JP2002214460A - 光導波路デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
光導波路デバイスおよびその製造方法Info
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体多層膜フィルタの形成が容易である上
に誘電体多層膜フィルタに起因する光学特性の劣化の少
ない光導波路デバイスおよびその製造方法を提供とす
る。 【解決手段】 断面Ｖ字溝１３および光導波路２を形成
した原材料光導波路基板１００を光導波路２と共に切断
して複数の光導波路基板１に分離し、光導波路基板１の
光導波路２端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜
形成或いは板状フィルタを接着してから光導波路基板１
の光導波路２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介
して対向せしめた状態でガイドピン４を断面Ｖ字溝に嵌
合し、両光導波路基板１を相互に係合結合する光導波路
デバイスおよびその製造方法。
に誘電体多層膜フィルタに起因する光学特性の劣化の少
ない光導波路デバイスおよびその製造方法を提供とす
る。 【解決手段】 断面Ｖ字溝１３および光導波路２を形成
した原材料光導波路基板１００を光導波路２と共に切断
して複数の光導波路基板１に分離し、光導波路基板１の
光導波路２端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜
形成或いは板状フィルタを接着してから光導波路基板１
の光導波路２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介
して対向せしめた状態でガイドピン４を断面Ｖ字溝に嵌
合し、両光導波路基板１を相互に係合結合する光導波路
デバイスおよびその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光導波路デバイ
スおよびその製造方法に関し、特に、断面Ｖ字溝および
光導波路を形成した原材料光導波路基板を光導波路と共
に切断して複数個の光導波路基板に分離し、光導波路基
板の光導波路端面に誘電体多層膜フィルタを直接成膜形
成してから光導波路端面同志を誘電体多層膜フィルタを
介して対向せしめた状態でガイドピンを断面Ｖ字溝に嵌
合し、両光導波路基板を相互に係合結合した光導波路デ
バイスおよびその製造方法に関する。
スおよびその製造方法に関し、特に、断面Ｖ字溝および
光導波路を形成した原材料光導波路基板を光導波路と共
に切断して複数個の光導波路基板に分離し、光導波路基
板の光導波路端面に誘電体多層膜フィルタを直接成膜形
成してから光導波路端面同志を誘電体多層膜フィルタを
介して対向せしめた状態でガイドピンを断面Ｖ字溝に嵌
合し、両光導波路基板を相互に係合結合した光導波路デ
バイスおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図５を参照して説明する。図５
において、シリコンより成る光導波路基板１の表面には
光導波路２がＹ字状に形成される。この光導波路２は直
線部１１とこれから分岐した第１の分岐部２１および第
２の分岐部２２より成る。ダイシング加工により構成さ
れたフィルタ挿入溝７は、光導波路２のＹ字状部のとこ
ろを横断して光導波路基板１に構成されている。即ち、
光導波路２はそのＹ字状部のところにおいてフィルタ挿
入溝７により切断分離されている。誘電体多層膜フィル
タ２５は保持薄板２５１の表面に形成された状態でフィ
ルタ挿入溝７の光導波路２の切断されたところに挿入さ
れ、接着剤２５２により固定されている。光導波路２の
一方である直線部１１の端面は誘電体多層膜フィルタ２
５を介して、光導波路２の他方である第１の分岐部２１
および第２の分岐部２２の合流接続した端面に対向して
いる。レーザダイオード２４は、その出射部を光導波路
２の第１の分岐部２１の端面に対向して光導波路基板１
の表面に固定されている。フォトダイオード１４は光導
波路２の直線部１１の端面に対向して光導波路基板１の
表面に固定されている（光導波路の形成の仕方の詳細
は、出願番号第２０００−２８２７８号明細書 参
照）。
において、シリコンより成る光導波路基板１の表面には
光導波路２がＹ字状に形成される。この光導波路２は直
線部１１とこれから分岐した第１の分岐部２１および第
２の分岐部２２より成る。ダイシング加工により構成さ
れたフィルタ挿入溝７は、光導波路２のＹ字状部のとこ
ろを横断して光導波路基板１に構成されている。即ち、
光導波路２はそのＹ字状部のところにおいてフィルタ挿
入溝７により切断分離されている。誘電体多層膜フィル
タ２５は保持薄板２５１の表面に形成された状態でフィ
ルタ挿入溝７の光導波路２の切断されたところに挿入さ
れ、接着剤２５２により固定されている。光導波路２の
一方である直線部１１の端面は誘電体多層膜フィルタ２
５を介して、光導波路２の他方である第１の分岐部２１
および第２の分岐部２２の合流接続した端面に対向して
いる。レーザダイオード２４は、その出射部を光導波路
２の第１の分岐部２１の端面に対向して光導波路基板１
の表面に固定されている。フォトダイオード１４は光導
波路２の直線部１１の端面に対向して光導波路基板１の
表面に固定されている（光導波路の形成の仕方の詳細
は、出願番号第２０００−２８２７８号明細書 参
照）。
【０００３】以上の構成を有する光合分波器において、
光導波路２の第２の分岐部２２の端面に入射した波長
１. ５５μｍの光は、誘電体多層膜フィルタ２５を透過
して光導波路２の直線部１１に送り込まれ、フォトダイ
オード１４に入射することができる。これに対して、レ
ーザダイオード２４から出射した波長１. ３１μｍの光
は光導波路２の第１の分岐部２１に送り込まれ、誘電体
多層膜フィルタ２５において反射して第２の分岐部２２
に送り込まれ、その端面から外部に放射することができ
る。
光導波路２の第２の分岐部２２の端面に入射した波長
１. ５５μｍの光は、誘電体多層膜フィルタ２５を透過
して光導波路２の直線部１１に送り込まれ、フォトダイ
オード１４に入射することができる。これに対して、レ
ーザダイオード２４から出射した波長１. ３１μｍの光
は光導波路２の第１の分岐部２１に送り込まれ、誘電体
多層膜フィルタ２５において反射して第２の分岐部２２
に送り込まれ、その端面から外部に放射することができ
る。
【０００４】この従来例の場合、誘電体多層膜フィルタ
２５厚みが厚いと透過光の損失が大きくなるのでこの厚
みは薄い程光学的特性は良好であり、通常は１０μｍ厚
程度に形成される。保持薄板２５１はガラス薄板或いは
有機材料薄膜が使用され、その厚さは強度上の観点から
数μｍから２０μｍ程度の厚さとされる。これに周知慣
用の成膜方法により誘電体多層膜フィルタ２５を形成す
る。そして、この誘電体多層膜フィルタ２５を挿入する
フィルタ挿入溝７のギャップは誘電体多層膜フィルタ２
５の厚さより数μｍ以上広く構成しないと、現実的に挿
入することができない。従って、フィルタ挿入溝７のギ
ャップは誘電体多層膜フィルタ２５自体の厚さの数倍と
なる。これも、光損失を大きくし、光合分波器の特性劣
化の要因となる。そして、ダイシング加工による高精度
な溝加工、誘電体多層膜フィルタ２５の挿入工程は量産
性に乏しく、組み立てコストを高くする。
２５厚みが厚いと透過光の損失が大きくなるのでこの厚
みは薄い程光学的特性は良好であり、通常は１０μｍ厚
程度に形成される。保持薄板２５１はガラス薄板或いは
有機材料薄膜が使用され、その厚さは強度上の観点から
数μｍから２０μｍ程度の厚さとされる。これに周知慣
用の成膜方法により誘電体多層膜フィルタ２５を形成す
る。そして、この誘電体多層膜フィルタ２５を挿入する
フィルタ挿入溝７のギャップは誘電体多層膜フィルタ２
５の厚さより数μｍ以上広く構成しないと、現実的に挿
入することができない。従って、フィルタ挿入溝７のギ
ャップは誘電体多層膜フィルタ２５自体の厚さの数倍と
なる。これも、光損失を大きくし、光合分波器の特性劣
化の要因となる。そして、ダイシング加工による高精度
な溝加工、誘電体多層膜フィルタ２５の挿入工程は量産
性に乏しく、組み立てコストを高くする。
【０００５】他の従来例を図６を参照して説明する。こ
の従来例は、保持薄板２５１により保持された誘電体多
層膜フィルタ２５を使用しないで、誘電体多層膜フィル
タ２５を光導波路端面に直接成膜形成した従来例であ
る。図６において、シリコンより成る光導波路基板１の
表面には光導波路の直線部１１がクラッド層１２に包囲
形成されている。直線部１１の一方の端面は光導波路基
板１の側面において露出している。直線部１１の他方の
端面は光導波路基板１表面に固定されるフォトダイオー
ド１４の受光面に対向している。全体として第１の光導
波路チップ１０を構成している。シリコンより成る光導
波路基板１’の表面には光導波路の第１の分岐部２１お
よび第２の分岐部２２が形成されている。両分岐部の合
流結合端面は光導波路基板１’の側面に露出している。
第２の分岐部２２の他方の端面は光導波路基板１’の他
方の側面に露出している。レーザダイオード２４の発光
部は第１の分岐部２１の端面に対向せしめて光導波路基
板１’の表面に固定されている。第１の分岐部２１と第
２の分岐部２２の結合端面には、誘電体多層膜フィルタ
２５が直接成膜形成されている。全体として第２の光導
波路チップ２０を構成している。
の従来例は、保持薄板２５１により保持された誘電体多
層膜フィルタ２５を使用しないで、誘電体多層膜フィル
タ２５を光導波路端面に直接成膜形成した従来例であ
る。図６において、シリコンより成る光導波路基板１の
表面には光導波路の直線部１１がクラッド層１２に包囲
形成されている。直線部１１の一方の端面は光導波路基
板１の側面において露出している。直線部１１の他方の
端面は光導波路基板１表面に固定されるフォトダイオー
ド１４の受光面に対向している。全体として第１の光導
波路チップ１０を構成している。シリコンより成る光導
波路基板１’の表面には光導波路の第１の分岐部２１お
よび第２の分岐部２２が形成されている。両分岐部の合
流結合端面は光導波路基板１’の側面に露出している。
第２の分岐部２２の他方の端面は光導波路基板１’の他
方の側面に露出している。レーザダイオード２４の発光
部は第１の分岐部２１の端面に対向せしめて光導波路基
板１’の表面に固定されている。第１の分岐部２１と第
２の分岐部２２の結合端面には、誘電体多層膜フィルタ
２５が直接成膜形成されている。全体として第２の光導
波路チップ２０を構成している。
【０００６】以上の第１の光導波路チップ１０と第２の
光導波路チップ２０同志を両チップの光導波路端面を対
向位置合わせした状態で突き合わせ固定することにより
光合分波器を構成する。これに際して、高精度のｘ、
ｙ、ｚ軸ステージ、光源、パワーメータを使用してアク
ティブアライメント法を実施する。即ち、一方の光導波
路チップに光ファイバを介して光源を接続し、この一方
の光導波路チップから光を出射する。そして、他方の光
導波路チップをパワーメータを接続してｘ、ｙ、ｚ軸ス
テージに設置した状態で、ステージを駆動操作しながら
他方の光導波路チップで受光する。これにより他方の光
導波路チップによる受光量が最大となる相互位置関係を
求め、両者を接続する。
光導波路チップ２０同志を両チップの光導波路端面を対
向位置合わせした状態で突き合わせ固定することにより
光合分波器を構成する。これに際して、高精度のｘ、
ｙ、ｚ軸ステージ、光源、パワーメータを使用してアク
ティブアライメント法を実施する。即ち、一方の光導波
路チップに光ファイバを介して光源を接続し、この一方
の光導波路チップから光を出射する。そして、他方の光
導波路チップをパワーメータを接続してｘ、ｙ、ｚ軸ス
テージに設置した状態で、ステージを駆動操作しながら
他方の光導波路チップで受光する。これにより他方の光
導波路チップによる受光量が最大となる相互位置関係を
求め、両者を接続する。
【０００７】他の従来例の場合、誘電体多層膜フィルタ
２５を光導波路端面に直接成膜形成して光損失を小さく
して、特性劣化の少ない光合分波器を構成することがで
きるが、高精度のｘ、ｙ、ｚ軸ステージ、光源、パワー
メータを含む測定器を必要とする上に、先に説明した位
置合わせ操作は複雑で煩瑣なものである。
２５を光導波路端面に直接成膜形成して光損失を小さく
して、特性劣化の少ない光合分波器を構成することがで
きるが、高精度のｘ、ｙ、ｚ軸ステージ、光源、パワー
メータを含む測定器を必要とする上に、先に説明した位
置合わせ操作は複雑で煩瑣なものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、光導波路
を形成した原材料光導波路基板を光導波路と共に切断し
て複数個の光導波路基板に分離し、光導波路基板の光導
波路端面に誘電体多層膜フィルタを直接成膜形成してか
ら光導波路端面同志を誘電体多層膜フィルタを介して対
向せしめた状態で両光導波路基板を相互に係合結合する
ことにより上述の両従来例の抱える問題を解消した光導
波路デバイスおよびその製造方法を提供するものであ
る。
を形成した原材料光導波路基板を光導波路と共に切断し
て複数個の光導波路基板に分離し、光導波路基板の光導
波路端面に誘電体多層膜フィルタを直接成膜形成してか
ら光導波路端面同志を誘電体多層膜フィルタを介して対
向せしめた状態で両光導波路基板を相互に係合結合する
ことにより上述の両従来例の抱える問題を解消した光導
波路デバイスおよびその製造方法を提供するものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１：断面Ｖ字溝１
３および光導波路２を形成した原材料光導波路基板１０
０を光導波路２と共に切断して複数の光導波路基板１に
分離し、光導波路基板１の光導波路２端面に誘電体多層
膜フィルタ２５を直接成膜形成或いは板状フィルタを接
着してから光導波路基板１の光導波路２端面同志を誘電
体多層膜フィルタ２５を介して対向せしめた状態でガイ
ドピン４を断面Ｖ字溝に嵌合し、両光導波路基板１を相
互に係合結合する光導波路デバイスの製造方法を構成し
た。
３および光導波路２を形成した原材料光導波路基板１０
０を光導波路２と共に切断して複数の光導波路基板１に
分離し、光導波路基板１の光導波路２端面に誘電体多層
膜フィルタ２５を直接成膜形成或いは板状フィルタを接
着してから光導波路基板１の光導波路２端面同志を誘電
体多層膜フィルタ２５を介して対向せしめた状態でガイ
ドピン４を断面Ｖ字溝に嵌合し、両光導波路基板１を相
互に係合結合する光導波路デバイスの製造方法を構成し
た。
【００１０】そして、請求項２：断面Ｖ字溝１３および
光導波路２を形成した原材料光導波路基板１００を光導
波路２と共に切断して形成した光導波路基板１を具備
し、光導波路基板１の光導波路２端面に直接成膜形成せ
しめられた誘電体多層膜フィルタ２５或いは接着せしめ
られた板状フィルタを具備し、光導波路基板１の光導波
路２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介して対向
位置決めして両光導波路基板１を相互結合した光導波路
デバイスを構成した。
光導波路２を形成した原材料光導波路基板１００を光導
波路２と共に切断して形成した光導波路基板１を具備
し、光導波路基板１の光導波路２端面に直接成膜形成せ
しめられた誘電体多層膜フィルタ２５或いは接着せしめ
られた板状フィルタを具備し、光導波路基板１の光導波
路２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介して対向
位置決めして両光導波路基板１を相互結合した光導波路
デバイスを構成した。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１の実
施例を参照して説明する。図１（ａ）を参照するに、１
００はシリコンより成る原材料光導波路基板を示す。原
材料光導波路基板１００の表面にフォトリソグラフィ技
術とエッチング技術とを適用して石英マスクを形成した
後、ＫＯＨ水溶液による異方性エッチングを施して原材
料光導波路基板１００の表面両側部近傍に全長に亘って
断面Ｖ字溝１３を互いに平行に形成する。この場合、両
断面Ｖ字溝１３の相互位置精度は基本的にフォトリソグ
ラフィ精度に依存するが、露光装置にステッパを使用す
ることにより位置精度を０. ２μｍ以下の高精度で設計
値に構成することができる。
施例を参照して説明する。図１（ａ）を参照するに、１
００はシリコンより成る原材料光導波路基板を示す。原
材料光導波路基板１００の表面にフォトリソグラフィ技
術とエッチング技術とを適用して石英マスクを形成した
後、ＫＯＨ水溶液による異方性エッチングを施して原材
料光導波路基板１００の表面両側部近傍に全長に亘って
断面Ｖ字溝１３を互いに平行に形成する。この場合、両
断面Ｖ字溝１３の相互位置精度は基本的にフォトリソグ
ラフィ精度に依存するが、露光装置にステッパを使用す
ることにより位置精度を０. ２μｍ以下の高精度で設計
値に構成することができる。
【００１２】次いで、断面Ｖ字溝１３を形成した原材料
光導波路基板１００の２本の断面Ｖ字溝１３の間の表面
に必要とされる光導波路２を石英材料或いは合成樹脂材
料により形成する。この実施例において、光導波路２は
交差してＸ字状に第１の分岐部２１と第２の分岐部２２
に分岐している。ここで、Ｘ字状に交差した光導波路２
と断面Ｖ字溝１３が形成された原材料光導波路基板１０
０を光導波路２の分岐点を横断してダイシング加工によ
り切断分離する。原材料光導波路基板１００を切断する
ことにより、対称的な図１（ｂ）に示される光導波路基
板１が形成される。
光導波路基板１００の２本の断面Ｖ字溝１３の間の表面
に必要とされる光導波路２を石英材料或いは合成樹脂材
料により形成する。この実施例において、光導波路２は
交差してＸ字状に第１の分岐部２１と第２の分岐部２２
に分岐している。ここで、Ｘ字状に交差した光導波路２
と断面Ｖ字溝１３が形成された原材料光導波路基板１０
０を光導波路２の分岐点を横断してダイシング加工によ
り切断分離する。原材料光導波路基板１００を切断する
ことにより、対称的な図１（ｂ）に示される光導波路基
板１が形成される。
【００１３】図１（ｃ）を参照するに、これは切断分離
された光導波路２の分岐点の近傍を示す図である。切断
形成された光導波路基板１の一方の側面に露出する光導
波路２の端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜形
成或いは板状フィルタを接着する。誘電体多層膜フィル
タ２５の厚さは極く薄いものであるが、図示説明の都合
上誇張して図示されている。誘電体多層膜フィルタ２５
は光導波路２の端面のみに形成されているが、光導波路
２の端面が露出する光導波路基板１の側面全面に形成す
ることも行なわれ、板状フィルタを光導波路基板１の側
面全面に亘って接着することも行なわれている。
された光導波路２の分岐点の近傍を示す図である。切断
形成された光導波路基板１の一方の側面に露出する光導
波路２の端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜形
成或いは板状フィルタを接着する。誘電体多層膜フィル
タ２５の厚さは極く薄いものであるが、図示説明の都合
上誇張して図示されている。誘電体多層膜フィルタ２５
は光導波路２の端面のみに形成されているが、光導波路
２の端面が露出する光導波路基板１の側面全面に形成す
ることも行なわれ、板状フィルタを光導波路基板１の側
面全面に亘って接着することも行なわれている。
【００１４】図２を参照するに、これは切断形成され、
光導波路２の露出端面に誘電体多層膜フィルタ２５を形
成した光導波路基板１と他方の光導波路２とを対向位置
決め結合するところを説明する図である。直線状に延伸
するガイドピン４を両光導波路基板１および１’の対向
する断面Ｖ字溝１３に連通して嵌合することにより、こ
れら断面Ｖ字溝１３同志はガイドピン４により強制的に
一直線上に整列せしめられる。ところで、断面Ｖ字溝１
３の相互位置精度は０. ２μｍ以下の高精度で設計値に
構成されているので、光導波路基板１の断面Ｖ字溝１３
と光導波路基板１’の断面Ｖ字溝１３の相互間の位置精
度も０. ２μｍ以下の高精度に収まって位置決めされる
ことになる。ここで、一方の光導波路基板１と他方の光
導波路基板１’とをガイドピン４に沿って接近させるこ
とにより両者は切断分離される前の位置関係に突き合わ
せ復帰する。この場合の一方の光導波路基板１の誘電体
多層膜フィルタ２５と他方の光導波路基板１’の光導波
路２の露出端面の間は０.２μｍ以下の高精度で対向整
合した光導波路デバイスが構成される。
光導波路２の露出端面に誘電体多層膜フィルタ２５を形
成した光導波路基板１と他方の光導波路２とを対向位置
決め結合するところを説明する図である。直線状に延伸
するガイドピン４を両光導波路基板１および１’の対向
する断面Ｖ字溝１３に連通して嵌合することにより、こ
れら断面Ｖ字溝１３同志はガイドピン４により強制的に
一直線上に整列せしめられる。ところで、断面Ｖ字溝１
３の相互位置精度は０. ２μｍ以下の高精度で設計値に
構成されているので、光導波路基板１の断面Ｖ字溝１３
と光導波路基板１’の断面Ｖ字溝１３の相互間の位置精
度も０. ２μｍ以下の高精度に収まって位置決めされる
ことになる。ここで、一方の光導波路基板１と他方の光
導波路基板１’とをガイドピン４に沿って接近させるこ
とにより両者は切断分離される前の位置関係に突き合わ
せ復帰する。この場合の一方の光導波路基板１の誘電体
多層膜フィルタ２５と他方の光導波路基板１’の光導波
路２の露出端面の間は０.２μｍ以下の高精度で対向整
合した光導波路デバイスが構成される。
【００１５】図３を参照するに、これは光ファイバ８の
芯線を第１の分岐部２１および第２の分岐部２２の露出
端面に対向位置決めして光導波路基板１に固定し、光を
外部から入射出射するところを示す図である。図４を参
照するに、これは図示されてはいないが、以上と同様に
断面Ｖ字溝を形成した原材料光導波路基板に必要な光導
波路を形成し、これを２箇所において横断切断して３個
の光導波路基板を形成し、光導波路の切断露出端面に誘
電体多層膜フィルタを直接成膜形成し、３個の光導波路
基板を切断分離される前の位置関係に突き合わせ結合し
た光導波路デバイスを示す図である。第１の誘電体多層
膜フィルタと第２の誘電体多層膜フィルタとは透過反射
特性を異にしている。
芯線を第１の分岐部２１および第２の分岐部２２の露出
端面に対向位置決めして光導波路基板１に固定し、光を
外部から入射出射するところを示す図である。図４を参
照するに、これは図示されてはいないが、以上と同様に
断面Ｖ字溝を形成した原材料光導波路基板に必要な光導
波路を形成し、これを２箇所において横断切断して３個
の光導波路基板を形成し、光導波路の切断露出端面に誘
電体多層膜フィルタを直接成膜形成し、３個の光導波路
基板を切断分離される前の位置関係に突き合わせ結合し
た光導波路デバイスを示す図である。第１の誘電体多層
膜フィルタと第２の誘電体多層膜フィルタとは透過反射
特性を異にしている。
【００１６】図４の光導波路デバイスの上端面の中央の
光導波路分岐部から波長が相異なるλ1 、λ2 、λ3 の
光が入力されると、波長がλ1 の光は第１の誘電体多層
膜フィルタにおいて反射して左側の光導波路分岐部から
出射される。波長がλ2 の光は第１の誘電体多層膜フィ
ルタを透過して第２の誘電体多層膜フィルタに到り、こ
こにおいて反射して右側の光導波路分岐部から出射され
る。波長がλ3 の光は第１の誘電体多層膜フィルタおよ
び第２の誘電体多層膜フィルタの双方を透過して光導波
路デバイスの下端面から出射する。
光導波路分岐部から波長が相異なるλ1 、λ2 、λ3 の
光が入力されると、波長がλ1 の光は第１の誘電体多層
膜フィルタにおいて反射して左側の光導波路分岐部から
出射される。波長がλ2 の光は第１の誘電体多層膜フィ
ルタを透過して第２の誘電体多層膜フィルタに到り、こ
こにおいて反射して右側の光導波路分岐部から出射され
る。波長がλ3 の光は第１の誘電体多層膜フィルタおよ
び第２の誘電体多層膜フィルタの双方を透過して光導波
路デバイスの下端面から出射する。
【００１７】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によれ
ば、断面Ｖ字溝１３および光導波路２を形成した原材料
光導波路基板１００を光導波路２と共に切断して複数の
光導波路基板１に分離し、光導波路基板１の光導波路２
端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜形成或いは
板状フィルタを接着してから光導波路基板１の光導波路
２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介して対向せ
しめた状態でガイドピン４を断面Ｖ字溝に嵌合し、両光
導波路基板１を相互に係合結合する構成を採用すること
により、誘電体多層膜フィルタの形成が容易である上に
誘電体多層膜フィルタに起因する光学特性の劣化の少な
い、そして光導波路デバイス全体の位置決め製造が容易
な光導波路デバイスおよびその製造方法を提供とするこ
とができる。
ば、断面Ｖ字溝１３および光導波路２を形成した原材料
光導波路基板１００を光導波路２と共に切断して複数の
光導波路基板１に分離し、光導波路基板１の光導波路２
端面に誘電体多層膜フィルタ２５を直接成膜形成或いは
板状フィルタを接着してから光導波路基板１の光導波路
２端面同志を誘電体多層膜フィルタ２５を介して対向せ
しめた状態でガイドピン４を断面Ｖ字溝に嵌合し、両光
導波路基板１を相互に係合結合する構成を採用すること
により、誘電体多層膜フィルタの形成が容易である上に
誘電体多層膜フィルタに起因する光学特性の劣化の少な
い、そして光導波路デバイス全体の位置決め製造が容易
な光導波路デバイスおよびその製造方法を提供とするこ
とができる。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】光導波路基板の組み立て方を説明する図。
【図３】他の実施例を説明する図。
【図４】更なる他の実施例を説明する図。
【図５】従来例を説明する図。
【図６】他の従来例を説明する図。
１ 光導波路基板 １’光導波路基板 １０ 第１の光導波路チップ １００ 原材料光導波路基板 １１ 直線部 １２ クラッド層 １３ 断面Ｖ字溝 １４ フォトダイオード ２ 光導波路 ２０ 第２の光導波路チップ ２１ 第１の分岐部 ２２ 第２の分岐部 ２４ レーザダイオード ２５ 誘電体多層膜フィルタ ２５１ 保持薄板 ２５２ 接着剤 ４ ガイドピン ７ フィルタ挿入溝 ８ 光ファイバ ８１ 光ファイバ断面Ｖ字溝
Claims (2)
- 【請求項１】 断面Ｖ字溝および光導波路を形成した原
材料光導波路基板を光導波路と共に切断して複数の光導
波路基板に分離し、光導波路基板の光導波路端面に誘電
体多層膜フィルタを直接成膜形成或いは板状フィルタを
接着してから光導波路基板の光導波路端面同志を誘電体
多層膜フィルタを介して対向せしめた状態でガイドピン
を断面Ｖ字溝に嵌合し、両光導波路基板を相互に係合結
合することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 断面Ｖ字溝および光導波路を形成した原
材料光導波路基板を光導波路と共に切断して形成した光
導波路基板を具備し、 光導波路基板の光導波路端面に直接成膜形成せしめられ
た誘電体多層膜フィルタを或いは接着せしめられた板状
フィルタを具備し、 光導波路基板の光導波路端面同志を誘電体多層膜フィル
タを介して対向位置決めして両光導波路基板を相互結合
したことを特徴とする光導波路デバイス。
Priority Applications (5)
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| EP02001379A EP1225460A3 (en) | 2001-01-19 | 2002-01-18 | Optical waveguide device and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|
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| KR100891265B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2009-03-30 | 주식회사 케이티 | 파장 분할용 평면 광도파로 인터리브 소자 및 그 제조 방법 |
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| CN103609048B (zh) * | 2013-06-24 | 2016-08-31 | 华为技术有限公司 | 一种光模块及光网络系统 |
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| US10690849B2 (en) * | 2016-06-06 | 2020-06-23 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Integrated micro-lens waveguide and methods of making and using same |
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-
2002
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- 2002-01-18 CA CA002368568A patent/CA2368568A1/en not_active Abandoned
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