JP2002289497A - 半導体製造設備及び半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造設備及び半導体製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、従来のように過剰な設計ではな
く、装置と設置架台と設置床とを含んだ設備全体として
適切な強度及び制振効果を有する半導体製造設備を提供
することを課題とする。 【解決手段】 スキャン型露光装置１０は鉄骨構造より
なる設置架台３０の上に据え付けられる。設置架台３０
は、設置床３２を含む床構造体に据え付けられる。床構
造体は水平方向に延在する設置床３２を支える複数の支
柱３４を有する。支柱３４の間隔は４ｍ〜１２ｍであ
る。
く、装置と設置架台と設置床とを含んだ設備全体として
適切な強度及び制振効果を有する半導体製造設備を提供
することを課題とする。 【解決手段】 スキャン型露光装置１０は鉄骨構造より
なる設置架台３０の上に据え付けられる。設置架台３０
は、設置床３２を含む床構造体に据え付けられる。床構
造体は水平方向に延在する設置床３２を支える複数の支
柱３４を有する。支柱３４の間隔は４ｍ〜１２ｍであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造設備に係
り、特に半導体ウェハに露光処理を施すスキャン型露光
装置のような振動を発生する装置を含む半導体製造設備
及びそのような半導体設備による半導体製造方法に関す
る。
り、特に半導体ウェハに露光処理を施すスキャン型露光
装置のような振動を発生する装置を含む半導体製造設備
及びそのような半導体設備による半導体製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において製造効率を向上
させるために、半導体ウェハの直径は増大する傾向にあ
り、現在では直径２００ｍｍ（８インチ）のウェハから
直径３００ｍｍ（１２インチ）のウェハへと移行しつつ
ある。これに伴い、半導体製造装置及び半導体製造装置
設備も大型化している。
させるために、半導体ウェハの直径は増大する傾向にあ
り、現在では直径２００ｍｍ（８インチ）のウェハから
直径３００ｍｍ（１２インチ）のウェハへと移行しつつ
ある。これに伴い、半導体製造装置及び半導体製造装置
設備も大型化している。
【０００３】例えば、リソグラフィ装置におけるスキャ
ン型露光装置において、直径３００ｍｍのウェハに対応
した装置には、ウェハを載置したウェハステージを移動
する機構に加えて、光源側であるレクチルステージを移
動する機構が設けられる。このため、直径３００ｍｍの
ウェハに対応したスキャン型露光装置は、例えば９．５
トンもの大きな重量となる。したがって、このような重
量のあるスキャン型露光装置を据え付けるクリーンルー
ムの設置床は、耐荷重を大きくする必要がある。スキャ
ン型露光装置は、精密な移動機構を有しており外部から
振動が伝わらないようにしなければならないが、ステー
ジを断続的に移動する機構を有するため、装置自体が振
動の発生源でもある。
ン型露光装置において、直径３００ｍｍのウェハに対応
した装置には、ウェハを載置したウェハステージを移動
する機構に加えて、光源側であるレクチルステージを移
動する機構が設けられる。このため、直径３００ｍｍの
ウェハに対応したスキャン型露光装置は、例えば９．５
トンもの大きな重量となる。したがって、このような重
量のあるスキャン型露光装置を据え付けるクリーンルー
ムの設置床は、耐荷重を大きくする必要がある。スキャ
ン型露光装置は、精密な移動機構を有しており外部から
振動が伝わらないようにしなければならないが、ステー
ジを断続的に移動する機構を有するため、装置自体が振
動の発生源でもある。
【０００４】上述のようなスキャン型露光装置の設置条
件は、主として装置の製造業者からの要求により設定さ
れてきた。すなわち、設置床の重量及び振動特性に関し
て以下のような項目の振動条件を満足することが、スキ
ャン型露光装置の製造業者から要求されていた。
件は、主として装置の製造業者からの要求により設定さ
れてきた。すなわち、設置床の重量及び振動特性に関し
て以下のような項目の振動条件を満足することが、スキ
ャン型露光装置の製造業者から要求されていた。
【０００５】（１）１／３オクターブバンド・ピークホ
ールド分析Ｏ−Ｐ値での振動加速度 （２）時刻歴波形での振動加速度（Ｏ−Ｐ）値 （３）露光装置設置床の目標アクセレランス このような振動条件を満足するには、クリーンルームの
設置床上に設置架台を設け、その上にスキャン型露光装
置を据え付けることが一般的である。設置架台として
は、コンクリートで固めて剛性と重量により振動の伝達
を遮断する方法と、設置架台に制振機構を組み込んで振
動の伝達を防止するいわゆる嫌振架台を用いる方法があ
る。
ールド分析Ｏ−Ｐ値での振動加速度 （２）時刻歴波形での振動加速度（Ｏ−Ｐ）値 （３）露光装置設置床の目標アクセレランス このような振動条件を満足するには、クリーンルームの
設置床上に設置架台を設け、その上にスキャン型露光装
置を据え付けることが一般的である。設置架台として
は、コンクリートで固めて剛性と重量により振動の伝達
を遮断する方法と、設置架台に制振機構を組み込んで振
動の伝達を防止するいわゆる嫌振架台を用いる方法があ
る。
【０００６】ところが、直径３００ｍｍのウェハに対応
したスキャン型露光装置に要求される振動条件を満足す
るようなコンクリートの設置架台は重量が１１トンにも
なり、装置自体の重量を加えると約２０トンにも達す
る。したがって、クリーンルームの設置床をこのような
重量に耐えるように設計施工しなければならない。
したスキャン型露光装置に要求される振動条件を満足す
るようなコンクリートの設置架台は重量が１１トンにも
なり、装置自体の重量を加えると約２０トンにも達す
る。したがって、クリーンルームの設置床をこのような
重量に耐えるように設計施工しなければならない。
【０００７】一般にクリーンルームの設置床は、支柱で
支えられたスラブで構成される。しかし、約２０トンも
の重量を支える設置床とするには、支柱の数を非常に多
くしなければならず、従来の設計方法では床を設計でき
なくなるおそれがある。また、コンクリート製の設置架
台は一度施工すると設置位置を移動することは困難であ
り、クリーンルーム内での装置の配置の自由度が小さく
なる。したがって、装置のレイアウトの変更ができない
といった問題がある。
支えられたスラブで構成される。しかし、約２０トンも
の重量を支える設置床とするには、支柱の数を非常に多
くしなければならず、従来の設計方法では床を設計でき
なくなるおそれがある。また、コンクリート製の設置架
台は一度施工すると設置位置を移動することは困難であ
り、クリーンルーム内での装置の配置の自由度が小さく
なる。したがって、装置のレイアウトの変更ができない
といった問題がある。
【０００８】そこで、コンクリート製の設置架台に代え
て、嫌振架台が用いられることもある。図１は従来のリ
ソグラフィ装置の設置構造を示す概略構成図である。図
１に示すリソグラフィ装置は、スキャン型露光装置１０
とコータデベロッパ装置１２とを有する。スキャン型露
光装置１０は非常に大きな重量を有しており、稼動時に
振動を発生する。スキャン型露光装置１０には、レーザ
発振器１４から露光用のレーザ光が供給される。
て、嫌振架台が用いられることもある。図１は従来のリ
ソグラフィ装置の設置構造を示す概略構成図である。図
１に示すリソグラフィ装置は、スキャン型露光装置１０
とコータデベロッパ装置１２とを有する。スキャン型露
光装置１０は非常に大きな重量を有しており、稼動時に
振動を発生する。スキャン型露光装置１０には、レーザ
発振器１４から露光用のレーザ光が供給される。
【０００９】スキャン型露光装置１０は、振動を他の装
置に伝えないようにするために、嫌振架台１６の上に設
置されている。嫌振架台１６はアクティブ除振台とも称
され、制振機構を備えている。すなわち、嫌振架台１６
は、スキャン型露光装置１０に外部から振動が伝わらな
いようにするばかりでなく、装置自体が発生する振動を
外部に伝達しないように遮断する特別な機構を有してい
る。嫌振架台１６は、クリーンルームの設置床１８上に
設置される。
置に伝えないようにするために、嫌振架台１６の上に設
置されている。嫌振架台１６はアクティブ除振台とも称
され、制振機構を備えている。すなわち、嫌振架台１６
は、スキャン型露光装置１０に外部から振動が伝わらな
いようにするばかりでなく、装置自体が発生する振動を
外部に伝達しないように遮断する特別な機構を有してい
る。嫌振架台１６は、クリーンルームの設置床１８上に
設置される。
【００１０】コータデベロッパ装置１２及びレーザ発振
器１４は、クリーンルームの設置床１８上に設けられた
フリーアクセスフロアパネル２０の上に設置される。嫌
振架台１６とフリーアクセスフロアパネル２０とは同じ
設置床１８上に配置されるが、互いに分離されて接触し
ないように配置されている。設置床１８はスラブよりな
り、スラブは下側から複数の支柱２２により支えられ
る。スキャン型露光装置１０は重量が大きく、また、嫌
振架台１６の上に配置されるので、このような重量を支
えつつ、振動が伝わらないような設置床とするには、支
柱の本数を多くしなければならない。
器１４は、クリーンルームの設置床１８上に設けられた
フリーアクセスフロアパネル２０の上に設置される。嫌
振架台１６とフリーアクセスフロアパネル２０とは同じ
設置床１８上に配置されるが、互いに分離されて接触し
ないように配置されている。設置床１８はスラブよりな
り、スラブは下側から複数の支柱２２により支えられ
る。スキャン型露光装置１０は重量が大きく、また、嫌
振架台１６の上に配置されるので、このような重量を支
えつつ、振動が伝わらないような設置床とするには、支
柱の本数を多くしなければならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】クリーンルーム内の装
置のレイアウト変更等を考えると、設置床１８は一様な
構造としておくべきであり、したがって、設置床１８を
支える支柱２２は一様な間隔で配置される。すなわち、
クリーンルームの設置床１８を支える支柱２２の間隔Ｄ
は、スキャン型露光装置１０と嫌振架台１６とが配置さ
れる部分に要求される間隔により決定されてしまい、ク
リーンルーム全体に渡って非常に狭い間隔で支柱２２を
設けなければならない。したがって、スキャン型露光装
置１０を設置する位置以外の部分では、過剰な耐荷重を
有する設置床となってしまう。また、嫌振架台１６自体
も特別な制振機構を設けるために重量が大きくなり、構
造も複雑となってしまう。
置のレイアウト変更等を考えると、設置床１８は一様な
構造としておくべきであり、したがって、設置床１８を
支える支柱２２は一様な間隔で配置される。すなわち、
クリーンルームの設置床１８を支える支柱２２の間隔Ｄ
は、スキャン型露光装置１０と嫌振架台１６とが配置さ
れる部分に要求される間隔により決定されてしまい、ク
リーンルーム全体に渡って非常に狭い間隔で支柱２２を
設けなければならない。したがって、スキャン型露光装
置１０を設置する位置以外の部分では、過剰な耐荷重を
有する設置床となってしまう。また、嫌振架台１６自体
も特別な制振機構を設けるために重量が大きくなり、構
造も複雑となってしまう。
【００１２】また、上述のような嫌振架台１６を用いた
としても、スキャン型露光装置１０と嫌振架台１６とを
合わせた重量は非常に大きな重量となり、従来の設計方
法によると支柱２２の間隔Ｄは、例えば３．５ｍ程度ま
で小さくしなければならない。このように、支柱２２の
間隔Ｄが小さくなると、新たな問題が生じてくる。すな
わち、一般に設置床１８の下にはその上に設置される装
置に関連した装置（補機）が配置されるが、支柱２２の
間隔Ｄが小さくなると補機を配置するスペースが減少
し、所定の範囲に収まらなくなるといった問題が生じ
る。すなわち、クリーンルーム内では各種装置を配置で
きるのに、設置床１８の下に配置する補機をうまく配置
することができないといった問題が生じてしまう。
としても、スキャン型露光装置１０と嫌振架台１６とを
合わせた重量は非常に大きな重量となり、従来の設計方
法によると支柱２２の間隔Ｄは、例えば３．５ｍ程度ま
で小さくしなければならない。このように、支柱２２の
間隔Ｄが小さくなると、新たな問題が生じてくる。すな
わち、一般に設置床１８の下にはその上に設置される装
置に関連した装置（補機）が配置されるが、支柱２２の
間隔Ｄが小さくなると補機を配置するスペースが減少
し、所定の範囲に収まらなくなるといった問題が生じ
る。すなわち、クリーンルーム内では各種装置を配置で
きるのに、設置床１８の下に配置する補機をうまく配置
することができないといった問題が生じてしまう。
【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、従来のように過剰な設計ではなく、装置と設置架
台と設置床とを含んだ設備全体として適切な強度及び制
振効果を有する半導体製造設備及びそのような半導体製
造設備による半導体製造方法を提供することを目的とす
る。
あり、従来のように過剰な設計ではなく、装置と設置架
台と設置床とを含んだ設備全体として適切な強度及び制
振効果を有する半導体製造設備及びそのような半導体製
造設備による半導体製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１５】請求項１記載の発明は、振動源を有する装
置を含む半導体製造設備であって、振動源を有する装置
が据え付けられる剛体よりなる設置架台と、該設置架台
が設置される床構造体とを有しており、前記床構造体は
水平方向に延在する床部材を支える複数の支柱を有し、
該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであることを特徴とするも
のである。
置を含む半導体製造設備であって、振動源を有する装置
が据え付けられる剛体よりなる設置架台と、該設置架台
が設置される床構造体とを有しており、前記床構造体は
水平方向に延在する床部材を支える複数の支柱を有し、
該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであることを特徴とするも
のである。
【００１６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体製造装置であって、前記床構造体は、所定のアクセ
レランスを有するように設計されていることを特徴とす
るものである。
導体製造装置であって、前記床構造体は、所定のアクセ
レランスを有するように設計されていることを特徴とす
るものである。
【００１７】請求項３記載の発明は、請求項２記載の半
導体製造装置であって、前記所定のアクセレランスは、
前記装置に要求される加速度表記の振動許容値Ａを当該
装置が発生する加振力Ｆで除して得られる必要アクセレ
ランスを、さらに所定の係数で除して得られた設定アク
セレランスであることを特徴とするものである。
導体製造装置であって、前記所定のアクセレランスは、
前記装置に要求される加速度表記の振動許容値Ａを当該
装置が発生する加振力Ｆで除して得られる必要アクセレ
ランスを、さらに所定の係数で除して得られた設定アク
セレランスであることを特徴とするものである。
【００１８】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
床構造体の支柱は、鉄筋コンクリート構造であり、直径
は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであることを特徴とするも
のである。
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
床構造体の支柱は、鉄筋コンクリート構造であり、直径
は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであることを特徴とするも
のである。
【００１９】請求項５記載の発明は、請求項１乃至３の
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
床構造体の支柱は、鉄骨構造又はコンクリート充填鋼管
であり、直径は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであることを
特徴とするものである。
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
床構造体の支柱は、鉄骨構造又はコンクリート充填鋼管
であり、直径は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであることを
特徴とするものである。
【００２０】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
設置架台は、鉄骨構造体又は鉄筋コンクリート構造体で
あることを特徴とするものである。
うちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前記
設置架台は、鉄骨構造体又は鉄筋コンクリート構造体で
あることを特徴とするものである。
【００２１】請求項７記載の発明は、振動源を有する装
置を含む半導体製造設備であって、直径３００ｍｍ以上
の半導体ウェハを処理可能な露光装置と、前記露光装置
が据え付けられる剛体よりなる設置架台と、該設置架台
が設置される床構造体とを有しており、前記床構造体は
水平方向に延在する床部材を支える複数の支柱を有し、
該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであることを特徴とするも
のである。
置を含む半導体製造設備であって、直径３００ｍｍ以上
の半導体ウェハを処理可能な露光装置と、前記露光装置
が据え付けられる剛体よりなる設置架台と、該設置架台
が設置される床構造体とを有しており、前記床構造体は
水平方向に延在する床部材を支える複数の支柱を有し、
該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであることを特徴とするも
のである。
【００２２】請求項８記載の発明は、請求項７記載の半
導体製造装置であって、前記床構造体は、所定のアクセ
レランスを有するように設計されていることを特徴とす
るものである。
導体製造装置であって、前記床構造体は、所定のアクセ
レランスを有するように設計されていることを特徴とす
るものである。
【００２３】請求項９記載の発明は、請求項８記載の半
導体製造装置であって、前記所定のアクセレランスは、
前記装置に要求される加速度表記の振動許容値Ａを当該
装置が発生する加振力Ｆで除して得られる必要アクセレ
ランスを、さらに所定の係数で除して得られた設定アク
セレランスであることを特徴とするものである。
導体製造装置であって、前記所定のアクセレランスは、
前記装置に要求される加速度表記の振動許容値Ａを当該
装置が発生する加振力Ｆで除して得られる必要アクセレ
ランスを、さらに所定の係数で除して得られた設定アク
セレランスであることを特徴とするものである。
【００２４】請求項１０記載の発明は、請求項７乃至９
のうちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前
記床構造体上に設置され、前記露光装置に供給する半導
体ウェハに感光体を塗布するコータと、前記床構造体上
に設置され、前記露光装置により露光処理された半導体
ウェハに現像処理を施すデベロッパと、前記露光装置に
露光用光線を供給する光源装置とを更に有することを特
徴とするものである。
のうちいずれか一項記載の半導体製造装置であって、前
記床構造体上に設置され、前記露光装置に供給する半導
体ウェハに感光体を塗布するコータと、前記床構造体上
に設置され、前記露光装置により露光処理された半導体
ウェハに現像処理を施すデベロッパと、前記露光装置に
露光用光線を供給する光源装置とを更に有することを特
徴とするものである。
【００２５】請求項１１記載の発明は、振動源を有する
装置を含む半導体製造設備による半導体製造方法であっ
て、４ｍ〜１２ｍの間隔で配列された複数の支柱により
水平方向に延在する床部材を支える構造の床構造体の上
に据え付けられたコータデベロッパ装置により半導体ウ
ェハにフォトレジストを塗布し、前記床構造体の上に据
え付けられた直径３００ｍｍ以上の半導体ウェハを処理
可能なスキャン型露光装置により前記半導体ウェハを露
光処理し、前記コータデベロッパ装置により露光処理し
た前記半導体ウェハに現像処理を施すことを特徴とする
ものである。
装置を含む半導体製造設備による半導体製造方法であっ
て、４ｍ〜１２ｍの間隔で配列された複数の支柱により
水平方向に延在する床部材を支える構造の床構造体の上
に据え付けられたコータデベロッパ装置により半導体ウ
ェハにフォトレジストを塗布し、前記床構造体の上に据
え付けられた直径３００ｍｍ以上の半導体ウェハを処理
可能なスキャン型露光装置により前記半導体ウェハを露
光処理し、前記コータデベロッパ装置により露光処理し
た前記半導体ウェハに現像処理を施すことを特徴とする
ものである。
【００２６】上述の発明によれば、半導体製造設備にお
いて、半導体製造装置を設置する床構造体を、従来の設
計方法に比較してより軽量で簡単な構造で構築すること
ができる。すなわち、床構造体における支柱の数を従来
の設計方法による支柱の数より減少することができ、床
構造体の構造が簡略化される。加えて、設置床の下側の
空間の面積が増大し、設置床上に配置される装置の補機
を配置する空間を十分保つことができる。また、設置架
台の構造を鉄骨構造のように簡単な構造にすることがで
きる。さらに、設置架台を設置床の任意の位置に移動す
ることも可能となる。
いて、半導体製造装置を設置する床構造体を、従来の設
計方法に比較してより軽量で簡単な構造で構築すること
ができる。すなわち、床構造体における支柱の数を従来
の設計方法による支柱の数より減少することができ、床
構造体の構造が簡略化される。加えて、設置床の下側の
空間の面積が増大し、設置床上に配置される装置の補機
を配置する空間を十分保つことができる。また、設置架
台の構造を鉄骨構造のように簡単な構造にすることがで
きる。さらに、設置架台を設置床の任意の位置に移動す
ることも可能となる。
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図２と共に説明する。図２は本発明の一実施の形態に
よる半導体製造設備の概略構成図である。図２におい
て、図１に示す構成部品と同等の部品には同じ符号を付
す。
て図２と共に説明する。図２は本発明の一実施の形態に
よる半導体製造設備の概略構成図である。図２におい
て、図１に示す構成部品と同等の部品には同じ符号を付
す。
【００２７】図２に示す半導体製造設備は、リソグラフ
ィ装置を含んでおり、スキャン型露光装置１０とコータ
デベロッパ装置１２とを有する。スキャン型露光装置１
０は直径３００ｍｍのウェハに対応可能な構成を有して
おり、非常に大きな重量を有している。スキャン型露光
装置１０には、レーザ発振器１４から露光用のレーザ光
が供給される。なお、露光装置１０に供給する露光用光
線は、レーザ光に限ることなく、例えばＸ線や電子ビー
ム等を露光用光線として使用することとしてもよい。
ィ装置を含んでおり、スキャン型露光装置１０とコータ
デベロッパ装置１２とを有する。スキャン型露光装置１
０は直径３００ｍｍのウェハに対応可能な構成を有して
おり、非常に大きな重量を有している。スキャン型露光
装置１０には、レーザ発振器１４から露光用のレーザ光
が供給される。なお、露光装置１０に供給する露光用光
線は、レーザ光に限ることなく、例えばＸ線や電子ビー
ム等を露光用光線として使用することとしてもよい。
【００２８】スキャン型露光装置１０は稼動時に振動を
発生するため、振動を他の装置に伝えないように他の装
置とは分離された設置架台３０の上に設置される。設置
架台３０は鉄骨構造体であり、剛体として構成されてい
る。設置架台３０は、スキャン型露光装置１０に外部か
ら振動が伝わらないようにするばかりでなく、装置自体
が発生する振動を外部に伝達しないように遮断するため
に設けられる。設置架台３０はクリーンルームの設置床
３２上に設置される。なお、設置架台３０は鉄骨構造体
に限ることなく、例えば鉄筋コンクリート構造体とする
こともできる。
発生するため、振動を他の装置に伝えないように他の装
置とは分離された設置架台３０の上に設置される。設置
架台３０は鉄骨構造体であり、剛体として構成されてい
る。設置架台３０は、スキャン型露光装置１０に外部か
ら振動が伝わらないようにするばかりでなく、装置自体
が発生する振動を外部に伝達しないように遮断するため
に設けられる。設置架台３０はクリーンルームの設置床
３２上に設置される。なお、設置架台３０は鉄骨構造体
に限ることなく、例えば鉄筋コンクリート構造体とする
こともできる。
【００２９】コータデベロッパ装置１２及びレーザ発振
器１４は、クリーンルームの設置床３２上に設けられた
フリーアクセスフロアパネル２０の上に設置される。設
置架台３０とフリーアクセスフロアパネル２０とは同じ
設置床３２上に配置されるが、互いに分離されて接触し
ないように配置されている。
器１４は、クリーンルームの設置床３２上に設けられた
フリーアクセスフロアパネル２０の上に設置される。設
置架台３０とフリーアクセスフロアパネル２０とは同じ
設置床３２上に配置されるが、互いに分離されて接触し
ないように配置されている。
【００３０】設置床３２はワッフルスラブのようなスラ
ブ床よりなり、スラブ床は下側から複数の支柱３４によ
り支えられる。スキャン型露光装置１０は重量が大き
く、また、設置架台３０の上に配置されるので、このよ
うな重量を支えつつ、振動が伝わらないような設置床と
するには、従来の設計方法であれば、支柱３４の本数を
多くしなければならない。
ブ床よりなり、スラブ床は下側から複数の支柱３４によ
り支えられる。スキャン型露光装置１０は重量が大き
く、また、設置架台３０の上に配置されるので、このよ
うな重量を支えつつ、振動が伝わらないような設置床と
するには、従来の設計方法であれば、支柱３４の本数を
多くしなければならない。
【００３１】しかし、本発明による半導体製造設備にお
いては、支柱３４と設置床３２と設置架台３０とが協働
して制振機能を達成するため、支柱３４の間隔を大きく
とり且つ設置架台３０を鉄鋼構造体としても、振動に関
して十分使用に耐え得る半導体製造設備を構築すること
ができる。すなわち、本発明は、設置架台３０上におけ
る振動値がスキャン型露光装置１０に対して要求される
１／３オクターブバンド振動許容値を満足し、かつ設置
床３２のアクエセレランスが所定値以下であれば、使用
環境上問題が生じないとの知見に基づくものである。
いては、支柱３４と設置床３２と設置架台３０とが協働
して制振機能を達成するため、支柱３４の間隔を大きく
とり且つ設置架台３０を鉄鋼構造体としても、振動に関
して十分使用に耐え得る半導体製造設備を構築すること
ができる。すなわち、本発明は、設置架台３０上におけ
る振動値がスキャン型露光装置１０に対して要求される
１／３オクターブバンド振動許容値を満足し、かつ設置
床３２のアクエセレランスが所定値以下であれば、使用
環境上問題が生じないとの知見に基づくものである。
【００３２】本発明によれば、設置架台３０および設置
床３２は、スキャン型露光装置１０に要求される加速度
表記の振動許容値Ａを当該装置が発生する加振力時刻歴
波形Ｆで除した必要アクセレランスを、さらに所定の安
全係数で除して得られた設定アクセレランスを有するよ
うに設計される。所定の安全係数は例えば２〜７の範囲
の値に設定される。
床３２は、スキャン型露光装置１０に要求される加速度
表記の振動許容値Ａを当該装置が発生する加振力時刻歴
波形Ｆで除した必要アクセレランスを、さらに所定の安
全係数で除して得られた設定アクセレランスを有するよ
うに設計される。所定の安全係数は例えば２〜７の範囲
の値に設定される。
【００３３】この設計方法を、図３に示すフローチャー
トに基づいて具体的に説明する。先ずステップ１におい
て、露光装置１０の製造者から露光装置１０の設置条件
として提示されている加速度表記の振動許容値（１／３
才クタープバンド・ピークホールド分析Ｏ−Ｐ値）に対
して、１／３才クターブパンド・ピークホールド分析ｒ
ｍｓ値への換算を行ない、加速度表記の換算振動許容値
Ａ（単位：ｇａｌ）を算出する。また、ステップ２にお
いて、露光装置１０から発生する加振力時刻歴波形に対
して、周波数分析を行なって１／３オクターブバンド加
振力Ｆ（単位：Ｎ）を算出する。
トに基づいて具体的に説明する。先ずステップ１におい
て、露光装置１０の製造者から露光装置１０の設置条件
として提示されている加速度表記の振動許容値（１／３
才クタープバンド・ピークホールド分析Ｏ−Ｐ値）に対
して、１／３才クターブパンド・ピークホールド分析ｒ
ｍｓ値への換算を行ない、加速度表記の換算振動許容値
Ａ（単位：ｇａｌ）を算出する。また、ステップ２にお
いて、露光装置１０から発生する加振力時刻歴波形に対
して、周波数分析を行なって１／３オクターブバンド加
振力Ｆ（単位：Ｎ）を算出する。
【００３４】次いで、ステップ３において、上記換算振
動許容値Ａと加振力Ｆにより、必要アクセレランス（Ａ
ＣＣＬｎｅｃ＝Ａ／Ｆ）（単位：ｇａｌ／Ｎ）を算出す
る。ちなみに、この必要アクセレランスは、設置架台３
０に対して、スキャン型露光装置１０の振動影響のみが
入力された状態において、１／３オクターブバンド振動
許容値Ａを満足する限界値である。しかしながら、スキ
ャン型露光装置１０が設置される実際のクリーンルーム
においては、室内に設けられた他の生産機器類や配管設
備等、様々な振動発生源が存在しており、これら振動発
生源が発生する振動は、設置床３２を含む床構造体を介
して設置架台３０に入力するために、床構造体のアクセ
レランスに余裕を持たせる必要がある。
動許容値Ａと加振力Ｆにより、必要アクセレランス（Ａ
ＣＣＬｎｅｃ＝Ａ／Ｆ）（単位：ｇａｌ／Ｎ）を算出す
る。ちなみに、この必要アクセレランスは、設置架台３
０に対して、スキャン型露光装置１０の振動影響のみが
入力された状態において、１／３オクターブバンド振動
許容値Ａを満足する限界値である。しかしながら、スキ
ャン型露光装置１０が設置される実際のクリーンルーム
においては、室内に設けられた他の生産機器類や配管設
備等、様々な振動発生源が存在しており、これら振動発
生源が発生する振動は、設置床３２を含む床構造体を介
して設置架台３０に入力するために、床構造体のアクセ
レランスに余裕を持たせる必要がある。
【００３５】そこで、ステップ４において、周囲の振動
発生源の数や振動の大きさに応じて必要な安全係数ｋを
設定し、ステップ５において必要アクセレランスを安全
係数ｋで除すことにより、設定アクセレランス（ＡＣＣ
Ｌｅｓｔ＝ＡＣＣＬｎｅｃ／ｋ）（単位：ｇａｌ／Ｎ）
を算出する。一般にエネルギー量で考えた場合に、２つ
の値の間に３倍以上の差があると、エネルギー量の小さ
いものが、大きいものに与える影響はほぼ無視すること
ができる。したがって、安全係数ｋとしては、通常３程
度でよいが、周囲の振動発生源からの振動量によっては
状況が異なることになる。安全係数ｋを２未満とする
と、与えられた振動条件を満足できない場合が多くな
る。また、安全係数ｋを７より大きくすると過剰設計と
なり、他の設備機器の設置スペース確保あるいは経済性
の観点から好ましくない。このため、安全係数ｋとして
は、周囲の振動発生源に対応させて２〜７の範囲の最適
値に設定することが好ましい。
発生源の数や振動の大きさに応じて必要な安全係数ｋを
設定し、ステップ５において必要アクセレランスを安全
係数ｋで除すことにより、設定アクセレランス（ＡＣＣ
Ｌｅｓｔ＝ＡＣＣＬｎｅｃ／ｋ）（単位：ｇａｌ／Ｎ）
を算出する。一般にエネルギー量で考えた場合に、２つ
の値の間に３倍以上の差があると、エネルギー量の小さ
いものが、大きいものに与える影響はほぼ無視すること
ができる。したがって、安全係数ｋとしては、通常３程
度でよいが、周囲の振動発生源からの振動量によっては
状況が異なることになる。安全係数ｋを２未満とする
と、与えられた振動条件を満足できない場合が多くな
る。また、安全係数ｋを７より大きくすると過剰設計と
なり、他の設備機器の設置スペース確保あるいは経済性
の観点から好ましくない。このため、安全係数ｋとして
は、周囲の振動発生源に対応させて２〜７の範囲の最適
値に設定することが好ましい。
【００３６】このようにして得られた設定アクセレラン
スは、設置架台３０に対して、スキャン型露光装置１０
の振動影響に加えて、周辺機器等から他の振動が入力し
た状態においても、１／３オクターブバンド振動許容値
Ａをある程度の余裕をもって満足できる値である。この
設定アクセレランス（ＡＣＣＬｅｓｔ）は、周波数ごと
に大小様々な値となるため、ステップ６においてこれを
包絡した値として最終的な設定アクセレランスを得る。
スは、設置架台３０に対して、スキャン型露光装置１０
の振動影響に加えて、周辺機器等から他の振動が入力し
た状態においても、１／３オクターブバンド振動許容値
Ａをある程度の余裕をもって満足できる値である。この
設定アクセレランス（ＡＣＣＬｅｓｔ）は、周波数ごと
に大小様々な値となるため、ステップ６においてこれを
包絡した値として最終的な設定アクセレランスを得る。
【００３７】なお、上記設計方法においては、設置架台
３０および設置床３２を含む床構造体が全体として上記
設定アクセレランスを満足するように設計・構築しても
よいが、床構造体および設置架台３０が、個々に独立し
て上記設定アクセレランスを有するように設計して構築
することがより一層好ましい。この際に、設置架台３０
については、７０Ｈｚ以上の固有振動数を有する高剛性
体となるように設計し、構築することが好ましい。
３０および設置床３２を含む床構造体が全体として上記
設定アクセレランスを満足するように設計・構築しても
よいが、床構造体および設置架台３０が、個々に独立し
て上記設定アクセレランスを有するように設計して構築
することがより一層好ましい。この際に、設置架台３０
については、７０Ｈｚ以上の固有振動数を有する高剛性
体となるように設計し、構築することが好ましい。
【００３８】次に、上記設計方法によって設計された床
構造体の具体的な実施例について説明する。床構造体が
鉄筋コンクリート造である場合には、太さ寸法が６００
ｍｍ〜１４００ｍｍの支柱３４を、４ｍ〜１２ｍの間隔
をおいて立設し、これら支柱３４の上部間に、梁成が６
００ｍｍ〜１４００ｍｍの大梁と梁成が３００ｍｍ〜１
０００ｍｍの小梁とを架設するとともに、これら大梁お
よび小梁上に厚さ寸法が７０ｍｍ〜３００ｍｍの床スラ
ブを打設したスラブ―梁形式の設置床３２を構築したも
のが適用可能である。また、設置床３２としてスラブを
有しない場合には、上記梁間に梁成が３００〜１０００
ｍｍの孫梁を架設した構造を適用することができる。
構造体の具体的な実施例について説明する。床構造体が
鉄筋コンクリート造である場合には、太さ寸法が６００
ｍｍ〜１４００ｍｍの支柱３４を、４ｍ〜１２ｍの間隔
をおいて立設し、これら支柱３４の上部間に、梁成が６
００ｍｍ〜１４００ｍｍの大梁と梁成が３００ｍｍ〜１
０００ｍｍの小梁とを架設するとともに、これら大梁お
よび小梁上に厚さ寸法が７０ｍｍ〜３００ｍｍの床スラ
ブを打設したスラブ―梁形式の設置床３２を構築したも
のが適用可能である。また、設置床３２としてスラブを
有しない場合には、上記梁間に梁成が３００〜１０００
ｍｍの孫梁を架設した構造を適用することができる。
【００３９】さらに、床構造体の他の実施形態として
は、太さ寸法が４００ｍｍ〜１０００ｍｍである鉄骨構
造またはコンクリート充填鋼管構造の支柱３４を４ｍ〜
１２ｍの間隔をおいて立設し、支柱３４の上部間に、梁
成が５００ｍｍ〜１４００ｍｍの鉄骨構造または鉄筋コ
ンクリート構造の大梁と梁成が３００ｍｍ〜１０００ｍ
ｍの鉄骨構造または鉄筋コンクリート構造の小梁とを横
設して、これら大梁および小梁上に厚さ寸法が７０ｍｍ
〜３００ｍｍの床スラブを打設した構造が挙げられる。
は、太さ寸法が４００ｍｍ〜１０００ｍｍである鉄骨構
造またはコンクリート充填鋼管構造の支柱３４を４ｍ〜
１２ｍの間隔をおいて立設し、支柱３４の上部間に、梁
成が５００ｍｍ〜１４００ｍｍの鉄骨構造または鉄筋コ
ンクリート構造の大梁と梁成が３００ｍｍ〜１０００ｍ
ｍの鉄骨構造または鉄筋コンクリート構造の小梁とを横
設して、これら大梁および小梁上に厚さ寸法が７０ｍｍ
〜３００ｍｍの床スラブを打設した構造が挙げられる。
【００４０】また、上記床構造体が、スラブを有しない
場合には、太さ寸法が４００ｍｍ〜１０００ｍｍである
鉄骨構造またはコンクリート充填鋼管構造の支柱３４を
４ｍ〜１２ｍの間隔をおいて立設し、これら支柱３４の
上部間に、梁成が５００ｍｍ〜１４００ｍｍの鉄骨造ま
たは鉄筋コンクリート造の大梁と、梁成が３００ｍｍ〜
１０００ｍｍの鉄骨構造または鉄筋コンクリート構造の
小梁と、梁成が３００〜１０００ｍｍの鉄骨構造または
鉄筋コンクリート構造の孫梁を横設した構造が適用可能
である。
場合には、太さ寸法が４００ｍｍ〜１０００ｍｍである
鉄骨構造またはコンクリート充填鋼管構造の支柱３４を
４ｍ〜１２ｍの間隔をおいて立設し、これら支柱３４の
上部間に、梁成が５００ｍｍ〜１４００ｍｍの鉄骨造ま
たは鉄筋コンクリート造の大梁と、梁成が３００ｍｍ〜
１０００ｍｍの鉄骨構造または鉄筋コンクリート構造の
小梁と、梁成が３００〜１０００ｍｍの鉄骨構造または
鉄筋コンクリート構造の孫梁を横設した構造が適用可能
である。
【００４１】ここで、上述した設定アクセレランスを用
いて設計を行なった場合には、設置床３２に鉄骨構造の
設置架台３０を取付けた場合でも、微振動対策は充分で
ある。鉄骨構造の設置架台３０は、コンクリート製の架
台よりも軽いため、床構造体に加わる荷重を減少するこ
とができるため、床構造体に使用する鉄骨の使用量を低
減することができる。加えて、コンクリートと比較し
て、塵竣の発生も大幅に少なくなるために、塵埃の発生
を嫌うクリーンルーム内に設置される設置架台３０とし
ては、一層好適である。
いて設計を行なった場合には、設置床３２に鉄骨構造の
設置架台３０を取付けた場合でも、微振動対策は充分で
ある。鉄骨構造の設置架台３０は、コンクリート製の架
台よりも軽いため、床構造体に加わる荷重を減少するこ
とができるため、床構造体に使用する鉄骨の使用量を低
減することができる。加えて、コンクリートと比較し
て、塵竣の発生も大幅に少なくなるために、塵埃の発生
を嫌うクリーンルーム内に設置される設置架台３０とし
ては、一層好適である。
【００４２】また、製造工程の変更等により装置のレイ
アウトを変更するような場合であっても、設置架台３０
を設置床３２の任意の場所に移動することができる。し
たがって、半導体製造設備における装置の配置の自由度
を向上することができる。
アウトを変更するような場合であっても、設置架台３０
を設置床３２の任意の場所に移動することができる。し
たがって、半導体製造設備における装置の配置の自由度
を向上することができる。
【００４３】しかも、設置架台３０の水平方向の剛性
は、リブや接続ボルトを追加することにより調整が容易
であり、垂直方向の剛性もリブを追加することにより床
構造体の剛性と同程度にすることが可能である。このよ
うに、上記設定アクセレランスを用いて床構造体を設計
することで、床構造体と整合性を図りながら露光装置の
設置架台３０を製作することができ、全体として軽量
で、実用的な半導体製造設備を達成することができる。
は、リブや接続ボルトを追加することにより調整が容易
であり、垂直方向の剛性もリブを追加することにより床
構造体の剛性と同程度にすることが可能である。このよ
うに、上記設定アクセレランスを用いて床構造体を設計
することで、床構造体と整合性を図りながら露光装置の
設置架台３０を製作することができ、全体として軽量
で、実用的な半導体製造設備を達成することができる。
【００４４】なお、上述の実施の形態においては、直径
３００ｍｍのウェハ対応のスキャン型露光装置が据え付
けられる設置床に対して本発明を適用した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
その他の振動発生源を有し且つ重量の大きい装置を据え
付ける設置床にも適用することができる。
３００ｍｍのウェハ対応のスキャン型露光装置が据え付
けられる設置床に対して本発明を適用した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
その他の振動発生源を有し且つ重量の大きい装置を据え
付ける設置床にも適用することができる。
【００４５】また、上述の実施の形態においては、必要
アクセレランスを算出するための加振力Ｆとして、加振
力時刻歴波形Ｆを用いた場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、加振力スペクトル等の他の
装置の加振力を表す特性値を用いてもよい。
アクセレランスを算出するための加振力Ｆとして、加振
力時刻歴波形Ｆを用いた場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、加振力スペクトル等の他の
装置の加振力を表す特性値を用いてもよい。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、半導体製造
設備において、半導体製造装置を設置する床構造体を、
従来の設計方法に比較してより軽量で簡単な構造で構築
することができる。すなわち、床構造体における支柱の
数を従来の設計方法による支柱の数より減少することが
でき、床構造体の構造が簡略化される。加えて、設置床
の下側の空間の面積が増大し、設置床上に配置される装
置の補機を配置する空間を十分保つことができる。ま
た、設置架台の構造を鉄骨構造のように簡単な構造にす
ることができる。さらに、設置架台を設置床の任意の位
置に移動することも可能となる。
設備において、半導体製造装置を設置する床構造体を、
従来の設計方法に比較してより軽量で簡単な構造で構築
することができる。すなわち、床構造体における支柱の
数を従来の設計方法による支柱の数より減少することが
でき、床構造体の構造が簡略化される。加えて、設置床
の下側の空間の面積が増大し、設置床上に配置される装
置の補機を配置する空間を十分保つことができる。ま
た、設置架台の構造を鉄骨構造のように簡単な構造にす
ることができる。さらに、設置架台を設置床の任意の位
置に移動することも可能となる。
【図１】従来のリソグラフィ装置の設置構造を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態による半導体製造設備の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図３】本発明の一実施の形態による半導体製造設備に
おける床構造体の設計方法を説明するためのフローチャ
ートである。
おける床構造体の設計方法を説明するためのフローチャ
ートである。
１０ スキャン型露光装置 １２ コータデベロッパ装置 １４ レーザ発振器 ２０ フリーアクセスフロアパネル ３０ 設置架台 ３２ 設置床 ３４ 支柱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 一夫 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 藤原 馨 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 小林 貞雄 東京都新宿区西新宿１−25−１ 大成建設 株式会社内 Ｆターム(参考） 3J048 AA07 AB01 CB23 CB24 DA01 EA13 5F046 AA23 AA28 BA05 JA22 LA18
Claims (11)
- 【請求項１】 振動源を有する装置を含む半導体製造設
備であって、 振動源を有する装置が据え付けられる剛体よりなる設置
架台と、該設置架台が設置される床構造体とを有してお
り、 前記床構造体は水平方向に延在する床部材を支える複数
の支柱を有し、該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであること
を特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置であっ
て、 前記床構造体は、所定のアクセレランスを有するように
設計されていることを特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体製造装置であっ
て、 前記所定のアクセレランスは、前記装置に要求される加
速度表記の振動許容値Ａを当該装置が発生する加振力Ｆ
で除して得られる必要アクセレランスを、さらに所定の
係数で除して得られた設定アクセレランスであることを
特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
の半導体製造装置であって、 前記床構造体の支柱は、鉄筋コンクリート構造であり、
直径は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであることを特徴とす
る半導体製造設備。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
の半導体製造装置であって、 前記床構造体の支柱は、鉄骨構造又はコンクリート充填
鋼管であり、直径は６００ｍｍ〜１４００ｍｍであるこ
とを特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のうちいずれか一項記載
の半導体製造装置であって、 前記設置架台は、鉄骨構造体又は鉄筋コンクリート構造
体であることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 振動源を有する装置を含む半導体製造設
備であって、 直径３００ｍｍ以上の半導体ウェハを処理可能な露光装
置と、 前記露光装置が据え付けられる剛体よりなる設置架台
と、 該設置架台が設置される床構造体とを有しており、 前記床構造体は水平方向に延在する床部材を支える複数
の支柱を有し、該支柱の間隔は４ｍ〜１２ｍであること
を特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体製造装置であっ
て、 前記床構造体は、所定のアクセレランスを有するように
設計されていることを特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体製造装置であっ
て、 前記所定のアクセレランスは、前記装置に要求される加
速度表記の振動許容値Ａを当該装置が発生する加振力Ｆ
で除して得られる必要アクセレランスを、さらに所定の
係数で除して得られた設定アクセレランスであることを
特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項１０】 請求項７乃至９のうちいずれか一項記
載の半導体製造装置であって、 前記床構造体上に設置され、前記露光装置に供給する半
導体ウェハに感光体を塗布するコータと、 前記床構造体上に設置され、前記露光装置により露光処
理された半導体ウェハに現像処理を施すデベロッパと前
記露光装置に露光用光線を供給する光源装置とを更に有
することを特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項１１】 振動源を有する装置を含む半導体製造
設備による半導体製造方法であって、 ４ｍ〜１２ｍの間隔で配列された複数の支柱により水平
方向に延在する床部材を支える構造の床構造体の上に据
え付けられたコータデベロッパ装置により半導体ウェハ
にフォトレジストを塗布し、 前記床構造体の上に据え付けられた直径３００ｍｍ以上
の半導体ウェハを処理可能なスキャン型露光装置により
前記半導体ウェハを露光処理し、 前記コータデベロッパ装置により露光処理した前記半導
体ウェハに現像処理を施すことを特徴とする半導体製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086178A JP2002289497A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 半導体製造設備及び半導体製造方法 |
| TW091105563A TW557504B (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Semiconductor manufacturing facility and a semiconductor manufacturing method |
| US10/103,135 US6883283B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Semiconductor manufacturing facility and a semiconductor manufacturing method |
| KR1020020015616A KR100628612B1 (ko) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | 반도체 제조 설비 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086178A JP2002289497A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 半導体製造設備及び半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289497A true JP2002289497A (ja) | 2002-10-04 |
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ID=18941594
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