JP2002157918A

JP2002157918A - 導電性複合粒子およびそれを用いた応用製品

Info

Publication number: JP2002157918A
Application number: JP2000351328A
Authority: JP
Inventors: Hisao Igarashi; 久夫五十嵐
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2000-11-17
Filing date: 2000-11-17
Publication date: 2002-05-31

Abstract

(57)【要約】【課題】安定した導電性を有する導電性材料が得ら
れ、不純物がなくまたは少なく、しかも、製造コストの
小さい導電性複合粒子およびその応用製品（導電性ペー
スト組成物、導電性シート、回路基板、導電接続構造体
および回路装置の電気的検査装置）を提供すること。【解決手段】本発明の導電性複合粒子は、芯粒子の表
面に、ドライプロセスの手法によって高導電性金属が被
覆されてなることを特徴とする。ドライプロセスの手法
はスパッターであることが好ましい。この導電性複合粒
子は、芯粒子の飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ²以上である
ことが好ましく、また、芯粒子が金属よりなることが好
ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性複合粒子お
よびそれを用いた導電性ペースト組成物などの応用製品
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電気・電子分野においては、回路
装置相互間の電気的接続や、回路装置における配線間の
電気的接続を達成するために、絶縁性の有機材料中に導
電性粒子が含有されてなる導電性材料が広く利用されて
いる。

【０００３】例えば、半導体集積回路装置などの電子部
品の実装においては、電子部品を高密度でプリント回路
基板に実装するために、表面実装やＣＯＢ（Ｃｈｉｐ
ｏｎＢｏａｒｄ）が利用されており、このような実装法
においては、導電性粒子が含有されてなるペースト状ま
たはフィルム状の導電性接着剤が用いられている（特開
昭６０−８４７１８号公報、特開昭６３−２３１８８９
号公報、特開平４−２５９７６６号公報、特開平５−７
５２５０号公報等参照）。

【０００４】また、回路装置相互間、例えばプリント回
路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなど
との相互間の電気的な接続を達成するためのコネクター
として、エラストマー中に導電性粒子が含有されてなる
異方導電性シートが用いられている。また、プリント回
路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査に
おいては、検査対象である回路装置の一面に形成された
被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査
用電極との電気的な接続を達成するために、回路装置の
被検査電極領域と検査用回路基板の検査用電極領域との
間に異方導電性シートを介在させることが行われてい
る。このような異方導電性シートとしては、種々の構造
のものが知られており、例えば金属粒子をエラストマー
中に均一に分散して得られるもの（特開昭５１−９３３
９３号公報参照）、導電性磁性体粒子をエラストマー中
に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多
数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部と
が形成されてなるもの（特開昭５３−１４７７７２号公
報等参照）、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差
が形成されたもの（特開昭６１−２５０９０６号公報等
参照）が知られている。

【０００５】更に、近年、絶縁層の両面に配線層が形成
されてなる両面プリント回路基板や、複数の絶縁層と複
数の配線層が交互に積層されてなる多層プリント回路基
板においては、配線層間の電気的接続を行う手段とし
て、メッキスルーホール（ビアホール）に代わり、硬化
性樹脂中に導電性粒子が含有されてなる柱状の導電性材
料が利用されている（特開平８−２５５９８２号公報、
特開平１０−２５６６８７号公報等参照）。このような
導電性材料は、絶縁層に形成された貫通孔内に、液状の
熱硬化性樹脂中に導電性粒子が分散されてなる導電性ペ
ースト組成物を充填し、当該導電性ペースト組成物を硬
化処理することにより形成することが可能であるため、
簡単な工程により、配線層間の電気的接続を達成するこ
とができ、しかも、メッキ液などの化学薬品を使用しな
いため、接続信頼性の高い回路基板が得られる。

【０００６】以上のような導電性材料においては、導電
性粒子として、比較的安価で高い導電性が得られる点
で、例えばニッケル、銅などの金属粒子の表面に導電性
が高くて化学的に安定な金などの高導電性金属が被覆さ
れてなる複合粒子が賞用されており、このような導電性
複合粒子において、高導電性金属を被覆する方法として
は、一般に、無電解メッキや置換メッキなどのメッキ法
が利用されている。而して、このような導電性材料は、
安定した導電性を有するもの、具体的には、導電性が高
くかつその再現性が高いものであることが肝要であり、
そのため、導電性複合粒子としては、平均粒子径および
粒子径分布が特定の範囲にあるものが用いられている。

【０００７】しかしながら、上記のような導電性複合粒
子においては、以下のような問題があることが判明し
た。（１）芯粒子の表面に無電解メッキや置換メッキなどの
メッキ処理によって高導電性金属を被覆すると、得られ
る導電性複合粒子中に、メッキ液に含まれるシアン化合
物などの不純物が残留する。そして、このような不純物
が残留した導電性複合粒子を含有する導電性ペースト組
成物においては、その硬化処理を行う際に、不純物によ
って硬化阻害が生じることがあり、そのため、得られる
製品の耐久性が低下する、という問題がある。（２）芯粒子の表面に無電解メッキや置換メッキなどの
メッキ処理によって高導電性金属を被覆する場合には、
例えば析出される高導電性金属によって芯粒子が連結さ
れることにより、凝集した状態で導電性複合粒子が形成
される。そして、形成される導電性複合粒子の凝集状態
はその再現性が低い、すなわち、形成される導電性複合
粒子の凝集状態はメッキ処理毎に異なるため、所期の粒
子径を有する導電性複合粒子を得ることが困難である、
という問題がある。（３）無電解メッキや置換メッキなどの方法では、例え
ば平均粒子径の小さい芯粒子を使用しても、凝集した状
態で導電性複合粒子が形成される結果、平均粒子径が小
さい例えば１０μｍ以下の導電性複合粒子を得ることが
困難である、という問題がある。（４）無電解メッキや置換メッキなどの方法では、芯粒
子の表面全面にわたって均一にかつ確実に高導電性金属
を被覆することが困難であるため、安定した導電性を得
るためには過剰なメッキ処理が必要である。然るに、金
などの高導電性金属は高価なものであるため、過剰なメ
ッキ処理を行うことにより、導電性複合粒子の製造コス
トが著しく増大し、延いては導電性材料の製造コストが
増大する、という問題がある。（５）無電解メッキや置換メッキなどの方法では、例え
ば芯粒子がその表面に凹凸を有するものである場合に
は、当該芯粒子の表面に厚みの均一性の高い被覆層を形
成することが困難であり、高導電性金属の被覆率が高い
導電性複合粒子を得ることが困難である、という問題が
ある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その第１の目
的は、高導電性金属の被覆層の厚みの均一性が高く、安
定した導電性を有する導電性材料が得られ、不純物がな
くまたは少なく、しかも、小さい粒子径が得られ、更
に、製造コストの小さい導電性複合粒子を提供すること
にある。本発明の第２の目的は、高い導電性を有し、か
つ、その再現性が高く、しかも、硬化阻害を引く起こす
ことがなく、製造コストの小さい導電性ペースト組成物
を提供することにある。本発明の第３の目的は、高い導
電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、優れた
耐久性を有し、製造コストの小さい導電性シートを提供
することにある。本発明の第４の目的は、配線層間にお
いて高い導電性を有し、かつ、その再現性が高く、しか
も、接続信頼性の高く、製造コストの小さい回路基板を
提供することにある。本発明の第５の目的は、導電性が
高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成するこ
とができ、製造コストが小さい導電接続構造体を提供す
ることにある。本発明の第６の目的は、検査対象である
回路装置に対して、導電性が高く、かつ、その再現性が
高い電気的接続を達成することができる回路装置の電気
的検査装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の導電性複合粒子
は、芯粒子の表面に、ドライプロセスの手法によって高
導電性金属が被覆されてなることを特徴とする。

【００１０】本発明の導電性複合粒子においては、前記
ドライプロセスの手法がスパッターであることが好まし
い。また、前記芯粒子は、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／
ｍ²以上のものであることが好ましい。また、前記芯粒
子が金属よりなることが好ましい。また、前記芯粒子が
金属よりなるものである場合には、当該芯粒子は、その
数平均粒子径が５〜１００μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．
０１×１０³〜０．７×１０³ｍ²／ｋｇ、硫黄元素濃
度が０．１％以下、酸素元素濃度が０．５％以下、炭素
元素濃度が０．１％以下のものであることが好ましい。

【００１１】また、本発明の導電性複合粒子において
は、粒子径の変動係数が５０％以下であることが好まし
い。また、下記の数式によって算出される、高導電性金
属の被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であることが好まし
い。

【００１２】

【数２】ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕

【００１３】〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み
（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ²／ｋ
ｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ³）、Ｎは、
高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合粒子の重量を
示す。〕

【００１４】また、本発明の導電性複合粒子において
は、前記高導電性金属が金またはロジウムであることが
好ましい。また、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０³〜
０．７×１０³ｍ²／ｋｇであることが好ましい。

【００１５】また、飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ²以上の
芯粒子を有する導電性複合粒子においては、下記に示す
電気抵抗値Ｒが１Ω以下であることが好ましい。電気抵抗値Ｒ：導電性複合粒子０．６ｇと液状ゴム０．
８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製
し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互
いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一
対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁
場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗
値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

【００１６】本発明の導電性ペースト組成物は、上記の
導電性複合粒子が含有されてなることを特徴とする。

【００１７】本発明の導電性シートは、有機高分子物質
中に、上記の導電性複合粒子が含有されてなることを特
徴とする。

【００１８】本発明の回路基板は、有機高分子物質中
に、上記の導電性複合粒子が含有されてなる導電体を有
することを特徴とする。

【００１９】本発明の導電接続構造体は、上記の導電性
ペースト組成物によって接続されてなることを特徴とす
る。また、本発明の導電接続構造体は、上記の導電性シ
ートを介して接続されてなることを特徴とする。

【００２０】本発明の回路装置の電気的検査装置は、上
記の導電性シートを具えてなり、当該導電性シートを介
して、被検査回路装置の被検査電極に対する電気的接続
が達成されることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。〔導電性複合粒子〕本発明の導電性複合粒子は、芯粒子
の表面に、高導電性金属がドライプロセスの手法によっ
て被覆されてなるものである。芯粒子としては、鉄、ニ
ッケル、コバルト、またはこれらの合金などの強磁性金
属からなる粒子、ＺｎＦｅ₂、ＦｅＢｅ、ＦｅＲｈ、Ｍ
ｎＺｎ、Ｎｉ₃Ｍｎ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、Ｎｉ₂Ｆ
ｅ、ＭｎＰｔ₃、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｄ₃、Ｆｅ₃Ｐｔ、
ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ₃、Ｎｉ₃Ｐｔなどの強
磁性金属間化合物からなる粒子、化学式：Ｍ¹Ｏ・Ｆｅ
₂Ｏ₃（但し、Ｍ¹は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｌｉなどの金属を示す。）で表される
フェライト若しくはこれらの混合物（例えば、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｚｎフェ
ライトなど）、ＦｅＭｎ₂Ｏ₄などのマンガナイト、化
学式：Ｍ²Ｏ・Ｃｏ₂Ｏ₃（但し、Ｍ²は、Ｆｅ、Ｎｉ
などの金属を示す。）で表されるコバルタイト、Ｎｉ
_0.5Ｚｎ_0.5Ｆｅ₂Ｏ₄、Ｎｉ_0.35Ｚｎ_0.65Ｆｅ
₂Ｏ₄、Ｎｉ_0.7Ｚｎ_0.2Ｆｅ_0.1Ｆｅ₂Ｏ₄、Ｎｉ
_0.5Ｚｎ_0.4Ｆｅ_0.1Ｆｅ₂Ｏ₄などの強磁性金属酸化
物からなる粒子、銅、錫、チタン、クロム、アルミニウ
ム、亜鉛、タングステンなどの非磁性金属からなる微粒
子の表面に、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を被
覆したもの、ガラスビーズ、カーボン、シリカ等の無機
化合物からなる微粒子若しくは酸化アルミニウム、窒化
ホウ素、窒化アルミニウム等のセラミックスからなる微
粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を
被覆したもの、ポリスチレン、ジビニルベンゼンによっ
て架橋されたポリスチレン等のポリマーからなる微粒
子、またはポリアセチレン系ポリマー、ポリフェニレン
系ポリマー、チオフェニレン系ポリマー、ポリアニリン
系ポリマー若しくはこれらがドーピングされた導電性ポ
リマーからなる微粒子の表面に、ニッケル、コバルトな
どの強磁性金属を被覆したものなどを用いることができ
るが、磁性を示すもの、具体的には、飽和磁化が０．１
Ｗ／ｍ²以上のものを用いることが好ましく、より好ま
しくは０．３Ｗ／ｍ²以上、特に好ましくは０．５Ｗ／
ｍ²以上のものである。この飽和磁化が０．１Ｗ／ｍ²
以上であれば、当該導電性複合粒子を含む種々の導電性
材料を製造または使用する際に、当該導電性複合粒子を
磁場の作用によって確実に移動させて導電性複合粒子の
連鎖を形成することができるので、高い導電性が得られ
る。また、芯粒子を構成する材料としては、一層高い導
電性が得られる点で、鉄、ニッケル、コバルトまたはそ
れらの合金などの磁性を示す金属を用いることが好まし
い。

【００２２】芯粒子としては、その数平均粒子径が５〜
１００μｍのものを用いることが好ましく、より好まし
くは１０〜５０μｍ、特に好ましくは１０〜４０μｍの
ものである。ここで、芯粒子の数平均粒子径は、レーザ
ー回折散乱法によって測定されたものをいう。上記数平
均粒子径が５μｍ以上であれば、当該導電性複合粒子を
用いて異方導電性シートを構成する場合には、得られる
異方導電性シートの導電部の加圧変形が容易なものとな
り、また、当該導電性複合粒子を用いて導電接続構造体
を形成する場合には、得られる導電接続構造体の電気的
接触が容易となる。一方、上記数平均粒子径が１００μ
ｍ以下であれば、当該導電性複合粒子を用いて異方導電
性シートを構成する場合には、異方導電性シートにおけ
る微細な導電部を容易に形成することができ、また、当
該導電性複合粒子を用いて導電接続構造体を形成する場
合には、得られる導電接続構造体の電気的接続が安定
し、その再現性が良好となる。

【００２３】また、芯粒子としては、そのＢＥＴ比表面
積が０．０１×１０³〜０．７×１０³ｍ²／ｋｇのも
のを用いることが好ましく、より好ましくは０．０２×
１０ ³〜０．５×１０³ｍ²／ｋｇ、特に好ましくは
０．０５×１０³〜０．４×１０³ｍ²／ｋｇのもので
ある。このＢＥＴ比表面積が０．０１×１０³ｍ²／ｋ
ｇ以上であれば、当該芯粒子における高導電性金属が被
覆される領域が十分に大きいものであるため、当該芯粒
子に所要の量の高導電性金属を確実に被覆することがで
き、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができる
と共に、当該導電性複合粒子間において、接触面積が十
分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、
このＢＥＴ比表面積が０．７×１０³ｍ²／ｋｇ以下で
あれば、当該芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応
力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導
電性が保持される。

【００２４】また、芯粒子として金属粒子を用いる場合
には、当該芯粒子は、その硫黄元素濃度が０．１％以
下、酸素元素濃度が０．５％以下、炭素元素濃度が０．
１％以下のものであることが好ましく、より好ましくは
硫黄元素濃度が０．０５％以下、酸素元素濃度が０．１
％以下、炭素元素濃度が０．０８％以下であり、特に好
ましくは硫黄元素濃度が０．０１％以下、酸素元素濃度
が０．０５％以下、炭素元素濃度が０．０５％以下のも
のである。ここで、金属粒子の硫黄元素濃度、酸素元素
濃度および炭素元素濃度は、当該粒子を硝酸水溶液に溶
解し、この溶液を誘電結合プラズマ原子分光法（ＩＣＰ
−ＡＥＳ）によって測定されたものをいう。以上のよう
な条件を満足すれば、当該芯粒子は不純物の含有量が極
めて少なく、従って、その表面に存在する不純元素の量
も少ないものであるため、安定した量の高導電性金属を
確実に被覆することができると共に、被覆層が剥離する
ことが少なく、その結果、高い導電性が確実に得られ
る。また、硫黄元素は、導電性材料を製造または使用す
る際に、硬化処理において触媒毒となりうるものである
ため、硫黄元素濃度が０．１％以下であれば、導電性材
料の製造または使用において、硬化処理を確実に行うこ
とができる。

【００２５】芯粒子の形状は、特に限定されるものでは
ないが、複数の球形の一次粒子が一体的に連結されてな
る二次粒子からなる形状のものを、好ましい形状の粒子
として挙げることができる。

【００２６】本発明の導電性複合粒子においては、以上
のような芯粒子の表面に、高導電性金属がドライプロセ
スの手法によって被覆されている。ここで、「高導電性
金属」とは、０℃における導電率が５×１０⁶Ω^-1ｍ^-1
以上のものをいう。このような高導電性金属としては、
金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることがで
き、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を
有する点で金またはロジウムを用いるが好ましい。

【００２７】芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する方
法としては、ドライプロセスの手法が用いられる。ここ
で、「ドライプロセスの手法」とは、水などの溶媒を使
用せず、金属そのものを物理的または化学的方法により
被覆する手法の総称であり、具体的には、スパッター
法、イオンプレーティング法および真空蒸着法などのＰ
ＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなど
のＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。これらのドライプロセス
の手法のうち、大量生産が可能で、小さいコストで高導
電性金属を被覆することができる点で、スパッター法が
好ましい。スパッターによる具体的な方法は、特に限定
されるものではないが、芯粒子の表面に均一に高導電性
金属を被覆することができる点で、円筒状の回転容器内
に芯粒子を供給し、当該回転容器をその円筒軸を回転軸
として一定の方向に回転させることにより、回転容器内
に芯粒子の流動層を形成した状態で、スパッター処理を
行うことが好ましい。ここで、回転容器の回転速度は、
０．１〜１０ｒｐｍであることが好ましい。また、スパ
ッター方式としては、特に限定されず、二極スパッター
方式、三極または四極スパッター方式、マグネトロンス
パッター方式、高周波スパッター方式、その他の方式を
利用することができるが、工業的に高い効率で高導電性
金属を被覆することができる点で、マグネトロンスパッ
ター方式が好ましい。芯粒子の表面に高導電性金属を被
覆するための好ましい具体的な方法としては、特許第２
９０９７４４号公報に記載された方法を挙げることがで
きる。

【００２８】本発明の導電性複合粒子は、その粒子径の
変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、よ
り好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、
特に好ましくは２０％以下のものである。ここで、粒子
径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σ
は、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平
均粒子径を示す。）によって求められるものである。上
記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の不
揃いの程度が小さく、当該導電性複合粒子を用いて異方
導電性シートを構成する場合には、導電部における導電
性のバラツキの小さい異方導電性シートを得ることがで
き、また、当該導電性複合粒子を用いて導電接続構造体
を形成する場合には、電気的接続状態のバラツキが小さ
くて、その再現性の良好な導電接続構造体を得ることが
できる。

【００２９】また、本発明の導電性複合粒子は、下記の
数式によって算出される、高導電性金属の被覆層の厚み
ｔが１０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましく
は１０〜１００ｎｍである。

【００３０】

【数３】ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕

【００３１】〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み
（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ²／ｋ
ｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ³）、Ｎは高
導電性金属の被覆層による被覆率（高導電性金属の被覆
層の重量／導電性複合粒子の重量）を示す。〕

【００３２】上記の数式は、次のようにして導かれたも
のである。（イ）芯粒子の重量をＭｐ（ｋｇ）とすると、芯粒子の
表面積Ｓ（ｍ²）は、Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ ………式（１）によって求められる。（ロ）高導電性金属の被覆層の重量をｍ（ｋｇ）とする
と、当該被覆層の体積Ｖ（ｍ³）は、Ｖ＝ｍ／ρ ………式（２）によって求められる。（ハ）ここで、被覆層の厚みが導電性複合粒子の表面全
体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／
Ｓであり、これに上記式（１）および式（２）を代入す
ると、被覆層の厚みｔは、ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ） ………式（３）によって求められる。（ニ）また、高導電性金属の被覆層による被覆率Ｎは、
導電性複合粒子の重量に対する被覆層の重量の比である
から、この被覆率Ｎは、Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ） ………式（４）によって求められる。（ホ）この式（４）の右辺における分子・分母をＭｐで
割ると、Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、
両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、Ｎ（１＋ｍ／Ｍ
ｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍ
ｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を左辺に移行すると、Ｎ＝ｍ
／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）とな
り、両辺に（１−Ｎ）をかけると、Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ
／Ｍｐとなり、従って、芯粒子の重量Ｍｐは、Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ ………式（５）によって求められる。（ヘ）そして、式（３）に式（５）を代入すると、ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕が導かれる。

【００３３】この被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であれ
ば、当該導電性複合粒子は、その導電性が高いものとな
り、当該導電性複合粒子を用いて導電性シートや導電接
続構造体を構成した場合には、温度変化や加圧などによ
って被覆層が剥離して導電性が低下することが少ないた
め、好ましい。

【００３４】本発明の導電性複合粒子は、高導電性金属
の被覆率が、０．５〜５０重量％であることが好まし
く、より好ましくは１〜４０重量％、さらに好ましくは
３〜３０重量％、特に好ましくは４〜３０重量％であ
る。被覆される高導電性金属が金である場合には、その
被覆率は、２．５〜３０重量％であることが好ましく、
より好ましくは３〜３０重量％、さらに好ましくは３．
５〜３０重量％である。

【００３５】本発明の導電性複合粒子は、その表層部分
における高導電性金属の含有割合が５０重量％以上であ
ることが好ましい。ここで、「表層部分」とは、導電性
複合粒子における外表面から１０ｎｍの深さまでの部分
をいい、この表層部分における高導電性金属の含有割合
は、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ）によって測定すること
ができる。この含有割合が５０重量％以上であれば、当
該導電性複合粒子は、その導電性が高いものとなり、当
該導電性複合粒子を用いて導電性シートや導電接続構造
体を構成した場合には、温度変化や加圧などによって被
覆層が剥離して導電性が低下することが少ないため、好
ましい。

【００３６】本発明の導電性複合粒子は、そのＢＥＴ比
表面積が０．０１×１０³〜０．７×１０³ｍ²／ｋｇ
であることが好ましい。このＢＥＴ比表面積が０．０１
×１０³ｍ²／ｋｇ以上であれば、被覆層の表面積が十
分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大
きい被覆層を形成することができ、従って、導電性の大
きいを粒子を得ることができると共に、当該粒子間にお
いて、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性
が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が０．７×１０
³ｍ²／ｋｇ以下であれば、当該導電性複合粒子が脆弱
なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊する
ことが少なく、安定で高い導電性が保持される。

【００３７】本発明の導電性複合粒子においては、芯粒
子として飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ ²以上のものを用い
る場合には、下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下となる
ものであることが好ましく、より好ましくは０．５Ω以
下、特に好ましくは０．１Ω以下のものである。電気抵抗値Ｒ：導電性複合粒子６ｇと液状ゴム８ｇとを
混練することによってペースト組成物を調製し、このペ
ースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向す
るよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間
に配置し、当該一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用さ
せ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定す
るまで放置したときの当該電気抵抗値。

【００３８】具体的には、この電気抵抗値Ｒは、以下の
ようにして測定される。図１は、電気抵抗値Ｒを測定す
るための装置であり、１は試料室Ｓを形成するセラミッ
ク製のセルであって、筒状の側壁材２と、それぞれ中央
に貫通孔３Ｈを有する一対の蓋材３とにより構成されて
いる。４は導電性を有する一対の磁石であって、それぞ
れ表面から突出する、蓋材３の貫通孔３Ｈに適合する形
状の電極部５を有し、この電極部５が蓋材３の貫通孔３
Ｈに嵌合された状態で、当該蓋材３に固定されている。
６は電気抵抗測定機であって、一対の磁石４の各々に接
続されている。セル１の試料室Ｓは、直径Ｌが３ｍｍ、
厚みｄが０．５ｍｍの円板状であり、蓋材３の貫通孔３
Ｈの内径すなわち磁石４の電極部５の直径ｒは１ｍｍで
ある。

【００３９】そして、セル１の試料室Ｓに、上記のペー
スト組成物を充填し、磁石４の電極部５間に当該試料室
Ｓの厚み方向に０．３Ｔの平行磁場を作用させながら、
電気抵抗測定機６によって磁石４の電極部５間の電気抵
抗値を測定する。その結果、ペースト組成物中に分散さ
れていた導電性複合粒子が、平行磁場の作用により磁石
４の電極部５間に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配
向し、この導電性複合粒子の移動に伴って、磁石４の電
極部５間の電気抵抗値が低下した後安定状態となり、こ
のときの電気抵抗値を測定する。ペースト組成物に平行
磁場を作用させてから、磁石４の電極部５間の電気抵抗
値が安定状態に達するまでの時間は、導電性複合粒子の
種類によって異なるが、通常、ペースト組成物に平行磁
場を作用させてから５００秒間経過した後における電気
抵抗値を電気抵抗値Ｒとして測定する。この電気抵抗値
Ｒが１Ω以下であれば、高い導電性を有する導電性材料
が確実に得られる。

【００４０】本発明の導電性複合粒子の含水率は、５％
以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、
さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下で
ある。このような条件を満足することにより、導電性材
料の製造または使用において、硬化処理する際に気泡が
生ずることが防止または抑制される。

【００４１】また、本発明の導電性複合粒子は、その表
面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理
されたものあってもよい。導電性複合粒子の表面がカッ
プリング剤で処理されることにより、当該導電性複合粒
子と有機高分子物質との接着性が高くなり、その結果、
耐久性が高い導電性材料が得られる。カップリング剤の
使用量は、導電性複合粒子の導電性に影響を与えない範
囲で適宜選択されるが、導電性複合粒子表面におけるカ
ップリング剤の被覆割合（導電性芯粒子の表面積に対す
るカップリング剤の被覆面積の割合）が５％以上となる
量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が
７〜１００％、さらに好ましくは１０〜１００％、特に
好ましくは２０〜１００％となる量である。

【００４２】以上のような導電性複合粒子によれば、芯
粒子の表面に高導電性金属がドライプロセスの手法好ま
しくはスパッターによって被覆されているため、当該被
覆層の形成において不純物が含有されることがないまた
は少なく、その結果、硬化阻害を引き起こすことのない
導電性材料を得ることができる。また、被覆層の形成に
おいて粒子が凝集することがなくまたは少ないため、得
られる導電性複合粒子の粒子径の制御が容易であり、そ
の結果、所期の粒子径が確実に得られる。従って、粒子
径の小さい例えば１０μｍ以下の導電性複合粒子を得る
ことができ、また、安定した導電性を有する種々の導電
性材料を得ることができる。また、厚みの均一性が高い
被覆層が得られるため、芯粒子の表面を高導電性金属に
よって高い被覆率で被覆することが可能となり、従っ
て、高い導電性を有する種々の導電性材料を得ることが
できる。また、高導電性金属が粒子の表面全面に均一に
かつ確実に被覆されるので、被覆層の形成において、過
剰の量の高導電性金属を使用することが不要となり、そ
の結果、製造コストの低減化を図ることができる。

【００４３】〔導電性ペースト組成物〕本発明の導電性
ペースト組成物は、絶縁性の液状ビヒクル中に、上記の
導電性複合粒子が含有されてなるものである。絶縁性の
液状ビヒクルとしては、硬化処理、乾燥処理などによっ
て固体となり得るものであれば、特に限定されず種々の
ものを用いることができ、液状の硬化性樹脂、液状ゴ
ム、適宜の溶剤中に熱可塑性樹脂または熱可塑性エラス
トマーが溶解されてなるものなどを用いることができ
る。

【００４４】硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、フェノール樹脂、
アクリル系樹脂、シリコーン樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂などを挙げることができる。液状ゴムの具体
例としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴムな
どを挙げることができる。熱可塑性樹脂の具体例として
は、アクリル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹
脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重
合体樹脂などを挙げることができる。

【００４５】導電性ペースト組成物中における特定の導
電性複合粒子の割合は、用いられるビヒクルの種類、当
該導電性ペースト組成物の用途等によって異なるが、通
常、ビヒクル１００重量部に対して２０〜１００重量
部、好ましくは３０〜８０重量部である。

【００４６】以上のような導電性ペースト組成物によれ
ば、特定の導電性複合粒子を含有するため、高い導電性
が得られ、かつ、その導電性について高い再現性が得ら
れると共に、硬化阻害を引き起こすことがなく、更に、
特定の導電性複合粒子は製造コストが小さいものである
ため、当該導電性ペースト組成物の製造コストの低減化
を図ることができる。そして、この導電性ペースト組成
物は、種々の回路装置間の電気的接続を行うための導電
性接着剤、導電性シートまたはフィルムの形成材料、回
路基板における導体の形成材料、液晶パネルなどの製造
に用いられる異方導電接着剤などとして好ましく用いる
ことができる。

【００４７】〔導電性シート〕本発明の導電性シート
は、有機高分子物質中に上記の導電性複合粒子が含有さ
れてなるものである。導電性シートを構成する有機高分
子物質としては、特に限定されず種々のもの、例えば熱
可塑性樹脂、熱または放射線硬化性樹脂、熱可塑性エラ
ストマー、硬化ゴムなどをを用いることができる。

【００４８】導電性シートを構成する熱可塑性樹脂の具
体例としては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリブテン樹脂等のオレフィン系樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、スチレン−アクリルニトリル共重合体樹脂、ス
チレン−ブタジエン共重合体樹脂、スチレン−ブタジエ
ン−アクリルニトリル共重合体樹脂等のスチレン系樹
脂、ポリメチルアクリレート樹脂、ポリメチルメタクリ
レート樹脂等のアクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等のポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。

【００４９】導電性シートを構成する熱または放射線硬
化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹
脂、ウレア樹脂などが挙げられる。これらのうち、エポ
キシ樹脂が好ましく、例えばビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、（クレゾー
ル）ノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、テト
ラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、ポリアル
コールポリグリコール型エポキシ樹脂、グリセリントリ
エーテル型エポキシ樹脂、ポリオレフィン型エポキシ樹
脂、エポキシ化大豆油、シクロペンタジエンジオキシ
ド、ビニルシクロヘキセンジオキシドなどから得られる
エポキシ樹脂が挙げられ、これらの中でも、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、（クレゾール）ノボラック型エポキシ樹脂が更に好
ましい。また、エポキシ樹脂を得るための原料として、
Ｃ１２，１３混合アルコールグリシジルエーテル、２−
エチルヘキシルグリコールグリシジルエーテル、エチレ
ングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコ
ールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジ
グリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジ
ルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエ
ーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテ
ル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、
１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリ
セリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリ
シジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコ
ールジグリシジルエーテルなどの低分子エポキシ化合物
などを使用することができる。これらの中では、ネオペ
ンチルグリコールグリシジルエーテル、１，６−ヘキサ
ンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシ
ジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジル
エーテルが好ましい。

【００５０】導電性シートを構成する熱可塑性エラスト
マーの具体例としては、ポリスチレン系熱可塑性エラス
トマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリ
塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱
可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラスト
マー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、フッ素ポリ
マー系熱可塑性エラストマーなどが挙げられる。

【００５１】導電性シートを構成する硬化ゴムとして
は、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴ
ム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴム
およびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジ
エンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれら
の水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエス
テル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴ
ム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プ
ロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。

【００５２】本発明の導電性シートは、その厚み方向お
よび面方向の両方に導電性を示す等方導電性シートであ
っても、厚み方向にのみ導電性を示す異方導電性シート
であってもよい。また、異方導電性シートを構成する場
合には、無加圧の状態で厚み方向に導電性を示すもので
あっても、加圧されたときに厚み方向に導電性を示すも
のであってもよく、更に、シート全面にわたって厚み方
向に導電性を示すいわゆる分散型のものであっても、厚
み方向に伸びる複数の導電部が絶縁部によって相互に絶
縁された状態で配置されてなるいわゆる偏在型のもので
あってもよい。また、偏在型の異方導電性シートを構成
する場合には、その表面が平坦なものであっても、導電
部の表面が絶縁部の表面が突出した状態に形成されてな
るものであってもよい。以下、異方導電性シートを構成
する場合について説明する。

【００５３】図２は、本発明に係る異方導電性シートの
一例における構成を示す説明用断面図である。この異方
導電性シート１０は、弾性高分子物質よりなる基材中に
前述の特定の導電性複合粒子Ｐが当該異方導電性シート
１０の厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてな
るものであって、特定の導電性複合粒子Ｐの連鎖によっ
て導電路が形成されている。図示の例では、特定の導電
性複合粒子Ｐが密に充填された、それぞれ厚み方向に伸
びる複数の柱状の導電部１１と、これらの導電部１１を
相互に絶縁する、特定の導電性複合粒子Ｐが全くあるい
は殆ど存在しない絶縁部１２とにより構成されており、
導電部１１は、接続すべき電極例えば検査対象である回
路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従
って面方向に沿って配置され、これらの導電部１１の各
々を取り囲むよう、絶縁部１２が形成されている。ま
た、この例においては、導電部１１は、絶縁部１２の表
面から突出した状態に形成されている。

【００５４】以上において、異方導電性シート１０の絶
縁部１２の厚みは、０．０５〜２ｍｍ、特に０．１〜１
ｍｍであることが好ましい。また、導電部１１における
絶縁部１２の表面からの突出高さは、絶縁部１２の厚み
の０．５〜１００％であることが好ましく、さらに好ま
しくは１〜８０％、特に好ましくは５〜５０％である。
具体的には、当該突出高さは０．０１〜０．３ｍｍであ
ることが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．２
ｍｍ、特に好ましくは０．０３〜０．１ｍｍである。ま
た、導電部１１の径は、０．０５〜１ｍｍ、特に０．１
〜０．５ｍｍであることが好ましい。

【００５５】異方導電性シート１０の基材を構成する弾
性高分子物質としては、液状ゴムの硬化物であることが
好ましく、かかる液状ゴムとしては、液状シリコーンゴ
ム、液状ポリウレタンゴムなどを用いることができる。
これらの中でも、液状シリコーンゴムが好ましい。液状
シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０^-1ｓｅｃで１
０⁵ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加
型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものな
どのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリ
コーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチル
フェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることがで
きる。

【００５６】これらの中で、ビニル基を含有する液状シ
リコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃で
ある。

【００５７】一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリ
コーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。

【００５８】このような弾性高分子物質は、その分子量
Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）
が１００００〜４００００のものであることが好まし
い。また、得られる異方導電性シートの耐熱性の観点か
ら、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分
子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの
比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下のものが好まし
い。

【００５９】以上において、異方導電性シートを得るた
めのシート成形材料中には、高分子物質用材料を硬化さ
せるための硬化触媒を含有させることができる。このよ
うな硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合
物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。硬
化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例として
は、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイ
ル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなど
が挙げられる。硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化
合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルな
どが挙げられる。ヒドロシリル化反応の触媒として使用
し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその
塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビ
ニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，
３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレッ
クス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと
白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレ
ート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知
のものが挙げられる。硬化触媒の使用量は、高分子物質
用材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件
を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質用材料
１００重量部に対して３〜１５重量部である。

【００６０】また、シート成形材料中には、必要に応じ
て、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシ
リカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることがで
きる。このような無機充填材を含有させることにより、
当該シート成形材料のチクソトロピー性が確保され、そ
の粘度が高くなり、しかも、特定の導電性複合粒子の分
散安定性が向上すると共に、得られる異方導電性シート
の強度が高くなる。このような無機充填材の使用量は、
特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁
場による特定の導電性複合粒子の配向を十分に達成する
ことができなくなるため、好ましくない。また、シート
成形材料の粘度は、温度２５℃において１０００００〜
１００００００ｃｐの範囲内であることが好ましい。

【００６１】導電部１１には、特定の導電性複合粒子Ｐ
が体積分率で５〜６０％、好ましくは８〜５０％、特に
好ましくは１０〜４０％となる割合で含有されているこ
とが好ましい。この割合が５％以上であれば、十分に電
気抵抗値の小さい導電部１１が得られやすい。一方、こ
の割合が６０％以下であれば、得られる導電部１１は脆
弱なものとなりにくく、導電部として必要な弾性が得ら
れやすい。また、導電部１１の厚み方向における電気抵
抗は、当該導電部１１を厚み方向に１０〜２０ｇｆの荷
重で加圧した状態において、１００ｍΩ以下であること
が好ましい。

【００６２】このような異方導電性シート１０は、例え
ば次のようにして製造することができる。図３は、本発
明に係る異方導電性シート１０を製造するために用いら
れる金型の一例における構成を示す説明用断面図であ
る。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５
５が、枠状のスペーサー５４を介して互いに対向するよ
う配置されて構成され、上型５０の下面と下型５５の上
面との間にキャビティが形成されている。上型５０にお
いては、基板５１の下面に、目的とする異方導電性シー
ト１０の導電部１１の配置パターンに対掌なパターンに
従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２
以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みより大きい
厚みを有する非磁性体層５３が形成されている。一方、
下型５５においては、基板５６の上面に、目的とする異
方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンと同一
のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強
磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚
みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されて
いる。

【００６３】上型５０および下型５５の各々における基
板５１，５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケ
ル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの
強磁性金属、アルミニウムなどの非磁性金属、セラミッ
クスなどを用いることができるが、強磁性金属を用いる
ことが好ましい。この基板５１，５６は、その厚みが
０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑
で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理さ
れたものであることが好ましい。

【００６４】また、上型５０および下型５５の各々にお
ける強磁性体層５２，５７を構成する材料としては、
鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、
コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この
強磁性体層５２，５７は、その厚みが１０μｍ以上であ
ることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合
には、金型内に形成されるシート成形材料層に対して、
十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難と
なり、この結果、当該シート成形材料層における導電部
を形成すべき部分に導電性複合粒子を高密度に集合させ
ることが困難となるため、良好な異方導電性を有するシ
ートが得られないことがある。

【００６５】また、上型５０および下型５５の各々にお
ける非磁性体層５３，５８を構成する材料としては、銅
などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用
いることができるが、フォトリソグラフィーの手法によ
り容易に非磁性体層５３，５８を形成することができる
点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いるこ
とが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系の
ドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、
ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用
いることができる。また、非磁性体層５３，５８の厚み
は、強磁性体層５２，５７の厚み、目的とする異方導電
性シート１０の導電部１１の突出高さに応じて設定され
る。

【００６６】そして、上記の金型を用い、次のようにし
て異方導電性シート１０が製造される。先ず、硬化され
て弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を
示す特定の導電性複合粒子Ｐが分散された導電性ペース
ト組成物よりなるシート成形材料を調製し、図４に示す
ように、このシート成形材料を金型のキャビティ内に注
入してシート成形材料層１０Ａを形成する。次いで、上
型５０における基板５１の上面および下型５５における
基板５６の下面に、例えば一対の電磁石を配置し、当該
電磁石を作動させることにより、強度分布を有する平行
磁場、すなわち上型５０の強磁性体部分５２とこれに対
応する下型５５の強磁性体部分５７との間において大き
い強度を有する平行磁場をシート成形材料層１０Ａの厚
み方向に作用させる。その結果、シート成形材料層１０
Ａにおいては、図５に示すように、当該シート成形材料
層１０Ａ中に分散されていた特定の導電性複合粒子Ｐ
が、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型
５５の強磁性体部分５７との間に位置する導電部となる
べき部分１１Ａに集合すると共に、厚み方向に並ぶよう
配向する。

【００６７】そして、この状態において、シート成形材
料層１０Ａを硬化処理することにより上型５０の強磁性
体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５
７との間に配置された、弾性高分子物質中に特定の導電
性複合粒子Ｐが密に充填された導電部１１と、特定の導
電性複合粒子が全くあるいは殆ど存在しない弾性高分子
物質よりなる絶縁部１２とを有する異方導電性シート１
０が製造される。

【００６８】以上において、シート成形材料層１０Ａの
硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこ
ともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこ
ともできる。シート成形材料１０Ａに作用される平行磁
場の強度は、平均で０．１〜２Ｔとなる大きさが好まし
い。また、シート成形材料層１０Ａに平行磁場を作用さ
せる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いる
こともできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁
場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好まし
い。シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、使用される
材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によっ
て行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、シー
ト成形材料層１０Ａを構成する付加型液状シリコーンゴ
ムなどの種類、導電性複合粒子の移動に要する時間など
を考慮して適宜選定される。

【００６９】以上のような異方導電性シート１０は、特
定の導電性複合粒子Ｐを含有してなる導電部１１を有す
るため、当該導電部１１において高い導電性が得られ、
しかも、その導電性について高い再現性が得られる。ま
た、特定の導電性粒子Ｐ中には、硬化阻害を引き起こす
不純物を含有しないため、当該異方導電性シート１０の
製造において、シート成形材料層１０Ａの硬化処理を確
実に達成することができ、その結果、高い耐久性が得ら
れる。また、特定の導電性複合粒子Ｐとして粒子径の小
さい例えば１０μｍ以下のものを用いることにより、径
が小さくてピッチの小さい微細な導電部１１を形成する
ことが可能となる。更に、特定の導電性複合粒子は製造
コストが小さいものであるため、当該異方導電性シート
１０の製造コストの低減化を図ることができる。このよ
うな異方導電性シート１０は、電子計算機、電子式デジ
タル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなど
の分野において、例えばプリント回路基板とリードレス
チップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的
な接続を達成するためのコネクターとして好適なもので
あり、また、プリント回路基板、半導体集積回路装置、
表面に多数の集積回路が形成されたウエハなどの回路装
置の電気的検査において、検査対象である回路装置の一
面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に
形成された検査用電極との電気的な接続を達成するため
コネクターとして好適なものである。

【００７０】〔回路基板〕本発明の回路基板は、上記の
導電性複合粒子が含有されてなる導電体を有するもので
ある。図６は、本発明に係る回路基板の一例における要
部の構成を示す説明用断面図である。この回路基板は、
多層プリント回路基板であって、第１絶縁層２０、第２
絶縁層３０および第３絶縁層４０が上からこの順で積重
されて構成されている。第１絶縁層２０の上面には上面
配線層２１が形成され、第３絶縁層４０の下面には下面
配線層４１が形成されており、第１絶縁層２０と第２絶
縁層３０との間には、第１内部配線層２６が形成され、
第２絶縁層３０と第３絶縁層４０との間には、第２内部
配線層３６が形成されている。

【００７１】第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第
３絶縁層３０の各々には、その厚み方向に伸びるよう、
第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層
間短絡部４５が設けられており、第１層間短絡部２５に
よって上面配線層２１と第１内部配線層２６とが電気的
に接続され、第２層間短絡部３５によって第１内部配線
層２６と第２内部配線層３６とが電気的に接続され、第
３層間短絡部４５によって第２内部配線層３６と下面配
線層４１とが電気的に接続されている。

【００７２】第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第
３絶縁層３０の各々を構成する材料としては、耐熱性の
高い絶縁性樹脂材料を用いることが好ましく、その具体
例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊
維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型フェノール
樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹
脂、ガラス繊維補強型アラミド樹脂などが挙げられる。

【００７３】第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５
および第３層間短絡部４５の各々は、有機高分子物質中
に前述の特定の導電性複合粒子Ｐが含有されてなる導電
体によって構成され、この例においては、特定の導電性
複合粒子Ｐは、各絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向した
状態で有機高分子物質に結着されている。

【００７４】第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５
および第３層間短絡部４５の各々を構成する有機高分子
物質としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ
ール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化
性樹脂、シリコーンゴム、ウレタンゴムなどの液状ゴム
の硬化物を用いることができる。

【００７５】第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５
および第３層間短絡部４５の各々においては、特定の導
電性複合粒子Ｐが体積分率で３０〜６０％、好ましくは
３５〜５０％となる割合で含有されていることが好まし
い。この割合が３０％未満の場合には、十分に電気抵抗
値の小さい層間短絡部が得られないことがある。一方、
この割合が６０％を超える場合には、得られる層間短絡
部は脆弱なものとなって、必要な強度および耐久性が得
られないことがある。

【００７６】上記の回路基板は、以下のようにして製造
することができる。図７に示すように、半硬化状態の熱
硬化性樹脂材料よりなるシート状の第２絶縁層形成材
（第２絶縁層３０を形成するための材料）３０Ａを用意
し、図８に示すように、この第２絶縁層形成材３０Ａに
おける第２層間短絡部を形成すべき個所に、当該第２絶
縁層形成材３０Ａの厚み方向に貫通する貫通孔３５Ｈを
形成する。次いで、第２絶縁層形成材３０Ａに形成され
た貫通孔３５Ｈ内に、液状の熱硬化性樹脂材料中に磁性
を示す特定の導電性複合粒子Ｐが含有された導電性ペー
スト組成物よりなる短絡部形成材料を充填した後、当該
短絡部形成材料の加熱処理を行うことにより、図９に示
すように、第２絶縁層形成材３０Ａの貫通孔３５Ｈ内に
短絡部形成材料層３５Ａを形成する。この短絡部形成材
料層３５Ａは、当該短絡部形成材料層３５Ａの形態が維
持され、かつ、磁場を作用させることにより、当該短絡
部形成材料層３５Ａ中において特定の導電性複合粒子Ｐ
を移動させることが可能な程度に硬化された半硬化状態
である。

【００７７】以上において、第２絶縁層形成材３０Ａに
貫通孔３５Ｈを形成する手段としては、レーザー加工に
よる手段、ドリル加工による手段、プレス加工による手
段などを利用することができる。第２絶縁層形成材３０
Ａの貫通孔３５Ｈ内に短絡部形成材料を充填する手段と
しては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール圧入法な
どを利用することができる。短絡部形成材料の加熱処理
は、第２絶縁層形成材３０Ａの硬化が進行しない条件下
で行われる。加熱処理の具体的な条件は、第２絶縁層形
成材３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じて適宜設
定されるが、通常、加熱温度が８０〜１００℃、加熱時
間が２０〜６０分間である。

【００７８】そして、図１０に示すように、第２絶縁層
形成材料３０Ａの上面および下面の各々に例えば銅より
なる金属箔２６Ｂ，３６Ｂを配置した後、金属薄層２６
Ｂ、第２絶縁層形成材３０Ａおよび金属箔３６Ｂをその
厚み方向に加圧することにより、第２絶縁層形成材３０
Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａが厚み方向に圧縮され
た状態で、短絡部形成材料層３５Ａに対してその厚み方
向に平行磁場を作用させながら、第２絶縁層形成材料３
０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａの加熱処理を行う。
具体的には、図１１に示すように、金属箔２６Ｂの上面
および金属箔３６Ｂの下面に強磁性体よりなる磁極板６
０，６５を配置し、更に磁極板６０の上面および磁極板
６５の下面に一対の電磁石６１，６６を配置し、金属薄
層２６Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６
Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、電磁石６１，６６
を作動させることにより、短絡部形成材料層３５Ａの厚
み方向に平行磁場を作用させる共に、第２絶縁層形成材
３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａに対して加熱処理
を行う。

【００７９】以上において、磁極板６０，６５を構成す
る強磁性体としては、鉄、ニッケル、コバルトまたはこ
れらの合金などを用いることができる。金属薄層２６
Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６Ｂの加
圧条件は、通常、５〜５０ｋｇ／ｃｍ²である。短絡部
形成材料層３５Ａに作用される平行磁場の強度は、平均
で０．１〜２Ｔとなる大きさが好ましい。また、平行磁
場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁
石を用いることもできる。このような永久磁石として
は、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アル
ニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトな
どよりなるものが好ましい。加熱処理の条件は、第２絶
縁層形成材料３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じ
て適宜選定されるが、通常、加熱温度が１５０〜１８０
℃、加熱時間が１〜４時間である。

【００８０】以上のように、短絡部形成材料層３５Ａの
厚み方向に平行磁場を作用させることにより、短絡部形
成材料層３５Ａ中に分散されていた特定の導電性複合粒
子Ｐが当該短絡部形成材料層３５Ａの厚み方向に並ぶよ
う配向すると共に、加熱処理によって第２絶縁層形成材
３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａが硬化されること
により、図１２に示すように、第２絶縁層３０および第
２層間短絡部３５が形成され、更に、金属箔２６Ｂ，３
６Ｂが第２絶縁層３０の上面および下面に一体的に被着
され、以て、金属薄層２６Ａ、第２絶縁層３０および金
属薄層３６Ａが上からこの順で積層されてなる積層体が
得られる。

【００８１】そして、図１３に示すように、第２絶縁層
３０の上面および下面の金属薄層２６Ａ，３６Ａ上に、
第１内部配線層および第２内部配線層となる部分を覆う
ようレジスト層３３，３４を形成し、エッチング処理に
よって金属薄層２６Ａ，３６Ａにおける露出した部分を
除去することにより、図１４に示すように、第２絶縁層
２０とレジスト層３３，３４との間に第１内部配線層２
６および第２内部配線層３６が形成され、以て、第２の
絶縁層３０の両面に第１内部配線層２６および第２内部
配線層３６を有してなる中間体基板７が得られる。その
後、この中間体基板７における第１内部配線層２６およ
び第２内部配線層３６の表面からレジスト層３３，３４
を除去する。

【００８２】一方、図１５に示すように、半硬化状態の
熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の第１絶縁層形成材
（第１絶縁層を形成するための材料）２０Ａに形成され
た貫通孔２５Ｈ内に、短絡部形成材料層２５Ａが形成さ
れてなる第１絶縁層用中間材８（図１５（イ）に示す）
と、半硬化状態の熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の
第３絶縁層形成材（第３絶縁層を形成するための材料）
４０Ａに形成された貫通孔４５Ｈ内に、短絡部形成材料
層４５Ａが形成されてなる第３絶縁層用中間体９（図１
５（ロ）に示す）とを製造する。第１絶縁層形成材２０
Ａおよび第３絶縁層形成材４０Ａにおける短絡部形成材
料層２５Ａ，４５Ａを形成する方法は、前述の第２絶縁
層形成材３０Ａに短絡部形成材料層３５Ａを形成する方
法に準じて行うことができる。

【００８３】次いで、図１６に示すように、中間体基板
７の上面に第１絶縁層用中間材８を配置し、更に、この
第１絶縁層用中間材８の上面に金属箔２１Ｂを配置する
と共に、中間体基板７の下面に第３絶縁層用中間材９を
配置し、更に第３絶縁層用中間材９の下面に金属金属
箔４１Ｂを配置する。そして、金属箔２１Ｂ、第１絶縁
層用中間材８、中間体基板７、第３絶縁層用中間材９お
よび金属箔４１Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、短
絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａに
対してその厚み方向に平行磁場を作用させながら、第１
絶縁層形成材料２０Ａ、第３絶縁層形成材料４０Ａ、短
絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａの
加熱処理を行う。これにより、図１７に示すように、第
１絶縁層２０、第３絶縁層４０、第１層間短絡部２５お
よび第３層間短絡部４５が形成され、更に、第２絶縁層
３０の上面および下面に第１絶縁層２０および第３絶縁
層が一体的に被着されると共に、金属箔１１Ｂ，１２Ｂ
が絶縁層１０の上面および下面に一体的に被着され、以
て、金属薄層２１Ａ、第１絶縁層２０、第２絶縁層３
０、第３絶縁層４０および金属薄層４１Ａが上からこの
順で積層されてなる積層体が得られる。

【００８４】そして、図１８に示すように、第１絶縁層
２０の上面および第３絶縁層４０の下面の金属薄層２１
Ａ，４１Ａ上に、上面配線層および下面配線層となる部
分を覆うようレジスト層２２，４２を形成し、エッチン
グ処理によって金属薄層２１Ａ，４１Ａにおける露出し
た部分を除去することにより、図１９に示すように、第
１絶縁層２０とレジスト層２２との間に上面配線層２１
が形成されると共に、第３絶縁層４０とレジスト層４２
との間に下面配線層４１が形成される。その後、レジス
ト層２２，４２を除去することにより、図６に示す構成
の回路基板が得られる。

【００８５】このような回路基板によれば、第１層間短
絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４
５の各々が、特定の導電性複合粒子Ｐを含有してなるも
のであるため、当該層間短絡部において高い導電性が得
られると共に、その導電性について高い再現性が得ら
れ、従って、高い接続信頼性が得られる。また、特定の
導電性粒子Ｐ中には、硬化阻害を引き起こす不純物を含
有しないため、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３
５および第３層間短絡部４５の形成において、短絡部形
成材料層の硬化処理を確実に達成することができ、その
結果、高い耐久性が得られる。更に、特定の導電性複合
粒子は製造コストが小さいものであるため、当該回路基
板の製造コストの低減化を図ることができる。また、特
定の導電性複合粒子Ｐが各絶縁層の厚み方向に並ぶよう
配向した状態で含有されているため、各層間短絡部中に
おいて当該特定の導電性複合粒子Ｐの連鎖による導電路
が形成される結果、一層高い導電性が得られる。また、
第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層
間短絡部４５の各々の形成においては、導電性ペースト
組成物よりなる短絡部形成材料を使用するため、フォト
リソグラフィーを行うことが不要であり、従って、簡単
な工程により、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３
５および第３層間短絡部４５を形成することができ、し
かも、化学薬品を使用しないため、更に高い接続信頼性
が得られる。また、各層間短絡部を構成する特定の導電
性複合粒子Ｐとして磁性を示すものを用いることによ
り、短絡部形成材料２５Ａ，３５Ａ，４５Ａに磁場を作
用させることによって、当該特定の導電性複合粒子Ｐを
容易に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させることがで
きる。また、加圧下において、各短絡部形成材料層に磁
場を作用させながら、各絶縁層形成材および各短絡部形
成材料層の加熱処理を行うことにより、特定の導電性複
合粒子Ｐを確実に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させ
ることができる。

【００８６】本発明においては、層間短絡部を構成する
有機高分子物質として、弾性率の低い熱硬化性樹脂やゴ
ムを用いることにより、以下のような効果が得られる。
すなわち、材質の異なる絶縁層が積層された多層プリン
ト回路基板を構成する場合には、各絶縁層を構成する材
料の熱膨張係数の差に起因して層間短絡部にストレスが
生じても、当該ストレスを層間短絡部の弾性力によって
緩和することができる。

【００８７】このような回路基板は、チップキャリアや
ＭＣＭなどの電子部品を構成するための電子部品用回路
基板、例えばマザーボードなどの電子部品搭載用回路基
板、または回路装置の電気的検査に用いられるアダプタ
ーとして好適なものである。

【００８８】〔導電接続構造体〕図２０は、本発明に係
る導電接続構造体の一例における構成を示す説明用断面
図である。この導電接続構造体においては、前述の導電
性ペースト組成物による接続部材７０によって、電子部
品７１が回路基板７３上に固定されていると共に、当該
電子部品７１の電極７２が回路基板７３の電極７４に電
気的に接続されている。電子部品７１としては、特に限
定されず種々のものを用いることができ、例えば、トラ
ンジスタ、ダイオード、ＩＣチップ若しくはＬＳＩチッ
プまたはそれらのパッケージ或いはＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ
ＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）などの半導体装置からなる
能動部品、抵抗、コンデンサ、水晶振動子などの受動部
品などが挙げられる。回路基板７３としては、片面プリ
ント回路基板、両面プリント回路基板、多層プリント回
路基板など種々の構造のものを用いることができる。ま
た、回路基板７３は、フレキシブル基板、リジッド基
板、これらを組み合わせたフレックス・リジッド基板の
いずれであってもよい。

【００８９】フレキシブル基板を構成する材料として
は、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスル
ホン等を用いることができる。リジッド基板を構成する
材料としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス
繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミ
ド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹
脂等の複合樹脂材料、二酸化珪素、アルミナ等のセラミ
ック材料を用いることができる。

【００９０】電子部品７１の電極７２および回路基板７
３の電極７４の材質としては、例えば金、銀、銅、ニッ
ケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等
が挙げられる。また、電子部品７１の電極７２および回
路基板７３の電極７４の厚みは、それぞれ０．１〜１０
０μｍであることが好ましい。また、電子部品７１の電
極７２および回路基板７３の電極７４の幅は、１〜５０
０μｍであることが好ましい。

【００９１】このような導電接続構造体は、電子部品７
１および回路基板７３のいずれか一方または両方の表面
に、上記の導電性ペースト組成物を塗布し、次いで、回
路基板７３の表面上に電子部品７１を位置合わせした状
態で配置し、その後、当該導電性ペースト組成物に対し
て硬化処理または乾燥処理を行うことにより、或いは、
導電性ペースト組成物をフィルム状に成形した後に半硬
化状態とし、これを電子部品７１と回路基板７３との間
に配置して硬化処理を行うことにより、製造することが
できる。また、特定の導電性複合粒子として磁性を示す
ものを用いる場合には、導電性ペースト組成物の硬化処
理または乾燥処理を行う前に或いは行いながら、その厚
み方向に磁場を作用させることにより、当該特定の導電
性複合粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることがで
き、これにより、導電性が一層高い電気的接続を達成す
ることができる。

【００９２】図２１は、本発明に係る導電接続構造体の
他の例における構成を示す説明用断面図である。この導
電接続構造体においては、電子部品７１が、例えば図２
に示す構成の異方導電性シート１０を介して回路基板７
３上に配置され、当該異方導電性シート１０が当該電子
部品７１および当該回路基板７３に挟圧された状態で固
定部材７５によって固定されており、異方導電性シート
１０の導電部１１によって電子部品７１の電極７２が回
路基板７３の電極７４に電気的に接続されている。

【００９３】以上のような導電接続構造体によれば、上
記の導電性ペースト組成物によって形成された接続部材
７０を介して、或いは上記の異方導電性シート１０を介
して接続されているため、電子部品７１と回路基板７３
との間において、導電性が高く、かつ、その再現性が高
い電気的接続を達成することができる。また、導電性ペ
ースト組成物の硬化物および異方導電性シート１０は高
い耐久性を有するものであるため、良好な電気的接続を
長期間にわたって安定に維持することができる。また、
導電性ペースト組成物および異方導電性シート１０は製
造コストが小さいものであるため、当該導電接続構造体
の製造コストの低減化を図ることができる。

【００９４】〔回路装置の電気的検査装置〕図２２は、
本発明に係る回路装置の電気的検査装置の一例における
要部の構成を示す説明用断面図である。この図におい
て、８０は、プリント回路基板よりなるアダプターであ
ってその表面（図において上面）には、被検査回路装置
７６の被検査電極７７に対応するパターンに従って検査
用電極８１が形成されている。このアダプター８０に
は、当該アダプター８０の表面に対して垂直に伸びる複
数の位置決めピン８３が設けられている。１５はシート
状のコネクターであって、図２に示す構成の異方導電性
シート１０と、この異方導電性シート１０の周辺部を支
持する枠状の支持板１６とにより構成されている。この
支持板１６には、位置決めピン８３に対応して位置決め
孔１７が形成されている。このコネクター１５は、その
支持板１６の位置決め孔１７に位置決めピンが挿通され
て位置決めされた状態で、アダプター８０の表面上に配
置されている。８５は、被検査回路装置７６を保持する
保持板であって、その中央部に被検査回路装置７６が配
置される開口８６が形成され、その周辺部に位置決めピ
ン８３に対応して位置決め孔８７が形成されている。こ
の保持板８５は、その位置決め孔８７に位置決めピン１
７が摺動可能に挿通されて位置決めされた状態で、シー
ト状コネクター１５の上方に配置されている。

【００９５】ここで、検査対象である被検査回路装置７
６としては、ウエハ、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰ等
のパッケージ、ＭＣＭ等のモジュール、片面プリント回
路基板、両面プリント回路基板、多層プリント回路基板
等の回路基板などが挙げられる。

【００９６】このような電気的検査装置においては、保
持部材８５の開口８６に被検査回路装置７６が固定さ
れ、次いで、被検査回路装置７６をコネクター１５に接
近する方向（図において下方）に移動させることによ
り、コネクター１５における異方導電性シート１０が被
検査回路装置７６とアダプター８０とにより加圧された
状態となり、その結果、異方導電性シート１０の導電部
１１によって被検査回路装置７６の被検査電極７７とア
ダプター８０の検査用電極８１との間の電気的接続が達
成される。そして、この状態で、或いは被検査回路装置
７６における潜在的欠陥を発現させるため、環境温度を
所定の温度例えば１５０℃に上昇させた状態で、当該被
検査回路装置７６について所要の電気的検査が行われ
る。

【００９７】以上のような回路装置の電気的検査装置に
よれば、上記の異方導電性シート１０を有するため、被
検査回路装置７６に対して、導電性が高く、かつ、その
再現性が高い電気的接続を達成することができ、従っ
て、信頼性の高い電気的検査を行うことができる。

【００９８】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００９９】〔芯粒子〕下記の芯粒子［Ａ］〜芯粒子
［Ｃ］を用意した。芯粒子［Ａ］：数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動
係数が１０％、ＢＥＴ比表面積が０．５×１０³ｍ²／
ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０５％、酸素元素濃度が０．
０２％、炭素元素濃度が０．０３％、飽和磁化が０．６
Ｗｂ／ｍ²であるニッケルよりなる粒子。芯粒子［Ｂ］：数平均粒子径が６５μｍ、粒子径の変動
係数が４０％、ＢＥＴ比表面積が０．０３×１０³ｍ²
／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０８％、酸素元素濃度が
０．２％、炭素元素濃度が０．０５％、飽和磁化が０．
６Ｗｂ／ｍ²であるニッケルよりなる粒子。芯粒子［Ｃ］：数平均粒子径が４８μｍ、粒子径の変動
係数が３２％、ＢＥＴ比表面積＝０．０８×１０³ｍ²
／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１４％、酸素元素濃度が
０．８％、炭素元素濃度が０．１３％、飽和磁化が０．
６Ｗｂ／ｍ²であるニッケルよりなる粒子。

【０１００】〔導電性複合粒子の調製〕〈粒子調製例１（本発明用）〉上記の芯粒子［Ａ］の表
面に、直流マグネトロンスパッター方式によるスパッタ
ー処理を行って金よりなる被覆層を形成することによ
り、本発明に係る導電性複合粒子［ａ１］を調製した。
上記のスパッター処理の条件は、以下の通りである。粉
末スパッタリング装置および金よりなるスパッターター
ゲットを用い、下記の条件により芯粒子［Ａ］の表面に
金よりなる被覆層を形成した。先ず、芯粒子［Ａ］を、
真空下で１５０℃、１０時間の条件で乾燥処理した。次
いで、乾燥処理した芯粒子［Ａ］をスパッタリング装置
の処理室内に入れ、雰囲気圧が１×１０^-3Ｐａとなるま
で処理室内の排気を行い、その後、微量のアルゴンガス
を処理室内に供給し、当該処理室内の雰囲気圧を１×１
０^-1Ｐａに保持した。スパッターターゲットは、ツイン
ターゲットとし、ターゲットを冷却板に密着させて冷却
した。また、スパッタリング出力は１２０ｋＷとした。
スパッタ処理中には、処理室全体を回転することによ
り、芯粒子［Ａ］を均一に攪拌すると共に、処理室に設
けられた冷却機構により、芯粒子［Ａ］の温度制御を行
った。金の被覆量については、ターゲットに投入された
電力量の積算値から自動的に制御した。スパッター処理
が終了した後、アルゴンガス、窒素ガスおよび冷却水に
より処理室内を室温近くまで冷却した。更に、処理室内
に、空気を徐々に流し、目的とする導電性複合粒子［ａ
１］を調製した。

【０１０１】得られた導電性複合粒子［ａ１］は、数平
均粒子径が１０．６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．４×１
０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５６ｎｍ、表面部分
における金の含有割合が８５％、電気抵抗値Ｒが０．０
３Ωのものであった。

【０１０２】〈粒子調製例２（本発明用）〉スパッター
ターゲットとしてロジウムよりなるものを用いたこと以
外は、粒子調製例１と同様にして上記の芯粒子［Ａ］の
表面にスパッター処理を行ってロジウムよりなる被覆層
を形成することにより、本発明に係る導電性複合粒子
［ａ２］を調製した。

【０１０３】得られた導電性複合粒子［ａ２］は、数平
均粒子径が１０．７μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．５×１
０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚みｔが６９ｎｍ、表面部分
におけるロジウムの含有割合が８８％、電気抵抗値Ｒが
０．０４Ωのものであった。

【０１０４】〈粒子調製例３（本発明用）〉芯粒子
［Ａ］の代わりに芯粒子［Ｂ］を用いたこと以外は、粒
子調製例１と同様にして本発明に係る導電性複合粒子
［ｂ１］を調製した。得られた導電性複合粒子［ｂ１］
は、数平均粒子径が６６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０
２×１０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５３ｎｍ、表
面部分における金の含有割合が７０％、電気抵抗値Ｒが
０．０８のものであった。

【０１０５】〈粒子調製例４（本発明用）〉芯粒子
［Ａ］の代わりに芯粒子［Ｃ］を用いたこと以外は、粒
子調製例１と同様にして本発明に係る導電性複合粒子
［ｃ１］を調製した。得られた導電性複合粒子［ｃ１］
は、数平均粒子径が４９μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０
６×１０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７５ｎｍ、表
面部分における金の含有割合が８５％、電気抵抗値Ｒが
０．３Ωのものであった。

【０１０６】〈粒子調製例５（比較用）〉芯粒子［Ｂ］
に対して、無電解メッキ法によって金メッキを行って表
面に金よりなる被覆層を形成することにより、比較用の
導電性複合粒子［ｂ２］を調製した。得られた導電性複
合粒子［ｂ２］は、数平均粒子径が１３０μｍ、ＢＥＴ
比表面積が０．００９×１０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚
みｔが５７ｎｍ、表面部分における金の含有割合が６３
％、電気抵抗値Ｒが１．１Ωのものであった。

【０１０７】〈粒子調製例６（比較用）〉芯粒子［Ｃ］
に対して、無電解メッキ法によって金メッキを行って表
面に金よりなる被覆層を形成することにより、比較用の
導電性複合粒子［ｃ２］を調製した。得られた導電性複
合粒子［ｃ２］は、数平均粒子径が５３μｍ、ＢＥＴ比
表面積が０．０５×１０³ｍ²／ｋｇ、被覆層の厚みｔ
が７５ｎｍ、表面部分における金の含有割合が８２％、
電気抵抗値Ｒが０．４Ωのものであった。

【０１０８】調製した導電性複合粒子の特性および当該
導電性複合粒子に使用した芯粒子の特性を、下記表１に
まとめて示す。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】〔導電性ペースト組成物の調製〕〈ペースト調製例１（本発明用）〉信越化学工業株式会
社製の付加型液状シリコーンゴム「ＫＥ１９５０−４
０」のＡ液およびＢ液を等量（重量換算）となる割合で
混合し、次いで、この混合物１００部に導電性複合粒子
［ａ１］１００部を添加して混合した後、減圧による脱
泡処理を行うことにより、本発明の導電性ペースト組成
物（１）を調製した。以上において、付加型液状シリコ
ーンゴム「ＫＥ１９５０−４０」は、そのＡ液およびＢ
液の２３℃における粘度（Ｂ型粘度計によるもの）がい
ずれも４８００Ｐで、硬化物の１５０℃における圧縮永
久歪み（ＪＩＳＫ６２４９）が２０％、２３℃にお
けるデュロメータＡ硬度（ＪＩＳＫ６２４９）が４
２、引裂強度（ＪＩＳＫ６２４９クレセント型）
が３５．６ｋｇｆ／ｃｍのものである。

【０１１１】〈ペースト調製例２（本発明用）〉導電性
複合粒子［ａ１］の代わりに導電性複合粒子［ａ２］を
用いたこと以外は、ペースト調製例１と同様にして本発
明の導電性ペースト組成物（２）を調製した。〈ペースト調製例３（本発明用）〉導電性複合粒子［ａ
１］の代わりに導電性複合粒子［ｂ１］を用いたこと以
外は、ペースト調製例１と同様にして本発明の導電性ペ
ースト組成物（３）を調製した。〈ペースト調製例４（本発明用）〉導電性複合粒子［ａ
１］の代わりに導電性複合粒子［ｂ１］を用いたこと以
外は、ペースト調製例１と同様にして本発明の導電性ペ
ースト組成物（４）を調製した。〈ペースト調製例５（比較用）〉導電性複合粒子［ａ
１］の代わりに導電性複合粒子［ｂ２］を用いたこと以
外は、ペースト調製例１と同様にして比較用の導電性ペ
ースト組成物（５）を調製した。〈ペースト調製例６（比較用）〉導電性複合粒子［ａ
１］の代わりに導電性複合粒子［ｃ２］を用いたこと以
外は、ペースト調製例１と同様にして比較用の導電性ペ
ースト組成物（６）を調製した。

【０１１２】〔導電性ペースト組成物の評価〕ペースト
調製例１〜６に係る導電性ペースト組成物（１）〜導電
性ペースト組成物（６）について、以下のようにしてそ
の評価を行った。各々の幅が０．１５ｍｍの銅よりなる
２４０本の線状のリード電極が、０．２５ｍｍのピッチ
（離間距離が０．１ｍｍ）で平行に並ぶよう配列された
リード電極領域を有する回路基板を用意し、この回路基
板のリード電極領域上に、導電性ペースト組成物をスク
リーン印刷によって塗布することにより、幅が１．０ｍ
ｍ、厚みが約０．３ｍｍで、リード電極が伸びる方向と
直交する方向に伸びる帯状の塗布層を形成した。この塗
布層に対して、その厚み方向に平行磁場を作用させなが
ら、１５０℃、１時間の条件で硬化処理を行うことによ
り、回路基板のリード電極領域上に一体的に設けられた
異方導電性の接続部材を形成した。この接続部材上に、
表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平
面基板を配置し、この平面基板を、ロードセルに接続さ
れた押圧板によって下方に押圧した。そして、この状態
で、回路基板のリード電極と平面基板の共通電極との間
の電気抵抗を測定し、その最大値、最小値および平均値
を求めた。更に、温度２５℃、相対湿度３０％の環境下
において、平面基板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押
圧し、１万回押圧後における回路基板のリード電極と平
面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その平均
値を求めた。以上、結果を表２に示す。

【０１１３】

【表２】

【０１１４】〔異方導電性シートの製造〕キャビティ内
に支持体配置用空間領域を有すること以外は基本的に図
３に示す構成に従って、下記の条件により、異方導電性
シート製造用金型を作製した。基板：材質；鉄，厚み；８ｍｍ，強磁性体層：材質；ニッケル，厚み；０．１ｍｍ，径；
０．２５ｍｍ，ピッチ（中心間距離）；０．５ｍｍ，非磁性体層材質；感放射線性樹脂材料，厚み；０．１５
ｍｍ，スペーサの厚み；０．３ｍｍ

【０１１５】〈製造例１〉上記の金型のキャビティ内に
おける支持体配置用空間領域に、厚みが０．２ｍｍのス
テンレスよりなる枠板状の異方導電性シート用支持体を
配置した。次いで、この金型のキャビティ内に、導電性
ペースト組成物（１）を注入し、減圧による脱泡処理を
行うことにより、当該金型内に導電性組成物層を形成し
た。そして、導電性組成物層に対して、電磁石によって
厚み方向に６０００ガウスの平行磁場を作用させなが
ら、１２０℃、１時間の条件で当該導電性組成物層の硬
化処理を行い、更に、金型から離型した後に、２００
℃、４時間の条件でポストキュアを行うことにより、そ
れそれ厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電
部を相互に絶縁する絶縁部とを有する本発明に係る支持
体付の異方導電性シート（１）を製造した。得られた異
方導電性シート（１）は、外径が０．２５ｍｍの導電部
が、０．５ｍｍのピッチで、１６行１６列で配列されて
なるものであって、絶縁部の厚みは０．３ｍｍ、導電部
の厚みは０．４ｍｍであり、当該導電部が絶縁部の両面
の各々から突出した状態（それぞれの突出高さが０．０
５ｍｍ）に形成されてなるものである。

【０１１６】〈製造例２〉導電性ペースト組成物（１）
の代わりに導電性ペースト組成物（２）を用いたこと以
外は、製造例１と同様にして本発明に係る支持体付の異
方導電性シート（２）を製造した。〈製造例３〉導電性ペースト組成物（１）の代わりに導
電性ペースト組成物（３）を用いたこと以外は、製造例
１と同様にして本発明に係る支持体付の異方導電性シー
ト（３）を製造した。〈製造例４〉導電性ペースト組成物（１）の代わりに導
電性ペースト組成物（４）を用いたこと以外は、製造例
１と同様にして本発明に係る支持体付の異方導電性シー
ト（４）を製造した。〈比較製造例１〉導電性ペースト組成物（１）の代わり
に導電性ペースト組成物（５）を用いたこと以外は、製
造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シー
ト（５）を製造した。〈比較製造例２〉導電性ペースト組成物（１）の代わり
に導電性ペースト組成物（６）を用いたこと以外は、製
造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シー
ト（６）を製造した。

【０１１７】〔異方導電性シートの評価〕製造例１〜４
および比較製造例１〜２で得られた異方導電性シート
（１）〜異方導電性シート（６）について、以下のよう
にしてその評価を行った。異方導電性シートにおける導
電部に対応してピッチが０．５ｍｍの格子点位置に従っ
て１６行１６列で配列された、径が０．２５ｍｍの電極
を有するプリント配線基板上に、異方導電性シートをそ
の導電部がこれに対応する電極上に位置するよう配置し
て固定し、この異方導電性シート上に、表面全面に金メ
ッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置し
た。この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板に
よって下方に押圧した。そして、この状態で、プリント
配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗
（異方導電性シートにおける導電部の電気抵抗）を測定
し、その最大値、最小値および平均値を求めた。更に、
温度２５℃、相対湿度３０％の環境下において、平面基
板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押圧し、１万回押圧
後におけるプリント配線基板の電極と平面基板の共通電
極との間の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。以
上、結果を表３に示す。

【０１１８】

【表３】

【０１１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性複
合粒子によれば、安定した導電性を有する導電性材料を
得ることができる。また、本発明の導電性複合粒子は、
高導電性金属の被覆層の厚みの均一性が高く、小さい粒
子径を得ることが可能であり、しかも、不純物がなくま
たは少なく、更に、製造コストの小さいものである。本
発明の導電性ペースト組成物は、上記の導電性複合粒子
を含有するため、高い導電性を有し、かつ、その再現性
が高いものであり、しかも、硬化阻害を引く起こすこと
がなく、製造コストの小さいものである。本発明の導電
性シートは、上記の導電性複合粒子を含有するため、高
い導電性を有し、かつ、その再現性が高いものであり、
しかも、優れた耐久性を有し、製造コストの小さいもの
である。本発明の回路基板は、上記の導電性複合粒子を
含有する導電体を有するため、配線層間において高い導
電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、接続信
頼性が高く、製造コストの小さいものである。本発明の
導電接続構造体によれば、上記の導電性ペースト組成物
によって、或いは上記の導電性シートを介して接続され
ているため、導電性が高く、かつ、その再現性が高い電
気的接続を達成することができ、しかも、製造コストの
低減化を図ることができる。本発明の回路装置の電気的
検査装置によれば、上記の導電性シートを有するため、
検査対象である回路装置に対して、導電性が高く、か
つ、その再現性が高い電気的接続を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気抵抗値Ｒを測定するための装置の構成を示
す説明用断面図である。

【図２】本発明に係る異方導電性シートの一例における
構成を示す説明用断面図である。

【図３】図２に示す異方導電性シートを製造するために
用いられる金型を示す説明用断面図である。

【図４】図２に示す金型内に導電性ペースト組成物より
なるシート成形材料層が形成された状態を示す説明用断
面図である。

【図５】シート成形材料層にその厚み方向に磁場を作用
させた状態を示す説明用断面図である。

【図６】本発明に係る回路基板の一例における構成を示
す説明用断面図である。

【図７】図６に示す回路基板における第２絶縁層を形成
するための第２絶縁層形成材を示す説明用断面図であ
る。

【図８】第２絶縁層形成材に貫通孔が形成された状態を
示す説明用断面図である。

【図９】第２絶縁層形成材の貫通孔内に短絡部形成材料
層が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図１０】第２絶縁層形成材の両面に金属箔が重ねられ
た状態を示す説明用断面図である。

【図１１】短絡部形成材料層に磁場を作用させながら、
短絡部形成材料層および絶縁層形成材の加熱処理を行っ
た状態を示す説明用断面図である。

【図１２】第２絶縁層および第２層間短絡部が形成され
た状態を示す説明用断面図である。

【図１３】金属薄層上にレジスト層が形成された状態を
示す説明用断面図である。

【図１４】第１内部配線層および第２内部配線層が形成
されて中間体基板が形成された状態を示す説明用断面図
である。

【図１５】第１絶縁層用中間材および第３絶縁層用中間
材の構成を示す説明用断面である。

【図１６】金属薄層、第１絶縁層用中間材、中間体基
板、第３絶縁層用中間材および金属薄層がこの順で重ね
られた状態を示す説明用断面図である。

【図１７】第１絶縁層、第３絶縁層、第１層間短絡部お
よび第３層間短絡部が形成された状態を示す説明用断面
図である。

【図１８】金属薄層上にレジスト層が形成された状態を
示す説明用断面図である。

【図１９】上面配線層および下面配線層が形成された状
態を示す説明用断面図である。

【図２０】本発明に係る導電接続構造体の一例における
構成を示す説明用断面図である。

【図２１】本発明に係る導電接続構造体の他の例におけ
る構成を示す説明用断面図である。

【図２２】本発明に係る回路装置の電気的検査装置の一
例における要部の構成を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１セル２側壁材３蓋材３Ｈ貫通孔４磁石５電極部６電気抵抗測定機７中間体基板８第１絶縁層用中間材９第３絶縁層用中間材１０異方導電性シート１０Ａシート成形材料層１１導電部１１Ａ導電部形成部分１２絶縁部１５コネクター１６支持板１７位置決め孔２０第１絶縁層２０Ａ第１絶縁層形成材２１上面配線層２１Ａ金属薄層２１Ｂ金属箔２２レジスト層２５第１層間短絡部２５Ａ短絡部形成材料層２５Ｈ貫通孔２６第１内部配線層２６Ａ金属薄層２６Ｂ金属箔３０第２絶縁層３０Ａ第２絶縁層形成材３３，３４レジスト層３５第２層間短絡部３５Ａ短絡部形成材料層３５Ｈ貫通孔３６第２内部配線層３６Ａ金属薄層３６Ｂ金属箔４０第３絶縁層４０Ａ第３絶縁層形成材４１下面配線層４１Ａ金属薄層４１Ｂ金属箔４２レジスト層４５第３層間短絡部４５Ａ短絡部形成材料層４５Ｈ貫通孔５０上型５１基板５２強磁性体層５３非磁性体層５４スペーサー５５下型５６基板５７強磁性体層５８非磁性体層６０，６５磁極板６１，６６電磁石７０接続部材７１電子部品７２電極７３回路基板７４電極７５固定部材７６被検査回路装置７７被検査電極８０アダプター８１検査用電極８３位置決めピン８５保持部材８６開口８７位置決め孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 ５Ｇ３０７Ｃ２３Ｃ 14/00 Ｃ２３Ｃ 14/00 Ａ 14/34 14/34 ＮＨ０１Ｂ 1/22 Ｈ０１Ｂ 1/22 ＡＢＨ０５Ｋ 3/32 Ｈ０５Ｋ 3/32 ＢＦターム(参考） 4F071 AA67 AB08 AE15 AF37 AF41 AH12 AH13 BC01 4J002 AA001 BB031 BB061 BB121 BC031 BC061 BD121 BG001 BG061 BN151 BP011 CC031 CC181 CC211 CD001 CF001 CF061 CF071 CG001 CK021 CL001 CM041 CP031 DA066 DC006 DE016 FB076 FD016 FD206 GQ00 GQ02 4K029 AA02 AA22 BA01 BA05 BC06 BD02 CA05 EA01 5E319 BB11 5G301 DA02 DA07 DA08 DA10 DA11 DA12 DA22 DA29 DA42 DA43 DA44 DA45 DA51 DA53 DA55 DA57 DA59 DD01 DD08 DE01 5G307 AA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】芯粒子の表面に、ドライプロセスの手法
によって高導電性金属が被覆されてなることを特徴とす
る導電性複合粒子。
【請求項２】ドライプロセスの手法がスパッターであ
ることを特徴とする請求項１に記載の導電性複合粒子。
【請求項３】芯粒子は、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／
ｍ²以上のものであることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の導電性複合粒子。
【請求項４】芯粒子が金属よりなることを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性複合粒
子。
【請求項５】芯粒子は、その数平均粒子径が５〜１０
０μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０³〜０．７×
１０³ｍ²／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１％以下、酸素
元素濃度が０．５％以下、炭素元素濃度が０．１％以下
のものであることを特徴とする請求項４に記載の導電性
複合粒子。
【請求項６】粒子径の変動係数が５０％以下であるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の導電性複合粒子。
【請求項７】下記の数式によって算出される、高導電
性金属の被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であることを特
徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の導電
性複合粒子。【数１】ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗ
は芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ²／ｋｇ）、ρは高導電
性金属の比重（ｋｇ／ｍ³）、Ｎは、高導電性金属の被
覆層の重量／導電性複合粒子の重量を示す。〕
【請求項８】高導電性金属が金またはロジウムである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記
載の導電性複合粒子。
【請求項９】ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０³〜
０．７×１０³ｍ²／ｋｇであることを特徴とする請求
項１乃至請求項８のいずれかに記載の導電性複合粒子。
【請求項１０】飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ²以上の芯
粒子を有する導電性複合粒子であって、下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下であることを特徴と
する請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の導電性複
合粒子。電気抵抗値Ｒ：導電性複合粒子０．６ｇと液状ゴム０．
８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製
し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互
いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一
対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁
場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗
値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれかに
記載の導電性複合粒子が含有されてなることを特徴とす
る導電性ペースト組成物。
【請求項１２】有機高分子物質中に、請求項１乃至請
求項１０のいずれかに記載の導電性複合粒子が含有され
てなることを特徴とする導電性シート。
【請求項１３】有機高分子物質中に、請求項１乃至請
求項１０のいずれかに記載の導電性複合粒子が含有され
てなる導電体を有することを特徴とする回路基板。
【請求項１４】請求項１１に記載の導電性ペースト組
成物によって接続されてなることを特徴とする導電接続
構造体。
【請求項１５】請求項１２に記載の導電性シートを介
して接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
【請求項１６】請求項１２に記載の導電性シートを具
えてなり、当該導電性シートを介して、被検査回路装置
の被検査電極に対する電気的接続が達成されることを特
徴とする回路装置の電気的検査装置。