (ja) * | 2016-04-11 | 2016-08-18 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及び表示装置 |
WO2018147184A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JPWO2018147184A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2019-11-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
US11163191B2 (en) | 2017-02-07 | 2021-11-02 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence display device |
JP6997729B2 (ja) | 2017-02-07 | 2022-01-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP2018170212A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置の製造方法 |
CN108931864A (zh) * | 2017-05-24 | 2018-12-04 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
JP7522192B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-07-24 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | ディスプレイデバイスおよびディスプレイ装置 |
JP2021036346A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60144138D1 (de) | 2011-04-14 |
KR100703907B1 (ko) | 2007-04-05 |
EP1223618A3 (en) | 2008-11-19 |
TWI243928B (en) | 2005-11-21 |
US20080143253A1 (en) | 2008-06-19 |
US7781962B2 (en) | 2010-08-24 |
JP4011292B2 (ja) | 2007-11-21 |
US7339316B2 (en) | 2008-03-04 |
US20020093284A1 (en) | 2002-07-18 |
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