JP2002016352A - リフロー基板加熱方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇温しにくい部品と熱に弱い部品を一括して
リフロー半田付けできるリフロー基板加熱方法とその装
置を提供する。 【解決手段】 電子部品２、４が搭載されかつ接合箇所
にクリーム半田が付与された基板をリフロー半田付けす
るリフロー基板加熱方法において、搬送部５にて連続的
に搬送される基板１を、炉体部３にて全体を均一に加熱
すると共に、基板１の特定被加熱部分に、加熱促進ノズ
ル部８により雰囲気温度とほぼ同温度のガスを局所的に
吹き付ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
に電子部品を半田付けして実装するためのリフロー装置
における基板加熱方法とその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板に電子部品を半田付け
して実装するためのリフロー装置の基板加熱方法には、
基板を一定の速度で装置の入口から出口まで連続搬送し
ながら加熱炉体部を通過させて基板を加熱する方法があ
る。

【０００３】図８は従来のリフロー装置である。図８に
おいて、１はプリント回路基板、２は熱容量の大きな大
型ＱＦＰ、３は炉体部であり、第１予熱部３ａ、第２予
熱部３ｂ、リフロー部３ｃからなる。４はアルミ電解コ
ンデンサ、５は基板搬送部、６は冷却部、７は全体加熱
用の熱風吹き出し部である。このような構成で、プリン
ト回路基板１へ全面に均一な加熱エネルギーを供給し、
各部をはんだ付けに必要な温度まで昇温することを特徴
とする。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実装基
板内には様々な部品が混在して搭載されるため、上記従
来のリフロー装置における基板加熱方法では、被加熱部
分の場所による熱容量差が必ず存在する。電子部品には
それぞれ、耐熱温度と耐熱保証時間が規定されているた
め、一定時間内に基板内の温度ばらつきを最小にするこ
とが求められる。しかし、昇温しにくい大型ＱＦＰ２や
熱に弱いアルミ電解コンデンサ４等の部品が混在して搭
載された基板１を熱風吹き出し部７によって全体に均一
加熱するだけでは、基板１内の温度差を所定の時間内に
所定の範囲内に納めることができない場合があるという
問題があった。

【０００５】そこで本発明は上記問題点に鑑み、熱風を
加熱源とした熱伝達加熱で実装基板全体の昇温を図ると
共に、昇温しにくい被加熱部分は局所的にガスを吹き付
けることによって熱伝達率を向上させて所定の温度まで
加熱させ、昇温しにくい部品と熱に弱い部品を一括して
リフロー半田付けできるリフロー基板加熱方法とその装
置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の本発明のリフロー基板加熱方法は、電
子部品が搭載されかつ接合箇所にクリーム半田が付与さ
れた基板をリフロー半田付けするリフロー基板加熱方法
において、搬送部にて連続的に搬送される基板を、炉体
部にて全体を均一に加熱すると共に基板の特定被加熱部
分に、雰囲気温度とほぼ同程度のガスを局所的に吹き付
けることを特徴とする。

【０００７】上記発明によれば、全体加熱は一定の風速
を持った熱風で行うことで、耐熱温度の低いアルミ電解
コンデンサ等の電子部品の昇温限界に全体加熱を合わせ
こみ、熱容量の大きいＱＦＰ等の電子部品については全
体加熱だけでは昇温温度が不足するため、全体加熱して
いる熱風に加えてそれらの部品のリード部へ局所的に雰
囲気温度とほぼ同温度（±３０℃、好ましくは±２０
℃、さらに好ましくは±１０℃）のガスを吹き付ける。
そうすることで、その特定被加熱部分だけ他の部分より
多くの熱エネルギーが供給されることで熱伝達率を増加
させ、前記リード部等の特定被加熱部分を所定の温度ま
で加熱することができる。これにより、耐熱温度の低い
アルミ電解コンデンサ等の電子部品を保護しつつ、熱容
量の大きいＱＦＰ等の電子部品も同時に一括してリフロ
ー半田付けすることができる。

【０００８】上記発明において請求項２記載のように、
ガスを局所的に吹き付けることを、基板直上と直下との
両面から行うようにすれば、基板下面の昇温ばらつきも
吸収でき、よりいっそう基板内の温度を一定時間内に一
定温度にまで到達させることができる。

【０００９】また基板に吹き付けられるガスが、請求項
３記載の空気であれば大気の状態でのリフロー半田付け
に適用でき、請求項４記載の不活性ガスであれば、はん
だや部品リード部、基板ランド部の酸化を防ぎながらリ
フロー半田付けを行うことができる。

【００１０】上記目的を達成するために請求項５記載の
本発明のリフロー基板加熱装置は、電子部品が搭載され
かつ接合箇所にクリーム半田が付与された基板をリフロ
ー半田付けするリフロー基板加熱装置において、基板を
連続的に搬送する搬送部と基板を加熱する炉体部とを備
え、炉体部は基板全体を均一に加熱する加熱源と、雰囲
気温度とほぼ同程度のガスを局所的に吹き付けるノズル
構成部とを有していることを特徴とする。

【００１１】上記発明によれば、請求項１記載のリフロ
ー基板加熱方法を具体的に実施することができ、全体加
熱だけでは昇温不足となる基板の特定被加熱部分に対
し、ノズル構成部よりガスを吹き付けることにより容易
に加熱促進することができる。

【００１２】また前記ノズル構成部が請求項６記載のよ
うに基板直下に配されることで、熱が基板下面から伝導
し、基板上に実装された弱耐熱部品の温度保証を行いつ
つ、熱容量の大きな大型ＱＦＰ等の電子部品を同時に一
括に連続して半田付けできる。また前記ノズル構成部が
請求項７記載のように基板直上と直下との両面に配され
ることで、請求項２記載の方法を具体的に実施すること
ができ、同様の作用を奏することができる。

【００１３】上記発明において、請求項８記載のよう
に、ノズル構成部は、炉体内部に基板搬送方向と略平行
に設置されたパイプと、炉体外部からパイプにガスを圧
送する配管とからなり、前記パイプは、搬送中の基板に
相対する側面にガス吹き出し用の穴を１ケ所以上開けて
局所的にガスを吹き付けるノズルを有する構成にすれ
ば、基板全体を均一におしなべて全体加熱する炉体部に
加え、ノズルを構成するパイプのガス吹き出し用の穴か
ら出るガスが局所的に基板の所定の部分に対する加熱を
促進することで、熱容量の大きい大型ＱＦＰ等のリード
部等の特定被加熱部分を昇温させることができる。

【００１４】上記発明において、請求項９記載のように
局所的にガスを吹きつけられることを要する特定被加熱
部分の配置に応じて、基板搬送方向と略平行に設置され
たパイプの数や配置を追加したり取換えられる構成にし
たり、請求項１０記載のように基板搬送方向と略平行に
多数配置されたパイプから、ガスを吹き付ける対象基板
に応じたパイプを選択して使用する構成にすれば、局所
的に加熱促進させる基板上の位置を任意に選択できるよ
うにパイプ配置を自由に選択できる。

【００１５】また請求項１１記載のように炉体内部に多
数配置されたパイプの使用有無の選択と使用するパイプ
の設置位置が、ガスを吹き付ける対象基板の決定に応じ
て、自動制御で選択、調整できる構成にすれば、この選
択を基板の種類に応じて自動的に行うことができる。

【００１６】上記発明において、請求項１２記載のよう
にパイプ側面に開けたガス吹き出し用の穴径を、パイプ
へのガス圧送入口側から順次拡大していく構成とした
り、請求項１３記載のようにパイプのノズル部分が２重
構造をなし、外側のパイプの基板に相対する側面にはガ
ス吹き出し用の穴が開き、内側のパイプの側面には外側
のパイプに開けた穴と反対方向にガス吹き出し用の穴を
開けるようにすれば、加熱促進させるガスをパイプ全長
に渡り、どの穴からも均一な量で供給することができ、
加熱のバラツキを最小に抑えることが可能となる。

【００１７】また請求項１４記載のように炉体外部から
パイプにガスを圧送する配管の途中に、ガスを炉体内部
雰囲気温度近くまで予備加熱するヒータ構造を備えるよ
うにすると好適である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の代表的な一実施形
態を図１〜図７を参照して説明する。尚、図８に示した
従来例と同じ構成部分については同符号を付している。

【００１９】図１は本実施形態のリフロー装置を基板搬
送方向に縦断面して示す概略構成図を示し、図２は図１
のリフロー部３ｃにおいて基板がリフロー加熱される状
態を拡大して示す縦断面図を示す。図１と図２におい
て、１はプリント回路基板（基板）、２はプリント回路
基板１に実装された熱容量の大きな大型ＱＦＰ（電子部
品）、４は耐熱温度の低いアルミ電解コンデンサ（電子
部品）、３は炉体部であり、第１予熱部３ａ、第２予熱
部３ｂ、リフロー部３ｃからなる。５は基板１を搬送す
る搬送部、６は冷却部、７は全体均一加熱用の熱風吹き
出し部（加熱源）であり、基板の上・下両方に配置され
ている。８はリフロー部３ｃ内に配置され、相対する基
板に局所的に熱風を吹き付ける加熱促進ノズル部（ノズ
ル構成部）、９はヒータ部である。

【００２０】図３は本実施形態のリフロー装置のリフロ
ー部３ｃを水平に横断して示す概略構成図（図２を上方
から見た図）である。図３において、加熱促進ノズル部
８は搬送される基板１に対応する加熱促進ノズル８ａと
待機している未使用の加熱促進ノズル８ｂに分かれてい
る。１１は加熱促進ノズル部８を配管していく本管であ
り、１２は本管１１と加熱促進ノズル部８とを接続する
フレキシブルパイプである。この図３において、ＱＦＰ
２が加熱される状態を拡大して示したのが図４であり、
（ａ）は横断面図、（ｂ）は基板搬送方向の縦断面図、
（ｃ）は基板搬送方向の直角方向から見た縦断面図であ
る。

【００２１】図３と図４で示すように、熱容量の大きい
大型ＱＦＰ２のリード部２ａの特定被加熱部分の真上に
は加熱促進ノズル８ａが配置され、図４（ｂ）（ｃ）で
示すように、そのパイプの側面にはノズル穴８ｃが開け
られ、それぞれの穴８ｃから前記特定被加熱部分に向け
てガス１０が吹き出ている。

【００２２】上記構成においてプリント回路基板１は、
搬送部５によって一定速度で装置内を運ばれる。第１予
熱部３ａ、第２予熱部３ｂ、リフロー部３ｃの各炉体内
部を通過する間に、プリント回路基板１は、各炉体内部
において熱風吹き出し部７から吹き出される雰囲気ガス
からの熱伝達により、加熱昇温される。

【００２３】３ａ、３ｂ、３ｃの各炉体内部ではプリン
ト回路基板１に均一に熱を供給するため、プリント回路
基板１内の昇温温度は実装部品（ＱＦＰ２やアルミ電解
コンデンサ４）の熱容量差に応じた昇温ばらつきが生じ
る。リフロー部３ｃでは、全体均一加熱用の熱風吹き出
し部７からの熱風熱伝達により、プリント回路基板１は
昇温する。この昇温ばらつきを縮小するため、加熱促進
ノズル部８をプリント回路基板１の直上に配置した。図
３に示すように、加熱促進ノズル部８のうち基板１に対
応する加熱促進ノズル８ａを選択し、昇温しにくいＱＦ
Ｐ２のリード部２ａ直上に必要数配置する。図４はその
詳細を示すが、□２８ＱＦＰの場合、搬送方向に平行に
位置する辺のリード部２ａに対してはその直上に加熱促
進ノズル部８のノズル８ａを各１本ずつ配置し、また搬
送方向に直角に位置する辺のリード部２ａに対しては、
その中央部に相当する部分に１本配置することで、これ
ら各辺のリード部２ａの必要温度までの昇温を確保す
る。

【００２４】実験では、基板上１０ｍｍ直上に加熱促進
ノズル８ａを配置することで、リフローピーク温度での
ばらつきは、ΔＴ＝２５℃がΔＴ＝１０℃に納まること
を確認した。

【００２５】加熱促進ノズル部８から吹き出すガス温度
をリフロー部３ｃにおける熱風吹き出し部７による加熱
雰囲気温度とほぼ同様の温度とするために、図１〜図３
に示すヒータ部９により圧送するガス温度も事前に加熱
しておく。

【００２６】加熱促進ノズル部８から吹き出されるガス
１０のエネルギー分だけ、加熱促進ノズル部８直下にお
いては、供給エネルギーが多くなる。また、加熱促進ノ
ズル部８から吹き出す熱風温度は、リフロー部３ｃの全
体加熱雰囲気温度とほぼ同一であることで、昇温しやす
い部分であるアルミ電解コンデンサ４や基板１表面の温
度が、加熱促進ノズル部８からの熱風によって許容温度
以上に昇温させることなく加熱できる。このとき全体加
熱温度は、許容温度と同一に設定しておく。

【００２７】図５は加熱促進ノズル部８のパイプ側面に
開けたガス吹き出し用のノズル穴８ｃ部分の詳細を示
す。

【００２８】このノズル穴８ｃの径は、φ１．０ｍｍ、
φ１．１ｍｍ、φ１．２ｍｍ、φ１．３ｍｍ‥‥のよう
に、ガス供給方向手前より順次拡大していくことで、ガ
ス吹き出し量を適度に均一に補正することができる。

【００２９】図６は上記実施形態で示した加熱促進ノズ
ル部８のパイプ構造とは別な形態を示している。加熱促
進ノズル部８のパイプは上記のように１本の中空パイプ
で構成してもよいが、図６に示すように２重の中空パイ
プ構成をとっても良い。図６に示す加熱促進ノズル部１
８において、１８ａは内側パイプ、１８ｂは外側パイプ
である。内側パイプ１８ａの側面にはガス吹き出し用の
ノズル穴１８ｃが開けられ、このノズル穴１８ｃと１８
０°反対側に相当する外側パイプ１８ｂの側面にはノズ
ル穴１８ｄを開ける。ノズル穴１８ｄからのガス１０が
相対するプリント回路基板１に吹き付けられる。この加
熱促進ノズル部１８の構成では、パイプ内の圧力が均一
化されることで、ノズル穴１８ｄより吹き出るガス量を
パイプ全長に渡り、ほぼ均一にすることができる。

【００３０】図７は、従来の全体加熱方法での温度プロ
ファイル（ａ）と本実施形態による局所加熱方法を加え
たときの温度プロファイル（ｂ）の測定結果を示すグラ
フである。(1) と(1)'はアルミ電解コンデンサボディー
部、(2) と(2)'はＱＦＰリード部の温度プロファイルを
それぞれ示している。なお、３ａ、３ｂ、３ｃ、６はそ
れぞれ第１予熱部、第２予熱部、リフロー部、冷却部を
示している。従来の全体加熱方法では、リフローピーク
温度は（1)で２３０℃で、(2) で２０５℃であり、その
温度差はΔＴ＝２５℃であったが、本実施形態による局
所加熱方法を加えたことで、リフローピーク温度は
（1)' で２３０℃で、(2) ’で２２０℃であり、その温
度差はΔＴ＝１０℃まで縮小できることが分かってい
る。

【００３１】尚、炉体部３内への加熱促進ノズル部８の
配置は、上記実施形態で示したようなリフロー部３ｃだ
けでなく、第１予熱部３ａや第２予熱部３ｂにも配置す
ることで、よりいっそう昇温ばらつきの縮小を図ること
ができる。

【００３２】また、加熱促進ノズル部８を上記実施形態
で示したような基板１の直上でなく直下に配すること
で、熱が基板１下面から伝導し、アルミ電解コンデンサ
４等の弱耐熱部品の温度保証を行いつつ、ＱＦＰ２等の
熱容量の大きな部品を一括して半田付けできる。さらに
加熱促進ノズル部８を直上と直下との両面に配すること
で、基板１下面の昇温ばらつきも吸収でき、よりいっそ
う昇温ばらつきの縮小を図ることができる。

【００３３】また、加熱促進ノズル部８はリフロー部３
ｃ内の雰囲気ガスを導入してファンなどを利用すること
によって、雰囲気温度とほぼ同温度のガスを局所的に基
板１の特定被加熱部分に吹き付けるように構成してもよ
い。

【００３４】

【発明の効果】請求項１記載の方法および請求項５記載
の装置によれば、基板の特定被加熱部分の温度を局所的
に昇温させ所定の温度にまで加熱できるので、熱に弱い
電子部品と昇温しにくい電子部品とを同時に一括に連続
してリフロー半田付けできるため、あと付けする部品が
無くなり工程が少なくて済む。また、あと付けする際の
再加熱が無くなり半田付け作業に必要なエネルギーの省
エネにもつながる。更には、実装基板内の昇温ばらつき
が小さくなるため、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだに比べ
て融点が高くなる鉛フリーはんだを用いても、熱に弱い
電子部品を安心して実装基板にリフローはんだ付けする
ことができる。

【００３５】請求項２記載の方法および請求項７記載の
装置によれば、基板の上下両面に局所的にガスを吹き付
けることで、単位時間における基板へのエネルギー供給
量が増加する。一定時間に一定温度まで到達すれば良い
ので、加熱雰囲気温度設定値を下げることができる。加
熱雰囲気温度が下がれば、基板内の熱容量ばらつきによ
って生じる昇温ばらつきを小さくすることができ、熱に
弱い電子部品と昇温しにくい電子部品とを同時に一括に
連続してリフロー半田付けできる範囲が拡大する。

【００３６】請求項３記載の方法によれば、ガスが空気
であることで、大気の状態でのリフロー半田付けに適用
できる。

【００３７】請求項４記載の方法によれば、ガスが不活
性ガスであることで、はんだや部品リード部、基板ラン
ド部の酸化を防ぎながらリフロー半田付けを行うことが
でき、半田付け品質の向上が得られる。

【００３８】請求項６記載の装置によれば、前記ノズル
構成部が基板直下に配されることで、熱が基板下面から
伝導する。これにより、基板上に実装された弱耐熱部品
の温度保証を行いつつ、熱容量の大きな大型ＱＦＰ等の
電子部品を同時に一括に連続して半田付けできる。

【００３９】請求項８記載の装置によれば、ノズル構成
部をガス吹き出し用の穴をパイプ側面に開けることによ
って具体的に局所的加熱を実施することができ、請求項
１と請求項５記載のものと同様の効果を奏することがで
きる。

【００４０】請求項９記載の装置によれば、パイプの数
や配置を任意に設定でき、さまざまな種類の基板に対し
て即座に対応できる。

【００４１】請求項１０記載の装置によれば、対象基板
に応じてパイプを選択することで、様々な基板に対して
即座に対応でき、基板の機種切換がスムーズにできる。

【００４２】請求項１１記載の装置によれば、パイプの
使用や設置位置の選択を自動制御でできることで、基板
の機種選択に応じて即座にリフロー条件が切換えできる
ので無人化につながると同時に間違いが無くなる。

【００４３】請求項１２記載の装置によれば、パイプ側
面に開けた穴径の工夫により、パイプ全長に渡って均一
なガス吹き出し量が確保でき、安定した昇温が得られ
る。

【００４４】請求項１３記載の装置によれば、パイプを
２重構造にしかつ前記パイプ穴の位置を工夫すること
で、パイプ内の圧力が均一化されパイプ全長に渡り、ほ
ぼ均一なガス量を穴から吹き出すことができる。

【００４５】請求項１４記載の装置によれば、炉体内部
へ圧送されるガスを予備加熱するヒータ構造により、パ
イプ穴から吹き出すガス温度を、全体加熱している雰囲
気温度と同じ温度に設定することができ、昇温温度上限
を雰囲気温度の設定値とすることができるので、雰囲気
温度を弱耐熱部品の温度保証温度に設定すれば、部品温
度が保証温度以上になることは無い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るリフロー装置を示す
基板搬送方向の縦断面図。

【図２】同実施形態におけるリフロー部の基板搬送方向
の縦断面図。

【図３】同実施形態におけるリフロー部の水平横断面
図。

【図４】同実施形態の要部を拡大して示し、（ａ）は横
断面図、（ｂ）は基板搬送方向の縦断面図、（ｃ）は基
板搬送方向の直角方向から見た縦断面図。

【図５】同実施形態における加熱促進ノズル部のノズル
穴部分を示す外観図。

【図６】同実施形態における加熱促進ノズル部の変形例
を示し、（ａ）は基板搬送方向の縦断面図、（ｂ）は基
板搬送方向の直角方向から見た縦断面図。

【図７】同実施形態と従来例との温度プロファイル測定
結果を示すグラフ。

【図８】従来のリフロー装置を示す基板搬送方向の縦断
面図。

【符号の説明】

１ プリント回路基板（基板） ２ ＱＦＰ（熱容量の大きい電子部品） ３ 炉体部 ３ｃ リフロー部 ４ アルミ電解コンデンサ（熱に弱い電子部品） ５ 搬送部 ７ 熱風吹き出し部（加熱源） ８ 加熱促進ノズル部（ノズル構成部） ８ａ、８ｂ 加熱促進ノズル ８ｃ ノズル穴（ガス吹き出し用の穴） ９ ヒータ部 １０ ガス １１ 本管（配管） １２ フレキシブルパイプ（配管） １８ 加熱促進ノズル部 １８ａ 内側パイプ １８ｂ 外側パイプ １８ｃ、１８ｄ ノズル穴（ガス吹き出し用の穴）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 31/02 ３１０ Ｂ２３Ｋ 31/02 ３１０Ｆ ３１０Ｂ // Ｂ２３Ｋ 101:42 101:42

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品が搭載されかつ接合箇所にクリ
   ーム半田が付与された基板をリフロー半田付けするリフ
   ロー基板加熱方法において、搬送部にて連続的に搬送さ
   れる基板を、炉体部にて全体を均一に加熱すると共に基
   板の特定被加熱部分に、雰囲気温度とほぼ同程度のガス
   を局所的に吹き付けることを特徴とするリフロー基板加
   熱方法。
2. 【請求項２】 ガスを局所的に吹き付けることを、基板
   直上と直下との両面から行う請求項１記載のリフロー基
   板加熱方法。
3. 【請求項３】 ガスが空気である請求項１または２記載
   のリフロー基板加熱方法。
4. 【請求項４】 ガスが不活性ガスである請求項１または
   ２記載のリフロー基板加熱方法。
5. 【請求項５】 電子部品が搭載されかつ接合箇所にクリ
   ーム半田が付与された基板をリフロー半田付けするリフ
   ロー基板加熱装置において、基板を連続的に搬送する搬
   送部と基板を加熱する炉体部とを備え、炉体部は基板全
   体を均一に加熱する加熱源と、雰囲気温度とほぼ同程度
   のガスを局所的に吹き付けるノズル構成部とを有してい
   ることを特徴とするリフロー基板加熱装置。
6. 【請求項６】 ノズル構成部が、基板直下に配されてい
   る請求項５記載のリフロー基板加熱装置。
7. 【請求項７】 ノズル構成部が、基板真上と直下との両
   面に配されている請求項５記載のリフロー基板加熱装
   置。
8. 【請求項８】 ノズル構成部は、炉体内部に基板搬送方
   向と略平行に設置されたパイプと、炉体外部からパイプ
   にガスを圧送する配管とからなり、前記パイプは、搬送
   中の基板に相対する側面にガス吹き出し用の穴を１ケ所
   以上開けて局所的にガスを吹き付けるノズルを有する構
   成とした請求項５、６または７記載のリフロー基板加熱
   装置。
9. 【請求項９】 局所的にガスを吹き付けられることを要
   する特定被加熱部分の配置に応じて、基板搬送方向と略
   平行に設置されたパイプの数や配置を追加したり取換え
   られる構成とした請求項８記載のリフロー基板加熱装
   置。
10. 【請求項１０】 基板搬送方向と略平行に多数配置され
    たパイプから、ガスを吹き付ける対象基板に応じたパイ
    プを選択して使用する構成とした請求項８記載のリフロ
    ー基板加熱装置。
11. 【請求項１１】 炉体内部に多数配置されたパイプの使
    用有無の選択と使用するパイプの設置位置が、ガスを吹
    き付ける対象基板の決定に応じて、自動制御で選択、調
    整できる構成とした請求項１０記載のリフロー基板加熱
    装置。
12. 【請求項１２】 パイプ側面に開けたガス吹き出し用の
    穴径が、パイプへのガス圧送入口側から順次拡大してい
    く構成とした請求項８記載のリフロー基板加熱装置。
13. 【請求項１３】 パイプのノズル部分が２重構造をな
    し、外側のパイプの基板に相対する側面にはガス吹き出
    し用の穴が開き、内側のパイプの側面には外側のパイプ
    に開けた穴と反対方向にガス吹き出し用の穴を開けてい
    る請求項８記載のリフロー基板加熱装置。
14. 【請求項１４】 炉体外部からパイプにガスを圧送する
    配管の途中に、ガスを炉体内部雰囲気温度近くまで予備
    加熱するヒータ構造を備えている請求項８記載のリフロ
    ー基板加熱装置。