[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3460683B2 - チップ型電子部品及びその製造方法 - Google Patents

チップ型電子部品及びその製造方法

Info

Publication number
JP3460683B2
JP3460683B2 JP2000220694A JP2000220694A JP3460683B2 JP 3460683 B2 JP3460683 B2 JP 3460683B2 JP 2000220694 A JP2000220694 A JP 2000220694A JP 2000220694 A JP2000220694 A JP 2000220694A JP 3460683 B2 JP3460683 B2 JP 3460683B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
type electronic
chip
content
coat layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000220694A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002043167A (ja
Inventor
敦司 岸本
雅弘 児玉
秀明 新見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000220694A priority Critical patent/JP3460683B2/ja
Priority to TW090117569A priority patent/TW505932B/zh
Priority to DE10135319A priority patent/DE10135319B4/de
Priority to CNB011244070A priority patent/CN1198295C/zh
Priority to US09/910,122 priority patent/US6545857B2/en
Priority to KR10-2001-0043770A priority patent/KR100405153B1/ko
Publication of JP2002043167A publication Critical patent/JP2002043167A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3460683B2 publication Critical patent/JP3460683B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/12—Protection against corrosion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型電子部
品、特に、セラミックからなる素体を有するチップ型電
子部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサをはじめ電子部品の多く
がチップ化されている。しかし、それらは、セラミック
が表面に露出しているため、耐湿性などの信頼性が低
い。そこで、高い信頼性を得るため、特開平３−２５０
６０３号公報には、露出しているセラミック表面をガラ
スコート層で被うことが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記セ
ラミック製チップ型電子部品では、ガラスコート層にひ
び割れが生じたり、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が
生じたりしていた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、ガラスコート層
のひび割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗
が劣化しにくいチップ型電子部品及びその製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係るチップ型電子部品は、セラミッ
クからなる素体の表面にガラスコート層を施したチップ
型電子部品において、前記ガラスコート層の表面近傍か
ら内部に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカ
リ金属元素の含有量の原子比が暫増していることを特徴
とする。ここで、表面近傍とは、ガラスコート層におい
て、該ガラスコート層の表面からの大気中の水分付着及
び二酸化炭素吸着の影響を受けなくなる境目を意味す
る。
【０００６】以上の構成からなるチップ型電子部品にお
いては、ガラスコート層の表面近傍から内部に向かっ
て、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含
有量の原子比が暫増しているため、ガラスコート層のひ
び割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣
化しにくくなる。
【０００７】このようなセラミック電子部品は、セラミ
ックからなる素体の表面に、ケイ素元素の含有量に対す
るアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のア
ルカリ金属を含むガラスコート層を施した後、ガラスコ
ート層を有する素体を酸性水溶液中に浸漬することによ
り得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るチップ型電
子部品及びその製造方法の実施の形態について説明す
る。本実施形態ではチップ型電子部品として積層コンデ
ンサを例にして説明する。なお、本発明の効果を比較す
るために、本発明に係る製造方法で製作したものを実施
例１とし、比較するために製作したものを比較例１、比
較例２として説明する。
【０００９】本発明に係る積層コンデンサ１０は、図１
に示すように、セラミックグリーンシートを積層してな
る積層体１１と、該グリーンシート上に印刷された内部
電極１２，１３と、該積層体１１の両端部に設けた外部
電極１４，１５と、積層体１１の外部電極形成面以外の
表面を被覆するガラスコート層１６から構成されてい
る。なお、積層コンデンサ１０の製作方法は実施例１で
説明する。
【００１０】本発明の効果を調べるために、まず、実施
例１として、以下の本発明に係る製造方法で積層コンデ
ンサ１０を製作し、試料とした。
【００１１】まず、ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2を
原料として（Ｂａ0.80Ｃａ0.20）1.0 05ＴｉＯ3となるよ
うに調合した。
【００１２】次に、得られた粉体に純水を加えてジルコ
ニアボールとともに５時間混合粉砕し、乾燥後、１１０
０℃で２時間仮焼した。この仮焼粉に、有機バインダ、
分散剤及び水を加えて、ジルコニアボールとともに数時
間混合した後、グリーンシートに形成した。
【００１３】次に、そのグリーンシート上に、印刷法等
の手法によりＮｉペーストを塗布し、内部電極を形成し
た。その後、内部電極がグリーンシートを介して対向す
るようにグリーンシートを積み重ね、さらに、保護用グ
リーンシートを上下に配設して圧着し、一定の寸法に切
断し、Ｈ2ガスとＮ2ガスの混合ガス中で１３００℃の還
元焼成をして、図１に示す内部電極１２，１３を有した
焼結積層体１１を得た。その後、浸漬法等により焼結積
層体１１の両端部に電極ペーストを付着させ、乾燥、焼
付けをして、外部電極１４，１５を形成した。
【００１４】これを１５ｗｔ％のケイ酸ナトリウム水溶
液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に１０分間浸漬し、その後、
５００℃で焼付けをして、ケイ素元素の含有量に対する
アルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のガラ
スコート層１６を施した。さらに、酸処理としてｐＨ
４．０の硫酸水溶液中に１時間浸漬して、積層コンデン
サ１０を得た。
【００１５】また、本発明の効果と比較するために、比
較例１として、実施例１において、ｐＨ４．０の硫酸水
溶液中に１時間浸漬する酸処理のみを省いて得た積層コ
ンデンサを試料とした。
【００１６】さらに、本発明の効果と比較するために、
比較例２として、実施例１において、１５ｗｔ％のケイ
酸ナトリウム水溶液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に浸漬させ
る代わりに、アルカリ金属元素を含まないシリカゾルの
水溶液に浸漬させて得た積層コンデンサを試料とした。
【００１７】以上の実施例１、比較例１及び比較例２で
得たそれぞれの積層コンデンサについて、絶縁抵抗の測
定を行うとともに、ガラスコート層の状態を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により調べた。測定結果を表１に示
す。比較例１は、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が生
じた。比較例２は、ガラスコート層にひび割れが生じ
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、図２に、実施例１と比較例１で得た
それぞれの積層コンデンサをオージェ電子分光で測定
し、それぞれのガラスコート層のケイ素元素の含有量に
対するアルカリ金属元素の含有量の濃度勾配（Ｎａ／Ｓ
ｉ原子比）のデータを示す。実施例１では、Ｎａ／Ｓｉ
原子比が表面近傍から内部に向かって暫増している。比
較例１では、表面近傍より内部側のＮａ／Ｓｉ原子比は
一定である。
【００２０】なお、ガラスコート層の表面から表面近傍
までの範囲は、いずれもＮａの含有量が多いが、ガラス
コート層の表面からの大気中の水分吸着及び二酸化炭素
吸着の影響でＮａが表面に析出したものであり、本発明
において本質的な意味をもつものではない。また、実施
例１と比較例１で得たそれぞれの積層コンデンサの表面
近傍は、いずれもガラスコート層の表面から約０．０２
μｍの深さであった。
【００２１】なお、本発明に係るチップ型電子部品及び
その製造方法は、前記実施形態や実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。特に、チップ型電子部品としては前記積層コン
デンサ以外に、例えば、ＰＴＣサーミスタ、バリスタ、
フェライト等のチップ形のセラミック電子部品及びその
製造方法にも適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミックからなる素体の表面に設けたガラス
コート層がその表面近傍から内部に向かって、ケイ素元
素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原子比
が暫増しているため、ガラスコート層にひび割れが生じ
にくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣化することを抑
制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップ型電子部品の一実施形態を
示す断面図。
【図２】実施例１と比較例１のケイ素元素の含有量に対
するアルカリ金属元素の含有量の原子比濃度勾配を示す
グラフ。
【符号の説明】
１０…積層コンデンサ １１…積層体 １２，１３…内部電極 １４，１５…外部電極 １６…ガラスコート層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４４８ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４４８ 4/224 1/02 Ｊ (56)参考文献 特開2000−106304（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−340090（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミックからなる素体の表面にガラス
    コート層を施したチップ型電子部品において、 前記ガラスコート層の表面近傍から内部に向かって、ケ
    イ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の
    原子比が暫増していること、 を特徴とするチップ型電子部品。
  2. 【請求項２】 前記素体がセラミックグリーンシートを
    積層した積層体からなることを特徴とする請求項１記載
    のチップ型電子部品。
  3. 【請求項３】 セラミックからなる素体の表面に、ケイ
    素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原
    子比が０．３以上のアルカリ金属を含むガラスコート層
    を施す工程と、 前記ガラスコート層を有する素体を酸性水溶液中に浸漬
    する工程と、 を備えたこと特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
JP2000220694A 2000-07-21 2000-07-21 チップ型電子部品及びその製造方法 Expired - Lifetime JP3460683B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000220694A JP3460683B2 (ja) 2000-07-21 2000-07-21 チップ型電子部品及びその製造方法
TW090117569A TW505932B (en) 2000-07-21 2001-07-18 Chip-type electronic component and manufacturing method therefor
DE10135319A DE10135319B4 (de) 2000-07-21 2001-07-19 Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CNB011244070A CN1198295C (zh) 2000-07-21 2001-07-20 片式电子元件及其制造方法
US09/910,122 US6545857B2 (en) 2000-07-21 2001-07-20 Chip-type electronic component and manufacturing method therefor
KR10-2001-0043770A KR100405153B1 (ko) 2000-07-21 2001-07-20 칩형 전자부품 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000220694A JP3460683B2 (ja) 2000-07-21 2000-07-21 チップ型電子部品及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002043167A JP2002043167A (ja) 2002-02-08
JP3460683B2 true JP3460683B2 (ja) 2003-10-27

Family

ID=18715253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000220694A Expired - Lifetime JP3460683B2 (ja) 2000-07-21 2000-07-21 チップ型電子部品及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6545857B2 (ja)
JP (1) JP3460683B2 (ja)
KR (1) KR100405153B1 (ja)
CN (1) CN1198295C (ja)
DE (1) DE10135319B4 (ja)
TW (1) TW505932B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6627509B2 (en) * 2001-11-26 2003-09-30 Delaware Capital Formation, Inc. Surface flashover resistant capacitors and method for producing same
JP4506066B2 (ja) * 2002-06-11 2010-07-21 株式会社村田製作所 チップ型電子部品及びチップ型電子部品の製造方法
JP4311124B2 (ja) 2002-09-10 2009-08-12 株式会社村田製作所 チップ型電子部品
KR100812077B1 (ko) * 2004-04-23 2008-03-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 및 그 제조방법
KR100674846B1 (ko) * 2005-03-29 2007-01-26 삼성전기주식회사 유전체용 세라믹분말의 제조방법, 및 그 세라믹분말을이용하여 제조된 적층세라믹커패시터
TW200903527A (en) 2007-03-19 2009-01-16 Murata Manufacturing Co Laminated positive temperature coefficient thermistor
DE102007044453A1 (de) * 2007-09-18 2009-03-26 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
KR101105651B1 (ko) * 2007-12-07 2012-01-18 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층형 전자 부품
JP4998800B2 (ja) * 2008-07-17 2012-08-15 Ｔｄｋ株式会社 積層チップバリスタおよびその製造方法
JP5211970B2 (ja) * 2008-09-17 2013-06-12 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
WO2010073456A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 株式会社村田製作所 セラミック体の製造方法
WO2013140903A1 (ja) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP2014154875A (ja) 2013-02-06 2014-08-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd コモンモードフィルタおよびその製造方法
KR102089699B1 (ko) * 2014-05-19 2020-03-16 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
KR101808794B1 (ko) * 2015-05-07 2018-01-18 주식회사 모다이노칩 적층체 소자
JP6429027B2 (ja) * 2015-09-15 2018-11-28 Tdk株式会社 積層電子部品
KR101760877B1 (ko) * 2016-07-27 2017-07-24 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR102511867B1 (ko) * 2017-12-26 2023-03-20 삼성전기주식회사 칩 전자부품
WO2020018651A1 (en) 2018-07-18 2020-01-23 Avx Corporation Varistor passivation layer and method of making the same
JP7551280B2 (ja) * 2018-07-24 2024-09-17 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP7371385B2 (ja) * 2019-08-05 2023-10-31 三菱マテリアル株式会社 保護膜付きサーミスタおよびその製造方法
TWI819070B (zh) 2018-08-23 2023-10-21 日商三菱綜合材料股份有限公司 附保護膜熱敏電阻及其製造方法
WO2020040197A1 (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 三菱マテリアル株式会社 保護膜付きサーミスタおよびその製造方法
JP7268393B2 (ja) * 2019-02-22 2023-05-08 三菱マテリアル株式会社 サーミスタの製造方法
WO2020241122A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 株式会社村田製作所 表面改質ガラス、電子部品、及び、ケイ酸塩皮膜の形成方法
JP2022170162A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 Tdk株式会社 電子部品

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2014632A1 (de) * 1969-03-28 1970-11-12 General Electric Company, Schenectady, N.Y. (V.St.A.) Glasmasse für Einkapselungszwecke, insbesondere für Kondensatoren, und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4663694A (en) * 1986-01-13 1987-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd Chip capacitor
JPH03173402A (ja) * 1989-12-02 1991-07-26 Murata Mfg Co Ltd チップバリスタ
JP2591205B2 (ja) * 1989-12-28 1997-03-19 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ
US5347423A (en) * 1992-08-24 1994-09-13 Murata Erie North America, Inc. Trimmable composite multilayer capacitor and method
JPH07312301A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Ngk Insulators Ltd 抵抗体素子
JPH0974003A (ja) * 1995-09-04 1997-03-18 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JP3250603B2 (ja) 1996-03-19 2002-01-28 株式会社安川電機 直流リアクトル内蔵形インバータ装置
JPH1070012A (ja) * 1996-06-03 1998-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd バリスタの製造方法
JPH1064704A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層チップ型電子部品
US6366443B1 (en) * 1997-12-09 2002-04-02 Daniel Devoe Ceramic chip capacitor of conventional volume and external form having increased capacitance from use of closely-spaced interior conductive planes reliably connecting to positionally-tolerant exterior pads through multiple redundant vias
JPH11340090A (ja) * 1998-05-29 1999-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2000106304A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層型チップサーミスタ及びその製造方法
JP2000164406A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品とその製造方法
KR100541074B1 (ko) * 1998-12-19 2006-03-14 삼성전기주식회사 납내열 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서

Also Published As

Publication number Publication date
US6545857B2 (en) 2003-04-08
JP2002043167A (ja) 2002-02-08
CN1198295C (zh) 2005-04-20
CN1334575A (zh) 2002-02-06
DE10135319A1 (de) 2002-02-14
US20020027764A1 (en) 2002-03-07
KR100405153B1 (ko) 2003-11-12
KR20020008776A (ko) 2002-01-31
TW505932B (en) 2002-10-11
DE10135319B4 (de) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3460683B2 (ja) チップ型電子部品及びその製造方法
CN113707456B (zh) 陶瓷电子部件
KR101834747B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
JP3636075B2 (ja) 積層ｐｔｃサーミスタ
WO2006082833A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ、及び該積層セラミックコンデンサの製造方法
CN115036135B (zh) 陶瓷电子部件
JP2002270458A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP6024830B2 (ja) 積層セラミック電子部品
JP2970030B2 (ja) 積層セラミックコンデンサとその製造方法およびそれに用いる外部電極用ペースト
JP5387800B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2019091800A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JPH10172855A (ja) 積層チップ部品とそれに用いる導電ペースト
CN115403367A (zh) 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件
CN115403370A (zh) 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件
JP2023013238A (ja) セラミック電子部品
JP2022136816A (ja) セラミック電子部品
JP2011176184A (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR20200090617A (ko) 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
JPH09162452A (ja) セラミック素子及びその製造方法
JP2002298643A (ja) 外部電極用導電性ペースト及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP3070238B2 (ja) 積層型セラミック素子の製造方法
CN117153559A (zh) 电介质组合物和层叠陶瓷电子部件
JP4770484B2 (ja) 積層セラミック電子部品
JP2024088586A (ja) 積層型キャパシタおよびその製造方法
JP2001176327A (ja) 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3460683

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term