JP2002268576A - 画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃ - Google Patents
画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃInfo
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不要輻射を低減し、データ信号入力端子の端
子数を低減することができる画像表示装置、その製造方
法及び画像表示ドライバＩＣを提供することにある。 【解決手段】 周辺基板５から画像表示ドライバＩＣ３
に信号を送信し、画像表示ドライバＩＣによってマトリ
ックス状に配置された複数のトランジスタを駆動して画
像を表示する画像表示装置において、周辺基板５には信
号を光信号にして送信するように発光素子７を設けてお
き、画像表示ドライバＩＣ３には光信号を受信するため
の受光素子８を設けておく。画像表示ドライバＩＣ３の
一部と、マトリックス状に配置されたトランジスタの一
部と、受光素子８の一部とを同一工程によって同時に形
成する。
子数を低減することができる画像表示装置、その製造方
法及び画像表示ドライバＩＣを提供することにある。 【解決手段】 周辺基板５から画像表示ドライバＩＣ３
に信号を送信し、画像表示ドライバＩＣによってマトリ
ックス状に配置された複数のトランジスタを駆動して画
像を表示する画像表示装置において、周辺基板５には信
号を光信号にして送信するように発光素子７を設けてお
き、画像表示ドライバＩＣ３には光信号を受信するため
の受光素子８を設けておく。画像表示ドライバＩＣ３の
一部と、マトリックス状に配置されたトランジスタの一
部と、受光素子８の一部とを同一工程によって同時に形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置、画
像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバＩＣに関す
るものである。
像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバＩＣに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】画像表示装置として最も一般的な液晶表
示装置の例について説明する。アクティブマトリクス型
の液晶表示装置では、複数の画素がマトリクス状に配置
された画像表示部が設けられている。画像表示部は、２
枚の基板と、上記基板間に封入された液晶により形成さ
れている。画素毎に液晶に電場を発生させるため、一方
の基板には各画素に対応する画素電極が形成されてお
り、他方の基板には各画素電極と対面するように対向電
極が形成されている。
示装置の例について説明する。アクティブマトリクス型
の液晶表示装置では、複数の画素がマトリクス状に配置
された画像表示部が設けられている。画像表示部は、２
枚の基板と、上記基板間に封入された液晶により形成さ
れている。画素毎に液晶に電場を発生させるため、一方
の基板には各画素に対応する画素電極が形成されてお
り、他方の基板には各画素電極と対面するように対向電
極が形成されている。
【０００３】画素電極が形成された基板には、各画素を
駆動するための複数の走査信号線とデータ信号線とが互
いに交差するように設けられている。また、画素電極が
形成された基板には、走査信号線とデータ信号線との各
交差部分において、画素電極のスイッチング機能を有す
る薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）が形成さ
れている。なお、以降において画素電極が形成された基
板を「アレイ基板」といい、対向電極が形成された基板
を「対向基板」という。
駆動するための複数の走査信号線とデータ信号線とが互
いに交差するように設けられている。また、画素電極が
形成された基板には、走査信号線とデータ信号線との各
交差部分において、画素電極のスイッチング機能を有す
る薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）が形成さ
れている。なお、以降において画素電極が形成された基
板を「アレイ基板」といい、対向電極が形成された基板
を「対向基板」という。
【０００４】各画素では、画像信号によって走査信号線
に走査信号が印加され、この走査信号によりＴＦＴがＯ
Ｎ／ＯＦＦ制御される。また、画像信号によってデータ
信号線にデータ信号が印加される。即ち、ＴＦＴのＯＮ
／ＯＦＦ制御を行なう走査信号とデータ信号とによって
画素毎に液晶が制御され、これによって各画素が点灯
し、結果、画像表示部において画像が表示される。
に走査信号が印加され、この走査信号によりＴＦＴがＯ
Ｎ／ＯＦＦ制御される。また、画像信号によってデータ
信号線にデータ信号が印加される。即ち、ＴＦＴのＯＮ
／ＯＦＦ制御を行なう走査信号とデータ信号とによって
画素毎に液晶が制御され、これによって各画素が点灯
し、結果、画像表示部において画像が表示される。
【０００５】また、液晶表示装置には、走査信号線を駆
動する走査ドライバとデータ信号線を駆動するデータド
ライバとが設けられている。この各ドライバはＩＣで構
成されており、ＴＦＴを駆動するための駆動回路を有し
ている。なお、以降において走査ドライバを構成するＩ
Ｃとデータドライバを構成するＩＣとを合わせて「画像
表示ドライバＩＣ」という。
動する走査ドライバとデータ信号線を駆動するデータド
ライバとが設けられている。この各ドライバはＩＣで構
成されており、ＴＦＴを駆動するための駆動回路を有し
ている。なお、以降において走査ドライバを構成するＩ
Ｃとデータドライバを構成するＩＣとを合わせて「画像
表示ドライバＩＣ」という。
【０００６】画像表示ドライバＩＣと画像表示部とを接
続する方式としては、図１７に示すＴＡＢ（Tape Autom
ated bonding）方式と図１８に示すＣＯＧ（Chip On Gl
ass）方式とが知られている。
続する方式としては、図１７に示すＴＡＢ（Tape Autom
ated bonding）方式と図１８に示すＣＯＧ（Chip On Gl
ass）方式とが知られている。
【０００７】図１７は、画像表示ドライバＩＣがＴＡＢ
方式によって接続された従来の液晶表示装置を示す図で
ある。図１７において、１はアレイ基板、２は対向基
板、３は画像表示ドライバＩＣである。アレイ基板１と
対向基板２との間には液晶（図示せず）が封入されてお
り、液晶を封入しているアレイ基板１の領域、液晶、対
向基板２とで構成された部分が画面表示部となる。
方式によって接続された従来の液晶表示装置を示す図で
ある。図１７において、１はアレイ基板、２は対向基
板、３は画像表示ドライバＩＣである。アレイ基板１と
対向基板２との間には液晶（図示せず）が封入されてお
り、液晶を封入しているアレイ基板１の領域、液晶、対
向基板２とで構成された部分が画面表示部となる。
【０００８】図１７示すように、ＴＡＢ方式による接続
では、フレキシブルテープに画像表示ドライバＩＣ３を
ボンディングして構成したＴＣＰ（Tape Carrier Packa
ge）４が用いられている。ＴＣＰ４は、アレイ基板１の
外周近傍に設けられた接続部１ａ〜１ｅに、熱圧着によ
り電気的に接続されている。５は周辺基板である。
では、フレキシブルテープに画像表示ドライバＩＣ３を
ボンディングして構成したＴＣＰ（Tape Carrier Packa
ge）４が用いられている。ＴＣＰ４は、アレイ基板１の
外周近傍に設けられた接続部１ａ〜１ｅに、熱圧着によ
り電気的に接続されている。５は周辺基板である。
【０００９】図１８は、画像表示ドライバＩＣがＣＯＧ
方式によって接続された従来の液晶表示装置を示す図で
ある。なお、図１８において用いている符号のうち図１
７においても用いられているものは、図１７と同様のも
のを示している。
方式によって接続された従来の液晶表示装置を示す図で
ある。なお、図１８において用いている符号のうち図１
７においても用いられているものは、図１７と同様のも
のを示している。
【００１０】図１８に示すように、ＣＯＧ方式による接
続では、画像表示ドライバＩＣ３はガラス基板１の外周
近傍に直接実装される。画像表示ドライバＩＣの各端子
は導電性ペーストによって走査信号線又はデータ信号線
に電気的に接続されている。６は周辺基板５と画像表示
ドライバＩＣ３とを接続するためのコネクターであり、
フレキシブルテープによって形成されている。
続では、画像表示ドライバＩＣ３はガラス基板１の外周
近傍に直接実装される。画像表示ドライバＩＣの各端子
は導電性ペーストによって走査信号線又はデータ信号線
に電気的に接続されている。６は周辺基板５と画像表示
ドライバＩＣ３とを接続するためのコネクターであり、
フレキシブルテープによって形成されている。
【００１１】ところで、近年、パーソナルコンピュータ
用の液晶表示装置は、自然画に近い画像を表現するため
に多色化、高解像度化が進み、入力データビット数はよ
り多くなる傾向にある。そのため、周辺基板５に接続さ
れる画像表示ドライバＩＣ３の入力端子の数も増加する
傾向にある。
用の液晶表示装置は、自然画に近い画像を表現するため
に多色化、高解像度化が進み、入力データビット数はよ
り多くなる傾向にある。そのため、周辺基板５に接続さ
れる画像表示ドライバＩＣ３の入力端子の数も増加する
傾向にある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、入力端子の数
が増加すると、入力端子間のピッチが減少するため、入
力端子と周辺基板５との接続がより困難となる。また、
各入力端子と周辺基板５からの接続線との位置合わせに
精度が要求される。更に、機械的接続では機械的なスト
レスに起因する接続不良が増大してしまう。
が増加すると、入力端子間のピッチが減少するため、入
力端子と周辺基板５との接続がより困難となる。また、
各入力端子と周辺基板５からの接続線との位置合わせに
精度が要求される。更に、機械的接続では機械的なスト
レスに起因する接続不良が増大してしまう。
【００１３】また、多色化、高解像度化により、入力信
号の周波数が増加する傾向にあるため、主に、周辺基板
５と画像表示ドライバＩＣ３とを接続するフレキシブル
テープからノイズが他の機器へ輻射される問題（ＥＭ
Ｉ）や、他の機器がノイズ成分を拾ってしまう問題（Ｅ
ＭＳ）が増加している。
号の周波数が増加する傾向にあるため、主に、周辺基板
５と画像表示ドライバＩＣ３とを接続するフレキシブル
テープからノイズが他の機器へ輻射される問題（ＥＭ
Ｉ）や、他の機器がノイズ成分を拾ってしまう問題（Ｅ
ＭＳ）が増加している。
【００１４】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れており、不要輻射を低減し、データ信号入力端子の端
子数を低減することができる画像表示装置、その製造方
法及び画像表示ドライバＩＣを提供することを目的とす
る。
れており、不要輻射を低減し、データ信号入力端子の端
子数を低減することができる画像表示装置、その製造方
法及び画像表示ドライバＩＣを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の画像表示装置は、周辺回路から駆動
回路に信号を送信し、前記駆動回路によってマトリック
ス状に配置された複数のトランジスタを駆動して画像を
表示する画像表示装置であって、前記周辺回路は、前記
信号を光信号にして送信するように構成されており、前
記駆動回路は、前記光信号を受信するための受光素子を
有していることを特徴とする。
に、本発明の第１の画像表示装置は、周辺回路から駆動
回路に信号を送信し、前記駆動回路によってマトリック
ス状に配置された複数のトランジスタを駆動して画像を
表示する画像表示装置であって、前記周辺回路は、前記
信号を光信号にして送信するように構成されており、前
記駆動回路は、前記光信号を受信するための受光素子を
有していることを特徴とする。
【００１６】上記第１の画像表示装置において、前記駆
動回路及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一
部と、前記受光素子の一部又は全部とは、同一工程によ
って形成できる。具体的には、前記受光素子と前記トラ
ンジスタとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不
純物注入領域及び電極を設けて形成されている場合に、
前記受光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、前
記受光素子の不純物注入領域の一部又は全部と前記トラ
ンジスタの不純物注入領域の一部又は全部とを、又は前
記受光素子の前記絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜と
を同一工程によって形成できる。
動回路及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一
部と、前記受光素子の一部又は全部とは、同一工程によ
って形成できる。具体的には、前記受光素子と前記トラ
ンジスタとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不
純物注入領域及び電極を設けて形成されている場合に、
前記受光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、前
記受光素子の不純物注入領域の一部又は全部と前記トラ
ンジスタの不純物注入領域の一部又は全部とを、又は前
記受光素子の前記絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜と
を同一工程によって形成できる。
【００１７】また、上記第１の画像表示装置は太陽電池
を有することもでき、この場合は、前記駆動回路の一部
と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の一部又
は全部と、前記太陽電池の一部又は全部とは、同一工程
によって形成できる。
を有することもでき、この場合は、前記駆動回路の一部
と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の一部又
は全部と、前記太陽電池の一部又は全部とは、同一工程
によって形成できる。
【００１８】上記第１の画像表示装置は、前記駆動回路
が光信号を前記周辺回路に送信するための発光素子を有
し、前記周辺回路が前記駆動回路からの光信号を受信す
るための受光素子を有している態様とすることができ
る。この場合、前記駆動回路から送信される光信号は、
タブレット位置情報、信号同期情報及び周辺輝度情報う
ち少なくとも一つを含むことができる。
が光信号を前記周辺回路に送信するための発光素子を有
し、前記周辺回路が前記駆動回路からの光信号を受信す
るための受光素子を有している態様とすることができ
る。この場合、前記駆動回路から送信される光信号は、
タブレット位置情報、信号同期情報及び周辺輝度情報う
ち少なくとも一つを含むことができる。
【００１９】また、この態様においては、前記駆動回路
及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一部と、
前記発光素子の一部又は全部とは、同一工程によって形
成できる。具体的には、前記発光素子と前記トランジス
タとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注
入領域及び電極を設けて形成されている場合に、前記発
光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、又は前記
発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とを同一
工程によって形成できる。
及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一部と、
前記発光素子の一部又は全部とは、同一工程によって形
成できる。具体的には、前記発光素子と前記トランジス
タとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注
入領域及び電極を設けて形成されている場合に、前記発
光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、又は前記
発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とを同一
工程によって形成できる。
【００２０】更に、この態様においては、前記駆動回路
の一部と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の
一部又は全部と、前記発光素子の一部又は全部とは、同
一工程によって形成できる。
の一部と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の
一部又は全部と、前記発光素子の一部又は全部とは、同
一工程によって形成できる。
【００２１】また、この態様においても、上記第１の画
像表示装置は、太陽電池を有することができ、前記駆動
回路の一部と、前記トランジスタの一部と、前記発光素
子の一部又は全部と、前記太陽電池の一部又は全部と
は、同一工程によって形成できる。なお、この場合、前
記受光素子の一部又は全部も同一工程によって形成でき
る。
像表示装置は、太陽電池を有することができ、前記駆動
回路の一部と、前記トランジスタの一部と、前記発光素
子の一部又は全部と、前記太陽電池の一部又は全部と
は、同一工程によって形成できる。なお、この場合、前
記受光素子の一部又は全部も同一工程によって形成でき
る。
【００２２】上記第１の画像表示装置においては、前記
光信号が変調光であるのが好ましい。また、前記周辺回
路と前記トランジスタとを、それぞれ別個の基板上に形
成し、前記周辺回路が形成された基板と前記トランジス
タが形成された基板とを固定するのが好ましい。
光信号が変調光であるのが好ましい。また、前記周辺回
路と前記トランジスタとを、それぞれ別個の基板上に形
成し、前記周辺回路が形成された基板と前記トランジス
タが形成された基板とを固定するのが好ましい。
【００２３】上記目的を達成するために、本発明の第２
の画像表示装置は、周辺回路から駆動回路に信号を送信
し、前記駆動回路によってマトリックス状に配置された
複数のトランジスタを駆動して画像を表示する画像表示
装置であって、前記周辺回路は、前記信号を電波信号に
して送信するように構成されており、前記駆動回路は、
前記電波信号を受信するための受信素子を有しているこ
とを特徴とする。
の画像表示装置は、周辺回路から駆動回路に信号を送信
し、前記駆動回路によってマトリックス状に配置された
複数のトランジスタを駆動して画像を表示する画像表示
装置であって、前記周辺回路は、前記信号を電波信号に
して送信するように構成されており、前記駆動回路は、
前記電波信号を受信するための受信素子を有しているこ
とを特徴とする。
【００２４】上記第２の画像表示装置は、前記駆動回路
が電波信号を前記周辺回路に送信するための発信素子を
有し、前記周辺回路が前記駆動回路からの電波信号を受
信するための受信素子を有している態様とすることがで
きる。この態様においては、前記駆動回路から送信され
る電波信号は、タブレット位置情報、信号同期情報及び
周辺輝度情報うち少なくとも一つを含むことができる。
が電波信号を前記周辺回路に送信するための発信素子を
有し、前記周辺回路が前記駆動回路からの電波信号を受
信するための受信素子を有している態様とすることがで
きる。この態様においては、前記駆動回路から送信され
る電波信号は、タブレット位置情報、信号同期情報及び
周辺輝度情報うち少なくとも一つを含むことができる。
【００２５】また、上記第２の画像表示装置は、前記駆
動回路と前記トランジスタとを含む部分が、前記周辺回
路を含む部分から着脱可能であって、前記周辺回路を含
む部分から分離した状態で画像表示可能な構成とでき
る。この場合、前記駆動回路と前記トランジスタとを含
む部分に、画像表示のための電源を備えておくのが好ま
しい。前記電源として太陽電池を用いることができ、前
記太陽電池は前記トランジスタが配置された基板上に設
けることができる。
動回路と前記トランジスタとを含む部分が、前記周辺回
路を含む部分から着脱可能であって、前記周辺回路を含
む部分から分離した状態で画像表示可能な構成とでき
る。この場合、前記駆動回路と前記トランジスタとを含
む部分に、画像表示のための電源を備えておくのが好ま
しい。前記電源として太陽電池を用いることができ、前
記太陽電池は前記トランジスタが配置された基板上に設
けることができる。
【００２６】上記第１及び第２の画像表示装置は、液晶
表示装置、ＥＬ表示装置、及びフィールドエミッション
表示装置のうちいずれかとして用いることができる。
表示装置、ＥＬ表示装置、及びフィールドエミッション
表示装置のうちいずれかとして用いることができる。
【００２７】上記目的を達成するために、本発明の画像
表示装置の製造方法は、周辺回路が駆動回路に光信号を
送信し、前記駆動回路が受光素子によって前記光信号を
受信してマトリックス状に配置された複数のトランジス
タを駆動することによって画像を表示する画像表示装置
の製造方法であって、前記駆動回路及び前記トランジス
タのうち少なくとも一方の一部と、前記受光素子の一部
又は全部とを同時に形成する工程を少なくとも有してい
ることを特徴とする。
表示装置の製造方法は、周辺回路が駆動回路に光信号を
送信し、前記駆動回路が受光素子によって前記光信号を
受信してマトリックス状に配置された複数のトランジス
タを駆動することによって画像を表示する画像表示装置
の製造方法であって、前記駆動回路及び前記トランジス
タのうち少なくとも一方の一部と、前記受光素子の一部
又は全部とを同時に形成する工程を少なくとも有してい
ることを特徴とする。
【００２８】上記画像表示装置の製造方法において、前
記受光素子と前記トランジスタとが、同一の基板上に、
少なくとも絶縁膜、不純物注入領域及び電極を設けて形
成されている場合は、前記受光素子の電極と前記トラン
ジスタの電極とを、前記受光素子の不純物注入領域の一
部又は全部と前記トランジスタの不純物注入領域の一部
又は全部とを、又は前記受光素子の前記絶縁膜と前記ト
ランジスタの絶縁膜とを同時に形成することができる。
記受光素子と前記トランジスタとが、同一の基板上に、
少なくとも絶縁膜、不純物注入領域及び電極を設けて形
成されている場合は、前記受光素子の電極と前記トラン
ジスタの電極とを、前記受光素子の不純物注入領域の一
部又は全部と前記トランジスタの不純物注入領域の一部
又は全部とを、又は前記受光素子の前記絶縁膜と前記ト
ランジスタの絶縁膜とを同時に形成することができる。
【００２９】また、上記画像表示装置の製造方法におい
て、前記駆動回路が、タブレット位置情報、信号同期情
報及び周辺輝度情報うち少なくとも一つを含む光信号を
前記周辺回路に送信するための発光素子を有し、前記周
辺回路が、前記タブレット位置情報、信号同期情報及び
周辺輝度情報のうち少なくとも一つを含む光信号を受信
するための受光素子を有している場合は、前記駆動回路
及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一部と、
前記発光素子の一部又は全部とを同時に形成することが
できる。
て、前記駆動回路が、タブレット位置情報、信号同期情
報及び周辺輝度情報うち少なくとも一つを含む光信号を
前記周辺回路に送信するための発光素子を有し、前記周
辺回路が、前記タブレット位置情報、信号同期情報及び
周辺輝度情報のうち少なくとも一つを含む光信号を受信
するための受光素子を有している場合は、前記駆動回路
及び前記トランジスタのうち少なくとも一方の一部と、
前記発光素子の一部又は全部とを同時に形成することが
できる。
【００３０】この場合、前記発光素子と前記トランジス
タとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注
入領域及び電極を設けて形成されているならば、前記発
光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、又は前記
発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とを同時
に形成することができる。
タとが、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注
入領域及び電極を設けて形成されているならば、前記発
光素子の電極と前記トランジスタの電極とを、又は前記
発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とを同時
に形成することができる。
【００３１】上記目的を達成するため、本発明にかかる
第１の画像表示ドライバＩＣは、入力された光信号を電
気信号に変換する受光素子を有することを特徴とする。
上記第１の画像表示ドライバにおいて、前記受光素子
は、当該画像表示ドライバＩＣを構成するシリコン基板
にモノリシックに形成されているのが好ましい。また、
前記受光素子は、フォトダイオード又はフォトトランジ
スタであるのが好ましい。
第１の画像表示ドライバＩＣは、入力された光信号を電
気信号に変換する受光素子を有することを特徴とする。
上記第１の画像表示ドライバにおいて、前記受光素子
は、当該画像表示ドライバＩＣを構成するシリコン基板
にモノリシックに形成されているのが好ましい。また、
前記受光素子は、フォトダイオード又はフォトトランジ
スタであるのが好ましい。
【００３２】また、上記目的を達成するため、本発明に
かかる第２の画像表示ドライバＩＣは、入力された電気
信号を光信号に変換する発光素子を有することを特徴と
する。上記第２の画像表示ドライバＩＣにおいて、前記
発光素子は、当該画像表示ドライバＩＣを構成するシリ
コン基板にモノリシックに形成されているのが好まし
い。また、前記発光素子は、ＬＥＤ又はレーザであるの
が好ましい。
かかる第２の画像表示ドライバＩＣは、入力された電気
信号を光信号に変換する発光素子を有することを特徴と
する。上記第２の画像表示ドライバＩＣにおいて、前記
発光素子は、当該画像表示ドライバＩＣを構成するシリ
コン基板にモノリシックに形成されているのが好まし
い。また、前記発光素子は、ＬＥＤ又はレーザであるの
が好ましい。
【００３３】更に、上記目的を達成するために、本発明
にかかる第３の画像表示ドライバＩＣは、太陽電池を有
することを特徴とする。
にかかる第３の画像表示ドライバＩＣは、太陽電池を有
することを特徴とする。
【００３４】また、上記目的を達成するために、本発明
にかかる第４の画像表示ドライバＩＣは、電波を受信し
て電気信号に変換する素子、及び電気信号を電波に変換
して送信する素子のうち少なくとも一方を有することを
特徴とする。
にかかる第４の画像表示ドライバＩＣは、電波を受信し
て電気信号に変換する素子、及び電気信号を電波に変換
して送信する素子のうち少なくとも一方を有することを
特徴とする。
【００３５】更に、上記目的を達成するために、本発明
にかかる第５の画像表示ドライバＩＣは、磁気による信
号を受信して電気信号に変換する素子、及び電気信号を
磁気信号に変換して送信する素子のうち少なくとも一方
を有することを特徴とする。
にかかる第５の画像表示ドライバＩＣは、磁気による信
号を受信して電気信号に変換する素子、及び電気信号を
磁気信号に変換して送信する素子のうち少なくとも一方
を有することを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる画像表示装
置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバＩＣ
の実施の形態について説明する。本発明にかかる画像表
示装置は、周辺回路から画像表示ドライバＩＣに信号を
入力し、画像表示ドライバＩＣが有する駆動回路によっ
てアレイ基板上に設けられたＴＦＴを駆動して画像を表
示するものである。
置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバＩＣ
の実施の形態について説明する。本発明にかかる画像表
示装置は、周辺回路から画像表示ドライバＩＣに信号を
入力し、画像表示ドライバＩＣが有する駆動回路によっ
てアレイ基板上に設けられたＴＦＴを駆動して画像を表
示するものである。
【００３７】本発明にかかる画像表示装置は、液晶表示
装置、ＥＬ（Electro Luminescent）表示装置、及びフ
ィールドエミッション表示装置等として用いることがで
きる。なお、本発明にかかる画像表示装置を上記のいず
れの画像表示装置として用いるかは、基本的にアレイ基
板より上の部分（即ち、画像表示側の部分）の構造によ
って決定され、信号伝達に関しては上記のいずれの画像
表示装置として用いた場合も共通である。
装置、ＥＬ（Electro Luminescent）表示装置、及びフ
ィールドエミッション表示装置等として用いることがで
きる。なお、本発明にかかる画像表示装置を上記のいず
れの画像表示装置として用いるかは、基本的にアレイ基
板より上の部分（即ち、画像表示側の部分）の構造によ
って決定され、信号伝達に関しては上記のいずれの画像
表示装置として用いた場合も共通である。
【００３８】（実施の形態１）次に、本発明の実施の形
態１にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図１〜図６及び図１４に基づい
て説明する。図１〜図６は本実施の形態１にかかる画像
表示装置が液晶表示装置である例について示しており、
図１４は本実施の形態１にかかる画像表示装置がＥＬ表
示装置である例について示している。
態１にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図１〜図６及び図１４に基づい
て説明する。図１〜図６は本実施の形態１にかかる画像
表示装置が液晶表示装置である例について示しており、
図１４は本実施の形態１にかかる画像表示装置がＥＬ表
示装置である例について示している。
【００３９】図１は、実施の形態１にかかる画像表示装
置の側面を示す図である。図２は、実施の形態１にかか
る画像表示装置の上面を示す図である。
置の側面を示す図である。図２は、実施の形態１にかか
る画像表示装置の上面を示す図である。
【００４０】図１に示すように、駆動回路を含む画像表
示ドライバＩＣ３はアレイ基板１にＣＯＧ実装されてい
る。なお、駆動回路は、後述するようにアレイ基板１を
構成するＴＦＴと一緒に、アレイ基板１を形成するため
のガラス基板上に形成することもできる。
示ドライバＩＣ３はアレイ基板１にＣＯＧ実装されてい
る。なお、駆動回路は、後述するようにアレイ基板１を
構成するＴＦＴと一緒に、アレイ基板１を形成するため
のガラス基板上に形成することもできる。
【００４１】画像表示ドライバＩＣ３に信号を送る周辺
回路（図示せず）は、アレイ基板１及び対向基板２とは
別個の周辺基板５に設けられている。周辺基板５に設け
られた周辺回路からは、アレイ基板１に対して、アレイ
基板１上に形成されたＴＦＴを駆動するための画像信
号、アレイ基板１上に形成されたＴＦＴを制御するため
の制御信号、駆動用の電力等の信号が発信される。
回路（図示せず）は、アレイ基板１及び対向基板２とは
別個の周辺基板５に設けられている。周辺基板５に設け
られた周辺回路からは、アレイ基板１に対して、アレイ
基板１上に形成されたＴＦＴを駆動するための画像信
号、アレイ基板１上に形成されたＴＦＴを制御するため
の制御信号、駆動用の電力等の信号が発信される。
【００４２】本実施の形態１においては、周辺基板５に
発光素子７が設置されており、画像表示ドライバＩＣ３
は受光素子８を有している。このため、周辺回路は信号
を光信号にして画像表示ドライバＩＣ３に送信すること
ができ、画像表示ドライバＩＣ３は、発光素子７から送
信された光信号を受信することができる。
発光素子７が設置されており、画像表示ドライバＩＣ３
は受光素子８を有している。このため、周辺回路は信号
を光信号にして画像表示ドライバＩＣ３に送信すること
ができ、画像表示ドライバＩＣ３は、発光素子７から送
信された光信号を受信することができる。
【００４３】なお、本実施の形態１において、光信号と
して送信されているのは、画像信号と制御信号であり、
駆動用の電力はフレキシブル基板等を介して周辺基板５
からアレイ基板１上の電源配線に供給されている。発光
素子７と受光素子８の位置決めは、発光素子７から受光
素子８へ光信号伝送できるように行なわれている。
して送信されているのは、画像信号と制御信号であり、
駆動用の電力はフレキシブル基板等を介して周辺基板５
からアレイ基板１上の電源配線に供給されている。発光
素子７と受光素子８の位置決めは、発光素子７から受光
素子８へ光信号伝送できるように行なわれている。
【００４４】ところで、周辺回路から信号を送信するた
めには、通常、データビット数に対応する多数の信号伝
送経路が必要である。しかし、本実施の形態にかかる画
像表示装置では、周辺基板５上に並列直列変換回路（図
示せず）が設けられ、画像表示ドライバＩＣ３内に直列
並列変換回路（図示せず）が設けられている。また、光
伝送には変調光を用いている。このため、図２に示すよ
うに、発光素子７及び受光素子８の数はデータビット数
に対して大幅に少ない数で良い。
めには、通常、データビット数に対応する多数の信号伝
送経路が必要である。しかし、本実施の形態にかかる画
像表示装置では、周辺基板５上に並列直列変換回路（図
示せず）が設けられ、画像表示ドライバＩＣ３内に直列
並列変換回路（図示せず）が設けられている。また、光
伝送には変調光を用いている。このため、図２に示すよ
うに、発光素子７及び受光素子８の数はデータビット数
に対して大幅に少ない数で良い。
【００４５】図２に示すように、本実施の形態にかかる
画像表示装置においては、対向基板２の周囲に合計５個
の画像表示ドライバＩＣ３が設置されており、各画像表
示ドライバＩＣ３それぞれに受光素子８は一つずつ設け
られている。各画像表示ドライバＩＣ３は、駆動する信
号ラインに相当する画像信号及び制御信号を受信する。
画像表示装置においては、対向基板２の周囲に合計５個
の画像表示ドライバＩＣ３が設置されており、各画像表
示ドライバＩＣ３それぞれに受光素子８は一つずつ設け
られている。各画像表示ドライバＩＣ３は、駆動する信
号ラインに相当する画像信号及び制御信号を受信する。
【００４６】また、本実施の形態１においては、画像表
示ドライバ３の一部又は一つの画像表示ドライバＩＣ３
にのみ受光素子８を形成しても良い。この場合、一つの
受光素子８によって、全て又は複数の画像表示ドライバ
ＩＣ３が駆動する信号ラインに相当する画像信号及び制
御信号を一括して受信でき、受光素子８が形成されてい
ない画像表示ドライバＩＣ３へ信号を伝達する構成とす
ることが可能である。
示ドライバ３の一部又は一つの画像表示ドライバＩＣ３
にのみ受光素子８を形成しても良い。この場合、一つの
受光素子８によって、全て又は複数の画像表示ドライバ
ＩＣ３が駆動する信号ラインに相当する画像信号及び制
御信号を一括して受信でき、受光素子８が形成されてい
ない画像表示ドライバＩＣ３へ信号を伝達する構成とす
ることが可能である。
【００４７】なお、通常、画像表示ドライバＩＣ３は、
シリコン基板上のトランジスタ等が形成された面がアレ
イ基板を向かないように実装される。しかし、図１及び
図２に示した例では、シリコン基板上のトランジスタ等
が形成された面に受光素子８が形成されており、又受光
素子８によって光信号を受信する必要があるため、画像
表示ドライバＩＣ３は、トランジスタ等や受光素子８が
形成された面がアレイ基板１を向くように実装されてい
る。
シリコン基板上のトランジスタ等が形成された面がアレ
イ基板を向かないように実装される。しかし、図１及び
図２に示した例では、シリコン基板上のトランジスタ等
が形成された面に受光素子８が形成されており、又受光
素子８によって光信号を受信する必要があるため、画像
表示ドライバＩＣ３は、トランジスタ等や受光素子８が
形成された面がアレイ基板１を向くように実装されてい
る。
【００４８】このため、アレイ基板１の下に周辺基板５
を設置して光送受信を行なうのが可能となり、装置構成
が簡易となる。また、アレイ基板１と周辺基板５とは接
着剤によって接着されている。これは、受光素子８と発
光素子７の位置のズレを防止し、外力が加わった場合で
も、安定な光送受信が実現できるようにするためであ
る。
を設置して光送受信を行なうのが可能となり、装置構成
が簡易となる。また、アレイ基板１と周辺基板５とは接
着剤によって接着されている。これは、受光素子８と発
光素子７の位置のズレを防止し、外力が加わった場合で
も、安定な光送受信が実現できるようにするためであ
る。
【００４９】このように、本実施の形態１においては、
周辺基板５とアレイ基板１との間で電気的な接続が必要
なのは電源供給ラインのみであり、周辺基板５とアレイ
基板１との間の接続点数を大幅に減少することができ
る。
周辺基板５とアレイ基板１との間で電気的な接続が必要
なのは電源供給ラインのみであり、周辺基板５とアレイ
基板１との間の接続点数を大幅に減少することができ
る。
【００５０】従って、本実施の形態１にかかる画像表示
装置及び画像表示ドライバＩＣを用いることにより、接
続信頼性及び歩留まりの向上を図ることができ、そのた
め返品率を減少できる。また、接続の簡素化によってコ
ストの削減を図ることができ、更に、不要輻射（ＥＭ
Ｓ，ＥＭＩ）の低減を図ることができるので、画質を安
定化でき、また他の機器への悪影響を減少することがで
きる。
装置及び画像表示ドライバＩＣを用いることにより、接
続信頼性及び歩留まりの向上を図ることができ、そのた
め返品率を減少できる。また、接続の簡素化によってコ
ストの削減を図ることができ、更に、不要輻射（ＥＭ
Ｓ，ＥＭＩ）の低減を図ることができるので、画質を安
定化でき、また他の機器への悪影響を減少することがで
きる。
【００５１】本実施の形態１において、受光素子８とし
ては、画像表示ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別個
に作製した単体の受光素子を用いることができる。この
場合、受光素子８は、アレイ基板１上に画像表示ドライ
バＩＣ３とは別に実装しても良いし、画像表示ドライバ
ＩＣ３と一緒にパッケージしても良い。後者の場合は、
画像表示ドライバＩＣ３と受光素子８とで一つのＩＣパ
ッケージが形成される。
ては、画像表示ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別個
に作製した単体の受光素子を用いることができる。この
場合、受光素子８は、アレイ基板１上に画像表示ドライ
バＩＣ３とは別に実装しても良いし、画像表示ドライバ
ＩＣ３と一緒にパッケージしても良い。後者の場合は、
画像表示ドライバＩＣ３と受光素子８とで一つのＩＣパ
ッケージが形成される。
【００５２】但し、ＣＯＧ実装される部品点数の低減の
点からは、受光素子８は、画素ドライバＩＣ３を形成す
るためのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成す
るトランジスタと共に形成（モノリシックに形成）する
のが好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラス
基板上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
点からは、受光素子８は、画素ドライバＩＣ３を形成す
るためのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成す
るトランジスタと共に形成（モノリシックに形成）する
のが好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラス
基板上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
【００５３】前者の場合、受光素子８と画像表示ドライ
バＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチップ
が形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減で
きる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するため
のガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、受
光素子８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成でき
るので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減できる。
バＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチップ
が形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減で
きる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するため
のガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、受
光素子８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成でき
るので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減できる。
【００５４】図３は受光素子の一例を示す断面図であ
る。図３に示す受光素子は画像表示ドライバＩＣやアレ
イ基板とは別個に作成されている。図３に基づいて受光
素子及びその形成方法について説明する。
る。図３に示す受光素子は画像表示ドライバＩＣやアレ
イ基板とは別個に作成されている。図３に基づいて受光
素子及びその形成方法について説明する。
【００５５】最初に、ｐ型シリコン基板１１の表面（図
中上面）からリンをドープしてｎ層１３を形成する。ま
た、裏面（図中下面）にボロンをドープしてｐ+層（図
示せず）を形成する。ドープにはイオンドープ装置を用
いている。
中上面）からリンをドープしてｎ層１３を形成する。ま
た、裏面（図中下面）にボロンをドープしてｐ+層（図
示せず）を形成する。ドープにはイオンドープ装置を用
いている。
【００５６】次に、ｐ型シリコン基板１１に対して８０
０℃でアニールを行い、ｐ型シリコン基板１１の表面側
に反射防止膜９としてＳＯＧ膜を形成する。次いで、ｎ
電極１０を形成する。ｎ電極１０の形成は、フォトリソ
グラフィエッチングによって反射防止膜９の一部を除去
し、その上からスパッタ装置によってアルミニウム膜を
形成し、フォトリソグラフィエッチングすることによっ
て行なう。
０℃でアニールを行い、ｐ型シリコン基板１１の表面側
に反射防止膜９としてＳＯＧ膜を形成する。次いで、ｎ
電極１０を形成する。ｎ電極１０の形成は、フォトリソ
グラフィエッチングによって反射防止膜９の一部を除去
し、その上からスパッタ装置によってアルミニウム膜を
形成し、フォトリソグラフィエッチングすることによっ
て行なう。
【００５７】次に、ｐ型シリコン基板１１の裏面にスパ
ッタ装置により、アルミニウム電極１２を成膜する。以
上の工程により、図３に示す受光素子が完成する。図３
に示す受光素子はフォトダイオードである。
ッタ装置により、アルミニウム電極１２を成膜する。以
上の工程により、図３に示す受光素子が完成する。図３
に示す受光素子はフォトダイオードである。
【００５８】図４は、受光素子が画像表示ドライバＩＣ
の基板上に形成された例を示す断面図である。図４に基
づいて、受光素子及び画像表示ドライバＩＣを構成する
トランジスタ、これらの製造工程について説明する。
の基板上に形成された例を示す断面図である。図４に基
づいて、受光素子及び画像表示ドライバＩＣを構成する
トランジスタ、これらの製造工程について説明する。
【００５９】最初にトランジスタについて説明する。図
４に示すように、先ずｐ型シリコン基板４０にフォトリ
ソグラフィによりレジストパターンを形成し、レジスト
パターンが形成されていない部分にイオンドーピングに
よってリンを注入して、不純物注入領域となる低濃度注
入領域（ｎ−）４５を形成する。
４に示すように、先ずｐ型シリコン基板４０にフォトリ
ソグラフィによりレジストパターンを形成し、レジスト
パターンが形成されていない部分にイオンドーピングに
よってリンを注入して、不純物注入領域となる低濃度注
入領域（ｎ−）４５を形成する。
【００６０】次に、水蒸気中でアニールを行なって熱酸
化膜（ゲート酸化膜）４９を形成する。更にフォトリソ
グラフィ及びエッチングを行なって、ゲート電極４８が
形成される部分及びゲート電極配線以外の熱酸化膜を除
去する。次いで、フォトリソグラフィ、ＣＶＤ法により
ゲート電極４８を形成する。
化膜（ゲート酸化膜）４９を形成する。更にフォトリソ
グラフィ及びエッチングを行なって、ゲート電極４８が
形成される部分及びゲート電極配線以外の熱酸化膜を除
去する。次いで、フォトリソグラフィ、ＣＶＤ法により
ゲート電極４８を形成する。
【００６１】その後、フォトリソグラフィによってレジ
ストパターンを形成し、イオンドーピングによってリン
を注入して、不純物注入領域となる高濃度注入領域（ｎ
＋）４４を形成する。次いで、フォトリソグラフィ、エ
ッチングによって分離層の部分をエッチングした後、Ｔ
ＥＯＳ−ＣＶＤ法でシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）４２
を成膜する。
ストパターンを形成し、イオンドーピングによってリン
を注入して、不純物注入領域となる高濃度注入領域（ｎ
＋）４４を形成する。次いで、フォトリソグラフィ、エ
ッチングによって分離層の部分をエッチングした後、Ｔ
ＥＯＳ−ＣＶＤ法でシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）４２
を成膜する。
【００６２】次に、フォトリソグラフィ、エッチングに
より、コンタクトホールを形成する。更に、電極となる
チタン膜及びアルミニウム膜を成膜し、フォトリソグラ
フィ、エッチングによって、ソース電極４３ａ、ドレイ
ン電極４３ｂ及びソース・ドレイン電極配線となる部分
以外のチタン膜及びアルミニウム膜を除去する。これに
より、画像表示ドライバＩＣを構成するトランジスタが
完成する。
より、コンタクトホールを形成する。更に、電極となる
チタン膜及びアルミニウム膜を成膜し、フォトリソグラ
フィ、エッチングによって、ソース電極４３ａ、ドレイ
ン電極４３ｂ及びソース・ドレイン電極配線となる部分
以外のチタン膜及びアルミニウム膜を除去する。これに
より、画像表示ドライバＩＣを構成するトランジスタが
完成する。
【００６３】次に受光素子について説明する。先ず、図
４に示すように、ｐ型シリコン基板４０の上にｎ型の非
晶質シリコン膜４１を膜厚７０ｎｍで成膜する。ｎ型の
非晶質シリコン膜４１の成膜はプラズマＣＶＤ法によっ
て行っている。但し、原料ガスとしては、通常の原料ガ
スであるシランにホスフィンを混合した混合ガスを用い
ている。
４に示すように、ｐ型シリコン基板４０の上にｎ型の非
晶質シリコン膜４１を膜厚７０ｎｍで成膜する。ｎ型の
非晶質シリコン膜４１の成膜はプラズマＣＶＤ法によっ
て行っている。但し、原料ガスとしては、通常の原料ガ
スであるシランにホスフィンを混合した混合ガスを用い
ている。
【００６４】次いで、フォトリソグラフィでレジストパ
ターンを形成した後、イオンドーピングによりボロンを
注入してｐの領域４６を形成する。なお、イオンドーピ
ングは高加速電圧、ここでは７０ｋｅＶで行なってい
る。その後、再度イオンドーピングにより、ボロンを注
入して非晶質シリコン膜４１の表面近くにｐ＋の領域４
７を形成する。なお、この場合のイオンドーピングは低
加速電圧、ここでは１０ｋｅＶで行なっている。
ターンを形成した後、イオンドーピングによりボロンを
注入してｐの領域４６を形成する。なお、イオンドーピ
ングは高加速電圧、ここでは７０ｋｅＶで行なってい
る。その後、再度イオンドーピングにより、ボロンを注
入して非晶質シリコン膜４１の表面近くにｐ＋の領域４
７を形成する。なお、この場合のイオンドーピングは低
加速電圧、ここでは１０ｋｅＶで行なっている。
【００６５】その後、フォトリソグラフィによってレジ
ストパターンを形成し、イオンドーピングによってリン
を注入して、不純物注入領域となる高濃度注入領域（ｎ
＋）４４を形成する。
ストパターンを形成し、イオンドーピングによってリン
を注入して、不純物注入領域となる高濃度注入領域（ｎ
＋）４４を形成する。
【００６６】次に、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法でシリコン酸化
膜４２を成膜する。更に、フォトリソグラフィ及びエッ
チングにより、コンタクトホール形成する。更に、電極
となるチタン膜及びアルミニウム膜を成膜し、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングによって、アノード電極４３
ｃ、カソード電極４３ｄ及び配線となる部分以外のチタ
ン膜及びアルミニウム膜を除去する。これにより、受光
素子（ＰＮ型フォトダイオード）が完成する。
膜４２を成膜する。更に、フォトリソグラフィ及びエッ
チングにより、コンタクトホール形成する。更に、電極
となるチタン膜及びアルミニウム膜を成膜し、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングによって、アノード電極４３
ｃ、カソード電極４３ｄ及び配線となる部分以外のチタ
ン膜及びアルミニウム膜を除去する。これにより、受光
素子（ＰＮ型フォトダイオード）が完成する。
【００６７】このように、図４の例では、トランジスタ
と受光素子とが同一のｐ型シリコン基板４０上に形成さ
れる。また、図４において、高濃度注入領域（ｎ＋）４
４、シリコン酸化膜４２、電極（４３ａ〜４３ｄ）の形
成は、トランジスタと受光素子の両方において同一工程
によって同時におこなわれている。
と受光素子とが同一のｐ型シリコン基板４０上に形成さ
れる。また、図４において、高濃度注入領域（ｎ＋）４
４、シリコン酸化膜４２、電極（４３ａ〜４３ｄ）の形
成は、トランジスタと受光素子の両方において同一工程
によって同時におこなわれている。
【００６８】このため、受光素子の形成は、通常の画像
表示ドライバＩＣの工程と同時に処理されるので、画像
表示ドライバＩＣの製造における工程数は増加しないと
言える。また、受光素子と画像表示ドライバＩＣとの接
続信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形
態１では、受光素子としてフォトダイオードを形成して
いるが、受光素子はこれに限定されるものではない。本
発明において受光素子は、フォトトランジスタ、ＣＣ
Ｄ、ＭＯＳ等であっても良い。
表示ドライバＩＣの工程と同時に処理されるので、画像
表示ドライバＩＣの製造における工程数は増加しないと
言える。また、受光素子と画像表示ドライバＩＣとの接
続信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形
態１では、受光素子としてフォトダイオードを形成して
いるが、受光素子はこれに限定されるものではない。本
発明において受光素子は、フォトトランジスタ、ＣＣ
Ｄ、ＭＯＳ等であっても良い。
【００６９】次に、本実施の形態１にかかる画像表示装
置の画像表示部について説明する。図５は、図１中の線
Ａ−Ａ´に沿って切断した実施の形態１にかかる画像表
示装置の断面図である。なお、図５においては、画像表
示部の一部分のみを示している。図５に基づいて、実施
の形態１にかかる画像表示装置の画像表示部及びその製
造工程について説明する。
置の画像表示部について説明する。図５は、図１中の線
Ａ−Ａ´に沿って切断した実施の形態１にかかる画像表
示装置の断面図である。なお、図５においては、画像表
示部の一部分のみを示している。図５に基づいて、実施
の形態１にかかる画像表示装置の画像表示部及びその製
造工程について説明する。
【００７０】先ずアレイ基板について説明する。図５に
示すように、最初に、ガラス基板１４の上に、ガラス基
板１４からの不純物の拡散を防ぐ目的で、例えばＴＥＯ
Ｓ−ＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのシリコン酸化膜を
下地膜１５として成膜する。
示すように、最初に、ガラス基板１４の上に、ガラス基
板１４からの不純物の拡散を防ぐ目的で、例えばＴＥＯ
Ｓ−ＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのシリコン酸化膜を
下地膜１５として成膜する。
【００７１】なお、本実施の形態１では、基板としてガ
ラス基板１４を使用しているが、これに限定されず、プ
ラスチック基板やフィルム基板を使用することも可能で
ある。
ラス基板１４を使用しているが、これに限定されず、プ
ラスチック基板やフィルム基板を使用することも可能で
ある。
【００７２】また、下地膜１５の膜厚は３００ｎｍに限
らず、種々の設定が可能である。更に、下地膜１５とし
ては、窒化シリコン膜も使用することができる。下地膜
１５の膜厚は、シリコン酸化膜及び窒化シリコン膜のど
ちらの場合においても、２００ｎｍ以上であれば良い。
２００ｎｍ以下の場合は、ガラス基板１４からの不純物
が、ＴＦＴのシリコン層に拡散し、ＴＦＴ特性のＶｔシ
フト等の問題が発生するからである。
らず、種々の設定が可能である。更に、下地膜１５とし
ては、窒化シリコン膜も使用することができる。下地膜
１５の膜厚は、シリコン酸化膜及び窒化シリコン膜のど
ちらの場合においても、２００ｎｍ以上であれば良い。
２００ｎｍ以下の場合は、ガラス基板１４からの不純物
が、ＴＦＴのシリコン層に拡散し、ＴＦＴ特性のＶｔシ
フト等の問題が発生するからである。
【００７３】次にプラズマＣＶＤ法により、非晶質シリ
コン膜（図示せず）を成膜する。非晶質シリコン膜の成
膜は、減圧ＣＶＤ法やスパッタ法を用いて行なうことが
できる。非結晶質シリコン膜の膜厚は、３０ｎｍ〜９０
ｎｍに設定するのが良く、本実施の形態１では７０ｎｍ
に設定している。
コン膜（図示せず）を成膜する。非晶質シリコン膜の成
膜は、減圧ＣＶＤ法やスパッタ法を用いて行なうことが
できる。非結晶質シリコン膜の膜厚は、３０ｎｍ〜９０
ｎｍに設定するのが良く、本実施の形態１では７０ｎｍ
に設定している。
【００７４】次いで、形成された非晶質シリコン膜中の
水素を除去するため、脱水素工程として４５０℃で１時
間の熱処理を行なう。なお、スパッタ法等の非晶質シリ
コン膜中に水素が含まれない又は水素の量が少ない成膜
方法を用いた場合は、脱水素処理は必要ない。
水素を除去するため、脱水素工程として４５０℃で１時
間の熱処理を行なう。なお、スパッタ法等の非晶質シリ
コン膜中に水素が含まれない又は水素の量が少ない成膜
方法を用いた場合は、脱水素処理は必要ない。
【００７５】更に、非晶質シリコン膜を結晶化させる。
これにより、非晶質シリコン膜は多結晶シリコン膜とな
る。結晶化は、レーザアニール装置により非晶質シリコ
ン膜を溶融、結晶化させることにより行なう。なお、レ
ーザアニール装置は基板を縦横に移動させることができ
る。レーザ光を照射して非晶質シリコン膜の結晶化を行
なうのであれば、室温において約１６０ｍＪ／ｃｍ2以
上のエネルギー密度で照射する必要がある。
これにより、非晶質シリコン膜は多結晶シリコン膜とな
る。結晶化は、レーザアニール装置により非晶質シリコ
ン膜を溶融、結晶化させることにより行なう。なお、レ
ーザアニール装置は基板を縦横に移動させることができ
る。レーザ光を照射して非晶質シリコン膜の結晶化を行
なうのであれば、室温において約１６０ｍＪ／ｃｍ2以
上のエネルギー密度で照射する必要がある。
【００７６】本実施の形態１ではＸｅＣｌパルスレーザ
（波長３０８ｎｍ）を用いて、レーザ光のエネルギー密
度を３７０ｍＪ／ｃｍ2に設定している。また、レーザ
光の光軸と基板との相対位置を変化させながら、更にレ
ーザパルスと相対位置の変化とをオーバーラップさせな
がら、複数パルスを照射している。
（波長３０８ｎｍ）を用いて、レーザ光のエネルギー密
度を３７０ｍＪ／ｃｍ2に設定している。また、レーザ
光の光軸と基板との相対位置を変化させながら、更にレ
ーザパルスと相対位置の変化とをオーバーラップさせな
がら、複数パルスを照射している。
【００７７】また、多結晶シリコン膜には、多数のダン
グリングボンドが形成されているので、水素化工程とし
て、水素プラズマ中で、例えば４５０℃、２時間放置す
る。更に、フォトリソグラフィとドライエッチングによ
り多結晶シリコン層をパターニングする。多結晶シリコ
ン層は、後述するＬＤＤ領域（低濃度注入領域）１７、
ソース領域とドレイン領域（以下、これらを合わせて
「ソース・ドレイン領域」という。）１６、及びチャン
ネル領域２１となる。
グリングボンドが形成されているので、水素化工程とし
て、水素プラズマ中で、例えば４５０℃、２時間放置す
る。更に、フォトリソグラフィとドライエッチングによ
り多結晶シリコン層をパターニングする。多結晶シリコ
ン層は、後述するＬＤＤ領域（低濃度注入領域）１７、
ソース領域とドレイン領域（以下、これらを合わせて
「ソース・ドレイン領域」という。）１６、及びチャン
ネル領域２１となる。
【００７８】次に、例えばＴＥＯＳ−ＣＶＤ法によりシ
リコン酸化膜をゲート絶縁膜１８として必要な膜厚、例
えば１００ｎｍ程度に成膜する。その後、モリブデン・
タングステン合金膜をスパッタリングにより成膜し、エ
ッチングにより所定の形状にパターニングして、ゲート
電極１９を形成する。
リコン酸化膜をゲート絶縁膜１８として必要な膜厚、例
えば１００ｎｍ程度に成膜する。その後、モリブデン・
タングステン合金膜をスパッタリングにより成膜し、エ
ッチングにより所定の形状にパターニングして、ゲート
電極１９を形成する。
【００７９】その後、イオンドーピング装置により、ゲ
ート電極１９をマスクとして、リンを低濃度で注入して
ＬＤＤ領域（低濃度注入領域）１７を形成する。ＬＤＤ
領域１７とＬＤＤ領域１７との間がチャンネル領域２１
となる。次に、フォトリソグラフィでゲート電極１９と
その両端から１μｍの上にレジストパターンを形成し、
イオンドーピング装置により、上記レジストパターンを
マスクとして高濃度のリンを注入することで、ソース・
ドレイン領域となるＮ型領域（不純物注入領域）１６が
形成される。
ート電極１９をマスクとして、リンを低濃度で注入して
ＬＤＤ領域（低濃度注入領域）１７を形成する。ＬＤＤ
領域１７とＬＤＤ領域１７との間がチャンネル領域２１
となる。次に、フォトリソグラフィでゲート電極１９と
その両端から１μｍの上にレジストパターンを形成し、
イオンドーピング装置により、上記レジストパターンを
マスクとして高濃度のリンを注入することで、ソース・
ドレイン領域となるＮ型領域（不純物注入領域）１６が
形成される。
【００８０】次に、層間絶縁膜となるシリコン酸化膜２
０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイオ
ンの活性化のために、窒素雰囲気中で５５０℃でアニー
ルを行なう。その後、エッチングにより、シリコン酸化
膜２０ｂとゲート絶縁膜１８を貫通し、且つ、多結晶シ
リコン膜で形成されたソース・ドレイン領域１６に達す
るコンタクトホールを開口する。
０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイオ
ンの活性化のために、窒素雰囲気中で５５０℃でアニー
ルを行なう。その後、エッチングにより、シリコン酸化
膜２０ｂとゲート絶縁膜１８を貫通し、且つ、多結晶シ
リコン膜で形成されたソース・ドレイン領域１６に達す
るコンタクトホールを開口する。
【００８１】次に、チタン膜及びアルミニウム・ジルコ
ニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッチ
ングにより所定の形状にパターニングしてソース電極お
よびドレイン電極（以下、これらを合わせて「ソース・
ドレイン電極」という。）２２を形成する。
ニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッチ
ングにより所定の形状にパターニングしてソース電極お
よびドレイン電極（以下、これらを合わせて「ソース・
ドレイン電極」という。）２２を形成する。
【００８２】以上のプロセスにより、ｎ型ＴＦＴが完成
する。ｐ型ＴＦＴが必要な場合には、フォトリソグラフ
ィ工程とＢドーピング工程とを追加すればよい。
する。ｐ型ＴＦＴが必要な場合には、フォトリソグラフ
ィ工程とＢドーピング工程とを追加すればよい。
【００８３】なお、従来においては、非晶質シリコン層
を半導体層にしており、移動度は約１ｃｍ2／ＶＳ（１
×１０4ｍ2／ＶＳ）程度であるため、画素のスイッチン
グを行なうためのＴＦＴだけをガラス基板１４上に形成
し、駆動回路を含む画像ドライバＩＣはＴＡＢ方式によ
って又はガラス基板１４に直接貼り付けることによって
実装している。
を半導体層にしており、移動度は約１ｃｍ2／ＶＳ（１
×１０4ｍ2／ＶＳ）程度であるため、画素のスイッチン
グを行なうためのＴＦＴだけをガラス基板１４上に形成
し、駆動回路を含む画像ドライバＩＣはＴＡＢ方式によ
って又はガラス基板１４に直接貼り付けることによって
実装している。
【００８４】しかし、図５に示すように多結晶シリコン
層を半導体層として用いると、移動度を大幅に向上でき
るため（例えば１００ｃｍ2／ＶＳ（１×１０6ｍ2／Ｖ
Ｓ））、図５の例では、駆動回路を構成するＣＭＯＳト
ランジスタ（図示せず）についても、ガラス基板１４上
の画像表示部を構成するＴＦＴの周辺に形成している。
また、画像表示ドライバＩＣを構成するトランジスタと
画像表示用のＴＦＴとは構造において略同一であるた
め、これらは同一の工程によって同時に形成することが
可能である。
層を半導体層として用いると、移動度を大幅に向上でき
るため（例えば１００ｃｍ2／ＶＳ（１×１０6ｍ2／Ｖ
Ｓ））、図５の例では、駆動回路を構成するＣＭＯＳト
ランジスタ（図示せず）についても、ガラス基板１４上
の画像表示部を構成するＴＦＴの周辺に形成している。
また、画像表示ドライバＩＣを構成するトランジスタと
画像表示用のＴＦＴとは構造において略同一であるた
め、これらは同一の工程によって同時に形成することが
可能である。
【００８５】次に、層間絶縁膜となるシリコン酸化膜２
０ａ、ポリイミド樹脂による平坦化膜２９、透明電極２
８、配向膜２７を順に形成することでアレイ基板が完成
する。
０ａ、ポリイミド樹脂による平坦化膜２９、透明電極２
８、配向膜２７を順に形成することでアレイ基板が完成
する。
【００８６】一方、対向基板は、絶縁基板である例えば
コーニング社の品番１７３７のガラス基板を用い、これ
をガラス基板２５として、その一方の面に、カラーフィ
ルタ２６、ＩＴＯなどの透明導電膜で形成された対向電
極２４、配向膜２７を形成することによって完成する。
コーニング社の品番１７３７のガラス基板を用い、これ
をガラス基板２５として、その一方の面に、カラーフィ
ルタ２６、ＩＴＯなどの透明導電膜で形成された対向電
極２４、配向膜２７を形成することによって完成する。
【００８７】その後、この得られたアレイ基板と対向基
板との間に液晶３０を封入することにより、画像表示部
が完成する。
板との間に液晶３０を封入することにより、画像表示部
が完成する。
【００８８】次に、本実施の形態１にかかる画像表示装
置の製造方法について、受光素子がアレイ基板上にＴＦ
Ｔと共に形成された例に基づいて説明する。図６は、受
光素子がアレイ基板上に形成された画像表示装置を示す
断面図である。
置の製造方法について、受光素子がアレイ基板上にＴＦ
Ｔと共に形成された例に基づいて説明する。図６は、受
光素子がアレイ基板上に形成された画像表示装置を示す
断面図である。
【００８９】図６に示す画像表示装置も図５に示す画像
表示装置と同様の液晶表示装置である。図６に示す画像
表示装置において、ＴＦＴ及び対向基板は図５に示すも
のと同様であり、同様の工程で形成されている。よっ
て、以下に受光素子の製造工程について説明する。
表示装置と同様の液晶表示装置である。図６に示す画像
表示装置において、ＴＦＴ及び対向基板は図５に示すも
のと同様であり、同様の工程で形成されている。よっ
て、以下に受光素子の製造工程について説明する。
【００９０】図６に示すように、最初にガラス基板１４
の上に下地膜１５を形成する。次いで、結晶ポリシリコ
ン膜を形成し、高濃度のリンを注入してＮ型領域１６を
形成する。この下地膜１５とＮ型領域１６は画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
の上に下地膜１５を形成する。次いで、結晶ポリシリコ
ン膜を形成し、高濃度のリンを注入してＮ型領域１６を
形成する。この下地膜１５とＮ型領域１６は画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
【００９１】次に、原料ガスとしてシランにジボランを
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、ｐ＋の多結晶シリコン膜を膜厚７０ｎｍで成膜す
る。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り、このｐ＋多結晶シリコン膜の一部を除去してＰ型領
域６１を形成する。
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、ｐ＋の多結晶シリコン膜を膜厚７０ｎｍで成膜す
る。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り、このｐ＋多結晶シリコン膜の一部を除去してＰ型領
域６１を形成する。
【００９２】更に、保護用絶縁膜となるシリコン酸化膜
２０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイ
オンの活性化のために、窒素雰囲気中の５５０℃でアニ
ールを行なう。このシリコン酸化膜２０ｂも画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
２０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイ
オンの活性化のために、窒素雰囲気中の５５０℃でアニ
ールを行なう。このシリコン酸化膜２０ｂも画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
【００９３】次に、フォトリソグラフィ及びエッチング
により、シリコン酸化膜２０ｂに、Ｎ型領域１６に達す
るコンタクトホールと、Ｐ型領域６１に達するコンタク
トホールとを形成する。
により、シリコン酸化膜２０ｂに、Ｎ型領域１６に達す
るコンタクトホールと、Ｐ型領域６１に達するコンタク
トホールとを形成する。
【００９４】その後、チタン膜及びアルミニウム・ジル
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６０ａとアノード電極６０ｂとを形成する。なお、
カソード電極６０ａ及びアノード電極６０ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６０ａとアノード電極６０ｂとを形成する。なお、
カソード電極６０ａ及びアノード電極６０ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
【００９５】以上のプロセスにより、受光素子（ＰＮ型
フォトダイオード）が完成する。また、図６の例でも、
図５の例と同様に、駆動回路を構成するトランジスタ
は、ガラス基板１４上に画像表示用のＴＦＴと同一の工
程により同時に形成されている。
フォトダイオード）が完成する。また、図６の例でも、
図５の例と同様に、駆動回路を構成するトランジスタ
は、ガラス基板１４上に画像表示用のＴＦＴと同一の工
程により同時に形成されている。
【００９６】また、図１４は、図６に示す画像表示装置
がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１４に
示す画像表示装置においても、図６と同様にガラス基板
１４上に画素用ＴＦＴと受光素子とが形成されている。
しかし、図１４に示す画像表示装置はＥＬ表示装置であ
るため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成
が、図６で示した画像表示装置と異なっている。
がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１４に
示す画像表示装置においても、図６と同様にガラス基板
１４上に画素用ＴＦＴと受光素子とが形成されている。
しかし、図１４に示す画像表示装置はＥＬ表示装置であ
るため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成
が、図６で示した画像表示装置と異なっている。
【００９７】先ず、上記の異なる部分の製造工程につい
て説明する。最初に、アレイ基板上に、ＴＦＴのドレイ
ン電極２２と接続する透明電極となるＩＴＯ電極７１を
形成する。ＩＴＯ電極の形成は図６に示した液晶表示装
置の場合と同様に行なう。その後、フォトリソグラフィ
によって、ＩＴＯ電極のパターン間を樹脂ブラックレジ
ストで埋めて光遮断層７２を形成する。
て説明する。最初に、アレイ基板上に、ＴＦＴのドレイ
ン電極２２と接続する透明電極となるＩＴＯ電極７１を
形成する。ＩＴＯ電極の形成は図６に示した液晶表示装
置の場合と同様に行なう。その後、フォトリソグラフィ
によって、ＩＴＯ電極のパターン間を樹脂ブラックレジ
ストで埋めて光遮断層７２を形成する。
【００９８】次に、例えばインクジェットプリント装置
を用いて、赤、緑、青の発光材料（エレクトロルミネッ
センス材料）をパターン状に塗布して、発光層７３を形
成する。その後、発光層７３の上に、ポリビニルカルバ
ゾールを真空蒸着して正孔注入層７４を形成する。
を用いて、赤、緑、青の発光材料（エレクトロルミネッ
センス材料）をパターン状に塗布して、発光層７３を形
成する。その後、発光層７３の上に、ポリビニルカルバ
ゾールを真空蒸着して正孔注入層７４を形成する。
【００９９】次に、例えばアルミニウムキノリノール錯
体７５を形成し、その上に、例えば、アルミニウムで反
射画素電極７６を形成する。以上の工程により、エレク
トロルミネッセンス表示装置が完成する。
体７５を形成し、その上に、例えば、アルミニウムで反
射画素電極７６を形成する。以上の工程により、エレク
トロルミネッセンス表示装置が完成する。
【０１００】図１４に示すＥＬ表示装置においては、Ｔ
ＦＴがＯＮ状態となるように走査線にパルス信号を与え
ると同時に、信号線に表示信号を印加すると、ＴＦＴが
ＯＮ状態となって電流供給線から電流が流れ、エレクト
ロルミネッセンスセルが発光する。
ＦＴがＯＮ状態となるように走査線にパルス信号を与え
ると同時に、信号線に表示信号を印加すると、ＴＦＴが
ＯＮ状態となって電流供給線から電流が流れ、エレクト
ロルミネッセンスセルが発光する。
【０１０１】なお、本実施の形態１においては、エレク
トロルミネッセンス材料として、ポリジアルキルフルオ
レン誘導体を用いたが、これに限定されるものではな
い。エレクトロルミネッセンス材料としては、他の有機
材料、例えば、他のポリフルオレン系材料やポリフェニ
ルビニレン系の材料、無機材料等が挙げられる。
トロルミネッセンス材料として、ポリジアルキルフルオ
レン誘導体を用いたが、これに限定されるものではな
い。エレクトロルミネッセンス材料としては、他の有機
材料、例えば、他のポリフルオレン系材料やポリフェニ
ルビニレン系の材料、無機材料等が挙げられる。
【０１０２】また、エレクトロルミネッセンス材料によ
る発光層７３の形成は、上記に示したインクジェットに
よる吐出形成に限定されるものではなく、スピンコート
等の塗布による形成や、蒸着による形成であっても良
い。
る発光層７３の形成は、上記に示したインクジェットに
よる吐出形成に限定されるものではなく、スピンコート
等の塗布による形成や、蒸着による形成であっても良
い。
【０１０３】このように、本実施の形態１にかかる画像
表示装置の製造方法によれば、共通のガラス基板上に、
画像表示用のＴＦＴの一部と、駆動回路を構成するトラ
ンジスタの一部と、受光素子の一部とを同時に形成する
ことができる。よって、受光素子を別のチップとして接
続する場合と比較して、接続不良を少なくすることが
可能、設置面積が小さくてすむため小型化が可能、
受光素子の接続のためのコストの低減が可能といった効
果を得ることができる。
表示装置の製造方法によれば、共通のガラス基板上に、
画像表示用のＴＦＴの一部と、駆動回路を構成するトラ
ンジスタの一部と、受光素子の一部とを同時に形成する
ことができる。よって、受光素子を別のチップとして接
続する場合と比較して、接続不良を少なくすることが
可能、設置面積が小さくてすむため小型化が可能、
受光素子の接続のためのコストの低減が可能といった効
果を得ることができる。
【０１０４】本実施の形態１においては、上記したよう
に、周辺基板と画像表示ドライバＩＣとの間で、発光素
子と受光素子とによる光送受信を行なっている。但し、
これに限定されず、発光素子と受光素子の代わりに電磁
石等を用い、磁気によって信号の送受信を行なう構成と
することもできる。この場合も光送受信と同様に、接続
配線を減少させることができる。
に、周辺基板と画像表示ドライバＩＣとの間で、発光素
子と受光素子とによる光送受信を行なっている。但し、
これに限定されず、発光素子と受光素子の代わりに電磁
石等を用い、磁気によって信号の送受信を行なう構成と
することもできる。この場合も光送受信と同様に、接続
配線を減少させることができる。
【０１０５】また、発光素子と受光素子の代わりに電波
を発信する発信素子と電波を受信する受信素子とを用
い、電波によって信号の送受信を行なう構成とすること
もできる。この場合も光送受信と同様に接続配線を減少
させることができる。更に、電波による信号の送受信を
行なった場合は、信号の伝達距離が長いという利点や、
遮蔽物があっても信号が伝達されるという利点もある。
を発信する発信素子と電波を受信する受信素子とを用
い、電波によって信号の送受信を行なう構成とすること
もできる。この場合も光送受信と同様に接続配線を減少
させることができる。更に、電波による信号の送受信を
行なった場合は、信号の伝達距離が長いという利点や、
遮蔽物があっても信号が伝達されるという利点もある。
【０１０６】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図７〜図１１及び図１５に基づ
いて説明する。図７〜図１１は本実施の形態２にかかる
画像表示装置が液晶表示装置である例について示してお
り、図１５は本実施の形態１にかかる画像表示装置がＥ
Ｌ表示装置である例について示している。
態２にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図７〜図１１及び図１５に基づ
いて説明する。図７〜図１１は本実施の形態２にかかる
画像表示装置が液晶表示装置である例について示してお
り、図１５は本実施の形態１にかかる画像表示装置がＥ
Ｌ表示装置である例について示している。
【０１０７】図７は、実施の形態２にかかる画像表示装
置の側面を示す図である。図８は、実施の形態２にかか
る画像表示装置の上面を示す図である。
置の側面を示す図である。図８は、実施の形態２にかか
る画像表示装置の上面を示す図である。
【０１０８】本実施の形態２にかかる画像表示装置も実
施の形態１と同様の液晶表示装置である。図７及び図８
に示すように、本実施の形態２にかかる画像表示装置に
おいても、実施の形態１と同様に、駆動回路を含む画像
表示ドライバＩＣ３はアレイ基板１にＣＯＧ実装されて
おり、画像表示ドライバＩＣ３は発光素子３を有し、周
辺基板５は発光素子７を有している。
施の形態１と同様の液晶表示装置である。図７及び図８
に示すように、本実施の形態２にかかる画像表示装置に
おいても、実施の形態１と同様に、駆動回路を含む画像
表示ドライバＩＣ３はアレイ基板１にＣＯＧ実装されて
おり、画像表示ドライバＩＣ３は発光素子３を有し、周
辺基板５は発光素子７を有している。
【０１０９】本実施の形態２にかかる画像表示装置は、
画像表示部にタブレットが形成されている点、画像ドラ
イバＩＣ３が発光素子３１を有している点、及び周辺基
板５が受光素子３２を有している点で、実施の形態１に
かかる画像表示装置と異なっており、それ以外の点は実
施の形態１にかかる画像表示装置と同様に構成されてい
る。本実施の形態２にかかる画像表示装置のアレイ基板
１及び対向基板２は図６で示したアレイ基板及び対向基
板と同様に構成されている。
画像表示部にタブレットが形成されている点、画像ドラ
イバＩＣ３が発光素子３１を有している点、及び周辺基
板５が受光素子３２を有している点で、実施の形態１に
かかる画像表示装置と異なっており、それ以外の点は実
施の形態１にかかる画像表示装置と同様に構成されてい
る。本実施の形態２にかかる画像表示装置のアレイ基板
１及び対向基板２は図６で示したアレイ基板及び対向基
板と同様に構成されている。
【０１１０】このため、本実施の形態２にかかる画像表
示装置では、画像表示ドライバＩＣ３から送信された光
信号、例えばタブレット位置情報、信号同期情報及び周
辺輝度情報うち少なくとも一つを含む光信号を周辺基板
５に送信することができる。本実施の形態２において、
発光素子３１と受光素子３２との位置決めも、発光素子
７と受光素子８との位置決めと同様に、光信号伝送でき
るように行なわれている。
示装置では、画像表示ドライバＩＣ３から送信された光
信号、例えばタブレット位置情報、信号同期情報及び周
辺輝度情報うち少なくとも一つを含む光信号を周辺基板
５に送信することができる。本実施の形態２において、
発光素子３１と受光素子３２との位置決めも、発光素子
７と受光素子８との位置決めと同様に、光信号伝送でき
るように行なわれている。
【０１１１】また、発光素子７と受光素子８との場合と
同様に、データビット数に対して少ない光伝送経路での
信号送受信を実現するため、画像表示ドライバ３内には
並列直列変換回路（図示せず）が設けられ、周辺基板５
上には直列並列変換回路が設けられている。また、光伝
送には変調光を用いている。
同様に、データビット数に対して少ない光伝送経路での
信号送受信を実現するため、画像表示ドライバ３内には
並列直列変換回路（図示せず）が設けられ、周辺基板５
上には直列並列変換回路が設けられている。また、光伝
送には変調光を用いている。
【０１１２】よって、画像表示ドライバＩＣ３から周辺
基板５に信号を送信する必要のある画像表示装置に、本
実施の形態２にかかる画像表示装置を適用すれば、信号
配線の増加を抑制でき、又信号送信の信頼性の向上を図
ることができ、高速伝送が可能となる。
基板５に信号を送信する必要のある画像表示装置に、本
実施の形態２にかかる画像表示装置を適用すれば、信号
配線の増加を抑制でき、又信号送信の信頼性の向上を図
ることができ、高速伝送が可能となる。
【０１１３】図８に示すように、各画像表示ドライバＩ
Ｃ３それぞれに受光素子８に加えて発光素子３１が一つ
ずつ設けられている。各画像表示ドライバＩＣ３は、駆
動する信号ラインに相当する画像信号及び制御信号を受
信し、又駆動する信号ラインに相当するタブレット情
報、信号同期情報及び周辺輝度情報を送信する。
Ｃ３それぞれに受光素子８に加えて発光素子３１が一つ
ずつ設けられている。各画像表示ドライバＩＣ３は、駆
動する信号ラインに相当する画像信号及び制御信号を受
信し、又駆動する信号ラインに相当するタブレット情
報、信号同期情報及び周辺輝度情報を送信する。
【０１１４】また、本実施の形態２においては、画像表
示ドライバ３の一部又は一つの画像表示ドライバＩＣ３
にのみ受光素子８及び受光素子３１を形成しても良い。
この場合、実施の形態１と同様に、一つの受光素子８に
よって、全て又は複数の画像表示ドライバＩＣ３が駆動
する信号ラインに相当する画像信号及び制御信号を一括
して受信でき、受光素子８が形成されていない画像表示
ドライバＩＣ３へ信号を伝達する構成とすることが可能
である。
示ドライバ３の一部又は一つの画像表示ドライバＩＣ３
にのみ受光素子８及び受光素子３１を形成しても良い。
この場合、実施の形態１と同様に、一つの受光素子８に
よって、全て又は複数の画像表示ドライバＩＣ３が駆動
する信号ラインに相当する画像信号及び制御信号を一括
して受信でき、受光素子８が形成されていない画像表示
ドライバＩＣ３へ信号を伝達する構成とすることが可能
である。
【０１１５】更に、この場合、全て又は複数の画像表示
ドライバＩＣ３が駆動する信号ラインに相当するタブレ
ット情報、信号同期情報及び周辺輝度情報を、一つの発
光素子によって一括して送信でき、発光素子３１が形成
されていない画像表示ドライバＩＣ３の信号も周辺基板
５に伝達できる。
ドライバＩＣ３が駆動する信号ラインに相当するタブレ
ット情報、信号同期情報及び周辺輝度情報を、一つの発
光素子によって一括して送信でき、発光素子３１が形成
されていない画像表示ドライバＩＣ３の信号も周辺基板
５に伝達できる。
【０１１６】本実施の形態２においても、実施の形態１
と同様に、画像表示ドライバＩＣ３は、トランジスタ等
や受光素子８、発光素子３１が形成された面がアレイ基
板１を向くように実装されている。また、アレイ基板１
と周辺基板５とは接着剤によって接着されている。
と同様に、画像表示ドライバＩＣ３は、トランジスタ等
や受光素子８、発光素子３１が形成された面がアレイ基
板１を向くように実装されている。また、アレイ基板１
と周辺基板５とは接着剤によって接着されている。
【０１１７】このように、本実施の形態２においても、
周辺基板５とアレイ基板１との間で電気的な接続が必要
なのは電源供給ラインのみであり、周辺基板５とアレイ
基板１との間の接続点数を大幅に減少することができ
る。
周辺基板５とアレイ基板１との間で電気的な接続が必要
なのは電源供給ラインのみであり、周辺基板５とアレイ
基板１との間の接続点数を大幅に減少することができ
る。
【０１１８】従って、本実施の形態２にかかる画像表示
装置及び画像表示ドライバＩＣを用いることによって
も、接続信頼性及び歩留まりの向上を図ることができ、
そのため返品率を減少できる。また、接続の簡素化によ
ってコストの削減を図ることができ、更に、不要輻射
（ＥＭＳ，ＥＭＩ）の低減を図ることができるので、画
質を安定化でき、また他の機器への悪影響を減少するこ
とができる。
装置及び画像表示ドライバＩＣを用いることによって
も、接続信頼性及び歩留まりの向上を図ることができ、
そのため返品率を減少できる。また、接続の簡素化によ
ってコストの削減を図ることができ、更に、不要輻射
（ＥＭＳ，ＥＭＩ）の低減を図ることができるので、画
質を安定化でき、また他の機器への悪影響を減少するこ
とができる。
【０１１９】本実施の形態２において、受光素子８は、
実施の形態１と同様にして形成することができる。本実
施の形態２において、発光素子３１としては、画像表示
ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別個に作製した単体
の発光素子を用いることができる。この場合、発光素子
３１は、アレイ基板１上に画像表示ドライバＩＣ３とは
別に実装しても良いし、画像表示ドライバＩＣ３と一緒
にパッケージしても良い。後者の場合は、画像表示ドラ
イバＩＣ３と発光素子８とで一つのＩＣパッケージが形
成される。
実施の形態１と同様にして形成することができる。本実
施の形態２において、発光素子３１としては、画像表示
ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別個に作製した単体
の発光素子を用いることができる。この場合、発光素子
３１は、アレイ基板１上に画像表示ドライバＩＣ３とは
別に実装しても良いし、画像表示ドライバＩＣ３と一緒
にパッケージしても良い。後者の場合は、画像表示ドラ
イバＩＣ３と発光素子８とで一つのＩＣパッケージが形
成される。
【０１２０】但し、ＣＯＧ実装される部品点数の低減の
点からは、発光素子３１は、画素ドライバＩＣ３を形成
するためのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成
するトランジスタと共に形成（モノリシックに形成）す
るのが好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラ
ス基板上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
点からは、発光素子３１は、画素ドライバＩＣ３を形成
するためのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成
するトランジスタと共に形成（モノリシックに形成）す
るのが好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラ
ス基板上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
【０１２１】前者の場合、発光素子３１と画像表示ドラ
イバＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチッ
プが形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減
できる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するた
めのガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、
受光素子８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成で
きるので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減でき
る。
イバＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチッ
プが形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減
できる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するた
めのガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、
受光素子８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成で
きるので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減でき
る。
【０１２２】図９は発光素子の一例を示す断面図であ
る。図９に示す発光素子は画像表示ドライバＩＣやアレ
イ基板とは別個に作成されている。図９に基づいて発光
素子及びその形成方法について説明する。
る。図９に示す発光素子は画像表示ドライバＩＣやアレ
イ基板とは別個に作成されている。図９に基づいて発光
素子及びその形成方法について説明する。
【０１２３】最初に、ｐ型シリコン基板１１の表面（図
中上面）にＣＶＤ装置を用いて酸化膜３４を成膜する。
次に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより酸化膜
３４の一部を除去し、レーザアブレーション法により、
シリコン超微粒子膜３５を成膜する。
中上面）にＣＶＤ装置を用いて酸化膜３４を成膜する。
次に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより酸化膜
３４の一部を除去し、レーザアブレーション法により、
シリコン超微粒子膜３５を成膜する。
【０１２４】次いで、シリコン超微粒子膜３５をフォト
リソグラフィ及びエッチングによりパターン形成する。
その後、ＩＴＯ電極２８を成膜する。更に、ｐ型シリコ
ン基板１１の裏面にアルミニウム電極１２を成膜する。
以上の工程により、図９に示す発光素子が完成する。図
９に示す発光素子はＥＬ発光素子（ＬＥＤ）である。
リソグラフィ及びエッチングによりパターン形成する。
その後、ＩＴＯ電極２８を成膜する。更に、ｐ型シリコ
ン基板１１の裏面にアルミニウム電極１２を成膜する。
以上の工程により、図９に示す発光素子が完成する。図
９に示す発光素子はＥＬ発光素子（ＬＥＤ）である。
【０１２５】図１０は、発光素子が画像表示ドライバＩ
Ｃの基板上に形成された例を示す断面図である。図１０
に基づいて、発光素子及び画像表示ドライバＩＣを構成
するトランジスタ、これらの製造工程について説明す
る。
Ｃの基板上に形成された例を示す断面図である。図１０
に基づいて、発光素子及び画像表示ドライバＩＣを構成
するトランジスタ、これらの製造工程について説明す
る。
【０１２６】図１０に示すトランジスタは、図４で示し
たトランジスタと同様のものであり、図４で示した製造
工程によって形成されている。図１０において、５０は
ｐ型シリコン基板、５１はシリコン酸化膜、５２は熱酸
化膜、５６ａはソース電極、５６ｂはドレイン電極、５
７は高濃度注入領域（ｎ＋）、５８は低濃度注入領域
（ｎ−）、５９はゲート電極である。
たトランジスタと同様のものであり、図４で示した製造
工程によって形成されている。図１０において、５０は
ｐ型シリコン基板、５１はシリコン酸化膜、５２は熱酸
化膜、５６ａはソース電極、５６ｂはドレイン電極、５
７は高濃度注入領域（ｎ＋）、５８は低濃度注入領域
（ｎ−）、５９はゲート電極である。
【０１２７】次に、発光素子について説明する。先ず、
図１０に示すように、ｐ型シリコン基板５０の上に、水
蒸気中でアニールを行なって熱酸化膜５２を形成する。
更に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、発光
部となる部分の周辺保護部分以外の熱酸化膜を除去す
る。
図１０に示すように、ｐ型シリコン基板５０の上に、水
蒸気中でアニールを行なって熱酸化膜５２を形成する。
更に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、発光
部となる部分の周辺保護部分以外の熱酸化膜を除去す
る。
【０１２８】次いで、レーザアブレーション法により、
厚み７０ｎｍのシリコン超微粒子膜５４を成膜する。具
体的には、ｎ＋シリコン基板を設置し、その上に孔を設
けてパターンニングしたマスクを設置して、ｎ＋シリコ
ン基板に対して強強度でレーザ光を照射し、ｎ＋シリコ
ン基板を飛散させ、シリコン超微粒子膜５４を成膜す
る。
厚み７０ｎｍのシリコン超微粒子膜５４を成膜する。具
体的には、ｎ＋シリコン基板を設置し、その上に孔を設
けてパターンニングしたマスクを設置して、ｎ＋シリコ
ン基板に対して強強度でレーザ光を照射し、ｎ＋シリコ
ン基板を飛散させ、シリコン超微粒子膜５４を成膜す
る。
【０１２９】更に、スパッタによりＩＴＯ膜５５を成膜
し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、発光部
の上面となる部分以外を除去する。その後、ＴＥＯＳ−
ＣＶＤ装置により、保護膜となるシリコン酸化膜５１を
成膜する。
し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、発光部
の上面となる部分以外を除去する。その後、ＴＥＯＳ−
ＣＶＤ装置により、保護膜となるシリコン酸化膜５１を
成膜する。
【０１３０】次に、フォトリソグラフィ、エッチングに
より、シリコン酸化膜５１にコンタクトホールを形成す
る。次いで、電極となるチタン膜及びアルミニウム膜を
成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、
アノード電極５３ａ及びカソード電極５３ｂとなる部分
以外のチタン膜及びアルミニウム膜を除去する。これに
より、発光素子が完成する。以上のプロセスにより、発
光素子（ＬＥＤ）が完成する。
より、シリコン酸化膜５１にコンタクトホールを形成す
る。次いで、電極となるチタン膜及びアルミニウム膜を
成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、
アノード電極５３ａ及びカソード電極５３ｂとなる部分
以外のチタン膜及びアルミニウム膜を除去する。これに
より、発光素子が完成する。以上のプロセスにより、発
光素子（ＬＥＤ）が完成する。
【０１３１】このように、図１０の例では、トランジス
タと発光素子とが同一のｐ型シリコン基板５０上に形成
される。また、図１０において、シリコン酸化膜５１、
熱酸化膜５２及び電極（５３ａ、５３ｂ、５６ａ、５６
ｂ）の形成は、トランジスタと発光素子の両方において
同一工程によって同時におこなわれている。
タと発光素子とが同一のｐ型シリコン基板５０上に形成
される。また、図１０において、シリコン酸化膜５１、
熱酸化膜５２及び電極（５３ａ、５３ｂ、５６ａ、５６
ｂ）の形成は、トランジスタと発光素子の両方において
同一工程によって同時におこなわれている。
【０１３２】このため、発光素子の形成においても、発
光素子の形成は、通常の画像表示ドライバＩＣの工程と
同時に処理されるので、画像表示ドライバＩＣの製造に
おける工程数は増加しないと言える。また、発光素子と
画像表示ドライバＩＣとの接続信頼性の向上を図ること
ができる。なお、本実施の形態２では、発光素子として
ＬＥＤを形成しているが、発光素子はこれに限定される
ものではない。本発明において発光素子は、他の材料、
例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ等を用いたＬＥＤであっても良
い。
光素子の形成は、通常の画像表示ドライバＩＣの工程と
同時に処理されるので、画像表示ドライバＩＣの製造に
おける工程数は増加しないと言える。また、発光素子と
画像表示ドライバＩＣとの接続信頼性の向上を図ること
ができる。なお、本実施の形態２では、発光素子として
ＬＥＤを形成しているが、発光素子はこれに限定される
ものではない。本発明において発光素子は、他の材料、
例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ等を用いたＬＥＤであっても良
い。
【０１３３】次に、本実施の形態２にかかる画像表示装
置の製造方法について、発光素子がアレイ基板上にＴＦ
Ｔと共に形成された例に基づいて説明する。図１１は、
発光素子がアレイ基板上に形成された画像表示装置を示
す断面図である。
置の製造方法について、発光素子がアレイ基板上にＴＦ
Ｔと共に形成された例に基づいて説明する。図１１は、
発光素子がアレイ基板上に形成された画像表示装置を示
す断面図である。
【０１３４】図１１に示す画像表示装置も図５に示す画
像表示装置と同様の液晶表示装置である。図１１に示す
画像表示装置において、ＴＦＴ及び対向基板は図５に示
すものと同様であり、同様の工程で形成されている。以
下に発光素子の製造工程について説明する。
像表示装置と同様の液晶表示装置である。図１１に示す
画像表示装置において、ＴＦＴ及び対向基板は図５に示
すものと同様であり、同様の工程で形成されている。以
下に発光素子の製造工程について説明する。
【０１３５】図１１に示すように、最初にガラス基板１
４の上に下地膜１５を形成する。この下地膜１５は画像
表示部において形成されたものと同様のものであり、同
一工程によって同時に形成されている。
４の上に下地膜１５を形成する。この下地膜１５は画像
表示部において形成されたものと同様のものであり、同
一工程によって同時に形成されている。
【０１３６】次に、スパッタ法により、透明電極６４と
なるＩＴＯ膜を成膜する。次いで、レーザアブレーショ
ン法により、膜厚７０ｎｍのシリコン超微粒子膜６３を
形成する。具体的には、ｎ＋シリコン基板を設置し、ｎ
＋シリコン基板に対して強強度でレーザ光を照射し、ｎ
＋シリコン基板を飛散させてシリコン超微粒子膜（Ｎ型
領域）６３を成膜する。
なるＩＴＯ膜を成膜する。次いで、レーザアブレーショ
ン法により、膜厚７０ｎｍのシリコン超微粒子膜６３を
形成する。具体的には、ｎ＋シリコン基板を設置し、ｎ
＋シリコン基板に対して強強度でレーザ光を照射し、ｎ
＋シリコン基板を飛散させてシリコン超微粒子膜（Ｎ型
領域）６３を成膜する。
【０１３７】更に、原料ガスとしてシランにジボランを
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、膜厚７０ｎｍのｐ＋の多結晶シリコン膜６２（Ｐ型
領域）を成膜し、注入されたイオンの活性化のために、
窒素雰囲気中の５５０℃でアニールを行なう。このシリ
コン酸化膜２０ｂも画像表示部において形成されたもの
と同様のものであり、同一工程によって同時に形成され
ている。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングに
より、ｐ＋多結晶シリコン膜６２及び微粒子シリコン膜
６３の余分な部分を除去する。
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、膜厚７０ｎｍのｐ＋の多結晶シリコン膜６２（Ｐ型
領域）を成膜し、注入されたイオンの活性化のために、
窒素雰囲気中の５５０℃でアニールを行なう。このシリ
コン酸化膜２０ｂも画像表示部において形成されたもの
と同様のものであり、同一工程によって同時に形成され
ている。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングに
より、ｐ＋多結晶シリコン膜６２及び微粒子シリコン膜
６３の余分な部分を除去する。
【０１３８】次に、フォトリソグラフィ及びエッチング
により、シリコン酸化膜２０ｂに、透明電極６４に達す
るコンタクトホールと、ｐ＋多結晶シリコン膜６２に達
するコンタクトホールとを形成する。
により、シリコン酸化膜２０ｂに、透明電極６４に達す
るコンタクトホールと、ｐ＋多結晶シリコン膜６２に達
するコンタクトホールとを形成する。
【０１３９】その後、チタン膜及びアルミニウム・ジル
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６０ａとアノード電極６０ｂとを形成する。なお、
カソード電極６０ａ及びアノード電極６０ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６０ａとアノード電極６０ｂとを形成する。なお、
カソード電極６０ａ及びアノード電極６０ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
【０１４０】以上のプロセスにより、発光素子（ＬＥ
Ｄ）が完成する。また、図１０の例でも、図５の例と同
様に、駆動回路を構成するＣＭＯＳトランジスタは、ガ
ラス基板１４上に画像表示用のＴＦＴと同一の工程によ
り同時に形成されている。
Ｄ）が完成する。また、図１０の例でも、図５の例と同
様に、駆動回路を構成するＣＭＯＳトランジスタは、ガ
ラス基板１４上に画像表示用のＴＦＴと同一の工程によ
り同時に形成されている。
【０１４１】また、図１５は、図１１に示す画像表示装
置がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１５
に示す画像表示装置においても、図１１と同様にガラス
基板１４上に画素用ＴＦＴと発光素子とが形成されてい
る。しかし、図１５に示す画像表示装置はＥＬ表示装置
であるため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構
成が、図１１で示した画像表示装置と異なっている。画
素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成は図１４で示
した構成と同様である。
置がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１５
に示す画像表示装置においても、図１１と同様にガラス
基板１４上に画素用ＴＦＴと発光素子とが形成されてい
る。しかし、図１５に示す画像表示装置はＥＬ表示装置
であるため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構
成が、図１１で示した画像表示装置と異なっている。画
素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成は図１４で示
した構成と同様である。
【０１４２】このように、本実施の形態２にかかる画像
表示装置の製造方法によれば、共通のガラス基板上に、
画像表示用のＴＦＴの一部と、駆動回路を構成するトラ
ンジスタの一部と、発光素子の一部とを同時に形成する
ことができる。よって、発光素子を別のチップとして接
続する場合と比較して、接続不良を少なくすることが
可能、設置面積が小さくてすむため小型化が可能、
発光素子の接続のためのコストの低減が可能といった効
果を得ることができる。
表示装置の製造方法によれば、共通のガラス基板上に、
画像表示用のＴＦＴの一部と、駆動回路を構成するトラ
ンジスタの一部と、発光素子の一部とを同時に形成する
ことができる。よって、発光素子を別のチップとして接
続する場合と比較して、接続不良を少なくすることが
可能、設置面積が小さくてすむため小型化が可能、
発光素子の接続のためのコストの低減が可能といった効
果を得ることができる。
【０１４３】また、本実施の形態２においても、実施の
形態１と同様に、発光素子と受光素子の代わりに電磁石
等を用いて、磁気信号による送受信を行なう構成とする
ことができ、又電波を発信する発信素子と電波を受信す
る受信素子とを用いて、電波信号による送受信を行なう
構成とすることができる。
形態１と同様に、発光素子と受光素子の代わりに電磁石
等を用いて、磁気信号による送受信を行なう構成とする
ことができ、又電波を発信する発信素子と電波を受信す
る受信素子とを用いて、電波信号による送受信を行なう
構成とすることができる。
【０１４４】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図１２及び図１３に基づいて説
明する。図１２は、実施の形態３にかかる画像表示装置
の上面を示す図である。
態３にかかる画像表示装置、その製造方法及び画像表示
ドライバＩＣについて、図１２及び図１３に基づいて説
明する。図１２は、実施の形態３にかかる画像表示装置
の上面を示す図である。
【０１４５】図１２に示すように、本実施の形態３にか
かる画像表示装置は、実施の形態１と同様のアレイ基板
１及び対向基板２を有しているが、周辺基板（図示せ
ず）に電波信号を発信する発信素子（図示せず）が取り
付けられ、画像表示ドライバＩＣ３が電波信号を受信す
る受信素子３８を有している点で実施の形態１と異なっ
ている。また、アレイ基板１上にアモルファスシリコン
又はポリシリコンを受光層とする太陽電池３６が形成さ
れている点でも異なっている。
かる画像表示装置は、実施の形態１と同様のアレイ基板
１及び対向基板２を有しているが、周辺基板（図示せ
ず）に電波信号を発信する発信素子（図示せず）が取り
付けられ、画像表示ドライバＩＣ３が電波信号を受信す
る受信素子３８を有している点で実施の形態１と異なっ
ている。また、アレイ基板１上にアモルファスシリコン
又はポリシリコンを受光層とする太陽電池３６が形成さ
れている点でも異なっている。
【０１４６】実施の形態３にかかる画像表示装置におい
ては、太陽電池３６により画像表示部が駆動されてい
る。また、本実施の形態３にかかる画像表示装置には、
充電可能な二次電池３７が備えられている。二次電池３
７は太陽電池３６によって充電され、画像表示部への電
力供給の安定化を図っている。
ては、太陽電池３６により画像表示部が駆動されてい
る。また、本実施の形態３にかかる画像表示装置には、
充電可能な二次電池３７が備えられている。二次電池３
７は太陽電池３６によって充電され、画像表示部への電
力供給の安定化を図っている。
【０１４７】このように、本実施の形態３では、アレイ
基板１に電源が備えられており、又周辺基板と画像表示
ドライバとは電波信号によって送受信を行なっている。
このため、アレイ基板１と対向基板２とを、周辺基板か
ら、即ち画像表示装置から着脱することが可能である。
また、アレイ基板１には太陽電池３８による電源が備え
られているため、アレイ基板１を周辺基板から分離した
状態で画像表示することが可能である。
基板１に電源が備えられており、又周辺基板と画像表示
ドライバとは電波信号によって送受信を行なっている。
このため、アレイ基板１と対向基板２とを、周辺基板か
ら、即ち画像表示装置から着脱することが可能である。
また、アレイ基板１には太陽電池３８による電源が備え
られているため、アレイ基板１を周辺基板から分離した
状態で画像表示することが可能である。
【０１４８】なお、本実施の形態３にかかわらず、実施
の形態１及び２にかかる画像表示装置においても、太陽
電池を備えておくことは可能である。この場合は、実施
の形態１及び２にかかる画像表示装置においても、アレ
イ基板１と対向基板２とを周辺基板から着脱可能な構成
とすることができる。
の形態１及び２にかかる画像表示装置においても、太陽
電池を備えておくことは可能である。この場合は、実施
の形態１及び２にかかる画像表示装置においても、アレ
イ基板１と対向基板２とを周辺基板から着脱可能な構成
とすることができる。
【０１４９】但し、上述のように、実施の形態１及び２
にかかる画像表示装置においては、光信号による送受信
を行なうため、信号の伝達距離が短く、遮蔽物があると
信号が伝達されにくいという問題がある。この点から、
本実施の形態３にかかる画像示装置の方が、着脱可能な
構成に適していると言える。
にかかる画像表示装置においては、光信号による送受信
を行なうため、信号の伝達距離が短く、遮蔽物があると
信号が伝達されにくいという問題がある。この点から、
本実施の形態３にかかる画像示装置の方が、着脱可能な
構成に適していると言える。
【０１５０】太陽電池３８への光の供給は、外光によっ
て行なっても良いし、周辺基板からの光の照射によって
行なっても良い。また、画像表示用に用いるバックライ
トによって照射された光の一部が太陽電池に入射するよ
う設計することも可能である。
て行なっても良いし、周辺基板からの光の照射によって
行なっても良い。また、画像表示用に用いるバックライ
トによって照射された光の一部が太陽電池に入射するよ
う設計することも可能である。
【０１５１】また、本実施の形態３においては、画像表
示ドライバＩＣ３に発信素子３８に加えて発信素子を設
けておくことができ、周辺基板に発信素子に加えて受信
素子を設けておくことができる。この場合は、実施の形
態２と同様に、例えばタブレット位置情報、信号同期情
報及び周辺輝度情報うち少なくとも一つを含む電波信号
を周辺基板に送信することができる。
示ドライバＩＣ３に発信素子３８に加えて発信素子を設
けておくことができ、周辺基板に発信素子に加えて受信
素子を設けておくことができる。この場合は、実施の形
態２と同様に、例えばタブレット位置情報、信号同期情
報及び周辺輝度情報うち少なくとも一つを含む電波信号
を周辺基板に送信することができる。
【０１５２】本実施の形態３では、太陽電池３８は画像
表示部の周辺に形成されているが、これに限定されず、
画像表示部内に形成されていても良い。また、太陽電池
３８は、画像表示ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別
個に作製した単体の太陽電池であっても良い。太陽電池
３８は画像表示ドライバＩＣ３と一緒にパッケージして
も良く、この場合は、画像表示ドライバＩＣ３と太陽電
池３８とで一つのＩＣパッケージが形成される。
表示部の周辺に形成されているが、これに限定されず、
画像表示部内に形成されていても良い。また、太陽電池
３８は、画像表示ドライバＩＣ３やアレイ基板１とは別
個に作製した単体の太陽電池であっても良い。太陽電池
３８は画像表示ドライバＩＣ３と一緒にパッケージして
も良く、この場合は、画像表示ドライバＩＣ３と太陽電
池３８とで一つのＩＣパッケージが形成される。
【０１５３】ＣＯＧ実装される部品点数の低減の点から
は、太陽電池３８は、画素ドライバＩＣ３を形成するた
めのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成するト
ランジスタと共に形成（モノリシックに形成）するのが
好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラス基板
上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
は、太陽電池３８は、画素ドライバＩＣ３を形成するた
めのシリコン基板上に画素ドライバＩＣ３を構成するト
ランジスタと共に形成（モノリシックに形成）するのが
好ましく、又アレイ基板１を形成するためのガラス基板
上に、ＴＦＴと共に形成するのも好ましい。
【０１５４】前者の場合、太陽電池３８と画像表示ドラ
イバＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチッ
プが形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減
できる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するた
めのガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、
太陽電池３８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成
できるので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減でき
る。
イバＩＣ３を構成するトランジスタとで一つのＩＣチッ
プが形成されるので、ＣＯＧ実装される部品点数を低減
できる。また、後者の場合、アレイ基板１を形成するた
めのガラス基板上に駆動回路を形成すれば、駆動回路、
太陽電池３８、及びＴＦＴの全てを同一の基板上に形成
できるので、ＣＯＧ実装される部品点数を更に低減でき
る。
【０１５５】画像表示ドライバＩＣ３を形成するための
シリコン基板上に太陽電池３３を形成する場合は、図４
に示した受光素子の形成工程を受光部の面積が大きくな
るようにして行なえば良い。
シリコン基板上に太陽電池３３を形成する場合は、図４
に示した受光素子の形成工程を受光部の面積が大きくな
るようにして行なえば良い。
【０１５６】次に、太陽電池をアレイ基板上にＴＦＴと
共に形成する例について、図１２〜図１３及び図１６に
基づいて説明する。図１２〜図１３は本実施の形態３に
かかる画像表示装置が液晶表示装置である例について示
しており、図１６は本実施の形態１にかかる画像表示装
置がＥＬ表示装置である例について示している。
共に形成する例について、図１２〜図１３及び図１６に
基づいて説明する。図１２〜図１３は本実施の形態３に
かかる画像表示装置が液晶表示装置である例について示
しており、図１６は本実施の形態１にかかる画像表示装
置がＥＬ表示装置である例について示している。
【０１５７】図１３は、太陽電池がアレイ基板上に形成
された画像表示装置を示す断面図である。図１３に示す
画像表示装置も図５に示す画像表示装置と同様の液晶表
示装置である。図１３に示す画像表示装置において、Ｔ
ＦＴ及び対向基板は図５に示すものと同様であり、同様
の工程で形成されている。以下に太陽電池の製造工程に
ついて説明する。
された画像表示装置を示す断面図である。図１３に示す
画像表示装置も図５に示す画像表示装置と同様の液晶表
示装置である。図１３に示す画像表示装置において、Ｔ
ＦＴ及び対向基板は図５に示すものと同様であり、同様
の工程で形成されている。以下に太陽電池の製造工程に
ついて説明する。
【０１５８】図１３に示すように、最初にガラス基板１
４の上に下地膜１５を形成する。次いで、結晶ポリシリ
コン膜を形成し、高濃度のリンを注入してＮ型領域１６
を形成する。この下地膜１５とＮ型領域１６は画像表示
部において形成されたものと同様のものであり、同一工
程によって同時に形成されている。
４の上に下地膜１５を形成する。次いで、結晶ポリシリ
コン膜を形成し、高濃度のリンを注入してＮ型領域１６
を形成する。この下地膜１５とＮ型領域１６は画像表示
部において形成されたものと同様のものであり、同一工
程によって同時に形成されている。
【０１５９】次に、原料ガスとしてシランにジボランを
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、ｐ＋の多結晶シリコン膜を膜厚７０ｎｍで成膜す
る。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り、このｐ＋多結晶シリコン膜の一部を除去してＰ型領
域６１を形成する。
混合させた混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ装置によっ
て、ｐ＋の多結晶シリコン膜を膜厚７０ｎｍで成膜す
る。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り、このｐ＋多結晶シリコン膜の一部を除去してＰ型領
域６１を形成する。
【０１６０】更に、保護用絶縁膜となるシリコン酸化膜
２０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイ
オンの活性化のために、窒素雰囲気中の５５０℃でアニ
ールを行なう。このシリコン酸化膜２０ｂも画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
２０ｂをＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて成膜し、注入されたイ
オンの活性化のために、窒素雰囲気中の５５０℃でアニ
ールを行なう。このシリコン酸化膜２０ｂも画像表示部
において形成されたものと同様のものであり、同一工程
によって同時に形成されている。
【０１６１】次に、フォトリソグラフィ及びエッチング
により、シリコン酸化膜２０ｂに、Ｎ型領域１６に達す
るコンタクトホールと、Ｐ型領域６１に達するコンタク
トホールとを形成する。なお、受光部の面積が大きくな
るようにするため、コンタクトホールは、図６で示した
発光素子の場合よりもコンタクトホール間の距離が短く
なるように形成されている。
により、シリコン酸化膜２０ｂに、Ｎ型領域１６に達す
るコンタクトホールと、Ｐ型領域６１に達するコンタク
トホールとを形成する。なお、受光部の面積が大きくな
るようにするため、コンタクトホールは、図６で示した
発光素子の場合よりもコンタクトホール間の距離が短く
なるように形成されている。
【０１６２】その後、チタン膜及びアルミニウム・ジル
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６４ａとアノード電極６４ｂとを形成する。なお、
カソード電極６４ａ及びアノード電極６４ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
コニウム合金膜をスパッタリングによって成膜し、エッ
チングにより所定の形状にパターニングして、カソード
電極６４ａとアノード電極６４ｂとを形成する。なお、
カソード電極６４ａ及びアノード電極６４ｂはソース・
ドレイン電極２２と異なる形状を有しているが、ソース
・ドレイン電極２２と同一工程によって同時に形成され
ている。
【０１６３】以上のプロセスにより、太陽電池が完成す
る。また、図１３の例でも、図５の例と同様に、駆動回
路を構成するＣＭＯＳトランジスタは、ガラス基板１４
上に画像表示用のＴＦＴと同一の工程により同時に形成
されている。
る。また、図１３の例でも、図５の例と同様に、駆動回
路を構成するＣＭＯＳトランジスタは、ガラス基板１４
上に画像表示用のＴＦＴと同一の工程により同時に形成
されている。
【０１６４】また、図１６は、図１３に示す画像表示装
置がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１６
に示す画像表示装置においても、図１３と同様にガラス
基板１４上に画素用ＴＦＴと発光素子とが形成されてい
る。しかし、図１６に示す画像表示装置はＥＬ表示装置
であるため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構
成が、図１３で示した画像表示装置と異なっている。画
素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成は図１４で示
した構成と同様である。
置がＥＬ表示装置である例を示す断面図である。図１６
に示す画像表示装置においても、図１３と同様にガラス
基板１４上に画素用ＴＦＴと発光素子とが形成されてい
る。しかし、図１６に示す画像表示装置はＥＬ表示装置
であるため、画素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構
成が、図１３で示した画像表示装置と異なっている。画
素用ＴＦＴより表示面側にある部分の構成は図１４で示
した構成と同様である。
【０１６５】このように、本実施の形態３によれば、共
通のガラス基板上に、画像表示用のＴＦＴの一部と、駆
動回路を構成するトランジスタの一部と、太陽電池の一
部とを同時に形成することができる。よって、太陽電池
を別に設けて接続する場合と比較して、接続不良を少
なくすることが可能、設置面積が小さくてすむため小
型化が可能、太陽電池の接続のためのコストの低減が
可能といった効果を得ることができる。
通のガラス基板上に、画像表示用のＴＦＴの一部と、駆
動回路を構成するトランジスタの一部と、太陽電池の一
部とを同時に形成することができる。よって、太陽電池
を別に設けて接続する場合と比較して、接続不良を少
なくすることが可能、設置面積が小さくてすむため小
型化が可能、太陽電池の接続のためのコストの低減が
可能といった効果を得ることができる。
【０１６６】
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる画像表示
装置を用いれば、周辺回路かと駆動回路との間で光信号
によって送受信を行なうことが可能となる。このため、
電気な接続を電源供給ラインのみとできるため、接続点
数を大幅に減少することができる。
装置を用いれば、周辺回路かと駆動回路との間で光信号
によって送受信を行なうことが可能となる。このため、
電気な接続を電源供給ラインのみとできるため、接続点
数を大幅に減少することができる。
【０１６７】また、これにより、接続信頼性及び歩留ま
りの向上を図ることができるので、返品率の減少を図る
ことができる。接続の簡素化によって、コストの削減を
図ることができ、更に不要輻射（ＥＭＳ，ＥＭＩ）の低
減を図ることができるので、画質を安定化でき、他の機
器への悪影響を減少することができる。不要輻射（ＥＭ
Ｓ，ＥＭＩ）の低減により、周波数の高い信号によって
データを入力することも可能となる。
りの向上を図ることができるので、返品率の減少を図る
ことができる。接続の簡素化によって、コストの削減を
図ることができ、更に不要輻射（ＥＭＳ，ＥＭＩ）の低
減を図ることができるので、画質を安定化でき、他の機
器への悪影響を減少することができる。不要輻射（ＥＭ
Ｓ，ＥＭＩ）の低減により、周波数の高い信号によって
データを入力することも可能となる。
【０１６８】また、周辺回路に受光素子を設け、駆動回
路に発光素子を設けた態様とすれば、画像表示部の接続
配線の増加なしにタブレット情報を伝送することが可能
となる。更に駆動回路から、周辺回路へ信号同期情報を
送信することにより、信号伝送の信頼性を高めることが
でき、より情報量の多い信号を伝送することが可能とな
る。
路に発光素子を設けた態様とすれば、画像表示部の接続
配線の増加なしにタブレット情報を伝送することが可能
となる。更に駆動回路から、周辺回路へ信号同期情報を
送信することにより、信号伝送の信頼性を高めることが
でき、より情報量の多い信号を伝送することが可能とな
る。
【０１６９】周辺回路と駆動回路との間で、磁気又は電
波によって信号の送受信を行なう態様では、信号送受信
の距離を長くとれ、又周辺回路と駆動回路との間に遮蔽
物があっても信号の送受信が可能である。
波によって信号の送受信を行なう態様では、信号送受信
の距離を長くとれ、又周辺回路と駆動回路との間に遮蔽
物があっても信号の送受信が可能である。
【０１７０】本発明の画像表示装置には、アレイ基板に
太陽電池と充電池を設置することが可能である。この態
様では、周辺回路と駆動回路との間における電気的な接
続配線をなくすことができ、信頼性をより高めることが
できる。また、この態様では、画像表示部分を着脱自在
な構造にでき、本発明の画像表示装置の利用の自由度を
高めることができる。
太陽電池と充電池を設置することが可能である。この態
様では、周辺回路と駆動回路との間における電気的な接
続配線をなくすことができ、信頼性をより高めることが
できる。また、この態様では、画像表示部分を着脱自在
な構造にでき、本発明の画像表示装置の利用の自由度を
高めることができる。
【図１】実施の形態１にかかる画像表示装置の側面を示
す図である。
す図である。
【図２】実施の形態１にかかる画像表示装置の上面を示
す図である。
す図である。
【図３】受光素子の一例を示す断面図である。
【図４】受光素子が画像表示ドライバＩＣの基板上に形
成された例を示す図である。
成された例を示す図である。
【図５】図１中の線Ａ−Ａ´に沿って切断した実施の形
態１にかかる画像表示装置の断面図である。
態１にかかる画像表示装置の断面図である。
【図６】受光素子がアレイ基板上に形成された画像表示
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図７】実施の形態２にかかる画像表示装置の側面を示
す図である。
す図である。
【図８】実施の形態２にかかる画像表示装置の上面を示
す図である。
す図である。
【図９】発光素子の一例を示す断面図である。
【図１０】発光素子が画像表示ドライバＩＣの基板上に
形成された例を示す断面図である。
形成された例を示す断面図である。
【図１１】発光素子がアレイ基板上に形成された画像表
示装置を示す断面図である。
示装置を示す断面図である。
【図１２】実施の形態３にかかる画像表示装置の上面を
示す図である。
示す図である。
【図１３】太陽電池がアレイ基板上に形成された画像表
示装置を示す断面図である。
示装置を示す断面図である。
【図１４】図６に示す画像表示装置がＥＬ表示装置であ
る例を示す断面図である。
る例を示す断面図である。
【図１５】図１１に示す画像表示装置がＥＬ表示装置で
ある例を示す断面図である。
ある例を示す断面図である。
【図１６】図１３に示す画像表示装置がＥＬ表示装置で
ある例を示す断面図である。
ある例を示す断面図である。
【図１７】画像表示ドライバＩＣがＴＡＢ方式によって
接続された従来の液晶表示装置を示す図である。
接続された従来の液晶表示装置を示す図である。
【図１８】画像表示ドライバＩＣがＣＯＧ方式によって
接続された従来の液晶表示装置を示す図である。
接続された従来の液晶表示装置を示す図である。
１ アレイ基板 ２ 対向基板 ３ 画像表示ドライバＩＣ ４ ＴＣＰ ５ 周辺基板 ６ コネクター ７ 周辺基板上の発光素子 ８ 画像表示ドライバＩＣ上の受光素子 ９ 反射防止膜 １０ ｎ電極 １１ ｐ型シリコン基板 １２ アルミニウム電極（ｐ電極） １３ ｎ層 １４ ガラス基板 １５ 下地膜（主にＳｉＯ2） １６ Ｎ型領域（ソース・ドレイン領域、高濃度不純物
注入領域） １７ ＬＤＤ領域（低濃度不純物注入領域）またはオフ
セット領域 １８ ゲート絶縁膜（主にＳｉＯ2） １９ ゲート電極（主にＭｏＷ） ２０ａ シリコン酸化膜 ２０ｂ シリコン酸化膜 ２１ チャネル領域 ２２ ソース・ドレイン電極 ２３ 大粒径シリコン結晶 ２４ 対向電極（ＩＴＯ） ２５ ガラス基板 ２６ カラーフィルタ ２７ 配向膜 ２８ 透明電極（ＩＴＯ） ２９ 平坦化膜（ポリイミド） ３０ 液晶 ３１ 画像表示ドライバＩＣ上の発光素子 ３２ 周辺基板上の受光素子 ３３ 画像表示ドライバＩＣ上の太陽電池 ３４ 酸化膜 ３５ シリコン超微粒子層 ３６ 太陽電池 ３７ 二次電池 ３８ 受信素子 ４０、５０ ｐ型シリコン基板 ４１ ｎ型の非晶質シリコン膜 ４２、５１ シリコン酸化膜 ４３ａ、５６ａ ソース電極 ４３ｂ、５６ｂ ドレイン電極 ４３ｃ、５３ａ アノード電極 ４３ｄ、５３ｂ カソード電極 ４４、５７ 高濃度注入領域（ｎ＋） ４５、５８ 低濃度注入領域（ｎ−） ４６ ｐの領域 ４８、５９ ゲート電極 ４９、５２ 熱酸化膜（ゲート酸化膜） ５４ シリコン超微粒子膜 ５５ ＩＴＯ膜 ６０ａ、６５ａ カソード電極 ６０ｂ、６５ｂ アノード電極 ６１ Ｐ型領域 ６２ 多結晶シリコン膜（Ｐ型領域） ６３ シリコン超微粒子膜（Ｎ型領域） ６４ 透明電極膜 ７１ ＩＴＯ電極 ７２ 光遮断層 ７３ 発光層 ７４ 正孔注入層 ７５ アルミニウムキノリノール錯体 ７６ 反射画素電極
注入領域） １７ ＬＤＤ領域（低濃度不純物注入領域）またはオフ
セット領域 １８ ゲート絶縁膜（主にＳｉＯ2） １９ ゲート電極（主にＭｏＷ） ２０ａ シリコン酸化膜 ２０ｂ シリコン酸化膜 ２１ チャネル領域 ２２ ソース・ドレイン電極 ２３ 大粒径シリコン結晶 ２４ 対向電極（ＩＴＯ） ２５ ガラス基板 ２６ カラーフィルタ ２７ 配向膜 ２８ 透明電極（ＩＴＯ） ２９ 平坦化膜（ポリイミド） ３０ 液晶 ３１ 画像表示ドライバＩＣ上の発光素子 ３２ 周辺基板上の受光素子 ３３ 画像表示ドライバＩＣ上の太陽電池 ３４ 酸化膜 ３５ シリコン超微粒子層 ３６ 太陽電池 ３７ 二次電池 ３８ 受信素子 ４０、５０ ｐ型シリコン基板 ４１ ｎ型の非晶質シリコン膜 ４２、５１ シリコン酸化膜 ４３ａ、５６ａ ソース電極 ４３ｂ、５６ｂ ドレイン電極 ４３ｃ、５３ａ アノード電極 ４３ｄ、５３ｂ カソード電極 ４４、５７ 高濃度注入領域（ｎ＋） ４５、５８ 低濃度注入領域（ｎ−） ４６ ｐの領域 ４８、５９ ゲート電極 ４９、５２ 熱酸化膜（ゲート酸化膜） ５４ シリコン超微粒子膜 ５５ ＩＴＯ膜 ６０ａ、６５ａ カソード電極 ６０ｂ、６５ｂ アノード電極 ６１ Ｐ型領域 ６２ 多結晶シリコン膜（Ｐ型領域） ６３ シリコン超微粒子膜（Ｎ型領域） ６４ 透明電極膜 ７１ ＩＴＯ電極 ７２ 光遮断層 ７３ 発光層 ７４ 正孔注入層 ７５ アルミニウムキノリノール錯体 ７６ 反射画素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ３６０ ３６０ ３６５ ３６５Ｚ 9/35 9/35 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｃ 31/12 31/04 Ｑ Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NC07 NC09 NC11 NC34 NC49 NC72 NC73 NC90 ND40 ND60 5C094 AA21 AA31 AA45 AA52 AA56 BA03 BA27 BA32 BA34 BA43 CA19 DA09 DA12 DA13 DB02 EB02 FA10 GA10 GB10 5F051 AA03 AA05 BA05 5F089 AA06 AA10 AB03 AB09 5G435 AA14 AA16 AA17 AA18 BB02 BB05 BB12 CC09 EE31 EE37 EE41 GG22 HH12 HH13 HH14 KK05
Claims (43)
- 【請求項１】 周辺回路から駆動回路に信号を送信し、
前記駆動回路によってマトリックス状に配置された複数
のトランジスタを駆動して画像を表示する画像表示装置
であって、 前記周辺回路は、前記信号を光信号にして送信するよう
に構成されており、前記駆動回路は、前記光信号を受信
するための受光素子を有していることを特徴とする画像
表示装置。 - 【請求項２】 前記駆動回路及び前記トランジスタのう
ち少なくとも一方の一部と、前記受光素子の一部又は全
部とが、同一工程によって形成されている請求項１記載
の画像表示装置。 - 【請求項３】 太陽電池を有し、前記駆動回路の一部
と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の一部又
は全部と、前記太陽電池の一部又は全部とが、同一工程
によって形成されている請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 前記受光素子と前記トランジスタとが、
同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領域及
び電極を設けて形成されており、 前記受光素子の電極と前記トランジスタの電極とが同一
工程によって形成されている請求項２記載の画像表示装
置。 - 【請求項５】 前記受光素子と前記トランジスタとが、
同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領域及
び電極を設けて形成されており、 前記受光素子の不純物注入領域の一部又は全部と前記ト
ランジスタの不純物注入領域の一部又は全部とが同一工
程によって形成されている請求項２記載の画像表示装
置。 - 【請求項６】 前記受光素子と前記トランジスタとが、
同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領域及
び電極を設けて形成されており、 前記受光素子の前記絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜
とが同一工程によって形成されている請求項２記載の画
像表示装置。 - 【請求項７】 前記駆動回路が光信号を前記周辺回路に
送信するための発光素子を有し、前記周辺回路が前記駆
動回路からの光信号を受信するための受光素子を有して
いる請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項８】 前記駆動回路から送信される光信号が、
タブレット位置情報、信号同期情報及び周辺輝度情報う
ち少なくとも一つを含んでいる請求項７記載の画像表示
装置。 - 【請求項９】 前記駆動回路及び前記トランジスタのう
ち少なくとも一方の一部と、前記発光素子の一部又は全
部とが、同一工程によって形成されている請求項７記載
の画像表示装置。 - 【請求項１０】 前記駆動回路の一部と、前記トランジ
スタの一部と、前記受光素子の一部又は全部と、前記発
光素子の一部又は全部とが、同一工程によって形成され
ている請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項１１】 太陽電池を有し、前記駆動回路の一部
と、前記トランジスタの一部と、前記発光素子の一部又
は全部と、前記太陽電池の一部又は全部とが、同一工程
によって形成されている請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項１２】 太陽電池を有し、前記駆動回路の一部
と、前記トランジスタの一部と、前記受光素子の一部又
は全部と、前記発光素子の一部又は全部と、前記太陽電
池の一部又は全部とが、同一工程によって形成されてい
る請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項１３】 前記発光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されており、 前記発光素子の電極と前記トランジスタの電極とが同一
工程によって形成されている請求項７記載の画像表示装
置。 - 【請求項１４】 前記発光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されており、 前記発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とが
同一工程によって形成されている請求項７記載の画像表
示装置。 - 【請求項１５】前記光信号が変調光である請求項１また
は請求項６記載の画像表示装置。 - 【請求項１６】 前記周辺回路と前記トランジスタと
が、それぞれ別個の基板上に形成され、前記周辺回路が
形成された基板と前記トランジスタが形成された基板と
が固定されている請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項１７】 周辺回路から駆動回路に信号を送信
し、前記駆動回路によってマトリックス状に配置された
複数のトランジスタを駆動して画像を表示する画像表示
装置であって、 前記周辺回路は、前記信号を電波信号にして送信するよ
うに構成されており、前記駆動回路は、前記電波信号を
受信するための受信素子を有していることを特徴とする
画像表示装置。 - 【請求項１８】 前記駆動回路が電波信号を前記周辺回
路に送信するための発信素子を有し、前記周辺回路が前
記駆動回路からの電波信号を受信するための受信素子を
有している請求項１７記載の画像表示装置。 - 【請求項１９】 前記駆動回路から送信される電波信号
が、タブレット位置情報、信号同期情報及び周辺輝度情
報うち少なくとも一つを含んでいる請求項１８記載の画
像表示装置。 - 【請求項２０】 前記駆動回路と前記トランジスタとを
含む部分が、前記周辺回路を含む部分から着脱可能であ
って、前記周辺回路を含む部分から分離した状態で画像
表示可能に構成されている請求項１８記載の画像表示装
置。 - 【請求項２１】 前記駆動回路と前記トランジスタとを
含む部分に、画像表示のための電源が備えられている請
求項２０に記載の画像表示装置。 - 【請求項２２】 前記電源が太陽電池であり、前記太陽
電池が、前記トランジスタが配置された基板上に設けら
れている請求項２１に記載の画像表示装置。 - 【請求項２３】 当該画像表示装置が液晶表示装置であ
る請求項１〜２２のいずれかに記載の画像表示装置。 - 【請求項２４】 当該画像表示装置がＥＬ表示装置であ
る請求項１〜２２のいずれかに記載の画像表示装置。 - 【請求項２５】 当該画像表示装置がフィールドエミッ
ション表示装置である請求項１〜２２のいずれかに記載
の画像表示装置。 - 【請求項２６】 周辺回路が駆動回路に光信号を送信
し、前記駆動回路が受光素子によって前記光信号を受信
してマトリックス状に配置された複数のトランジスタを
駆動することによって画像を表示する画像表示装置の製
造方法であって、 前記駆動回路及び前記トランジスタのうち少なくとも一
方の一部と、前記受光素子の一部又は全部とを同時に形
成する工程を少なくとも有していることを特徴とする画
像表示装置の製造方法。 - 【請求項２７】 前記受光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されたものであり、 前記受光素子の電極と前記トランジスタの電極とを同時
に形成する請求項２６記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２８】 前記受光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されたものであり、 前記受光素子の不純物注入領域の一部又は全部と前記ト
ランジスタの不純物注入領域の一部又は全部とを同時に
形成する請求項２６記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２９】 前記受光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されたものであり、 前記受光素子の前記絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜
とを同時に形成する請求項２６記載の画像表示装置の製
造方法。 - 【請求項３０】 前記駆動回路が、タブレット位置情
報、信号同期情報及び周辺輝度情報うち少なくとも一つ
を含む光信号を前記周辺回路に送信するための発光素子
を有し、前記周辺回路が、前記タブレット位置情報、信
号同期情報及び周辺輝度情報のうち少なくとも一つを含
む光信号を受信するための受光素子を有しており、 前記駆動回路及び前記トランジスタのうち少なくとも一
方の一部と、前記発光素子の一部又は全部とを同時に形
成する工程を有している請求項２６記載の画像表示装置
の製造方法。 - 【請求項３１】 前記発光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されたものであり、 前記発光素子の電極と前記トランジスタの電極とを同時
に形成する請求項３０記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項３２】 前記発光素子と前記トランジスタと
が、同一の基板上に、少なくとも絶縁膜、不純物注入領
域及び電極を設けて形成されたものであり、 前記発光素子の絶縁膜と前記トランジスタの絶縁膜とを
同時に形成する請求項３０記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項３３】 入力された光信号を電気信号に変換す
る受光素子を有することを特徴とする画像表示ドライバ
ＩＣ。 - 【請求項３４】 前記受光素子が、当該画像表示ドライ
バＩＣを構成するシリコン基板にモノリシックに形成さ
れている請求項３３に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項３５】 前記受光素子がフォトダイオードであ
る請求項３３に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項３６】 前記受光素子がフォトトランジスタで
ある請求項３３に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項３７】 入力された電気信号を光信号に変換す
る発光素子を有することを特徴とする画像表示ドライバ
ＩＣ。 - 【請求項３８】 前記発光素子が、当該画像表示ドライ
バＩＣを構成するシリコン基板にモノリシックに形成さ
れている請求項３７に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項３９】 前記発光素子がＬＥＤである請求項３
７に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項４０】 前記発光素子がレーザである請求項３
７に記載の画像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項４１】 太陽電池を有することを特徴とする画
像表示ドライバＩＣ。 - 【請求項４２】 電波を受信して電気信号に変換する素
子、及び電気信号を電波に変換して送信する素子のうち
少なくとも一方を有することを特徴とする画像表示ドラ
イバＩＣ。 - 【請求項４３】 磁気による信号を受信して電気信号に
変換する素子、及び電気信号を磁気信号に変換して送信
する素子のうち少なくとも一方を有することを特徴とす
る画像表示ドライバＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001371495A JP2002268576A (ja) | 2000-12-05 | 2001-12-05 | 画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-369566 | 2000-12-05 | ||
| JP2000369566 | 2000-12-05 | ||
| JP2001371495A JP2002268576A (ja) | 2000-12-05 | 2001-12-05 | 画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268576A true JP2002268576A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=26605241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001371495A Pending JP2002268576A (ja) | 2000-12-05 | 2001-12-05 | 画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃ |
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