JP2002043198A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2002043198A JP2002043198A JP2000227007A JP2000227007A JP2002043198A JP 2002043198 A JP2002043198 A JP 2002043198A JP 2000227007 A JP2000227007 A JP 2000227007A JP 2000227007 A JP2000227007 A JP 2000227007A JP 2002043198 A JP2002043198 A JP 2002043198A
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Abstract
するとともに、設備の設置スペースを小さくする。 【解決手段】 半導体製造装置10のカセット搬送室1
2の天井部12aに網状に構成された部材よりなるエア
インテーク18を、カセット搬送室12の最下部12b
にエグゾーストファン20をそれぞれ設け、クリーンル
ーム内のダウンフローをエアインテーク18からカセッ
ト搬送室12内に取り入れるとともに、エグゾーストフ
ァン20からカセット搬送室12の内部を流れたダウン
フロー21を外部に排出し、ウェハ移載室14にクリー
ンユニット26を設けて、クリーンエア28をウェハ移
載室14内で循環させる。
Description
のクリーンエアフローの簡略化に関するものである。
フローを作る装置としては、特開平4−299513号
公報に示されるものがある。これは図2に示されるよう
に、半導体製造装置50の筐体天井面に設けられた導入
口にエアフィルタ52が設けられており、筐体内部のカ
ッセトストッカ54の上方にエアフィルタとファンを組
み合わせた第1のクリーンユニット56が設けられてい
る。また、ボート昇降装置58とカセットストッカ54
の中間位置に第2のクリーンユニット60が3組設けら
れており、筐体の背面で、第2のクリーンユニット60
が設けられた反対側の側面近傍、ボート昇降装置58近
傍に所要数の排気ファン62が設けられている。
ットの搬送が行われている状態、及びカセットストッカ
54にカセットが収納されている間は、クリーンエア
は、エアフィルタ52より吸気され、第1のクリーンユ
ニット56で浄化され、カセットストッカ54を流通し
て筐体の底部を流れて、排気ファン62より排出され
る。
ユニット60よりクリーンエアが送風され、ボート64
の周囲、及びボート64に装填されたウェハ間を通って
排気ファン62より排出される。
来のものでは、複数カ所に複数のクリーンユニット5
6、60を取付ける必要があるため、価格の上昇につな
がるとともに、半導体製造装置50内に、クリーンユニ
ット56、60を設置するスペースを確保する必要があ
るという課題がある。
ために、本発明のうちで請求項1記載の発明は、半導体
製造装置の天井部に、クリーンルーム内のエアフローを
取入れる取入れ口を設け、半導体製造装置の下部に、半
導体製造装置内部を流れたエアフローを外部に排出する
排出口を設け、装置内に導入した前記エアフローは、ク
リーンユニットを介さずに外部に排出されることを特徴
とするものである。
内をクリーンにするための設備としては、天井部の取入
れ口と下部の排出口とを設けるだけで済むので、半導体
製造装置内にクリーンモジュールを設置する必要がなく
なり、コストが安くなるとともに、設置スペースが不要
となるので、装置自体の寸法も小さくすることができ
る。
体製造装置には、ウェハが気密容器に収納されて搬送さ
れる空間であるカセット搬送雰囲気と、ウェハが気密容
器に収納されないで搬送される空間であるウェハ搬送雰
囲気とに離隔されており、ウェハ搬送雰囲気にのみクリ
ーンユニットが設けられている。
気では、ウェハが気密容器に収納されておらず、汚染さ
れやすいため、この部分のみクリーンユニットを設置し
てクリーン度を高めることによりウェハの汚染をより防
ぐことができる。また、ウェハ搬送雰囲気のみのクリー
ンユニットの設置のため、設置するクリーンユニットの
台数が少なくて済み、コストが安くなるとともに、設置
スペースも少なくて済むので、設置スペースの確保も容
易である。
を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態における
半導体製造装置を示す斜視図である。半導体製造装置1
0は、フロントパネル11と平行に設けられた隔壁13
の前方部分によりカセット搬送室(カセット搬送雰囲
気)12が構成されており、カセット搬送室12では、
ウェハはFOUPと呼ばれるボックス形状の密閉容器で
あるカセットの中に収納されて搬送される。カセット搬
送室12の天井部12aには網状に構成された部材より
なるエアインテーク(取入れ口)18が設けられてお
り、エアインテーク18の網状の隙間から、半導体製造
装置10が設置されているクリーンルーム内のエアフロ
ーであるダウンフローが取入れられる。カセット搬送室
12の最下部12bには排出口が設けられエグゾースト
ファン20が設けられており、エグゾーストファン20
は、カセット搬送室12の内部を流れたダウンフロー2
1を外部に強制的に排出することが可能である。
載室14が、上段に反応室16がそれぞれ構成されてお
り、ウェハ移載室14には、カセット内から取り出され
たウェハに目印として設けられているノッチといわれる
切欠きを同じ列でそろえるためのユニットであるノッチ
アライナ22と、ウェハを昇降、回転、進退可能な図示
してないウェハ移載機とがそれぞれ設けられている。ま
た、ウェハ移載室14には、クリーンユニット26も設
けられており、クリーンユニット26は図中矢印で示さ
れるようにクリーンエア28をウェハ移載室14内で循
環させている。
び取出しは、フロントパネル11の下方に設けられたI
/Oシャッタ30により行われ、カセット搬送室12と
ウェハ移載室14との間のウェハの授受は、隔壁13の
I/Oシャッタ30と対面する位置に設けられたPOD
オープナ32により行われる。
る。カセット搬送室12内には、エアインテーク18か
らクリーンルーム内のダウンフロー21が常時導入さ
れ、カセット搬送室12の下部方向に流れてエグゾース
トファン20から外部に排出されている。カセット搬送
室12内にウェハを搬入する際には、I/Oシャッタ3
0が開かれ、クリーンルーム内のダウンフロー21が常
時流れている状態のカセット搬送室12内に、ウェハが
収納されたカセットが搬入される。この後、カセット搬
送室12内に搬入されたカセットは所定の位置に搬送さ
れ収納される。
されているカセットをPODオープナ32の位置に搬送
し、カセットでPODオープナ32を塞ぐように隔壁1
3にカセットを密着させて、PODオープナ32により
カセットの蓋を開け、ウェハをウェハ移載室14に移載
する。このとき、ウェハ移載室14はクリーンユニット
26によりクリーンエア28が循環しているため、高い
クリーン度が保たれている。
ウェハが搬送され、反応室16でウェハに所要の処理が
施される。処理済みのウェハは前述した手順と逆の手順
で外部へ搬出される。
ェハは密閉されたカセット内に入っているため、カセッ
ト搬送室12内のクリーン度がそれほど高くなくてもウ
ェハが汚染されたり、パーティクルが付着したりするこ
とはない。したがって、カセット搬送室12内にはクリ
ーンルームのダウンフローを流し、クリーンルームと同
程度のクリーン度にするだけでよいので、カセット搬送
室12の天井部12aにエアインテーク18を設け、最
下部12bにエグゾーストファン20を設けるだけの簡
単な装置でカセット搬送室12のクリーン度を保つこと
ができる。また、クリーンルームのクリーン度もそれほ
ど高くなくてもよい。
セットから取り出されるため、ウェハが汚染されたりパ
ーティクルが付着し易くなっていたりする。このため、
ウェハ移載室14のクリーン度を高める必要があり、ウ
ェハ移載室14のみクリーンユニット26が設置されて
クリーン度が高められている。
導体製造装置内には、天井部の取入れ口から取り入れら
れたクリーンルームのエアフローが流れ、このエアフロ
ーはクリーンユニットを介さずに半導体製造装置の下部
の排出口から外部に排出されるため、半導体製造装置内
を常時クリーンな状態に保つことができる。したがっ
て、半導体製造装置内をクリーンにするための設備とし
ては、天井部の取入れ口と下部の排出口とを設けるだけ
で済むので、半導体製造装置内にクリーンモジュールを
設置する必要がなくなり、コストが安くなるとともに、
設置スペースが不要となるので、装置自体の寸法も小さ
くすることができる。
る。
装置の斜視図である。
天井部、12b 最下部、14 ウェハ移載室、18
エアインテーク、20 エグゾーストファン。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体製造装置の天井部に、クリーンル
ーム内のエアフローを取入れる取入れ口を設け、半導体
製造装置の下部に、半導体製造装置内部を流れたエアフ
ローを外部に排出する排出口を設け、装置内に導入した
前記エアフローは、クリーンユニットを介さずに外部に
排出されることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000227007A JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000227007A JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002043198A true JP2002043198A (ja) | 2002-02-08 |
JP4322411B2 JP4322411B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=18720526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000227007A Expired - Lifetime JP4322411B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4322411B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006183929A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2007170813A (ja) * | 2006-12-26 | 2007-07-05 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227007A patent/JP4322411B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006183929A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2007170813A (ja) * | 2006-12-26 | 2007-07-05 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4322411B2 (ja) | 2009-09-02 |
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