JP2001345248A - 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - Google Patents
露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法Info
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- JP2001345248A JP2001345248A JP2000163845A JP2000163845A JP2001345248A JP 2001345248 A JP2001345248 A JP 2001345248A JP 2000163845 A JP2000163845 A JP 2000163845A JP 2000163845 A JP2000163845 A JP 2000163845A JP 2001345248 A JP2001345248 A JP 2001345248A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 部分パージされた露光装置において、投影光
学系の端面のようなパージ空間同士の端面の変形量を小
さくする。 【解決手段】 レーザ光源から発光した露光光により原
版のパターンを基板に露光するための露光装置におい
て、レーザ光源と基板の間の光路中に、露光光透過性の
境界部材を有する筐体で区切られた複数のパージ空間を
有し、各々のパージ空間内部が所定の圧力となるように
制御する圧力調節手段を有する。
学系の端面のようなパージ空間同士の端面の変形量を小
さくする。 【解決手段】 レーザ光源から発光した露光光により原
版のパターンを基板に露光するための露光装置におい
て、レーザ光源と基板の間の光路中に、露光光透過性の
境界部材を有する筐体で区切られた複数のパージ空間を
有し、各々のパージ空間内部が所定の圧力となるように
制御する圧力調節手段を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置並びに該
露光装置で半導体デバイスを製造するデバイス製造方
法、該露光装置を設置した半導体製造工場および該露光
装置の保守方法に関し、特に露光光軸が複数の空間に分
断され、これらが独立にパージされる露光装置に関す
る。
露光装置で半導体デバイスを製造するデバイス製造方
法、該露光装置を設置した半導体製造工場および該露光
装置の保守方法に関し、特に露光光軸が複数の空間に分
断され、これらが独立にパージされる露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体デバイスの製造において
は、露光装置に用いる露光光源の波長を短くする傾向が
著しい。波長を短くすることで露光する投影露光系の解
像度が上がり、より微細なパターンの露光が可能となる
からである。例えば、フッ素エキシマレーザは波長が１
５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められてい
る。しかしながら、このフッ素エキシマレーザによる露
光光は、Ｏ2 やＨ2 Ｏ雰囲気にて吸収されてしまうた
め、露光光の通過する空間を不活性気体でパージする必
要がある。
は、露光装置に用いる露光光源の波長を短くする傾向が
著しい。波長を短くすることで露光する投影露光系の解
像度が上がり、より微細なパターンの露光が可能となる
からである。例えば、フッ素エキシマレーザは波長が１
５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められてい
る。しかしながら、このフッ素エキシマレーザによる露
光光は、Ｏ2 やＨ2 Ｏ雰囲気にて吸収されてしまうた
め、露光光の通過する空間を不活性気体でパージする必
要がある。
【０００３】したがって、露光機全体を密閉性の高いチ
ャンバー内に設置する方式や、幾つかに分割してパージ
する方式等が採用される。
ャンバー内に設置する方式や、幾つかに分割してパージ
する方式等が採用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分割し
てパージする方式を採用する場合、各部分ごとに独立に
制御することになるため、各々の部分間に圧力差が生
じ、これが各部分の境界の変形に繋がるという問題点が
あった。この境界領域は、露光光を透過する部材で構成
されるため、部材の微少な変形でも露光収差の劣化原因
となる。
てパージする方式を採用する場合、各部分ごとに独立に
制御することになるため、各々の部分間に圧力差が生
じ、これが各部分の境界の変形に繋がるという問題点が
あった。この境界領域は、露光光を透過する部材で構成
されるため、部材の微少な変形でも露光収差の劣化原因
となる。
【０００５】本発明は、上記従来技術の課題を解決し、
部分パージされた露光装置において、投影光学系の端面
のようなパージ空間同士の端面の変形量を小さくするこ
とを目的とする。
部分パージされた露光装置において、投影光学系の端面
のようなパージ空間同士の端面の変形量を小さくするこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は第１の構成として、フッ素エキシマレーザ
光源等のレーザ光源から発光した露光光により原版のパ
ターンを基板に露光するための露光装置において、露光
光の光路の少なくとも一部を覆うため隣接して設けられ
た複数の筐体と、該隣接する筐体の境界に設けられた露
光光透過性の部材と、それぞれの該筐体内にパージガス
を供給するガス供給装置と、それぞれの該筐体内の圧力
を検出する圧力センサと、該圧力センサの出力に基づい
て、それぞれの該筐体内の圧力をそれぞれ所定の圧力に
なるように、該ガス供給装置を制御する制御装置とを有
することを特徴とする。また、本発明は第２の構成とし
て、フッ素エキシマレーザ光源等のレーザ光源から発光
した露光光により原版のパターンを基板に露光するため
の露光装置であって、露光光の光路の少なくとも一部を
覆うため隣接して設けられた複数の筐体と、該隣接する
筐体の境界に設けられた露光光透過性の部材と、それぞ
れの該筐体内にパージガスを供給するガス供給装置と、
該隣接する筐体内の圧力の差を検出する差圧センサと、
該差圧センサの出力に基づいて、それぞれの該筐体内の
圧力をそれぞれ所定の圧力になるように、該ガス供給装
置を制御する制御装置とを有することを特徴とする。
め、本発明は第１の構成として、フッ素エキシマレーザ
光源等のレーザ光源から発光した露光光により原版のパ
ターンを基板に露光するための露光装置において、露光
光の光路の少なくとも一部を覆うため隣接して設けられ
た複数の筐体と、該隣接する筐体の境界に設けられた露
光光透過性の部材と、それぞれの該筐体内にパージガス
を供給するガス供給装置と、それぞれの該筐体内の圧力
を検出する圧力センサと、該圧力センサの出力に基づい
て、それぞれの該筐体内の圧力をそれぞれ所定の圧力に
なるように、該ガス供給装置を制御する制御装置とを有
することを特徴とする。また、本発明は第２の構成とし
て、フッ素エキシマレーザ光源等のレーザ光源から発光
した露光光により原版のパターンを基板に露光するため
の露光装置であって、露光光の光路の少なくとも一部を
覆うため隣接して設けられた複数の筐体と、該隣接する
筐体の境界に設けられた露光光透過性の部材と、それぞ
れの該筐体内にパージガスを供給するガス供給装置と、
該隣接する筐体内の圧力の差を検出する差圧センサと、
該差圧センサの出力に基づいて、それぞれの該筐体内の
圧力をそれぞれ所定の圧力になるように、該ガス供給装
置を制御する制御装置とを有することを特徴とする。
【０００７】この圧力調節手段としては、各筐体に設け
られた圧力センサまたは複数の筐体間に（例えば隣接す
るパージ空間の隔壁に直接）設けられた差圧センサと、
各筐体への不活性気体の導入および各筐体内部の気体の
排気が可能な空調機とを有する構成が挙げられる。この
圧力センサまたは差圧センサによる計測値に応じて、パ
ージ空間内部が所定の圧力となるように、例えば不活性
気体の導入量と排気量の比を制御弁で調節して、空調機
を運転する。
られた圧力センサまたは複数の筐体間に（例えば隣接す
るパージ空間の隔壁に直接）設けられた差圧センサと、
各筐体への不活性気体の導入および各筐体内部の気体の
排気が可能な空調機とを有する構成が挙げられる。この
圧力センサまたは差圧センサによる計測値に応じて、パ
ージ空間内部が所定の圧力となるように、例えば不活性
気体の導入量と排気量の比を制御弁で調節して、空調機
を運転する。
【０００８】複数のパージ空間は、光学系部材を含む光
学系空間と駆動部材を含む駆動系空間に大別することが
できる。光学系空間としては、レーザ光源を装置内に導
光するための引き回し光学系空間、露光光を原版に照射
するための照明光学系空間、原版のパターンを基板に投
影するための投影光学系空間に分割することができ、駆
動系空間としては、原版を搭載する原版ステージを含む
原版ステージ空間、基板を搭載する基板ステージを含む
基板ステージ空間およびマスキングブレードを含むマス
キングブレード空間に分割することができる。このよう
に、露光空間を細かく分割することによって、パージ空
間を小さくできるので不活性気体の消費量を少なくする
ことができ、運用コストが大幅に低減できる。
学系空間と駆動部材を含む駆動系空間に大別することが
できる。光学系空間としては、レーザ光源を装置内に導
光するための引き回し光学系空間、露光光を原版に照射
するための照明光学系空間、原版のパターンを基板に投
影するための投影光学系空間に分割することができ、駆
動系空間としては、原版を搭載する原版ステージを含む
原版ステージ空間、基板を搭載する基板ステージを含む
基板ステージ空間およびマスキングブレードを含むマス
キングブレード空間に分割することができる。このよう
に、露光空間を細かく分割することによって、パージ空
間を小さくできるので不活性気体の消費量を少なくする
ことができ、運用コストが大幅に低減できる。
【０００９】不活性気体としてはレチクル、ウエハ等に
対して不活性なものであればよく、例えば、Ｎ2 、Ｈｅ
等が使用できる。特に、光学系空間をＨｅ雰囲気とし
て、駆動系空間をＮ2 雰囲気とする組み合わせが望まし
い。
対して不活性なものであればよく、例えば、Ｎ2 、Ｈｅ
等が使用できる。特に、光学系空間をＨｅ雰囲気とし
て、駆動系空間をＮ2 雰囲気とする組み合わせが望まし
い。
【００１０】通常、投影光学系空間の内部圧力は、大気
圧の変動に伴って変動しないように内圧が一定に維持さ
れるように制御される。したがって、各パージ空間の圧
力は、投影光学系空間の内部圧力を基準にして調節する
ことが望ましい。
圧の変動に伴って変動しないように内圧が一定に維持さ
れるように制御される。したがって、各パージ空間の圧
力は、投影光学系空間の内部圧力を基準にして調節する
ことが望ましい。
【００１１】また、投影光学系空間のように高い清浄度
が要求されるパージ空間は、他のパージ空間よりも微少
に高い圧力に維持することが望ましい。これは、清浄度
に敏感な空間を高い清浄度に保つのに有効である。しか
し、この場合でも、境界の部材が変形すると光学性能に
影響を与えてしまう恐れがあるため、隣接するパージ空
間の差圧が所定の範囲になるように制御する必要があ
る。
が要求されるパージ空間は、他のパージ空間よりも微少
に高い圧力に維持することが望ましい。これは、清浄度
に敏感な空間を高い清浄度に保つのに有効である。しか
し、この場合でも、境界の部材が変形すると光学性能に
影響を与えてしまう恐れがあるため、隣接するパージ空
間の差圧が所定の範囲になるように制御する必要があ
る。
【００１２】差圧範囲は、境界部材（光学系素子）の圧
力差に対する変形量とその変形量から求まる光学性能の
変化量に応じて定める。一例として、ある投影光学系の
境界部が熱さ３ｍｍの板厚の平板ＳｉＯ2 で構成される
とすれば、圧力差は０．０５〜５ｈＰａ程度、好ましく
は０．５ｈＰａ程度とすべきである。この０．５ｈＰａ
という値は、光学系の設計によっても異なるので、一該
には言えない。この例の場合、投影光学系（Ｐ）の圧力
に対する、ウエハステージ（Ｗ）、レチクルステージ
（Ｒ）、照明系（Ｓ）、引き回し光学系（Ｔ）、レーザ
（Ｌ）、マスキングブレード（ＭＢ）の各部の圧力は、
例えば以下のようにすればよい（単位はｈＰａ）。
力差に対する変形量とその変形量から求まる光学性能の
変化量に応じて定める。一例として、ある投影光学系の
境界部が熱さ３ｍｍの板厚の平板ＳｉＯ2 で構成される
とすれば、圧力差は０．０５〜５ｈＰａ程度、好ましく
は０．５ｈＰａ程度とすべきである。この０．５ｈＰａ
という値は、光学系の設計によっても異なるので、一該
には言えない。この例の場合、投影光学系（Ｐ）の圧力
に対する、ウエハステージ（Ｗ）、レチクルステージ
（Ｒ）、照明系（Ｓ）、引き回し光学系（Ｔ）、レーザ
（Ｌ）、マスキングブレード（ＭＢ）の各部の圧力は、
例えば以下のようにすればよい（単位はｈＰａ）。
【００１３】
【数１】
【００１４】さらに、本発明の露光装置に、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザが提供する保守データベースにアクセスするた
めのユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する
ことにより、外部ネットワークを介して該データベース
から情報を得ることを可能にする。
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザが提供する保守データベースにアクセスするた
めのユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する
ことにより、外部ネットワークを介して該データベース
から情報を得ることを可能にする。
【００１５】本発明のデバイス製造方法は、露光装置を
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザが提供するデータベースに外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の
保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うようにしてもよい。
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザが提供するデータベースに外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の
保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うようにしてもよい。
【００１６】本発明の半導体製造工場は、上記本発明の
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
【００１７】本発明の露光装置の保守方法は、露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
【００１８】
【実施例】［実施例１］図１は本発明に係るＦ2 エキシ
マレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断面
模式図である。同図において、１はパターンの描画され
たレチクル（原版）を搭載するレチクルステージ、２は
レチクル上のパターンをウエハ（基板）に投影する投影
光学系（鏡筒）、３はウエハを搭載しＸ、Ｙ、Ｚ、θお
よびチルト方向に駆動するウエハステージ、４は照明光
をレチクル上に照射するための照明光学系、５は光源か
らの露光光を照明光学系４に導光する引き回し光学系、
６は光源であるＦ2 レーザ部、７はレチクル上のパター
ン領域以外が照明されないように露光光を遮光するマス
キングブレード、８および９は各々レチクルステージ１
およびウエハステージ３周囲の露光光軸を覆う筐体、１
０は鏡筒２および照明光学系４の内部を所定のＨｅ雰囲
気に調節するＨｅ空調機、１１および１２は筐体８およ
び９各々の内部を所定のＮ2 雰囲気に調節するＮ2 空調
機、１３および１４はレチクルおよびウエハを各々筐体
８および９内に搬入する時に使用するレチクルロードロ
ックおよびウエハロードロック、１５および１６は各々
レチクルおよびウエハを搬送するためのレチクルハンド
およびウエハハンド、１７はレチクルの位置調節に用い
るレチクルアライメントマーク、１８は複数のレチクル
を筐体８内で保管するレチクル保管庫、１９はウエハの
プリアライメントを行うプリアライメント部である。Ｈ
ｅ空調機１０とＮ2 空調機１１および１２は、レチクル
やウエハに対して不活性な気体である不活性ガスを供給
するためのガス供給装置として機能している。
マレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断面
模式図である。同図において、１はパターンの描画され
たレチクル（原版）を搭載するレチクルステージ、２は
レチクル上のパターンをウエハ（基板）に投影する投影
光学系（鏡筒）、３はウエハを搭載しＸ、Ｙ、Ｚ、θお
よびチルト方向に駆動するウエハステージ、４は照明光
をレチクル上に照射するための照明光学系、５は光源か
らの露光光を照明光学系４に導光する引き回し光学系、
６は光源であるＦ2 レーザ部、７はレチクル上のパター
ン領域以外が照明されないように露光光を遮光するマス
キングブレード、８および９は各々レチクルステージ１
およびウエハステージ３周囲の露光光軸を覆う筐体、１
０は鏡筒２および照明光学系４の内部を所定のＨｅ雰囲
気に調節するＨｅ空調機、１１および１２は筐体８およ
び９各々の内部を所定のＮ2 雰囲気に調節するＮ2 空調
機、１３および１４はレチクルおよびウエハを各々筐体
８および９内に搬入する時に使用するレチクルロードロ
ックおよびウエハロードロック、１５および１６は各々
レチクルおよびウエハを搬送するためのレチクルハンド
およびウエハハンド、１７はレチクルの位置調節に用い
るレチクルアライメントマーク、１８は複数のレチクル
を筐体８内で保管するレチクル保管庫、１９はウエハの
プリアライメントを行うプリアライメント部である。Ｈ
ｅ空調機１０とＮ2 空調機１１および１２は、レチクル
やウエハに対して不活性な気体である不活性ガスを供給
するためのガス供給装置として機能している。
【００１９】図２は本実施例の露光装置において、各パ
ージ空間の圧力調節を説明するための断面模式図であ
る。同図において、２２ａは、Ｈｅ空調機１０から照明
光学系４内部の照明光学系空間２７にパージ気体として
のＨｅガスを供給するための給気管、２２ｂは、Ｎ 2 空
調機１１から筐体８で囲まれる原版ステージ空間２８に
パージ気体としてのＮ2 ガスを供給するための給気管、
２２ｃは、Ｈｅ空調機１０から投影光学系２内部の鏡筒
空間２９にパージ気体としてのＨｅガスを供給するため
の給気管、２２ｄは、ガス供給装置のＮ2 空調機１２か
ら筐体９で囲まれる基板ステージ空間３０にパージ気体
としてのＮ2 ガスを供給するための給気管である。２３
ａは逆にパージ気体を照明光学系空間２７からＨｅ空調
機１０へ排気するための排気管、２３ｂは、パージ気体
を原版ステージ空間２８からＮ2 空調機１１へ排気する
ための排気管、２３ｃは、パージ気体を鏡筒空間２９か
らＨｅ空調機１０へ排気するための排気管、２３ｄは、
パージ気体を基板ステージ空間３０からＮ2 空調機１２
へ排気するための排気管である。２４は隣接するパージ
空間同士の差圧を計測する微差圧計（差圧センサ）であ
り、２４ａは、照明光学系空間２７と原版ステージ空間
２８の差圧を、２４ｂは、原版ステージ空間２８と鏡筒
空間２９の差圧を、２４ｃは、鏡筒空間２９と基板ステ
ージ空間３０の差圧を、夫々測定する。各微差圧計は、
各隣接するパージ空間の隔壁に直接設けられている。２
５ａは、照明光学系空間２７の内部圧力を計測する圧力
計（圧力センサ）、２５ｂは、原版ステージ空間２８の
内部圧力を計測する圧力計、２５ｃは、鏡筒空間２９の
内部圧力を計測する圧力計、２５ｄは、基板ステージ空
間３０の内部圧力を計測する圧力計である。２６（２６
ａ〜２６ｃ）は厚さ３ｍｍのＳｉＯ2 平板（露光光透過
性の部材）であり、露光光の光路中に設けられて各筐体
の外壁が露光光を遮らないように構成されている。平板
２６の材質は、例えば、フッ化カルシウム（蛍石）やフ
ッ化マグネシウム等のフッ素化合物でもよい。なお、本
明細書中では、照明光学系空間２７および鏡筒空間２９
のような光学系部材を含む空間を光学系空間と称し、原
版ステージ空間２８、基板ステージ空間３０およびマス
キングブレード空間のような駆動部材を含む空間を駆動
系空間と称している。また、原版ステージ空間２８は、
レチクルステージ１を、基板ステージ空間３０は、ウエ
ハステージ３を、マスキングブレード空間は、マスキン
グブレード７を、それぞれ含む空間を意味している。
ージ空間の圧力調節を説明するための断面模式図であ
る。同図において、２２ａは、Ｈｅ空調機１０から照明
光学系４内部の照明光学系空間２７にパージ気体として
のＨｅガスを供給するための給気管、２２ｂは、Ｎ 2 空
調機１１から筐体８で囲まれる原版ステージ空間２８に
パージ気体としてのＮ2 ガスを供給するための給気管、
２２ｃは、Ｈｅ空調機１０から投影光学系２内部の鏡筒
空間２９にパージ気体としてのＨｅガスを供給するため
の給気管、２２ｄは、ガス供給装置のＮ2 空調機１２か
ら筐体９で囲まれる基板ステージ空間３０にパージ気体
としてのＮ2 ガスを供給するための給気管である。２３
ａは逆にパージ気体を照明光学系空間２７からＨｅ空調
機１０へ排気するための排気管、２３ｂは、パージ気体
を原版ステージ空間２８からＮ2 空調機１１へ排気する
ための排気管、２３ｃは、パージ気体を鏡筒空間２９か
らＨｅ空調機１０へ排気するための排気管、２３ｄは、
パージ気体を基板ステージ空間３０からＮ2 空調機１２
へ排気するための排気管である。２４は隣接するパージ
空間同士の差圧を計測する微差圧計（差圧センサ）であ
り、２４ａは、照明光学系空間２７と原版ステージ空間
２８の差圧を、２４ｂは、原版ステージ空間２８と鏡筒
空間２９の差圧を、２４ｃは、鏡筒空間２９と基板ステ
ージ空間３０の差圧を、夫々測定する。各微差圧計は、
各隣接するパージ空間の隔壁に直接設けられている。２
５ａは、照明光学系空間２７の内部圧力を計測する圧力
計（圧力センサ）、２５ｂは、原版ステージ空間２８の
内部圧力を計測する圧力計、２５ｃは、鏡筒空間２９の
内部圧力を計測する圧力計、２５ｄは、基板ステージ空
間３０の内部圧力を計測する圧力計である。２６（２６
ａ〜２６ｃ）は厚さ３ｍｍのＳｉＯ2 平板（露光光透過
性の部材）であり、露光光の光路中に設けられて各筐体
の外壁が露光光を遮らないように構成されている。平板
２６の材質は、例えば、フッ化カルシウム（蛍石）やフ
ッ化マグネシウム等のフッ素化合物でもよい。なお、本
明細書中では、照明光学系空間２７および鏡筒空間２９
のような光学系部材を含む空間を光学系空間と称し、原
版ステージ空間２８、基板ステージ空間３０およびマス
キングブレード空間のような駆動部材を含む空間を駆動
系空間と称している。また、原版ステージ空間２８は、
レチクルステージ１を、基板ステージ空間３０は、ウエ
ハステージ３を、マスキングブレード空間は、マスキン
グブレード７を、それぞれ含む空間を意味している。
【００２０】以下、図１および図２を用いて、本実施例
の各パージ空間の制御について説明する。本装置におい
て、鏡筒空間２９は大気圧により変動しないように一定
に維持されるように制御されている。鏡筒空間２９の制
御は圧力計２５ｃにより鏡筒２の内部圧力を計測し、こ
の計測値に基づいて不図示の制御弁でＨｅ空調機１０か
らの給気管２２ｃのＨｅ導入量と、排気管２３ｃの排気
量の比を調節することにより行う。制御弁は、各空調機
１０、１１および１２に設けられており、パージガスの
供給量と排気量の比を制御する機能を有し、各パージ空
間２７〜３０の圧力を調節する。このとき、各パージ空
間の内、高い清浄度が要求されるパージ空間は、隣接す
る他のパージ空間よりも高い圧力に維持される。この制
御弁の制御は不図示の制御装置により行っており、例え
ば、各圧力計２５ａ〜ｄの出力に基づいて、不図示の制
御装置が制御弁を制御する。
の各パージ空間の制御について説明する。本装置におい
て、鏡筒空間２９は大気圧により変動しないように一定
に維持されるように制御されている。鏡筒空間２９の制
御は圧力計２５ｃにより鏡筒２の内部圧力を計測し、こ
の計測値に基づいて不図示の制御弁でＨｅ空調機１０か
らの給気管２２ｃのＨｅ導入量と、排気管２３ｃの排気
量の比を調節することにより行う。制御弁は、各空調機
１０、１１および１２に設けられており、パージガスの
供給量と排気量の比を制御する機能を有し、各パージ空
間２７〜３０の圧力を調節する。このとき、各パージ空
間の内、高い清浄度が要求されるパージ空間は、隣接す
る他のパージ空間よりも高い圧力に維持される。この制
御弁の制御は不図示の制御装置により行っており、例え
ば、各圧力計２５ａ〜ｄの出力に基づいて、不図示の制
御装置が制御弁を制御する。
【００２１】原版ステージ空間２８は、鏡筒空間２９と
の隔壁に設けられた微差圧計２４ｂにより鏡筒空間２９
との差圧が所定の範囲内になるように、不図示の制御弁
で、Ｎ2 空調機１１からの給気管２２ｂのＮ2 導入量
と、排気管２３ｃの排気量の比を調節することにより内
部圧力が調節されている。基板ステージ空間３０も同様
であり、鏡筒空間２９との隔壁に設けられた微差圧計２
４ｃにより鏡筒空間２９との差圧が所定の範囲内になる
ように、不図示の制御弁でＮ2 空調機１２からの給気管
２２ｄのＮ2 導入量と、排気管２３ｄの排気量の比を調
節することにより内部圧力が調節されている。
の隔壁に設けられた微差圧計２４ｂにより鏡筒空間２９
との差圧が所定の範囲内になるように、不図示の制御弁
で、Ｎ2 空調機１１からの給気管２２ｂのＮ2 導入量
と、排気管２３ｃの排気量の比を調節することにより内
部圧力が調節されている。基板ステージ空間３０も同様
であり、鏡筒空間２９との隔壁に設けられた微差圧計２
４ｃにより鏡筒空間２９との差圧が所定の範囲内になる
ように、不図示の制御弁でＮ2 空調機１２からの給気管
２２ｄのＮ2 導入量と、排気管２３ｄの排気量の比を調
節することにより内部圧力が調節されている。
【００２２】照明光学系空間２７は、原版ステージ空間
２８との隔壁に設けられた微差圧計２４ａにより照明光
学系空間２７との差圧が所定の範囲内になるように、不
図示の制御弁でＨｅ空調機１０からの給気管２２ａのＨ
ｅ導入量と、排気管２３ａの排気量の比を調節すること
により内部圧力が調節されている。同様に、マスキング
ブレード７、引き回し光学系空間５も夫々隣接するパー
ジ空間との差圧を一定にするように調節されている。
２８との隔壁に設けられた微差圧計２４ａにより照明光
学系空間２７との差圧が所定の範囲内になるように、不
図示の制御弁でＨｅ空調機１０からの給気管２２ａのＨ
ｅ導入量と、排気管２３ａの排気量の比を調節すること
により内部圧力が調節されている。同様に、マスキング
ブレード７、引き回し光学系空間５も夫々隣接するパー
ジ空間との差圧を一定にするように調節されている。
【００２３】各筐体内の圧力は、隣接する筐体内の圧力
との差圧による部材の変形量が、光学性能に有意の影響
を与えない範囲内になるように制御されており、具体的
には、差圧範囲を、光学系素子である各境界部材２６
ａ，ｂ，ｃの圧力差に対する変形量とその変形量から求
まる光学性能の変化量に応じて定めており、圧力差が
０．５ｈＰａ程度に調節されている。本例の場合、投影
光学系（Ｐ）の圧力に対する、ウエハステージ（Ｗ）、
レチクルステージ（Ｒ）、照明系（Ｓ）、引き回し光学
系（Ｔ）、レーザ（Ｌ）、マスキングブレード（ＭＢ）
の各部の圧力は、以下の範囲になるように制御している
（単位はｈＰａ）。
との差圧による部材の変形量が、光学性能に有意の影響
を与えない範囲内になるように制御されており、具体的
には、差圧範囲を、光学系素子である各境界部材２６
ａ，ｂ，ｃの圧力差に対する変形量とその変形量から求
まる光学性能の変化量に応じて定めており、圧力差が
０．５ｈＰａ程度に調節されている。本例の場合、投影
光学系（Ｐ）の圧力に対する、ウエハステージ（Ｗ）、
レチクルステージ（Ｒ）、照明系（Ｓ）、引き回し光学
系（Ｔ）、レーザ（Ｌ）、マスキングブレード（ＭＢ）
の各部の圧力は、以下の範囲になるように制御している
（単位はｈＰａ）。
【数２】
【００２４】本実施例によれば、ウエハ、レチクル等の
出し入れにより駆動系空間内圧が変動した場合でも鏡筒
空間２９や照明光学系空間２７の内圧を常に隣接する駆
動系空間よりも微小範囲だけ高く保つことができる。ま
た、各パージ空間の内圧の変動を最小限に抑えることが
できるので、境界部材２６ａ〜ｃの変形量の変動を常に
最小限に抑えることができる。さらに、駆動系空間等の
パージ空間を細かく分割しているので不活性ガスの使用
量を少なく抑えることができ、安価な装置運用が可能と
なる。以上のように、本実施例によれば、部分パージさ
れた露光装置において、投影光学系の端面の変形量を小
さくする。また各分割部分のクリーン度の順位付けがで
き、最も清浄性に敏感な部分を一番高いクリーン度に保
つことが可能となる。なお、本実施形態において、投影
光学系２の内部空間である鏡筒空間２９は、１つであっ
たが、これに限られるものではない。例えば、投影光学
系２の内部空間を複数の空間に分けて、パージを行って
も良い。この場合、投影光学系２内部のそれぞれの空間
に、圧力計を設け、隣接する空間との差圧を計測する差
圧計が設けられることになる。なお、投影光学系２の内
部空間を複数の空間に分ける場合、投影光学系のレンズ
が各空間との隔壁の役割を果たす。また、投影光学系２
の倍率補正レンズが移動するような場合、倍率補正レン
ズを含む空間と他のレンズを含む空間とで内部空間を分
けるようにしても良い。
出し入れにより駆動系空間内圧が変動した場合でも鏡筒
空間２９や照明光学系空間２７の内圧を常に隣接する駆
動系空間よりも微小範囲だけ高く保つことができる。ま
た、各パージ空間の内圧の変動を最小限に抑えることが
できるので、境界部材２６ａ〜ｃの変形量の変動を常に
最小限に抑えることができる。さらに、駆動系空間等の
パージ空間を細かく分割しているので不活性ガスの使用
量を少なく抑えることができ、安価な装置運用が可能と
なる。以上のように、本実施例によれば、部分パージさ
れた露光装置において、投影光学系の端面の変形量を小
さくする。また各分割部分のクリーン度の順位付けがで
き、最も清浄性に敏感な部分を一番高いクリーン度に保
つことが可能となる。なお、本実施形態において、投影
光学系２の内部空間である鏡筒空間２９は、１つであっ
たが、これに限られるものではない。例えば、投影光学
系２の内部空間を複数の空間に分けて、パージを行って
も良い。この場合、投影光学系２内部のそれぞれの空間
に、圧力計を設け、隣接する空間との差圧を計測する差
圧計が設けられることになる。なお、投影光学系２の内
部空間を複数の空間に分ける場合、投影光学系のレンズ
が各空間との隔壁の役割を果たす。また、投影光学系２
の倍率補正レンズが移動するような場合、倍率補正レン
ズを含む空間と他のレンズを含む空間とで内部空間を分
けるようにしても良い。
【００２５】［実施例２］本実施例では、各パージ空間
の差圧を一定にするように、各々の圧力範囲が予め定め
られている。したがって、各パージ空間の内部圧力は圧
力計２５ａ〜ｄにより調節されている。その他は実施例
１と同様である。
の差圧を一定にするように、各々の圧力範囲が予め定め
られている。したがって、各パージ空間の内部圧力は圧
力計２５ａ〜ｄにより調節されている。その他は実施例
１と同様である。
【００２６】本実施例によれば、各パージ空間の内圧範
囲を一定に保つことができる。そして、その変動領域を
所望の範囲に設定することにより、実施例１と同様に光
学系空間を常に清浄に保つことができる。また、照明光
学系４の内圧が隣接するパージ空間（例えば、原版ステ
ージ空間２８、マスキングブレード７等）の内圧変動に
連鎖して変動することがないため、照明光学系４におけ
る、光学性能変動の恐れがなくなる。また、実施例１と
同様に、各パージ空間を構成する筺体と隣接する筺体と
の間には、露光光透過性の境界部材が設けられており、
露光光を透過させている。
囲を一定に保つことができる。そして、その変動領域を
所望の範囲に設定することにより、実施例１と同様に光
学系空間を常に清浄に保つことができる。また、照明光
学系４の内圧が隣接するパージ空間（例えば、原版ステ
ージ空間２８、マスキングブレード７等）の内圧変動に
連鎖して変動することがないため、照明光学系４におけ
る、光学性能変動の恐れがなくなる。また、実施例１と
同様に、各パージ空間を構成する筺体と隣接する筺体と
の間には、露光光透過性の境界部材が設けられており、
露光光を透過させている。
【００２７】［実施例３］図３は本発明に係るＦ2 エキ
シマレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断
面模式図である。同図において、２０は露光装置全体を
含む筐体であり、この内部に鏡筒２と照明光学系４が設
けられている。２１は筐体２０全体をＮ2 雰囲気にする
ための空調機である。本実施例では、鏡筒２と照明光学
系４の内部空間は各々筐体２０の内部空間（駆動系空間
３１）と隔離されており、独立にＨｅ雰囲気に調節され
ている。
シマレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断
面模式図である。同図において、２０は露光装置全体を
含む筐体であり、この内部に鏡筒２と照明光学系４が設
けられている。２１は筐体２０全体をＮ2 雰囲気にする
ための空調機である。本実施例では、鏡筒２と照明光学
系４の内部空間は各々筐体２０の内部空間（駆動系空間
３１）と隔離されており、独立にＨｅ雰囲気に調節され
ている。
【００２８】本実施例における各パージ空間の内圧制御
方法は実施例１、２と同様であるが、駆動系空間３１内
部を一括して制御するため、シンプルで安価な装置構成
とすることができる。
方法は実施例１、２と同様であるが、駆動系空間３１内
部を一括して制御するため、シンプルで安価な装置構成
とすることができる。
【００２９】［半導体生産システムの実施例］次に、半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【００３０】図４は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
【００３１】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を
示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０
２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および
各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を
示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０
２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および
各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【００３２】さて、図５は本実施形態の全体システムを
図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユ
ーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０
３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図５で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト
処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベン
ダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理シス
テム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２
００であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユ
ーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０
３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図５で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト
処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベン
ダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理シス
テム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２
００であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００３３】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図６に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの
件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図６に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの
件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００３４】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００３５】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の請求項１に記載の露光装置によ
れば、露光装置内の複数のパージ空間をそれぞれ所定の
圧力となるように制御することにより、パージ空間の境
界部材の変形を軽減することができる。また、本発明の
請求項２に記載の露光装置によれば、露光装置内の隣接
するパージ空間の差圧を制御することにより、パージ空
間の境界部材の変形を軽減することができる。
れば、露光装置内の複数のパージ空間をそれぞれ所定の
圧力となるように制御することにより、パージ空間の境
界部材の変形を軽減することができる。また、本発明の
請求項２に記載の露光装置によれば、露光装置内の隣接
するパージ空間の差圧を制御することにより、パージ空
間の境界部材の変形を軽減することができる。
【図１】 Ｆ2 エキシマレーザを光源とする半導体露光
装置の一例を示す断面模式図である。
装置の一例を示す断面模式図である。
【図２】 図１の半導体露光装置の圧力調節を説明する
断面模式図である。
断面模式図である。
【図３】 Ｆ2 エキシマレーザを光源とする半導体露光
装置の他の例を示す断面模式図である。
装置の他の例を示す断面模式図である。
【図４】 半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図である。
ら見た概念図である。
【図５】 半導体デバイスの生産システムを別の角度か
ら見た概念図である。
ら見た概念図である。
【図６】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図７】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図である。
図である。
【図８】 ウエハプロセスを説明する図である。
１：レチクルステージ、２：投影光学系（鏡筒）、３：
ウエハステージ、４：照明光学系、５：引き回し光学
系、６：Ｆ2 レーザ部、７：マスキングブレード、８，
９，２０：筐体、１０：Ｈｅ空調機、１１，１２，２
１：Ｎ2 空調機、１３：レチクルロードロック、１４：
ウエハロードロック、１５，１６：ハンド、１７：レチ
クルアライメントマーク、１８：レチクル保管庫、１
９：プリアライメント部、２２（２２ａ〜２２ｄ）：吸
気管、２３（２３ａ〜２３ｄ）：排気管、２４（２４ａ
〜２４ｃ）：微差圧計、２５（２５ａ〜２５ｄ）：圧力
計、２６（２６ａ〜２６ｃ）：境界部材、２７：照明光
学系空間、２８：原版ステージ空間、２９：鏡筒空間、
３０：基板ステージ空間。
ウエハステージ、４：照明光学系、５：引き回し光学
系、６：Ｆ2 レーザ部、７：マスキングブレード、８，
９，２０：筐体、１０：Ｈｅ空調機、１１，１２，２
１：Ｎ2 空調機、１３：レチクルロードロック、１４：
ウエハロードロック、１５，１６：ハンド、１７：レチ
クルアライメントマーク、１８：レチクル保管庫、１
９：プリアライメント部、２２（２２ａ〜２２ｄ）：吸
気管、２３（２３ａ〜２３ｄ）：排気管、２４（２４ａ
〜２４ｃ）：微差圧計、２５（２５ａ〜２５ｄ）：圧力
計、２６（２６ａ〜２６ｃ）：境界部材、２７：照明光
学系空間、２８：原版ステージ空間、２９：鏡筒空間、
３０：基板ステージ空間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ
Claims (21)
- 【請求項１】 原版のパターンを基板に露光するための
露光装置であって、 露光光の光路の少なくとも一部を覆うため隣接して設け
られた複数の筐体と、該隣接する筐体の境界に設けられ
た露光光透過性の部材と、 それぞれの該筐体内にパージガスを供給するガス供給装
置と、 それぞれの該筐体内の圧力を検出する圧力センサと、 該圧力センサの出力に基づいて、それぞれの該筐体内の
圧力をそれぞれ所定の圧力になるように、該ガス供給装
置を制御する制御装置とを有することを特徴とする露光
装置。 - 【請求項２】 原版のパターンを基板に露光するための
露光装置であって、 露光光の光路の少なくとも一部を覆うため隣接して設け
られた複数の筐体と、該隣接する筐体の境界に設けられ
た露光光透過性の部材と、 それぞれの該筐体内にパージガスを供給するガス供給装
置と、 該隣接する筐体内の圧力の差を検出する差圧センサと、 該差圧センサの出力に基づいて、それぞれの該筐体内の
圧力をそれぞれ所定の圧力になるように、該ガス供給装
置を制御する制御装置とを有することを特徴とする露光
装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給装置は、各筐体へのパージ
ガスの給気および各筐体内部の気体の排気が可能な空調
機を有し、前記圧力センサによる計測値が前記所定の圧
力となるように前記空調機を運転するものであることを
特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記ガス供給装置は、各筐体へのパージ
ガスの給気および各筐体内部の気体の排気が可能な空調
機を有し、前記差圧センサによる計測値が前記所定の差
圧となるように前記空調機を運転するものであることを
特徴とする請求項２に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記筐体は、光学系部材を含む光学系空
間および駆動部材を含む駆動系空間のうちの少なくとも
１つを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項に記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記光学系空間が、光源からの露光光を
装置内に導くための引き回し光学系空間、前記露光光を
前記原版に照射するための照明光学系空間、前記原版の
パターンを前記基板に投影するための投影光学系空間の
うちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項５
に記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記駆動系空間が、前記原版を搭載する
原版ステージを含む原版ステージ空間、前記基板を搭載
する基板ステージを含む基板ステージ空間およびマスキ
ングブレードを含むマスキングブレード空間のうちの少
なくとも１つを有することを特徴とする請求項５または
６に記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記光学系空間がＨｅ雰囲気であり、前
記駆動系空間がＮ2雰囲気であることを特徴とする請求
項５〜７のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記投影光学系空間の内部圧力が一定に
維持されるように制御することを特徴とする請求項６〜
８のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記パージ空間の内、高い清浄度が要
求されるパージ空間を、隣接する他のパージ空間よりも
高い圧力に維持することを特徴とする請求項１〜９のい
ずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記空調機は、前記不活性気体パージ
ガスの供給量と排気量の比を制御するための制御弁を有
し、この制御弁により前記筐体内の圧力を調節するもの
であることを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１項
に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 前記筐体内の圧力は、隣接する筐体内
の圧力との差圧による前記部材の変形量が、光学性能に
有意の影響を与えない範囲内になるように制御されるこ
とを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の
露光装置。 - 【請求項１３】 レーザ光源がフッ素エキシマレーザ光
源であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１
項に記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記パージガスが不活性ガスであるこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の
露光装置。 - 【請求項１５】 請求項１〜１４記載の露光装置を含む
各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置す
る工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによっ
て半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴
とするデバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項１５記載の
方法。 - 【請求項１７】 前記露光装置のベンダーもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行う請求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 請求項１〜１４記載の露光装置を含む
各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続す
るローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネ
ットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可
能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なく
とも１台に関する情報をデータ通信することを可能にし
た半導体製造工場。 - 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項１
〜１４記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装
置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワー
クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送
信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守
方法。 - 【請求項２０】 請求項１〜１４記載の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にした露光
装置。 - 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザが提供す
る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にする請求項２０記載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163845A JP2001345248A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| US09/865,454 US6864953B2 (en) | 2000-05-31 | 2001-05-29 | Exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing plant and method of maintaining exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163845A JP2001345248A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345248A true JP2001345248A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18667543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163845A Pending JP2001345248A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6864953B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001345248A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002037545A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition |
| WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
| JP2006344960A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 浸漬リソグラフィ装置および方法（少なくとも投影光学コンポーネントとウェハ上で等圧力を有する浸漬リソグラフィ装置） |
| JP2014207479A (ja) * | 2009-08-07 | 2014-10-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US10111312B2 (en) | 2015-06-19 | 2018-10-23 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071457A1 (fr) * | 2001-03-07 | 2002-09-12 | Nikon Corporation | Barillet d'objectif, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif |
| TWI244603B (en) * | 2001-07-05 | 2005-12-01 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing system for managing device information of substrate processing device |
| JP2007281142A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
| NL2017595A (en) * | 2015-11-10 | 2017-05-26 | Asml Netherlands Bv | Proximity sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10495987B2 (en) * | 2017-09-28 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source apparatus, EUV lithography system, and method for decreasing debris in EUV lithography system |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2770960B2 (ja) | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| DE69033002T2 (de) | 1989-10-02 | 1999-09-02 | Canon K.K. | Belichtungsvorrichtung |
| JP2766935B2 (ja) | 1989-10-20 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| US5168512A (en) | 1990-03-13 | 1992-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacture of semiconductor devices |
| JPH03273663A (ja) | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Canon Inc | 基板保持装置 |
| US6545746B1 (en) * | 1996-03-04 | 2003-04-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JPH10270333A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000163845A patent/JP2001345248A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-29 US US09/865,454 patent/US6864953B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002037545A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition |
| WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
| US6922910B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-08-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP2006344960A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 浸漬リソグラフィ装置および方法（少なくとも投影光学コンポーネントとウェハ上で等圧力を有する浸漬リソグラフィ装置） |
| JP2014207479A (ja) * | 2009-08-07 | 2014-10-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US10111312B2 (en) | 2015-06-19 | 2018-10-23 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6864953B2 (en) | 2005-03-08 |
| US20010048084A1 (en) | 2001-12-06 |
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