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JP2002198314A - 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子 - Google Patents

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子

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JP2002198314A
JP2002198314A JP2000392003A JP2000392003A JP2002198314A JP 2002198314 A JP2002198314 A JP 2002198314A JP 2000392003 A JP2000392003 A JP 2000392003A JP 2000392003 A JP2000392003 A JP 2000392003A JP 2002198314 A JP2002198314 A JP 2002198314A
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Akihiko Ishibashi
明彦 石橋
Ayumi Tsujimura
歩 辻村
Yoshiteru Hasegawa
義晃 長谷川
Nobuyuki Otsuka
信之 大塚
Takeshi Sugawara
岳 菅原
Ryoko Miyanaga
良子 宮永
Toshitaka Shimamoto
敏孝 嶋本
Kenji Fukuto
憲司 服藤
Yuzaburo Ban
雄三郎 伴
Seiji Onaka
清司 大仲
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング
量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図
ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるよう
にする。 【解決手段】 基板１１の上には、ＭＱＷ活性層１９
と、該ＭＱＷ活性層１９上に形成されたｐ型超格子キャ
ップ層２０とが形成されている。ｐ型超格子キャップ層
２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１層２０ａ
と該第１層２０ａの上に形成された窒化アルミニウムガ
リウム（ＡｌＧａＮ）からなる第２層２０ｂとが４周期
分積層されて構成されている。第２層２０ｂにおける第
１層２０ａとの界面の近傍領域には、ｐ型ドーパントの
濃度が局所的に増大している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐ型ドーパントの
濃度を積極的に増大させる窒化物半導体の製造方法、窒
化物半導体素子の製造方法及びそれを用いた窒化物半導
体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の窒化物半導体素子における
ｐ型ドーパント、特にマグネシウム（Ｍｇ）のドーピン
グ方法を説明する。
【０００３】まず、第１の従来例（Japanese Journal o
f Applied Physics, 38, L1012, (1999)）には、活性層
を基板に垂直な方向でその両側から挟み且つ該活性層で
生成される生成光を閉じ込めるｐ型クラッド層及びｎ型
クラッド層におけるｐ型クラッド層として、例えば、膜
厚が２４ｎｍの窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ）層と膜厚が１２ｎｍの窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）層とからなり、周期が３６ｎｍの超格子(superlatt
ices：SLs)層を開示している。ここでは、超格子層の周
期を９ｎｍ〜１００ｎｍとしている。
【０００４】ｐ型クラッド層へのマグネシウム（Ｍｇ）
のドーピングは、超格子層に対して一様に行なってい
る。なお、他の文献には、ＡｌＧａＮ層及びＧａＮ層の
いずれか一方にのみドーピングを行なう例が報告されて
いるが、どちらの場合も、ドーピング対象とするＡｌＧ
ａＮ層及びＧａＮ層の１層中では一様なドープを行なっ
ている。このときのｐ型クラッド層の成長方法は、成長
圧力が３００Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐ
ａ）の減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて、Ｃ面を主面に持つサ
ファイア基板上に、基板温度が４００℃で窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層を成長し、その後昇
温して膜厚が１μｍのアンドープの窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）を成長する。続いて、基板温度を１０１０℃とし、
超格子層を成長している。
【０００５】このようにすると、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ
層との間に歪みが生じて内部電界が発生することによ
り、Ｍｇのアクセプタ準位が浅くなるため、アクセプタ
の活性化率が向上して、ｐ型キャリア濃度（正孔濃度）
が増大するので、レーザ素子の閾値電流の低減に有利と
なる。
【０００６】次に、第２の従来例（特開平８−９７４７
１号公報）には、ニッケル（Ｎｉ）からなる電極と接触
し、高濃度にドープされたｐ型ＧａＮからなる第１コン
タクト層を開示している。この第１コンタクト層は、膜
厚を５０ｎｍとし、Ｍｇの濃度を１×１０20ｃｍ-3〜１
×１０21ｃｍ-3としている。この構成により、コンタク
ト抵抗が低減されると共に、キャリア濃度を高くして素
子の動作電圧が低減されるということを述べている。
【０００７】第２の従来においては、第１コンタクト層
に対してＭｇのドーピング濃度を高くし過ぎると、ホー
ル濃度が却って小さくなってしまう現象が生じるため、
第１コンタクト層の電極と反対側に該第１コンタクト層
よりもＭｇの濃度が小さいｐ型ＧａＮからなる第２コン
タクト層を設けている。また、第２コンタクト層のＭｇ
の濃度は、ホール濃度を高めるために１×１０19ｃｍ-3
〜５×１０20ｃｍ-3の範囲でドーピングすることが望ま
しいとしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来例は、ｐ型クラッド層に超格子構造を用いているも
のの、その低抵抗化は不十分である。また、第２の従来
例は、ｐ型コンタクト層の上部にｐ型ドーパントを高濃
度にドープしているものの、逆にホール濃度が低下する
という問題を有している。
【０００９】また、従来のドーピング法では、急峻な不
純物プロファイルを得ることが困難である。特に、活性
層の上にｐ型キャップ層を設けるような場合には、活性
層へのｐ型ドーパントの拡散を抑制するため、とりわけ
急峻な不純物プロファイルを必要とされる。
【００１０】本発明は、前記従来の問題を解決し、窒化
物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させる
ことなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻な
ｐ型不純物プロファイルを得られるようにすることを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、III 族窒化物からなる第１の半導体層
と、第１の半導体層と異なる組成の他のIII 族窒化物か
らなる第２の半導体層とを接合させることにより、第１
の半導体層と第２の半導体層とのヘテロ接合界面の近傍
領域に、ｐ型ドーパントの濃度を局所的に増大させる、
すなわち偏析させる構成とする。
【００１２】具体的に、本発明に係る窒化物半導体の製
造方法は、基板の上に、第１のIII族源及び窒素を含む
Ｖ族源を供給することにより、第１のIII 族窒化物から
なる第１の半導体層を成長する第１の工程と、第１の半
導体層の上に、第１のIII 族源と異なるIII 族元素を含
む第２のIII 族源及び窒素を含むＶ族源を供給すること
により、第１の半導体層の上に第２のIII 族窒化物から
なる第２の半導体層を成長する第２の工程とを備え、第
１の工程及び第２の工程のうちの少なくとも１つは基板
上にｐ型ドーパントを供給する工程を含み、第１の半導
体層と第２の半導体層との界面の近傍領域は、ｐ型ドー
パントの濃度が局所的に増大するように成長する。
【００１３】本発明の窒化物半導体の製造方法による
と、第１のIII 族窒化物からなる第１の半導体層と該第
１のIII 族窒化物と異なる第２のIII 族窒化物からなる
第２の半導体層との界面の近傍領域においてｐ型ドーパ
ントの濃度が局所的に且つ従来よりも増大するように成
長する。このため、第１の半導体層及び第２の半導体層
からなる積層体を形成すれば、積層体におけるｐ型ドー
パントの濃度が従来よりも増大するので、低抵抗化を実
現できると共に積層体のみが高不純物濃度を有する急峻
なｐ型不純物プロファイルを達成することができる。
【００１４】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第１のIII 族源がガリウムを含み、第２のIII 族源
がアルミニウム又はインジウムを含むことが好ましい。
このようにすると、積層体におけるｐ型ドーパントの濃
度を従来よりも確実に増大させることができるようにう
なる。
【００１５】また、本発明の窒化物半導体の製造方法に
おいて、第１のIII 族源はガリウムからなり、第２のII
I 族源はガリウムとアルミニウム又はインジウムとを含
むことが好ましい。このようにすると、積層体における
ｐ型ドーパントの濃度を従来よりも確実に増大させるこ
とができるようになる。
【００１６】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第１の工程及び第２の工程が共にｐ型ドーパントを
供給する場合に、各ｐ型ドーパントの供給量はほぼ同等
であることが好ましい。このようにｐ型ドーパントの一
様ドープを行なっても、第１の半導体層と第２の半導体
層との界面近傍にはｐ型ドーパントの濃度を局所的に増
大させることができる。
【００１７】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第１の工程及び第２の工程におけるｐ型ドーパント
の供給量は異なることが好ましい。このようにｐ型ドー
パントの選択ドープを行なっても、第１の半導体層と第
２の半導体層との界面近傍にｐ型ドーパントの濃度を局
所的に増大させることができる。
【００１８】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第１の半導体層の成長時にｐ型ドーパントを供給す
る場合に、ｐ型ドーパントを第１の半導体層を成長する
よりも前に供給し始めることが好ましい。また、第２の
窒化物半導体の製造方法において、第２の半導体層の成
長時にｐ型ドーパントを供給する場合に、ｐ型ドーパン
トを第２の半導体層を成長するよりも前に供給し始める
ことが好ましい。このようにすると、成長中の半導体層
に導入されるｐ型ドーパントの半導体の成長面への到達
に遅れが生じないため、吸収な不純物プロファイルを確
実に達成することができる。
【００１９】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、ｐ型ドーパントの濃度のピークは第２の半導体層中
に位置する。
【００２０】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第２のIII 族源は複数のIII 族元素を含み、第２の
半導体層における複数のIII 族元素のうち組成比が小さ
い元素の濃度のピーク位置とｐ型ドーパントのピーク位
置とは互いに異なる。
【００２１】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、ｐ型ドーパントの濃度が約３×１０19ｃｍ-3以下で
あることが好ましい。このようにすると、ｐ型ドーパン
トの有効アクセプタ濃度を大きくすることができる。
【００２２】本発明の窒化物半導体の製造方法におい
て、第２の半導体層の厚さが約１．５ｎｍ以上であるこ
とが好ましい。このようにすると、ｐ型ドーパントのピ
ーク位置を第２の半導体層中に取り込むことができる。
【００２３】本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法
は、基板の上に、第１の窒化物半導体からなる活性層を
成長する第１の工程と、活性層の上に、第２の窒化物半
導体からなり活性層を保護するｐ型キャップ層を成長す
る第２の工程と、ｐ型キャップ層の上に第３の窒化物半
導体層からなるｐ型クラッド層を成長する第３の工程
と、ｐ型クラッド層の上に第４の窒化物半導体層からな
るｐ型コンタクト層を成長する第４の工程とを備え、第
２の工程、第３の工程及び第４の工程のうちの少なくと
も１つは、第１のIII 族源及び窒素を含むＶ族源を供給
することにより、第１のIII 族窒化物からなる一の層を
成長する工程と、一の層の上に、第１のIII 族源と異な
るIII 族元素を含む第２のIII 族源及び窒素を含むＶ族
源を供給することにより、一の層の上に第２のIII 族窒
化物からなる他の層を成長する工程とを有し、一の層を
成長する工程及び他の層を成長する工程の少なくとも１
つは、基板上にｐ型ドーパントを供給する工程を含み、
一の層と他の層との界面の近傍領域は、ｐ型ドーパント
の濃度が局所的に増大するように成長する。
【００２４】本発明の窒化物半導体素子の製造方法によ
ると、窒化物半導体素子におけるｐ型キャップ層、ｐ型
クラッド層及びｐ型コンタクト層の少なくとも１つに、
本発明の窒化物半導体の製造方法を用いているため、ｐ
型キャップ層、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層の
うちの少なくとも１つの低抵抗化及び不純物プロファイ
ルの急峻化を実現できる。
【００２５】本発明の窒化物半導体素子の製造方法にお
いて、第１のIII 族源がガリウムを含み、第２のIII 族
源がアルミニウム又はインジウムを含むことが好まし
い。
【００２６】本発明の窒化物半導体素子の製造方法にお
いて、一の層又は他の層を成長する工程よりも前に、ｐ
型ドーパントを供給し始めることが好ましい。
【００２７】本発明の窒化物半導体素子の製造方法にお
いて、ｐ型キャップ層又はｐ型クラッド層のｐ型ドーパ
ントの濃度が約３×１０19ｃｍ-3以下であることが好ま
しい。
【００２８】本発明の窒化物半導体素子の製造方法にお
いて、他の層の厚さが約１．５ｎｍ以上であることが好
ましい。
【００２９】本発明の窒化物半導体素子の製造方法にお
いて、ｐ型コンタクト層がインジウムを含み、ｐ型コン
タクト層におけるｐ型ドーパントの濃度が、ｐ型コンタ
クト層の表面から漸減し且つ上面からの深さが約１０ｎ
ｍの位置で約３×１０19ｃｍ -3以上であることが好まし
い。
【００３０】本発明に係る窒化物半導体素子は、基板の
上に形成された第１の窒化物半導体からなる活性層と、
活性層の上に形成された第２の窒化物半導体からなるｐ
型キャップ層と、ｐ型キャップ層の上に形成された第３
の窒化物半導体層からなるｐ型クラッド層と、ｐ型クラ
ッド層の上に形成された第４の窒化物半導体層からなる
ｐ型コンタクト層とを備え、ｐ型キャップ層、ｐ型クラ
ッド層及びｐ型コンタクト層のうちの少なくとも１つ
は、第１のIII 族窒化物からなる一の層と該一の層の上
に形成され且つ第１のIII 族窒化物と異なる第２のIII
族窒化物からなる他の層とが積層されてなり、他の層に
おける一の層との界面の近傍領域は、ｐ型ドーパントの
濃度が局所的に増大している。
【００３１】本発明の窒化物半導体素子において、第１
のIII 族窒化物はガリウムを含み、第２のIII 族窒化物
はアルミニウム又はインジウムを含むことが好ましい。
このようにすると、青紫色等の短波長のレーザ光を発振
可能な半導体レーザ素子を得ることができる。
【００３２】本発明の窒化物半導体素子において、ｐ型
キャップ層又はｐ型クラッド層のｐ型ドーパントの濃度
が約３×１０19ｃｍ-3以下であることが好ましい。。
【００３３】本発明の窒化物半導体素子において、他の
層の厚さが約１．５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００３４】本発明の窒化物半導体素子において、ｐ型
コンタクト層における他の層がインジウムを含み、ｐ型
コンタクト層におけるｐ型ドーパントの濃度が、ｐ型コ
ンタクト層の表面から漸減し且つ上面からの深さが約１
０ｎｍの位置で約３×１０19ｃｍ-3以上であることが好
ましい。
【００３５】なお、第６１回応用物理学会学術講演会、
講演予稿集 3a-Y-30, (2000/9)には、膜厚が２．５ｎｍ
のＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎ層と膜厚が２．５ｎｍのＧａＮ層
とからなる、周期が５ｎｍの歪み超格子(strained-laye
r-superlattices：SLSs)層が記載されており、ｐ型ドー
パントであるＭｇは、濃度が７×１０19ｃｍ-3でＡｌＧ
ａＮ層とＧａＮ層とに一様ドープされている。二次イオ
ン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry：SIM
S）を用いた分析によると、極めて短い周期ながら、障
壁層であるＡｌＧａＮ層にＭｇが選択的に取り込まれる
現象が見られる。但し、ここでは、基板の深さ方向の分
解能が十分ではなく、Ｍｇがヘテロ界面の近傍に偏析し
ているか否かを判別することは不可能である。
【００３６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
を参照しながら説明する。
【００３７】図１は本発明の一実施形態に係る窒化物半
導体レーザ素子の断面構成を示している。ここでは、半
導体レーザ素子の構成をその製造プロセスと同時に説明
する。結晶成長には、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）
法を用い、その成長圧力は減圧下でも、大気圧下でも、
また大気圧（１ａｔｍ）以上の加圧下でも良い。さらに
は、半導体層ごとに最適な圧力に切りかえても良い。原
料を基板上に供給するためのキャリアガスは少なくとも
窒素又は水素等の不活性ガスとする。
【００３８】まず、図１に示すように、成長温度を５０
０℃程度とし、例えばサファイアからなる基板１１の主
面上に、Ｖ族源であるアンモニア（ＮＨ3 ）とIII 族源
であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とを供給して、厚
さが約２０ｎｍの窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッ
ファ層１２を成長する。
【００３９】次に、成長温度を１０２０℃程度にまで昇
温した後、ＮＨ3 とＴＭＧとを供給して、バッファ層１
２の上に厚さが約１μｍのＧａＮからなる下地層１３を
成長する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて、下
地層１３の上に、それぞれの幅が約３μｍで且つ互いに
約１２μｍの間隔をおいて平行に延びるレジストパター
ン（図示せず）を形成し、形成したレジストパターンを
マスクとしてバッファ層１２に対してドライエッチング
を行なうことにより、バッファ層１２の上部に、複数の
リセス部１３ａと該リセス部１３ａ同士に挟まれた領域
からなる複数のストライプ状の凸部１３ｂを形成する。
続いて、例えばＥＣＲスパッタ法を用いて、リセス部１
３ａが形成された下地層１３の上にレジストパターン及
び凸部１３ｂを含む全面にわたって、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮx ）からなるマスク膜１４を堆積する。その後、レ
ジストパターンをリフトオフして凸部１３ｂ上のマスク
膜１４を除去することにより、該凸部１３ｂの上面を露
出する。
【００４０】次に、再度、ＭＯＶＰＥ法により、成長温
度を１０００℃程度とし、ＮＨ3 とＴＭＧとを供給し
て、下地層１３の凸部１３ｂの露出面を種結晶として厚
さが約３μｍのＧａＮからなる選択成長層１５を成長す
る。
【００４１】次に、成長温度を１０００℃程度とし、Ｎ
Ｈ3 、ＴＭＧ及び例えばシリコン（Ｓｉ）を含むｎ型ド
ーパントを供給して、選択成長層１５の上に厚さが約２
μｍのｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１６を成長
する。
【００４２】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ、トリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡ）及びｎ型ドーパントを供給して、ｎ型
コンタクト層１６の上に厚さが約０．７μｍのｎ型窒化
アルミニウムガリウム（Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ）からなる
ｎ型クラッド層１７を成長する。
【００４３】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びｎ型ドーパント
を供給して、ｎ型クラッド層１７の上に厚さが約１００
ｎｍのｎ型ＧａＮからなるｎ型光ガイド層１８を成長す
る。
【００４４】次に、成長温度を８１０℃程度に降温した
後、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びトリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）を供給することにより、ｎ型光ガイド層１８の上に
厚さが約３ｎｍの窒化インジウムガリウム（Ｉｎ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ）からなる井戸層と、ＴＭＩのみ供給を止め
て、井戸層の上に厚さが約６ｎｍのＧａＮからなるバリ
ア層とを１周期とする３周期分の半導体層を成長して多
重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１９を形成する。
【００４５】次に、成長温度を１０２０℃程度に昇温し
ながら、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びｐ型ドーパントのマグネシ
ウム（Ｍｇ）を含むビスシクロペンタジエニルマグネシ
ウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を供給することにより、図２（ａ）
に示すように、活性層１９の上に、厚さが約２．５ｎｍ
のＧａＮからなる第１層（井戸層）２０ａと、III 族源
にＴＭＡを追加して厚さが約２．５ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ｎからなる第２層（バリア層）２０ｂとを１周期と
する４周期分の半導体層を成長して厚さが約２０ｎｍの
ｐ型超格子キャップ層２０を形成する。
【００４６】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びＣｐ2 Ｍｇを供
給して、ｐ型超格子キャップ層２０の上に、厚さが約１
００ｎｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層２１を成
長する。
【００４７】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びＣｐ2 Ｍｇを供
給することにより、ｐ型光ガイド層２１の上に、厚さが
約２．５ｎｍのＧａＮからなる第１層（井戸層）と、II
I 族源にＴＭＡを追加して厚さが約２．５ｎｍのＡｌ
0.14Ｇａ0.86Ｎからなる第２層（バリア層）とを１周期
とする１４０周期分の半導体層を成長して厚さが約０．
７μｍのｐ型超格子クラッド層２２を形成する。
【００４８】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びＣｐ2 Ｍｇを供
給して、ｐ型超格子クラッド層２２の上に、厚さが約１
００ｎｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型第２コンタクト層２
３を成長する。
【００４９】次に、ＮＨ3 、ＴＭＧ及びＣｐ2 Ｍｇを供
給することにより、図２（ｂ）に示すように、ｐ型第２
コンタクト層２３の上に、厚さが約２．５ｎｍ〜３ｎｍ
のＧａＮからなる第１層（バリア層）２４ａと、III 族
源にＴＭＩを追加して厚さが約２．５ｎｍ〜３ｎｍのＩ
ｎ0.07Ｇａ0.93Ｎからなる第２層（井戸層）２４ｂとを
１周期とする２周期分の半導体層を成長して厚さが約１
０ｎｍ〜１２ｎｍの超格子構造を持つｐ型第１コンタク
ト層２４を形成する。
【００５０】以上のようにして、半導体レーザ素子を構
成するエピタキシャル層を得ることができる。
【００５１】なお、本実施形態においては、超格子層に
おけるｐ型ドーパントのドーピングを、第１層及び第２
層の成長時に一様にドーピングを行なっている。すなわ
ち、Ｃｐ2 Ｍｇの供給量を一定としているが、第１層及
び第２層で供給量を変える、いわゆる変調ドープを行な
っても良く、さらにはいずれか一方の半導体層にのみ行
なう、いわゆる選択ドープを行なっても良い。このよう
に一様ドープでない場合でも、アルミニウム又はインジ
ウムを含む層における基板側（成長開始側）の界面近傍
にｐ型ドーパントの濃度が増大する。但し、選択ドープ
の場合であっても、アルミニウム又はインジウムを含む
層に対してドーピングを行なう方が好ましい。
【００５２】次に、エピタキシャル層におけるストライ
プ状の共振器形成領域をマスクして、該エピタキシャル
層に対してｎ型コンタクト層１６を露出するようにエッ
チングを行なう。さらに、共振器形成領域におけるｐ型
超格子クラッド層２２、ｐ型第２コンタクト層２３及び
ｐ型第１コンタクト層２４に対してエッチングを行なう
ことにより、共振器形成領域の上部に電流注入領域とな
るリッジ部３０を形成する。ここで、リッジ部３０は、
共振器形成領域における下地層１３の凸部１３ｂの上方
の領域から外れた位置に設けることが好ましい。このよ
うにすると、選択成長層１５における結晶転位の影響を
受けにくくなり、ＭＱＷ活性層１９等における結晶品位
が優れた領域に電流が注入されるようになる。
【００５３】続いて、ｐ型第１コンタクト層２４の上面
の電極とのコンタクト部及びｎ型コンタクト層１６の上
面の電極とのコンタクト部をそれぞれマスクし、その後
ＣＶＤ法等により、リッジ部３０及び共振器形成領域の
露出面上に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる保護絶縁
膜２５を堆積する。ここで、リッジ部３０のストライプ
幅を３μｍ〜５μｍ程度としている。
【００５４】次に、保護絶縁膜２５におけるリッジ部３
０上の開口部を充填し且つリッジ部３０のｐ側面を覆う
ように、例えば蒸着法等を用いてニッケル（Ｎｉ）と金
（Ａｕ）との積層体からなるｐ側電極２６を形成する。
続いて、保護絶縁膜２５におけるｎ型コンタクト層１６
上の開口部を充填するように、蒸着法等を用いてチタン
（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体からなるｎ
側電極２７を形成する。
【００５５】なお、本実施形態においては、ｐ型超格子
キャップ層２０、ｐ型超格子クラッド層２２及びｐ型第
１コンタクト層２４をそれぞれ超格子構造とすることに
より、ｐ型半導体層の低抵抗化とｐ型ドーパントの急峻
な不純物プロファイルとを得ているが、これら３層のう
ちの少なくとも１層に本発明に係る超格子構造を用いて
も良い。
【００５６】このようにして得られた半導体レーザ素子
に対して、ｐ側電極２６とｎ側電極２７との間に電圧を
印加すると、ＭＱＷ活性層１９に向かってｐ側電極２６
から正孔が注入されると共にｎ側電極２７から電子が注
入される。これにより、ＭＱＷ活性層１９において、正
孔と電子との再結合により光学利得を生じて約４０４ｎ
ｍの波長を持つレーザ発振を起こす。
【００５７】以下、ｐ型超格子キャップ層２０、ｐ型超
格子クラッド層２２及びｐ型第１コンタクト層２４に、
本発明の超格子構造を用いることの有効性について説明
する。
【００５８】まず、ｐ型超格子キャップ層２０及びｐ型
超格子クラッド層２２を説明する。
【００５９】図３（ａ）はＧａＮからなる第１層２０ａ
とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎからなる第２層２０ｂとの４周期分
からなるｐ型超格子キャップ層２０に含まれるＭｇの基
板の深さ方向への不純物プロファイルをＳＩＭＳ法によ
り測定した結果を示している。各半導体層の成長プロセ
スはグラフの横軸の左側から右側に向かって進行する。
また、ここでは、Ａｌを含む第２層２０ｂにのみｐ型ド
ーパントを含むＣｐ2Ｍｇを供給する選択ドープとして
いる。
【００６０】図３（ａ）に示すように、Ａｌを含む第２
層２０ｂにおける基板側に位置するＡｌを含まない第１
層２０ａとの界面近傍にＭｇの濃度が増大している。こ
のことから、Ａｌを含む第２層２０ｂに対してＭｇの選
択的なドーピングが可能となることが分かる。このよう
に、超格子構造を採りＡｌＧａＮからなる第２層２０ｂ
内に基板の表面に向かって漸減するＭｇの濃度勾配が形
成される。その上、図３（ａ）に示すように、第２層２
０ｂにおけるＭｇの濃度の最低値でも、従来の方法によ
る不純物濃度と同程度の値が確保されている。
【００６１】このように、本願発明者らは、Ｃｐ2 Ｍｇ
の単位時間当たりの供給量を一定値としているにも拘わ
らず、ヘテロ界面を形成するだけで界面近傍にＭｇの濃
度勾配が生じる現象を見い出した。
【００６２】ところで、第２層２０ｂにおけるＭｇの濃
度のピークは、第２層２０ｂにおける基板側で接合する
第１層２０ａとの界面から１．５ｎｍ程度に間隔おいた
位置にあることを確認している。従って、第２層２０ｂ
はその厚みを少なくとも１．５ｎｍとすると、不純物濃
度のピーク位置を第２層２０ｂに確実に取り込むことが
できるため好ましい。
【００６３】本実施形態においては、ｐ型ドーパントで
あるＭｇのドーピングは、ｐ型超格子キャップ層２０よ
りも深い領域、すなわち下層の半導体層から開始するこ
とが好ましい。それは、ｐ型超格子キャップ層２０の成
長と同時にＭｇのドーピングを始めたのでは、Ｍｇの原
料であるＣｐ2 Ｍｇが基板上に速やかに供給されずにド
ーピングに遅れが生じてしまい、所望の不純物プロファ
イルを達成しにくいからである。
【００６４】図３（ｂ）は第１層２０ａ及び第２層２０
ｂの双方にｐ型ドーパントを一様にドープした場合のＳ
ＩＭＳ法による不純物プロファイルを示している。図３
（ｂ）に示すように、一様ドープであっても、第２層２
０ｂにおける基板側に位置する第１層２０ａとの界面近
傍でｐ型ドーパントであるＭｇの濃度が増大してその界
面近傍に偏析する。なお、図３（ｂ）に示す超格子半導
体層は測定用であって、第１層２０ａ及び第２層２０ｂ
を１周期とする８周期分で構成している。
【００６５】ｐ型超格子クラッド層２２についても同様
に、Ａｌを含む第２層における基板側に位置するＡｌを
含まない第１層との界面近傍でｐ型ドーパントの濃度が
増大することを確認している。
【００６６】次に、超格子構造を持つｐ型第１コンタク
ト層２４の有効性を説明する。
【００６７】図４はＧａＮからなる第１層２４ａとＩｎ
0.07Ｇａ0.93Ｎからなる第２層２４ｂとの超格子構造を
持つｐ型第１コンタクト層２４に含まれるＭｇの基板の
深さ方向への不純物プロファイルをＳＩＭＳ法により測
定した結果を示している。図４からは、第２層２４ｂに
おける基板側に位置する第１層２４ａとの界面近傍でｐ
型ドーパントであるＭｇの濃度が増大してその界面近傍
に偏析していることが分かる。これにより、有効アクセ
プタ濃度が大きく増大する。なお、図４に示す超格子半
導体層も測定用であって、第１層２４ａ及び第２層２４
ｂを１周期とする４周期分で構成している。
【００６８】（実施形態の一変形例）以下、本発明の第
１の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説
明する。本変形例に係る第１コンタクト層２４は、厚さ
が約１０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＮからなる単層により構成
する。
【００６９】図５（ａ）はＳＩＭＳ法により求めた単層
からなるｐ型第１コンタクト層とｐ型第２コンタクト層
とのＭｇの濃度と、種々の測定周波数を用いてＣ−Ｖ
（capacitance-voltage）測定法により求めた有効アク
セプタ濃度（Ｎａ−Ｎｄ）の基板の深さ方向の濃度プロ
ファイルとを示している。
【００７０】図５（ａ）に示すように、ｐ型第１コンタ
クト層に単層のｐ型ＩｎＧａＮを用いた場合には、Ｃｐ
2 Ｍｇの供給量を変えない一様ドープとしても、ｐ型第
１コンタクト層におけるｐ型第２コンタクト層との界面
近傍の領域でＭｇの濃度が上に凸状に急激に増大する。
その上、ｐ型第１コンタクト層の表面近傍の５ｎｍ程度
の領域においても、Ｍｇの濃度が急激に増大する。これ
により、有効アクセプタ濃度は、表面近傍の約５ｎｍの
領域内において大きく増大し、また、深さ位置が表面か
ら５ｎｍ〜１０ｎｍの領域においても従来の方法と比べ
て若干増大しており、改善がみられる。
【００７１】ここで、比較用として図５（ｂ）に、従来
の方法による厚さが約１０ｎｍのｐ + −ＧａＮからなる
ｐ型第１コンタクト層とｐ−ＧａＮからなるｐ型第２コ
ンタクト層とのＭｇの濃度及び有効アクセプタ濃度の基
板の深さ方向の濃度プロファイルを示す。
【００７２】図５（ｂ）に示す製造プロセスにおいて
は、ｐ型第２コンタクト層の成長時にはＣｐ2 Ｍｇの供
給量を４０ｓｃｃｍ（standard cubic centimeter per
mitute）とし、ｐ型第１コンタクト層の成長時にはＣｐ
2 Ｍｇの供給量を約７倍の２７０ｓｃｃｍに増加させて
いる。それにも拘わらず、ｐ型第１コンタクト層におけ
るｐ型第２コンタクト層との界面近傍、すなわち基板表
面からの５ｎｍ〜１０ｎｍの領域においては、Ｍｇの濃
度に急激に増大する兆候は見られず、単調に増加してい
るに過ぎない。但し、基板表面から５ｎｍ以内の領域に
おいてＭｇの濃度は急激に増大している。従って、有効
アクセプタ濃度は表面近傍の５ｎｍまでの域領に限り増
大させることができる。
【００７３】このように、ｐ型第１コンタクト層の成長
時にのみＣｐ2 Ｍｇの供給量を増やすという従来の方法
は、ｐ型第１コンタクト層にドープされるＭｇの濃度を
ｐ型第１コンタクト層におけるｐ型第２コンタクト層と
の界面近傍において急激に増大させることは不可能であ
る。
【００７４】なお、本願発明者らは、ＧａＮ層、ＩｎＧ
ａＮ層及びＡｌＧａＮ層のいずれにおいても、Ｍｇのド
ーピング濃度は３×１０19ｃｍ-3の濃度を超えると、Ｍ
ｇが半導体結晶中のガリウムや窒素等の本来の格子位置
に置換されず、アクセプタとしての活性化率が低下する
という知見を得ている。
【００７５】従って、ｐ型超格子キャップ層２０及びｐ
型超格子クラッド層２２においては、レーザ素子に注入
されるキャリアが、アクセプタの活性化率の低下に起因
する欠陥等の非発光中心における損失を回避するため
に、Ｍｇのドーピング濃度を３×１０19ｃｍ-3以下とす
ることが好ましい。
【００７６】一方、ｐ型第１コンタクト層は電極用の金
属材料との接触抵抗を下げることの方が重要であり、Ｍ
ｇの濃度の上限はない。
【００７７】また、ヘテロ接合界面によるｐ型ドーパン
トの濃度増大の効果は、III 族窒化物半導体の全般にわ
たって成り立つ。従って、アルミニウム、ガリウム及び
インジウムに限られず、例えば窒化ホウ素（ＢＮ）から
なる半導体との間でヘテロ接合界面を持っても良い。
【００７８】また、ｐ型ドーパントはマグネシウム（Ｍ
ｇ）に限られず、代わりに、亜鉛（Ｚｎ）又はカルシウ
ム（Ｃａ）等を用いても良い。
【００７９】また、本実施形態に係る半導体レーザ素子
は、下地層１３に設けたリセス部１３ａ同士の間に形成
されるストライプ状の凸部１３ｂの上に選択的横方向成
長（ＥＬＯＧ）法により成長した選択成長層１５を設け
ているが、下地層１３及び選択成長層１５は本発明に必
須ではない。しかしながら、このＥＬＯＧ法を用いるこ
とにより、選択成長層１５上に成長するｎ型コンタクト
層１６から上に成長する各半導体層の結晶性を極めて良
好とすることができる。
【００８０】また、窒化物半導体の成長方法は、ＭＯＶ
ＰＥ法に限られず、ハイドライド気相成長（Ｈ−ＶＰ
Ｅ）法又は分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等の窒化物半
導体を成長可能な方法であればすべての方法に適用でき
る。
【００８１】
【発明の効果】本発明に係る窒化物半導体の製造方法に
よると、第１のIII 族窒化物からなる第１の半導体層と
該第１のIII 族窒化物と異なる第２のIII 族窒化物から
なる第２の半導体層との積層体におけるヘテロ接合界面
の近傍の領域で、ｐ型ドーパントの濃度が局所的に且つ
従来よりも増大するように成長する。このため、ヘテロ
接合界面近傍においてｐ型ドーパントの濃度が従来より
も増大するので、低抵抗化を実現できると共に積層体の
みが高不純物濃度を有する急峻なｐ型不純物プロファイ
ルを達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体レーザ
素子を示す構成断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施形態に係る窒化物半導
体レーザ素子におけるｐ型超格子キャップ層を示す構成
断面図である。（ｂ）は本発明の一実施形態に係る窒化
物半導体レーザ素子におけるｐ型第１コンタクト層を示
す構成断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る
窒化物半導体レーザ素子におけるｐ型超格子キャップ層
のＳＩＭＳ法による不純物プロファイルを示し、（ａ）
は選択ドープによるグラフであり、（ｂ）は一様ドープ
によるグラフである。
【図４】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体レーザ
素子におけるｐ型第１コンタクト層のＳＩＭＳ法による
不純物プロファイルを示すグラフである。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は窒化物半導体レーザ素子に
おけるｐ型第１コンタクト層及びｐ型第２コンタクト層
の濃度プロファイルを示し、（ａ）は本発明の一実施形
態の一変形例に係る半導体レーザ素子を示すグラフであ
り、（ｂ）は従来の半導体レーザ素子を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１１ 基板 １２ バッファ層 １３ 下地層 １３ａ リセス部 １３ｂ 凸部 １４ マスク膜 １５ 選択成長層 １６ ｎ型コンタクト層 １７ ｎ型クラッド層 １８ ｎ型光ガイド層 １９ 多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層 ２０ ｐ型超格子キャップ層 ２０ａ 第１層（井戸層） ２０ｂ 第２層（バリア層） ２１ ｐ型光ガイド層 ２２ ｐ型超格子クラッド層 ２３ ｐ型第２コンタクト層 ２４ ｐ型第１コンタクト層 ２４ａ 第１層（バリア層） ２４ｂ 第２層（井戸層） ２５ 保護絶縁膜 ２６ ｐ側電極 ２７ ｎ側電極 ３０ リッジ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 義晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大塚 信之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 菅原 岳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮永 良子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 嶋本 敏孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 服藤 憲司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 伴 雄三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大仲 清司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB14 AB17 AC08 AC12 AD12 AD14 AF09 BB05 CA11 CA12 DA54 DB02 5F073 AA11 AA13 AA51 AA71 AA74 AA77 CA07 CB05 CB07 CB19 DA05

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の上に、第１のIII 族源及び窒素を
    含むＶ族源を供給することにより、第１のIII 族窒化物
    からなる第１の半導体層を成長する第１の工程と、 前記第１の半導体層の上に、前記第１のIII 族源と異な
    るIII 族元素を含む第２のIII 族源及び窒素を含むＶ族
    源を供給することにより、前記第１の半導体層の上に第
    ２のIII 族窒化物からなる第２の半導体層を成長する第
    ２の工程とを備え、 前記第１の工程及び第２の工程のうちの少なくとも１つ
    は前記基板上にｐ型ドーパントを供給する工程を含み、 前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面の近
    傍領域は、前記ｐ型ドーパントの濃度が局所的に増大す
    るように成長することを特徴とする窒化物半導体の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 前記第１のIII 族源はガリウムを含み、
    前記第２のIII 族源はアルミニウム又はインジウムを含
    むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の製
    造方法。
  3. 【請求項３】 前記第１のIII 族源はガリウムからな
    り、前記第２のIII 族源はガリウムとアルミニウム又は
    インジウムとを含むことを特徴とする請求項１に記載の
    窒化物半導体の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の工程及び第２の工程が共に前
    記ｐ型ドーパントを供給する場合に、前記各ｐ型ドーパ
    ントの供給量はほぼ同等であることを特徴とする請求項
    １〜３のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体の製
    造方法。
  5. 【請求項５】 前記第１の工程及び第２の工程における
    前記ｐ型ドーパントの供給量は異なることを特徴とする
    請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導
    体の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１の半導体層の成長時に前記ｐ型
    ドーパントを供給する場合に、前記ｐ型ドーパントを前
    記第１の半導体層を成長するよりも前に供給し始めるこ
    とを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１項に記
    載の窒化物半導体の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第２の半導体層の成長時に前記ｐ型
    ドーパントを供給する場合に、前記ｐ型ドーパントを前
    記第２の半導体層を成長するよりも前に供給し始めるこ
    とを特徴とする請求項１〜５に記載の窒化物半導体の製
    造方法。
  8. 【請求項８】 前記ｐ型ドーパントの濃度のピークは、
    前記第２の半導体層中に位置することを特徴とする請求
    項１〜７のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体の
    製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第２のIII 族源は複数のIII 族元素
    を含み、 前記第２の半導体層における前記複数のIII 族元素のう
    ち組成比が小さい元素の濃度のピーク位置と、前記ｐ型
    ドーパントのピーク位置とは互いに異なることを特徴と
    する請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の窒化物
    半導体の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記ｐ型ドーパントの濃度は約３×１
    ０19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１〜９の
    うちのいずれか１項に記載の窒化物半導体の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第２の半導体層の厚さは約１．５
    ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜１０のうち
    のいずれか１項に記載の窒化物半導体の製造方法。
  12. 【請求項１２】 基板の上に、第１の窒化物半導体から
    なる活性層を成長する第１の工程と、 前記活性層の上に、第２の窒化物半導体からなり前記活
    性層を保護するｐ型キャップ層を成長する第２の工程
    と、 前記ｐ型キャップ層の上に第３の窒化物半導体層からな
    るｐ型クラッド層を成長する第３の工程と、 前記ｐ型クラッド層の上に第４の窒化物半導体層からな
    るｐ型コンタクト層を成長する第４の工程とを備え、 前記第２の工程、第３の工程及び第４の工程のうちの少
    なくとも１つは、第１のIII 族源及び窒素を含むＶ族源
    を供給することにより、第１のIII 族窒化物からなる一
    の層を成長する工程と、 前記一の層の上に、前記第１のIII 族源と異なるIII 族
    元素を含む第２のIII族源及び窒素を含むＶ族源を供給
    することにより、前記一の層の上に第２のIII族窒化物
    からなる他の層を成長する工程とを有し、 前記一の層を成長する工程及び他の層を成長する工程の
    少なくとも１つは、前記基板上にｐ型ドーパントを供給
    する工程を含み、 前記一の層と前記他の層との界面の近傍領域は、前記ｐ
    型ドーパントの濃度が局所的に増大するように成長する
    ことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１のIII 族源はガリウムを含
    み、前記第２のIII 族源はアルミニウム又はインジウム
    を含むことを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導
    体素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記一の層又は他の層を成長する工程
    よりも前に、前記ｐ型ドーパントを供給し始めることを
    特徴とする請求項１２又は１３に記載の窒化物半導体素
    子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記ｐ型キャップ層又はｐ型クラッド
    層のｐ型ドーパントの濃度は約３×１０19ｃｍ-3以下で
    あることを特徴とする請求項１１〜１４のうちのいずれ
    か１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記他の層の厚さは約１．５ｎｍ以上
    であることを特徴とする請求項１１〜１５のうちのいず
    れか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記ｐ型コンタクト層はインジウムを
    含み、 前記ｐ型コンタクト層における前記ｐ型ドーパントの濃
    度は、前記ｐ型コンタクト層の表面から漸減し且つ上面
    からの深さが約１０ｎｍの位置で約３×１０19ｃｍ-3以
    上であることを特徴とする請求項１１〜１６のうちのい
    ずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 基板の上に形成された第１の窒化物半
    導体からなる活性層と、 前記活性層の上に形成された第２の窒化物半導体からな
    るｐ型キャップ層と、 前記ｐ型キャップ層の上に形成された第３の窒化物半導
    体層からなるｐ型クラッド層と、 前記ｐ型クラッド層の上に形成された第４の窒化物半導
    体層からなるｐ型コンタクト層とを備え、 前記ｐ型キャップ層、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタク
    ト層のうちの少なくとも１つは、第１のIII 族窒化物か
    らなる一の層と該一の層の上に形成され且つ前記第１の
    III 族窒化物と異なる第２のIII 族窒化物からなる他の
    層とが積層されてなり、 前記他の層における前記一の層との界面の近傍領域は、
    ｐ型ドーパントの濃度が局所的に増大していることを特
    徴とする窒化物半導体素子。
  19. 【請求項１９】 前記第１のIII 族窒化物はガリウムを
    含み、前記第２のIII 族窒化物はアルミニウム又はイン
    ジウムを含むことを特徴とする請求項１８に記載の窒化
    物半導体素子。
  20. 【請求項２０】 前記ｐ型キャップ層又はｐ型クラッド
    層のｐ型ドーパントの濃度は約３×１０19ｃｍ-3以下で
    あることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の窒化
    物半導体素子。
  21. 【請求項２１】 前記他の層の厚さは約１．５ｎｍ以上
    であることを特徴とする請求項１８〜２０のうちのいず
    れか１項に記載の窒化物半導体素子。
  22. 【請求項２２】 前記ｐ型コンタクト層における前記他
    の層はインジウムを含み、 前記ｐ型コンタクト層における前記ｐ型ドーパントの濃
    度は、前記ｐ型コンタクト層の表面から漸減し且つ上面
    からの深さが約１０ｎｍの位置で約３×１０19ｃｍ-3以
    上であることを特徴とする請求項１８〜２１のうちのい
    ずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
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KR1020010083800A KR100814587B1 (ko) 2000-12-25 2001-12-24 질화물반도체의 제조방법, 질화물반도체소자의 제조방법및 그것을 이용한 질화물반도체소자
EP01130923A EP1220304A3 (en) 2000-12-25 2001-12-27 Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device
US10/434,063 US6921678B2 (en) 2000-12-25 2003-05-09 Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device
US11/063,533 US7160748B2 (en) 2000-12-25 2005-02-24 Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140387A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nec Corp 窒化物半導体レ−ザ及びその製造方法
US7160748B2 (en) 2000-12-25 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device
US7508001B2 (en) 2004-06-21 2009-03-24 Panasonic Corporation Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US7576363B2 (en) 2004-10-08 2009-08-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light emitting device
WO2010029720A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
KR101142745B1 (ko) 2003-03-07 2012-05-03 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 질화갈륨 단결정 기판 및 그 제조방법
JP2012199578A (ja) * 2005-09-27 2012-10-18 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイスを成長させるための基板
JP2013048266A (ja) * 2012-10-11 2013-03-07 Toshiba Corp 半導体発光素子
US8956890B2 (en) 2012-09-21 2015-02-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device
US8981340B2 (en) 2003-09-25 2015-03-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor device and production method thereof

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3438674B2 (ja) * 1999-10-21 2003-08-18 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
EP1363318A1 (en) * 2001-12-20 2003-11-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making nitride semiconductor substrate and method for making nitride semiconductor device
TWI240439B (en) * 2003-09-24 2005-09-21 Sanken Electric Co Ltd Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI243399B (en) * 2003-09-24 2005-11-11 Sanken Electric Co Ltd Nitride semiconductor device
KR101181182B1 (ko) 2004-11-11 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100662191B1 (ko) * 2004-12-23 2006-12-27 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW200711171A (en) 2005-04-05 2007-03-16 Toshiba Kk Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing same
US9157169B2 (en) * 2005-09-14 2015-10-13 International Rectifier Corporation Process for manufacture of super lattice using alternating high and low temperature layers to block parasitic current path
DE102006046227A1 (de) * 2006-07-27 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter
EP1883140B1 (de) * 2006-07-27 2013-02-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht und Dotierungsgradienten
EP1883119B1 (de) 2006-07-27 2015-11-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter
EP1883141B1 (de) 2006-07-27 2017-05-24 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht
KR101308130B1 (ko) 2008-03-25 2013-09-12 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101139142B1 (ko) 2008-11-06 2012-04-26 파나소닉 주식회사 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법
DE102009040438A1 (de) * 2009-07-24 2011-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Quantentopfstruktur
WO2011013621A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザダイオード
US8835998B2 (en) * 2009-12-14 2014-09-16 University Of Notre Dame Du Lac Compositionally graded heterojunction semiconductor device and method of making same
CN102511085A (zh) * 2009-12-25 2012-06-20 松下电器产业株式会社 氮化物系半导体元件及其制造方法
JP5426007B2 (ja) 2010-02-19 2014-02-26 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
KR101054984B1 (ko) * 2010-03-26 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2011233751A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Panasonic Corp 窒化物半導体トランジスタ
KR20110133241A (ko) 2010-06-04 2011-12-12 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 제조 방법
US9024344B2 (en) * 2010-06-15 2015-05-05 California Institute Of Technology Surface passivation by quantum exclusion using multiple layers
JP5349420B2 (ja) * 2010-08-04 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP5996846B2 (ja) 2011-06-30 2016-09-21 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9368677B2 (en) * 2011-08-01 2016-06-14 Sandia Corporation Selective layer disordering in III-nitrides with a capping layer
US8895335B1 (en) * 2011-08-01 2014-11-25 Sandia Corporation Impurity-induced disorder in III-nitride materials and devices
JP6229609B2 (ja) 2014-07-18 2017-11-15 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
TWI568016B (zh) * 2014-12-23 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件
DE102017121484A1 (de) 2017-06-21 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
DE102017119931A1 (de) * 2017-08-30 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR102432226B1 (ko) * 2017-12-01 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN108808446B (zh) * 2018-06-27 2020-11-27 潍坊华光光电子有限公司 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法
TWI766210B (zh) * 2019-11-18 2022-06-01 環球晶圓股份有限公司 磊晶結構
TWI735212B (zh) * 2020-04-24 2021-08-01 環球晶圓股份有限公司 具有超晶格疊層體的磊晶結構
CN115312596A (zh) * 2021-05-07 2022-11-08 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395926A (ja) 1989-09-08 1991-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 不純物ドーピング方法
US5226055A (en) * 1991-09-30 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Devices having repetitive layers
EP0665578B1 (en) * 1993-11-25 2002-02-20 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor structure and method of fabricating the same
JP2666237B2 (ja) 1994-09-20 1997-10-22 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3368452B2 (ja) * 1995-04-25 2003-01-20 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JPH1070082A (ja) 1996-08-27 1998-03-10 Sony Corp ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の作製方法
JP3700283B2 (ja) 1996-10-02 2005-09-28 昭和電工株式会社 窒化物化合物半導体素子
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JP3374737B2 (ja) 1997-01-09 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
EP1017113B1 (en) * 1997-01-09 2012-08-22 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP3679914B2 (ja) * 1997-02-12 2005-08-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US5888886A (en) * 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
KR100611352B1 (ko) * 1998-03-12 2006-09-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
JP3394488B2 (ja) 2000-01-24 2003-04-07 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP3453558B2 (ja) * 2000-12-25 2003-10-06 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7160748B2 (en) 2000-12-25 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device
KR101142745B1 (ko) 2003-03-07 2012-05-03 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 질화갈륨 단결정 기판 및 그 제조방법
US8981340B2 (en) 2003-09-25 2015-03-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor device and production method thereof
US7508001B2 (en) 2004-06-21 2009-03-24 Panasonic Corporation Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US7576363B2 (en) 2004-10-08 2009-08-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light emitting device
JP2006140387A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nec Corp 窒化物半導体レ−ザ及びその製造方法
JP2012199578A (ja) * 2005-09-27 2012-10-18 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイスを成長させるための基板
CN102084504A (zh) * 2008-09-09 2011-06-01 松下电器产业株式会社 氮化物类半导体发光元件及其制造方法
JP4510931B2 (ja) * 2008-09-09 2010-07-28 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JPWO2010029720A1 (ja) * 2008-09-09 2012-02-02 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP4510934B2 (ja) * 2008-09-09 2010-07-28 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2010135848A (ja) * 2008-09-09 2010-06-17 Panasonic Corp 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
US8785965B2 (en) 2008-09-09 2014-07-22 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
WO2010029720A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
US8956890B2 (en) 2012-09-21 2015-02-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device
JP2013048266A (ja) * 2012-10-11 2013-03-07 Toshiba Corp 半導体発光素子

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