JP2002053819A - 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハ表面に対する優れた密着性と易
剥離性、及び非汚染性を兼ね備えた半導体ウエハ表面保
護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表面
の保護方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムで
あって、基材フィルムの片表面に放射線硬化型粘着剤層
（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に、架橋
剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重
量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を
有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃におけ
る貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤
層（Ｂ）が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ表
面保護用粘着フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ表面
保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表
面の保護方法に関する。詳しくは、半導体集積回路の製
造工程において、半導体ウエハの裏面を研削加工、薬液
処理等する際に、半導体ウエハの破損、汚染を防止する
為に、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面
（以下、ウエハの「表面」という）に粘着剤層を介して
貼着される半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び
該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ表面の保護方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は、高純度シリコ
ン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注
入、エッチング等により集積回路を組み込み、さらにウ
エハの裏面をグラインディング、ポリッシング、ラッピ
ング等により研削し、ウエハの厚みを１００〜６００μ
ｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する
方法で製造されている。これらの工程の中で、ウエハの
裏面を研削加工、薬液処理等する際に半導体ウエハの破
損、汚染を防止する為に、半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムが用いられている。

【０００３】具体的には、ウエハ表面に半導体ウエハ表
面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着して
ウエハ表面を保護した後、該ウエハの他の面（以下、ウ
エハの「裏面」という）を研削加工、薬液処理等する。
これらの処置、操作が完了した後、該粘着フィルムはウ
エハ表面より剥離される。

【０００４】このような半導体ウエハ表面保護用粘着フ
ィルムに求められる性能の一つに、半導体ウエハに対す
る粘着特性が挙げられる。すなわち、ウエハ裏面を研削
加工、薬液処理等する際にはウエハ表面の凹凸に対して
良く密着して、研削水や薬液等がウエハ表面とフィルム
との間に浸入して発生するウエハ表面の汚染やウエハの
破損を防止し得る程度に高い粘着力が必要であり、又剥
離時には作業性が良く且つウエハを破損しない程度の低
い粘着力が求められている。

【０００５】こうした粘着特性を満足する半導体ウエハ
保護用粘着フィルムの一つとして、粘着剤層に放射線硬
化型の粘着剤を用いた粘着フィルムが用いられている。
例えば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体
ウエハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に
感圧性接着フィルムを貼り付け、研磨後この接着フィル
ムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記の
感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体上
に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質
を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着フ
ィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射するこ
とを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されてい
る。

【０００６】上記の発明に開示される半導体ウエハの保
護方法では、剥離前に光照射することによって粘着フィ
ルムのウエハ表面に対する粘着力を低下させることがで
きる為、剥離時の作業性やウエハ破損の問題を考慮せず
に、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等をする際には、
ウエハ表面の凹凸に対する十分な密着性が得られるよう
粘着力を高くすることができ、研削水や薬液等に対する
浸入防止性と、剥離時の作業性、易剥離性とを同時に達
成することができる。

【０００７】しかし、該発明に開示される感圧性接着フ
ィルム（粘着フィルム）の光照射により硬化し三次元網
状化する性質を有する感圧性接着剤層（粘着剤層）は、
ラジカル重合により重合する粘着剤層である為、ウエハ
と粘着剤層の間に酸素が入り込んだ場合には、酸素の重
合禁止効果により硬化反応が十分に進まないことがあっ
た。こうした未硬化な粘着剤中には、分子量が低い光重
合性化合物が含まれている為に凝集力が不十分な状態に
あり、半導体ウエハ裏面研削加工、薬液処理等の後の剥
離時に、ウエハ表面に粘着剤層の一部が残留して（以
下、糊残りという）ウエハ表面の集積回路を汚染し、電
気的な異常の原因となったり、パッケージ不良を招いた
りすることがあった。

【０００８】集積回路が形成された半導体ウエハの表面
には複雑な凹凸がある為、ウエハと粘着剤層の間に空気
（酸素）が全く入らないように粘着フィルムを貼り付け
ることは事実上不可能である。又、貼付けの為に酸素を
除去した系を作り出すには、大掛かりな装置を導入する
必要がある上、多額のランニングコストがかかる。

【０００９】近年、半導体業界の技術革新、実装技術の
進歩により、半導体ウエハ表面の形状は多様化してお
り、汚染が残留しやすい凹凸を有するウエハが増えてき
ている。高集積化に伴う半導体回路の多層化により、ウ
エハ上の段差の深さは深くなる傾向にあり、又、フリッ
プチップ実装と称される実装方法に使用されるチップに
は、バンプ電極と呼ばれる突起状の電極部が設けらるよ
うになっている。こうした段差やバンプ電極の周辺に
は、糊残りが発生しやすく、又、こうした部位に糊残り
が発生した場合には、一般に行われている溶剤や純水等
による洗浄手段では除去することが困難となることがあ
った。

【００１０】一方、近年需要が急増している携帯情報機
器やＩＣカードに用いられるチップ、あるいはスタック
ドＩＣのような高密度な実装方法に用いられるチップの
ように、薄肉であることが要求されるチップが増大して
いる。したがって、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等
が終了した後のウエハの厚みはますます薄くなってきて
おり、粘着フィルムを剥離する際に要求される易剥離性
への要求も以前にも増して強くなってきている。さら
に、このような薄層ウエハは、ウエハが破損しないよう
に洗浄することが困難であり、低汚染性への要求はより
一層厳しいものであると言える。

【００１１】このような状況の中で、従来より、半導体
ウエハ保護用粘着フィルムには、ウエハ裏面の研削加
工、薬液処理等の際にはウエハ表面の凹凸によく密着し
て研削水や薬液等の浸入を防止する「凹凸への高密着
性」、ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する際には低
い粘着力で剥離でき、ウエハを破損したり作業性を悪化
させたりすることのない「剥離時の易剥離性」、そし
て、剥離後のウエハ表面に糊残りによる汚染が残留する
ことのない「低汚染性」の３つの性能を併せ持つことが
要求されていた。そして、前述のように近年その要求レ
ベルは益々厳しくなっており、今後もさらに厳しくなっ
ていくと予想される。その為、上記の要求に対して高い
レベルで対応することのできる半導体ウエハ表面保護用
粘着フィルムが求められている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、半導体ウエハ表面に対する優れた密着性と
易剥離性、及び低汚染性を兼ね備えた半導体ウエハ表面
保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表
面の保護方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、放射線硬
化型粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着フィ
ルムが有している優れた「凹凸への密着性」と「剥離時
の易剥離性」を低下させること無く、「低汚染性」を同
時に達成することを目的として鋭意検討を行った結果、
基材フィルムの片表面上に放射線硬化型の粘着剤層を設
け、該放射線硬化型の粘着剤層の表面に、貯蔵弾性率が
特定の範囲にある、特定の組成の粘着剤層を設けた半導
体ウエハ表面保護用粘着フィルムが、上記課題を解決し
得るものであることを見出し、本発明を完成させた。

【００１４】すなわち、本発明は、半導体ウエハ表面保
護用粘着フィルムであって、基材フィルムの片表面に放
射線硬化型粘着剤層（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層
（Ａ）の表面に、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘
着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上
の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部
を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×
１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）が設けられたことを特
徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムである。

【００１５】又、本発明の他の発明は、前記半導体ウエ
ハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエハ表面の
保護方法であって、半導体ウエハの回路形成表面に前記
粘着フィルムを貼着して、半導体ウエハの裏面に対し、
研削加工及び薬液処理から選ばれた少なくとも１種の操
作を実施し、前記基材フィルム側から放射線照射した
後、該粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体
ウエハ表面の保護方法である。

【００１６】本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘
着フィルムの第１の特徴は、（１）基材フィルム、
（２）放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、（３）粘着剤層
（Ｂ）が、（１）〜（３）の順に積層、形成された形状
を有する点にある。また、第２の特徴は、粘着剤層
（Ｂ）の貯蔵弾性率が、５０℃において７×１０⁴〜１
×１０⁸Ｐａの範囲内にある点にある。

【００１７】かかる構成を採用することにより、ウエハ
表面への優れた密着性、剥離時の優れた易剥離性を保持
し、しかも低汚染性をも兼ね備えた半導体ウエハ表面保
護用粘着フィルムが得られるものである。即ち、（Ａ）
層の表面に（Ｂ）を積層した形状の粘着剤層であるため
に、ウエハ表面に凹凸が存在する場合であっても、ウエ
ハ表面に対する良好な密着性が得られ、ウエハの裏面を
研削加工、薬液処理等する際には、研削水、薬液等の浸
入が防止され、これらに起因するウエハの破損、汚染を
防止することができる。また、ウエハ表面から粘着フィ
ルムを剥離する際には、放射線を照射することにより、
放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の硬化、収縮により粘着剤
層全体の粘着力が十分に低下して、良好な作業性でウエ
ハを破損することなく粘着フィルムを剥離することが可
能である。しかも、放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面
に特定の貯蔵弾性率を有する粘着剤層（Ｂ）を設けるこ
とによって、（Ａ）層に起因する汚染がウエハ表面上に
残留するのを防止することができる。

【００１８】尚、本発明における粘着剤層の５０℃にお
ける貯蔵弾性率は、後述の実施例に記載した方法により
測定した値を意味する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィル
ム、及び該半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを使用
する半導体ウエハ表面の保護方法である。

【００２０】先ず、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘
着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウエハ表
面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面に放射
線硬化型粘着剤層（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層
（Ａ）の表面に、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘
着剤ポリマー１００重量部に対し、１分子中に２個以上
の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部
を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×
１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）が形成される。即ち、
（１）基材フィルム、（２）放射線硬化型粘着剤層
（Ａ）、（３）粘着剤層（Ｂ）が、（１）〜（３）の順
に積層、形成された形状を有する。

【００２１】本発明における貯蔵弾性率は、制御された
温度下にある対象物に、外部から引張り、曲げ、ねじり
等の周期的な変形（歪み）を与え、生じた応答（応力）
を、動的粘弾性測定装置を用いて観測することによって
測定されるものである。対象物に周期的な変形を与える
方法としては、例えば、対象物を２枚の平行円盤で挟さ
んで該円盤を回転させる方法、対象物中に測定針を挿入
して測定針を振動させる方法などが挙げられる。動的粘
弾性測定装置としては、例えば、レオメトリックス社
製、形式：ＲＭＳ−８００、オリエンテック社製、形
式：Ｒｈｅｏｖｉｂｒｏｎ、ＤＤＶ−ＩＩ−ＥＰ、セイ
コーインスツルメンツ社製、形式：ＥＸＳＴＡＲ６００
０、ＴＭＡ／ＳＳなどが挙げられる。

【００２２】本発明における放射線として、Ｘ線、γ
線、紫外線、電子線等が挙げられる。これらを総称して
単に放射線という。

【００２３】本発明で用いられる基材フィルムとして
は、合成樹脂をフィルム状に成形加工したフィルムを用
いる。基材フィルムは単層体であっても、又、積層体で
あってもよい。又、基材フィルムは熱可塑性樹脂を成形
加工したものであっても、硬化性樹脂を製膜後、硬化し
たものであってもよい。基材フィルムの厚みは２〜５０
０μｍが好ましい。より好ましくは５〜５００μｍであ
る。薄くなると、粘着フィルムの形態を維持する性質が
劣ってくる傾向があり、それに伴い粘着フィルムを取り
扱う際の作業性が悪化することがある。厚くなると、基
材フィルムの生産性に影響を与え、製造コストの増加に
つながる。

【００２４】基材フィルムに用いられる原料樹脂として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ
ン、ポリメチルペンテン、エチレン酢酸ビニル共重合
体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン
−アクリル酸エステル−無水マレイン酸共重合体、エチ
レン−メタクリル酸グリシジル共重合体、エチレン−メ
タクリル酸共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−プ
ロピレン共重合体、ブタジェン系エラストマー、スチレ
ン−イソプレン系エラストマーなどの熱可塑性エラスト
マー、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ
塩化ビニリデン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリ
エステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル系樹脂、フ
ッ素系樹脂、セルロース系樹脂などが挙げられる。

【００２５】これらの中でも、ウエハの裏面を研削加工
する際の保護性能を考慮すれば、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２４
０−８６、又はＪＩＳ Ｋ−７２１５−１９８６に規定
されるショアーＤ型硬度（デュロメータＤ硬さ）が４０
以下である原料樹脂が特に好ましい。これらの樹脂をフ
ィルム状に成形加工する際には、必要に応じて、安定
剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、ブロッキング防止剤、可
塑剤、粘着付与剤、柔軟材等を添加してもよい。基材フ
ィルムを成型加工する際に安定剤等の各種添加剤を添加
した場合、添加剤が粘着剤層に移行して、粘着剤の特性
を変化させたり、ウエハ表面を汚染することがある。こ
のような場合には、基材フィルムと粘着剤層の間にバリ
ヤー層を設けることが好ましい。

【００２６】又、裏面を薬液処理する際の半導体ウエハ
の表面保護性能を考慮すれば、耐薬品性に優れた基材フ
ィルムを使用することが好ましい。例えば、基材フィル
ムの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を設ける側の反対側の
面にポリプロピレン等の耐薬品性を備えたフィルムを積
層する方法などが挙げられる。

【００２７】基材フィルムの放射線硬化型粘着剤層
（Ａ）〔以下、単に粘着剤層（Ａ）という〕が設けられ
る側の面には、基材フィルムと粘着剤層（Ａ）との接着
力を向上させる為、予め、コロナ放電処理又は化学処理
を施すことが好ましい。又、基材フィルムと粘着剤層
（Ａ）との間に下塗剤層を形成してもよい。本発明に使
用する基材フィルムは、カレンダー法、Ｔダイ押出法、
インフレーション法、キャスト法等、公知の技術により
製造されるものの中から、生産性、得られるフィルムの
厚み精度等を考慮して適宜選択することができる。

【００２８】本発明において粘着剤層（Ａ）を構成する
放射線硬化型粘着剤としては、放射線を照射することに
より硬化して粘着性が低下し、ウエハから容易に剥離で
きる性質を有するものであれば特に制限なく用いること
ができる。本発明においては、紫外線硬化型の粘着剤で
あることが好ましい。紫外線硬化型の粘着剤としては、
紫外線照射により硬化して粘着性を失う特性を有する粘
着剤の中から適宜選択して用いることができる。例え
ば、特開昭６０−１８９９３８号公報や、特開平７−１
９３０３２号公報に記載されているような紫外線硬化型
粘着剤が好ましく用いられる。

【００２９】例えば、分子中に光重合性炭素−炭素二重
結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体１００
重量部と、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個
以上有する低分子量化合物０．１〜２０重量部と、光開
始剤０．１〜１５重量部を含み、必要に応じて架橋剤に
より上記アクリル酸エステル系共重合体を架橋させて得
られる粘着剤を用いることができる。

【００３０】分子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導
入されたアクリル酸エステル系共重合体は、具体的には
次の様にして得られる。まず、エチレン性二重結合を有
するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーを共重
合させる。ついで、この共重合体に含まれる官能基と、
該官能基と付加反応、縮合反応等を起こしうる官能基を
有するモノマーとを、該モノマー中の二重結合を残した
まま反応させ、共重合体分子中に光重合性炭素−炭素二
重結合を導入する。

【００３１】上記エチレン性二重結合を有するモノマー
としては、例えば、メタクリル酸メチル、アクリル酸−
２−エチルヘキシル、アクリル酸ブチル、アクリル酸エ
チル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸
アルキルエステルモノマー、酢酸ビニルの如きビニルエ
ステル、アクリロニトリル、アクリルアミド、スチレン
等のエチレン性二重結合を有するモノマーの中から、１
種又は２種以上が用いられる。

【００３２】上記官能基を有する共重合性モノマーとし
ては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、２ーヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）ア
クリレート、Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド等
が挙げられる。これらは１種でもよく、２種以上組み合
わせて使用してもよい。上記エチレン性二重結合を有す
るモノマーと官能基を有する共重合性モノマーの割合
は、前者７０〜９９重量％に対し、後者３０〜１重量％
が好ましい。さらに好ましくは、前者８０〜９５重量％
に対し、後者２０〜５重量％である。

【００３３】エチレン性二重結合を有するモノマーと官
能基を有する共重合性モノマーとの共重合体に、光重合
性炭素−炭素二重結合を導入する際に反応させる官能基
の組み合わせとして、カルボキシル基とエポキシ基、カ
ルボキシル基とアジリジル基、水酸基とイソシアネート
基等、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。
又、付加反応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反
応等、光重合性炭素−炭素二重結合が容易に導入できる
反応であれば如何なる反応を用いてもよい。

【００３４】分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を２
個以上有する低分子量化合物としては、トリプロピレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプ
ロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒ
ドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリス
リトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
これらは１種又は２種以上を用いてもよい。

【００３５】光開始剤としては、ベンゾイン、イソプロ
ピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテ
ル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサ
ントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサン
トン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチ
ルケタール、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げら
れる。これらは１種又は２種以上用いてもよい。光開始
剤の添加量は、上記共重合体１００重量部に対して、
０．１〜１５重量部である。好ましくは５〜１０重量部
である。

【００３６】上記紫外線硬化型粘着剤には架橋剤を添加
してもよい。架橋剤として、ソルビトールポリグリシジ
ルエーテル、ポリーグリセロールポリグリシジルエーテ
ル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジ
グリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化
合物、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニ
ルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β
−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
メタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシア
ミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１
−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合
物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン
ジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネ
ート系化合物等が挙げられる。上記紫外線硬化型粘着剤
は、溶剤タイプ、エマルションタイプ、ホットメルトタ
イプ等の何れでもよい。

【００３７】粘着剤層（Ａ）の厚みは３〜３００μｍ、
より好ましくは５〜２５０μｍである。粘着剤層（Ａ）
の厚みが厚くなると、粘着フィルムの作成が困難となっ
たり、生産性に影響を与え製造コストの増加につながる
ことがある。粘着剤層（Ａ）の厚みが薄くなると、ウエ
ハ表面の凹凸に対する密着性が低下して、ウエハの裏面
を研削加工、薬液処理等する際に水や薬液が浸入してウ
エハの破損やウエハ表面の研削屑や薬液による汚染を生
じたり、放射線照射後の粘着力の低下が不十分となり、
粘着フィルムをウエハから剥離する際にウエハを破損す
ることがある。

【００３８】粘着剤層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性
率は特に制限はないが、通常、粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾
性率より低く、好ましくは１×１０³以上、７×１０⁴Ｐ
ａ未満である。より好ましくは５×１０³以上、７×１
０⁴Ｐａ未満である。粘着剤層（Ａ）の貯蔵弾性率が高
すぎると、ウエハ表面の凹凸に対する密着性が不十分と
なることがある。

【００３９】本発明において、架橋剤と反応し得る官能
基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子
中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１
〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×
１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）〔以下、単
に粘着剤層（Ｂ）という〕が、上記粘着剤層（Ａ）の表
面に形成される。

【００４０】粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が低くなる
と、粘着フィルムを剥離した後のウエハ表面に汚染を生
じることがある。粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が高くな
ると、ウエハ表面に対する密着性が低下し、研削水や薬
液が浸入することがある。かかる観点から、上記範囲の
貯蔵弾性率を有するものが好ましい。

【００４１】このような粘着剤としては、例えば、放射
線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の粘着力スイッチン
グ機能を有する粘着剤や、スイッチング機能を有しない
通常の粘着剤等が挙げられる。粘着力スイッチング機能
を有する粘着剤は、スイッチング機能を発現させるため
に、通常、分子量が低い添加剤を含有している。こうし
た低分子量の添加剤は、ウエハ表面を汚染する原因とな
る可能性がある為、通常の粘着剤を用いることが好まし
い。こうしたスイッチング機能を有しない通常の粘着剤
としては、天然ゴム系、合成ゴム系、シリコーンゴム
系、アクリルゴム系等の粘着剤を用いることができる。
これらの粘着剤の中でも、粘着剤物性の制御、再現性等
を考慮するとアクリルゴム系の粘着剤が好ましい。

【００４２】粘着剤がアクリルゴム系である場合、粘着
剤ポリマーを構成する主モノマーは、アクリル酸アルキ
ルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルを含むも
のが好ましい。アクリル酸アルキルエステル及びメタク
リル酸アルキルエステルの例としては、アクリル酸メチ
ル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリ
ル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、
アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これ
らは単独で使用しても、又、２種以上を混合して使用し
てもよい。主モノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原
料となる全モノマーの総量中に、６０〜９９重量％の範
囲で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマ
ー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のアクリル酸
アルキルエステル単位、メタクリル酸アルキルエステル
単位、又はこれらの混合単位を含むポリマーが得られ
る。

【００４３】粘着剤ポリマーは、架橋剤と反応し得る官
能基を有している必要がある。架橋剤と反応し得る官能
基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、ア
ミノ基等が挙げられる。粘着剤ポリマー中にこれらの架
橋剤と反応しうる官能基を導入する方法としては、粘着
剤ポリマーを重合する際にこれらの官能基を有するコモ
ノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。

【００４４】例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタ
コン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイ
ン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モ
ノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステ
ル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノア
ルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、
メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチ
ルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタ
クリレート等が挙げられる。これらのコモノマーの内の
１種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、又２種
以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応しうる
官能基を有するコモノマーの使用量（共重合量）は、粘
着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、１〜
４０重量％の範囲内で含まれていることが好ましい。か
かる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同
組成のコモノマー単位を含むポリマーが得られる。

【００４５】本発明において、上記粘着剤ポリマーを構
成する主モノマー単位及び架橋剤と反応し得る官能基を
有するコモノマー単位の他に、界面活性剤としての性質
を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と
称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主
モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有してお
り、万一粘着剤層に起因する汚染がウエハ表面に生じた
としても、水洗により容易に除去することが可能とな
る。

【００４６】このような重合性界面活性剤の例として
は、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入した
もの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ
−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０
等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫
酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１
−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）
製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０
等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハ
ク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；商品名：ラテ
ムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられ
る。

【００４７】さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジ
ル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルア
クリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２
−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１
−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性
の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニト
リル、スチレン等の重合性二重結合を持ったモノマー、
ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビ
ニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の多官
能性のモノマー等を共重合してもよい。

【００４８】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及
び半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を考慮すれ
ば、ラジカル重合によって重合することが好ましい。ラ
ジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始
剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオ
キサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイル
パーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。

【００４９】粘着剤ポリマーの重合法としては、乳化重
合法、懸濁重合法、溶液重合法等が挙げられるが、これ
らの中では乳化重合法が好ましい。粘着剤ポリマーを乳
化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重
合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸
カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく
水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックア
シッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物
が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮
すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４
−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル
基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−ア
ゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカ
ルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。

【００５０】本発明に用いる１分子中に２個以上の架橋
反応性官能基を有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有す
る官能基と反応させて、架橋密度、粘着力及び凝集力を
調整する為に用いる。架橋剤としては、ソルビトールポ
リグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジ
ルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエー
テル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセ
ロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコー
ルジグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエー
テル等のエポキシ系架橋剤、トリメチロールプロパン−
トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロ
ールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレ
ン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミ
ド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリ
ジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−ト
リ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等の
アジリジン系架橋剤、テトラメチレンジイソシアネー
ト、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロール
プロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイ
ソシアネート等のイソシアネート系架橋剤等が挙げられ
る。これらの架橋剤は単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。

【００５１】又、粘着剤が水系（エマルションを含む）
である場合には、イソシアネート系架橋剤は水との副反
応による失活速度が速い為、粘着剤ポリマーとの架橋反
応が十分に進行しない場合がある。従って、この場合に
は上記の架橋剤の中でアジリジン系もしくはエポキシ系
の架橋剤を用いることが好ましい。

【００５２】本発明における１分子中に２個以上の架橋
反応性官能基を有する架橋剤の含有量は、粘着剤ポリマ
ー１００重量部に対し架橋剤０．１〜３０重量部、特に
好ましくは０．５〜２５重量部である。架橋剤の含有量
が少ないと、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウエハ
表面に汚染を生じることがある。多過ぎると、粘着剤層
（Ｂ）とウエハ表面との密着力が弱くなり、研削加工中
に水や研削屑が浸入し、ウエハを破損したり、研削屑に
よるウエハ表面の汚染が生じることがある。

【００５３】本発明における粘着剤層（Ｂ）を構成する
粘着剤には、上記の架橋剤と反応しうる官能基を有する
粘着剤ポリマー、一分子中に２個以上の架橋反応性官能
基を有する架橋剤の他に、粘着特性を調整する為に、ロ
ジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界
面活性剤等を適宜含有してもよい。又、粘着剤ポリマー
がエマルション液である場合は、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル等の増膜助剤を本発明の目的に影響
しない程度に適宜含有してよい。

【００５４】粘着剤層（Ｂ）の厚みは、ウエハ表面の汚
染性、粘着力等に影響を及ぼす。粘着剤層（Ｂ）の厚み
が薄くなると、ウエハ表面にが残留することがある。粘
着剤層（Ｂ）の厚みが厚すぎると粘着力が高くなり、剥
離の際の作業性が低下することがある。かかる観点か
ら、粘着剤層（Ｂ）の厚みは１〜５０μｍであることが
好ましい。

【００５５】本発明において、基材フィルムの片表面に
粘着剤層（Ａ）を設ける際には、及び、該粘着剤層
（Ａ）の表面に粘着剤層（Ｂ）を設ける際には、上記粘
着剤を溶液又はエマルション液（以下、これらを総称し
て粘着剤塗布液と称する）として、ロールコーター、コ
ンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、
リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の
方法に従って塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法を
用いることができる。この際、塗布した粘着剤層を環境
に起因する汚染等から保護する為に、塗布した粘着剤層
の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。

【００５６】あるいは、剥離フィルムの片表面に、上記
した公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して
粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の慣用の
方法を用いて粘着剤層を転写させる方法（以下、転写法
という）をとってもよい。転写法により粘着剤層（Ａ）
及び粘着剤層（Ｂ）を積層する際には、まず、粘着剤層
（Ａ）のみを基材フィルムの片表面に転写させた後に、
続いて粘着剤層（Ｂ）を該粘着剤層（Ａ）の表面（基材
フィルムと反対側の面）に転写させてもよい。あるい
は、剥離フィルムの片表面に粘着剤層（Ｂ）を形成し、
該粘着剤層（Ｂ）の表面（剥離フィルムと反対側の面）
に粘着剤層（Ａ）を重ねて設けた後に、粘着剤層（Ａ）
と粘着剤層（Ｂ）を一度に基材フィルムの片表面に転写
させてもよい。

【００５７】粘着剤を乾燥する際の乾燥条件には特に制
限はないが、一般的には、８０〜３００℃の温度範囲に
おいて、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さ
らに好ましくは、８０〜２００℃の温度範囲において１
５秒〜５分間乾燥する。本発明においては、架橋剤と粘
着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させる為に、粘
着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエハ表面保
護用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時
間程度加熱してもよい。

【００５８】本発明において、半導体ウエハ表面保護用
粘着フィルムの粘着力は、ウエハ裏面の研削加工、薬液
処理時等におけるウエハの保護性と、ウエハから剥離す
る際の作業性との双方に影響する。ウエハ裏面の研削加
工、薬液処理時等におけるウエハの保護性（研削水、研
削屑及び薬液等の浸入防止）を考慮すれば、ＪＩＳＺ−
０２３７に規定される方法に準拠して、被着体としてＳ
ＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力が、
２５ｇ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。より好ま
しくは１００ｇ／２５ｍｍ以上、さらに好ましくは１５
０ｇ／２５ｍｍ以上である。高ければ高い程好ましい。
粘着力の上限は、粘着剤の技術的難易度を考慮すれば２
０００ｇ／２５ｍｍ程度である。

【００５９】一方、ウエハから剥離する際には、粘着力
（すなわち、放射線照射後の粘着力）が高いと、ウエハ
からの剥離が困難となり、剥離機で剥離する際に剥離ト
ラブルが発生して作業性を悪化させたり、時にはウエハ
を破損したりすることもある。従って、このような剥離
作業性を考慮すれば、ウエハから粘着フィルムを剥離す
る際の粘着力は、通常、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に規定さ
れる方法に準拠して、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ
板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１
８０度の条件下で測定した粘着力が、１５０ｇ／２５ｍ
ｍ以下であることが好ましい。さらに、低ければ低いほ
ど好ましい。但し、このとき、放射線照射後の粘着力
（Ｃ）、放射線を照射する前の粘着力（Ｄ）との間に
は、〔Ｃ＜Ｄ〕なる関係がある。

【００６０】本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィ
ルムの製造方法は上記のとおりであるが、半導体ウエハ
表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィル
ム、粘着剤等、全ての原料及び資材の製造環境、粘着剤
塗布液の調整、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規
格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリー
ン度に維持されていることが好ましい。又、特に放射線
硬化型粘着剤層（Ａ）が紫外線、電子線等の放射線の照
射により変質することを考慮すれば、これらの放射線に
曝露されない環境において製造されることが好ましい。

【００６１】次に、本発明の半導体ウエハ表面の保護方
法について説明する。本発明の半導体ウエハ表面の保護
方法は、半導体ウエハの裏面を研削加工、薬液処理、ま
たはこれらの操作を共に実施する際に、上記半導体ウエ
ハ表面保護粘着フィルムを用いることに特徴がある。

【００６２】その詳細は、先ず、上記半導体ウエハ表面
保護用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の粘
着剤層から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層（Ｂ）の表
面を露出させ、粘着剤層（Ｂ）を介して、半導体ウエハ
の集積回路が組み込まれた側の面に貼着する。次いで、
研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィ
ルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの
裏面に対し、研削加工、薬液処理等を実施する。本発明
においては、研削加工、薬液処理の何れかを単独で行っ
てもよいし、両方を行ってもよい。両方を行う場合、そ
の順番はいずれでもよいが、通常、研削加工の後、薬液
処理を行う。

【００６３】研削加工、薬液処理等が終了した後、放射
線を照射して粘着力を低下させてから、該粘着フィルム
を剥離する。いずれの保護方法においても、必要に応じ
て、粘着フィルム剥離後の半導体ウエハ表面に対して、
水洗、プラズマ洗浄等の処理を施してもよい。この様な
一連の工程中の、半導体ウエハ裏面の研削加工、薬液処
理等の操作において、半導体ウエハは、研削前の厚み
が、通常、５００〜１０００μｍであるのに対して、半
導体チップの種類等に応じ、通常、１００〜６００μｍ
程度まで、時には、５０μｍ程度まで研削される。研削
する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、
種類等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られる
チップのサイズ、回路の種類、等により適宜決められ
る。

【００６４】粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操
作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロー
ル状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される
装置によって行われる。この様な自動貼り機として、例
えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、
同ＡＴＭ−１１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬ
シリーズ等が挙げられる。

【００６５】半導体ウエハ裏面の研削加工の方式には特
に制限はなく、スルーフィード方式、インフィード方式
等の公知の研削方式が採用される。研削の際には、半導
体ウエハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好
ましい。

【００６６】ウエハ裏面を研削加工する研削機として
は、例えば、（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８４
１、(株)岡本工作機械製作所製、形式：ＳＶＧ−５０２
ＭＫＩＩ８等が挙げられる。

【００６７】薬液処理は、弗化水素酸、硝酸、硫酸、酢
酸等の単独もしくは混合物等の酸性水溶液、水酸化カリ
ウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水
溶液等からなる群から選ばれたエッチング液に、表面に
粘着フィルムを貼着した状態で半導体ウエハを浸漬する
等の方法により行われる。薬液処理のことを、通常、ケ
ミカルエッチングと称する。また、薬液処理の方式の中
には、ウエハごと薬液にどぶづけする方式（ディッピン
グ法）、ウエハ裏面を回転させながら裏面に選択的に薬
液を接触させる方式（スピンエッチング法）、ＣＭＰと
称される裏面研磨とケミカルエッチングを同時に行う方
式等もある。薬液処理は、半導体ウエハ裏面に生じた歪
の除去、ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電
極を裏面に形成する際の前処理、等を目的として行われ
る。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択され
る。

【００６８】裏面の研削加工、薬液処理等が終了した
後、粘着フィルムはウエハ表面から剥離される。粘着フ
ィルムをウエハ表面から剥離する操作は、人手により行
われる場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称され
る装置により行われる。この様な、自動剥がし機として
は、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、
同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴ
Ｐシリーズ等がある。

【００６９】本発明の半導体ウエハ表面の保護方法で
は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをウエハ表面
から剥離する前に、基材フィルム側から放射線を照射し
て、粘着フィルムのウエハ表面に対する粘着力を低下さ
せる。照射する放射線としては、Ｘ線、γ線等、紫外
線、電子線等が挙げられるが、これらの中から、粘着剤
層（Ａ）を構成する放射線硬化型粘着剤の種類（型）に
応じて適宜選択して、粘着力が低下するに十分な照射量
を照射する。

【００７０】放射線の照射量は、放射線が紫外線である
場合には、通常、５０〜３０００ｍＪ／ｃｍ²〔（株）
オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−
Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した紫外
線照度（ｍＷ／ｃｍ²）に時間（秒）をかけた値〕の範
囲内が好ましい。照射量が少ないと、粘着力の低下が不
十分となる傾向があり、剥離時の作業性が低下すること
がある。多いと、粘着フィルムが照射時の熱により変形
（収縮等）し、それに伴いウエハが破損したり、自動剥
がし機内で剥離エラーが起こり作業性を低下させたりす
ることがある。

【００７１】上記の紫外線照射量を得る為には、通常、
１０〜２０００ｍＷ／ｃｍ²の照度〔（株）オーク製作
所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受
光器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した値〕の紫外線
を、照射量が上記の範囲内に入るように、通常、０．５
〜６０秒の時間内で照射することが好ましい。紫外線の
発生源としては既知の様々な装置を使用できる。代表的
なものを具体的に例示すると、低圧水銀ランプ、高圧水
銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、
パルスキセノンランプ、無電極放電ランプ等が挙げられ
る。

【００７２】本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィ
ルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法が
適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみな
らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リ
ン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム、等のウエハが挙げ
られる。

【００７３】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。以下に示す全ての実施例及び比較例につ
いて、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０
００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤
塗布液の調整及び塗布、乾燥、並びに、半導体シリコン
ウエハの裏面研削等を実施した。なお、以下の実施例及
び比較例において示した粘着力、貯蔵弾性率、実用評価
は、下記の方法に従って測定、評価を行った。

【００７４】（１）粘着力（ｇ／２５ｍｍ） 下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７
に準じて測定する。 ＜紫外線照射前＞：２３℃において、実施例又は比較例
で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定、縦：２
０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼付し、１時間放置す
る。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０
度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−
ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を測
定してｇ／２５ｍｍに換算する。 ＜紫外線照射後＞：２３℃において、実施例及び比較例
で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定、縦：２
０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼付し、１時間放置す
る。放置後、基材フィルム側から下記の条件の紫外線を
照射し、照射後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８
０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４
−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を
測定してｇ／２５ｍｍに換算する。 ＜紫外線照射条件＞発生源：高圧水銀ランプ〔（株）オ
ーク製作所製、形式；ＯＨＤ−３２０Ｍ〕、照度：３０
ｍＷ／ｃｍ²〔（株）オーク製作所製、ディジタル指示
型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）、
を用いて測定した値〕、照射時間：１０秒、照射量：３
００ｍＪ／ｃｍ²。

【００７５】（２）貯蔵弾性率（Ｐａ） 実施例、比較例の各粘着剤層を作製するときと同等の塗
工条件（厚み、乾燥温度、乾燥時間等）で、片表面にシ
リコーン処理（離型処理）が施されたＰＥＴフィルム
（剥離フィルム）の離型処理面側に、粘着剤塗布液を塗
布・乾燥し、ＰＥＴフィルムの離型処理面上に粘着剤層
を形成する。さらに形成後、実施例と同等の熱履歴を与
える為、粘着剤層を単層のまま、６０℃において４８時
間加熱する。得られた粘着剤層同士を順次重ね合せ、厚
さ約１ｍｍの粘着剤層のフィルム状シートを得る。この
フィルム状シートから、直径約８ｍｍ、厚み１ｍｍ程度
の円盤型形状に粘着剤層をサンプリングする。このサン
プルを、動的粘弾性測定装置｛レオメトリックス社製、
形式；ＲＭＳ−８００、直径８ｍｍのパラレルプレート
（平行円盤）型アタッチメントを使用｝を用いて、周波
数１ｒａｄ／ｓｅｃにて、−４０〜６０℃の温度範囲で
貯蔵弾性率を測定する。具体的には、サンプルを６０℃
にて上記パラレルプレート型アタッチメントを介して動
的粘弾性測定装置にセットし、６０℃から−４０℃まで
３℃／分の降温速度で降温しながら貯蔵弾性率を測定す
る。測定終了後、得られた−４０℃〜６０℃の貯蔵弾性
率−温度曲線の中から、５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’
（Ｐａ）の値を採用する。

【００７６】（３）実用評価 集積回路がウエハの周辺部まで組み込まれた半導体シリ
コンウエハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ、チ
ップ面積１００ｍｍ²、スクライブラインの幅：１００
μｍ、スクライブラインの深さ：２μｍ、各チップの周
辺には高さ１０μｍの金バンプが設けられている）の表
面に、実施例又は比較例で得られた半導体ウエハ保護用
粘着フィルムを貼着し、研削装置｛（株）ディスコ製、
形式；ＤＦＧ８４１｝を用いて、水をかけて冷却しなが
らウエハの裏面を研削加工して、研削後のウエハ厚みを
１００μｍとする。各粘着フィルム毎に、１０枚の半導
体シリコンウエハについて研削加工を行う。研削加工が
終了した後、各半導体シリコンウエハについて、表面と
粘着フィルムとの間にウエハ周辺から研削水が浸入した
か否かを目視で観察し、研削水の浸入が生じた枚数を計
数する。研削水の浸入を観察した後、紫外線照射機
｛（株）オーク製作所製、形式；ＯＨＤ−３２０Ｍ、ラ
ンプの種類：高圧水銀ランプ｝を用いて光量２５０ｍＪ
／ｃｍ²の条件で紫外線照射を行ってから、表面保護テ
ープ剥がし機｛タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲ
Ｍ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィ
ラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）
製〕｝で該粘着フィルムを剥離する。該粘着フィルム剥
離時の破損状況を破損した枚数を計数して評価する。さ
らに、該粘着フィルム剥離時に破損しなかったウエハの
表面を、光学顕微鏡｛（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯ
Ｔ２｝を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して、ウ
エハ表面の全チップに対してチップ毎に汚染の観察を行
ない、チップ上に視認される汚染が１点以上発見された
場合には、その汚染が研削屑によるものであるか、糊残
りによるものであるかを確認したうえで、下記数式によ
り算出する。 Ｃｒ＝（Ｃ２／Ｃ１）×１００ ここで、Ｃｒ：汚染発生率（％）、Ｃ１：観察したチッ
プ数、Ｃ２：汚染チップ数。

【００７７】実施例１ ＜基材フィルムの作成＞ショアーＤ型硬度が３５のエチ
レン−酢酸ビニル共重合体樹脂（三井・デュポンポリケ
ミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＰ−１９０５
（ＥＶ４６０）、酢酸ビニル単位含有量：１９重量％）
をＴ−ダイ押出機を用いて、厚み１２０μｍのフィルム
に形成した。この際、粘着剤層を形成する側にコロナ放
電処理を施した。

【００７８】＜粘着剤層（Ａ）を構成する放射線硬化型
粘着剤塗布液の調製＞アクリル酸エチル４８重量部、ア
クリル酸−２−エチルヘキシル２７重量部、アクリル酸
メチル２０重量部、メタクリル酸グリシジル５重量部、
及び重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．５
重量部を混合し、トルエン６５重量部、酢酸エチル５０
重量部が入った窒素置換フラスコ中に撹拌しながら８０
℃で５時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌して反応さ
せた。反応終了後、冷却し、これにキシレン２５重量
部、アクリル酸２．５重量部、及びテトラデシルベンジ
ルアンモニウムクロライド１．５重量部を加え、空気を
吹き込みながら８０℃で１０時間反応させ、光重合性炭
素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル共重
合体溶液を得た。この溶液に、共重合体（固形分）１０
０重量部に対して光開始剤としてベンゾイン７重量部、
イソシアネート系架橋剤（三井化学（株）製、商品名：
オレスターＰ４９−７５Ｓ）２重量部、１分子内に光重
合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合
物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（東亞合成（株）製、商品名：アロニックスＭ−４０
０）１５重量部を添加し紫外線硬化型粘着剤溶液を得
た。

【００７９】＜粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液
の調製＞重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開
始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリック
アシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を
０．５重量部、アクリル酸ブチル５２．２５重量部、メ
タクリル酸メチル２５重量部、メタクリル酸−２−ヒド
ロキシエチル１５重量部、メタクリル酸６重量部、アク
リルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキ
シエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイ
ドの付加モル数の平均値；約２０）の硫酸エステルのア
ンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基
を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：商品名：アク
アロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を添加し、攪拌下で
７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂
系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア
水で中和し、固形分４０重量％を含有する粘着剤ポリマ
ーエマルジョン（粘着剤主剤）を得た。得られた粘着剤
主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度：
４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水
を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系
架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイ
トＰＺ−３３〕０．８重量部、及びジエチレングリコー
ルモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤層
（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液を得た。

【００８０】＜粘着剤層（Ａ）の積層＞片表面にシリコ
ーン処理（離型処理）が施された厚み３８μｍのＰＥＴ
フィルム（剥離フィルム）の離型処理が施された側の面
に、前述の照射線硬化型の粘着剤塗布液をコンマコータ
ーにより塗布し、１２０℃で４分間乾燥し、厚み７０μ
ｍの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を得た。これに、前述
の基材フィルムのコロナ処理が施された側の面を、ドラ
イラミネーターにより貼り合わせて押圧して、放射線硬
化型粘着剤層（Ａ）を基材フィルムのコロナ処理が施さ
れた側の面に転写させた。なお、粘着剤層（Ａ）の５０
℃における貯蔵弾性率は、４×１０⁴Ｐａであった。

【００８１】＜粘着剤層（Ｂ）の積層＞前述の粘着剤層
（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液を、ロールコーターを用
いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５
０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚み３０
μｍの粘着剤層（Ｂ）を得た。前述の基材フィルムに積
層した粘着剤層（Ａ）から、シリコーン処理ＰＥＴフィ
ルム（剥離フィルム）を剥離し、露出された粘着剤層
（Ａ）の表面に粘着剤層（Ｂ）を貼り合せて押圧して、
粘着剤層（Ｂ）を、粘着剤層（Ａ）の基材フィルムと反
対側の面に転写、積層した。積層後、６０℃において４
８時間加熱した後、室温まで冷却することにより、半導
体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィ
ルムの粘着力は、紫外線照射前は３２０ｇ／２５ｍｍ、
紫外線照射後は１１０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着
剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は、９×１０⁴
Ｐａであった。

【００８２】得られた粘着フィルムを用いて、前述の方
法に従って実用評価を行った。研削水の浸入が観察され
たウエハは無かった。又、粘着フィルム剥離時に破損し
たウエハも皆無であった。顕微鏡観察の結果、視認され
る汚染が観察されたチップは皆無であった。結果を表１
に示す。

【００８３】実施例２ 実施例1の粘着剤層（Ａ）を構成する粘着剤塗布液の調
整において、イソシアネート系架橋剤の添加量を０．５
重量部とし、粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層
（Ａ）の厚みを２００μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成
する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤
の代わりに、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）
製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕を使用し、添加
量を２．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層におい
て、粘着剤層（Ｂ）の厚みを１０μｍとした以外は全
て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘
着力は４５０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は８
０ｇ／２５ｍｍであった。なお、粘着剤層（Ａ）の５０
℃における貯蔵弾性率は６×１０³Ｐａであり、粘着剤
層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は、９×１０⁵Ｐ
ａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を
行った結果、研削水の浸入が観察されたウエハは無く、
粘着フィルム剥離時に破損したウエハも皆無であった。
顕微鏡観察の結果、視認される汚染が観察されたチップ
は皆無であった。結果を表１に示す。

【００８４】実施例３ 実施例1の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層
（Ａ）の厚みを２３μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成す
る粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の
添加量を４．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層にお
いて、粘着剤層（Ｂ）の厚みを２μｍとした以外は全
て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘
着力は１６０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は３
０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃
における貯蔵弾性率は、２×１０⁷Ｐａであった。得ら
れた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削
水の浸入が観察されたウエハは無く、粘着フィルム剥離
時に破損したウエハも皆無であった。顕微鏡観察の結
果、視認される汚染が観察されたチップは皆無であっ
た。結果を表１に示す。

【００８５】比較例１ 実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層
（Ａ）の厚みを４０μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成す
る粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の
代わりに、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）
製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕を使用し、添加
量を０．０２重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層におい
て、粘着剤層（Ｂ）の厚みを２０μｍとした以外は全
て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘
着力は４１０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は１
９０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０
℃における貯蔵弾性率は５×１０ ⁴Ｐａであった。得ら
れた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削
水の浸入が観察されたウエハは皆無であった。しかしな
がら、粘着フィルム剥離時に１０枚中１枚のウエハが破
損した。破損しなかった９枚のウエハを顕微鏡観察した
結果、全チップ数に対して２．４％のチップに糊残りに
よる汚染が観察された。結果を表１に示す。

【００８６】比較例２ 実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層
（Ａ）の厚みを１００μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成
する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤
の添加量を６．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層に
おいて、粘着剤層（Ｂ）の厚みを３μｍとした以外は全
て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着
フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘
着力は８０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は７０
ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃に
おける貯蔵弾性率は３×１０⁸Ｐａであった。得られた
粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削水の
浸入が１０枚中３枚のウエハについて観察された。粘着
フィルム剥離時に破損したウエハは皆無であったが、顕
微鏡観察の結果、全チップ数に対して５．７％のチップ
に研削屑の浸入による汚染が観察された。結果を表１に
示す。

【００８７】比較例３ 実施例１と同様にして、実施例１中の粘着剤層（Ｂ）を
構成する粘着剤と同一の粘着剤の塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で４分間乾燥し、
厚み６０μｍの粘着剤層（Ｂ）を得た。これに、実施例
と同様にして作成した基材フィルムのコロナ処理が施さ
れた側の面をドライラミネーターにより貼り合わせて押
圧して、粘着剤層（Ｂ）を基材フィルムのコロナ処理が
施された側の面に転写、積層した。積層後、６０℃にお
いて４８時間加熱した後、室温まで冷却することによ
り、基材フィルムの片表面に、粘着剤層（Ａ）を設け
ず、実施例中の粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤と同一
の粘着剤を用いた粘着剤層（Ｂ）ただ一層のみが、６０
μｍの厚みで設けられた半導体ウエハ保護用粘着フィル
ムを得た。この粘着フィルムの粘着力は、紫外線照射
前、紫外線照射後、共に７０ｇ／２５ｍｍであった。
又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は２×
１０⁷Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実
用評価を行った結果、１０枚中５枚のウエハについて、
研削水の浸入が観察された。粘着フィルムを剥離する際
に破損したウエハは皆無であった。しかし、剥離後の顕
微鏡観察において、全チップ数に対して９．３％のチッ
プに、研削屑の浸入による汚染が観察された。結果を表
１に示す。

【００８８】比較例４ 実施例１と同様にして作成した基材フィルムのコロナ処
理が施された側の面に、実施例１中の粘着剤層（Ａ）を
構成する放射線硬化型粘着剤と同一の粘着剤の塗布液
を、実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層と同様の方法を用
いて塗布、乾燥、転写し、厚み６０μｍの放射線硬化型
粘着剤層（Ａ）を設け、実施例中の粘着剤層（Ａ）を構
成する粘着剤と同一の放射線硬化型粘着剤層（Ａ）ただ
一層のみが、６０μｍの厚みで設けられた半導体ウエハ
保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線
照射前の粘着力は５００ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の
粘着力は５０ｇ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィ
ルムを用いた実用評価の結果、研削水の浸入が観察され
たウエハは無く、剥離時に破損したウエハも皆無であっ
た。しかしながら、剥離後の顕微鏡観察において、全チ
ップ数に対して５．1％のチップに糊残りによる汚染が
観察された。結果を表１に示す。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フ
ィルムは、粘着剤層が、（Ａ）層の表面に（Ｂ）層が積
層された形状であるために、ウエハ表面の凹凸に対する
良好な密着性が達成される。その為、ウエハの裏面を研
削加工、薬液処理等する際には、研削水や薬液の浸入に
よるウエハの破損、汚染等を防止することができる。ウ
エハ表面から粘着フィルムを剥離する際には、放射線を
照射することにより放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の硬
化、収縮により、粘着剤層全体の粘着力が十分に低下し
て、良好な作業性でウエハを破損することなく容易に剥
離可能である。しかも、貯蔵弾性率が特定の範囲に限定
された粘着剤層（Ｂ）を放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の
表面に設けることによって、粘着剤層（Ａ）に起因する
汚染がウエハ表面上に残留することを防止することがで
きる。すなわち、本発明によれば、放射線硬化型粘着剤
層を有する半導体ウエハ保護用粘着フィルムが有する優
れた凹凸への密着性と剥離時の易剥離性を保持したま
ま、低汚染性を同時に達成することが可能である。

フロントページの続き (72)発明者 片岡 真 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 平井 健太郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 才本 芳久 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AH03H AK01B AK01C AK25 AK25G AK25J AK53H AK68 AL01 AL01B AR00B AT00A BA03 BA07 CA02C CB05 GB41 JB14B JB20C JK07B JK07C JL06 JL11 JL11B JL11C JL14 JM01B 4J004 AA10 AA17 AB06 CA02 CA04 CA06 CB03 CC03 CD08 CE01 FA04 4J040 CA011 CA031 DF041 DG011 EC032 EF292 EK031 FA041 FA101 FA111 FA141 GA05 GA07 GA11 GA20 GA22 HB19 HC22 JB02 JB07 KA13 KA14 KA16 LA06 MA02 MB03 NA20 PA30 PA32

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムで
   あって、基材フィルムの片表面に放射線硬化型粘着剤層
   （Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に、架橋
   剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重
   量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を
   有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃におけ
   る貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤
   層（Ｂ）が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ表
   面保護用粘着フィルム。
2. 【請求項２】 粘着剤ポリマーが、アクリル酸アルキル
   エステル単位及びメタクリル酸アルキルエステル単位か
   らなる群から選ばれた少なくとも１種の主モノマー単位
   ６０〜９９重量％、並びに、水酸基、カルボキシル基及
   びアミノ基から選ばれた少なくとも一種の架橋剤と反応
   し得る官能基を有するコモノマー単位１〜４０重量％を
   含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ保護
   用粘着フィルム。
3. 【請求項３】 粘着剤ポリマーが乳化共重合により重合
   された共重合体であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体ウエハ保護用粘着フィルム。
4. 【請求項４】 架橋剤が、エポキシ系架橋剤、及びアジ
   リジン系架橋剤よりなる群から選ばれた少なくとも１種
   の架橋剤であることを特徴とする請求項１記載の半導体
   ウエハ表面保護用粘着フィルム。
5. 【請求項５】 基材フィルムの厚みが２〜５００μｍで
   あることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面
   保護用粘着フィルム。
6. 【請求項６】 放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の厚みが３
   〜３００μｍ、粘着剤層（Ｂ）の厚みが1〜５０μｍで
   あることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ表面
   保護用粘着フィルム。
7. 【請求項７】 放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の５０℃に
   おける貯蔵弾性率が、１×１０³以上、７×１０⁴Ｐａ未
   満であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ
   表面保護用粘着フィルム。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の半
   導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエ
   ハ表面の保護方法であって、半導体ウエハの回路形成表
   面に前記粘着フィルムを貼着して、半導体ウエハの裏面
   に対し、研削加工及び薬液処理から選ばれた少なくとも
   １種の操作を実施し、前記基材フィルム側から放射線照
   射した後、該粘着フィルムを剥離することを特徴とする
   半導体ウエハ表面の保護方法。