JP2002164658A - Module board - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、表面に電子部品
が実装され、側面に外部との電気的接続に使用する電極
として導通溝が形成されたモジュール基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a module substrate having an electronic component mounted on a surface and a conductive groove formed on a side surface as an electrode used for electrical connection to the outside.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、基板に、半導体集積回路素子、抵
抗、インダクタ、コンデンサ等の電子部品(以下、チッ
プ部品と言う。)を実装したモジュール基板が、一種の
集積回路として利用されている。このモジュール基板
は、他の部品、例えば他のモジュール基板、パッケージ
ングされた集積回路、とともに配線基板に実装される。
上記モジュール基板には、セラミック基板やガラスエポ
キシ基板がよく使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a module substrate having electronic components (hereinafter, referred to as chip components) such as semiconductor integrated circuit elements, resistors, inductors, and capacitors mounted on a substrate has been used as a kind of integrated circuit. This module board is mounted on a wiring board together with other components, for example, another module board and a packaged integrated circuit.
As the module substrate, a ceramic substrate or a glass epoxy substrate is often used.
【0003】基板に形成されている配線パターンとチッ
プの端子との電気的接続は、フェイスアップに搭載した
チップ部品の端子をワイヤで基板の配線パターンに接続
するワイヤボンディングや、フェイスダウンに搭載した
チップ部品の端子を半田等で基板の配線パターンに接続
する直接接続等で行われている。また、実装したチップ
部品や基板上の配線パターンを保護するため、これらを
金属キャップや封止樹脂で覆っている。[0003] The electrical connection between the wiring pattern formed on the substrate and the terminal of the chip is performed by wire bonding for connecting the terminal of the chip component mounted face up to the wiring pattern of the substrate with a wire, or mounted face down. It is performed by direct connection or the like in which the terminals of the chip component are connected to the wiring pattern of the substrate with solder or the like. In order to protect the mounted chip components and the wiring patterns on the substrate, these are covered with a metal cap or a sealing resin.
【0004】上述のモジュール基板は、GaAsIC等
を材料に用いたギガヘルツ帯域で動作する高周波集積回
路素子を扱う場合に特に有効である。周知のように、基
板上におけるチップ部品の配置位置、ワイヤボンディン
グのワイヤ形状、基板に形成されている配線パターン形
状等により特性インピーダンスが変化する。しかし、モ
ジュール基板において上記特性インピーダンスの整合を
取ることができるので、簡単に高周波集積回路素子の高
周波特性を安定して引き出せるからである。The above-mentioned module substrate is particularly effective when handling a high-frequency integrated circuit device operating in the gigahertz band using GaAsIC or the like as a material. As is well known, the characteristic impedance changes depending on the arrangement position of the chip component on the substrate, the wire shape of the wire bonding, the shape of the wiring pattern formed on the substrate, and the like. However, since the characteristic impedance can be matched on the module substrate, the high-frequency characteristics of the high-frequency integrated circuit element can be easily and stably extracted.
【0005】モジュール基板は、数ミリ×数ミリの非常
に小型の基板にチップ部品を実装したものである。最近
では、利用する基板を多層基板とし、両面配線だけでな
く内部配線も活用されている。[0005] The module substrate is obtained by mounting chip components on a very small substrate of several millimeters by several millimeters. Recently, a multilayer substrate has been used, and not only double-sided wiring but also internal wiring has been utilized.
【0006】上述の高周波集積回路素子が実装されたモ
ジュール基板では、高周波集積回路素子と入出力信号線
との特性インピーダンスの整合を取るために、信号線の
幅等を調整し、絶縁性基板を介して接地面パターンとマ
イクロストリップ伝送路を形成したものが提案されてい
る。また、多層基板の内部配線層に信号線や接地パター
ンを配設することで、高周波信号の飛び込み電波を遮蔽
することも提案されている。In the module substrate on which the above-described high-frequency integrated circuit element is mounted, in order to match the characteristic impedance between the high-frequency integrated circuit element and the input / output signal line, the width of the signal line is adjusted and the insulating substrate is mounted. There has been proposed a device in which a ground plane pattern and a microstrip transmission line are formed via a ground. It has also been proposed to arrange a signal line or a ground pattern on an internal wiring layer of a multilayer substrate to shield a radio wave from a high-frequency signal.
【0007】また、モジュール基板では、基板下部に設
けたバンプ、下部もしくは側面から伸ばしたリード端
子、基板側面に設けた端面電極等を外部との電気的接続
に用いる接続端子として利用している。特に、上述の端
面電極がよく利用されている。端面電極とは、後述する
ように基板側面に形成した導通溝である。その理由は、
モジュール基板を配線基板に実装したとき、例えば半田
で電気的に接続したとき、半田付状態の良否が実装した
モジュール基板側面の黙視検査で容易に行え、また半田
付け面積が比較的大きく取れるので電気的接続の信頼性
も高いからである。In the module substrate, bumps provided on the lower portion of the substrate, lead terminals extending from the lower portion or the side surface, end surface electrodes provided on the side surface of the substrate, and the like are used as connection terminals used for electrical connection to the outside. In particular, the above-mentioned end face electrodes are often used. The end surface electrode is a conductive groove formed on the side surface of the substrate as described later. The reason is,
When the module board is mounted on the wiring board, for example, when it is electrically connected with solder, the quality of the soldered state can be easily checked by a silent inspection of the side of the mounted module board, and the soldering area is relatively large, so the This is because the reliability of the dynamic connection is high.
【0008】以下、上述の端面電極を有するモジュール
基板の製造工程について簡単に説明する。モジュール基
板は大面積の基板上に複数のモジュール基板を形成し、
ダイシング等で切り離している。Hereinafter, a process of manufacturing a module substrate having the above-mentioned end face electrodes will be briefly described. The module board forms multiple module boards on a large area board,
It is separated by dicing.
【0009】まず、単層基板の場合、大面積の基板に
エッチング等で製造するモジュール基板に応じた配線パ
ターンを複数形成する。そして、上記配線パターンを基
板の両面に形成した場合、必要に応じて基板両面の配線
パターンを電気的に接続するためのスルーホールを形成
する。一方、多層基板の場合、各層の基板に製造するモ
ジュール基板に応じた配線パターンを複数形成し、これ
らの基板を貼り合わせ、必要に応じて同一面に形成され
ていない配線パターンを電気的に接続するためのスルー
ホールを形成する。First, in the case of a single-layer substrate, a plurality of wiring patterns corresponding to a module substrate manufactured by etching or the like are formed on a large-area substrate. When the wiring patterns are formed on both surfaces of the substrate, through holes for electrically connecting the wiring patterns on both surfaces of the substrate are formed as necessary. On the other hand, in the case of a multi-layer substrate, a plurality of wiring patterns corresponding to the module substrate to be manufactured are formed on the substrate of each layer, these substrates are bonded, and if necessary, wiring patterns not formed on the same surface are electrically connected. To form through holes.
【0010】また、上記大面積基板に対して、後述す
るダイシングで切り離した個々のモジュール基板におい
て、端面電極を設ける位置にスルーホール(端面電極用
スルーホール)を形成する。Further, a through hole (through hole for an end face electrode) is formed at a position where an end face electrode is provided on each module board cut by dicing with respect to the large area board.
【0011】なお、上記およびで形成したスルーホ
ールについては、内面にNi−Snメッキ、Ni−Au
メッキや半田メッキ等で導体層を形成している。The through-holes formed in the above steps are formed by plating Ni-Sn on the inner surface, Ni-Au
The conductor layer is formed by plating or solder plating.
【0012】大面積の基板に、半導体集積回路素子や
受動素子等のチップ部品を実装する。このとき、基板上
の配線とチップ部品とは、上述のワイヤボンディング
や、半田等で電気的に接続される。Chip components such as semiconductor integrated circuit elements and passive elements are mounted on a large-area substrate. At this time, the wiring on the board and the chip component are electrically connected by the above-described wire bonding, soldering or the like.
【0013】実装したチップ部品や、基板上の配線等
を封止樹脂で被覆する。The mounted chip components, wiring on the substrate, and the like are covered with a sealing resin.
【0014】ダイシング等で個々のモジュール基板に
切り離す(上記で形成した端面電極用スルーホールの
略中心を通る線で切り離す。)。したがって、切り離さ
れた個々のモジュール基板の端面には、半円筒形状の端
面電極(導通溝)が形成される。The individual module substrates are separated by dicing or the like (separated by a line passing through substantially the center of the end surface electrode through hole formed above). Therefore, a semi-cylindrical end surface electrode (conductive groove) is formed on the end surface of each separated module substrate.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述ので
実装したチップ部品や、基板上の配線等を封止樹脂で被
覆するとき、封止樹脂が端面電極用スルーホールに流入
して固まることがあり、上述ので切り離したモジュー
ル基板の側面に形成されている端面電極に上記封止樹脂
が付着している。このため、該端面電極の半田付け面積
が小さく、モジュール基板における外部との電気的接続
の信頼性を低下させてしまう。Incidentally, when the chip components mounted as described above and the wiring on the substrate are covered with a sealing resin, the sealing resin may flow into the through-holes for the end face electrodes and solidify. The sealing resin adheres to the end surface electrodes formed on the side surfaces of the module substrate separated as described above. For this reason, the soldering area of the end surface electrode is small, and the reliability of the electrical connection between the module substrate and the outside is reduced.
【0016】そこで、封止樹脂で被覆する前に端面電極
用スルーホールを絶縁テープやフィルム等でマスクする
ことで、端面電極用スルーホールへの封止樹脂の流入を
防止することが提案されている(特開平11−2514
87号)。Therefore, it has been proposed to prevent the inflow of the sealing resin into the through-holes for the end face electrodes by masking the through-holes for the end face electrodes with an insulating tape or a film before covering with the sealing resin. (Japanese Patent Laid-Open No. 11-2514)
No. 87).
【0017】しかしながら、上述の〜の製造工程に
絶縁テープやフィルム等で端面電極用スルーホールをマ
スクする工程を追加しなければならず、コストアップと
いう問題があった。However, a step of masking the through-holes for the end face electrodes with an insulating tape, a film or the like must be added to the above-mentioned manufacturing steps (1) to (4), and there is a problem of an increase in cost.
【0018】この発明の目的は、信頼性を低下させるこ
となく、安価に製造できるモジュール基板を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to provide a module substrate which can be manufactured at low cost without reducing reliability.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】この発明のモジュール基
板は、上記課題を解決するため以下の構成を備えてい
る。A module board according to the present invention has the following arrangement to solve the above-mentioned problems.
【0020】(1)多層基板の表面に電子部品が実装さ
れ、外部との電気的接続に使用する電極として前記多層
基板の側面に導通溝が形成された,モジュール基板であ
って、上記多層基板の少なくとも一層には、上記導通溝
が形成されていない。(1) A module substrate, wherein electronic components are mounted on the surface of the multilayer substrate, and conduction grooves are formed on side surfaces of the multilayer substrate as electrodes used for electrical connection to the outside. The conductive groove is not formed on at least one of the layers.
【0021】上記構成では、多層基板の側面に形成され
ている導通溝が、所謂端面電極として外部との電気的接
続に使用される。ここで、多層基板の少なくとも一層に
は、側面に上記導通溝が形成されていないので、多層基
板の表面に実装した電子部品を封止樹脂で被覆したと
き、上記導通溝が形成されていない層よりも底面側の層
に形成されている上記導通溝に封止樹脂が流入すること
がない。このため、モジュール基板の側面に形成されて
いる端面電極の半田付け面積を確保することができ、モ
ジュール基板における外部との電気的接続の信頼性を低
下させることがない。また、従来のように封止樹脂の流
入を防止するために絶縁テープやフィルム等でマスクす
る必要もないので、コストアップという問題もなく安価
に製造できる。In the above configuration, the conductive groove formed on the side surface of the multilayer substrate is used as a so-called end surface electrode for electrical connection to the outside. Here, since at least one layer of the multilayer substrate does not have the conductive groove formed on the side surface, when the electronic component mounted on the surface of the multilayer substrate is covered with a sealing resin, a layer where the conductive groove is not formed is formed. The sealing resin does not flow into the conductive groove formed in the layer on the bottom surface side. For this reason, the soldering area of the end surface electrodes formed on the side surface of the module substrate can be secured, and the reliability of the electrical connection between the module substrate and the outside is not reduced. In addition, since it is not necessary to mask with an insulating tape or a film in order to prevent the inflow of the sealing resin as in the related art, it is possible to manufacture the semiconductor device at low cost without increasing the cost.
【0022】また、導通溝を形成しない層を上層にする
ほど、端面電極の半田付け面積が大きくなるので、導通
溝を形成しない層は電子部品が実装される表面の層等、
比較的上層にしたほうがよい。Further, the higher the layer in which the conductive groove is not formed, the larger the soldering area of the end face electrode. Therefore, the layer in which the conductive groove is not formed is a layer such as a surface layer on which electronic components are mounted.
It is better to make it relatively high.
【0023】(2)基板の表面に電子部品が実装され、
外部との電気的接続に使用する電極として前記基板の側
面に導通溝が形成されたモジュール基板であって、上記
導通溝の高さは、上記基板の厚さ未満である。(2) electronic components are mounted on the surface of the substrate,
A module substrate having a conductive groove formed on a side surface of the substrate as an electrode used for electrical connection with the outside, wherein a height of the conductive groove is less than a thickness of the substrate.
【0024】この構成では、基板の側面に形成されてい
る導通溝の高さを基板の厚さ未満にしたので、上記
(1)と同様の効果を奏する。In this configuration, the height of the conductive groove formed on the side surface of the substrate is set to be less than the thickness of the substrate, so that the same effect as (1) is obtained.
【0025】なお、この発明では、基板は多層基板であ
ってもよいし、また単層基板であってもよい。In the present invention, the substrate may be a multi-layer substrate or a single-layer substrate.
【0026】また、上記多層基板の層間に内部配線層を
形成することで、小型で且つ特性インピーダンスの整合
がとりやすいモジュール基板が得られる。Further, by forming an internal wiring layer between the layers of the multilayer substrate, it is possible to obtain a module substrate which is small in size and in which characteristic impedance can be easily matched.
【0027】特に、高周波回路素子を実装するモジュー
ル基板や、実装した電子部品を封止樹脂で被覆するモジ
ュール基板において有効である。In particular, the present invention is effective for a module substrate on which a high-frequency circuit element is mounted and a module substrate in which a mounted electronic component is covered with a sealing resin.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態である
モジュール基板について説明する。この種のモジュール
基板としては、例えば携帯電話のパワーアンプがある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a module board according to an embodiment of the present invention will be described. As this type of module substrate, for example, there is a power amplifier of a mobile phone.
【0029】図1は、この発明の実施形態であるモジュ
ール基板を示す図である。また、図2は図1において封
止樹脂を取り除いた状態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a module substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing a state in which the sealing resin is removed in FIG.
【0030】この実施形態のモジュール基板1は、基板
2の表面に実装されている電子部品や、基板2の表面に
形成されている配線パターンを封止樹脂3で被覆してい
る。基板2は3枚の基板5、6、7を貼り合わせた3層
基板であり、例えば基板5〜7は縦6.0mm、横6.
0mm、厚さ0.2mmである(基板2の厚さは約0.
6mmである。)。以下、基板5を表面層基板5と言
い、基板6を中間層基板6と言い、基板7を底面層基板
7と言う。In the module substrate 1 of this embodiment, the electronic components mounted on the surface of the substrate 2 and the wiring patterns formed on the surface of the substrate 2 are covered with a sealing resin 3. The substrate 2 is a three-layer substrate in which three substrates 5, 6, and 7 are bonded. For example, the substrates 5 to 7 are 6.0 mm long and 6.0 mm wide.
0 mm and a thickness of 0.2 mm (the thickness of the substrate 2 is about 0.3 mm).
6 mm. ). Hereinafter, the substrate 5 is referred to as a surface layer substrate 5, the substrate 6 is referred to as an intermediate layer substrate 6, and the substrate 7 is referred to as a bottom layer substrate 7.
【0031】表面層基板5には、図2に示すように半導
体集積回路素子11や、抵抗素子、インダクタ素子、コ
ンデンサ素子等の受動素子12が実装されている。半導
体集積回路素子11および受動素子12がこの発明で言
う電子部品に相当する。封止樹脂3は、表面層基板5に
実装されている上記半導体集積回路素子11、受動素子
12、および表面層基板5の表面に形成されている配線
パターンを覆っている。このモジュール基板1は携帯電
話のパワーアンプである。半導体集積回路素子11はG
aAsICを材料に用いたギガヘルツ帯域で動作する高
周波集積回路素子である。As shown in FIG. 2, a semiconductor integrated circuit element 11 and passive elements 12 such as a resistance element, an inductor element and a capacitor element are mounted on the surface layer substrate 5. The semiconductor integrated circuit element 11 and the passive element 12 correspond to an electronic component according to the present invention. The sealing resin 3 covers the semiconductor integrated circuit element 11 and the passive element 12 mounted on the surface layer substrate 5 and the wiring pattern formed on the surface of the surface layer substrate 5. This module substrate 1 is a power amplifier of a mobile phone. The semiconductor integrated circuit element 11 is G
This is a high-frequency integrated circuit device that operates in the gigahertz band using aAsIC as a material.
【0032】中間層基板6および底面層基板7の側面に
は半円筒形状の導通溝21が形成されているが、表面層
基板5の側面には上記導通溝21は形成されていない。
導通溝21は、例えば直径0.5mmの半円筒形であ
る。導通溝21の表面には、Ni−Snメッキ、Ni−
Auメッキや半田メッキ等で導体層が形成されている。
この導通溝21は、外部との電気的接続に使用する端面
電極である。Although the semi-cylindrical conductive grooves 21 are formed on the side surfaces of the intermediate layer substrate 6 and the bottom layer substrate 7, the conductive grooves 21 are not formed on the side surfaces of the surface layer substrate 5.
The conduction groove 21 is, for example, a semi-cylindrical shape having a diameter of 0.5 mm. Ni-Sn plating, Ni-
The conductor layer is formed by Au plating, solder plating, or the like.
The conduction groove 21 is an end face electrode used for electrical connection with the outside.
【0033】図2では、表面層基板5にフェイスアップ
に実装した半導体集積回路素子11を示している。この
半導体集積回路素子11は、表面層基板5に形成されて
いる配線パターン15にワイヤ16で電気的に接続され
ている。表面層基板5に形成されている配線パターン1
5は、例えば線幅0.8mm、線厚30μmであり、周
知のエッチングで形成できる。FIG. 2 shows the semiconductor integrated circuit element 11 mounted face-up on the surface layer substrate 5. This semiconductor integrated circuit element 11 is electrically connected to a wiring pattern 15 formed on the surface layer substrate 5 by wires 16. Wiring pattern 1 formed on surface layer substrate 5
5 has a line width of 0.8 mm and a line thickness of 30 μm, for example, and can be formed by well-known etching.
【0034】また、配線パターン15は表面層基板5の
表面以外の面(表面層基板5の裏面、中間層基板6およ
び底面層基板7の表裏面)にも形成されている。但し、
配線パターン15が形成されていない面があってもよ
い。The wiring pattern 15 is also formed on a surface other than the surface of the surface layer substrate 5 (the back surface of the surface layer substrate 5, the front and back surfaces of the intermediate layer substrate 6 and the bottom layer substrate 7). However,
There may be a surface on which the wiring pattern 15 is not formed.
【0035】異なる面に形成されている配線パターン1
5は、基板2に形成したスルーホール17(またはビア
ホール)により電気的に接続されている。スルーホール
17の内面には、Ni−Snメッキ、Ni−Auメッキ
や半田メッキ等で導体層が形成されている。Wiring pattern 1 formed on different surface
5 is electrically connected by a through hole 17 (or a via hole) formed in the substrate 2. A conductor layer is formed on the inner surface of the through hole 17 by Ni-Sn plating, Ni-Au plating, solder plating, or the like.
【0036】上述の導通溝21は、上述のように外部と
の電気的接続に使用する端面電極である。この実施形態
のモジュール基板1では、底面層基板7の表面にランド
18を形成している。このランド18は導通溝21の周
囲に形成されており、導通溝21とモジュール基板1内
部との電気的接続を確保するためのものである。なお、
ランド18は、複数の面に形成してもよい。The conductive groove 21 is an end face electrode used for electrical connection with the outside as described above. In the module substrate 1 of this embodiment, lands 18 are formed on the surface of the bottom layer substrate 7. The land 18 is formed around the conduction groove 21 and is for ensuring electrical connection between the conduction groove 21 and the inside of the module substrate 1. In addition,
The lands 18 may be formed on a plurality of surfaces.
【0037】また、ランド18を半導体集積回路素子1
1や受動素子12の実装面でない面に形成することで、
ランド18の大きさが基板2における電子部品の実装面
積に影響を与えることなく、導通溝21とモジュール基
板1内部との電気的接続を確保することができるので、
モジュール基板1の大型化も防止できる。The land 18 is connected to the semiconductor integrated circuit device 1.
1 and the passive element 12 are formed on a surface other than the mounting surface,
Since the size of the land 18 does not affect the mounting area of the electronic component on the substrate 2, electrical connection between the conduction groove 21 and the inside of the module substrate 1 can be ensured.
The module substrate 1 can be prevented from being enlarged.
【0038】以下、上述のモジュール基板1の製造工程
を説明する。Hereinafter, the manufacturing process of the above-described module substrate 1 will be described.
【0039】図3(A)に示す大面積表面層基板5Aに
は表面層基板5の配線パターンが複数個形成されてお
り、図3(B)に示す大面積中間層基板6Aには中間層
基板6の配線パターンが複数個形成されており、図3
(C)に示す大面積底面層基板7Aには底面層基板7の
配線パターンが複数個形成されている。これらの配線パ
ターンは周知のエッチングで形成できる。The large area surface layer substrate 5A shown in FIG. 3A has a plurality of wiring patterns of the surface layer substrate 5 formed thereon, and the large area intermediate layer substrate 6A shown in FIG. A plurality of wiring patterns of the substrate 6 are formed.
A plurality of wiring patterns of the bottom layer substrate 7 are formed on the large area bottom layer substrate 7A shown in FIG. These wiring patterns can be formed by well-known etching.
【0040】上記大面積中間層基板6Aと大面積底面
層基板7Aとを、表面に形成されている配線パターンの
位置を合わせて貼り合わせる。その後、上述のモジュー
ル基板1において導通溝21を形成する位置にスルーホ
ール21Aを形成する。スルーホール21Aの内面にN
i−Snメッキ、Ni−Auメッキや半田メッキ等で導
体層を形成する(図4参照)。なお、図4は表面に形成
されている上記配線パターンを省略した図である。The large-area intermediate layer substrate 6A and the large-area bottom layer substrate 7A are bonded together with the position of the wiring pattern formed on the surface aligned. Thereafter, a through hole 21A is formed at a position where the conductive groove 21 is to be formed in the module substrate 1 described above. N on the inner surface of through hole 21A
A conductor layer is formed by i-Sn plating, Ni-Au plating, solder plating, or the like (see FIG. 4). FIG. 4 is a view in which the wiring pattern formed on the surface is omitted.
【0041】次に、スルーホール21Aを形成した大
面積中間層基板6Aと大面積底面層基板7Aに対して、
大面積表面層基板5Aを貼り合わせる(図5参照)。図
5も表面に形成されている上記配線パターンを省略した
図である。その後、大面積表面層基板5A、大面積中間
層基板6A、および大面積底面層基板7Aの表裏面に形
成されている配線パターンを電気的に接続するためのス
ルーホール17を形成する。そして、ワイヤボンディン
グや半田付けで、半導体集積回路素子11や受動素子1
2を大面積表面層基板5Aの表面に実装する(図6参
照)。Next, with respect to the large-area intermediate layer substrate 6A and the large-area bottom layer substrate 7A in which the through holes 21A are formed,
The large-area surface layer substrate 5A is bonded (see FIG. 5). FIG. 5 is also a view in which the wiring pattern formed on the surface is omitted. Thereafter, through holes 17 for electrically connecting the wiring patterns formed on the front and back surfaces of the large-area surface layer substrate 5A, the large-area intermediate layer substrate 6A, and the large-area bottom layer substrate 7A are formed. Then, the semiconductor integrated circuit element 11 and the passive element 1 are formed by wire bonding or soldering.
2 is mounted on the surface of the large-area surface layer substrate 5A (see FIG. 6).
【0042】次に、実装した半導体集積回路素子1
1、受動素子12や大面積表面層基板5Aの表面の配線
パターン15を保護するために、大面積表面層基板5A
の表面を封止樹脂3で被覆する(図7参照)。封止樹脂
3による被覆は、周知の印刷封止で行える。Next, the mounted semiconductor integrated circuit device 1
1. In order to protect the passive element 12 and the wiring pattern 15 on the surface of the large-area surface layer substrate 5A, the large-area surface layer substrate 5A
Is covered with a sealing resin 3 (see FIG. 7). The coating with the sealing resin 3 can be performed by well-known printing sealing.
【0043】スルーホール21Aは、開口面が大面積表
面層基板5Aに覆われている。したがって、上述の封止
樹脂3による被覆において、封止樹脂3がスルーホール
21Aに流入することはない。The opening of the through hole 21A is covered with the large area surface layer substrate 5A. Therefore, the sealing resin 3 does not flow into the through-hole 21A in the above-described coating with the sealing resin 3.
【0044】そして、ダイシング等で個々のモジュー
ル基板1に切り離す。このとき、スルーホール21Aの
中心を通る線で切り離す。これにより、上述の図1、図
2に示した、中間層基板6と底面層基板7との側面に半
円筒形状の導通溝21が形成され、表面層基板5の側面
に該導通溝3が形成されていないモジュール基板1が得
られる。Then, the individual module substrates 1 are cut off by dicing or the like. At this time, it is separated by a line passing through the center of the through hole 21A. Thereby, the semi-cylindrical conductive grooves 21 are formed on the side surfaces of the intermediate layer substrate 6 and the bottom layer substrate 7 shown in FIGS. 1 and 2, and the conductive grooves 3 are formed on the side surfaces of the surface layer substrate 5. An unformed module substrate 1 is obtained.
【0045】このモジュール基板1は、上述したように
上記の工程においてスルーホール21Aに封止樹脂3
が流入しないので、封止樹脂3が導通溝21に付着して
いない。したがって、導通溝21における半田付け面積
が小さくなって、信頼性を低下させることがない。As described above, the module substrate 1 is provided with the sealing resin 3 in the through holes 21A in the above steps.
Does not flow, so that the sealing resin 3 does not adhere to the conductive groove 21. Therefore, the soldering area in the conductive groove 21 is reduced, and the reliability is not reduced.
【0046】また、従来のように封止樹脂3の流入を防
止するために、スルーホール21Aを絶縁テープやフィ
ルム等でマスクする必要がないので、コストアップも抑
えられる。In addition, since it is not necessary to mask the through hole 21A with an insulating tape or a film in order to prevent the inflow of the sealing resin 3 as in the prior art, the cost can be suppressed.
【0047】また、中間層基板6や底面層基板7にも配
線パターンを形成したので、すなわち内部配線を活用し
たので、高周波信号の飛び込み電波の遮蔽等が容易に行
える。Further, since the wiring patterns are formed on the intermediate layer substrate 6 and the bottom layer substrate 7, that is, since the internal wiring is utilized, it is possible to easily shield the radio wave from the radio wave signal.
【0048】なお、上記実施形態では基板2を3層の基
板であるとしたが、2層、4層、5層等の基板であって
もよい。また、上記実施形態では表面層基板5にのみ導
通溝21を形成しない例を示したが、導通溝21を形成
しない層は表面層基板5に限定されず、中間層基板6で
あってもよい。また、導通溝21を形成しない層も1層
に限定されず、複数層であってもよい。In the above embodiment, the substrate 2 is a three-layer substrate, but may be a two-layer, four-layer, five-layer substrate, or the like. Further, in the above-described embodiment, an example in which the conduction groove 21 is not formed only in the surface layer substrate 5 has been described, but the layer in which the conduction groove 21 is not formed is not limited to the surface layer substrate 5 and may be the intermediate layer substrate 6. . Further, the layer in which the conduction groove 21 is not formed is not limited to one layer, but may be a plurality of layers.
【0049】また、図8に示すように基板2を単層基板
で構成してもよい。この場合、基板2に対して上述のス
ルーホール21Aを形成するときに、貫通孔を形成する
のではなく、基板2の底面側から表面に達しない穴を明
ければよい。なお、ランド18は基板2の底面側に形成
すればよい。Further, as shown in FIG. 8, the substrate 2 may be constituted by a single-layer substrate. In this case, when the above-described through hole 21A is formed in the substrate 2, instead of forming a through hole, a hole that does not reach the surface from the bottom surface side of the substrate 2 may be formed. Note that the land 18 may be formed on the bottom side of the substrate 2.
【0050】さらに、モジュール基板1は表面層基板5
にも図9に示すような導通溝21を形成してもよい。図
示するように、表面層基板5の導通溝21は中間層基板
6および底面層基板7に形成されている導通溝21に対
して、ずらした位置に形成している。Further, the module substrate 1 is a surface layer substrate 5
Also, a conduction groove 21 as shown in FIG. 9 may be formed. As shown in the drawing, the conductive grooves 21 of the surface layer substrate 5 are formed at positions shifted from the conductive grooves 21 formed on the intermediate layer substrate 6 and the bottom layer substrate 7.
【0051】この場合、スルーホール21Aを形成した
大面積中間層基板6Aと大面積底面層基板7Aに対して
大面積表面層基板5Aを貼り合わせる前に、該大面積表
面層基板5Aに対してスルーホール21Aを形成する。In this case, before bonding the large-area surface layer substrate 5A to the large-area intermediate layer substrate 6A and the large-area bottom layer substrate 7A in which the through holes 21A are formed, the large-area surface layer substrate 5A is A through hole 21A is formed.
【0052】このモジュール基板1では、中間層基板6
および底面層基板7に形成した導通溝21については上
述の実施形態と同様に、外部との電気的接続に使用する
端面電極として利用する。一方、表面層基板5に設けた
導通溝21は、表面層基板5に実装したチップ部品や基
板上の配線パターンを保護するために、これらを覆う金
属キャップ25の取り付け部として利用する。In this module substrate 1, the intermediate layer substrate 6
The conductive groove 21 formed in the bottom layer substrate 7 is used as an end face electrode used for electrical connection to the outside similarly to the above-described embodiment. On the other hand, the conduction groove 21 provided in the surface layer substrate 5 is used as a mounting portion of a metal cap 25 that covers these in order to protect chip components mounted on the surface layer substrate 5 and wiring patterns on the substrate.
【0053】具体的には、金属キャップ25に、上記表
面層基板5に設けた導通溝21に対応する箇所に突起部
26を設けておく。これにより、金属キャップ25の突
起部26を表面層基板5に設けた導通溝21に合わせる
だけで、モジュール基板1に対する金属キャップ25の
取り付け位置が合わせられる。More specifically, a projection 26 is provided on the metal cap 25 at a position corresponding to the conduction groove 21 provided on the surface layer substrate 5. Thereby, the mounting position of the metal cap 25 with respect to the module substrate 1 can be adjusted only by aligning the protrusion 26 of the metal cap 25 with the conductive groove 21 provided in the surface layer substrate 5.
【0054】さらに、金属キャップ25の突起部26を
表面層基板5に設けた導通溝21に半田付けすること
で、金属キャップ25をモジュール基板1に固定でき
る。Further, the metal cap 25 can be fixed to the module substrate 1 by soldering the projection 26 of the metal cap 25 to the conductive groove 21 provided in the surface layer substrate 5.
【0055】[0055]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、外部
との電気的接続に使用する導通溝に封止樹脂が付着する
のを確実に防止できるので、外部との電気的接続の信頼
性を低下させることがない。また、導通溝への封止樹脂
の流入防止のためのコストアップも抑えられ、安価に製
造できる。As described above, according to the present invention, it is possible to reliably prevent the sealing resin from adhering to the conductive groove used for the electrical connection with the outside, so that the reliability of the electrical connection with the outside can be improved. Does not lower the performance. Further, an increase in cost for preventing the inflow of the sealing resin into the conductive groove is suppressed, and the device can be manufactured at low cost.
【図1】この発明の実施形態であるモジュール基板を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a module substrate according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施形態であるモジュール基板を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing a module substrate according to an embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施形態であるモジュール基板の製
造工程を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a manufacturing process of the module substrate according to the embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施形態であるモジュール基板の製
造工程を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a manufacturing process of the module substrate according to the embodiment of the present invention.
【図5】この発明の実施形態であるモジュール基板の製
造工程を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a manufacturing process of the module substrate according to the embodiment of the present invention.
【図6】この発明の実施形態であるモジュール基板の製
造工程を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of the module substrate according to the embodiment of the present invention.
【図7】この発明の実施形態であるモジュール基板の製
造工程を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the module substrate according to the embodiment of the present invention.
【図8】この発明の別の実施形態であるモジュール基板
を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a module substrate according to another embodiment of the present invention.
【図9】この発明の別の実施形態であるモジュール基板
を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a module substrate according to another embodiment of the present invention.
1−モジュール基板 2−基板 3−封止樹脂 5−表面層基板 6−中間層基板 7−底面層基板 11−半導体集積回路 12−受動素子 15−配線パターン 21−導通溝 25−金属キャップ Reference Signs List 1-module substrate 2-substrate 3-sealing resin 5-surface layer substrate 6-interlayer substrate 7-bottom layer substrate 11-semiconductor integrated circuit 12-passive element 15-wiring pattern 21-conduction groove 25-metal cap
Claims (7)
外部との電気的接続に使用する電極として前記多層基板
の側面に導通溝が形成された,モジュール基板であっ
て、 上記多層基板の少なくとも一層には、上記導通溝が形成
されていないモジュール基板。An electronic component is mounted on a surface of a multilayer substrate,
A module substrate in which a conductive groove is formed on a side surface of the multilayer substrate as an electrode used for electrical connection with the outside, wherein the module substrate does not have the conductive groove formed in at least one layer of the multilayer substrate.
との電気的接続に使用する電極として前記基板の側面に
導通溝が形成されたモジュール基板であって、上記導通
溝の高さは、上記基板の厚さ未満であるモジュール基
板。2. A module substrate having an electronic component mounted on a surface of a substrate and a conductive groove formed on a side surface of the substrate as an electrode used for electrical connection with the outside, wherein the height of the conductive groove is A module substrate that is less than the thickness of the substrate.
は、上記導通溝が形成されていない請求項1に記載のモ
ジュール基板。3. The module substrate according to claim 1, wherein the conductive groove is not formed in a surface layer on which the electronic component is mounted.
記載のモジュール基板。4. The module substrate according to claim 2, wherein said substrate is a multilayer substrate.
形成されている請求項1、3、または4のいずれかに記
載のモジュール基板。5. The module substrate according to claim 1, wherein an internal wiring layer is formed between layers of the multilayer substrate.
請求項1〜5のいずれかに記載のモジュール基板。6. The module substrate according to claim 1, wherein the electronic component includes a high-frequency circuit element.
請求項1〜6のいずれかに記載のモジュール基板。7. The module substrate according to claim 1, wherein the electronic component is sealed with a resin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=18833726
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