JP2002203908A - 電子装置及び電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置及び電子装置の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 120
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 88
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 116
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の機能ブロックから必要な機能ブロック
を選択し、少ない数の入出力端子で多くの機能を選択的
に使用することができる電子装置及び電子装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の電子装置は、外部の回路と接続
するための入出力端子１０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
と、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃと入出力端子１０
１との間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッ
チである切換回路１０３と、機能ブロック１０２ａ〜１
０２ｃの何れの機能ブロックと入出力端子１０１とを接
続するかを指示する信号を切換回路１０３の切換入力へ
与える機能選択端子１０４と、を備える。機能選択端子
１０４への入力により必要な機能ブロックと入出力端子
１０１とを接続するため、少ない数の入出力端子で多く
の機能を選択的に使用することができる。
を選択し、少ない数の入出力端子で多くの機能を選択的
に使用することができる電子装置及び電子装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の電子装置は、外部の回路と接続
するための入出力端子１０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
と、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃと入出力端子１０
１との間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッ
チである切換回路１０３と、機能ブロック１０２ａ〜１
０２ｃの何れの機能ブロックと入出力端子１０１とを接
続するかを指示する信号を切換回路１０３の切換入力へ
与える機能選択端子１０４と、を備える。機能選択端子
１０４への入力により必要な機能ブロックと入出力端子
１０１とを接続するため、少ない数の入出力端子で多く
の機能を選択的に使用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の機能ブロッ
クを内蔵する電子装置及びその製造方法に関する。
クを内蔵する電子装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＤＲＡＭ（Dynamic Random A
ccess Memory）、フラッシュＲＯＭ（Read Only Memor
y）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Cir
cuit）等の複数の機能ブロックを内蔵したＩＣ（Integr
ated Circuit）やＣＡＲＤ−ＰＣ（Personal Compute
r）等の電子装置が用いられている。このようなＩＣ等
においてＤＲＡＭなどの多くの機能を使用するために
は、ＩＣ等に多くの入出力端子が必要となる。
ccess Memory）、フラッシュＲＯＭ（Read Only Memor
y）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Cir
cuit）等の複数の機能ブロックを内蔵したＩＣ（Integr
ated Circuit）やＣＡＲＤ−ＰＣ（Personal Compute
r）等の電子装置が用いられている。このようなＩＣ等
においてＤＲＡＭなどの多くの機能を使用するために
は、ＩＣ等に多くの入出力端子が必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ等
に多くの入出力端子を備えることによって、接触不良等
が発生し、信頼性低下やコストアップ等を招くという問
題があった。
に多くの入出力端子を備えることによって、接触不良等
が発生し、信頼性低下やコストアップ等を招くという問
題があった。
【０００４】また、ＩＣ等を用いる装置によっては、Ｉ
Ｃ等に備えられている全ての機能を必要としないものも
あるが、このような装置においてもＩＣ等の全ての入出
力端子に対応したハードウェア及びソフトウェア構成を
採らなければならず、手間やコストがかかるという問題
があった。
Ｃ等に備えられている全ての機能を必要としないものも
あるが、このような装置においてもＩＣ等の全ての入出
力端子に対応したハードウェア及びソフトウェア構成を
採らなければならず、手間やコストがかかるという問題
があった。
【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的は、内部に設けられた機能のうち必
要とされる機能のみを選択的に入出力端子に割り当てる
ことができ、入出力端子を減少させて信頼性を向上しコ
ストを低く抑えることができる電子装置及び電子装置の
製造方法を提供することである。
たもので、その目的は、内部に設けられた機能のうち必
要とされる機能のみを選択的に入出力端子に割り当てる
ことができ、入出力端子を減少させて信頼性を向上しコ
ストを低く抑えることができる電子装置及び電子装置の
製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様の電子装置は、 外部回路や外
部装置に接続する接続手段と、 所定の機能を実行する
一以上の機能ブロックと、 機能ブロックのうちの何れ
かの機能ブロックを接続手段に選択的に接続する切換回
路と、 切換回路に接続され、接続手段に接続される何
れかの機能ブロックを特定する信号を切換回路へ出力す
るための機能選択端子と、 機能選択端子から出力され
る信号を決定する信号決定手段と、を備えることを特徴
とする。
め、本発明の第１の態様の電子装置は、 外部回路や外
部装置に接続する接続手段と、 所定の機能を実行する
一以上の機能ブロックと、 機能ブロックのうちの何れ
かの機能ブロックを接続手段に選択的に接続する切換回
路と、 切換回路に接続され、接続手段に接続される何
れかの機能ブロックを特定する信号を切換回路へ出力す
るための機能選択端子と、 機能選択端子から出力され
る信号を決定する信号決定手段と、を備えることを特徴
とする。
【０００７】ここで、切換回路は、機能選択端子の間の
電気的特性又は光学的特性の変化により接続手段と接続
する機能ブロックを切り換えるようにすることができ
る。
電気的特性又は光学的特性の変化により接続手段と接続
する機能ブロックを切り換えるようにすることができ
る。
【０００８】また、機能選択端子の間の特性を変化させ
る部材を機能選択端子に貼付することにより切換回路へ
指示を与えるようにすることができ、この部材には何れ
の機能ブロックが接続手段に接続されているかを示す識
別パターンを記すようにすることができる。この部材は
ラベルとすることができ、部材に記される識別パターン
は文字又はバーコードにすることができる。
る部材を機能選択端子に貼付することにより切換回路へ
指示を与えるようにすることができ、この部材には何れ
の機能ブロックが接続手段に接続されているかを示す識
別パターンを記すようにすることができる。この部材は
ラベルとすることができ、部材に記される識別パターン
は文字又はバーコードにすることができる。
【０００９】また、上記課題を解決するため、本発明の
第２の態様の電子装置は、 外部回路や外部装置に接続
する接続手段と、 所定の機能を実行する一以上の機能
ブロックと、 機能ブロックのうちの何れかの機能ブロ
ックを接続手段に選択的に接続する切換回路と、 切換
回路に接続され、接続手段に接続される何れかの機能ブ
ロックを特定する信号を切換回路へ出力するための情報
を保持する切換情報保持手段と、を備えることを特徴と
する。
第２の態様の電子装置は、 外部回路や外部装置に接続
する接続手段と、 所定の機能を実行する一以上の機能
ブロックと、 機能ブロックのうちの何れかの機能ブロ
ックを接続手段に選択的に接続する切換回路と、 切換
回路に接続され、接続手段に接続される何れかの機能ブ
ロックを特定する信号を切換回路へ出力するための情報
を保持する切換情報保持手段と、を備えることを特徴と
する。
【００１０】ここで、切換情報保持手段は書き換え可能
とすることができる。また、切換情報保持手段はＰＡＬ
（Programmable Array Logic）とすることができる。
とすることができる。また、切換情報保持手段はＰＡＬ
（Programmable Array Logic）とすることができる。
【００１１】また、上記課題を解決するため、本発明の
第１の態様の電子装置の製造方法は、 （ａ）所定の機
能を実行する一以上の機能ブロックを作成するステップ
と、（ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作
成するステップと、 （ｃ）接続手段と全ての機能ブロ
ックとの間を接続する配線を作成するステップと、
（ｄ）機能ブロックのうち不要な機能ブロックと接続手
段とを接続する配線を切断するステップと、からなるこ
とを特徴とする。
第１の態様の電子装置の製造方法は、 （ａ）所定の機
能を実行する一以上の機能ブロックを作成するステップ
と、（ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作
成するステップと、 （ｃ）接続手段と全ての機能ブロ
ックとの間を接続する配線を作成するステップと、
（ｄ）機能ブロックのうち不要な機能ブロックと接続手
段とを接続する配線を切断するステップと、からなるこ
とを特徴とする。
【００１２】ここで、ステップ（ｃ）は半導体素子によ
り配線を作成し、ステップ（ｄ）は半導体素子を破壊す
ることにより配線を切断するようにすることができる。
り配線を作成し、ステップ（ｄ）は半導体素子を破壊す
ることにより配線を切断するようにすることができる。
【００１３】また、ステップ（ｃ）は、ステップ（ｄ）
によって配線を切断したパターンが読み取り可能な識別
パターンとなるように配線を作成するとよい。この識別
パターンは、文字又はバーコードとすることができる。
によって配線を切断したパターンが読み取り可能な識別
パターンとなるように配線を作成するとよい。この識別
パターンは、文字又はバーコードとすることができる。
【００１４】また、このとき、ステップ（ｄ）は、レー
ザにより配線を切断するようにすることができる。
ザにより配線を切断するようにすることができる。
【００１５】また、上記課題を解決するため、本発明の
第２の態様の電子装置の製造方法は、 （ａ）所定の機
能を実行する一以上の機能ブロックを作成するステップ
と、（ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作
成するステップと、 （ｃ）機能ブロックのうちの何れ
かの機能ブロックを接続手段に選択的に接続する切換回
路を作成するステップと、 （ｄ）相転移部材により相
転移部を作成するステップと、 （ｅ）切換回路に接続
され、相転移部の相転移状態を検出して切換回路へ出力
するための相転移状態検出手段を作成するステップと、
（ｆ）機能ブロックのうち必要な機能ブロックと接続
手段とが切換回路によって接続されるように、相転移部
を相転移させるステップと、からなることを特徴とす
る。
第２の態様の電子装置の製造方法は、 （ａ）所定の機
能を実行する一以上の機能ブロックを作成するステップ
と、（ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作
成するステップと、 （ｃ）機能ブロックのうちの何れ
かの機能ブロックを接続手段に選択的に接続する切換回
路を作成するステップと、 （ｄ）相転移部材により相
転移部を作成するステップと、 （ｅ）切換回路に接続
され、相転移部の相転移状態を検出して切換回路へ出力
するための相転移状態検出手段を作成するステップと、
（ｆ）機能ブロックのうち必要な機能ブロックと接続
手段とが切換回路によって接続されるように、相転移部
を相転移させるステップと、からなることを特徴とす
る。
【００１６】ここで、ステップ（ｄ）は、結晶相からア
モルファス相に相転移する部材により相転移部を作成す
るようにすることができる。
モルファス相に相転移する部材により相転移部を作成す
るようにすることができる。
【００１７】また、ステップ（ｆ）は、レーザ光照射に
より相転移部を相転移させるようにしてもよく、又は、
サーマルヘッドにより相転移部を相転移させるようにし
てもよい。
より相転移部を相転移させるようにしてもよく、又は、
サーマルヘッドにより相転移部を相転移させるようにし
てもよい。
【００１８】また、ステップ（ｄ）は、液晶相から等方
液体相に相転移する部材により相転移部を作成するよう
にすることができる。
液体相に相転移する部材により相転移部を作成するよう
にすることができる。
【００１９】また、ステップ（ｄ）は相転移により誘電
率が変化する部材により相転移部を作成し、ステップ
（ｅ）は相転移部を挟持する電極と、電極間に電圧を印
加する電圧印加手段と、電極間の電圧上昇を検出する電
圧上昇検出回路と、からなる相転移状態検出手段を作成
するようにすることができる。
率が変化する部材により相転移部を作成し、ステップ
（ｅ）は相転移部を挟持する電極と、電極間に電圧を印
加する電圧印加手段と、電極間の電圧上昇を検出する電
圧上昇検出回路と、からなる相転移状態検出手段を作成
するようにすることができる。
【００２０】また、ステップ（ｄ）は、ステップ（ｆ）
によって相転移されたパターンが読み取り可能な識別パ
ターンとなるように相転移部を作成することができる。
この識別パターンは、文字又はバーコードとすることが
できる。
によって相転移されたパターンが読み取り可能な識別パ
ターンとなるように相転移部を作成することができる。
この識別パターンは、文字又はバーコードとすることが
できる。
【００２１】複数の機能ブロックと接続手段とを切り換
え可能に接続し、必要な機能ブロックと接続手段とが接
続されるように切り換えることによって、少ない数の接
続手段で多くの機能を選択的に使用することができる。
え可能に接続し、必要な機能ブロックと接続手段とが接
続されるように切り換えることによって、少ない数の接
続手段で多くの機能を選択的に使用することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子装置及び電子
装置の製造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。
装置の製造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。
【００２３】［第一の実施の形態］図１は、本発明の電
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図１に
おいて、本発明に係るＩＣ１００は、外部の回路と接続
するための入出力端子１０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図１におい
ては、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃを示す）と、機
能ブロック１０２ａ〜１０２ｃと入出力端子１０１との
間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッチであ
る切換回路１０３と、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
の何れの機能ブロックと入出力端子１０１とを接続する
かを指示する信号を切換回路１０３の切換入力へ与える
機能選択端子１０４と、を備えている。
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図１に
おいて、本発明に係るＩＣ１００は、外部の回路と接続
するための入出力端子１０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図１におい
ては、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃを示す）と、機
能ブロック１０２ａ〜１０２ｃと入出力端子１０１との
間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッチであ
る切換回路１０３と、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
の何れの機能ブロックと入出力端子１０１とを接続する
かを指示する信号を切換回路１０３の切換入力へ与える
機能選択端子１０４と、を備えている。
【００２４】入出力端子１０１と切換回路１０３は、信
号線１０６によって接続されている。また、機能ブロッ
ク１０２ａ〜１０２ｃと切換回路１０３とは、信号線１
０５によって切換可能に接続されている。更に、機能選
択端子１０４は、信号線１０７によって切換回路１０３
に接続されている。
号線１０６によって接続されている。また、機能ブロッ
ク１０２ａ〜１０２ｃと切換回路１０３とは、信号線１
０５によって切換可能に接続されている。更に、機能選
択端子１０４は、信号線１０７によって切換回路１０３
に接続されている。
【００２５】また、ＩＣ１００の外形面には、機能選択
端子１０４を導通させて機能選択端子１０４から切換回
路１０３への信号を決定するためのラベル１０８が貼付
されている。
端子１０４を導通させて機能選択端子１０４から切換回
路１０３への信号を決定するためのラベル１０８が貼付
されている。
【００２６】本実施例では、信号決定手段として切換回
路１０３を用いた。切換回路１０３は、機能選択端子１
０４の導通状態を信号線１０７からの信号によって検知
し、その導通状態を示す信号に従って機能ブロック１０
２ａ〜１０２ｃの何れかと入出力端子１０１とを信号線
１０５及び１０６を介して接続する。
路１０３を用いた。切換回路１０３は、機能選択端子１
０４の導通状態を信号線１０７からの信号によって検知
し、その導通状態を示す信号に従って機能ブロック１０
２ａ〜１０２ｃの何れかと入出力端子１０１とを信号線
１０５及び１０６を介して接続する。
【００２７】図２は、ＩＣ１００とラベル１０８の接続
関係を示す図である。図２において、ＩＣ１００の側面
には、入出力端子１０１が配列されている。また、ＩＣ
１００の上部平面には、機能選択端子１０４ａ〜１０４
ｈが配置されている。
関係を示す図である。図２において、ＩＣ１００の側面
には、入出力端子１０１が配列されている。また、ＩＣ
１００の上部平面には、機能選択端子１０４ａ〜１０４
ｈが配置されている。
【００２８】以下、図１及び図２を用いて本発明の動作
について説明する。
について説明する。
【００２９】機能選択端子１０４ａ〜１０４ｈが配置さ
れたＩＣ１００の上部平面にはラベル１０８が貼付され
る。このラベル１０８のＩＣ１００への貼付面（図２に
おいてはラベル１０８の裏面）には、ＩＣ１００の機能
選択端子１０４ａ〜１０４ｈの何れかを導通するように
（図２においては、機能選択端子１０４ａと機能選択端
子１０４ｂとを導通するように）、導電材１０９が設け
られている。図２に示した本実施の形態によるＩＣ１０
０は、機能選択端子１０４ａと機能選択端子１０４ｂと
をラベル１０８の導電材１０９によって導通すると、そ
の導通に応じた機能選択信号が信号線１０７を介して切
換回路１０３に送られる。そして、その機能選択信号に
応じて、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃのうちのＲＡ
Ｍの機能ブロック（例えば、機能ブロック１０２ａ）と
入出力端子１０１とが切換回路１０３によって接続され
る。このようにして、ＩＣ１００はＲＡＭチップとして
機能することとなる。
れたＩＣ１００の上部平面にはラベル１０８が貼付され
る。このラベル１０８のＩＣ１００への貼付面（図２に
おいてはラベル１０８の裏面）には、ＩＣ１００の機能
選択端子１０４ａ〜１０４ｈの何れかを導通するように
（図２においては、機能選択端子１０４ａと機能選択端
子１０４ｂとを導通するように）、導電材１０９が設け
られている。図２に示した本実施の形態によるＩＣ１０
０は、機能選択端子１０４ａと機能選択端子１０４ｂと
をラベル１０８の導電材１０９によって導通すると、そ
の導通に応じた機能選択信号が信号線１０７を介して切
換回路１０３に送られる。そして、その機能選択信号に
応じて、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃのうちのＲＡ
Ｍの機能ブロック（例えば、機能ブロック１０２ａ）と
入出力端子１０１とが切換回路１０３によって接続され
る。このようにして、ＩＣ１００はＲＡＭチップとして
機能することとなる。
【００３０】また、ラベル１０８を貼付したＩＣ１００
がＲＡＭチップとして機能することを示すために、ラベ
ル１０８の非貼付面（図２においてはラベル１０８の表
面）には「ＲＡＭ」の文字が印字されている。
がＲＡＭチップとして機能することを示すために、ラベ
ル１０８の非貼付面（図２においてはラベル１０８の表
面）には「ＲＡＭ」の文字が印字されている。
【００３１】このように本発明のＩＣ１００において
は、機能選択端子１０４ａ〜１０４ｈの導通を適宜選択
することによって、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃの
うちの必要な機能ブロックと入出力端子１０１とを接続
し、少ない数の入出力端子１０１で多くの機能を選択的
に使用することができる。また、機能選択端子１０２ａ
〜１０２ｈの導通パターンの異なる導電材１０９を備え
たラベル１０８をＩＣ１００の上部平面に貼付すること
により、必要に応じて機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
を切り換えて使用することができる。更に、導電材１０
９のパターンによって選択される機能の名称をラベル１
０８の非貼付面に印字することにより、ＩＣ１００のど
の機能が選択されているかを容易に確認することができ
る。また、これにより、ラベル１０８の印字とＩＣ１０
０の機能が一致するため、、ＩＣ１００の選択されてい
る機能と異なる機能名が印字されたラベル１０８が誤っ
て貼付されたり、ＩＣ１００の機能を誤認したりするこ
とを防止することができる。また、ラベル１０８を張り
替えることにより、特別な回路等を必要とすることな
く、ＩＣ１００を基板に実装したままその機能を切り換
えることができ、ＩＣ１００を使用する装置全体のコス
トを低下させるとともにメンテナンスを容易にすること
ができる。
は、機能選択端子１０４ａ〜１０４ｈの導通を適宜選択
することによって、機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃの
うちの必要な機能ブロックと入出力端子１０１とを接続
し、少ない数の入出力端子１０１で多くの機能を選択的
に使用することができる。また、機能選択端子１０２ａ
〜１０２ｈの導通パターンの異なる導電材１０９を備え
たラベル１０８をＩＣ１００の上部平面に貼付すること
により、必要に応じて機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
を切り換えて使用することができる。更に、導電材１０
９のパターンによって選択される機能の名称をラベル１
０８の非貼付面に印字することにより、ＩＣ１００のど
の機能が選択されているかを容易に確認することができ
る。また、これにより、ラベル１０８の印字とＩＣ１０
０の機能が一致するため、、ＩＣ１００の選択されてい
る機能と異なる機能名が印字されたラベル１０８が誤っ
て貼付されたり、ＩＣ１００の機能を誤認したりするこ
とを防止することができる。また、ラベル１０８を張り
替えることにより、特別な回路等を必要とすることな
く、ＩＣ１００を基板に実装したままその機能を切り換
えることができ、ＩＣ１００を使用する装置全体のコス
トを低下させるとともにメンテナンスを容易にすること
ができる。
【００３２】以上、本発明の電子装置の形態例を示した
が、機能選択端子１０４の間の導通ではなく、静電容量
や抵抗率によって機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃを切
り換えるようにすることができる。また、機能選択端子
１０４の間の電気的特性ではなく、反射率や屈折率など
の光学的特性によって機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
を切り換えるようにすることができる。更に、一つの機
能ブロックではなく、複数の機能ブロックと入出力端子
１０１とを接続するようにすることができる。
が、機能選択端子１０４の間の導通ではなく、静電容量
や抵抗率によって機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃを切
り換えるようにすることができる。また、機能選択端子
１０４の間の電気的特性ではなく、反射率や屈折率など
の光学的特性によって機能ブロック１０２ａ〜１０２ｃ
を切り換えるようにすることができる。更に、一つの機
能ブロックではなく、複数の機能ブロックと入出力端子
１０１とを接続するようにすることができる。
【００３３】［第二の実施の形態］次に、本発明の第二
の実施の形態について、説明する。図３は、本発明の電
子装置をＣＡＲＤ−ＰＣに適用した構成例を示す図であ
る。図３において、本発明に係るＣＡＲＤ−ＰＣ２００
は、外部の回路と接続するための外部接続部２０１と、
ＤＲＡＭ、フラッシュ・メモリ、ＡＳＩＣ等の複数の機
能ブロック（図３においては、機能ブロック２０２ａ〜
２０２ｃを示す）を含む多機能ブロック２０２と、多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
の何れかと外部接続部２０１との間を切換可能に接続す
る双方向アナログ・スイッチである切換回路２０３と、
多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ
〜２０２ｃと外部接続部２０１とを接続するかを切換回
路２０３に対して指示する情報を保持する切換情報保持
部２０４と、を備えている。
の実施の形態について、説明する。図３は、本発明の電
子装置をＣＡＲＤ−ＰＣに適用した構成例を示す図であ
る。図３において、本発明に係るＣＡＲＤ−ＰＣ２００
は、外部の回路と接続するための外部接続部２０１と、
ＤＲＡＭ、フラッシュ・メモリ、ＡＳＩＣ等の複数の機
能ブロック（図３においては、機能ブロック２０２ａ〜
２０２ｃを示す）を含む多機能ブロック２０２と、多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
の何れかと外部接続部２０１との間を切換可能に接続す
る双方向アナログ・スイッチである切換回路２０３と、
多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ
〜２０２ｃと外部接続部２０１とを接続するかを切換回
路２０３に対して指示する情報を保持する切換情報保持
部２０４と、を備えている。
【００３４】外部接続部２０１と切換回路２０３は、信
号線２０６によって接続されている。また、多機能ブロ
ック２０２内の各機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃと切
換回路２０３とは、信号線２０５によって切換可能に接
続されている。更に、切換情報保持部２０４の出力は、
信号線２０７によって切換回路２０３に接続されてい
る。
号線２０６によって接続されている。また、多機能ブロ
ック２０２内の各機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃと切
換回路２０３とは、信号線２０５によって切換可能に接
続されている。更に、切換情報保持部２０４の出力は、
信号線２０７によって切換回路２０３に接続されてい
る。
【００３５】切換回路２０３は、切換情報保持部２０４
の出力信号を信号線２０７を介して受け取り、その信号
に従って多機能ブロック２０２中の機能ブロック２０２
ａ〜２０２ｃの何れかと外部接続部２０１との間を信号
線２０５及び２０６を介して接続する。
の出力信号を信号線２０７を介して受け取り、その信号
に従って多機能ブロック２０２中の機能ブロック２０２
ａ〜２０２ｃの何れかと外部接続部２０１との間を信号
線２０５及び２０６を介して接続する。
【００３６】次に、ＣＡＲＤ−ＰＣ２００の動作につい
て、説明する。
て、説明する。
【００３７】ＣＡＲＤ−ＰＣ２００が挿入されている装
置の電源がオンになると、ＣＡＲＤ−ＰＣ２００は動作
を開始する。ＣＡＲＤ−ＰＣ２００が動作を開始する
と、外部接続部２０１は、多機能ブロック２０２内の何
れの機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示
するデータ信号を、装置内の外部回路（図示せず）から
受け取る。多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロッ
ク２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ信号
は、外部接続部２０１から信号線２０８を介して切換情
報保持部２０４へ送られる。切換情報保持部２０４は、
多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ
〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ信号を受け取る
と、そのデータを内部に保持する。このようにして、多
機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ〜
２０２ｃを用いるかを指示するデータが、切換情報保持
部２０４に保持される。
置の電源がオンになると、ＣＡＲＤ−ＰＣ２００は動作
を開始する。ＣＡＲＤ−ＰＣ２００が動作を開始する
と、外部接続部２０１は、多機能ブロック２０２内の何
れの機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示
するデータ信号を、装置内の外部回路（図示せず）から
受け取る。多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロッ
ク２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ信号
は、外部接続部２０１から信号線２０８を介して切換情
報保持部２０４へ送られる。切換情報保持部２０４は、
多機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ
〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ信号を受け取る
と、そのデータを内部に保持する。このようにして、多
機能ブロック２０２内の何れの機能ブロック２０２ａ〜
２０２ｃを用いるかを指示するデータが、切換情報保持
部２０４に保持される。
【００３８】次に、外部接続部２０１は、初期化信号を
外部回路から受け取る。初期化信号は、外部接続部２０
１から信号線２０９を介して切換情報保持部２０４及び
多機能ブロック２０２へ送られる。
外部回路から受け取る。初期化信号は、外部接続部２０
１から信号線２０９を介して切換情報保持部２０４及び
多機能ブロック２０２へ送られる。
【００３９】多機能ブロック２０２は、初期化信号を受
け取ると、その内部の各機能ブロック２０２ａ〜２０２
ｃを初期化し、各機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃの動
作を開始させる。
け取ると、その内部の各機能ブロック２０２ａ〜２０２
ｃを初期化し、各機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃの動
作を開始させる。
【００４０】一方、切換情報保持部２０４は、初期化信
号を受け取ると、多機能ブロック２０２内の何れの機能
ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示する信号
を、信号線２０７を介して切換回路２０３へ送る。
号を受け取ると、多機能ブロック２０２内の何れの機能
ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示する信号
を、信号線２０７を介して切換回路２０３へ送る。
【００４１】切換回路２０３は、多機能ブロック２０２
内の何れの機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるか
を指示する信号を切換情報保持部２０４から信号線２０
７を介して受け取ると、当該信号に応じて機能ブロック
２０２ａ〜２０２ｃと外部接続部２０１とを接続する。
内の何れの機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるか
を指示する信号を切換情報保持部２０４から信号線２０
７を介して受け取ると、当該信号に応じて機能ブロック
２０２ａ〜２０２ｃと外部接続部２０１とを接続する。
【００４２】このように、本発明のＣＡＲＤ−ＰＣ２０
０においては、多機能ブロック２０２内の何れの機能ブ
ロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ
を切換情報保持部２０４に書き込むことによって、多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
のうちの必要な機能ブロックと外部接続部２０１とを接
続し、少ない数の外部接続部２０１で多くの機能を選択
的に使用することができる。また、切換情報保持部２０
４のデータを書き換えることにより、必要に応じて多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
を切り換えて使用することができる。
０においては、多機能ブロック２０２内の何れの機能ブ
ロック２０２ａ〜２０２ｃを用いるかを指示するデータ
を切換情報保持部２０４に書き込むことによって、多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
のうちの必要な機能ブロックと外部接続部２０１とを接
続し、少ない数の外部接続部２０１で多くの機能を選択
的に使用することができる。また、切換情報保持部２０
４のデータを書き換えることにより、必要に応じて多機
能ブロック２０２内の機能ブロック２０２ａ〜２０２ｃ
を切り換えて使用することができる。
【００４３】以上、本発明の電子装置の形態例を示した
が、切換情報保持部２０４にはＰＡＬ等を用いることが
できる。
が、切換情報保持部２０４にはＰＡＬ等を用いることが
できる。
【００４４】［第三の実施の形態］次に、本発明の第三
の実施の形態について、説明する。図４は、本発明の電
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図４に
おいて、本発明に係るＩＣ３００は、外部の回路と接続
するための入出力端子３０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図４におい
ては、機能ブロック３０２ａ〜３０２ｃを示す）と、入
出力端子３０１と機能ブロック３０２ａ〜３０２ｃとを
夫々接続するアルミニウム配線（図４においては、アル
ミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃを示す）と、を備えて
いる。
の実施の形態について、説明する。図４は、本発明の電
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図４に
おいて、本発明に係るＩＣ３００は、外部の回路と接続
するための入出力端子３０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図４におい
ては、機能ブロック３０２ａ〜３０２ｃを示す）と、入
出力端子３０１と機能ブロック３０２ａ〜３０２ｃとを
夫々接続するアルミニウム配線（図４においては、アル
ミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃを示す）と、を備えて
いる。
【００４５】このＩＣ３００は、機能ブロック３０２ａ
〜３０２ｃのうちの機能ブロック３０２ｂの機能を果た
すチップである。
〜３０２ｃのうちの機能ブロック３０２ｂの機能を果た
すチップである。
【００４６】図７は、本発明のＩＣ３００の製造方法を
示すフローチャートである。以下、図７を用いて、この
ＩＣ３００の製造方法について説明する。
示すフローチャートである。以下、図７を用いて、この
ＩＣ３００の製造方法について説明する。
【００４７】まず、シリコンウェハー上に、機能ブロッ
ク３０２ａ〜３０２ｃを、作成する（ステップＳ１０
１）。
ク３０２ａ〜３０２ｃを、作成する（ステップＳ１０
１）。
【００４８】次に、入出力端子３０１（後のステップＳ
１０３にて作成する）と機能ブロック３０２ａとを接続
するアルミニウム配線３０３ａと、入出力端子３０１と
機能ブロック３０２ｂとを接続するアルミニウム配線３
０３ｂと、入出力端子３０１と機能ブロック３０２ｃと
を接続するアルミニウム配線３０３ｃと、を作成する。
アルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃは、配線切断領域
３０４を通過するように、レイアウトされる（ステップ
Ｓ１０２）。
１０３にて作成する）と機能ブロック３０２ａとを接続
するアルミニウム配線３０３ａと、入出力端子３０１と
機能ブロック３０２ｂとを接続するアルミニウム配線３
０３ｂと、入出力端子３０１と機能ブロック３０２ｃと
を接続するアルミニウム配線３０３ｃと、を作成する。
アルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃは、配線切断領域
３０４を通過するように、レイアウトされる（ステップ
Ｓ１０２）。
【００４９】次に、シリコンウェハーの切り出しを行
い、入出力端子３０１が設けられたパッケージに封入す
る。そして、アルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃと入
出力端子３０１とのボンディングを行う（ステップＳ１
０３）。
い、入出力端子３０１が設けられたパッケージに封入す
る。そして、アルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃと入
出力端子３０１とのボンディングを行う（ステップＳ１
０３）。
【００５０】次に、機能ブロック３０２ａ〜３０２ｃの
うちの不要な機能ブロックと入出力端子３０１とを接続
するアルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃを、配線切断
領域３０４内で、レーザ切断機３１０からのレーザ光に
よって切断する。図２に示した本実施の形態によるＩＣ
３００は、機能ブロック３０２ｂの機能を果たすチップ
である。従って、機能ブロック３０２ｂと入出力端子３
０１とを接続するアルミニウム配線３０３ｂのみを残
し、他の２本のアルミニウム配線３０３ａ及び３０３ｃ
を切断する（ステップＳ１０４）。
うちの不要な機能ブロックと入出力端子３０１とを接続
するアルミニウム配線３０３ａ〜３０３ｃを、配線切断
領域３０４内で、レーザ切断機３１０からのレーザ光に
よって切断する。図２に示した本実施の形態によるＩＣ
３００は、機能ブロック３０２ｂの機能を果たすチップ
である。従って、機能ブロック３０２ｂと入出力端子３
０１とを接続するアルミニウム配線３０３ｂのみを残
し、他の２本のアルミニウム配線３０３ａ及び３０３ｃ
を切断する（ステップＳ１０４）。
【００５１】以上のように、機能ブロック３０２ｂの機
能を果たすチップであるＩＣ３００を製造することがで
きる。
能を果たすチップであるＩＣ３００を製造することがで
きる。
【００５２】このように、不要な機能ブロック３０３ａ
及び３０３ｃと入出力端子３０１とを接続するアルミニ
ウム配線３０３ａ及び３０３ｃを切断することにより、
必要な機能ブロック３０３ｂと入出力端子３０１とを接
続するアルミニウム配線３０３ｂのみを存置し、少ない
数の入出力端子３０１で多くの機能を選択的に使用する
ことができる。
及び３０３ｃと入出力端子３０１とを接続するアルミニ
ウム配線３０３ａ及び３０３ｃを切断することにより、
必要な機能ブロック３０３ｂと入出力端子３０１とを接
続するアルミニウム配線３０３ｂのみを存置し、少ない
数の入出力端子３０１で多くの機能を選択的に使用する
ことができる。
【００５３】次に、アルミニウム配線の切断について、
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００５４】図５は、本発明の電子装置をＩＣに適用し
た構成例を示す図である。図５において、本発明に係る
ＩＣ４００は、外部の回路と接続するための入出力端子
４０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の
複数の機能ブロック（図５においては、機能ブロック４
０２ａ〜４０２ｂを示す）と、入出力端子３０１と機能
ブロック４０２ａ〜４０２ｂとを接続するアルミニウム
配線（図５においては、アルミニウム配線４０３ａ〜４
０３ｂを示す）と、を備えている。アルミニウム配線４
０３ａ〜４０３ｂは、配線切断領域４０４を通過するよ
うに、レイアウトされている。
た構成例を示す図である。図５において、本発明に係る
ＩＣ４００は、外部の回路と接続するための入出力端子
４０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の
複数の機能ブロック（図５においては、機能ブロック４
０２ａ〜４０２ｂを示す）と、入出力端子３０１と機能
ブロック４０２ａ〜４０２ｂとを接続するアルミニウム
配線（図５においては、アルミニウム配線４０３ａ〜４
０３ｂを示す）と、を備えている。アルミニウム配線４
０３ａ〜４０３ｂは、配線切断領域４０４を通過するよ
うに、レイアウトされている。
【００５５】入出力端子４０１は、アルミニウム配線４
０３ａによって機能ブロック４０２ａと、アルミニウム
配線４０３ｂによって機能ブロック４０２ｂと、夫々接
続されている。
０３ａによって機能ブロック４０２ａと、アルミニウム
配線４０３ｂによって機能ブロック４０２ｂと、夫々接
続されている。
【００５６】図５において、アルミニウム配線４０３ａ
は、配線切断領域４０４を通過して機能ブロック４０２
ａと入出力端子４０１とを接続するように、レイアウト
されている。同様に、アルミニウム配線４０３ｂは、配
線切断領域４０４を通過して機能ブロック４０２ｂと入
出力端子４０１とを接続するように、レイアウトされて
いる。
は、配線切断領域４０４を通過して機能ブロック４０２
ａと入出力端子４０１とを接続するように、レイアウト
されている。同様に、アルミニウム配線４０３ｂは、配
線切断領域４０４を通過して機能ブロック４０２ｂと入
出力端子４０１とを接続するように、レイアウトされて
いる。
【００５７】ここで、例えば、必要な機能ブロックが機
能ブロック４０２ｂであるとすると、配線切断領域４０
４内のアルミニウム配線４０３ａが通過する領域４０５
にレーザ光が照射され、アルミニウム配線４０３ａが切
断される。そして、機能ブロック４０２ｂと入出力端子
４０１とを接続するアルミニウム配線４０３ｂは、その
まま存置される。
能ブロック４０２ｂであるとすると、配線切断領域４０
４内のアルミニウム配線４０３ａが通過する領域４０５
にレーザ光が照射され、アルミニウム配線４０３ａが切
断される。そして、機能ブロック４０２ｂと入出力端子
４０１とを接続するアルミニウム配線４０３ｂは、その
まま存置される。
【００５８】以上のように、アルミニウム配線４０３ａ
を切断することにより、機能ブロック４０２ｂと入出力
端子４０１とを接続するアルミニウム配線４０３ｂのみ
を存置し、機能ブロック４０２ｂの機能を果たすチップ
であるＩＣ４００を製造することができる。
を切断することにより、機能ブロック４０２ｂと入出力
端子４０１とを接続するアルミニウム配線４０３ｂのみ
を存置し、機能ブロック４０２ｂの機能を果たすチップ
であるＩＣ４００を製造することができる。
【００５９】このように、不要な機能ブロック４０３ａ
と入出力端子４０１とを接続するアルミニウム配線４０
３ａを切断することにより、必要な機能ブロック４０３
ｂと入出力端子４０１とを接続するアルミニウム配線４
０３ｂのみを存置し、少ない数の入出力端子４０１で多
くの機能を選択的に使用することができる。
と入出力端子４０１とを接続するアルミニウム配線４０
３ａを切断することにより、必要な機能ブロック４０３
ｂと入出力端子４０１とを接続するアルミニウム配線４
０３ｂのみを存置し、少ない数の入出力端子４０１で多
くの機能を選択的に使用することができる。
【００６０】図６は、本発明の電子装置をＩＣに適用し
たＩＣ５００のアルミニウム配線を切断している様子を
示す図である。図６において、ＩＣ５００の側面には、
入出力端子５０１が配列されている。また、ＩＣ５００
の上部平面には方形の開口部が設けられている。更に、
ＩＣ５００のパッケージの内部には複数の機能ブロック
（図示せず）が備えられている。これらの各機能ブロッ
クと入出力端子５０１とを接続するアルミニウム配線が
通過する配線切断領域５０４がパッケージ上部平面上の
開口部内に配置されている。
たＩＣ５００のアルミニウム配線を切断している様子を
示す図である。図６において、ＩＣ５００の側面には、
入出力端子５０１が配列されている。また、ＩＣ５００
の上部平面には方形の開口部が設けられている。更に、
ＩＣ５００のパッケージの内部には複数の機能ブロック
（図示せず）が備えられている。これらの各機能ブロッ
クと入出力端子５０１とを接続するアルミニウム配線が
通過する配線切断領域５０４がパッケージ上部平面上の
開口部内に配置されている。
【００６１】このＩＣ５００の上部平面上の開口部を透
過して、レーザ光がレーザ切断機５１０から配線切断領
域５０４へ照射されている。このレーザ光によって、不
要な機能ブロックと入出力端子５０１とを接続するアル
ミニウム配線が切断される。このように、不要な機能ブ
ロックと入出力端子５０１とを接続するアルミニウム配
線を切断し、必要な機能ブロックと入出力端子５０１と
を接続するアルミニウム配線のみを存置することによ
り、必要な機能を果たすチップであるＩＣ５００を製造
することができる。
過して、レーザ光がレーザ切断機５１０から配線切断領
域５０４へ照射されている。このレーザ光によって、不
要な機能ブロックと入出力端子５０１とを接続するアル
ミニウム配線が切断される。このように、不要な機能ブ
ロックと入出力端子５０１とを接続するアルミニウム配
線を切断し、必要な機能ブロックと入出力端子５０１と
を接続するアルミニウム配線のみを存置することによ
り、必要な機能を果たすチップであるＩＣ５００を製造
することができる。
【００６２】また、ＩＣ５００では、アルミニウム配線
を切断するために照射したレーザ光の跡がバーコードと
なるように、アルミニウム配線がレイアウトされてい
る。従って、このバーコードによって、どの配線が切断
されたか、即ちＩＣ５００がどのような機能を果たすか
を容易に知ることができる。
を切断するために照射したレーザ光の跡がバーコードと
なるように、アルミニウム配線がレイアウトされてい
る。従って、このバーコードによって、どの配線が切断
されたか、即ちＩＣ５００がどのような機能を果たすか
を容易に知ることができる。
【００６３】このように、不要な機能ブロックと入出力
端子５０１とを接続する配線を切断することによって、
必要な機能ブロックと入出力端子５０１とを接続する配
線のみを存置し、少ない数の入出力端子５０１で多くの
機能を選択的に使用することができる。また、配線を切
断したレーザ光の跡が機能を識別するバーコードとなる
ように配線をレイアウトすることにより、ＩＣがどの機
能を果たすかを容易に確認することができる。
端子５０１とを接続する配線を切断することによって、
必要な機能ブロックと入出力端子５０１とを接続する配
線のみを存置し、少ない数の入出力端子５０１で多くの
機能を選択的に使用することができる。また、配線を切
断したレーザ光の跡が機能を識別するバーコードとなる
ように配線をレイアウトすることにより、ＩＣがどの機
能を果たすかを容易に確認することができる。
【００６４】以上、本発明の電子装置及び電子装置の製
造方法の形態例を示したが、アルミニウムではなく半導
体素子により機能ブロックと入出力端子との間を配線
し、半導体素子を破壊することにより不要な機能ブロッ
クと入出力端子との間の配線を切断することができる。
造方法の形態例を示したが、アルミニウムではなく半導
体素子により機能ブロックと入出力端子との間を配線
し、半導体素子を破壊することにより不要な機能ブロッ
クと入出力端子との間の配線を切断することができる。
【００６５】また、配線を切断するために照射したレー
ザ光の跡がバーコードではなく文字となるように、配線
をレイアウトすることができる。
ザ光の跡がバーコードではなく文字となるように、配線
をレイアウトすることができる。
【００６６】［第四の実施の形態］次に、本発明の第四
の実施の形態について、説明する。図８は、本発明の電
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図８に
おいて、本発明に係るＩＣ６００は、外部の回路と接続
するための入出力端子６０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図８におい
ては、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃを示す）と、機
能ブロック６０２ａ〜６０２ｃと入出力端子６０１との
間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッチであ
る切換回路６０３と、レーザ光照射によって結晶相から
アモルファス相に相転移する相転移部材からなる相転移
部６０４と、相転移部６０４の相転移状態を検出して切
換回路６０８へ通知する相転移状態検出部６０５と、を
備えている。
の実施の形態について、説明する。図８は、本発明の電
子装置をＩＣに適用した構成例を示す図である。図８に
おいて、本発明に係るＩＣ６００は、外部の回路と接続
するための入出力端子６０１と、ＤＲＡＭ、フラッシュ
ＲＯＭ、ＡＳＩＣ等の複数の機能ブロック（図８におい
ては、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃを示す）と、機
能ブロック６０２ａ〜６０２ｃと入出力端子６０１との
間を切換可能に接続する双方向アナログ・スイッチであ
る切換回路６０３と、レーザ光照射によって結晶相から
アモルファス相に相転移する相転移部材からなる相転移
部６０４と、相転移部６０４の相転移状態を検出して切
換回路６０８へ通知する相転移状態検出部６０５と、を
備えている。
【００６７】入出力端子６０１と切換回路６０３は、信
号線６０７によって接続されている。また、機能ブロッ
ク６０２ａ〜６０２ｃと切換回路６０３とは、信号線６
０６によって切換可能に接続されている。更に、相転移
状態検出部６０５は、信号線６０８によって切換回路６
０３に接続されている。
号線６０７によって接続されている。また、機能ブロッ
ク６０２ａ〜６０２ｃと切換回路６０３とは、信号線６
０６によって切換可能に接続されている。更に、相転移
状態検出部６０５は、信号線６０８によって切換回路６
０３に接続されている。
【００６８】切換回路６０３は、相転移部６０４の相転
移状態を示す信号を相転移状態検出部６０５から信号線
６０８を介して受け取る。そして、切換回路６０３は、
その相転移状態を示す信号に従って機能ブロック６０２
ａ〜６０２ｃの何れかと入出力端子６０１との間を信号
線６０６及び６０７を介して接続する。
移状態を示す信号を相転移状態検出部６０５から信号線
６０８を介して受け取る。そして、切換回路６０３は、
その相転移状態を示す信号に従って機能ブロック６０２
ａ〜６０２ｃの何れかと入出力端子６０１との間を信号
線６０６及び６０７を介して接続する。
【００６９】ここで、相転移部６０４は、レーザ光照射
に換えて、サーマルヘッドによって結晶相からアモルフ
ァス相に相転移する相転移部材とすることができる。
に換えて、サーマルヘッドによって結晶相からアモルフ
ァス相に相転移する相転移部材とすることができる。
【００７０】図１２は、本発明のＩＣ６００の製造方法
を示すフローチャートである。以下、図１２を用いて、
このＩＣ６００の製造方法について説明する。
を示すフローチャートである。以下、図１２を用いて、
このＩＣ６００の製造方法について説明する。
【００７１】まず、シリコンウェハー上に、機能ブロッ
ク６０２ａ〜６０２ｃを作成する（ステップＳ２０
１）。
ク６０２ａ〜６０２ｃを作成する（ステップＳ２０
１）。
【００７２】次に、シリコンウェハー上に、切換回路６
０３を作成する（ステップＳ２０２）。
０３を作成する（ステップＳ２０２）。
【００７３】次に、シリコンウェハー上に、相転移部６
０４を作成する（ステップＳ２０３）。
０４を作成する（ステップＳ２０３）。
【００７４】次に、シリコンウェハー上に、相転移状態
検出部６０５を作成する（ステップＳ２０４）。
検出部６０５を作成する（ステップＳ２０４）。
【００７５】次に、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃと
切換回路６０３とを接続する配線６０６と、入出力端子
６０１（後のステップＳ２０６にて作成する）と機能ブ
ロック６０２ａ〜６０２ｃとを接続する配線６０７と、
切換回路６０３と相転移状態検出部６０５とを接続する
配線６０８と、を作成する（ステップＳ２０５）。
切換回路６０３とを接続する配線６０６と、入出力端子
６０１（後のステップＳ２０６にて作成する）と機能ブ
ロック６０２ａ〜６０２ｃとを接続する配線６０７と、
切換回路６０３と相転移状態検出部６０５とを接続する
配線６０８と、を作成する（ステップＳ２０５）。
【００７６】次に、シリコンウェハーの切り出しを行
い、入出力端子６０１が設けられたパッケージに封入す
る。そして、配線６０７と入出力端子６０１のボンディ
ングを行う（ステップＳ２０６）。
い、入出力端子６０１が設けられたパッケージに封入す
る。そして、配線６０７と入出力端子６０１のボンディ
ングを行う（ステップＳ２０６）。
【００７７】次に、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃの
うち必要な機能ブロックと入出力端子６０１とが切換回
路６０３によって接続されるように、相転移部６０４へ
レーザ光を照射して、相転移部６０４を相転移させる
（ステップＳ２０７）。
うち必要な機能ブロックと入出力端子６０１とが切換回
路６０３によって接続されるように、相転移部６０４へ
レーザ光を照射して、相転移部６０４を相転移させる
（ステップＳ２０７）。
【００７８】以上のように、機能ブロック６０２ａ〜６
０２ｃのうちの必要な機能ブロックと入出力端子６０１
とを接続し、必要な機能を果たすチップであるＩＣ６０
０を製造することができる。
０２ｃのうちの必要な機能ブロックと入出力端子６０１
とを接続し、必要な機能を果たすチップであるＩＣ６０
０を製造することができる。
【００７９】次に、相転移部６０４及び相転移状態検出
部６０５について、詳細に説明する。図９は、相転移部
６０４及び相転移状態検出部６０５の構成を示す図であ
る。図９において、相転移部６０４は、平板状の相転移
部材から構成されている。この相転移部材は、レーザ光
を照射されると結晶相からアモルファス相に相転移する
部材である。相転移部６０４の上部平面には、板状の透
明な電極６０５１が設けられている。また、相転移部６
０４の下部平面には、電極６０５２ａ〜６０５２ｃが設
けられている。このように、電極６０５１と電極６０５
２ａ〜６０５２ｃとによって相転移部６０４を挟持する
ことにより、コンデンサを構成する。そして、電極６０
５１と電極６０５２ａ〜６０５２ｃとの間には、電源６
０５４によって電圧が印加される。また、電極６０５２
ａ〜６０５２ｃと電源６０５４との間には、電圧比較回
路６０５３ａ〜６０５３ｃが夫々設けられている。これ
らの電極６０５１、電極６０５２ａ〜６０５２ｃ、電圧
比較回路６０５３ａ〜６０５３ｃ、及び電源６０５４
が、相転移状態検出部６０５を構成する。
部６０５について、詳細に説明する。図９は、相転移部
６０４及び相転移状態検出部６０５の構成を示す図であ
る。図９において、相転移部６０４は、平板状の相転移
部材から構成されている。この相転移部材は、レーザ光
を照射されると結晶相からアモルファス相に相転移する
部材である。相転移部６０４の上部平面には、板状の透
明な電極６０５１が設けられている。また、相転移部６
０４の下部平面には、電極６０５２ａ〜６０５２ｃが設
けられている。このように、電極６０５１と電極６０５
２ａ〜６０５２ｃとによって相転移部６０４を挟持する
ことにより、コンデンサを構成する。そして、電極６０
５１と電極６０５２ａ〜６０５２ｃとの間には、電源６
０５４によって電圧が印加される。また、電極６０５２
ａ〜６０５２ｃと電源６０５４との間には、電圧比較回
路６０５３ａ〜６０５３ｃが夫々設けられている。これ
らの電極６０５１、電極６０５２ａ〜６０５２ｃ、電圧
比較回路６０５３ａ〜６０５３ｃ、及び電源６０５４
が、相転移状態検出部６０５を構成する。
【００８０】ここで、相転移部６０４内の電極６０５１
と電極６０５２ｂとに挟まれた領域６０４ａには、レー
ザ光が照射されている。相転移部６０４内の領域６０４
ａの相転移部材は、レーザ光が照射されたため、結晶相
からアモルファス相に相転移している。
と電極６０５２ｂとに挟まれた領域６０４ａには、レー
ザ光が照射されている。相転移部６０４内の領域６０４
ａの相転移部材は、レーザ光が照射されたため、結晶相
からアモルファス相に相転移している。
【００８１】相転移部６０４を構成する相転移部材が結
晶相からアモルファス相に相転移すると、その誘電率は
低下する。そのため、相転移された領域６０４ａを挟む
電極６０５１と電極６０５２ｂとの間の電圧上昇速度
は、電極６０５１と電極６０５２ａとの間及び電極６０
５１と電極６０５２ｃとの間の電圧上昇速度より、速く
なる。図１０は、電極６０５１と電極６０５２ｂとの間
の電圧Ｖ１と、電極６０５１と電極６０５２ｃとの間の
電圧Ｖ２の、電圧印加開始から電源電圧Ｖ０に到達する
までの様子を示したグラフである。図１０に示されてい
るように、電極６０５１と電極６０５２ｂとの間の電圧
Ｖ１は、電極６０５１と電極６０５２ｃとの間の電圧Ｖ
２よりも、早く電源電圧Ｖ０に到達する。
晶相からアモルファス相に相転移すると、その誘電率は
低下する。そのため、相転移された領域６０４ａを挟む
電極６０５１と電極６０５２ｂとの間の電圧上昇速度
は、電極６０５１と電極６０５２ａとの間及び電極６０
５１と電極６０５２ｃとの間の電圧上昇速度より、速く
なる。図１０は、電極６０５１と電極６０５２ｂとの間
の電圧Ｖ１と、電極６０５１と電極６０５２ｃとの間の
電圧Ｖ２の、電圧印加開始から電源電圧Ｖ０に到達する
までの様子を示したグラフである。図１０に示されてい
るように、電極６０５１と電極６０５２ｂとの間の電圧
Ｖ１は、電極６０５１と電極６０５２ｃとの間の電圧Ｖ
２よりも、早く電源電圧Ｖ０に到達する。
【００８２】従って、電源６０５４によって電極６０５
１と電極６０５２ａ〜６０５２ｃとの間に電圧を印加し
てから一定時間後の夫々の電極間の電圧を電圧比較回路
６０５３ａ〜６０５３ｃによって比較することにより、
相転移部６０４の相転移状態を検出することができる。
１と電極６０５２ａ〜６０５２ｃとの間に電圧を印加し
てから一定時間後の夫々の電極間の電圧を電圧比較回路
６０５３ａ〜６０５３ｃによって比較することにより、
相転移部６０４の相転移状態を検出することができる。
【００８３】このように相転移状態検出部６０５によっ
て検出された相転移部６０４の相転移状態を示す信号を
信号線６０８を介して切換回路６０３に入力することに
より、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な
機能ブロックと入出力端子６０１とが接続され、ＩＣ６
００は機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な
機能ブロックの機能を果たすことができる。
て検出された相転移部６０４の相転移状態を示す信号を
信号線６０８を介して切換回路６０３に入力することに
より、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な
機能ブロックと入出力端子６０１とが接続され、ＩＣ６
００は機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な
機能ブロックの機能を果たすことができる。
【００８４】図１１は、ＩＣ６００の相転移部６０４を
相転移させている様子を示す図である。図１１におい
て、ＩＣ６００の側面には、入出力端子６０１が配列さ
れている。また、ＩＣ６００の上部平面には開口部が設
けられている。このパッケージ上部平面上の開口部内
に、透明な電極６０５１に覆われた相転移部６０４が、
配置されている。この相転移部６０４に書き込み装置６
０９から発されたレーザ光を照射し、相転移部６０４を
相転移させている。
相転移させている様子を示す図である。図１１におい
て、ＩＣ６００の側面には、入出力端子６０１が配列さ
れている。また、ＩＣ６００の上部平面には開口部が設
けられている。このパッケージ上部平面上の開口部内
に、透明な電極６０５１に覆われた相転移部６０４が、
配置されている。この相転移部６０４に書き込み装置６
０９から発されたレーザ光を照射し、相転移部６０４を
相転移させている。
【００８５】また、相転移部６０４を構成する相転移部
材は、結晶相からアモルファス相に相転移すると、光の
反射率が変化する。このことを利用して、ＩＣ６００で
は、相転移部６０４の相転移して反射率が変化した部分
が、その相転移状態によって選択される機能ブロックを
示す文字を構成するように、電極がレイアウトされてい
る。従って、これらの電極に沿って相転移された後の相
転移部６０４に表れる文字を読み取ることにより、ＩＣ
６００のどの機能ブロックが入出力端子６０１と接続さ
れているか、即ちＩＣ６００がどの機能を果たすかを容
易に知ることができる。
材は、結晶相からアモルファス相に相転移すると、光の
反射率が変化する。このことを利用して、ＩＣ６００で
は、相転移部６０４の相転移して反射率が変化した部分
が、その相転移状態によって選択される機能ブロックを
示す文字を構成するように、電極がレイアウトされてい
る。従って、これらの電極に沿って相転移された後の相
転移部６０４に表れる文字を読み取ることにより、ＩＣ
６００のどの機能ブロックが入出力端子６０１と接続さ
れているか、即ちＩＣ６００がどの機能を果たすかを容
易に知ることができる。
【００８６】このように本発明のＩＣ６００において
は、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な機
能ブロックと入出力端子６０１とを接続し、少ない数の
入出力端子で多くの機能を選択的に使用することができ
る。また、選択される機能ブロックを示す文字を構成す
るように電極を配置し、電極に沿って相転移された後の
相転移部６０４に表れる文字を読み取ることにより、Ｉ
Ｃ６００がどの機能を果たすかを容易に知ることができ
る。
は、機能ブロック６０２ａ〜６０２ｃのうちの必要な機
能ブロックと入出力端子６０１とを接続し、少ない数の
入出力端子で多くの機能を選択的に使用することができ
る。また、選択される機能ブロックを示す文字を構成す
るように電極を配置し、電極に沿って相転移された後の
相転移部６０４に表れる文字を読み取ることにより、Ｉ
Ｃ６００がどの機能を果たすかを容易に知ることができ
る。
【００８７】以上、本発明の電子装置及び電子装置の製
造方法の形態例を示したが、相転移部６０４を、結晶相
からアモルファス相へ相転移する部材ではなく液晶相か
ら等方液体相へ相転移する部材で構成することができ
る。また、必要な機能ブロックと入出力端子６０１とを
接続するための電極を、文字ではなくバーコードを構成
するように配置することができる。更に、相転移状態検
出部６０５を、相転移部６０４の誘電率ではなく、抵抗
率、透磁率、屈折率、透過率、反射率、偏光状態、色彩
の変化、比熱、硬度等の物理量によって検出するように
構成することができる。
造方法の形態例を示したが、相転移部６０４を、結晶相
からアモルファス相へ相転移する部材ではなく液晶相か
ら等方液体相へ相転移する部材で構成することができ
る。また、必要な機能ブロックと入出力端子６０１とを
接続するための電極を、文字ではなくバーコードを構成
するように配置することができる。更に、相転移状態検
出部６０５を、相転移部６０４の誘電率ではなく、抵抗
率、透磁率、屈折率、透過率、反射率、偏光状態、色彩
の変化、比熱、硬度等の物理量によって検出するように
構成することができる。
【００８８】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の電子装置及び
電子装置の製造方法によれば、一以上の機能ブロックの
中から必要な機能ブロックを接続手段に割り当てること
ができるため、少ない数の接続手段で多くの機能を選択
的に使用することができるようになった。
電子装置の製造方法によれば、一以上の機能ブロックの
中から必要な機能ブロックを接続手段に割り当てること
ができるため、少ない数の接続手段で多くの機能を選択
的に使用することができるようになった。
【図１】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明による電子装置の実施の一形態の外観を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明による電子装置の実施の一形態の外観を
示す図である。
示す図である。
【図７】本発明による電子装置の製造方法の一形態を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図８】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図９】本発明による電子装置の実施の一形態の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】図９の電極６０５１と電極６０５２ｂ〜６０
５２ｃとの間の電圧変化を示す図である。
５２ｃとの間の電圧変化を示す図である。
【図１１】本発明による電子装置の実施の一形態の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１２】本発明による電子装置の製造方法の一形態を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１００ ＩＣ １０１ 入出力端子 １０２ａ〜１０２ｃ 機能ブロック １０３ 切換回路 １０４ 機能選択端子 １０８ ラベル １０９ 導電材 ２００ ＣＡＲＤ−ＰＣ ２０１ 外部接続部 ２０２ 多機能ブロック ２０３ 切換回路 ２０４ 切換情報保持部 ３００ ＩＣ ３０１ 入出力端子 ３０２ａ〜３０２ｃ 機能ブロック ３０３ 切換回路 ３０４ 配線切断領域 ３１０ レーザ切断機 ４００ ＩＣ ４０１ 入出力端子 ４０２ａ〜４０２ｂ 機能ブロック ４０３ａ〜４０３ｂ アルミニウム配線 ４０４ 配線切断領域 ５００ ＩＣ ５０１ 入出力端子 ５０４ 配線切断領域 ５１０ レーザ切断機 ６００ ＩＣ ６０１ 入出力端子 ６０２ａ〜６０２ｃ 機能ブロック ６０３ 切換回路 ６０４ 相転移部 ６０５ 相転移状態検出部 ６０５１、６０５２ａ〜６０５２ｃ 電極 ６０５３ａ〜６０５３ｃ 電圧比較回路 ６０５４ 電源 ６０９ 書き込み装置
フロントページの続き (72)発明者 中谷 英司 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 橋本 浩幸 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 近藤 嘉政 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F038 BE04 DF16 5F064 EE33 EE53 FF04 FF27 FF32 FF36 FF42 FF52
Claims (32)
- 【請求項１】 外部回路や外部装置に接続する接続手段
と、 所定の機能を実行する一以上の機能ブロックと、 前記機能ブロックのうちの何れかの機能ブロックを前記
接続手段に選択的に接続する切換回路と、 前記切換回路に接続され、前記接続手段に接続される前
記何れかの機能ブロックを特定する信号を前記切換回路
へ出力するための機能選択端子と、 前記機能選択端子から出力される前記信号を決定する信
号決定手段と、を備えることを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の電気的特性の変化により、前記接続手段と接続する前
記機能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項１
記載の電子装置。 - 【請求項３】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の導通の有無により、前記接続手段と接続する前記機能
ブロックを切り換えることを特徴とする請求項２記載の
電子装置。 - 【請求項４】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の静電容量の変化により、前記接続手段と接続する前記
機能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項２記
載の電子装置。 - 【請求項５】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の抵抗率の変化により、前記接続手段と接続する前記機
能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項２記載
の電子装置。 - 【請求項６】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の光学的特性の変化により、前記接続手段と接続する前
記機能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項１
記載の電子装置。 - 【請求項７】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の反射率の変化により、前記接続手段と接続する前記機
能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項６記載
の電子装置。 - 【請求項８】 前記切換回路は、前記機能選択端子の間
の屈折率の変化により、前記接続手段と接続する前記機
能ブロックを切り換えることを特徴とする請求項６記載
の電子装置。 - 【請求項９】 前記信号決定手段は前記機能選択端子の
間の特性を変化させる部材であり、前記部材を前記機能
選択端子に貼付することにより前記切換回路へ信号を出
力することを特徴とする請求項１〜８記載の電子装置。 - 【請求項１０】 前記部材には、何れの前記機能ブロッ
クが入出力端子に接続されているかを示す識別パターン
が記されていることを特徴とする請求項９記載の電子装
置。 - 【請求項１１】 前記識別パターンは文字であることを
特徴とする請求項１０記載の電子装置。 - 【請求項１２】 前記識別パターンはバーコードである
ことを特徴とする請求項１０記載の電子装置。 - 【請求項１３】 前記部材はラベルであることを特徴と
する請求項９乃至１２記載の電子装置。 - 【請求項１４】 外部回路や外部装置に接続する接続手
段と、 所定の機能を実行する一以上の機能ブロックと、 前記機能ブロックのうちの何れかの機能ブロックを前記
接続手段に選択的に接続する切換回路と、 前記切換回路に接続され、前記接続手段に接続される前
記何れかの機能ブロックを特定する信号を前記切換回路
へ出力するための情報を保持する切換情報保持手段と、 を備えることを特徴とする電子装置。 - 【請求項１５】 前記切換情報保持手段は書き換え可能
であることを特徴とする請求項１４記載の電子装置。 - 【請求項１６】 前記切換情報保持手段はＰＡＬ（Prog
rammable Array Logic）であることを特徴とする請求項
１４記載の電子装置。 - 【請求項１７】 （ａ）所定の機能を実行する一以上の
機能ブロックを作成するステップと、 （ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作成す
るステップと、 （ｃ）前記接続手段と全ての前記機能ブロックとの間を
接続する配線を作成するステップと、 （ｄ）前記機能ブロックのうち不要な機能ブロックと前
記接続手段とを接続する前記配線を切断するステップ
と、 からなることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記ステップ（ｃ）は、半導体素子に
より前記配線を作成し、 前記ステップ（ｄ）は、前記半導体素子を破壊すること
により前記配線を切断することを特徴とする請求項１７
記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ
（ｄ）によって前記配線を切断したパターンが読み取り
可能な識別パターンとなるように前記配線を作成するこ
とを特徴とする請求項１８記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記識別パターンは文字であることを
特徴とする請求項１９記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記識別パターンはバーコードである
ことを特徴とする請求項１９記載の電子装置の製造方
法。 - 【請求項２２】 前記ステップ（ｄ）は、レーザにより
前記配線を切断することを特徴とする請求項１９乃至２
１記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２３】（ａ）所定の機能を実行する一以上の機
能ブロックを作成するステップと、 （ｂ）外部回路や外部装置に接続する接続手段を作成す
るステップと、 （ｃ）前記機能ブロックのうちの何れかの機能ブロック
を前記接続手段に選択的に接続する切換回路を作成する
ステップと、 （ｄ）相転移部材により相転移部を作成するステップ
と、 （ｅ）前記切換回路に接続され、前記相転移部の相転移
状態を検出して前記切換回路へ出力するための相転移状
態検出手段を作成するステップと、 （ｆ）前記機能ブロックのうち必要な機能ブロックと前
記接続手段とが前記切換回路によって接続されるよう
に、前記相転移部を相転移させるステップと、 からなることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 【請求項２４】前記ステップ（ｄ）は、結晶相からアモ
ルファス相に相転移する部材により前記相転移部を作成
する、ことを特徴とする請求項２３記載の電子装置の製
造方法。 - 【請求項２５】前記ステップ（ｆ）は、レーザ光照射に
より前記相転移部を相転移させることを特徴とする請求
項２３記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２６】前記ステップ（ｆ）は、サーマルヘッド
により前記相転移部を相転移させることを特徴とする請
求項２３記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２７】前記ステップ（ｄ）は、液晶相から等方
液体相に相転移する部材により前記相転移部を作成す
る、ことを特徴とする請求項２３記載の電子装置の製造
方法。 - 【請求項２８】前記ステップ（ｄ）は、相転移により誘
電率が変化する部材により前記相転移部を作成し、 前記ステップ（ｅ）は、前記相転移部を挟持する電極
と、前記電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記
電極間の電圧上昇を検出する電圧上昇検出回路と、から
なる前記相転移状態検出手段を作成することを特徴とす
る請求項２３乃至２７記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２９】前記ステップ（ｄ）は、前記ステップ
（ｆ）によって相転移されたパターンが読み取り可能な
識別パターンとなるように前記相転移部を作成すること
を特徴とする請求項２７又は２８記載の電子装置の製造
方法。 - 【請求項３０】前記識別パターンは文字であることを特
徴とする請求項２９記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項３１】前記識別パターンはバーコードであるこ
とを特徴とする請求項２９記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項３２】 外部回路や外部装置に接続する接続手
段と、 所定の機能を実行する一以上の機能ブロックと、 前記機能ブロックのうちの何れかの機能ブロックを前記
接続手段に選択的に接続する切換回路と、 前記切換回路に接続され、前記接続手段に接続される前
記何れかの機能ブロックを特定する信号を前記切換回路
へ出力するための機能選択端子と、 前記機能選択端子から出力される前記信号を決定する信
号決定手段と、を備え、 前記請求項１７乃至３１の製造方法で製造されることを
特徴とする電子装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000384A JP2002203908A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
| US09/990,545 US6601219B2 (en) | 2001-01-05 | 2001-11-20 | Electronic apparatus and manufacturing method for an electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000384A JP2002203908A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203908A true JP2002203908A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18869180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001000384A Withdrawn JP2002203908A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6601219B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002203908A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9239574B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-01-19 | Honeywell International Inc. | Apparatus for automating field device operations by capturing device method execution steps for later use and related method |
| US8718807B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-05-06 | Honeywell International Inc. | System and method for robust real-time control of regular automated production using master recipe |
| US9612587B2 (en) | 2014-02-11 | 2017-04-04 | Honeywell International Inc. | Mobile extension for industrial operator consoles |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-01-05 JP JP2001000384A patent/JP2002203908A/ja not_active Withdrawn
- 2001-11-20 US US09/990,545 patent/US6601219B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6601219B2 (en) | 2003-07-29 |
| US20020090800A1 (en) | 2002-07-11 |
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