JP2002148489A - 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ - Google Patents
半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用環境温度変化によらず高出力でノイズが
小さく波長安定性の良好な信頼性の高い半導体レーザモ
ジュールを提供する。 【解決手段】 パッケージ２７の底板２６上に、ベース
側板材１７と底板側板材１８とペルチェ素子１９とを有
するサーモモジュール２５を搭載し、その上にベース２
を搭載し、その上にレーザダイオード１と、レーザダイ
オード１から出射するレーザ光をレーザダイオード１に
帰還する第１の光ファイバ４と、第１の光ファイバ４を
その長手方向２点位置で支持する固定手段６，７を搭載
する。ベース２は、サーモモジュール２５上に接触する
レーザダイオード搭載部材８とその上に設ける固定手段
搭載部材５とにより形成する。レーザダイオード搭載部
材８は固定手段搭載部材５の線膨張係数とサーモモジュ
ール２５のベース側板材１７の線膨張係数との間の範囲
内の線膨張係数を有する材質により形成する。
小さく波長安定性の良好な信頼性の高い半導体レーザモ
ジュールを提供する。 【解決手段】 パッケージ２７の底板２６上に、ベース
側板材１７と底板側板材１８とペルチェ素子１９とを有
するサーモモジュール２５を搭載し、その上にベース２
を搭載し、その上にレーザダイオード１と、レーザダイ
オード１から出射するレーザ光をレーザダイオード１に
帰還する第１の光ファイバ４と、第１の光ファイバ４を
その長手方向２点位置で支持する固定手段６，７を搭載
する。ベース２は、サーモモジュール２５上に接触する
レーザダイオード搭載部材８とその上に設ける固定手段
搭載部材５とにより形成する。レーザダイオード搭載部
材８は固定手段搭載部材５の線膨張係数とサーモモジュ
ール２５のベース側板材１７の線膨張係数との間の範囲
内の線膨張係数を有する材質により形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野に用い
られる半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザ
モジュールを用いたラマンアンプに関するものである。
られる半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザ
モジュールを用いたラマンアンプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報社会の発展により、通信情報量が飛
躍的に増大する傾向にあり、このような情報の増大化に
伴い、波長多重伝送（ＷＤＭ伝送）が通信分野に広く受
け入れられ、今や波長多重伝送の時代を迎えている。波
長多重光伝送は、複数の波長の光を１本の光ファイバで
伝送できるため、大容量高速通信に適した光伝送方式で
あり、現在、この伝送技術の検討が盛んに行なわれてい
る。
躍的に増大する傾向にあり、このような情報の増大化に
伴い、波長多重伝送（ＷＤＭ伝送）が通信分野に広く受
け入れられ、今や波長多重伝送の時代を迎えている。波
長多重光伝送は、複数の波長の光を１本の光ファイバで
伝送できるため、大容量高速通信に適した光伝送方式で
あり、現在、この伝送技術の検討が盛んに行なわれてい
る。
【０００３】波長多重伝送は、現在、エルビウムドープ
ファイバ（ＥＤＦ）型光増幅器の利得帯域である波長
１．５５μｍ帯で行なうことを検討しているが、波長多
重伝送の帯域をさらに広帯域で行なえるようにするため
に、ラマン増幅に対する期待が高まっている。
ファイバ（ＥＤＦ）型光増幅器の利得帯域である波長
１．５５μｍ帯で行なうことを検討しているが、波長多
重伝送の帯域をさらに広帯域で行なえるようにするため
に、ラマン増幅に対する期待が高まっている。
【０００４】ラマン増幅は、光ファイバに強い光（励起
光）を入射したときに、誘導ラマン散乱により、励起光
波長から約１００ｎｍ程度長波長側にゲインが現われ、
このように励起された状態の光ファイバに、上記ゲイン
を有する波長域の信号光を入射すると、その信号光が増
幅されるという現象を利用した光信号の増幅方法であ
る。
光）を入射したときに、誘導ラマン散乱により、励起光
波長から約１００ｎｍ程度長波長側にゲインが現われ、
このように励起された状態の光ファイバに、上記ゲイン
を有する波長域の信号光を入射すると、その信号光が増
幅されるという現象を利用した光信号の増幅方法であ
る。
【０００５】したがって、ラマン増幅ではＥＤＦを増幅
媒体としなくても、既設の光ファイバを増幅媒体として
使用することができ、また、任意の波長において増幅利
得を得ることができる。このため、ラマン増幅を利用す
ることにより、波長多重伝送における信号光のチャンネ
ル数を増加させることができる。
媒体としなくても、既設の光ファイバを増幅媒体として
使用することができ、また、任意の波長において増幅利
得を得ることができる。このため、ラマン増幅を利用す
ることにより、波長多重伝送における信号光のチャンネ
ル数を増加させることができる。
【０００６】ただし、ラマン利得は、（通常の既設の）
通信用光ファイバを使用した場合、１００ｍＷの励起光
入力で約３ｄＢと小さい。このため、ラマンアンプを複
数設け、これらのアンプによる増幅を多重化することに
より強い励起光を得ることが必要となり、一般に、多重
化によりトータルで５００ｍＷ〜１Ｗ程度の励起光とす
ることが検討されている。
通信用光ファイバを使用した場合、１００ｍＷの励起光
入力で約３ｄＢと小さい。このため、ラマンアンプを複
数設け、これらのアンプによる増幅を多重化することに
より強い励起光を得ることが必要となり、一般に、多重
化によりトータルで５００ｍＷ〜１Ｗ程度の励起光とす
ることが検討されている。
【０００７】また、ラマン増幅（特に前方励起）では、
増幅の起こる過程が早く起こるため、ポンプ光強度が揺
らいでいると、ラマン利得が揺らぐことになり、これが
そのまま信号光強度の揺らぎとして出てしまう。このた
め、励起光のノイズを小さくすることが重要となる。
増幅の起こる過程が早く起こるため、ポンプ光強度が揺
らいでいると、ラマン利得が揺らぐことになり、これが
そのまま信号光強度の揺らぎとして出てしまう。このた
め、励起光のノイズを小さくすることが重要となる。
【０００８】したがって、ラマン増幅を波長多重伝送用
に適用するためには、ラマンアンプの励起光源を、ノイ
ズが小さく、かつ、例えば３００ｍＷ以上の高出力を有
し、さらに、波長安定性の良好な光源とする必要があ
り、このような特性を有する励起光源用の半導体レーザ
モジュールの開発が非常に重要となっている。
に適用するためには、ラマンアンプの励起光源を、ノイ
ズが小さく、かつ、例えば３００ｍＷ以上の高出力を有
し、さらに、波長安定性の良好な光源とする必要があ
り、このような特性を有する励起光源用の半導体レーザ
モジュールの開発が非常に重要となっている。
【０００９】ところで、半導体レーザモジュールは、半
導体レーザ（レーザダイオード）からのレーザ光を光伝
送側の光ファイバに光学的に結合させたデバイスであ
り、上記のような励起光源としてのみならず、信号光光
源としても適用され、その構成も様々なものが提案され
ている。図１６には、半導体レーザモジュールの一例と
して、波長安定性を良好にするためにファイバグレーテ
ィング技術を用いた、信号光光源用の半導体レーザモジ
ュールが示されている。
導体レーザ（レーザダイオード）からのレーザ光を光伝
送側の光ファイバに光学的に結合させたデバイスであ
り、上記のような励起光源としてのみならず、信号光光
源としても適用され、その構成も様々なものが提案され
ている。図１６には、半導体レーザモジュールの一例と
して、波長安定性を良好にするためにファイバグレーテ
ィング技術を用いた、信号光光源用の半導体レーザモジ
ュールが示されている。
【００１０】この提案の半導体レーザモジュールは、特
開２０００―２０８８６９号に提案されたものであり、
同図において、パッケージ２７内に設けられたサーモモ
ジュール２５上にベース２が搭載されている。また、該
ベース上２のＬＤボンディング部２１上にヒートシンク
２２を介して、レーザダイオード１が搭載固定されてい
る。
開２０００―２０８８６９号に提案されたものであり、
同図において、パッケージ２７内に設けられたサーモモ
ジュール２５上にベース２が搭載されている。また、該
ベース上２のＬＤボンディング部２１上にヒートシンク
２２を介して、レーザダイオード１が搭載固定されてい
る。
【００１１】前記ベース２上には、前記レーザダイオー
ド１に光結合される第１の光ファイバ４が搭載され、第
１の光ファイバ４はその先端側に形成されたファイバレ
ンズ１４の先端側をレーザダイオード１の一端３１側に
向けて配置されている。第１の光ファイバ４は金属製の
スリーブ３に支持された状態で、前記ベース２の上側に
突出する固定アーム６３に固定部６２でレーザ溶接固定
されている。
ド１に光結合される第１の光ファイバ４が搭載され、第
１の光ファイバ４はその先端側に形成されたファイバレ
ンズ１４の先端側をレーザダイオード１の一端３１側に
向けて配置されている。第１の光ファイバ４は金属製の
スリーブ３に支持された状態で、前記ベース２の上側に
突出する固定アーム６３に固定部６２でレーザ溶接固定
されている。
【００１２】なお、上記のようにスリーブ３とベース２
をレーザ溶接により固定するので、ベース２を熱伝導率
が低く、レーザ溶接性に富む金属製にする必要があり、
また、ベース２上には第１の光ファイバ４を搭載するこ
とから、ベース２の材質は、第１の光ファイバ４を形成
するガラス系材料と線膨張係数が近い材質であることが
好ましい。そのため、従来の半導体レーザモジュールに
おいて、ベース２はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であるコバー
ル（商標）により形成されていることが一般的である。
をレーザ溶接により固定するので、ベース２を熱伝導率
が低く、レーザ溶接性に富む金属製にする必要があり、
また、ベース２上には第１の光ファイバ４を搭載するこ
とから、ベース２の材質は、第１の光ファイバ４を形成
するガラス系材料と線膨張係数が近い材質であることが
好ましい。そのため、従来の半導体レーザモジュールに
おいて、ベース２はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であるコバー
ル（商標）により形成されていることが一般的である。
【００１３】前記第１の光ファイバ４は設定波長の光を
反射する回折格子としてのグレーティング１２を有して
おり、第１の光ファイバ４は、前記レーザダイオード１
の一端３１側から出射される光を、ファイバレンズ１４
を介して受光し、この受光した光のうち前記設定波長の
光を前記レーザダイオード１に帰還させる構成と成して
いる。
反射する回折格子としてのグレーティング１２を有して
おり、第１の光ファイバ４は、前記レーザダイオード１
の一端３１側から出射される光を、ファイバレンズ１４
を介して受光し、この受光した光のうち前記設定波長の
光を前記レーザダイオード１に帰還させる構成と成して
いる。
【００１４】また、第１の光ファイバ４の後端側にはモ
ニタフォトダイオード９が対向配置されており、モニタ
フォトダイオード９はパッケージ２７内に固定されたモ
ニタフォトダイオード固定部３９に固定されている。モ
ニタフォトダイオード９は、第１の光ファイバ４を透過
したレーザ光を受光することによりレーザダイオード１
の出力をモニタする。
ニタフォトダイオード９が対向配置されており、モニタ
フォトダイオード９はパッケージ２７内に固定されたモ
ニタフォトダイオード固定部３９に固定されている。モ
ニタフォトダイオード９は、第１の光ファイバ４を透過
したレーザ光を受光することによりレーザダイオード１
の出力をモニタする。
【００１５】前記レーザダイオード１の他端３０側には
該レーザダイオード１の他端３０側から出射される光を
受光して伝送する第２の光ファイバ１３が間隔を介して
対向配置されている。第２の光ファイバ１３の接続端面
側はフェルール５９に挿入固定されており、フェルール
５９はパッケージ２７の後端側に固定されている。
該レーザダイオード１の他端３０側から出射される光を
受光して伝送する第２の光ファイバ１３が間隔を介して
対向配置されている。第２の光ファイバ１３の接続端面
側はフェルール５９に挿入固定されており、フェルール
５９はパッケージ２７の後端側に固定されている。
【００１６】レーザダイオード１の他端３０と第２の光
ファイバ１３との間には、レーザダイオード１側から順
に、コリメートレンズ５１、光透過板５５、集光レンズ
５７が互いに間隔を介して配置されており、コリメート
レンズ５１は前記ベース２に固定され、集光レンズ５７
はレンズホルダ５６に固定されてパッケージ２７に固定
されている。
ファイバ１３との間には、レーザダイオード１側から順
に、コリメートレンズ５１、光透過板５５、集光レンズ
５７が互いに間隔を介して配置されており、コリメート
レンズ５１は前記ベース２に固定され、集光レンズ５７
はレンズホルダ５６に固定されてパッケージ２７に固定
されている。
【００１７】なお、上記のような従来の半導体レーザモ
ジュールにおいて、通常、前記サーモモジュール２５は
前記パッケージ２７の底板２６上に搭載されており、パ
ッケージ２７の底板２６はＣｕ−Ｗ合金のＣｕＷ２０
（重量比はＣｕが２０％、Ｗが８０％）等により形成さ
れている。また、通常、図１７の（ａ）に示すように、
サーモモジュール２５は、ベース側板材１７と、底板側
板材１８と、これら板材１７，１８に狭着されるペルチ
ェ素子１９とを有しており、サーモモジュール２５のベ
ース側板材１７と底板側板材１８は共にＡｌ２Ｏ３によ
り形成されている。
ジュールにおいて、通常、前記サーモモジュール２５は
前記パッケージ２７の底板２６上に搭載されており、パ
ッケージ２７の底板２６はＣｕ−Ｗ合金のＣｕＷ２０
（重量比はＣｕが２０％、Ｗが８０％）等により形成さ
れている。また、通常、図１７の（ａ）に示すように、
サーモモジュール２５は、ベース側板材１７と、底板側
板材１８と、これら板材１７，１８に狭着されるペルチ
ェ素子１９とを有しており、サーモモジュール２５のベ
ース側板材１７と底板側板材１８は共にＡｌ２Ｏ３によ
り形成されている。
【００１８】上記半導体レーザモジュールにおいて、第
１の光ファイバ４と第２の光ファイバ１３は、いずれも
レーザダイオード１と調心されている。そして、レーザ
ダイオード１の一端３１側から出射されたレーザ光を第
１の光ファイバ４で受光して前記設定波長の光をレーザ
ダイオード１に帰還しながら、レーザダイオード１の他
端３０側からの出射光を第２の光ファイバ１３によって
受光し、第２の光ファイバ１３内を伝送し、所望の用途
に供される。
１の光ファイバ４と第２の光ファイバ１３は、いずれも
レーザダイオード１と調心されている。そして、レーザ
ダイオード１の一端３１側から出射されたレーザ光を第
１の光ファイバ４で受光して前記設定波長の光をレーザ
ダイオード１に帰還しながら、レーザダイオード１の他
端３０側からの出射光を第２の光ファイバ１３によって
受光し、第２の光ファイバ１３内を伝送し、所望の用途
に供される。
【００１９】なお、上記のように、レーザダイオード１
の一端３１側から出射されたレーザ光のうち設定波長の
光をレーザダイオード１に帰還しながらレーザ光発振を
行なう構成とすると、第１の光ファイバ４の先端とレー
ザダイオード１との間隔を小さくすることができるた
め、半導体レーザモジュールのＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖ
ｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏｉｓｅ）を小さくでき
る。
の一端３１側から出射されたレーザ光のうち設定波長の
光をレーザダイオード１に帰還しながらレーザ光発振を
行なう構成とすると、第１の光ファイバ４の先端とレー
ザダイオード１との間隔を小さくすることができるた
め、半導体レーザモジュールのＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖ
ｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏｉｓｅ）を小さくでき
る。
【００２０】また、半導体レーザモジュールにおいて、
レーザダイオード１を駆動するために電流を流すと、発
熱によりレーザダイオード１の温度が上昇する。この温
度上昇はレーザダイオード１の発振波長と光出力の変化
を引き起こす原因となるため、半導体レーザモジュール
の使用時には、レーザダイオード１の近傍に固定された
サーミスタ（図示せず）によりレーザダイオード１の温
度を測定し、この測定値に基づいてサーモモジュール２
５を作動させ、サーモモジュール２５に流す電流を制御
することによってレーザダイオード１の温度を一定に保
つ制御が行われる。
レーザダイオード１を駆動するために電流を流すと、発
熱によりレーザダイオード１の温度が上昇する。この温
度上昇はレーザダイオード１の発振波長と光出力の変化
を引き起こす原因となるため、半導体レーザモジュール
の使用時には、レーザダイオード１の近傍に固定された
サーミスタ（図示せず）によりレーザダイオード１の温
度を測定し、この測定値に基づいてサーモモジュール２
５を作動させ、サーモモジュール２５に流す電流を制御
することによってレーザダイオード１の温度を一定に保
つ制御が行われる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
半導体レーザモジュールにおいては、レーザダイオード
１からの出射光を第１の光ファイバ４により受光し、こ
の光のうち設定波長の光をグレーティング１２で反射し
てレーザダイオード１に帰還させる構成であるために、
第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に対する位置
ずれが生じると、レーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４との光結合効率が大きく低下してしまう。
半導体レーザモジュールにおいては、レーザダイオード
１からの出射光を第１の光ファイバ４により受光し、こ
の光のうち設定波長の光をグレーティング１２で反射し
てレーザダイオード１に帰還させる構成であるために、
第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に対する位置
ずれが生じると、レーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４との光結合効率が大きく低下してしまう。
【００２２】しかしながら、上記従来の半導体レーザモ
ジュールは、第１の光ファイバ４をその長手方向の１点
の位置で固定部６２で挟持固定する構成であるために、
第１の光ファイバ４を適切に調心固定することが困難で
あり、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に対す
る位置ずれが生じ易いといった問題があった。
ジュールは、第１の光ファイバ４をその長手方向の１点
の位置で固定部６２で挟持固定する構成であるために、
第１の光ファイバ４を適切に調心固定することが困難で
あり、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に対す
る位置ずれが生じ易いといった問題があった。
【００２３】また、上記のような従来の半導体レーザモ
ジュールは、通常、ベース２をコバールにより形成し、
サーモモジュールのベース側板材１７をＡｌ２Ｏ３によ
り形成しており、両者の線膨張係数が大きく異なること
から、半導体レーザモジュール使用時のサーモモジュー
ル２５の作動に伴って、図１７の（ｂ）に示すようにベ
ース２が撓み、レーザダイオード１と第１の光ファイバ
４との位置が調心位置からずれ、レーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率が低下してしまうと
いった問題が生じた。
ジュールは、通常、ベース２をコバールにより形成し、
サーモモジュールのベース側板材１７をＡｌ２Ｏ３によ
り形成しており、両者の線膨張係数が大きく異なること
から、半導体レーザモジュール使用時のサーモモジュー
ル２５の作動に伴って、図１７の（ｂ）に示すようにベ
ース２が撓み、レーザダイオード１と第１の光ファイバ
４との位置が調心位置からずれ、レーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率が低下してしまうと
いった問題が生じた。
【００２４】また、例えば半導体レーザモジュールを使
用せずに７５〜８５℃の高温環境下で放置したときに
も、上記ベース２とサーモモジュール２５のベース側板
材１７との線膨張係数の違いによって同様にベース２が
撓み、レーザダイオード１と光第１のファイバ４との光
結合がずれ、半導体レーザモジュールを使用しようとし
たときに、完全に元の状態に戻らずに光結合のずれが残
ったままとなってしまうといった問題もあった。
用せずに７５〜８５℃の高温環境下で放置したときに
も、上記ベース２とサーモモジュール２５のベース側板
材１７との線膨張係数の違いによって同様にベース２が
撓み、レーザダイオード１と光第１のファイバ４との光
結合がずれ、半導体レーザモジュールを使用しようとし
たときに、完全に元の状態に戻らずに光結合のずれが残
ったままとなってしまうといった問題もあった。
【００２５】特に、従来の半導体レーザモジュールにお
いては、スリーブ３の固定部６２は、ベース２の上側に
突出形成された固定アーム６３の先端側であり、図のＹ
方向の高さが高い位置に形成されているために、ベース
２の撓みが生じたときにスリーブ３が大きく位置ずれ
し、レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結
合効率の低下の割合が大きかった。
いては、スリーブ３の固定部６２は、ベース２の上側に
突出形成された固定アーム６３の先端側であり、図のＹ
方向の高さが高い位置に形成されているために、ベース
２の撓みが生じたときにスリーブ３が大きく位置ずれ
し、レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結
合効率の低下の割合が大きかった。
【００２６】そして、上記のように、半導体レーザモジ
ュールの使用時および放置時の使用環境温度変化に応じ
てレーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結合
効率が低下すると、第１の光ファイバ４によって受光し
てレーザダイオード１に帰還する光の強度が小さくな
り、半導体レーザモジュールから高出力で波長が安定し
た光を出力して伝送させることが困難であった。
ュールの使用時および放置時の使用環境温度変化に応じ
てレーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結合
効率が低下すると、第１の光ファイバ４によって受光し
てレーザダイオード１に帰還する光の強度が小さくな
り、半導体レーザモジュールから高出力で波長が安定し
た光を出力して伝送させることが困難であった。
【００２７】したがって、上記従来の半導体レーザモジ
ュールの構成を例えば信号光源や前記ラマン増幅用の励
起光源として適用しようとすると、波長が安定した必要
な出力を得ることができず、波長多重伝送システムなど
の構築が困難であった。
ュールの構成を例えば信号光源や前記ラマン増幅用の励
起光源として適用しようとすると、波長が安定した必要
な出力を得ることができず、波長多重伝送システムなど
の構築が困難であった。
【００２８】本発明は上記従来の課題を解決するために
成されたものであり、その第１の目的は、レーザダイオ
ードと該レーザダイオードからのレーザ光を受けて設定
波長の光をレーザダイオードに帰還させる光ファイバと
を、温度変化によらず高精度で光結合することができる
信頼性の高い半導体レーザモジュールを提供することに
ある。また、本発明の第２の目的は、上記のような半導
体レーザモジュールを用いることにより、ノイズが小さ
く、高出力で波長安定性の良好な励起光源を有する、波
長多重伝送に好適のラマンアンプを提供することにあ
る。
成されたものであり、その第１の目的は、レーザダイオ
ードと該レーザダイオードからのレーザ光を受けて設定
波長の光をレーザダイオードに帰還させる光ファイバと
を、温度変化によらず高精度で光結合することができる
信頼性の高い半導体レーザモジュールを提供することに
ある。また、本発明の第２の目的は、上記のような半導
体レーザモジュールを用いることにより、ノイズが小さ
く、高出力で波長安定性の良好な励起光源を有する、波
長多重伝送に好適のラマンアンプを提供することにあ
る。
【００２９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第１の発明の半導体レ
ーザモジュールは、ベース上に、レーザダイオードと該
レーザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが
搭載され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レー
ザダイオードの一端側に向けて配置されており、前記第
１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子を有
して前記レーザダイオードの一端側から出射される光の
うち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰還さ
せる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側には該
レーザダイオードの他端側から出射される光を受光して
伝送する第２の光ファイバが対向配置されている半導体
レーザモジュールであって、前記第１の光ファイバは光
ファイバ支持手段に支持された状態で光ファイバ長手方
向に間隔を介した複数点位置で固定手段により前記ベー
スに固定されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第１の発明の半導体レ
ーザモジュールは、ベース上に、レーザダイオードと該
レーザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが
搭載され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レー
ザダイオードの一端側に向けて配置されており、前記第
１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子を有
して前記レーザダイオードの一端側から出射される光の
うち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰還さ
せる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側には該
レーザダイオードの他端側から出射される光を受光して
伝送する第２の光ファイバが対向配置されている半導体
レーザモジュールであって、前記第１の光ファイバは光
ファイバ支持手段に支持された状態で光ファイバ長手方
向に間隔を介した複数点位置で固定手段により前記ベー
スに固定されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
【００３０】また、第２の発明の半導体レーザモジュー
ルは、上記第１の発明の構成に加え、前記第１の光ファ
イバの長手方向に間隔を介した複数点位置にそれぞれ設
けられた固定手段のうち、レーザダイオードに最も近い
側に位置する固定手段は前記第１の光ファイバを両側部
がわから挟持する挟持部を備えた一体部品により形成さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
ルは、上記第１の発明の構成に加え、前記第１の光ファ
イバの長手方向に間隔を介した複数点位置にそれぞれ設
けられた固定手段のうち、レーザダイオードに最も近い
側に位置する固定手段は前記第１の光ファイバを両側部
がわから挟持する挟持部を備えた一体部品により形成さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００３１】さらに、第３の発明の半導体レーザモジュ
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されており、少
なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前記レー
ザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定手段を
収容するパッケージを有し、該パッケージの底板に前記
サーモモジュールが搭載され、該サーモモジュールは、
ベース側板材と、底板側板材と、これら板材に狭着され
るペルチェ素子とを有する半導体レーザモジュールであ
って、前記ベースは前記サーモモジュール上に接触させ
て配置されて前記レーザダイオードを搭載するレーザダ
イオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレ
ーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置されて前記
固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有して構成さ
れ、前記レーザダイオード搭載部材は前記固定手段搭載
部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベース側板
材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有する材
質により形成されている構成をもって課題を解決する手
段としている。
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されており、少
なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前記レー
ザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定手段を
収容するパッケージを有し、該パッケージの底板に前記
サーモモジュールが搭載され、該サーモモジュールは、
ベース側板材と、底板側板材と、これら板材に狭着され
るペルチェ素子とを有する半導体レーザモジュールであ
って、前記ベースは前記サーモモジュール上に接触させ
て配置されて前記レーザダイオードを搭載するレーザダ
イオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレ
ーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置されて前記
固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有して構成さ
れ、前記レーザダイオード搭載部材は前記固定手段搭載
部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベース側板
材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有する材
質により形成されている構成をもって課題を解決する手
段としている。
【００３２】さらに、第４の発明の半導体レーザモジュ
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されており、少
なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前記レー
ザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定手段を
収容するパッケージを有し、該パッケージの底板に前記
サーモモジュールが搭載されている半導体レーザモジュ
ールであって、前記ベースは前記サーモモジュール上に
接触させて配置されて前記レーザダイオードを搭載する
レーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載
部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置さ
れて前記固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有し
て構成され、前記パッケージの底板は前記ベースのレー
ザダイオード搭載部材と略同一の線膨張係数を有する材
質で形成されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されており、少
なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前記レー
ザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定手段を
収容するパッケージを有し、該パッケージの底板に前記
サーモモジュールが搭載されている半導体レーザモジュ
ールであって、前記ベースは前記サーモモジュール上に
接触させて配置されて前記レーザダイオードを搭載する
レーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載
部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置さ
れて前記固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有し
て構成され、前記パッケージの底板は前記ベースのレー
ザダイオード搭載部材と略同一の線膨張係数を有する材
質で形成されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
【００３３】さらに、第５の発明の半導体レーザモジュ
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは光ファイバ支持手段に支持された状態で固定手段
により両側部がわから挟持されて前記ベースに固定され
ており、前記第１の光ファイバは設定波長の光を反射す
る回折格子を有して前記レーザダイオードの一端側から
出射される光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイ
オードに帰還させる構成と成し、前記レーザダイオード
の他端側には該レーザダイオードの他端側から出射され
る光を受光して伝送する第２の光ファイバが対向配置さ
れており、前記ベースはサーモモジュール上に搭載され
ている半導体レーザモジュールであって、前記ベースに
は前記固定手段を搭載する固定手段搭載部が形成され、
該固定手段搭載部と前記固定手段とをレーザ溶接してな
る第１のレーザ溶接部と、前記固定手段と前記光ファイ
バ支持手段とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部
とは、前記パッケージ底板に対し垂直な方向の高さが略
同じ高さに形成されている構成をもって課題を解決する
手段としている。
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは光ファイバ支持手段に支持された状態で固定手段
により両側部がわから挟持されて前記ベースに固定され
ており、前記第１の光ファイバは設定波長の光を反射す
る回折格子を有して前記レーザダイオードの一端側から
出射される光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイ
オードに帰還させる構成と成し、前記レーザダイオード
の他端側には該レーザダイオードの他端側から出射され
る光を受光して伝送する第２の光ファイバが対向配置さ
れており、前記ベースはサーモモジュール上に搭載され
ている半導体レーザモジュールであって、前記ベースに
は前記固定手段を搭載する固定手段搭載部が形成され、
該固定手段搭載部と前記固定手段とをレーザ溶接してな
る第１のレーザ溶接部と、前記固定手段と前記光ファイ
バ支持手段とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部
とは、前記パッケージ底板に対し垂直な方向の高さが略
同じ高さに形成されている構成をもって課題を解決する
手段としている。
【００３４】さらに、第６の発明の半導体レーザモジュ
ールは、上記第３乃至第５のいずれか一つの発明の構成
に加え、前記固定手段は複数設けられて互いに光ファイ
バ長手方向に間隔を介した複数点位置で第１の光ファイ
バをベースに固定する態様と成している構成をもって課
題を解決する手段としている。
ールは、上記第３乃至第５のいずれか一つの発明の構成
に加え、前記固定手段は複数設けられて互いに光ファイ
バ長手方向に間隔を介した複数点位置で第１の光ファイ
バをベースに固定する態様と成している構成をもって課
題を解決する手段としている。
【００３５】さらに、第７の発明の半導体レーザモジュ
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されている半導
体レーザモジュールであって、前記ベースには前記第１
の光ファイバの側部少なくとも片側の光ファイバ長手方
向の少なくとも一部に沿って、前記ベースの撓みを防止
する撓み防止手段が設けられている構成をもって課題を
解決する手段としている。
ールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダイ
オードに光結合される第１の光ファイバとが搭載され、
該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイオー
ドの一端側に向けて配置されており、前記第１の光ファ
イバは固定手段により前記ベースに固定されており、前
記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子
を有して前記レーザダイオードの一端側から出射される
光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰
還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他端側に
は該レーザダイオードの他端側から出射される光を受光
して伝送する第２の光ファイバが対向配置されており、
前記ベースはサーモモジュール上に搭載されている半導
体レーザモジュールであって、前記ベースには前記第１
の光ファイバの側部少なくとも片側の光ファイバ長手方
向の少なくとも一部に沿って、前記ベースの撓みを防止
する撓み防止手段が設けられている構成をもって課題を
解決する手段としている。
【００３６】さらに、第８の発明の半導体レーザモジュ
ールは、上記第７の発明の構成に加え、前記撓み防止手
段はレーザダイオードの一端側のレーザ光出射端面と第
１の光ファイバにおけるレーザ光の受光端を結ぶ軸線部
の側部少なくとも片側に設けられている構成をもって課
題を解決する手段としている。
ールは、上記第７の発明の構成に加え、前記撓み防止手
段はレーザダイオードの一端側のレーザ光出射端面と第
１の光ファイバにおけるレーザ光の受光端を結ぶ軸線部
の側部少なくとも片側に設けられている構成をもって課
題を解決する手段としている。
【００３７】さらに、第９の発明の半導体レーザモジュ
ールは、上記第７又は第８の発明の構成に加え、前記固
定手段は複数設けられて互いに第１の光ファイバの長手
方向に間隔を介した位置で第１の光ファイバを支持して
ベースに固定する態様と成しており、撓み防止手段はレ
ーザダイオードに最も近い側に位置する固定手段の側部
少なくとも片側に設けられている構成をもって課題を解
決する手段としている。
ールは、上記第７又は第８の発明の構成に加え、前記固
定手段は複数設けられて互いに第１の光ファイバの長手
方向に間隔を介した位置で第１の光ファイバを支持して
ベースに固定する態様と成しており、撓み防止手段はレ
ーザダイオードに最も近い側に位置する固定手段の側部
少なくとも片側に設けられている構成をもって課題を解
決する手段としている。
【００３８】さらに、第１０の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第７乃至第９のいずれか一つの発明の構
成に加え、前記ベースは固定手段を搭載する固定手段搭
載部材と、レーザダイオードを搭載すると共にサーモモ
ジュール側に接触するレーザダイオード搭載部材とを有
して構成され、前記固定手段搭載部材と撓み防止手段を
一体部材により形成した構成をもって課題を解決する手
段としている。
ュールは、上記第７乃至第９のいずれか一つの発明の構
成に加え、前記ベースは固定手段を搭載する固定手段搭
載部材と、レーザダイオードを搭載すると共にサーモモ
ジュール側に接触するレーザダイオード搭載部材とを有
して構成され、前記固定手段搭載部材と撓み防止手段を
一体部材により形成した構成をもって課題を解決する手
段としている。
【００３９】さらに、第１１の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第７乃至第１０のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記撓み防止手段は固定手段搭載部材の底
部から少なくとも上側に立設された壁部を第１の光ファ
イバの長手方向に形成して成る構成をもって課題を解決
する手段としている。
ュールは、上記第７乃至第１０のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記撓み防止手段は固定手段搭載部材の底
部から少なくとも上側に立設された壁部を第１の光ファ
イバの長手方向に形成して成る構成をもって課題を解決
する手段としている。
【００４０】さらに、第１２の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第３乃至第１１のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記ベースの固定手段搭載部材または固定
手段搭載部、固定手段、撓み防止手段の少なくとも一つ
はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成されている構成をもって
課題を解決する手段としている。
ュールは、上記第３乃至第１１のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記ベースの固定手段搭載部材または固定
手段搭載部、固定手段、撓み防止手段の少なくとも一つ
はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成されている構成をもって
課題を解決する手段としている。
【００４１】さらに、第１３の発明の半導体レーザモジ
ュールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダ
イオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載さ
れ、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイ
オードの一端側に向けて配置されており、前記第１の光
ファイバは光ファイバ支持手段に支持されており、前記
設定波長の光を反射する回折格子を有して前記レーザダ
イオードの一端側から出射される光のうち前記設定波長
の光を前記レーザダイオードに帰還させる構成と成し、
前記レーザダイオードの他端側には該レーザダイオード
の他端側から出射される光を受光して伝送する第２の光
ファイバが対向配置されており、前記ベースはサーモモ
ジュール上に搭載されている半導体レーザモジュールで
あって、前記第１の光ファイバと前記レーザダイオード
とが調心された状態で光ファイバ支持手段の前記レーザ
ダイオードに近い側の端部とレーザダイオードから遠い
側の端部がそれぞれの箇所において固定手段により両側
から挟持固定されており、前記光ファイバ支持手段のレ
ーザダイオードから遠い側の端部を固定する固定手段は
対の固定部品からなり、この対の固定部品は光ファイバ
支持手段を両側から挟んだ状態で前記ベースに固定され
ており、該固定部品と光ファイバ支持手段とがレーザ溶
接固定されている構成をもって課題を解決する手段とし
ている。
ュールは、ベース上に、レーザダイオードと該レーザダ
イオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載さ
れ、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダイ
オードの一端側に向けて配置されており、前記第１の光
ファイバは光ファイバ支持手段に支持されており、前記
設定波長の光を反射する回折格子を有して前記レーザダ
イオードの一端側から出射される光のうち前記設定波長
の光を前記レーザダイオードに帰還させる構成と成し、
前記レーザダイオードの他端側には該レーザダイオード
の他端側から出射される光を受光して伝送する第２の光
ファイバが対向配置されており、前記ベースはサーモモ
ジュール上に搭載されている半導体レーザモジュールで
あって、前記第１の光ファイバと前記レーザダイオード
とが調心された状態で光ファイバ支持手段の前記レーザ
ダイオードに近い側の端部とレーザダイオードから遠い
側の端部がそれぞれの箇所において固定手段により両側
から挟持固定されており、前記光ファイバ支持手段のレ
ーザダイオードから遠い側の端部を固定する固定手段は
対の固定部品からなり、この対の固定部品は光ファイバ
支持手段を両側から挟んだ状態で前記ベースに固定され
ており、該固定部品と光ファイバ支持手段とがレーザ溶
接固定されている構成をもって課題を解決する手段とし
ている。
【００４２】さらに、第１４の発明の半導体レーザモジ
ュールは、第１３の発明の構成に加え、前記光ファイバ
支持手段のレーザダイオードから遠い側の端部には、光
ファイバ支持手段と間隔を介してガイド部がベース上に
設けられ、該ガイド部にガイドされた固定部品が光ファ
イバ支持手段の両側部がわに配置されて前記ガイド部に
固定されている構成をもって課題を解決する手段として
いる。
ュールは、第１３の発明の構成に加え、前記光ファイバ
支持手段のレーザダイオードから遠い側の端部には、光
ファイバ支持手段と間隔を介してガイド部がベース上に
設けられ、該ガイド部にガイドされた固定部品が光ファ
イバ支持手段の両側部がわに配置されて前記ガイド部に
固定されている構成をもって課題を解決する手段として
いる。
【００４３】さらに、第１５の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１乃至第１４のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記ベースはサーモモジュールにおける第
１の光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突
出して設けられている構成をもって課題を解決する手段
としている。
ュールは、上記第１乃至第１４のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記ベースはサーモモジュールにおける第
１の光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突
出して設けられている構成をもって課題を解決する手段
としている。
【００４４】さらに、第１６の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１５の発明の構成に加え、前記ベース
はサーモモジュール上に配置されてレーザダイオードを
搭載するレーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオ
ード搭載部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置
に配置されて固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを
有して構成され、前記固定手段搭載部材は前記レーザダ
イオード搭載部材における第１の光ファイバ搭載側端部
よりも光ファイバ長手方向に突出して設けられている構
成をもって課題を解決する手段としている。
ュールは、上記第１５の発明の構成に加え、前記ベース
はサーモモジュール上に配置されてレーザダイオードを
搭載するレーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオ
ード搭載部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置
に配置されて固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを
有して構成され、前記固定手段搭載部材は前記レーザダ
イオード搭載部材における第１の光ファイバ搭載側端部
よりも光ファイバ長手方向に突出して設けられている構
成をもって課題を解決する手段としている。
【００４５】さらに、第１７の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１６の発明の構成に加え、前記レーザ
ダイオード搭載部材はレーザダイオードに最も近い側に
位置する固定手段を機械的に補強する補強部を有してお
り、該補強部の下面はサーモモジュールに接触していな
い構成をもって課題を解決する手段としている。
ュールは、上記第１６の発明の構成に加え、前記レーザ
ダイオード搭載部材はレーザダイオードに最も近い側に
位置する固定手段を機械的に補強する補強部を有してお
り、該補強部の下面はサーモモジュールに接触していな
い構成をもって課題を解決する手段としている。
【００４６】さらに、第１８の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１乃至第１７のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第１の光ファイバのレーザダイオード
と反対側の端面は前記第１の光ファイバの光軸に対して
斜めに形成されている構成をもって課題を解決する手段
としている。
ュールは、上記第１乃至第１７のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第１の光ファイバのレーザダイオード
と反対側の端面は前記第１の光ファイバの光軸に対して
斜めに形成されている構成をもって課題を解決する手段
としている。
【００４７】さらに、第１９の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１乃至第１８のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第２の光ファイバと該第２の光ファイ
バに対向するレーザダイオード端面との間に、前記レー
ザダイオードから出射される光を第２の光ファイバの先
端側に集光する集光レンズが設けられている構成をもっ
て課題を解決する手段としている。
ュールは、上記第１乃至第１８のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第２の光ファイバと該第２の光ファイ
バに対向するレーザダイオード端面との間に、前記レー
ザダイオードから出射される光を第２の光ファイバの先
端側に集光する集光レンズが設けられている構成をもっ
て課題を解決する手段としている。
【００４８】さらに、第２０の発明の半導体レーザモジ
ュールは、第１９の発明の構成に加え、前記第２の光フ
ァイバに対向するレーザダイオード端面と集光レンズと
の間にコリメートレンズが設けられている構成をもって
課題を解決する手段としている。
ュールは、第１９の発明の構成に加え、前記第２の光フ
ァイバに対向するレーザダイオード端面と集光レンズと
の間にコリメートレンズが設けられている構成をもって
課題を解決する手段としている。
【００４９】さらに、第２１の発明の半導体レーザモジ
ュールは、第１９の発明の構成に加え、前記第２の光フ
ァイバに対向するレーザダイオード端面と集光レンズと
の間に該集光レンズと間隔を介してコリメートレンズが
設けられており、該コリメートレンズと前記集光レンズ
との間にアイソレータが設けられている構成をもって課
題を解決する手段としている。
ュールは、第１９の発明の構成に加え、前記第２の光フ
ァイバに対向するレーザダイオード端面と集光レンズと
の間に該集光レンズと間隔を介してコリメートレンズが
設けられており、該コリメートレンズと前記集光レンズ
との間にアイソレータが設けられている構成をもって課
題を解決する手段としている。
【００５０】さらに、第２２の発明の半導体レーザモジ
ュールは、第１９又は第２０又は第２１の発明の構成に
加え、前記集光レンズの入射側に光透過板が設けられて
おり、該光透過板を前記集光レンズの光軸に対して斜め
に配設した構成をもって課題を解決する手段としてい
る。
ュールは、第１９又は第２０又は第２１の発明の構成に
加え、前記集光レンズの入射側に光透過板が設けられて
おり、該光透過板を前記集光レンズの光軸に対して斜め
に配設した構成をもって課題を解決する手段としてい
る。
【００５１】さらに、第２３の発明の半導体レーザモジ
ュールは、上記第１乃至第２２のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第２の光ファイバの先端側にはファイ
バレンズが形成されており、該ファイバレンズの先端側
とレーザダイオードのレーザ光出射端面とが対向配置さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
ュールは、上記第１乃至第２２のいずれか一つの発明の
構成に加え、前記第２の光ファイバの先端側にはファイ
バレンズが形成されており、該ファイバレンズの先端側
とレーザダイオードのレーザ光出射端面とが対向配置さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００５２】さらに、第２４の発明のラマンアンプは、
上記第１乃至第２３のいずれか一つの発明の半導体レー
ザモジュールを励起光源として用いた構成をもって課題
を解決する手段としている。
上記第１乃至第２３のいずれか一つの発明の半導体レー
ザモジュールを励起光源として用いた構成をもって課題
を解決する手段としている。
【００５３】上記構成の第１、第２の発明の半導体レー
ザモジュールは、ベース上にレーザダイオードを配置
し、該レーザダイオードの一端側から出射される光のう
ち設定波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる構
成の第１の光ファイバを、光ファイバ支持手段に支持し
た状態で光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点位置
で固定手段により前記ベースに固定している。
ザモジュールは、ベース上にレーザダイオードを配置
し、該レーザダイオードの一端側から出射される光のう
ち設定波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる構
成の第１の光ファイバを、光ファイバ支持手段に支持し
た状態で光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点位置
で固定手段により前記ベースに固定している。
【００５４】そのため、第１、第２の半導体レーザモジ
ュールにおいて、例えば第１の光ファイバをレーザダイ
オードに最も近い固定手段により固定した後、この固定
部を支点として梃の原理を利用して、第１の光ファイバ
のレーザダイオードから遠い側を調心移動の後に固定す
ることができる。したがって、第１、第２の半導体レー
ザモジュールは、第１の光ファイバをレーザダイオード
に対して適切に調心固定することができ、第１の光ファ
イバの位置ずれを抑制することが可能となる。
ュールにおいて、例えば第１の光ファイバをレーザダイ
オードに最も近い固定手段により固定した後、この固定
部を支点として梃の原理を利用して、第１の光ファイバ
のレーザダイオードから遠い側を調心移動の後に固定す
ることができる。したがって、第１、第２の半導体レー
ザモジュールは、第１の光ファイバをレーザダイオード
に対して適切に調心固定することができ、第１の光ファ
イバの位置ずれを抑制することが可能となる。
【００５５】また、第３、第４の本発明の半導体レーザ
モジュールは、ベースはサーモモジュール上に接触配置
されてレーザダイオードを搭載するレーザダイオード搭
載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレーザダイオ
ード搭載領域を避けた位置に配置されて光ファイバの固
定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有して構成され
ている。
モジュールは、ベースはサーモモジュール上に接触配置
されてレーザダイオードを搭載するレーザダイオード搭
載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレーザダイオ
ード搭載領域を避けた位置に配置されて光ファイバの固
定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有して構成され
ている。
【００５６】そして、第３の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記レーザダイオード搭載部材は前記固定手段
搭載部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベース
側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有す
る材質により形成されているために、従来のようにサー
モモジュールのベース側板材と線膨張係数が大きく異な
るベースを、前記ベース側板材に接触させて設ける場合
に比べ、半導体レーザモジュールの使用環境温度変化が
生じたときにベースとサーモモジュールのベース側板材
との線膨張係数差に起因して生じるベースの撓みを緩和
できる。
ールは、前記レーザダイオード搭載部材は前記固定手段
搭載部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベース
側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有す
る材質により形成されているために、従来のようにサー
モモジュールのベース側板材と線膨張係数が大きく異な
るベースを、前記ベース側板材に接触させて設ける場合
に比べ、半導体レーザモジュールの使用環境温度変化が
生じたときにベースとサーモモジュールのベース側板材
との線膨張係数差に起因して生じるベースの撓みを緩和
できる。
【００５７】したがって、第３の発明の半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結
合効率の低下を抑制できる。
ジュールは、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結
合効率の低下を抑制できる。
【００５８】また、第４の発明の半導体レーザモジュー
ルは、レーザダイオード搭載部材とパッケージの底板の
線膨張係数を略同一としているので、半導体レーザモジ
ュールの温度変化が生じたときにサーモモジュールの上
下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュールの撓みが
相殺される。したがって、第４の発明の半導体レーザモ
ジュールも、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結
合効率の低下を抑制できる。
ルは、レーザダイオード搭載部材とパッケージの底板の
線膨張係数を略同一としているので、半導体レーザモジ
ュールの温度変化が生じたときにサーモモジュールの上
下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュールの撓みが
相殺される。したがって、第４の発明の半導体レーザモ
ジュールも、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結
合効率の低下を抑制できる。
【００５９】第５の発明の半導体レーザモジュールは、
ベースの固定手段搭載部と第１の光ファイバを支持する
光ファイバ支持手段の固定手段とを第１のレーザ溶接部
にてレーザ溶接し、前記固定手段と前記光ファイバ支持
手段とを第２のレーザ溶接部にてレーザ溶接している。
そして、この第１と第２のレーザ溶接部は、半導体レー
ザモジュールのパッケージ底板に対し垂直な方向の高さ
が略同じ高さに形成されているために、第５の発明の半
導体レーザモジュールは、第１の光ファイバの固定部を
ベースに対して高い位置に形成する場合と異なり、たと
えベースの撓みが生じてもその撓みに応じて光ファイバ
支持手段が大きく位置ずれすることはない。
ベースの固定手段搭載部と第１の光ファイバを支持する
光ファイバ支持手段の固定手段とを第１のレーザ溶接部
にてレーザ溶接し、前記固定手段と前記光ファイバ支持
手段とを第２のレーザ溶接部にてレーザ溶接している。
そして、この第１と第２のレーザ溶接部は、半導体レー
ザモジュールのパッケージ底板に対し垂直な方向の高さ
が略同じ高さに形成されているために、第５の発明の半
導体レーザモジュールは、第１の光ファイバの固定部を
ベースに対して高い位置に形成する場合と異なり、たと
えベースの撓みが生じてもその撓みに応じて光ファイバ
支持手段が大きく位置ずれすることはない。
【００６０】したがって、第５の発明の半導体レーザモ
ジュールも、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと光ファイバとの光結合効率
の低下を抑制できる。
ジュールも、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に伴うレーザダイオードと光ファイバとの光結合効率
の低下を抑制できる。
【００６１】さらに、第６の発明の半導体レーザモジュ
ールは、上記第３乃至第５の発明において、第１の光フ
ァイバを固定する固定手段を複数設け、互いに光ファイ
バ長手方向に間隔を介した複数点位置で第１の光ファイ
バをベースに固定する態様と成しているので、第１の光
ファイバのベースへの調心固定を適切に行なうことがで
き、第１の光ファイバの位置ずれを抑制することが可能
となる。
ールは、上記第３乃至第５の発明において、第１の光フ
ァイバを固定する固定手段を複数設け、互いに光ファイ
バ長手方向に間隔を介した複数点位置で第１の光ファイ
バをベースに固定する態様と成しているので、第１の光
ファイバのベースへの調心固定を適切に行なうことがで
き、第１の光ファイバの位置ずれを抑制することが可能
となる。
【００６２】さらに、第７から第１１の発明の半導体レ
ーザモジュールは、ベースに、光ファイバの側部少なく
とも片側の光ファイバ長手方向の少なくとも一部に沿っ
て、前記ベースの撓みを防止する撓み防止手段を設けた
ために、撓み防止手段によってベースの撓みを抑制で
き、半導体レーザモジュールの使用環境温度変化に伴う
レーザダイオードと光ファイバとの光結合効率の低下を
抑制できる。
ーザモジュールは、ベースに、光ファイバの側部少なく
とも片側の光ファイバ長手方向の少なくとも一部に沿っ
て、前記ベースの撓みを防止する撓み防止手段を設けた
ために、撓み防止手段によってベースの撓みを抑制で
き、半導体レーザモジュールの使用環境温度変化に伴う
レーザダイオードと光ファイバとの光結合効率の低下を
抑制できる。
【００６３】さらに、第１３、１４の発明の半導体レー
ザモジュールは、第１の光ファイバを支持する光ファイ
バ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部とレーザ
ダイオードから遠い側の端部を固定手段により固定する
構成とし、光ファイバ支持手段のレーザダイオードから
遠い側の端部を固定する固定手段は、光ファイバ支持手
段を両側から挟んだ状態で前記ベースに固定された対の
固定部品として、該固定部品と光ファイバ支持手段とを
レーザ溶接固定するものである。
ザモジュールは、第１の光ファイバを支持する光ファイ
バ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部とレーザ
ダイオードから遠い側の端部を固定手段により固定する
構成とし、光ファイバ支持手段のレーザダイオードから
遠い側の端部を固定する固定手段は、光ファイバ支持手
段を両側から挟んだ状態で前記ベースに固定された対の
固定部品として、該固定部品と光ファイバ支持手段とを
レーザ溶接固定するものである。
【００６４】光ファイバ支持手段のレーザダイオードに
近い側の端部を支点としてレーザダイオード素子から遠
い側の光ファイバ支持手段端部側を再調心移動させて
も、この位置での光ファイバ支持手段端部固定時に、固
定位置が再調心位置からずれてしまうと、再調心位置で
の固定後に、さらに最終的な調心作業が必要となるが、
第１３、１４の発明の半導体レーザモジュールの構成に
すると、前記再調心位置での固定位置が再調心位置から
殆どずれることなく固定される。
近い側の端部を支点としてレーザダイオード素子から遠
い側の光ファイバ支持手段端部側を再調心移動させて
も、この位置での光ファイバ支持手段端部固定時に、固
定位置が再調心位置からずれてしまうと、再調心位置で
の固定後に、さらに最終的な調心作業が必要となるが、
第１３、１４の発明の半導体レーザモジュールの構成に
すると、前記再調心位置での固定位置が再調心位置から
殆どずれることなく固定される。
【００６５】したがって、第１３、１４の発明の半導体
レーザモジュールは、上記最終的な調心作業は必要な
く、容易に短時間で作製でき、しかも、第１の光ファイ
バを支持する光ファイバ支持手段のレーザダイオードに
近い側の端部とレーザダイオードから遠い側の端部を固
定手段により固定することにより、上記第１、第２、第
６の発明の半導体レーザモジュールと同様に、第１の光
ファイバの位置ずれを抑制することが可能となる。
レーザモジュールは、上記最終的な調心作業は必要な
く、容易に短時間で作製でき、しかも、第１の光ファイ
バを支持する光ファイバ支持手段のレーザダイオードに
近い側の端部とレーザダイオードから遠い側の端部を固
定手段により固定することにより、上記第１、第２、第
６の発明の半導体レーザモジュールと同様に、第１の光
ファイバの位置ずれを抑制することが可能となる。
【００６６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１には、本発明に係る半導体レー
ザモジュールの第１実施形態例の要部構成が斜視図によ
り示されている。なお、本実施形態例の半導体レーザモ
ジュールもレーザダイオード１等を収容するパッケージ
２７を有しており、図１においてはパッケージ２７を部
分的に省略した状態で示している。
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１には、本発明に係る半導体レー
ザモジュールの第１実施形態例の要部構成が斜視図によ
り示されている。なお、本実施形態例の半導体レーザモ
ジュールもレーザダイオード１等を収容するパッケージ
２７を有しており、図１においてはパッケージ２７を部
分的に省略した状態で示している。
【００６７】同図に示すように、本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、従来例と同様に、パッケージ２７
内に設けられたサーモモジュール２５、ベース２、レー
ザダイオード１、第１の光ファイバ４等を有して構成さ
れている。パッケージ２７の側壁には複数のリード端子
６０が互いに間隔を介して配設されており、リード端子
６０はパッケージ２７の外側に向けて突出形成されてい
る。
レーザモジュールは、従来例と同様に、パッケージ２７
内に設けられたサーモモジュール２５、ベース２、レー
ザダイオード１、第１の光ファイバ４等を有して構成さ
れている。パッケージ２７の側壁には複数のリード端子
６０が互いに間隔を介して配設されており、リード端子
６０はパッケージ２７の外側に向けて突出形成されてい
る。
【００６８】本実施形態例が従来例と異なる最も特徴的
な構成は、ベース２の構成およびベース２への第１の光
ファイバ４の固定構造であり、これらの構成により、本
実施形態例の半導体レーザモジュールは、使用環境温度
変化によらずレーザダイオード１と第１の光ファイバ４
を高精度で光結合することができる信頼性の高い半導体
レーザモジュールと成している。
な構成は、ベース２の構成およびベース２への第１の光
ファイバ４の固定構造であり、これらの構成により、本
実施形態例の半導体レーザモジュールは、使用環境温度
変化によらずレーザダイオード１と第１の光ファイバ４
を高精度で光結合することができる信頼性の高い半導体
レーザモジュールと成している。
【００６９】以下、本実施形態例の具体的な構成につい
て説明する。本実施形態例においてレーザダイオード１
を直接又は間接に搭載するベース２は、レーザダイオー
ド１を搭載するレーザダイオード搭載部材８と、レーザ
ダイオード搭載部材８上に設けられる固定手段搭載部材
５とを有している。固定手段搭載部材５は固定手段６，
７を搭載するものであり、固定手段６，７は互いに光フ
ァイバ長手方向に間隔を介して配置されている。
て説明する。本実施形態例においてレーザダイオード１
を直接又は間接に搭載するベース２は、レーザダイオー
ド１を搭載するレーザダイオード搭載部材８と、レーザ
ダイオード搭載部材８上に設けられる固定手段搭載部材
５とを有している。固定手段搭載部材５は固定手段６，
７を搭載するものであり、固定手段６，７は互いに光フ
ァイバ長手方向に間隔を介して配置されている。
【００７０】第１の光ファイバ４は光ファイバ支持手段
としての金属製スリーブ３に支持固定されており、固定
手段６，７は、スリーブ３の支持固定を介して第１の光
ファイバ４をベース２に固定している。第１の光ファイ
バ４のコアには図示しないグレーティングが形成されて
いる。
としての金属製スリーブ３に支持固定されており、固定
手段６，７は、スリーブ３の支持固定を介して第１の光
ファイバ４をベース２に固定している。第１の光ファイ
バ４のコアには図示しないグレーティングが形成されて
いる。
【００７１】本実施形態例の第１の特徴は、上記のよう
に、第１の光ファイバ４をスリーブ３に支持した状態で
光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点（ここでは２
点）の位置で固定手段６，７によりベース２に固定した
ことである。なお、第１の光ファイバ４はレーザダイオ
ード１に調心された状態で、固定手段６，７により両側
から挟持固定されている。
に、第１の光ファイバ４をスリーブ３に支持した状態で
光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点（ここでは２
点）の位置で固定手段６，７によりベース２に固定した
ことである。なお、第１の光ファイバ４はレーザダイオ
ード１に調心された状態で、固定手段６，７により両側
から挟持固定されている。
【００７２】また、前記ベース２はサーモモジュール２
５上に搭載されており、ベース２のレーザダイオード搭
載部材８がサーモモジュール２５上にサーモモジュール
２５と接触して配置されている。また、図１、図３に示
すように、レーザダイオード搭載部材８の上部側には該
レーザダイオード搭載部材８と一体部材で構成されるＬ
Ｄボンディング部２１が設けられてレーザダイオード搭
載領域と成している。前記固定手段搭載部材５はレーザ
ダイオード搭載部材８のレーザダイオード搭載領域を避
けた位置に配置されている。
５上に搭載されており、ベース２のレーザダイオード搭
載部材８がサーモモジュール２５上にサーモモジュール
２５と接触して配置されている。また、図１、図３に示
すように、レーザダイオード搭載部材８の上部側には該
レーザダイオード搭載部材８と一体部材で構成されるＬ
Ｄボンディング部２１が設けられてレーザダイオード搭
載領域と成している。前記固定手段搭載部材５はレーザ
ダイオード搭載部材８のレーザダイオード搭載領域を避
けた位置に配置されている。
【００７３】なお、図３は、ベース２を分解状態で示す
斜視図であり、同図にハッチングを付して示す銀ロウ接
合部４６により、固定手段搭載部材５がレーザダイオー
ド搭載部材８上に固定されている。
斜視図であり、同図にハッチングを付して示す銀ロウ接
合部４６により、固定手段搭載部材５がレーザダイオー
ド搭載部材８上に固定されている。
【００７４】本実施形態例の第２の特徴は、上記の如く
ベース２を固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載
部材８とを有する構成とし、レーザダイオード搭載部材
８を、前記固定手段搭載部材５の線膨張係数と前記サー
モモジュール２５のベース側板材１７の線膨張係数との
間の範囲内の線膨張係数を有する材質により形成したこ
とである。具体的には、本実施形態例において、固定手
段搭載部材５はコバールにより形成し、レーザダイオー
ド搭載部材８はＣｕ−Ｗ合金のＣｕＷ１０（重量比はＣ
ｕが１０％、Ｗが９０％）により形成している。
ベース２を固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載
部材８とを有する構成とし、レーザダイオード搭載部材
８を、前記固定手段搭載部材５の線膨張係数と前記サー
モモジュール２５のベース側板材１７の線膨張係数との
間の範囲内の線膨張係数を有する材質により形成したこ
とである。具体的には、本実施形態例において、固定手
段搭載部材５はコバールにより形成し、レーザダイオー
ド搭載部材８はＣｕ−Ｗ合金のＣｕＷ１０（重量比はＣ
ｕが１０％、Ｗが９０％）により形成している。
【００７５】なお、ＣｕＷ１０は、熱伝導率が１８０〜
２００（Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、コバールの熱伝導率であ
る１７〜１８（Ｗ／ｍ・Ｋ）の約１０倍の熱伝導率を有
している。
２００（Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、コバールの熱伝導率であ
る１７〜１８（Ｗ／ｍ・Ｋ）の約１０倍の熱伝導率を有
している。
【００７６】本実施形態例の第３の特徴は、パッケージ
２７の底板２６をベース２のレーザダイオード搭載部材
８と同一材質により形成し、それにより、底板２６の線
膨張係数とレーザダイオード搭載部材８の線膨張係数を
同一としたことである。
２７の底板２６をベース２のレーザダイオード搭載部材
８と同一材質により形成し、それにより、底板２６の線
膨張係数とレーザダイオード搭載部材８の線膨張係数を
同一としたことである。
【００７７】本実施形態例の第４の特徴は、図１、図２
に示すように、固定手段搭載部としての固定手段搭載部
材５と固定手段６，７とを第１のレーザ溶接部１０によ
りレーザ溶接し、前記固定手段６，７と前記スリーブ３
とを第２のレーザ溶接部１１（１１ａ，１１ｂ）により
レーザ溶接し、前記パッケージ底板２６に対し垂直な方
向の、第１のレーザ溶接部１０と第２のレーザ溶接部１
１の高さを略同じ高さに形成したことである。
に示すように、固定手段搭載部としての固定手段搭載部
材５と固定手段６，７とを第１のレーザ溶接部１０によ
りレーザ溶接し、前記固定手段６，７と前記スリーブ３
とを第２のレーザ溶接部１１（１１ａ，１１ｂ）により
レーザ溶接し、前記パッケージ底板２６に対し垂直な方
向の、第１のレーザ溶接部１０と第２のレーザ溶接部１
１の高さを略同じ高さに形成したことである。
【００７８】前記レーザ溶接は、ＹＡＧレーザ等により
行われ、パッケージ底板２６に対し垂直な方向の、第１
のレーザ溶接部１０と第２のレーザ溶接部１１の高さの
差は、±５００μｍ以内、好ましくは±５０μｍ以内に
形成されている。
行われ、パッケージ底板２６に対し垂直な方向の、第１
のレーザ溶接部１０と第２のレーザ溶接部１１の高さの
差は、±５００μｍ以内、好ましくは±５０μｍ以内に
形成されている。
【００７９】また、前記固定手段６側の第１、第２のレ
ーザ溶接部１０，１１の高さは第１の光ファイバ４のレ
ーザ光受光端３２の位置および光軸中心位置と同じ高さ
になっている。なお、第１の光ファイバ４のファイバレ
ンズ１４は、図６に示す先球形状と成しており、その先
端がレーザ光受光端３２である。このレーザ光受光端３
２は、レーザダイオード１の活性層（図示せず）と同一
平面に配置されている。
ーザ溶接部１０，１１の高さは第１の光ファイバ４のレ
ーザ光受光端３２の位置および光軸中心位置と同じ高さ
になっている。なお、第１の光ファイバ４のファイバレ
ンズ１４は、図６に示す先球形状と成しており、その先
端がレーザ光受光端３２である。このレーザ光受光端３
２は、レーザダイオード１の活性層（図示せず）と同一
平面に配置されている。
【００８０】ここで、固定手段搭載部材５と固定手段
６，７をレーザ溶接する際、該固定手段搭載部材５の上
面と固定手段６，７の上面とが面一（±１００μｍ以
内）となるようにすれば、製品ごとにレーザ溶接部１０
の高さを容易に均一にすることができるので好ましい。
６，７をレーザ溶接する際、該固定手段搭載部材５の上
面と固定手段６，７の上面とが面一（±１００μｍ以
内）となるようにすれば、製品ごとにレーザ溶接部１０
の高さを容易に均一にすることができるので好ましい。
【００８１】本実施形態例の第５の特徴は、図２、図４
に示すように、前記ベース２の固定手段搭載部材５に、
前記第１の光ファイバ４の側部両側に、第１の光ファイ
バ４の長手方向に沿って形成された撓み防止手段１５を
形成したことである。この撓み防止手段１５はベース２
の撓みを防止するものであり、本実施形態例では、撓み
防止手段１５は、図４に示すように、固定手段搭載部材
５の底部１６から少なくとも上側に立設された壁部を第
１の光ファイバ４の長手方向に形成して成るものであ
る。
に示すように、前記ベース２の固定手段搭載部材５に、
前記第１の光ファイバ４の側部両側に、第１の光ファイ
バ４の長手方向に沿って形成された撓み防止手段１５を
形成したことである。この撓み防止手段１５はベース２
の撓みを防止するものであり、本実施形態例では、撓み
防止手段１５は、図４に示すように、固定手段搭載部材
５の底部１６から少なくとも上側に立設された壁部を第
１の光ファイバ４の長手方向に形成して成るものであ
る。
【００８２】図２に示すように、撓み防止手段１５は固
定手段搭載部材５の長手方向全領域（同図の破線枠Ｂ内
の領域）に設けられており、撓み防止手段１５は、レー
ザダイオード１の一端３１のレーザ光出射端面と第１の
光ファイバ４におけるレーザ光の受光端３２を結ぶ軸線
部３３の側部両側と、レーザダイオード１に近い側に位
置する固定手段６の側部両側にも設けられている。撓み
防止手段１５の先端部はレーザダイオード搭載部材８の
ＬＤボンディング部２１の配設領域まで伸設されてい
る。
定手段搭載部材５の長手方向全領域（同図の破線枠Ｂ内
の領域）に設けられており、撓み防止手段１５は、レー
ザダイオード１の一端３１のレーザ光出射端面と第１の
光ファイバ４におけるレーザ光の受光端３２を結ぶ軸線
部３３の側部両側と、レーザダイオード１に近い側に位
置する固定手段６の側部両側にも設けられている。撓み
防止手段１５の先端部はレーザダイオード搭載部材８の
ＬＤボンディング部２１の配設領域まで伸設されてい
る。
【００８３】本実施形態例では、撓み防止手段１５は固
定手段搭載部材５と一体部材により形成されており、図
２、図３に示すように、撓み防止手段１５を成す壁部と
固定手段固定用壁部３５によって前記固定手段６，７の
嵌合凹部３７ａ，３７ｂが形成され、固定手段６，７は
対応する嵌合凹部３７ａ，３７ｂに嵌合した状態で、第
１のレーザ溶接部１０により固定手段搭載部材５に溶接
固定されている。
定手段搭載部材５と一体部材により形成されており、図
２、図３に示すように、撓み防止手段１５を成す壁部と
固定手段固定用壁部３５によって前記固定手段６，７の
嵌合凹部３７ａ，３７ｂが形成され、固定手段６，７は
対応する嵌合凹部３７ａ，３７ｂに嵌合した状態で、第
１のレーザ溶接部１０により固定手段搭載部材５に溶接
固定されている。
【００８４】なお、本実施形態例において、固定手段搭
載部材５を形成する際に、図３に示すように、例えば固
定手段６，７の嵌合凹部３７ａ，３７ｂとスリーブ３の
挿入部３８を刳り貫いた形状に成形することにより、撓
み防止手段１５を成す壁部と固定手段固定用壁部３５を
一体的に形成した固定手段搭載部材５を得ることができ
る。
載部材５を形成する際に、図３に示すように、例えば固
定手段６，７の嵌合凹部３７ａ，３７ｂとスリーブ３の
挿入部３８を刳り貫いた形状に成形することにより、撓
み防止手段１５を成す壁部と固定手段固定用壁部３５を
一体的に形成した固定手段搭載部材５を得ることができ
る。
【００８５】本実施形態例の第６の特徴は、固定手段
６，７のうち、レーザダイオード１に近い側に位置する
固定手段６は、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、第
１の光ファイバ４を両側部がわから挟持する挟持部２８
を備えた一体部品により形成されていることである。
６，７のうち、レーザダイオード１に近い側に位置する
固定手段６は、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、第
１の光ファイバ４を両側部がわから挟持する挟持部２８
を備えた一体部品により形成されていることである。
【００８６】なお、固定手段６の形状は図５の（ｂ）に
示すように挟持部２８をアーム状に形成すると、レーザ
溶接部１１ａを支点としてスリーブ３ごと第１の光ファ
イバ４を回動させた際に、レーザ溶接部１１ａに加わる
応力が、挟持部２８のアームの変形応力に分散され、応
力集中を防止できる。
示すように挟持部２８をアーム状に形成すると、レーザ
溶接部１１ａを支点としてスリーブ３ごと第１の光ファ
イバ４を回動させた際に、レーザ溶接部１１ａに加わる
応力が、挟持部２８のアームの変形応力に分散され、応
力集中を防止できる。
【００８７】本実施形態例の第７の特徴は、前記固定手
段６，７のうち、スリーブ３のレーザダイオード１から
遠い側の端部を固定する固定手段７は対の固定部品７
ａ，７ｂからなり、この対の固定部品７ａ，７ｂはスリ
ーブ３を両側から挟んだ状態で前記ベース２の固定手段
搭載部材５に固定されており、該固定部品７ａ，７ｂは
前記第１のレーザ溶接部１１ｂでスリーブ３とレーザ溶
接固定されていることである。
段６，７のうち、スリーブ３のレーザダイオード１から
遠い側の端部を固定する固定手段７は対の固定部品７
ａ，７ｂからなり、この対の固定部品７ａ，７ｂはスリ
ーブ３を両側から挟んだ状態で前記ベース２の固定手段
搭載部材５に固定されており、該固定部品７ａ，７ｂは
前記第１のレーザ溶接部１１ｂでスリーブ３とレーザ溶
接固定されていることである。
【００８８】本実施形態例において、固定部品７ａ，７
ｂを第１の光ファイバ４の長手方向に挟む両側の固定手
段固定用壁部３５が、スリーブ３と間隔を介してベース
２上に設けられたガイド部として機能し、固定部品７
ａ，７ｂは固定手段固定用壁部３５にガイドされ、固定
されている。
ｂを第１の光ファイバ４の長手方向に挟む両側の固定手
段固定用壁部３５が、スリーブ３と間隔を介してベース
２上に設けられたガイド部として機能し、固定部品７
ａ，７ｂは固定手段固定用壁部３５にガイドされ、固定
されている。
【００８９】本実施形態例の第８の特徴は、ベース２の
固定手段搭載部材５がサーモモジュール２５における第
１の光ファイバ４の搭載側端部より光ファイバ長手方向
に突出して設けられていることである。また、本実施形
態例において、前記スリーブ３はサーモモジュール２５
における光ファイバ搭載側端部から突出した固定手段搭
載部材５に固定されている。
固定手段搭載部材５がサーモモジュール２５における第
１の光ファイバ４の搭載側端部より光ファイバ長手方向
に突出して設けられていることである。また、本実施形
態例において、前記スリーブ３はサーモモジュール２５
における光ファイバ搭載側端部から突出した固定手段搭
載部材５に固定されている。
【００９０】本実施形態例の第９の特徴は、第１の光フ
ァイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面（図示せ
ず）を、第１の光ファイバ４の光軸に対して４５°程度
斜めに形成したことである。
ァイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面（図示せ
ず）を、第１の光ファイバ４の光軸に対して４５°程度
斜めに形成したことである。
【００９１】なお、本実施形態例において、第１の光フ
ァイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面に対向さ
せて、モニタフォトダイオード９が設けられており、モ
ニタフォトダイオード９はモニタフォトダイオード固定
部３９に固定されている。モニタフォトダイオード固定
部３９は主にアルミナにより形成されており、モニタフ
ォトダイオード固定部３９は半田材等によりベース２の
レーザダイオード搭載部材８上に固定されている。
ァイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面に対向さ
せて、モニタフォトダイオード９が設けられており、モ
ニタフォトダイオード９はモニタフォトダイオード固定
部３９に固定されている。モニタフォトダイオード固定
部３９は主にアルミナにより形成されており、モニタフ
ォトダイオード固定部３９は半田材等によりベース２の
レーザダイオード搭載部材８上に固定されている。
【００９２】また、本実施形態例において、図７に示す
ように、前記レーザダイオード１は主にＡｕＳｎ半田か
ら成る半田材４０によってヒートシンク２２上に固定さ
れ、ヒートシンク２２は主にＡｕＳｎ又はＡｕＳｉを有
する半田材４１によってレーザダイオード搭載部材８上
に固定されている。ヒートシンク２２はＡｌＮやダイヤ
モンド等の高熱伝導性材料により形成されている。
ように、前記レーザダイオード１は主にＡｕＳｎ半田か
ら成る半田材４０によってヒートシンク２２上に固定さ
れ、ヒートシンク２２は主にＡｕＳｎ又はＡｕＳｉを有
する半田材４１によってレーザダイオード搭載部材８上
に固定されている。ヒートシンク２２はＡｌＮやダイヤ
モンド等の高熱伝導性材料により形成されている。
【００９３】また、図１、図８に示すように、レーザダ
イオード１の他端３０側に間隔を介し、第２の光ファイ
バ１３が対向配置されており、第２の光ファイバ１３
は、フェルール５９に支持固定された状態でフェルール
ホルダ５８に固定されている。
イオード１の他端３０側に間隔を介し、第２の光ファイ
バ１３が対向配置されており、第２の光ファイバ１３
は、フェルール５９に支持固定された状態でフェルール
ホルダ５８に固定されている。
【００９４】図１、図２、図８に示すように、前記レー
ザダイオード１の他端３０と前記第２の光ファイバ１３
との間には、レーザダイオード１の他端３０の面に間隔
を介して、レーザ光を平行光とするコリメートレンズ５
１が設けられており、コリメートレンズ５１はレンズホ
ルダ５２に支持固定された状態で、ベース２のレーザダ
イオード搭載部材８上に搭載固定されている。なお、図
１では、レンズホルダ搭載部４７をハッチングにより示
している。
ザダイオード１の他端３０と前記第２の光ファイバ１３
との間には、レーザダイオード１の他端３０の面に間隔
を介して、レーザ光を平行光とするコリメートレンズ５
１が設けられており、コリメートレンズ５１はレンズホ
ルダ５２に支持固定された状態で、ベース２のレーザダ
イオード搭載部材８上に搭載固定されている。なお、図
１では、レンズホルダ搭載部４７をハッチングにより示
している。
【００９５】レーザダイオード搭載部材８には、コリメ
ートレンズ５１と間隔を介してアイソレータ５３が設け
られ、アイソレータ５３はアイソレータホルダ５４を介
してレーザダイオード搭載部材８上に固定されている。
アイソレータ５３の出射側には、間隔を介して集光レン
ズ５７が設けられており、アイソレータ５３と集光レン
ズ５７との間には光透過板５５が設けられている。
ートレンズ５１と間隔を介してアイソレータ５３が設け
られ、アイソレータ５３はアイソレータホルダ５４を介
してレーザダイオード搭載部材８上に固定されている。
アイソレータ５３の出射側には、間隔を介して集光レン
ズ５７が設けられており、アイソレータ５３と集光レン
ズ５７との間には光透過板５５が設けられている。
【００９６】集光レンズ５７はレーザダイオード１から
出射される光を第２の光ファイバ１３の先端側に集光す
るものであり、集光レンズ５７はレンズホルダ５６に固
定されている。集光レンズ５７の入射側に設けられた光
透過板５５は、サファイヤガラスなどにより形成されて
おり、パッケージ２７の封止用の機能を有している。ま
た、本実施形態例において、光透過板５５は集光レンズ
５７の光軸に対して斜めに配設されている。
出射される光を第２の光ファイバ１３の先端側に集光す
るものであり、集光レンズ５７はレンズホルダ５６に固
定されている。集光レンズ５７の入射側に設けられた光
透過板５５は、サファイヤガラスなどにより形成されて
おり、パッケージ２７の封止用の機能を有している。ま
た、本実施形態例において、光透過板５５は集光レンズ
５７の光軸に対して斜めに配設されている。
【００９７】なお、本実施形態例において、前記第１の
光ファイバ４をベース２の固定手段搭載部材５に固定す
る作業は、以下のようにして行われている。すなわち、
まず、第１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを調
心した状態で、固定手段６によりスリーブ３のレーザダ
イオード１に近い側の端部を両側部がわから挟持固定す
る。
光ファイバ４をベース２の固定手段搭載部材５に固定す
る作業は、以下のようにして行われている。すなわち、
まず、第１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを調
心した状態で、固定手段６によりスリーブ３のレーザダ
イオード１に近い側の端部を両側部がわから挟持固定す
る。
【００９８】この調心は、例えば以下のようにして行な
われる。すなわち、ベース２の固定部品搭載部材５上の
嵌合凹部３７ａに固定部品６を配置し、この固定部品６
の挟持部２８（図５参照）間に第１の光ファイバ４を配
置する。なお、挟持部２８とスリーブ３との間隔は、０
〜２０μｍ程度とする。その状態で、レーザダイオード
１から遠い側の側のスリーブ３の端部を、例えば調心治
具によって把持し、調心治具を用いてレーザダイオード
１と第１の光ファイバ４とを調心する。なお、このと
き、固定部品６はスリーブ３と共にベース２の固定手段
搭載部材５の表面に沿ってＸ方向に移動可能とする。
われる。すなわち、ベース２の固定部品搭載部材５上の
嵌合凹部３７ａに固定部品６を配置し、この固定部品６
の挟持部２８（図５参照）間に第１の光ファイバ４を配
置する。なお、挟持部２８とスリーブ３との間隔は、０
〜２０μｍ程度とする。その状態で、レーザダイオード
１から遠い側の側のスリーブ３の端部を、例えば調心治
具によって把持し、調心治具を用いてレーザダイオード
１と第１の光ファイバ４とを調心する。なお、このと
き、固定部品６はスリーブ３と共にベース２の固定手段
搭載部材５の表面に沿ってＸ方向に移動可能とする。
【００９９】前記調心の後、固定部品６を第１のレーザ
溶接部１０によりベース２の固定手段搭載部材５に固定
する。その後、スリーブ３を固定部品６に第２のレーザ
溶接部１１ａで溶接固定し、スリーブ３のレーザダイオ
ード１に近い側を固定手段搭載部材５に固定した状態と
する。なお、固定部品６を固定手段搭載部材５に先に固
定し、その後、スリーブ３を固定部品６に溶接固定する
か、あるいは、その逆の工程をとるかは、調心がほどよ
くできるように、適宜選択してもよい。
溶接部１０によりベース２の固定手段搭載部材５に固定
する。その後、スリーブ３を固定部品６に第２のレーザ
溶接部１１ａで溶接固定し、スリーブ３のレーザダイオ
ード１に近い側を固定手段搭載部材５に固定した状態と
する。なお、固定部品６を固定手段搭載部材５に先に固
定し、その後、スリーブ３を固定部品６に溶接固定する
か、あるいは、その逆の工程をとるかは、調心がほどよ
くできるように、適宜選択してもよい。
【０１００】その後、固定部品６による挟持部（ここで
はレーザ溶接部１１ａ）を支点としてレーザダイオード
１から遠い側のスリーブ３の端部を、前記調心治具によ
って図１のＹ方向に調心移動させて、第１の光ファイバ
４とレーザダイオード１とを再調心する。
はレーザ溶接部１１ａ）を支点としてレーザダイオード
１から遠い側のスリーブ３の端部を、前記調心治具によ
って図１のＹ方向に調心移動させて、第１の光ファイバ
４とレーザダイオード１とを再調心する。
【０１０１】そして、ベース２の固定手段搭載部材５の
固定手段固定用壁部３５にガイドされる態様で、嵌合凹
部３７ｂに固定部品７ａ，７ｂを挿入し、スリーブ３の
両側部がわに静かに配置する。この固定部品７ａ，７ｂ
は、固定手段固定用壁部３５にガイドされて、スリーブ
３の光軸に対して略直交する図のＸ方向に、ベース２の
固定手段搭載部材５の表面に沿ってスライド移動するも
のであり、このスライド移動によって、スリーブ３の両
側部がわの固定部品７ａ，７ｂとスリーブ３の側面との
間隔を０〜約５μｍに調整する。
固定手段固定用壁部３５にガイドされる態様で、嵌合凹
部３７ｂに固定部品７ａ，７ｂを挿入し、スリーブ３の
両側部がわに静かに配置する。この固定部品７ａ，７ｂ
は、固定手段固定用壁部３５にガイドされて、スリーブ
３の光軸に対して略直交する図のＸ方向に、ベース２の
固定手段搭載部材５の表面に沿ってスライド移動するも
のであり、このスライド移動によって、スリーブ３の両
側部がわの固定部品７ａ，７ｂとスリーブ３の側面との
間隔を０〜約５μｍに調整する。
【０１０２】そして、固定部品７ａ，７ｂを、複数の第
１のレーザ溶接部１０によって固定手段固定用壁部３５
に溶接固定した後、固定部品７ａ，７ｂとスリーブ３を
第２のレーザ溶接部１１ｂによりレーザ溶接固定（例え
ばＹＡＧ溶接固定）する。
１のレーザ溶接部１０によって固定手段固定用壁部３５
に溶接固定した後、固定部品７ａ，７ｂとスリーブ３を
第２のレーザ溶接部１１ｂによりレーザ溶接固定（例え
ばＹＡＧ溶接固定）する。
【０１０３】なお、前記調心作業は、例えば、レーザダ
イオード１からレーザ光を発振させて第１の光ファイバ
４に入射させて伝播させながら、前記のように、調心治
具等を用いてスリーブ３のレーザダイオード１から遠い
側の端部を調心移動させ、第１の光ファイバ４を伝播す
るレーザ光の強度がもっとも強くなる位置を調心位置と
することにより行われる。
イオード１からレーザ光を発振させて第１の光ファイバ
４に入射させて伝播させながら、前記のように、調心治
具等を用いてスリーブ３のレーザダイオード１から遠い
側の端部を調心移動させ、第１の光ファイバ４を伝播す
るレーザ光の強度がもっとも強くなる位置を調心位置と
することにより行われる。
【０１０４】また、スリーブ３の調心移動は、例えば、
調心治具にステッピングモータなどを取り付け、第１の
光ファイバ４を伝播して出射される光の強度を検出する
光強度検出装置を監視しながら、ステッピングモータに
よるスリーブ３の移動量を人が調節して行なってもよい
し、前記光強度検出装置とステッピングモータの駆動装
置を共にコンピュータに接続し、コンピュータ制御によ
り自動的にスリーブ３を調心位置に移動させるようにし
て行なってもよい。
調心治具にステッピングモータなどを取り付け、第１の
光ファイバ４を伝播して出射される光の強度を検出する
光強度検出装置を監視しながら、ステッピングモータに
よるスリーブ３の移動量を人が調節して行なってもよい
し、前記光強度検出装置とステッピングモータの駆動装
置を共にコンピュータに接続し、コンピュータ制御によ
り自動的にスリーブ３を調心位置に移動させるようにし
て行なってもよい。
【０１０５】本実施形態例の半導体レーザモジュールは
以上のように構成されており、本実施形態例の半導体レ
ーザモジュールは、従来例と同様に、レーザダイオード
１の一端３１側から出射されたレーザ光を第１の光ファ
イバ４で受光して前記設定波長の光をレーザダイオード
１に帰還しながら、レーザダイオード１の他端３０側か
らの出射光を第２の光ファイバ１３によって受光し、第
２の光ファイバ１３内を伝送させる。
以上のように構成されており、本実施形態例の半導体レ
ーザモジュールは、従来例と同様に、レーザダイオード
１の一端３１側から出射されたレーザ光を第１の光ファ
イバ４で受光して前記設定波長の光をレーザダイオード
１に帰還しながら、レーザダイオード１の他端３０側か
らの出射光を第２の光ファイバ１３によって受光し、第
２の光ファイバ１３内を伝送させる。
【０１０６】また、このとき、本実施形態例でも従来例
と同様にサーモモジュール２５によるレーザダイオード
１の温度制御が行なわれる。
と同様にサーモモジュール２５によるレーザダイオード
１の温度制御が行なわれる。
【０１０７】本実施形態例によれば、第１の光ファイバ
４をスリーブ３に支持した状態で光ファイバ長手方向に
間隔を介した２点位置で固定手段６，７によりベース２
に固定しているので、ベース２上に、第１の光ファイバ
４をレーザダイオード１に対して適切に調心固定するこ
とができ、第１の光ファイバ４の位置ずれを抑制するこ
とができる。
４をスリーブ３に支持した状態で光ファイバ長手方向に
間隔を介した２点位置で固定手段６，７によりベース２
に固定しているので、ベース２上に、第１の光ファイバ
４をレーザダイオード１に対して適切に調心固定するこ
とができ、第１の光ファイバ４の位置ずれを抑制するこ
とができる。
【０１０８】また、本実施形態例によれば、サーモモジ
ュール２５のベース側板部材１７に接触するベース２の
レーザダイオード搭載部材８は、その上側に設けられて
いる固定手段搭載部材５の線膨張係数とサーモモジュー
ル２５のベース側板材１７の線膨張係数との間の範囲内
の線膨張係数を有する材質（言い換えればコバールとＡ
ｌ２Ｏ３の間の線膨張係数を有するＣｕＷ１０）により
形成しているために、従来例のようにコバールにより形
成したベース２をＡｌ２Ｏ３からなるベース側板材１７
上に直接接触して設ける場合に比べ、使用環境温度変化
によって生じるベース２の撓みが緩和できる。
ュール２５のベース側板部材１７に接触するベース２の
レーザダイオード搭載部材８は、その上側に設けられて
いる固定手段搭載部材５の線膨張係数とサーモモジュー
ル２５のベース側板材１７の線膨張係数との間の範囲内
の線膨張係数を有する材質（言い換えればコバールとＡ
ｌ２Ｏ３の間の線膨張係数を有するＣｕＷ１０）により
形成しているために、従来例のようにコバールにより形
成したベース２をＡｌ２Ｏ３からなるベース側板材１７
上に直接接触して設ける場合に比べ、使用環境温度変化
によって生じるベース２の撓みが緩和できる。
【０１０９】したがって、本実施形態例によれば、使用
環境温度変化に起因したレーザダイオード１と第１の光
ファイバ４との光結合効率低下を抑制することができ
る。
環境温度変化に起因したレーザダイオード１と第１の光
ファイバ４との光結合効率低下を抑制することができ
る。
【０１１０】しかも、レーザダイオード搭載部材８を形
成するＣｕＷ１０は熱伝導率が良好で、コバールの熱伝
導率の約１０倍の熱伝導率を有するために、本実施形態
例においては、レーザダイオード１で発生した熱が、ヒ
ートシンク２２、レーザダイオード搭載部材８を介して
効率的にサーモモジュール２５側に伝えられるので、サ
ーモモジュール２５によってレーザダイオード１を効率
的に冷却することができる。
成するＣｕＷ１０は熱伝導率が良好で、コバールの熱伝
導率の約１０倍の熱伝導率を有するために、本実施形態
例においては、レーザダイオード１で発生した熱が、ヒ
ートシンク２２、レーザダイオード搭載部材８を介して
効率的にサーモモジュール２５側に伝えられるので、サ
ーモモジュール２５によってレーザダイオード１を効率
的に冷却することができる。
【０１１１】そのため、本実施形態例によれば、レーザ
ダイオード１およびサーモモジュール２５の消費電力を
小さくでき、消費電力の小さい半導体レーザモジュール
とすることができるし、サーモモジュール２５の撓み量
を小さくすることができる。
ダイオード１およびサーモモジュール２５の消費電力を
小さくでき、消費電力の小さい半導体レーザモジュール
とすることができるし、サーモモジュール２５の撓み量
を小さくすることができる。
【０１１２】また、本実施形態例によれば、レーザダイ
オード搭載部材８とパッケージ２７の底板２６の線膨張
係数を同一としているので、半導体レーザモジュールの
使用環境温度変化が生じたときにサーモモジュール２５
の上下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュール２５
の撓みが相殺される。したがって、本実施形態例によれ
ば、使用環境温度変化に起因したレーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率低下をより一層効率
的に抑制することができる。
オード搭載部材８とパッケージ２７の底板２６の線膨張
係数を同一としているので、半導体レーザモジュールの
使用環境温度変化が生じたときにサーモモジュール２５
の上下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュール２５
の撓みが相殺される。したがって、本実施形態例によれ
ば、使用環境温度変化に起因したレーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率低下をより一層効率
的に抑制することができる。
【０１１３】さらに、本実施形態例によれば、ベース２
の固定手段搭載部材５と固定手段６，７とをレーザ溶接
してなる第１のレーザ溶接部１０と、固定手段６，７と
スリーブ３とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部
１１とは、パッケージ底板２６に対し垂直な方向の高さ
が略同じ高さに形成されているために、たとえ多少ベー
ス２の撓みが生じても、この撓みによってスリーブ３が
第１のレーザ溶接部１０を支点に大きく位置ずれするこ
とはなく、したがって、レーザダイオード１と光ファイ
バ２との光結合効率の低下をさらにより一層効率的に抑
制することができる。
の固定手段搭載部材５と固定手段６，７とをレーザ溶接
してなる第１のレーザ溶接部１０と、固定手段６，７と
スリーブ３とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部
１１とは、パッケージ底板２６に対し垂直な方向の高さ
が略同じ高さに形成されているために、たとえ多少ベー
ス２の撓みが生じても、この撓みによってスリーブ３が
第１のレーザ溶接部１０を支点に大きく位置ずれするこ
とはなく、したがって、レーザダイオード１と光ファイ
バ２との光結合効率の低下をさらにより一層効率的に抑
制することができる。
【０１１４】さらに、本実施形態例によれば、ベース２
の固定手段搭載部材５に、光ファイバ４の長手方向に沿
って、ベース２の撓みを防止する撓み防止手段１５を設
けているために、撓み防止手段１５によってベース２の
光ファイバ長手方向に沿った撓みを抑制できる。
の固定手段搭載部材５に、光ファイバ４の長手方向に沿
って、ベース２の撓みを防止する撓み防止手段１５を設
けているために、撓み防止手段１５によってベース２の
光ファイバ長手方向に沿った撓みを抑制できる。
【０１１５】特に、本実施形態例の半導体レーザモジュ
ールにおいて、レーザダイオード１から出射される光
は、第１の光ファイバ４の先端側から第１の光ファイバ
４に入射するので、レーザダイオード１と第１の光ファ
イバ４との光結合に際し、レーザダイオード１と第１の
光ファイバ４のレーザ光受光端３２との位置ずれを抑制
することは極めて重要であり、したがって、上記軸線部
３３におけるベース２の撓みを抑制することは極めて重
要である。
ールにおいて、レーザダイオード１から出射される光
は、第１の光ファイバ４の先端側から第１の光ファイバ
４に入射するので、レーザダイオード１と第１の光ファ
イバ４との光結合に際し、レーザダイオード１と第１の
光ファイバ４のレーザ光受光端３２との位置ずれを抑制
することは極めて重要であり、したがって、上記軸線部
３３におけるベース２の撓みを抑制することは極めて重
要である。
【０１１６】また、同様に、レーザダイオード１に近い
固定手段６によるスリーブ３の固定位置がずれると、例
えば固定手段６よりもレーザダイオード１から遠い固定
手段７によるスリーブ３の固定位置がずれる場合に比
べ、レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結
合効率低下が大きいため、固定手段６の配設領域におけ
るベース２の撓みを抑制することは極めて重要である。
固定手段６によるスリーブ３の固定位置がずれると、例
えば固定手段６よりもレーザダイオード１から遠い固定
手段７によるスリーブ３の固定位置がずれる場合に比
べ、レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結
合効率低下が大きいため、固定手段６の配設領域におけ
るベース２の撓みを抑制することは極めて重要である。
【０１１７】そこで、本実施形態例では、撓み防止手段
１５を、レーザダイオード１の一端３１と第１の光ファ
イバ４におけるレーザ光の受光端３２を結ぶ軸線部３３
の側部両側と、レーザダイオード１に近い側に位置する
固定手段６の側部両側を含む固定手段搭載部材５の光フ
ァイバ長手方向に沿った領域に設けており、それによ
り、上記軸線部３３および固定手段６の配設領域におけ
るベース２の撓みを抑制できるため、半導体レーザモジ
ュールの使用環境温度変化に応じたベース２の撓みを効
果的に抑制でき、レーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４との光結合効率低下を非常に効率的に抑制すること
ができる。
１５を、レーザダイオード１の一端３１と第１の光ファ
イバ４におけるレーザ光の受光端３２を結ぶ軸線部３３
の側部両側と、レーザダイオード１に近い側に位置する
固定手段６の側部両側を含む固定手段搭載部材５の光フ
ァイバ長手方向に沿った領域に設けており、それによ
り、上記軸線部３３および固定手段６の配設領域におけ
るベース２の撓みを抑制できるため、半導体レーザモジ
ュールの使用環境温度変化に応じたベース２の撓みを効
果的に抑制でき、レーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４との光結合効率低下を非常に効率的に抑制すること
ができる。
【０１１８】さらに、本実施形態例では、撓み防止手段
１５を、固定手段搭載部材５の底部１６から少なくとも
上側に立設された壁部を第１の光ファイバ４の長手方向
に形成したものとし、撓み防止手段１５を固定手段搭載
部材５と一体部材により形成したために、撓み防止手段
１５を固定手段搭載部材５と別部品により構成し、これ
らを接着するときのように撓み防止手段１５と固定手段
搭載部材５との接続による強度低下が生じることもな
く、撓み防止手段１５を簡単な構成とし、しかも、ベー
ス２の撓みを効果的に抑制することができる。
１５を、固定手段搭載部材５の底部１６から少なくとも
上側に立設された壁部を第１の光ファイバ４の長手方向
に形成したものとし、撓み防止手段１５を固定手段搭載
部材５と一体部材により形成したために、撓み防止手段
１５を固定手段搭載部材５と別部品により構成し、これ
らを接着するときのように撓み防止手段１５と固定手段
搭載部材５との接続による強度低下が生じることもな
く、撓み防止手段１５を簡単な構成とし、しかも、ベー
ス２の撓みを効果的に抑制することができる。
【０１１９】さらに、本実施形態例によれば、レーザダ
イオード１に近い側で第１の光ファイバ４を支持固定す
る固定手段６は、第１の光ファイバ４を両側部がわから
挟持する挟持部２８を備えた一体部品により形成したた
めに、固定手段６を固定手段７のように第１の光ファイ
バ４を片側ずつ支持する固定部品とした場合に比べ、挟
持部２８の両側を第１の光ファイバ４の下方において連
結する連結部４９があるので、図２、図５のＸ方向のベ
ース２の撓みを抑制することができる。したがって、本
実施形態例によれば、レーザダイオード１と第１の光フ
ァイバ４との光結合効率低下をさらにより一層効率的に
抑制することができる。
イオード１に近い側で第１の光ファイバ４を支持固定す
る固定手段６は、第１の光ファイバ４を両側部がわから
挟持する挟持部２８を備えた一体部品により形成したた
めに、固定手段６を固定手段７のように第１の光ファイ
バ４を片側ずつ支持する固定部品とした場合に比べ、挟
持部２８の両側を第１の光ファイバ４の下方において連
結する連結部４９があるので、図２、図５のＸ方向のベ
ース２の撓みを抑制することができる。したがって、本
実施形態例によれば、レーザダイオード１と第１の光フ
ァイバ４との光結合効率低下をさらにより一層効率的に
抑制することができる。
【０１２０】さらに、本実施形態例によれば、レーザダ
イオード１から遠い側の端部を固定する固定手段７は、
スリーブ３を両側から挟んだ状態で前記ベース２に固定
された対の固定部品７ａ，７ｂとしており、前記固定方
法を用いて第１の光ファイバ４をレーザダイオード１に
対して調心固定することによって、固定部品７ａ，７ｂ
とスリーブ３とのＹＡＧ溶接時のフェルール移動量を少
なくし、スリーブ３の固定部品７ａ，７ｂによる固定時
に、スリーブ３のずれが殆どないようにしている。
イオード１から遠い側の端部を固定する固定手段７は、
スリーブ３を両側から挟んだ状態で前記ベース２に固定
された対の固定部品７ａ，７ｂとしており、前記固定方
法を用いて第１の光ファイバ４をレーザダイオード１に
対して調心固定することによって、固定部品７ａ，７ｂ
とスリーブ３とのＹＡＧ溶接時のフェルール移動量を少
なくし、スリーブ３の固定部品７ａ，７ｂによる固定時
に、スリーブ３のずれが殆どないようにしている。
【０１２１】そのため、本実施形態例によれば、半導体
レーザモジュール作製に伴う調心作業を正確に行なえ、
かつ、その作業時間を非常に短くすることができ、その
分だけコストも安くすることができる。
レーザモジュール作製に伴う調心作業を正確に行なえ、
かつ、その作業時間を非常に短くすることができ、その
分だけコストも安くすることができる。
【０１２２】さらに、本実施形態例によれば、ベース２
の固定手段搭載部材５をサーモモジュール２５における
光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突出し
て設けているために、サーモモジュール２５に接触して
いない部分（突出部分）はサーモモジュール２５の撓み
の影響を受けることはない。
の固定手段搭載部材５をサーモモジュール２５における
光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突出し
て設けているために、サーモモジュール２５に接触して
いない部分（突出部分）はサーモモジュール２５の撓み
の影響を受けることはない。
【０１２３】そして、本実施形態例において、スリーブ
３はサーモモジュール２５の端部から突出した固定手段
搭載部材５に固定されているために、スリーブ３がサー
モモジュール２５の撓みの影響を非常に受け難くなり、
レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結合効
率低下をさらにより一層効率的に抑制することができ
る。
３はサーモモジュール２５の端部から突出した固定手段
搭載部材５に固定されているために、スリーブ３がサー
モモジュール２５の撓みの影響を非常に受け難くなり、
レーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光結合効
率低下をさらにより一層効率的に抑制することができ
る。
【０１２４】さらに、本実施形態例によれば、固定手段
搭載部材５をコバールにより形成しており、コバールは
第１の光ファイバ４と線膨張係数がほぼ同一であり、し
かもレーザ溶接性に優れているために、第１の光ファイ
バ４との線膨張係数の違いによって第１の光ファイバ４
に悪影響を及ぼすことを抑制できるし、スリーブ３との
レーザ溶接作業性も良好で、製造しやすい半導体レーザ
モジュールとすることができる。
搭載部材５をコバールにより形成しており、コバールは
第１の光ファイバ４と線膨張係数がほぼ同一であり、し
かもレーザ溶接性に優れているために、第１の光ファイ
バ４との線膨張係数の違いによって第１の光ファイバ４
に悪影響を及ぼすことを抑制できるし、スリーブ３との
レーザ溶接作業性も良好で、製造しやすい半導体レーザ
モジュールとすることができる。
【０１２５】さらに、本実施形態例によれば、従来例と
同様に、第２の光ファイバ１３による光伝送側と反対側
に設けた第１の光ファイバ４によって、レーザダイオー
ド１のレーザ光をレーザダイオード１に帰還させる構成
としているために、第１の光ファイバ４の先端（レーザ
光受光端３２）とレーザダイオード１の一端３１との距
離を非常に短くでき、ノイズが小さく波長安定性の良好
な半導体レーザモジュールとすることができる。
同様に、第２の光ファイバ１３による光伝送側と反対側
に設けた第１の光ファイバ４によって、レーザダイオー
ド１のレーザ光をレーザダイオード１に帰還させる構成
としているために、第１の光ファイバ４の先端（レーザ
光受光端３２）とレーザダイオード１の一端３１との距
離を非常に短くでき、ノイズが小さく波長安定性の良好
な半導体レーザモジュールとすることができる。
【０１２６】さらに、本実施形態例によれば、第１の光
ファイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面を、第
１の光ファイバ４の光軸に対して斜めに形成したため
に、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１と反対側
の端面で反射した光がレーザダイオード１側に戻ること
を抑制でき、レーザダイオード１からの出力を安定化す
ることができる。
ファイバ４のレーザダイオード１と反対側の端面を、第
１の光ファイバ４の光軸に対して斜めに形成したため
に、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１と反対側
の端面で反射した光がレーザダイオード１側に戻ること
を抑制でき、レーザダイオード１からの出力を安定化す
ることができる。
【０１２７】さらに、本実施形態例では、コリメートレ
ンズ５１と集光レンズ５７との間に、アイソレータ５３
を設けているので、レーザ光が第２の光ファイバ１３側
からレーザダイオード１に戻ることを確実に抑制でき、
半導体レーザモジュールの出力を安定化することができ
る。
ンズ５１と集光レンズ５７との間に、アイソレータ５３
を設けているので、レーザ光が第２の光ファイバ１３側
からレーザダイオード１に戻ることを確実に抑制でき、
半導体レーザモジュールの出力を安定化することができ
る。
【０１２８】さらに、第２の光ファイバ２の入射端側に
設けた光透過板５５は、集光レンズ５７の光軸に対して
斜めに配設しているので、光透過板５５で反射したレー
ザ光がレーザダイオード１に戻ることを抑制でき、半導
体レーザモジュールの出力をより一層安定させることが
できる。
設けた光透過板５５は、集光レンズ５７の光軸に対して
斜めに配設しているので、光透過板５５で反射したレー
ザ光がレーザダイオード１に戻ることを抑制でき、半導
体レーザモジュールの出力をより一層安定させることが
できる。
【０１２９】以上のように、本実施形態例は、使用環境
温度変化によらずレーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４を高精度で光結合することができ、ノイズが小さ
く、高出力で波長安定性の良好な、信頼性の高い半導体
レーザモジュールにできる。したがって、本実施形態例
の半導体レーザモジュールを励起光源としてラマンアン
プを構成すると、このラマンアンプは、波長多重伝送用
として適した優れたラマンアンプとすることができる。
温度変化によらずレーザダイオード１と第１の光ファイ
バ４を高精度で光結合することができ、ノイズが小さ
く、高出力で波長安定性の良好な、信頼性の高い半導体
レーザモジュールにできる。したがって、本実施形態例
の半導体レーザモジュールを励起光源としてラマンアン
プを構成すると、このラマンアンプは、波長多重伝送用
として適した優れたラマンアンプとすることができる。
【０１３０】図９には、本発明に係る半導体レーザモジ
ュールの第２実施形態例の要部構成がパッケージ２７を
一部省略して斜視図により示されている。本第２実施形
態例は上記第１実施形態例とほぼ同様に構成されてお
り、本第２実施形態例が上記第１実施形態例と異なる特
徴的なことは、サーモモジュール２５を上記第１実施形
態例よりもレーザ光軸方向に長く形成し、ベース２のレ
ーザダイオード１と反対側の端面をサーモモジュール２
５より突出させない構成としたことである。
ュールの第２実施形態例の要部構成がパッケージ２７を
一部省略して斜視図により示されている。本第２実施形
態例は上記第１実施形態例とほぼ同様に構成されてお
り、本第２実施形態例が上記第１実施形態例と異なる特
徴的なことは、サーモモジュール２５を上記第１実施形
態例よりもレーザ光軸方向に長く形成し、ベース２のレ
ーザダイオード１と反対側の端面をサーモモジュール２
５より突出させない構成としたことである。
【０１３１】この構成により、本第２実施形態例の半導
体レーザモジュールは、ベース２のレーザダイオード搭
載部材８の下面全体をサーモモジュール２５のベース側
板材１７に接触させている。
体レーザモジュールは、ベース２のレーザダイオード搭
載部材８の下面全体をサーモモジュール２５のベース側
板材１７に接触させている。
【０１３２】本第２実施形態例は以上のように構成され
ており、本第２実施形態例の半導体レーザモジュール
は、ベース２のレーザダイオード搭載部材８の下面全体
をサーモモジュール２５に接触させているものの、他の
構成は上記第１実施形態例と同様であるので、本第２実
施形態例も上記第１実施形態例とほぼ同様の効果を奏す
ることができる。
ており、本第２実施形態例の半導体レーザモジュール
は、ベース２のレーザダイオード搭載部材８の下面全体
をサーモモジュール２５に接触させているものの、他の
構成は上記第１実施形態例と同様であるので、本第２実
施形態例も上記第１実施形態例とほぼ同様の効果を奏す
ることができる。
【０１３３】図１０には、本発明に係る半導体レーザモ
ジュールの第３実施形態例における第１の光ファイバ４
の固定構成が斜視図により示されており、この固定構成
の平面図が図１０に示されている。また、図１１には、
本第３実施形態例におけるベース２の構成が分解図によ
り示されている。
ジュールの第３実施形態例における第１の光ファイバ４
の固定構成が斜視図により示されており、この固定構成
の平面図が図１０に示されている。また、図１１には、
本第３実施形態例におけるベース２の構成が分解図によ
り示されている。
【０１３４】本第３実施形態例は上記第１実施形態例と
ほぼ同様に構成されており、本第３実施形態例が上記第
１実施形態例と異なる特徴的なことは、ベース２を構成
する固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載部材８
の形状を、図９〜図１１に示す構成としたことである。
ほぼ同様に構成されており、本第３実施形態例が上記第
１実施形態例と異なる特徴的なことは、ベース２を構成
する固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載部材８
の形状を、図９〜図１１に示す構成としたことである。
【０１３５】すなわち、本第３実施形態例では、撓み防
止手段１５を、固定手段搭載部材５とレーザダイオード
搭載部材８の両方により形成しており、レーザダイオー
ド１の一端３１と第１の光ファイバ４におけるレーザ光
の受光端３２を結ぶ軸線部３３の側部両側と、レーザダ
イオード１に近い側に位置する固定手段６の側部両側に
設けた撓み防止手段１５は、レーザダイオード搭載部材
８と一体部材により構成している。
止手段１５を、固定手段搭載部材５とレーザダイオード
搭載部材８の両方により形成しており、レーザダイオー
ド１の一端３１と第１の光ファイバ４におけるレーザ光
の受光端３２を結ぶ軸線部３３の側部両側と、レーザダ
イオード１に近い側に位置する固定手段６の側部両側に
設けた撓み防止手段１５は、レーザダイオード搭載部材
８と一体部材により構成している。
【０１３６】なお、上記第１、第２実施形態例におい
て、第１のレーザ溶接部１０は、固定手段搭載部材５と
固定手段６，７とのそれぞれの固定部位に３ヶ所ずつ設
けたが、本第３実施形態例においては、上記それぞれの
固定部位に２ヶ所ずつ設けている。このように、本発明
の半導体レーザモジュールにおいて、上記各固定部位に
おけるレーザ溶接部１０の数は特に限定されるものでは
なく適宜設定されるものである。
て、第１のレーザ溶接部１０は、固定手段搭載部材５と
固定手段６，７とのそれぞれの固定部位に３ヶ所ずつ設
けたが、本第３実施形態例においては、上記それぞれの
固定部位に２ヶ所ずつ設けている。このように、本発明
の半導体レーザモジュールにおいて、上記各固定部位に
おけるレーザ溶接部１０の数は特に限定されるものでは
なく適宜設定されるものである。
【０１３７】本第３実施形態例は以上のように構成され
ており、本第３実施形態例も上記第１実施形態例とほぼ
同様の効果を奏することができる。
ており、本第３実施形態例も上記第１実施形態例とほぼ
同様の効果を奏することができる。
【０１３８】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記各実施形態例では、撓み防止手段１５を、レーザダ
イオード１の一端３１と第１の光ファイバ４におけるレ
ーザ光の受光端３２を結ぶ軸線部３３の側部両側と、レ
ーザダイオード１に近い側に位置する固定手段６の側部
両側を含む構成としたが、撓み防止手段１５は、第１の
光ファイバ４の少なくとも側部片側の、少なくとも光フ
ァイバ長手方向の一部に沿って設けられて、前記ベース
２の撓みを防止する構成とすればよい。
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記各実施形態例では、撓み防止手段１５を、レーザダ
イオード１の一端３１と第１の光ファイバ４におけるレ
ーザ光の受光端３２を結ぶ軸線部３３の側部両側と、レ
ーザダイオード１に近い側に位置する固定手段６の側部
両側を含む構成としたが、撓み防止手段１５は、第１の
光ファイバ４の少なくとも側部片側の、少なくとも光フ
ァイバ長手方向の一部に沿って設けられて、前記ベース
２の撓みを防止する構成とすればよい。
【０１３９】なお、撓み防止手段１５を少なくとも上記
軸線部３３の側部片側に設けると、軸線部３３における
ベース２の撓みを抑制することができ、ベース２の撓み
によるレーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光
結合効率低下を効率的に抑制できるため、撓み防止手段
１５を少なくとも上記軸線部３３の側部片側に設けるこ
とが好ましい。
軸線部３３の側部片側に設けると、軸線部３３における
ベース２の撓みを抑制することができ、ベース２の撓み
によるレーザダイオード１と第１の光ファイバ４との光
結合効率低下を効率的に抑制できるため、撓み防止手段
１５を少なくとも上記軸線部３３の側部片側に設けるこ
とが好ましい。
【０１４０】また、互いに第１の光ファイバ４の長手方
向に間隔を介した位置で第１の光ファイバ４を支持する
態様の固定手段（上記各実施形態例では固定手段６，
７）のうち、少なくともレーザダイオード１に最も近い
側に位置する固定手段の側部片側に撓み防止手段１５を
設けると、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に
近い側の支持位置のずれを抑制できるために、ベース２
の撓みによるレーザダイオード１と第１の光ファイバ４
との光結合効率低下を効率的に抑制できるため、撓み防
止手段１５をレーザダイオード１に最も近い側に位置す
る固定手段の側部片側に設けることが好ましい。
向に間隔を介した位置で第１の光ファイバ４を支持する
態様の固定手段（上記各実施形態例では固定手段６，
７）のうち、少なくともレーザダイオード１に最も近い
側に位置する固定手段の側部片側に撓み防止手段１５を
設けると、第１の光ファイバ４のレーザダイオード１に
近い側の支持位置のずれを抑制できるために、ベース２
の撓みによるレーザダイオード１と第１の光ファイバ４
との光結合効率低下を効率的に抑制できるため、撓み防
止手段１５をレーザダイオード１に最も近い側に位置す
る固定手段の側部片側に設けることが好ましい。
【０１４１】さらに、上記第１実施形態例では、撓み防
止手段１５は固定手段搭載部材８の底部１６から上側に
立設された壁部を光ファイバ長手方向に形成して構成し
たが、撓み防止手段１５の構成は特に限定されるもので
なく適宜設定されるものであり、例えば棒状または角材
状の撓み防止手段１５を固定手段搭載部材５に接着固定
して設けてもよい。
止手段１５は固定手段搭載部材８の底部１６から上側に
立設された壁部を光ファイバ長手方向に形成して構成し
たが、撓み防止手段１５の構成は特に限定されるもので
なく適宜設定されるものであり、例えば棒状または角材
状の撓み防止手段１５を固定手段搭載部材５に接着固定
して設けてもよい。
【０１４２】さらに、上記各実施形態例では、ベース２
は固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載部材８と
を有する構成としたが、ベース２の構成は特に限定され
るものではなく適宜設定されるものであり、例えばベー
ス２は固定手段６，７を搭載する固定手段搭載部が形成
された１つの部材により形成してもよい。
は固定手段搭載部材５とレーザダイオード搭載部材８と
を有する構成としたが、ベース２の構成は特に限定され
るものではなく適宜設定されるものであり、例えばベー
ス２は固定手段６，７を搭載する固定手段搭載部が形成
された１つの部材により形成してもよい。
【０１４３】この場合でも、固定手段６，７によって、
第１の光ファイバ４をその長手方向に間隔を介した２点
位置で固定することにより、従来例に比べ、第１の光フ
ァイバ４をレーザダイオード１に対して適切に調心固定
することができる。
第１の光ファイバ４をその長手方向に間隔を介した２点
位置で固定することにより、従来例に比べ、第１の光フ
ァイバ４をレーザダイオード１に対して適切に調心固定
することができる。
【０１４４】また、上記のように、上記固定手段搭載部
を有する１つの部材によりベース２を形成しても、上記
固定手段搭載部と固定手段６，７とをレーザ溶接してな
る第１のレーザ溶接部１０と、固定手段６とスリーブ３
とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部１１とを、
パッケージ底板２６に対し垂直な方向の高さが略同じ高
さになるようにすると、ベース２が撓んだときに生じる
スリーブ３の位置ずれを従来の半導体レーザモジュール
に比べて小さくすることができ、レーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率低下を抑制すること
ができる。
を有する１つの部材によりベース２を形成しても、上記
固定手段搭載部と固定手段６，７とをレーザ溶接してな
る第１のレーザ溶接部１０と、固定手段６とスリーブ３
とをレーザ溶接してなる第２のレーザ溶接部１１とを、
パッケージ底板２６に対し垂直な方向の高さが略同じ高
さになるようにすると、ベース２が撓んだときに生じる
スリーブ３の位置ずれを従来の半導体レーザモジュール
に比べて小さくすることができ、レーザダイオード１と
第１の光ファイバ４との光結合効率低下を抑制すること
ができる。
【０１４５】さらに、上記各実施形態例では、第１の光
ファイバ４は先球形状のファイバレンズ１４を有する構
成としたが、第１の光ファイバ４のファイバレンズ１４
の形状は特に限定されるものでなく適宜設定されるもの
である。ファイバレンズ１４は、例えば図１４に示すよ
うに、楔型のアナモルフィック（回転非対称）レンズと
してもよいし、楔型以外のアナモルフィックレンズとし
てもよい。なお、同図において、１４ａは稜線を示す。
ファイバ４は先球形状のファイバレンズ１４を有する構
成としたが、第１の光ファイバ４のファイバレンズ１４
の形状は特に限定されるものでなく適宜設定されるもの
である。ファイバレンズ１４は、例えば図１４に示すよ
うに、楔型のアナモルフィック（回転非対称）レンズと
してもよいし、楔型以外のアナモルフィックレンズとし
てもよい。なお、同図において、１４ａは稜線を示す。
【０１４６】さらに、上記各実施形態例では、第１の光
ファイバ４の先端側にファイバレンズ１４を形成して第
１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを光結合した
が、第１の光ファイバ４とレーザダイオード１の間にコ
リメートレンズ５１や集光レンズ５６と同様のレンズ系
を設けて第１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを
光結合する構成も可能である。
ファイバ４の先端側にファイバレンズ１４を形成して第
１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを光結合した
が、第１の光ファイバ４とレーザダイオード１の間にコ
リメートレンズ５１や集光レンズ５６と同様のレンズ系
を設けて第１の光ファイバ４とレーザダイオード１とを
光結合する構成も可能である。
【０１４７】さらに、上記各実施形態例では、第２の光
ファイバ１３とレーザダイオード１の他端３０側との間
に、コリメートレンズ５１、アイソレータ５３、集光レ
ンズ５７を設けたが、例えばコリメートレンズ５１やア
イソレータ５３は省略することもできるし、集光レンズ
５７を設ける代わりに、例えば図１５に示すように、第
２の光ファイバ１３の先端側にファイバレンズ２３を形
成してもよい。この場合も、ファイバレンズ２３は、同
図に示すようなアナモルフィックレンズとしてもよい
し、上記各実施形態例の第１の光ファイバ４のファイバ
レンズ１４のような円錐形状のファイバレンズとしても
よい。
ファイバ１３とレーザダイオード１の他端３０側との間
に、コリメートレンズ５１、アイソレータ５３、集光レ
ンズ５７を設けたが、例えばコリメートレンズ５１やア
イソレータ５３は省略することもできるし、集光レンズ
５７を設ける代わりに、例えば図１５に示すように、第
２の光ファイバ１３の先端側にファイバレンズ２３を形
成してもよい。この場合も、ファイバレンズ２３は、同
図に示すようなアナモルフィックレンズとしてもよい
し、上記各実施形態例の第１の光ファイバ４のファイバ
レンズ１４のような円錐形状のファイバレンズとしても
よい。
【０１４８】さらに、上記各実施形態例では、レーザダ
イオード搭載部材８を固定部材搭載部材５よりもレーザ
ダイオード１と反対側に突出させて設け、該突出領域に
モニタフォトダイオード９及びモニタフォトダイオード
固定部３９を設けたが、例えば図１３に示すように、固
定手段搭載部材５をレーザダイオード搭載部材８よりも
突出させて形成し、モニタフォトダイオード固定部３９
はベース２と別個に設けてもよい。
イオード搭載部材８を固定部材搭載部材５よりもレーザ
ダイオード１と反対側に突出させて設け、該突出領域に
モニタフォトダイオード９及びモニタフォトダイオード
固定部３９を設けたが、例えば図１３に示すように、固
定手段搭載部材５をレーザダイオード搭載部材８よりも
突出させて形成し、モニタフォトダイオード固定部３９
はベース２と別個に設けてもよい。
【０１４９】固定手段搭載部材５をレーザダイオード搭
載部材８よりも突出させて形成すると、この突出部分に
搭載されている固定手段６，７やスリーブ３、第１の光
ファイバ４がレーザダイオード搭載部材８の撓みの影響
を受けることを抑制し、レーザダイオード１と第１の光
ファイバ４との光結合効率低下をさらにより一層効率的
に抑制することができる。
載部材８よりも突出させて形成すると、この突出部分に
搭載されている固定手段６，７やスリーブ３、第１の光
ファイバ４がレーザダイオード搭載部材８の撓みの影響
を受けることを抑制し、レーザダイオード１と第１の光
ファイバ４との光結合効率低下をさらにより一層効率的
に抑制することができる。
【０１５０】なお、固定手段搭載部材５の突出長Ｌが長
すぎると、レーザダイオード搭載部材８に対する接着強
度が不足するため、該突出部が振動を受けた場合に接着
が剥がれてしまう可能性があるので、Ｌ≦５ｍｍとする
ことが好ましい。
すぎると、レーザダイオード搭載部材８に対する接着強
度が不足するため、該突出部が振動を受けた場合に接着
が剥がれてしまう可能性があるので、Ｌ≦５ｍｍとする
ことが好ましい。
【０１５１】また、固定手段搭載部材５をレーザダイオ
ード搭載部材８よりも突出させて形成する場合、図１３
に示すように、レーザダイオード１に最も近い側に位置
する固定手段６の下部側に補強部２０を形成すると、固
定手段搭載部材５の図のＹ方向の振動を抑制できる。
ード搭載部材８よりも突出させて形成する場合、図１３
に示すように、レーザダイオード１に最も近い側に位置
する固定手段６の下部側に補強部２０を形成すると、固
定手段搭載部材５の図のＹ方向の振動を抑制できる。
【０１５２】すなわち、レーザダイオード搭載部材８は
レーザダイオード１に上記補強部２０を形成すると、た
とえ固定手段搭載部材５に前記Ｙ方向の振動が加えられ
たとしても、この振動の支点を固定手段６よりもレーザ
ダイオード１から遠い側にすることができ、レーザダイ
オード１と第１の光ファイバ４との光結合効率低下を抑
制することができる。
レーザダイオード１に上記補強部２０を形成すると、た
とえ固定手段搭載部材５に前記Ｙ方向の振動が加えられ
たとしても、この振動の支点を固定手段６よりもレーザ
ダイオード１から遠い側にすることができ、レーザダイ
オード１と第１の光ファイバ４との光結合効率低下を抑
制することができる。
【０１５３】また、上記補強部２０を形成し、レーザダ
イオード搭載部材８を第１の光ファイバ４の長手方向に
長く形成することにより、レーザダイオード搭載部材８
と固定手段搭載部材５の接触面積を広く取ることができ
るので、両者を機械的に強固に固定できる。なお、前記
補強部２０の下面はサーモモジュール２５に接触してい
ないために、補強部２０がサーモモジュール２５の撓み
の影響を受けることはない。
イオード搭載部材８を第１の光ファイバ４の長手方向に
長く形成することにより、レーザダイオード搭載部材８
と固定手段搭載部材５の接触面積を広く取ることができ
るので、両者を機械的に強固に固定できる。なお、前記
補強部２０の下面はサーモモジュール２５に接触してい
ないために、補強部２０がサーモモジュール２５の撓み
の影響を受けることはない。
【０１５４】また、補強部２０の形状は特に限定される
ものでなく適宜設定されるものであり、例えば図１３に
示すように直方体形状としてもよいし、同図の斜線Ａに
示すようなテーパ面を有する構成としてもよい。なお、
固定手段搭載部材５をレーザダイオード搭載部材８より
も突出させて形成する場合に、補強部２０は省略するこ
ともできるが、上記のように補強部２０を形成すること
による利点があるので、補強部２０を設けることが好ま
しい。
ものでなく適宜設定されるものであり、例えば図１３に
示すように直方体形状としてもよいし、同図の斜線Ａに
示すようなテーパ面を有する構成としてもよい。なお、
固定手段搭載部材５をレーザダイオード搭載部材８より
も突出させて形成する場合に、補強部２０は省略するこ
ともできるが、上記のように補強部２０を形成すること
による利点があるので、補強部２０を設けることが好ま
しい。
【０１５５】さらに、上記各実施形態例では、レーザダ
イオード１に最も近い側に位置する固定手段６は図５に
示したような挟持部２８を備えた一体部品により形成し
たが、固定手段６の構成は特に限定されるものでなく適
宜設定されるものである。ただし、固定手段６を上記各
実施形態例のように構成すると、ベース２のＸ方向の撓
みを抑制することができる。
イオード１に最も近い側に位置する固定手段６は図５に
示したような挟持部２８を備えた一体部品により形成し
たが、固定手段６の構成は特に限定されるものでなく適
宜設定されるものである。ただし、固定手段６を上記各
実施形態例のように構成すると、ベース２のＸ方向の撓
みを抑制することができる。
【０１５６】さらに、上記実施形態例では、レーザダイ
オード搭載部材８とパッケージ２７の底板２６を同一材
質として線膨張係数を同一としたが、レーザダイオード
搭載部材８とパッケージ２７の底板２６の線膨張係数が
略同一であれば異なる材質のものとしてもよい。また、
レーザダイオード搭載部材８とパッケージ２７の底板２
６の線膨張係数は略同一であることが望ましいが、互い
に異なるものとしてもよい。
オード搭載部材８とパッケージ２７の底板２６を同一材
質として線膨張係数を同一としたが、レーザダイオード
搭載部材８とパッケージ２７の底板２６の線膨張係数が
略同一であれば異なる材質のものとしてもよい。また、
レーザダイオード搭載部材８とパッケージ２７の底板２
６の線膨張係数は略同一であることが望ましいが、互い
に異なるものとしてもよい。
【０１５７】さらに、上記実施形態例ではリード端子６
０をパッケージ２７の側壁から外側に突出形成したが、
リード端子６０をパッケージ２７の側壁から下側に伸設
形成してもよく、リード端子６０の配設形態や形状およ
びパッケージ２７の形状等は適宜設定されるものであ
る。
０をパッケージ２７の側壁から外側に突出形成したが、
リード端子６０をパッケージ２７の側壁から下側に伸設
形成してもよく、リード端子６０の配設形態や形状およ
びパッケージ２７の形状等は適宜設定されるものであ
る。
【０１５８】さらに、上記例では、各実施形態例の半導
体レーザモジュールをラマンアンプに適用する例を述べ
たが、本発明の半導体レーザモジュールは、ラマンアン
プ用の励起光源としてのみならず、ラマンアンプ以外の
アンプの励起光源や、信号光光源等、光通信用として様
々に適用されるものである。
体レーザモジュールをラマンアンプに適用する例を述べ
たが、本発明の半導体レーザモジュールは、ラマンアン
プ用の励起光源としてのみならず、ラマンアンプ以外の
アンプの励起光源や、信号光光源等、光通信用として様
々に適用されるものである。
【０１５９】
【発明の効果】第１、第２の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベース上にレーザダイオードを配置し、
該レーザダイオードの一端側から出射される光のうち設
定波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる構成の
第１の光ファイバを、光ファイバ支持手段に支持した状
態で光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点位置で固
定手段によりベースに固定したものであるから、第１の
光ファイバを適切にレーザダイオードに対して調心固定
することができ、第１の光ファイバの位置ずれを抑制す
ることができる。
ールによれば、ベース上にレーザダイオードを配置し、
該レーザダイオードの一端側から出射される光のうち設
定波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる構成の
第１の光ファイバを、光ファイバ支持手段に支持した状
態で光ファイバ長手方向に間隔を介した複数点位置で固
定手段によりベースに固定したものであるから、第１の
光ファイバを適切にレーザダイオードに対して調心固定
することができ、第１の光ファイバの位置ずれを抑制す
ることができる。
【０１６０】したがって、第１の光ファイバとレーザダ
イオードとの光結合効率を良好にし、半導体レーザモジ
ュールの出力を安定化することができる。
イオードとの光結合効率を良好にし、半導体レーザモジ
ュールの出力を安定化することができる。
【０１６１】また、第２の発明の半導体レーザモジュー
ルによれば、レーザダイオードに最も近い側で光ファイ
バを支持固定する固定手段を、光ファイバを両側部がわ
から挟持する挟持部を備えた一体部品により形成したも
のであるから、光ファイバを片側ずつ支持する固定部品
に場合に比べ、光ファイバ長手方向に交わる水平方向の
ベースの撓みを抑制することができ、レーザダイオード
と光ファイバとの光結合効率低下を抑制することができ
る。
ルによれば、レーザダイオードに最も近い側で光ファイ
バを支持固定する固定手段を、光ファイバを両側部がわ
から挟持する挟持部を備えた一体部品により形成したも
のであるから、光ファイバを片側ずつ支持する固定部品
に場合に比べ、光ファイバ長手方向に交わる水平方向の
ベースの撓みを抑制することができ、レーザダイオード
と光ファイバとの光結合効率低下を抑制することができ
る。
【０１６２】さらに、第３の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベースを、サーモモジュール上に接触配
置されるレーザダイオード搭載部材とその上側の固定手
段搭載部材とにより形成し、レーザダイオード搭載部材
は固定手段搭載部材の線膨張係数とサーモモジュールの
ベース側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数
を有する材質により形成したものであるから、従来例の
ようにベース側板材と線膨張係数が大きく異なるベース
をサーモモジュール上に接触して設ける場合に比べ、温
度変化によって生じるベースの撓みを緩和することがで
き、使用環境温度変化に起因したレーザダイオードと第
１の光ファイバとの光結合効率低下を抑制することがで
きる。
ールによれば、ベースを、サーモモジュール上に接触配
置されるレーザダイオード搭載部材とその上側の固定手
段搭載部材とにより形成し、レーザダイオード搭載部材
は固定手段搭載部材の線膨張係数とサーモモジュールの
ベース側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数
を有する材質により形成したものであるから、従来例の
ようにベース側板材と線膨張係数が大きく異なるベース
をサーモモジュール上に接触して設ける場合に比べ、温
度変化によって生じるベースの撓みを緩和することがで
き、使用環境温度変化に起因したレーザダイオードと第
１の光ファイバとの光結合効率低下を抑制することがで
きる。
【０１６３】さらに、第４の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベースを、サーモモジュール上に接触配
置されるレーザダイオード搭載部材とその上側の固定手
段搭載部材とにより形成し、レーザダイオード搭載部材
とパッケージの底板の線膨張係数を略同一としているの
で、半導体レーザモジュールの温度変化が生じたときに
サーモモジュールの上下両側に同じ応力が加わり、サー
モモジュールの撓みが相殺され、使用環境温度変化に起
因したレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結合
効率低下を抑制することができる。
ールによれば、ベースを、サーモモジュール上に接触配
置されるレーザダイオード搭載部材とその上側の固定手
段搭載部材とにより形成し、レーザダイオード搭載部材
とパッケージの底板の線膨張係数を略同一としているの
で、半導体レーザモジュールの温度変化が生じたときに
サーモモジュールの上下両側に同じ応力が加わり、サー
モモジュールの撓みが相殺され、使用環境温度変化に起
因したレーザダイオードと第１の光ファイバとの光結合
効率低下を抑制することができる。
【０１６４】さらに、第５の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベースの固定手段搭載部と光ファイバ支
持手段の固定手段とをレーザ溶接してなる第１のレーザ
溶接部と、固定手段と光ファイバ支持手段とをレーザ溶
接してなる第２のレーザ溶接部とは、パッケージ底板に
対し垂直な方向の高さが略同じ高さに形成したものであ
るから、たとえ多少ベースの撓みが生じても、この撓み
によって光ファイバ支持手段が大きく位置ずれすること
はなく、したがって、レーザダイオードと第１の光ファ
イバとの光結合効率の低下を抑制することができる。
ールによれば、ベースの固定手段搭載部と光ファイバ支
持手段の固定手段とをレーザ溶接してなる第１のレーザ
溶接部と、固定手段と光ファイバ支持手段とをレーザ溶
接してなる第２のレーザ溶接部とは、パッケージ底板に
対し垂直な方向の高さが略同じ高さに形成したものであ
るから、たとえ多少ベースの撓みが生じても、この撓み
によって光ファイバ支持手段が大きく位置ずれすること
はなく、したがって、レーザダイオードと第１の光ファ
イバとの光結合効率の低下を抑制することができる。
【０１６５】さらに、第６の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、上記第３乃至第５の発明の固定手段を、
光ファイバ長手方向に間隔を介した位置で第１の光ファ
イバをベースに固定する複数の固定手段としたものであ
るから、第１の光ファイバのベースへの調心固定を適切
に行なうことができ、さらに、上記の如く、半導体レー
ザモジュールの温度に起因したレーザダイオードと第１
の光ファイバとの光結合効率の低下を抑制でき、安定し
た出力を得ることができる。
ールによれば、上記第３乃至第５の発明の固定手段を、
光ファイバ長手方向に間隔を介した位置で第１の光ファ
イバをベースに固定する複数の固定手段としたものであ
るから、第１の光ファイバのベースへの調心固定を適切
に行なうことができ、さらに、上記の如く、半導体レー
ザモジュールの温度に起因したレーザダイオードと第１
の光ファイバとの光結合効率の低下を抑制でき、安定し
た出力を得ることができる。
【０１６６】さらに、第７の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベースの光ファイバ側部少なくとも片側
に、光ファイバの長手方向の少なくとも一部に沿って、
ベースの撓みを防止する撓み防止手段を設けているため
に、撓み防止手段によってベースの光ファイバ長手方向
に沿った撓みを抑制できる。
ールによれば、ベースの光ファイバ側部少なくとも片側
に、光ファイバの長手方向の少なくとも一部に沿って、
ベースの撓みを防止する撓み防止手段を設けているため
に、撓み防止手段によってベースの光ファイバ長手方向
に沿った撓みを抑制できる。
【０１６７】さらに、第８の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、前記撓み防止手段を、レーザダイオード
の一端側におけるレーザ光の出射端面と光ファイバにお
けるレーザ光の受光端を結ぶ軸線部の側部少なくとも片
側に設けたものであるから、上記軸線部におけるベース
の撓みを抑制し、レーザダイオードと光ファイバとの光
結合効率の低下を効率的に抑制することができる。
ールによれば、前記撓み防止手段を、レーザダイオード
の一端側におけるレーザ光の出射端面と光ファイバにお
けるレーザ光の受光端を結ぶ軸線部の側部少なくとも片
側に設けたものであるから、上記軸線部におけるベース
の撓みを抑制し、レーザダイオードと光ファイバとの光
結合効率の低下を効率的に抑制することができる。
【０１６８】さらに、第９の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、前記撓み防止手段を、レーザダイオード
に最も近い側に位置する固定手段の側部少なくとも片側
を含む固定手段搭載部材の光ファイバ長手方向に沿った
領域に設けたものであるから、レーザダイオードと光フ
ァイバとの光結合効率低下に最も影響を及ぼしやすい固
定手段の配設領域におけるベースの撓みを抑制でき、レ
ーザダイオードと光ファイバとの光結合効率の低下を効
率的に抑制することができる。
ールによれば、前記撓み防止手段を、レーザダイオード
に最も近い側に位置する固定手段の側部少なくとも片側
を含む固定手段搭載部材の光ファイバ長手方向に沿った
領域に設けたものであるから、レーザダイオードと光フ
ァイバとの光結合効率低下に最も影響を及ぼしやすい固
定手段の配設領域におけるベースの撓みを抑制でき、レ
ーザダイオードと光ファイバとの光結合効率の低下を効
率的に抑制することができる。
【０１６９】さらに、第１０の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、撓み防止手段を固定手段搭載部材と一
体部材により形成したものであるから、撓み防止手段を
固定手段搭載部材と別部品により構成するときのよう
な、撓み防止手段と固定手段搭載部材との接続による強
度低下を回避でき、撓み防止手段によって効率的にベー
スの撓みを防止して、レーザダイオードと光ファイバと
の光結合効率の低下を効率的に抑制することができる。
ュールによれば、撓み防止手段を固定手段搭載部材と一
体部材により形成したものであるから、撓み防止手段を
固定手段搭載部材と別部品により構成するときのよう
な、撓み防止手段と固定手段搭載部材との接続による強
度低下を回避でき、撓み防止手段によって効率的にベー
スの撓みを防止して、レーザダイオードと光ファイバと
の光結合効率の低下を効率的に抑制することができる。
【０１７０】さらに、第１１の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、撓み防止手段を、固定手段搭載部材の
底部から少なくとも上側に立設された壁部を光ファイバ
長手方向に形成したものとしたので、撓み防止手段を簡
単な構成で、しかも、ベースの撓みを効果的に抑制でき
る手段とすることができる。
ュールによれば、撓み防止手段を、固定手段搭載部材の
底部から少なくとも上側に立設された壁部を光ファイバ
長手方向に形成したものとしたので、撓み防止手段を簡
単な構成で、しかも、ベースの撓みを効果的に抑制でき
る手段とすることができる。
【０１７１】さらに、第１２の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、固定手段搭載部材または固定手段搭載
部、固定手段、撓み防止手段の少なくとも一つをＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金により形成したものであるから、光ファ
イバと線膨張係数が同程度であり、しかもレーザ溶接性
に優れているＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を用いて作業性良く
半導体レーザモジュールを製造できるし、固定手段搭載
部材や固定手段搭載部や撓み防止手段の光ファイバとの
線膨張係数の違いによって光ファイバに悪影響を及ぼす
ことを抑制できる。
ュールによれば、固定手段搭載部材または固定手段搭載
部、固定手段、撓み防止手段の少なくとも一つをＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金により形成したものであるから、光ファ
イバと線膨張係数が同程度であり、しかもレーザ溶接性
に優れているＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を用いて作業性良く
半導体レーザモジュールを製造できるし、固定手段搭載
部材や固定手段搭載部や撓み防止手段の光ファイバとの
線膨張係数の違いによって光ファイバに悪影響を及ぼす
ことを抑制できる。
【０１７２】さらに、第１３、１４の発明の半導体レー
ザモジュールによれば、第１の光ファイバを支持する光
ファイバ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部と
レーザダイオードから遠い側の端部を固定手段により固
定する構成とし、光ファイバ支持手段のレーザダイオー
ドから遠い側の端部の固定構成を特徴的な構成にするこ
とにより、第１の光ファイバとレーザダイオードとを短
時間で的確に調心固定できるので、容易に短時間で作製
できる半導体レーザモジュールとすることができる。
ザモジュールによれば、第１の光ファイバを支持する光
ファイバ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部と
レーザダイオードから遠い側の端部を固定手段により固
定する構成とし、光ファイバ支持手段のレーザダイオー
ドから遠い側の端部の固定構成を特徴的な構成にするこ
とにより、第１の光ファイバとレーザダイオードとを短
時間で的確に調心固定できるので、容易に短時間で作製
できる半導体レーザモジュールとすることができる。
【０１７３】特に、第１４の発明は、光ファイバ支持手
段のレーザダイオードから遠い側の端部をガイド部にガ
イドされた固定部品により固定することで、第１の光フ
ァイバの調心固定をより一層的確に行なうことができ
る。
段のレーザダイオードから遠い側の端部をガイド部にガ
イドされた固定部品により固定することで、第１の光フ
ァイバの調心固定をより一層的確に行なうことができ
る。
【０１７４】また、第１３，１４の発明の半導体レーザ
モジュールによれば、第１の光ファイバを支持する光フ
ァイバ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部とレ
ーザダイオードから遠い側の端部を固定手段により固定
する（すなわち、第１の光ファイバをその長手方向に間
隔を介した２点位置で固定する）ことにより、上記第
１、第２、第６の発明の半導体レーザモジュールと同様
に、第１の光ファイバの位置ずれを抑制することができ
る。
モジュールによれば、第１の光ファイバを支持する光フ
ァイバ支持手段のレーザダイオードに近い側の端部とレ
ーザダイオードから遠い側の端部を固定手段により固定
する（すなわち、第１の光ファイバをその長手方向に間
隔を介した２点位置で固定する）ことにより、上記第
１、第２、第６の発明の半導体レーザモジュールと同様
に、第１の光ファイバの位置ずれを抑制することができ
る。
【０１７５】さらに、第１５の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、ベースをサーモモジュールにおける光
ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突出して
設けているために、サーモモジュールに接触していない
部分（ベースの突出部分）がサーモモジュールの撓みの
影響を受けることを抑制でき、例えばこの部分に光ファ
イバの固定手段を搭載することにより、レーザダイオー
ドと光ファイバとの光結合効率の低下を効率的に抑制す
ることができる。
ュールによれば、ベースをサーモモジュールにおける光
ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突出して
設けているために、サーモモジュールに接触していない
部分（ベースの突出部分）がサーモモジュールの撓みの
影響を受けることを抑制でき、例えばこの部分に光ファ
イバの固定手段を搭載することにより、レーザダイオー
ドと光ファイバとの光結合効率の低下を効率的に抑制す
ることができる。
【０１７６】さらに、第１６の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、ベースの固定手段搭載部材をレーザダ
イオード搭載部材における光ファイバ搭載側端部よりも
光ファイバ長手方向に突出して設けているために、この
突出部分がレーザダイオード搭載部材の撓みの影響を受
けることを抑制でき、例えばこの突出部分に光ファイバ
の固定手段を搭載することにより、レーザダイオードと
光ファイバとの光結合効率低下を効率的に抑制すること
ができる。
ュールによれば、ベースの固定手段搭載部材をレーザダ
イオード搭載部材における光ファイバ搭載側端部よりも
光ファイバ長手方向に突出して設けているために、この
突出部分がレーザダイオード搭載部材の撓みの影響を受
けることを抑制でき、例えばこの突出部分に光ファイバ
の固定手段を搭載することにより、レーザダイオードと
光ファイバとの光結合効率低下を効率的に抑制すること
ができる。
【０１７７】さらに、第１７の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、ベースのレーザダイオード搭載部材は
レーザダイオードに近い側に位置する固定手段の下部側
に形成された補強部を有しているために、例えばパッケ
ージ底板に対し垂直な方向の振動が固定手段搭載部材に
加えられたとしても、この振動の支点を上記固定手段よ
りもレーザダイオードから遠い側にすることができ、レ
ーザダイオードと光ファイバとの光結合効率低下を抑制
することができるし、前記補強部の下面をサーモモジュ
ールに接触しないことにより、補強部がサーモモジュー
ルの撓みの影響を受けることを抑制できる。
ュールによれば、ベースのレーザダイオード搭載部材は
レーザダイオードに近い側に位置する固定手段の下部側
に形成された補強部を有しているために、例えばパッケ
ージ底板に対し垂直な方向の振動が固定手段搭載部材に
加えられたとしても、この振動の支点を上記固定手段よ
りもレーザダイオードから遠い側にすることができ、レ
ーザダイオードと光ファイバとの光結合効率低下を抑制
することができるし、前記補強部の下面をサーモモジュ
ールに接触しないことにより、補強部がサーモモジュー
ルの撓みの影響を受けることを抑制できる。
【０１７８】さらに、第１８の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、第１の光ファイバのレーザダイオード
と反対側の端面を前記第１の光ファイバの光軸に対して
斜めに形成することにより、上記端面で反射した反射光
がレーザダイオード側に戻ることを抑制できるので、出
力が安定した半導体レーザモジュールとすることができ
る。
ュールによれば、第１の光ファイバのレーザダイオード
と反対側の端面を前記第１の光ファイバの光軸に対して
斜めに形成することにより、上記端面で反射した反射光
がレーザダイオード側に戻ることを抑制できるので、出
力が安定した半導体レーザモジュールとすることができ
る。
【０１７９】さらに、第１９の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、第２の光ファイバと該第２の光ファイ
バに対向するレーザダイオード端面との間に、前記レー
ザダイオードから出射される光を第２の光ファイバの先
端側に集光する集光レンズを設けることにより、レーザ
ダイオードと第２の光ファイバとを良好に光結合できる
半導体レーザモジュールとすることができる。
ュールによれば、第２の光ファイバと該第２の光ファイ
バに対向するレーザダイオード端面との間に、前記レー
ザダイオードから出射される光を第２の光ファイバの先
端側に集光する集光レンズを設けることにより、レーザ
ダイオードと第２の光ファイバとを良好に光結合できる
半導体レーザモジュールとすることができる。
【０１８０】さらに、第２０の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、第２の光ファイバと集光レンズとの間
にコリメートレンズを設けることにより、レーザダイオ
ードと第２の光ファイバとをより一層良好に光結合でき
る半導体レーザモジュールとすることができる。
ュールによれば、第２の光ファイバと集光レンズとの間
にコリメートレンズを設けることにより、レーザダイオ
ードと第２の光ファイバとをより一層良好に光結合でき
る半導体レーザモジュールとすることができる。
【０１８１】さらに、第２１の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、第２の光ファイバに対向するレーザダ
イオード端面と集光レンズとの間にコリメートレンズを
設け、該コリメートレンズと前記集光レンズとの間にア
イソレータを設けることにより、第２の光ファイバ側か
らの反射光がレーザダイオード側に戻ることを確実に抑
制でき、出力の安定した半導体レーザモジュールとする
ことができる。
ュールによれば、第２の光ファイバに対向するレーザダ
イオード端面と集光レンズとの間にコリメートレンズを
設け、該コリメートレンズと前記集光レンズとの間にア
イソレータを設けることにより、第２の光ファイバ側か
らの反射光がレーザダイオード側に戻ることを確実に抑
制でき、出力の安定した半導体レーザモジュールとする
ことができる。
【０１８２】さらに、第２２の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、集光レンズの入射側に光透過板を設
け、該光透過板を前記集光レンズの光軸に対して斜めに
配設することにより、集光レンズ側からの反射光がレー
ザダイオード側に戻ることを抑制でき、出力の安定した
半導体レーザモジュールとすることができる。
ュールによれば、集光レンズの入射側に光透過板を設
け、該光透過板を前記集光レンズの光軸に対して斜めに
配設することにより、集光レンズ側からの反射光がレー
ザダイオード側に戻ることを抑制でき、出力の安定した
半導体レーザモジュールとすることができる。
【０１８３】さらに、第２３の発明の半導体レーザモジ
ュールによれば、第２の光ファイバの先端側にファイバ
レンズを形成し、該ファイバレンズの先端側とレーザダ
イオードのレーザ光出射端面とを対向配置することによ
り、レーザダイオードと第２の光ファイバとを良好に光
結合できる半導体レーザモジュールとすることができ
る。
ュールによれば、第２の光ファイバの先端側にファイバ
レンズを形成し、該ファイバレンズの先端側とレーザダ
イオードのレーザ光出射端面とを対向配置することによ
り、レーザダイオードと第２の光ファイバとを良好に光
結合できる半導体レーザモジュールとすることができ
る。
【０１８４】さらに、第２４の発明のラマンアンプによ
れば、上記優れた効果を奏する本発明の半導体レーザモ
ジュールを励起光源として用いることにより、高出力で
波長安定性の良好な励起光源を有する、波長多重伝送に
好適のラマンアンプとすることができる。
れば、上記優れた効果を奏する本発明の半導体レーザモ
ジュールを励起光源として用いることにより、高出力で
波長安定性の良好な励起光源を有する、波長多重伝送に
好適のラマンアンプとすることができる。
【図１】本発明に係る半導体レーザモジュールの第１実
施形態例を示す要部構成図である。
施形態例を示す要部構成図である。
【図２】上記実施形態例の半導体レーザモジュールのベ
ース周辺要部構成を示す平面図である。
ース周辺要部構成を示す平面図である。
【図３】上記実施形態例におけるベースの構成を分解図
により示す説明図である。
により示す説明図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】上記実施形態例に設けられている固定手段の斜
視構成を示す説明図である。
視構成を示す説明図である。
【図６】上記実施形態例に設けられている第１の光ファ
イバのファイバレンズおよびその周辺構成を示す説明図
である。
イバのファイバレンズおよびその周辺構成を示す説明図
である。
【図７】上記実施形態例におけるレーザダイオードの配
設領域を示す斜視説明図である。
設領域を示す斜視説明図である。
【図８】上記実施形態例における第２の光ファイバの配
設部側の断面構成を簡略化して示す説明図である。
設部側の断面構成を簡略化して示す説明図である。
【図９】本発明に係る半導体レーザモジュールの第２実
施形態例の要部構成を、パッケージを部分的に省略して
示す斜視図である。
施形態例の要部構成を、パッケージを部分的に省略して
示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る半導体レーザモジュールの第３
実施形態例におけるレーザダイオードと第１の光ファイ
バの固定構成を示す斜視図である。
実施形態例におけるレーザダイオードと第１の光ファイ
バの固定構成を示す斜視図である。
【図１１】図１０の平面図である。
【図１２】上記第３実施形態例におけるベースの構成を
分解図により示す説明図である。
分解図により示す説明図である。
【図１３】本発明に係る半導体レーザモジュールの他の
実施形態例におけるベース周辺構成を示す斜視図であ
る。
実施形態例におけるベース周辺構成を示す斜視図であ
る。
【図１４】本発明に係る半導体レーザモジュールの他の
実施形態例における第１の光ファイバのファイバレンズ
構成の説明図である。
実施形態例における第１の光ファイバのファイバレンズ
構成の説明図である。
【図１５】本発明に係る半導体レーザモジュールの他の
実施形態例における第２の光ファイバの説明図である。
実施形態例における第２の光ファイバの説明図である。
【図１６】従来の半導体レーザモジュール一例を示す断
面説明図である。
面説明図である。
【図１７】ペルチェ素子の構成（ａ）と、図１６に示し
た半導体レーザモジュールの問題点（ｂ）を示す説明図
である。
た半導体レーザモジュールの問題点（ｂ）を示す説明図
である。
１ レーザダイオード ２ ベース ３ スリーブ ４ 第１の光ファイバ ５ 固定手段搭載部材 ６，７ 固定手段 ８ レーザダイオード搭載部材 １０ 第１のレーザ溶接部 １１ 第２のレーザ溶接部 １３ 第２の光ファイバ １４ ファイバレンズ １５ 撓み防止手段 １７ ベース側板材 １８ 底板側板材 １９ ペルチェ素子 ２０ 補強部 ２５ サーモモジュール ３０ 他端 ３１ 一端 ３３ 軸線部 ５３ アイソレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/024 Ｈ０１Ｓ 5/14 5/14 3/094 Ｓ (72)発明者 愛清 武 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 CA08 CA10 DA04 DA06 2K002 AA02 AB30 BA01 DA10 HA23 5F072 AB20 PP07 QQ07 YY17 5F073 AB21 AB25 AB27 AB28 AB30 BA09 EA03 FA02 FA07 FA25
Claims (24)
- 【請求項１】 ベース上に、レーザダイオードと該レー
ザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載
され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダ
イオードの一端側に向けて配置されており、前記第１の
光ファイバは設定波長の光を反射する回折格子を有して
前記レーザダイオードの一端側から出射される光のうち
前記設定波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる
構成と成し、前記レーザダイオードの他端側には該レー
ザダイオードの他端側から出射される光を受光して伝送
する第２の光ファイバが対向配置されている半導体レー
ザモジュールであって、前記第１の光ファイバは光ファ
イバ支持手段に支持された状態で光ファイバ長手方向に
間隔を介した複数点位置で固定手段により前記ベースに
固定されていることを特徴とする半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項２】 第１の光ファイバの長手方向に間隔を介
した複数点位置にそれぞれ設けられた固定手段のうち、
レーザダイオードに最も近い側に位置する固定手段は前
記第１の光ファイバを両側部がわから挟持する挟持部を
備えた一体部品により形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】 ベース上に、レーザダイオードと該レー
ザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載
され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダ
イオードの一端側に向けて配置されており、前記第１の
光ファイバは固定手段により前記ベースに固定されてお
り、前記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回
折格子を有して前記レーザダイオードの一端側から出射
される光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオー
ドに帰還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他
端側には該レーザダイオードの他端側から出射される光
を受光して伝送する第２の光ファイバが対向配置されて
おり、前記ベースはサーモモジュール上に搭載されてお
り、少なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前
記レーザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定
手段を収容するパッケージを有し、該パッケージの底板
に前記サーモモジュールが搭載され、該サーモモジュー
ルは、ベース側板材と、底板側板材と、これら板材に狭
着されるペルチェ素子とを有する半導体レーザモジュー
ルであって、前記ベースは前記サーモモジュール上に接
触させて配置されて前記レーザダイオードを搭載するレ
ーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載部
材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置され
て前記固定手段を搭載する固定手段搭載部材とを有して
構成され、前記レーザダイオード搭載部材は前記固定手
段搭載部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベー
ス側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有
する材質により形成されていることを特徴とする半導体
レーザモジュール。 - 【請求項４】 ベース上に、レーザダイオードと該レー
ザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載
され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダ
イオードの一端側に向けて配置されており、前記第１の
光ファイバは固定手段により前記ベースに固定されてお
り、前記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回
折格子を有して前記レーザダイオードの一端側から出射
される光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオー
ドに帰還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他
端側には該レーザダイオードの他端側から出射される光
を受光して伝送する第２の光ファイバが対向配置されて
おり、前記ベースはサーモモジュール上に搭載されてお
り、少なくとも前記サーモモジュール、前記ベース、前
記レーザダイオード、前記第１の光ファイバ、前記固定
手段を収容するパッケージを有し、該パッケージの底板
に前記サーモモジュールが搭載されている半導体レーザ
モジュールであって、前記ベースは前記サーモモジュー
ル上に接触させて配置されて前記レーザダイオードを搭
載するレーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオー
ド搭載部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に
配置されて前記固定手段を搭載する固定手段搭載部材と
を有して構成され、前記パッケージの底板は前記ベース
のレーザダイオード搭載部材と略同一の線膨張係数を有
する材質で形成されていることを特徴とする半導体レー
ザモジュール。 - 【請求項５】 ベース上に、レーザダイオードと該レー
ザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載
され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダ
イオードの一端側に向けて配置されており、前記第１の
光ファイバは光ファイバ支持手段に支持された状態で固
定手段により両側部がわから挟持されて前記ベースに固
定されており、前記第１の光ファイバは設定波長の光を
反射する回折格子を有して前記レーザダイオードの一端
側から出射される光のうち前記設定波長の光を前記レー
ザダイオードに帰還させる構成と成し、前記レーザダイ
オードの他端側には該レーザダイオードの他端側から出
射される光を受光して伝送する第２の光ファイバが対向
配置されており、前記ベースはサーモモジュール上に搭
載されている半導体レーザモジュールであって、前記ベ
ースには前記固定手段を搭載する固定手段搭載部が形成
され、該固定手段搭載部と前記固定手段とをレーザ溶接
してなる第１のレーザ溶接部と、前記固定手段と前記光
ファイバ支持手段とをレーザ溶接してなる第２のレーザ
溶接部とは、前記パッケージ底板に対し垂直な方向の高
さが略同じ高さに形成されていることを特徴とする半導
体レーザモジュール。 - 【請求項６】 固定手段は複数設けられて互いに光ファ
イバ長手方向に間隔を介した複数点位置で第１の光ファ
イバをベースに固定する態様と成していることを特徴と
する請求項３乃至請求項５のいずれか一つに記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項７】 ベース上に、レーザダイオードと該レー
ザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭載
され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザダ
イオードの一端側に向けて配置されており、前記第１の
光ファイバは固定手段により前記ベースに固定されてお
り、前記第１の光ファイバは設定波長の光を反射する回
折格子を有して前記レーザダイオードの一端側から出射
される光のうち前記設定波長の光を前記レーザダイオー
ドに帰還させる構成と成し、前記レーザダイオードの他
端側には該レーザダイオードの他端側から出射される光
を受光して伝送する第２の光ファイバが対向配置されて
おり、前記ベースはサーモモジュール上に搭載されてい
る半導体レーザモジュールであって、前記ベースには前
記第１の光ファイバの側部少なくとも片側の光ファイバ
長手方向の少なくとも一部に沿って、前記ベースの撓み
を防止する撓み防止手段が設けられていることを特徴と
する半導体レーザモジュール。 - 【請求項８】 撓み防止手段はレーザダイオードの一端
側のレーザ光出射端面と第１の光ファイバにおけるレー
ザ光の受光端を結ぶ軸線部の側部少なくとも片側に設け
られていることを特徴とする請求項７記載の半導体レー
ザモジュール。 - 【請求項９】 固定手段は複数設けられて互いに第１の
光ファイバの長手方向に間隔を介した位置で第１の光フ
ァイバを支持してベースに固定する態様と成しており、
撓み防止手段はレーザダイオードに最も近い側に位置す
る固定手段の側部少なくとも片側に設けられていること
を特徴とする請求項７又は請求項８記載の半導体レーザ
モジュール。 - 【請求項１０】 ベースは固定手段を搭載する固定手段
搭載部材と、レーザダイオードを搭載すると共にサーモ
モジュール側に接触するレーザダイオード搭載部材とを
有して構成され、前記固定手段搭載部材と撓み防止手段
を一体部材により形成したことを特徴とする請求項７乃
至請求項９のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュ
ール。 - 【請求項１１】 撓み防止手段は固定手段搭載部材の底
部から少なくとも上側に立設された壁部を第１の光ファ
イバの長手方向に形成して成ることを特徴とする請求項
７乃至請求項１０のいずれか一つに記載の半導体レーザ
モジュール。 - 【請求項１２】 ベースの固定手段搭載部材または固定
手段搭載部、固定手段、撓み防止手段の少なくとも一つ
はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成されていることを特徴と
する請求項３乃至請求項１１のいずれか一つに記載の半
導体レーザモジュール。 - 【請求項１３】 ベース上に、レーザダイオードと該レ
ーザダイオードに光結合される第１の光ファイバとが搭
載され、該第１の光ファイバはその先端側を前記レーザ
ダイオードの一端側に向けて配置されており、前記第１
の光ファイバは光ファイバ支持手段に支持されており、
前記設定波長の光を反射する回折格子を有して前記レー
ザダイオードの一端側から出射される光のうち前記設定
波長の光を前記レーザダイオードに帰還させる構成と成
し、前記レーザダイオードの他端側には該レーザダイオ
ードの他端側から出射される光を受光して伝送する第２
の光ファイバが対向配置されており、前記ベースはサー
モモジュール上に搭載されている半導体レーザモジュー
ルであって、前記第１の光ファイバと前記レーザダイオ
ードとが調心された状態で光ファイバ支持手段の前記レ
ーザダイオードに近い側の端部とレーザダイオードから
遠い側の端部がそれぞれの箇所において固定手段により
両側から挟持固定されており、前記光ファイバ支持手段
のレーザダイオードから遠い側の端部を固定する固定手
段は対の固定部品からなり、この対の固定部品は光ファ
イバ支持手段を両側から挟んだ状態で前記ベースに固定
されており、該固定部品と光ファイバ支持手段とがレー
ザ溶接固定されていることを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。 - 【請求項１４】 光ファイバ支持手段のレーザダイオー
ドから遠い側の端部には、光ファイバ支持手段と間隔を
介してガイド部がベース上に設けられ、該ガイド部にガ
イドされた固定部品が光ファイバ支持手段の両側部がわ
に配置されて前記ガイド部に固定されていることを特徴
とする請求項１３記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項１５】 ベースはサーモモジュールにおける第
１の光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突
出して設けられていることを特徴とする請求項１乃至請
求項１４のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項１６】 ベースはサーモモジュール上に配置さ
れてレーザダイオードを搭載するレーザダイオード搭載
部材と、該レーザダイオード搭載部材のレーザダイオー
ド搭載領域を避けた位置に配置されて固定手段を搭載す
る固定手段搭載部材とを有して構成され、前記固定手段
搭載部材は前記レーザダイオード搭載部材における第１
の光ファイバ搭載側端部よりも光ファイバ長手方向に突
出して設けられていることを特徴とする請求項１５記載
の半導体レーザモジュール。 - 【請求項１７】 レーザダイオード搭載部材はレーザダ
イオードに最も近い側に位置する固定手段を機械的に補
強する補強部を有しており、該補強部の下面はサーモモ
ジュールに接触していないことを特徴とする請求項１６
記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項１８】 第１の光ファイバのレーザダイオード
と反対側の端面は前記第１の光ファイバの光軸に対して
斜めに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項１７のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項１９】 第２の光ファイバと該第２の光ファイ
バに対向するレーザダイオード端面との間に、前記レー
ザダイオードから出射される光を第２の光ファイバの先
端側に集光する集光レンズが設けられていることを特徴
とする請求項１乃至請求項１８のいずれか一つに記載の
半導体レーザモジュール。 - 【請求項２０】 第２の光ファイバに対向するレーザダ
イオード端面と集光レンズとの間にコリメートレンズが
設けられていることを特徴とする請求項１９記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項２１】 第２の光ファイバに対向するレーザダ
イオード端面と集光レンズとの間に該集光レンズと間隔
を介してコリメートレンズが設けられており、該コリメ
ートレンズと前記集光レンズとの間にアイソレータが設
けられていることを特徴とする請求項１９記載の半導体
レーザモジュール。 - 【請求項２２】 集光レンズの入射側に光透過板が設け
られており、該光透過板を前記集光レンズの光軸に対し
て斜めに配設したことを特徴とする請求項１９又は請求
項２０又は請求項２１記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項２３】 第２の光ファイバの先端側にはファイ
バレンズが形成されており、該ファイバレンズの先端側
とレーザダイオードのレーザ光出射端面とが対向配置さ
れていることを特徴とする請求項１乃至請求項２２のい
ずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項２４】 請求項１乃至請求項２３のいずれか一
つに記載の半導体レーザモジュールを励起光源として用
いたラマンアンプ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000339342A JP2002148489A (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ |
| PCT/JP2001/009741 WO2002039154A1 (en) | 2000-11-07 | 2001-11-07 | Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module |
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|---|---|---|---|
| JP2000339342A JP2002148489A (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ |
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|---|---|
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| WO (1) | WO2002039154A1 (ja) |
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