JP2002059363A - Wafer base material - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体素
子の製造プロセスにおいて、薄層化した半導体ウエーハ
をハンドリングするために使用するウエーハ支持体に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer support used for handling a thinned semiconductor wafer mainly in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子の製造プロセスでは、半導体
基板をチップに切断・分離する直前に、通常２００μｍ
以下の厚さまで基板を研削して薄くしている。このよう
に薄くなると機械的強度が乏しくなるので、ウエーハの
ハンドリングが極めて困難であった。このため、薄層化
したウエーハをワックスやホトレジスト材などを用いて
ガラス板など剛性のある裏打ち補強板に貼りつけた状態
でハンドリングする方法が採られていた。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor substrate is usually 200 μm in diameter immediately before cutting and separating a semiconductor substrate into chips.
The substrate is ground and thinned to the following thickness. When the thickness is reduced as described above, the mechanical strength becomes poor, and it is extremely difficult to handle the wafer. For this reason, a method has been adopted in which a thinned wafer is handled while being attached to a rigid backing reinforcing plate such as a glass plate using wax or a photoresist material.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ワックスやホトレジス
ト材を用いて裏打ち板に接着するする方法では、薄層化
した大面積ウエーハを均一に貼りつけるのが困難であ
り，また、ウエーハが薄くなっているので、裏打ち補強
板から取り外すのが困難な上、ワックスなどの洗浄工程
でのハンドリングが極めて困難であった。本発明は、特
に薄層化したウエーハのハンドリング時に、ウエーハを
簡便な手法で保持・脱離ができるハンドリング用のウエ
ーハ支持体と、上記ウエーハ支持体への薄層化したウエ
ーハの着脱方法を提供することを目的としている。In the method of bonding to a backing plate using a wax or a photoresist material, it is difficult to uniformly attach a thin-layered large-area wafer, and the wafer becomes thin. Therefore, it is difficult to remove from the backing reinforcing plate, and it is extremely difficult to handle in a washing process of wax or the like. The present invention provides a handling wafer support capable of holding and detaching a wafer by a simple method, particularly when handling a thinned wafer, and a method for attaching and detaching the thinned wafer to and from the wafer support. It is intended to be.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明では、剛性のある
裏打ち補強板上に粘着シートを貼りつけて構成したウエ
ーハ支持体を用いて、粘着シート上に薄層ウエーハを粘
着させた状態でウエーハをハンドリングすることを特徴
としている。剛性のある裏打ち補強板と粘着シートの同
一箇所に、表裏を貫通して複数個の細孔または細いスリ
ットを設け、粘着シート上に薄層ウエーハを載せた後、
裏打ち補強板側から真空排気をして、大気圧により薄層
ウエーハを粘着シート上に押圧して貼りつける。また、
ウエーハ支持体に貼りつけられた薄層ウエーハを取り外
すには、裏打ち補強板側から、空気、窒素ガスなどのガ
ス圧力を加え、薄層ウエーハを粘着シートから取り外
す。According to the present invention, a wafer is used in a state where a thin-layer wafer is adhered to an adhesive sheet by using a wafer support formed by attaching an adhesive sheet to a rigid backing reinforcing plate. It is characterized by handling. In the same place of the rigid backing reinforcing plate and the adhesive sheet, multiple pores or thin slits are provided through the front and back, and after placing the thin wafer on the adhesive sheet,
Vacuum exhaust is performed from the backing reinforcing plate side, and the thin wafer is pressed onto the adhesive sheet by the atmospheric pressure and adhered. Also,
To remove the thin wafer attached to the wafer support, gas pressure such as air or nitrogen gas is applied from the backing reinforcing plate side, and the thin wafer is removed from the adhesive sheet.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、以下に
説明する。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例を示す模式図で
ある。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図であ
る。直径２００ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの石英ガラス製裏
打ち補強板１の上に厚さ０．２ｍｍの粘着シート２が接
着されている。また，図１（ａ）、（ｂ）に示すように
粘着シート２と石英ガラス板１とを貫通する直径１ｍｍ
の細孔３が複数本あけられ、ウエーハ支持体１０を構成
している。上述のウエーハ支持体１０に、薄層化したウ
エーハを取りつける方法を図１（ｃ）の断面模式図によ
り説明する。まず、ウエーハ支持体１０を真空シール８
を介して吸着・加圧ヘッド５の上にセットする。次に、
基板研削により厚さ約６０μｍにまで薄層化された直径
２００ｍｍのＳｉウエーハ４を、位置決めしながら粘着
シート２の上に載せる。ついで、真空引き口６から吸着
・加圧ヘッド５内を真空排気する。これにより、細孔３
を通じてＳｉウエーハ４に大気圧が加わり、Ｓｉウエー
ハ４は粘着シート２に均一に押圧・接着される。上記の
接着が完了した後、ウエーハ支持体１０を吸着・加圧ヘ
ッド５から取り外しても、Ｓｉウエーハ４がウエーハ支
持体１０から剥がれることはなく、この状態で搬送ロボ
ットなどにより各種の搬送処理をすることができる。ま
た、ウエーハ支持体に保持されたＳｉウエーハを、ウエ
ーハ支持体ごと各種の半導体処理装置、例えばドライエ
ッチング装置にセットして所望のドライエッチングを行
った後、装置から取り出すことも可能である。さらに、
ウエーハ支持体１０の粘着シート２からＳｉウエーハ４
を取り外すには、図１（ｃ）に示すようにウエーハ支持
体１０を吸着・加圧ヘッド５に載置した後、固定用フッ
ク７で裏打ち補強板１を吸着・加圧ヘッド５に固定す
る。ついで、予めＳｉウエーハ４の上面を円形状真空チ
ャックなどで仮保持して（図示せず）、Ｓｉウエーハ４
が離脱したときに飛散しないようにした後、例えば窒素
ガスを真空引き口６から吹き込んで、細孔３を通してＳ
ｉウエーハ４を下側から押し上げる。これによりウエー
ハを損傷することなく引き剥がすことができる。また、
取り外したウエーハ面には、粘着シートから転写された
粘着物質はほとんど残ることがないので、通常のプロセ
スでは後洗浄が不要であり、ハンドリングが極めて容易
になる。なお、粘着シートから取り外した後に格別の清
浄度が要求される場合には、ハンドリングが容易な光洗
浄やプラズマ洗浄などを実施すればよい。Embodiments of the present invention will be described below. (Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view. An adhesive sheet 2 having a thickness of 0.2 mm is adhered to a backing reinforcing plate 1 made of quartz glass having a diameter of 200 mm and a thickness of 1.5 mm. Also, as shown in FIGS. 1A and 1B, a diameter of 1 mm penetrating through the adhesive sheet 2 and the quartz glass plate 1.
A plurality of pores 3 are opened to constitute a wafer support 10. A method of attaching a thinned wafer to the above-described wafer support 10 will be described with reference to a schematic sectional view of FIG. First, the wafer support 10 is vacuum-sealed 8
Is set on the suction / pressurizing head 5 via. next,
A 200 mm diameter Si wafer 4 thinned to a thickness of about 60 μm by substrate grinding is placed on the pressure-sensitive adhesive sheet 2 while being positioned. Next, the inside of the suction / pressure head 5 is evacuated from the vacuum port 6. Thereby, the pore 3
, The atmospheric pressure is applied to the Si wafer 4, and the Si wafer 4 is uniformly pressed and adhered to the adhesive sheet 2. After the above-mentioned bonding is completed, even if the wafer support 10 is removed from the suction / pressing head 5, the Si wafer 4 does not peel off from the wafer support 10, and in this state, various transport processes are performed by a transport robot or the like. can do. It is also possible to set the Si wafer held on the wafer support together with the wafer support in various semiconductor processing apparatuses, for example, a dry etching apparatus, perform desired dry etching, and then take out the silicon wafer from the apparatus. further,
From the adhesive sheet 2 of the wafer support 10 to the Si wafer 4
In order to remove the wafer support 10, as shown in FIG. 1C, the wafer support 10 is placed on the suction / pressure head 5, and then the backing reinforcing plate 1 is fixed to the suction / pressure head 5 with the fixing hook 7. . Next, the upper surface of the Si wafer 4 is temporarily held in advance by a circular vacuum chuck or the like (not shown),
Is released when it is released, for example, nitrogen gas is blown from the vacuum port 6 to allow S to pass through the pores 3.
Push up the i-wafer 4 from below. As a result, the wafer can be peeled off without damage. Also,
Since the adhesive substance transferred from the adhesive sheet hardly remains on the removed wafer surface, post-cleaning is unnecessary in a normal process, and handling becomes extremely easy. In the case where extraordinary cleanliness is required after being removed from the adhesive sheet, light cleaning or plasma cleaning that is easy to handle may be performed.
【０００６】さらに、剛性のある裏打ち補強板１を熱伝
導性に優れた材料（金属板、合金板、熱伝導性セラミク
ス板、II―Ａダイヤモンド板など）で構成し、粘着シー
ト２についても熱伝導性粘着シート材（例えば銀（Ａ
ｇ）またはニッケル（Ｎｉ）等の熱伝導性に優れる金属
微粒子、あるいは、熱伝導性に優れるII−Ａ型ダイヤモ
ンド微粒子を含有する熱伝導性粘着シート材）で粘着シ
ートを構成すれば、熱放散に優れたウエーハ支持体とす
ることができる。これにより、プロセス処理中にウエー
ハの温度上昇が懸念される工程においても、本発明のウ
エーハ支持体が適用可能である。なお、粘着シート２に
貼りつける試料が充分な機械的強度を持っており、試料
表面から直接押圧して貼り付けが可能な試料に対して
は、以上述べた真空吸引・ガス加圧用の細孔３を設ける
必要はないので、ウエーハ支持体１０を単純な平板のみ
で構成できる。Further, the rigid backing reinforcing plate 1 is made of a material having excellent heat conductivity (metal plate, alloy plate, heat conductive ceramic plate, II-A diamond plate, etc.), and the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is also made of heat. Conductive adhesive sheet material (for example, silver (A
g) or a heat conductive adhesive sheet material containing fine metal particles having excellent heat conductivity such as nickel (Ni) or a heat conductive adhesive II-A type diamond fine particles having excellent heat conductivity). The wafer support can be excellent. Thus, the wafer support of the present invention can be applied to a process in which the temperature of the wafer may increase during the process. The sample to be attached to the pressure-sensitive adhesive sheet 2 has sufficient mechanical strength, and the above-described pores for vacuum suction and gas pressurization are used for a sample that can be directly pressed from the sample surface and attached. Since there is no need to provide the wafer support 3, the wafer support 10 can be composed of only a simple flat plate.
【０００７】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例を示す断面模式図である。図２（ａ）はウエーハ支持
体２０の断面図である。剛性のある裏打ち補強板１１を
熱伝導性に優れる強磁性体材料で構成し、また、粘着シ
ート１２を熱伝導性に優れる粘着シートで構成してい
る。その他の構造は、前述の実施例１と同様であり、裏
打ち補強板１１と粘着シート１２には脱着用の通気細孔
１３を設けている。裏打ち補強板１１の材質は、熱伝導
性に優れる強磁性体、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、強磁
性を有するニッケル合金、強磁性を有するステンレス鋼
などである。また粘着シート１２についても、熱伝導性
粘着シート材（例えば銀（Ａｇ）またはニッケル（Ｎ
ｉ）等の熱伝導性に優れる金属微粒子、あるいは、熱伝
導性に優れるII−Ａ型ダイヤモンド微粒子を含有する熱
伝導性粘着シート材）で構成して、熱放散に優れたウエ
ーハ支持体２０を構成している。図２（ｂ）は、表面に
保護テープ２１が貼られた薄層化Ｓｉウエーハ１４（ウ
エーハ厚さ約４０μｍ）を、図２（ａ）のウエーハ支持
体２０に着脱する方法を示す断面模式図である。ウエー
ハ支持体２０を真空シール１７を介して吸着・加圧ヘッ
ド１５の上にセットする。次に、直径２００ｍｍのテー
プ付きＳｉウエーハ１４を位置決めしながら粘着シート
１２の上に載せる。ついで、真空引き口１６から吸着・
加圧ヘッド１５内を真空排気する。これにより、細孔１
３を通じてＳｉウエーハ１４に大気圧が加わり、Ｓｉウ
エーハ１４は粘着シート１２に均一に押圧・接着され
る。本例のウエーハ支持体２０では、裏打ち補強板１１
を強磁性体で構成しているので、プロセス処理装置側の
試料台に磁性チャックを用いることが可能になる。これ
により、処理装置内でもウエーハ支持体２０を確実に保
持することができるので、充分な熱放散が可能となる。
また、テープ付きＳｉウエーハ１４をウエーハ支持体２
０から離脱させる際にも、ウエーハ支持体の固定に磁性
チャックを用いることができ、この際の固定が簡単にな
る。すなわち、図２（ｂ）に示すように、ウエーハ支持
体２０を真空シール１７を介して吸着・加圧ヘッド１５
の上にセットする。次に、複数本の棒状永久磁石１８と
上下駆動機構１９で構成される磁性チャックにより裏打
ち補強板１１を吸着・加圧ヘッド１５に固定する。つい
で、予めＳｉウエーハ１４の上面を円形状真空チャック
などで仮保持して（図示せず）、Ｓｉウエーハ１４が離
脱したときに飛散しないようにした後、例えば窒素ガス
を真空引き口１６から吹き込んで、細孔１３を通してＳ
ｉウエーハ１４を下側から押し上げる。これによりＳｉ
ウエーハを損傷することなく引き剥がすことができる。
この後、磁性チャックの上下駆動機構１９を押し下げ、
吸着・加圧ヘッド１５に固定されていたウエーハ支持体
２０を解除する。なお、棒状永久磁石部分を電磁石を用
いた磁性チャックとすることも可能である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the present invention. FIG. 2A is a sectional view of the wafer support 20. The rigid backing reinforcing plate 11 is made of a ferromagnetic material having excellent heat conductivity, and the adhesive sheet 12 is made of an adhesive sheet having excellent thermal conductivity. Other structures are the same as those of the first embodiment, and the backing reinforcing plate 11 and the adhesive sheet 12 are provided with vent holes 13 for detachment. The material of the backing reinforcing plate 11 is a ferromagnetic material having excellent thermal conductivity, such as nickel (Ni), a ferromagnetic nickel alloy, and a ferromagnetic stainless steel. The adhesive sheet 12 is also made of a heat conductive adhesive sheet material (for example, silver (Ag) or nickel (N
i) and the like, or a heat conductive pressure-sensitive adhesive sheet material containing II-A type diamond fine particles having excellent thermal conductivity) to form a wafer support 20 having excellent heat dissipation. Make up. FIG. 2B is a schematic cross-sectional view showing a method of attaching and detaching the thinned Si wafer 14 (wafer thickness: about 40 μm) having a protective tape 21 adhered to the surface thereof to the wafer support 20 of FIG. It is. The wafer support 20 is set on the suction / pressure head 15 via the vacuum seal 17. Next, the Si wafer 14 with a tape having a diameter of 200 mm is placed on the adhesive sheet 12 while being positioned. Then, suction from the vacuum port 16
The inside of the pressure head 15 is evacuated. Thereby, the pore 1
Atmospheric pressure is applied to the Si wafer 14 through 3, and the Si wafer 14 is uniformly pressed and adhered to the adhesive sheet 12. In the wafer support 20 of this example, the backing reinforcing plate 11
Is made of a ferromagnetic material, it is possible to use a magnetic chuck for the sample stage on the processing apparatus side. As a result, the wafer support 20 can be reliably held even in the processing apparatus, so that sufficient heat dissipation can be achieved.
Further, the Si wafer 14 with the tape is attached to the wafer support 2.
When detaching from the zero, the magnetic chuck can be used for fixing the wafer support, and the fixing at this time is simplified. That is, as shown in FIG. 2B, the wafer support 20 is attached to the suction / pressure head 15 via the vacuum seal 17.
Set on top. Next, the backing reinforcing plate 11 is fixed to the suction / pressing head 15 by a magnetic chuck composed of a plurality of rod-shaped permanent magnets 18 and a vertical drive mechanism 19. Next, the upper surface of the Si wafer 14 is temporarily held in advance by a circular vacuum chuck or the like (not shown) so that the Si wafer 14 is not scattered when detached, and, for example, nitrogen gas is blown from the vacuum port 16. And through the pores 13
The i-wafer 14 is pushed up from below. This allows Si
The wafer can be peeled off without damaging it.
Thereafter, the vertical drive mechanism 19 of the magnetic chuck is pushed down,
The wafer support 20 fixed to the suction / pressure head 15 is released. Note that the bar-shaped permanent magnet portion may be a magnetic chuck using an electromagnet.
【０００８】（実施例3）図３に、本発明の第３の実施
例を示す。図３（ａ）は、ウエーハ支持体３０の平面
図、図３（ｂ）はその断面図である。直径３００ｍｍ、
厚さ２．５ｍｍのステンレス鋼製の裏打ち補強板３１の
上に部分的に複数個の熱伝導性粘着シート３２が貼りつ
けられている。図３（ａ）の平面図では、わかりやすく
するために粘着シート３２の部分にハッチングを施して
いる。また、先の実施例１、２と同様の直径１．５ｍｍ
の複数個の通気細孔３３が設けられている。本例では、
図３（ｂ）に示すように、ステンレス鋼板３１に座グリ
してから粘着シート３２を貼りこんであり、半導体ウエ
ーハ（図示せず）を接着したときに、ステンレス鋼板３
１の面にウエーハが密着するように構成されている。本
例のように、部分的に粘着シートを設けることにより、
その設置面積の大小により半導体ウエーハに対する接着
力を制御することができる。なお、ウエーハ支持体から
の放熱が特に要求されない場合には、粘着シートをあえ
てステンレス鋼板に埋め込む構造は必要ではなく、平板
ステンレス鋼板に単に貼りつければよい。(Embodiment 3) FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. FIG. 3A is a plan view of the wafer support 30 and FIG. 3B is a cross-sectional view thereof. 300mm in diameter,
A plurality of heat conductive adhesive sheets 32 are partially adhered on a stainless steel backing reinforcing plate 31 having a thickness of 2.5 mm. In the plan view of FIG. 3A, the adhesive sheet 32 is hatched for easy understanding. In addition, the same 1.5 mm diameter as in the first and second embodiments.
Are provided. In this example,
As shown in FIG. 3 (b), the adhesive sheet 32 is pasted after being countersunk on the stainless steel plate 31, and when the semiconductor wafer (not shown) is bonded, the stainless steel plate 3
The wafer is configured to be in close contact with the first surface. By partially providing the adhesive sheet as in this example,
Depending on the size of the installation area, the adhesive force to the semiconductor wafer can be controlled. When heat radiation from the wafer support is not particularly required, a structure in which the pressure-sensitive adhesive sheet is intentionally embedded in a stainless steel plate is not necessary, and may be simply attached to a flat stainless steel plate.
【０００９】（実施例４）図４、５に本発明のその他の
実施例を示す。図４は、粘着シートを円環状に設けたウ
エーハ支持体４０を示す平面図である。金属板４１上に
部分的に複数個の円環状粘着シート４２を貼りつけてあ
る。また、他の実施例と同様に、複数個の通気細孔４３
を要所（粘着シートの有る部分及び金属板のみの部分）
に設けている。図５は、通気細孔と通気スリットを組み
合わせて設けたウエーハ支持体５０を示す平面図であ
る。粘着シート部分をわかりやすくするために図中にハ
ッチングを施してある。剛性のある裏打ち補強板の上
に、粘着シート５２が貼りつけられており，粘着シート
５２と補強板を貫通して複数本の放射状スリット（幅約
１ｍｍ）５４と複数個の細孔（直径約１．５ｍｍ）５３
とで通気孔を構成している。以上説明してきた、粘着シ
ートの部分的配置については、粘着シートの形状・面積
の大小によりウエーハに対する接着力が制御でき、ウエ
ーハを均一に接着できる構成であれば、実施例で述べた
形状・レイアウト・寸法に限定されるものではない。同
様に、細孔やスリットなどで構成される通気細孔におい
ても、ウエーハを均一かつ確実に吸着・離脱できるのに
寄与する形状・寸法・レイアウトであればよく、実施例
で開示した形状・寸法・レイアウトに限定されるもので
はない。また、ウエーハ支持体に貼りつける試料とし
て、Ｓｉウエーハのみならず、化合物半導体ウエーハや
半導体材料以外の板状試料、とりわけ、取扱いが困難な
薄層化された板状試料などに適用可能なことは言うまで
もない。(Embodiment 4) FIGS. 4 and 5 show another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a wafer support 40 in which an adhesive sheet is provided in an annular shape. A plurality of annular pressure-sensitive adhesive sheets 42 are partially adhered on a metal plate 41. Also, as in the other embodiments, a plurality of ventilation holes 43 are provided.
Key points (parts with adhesive sheet and parts with metal plate only)
Is provided. FIG. 5 is a plan view showing a wafer support 50 provided with a combination of ventilation pores and ventilation slits. The adhesive sheet is hatched in the figure to make it easier to understand. An adhesive sheet 52 is stuck on a rigid backing reinforcing plate. The adhesive sheet 52 penetrates the adhesive sheet 52 and the reinforcing plate and has a plurality of radial slits (about 1 mm in width) 54 and a plurality of pores (having a diameter of about 1 mm). 1.5mm) 53
And constitute a ventilation hole. As for the partial arrangement of the pressure-sensitive adhesive sheet described above, the configuration and the layout described in the examples can be used as long as the adhesive force to the wafer can be controlled by the size and size of the pressure-sensitive adhesive sheet and the wafer can be uniformly bonded. -It is not limited to dimensions. Similarly, in the case of the ventilation pores composed of pores and slits, any shape, dimensions, and layout that contributes to uniformly and reliably adsorbing and releasing the wafer may be used.・ It is not limited to the layout. In addition, as a sample to be attached to a wafer support, not only a Si wafer but also a compound semiconductor wafer or a plate-shaped sample other than a semiconductor material, in particular, a thin-plated sample that is difficult to handle and the like can be applied. Needless to say.
【００１０】[0010]
【発明の効果】 本発明によって得られる効果を以下に
述べる。 （１）薄層化したＳｉウエーハでも、本発明のウエーハ
支持体には簡単に着脱できるので、製造工程中の薄層化
ウエーハのハンドリングが極めて容易になる。 （２）本発明のウエーハ支持体を、熱伝導性に優れた材
質で構成することにより、熱放散を必要とする半像体製
造装置内でも本発明のウエーハ支持体を使用することが
できる。 （３）本発明の裏打ち補強板をニッケルなどの強磁性体
で構成することにより，半導体プロセス装置内での磁性
チャックにより、薄層化された半導体ウエーハをワーク
ホルダに確実に固定することができ、ウエーハの効果的
な熱放散が可能となる。The effects obtained by the present invention will be described below. (1) Since a thinned Si wafer can be easily attached to and detached from the wafer support of the present invention, handling of the thinned wafer during the manufacturing process becomes extremely easy. (2) Since the wafer support of the present invention is made of a material having excellent thermal conductivity, the wafer support of the present invention can be used even in a half-image body manufacturing apparatus requiring heat dissipation. (3) Since the backing reinforcing plate of the present invention is made of a ferromagnetic material such as nickel, the thinned semiconductor wafer can be reliably fixed to the work holder by the magnetic chuck in the semiconductor processing device. Thus, effective heat dissipation of the wafer becomes possible.
【００１１】[0011]
【図１】本発明の第一の実施例を示す平面図、断面図で
ある。FIG. 1 is a plan view and a sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二の実施例を示す平面図、断面図で
ある。FIG. 2 is a plan view and a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第三の実施例を示す平面図、断面図で
ある。FIG. 3 is a plan view and a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明のその他の実施例を示す平面図、断面図
である。FIG. 4 is a plan view and a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図５】本発明のその他の実施例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the present invention.
１ 剛性のある裏打ち補強板 ２、５２ 粘着シート ３、１３、３３ 通気細孔 ４、１４ Ｓｉウエーハ ５、１５ 吸着・加圧ヘッド ８、１７ 真空シール １０、２０、３０、４０、５０ ウエーハ支持体 １１ 熱伝導性・強磁性を有する、剛性のある裏打ち補
強板 １２ 熱伝導性に優れる粘着シート １８ 棒状永久磁石 ３１ ステンレス鋼鈑 ３２ 分割された粘着シート ４１ 金属板 ４２ 円環状粘着シートDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Rigid backing reinforcement plate 2, 52 Adhesive sheet 3, 13, 33 Vent pore 4, 14 Si wafer 5, 15 Suction / pressure head 8, 17 Vacuum seal 10, 20, 30, 40, 50 Wafer support DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Rigid backing reinforcement board which has thermal conductivity and ferromagnetism 12 Adhesive sheet excellent in thermal conductivity 18 Bar-shaped permanent magnet 31 Stainless steel plate 32 Divided adhesive sheet 41 Metal plate 42 Ring adhesive sheet
Claims (11)
を貼りつけ、粘着シート上にウエーハを粘着・保持する
ことを特徴とする、ウエーハ支持体。1. A wafer support, comprising: adhering an adhesive sheet on a rigid backing reinforcing plate; and adhering and holding the wafer on the adhesive sheet.
同一箇所に、複数個の細孔や細いスリット等、表裏を貫
通する通気孔を設けたことを特徴とする、請求項1に記
載のウエーハ支持体。2. The rigid backing reinforcing plate and the pressure-sensitive adhesive sheet are provided with ventilation holes, such as a plurality of pores and narrow slits, which penetrate the front and back, at the same location on the pressure-sensitive adhesive sheet. Wafer support.
的に複数個の粘着シートを貼りつけたことを特徴とす
る、請求項１、２に記載のウエーハ支持体。3. The wafer support according to claim 1, wherein a plurality of pressure-sensitive adhesive sheets are partially adhered to the surface of the rigid backing reinforcing plate.
が、島状、格子状、同心円環状、放射線状のいずれかの
形状、または上記形状の組み合わせで構成されているこ
とを特徴とする、請求項３に記載のウエーハ支持体。4. The pressure-sensitive adhesive sheet to be partially adhered has a shape of any one of an island shape, a lattice shape, a concentric ring shape, and a radial shape, or a combination of the above shapes. Item 4. A wafer support according to item 3.
シート上にウエーハを載置後、裏打ち補強板側から真空
排気をして大気圧によりウエーハを粘着シート上に押圧
して貼りつけることを特徴とする、ウエーハ支持体への
ウエーハの接着・保持方法。5. After the wafer is placed on the pressure-sensitive adhesive sheet of the support according to claim 2, the wafer is evacuated from the backing reinforcing plate side, and the wafer is pressed onto the pressure-sensitive adhesive sheet by atmospheric pressure. A method for bonding / holding a wafer to a wafer support, which is characterized by attaching.
体に貼りつけられたウエーハに、裏打ち補強板側から空
気・窒素ガスなどのガス圧力を加え、ウエーハを粘着シ
ートから取り外すことを特徴とする、ウエーハの接着解
除方法。6. A method in which a gas pressure such as air or nitrogen gas is applied to a wafer stuck to the wafer support according to claim 2, from the side of the backing reinforcing plate, and the wafer is removed from the adhesive sheet. Characterized by the method for releasing the adhesion of wafers.
が、ともに熱伝導性に優れた材料により構成されたこと
を特徴とする、請求項２、３、４に記載のウエーハ支持
体。7. The wafer support according to claim 2, wherein the rigid backing reinforcing plate and the pressure-sensitive adhesive sheet are both made of a material having excellent thermal conductivity.
優れた強磁性体材料により構成されたことを特徴とす
る、請求項７に記載のウエーハ支持体。8. The wafer support according to claim 7, wherein the rigid backing reinforcing plate is made of a ferromagnetic material having excellent thermal conductivity.
ステンレス鋼で裏打ち補強板を構成し、また、銀（Ａ
ｇ）またはニッケル（Ｎｉ）等の熱伝導性に優れる金属
微粒子、あるいは、熱伝導性に優れるII−Ａ型ダイヤモ
ンド微粒子を含有する熱伝導性粘着シート材で粘着シー
トを構成したことを特徴とする、請求項７、８に記載の
ウエーハ支持体。9. A backing reinforcing plate made of nickel (Ni) or stainless steel having ferromagnetism, and silver (A)
g) or a heat conductive adhesive sheet material containing fine metal particles such as nickel (Ni) or the like having excellent thermal conductivity or II-A type diamond fine particles having excellent thermal conductivity. The wafer support according to claim 7.
シート上にウエーハを載置後、裏打ち補強板側から通気
孔を真空排気してウエーハを粘着シートに押圧・接着す
るためのマウント機構と、機械力または磁気力により上
記マウント機構に裏打ち補強板を固定するためのチャッ
ク機構とを有し、上記チャック機構により裏打ち補強板
をマウント機構に固定したのち、裏打ち補強板側から通
気孔に空気または窒素ガスなどのガス圧力を加えてウエ
ーハ支持体に貼りつけられているウエーハを取り外すこ
とを特徴とする、ウエーハ支持体用ウエーハ接着・脱離
ジグ。10. A wafer is placed on the pressure-sensitive adhesive sheet of the support according to claim 2, and then the air holes are evacuated from the backing reinforcing plate side to press and adhere the wafer to the pressure-sensitive adhesive sheet. A mounting mechanism, and a chuck mechanism for fixing the backing reinforcing plate to the mounting mechanism by mechanical force or magnetic force, after fixing the backing reinforcing plate to the mounting mechanism by the chuck mechanism, from the backing reinforcing plate side A wafer bonding / detaching jig for a wafer support, wherein the wafer attached to the wafer support is removed by applying a gas pressure such as air or nitrogen gas to a vent hole.
ウエーハ支持体を用いた半導体素子の製造方法。11. A method for manufacturing a semiconductor device using the wafer support according to claim 2, 3, 4, 7, 8, 9.
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