JP2002033237A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は表面に水分の吸着を防止して、信頼
性を向上させたセラミック電子部品およびその製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 セラミック素体４の表面および外周部の
外部電極９，１０に有機ケイ素化合物を脱水縮合して得
られる保護膜を形成することによって、表面に水分の吸
着を防止することができ、信頼性を大幅に改善するもの
である。
性を向上させたセラミック電子部品およびその製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 セラミック素体４の表面および外周部の
外部電極９，１０に有機ケイ素化合物を脱水縮合して得
られる保護膜を形成することによって、表面に水分の吸
着を防止することができ、信頼性を大幅に改善するもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミック素体の表
面に外部電極を有するセラミック電子部品およびその製
造方法に関するものである。
面に外部電極を有するセラミック電子部品およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品として積層セ
ラミックコンデンサを例にして説明する。
ラミックコンデンサを例にして説明する。
【０００３】図４は従来の積層セラミックコンデンサの
断面図である。
断面図である。
【０００４】図４において２１は積層セラミックコンデ
ンサであり、誘電体セラミック２２と内部電極２３とを
交互に積層し焼結してセラミック素体２４を構成し、こ
のセラミック素体２４の両側面に前記内部電極２３と接
続した外部電極下地２５，２６を形成し、この外部電極
下地２５，２６の表面にＮｉメッキ２７および半田もし
くはスズメッキ２８を施して外部電極２９，３０を形成
している。
ンサであり、誘電体セラミック２２と内部電極２３とを
交互に積層し焼結してセラミック素体２４を構成し、こ
のセラミック素体２４の両側面に前記内部電極２３と接
続した外部電極下地２５，２６を形成し、この外部電極
下地２５，２６の表面にＮｉメッキ２７および半田もし
くはスズメッキ２８を施して外部電極２９，３０を形成
している。
【０００５】以上のように構成された従来の積層セラミ
ックコンデンサ２１について、以下にその製造方法を説
明する。
ックコンデンサ２１について、以下にその製造方法を説
明する。
【０００６】まず、誘電体セラミック２２と内部電極２
３とを交互に積層して圧着し、その後、高温下で焼成し
てセラミック素体２４を形成する。
３とを交互に積層して圧着し、その後、高温下で焼成し
てセラミック素体２４を形成する。
【０００７】次に得られたセラミック素体２４の両側面
部に前記内部電極２３と同一またはその合金からなる電
極ペーストを塗布して焼き付け、外部電極下地２５，２
６を形成する。その後、この外部電極下地２５，２６の
表面に所定の信頼性や半田付け性を確保するためにＮｉ
メッキ２７を行い、さらに、このＮｉメッキ２７の表面
に半田もしくはスズメッキ２８を行い外部電極２９，３
０を形成して積層セラミックコンデンサ２１を得る。
部に前記内部電極２３と同一またはその合金からなる電
極ペーストを塗布して焼き付け、外部電極下地２５，２
６を形成する。その後、この外部電極下地２５，２６の
表面に所定の信頼性や半田付け性を確保するためにＮｉ
メッキ２７を行い、さらに、このＮｉメッキ２７の表面
に半田もしくはスズメッキ２８を行い外部電極２９，３
０を形成して積層セラミックコンデンサ２１を得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来の積層セラミ
ックコンデンサ２１のセラミック素体２４は、表面の絶
縁性が周囲の環境の影響を受けやすく、特に多湿化の環
境において外部電極２９と３０間の絶縁性が劣化し易い
という問題を有していた。
ックコンデンサ２１のセラミック素体２４は、表面の絶
縁性が周囲の環境の影響を受けやすく、特に多湿化の環
境において外部電極２９と３０間の絶縁性が劣化し易い
という問題を有していた。
【０００９】また、前記セラミック素体２４の表面に水
分が付着すると、前記半田もしくはスズメッキ２８のマ
イグレーションが発生し易く、前記外部電極２９，３０
間のショート不良が発生し易く、さらに、前記水分の吸
着によって、前記半田もしくはスズメッキ２８は酸化が
起こり半田付け性能が劣化し易いという問題を有してい
た。
分が付着すると、前記半田もしくはスズメッキ２８のマ
イグレーションが発生し易く、前記外部電極２９，３０
間のショート不良が発生し易く、さらに、前記水分の吸
着によって、前記半田もしくはスズメッキ２８は酸化が
起こり半田付け性能が劣化し易いという問題を有してい
た。
【００１０】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、絶縁性と半田付け性に優れ、高い信頼性を有するセ
ラミック電子部品およびその製造方法を提供することを
目的とするものである。
で、絶縁性と半田付け性に優れ、高い信頼性を有するセ
ラミック電子部品およびその製造方法を提供することを
目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、以下の構成を有するものである。
に、以下の構成を有するものである。
【００１２】本発明の請求項１に記載の発明は、セラミ
ック素体と、このセラミック素体の表面に設けた外部電
極を備え、前記セラミック素体の表面および外部電極の
表面に化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、
Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、アリル
基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリル基の
いずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１
ないし４のアルキル基または水素とハロゲンからなり少
なくとも一つが水素）を含浸して脱水縮合した保護膜を
設けたセラミック電子部品であり、Ｒ−によって撥水性
を有した保護膜を形成し、これによりセラミック素体の
表面の水分の吸着を防止して、外部電極間の絶縁性と半
田付け性の優れたセラミック電子部品を得ることができ
るという作用効果が得られる。
ック素体と、このセラミック素体の表面に設けた外部電
極を備え、前記セラミック素体の表面および外部電極の
表面に化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、
Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、アリル
基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリル基の
いずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１
ないし４のアルキル基または水素とハロゲンからなり少
なくとも一つが水素）を含浸して脱水縮合した保護膜を
設けたセラミック電子部品であり、Ｒ−によって撥水性
を有した保護膜を形成し、これによりセラミック素体の
表面の水分の吸着を防止して、外部電極間の絶縁性と半
田付け性の優れたセラミック電子部品を得ることができ
るという作用効果が得られる。
【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、セラミ
ック素体と、このセラミック素体の表面に設けた外部電
極を備え、前記セラミック素体の表面および外部電極の
表面に化学式Ｒ−Ｏ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但
し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、アリ
ル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリル基
のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数
１ないし４のアルキル基または水素とハロゲンからなり
少なくとも一つが水素）を含浸して脱水縮合した保護膜
を設けたセラミック電子部品であり、これにより撥水成
分ＲとＣnＨ2nとの間に−Ｏ−を介在させることにより
更に一層絶縁性と撥水性の優れた保護膜をセラミック電
子部品の外層部に形成し、一層外部電極間の絶縁性と半
田付け性の優れたセラミック電子部品を得ることができ
るという作用効果が得られる。
ック素体と、このセラミック素体の表面に設けた外部電
極を備え、前記セラミック素体の表面および外部電極の
表面に化学式Ｒ−Ｏ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但
し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、アリ
ル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリル基
のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数
１ないし４のアルキル基または水素とハロゲンからなり
少なくとも一つが水素）を含浸して脱水縮合した保護膜
を設けたセラミック電子部品であり、これにより撥水成
分ＲとＣnＨ2nとの間に−Ｏ−を介在させることにより
更に一層絶縁性と撥水性の優れた保護膜をセラミック電
子部品の外層部に形成し、一層外部電極間の絶縁性と半
田付け性の優れたセラミック電子部品を得ることができ
るという作用効果が得られる。
【００１４】請求項３に記載の発明は、セラミック素体
は焼結した誘電体である請求項１に記載のセラミック電
子部品であり、これにより水分を吸着し易い反面、高い
絶縁性を求められる誘電体焼結体の表面に撥水成分Ｒ−
を含む撥水性の保護膜を形成し、この表面に水分の吸着
を防止できるため、極めて一層外部電極間の絶縁性と半
田付け性に優れ、信頼性を向上させることができるとい
う作用効果が得られる。
は焼結した誘電体である請求項１に記載のセラミック電
子部品であり、これにより水分を吸着し易い反面、高い
絶縁性を求められる誘電体焼結体の表面に撥水成分Ｒ−
を含む撥水性の保護膜を形成し、この表面に水分の吸着
を防止できるため、極めて一層外部電極間の絶縁性と半
田付け性に優れ、信頼性を向上させることができるとい
う作用効果が得られる。
【００１５】請求項４に記載の発明は、セラミック素体
は焼結した誘電体である請求項２に記載のセラミック電
子部品であり、これにより水分を吸着し易い反面、高い
絶縁性を求められる誘電体焼結体の表面に撥水成分Ｒと
ＣnＨ2nとの間に−Ｏ−を介在させることにより一層絶
縁性と撥水性の優れた保護膜を形成し、外部電極間の絶
縁性と半田付け性に優れ、一層信頼性を向上させること
ができるという作用効果が得られる。
は焼結した誘電体である請求項２に記載のセラミック電
子部品であり、これにより水分を吸着し易い反面、高い
絶縁性を求められる誘電体焼結体の表面に撥水成分Ｒと
ＣnＨ2nとの間に−Ｏ−を介在させることにより一層絶
縁性と撥水性の優れた保護膜を形成し、外部電極間の絶
縁性と半田付け性に優れ、一層信頼性を向上させること
ができるという作用効果が得られる。
【００１６】請求項５に記載の発明は、内部電極とセラ
ミック層とを積層してセラミック素体を形成し、前記セ
ラミック素体の両側面に前記内部電極と導通する外部電
極を形成してなるセラミック電子部品の製造方法におい
て、前記セラミック素体の表面に外部電極を形成してこ
の外部電極にメッキ処理を施した後に、化学式Ｒ−Ｃ n
Ｈ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上の
エポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアル
キル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合
体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基
または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）
を含む溶液中に浸漬し熱処理を行うセラミック電子部品
の製造方法であり、これにより撥水成分Ｒ−を含む保護
膜を容易に形成することができ、このセラミック電子部
品の表面に水分の吸着を防止して、信頼性の優れたセラ
ミック電子部品を得ることができるという作用効果が得
られる。
ミック層とを積層してセラミック素体を形成し、前記セ
ラミック素体の両側面に前記内部電極と導通する外部電
極を形成してなるセラミック電子部品の製造方法におい
て、前記セラミック素体の表面に外部電極を形成してこ
の外部電極にメッキ処理を施した後に、化学式Ｒ−Ｃ n
Ｈ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上の
エポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアル
キル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合
体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基
または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）
を含む溶液中に浸漬し熱処理を行うセラミック電子部品
の製造方法であり、これにより撥水成分Ｒ−を含む保護
膜を容易に形成することができ、このセラミック電子部
品の表面に水分の吸着を防止して、信頼性の優れたセラ
ミック電子部品を得ることができるという作用効果が得
られる。
【００１７】請求項６に記載の発明は、内部電極とセラ
ミック層とを積層してセラミック素体を形成し、前記セ
ラミック素体の両側面に前記内部電極と導通する外部電
極を形成してなるセラミック電子部品の製造方法におい
て、前記セラミック素体の表面に外部電極を形成してこ
の外部電極にメッキ処理を施した後に、化学式Ｒ−Ｏ−
ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上
のエポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロア
ルキル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混
合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル
基または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水
素）を含む溶液中に浸漬し熱処理を行うセラミック電子
部品の製造方法であり、これにより撥水成分Ｒ−を−Ｏ
−によって保護膜の外層部に容易に形成することがで
き、このセラミック電子部品の表面に水分の吸着を防止
して、信頼性の優れたセラミック電子部品を得ることが
できるという作用効果が得られる。
ミック層とを積層してセラミック素体を形成し、前記セ
ラミック素体の両側面に前記内部電極と導通する外部電
極を形成してなるセラミック電子部品の製造方法におい
て、前記セラミック素体の表面に外部電極を形成してこ
の外部電極にメッキ処理を施した後に、化学式Ｒ−Ｏ−
ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上
のエポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロア
ルキル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混
合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル
基または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水
素）を含む溶液中に浸漬し熱処理を行うセラミック電子
部品の製造方法であり、これにより撥水成分Ｒ−を−Ｏ
−によって保護膜の外層部に容易に形成することがで
き、このセラミック電子部品の表面に水分の吸着を防止
して、信頼性の優れたセラミック電子部品を得ることが
できるという作用効果が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）セラミック電子
部品として積層セラミックコンデンサを例にし、本発明
の請求項１，３，５に記載の発明について以下に説明す
る。
部品として積層セラミックコンデンサを例にし、本発明
の請求項１，３，５に記載の発明について以下に説明す
る。
【００１９】以下に、本発明の図１は一実施の形態を積
層セラミックコンデンサを例にして説明する。図１は実
施の形態１の外観斜視図、図２は実施の形態１の断面
図、図３は同実施の形態１の積層セラミックコンデンサ
の表面に化学式Ｒ−Ｏ−ＣnＨ2 n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3を
含浸する工程を示す概略図である。
層セラミックコンデンサを例にして説明する。図１は実
施の形態１の外観斜視図、図２は実施の形態１の断面
図、図３は同実施の形態１の積層セラミックコンデンサ
の表面に化学式Ｒ−Ｏ−ＣnＨ2 n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3を
含浸する工程を示す概略図である。
【００２０】図１、図２において、１は積層セラミック
コンデンサであり、誘電体セラミック２と内部電極３と
を交互に積層し、焼成を行い焼結した誘電体からなるセ
ラミック素体４を構成し、このセラミック素体４の両側
面に前記内部電極３と接続したＡｇ等からなる外部電極
下地５，６を形成し、この外部電極下地５，６の表面に
Ｎｉメッキ７および半田もしくはスズメッキ８を施して
外部電極９，１０を形成している。
コンデンサであり、誘電体セラミック２と内部電極３と
を交互に積層し、焼成を行い焼結した誘電体からなるセ
ラミック素体４を構成し、このセラミック素体４の両側
面に前記内部電極３と接続したＡｇ等からなる外部電極
下地５，６を形成し、この外部電極下地５，６の表面に
Ｎｉメッキ７および半田もしくはスズメッキ８を施して
外部電極９，１０を形成している。
【００２１】前記セラミック素体４および外部電極９，
１０の表面に、化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3
（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、
アリル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリ
ル基のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭
素数１ないし４のアルキル基または水素とハロゲンから
なり少なくとも一つが水素）を脱水縮合してなる（図示
せず）。
１０の表面に、化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3
（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、
アリル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリ
ル基のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭
素数１ないし４のアルキル基または水素とハロゲンから
なり少なくとも一つが水素）を脱水縮合してなる（図示
せず）。
【００２２】前記セラミック素体４は誘電体セラミック
２を高温下で焼成して金属酸化物を形成してなる焼結し
た誘電体であり、この表面の金属原子は大気雰囲気中に
おいては水酸化物になり、この水酸化の水酸基と前記化
学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3に含まれる有機ケ
イ酸化合物とが脱水収縮し、前記セラミック素体４の表
面にＲ−なる撥水性の保護膜を形成し、これにより、セ
ラミック素体４の表面への水分の吸着を防止して前記外
部電極９，１０間の絶縁性の向上や、マイグレーション
の発生を防止し、信頼性の優れた積層セラミックコンデ
ンサ１を得ることができる。
２を高温下で焼成して金属酸化物を形成してなる焼結し
た誘電体であり、この表面の金属原子は大気雰囲気中に
おいては水酸化物になり、この水酸化の水酸基と前記化
学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3に含まれる有機ケ
イ酸化合物とが脱水収縮し、前記セラミック素体４の表
面にＲ−なる撥水性の保護膜を形成し、これにより、セ
ラミック素体４の表面への水分の吸着を防止して前記外
部電極９，１０間の絶縁性の向上や、マイグレーション
の発生を防止し、信頼性の優れた積層セラミックコンデ
ンサ１を得ることができる。
【００２３】また、外部電極９，１０の表面にも同様に
撥水性の保護膜を形成し、環境、特に湿度によるメッキ
面の劣化を防止し、優れた半田付け性能を維持すること
ができる。
撥水性の保護膜を形成し、環境、特に湿度によるメッキ
面の劣化を防止し、優れた半田付け性能を維持すること
ができる。
【００２４】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における積層セラミックコンデンサ１について、以
下にその製造方法を説明する。
形態における積層セラミックコンデンサ１について、以
下にその製造方法を説明する。
【００２５】まず、誘電体セラミック２の上面にＰｄ等
の厚膜ペーストを印刷して、乾燥を行い内部電極３を印
刷したシートを得る。
の厚膜ペーストを印刷して、乾燥を行い内部電極３を印
刷したシートを得る。
【００２６】次いで、前記内部電極印刷済みのシート
を、所定の容量値および所定の厚みが得られるまで積層
して積層体を形成し、この積層体に一定の圧力で加圧を
行い、焼成前のセラミック素体４を形成する。
を、所定の容量値および所定の厚みが得られるまで積層
して積層体を形成し、この積層体に一定の圧力で加圧を
行い、焼成前のセラミック素体４を形成する。
【００２７】次いで、前記セラミック素体４を約１３０
０℃にて焼成を行い、焼結した誘電体を形成する。
０℃にて焼成を行い、焼結した誘電体を形成する。
【００２８】次いで、前記セラミック素体４の両側面に
前記内部電極３と電気的に接続したＡｇ等の厚膜電極ペ
ーストを塗布し、約８００〜９００℃にて約１０分間焼
き付けて外部電極下地５，６を形成し、その後、前記外
部電極下地５，６を覆うようにＮｉメッキ７を施し、さ
らにこのＮｉメッキ７を覆うようにスズ等の半田メッキ
８を施し、積層セラミックコンデンサ１を構成する。
前記内部電極３と電気的に接続したＡｇ等の厚膜電極ペ
ーストを塗布し、約８００〜９００℃にて約１０分間焼
き付けて外部電極下地５，６を形成し、その後、前記外
部電極下地５，６を覆うようにＮｉメッキ７を施し、さ
らにこのＮｉメッキ７を覆うようにスズ等の半田メッキ
８を施し、積層セラミックコンデンサ１を構成する。
【００２９】次に図３に示すように、化学式Ｒ−ＣnＨ
2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上のエ
ポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアルキ
ル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合
体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基
または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）
をコーティング液１１として容器１２内に入れ、このコ
ーティング液１１の中に前記積層セラミックコンデンサ
１を約１０分間浸漬する。
2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上のエ
ポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアルキ
ル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合
体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基
または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）
をコーティング液１１として容器１２内に入れ、このコ
ーティング液１１の中に前記積層セラミックコンデンサ
１を約１０分間浸漬する。
【００３０】ここでは、前記コーティング液１１に希釈
剤としてイソプロピルアルコール等の有機溶媒を混合し
て希釈剤とコーティング液１１との全重量に対するコー
ティング液１１の重量比を希釈濃度とし、０．５％〜１
００％の希釈濃度を構成する。
剤としてイソプロピルアルコール等の有機溶媒を混合し
て希釈剤とコーティング液１１との全重量に対するコー
ティング液１１の重量比を希釈濃度とし、０．５％〜１
００％の希釈濃度を構成する。
【００３１】次に前記積層セラミックコンデンサ１を前
記コーティング液１１から取り出し、約１４０〜１６０
℃の高温で約２０分間乾燥を行う。
記コーティング液１１から取り出し、約１４０〜１６０
℃の高温で約２０分間乾燥を行う。
【００３２】なお、前記積層セラミックコンデンサ１の
表面に付着したコーティング液１１に含まれる過剰の有
機ケイ素化合物は熱処理過程で蒸発するため、洗浄工程
は不要である。
表面に付着したコーティング液１１に含まれる過剰の有
機ケイ素化合物は熱処理過程で蒸発するため、洗浄工程
は不要である。
【００３３】そして、本実施の形態１により得られた積
層セラミックコンデンサ１と従来例の積層セラミックコ
ンデンサ２１とを各ｎ＝１０００個、（温度４０℃、相
対湿度９５％）⇔（温度−２５℃、湿度規定せず）、１
サイクル・１時間、１２Ｖ直流電圧印加の条件で計２０
００サイクルの温湿度サイクル試験を行い、温湿度サイ
クル試験前後の絶縁抵抗値を測定して絶縁抵抗が著しく
劣るものを絶縁不良とし、この結果を（表１）に示す。
層セラミックコンデンサ１と従来例の積層セラミックコ
ンデンサ２１とを各ｎ＝１０００個、（温度４０℃、相
対湿度９５％）⇔（温度−２５℃、湿度規定せず）、１
サイクル・１時間、１２Ｖ直流電圧印加の条件で計２０
００サイクルの温湿度サイクル試験を行い、温湿度サイ
クル試験前後の絶縁抵抗値を測定して絶縁抵抗が著しく
劣るものを絶縁不良とし、この結果を（表１）に示す。
【００３４】また、前記本実施の形態１の積層セラミッ
クコンデンサ１および従来例の積層セラミックコンデン
サ２１とを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨ中で５００
時間、湿中放置試験を行い、その後、２３０℃の半田浴
内に浸漬して各ｎ＝１００個の半田付け性試験を行い、
半田が外部電極面を覆っていないものを不良とし、この
結果を（表１）に示す。
クコンデンサ１および従来例の積層セラミックコンデン
サ２１とを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨ中で５００
時間、湿中放置試験を行い、その後、２３０℃の半田浴
内に浸漬して各ｎ＝１００個の半田付け性試験を行い、
半田が外部電極面を覆っていないものを不良とし、この
結果を（表１）に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】(表１)より明らかなように本実施の形態１
により作製された積層セラミックコンデンサ１は、表面
に撥水性を有する保護膜が形成されていることにより、
水分の吸着を防止でき、従来例と比較すると温湿サイク
ル試験後の絶縁不良率が小さく、湿中放置試験後の半田
付け性試験においても不良率が少なく良好である。
により作製された積層セラミックコンデンサ１は、表面
に撥水性を有する保護膜が形成されていることにより、
水分の吸着を防止でき、従来例と比較すると温湿サイク
ル試験後の絶縁不良率が小さく、湿中放置試験後の半田
付け性試験においても不良率が少なく良好である。
【００３７】尚、コーティング液１１の濃度が１％以上
のものが好ましい。
のものが好ましい。
【００３８】（実施の形態２）以下、実施の形態２を用
いて、本発明の特に請求項２，４，６に記載の発明につ
いて説明する。尚、実施の形態２の積層セラミックコン
デンサとその製造方法は、基本的に図１〜図３で示した
実施の形態１の積層セラミックコンデンサと同じ構成な
ので詳細な説明は省略する。
いて、本発明の特に請求項２，４，６に記載の発明につ
いて説明する。尚、実施の形態２の積層セラミックコン
デンサとその製造方法は、基本的に図１〜図３で示した
実施の形態１の積層セラミックコンデンサと同じ構成な
ので詳細な説明は省略する。
【００３９】まず、実施の形態１と同様にセラミック素
体４を約１３００℃にて焼成を行って焼結した誘電体を
形成し、このセラミック素体４の両側面に前記内部電極
３と電気的に接続したＡｇ等の厚膜電極ペーストを塗布
し、約８００〜９００℃にて約１０分間焼き付けて外部
電極下地５，６を形成し、その後、前記外部電極下地
５，６を覆うようにＮｉメッキ７を施し、さらにこのＮ
ｉメッキ７を覆うようにスズ等の半田メッキ８を施し、
積層セラミックコンデンサ１を構成する。
体４を約１３００℃にて焼成を行って焼結した誘電体を
形成し、このセラミック素体４の両側面に前記内部電極
３と電気的に接続したＡｇ等の厚膜電極ペーストを塗布
し、約８００〜９００℃にて約１０分間焼き付けて外部
電極下地５，６を形成し、その後、前記外部電極下地
５，６を覆うようにＮｉメッキ７を施し、さらにこのＮ
ｉメッキ７を覆うようにスズ等の半田メッキ８を施し、
積層セラミックコンデンサ１を構成する。
【００４０】次いで、図３に示すように、化学式Ｒ−Ｏ
−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以
上のエポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロ
アルキル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその
混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキ
ル基または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水
素）をコーティング液１１として容器１２内に入れ、こ
のコーティング液１１の中に前記積層セラミックコンデ
ンサ１を約１０分間浸漬する。
−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以
上のエポキシ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロ
アルキル基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその
混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキ
ル基または水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水
素）をコーティング液１１として容器１２内に入れ、こ
のコーティング液１１の中に前記積層セラミックコンデ
ンサ１を約１０分間浸漬する。
【００４１】前記コーティング液１１は実施の形態１と
同様に、希釈剤としてイソプロピルアルコール等の有機
溶媒を混合して希釈剤とコーティング液１１との全重量
に対するコーティング液１１の重量比を希釈濃度とし、
０．５％〜１００％の希釈濃度を構成した。
同様に、希釈剤としてイソプロピルアルコール等の有機
溶媒を混合して希釈剤とコーティング液１１との全重量
に対するコーティング液１１の重量比を希釈濃度とし、
０．５％〜１００％の希釈濃度を構成した。
【００４２】次に前記積層セラミックコンデンサ１を前
記コーティング液１１から取り出し、約１４０〜１６０
℃の高温で約２０分間乾燥を行う。
記コーティング液１１から取り出し、約１４０〜１６０
℃の高温で約２０分間乾燥を行う。
【００４３】そして、本実施の形態２により得られた積
層セラミックコンデンサ１を各ｎ＝１０００個、実施の
形態１に示す条件と同じくして温湿度サイクル試験と湿
中放置試験を行い、外部電極９，１０の絶縁性と半田付
け性を評価して、この結果を（表１）に示す。
層セラミックコンデンサ１を各ｎ＝１０００個、実施の
形態１に示す条件と同じくして温湿度サイクル試験と湿
中放置試験を行い、外部電極９，１０の絶縁性と半田付
け性を評価して、この結果を（表１）に示す。
【００４４】（表１）に示すように、本実施の形態２で
はコーティング液１１の濃度が薄く０．５％のときにも
絶縁性の劣化が少なく、一層信頼性の優れた積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
はコーティング液１１の濃度が薄く０．５％のときにも
絶縁性の劣化が少なく、一層信頼性の優れた積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
【００４５】尚、積層セラミックコンデンサ１のコーテ
ィング液１１への浸漬を大気中において行ったが、容器
１２を密閉して容器１２内を真空に保持して浸漬を行う
と、不純物がコーティング液１１に混入することがな
く、信頼性の優れたものとなる。
ィング液１１への浸漬を大気中において行ったが、容器
１２を密閉して容器１２内を真空に保持して浸漬を行う
と、不純物がコーティング液１１に混入することがな
く、信頼性の優れたものとなる。
【００４６】また、本発明が適用されるセラミック電子
部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、セラ
ミック素体４の表面が露出し、このセラミック素体４の
表面の一部に外部電極９，１０が形成されているもので
あれば本実施の形態１，２と同様に優れた信頼性を得る
ことができる。
部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、セラ
ミック素体４の表面が露出し、このセラミック素体４の
表面の一部に外部電極９，１０が形成されているもので
あれば本実施の形態１，２と同様に優れた信頼性を得る
ことができる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように本発明はセラミック素体お
よび外周部の外部電極に、有機ケイ素化合物を脱水縮合
して得られ撥水性を有する保護膜を形成することによ
り、セラミック電子部品の表面に水分の吸着を防止し、
外部電極の絶縁性と半田付け性を向上して信頼性の高い
セラミック電子部品およびその製造方法を提供できる。
よび外周部の外部電極に、有機ケイ素化合物を脱水縮合
して得られ撥水性を有する保護膜を形成することによ
り、セラミック電子部品の表面に水分の吸着を防止し、
外部電極の絶縁性と半田付け性を向上して信頼性の高い
セラミック電子部品およびその製造方法を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態１，２の積層セラミックコ
ンデンサの外観斜視図
ンデンサの外観斜視図
【図２】同実施の形態１，２の積層セラミックコンデン
サの断面図
サの断面図
【図３】同実施の形態１，２の積層セラミックコンデン
サの表面に化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3、又
はＲ−Ｏ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3を含浸する工程
を示す概略図
サの表面に化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3、又
はＲ−Ｏ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3を含浸する工程
を示す概略図
【図４】従来例の積層セラミックコンデンサの断面図
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 誘電体セラミック ３ 内部電極 ４ セラミック素体 ５，６ 外部電極下地 ７ Ｎｉメッキ ８ 半田もしくはスズメッキ ９，１０ 外部電極 １１ コーティング液 １２ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１ Ｈ０１Ｇ 1/02 Ｊ (72)発明者 伊藤 博史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 棚橋 正和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC10 AG01 AH01 AH05 AH09 AJ02 AJ03 AJ04 5E082 AB03 BC19 BC36 EE04 EE23 EE35 FG26 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 HH25 HH47 JJ03 JJ05 JJ12 JJ23 LL01 MM22 MM23 MM24
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック素体と、このセラミック素体
の表面に設けた外部電極を備え、前記セラミック素体の
表面および外部電極の表面に化学式Ｒ−ＣnＨ2 n−Ｓｉ
−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ
基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアルキル基、
パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合体、ｎは
自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基または水
素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）を含浸し
て脱水縮合した保護膜を設けたセラミック電子部品。 - 【請求項２】 セラミック素体と、このセラミック素体
の表面に設けた外部電極を備え、前記セラミック素体の
表面および外部電極の表面に化学式Ｒ−Ｏ−Ｃ nＨ2n−
Ｓｉ−（ＯＲ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキ
シ基、アルキル基、アリル基、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアリル基のいずれか又はその混合体、
ｎは自然数、Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基また
は水素とハロゲンからなり少なくとも一つが水素）を含
浸して脱水縮合した保護膜を設けたセラミック電子部
品。 - 【請求項３】 セラミック素体は焼結した誘電体である
請求項１に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項４】 セラミック素体は焼結した誘電体である
請求項２に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項５】 内部電極とセラミック層とを積層してセ
ラミック素体を形成し、前記セラミック素体の両側面に
前記内部電極と導通する外部電極を形成してなるセラミ
ック電子部品の製造方法において、前記セラミック素体
の表面に外部電極を形成してこの外部電極にメッキ処理
を施した後に、化学式Ｒ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（ＯＲ’）3
（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アルキル基、
アリル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリ
ル基のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、Ｒ’は炭
素数１ないし４のアルキル基または水素とハロゲンから
なり少なくとも一つが水素）を含む溶液中に浸漬し熱処
理を行うセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 内部電極とセラミック層とを積層してセ
ラミック素体を形成し、前記セラミック素体の両側面に
前記内部電極と導通する外部電極を形成してなるセラミ
ック電子部品の製造方法において、前記セラミック素体
の表面に外部電極を形成してこの外部電極にメッキ処理
を施した後に、化学式Ｒ−Ｏ−ＣnＨ2n−Ｓｉ−（Ｏ
Ｒ’）3（但し、Ｒは炭素数１以上のエポキシ基、アル
キル基、アリル基、パーフルオロアルキル基、パーフル
オロアリル基のいずれか又はその混合体、ｎは自然数、
Ｒ’は炭素数１ないし４のアルキル基または水素とハロ
ゲンからなり少なくとも一つが水素）を含む溶液中に浸
漬し熱処理を行うセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214058A JP2002033237A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
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| DE2002601329 DE60201329T2 (de) | 2000-07-14 | 2002-01-14 | Keramikbauteil und Herstellungsverfahren |
| AT02000798T ATE277415T1 (de) | 2000-07-14 | 2002-01-14 | Keramikbauteil und herstellungsverfahren |
| EP02000798A EP1335392B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-01-14 | Ceramic electronic device and method of manufacturing the device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214058A JP2002033237A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US10/042,138 US6808813B2 (en) | 2000-07-14 | 2002-01-11 | Ceramic electronic device and method of manufacturing the device |
| EP02000798A EP1335392B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-01-14 | Ceramic electronic device and method of manufacturing the device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000214058A Pending JP2002033237A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6808813B2 (ja) |
| EP (1) | EP1335392B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002033237A (ja) |
| AT (1) | ATE277415T1 (ja) |
| DE (1) | DE60201329T2 (ja) |
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