JP2001352796A - オルタネータの電圧制御装置 - Google Patents
オルタネータの電圧制御装置Info
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Abstract
パラメータや方程式を必要とせず、また、励磁コイルへ
の電圧印加のON/OFF論理のONデューティーレイ
トおよび論理周波数を結所定周波数範囲で安定させて両
者を両立させることができるオルタネータの電圧制御装
置を得る。 【解決手段】 目標電圧とオルタネータ2の発電電圧と
の比較で得た大小の論理を第1のON/OFF論理とし
て出力する第1の論理出力手段と、この第1のON/O
FF論理に基づいてONデューティーレイトが励磁コイ
ル21の時定数を考慮した増減量で増減するPWM内部
出力の論理を第2のON/OFF論理として出力する第
2の論理出力手段とを備え、第1および第2のON/O
FF論理の論理処理結果を励磁コイル21への電圧印加
のON/OFF論理とする。
Description
電圧制御装置に関する。
イルに対する印加電圧のON/OFFによって所定値に
制御する電圧制御装置において、マイコンを用いてディ
ジタル方式で調整を行う方法としては、例えば特開平0
5−176477号公報を代表として既存である。
装置では、オルタネータの発生電圧を目標電圧へ追従応
答性良好に制御する場合、オルタネータの目標発電電流
に対応する目標励磁電流をオルタネータの発電特性に基
づく方程式で演算した後実際に励磁コイルに流れるであ
ろう予測励磁電流をオルタネータの電磁仕様に基づく方
程式で演算する。
差に基づいて目標励磁電流をオルタネータの発電特性お
よび電磁仕様に基づいて一次進み補正し、制御励磁電流
を演算する。更に、この演算によって決定した制御界磁
電流に対するON/OFFデューティー比を、オルタネ
ータの電磁仕様に基づいて設定されたテーブルから読み
込むマップから選択されたON/OFFデューティー比
で励磁コイルに対する印加電圧を制御し、目的を達成す
る。
な従来のオルタネータの電圧制御装置では、以下のよう
な問題点があった。即ち、オルタネータの発電特性や電
磁仕様の変更があった場合、または他の電磁仕様および
発電特性のオルタネータに流用する場合、制御装置は、
制御励磁電流に対するON/OFFデューティーテーブ
ルと励磁電流の演算方程式の係数を、オルタネータの電
磁仕様および発電特性毎に変更し、マッチングを取り直
す必要があった。
決するためになされたものであり、オルタネータを制御
して発生電圧を目標電圧にフィードバック制御する場
合、その制御装置がオルタネータの発電特性や電磁仕様
に基づくパラメータや方程式を必要としない、つまりオ
ルタネータの発電特性や電磁仕様の変化で制御装置のパ
ラメータや方程式の変更を必要としないオルタネータの
電圧制御装置を提供することを目的とする。
ルタネータの電圧制御装置は、オルタネータの発生電圧
を励磁コイルに対する印加電圧のON/OFFによって
所定値に制御するオルタネータの電圧制御装置におい
て、目標電圧とオルタネータの発電電圧との比較で得た
大小の論理を第1のON/OFF論理として出力する第
1の論理出力手段と該第1のON/OFF論理に基づい
てONデューティーレイトが励磁コイル時定数を考慮し
た増減量で増減するPWM内部出力の論理を第2のON
/OFF論理として出力する第2の論理出力手段とを備
え、上記第1および第2のON/OFF論理の論理処理
結果を上記励磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理
とするものである。
制御装置は、請求項1の発明において、上記目標電圧
は、上記オルタネータの発電電圧との大小関係の比較で
得る大小の論理を保持する方向でヒステリシス補正が施
され、該ヒステリシス補正量がオルタネータ回転数やオ
ルタネータ出力強度に関係するパラメータに基づいて変
化し、また上記第1のON/OFF論理の反転周期に基
づいてフィードバック変更するものである。
制御装置は、請求項1の発明において、上記第1の論理
出力手段に対して上記第1のON/OFF論理の論理が
反転しにくくする論理反転抑制手段を設け、ON論理→
OFF論理およびOFF論理→ON論理でその抑制強度
が異なり、該抑制強度は上記第1のON/OFF論理の
結果的論理周期に基づいてフィードバック変更されるも
のである。
制御装置は、請求項1の発明において、上記第2のON
/OFF論理となるPWM内部出力の論理周期は、オル
タネータ回転数やオルタネータ出力強度に関係するパラ
メータに基づく演算やテーブル検索によって変更され、
または上記第1のON/OFF論理の周期に基づいて変
更されるものである。
制御装置は、請求項1の発明において、サンプルングし
て得たオルタネータの発電電圧を標本値として過去数回
に渡って記憶する記憶手段と、その都度最新の標本値と
以前数回分の過去の標本値に基づいて移動平均演算して
現在の発電電圧として解釈する演算手段とを備え、上記
以前数回分の過去標本値の参照個数がオルタネータ回転
数やオルタネータ出力強度に基づいて変更され、上記移
動平均演算のために参照される標本の個数は2の乗数倍
の個数であり、該参照する標本の総和を2進数解釈して
参照個数回の右方向ビットシフトだけで区間平均値を得
るものである。
制御装置は、請求項1〜5のいずれかの発明において、
上記オルタネータの発電電圧は、サンプリング周期が変
更されるサンプリングで標本化されるものである。
制御装置は、請求項6の発明において、上記サンプリン
グ周期は、オルタネータ回転数に基づいて演算またはテ
ーブル検索されるものである。
制御装置は、請求項6の発明において、上記サンプリン
グは、上記オルタネータのステータ1相分の電圧波形の
発生タイミングをトリガに開始され、開始してから所定
時間の間だけ所定周期で断続的に実施され、該所定時間
および所定周期は前回までの上記トリガ間隔に基づいて
演算またはテーブル検索されるものである。
制御装置は、請求項2〜8のいずれかの発明において、
上記オルタネータ回転数を、上記オルタネータのステー
タ1相分の電圧波形のLow→Highへの転移エッジ
の時間間隔に基づいて演算する演算手段を備えたもので
ある。
圧制御装置は、請求項1〜9のいずれかの発明におい
て、上記目標電圧は、オルタネータ回転数やオルタネー
タ出力強度に関係するパラメータに基づく演算やテーブ
ル検索によって導かれる量でシフトされ、またはオルタ
ネータ出力端子電圧と外部信号入力端子電圧や外部ユニ
ットからのバッテリ電圧を示す情報との偏差に基づいて
定期的に補正されるものである。
圧制御装置は、請求項1の発明において、上記第2のO
N/OFF論理となるPWM内部出力のONデューティ
ーレイトの増減には、上記励磁コイルの時定数を考慮し
た時間当たり増減量の抑制が施され、該時間当たり増加
量の抑制強度は上記励磁コイルの時定数に比べてより強
く設定され且つオルタネータ回転数に基づいて変更また
は禁止され、該時間当たり増減量の抑制はオルタネータ
の特殊な発電モードに基づいて増減禁止または抑制解除
され、オルタネータ回転数やユニット温度に基づいてO
Nデューティーレイトに上限および下限が設定されるも
のである。
圧制御装置は、請求項1〜11のいずれかの発明におい
て、上記励磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理
は、上記オルタネータのステータ1相分の電圧波形のピ
ーク電圧または平均電圧に基づいて、上記第1および第
2のON/OFF論理の論理処理結果に関係なく強制的
に論理ONにするものである。
圧制御装置は、請求項1〜12のいずれかの発明におい
て、上記第1のON/OFF論理の1つの論理周期中の
ON論理レイトと上記第2のON/OFF論理の1つの
論理周期中のON論理レイトとの積算値、または上記励
磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理の時間当たり
ON論理レイトを該励磁コイルへの電圧印加のONデュ
ーティーレイトとして解釈するものである。
圧制御装置は、請求項13の発明において、上記励磁コ
イルへの電圧印加のONデューティーレイトと、その時
のオルタネータ発電電圧に基づいて該励磁コイルへの実
効印加電圧を演算する演算手段を備えたものである。
圧制御装置は、請求項1〜14のいずれかの発明におい
て、上記オルタネータの出力強度や上記オルタネータの
駆動トルク強度を、オルタネータ出力端子に発生する電
圧リプルの上下幅や電圧高をパラメータとした演算やテ
ーブル検索によって推定し、または充電線の電圧降下に
より発生するオルタネータ出力端子電圧と外部信号入力
端子電圧との電圧偏差をパラメータとした演算やテーブ
ル検索によって推定し、または上記励磁コイルへの電圧
印加のONデューティーレイトや上記励磁コイルへの換
算印加電圧とオルタネータ回転数とをパラメータとした
演算やテーブル検索によって推定するものである。
圧制御装置は、請求項1〜15のいずれかの発明におい
て、上記励磁コイルへの電圧印加のONデューティーレ
イト、上記励磁コイルへの実効印加電圧、上記オルタネ
ータの出力強度や上記オルタネータの駆動トルク強度、
または上記励磁コイルの励磁電流そのもの、の率や絶対
値に依存するONデューティーレイトを示すPWM出力
手段を備えたものである。
圧制御装置は、請求項16の発明において、上記PWM
出力手段の出力は所定の基本周波数を含み、該周波数が
電圧制御装置の自己診断情報に基づいて変化し、該周波
数が変わっても上記基本周波数の時に示していたONデ
ューティーレイトは変わらないか、または該周波数が変
わっても上記基本周波数の時に示していたONデューテ
ィーレイトに基づくON時間は変わらないものである。
圧制御装置は、請求項1〜17のいずれかの発明におい
て、外部ユニットからのパルス信号の周波数または該周
波数とデューティーに基づいてバッテリ電圧に関連する
電圧および目標電圧の上記外部ユニット指示を認識する
ためのインタフェースを備えたものである。
圧制御装置は、請求項1〜18のいずれかの発明におい
て、電圧制御装置の電源遮断を、上記オルタネータが初
期励磁状態を所定時間に渡って継続したとき、または継
続かつオルタネータ回転数がゼロであることを判定した
ときに実行するものである。
圧制御装置は、請求項1〜19のいずれかの発明におい
て、電圧制御装置の電源起動を、外部ユニットと接続す
る情報通信線の論理反転をトリガにして実行するもので
ある。
明する前に、この発明の概要を説明する。この発明は、
オルタネータの発生電圧を励磁コイルに対する印加電圧
のON/OFFによって所定値に制御する電圧レギュレ
ータがマイコンを用いたディジタルレギュレーションで
ある方法において、目標電圧とオルタネータの発電電圧
との大小関係の比較で得た大小の論理を第1のON/O
FF論理とし、さらにその第1のON/OFF論理に基
づいてONデューティーレイトが励磁コイル時定数を考
慮した増減量で増減するPWM内部出力の論理を第2の
ON/OFF論理とし、それら第1と第2の「ON/O
FF論理のAND処理演算結果を、最終制御段となる励
磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理とする。
圧との大小関係の比較で得る大小の論理を保持する方向
でヒステリシス補正が施され、そのヒステリシス補正量
がオルタネータ回転数やオルタネータ出力強度に関係す
るパラメータに基づいて変化するか、または第1のON
/OFF論理の反転周期に基づいてフィードバック変更
する。
論理が反転しにくくする抑制手段(論理反転抑制手段)
が適用されていることと、ON論理→OFF論理および
OFF論理→ON論理でその抑制強度が異なることと、
特にON論理→OFF論理の方がオルタネータの発電電
圧のオーバーシュートを防止するために抑制強度を弱く
してあることと、さらに抑制強度がオルタネータ回転数
やオルタネータ発電強度に基づいて変更され、または第
1のON/OFF論理の結果的論理周期に基づいてフィ
ードバック変更される。
M内部出力(2)の論理周期は、オルタネータ回転数や
オルタネータ出力強度に関係するパラメータに基づく演
算やテーブル検索によって変更されること、または第1
のON/OFF論理の周期に基づいて変更される。
発電電圧を過去数回に渡って記憶し、その都度最新標本
値と以前数回分の過去標本値に基づいて移動平均演算し
て現在の発電電圧として解釈することと、上記以前数回
分の過去標本値の参照個数がオルタネータ回転数やオル
タネータ出力強度に基づいて変更されることと、移動平
均演算のために参照される標本の個数は2の乗数倍
(2,4,8,16…)の個数であることと、参照する
標本の総和を2進数解釈して参照個数回の右方向ビット
シフトだけで区間平均値を得る。
避すべく意図的にサンプリング周期が変更されるサンプ
リングでオルタネータの発電電圧が標本化される。ま
た、サンプリング周期の周期が、オルタネータ回転数に
基づいて演算またはテーブル検索され、上記サンプリン
グが、オルタネータのステータ1相分の電圧波形の発生
タイミングをトリガに開始され、開始してから所定時間
の間だけ所定周期で断続的に実施されることと、所定時
間および所定周期は前回までの上記トリガ間隔に基づい
て演算またはテーブル検索される。
タのステータ1相分の電圧波形のLow→Highへの
転移エッジの時間間隔に基づいて演算する手段を有す
る。また、目標電圧が、オルタネータ回転数やオルタネ
ータ出力強度に関係するパラメータに基づく演算やテー
ブル検索によって導かれる量でシフトされ、またはオル
タネータ出力端子電圧と外部信号入力端子電圧や外部ユ
ニットからのバッテリ電圧を示す情報との偏差に基づい
て定期的に補正される。
M内部出力のONデューティーレイトの増減には、励磁
コイルの時定数を考慮した時間当たり増減量の抑制が施
され、特に時間当たり増加の抑制強度は励磁コイル時定
数に比べてより強く設定されており、さらに時間当たり
増加量の抑制強度はオルタネータ回転数に基づいて変更
または禁止され、時間当たり増減量の抑制はオルタネー
タの特殊な発電モード(初期励磁・発電遅延・一時的発
電強度の抑制)に基づいて、場合によっては増減禁止、
場合によっては抑制解除され、オルタネータ回転数やユ
ニット温度に基づいてONデューティーレイトに上限お
よび下限が設定される。
FF論理が、オルタネータのステータ1相分の電圧波形
のピーク電圧または平均電圧に基づいて、第1と第2と
のON/OFF論理のAND処理演算結果に関係なく強
制的に論理ONにする。また、第1のON/OFF論理
の1つの論理周期中のON論理レイトと第2のON/O
FF論理の1つの論理周期中のON論理レイトとの積算
値、または最終的な励磁コイルへの電圧印加のON/O
FF論理の時間当たりON論理レイト、を励磁コイルへ
の電圧印加のONデューティーレイトとして解釈する。
ーティーレイトと、その時のオルタネータ発電電圧つま
り励磁コイルへのON論理中印加電圧に基づいて、励磁
コイルへの実効印加電圧を演算する。
ータの駆動トルク強度を、オルタネータ出力端子に発生
する電圧リプルの上下幅や電圧高をパラメータとした演
算やテーブル検索によって推定し、または充電線の電圧
降下により発生するオルタネータ出力端子電圧と外部信
号入力端子電圧との電圧偏差をパラメータとした演算や
テーブル検索によって推定し、或いは励磁コイルへの電
圧印加のONデューティーレイトや励磁コイルへの換算
印加電圧とオルタネータ回転数とをパラメータとした演
算やテーブル検索によって推定する。
ーレイト、励磁コイルへの実効印加電圧、オルタネータ
の出力強度やオルタネータの駆動トルク強度、または場
合によっては励磁電流そのもの、の率や絶対値に依存す
るONデューティーレイトを示す第3のPWM出力手段
を備えている。
数があって、その周波数がレギュレータの自己診断情報
に基づいて変化する手段を備えており、周波数が変わっ
ても基本周波数の時に示していたONデューティーレイ
トは変わらない(つまりON時間が変化する)または周
波数が変わっても基本周波数の時に示していたONデュ
ーティーレイトに基づくON時間は変わらない(つまり
ON時間は同じであることを継続するためにONデュー
ティーレイトが変化する)。また、外部からのパルス信
号の周波数、または周波数とデューティーに基づいて、
バッテリ電圧に関連する電圧や目標電圧の外部ユニット
指示、を認識するためのインタフェースを有する。
ネータが初期励磁状態を所定時間に渡って継続したと
き、または継続かつオルタネータ回転数がゼロであるこ
とを判定したときに実行し、レギュレータの電源起動
(動作開始)を、外部ユニットと接続する情報通信線の
論理反転をトリガにする。
等を記憶しておくために、電圧制御装置にフラッシュR
OMなる記憶手段を備え、または電圧を印加することに
より何らかの化学反応で変色し、一度反応すると色が元
にもどらない素子を備える。また、オルタネータの開発
を時間とコストで高率的にするために、オルタネータの
発電制御仕様をソフトウェアで自由に設定できるマイコ
ンディジタルレギュレータによる代替え評価を、製品時
に適用するアナログレギュレータの開発過程に介在させ
る。さらに、オルタネータの発生電圧を励磁コイルに対
する印加電圧のON/OFFによって所定値に制御す
る。
して説明する。 実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1を示す
構成図である。図において、制御装置10はマイクロコ
ンピュータ11と、外部ユニット(図示せず)と接続さ
れる複数の端子T1〜T6とを有し、マイクロコンピュ
ータ1は、オルタネータの発電制御専用であったり、エ
ンジンECUの内部に含まれる場合もある。
りユニット電源入力ポートP1に対して所定の電源電圧
が供給され、この電源14はまた電源フィルタインタフ
ェース(I/F)11を介して端子T1に接続され、こ
の端子T1はオルタネータ2のB(電源)端子、即ち励
磁コイル21の一端と接続されている。また、この端子
T1にはバッテリ5も接続されている。
タネータ2の発電制御を達成するためにオルタネータ2
の発生電圧を端子T1から入力インタフェース(I/
F)15を介してオルタネータ出力端子電圧入力ポート
P2に取り込む。このポートP2は、オルタネータ2の
発生電圧を認識するためのポートとなっている。マイク
ロコンピュータ10は、このポートP2から取り込んだ
オルタネータ2の発生電圧を、後述の図2および図3に
示す発電制御の機能ブロックにおいて処理する。
圧印加論理出力ポートP3は出力インタフェース(I/
F)16を介して励磁コイルドライバ12を構成するス
イッチ(図示せず)の制御電極に接続される。このスイ
ッチとしては、電流か電圧で駆動される半導体スイッチ
素子、例えばMOSFETやバイポーラトランジスタが
用いられる。また、スイッチの一方の主電極は端子T2
に接続される。
1の他端(マイナス側)と接続されている。オルタネー
タ2の励磁コイル21に対する印加電圧のON/OFF
は、マイクロコンピュータ10のポートP3からインタ
ーフェース16を介して励磁コイルドライバ12のスイ
ッチを駆動することによって行われる。マイクロコンピ
ュータ10はポートP3からいわゆるON/OFFデュ
ーティのパルスを出力し、これをインタフェース16で
電流か電圧に変換して励磁コイルドライバ12のスイッ
チを駆動する。
ステータ1相発生電圧入力ポートP4は入力インタフェ
ース(I/F)17を介して端子T3に接続され、この
端子T3は整流回路3を介してオルタネータ2のステー
タの一相出力側例えばV相ステータ24の出力側と接続
される。また、端子T4は接地される。マイクロコンピ
ュータ10はインタフェース17を介してオルタネータ
発電中のステータのV相電圧をポートP4に取り込む
が、その電圧波形は矩形波に近似しており、その周波数
を測定することによりオルタネータの駆動回転数および
必要ならばオルタネータのプーリーとエンジンクランク
プーリーの円周比つまりプーリー比でエンジン回転数を
得ることができる。
CU)4に接続された端子T5は入力インタフェース
(I/F)18を介してマイクロコンピュータ10の外
部パルス入力ポートP5に接続されると共に電源投入ト
リガインタフェース(I/F)13を介して電源14に
接続される。また、マイクロコンピュータ10の第3の
PWM出力ポートP6が出力インタフェース(I/F)
19を介してECU4に接続される。
よるオルタネータ2の発電制御を機能的に示すブロック
図である。なお、この図2〜図4における各部ロック
は、図2の上部に示すような処理ブロックに分類され
る。先ず、図2を参照して、その機能を説明する。オル
タネータ出力端子101即ちポートP2からの電圧はサ
ンプリング部102に入力され、また、ポートP4から
の後述のオルタネータ回転数(VALUE1)に基づく
リプル同期回避周期演算部103からの演算結果がサン
プリング部103に入力され、そのサンプリング結果が
標本値履歴格納部104に格納される。さらに、標本値
履歴格納部104のサンプリング結果の最大値・最小値
が標本値MAX・MIN格納部105に格納される。
MIN格納部105に格納されている標本値のリプル幅
を演算し、その結果をリプル幅(VALUE6)109
として出力する。また、移動平均演算処理部107で
は、標本値MAX・MIN格納部105の出力と、上記
VALUE1とVALUE6に基づいて演算を行う履歴
参照個数演算部108の出力とからオルタネータ実効発
電電圧(VALUE2)110を求めて減算器111に
出力する。
子112即ちポートP4からバッテリ電圧抽出部113
でバッテリ電圧を抽出して充電線ドロップ補正量演算部
114と外部パルス周波数計測部115に供給する。充
電線ドロップ補正量演算部114ではバッテリ電圧抽出
部113の出力と上記オルタネータ実効発電電圧(VA
LUE2)110から充電線ドロップ補正量(VALU
E7)117を出力する。また、外部パルス周波数計測
部115で計測された外部パルス周波数をから目標電圧
指示幅解釈部116で目標電圧指示幅を検出する。
記VALUE1と後述のVALUE17の値からオルタ
ネータ特性補正量を演算し、ヒステリシス補正量変更部
119で後述のVALUE9の値を変更する。そして、
目標電圧指示幅解釈部116、充電線ドロップ補正量演
算部114、オルタネータ特性補正量演算部118およ
びヒステリシス補正量変更部119の出力に基づいて補
正目標電圧演算部120で補正目標電圧(VALUE
3)131を求め、減算器111に供給して、先のオル
タネータ実効発電電圧(VALUE2)110と減算を
行い、その減算結果を論理反転抑制処理部121に供給
する。
減算結果とVALUE9の値を処理して第1のON/O
FF論理値(VALUE4)122を得る。この第1の
ON/OFF論理値(VALUE4)122は論理周期
演算部123とPWM内部出力ONデューティ増減処理
部143(図3)に供給され、論理周期演算部123で
は第1のON/OFF論理周期(VALUE9)124
を得る。
UE4)122はアンド回路125に供給され、後述の
第2のON/OFF論理値(VALUE5)145(図
3)と論理処理され、第2論理優先要否決定部126に
供給される。アンド回路125では、第1のON/OF
F論理値(VALUE4)122と第2のON/OFF
論理値(VALUE5)135が共に論理レベル”1”
のとき”1”を出力する通常の論理動作の他に、破線で
示すように第2のON/OFF論理値(VALUE5)
のONデューティレイトが所定範囲例えば10%〜90
%の範囲にあるときは第2のON/OFF論理値(VA
LUE5)を強制的に出力するようになされている。
回路125の出力から第2のON/OFF論理値優先の
要否を判定し、その判定結果を励磁コイルONOFF論
理決定部127へ出力する。励磁コイルON/OFF論
理決定部127では、入力された判定結果に基づいて励
磁コイルON/OFF論理を決定し、その決定結果に基
づいて励磁コイルドライバ12のスイッチ(FET)を
駆動する。また、この時の励磁コイルON/OFF論理
決定部127の出力は励磁コイル21のON/OFF論
理値(VALUE11)128として使用されると共に
ONデューティレイト演算部129へ供給され、ここで
励磁コイル21のONデューティレイト(VALUE1
0)130が演算される。
る。オルタネータステータ1相発生電圧波形抽出端子1
32即ちポートP4からの入力はエッジカウント回路1
33でそのローレベルからハイレベルへの変化がカウン
トされ、そのカウント値に基づいてオルタネータ回転数
演算処理部134でオルタネータ回転数(VALUE
1)135が検出される。また、エッジカウント回路1
33のカウント値に基づいてステータ1相電圧抽出部1
36でステータ発生電圧(VALUE8)137が抽出
される。
8で上記VALUE1、VALUE8と後述のVALU
E13に基づいて発電モードが判定され、その判定結果
が発電モードであれば発電モード(VALUE14)1
39として出力され、時間当たり増減量の更新部140
に供給される。更新部140の出力は時間当たり増加
量、時間当たり減少量(VALUE9)としてPWM内
部出力ONデューティ増減処理部143に供給される。
で上記VALUE1、VALUE9と後述のVALUE
12に基づいて周波数が修正され、その修正結果がPW
M内部出力(1)ONデューティ増減処理部143に供
給される。ここで、PWM内部出力(1)は、励磁コイ
ルに対する出力(電圧制御用)を実質的に表している。
PWM内部出力(1)ONデューティ増減処理部143
では、その修正周波数と、先のVALUE4、VALU
E9とに基づいてONデューティの増減処理を行い、O
Nデューティ上限・下限制限部144で上記VALUE
1に基づいてONデューティの上限、下限の制限を行っ
て第2のON/OFF論理値(VALUE5)としてア
ンド回路125(図2)へ出力する。
上記VALUE1、VALUE13およびVALUE1
4と内部タイマのカウント値に基づいてユニット電源の
遮断を決定する。
る。励磁コイル実効印加電圧演算部150は励磁コイル
21の実効印加電圧を演算して、オルタネータ駆動トル
ク強度演算部151とオルタネータ出力強度演算部15
2へ供給する。オルタネータ駆動トルク強度演算部15
1では入力された実効印加電圧と上記VALUE1およ
びユニット温度に基づいてオルタネータ2の駆動トルク
強度を演算し、その演算結果に基づいてPWM内部出力
(2)ONデューティ演算部153でONデューティを
演算してPWM内部出力(2)更新部148へ出力す
る。ここで、PWM内部出力(2)は、外部ユニットに
対する情報の伝達(外部ユニットへの情報伝達用)を実
質的に表している。
では入力された実効印加電圧からオルタネータ出力強度
を演算し、オルタネータ出力強度(VALUE12)1
54として出力する。また、発電状況診断部156は上
記上記VALUE1、VALUE2、VALUE3,V
ALUE8およびVALUE11とユニット温度および
内部タイマのカウント値に基づいて発電状況を診断し、
その診断結果をオルタネータ診断コード(VALUE1
3)として出力すると共にPWM内部出力(2)周波数
演算部157に供給する。PWM内部出力(2)更新部
158では演算部153と157の出力に基づいてPW
M内部出力(2)を更新し、第3のPWM出力159と
してポートP6より出力する。
て説明する。先ず、メイン処理について図5および図6
を参照しながら説明する。ステップS1で初期化し、ス
テップS2でオルタネータ実効発電電圧(VBeffe
c)、標本値最大値(VBmax)、標本値最小値(VBmi
n)、第1のON/OFF論理の論理周期(Flogic1)、
第1のON/OFF論理(ON/OFFFlogic1)、励
磁コイル21を励磁している論理(EXClogic)、励
磁コイルのONデューティレイト(Dcoil)を取得する
ためのタイマ割り込み処理を開始する。
電圧のローレベルからハイレベルへのエッジのカウント
値(PPcounter)と、ステータ1相発生電圧(VP)
を取得するための電圧エッジ割り込み処理(1)を開始
し、ステップS4でECU4の出力のローレベルからハ
イレベルへのエッジのカウント値(GPcounter)と、
外部パルスがハイレベルのときの電圧(VBothers1)
と、外部パルスのONデューティレイト(Gduty)を取
得するための電圧エッジ割り込み処理(2)を開始す
る。
(ステップS5)、オルタネータ回転数(Nalt)を演
算すると共にPPcounterをリセットし(ステップS
6)、同期回避サンプリング周波数即ちサンプリング周
期(Tsamp)を演算し(ステップS7)、外部周波数
(FG)を演算すると共に外部ユニットの目標電圧指示
値(VMref)を解釈し(ステップS8)、外部ユニッ
トからのバッテリ電圧情報(VS)を解釈すると共に充
電線ドロップ補正量(ΔVMref1)を演算し(ステップ
S9)する。
ref2)を演算し(ステップS10)、補正目標電圧(V
ref)を演算し(ステップS11)、リプル幅(ΔRI
P)を演算し(ステップS12)、移動平均履歴参照個
数(nref)を演算し(ステップS13)、第2のON/
OFF論理用PWM内部出力周波数(Fpwm1)を修正し
(ステップS14)、オルタネータ発電モード(GMO
DE)を更新し(ステップS15)、第2のON/OF
F論理用PWM内部出力(1)ONデューティ増減量
(Dup,Ddown)を更新し(ステップS16)、第2のO
N/OFF論理用PWM内部出力(1)ONデューティ
上限値(Dmax,Dmin)を設定する(ステップS17)。
OFFFlogic1)が“1”か否かを判定し(ステップS
18)、“1”であれば、第2のON/OFF論理用P
WM内部出力(1)ONデューティ(Dpwm1)が上限値
(Dmax)より大きいか否かを判定し(ステップS1
9)、大きければその第2のON/OFF論理用PWM
内部出力(1)ONデューティを上限値に設定し(ステ
ップS20)、小さければ第2のON/OFF論理用P
WM内部出力(1)ONデューティの加算、即ちその第
2のON/OFF論理用PWM内部出力(1)ONデュ
ーティに増分(ΔDup)を加算する(ステップS2
1)。
F論理(ON/OFFFlogic1)が“1”でなければ、
第2のON/OFF論理用PWM内部出力(1)ONデ
ューティ(Dpwm1)が下限値(Dmin)より小さいか否か
を判定し(ステップS22)、小さければその第2のO
N/OFF論理用PWM内部出力(1)ONデューティ
を下限値に設定し(ステップS23)、大きければ第2
のON/OFF論理用PWM内部出力ONデューティの
減算、即ちその第2のON/OFF論理用PWM内部出
力(1)ONデューティに減分(ΔDdown)を減算する
(ステップS24)。
l)を演算し(ステップS25)、オルタネータ駆動ト
ルクを演算し(ステップS26)、オルタネータ出力強
度(Iout:VALUE12)を演算し(ステップS2
7)する。次いで、オルタネータ発電状況(DOOD)を診
断し(ステップS28)、PWM内部出力(2)ONデ
ューティレイト(Dpwm2)を演算し(ステップS2
9)、PWM内部出力(2)周波数(Fpwm2)を演算し
(ステップS30)PWM内部出力(2)を更新する
(ステップS31)。
(VALUE1)、オルタネータ発電状況(DOOD)(V
ALUE13)および第2のON/OFF論理用PWM
内部出力(1)ONデューティ増減量(GMODE)(VAL
UE14)に基づいて、ユニット電源遮断条件が成立し
たか否かを判定し(ステップS32)、成立してなけれ
ばメイン処理周期調整のウエイト付けを行い(ステップ
S33)、ステップS5に戻って、上述と同様の動作を
繰り返し、成立していればユニット電源を遮断する(ス
テップS34)。
よび図8を参照しながら説明する。先ず、オルタネータ
出力のサンプリングを行い(ステップS41)、標本値
履歴(VBhis)を格納し(ステップS42)、標本値
最大値(VBmax)、標本値最小値(VBmin)を格納し
(ステップS43)、移動平均履歴参照個数(nref)の
値に基づいて移動平均演算処理を行い(ステップS4
4)、オルタネータ実効発電電圧(VBefect:VAL
UE2)を求め(ステップS45)、前回のサイクルで
ある後述の第1のON/OFF論理の論理周期(Flogi
c1:VALUE9)に基づいて目標電圧(Vref)のヒ
ステリシスを補正する(ステップS46)。
efect)と目標電圧(Vref)の大小を比較し(ステップ
S47)、オルタネータ実効発電電圧が目標電圧より大
きければ、論理反転抑制処理および連続判定カウンタの
加算を行い(ステップS48)、第1のON/OFF論
理の論理周期(Flogic1:VALUE9)に基づいてカ
ウンタが上限値に達したか否かを判定し(ステップS4
9)、上限値に達しておればOFF論理を確定し(ステ
ップS50)、カウンタが上限値に達しなければOFF
論理を確定することなく次のステップS54(図8)に
進む。
効発電電圧が目標電圧より大きくなければ、同様に論理
反転抑制処理および連続判定カウンタの加算を行い(ス
テップS51)、第1のON/OFF論理の論理周期
(Flogic1:VALUE9)に基づいてカウンタが上限
値に達したか否かを判定し(ステップS52)、上限値
に達しておればON論理を確定し(ステップS53)、
カウンタが上限値に達しなければON論理を確定するこ
となく次のステップ54(図8)に進む。
これをON/OFFlogic1(VALUE4)とし(ステ
ップS54)、第1のON/OFF論理の論理周期を更
新してこれをFlogic1(VALUE9)とし(ステップ
S55)、PWM内部出力(1)をモニタし、第2のO
N/OFF論理の論理ON/OFFFlogic2(VALU
E5)を回収する(ステップS56)。
OFFFlogic1)と第2のON/OFF論理の論理ON
/OFFFlogic2の論理積(AND)をとり(ステップ
S57)、“1”であればスイッチング素子としてFE
Tを含む励磁コイルドライバ12(図1)を駆動して励
磁コイル21(図1)を駆動(ON)し(ステップS5
8)、励磁コイルON中をカウンタで加算する(ステッ
プS59)。
ば、第2のON/OFF論理用PWM内部出力(1)O
Nデューティレイトが下限で且つ第2のON/OFF論
理の論理ON/OFFFlogic2が“1”であるか否かを
判定し(ステップS60)、肯定であれば励磁コイルド
ライバ12を駆動して励磁コイル21を駆動(ON)し
(ステップS61)、励磁コイルON中をカウンタで加
算する(ステップS62)し、否定であれば励磁コイル
ドライバ12の駆動停止して励磁コイル21(図1)を
消勢(OFF)し(ステップS63)、励磁コイルOF
F中をカウンタで加算する(ステップS64)。
レイト(Dcoil)を演算し(ステップS65)、同期回
避サンプリング周波数(Tsamp)の値に基づいて次回の
割り込みタイミングを設定し(ステップS66)、タイ
マ割り込み処理を終了する。
4におけるそれぞれ電圧エッジ割り込み処理(1)およ
び(2)について、図9および図10を参照しながら説
明する。先ず、図9に示すステータ1相分の発生電圧に
関連した電圧エッジ割り込み処理(1)では、ステータ
1相発生電圧のローレベルからハイレベルへのエッジを
カウンタで加算してカウント値(PPcounter)とし
(ステップS71)、ステータ1相発生電圧をサンプリ
ングしてこれをVP(VALUE8)とし(ステップS
72)、電圧エッジ割り込み処理(1)を終了する。
電圧エッジ割り込み処理(2)では、外部パルスハイレ
ベル時の電圧をサンプリングしてこれをVBothers1と
し(ステップS81)、外部パルスのONデューティレ
イト(Gduty)を計測し(ステップS82)、外部パル
スのローレベルからハイレベルへのエッジをカウンタで
加算してカウント値(GPcounter)とし(ステップS
83)、電圧エッジ割り込み処理(2)を終了する。
ータを制御して発生電圧を目標電圧にフィードバック制
御する場合、その制御装置がオルタネータの発電特性や
電磁仕様に基づくパラメータや方程式を必要としない。
つまりオルタネータの発電特性や電磁仕様の変化で制御
装置のパラメータや方程式の変更を必要としない。ま
た、オルタネータの発電特性や電磁仕様に基づく方程式
で励磁電流を算出したり、それをON/OFFデューテ
ィー比換算したりする必要なくして電圧制御を行うこと
が出来る。つまりあらゆる電磁仕様のオルタネータで汎
用性があるということである。
が安定的なPWMによって決定する第2のON/OFF
論理が、目標電圧と発電電圧との大小関係だけで決定
し、ONデューティーレイトも論理周期も不安定な第1
のON/OFF論理のONデューティレイトと周波数を
誘導・抑制するので、最終制御段となる励磁コイルへの
電圧印加のON/OFF論理のONデューティーレイト
および論理周波数が結果的に所定周波数範囲で安定して
いることを両立している。
/OFFの周波数の安定性は、励磁コイル電流の安定性
であり、つまりオルタネータの発電電圧の安定性であ
る。励磁コイルへの電圧印加のON/OFFの周波数が
大きく変動(高くなったり低くなったり)すると、低す
ぎるとき励磁コイル電流の変動が大きいためオルタネー
タの発電電圧が不安定になって例えばヘッドランプやル
ームランプやインパネランプの明暗を引き起こすうえ、
オルタネータは車両負荷の電力供給源であるために、そ
の電圧の不安定が他の電子制御ユニットにとって好まし
くない場合も多く、高すぎる時つまり励磁コイルへの電
圧印加を決定付けるレギュレータの半導体スイッチのO
N/OFFスイッチ周期が高く、そのスイッチに連動し
て発生するスイッチングサージが場合によっては他の電
子部品に対して好ましくない周波数に至ったり、場合に
よってはラジオ周波数エリアに至っていわゆるラジオノ
イズが発生したりする。
印加のON/OFFの周波数は高すぎても低すぎてもだ
めであり、多数の電子ユニットを搭載する近代の自動車
の電力源となるオルタネータのレギュレータで、それら
を満たせないことはもはや論外で、そもそも従来ディジ
タルレギュレータもその裏の目的には、励磁コイルへの
電圧印加のON/OFFの周波数を所定周波数で固定的
にしたいがために、予めONデューティレイトと周波数
を決定しようとしているのであって、それがもたらす効
果の大きさゆえ汎用性を欠いてしまうことをトレードオ
フとすることを受け止めている。従って、本実施の形態
により、汎用性との両立を達成する一つの性能である励
磁コイルへの電圧印加のON/OFFの周波数の所定周
波数範囲での安定性を向上させることが出来る。
との大小関係の比較で得る大小の論理は、発電電圧が目
標電圧に近似している状況下では論理反転が高周波とな
る。つまり、比較のたびに論理が反転するようなことに
なり得る。そこで一旦決定した論理がすぐ反転しないよ
うに目標電圧にヒステリシス補正を施すが、本実施の形
態では、そのヒステリシス補正量がオルタネータ回転数
とオルタネータ出力強度に基づいて好適に変更されるの
で、そのヒステリシス補正をオルタネータのあらゆる運
転状況で達成できる。
て回転数に対する出力効率が変わってしまう場合でも、
結果的な大小論理の反転周波数に基づいてヒステリシス
補正量がフィードバック変更される(現在の補正量が結
果的に大小論理周波数を低すぎることにしてしまって
も、その結果を反映して補正量を小さくしたり、逆に高
すぎることになってしまっても補正量を大きくしたりす
る)方法が準備されているので、オルタネータの電磁仕
様にとらわれることなくヒステリシス補正を行うことが
出来る。
圧とオルタネータの発電電圧との大小関係の比較で得る
大小の論理周波数の好適な安定化を達成できるが、も
し、より精度の高い発電電圧での制御が求められた場合
に(従来精度に比べれば本発明のヒステリシス補正だけ
で既に満足レベル)、ヒステリシス補正量には拡大の方
向で限界がある。つまり、目標電圧のヒステリシス補正
量の拡大はそのまま発電電圧の振れ幅として現れるとい
うことである。本実施の形態では、ヒステリシス補正と
は別に、同じ効果を果たす論理反転抑制手段が準備され
ている。つまり、各論理で別々に論理継続カウンタがあ
ってカウンタが満たされないことには論理反転できない
ように抑制してある。
の論理とで異なり、特に励磁コイルへの電圧印加がOF
Fにするべき側の論理には抑制強度が弱くしてある。こ
れは、急な負荷遮断に対する応答性はよくするためであ
る。また、ヒステリシス補正量のフィードバック修正と
同じようなフィードバック修正を備えており、異なる点
は、そこにも前記応答性をよくする考慮がされていて、
励磁コイルへの電圧印加がONにするべき側の抑制強度
だけが強弱されるようになってあることである。ヒステ
リシス補正と同じく、オルタネータの電磁仕様にとらわ
れることなく目的を達成できる。
第2のON/OFF論理の周波数に近づけることにあわ
せて、同時に第2のON/OFF論理の周波数も第1の
ON/OFF論理」の周波数に近づけさせる(ねらいの
励磁コイルON/OFF周波数の範囲で)ことによっ
て、ヒステリシス補正の負担を軽減させることができる
ウェアによるフィルタを備えることによって、サンプリ
ングするその前に大容量のコンデンサを備えたり、微分
や積分の複雑なフィルタ回路を構成したりすることを廃
することを達成している。また、ソフトウェアフィルタ
もオルタネータの出力強度や回転数によって最適にフィ
ルタ強度が調整されるので、フィードバック制御が前記
従来ディジタルレギュレータのようにやみくもに遅くな
ったりはしないことを達成している。(リプル上下幅は
オルタネータの出力強度に依存する、またリプル周波数
はオルタネータ回転数に依存する、から出力強度と回転
数でフィルタ強度を調整する。当然、リプルが小さいと
きはフィルタも弱くていいし、リプルが大きく且つ周波
数が小さいとき特にフィルタが強い方がいい。)つまり
従来でいう大容量コンデンサの容量がその時々のリプル
にあわせて変化するようなことになっている。
ると、いくらソフトウェアフィルタが優れていてもオル
タネータの実効発電電圧を得ることは不可能となり、リ
プルの頂点で同期すると発電電圧が高すぎるとフィード
バックされて制御電圧がリプルの高さ分で低下し、リプ
ルとリプルの谷部で同期すると逆に制御電圧がリプルの
低さ分で上昇するが、本実施の形態では、オルタネータ
回転数に基づいて、リプル周波数に同期しないようなサ
ンプリング周波数を演算またはテーブル検索することに
よって適時変更していくことで、この問題を解決してい
る。
するべく工夫のサンプリング手段も準備されている。つ
まり1つのリプルの発生タイミングを捕らえることによ
って、継続的にサンプリングする必要がなくなり(フィ
ードバックの応答性に悪影響のない程度ではある)、そ
の後のリプル形状を予測して最小限のサンプリング回数
で実効発電電圧を推定できるので、マイクロコンピュー
タのプログラム進行上においてもサンプリング処理の密
度が減ってプログラムの開発を容易とするし、動作クロ
ックも落とせることからマイコンや振動子の低コスト化
にも貢献する可能性もある。1つのリプルの発生タイミ
ングはオルタネータのステータ1相分の電圧波形の発生
タイミングに基づいて捕らえられることに着目してい
る。
する電圧制御装置はどうしても、出力電流が増えれば増
えるほど充電線ドロップで、バッテリ端子での電圧が下
がってしまい、バッテリの受け入れ電圧に対してズレが
生じる(B検出電圧制御装置の欠点)。本実施の形態で
は、これを補正して、いわゆるS検出レギュレータ相当
の性能を達成できる。外部信号入力端子電圧とは、オル
タネータの端子電圧以外のバッテリ電圧に関連する電圧
を抽出できる信号線であればなんでも参考になる。専用
に準備されたものでなくてよい。通信線でも警報ランプ
ドライブ線でもよい。
るに、よく励磁コイルへの電圧印加のONデューティー
レイト」が用いられるが、励磁コイルへの印加電圧はオ
ルタネータの発電電圧であって、発電電圧は温度特性や
外部要因などで変化するので、ONデューティーレイト
だけでは推定の精度は良とは言えない問題があったが、
本実施の形態では、これを励磁コイルへの実効印加電圧
に換算して解釈することによって精度が向上する。
クを推定するために、励磁コイルの電圧印加のON/O
FFスイッチ波形を入力する場合があるが、しかし、励
磁コイルの電圧印加のON/OFF波形が周波数もON
デューティも安定していない電圧制御装置の場合、EC
UがONデューティーレイトをデジタル認識するには難
儀となる。せめて周波数は上限が制限されておかない
と、ON/OFFセットの時間(周期)を計測するにも
それがいつ終わるのかわからないのでECUの計測タイ
マがオーバーフローしたりする。本実施の形態では、す
でに周波数とONデューティーを安定化してPWM出力
しているので、ECUによるデジタル認識は容易となり
ハードウェアとソフトウェアの開発を容易とすることが
できる。また、その周波数を同一製品でスタンダード化
すれば認識上の互換性を得ることができる。
タネータ励磁コイルへの電圧印加ONデューティーレイ
トを得たとしても、実は励磁コイルに印加される電圧は
オルタネータの発電電圧であって、発電電圧はレギュレ
ータ温度に依存しているため、ONデューティだけで駆
動トルクを推定しようとするとズレが生じる。
ーティーを、励磁コイルへの印加電圧に換算した結果に
依存したPWM出力をするので、ECUはその時点の制
御電圧に関係なくより好適なオルタネータの駆動トルク
の推定が可能になる。ここでも同じく、電圧制御装置が
すでに周波数と換算印加電圧を示すONデューティーを
安定化してPWM出力しているので、ECUによるデジ
タル認識は容易となりハードウェアとソフトウェアの開
発を容易とすることができる。また、その周波数を同一
製品でスタンダード化すれば認識上の互換性を得ること
ができる。
るために、励磁コイルへの電圧印加のONデューティー
や励磁コイルへの換算印加電圧を使うのは、実は励磁コ
イル電流を得ようとしている。励磁コイルへの換算印加
電圧は従来例から比べるとよりよいが、実は励磁コイル
の抵抗成分が温度依存があるために、換算印加電圧を得
たとしても励磁コイル電流の推定にはズレがある。
れている電流に依存したPWM出力をするので、もはや
ECUがオルタネータの駆動トルクを推定するにズレは
ほとんど生じなくなる。ここでも同じく、電圧制御装置
がすでに周波数と励磁電流を示すONデューティーを安
定化してPWM出力しているので、ECUによるデジタ
ル認識は容易となりハードウェアとソフトウェアの開発
を容易とすることができる。また、その周波数を同一製
品でスタンダード化すれば認識上の互換性を得ることが
できる。
タネータ回転数に依存し、またその係数はオルタネータ
出力クラスや電磁仕様によって変化するので、ECUは
オルタネータ毎に駆動トルクの解釈を変更する必要があ
った。本実施の形態では、とくにオルタネータ駆動トル
クの絶対値を示すPWM出力とした場合、まさにECU
はテーブルの変更なしにオルタネータの駆動トルクを、
オルタネータ出力クラスや電磁仕様に関係なく(スタン
ダード化されていれば製造メーカーにも関係なく)認識
することができ、もはや誤差もズレもない。さらにここ
でも同じく、レギュレータがすでに周波数と励磁電流を
示すONデューティーを安定化してPWM出力している
ので、ECUによるデジタル認識は容易となりハードウ
ェアとソフトウェアの開発を容易とすることができる。
また、その周波数を同一製品でスタンダード化すれば認
識上の互換性を得ることができる。
WM出力の周波数とONデューティーレイトまたはON
時間だけを監視するだけで、オルタネータ駆動トルクに
関する情報とレギュレータの診断情報を同時に取得する
ことができる。
入力するとしたら2つの情報即ち周波数とONデューテ
ィーを抽出できる。例えば、周波数は目標電圧の外部ユ
ニット指示を表わし、ONデューティーは外部ユニット
が認識するバッテリ電圧(オルタネータがB検出による
電圧制御の場合、オルタネータ以外の抽出点のバッテリ
電圧情報は非常に有効に使える。)を表わしたりでき
る。外部パルスに乗せる情報は、この2つに限らなくて
もその他オルタネータの発電制御に有効な情報であれば
なんでもよい。また、1つの情報でよければ、外部ユニ
ットはONデューティをわざわざ構成しなくてもよい。
するとワンショットパルスでいいので、外部ユニットも
楽になるし、レギュレータも楽になる。また、ワンショ
ットパルスであれば従来のアナログレギュレータであっ
てもFV変換で認識可能である。
置の場合、なにをトリガに電源起動して、なにをトリガ
に電源遮断するかを考えなくてはならない。通常従来で
は、イグニッション電源や、警報ランプ電源などの、ド
ライバのキーオン・オフに関連する信号線を電源起動と
電源遮断に利用していたので問題なかったが、それらが
ない場合、新しいトリガを抽出する必要がある。本実施
の形態では、外部ユニットとの通信線の論理反転を起動
トリガ利用している。通信線とは外部パルス信号も含む
し、複雑なディジタル通信線(SCI、LAN、CAN
…)でもいい。
断には使わない方が懸命である。起動中の通信線断線は
ありえる話で、通信線が断線したごときでオルタネータ
が発電停止することはフェールセーフにおいて好ましく
ない。だから、本実施の形態では、電源遮断は別の方
法、つまりオルタネータが初期励磁状態を所定時間に渡
って継続したとき、または継続かつオルタネータ回転数
がゼロであることを判定したときに実行する。
の発生電圧を励磁コイルに対する印加電圧のON/OF
Fによって所定値に制御するオルタネータの電圧制御装
置において、目標電圧とオルタネータの発電電圧との比
較で得た大小の論理を第1のON/OFF論理として出
力する第1の論理出力手段と該第1のON/OFF論理
に基づいてONデューティーレイトが励磁コイル時定数
を考慮した増減量で増減するPWM内部出力の論理を第
2のON/OFF論理として出力する第2の論理出力手
段とを備え、上記第1および第2のON/OFF論理の
論理処理結果を上記励磁コイルへの電圧印加のON/O
FF論理とするので、オルタネータを制御して発生電圧
を目標電圧にフィードバック制御する場合に、オルタネ
ータの発電特性や電磁仕様に基づくパラメータや方程式
を必要とせず、また、励磁コイルへの電圧印加のON/
OFF論理のONデューティーレイトおよび論理周波数
を結所定周波数範囲で安定させて両者を両立させること
ができるという効果がある。
電圧は、上記オルタネータの発電電圧との大小関係の比
較で得る大小の論理を保持する方向でヒステリシス補正
が施され、該ヒステリシス補正量がオルタネータ回転数
やオルタネータ出力強度に関係するパラメータに基づい
て変化し、また上記第1のON/OFF論理の反転周期
に基づいてフィードバック変更するので、一旦決定した
論理がすぐ反転しないように目標電圧にヒステリシス補
正を施すことがオルタネータのあらゆる運転状況に応じ
て可能になるという効果がある。
の論理出力手段に対して上記第1のON/OFF論理の
論理が反転しにくくする論理反転抑制手段を設け、ON
論理→OFF論理およびOFF論理→ON論理でその抑
制強度が異なり、該抑制強度は上記第1のON/OFF
論理の結果的論理周期に基づいてフィードバック変更さ
れるので、一旦決定した論理がすぐ反転しないように目
標電圧にヒステリシス補正を施すことがオルタネータの
あらゆる運転状況に応じて可能になるという効果があ
る。
のON/OFF論理となるPWM内部出力の論理周期
は、オルタネータ回転数やオルタネータ出力強度に関係
するパラメータに基づく演算やテーブル検索によって変
更され、または上記第1のON/OFF論理の周期に基
づいて変更されるので、第1のON/OFF論理の周波
数を確実に設定できるという効果がある。
ングして得たオルタネータの発電電圧を標本値として過
去数回に渡って記憶する記憶手段と、その都度最新の標
本値と以前数回分の過去の標本値に基づいて移動平均演
算して現在の発電電圧として解釈する演算手段とを備
え、上記以前数回分の過去標本値の参照個数がオルタネ
ータ回転数やオルタネータ出力強度に基づいて変更さ
れ、上記移動平均演算のために参照される標本の個数は
2の乗数倍の個数であり、該参照する標本の総和を2進
数解釈して参照個数回の右方向ビットシフトだけで区間
平均値を得るので、微分や積分の複雑なフィルタ回路を
用いることなく、実質的にソフトウェアフィルタのより
区間平均値が得られ、また、このソフトウェアフィルタ
もオルタネータの出力強度や回転数によって最適にフィ
ルタ強度が調整されるので、フィードバック制御が従来
に比し高速になるという効果がある。
タネータの発電電圧は、サンプリング周期が変更される
サンプリングで標本化されるので、オルタネータの実効
発電電圧を確実に得ることができるという効果がある。
プリング周期は、オルタネータ回転数に基づいて演算ま
たはテーブル検索されるので、オルタネータの実効発電
電圧を確実に得るのに寄与できるという効果がある。
プリングは、上記オルタネータのステータ1相分の電圧
波形の発生タイミングをトリガに開始され、開始してか
ら所定時間の間だけ所定周期で断続的に実施され、該所
定時間および所定周期は前回までの上記トリガ間隔に基
づいて演算またはテーブル検索されるので、マイコンの
プログラム進行上においてもサンプリング処理の密度が
減ってプログラムの開発を容易とし、また、動作クロッ
クも落とせることからマイコンや振動子の低廉化に寄与
できるという効果がある。
タネータ回転数を、上記オルタネータのステータ1相分
の電圧波形のLow→Highへの転移エッジの時間間
隔に基づいて演算する演算手段を備えたので、FV変換
などしてオルタネータ回転数を解釈する必要がなくなる
という効果がある。
標電圧は、オルタネータ回転数やオルタネータ出力強度
に関係するパラメータに基づく演算やテーブル検索によ
って導かれる量でシフトされ、またはオルタネータ出力
端子電圧と外部信号入力端子電圧や外部ユニットからの
バッテリ電圧を示す情報との偏差に基づいて定期的に補
正されるので、バッテリ端子での電圧の低下がなくな
り、バッテリ電圧の安定化を図ることができるという効
果がある。
2のON/OFF論理となるPWM内部出力のONデュ
ーティーレイトの増減には、上記励磁コイルの時定数を
考慮した時間当たり増減量の抑制が施され、該時間当た
り増加量の抑制強度は上記励磁コイルの時定数に比べて
より強く設定され且つオルタネータ回転数に基づいて変
更または禁止され、該時間当たり増減量の抑制はオルタ
ネータの特殊な発電モードに基づいて増減禁止または抑
制解除され、オルタネータ回転数やユニット温度に基づ
いてONデューティーレイトに上限および下限が設定さ
れるので、第2のON/OFF論理のONデューティー
のハンチングを無くし、増加の抑制によりいわゆるLR
C機能を達成させ、上限の設定により電磁音抑制や駆動
トルク抑制が可能となり、また、下限の設定によりフロ
ーティング制御が可能になるという効果がある。
磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理は、上記オル
タネータのステータ1相分の電圧波形のピーク電圧また
は平均電圧に基づいて、上記第1および第2のON/O
FF論理の論理処理結果に関係なく強制的に論理ONに
するので、バッテリー電圧の方がオルタネータ目標電圧
より高いような状況で、オルタネータが発電しなくても
いいような状況下でもある程度は発電するようにするい
わゆるフローティング制御が可能になるという効果があ
る。
1のON/OFF論理の1つの論理周期中のON論理レ
イトと上記第2のON/OFF論理の1つの論理周期中
のON論理レイトとの積算値、または上記励磁コイルへ
の電圧印加のON/OFF論理の時間当たりON論理レ
イトを該励磁コイルへの電圧印加のONデューティーレ
イトとして解釈するので、励磁コイルへの電圧印加のO
Nデューティーレイトを容易に認識できるとい効果があ
る。
磁コイルへの電圧印加のONデューティーレイトと、そ
の時のオルタネータ発電電圧に基づいて該励磁コイルへ
の実効印加電圧を演算する演算手段を備えたので、オル
タネータの出力強度や駆動トルク強度を推定する精度を
向上するのに寄与できるという効果ある。
ルタネータの出力強度や上記オルタネータの駆動トルク
強度を、オルタネータ出力端子に発生する電圧リプルの
上下幅や電圧高をパラメータとした演算やテーブル検索
によって推定し、または充電線の電圧降下により発生す
るオルタネータ出力端子電圧と外部信号入力端子電圧と
の電圧偏差をパラメータとした演算やテーブル検索によ
って推定し、または上記励磁コイルへの電圧印加のON
デューティーレイトや上記励磁コイルへの換算印加電圧
とオルタネータ回転数とをパラメータとした演算やテー
ブル検索によって推定するので、外部ユニットによるデ
ジタル認識は容易となり、ハードウェアとソフトウェア
の開発を容易とすることができ、また、その周波数を同
一製品でスタンダード化すれば認識上の互換性を得るこ
とができるという効果がある。
磁コイルへの電圧印加のONデューティーレイト、上記
励磁コイルへの実効印加電圧、上記オルタネータの出力
強度や上記オルタネータの駆動トルク強度、または上記
励磁コイルの励磁電流そのもの、の率や絶対値に依存す
るONデューティーレイトを示すPWM出力手段を備え
たので、外部ユニットによるデジタル認識は容易とな
り、ハードウェアとソフトウェアの開発を容易とするこ
とができ、また、その周波数を同一製品でスタンダード
化すれば認識上の互換性を得ることができるという効果
がある。
WM出力手段の出力は所定の基本周波数を含み、該周波
数が電圧制御装置の自己診断情報に基づいて変化し、該
周波数が変わっても上記基本周波数の時に示していたO
Nデューティーレイトは変わらないか、または該周波数
が変わっても上記基本周波数の時に示していたONデュ
ーティーレイトに基づくON時間は変わらないので、P
WM出力の周波数とONデューティーレイトまたはON
時間だけを監視するだけで、オルタネータ駆動トルクに
関する情報と電圧制御装置の診断情報を同時に取得する
ことができるという効果がある。
ニットからのパルス信号の周波数または該周波数とデュ
ーティーに基づいてバッテリ電圧に関連する電圧および
目標電圧の上記外部ユニット指示を認識するためのイン
タフェースを備えたので、オルタネータの目標電圧を外
部ユニットで変更でき、また、バッテリ電圧と目標電圧
を外部ユニットで指示できるという効果がある。
御装置の電源遮断を、上記オルタネータが初期励磁状態
を所定時間に渡って継続したとき、または継続かつオル
タネータ回転数がゼロであることを判定したときに実行
するので、電圧制御装置の電源遮断に専用のトリガ手段
を設ける必要が無くなるという効果がある。
制御装置の電源起動を、外部ユニットと接続する情報通
信線の論理反転をトリガにして実行するので、電圧制御
装置の電源起動に専用のトリガ手段を設ける必要が無く
なるという効果がある。
る。
図である。
図である。
図である。
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
ためのフローチャートである。
U、 5 バッテリ、10 マイクロプロセッサ、 1
2 励磁コイルドライバ、 21 励磁コイル。
Claims (20)
- 【請求項1】 オルタネータの発生電圧を励磁コイルに
対する印加電圧のON/OFFによって所定値に制御す
るオルタネータの電圧制御装置において、 目標電圧とオルタネータの発電電圧との比較で得た大小
の論理を第1のON/OFF論理として出力する第1の
論理出力手段と該第1のON/OFF論理に基づいてO
Nデューティーレイトが励磁コイル時定数を考慮した増
減量で増減するPWM内部出力の論理を第2のON/O
FF論理として出力する第2の論理出力手段とを備え、
上記第1および第2のON/OFF論理の論理処理結果
を上記励磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理とす
ることを特徴とするオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項2】 上記目標電圧は、上記オルタネータの発
電電圧との大小関係の比較で得る大小の論理を保持する
方向でヒステリシス補正が施され、該ヒステリシス補正
量がオルタネータ回転数やオルタネータ出力強度に関係
するパラメータに基づいて変化し、また上記第1のON
/OFF論理の反転周期に基づいてフィードバック変更
することを特徴とする請求項1記載のオルタネータの電
圧制御装置。 - 【請求項3】 上記第1の論理出力手段に対して上記第
1のON/OFF論理の論理が反転しにくくする論理反
転抑制手段を設け、ON論理→OFF論理およびOFF
論理→ON論理でその抑制強度が異なり、該抑制強度は
上記第1のON/OFF論理の結果的論理周期に基づい
てフィードバック変更されることを特徴とする請求項1
記載のオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項4】 上記第2のON/OFF論理となるPW
M内部出力の論理周期は、オルタネータ回転数やオルタ
ネータ出力強度に関係するパラメータに基づく演算やテ
ーブル検索によって変更され、または上記第1のON/
OFF論理の周期に基づいて変更されることを特徴とす
る請求項1記載のオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項5】 サンプルングして得たオルタネータの発
電電圧を標本値として過去数回に渡って記憶する記憶手
段と、その都度最新の標本値と以前数回分の過去の標本
値に基づいて移動平均演算して現在の発電電圧として解
釈する演算手段とを備え、上記以前数回分の過去標本値
の参照個数がオルタネータ回転数やオルタネータ出力強
度に基づいて変更され、上記移動平均演算のために参照
される標本の個数は2の乗数倍の個数であり、該参照す
る標本の総和を2進数解釈して参照個数回の右方向ビッ
トシフトだけで区間平均値を得ることを特徴とする請求
項1記載のオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項6】 上記オルタネータの発電電圧は、サンプ
リング周期が変更されるサンプリングで標本化されるこ
とを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のオルタ
ネータの電圧制御装置。 - 【請求項7】 上記サンプリング周期は、オルタネータ
回転数に基づいて演算またはテーブル検索されることを
特徴とする請求項6記載のオルタネータの電圧制御装
置。 - 【請求項8】 上記サンプリングは、上記オルタネータ
のステータ1相分の電圧波形の発生タイミングをトリガ
に開始され、開始してから所定時間の間だけ所定周期で
断続的に実施され、該所定時間および所定周期は前回ま
での上記トリガ間隔に基づいて演算またはテーブル検索
されることを特徴とする請求項6記載のオルタネータの
電圧制御装置。 - 【請求項9】 上記オルタネータ回転数を、上記オルタ
ネータのステータ1相分の電圧波形のLow→High
への転移エッジの時間間隔に基づいて演算する演算手段
を備えたことを特徴とする請求項2〜8のいずれかに記
載のオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項10】上記目標電圧は、オルタネータ回転数や
オルタネータ出力強度に関係するパラメータに基づく演
算やテーブル検索によって導かれる量でシフトされ、ま
たはオルタネータ出力端子電圧と外部信号入力端子電圧
や外部ユニットからのバッテリ電圧を示す情報との偏差
に基づいて定期的に補正されることを特徴とする請求項
1〜9のいずれかに記載のオルタネータの電圧制御装
置。 - 【請求項11】 上記第2のON/OFF論理となるP
WM内部出力のONデューティーレイトの増減には、上
記励磁コイルの時定数を考慮した時間当たり増減量の抑
制が施され、該時間当たり増加量の抑制強度は上記励磁
コイルの時定数に比べてより強く設定され且つオルタネ
ータ回転数に基づいて変更または禁止され、該時間当た
り増減量の抑制はオルタネータの特殊な発電モードに基
づいて増減禁止または抑制解除され、オルタネータ回転
数やユニット温度に基づいてONデューティーレイトに
上限および下限が設定されることを特徴とする請求項1
記載のオルタネータの電圧制御装置。 - 【請求項12】 上記励磁コイルへの電圧印加のON/
OFF論理は、上記オルタネータのステータ1相分の電
圧波形のピーク電圧または平均電圧に基づいて、上記第
1および第2のON/OFF論理の論理処理結果に関係
なく強制的に論理ONにすることを特徴とする請求項1
〜11のいずれかに記載のオルタネータの電圧制御装
置。 - 【請求項13】 上記第1のON/OFF論理の1つの
論理周期中のON論理レイトと上記第2のON/OFF
論理の1つの論理周期中のON論理レイトとの積算値、
または上記励磁コイルへの電圧印加のON/OFF論理
の時間当たりON論理レイトを該励磁コイルへの電圧印
加のONデューティーレイトとして解釈することを特徴
とする請求項1〜12のいずれかに記載のオルタネータ
の電圧制御装置。 - 【請求項14】 上記励磁コイルへの電圧印加のONデ
ューティーレイトと、その時のオルタネータ発電電圧に
基づいて該励磁コイルへの実効印加電圧を演算する演算
手段を備えたことを特徴とする請求項13記載のオルタ
ネータの電圧制御装置。 - 【請求項15】 上記オルタネータの出力強度や上記オ
ルタネータの駆動トルク強度を、オルタネータ出力端子
に発生する電圧リプルの上下幅や電圧高をパラメータと
した演算やテーブル検索によって推定し、または充電線
の電圧降下により発生するオルタネータ出力端子電圧と
外部信号入力端子電圧との電圧偏差をパラメータとした
演算やテーブル検索によって推定し、または上記励磁コ
イルへの電圧印加のONデューティーレイトや上記励磁
コイルへの換算印加電圧とオルタネータ回転数とをパラ
メータとした演算やテーブル検索によって推定すること
を特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載のオルタ
ネータの電圧制御装置。 - 【請求項16】 上記励磁コイルへの電圧印加のONデ
ューティーレイト、上記励磁コイルへの実効印加電圧、
上記オルタネータの出力強度や上記オルタネータの駆動
トルク強度、または上記励磁コイルの励磁電流そのも
の、の率や絶対値に依存するONデューティーレイトを
示すPWM出力手段を備えたことを特徴とする請求項1
〜15のいずれかに記載のオルタネータの電圧制御装
置。 - 【請求項17】 上記PWM出力手段の出力は所定の基
本周波数を含み、該周波数が電圧制御装置の自己診断情
報に基づいて変化し、該周波数が変わっても上記基本周
波数の時に示していたONデューティーレイトは変わら
ないか、または該周波数が変わっても上記基本周波数の
時に示していたONデューティーレイトに基づくON時
間は変わらないことを特徴とする請求項16記載のオル
タネータの電圧制御装置。 - 【請求項18】 外部ユニットからのパルス信号の周波
数または該周波数とデューティーに基づいてバッテリ電
圧に関連する電圧および目標電圧の上記外部ユニット指
示を認識するためのインタフェースを備えたことを特徴
とする請求項1〜17のいずれかに記載のオルタネータ
の電圧制御装置。 - 【請求項19】 電圧制御装置の電源遮断を、上記オル
タネータが初期励磁状態を所定時間に渡って継続したと
き、または継続かつオルタネータ回転数がゼロであるこ
とを判定したときに実行することを特徴とする請求項1
〜18のいずれかに記載のオルタネータの電圧制御装
置。 - 【請求項20】 電圧制御装置の電源起動を、外部ユニ
ットと接続する情報通信線の論理反転をトリガにして実
行することを特徴とする請求項1〜19のいずれかに記
載のオルタネータの電圧制御装置。
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