JP2001236864A - 電力用真空遮断器の接点材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流
遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材料を提供す
る。 【解決手段】 Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断
器の接点材料に於いて、焼結工程後若しくは焼結・溶浸
工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値をＨ
ｓ、Ｃｕ相の硬度値をＨｍとし、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣ
ｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、常温にまで冷
却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値をＨ
ｒ、Ｃｕ相の硬度値をＨｏとした時、［Ｈｓ／Ｈｒ］比
を１．０〜１．６の範囲に、または［Ｈｍ／Ｈｏ］比を
１．０〜２．０の範囲にする。これにより再点弧特性と
電流遮断特性を安定化させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、すぐれた遮断特
性と再点弧抑制特性とを備えた真空バルブ等からなる電
力用真空遮断器の接点材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空中でのアーク拡散性を利用して、高
真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は、対向
する固定、可動の２つの接点から構成されている。

【０００３】真空遮断器には、大電流断性能、耐電圧性
能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生
の抑制が重要な要件となっている。

【０００４】しかしながら、これらの要件の中には相反
するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要
件を満足させることは不可能である。この為実用されて
いる多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に
補るような２種以上の元素を組合せることによって、例
えば大電流用、高耐圧用などのように特定の用途に合っ
た接点材料の選択採用が行われ、それなりに優れた特性
を持つ真空バルブが開発されているが、さらに強まる要
求を充分満足する真空バルブは未だ得られていないのが
実情である。

【０００５】例えば、大電流遮断性を目的とした接点と
して、Ｃｒを５０ｗｔ％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金
（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合
金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持しか
つ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電
流断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断とを両立させ
得る接点として多用されている。

【０００６】この合金は、活性度の高いＣｒを使用して
いることから、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の
管理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工
程など）したり、接点素材から接点片へと加工に配慮し
ながら接点製品としている。

【０００７】しかし再点弧の発生が引金となって遮断性
能を低下させる場合が見られ、その改善が望まれてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＣｕＣｒ接点は、両者
の高温度での蒸気圧特性が近似していることなどが主因
となって、電流遮断後でも接点表面は比較的平滑な損傷
特性を示し、安定した電気特性（安定した接触抵抗特
性、優れた遮断特性、再点弧抑制など）を発揮してい
る。しかし近年では一層の大電流遮断やより高電圧が印
加される可能性のある回路への適応が日常的に行われる
結果、接点として加工した新品時の表面状態、電流遮断
後の接点表面の損傷状態などによっては、再点弧の誘発
が見られるようになってきた。すなわち加工時の表面状
態や、電流遮断によって異常的に損傷・消耗した接点表
面では、次の定常電流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や
温度の異常上昇を引起こす原因となったり、耐電圧不良
を示し、再点弧発生の一因となっている。

【０００９】研究によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性
と遮断特性は、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度
分布、Ｃｒ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の
程度などに依存することが判明した。また、ＣｕＣｒ合
金の再点弧特性と遮断特性は、合金中のＣｕ相の特に遮
断前と遮断後との表面状態の変化状況にも依存すること
が判明した。

【００１０】しかしその最適化を進めているにも拘ら
ず、上述した近年の適応状況では、まだばらつきが見ら
れ、両特性を兼備した真空バルブが必要となって来た。

【００１１】この発明は、このような点に鑑み為された
もので、その目的は、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定
化させ電流遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材
料を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記発明の目的を達成す
る為に、請求項１に記載の本発明は、Ｃｕ又はＣｕを主
成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性
成分と、粒子径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ
粒子を所定比率以上含んだＣｒ粒子より成る耐弧性成分
とで構成されたＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断
器の接点材料に於いて、焼結工程後若しくは焼結・溶浸
工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイ
クロビッカース硬さ値）をＨｓ、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣ
ｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温に
まで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度
値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈ
ｓ／Ｈｒ］比を、１．０〜１．６の範囲としたことを特
徴とする電力用真空遮断器の接点材料である。

【００１３】ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後
若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｒ粒子の硬度値Ｈｓ
は、原料Ｃｒの内容や焼結、溶浸時に選択した熱処理条
件や接点材料加工時の残存歪みの程度などが互いに関連
し合って決定され、例えばＨｓのビッカース硬さは２０
０近傍の値を示す。

【００１４】ところで、この接点材料を真空バルブとし
て組み込み実際に稼働させると、定常電流開閉時や事故
電流遮断時にアーク熱を受け、接点面は次第に変化（軟
化）し最後には一定の硬度値Ｈ_Bを示す様になり、その
間に最初のビッカース硬さ２００近傍の硬度値Ｈｓから
大きく低下する。実際に真空バルブを稼働させた後最後
に一定となった時の硬度値Ｈ_Bと、上記Ｃｕ相の融解温
度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温にまで冷却した時
のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒとを対比すると、両者（Ｈ_B、
Ｈｒ）はほぼ近似の硬度値を示していることが判った。

【００１５】ところでＨ_Bの測定には真空バルブを製造
すること、実際に電流の遮断や開閉の作業を要すること
などで経済的、時間的負担が大きく不利の為、Ｈ_BとＨ
ｒとがほぼ近似した値となる前記性質を利用して、Ｈｒ
によってＨ_Bを代用すること、すなわち測定の困難なＨ_B
に代わって、測定の容易なＨｒによって、定常電流開閉
時や事故電流遮断時の接点面の軟化の状況をおきかえる
ことが可能であり有益である。

【００１６】また上記接点材料製造時のＣｒ粒子の硬度
値Ｈｓが大で、常温にまで冷却した時の硬度値Ｈｒとの
差が大きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大）、再点
弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。[Ｈｓ／
Ｈｒ]比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ
−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大とな
り、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差によって安
定した加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化
に対して好ましくない。

【００１７】請求項２に記載の本発明は、Ｃｕ−Ｃｒ合
金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度が１０３０℃〜
１０８０℃であることを特徴とする請求項１に記載の電
力用真空遮断器の接点材料である。

【００１８】ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度
Ｔ１より低い温度（ｌ０３０℃より低い温度）で熱処理
した時のＣｒの硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣｒ
の硬さ値Ｈ_Bとが一致しない。その為、Ｔ１より低い温
度で熱処理した時のＣｒの硬さ値を使用すると、[Ｈｓ
／Ｈｒ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分には
対応が取れず製品の管理が出来なくなる。

【００１９】更に請求項３に記載の本発明は、Ｃｕ又は
Ｃｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成
る導電性成分と、粒子径が０．１〜１５０μｍの範囲に
あるＣｒ粒子を所定比率以上含んだＣｒ粒子より成る耐
弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用
真空遮断器の接点材料に於いて、焼結工程後若しくは焼
結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度
値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、非酸化性雰囲
気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温
度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを
常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子
の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時
の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を、１．０〜１．６の範囲に調整し
たことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料であ
る。

【００２０】ここで、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気
として、非酸化性雰囲気を選択することは、特に再点弧
発生頻度の低減化に対して好ましい。

【００２１】更に請求項４に記載の本発明は、Ｃｒの一
部を、Ｃｒ量に対して５０％（重量％）以下のＴｉ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つによって置換したこと
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
電力用真空遮断器の接点材料である。

【００２２】ここで、Ｃｒの一部をＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａの１つによって置換することによって、Ｃｕ−Ｃｒ接
点素材全体の機械的強度を大とし、Ｃｒ粒子の脱落が引
き金となって引き起こされる再点弧発生を軽減化する。
５０％（重量％）を越えるとこれらの元素が主因となる
熱電子放出が盛んとなり、遮断特性を低下させる。

【００２３】更に請求項５に記載の本発明は、Ｃｕ相中
には、Ｃｕ量に対して２０％（重量％）以下のＣｒ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを含有したこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００２４】ここで、Ｃｕ相中でのＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｂ，Ｎｂ，Ｔａの存在は、再点弧発生レベルを一層低く
すると共に［Ｈｓ／Ｈｒ］比を一層低く安定化させる。

【００２５】更に請求項６に記載の本発明は、導電性成
分としてのＣｕ相の量を１０〜９０％（重量％）、残部
が耐弧性成分としてＣｒを含有したことを特徴とする請
求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電力用真空遮断
器の接点材料である。

【００２６】ここで、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が
１０％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ
相の量が９０％を越えると、１．６以下の［Ｈｓ／Ｈ
ｒ］比を確保することが困難となり、再点弧発生頻度が
増大する。

【００２７】更に請求項７に記載の本発明は、導電性成
分としてのＣｕ相の量を１０〜９０％（重量％）、第１
補助成分としてＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を最大１．
０％（重量％）、残部が耐弧性成分としてＣｒを含有し
たことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに
記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００２８】ここで、所定量のＡｌ，Ｓｉの存在は、
［Ｈｓ／Ｈｒ］比を一層低く安定化させ、再点弧発生レ
ベルを低くすると共に、更に電流遮断特性も安定化させ
る。また、Ａｌ，Ｓｉの少なくとも一方の量が１％を越
えると、遮断時の大きなエネルギー処理の為の接点片表
面の荒れを招き、耐消耗特性と耐溶着特性の低下と再点
弧特性の不安定化を招く。

【００２９】更に請求項８に記載の本発明は、第２補助
成分として１％（重量％）以下のＢｉ，Ｓｂの１つを含
有したことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれ
かに記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００３０】ここで、Ｃｕ相中での所定量のＢｉ（又は
Ｓｂ）の存在は、１％以下なら電流遮断後の接点表面荒
れを安定化させ、再点弧発生レベルを一層低くする。１
％を越えた量のＢｉ（又はＳｂ）では再点弧発生の頻度
を増加させて好ましくない。

【００３１】更に請求項９に記載の本発明は、第２補助
成分として５％（重量％）以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂの１
つを含有したことを特徴とする請求項１乃至請求項７の
いずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００３２】ここで、Ｃｕ相中での所定量のＴｅ，Ｓ
ｅ，Ｐｂの存在も、電流遮断後の接点表面荒れを安定化
させ、再点弧発生レベルを低くする。

【００３３】更に請求項１０に記載の本発明は、Ｃｒ粒
子は、平均粒子径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣ
ｒ粒子が、Ｃｒ粒子全体の少なくとも７５％（容積％）
を占めるＣｒ粉よりなることを特徴とする請求項１乃至
請求項９のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材
料である。

【００３４】ここで、平均粒子径が０．１〜１５０μｍ
の範囲のＣｒ粒子が少なくとも７５％（容積％）を占め
る時、安定した再点弧特性を発揮する。Ｃｒ粒子の平均
粒子径が０．１μｍ未満では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ
粒子の分布は、十分には分散出来ず凝集部分が存在する
と共に、Ｃｕ−Ｃｒ接点素材中のガス量が低減化出来
ず、いずれも再点弧発生を増長させている。１５０μｍ
を越えると、仕上げ加工した接点表面には、Ｃｒ粒子と
Ｃｕ相界面に引っかき状の傷を残し平滑で均一な状態が
得難く、再点弧発生に大きなバラツキを示す。

【００３５】また、請求項１１に記載の本発明は、Ｃｕ
又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相よ
り成る導電性成分と、粒子径が０．１〜１５０μｍの範
囲にあるＣｒ粒子を所定比率以上含んだＣｒ粒子より成
る耐弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃｒ合金からなる電
力用真空遮断器の接点材料に於いて、焼結工程後若しく
は焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬
度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、Ｃｕ−Ｃｒ
合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、こ
れを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ
相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした
時の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を、１．０〜２．０の範囲とした
ことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料である。

【００３６】ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後
若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｕ相の硬度値Ｈｍは、
焼結、溶浸時に選択した熱処理条件（例えば冷却速度な
ど）や接点加工時の残存歪みの程度などが互いに関連し
合って決定され、Ｈｍのビッカース硬さは１００近傍の
値である。

【００３７】ところで、この接点材料を真空バルブとし
て組み込み実際に稼働させると、定常電流の開閉時や事
故電流の遮断時のアーク熱により、接点面は次第に変化
（軟化）し、最後には一定の硬度値Ｈｂを示すようにな
り、その間に初期のビッカース硬さ１００近傍の硬度値
Ｈｍから大きく変化（低下）する。実際に真空バルブを
稼働させて最後に一定となった時の硬度値Ｈｂと、上記
Ｃｕ相の融解温度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温に
まで冷却した時のＣｕ相の硬度値Ｈｏとを対比すると、
両者（Ｈｂ、Ｈｏ）は、ほぼ近似の硬度値を示している
ことが判った。

【００３８】ところでＨｂの測定には，真空バルブを製
造しなければならないこと、実際の電流の遮断や開閉作
業をしなければならないことなどで経済的、時間的負担
が大きく不利の為、ＨｂとＨｏとがほぼ近似した値とな
る前記性質を利用して、ＨｏによってＨｂを代用するこ
と、すなわち測定の困難なＨｂに代わって、測定の容易
なＨｏによって、定常電流開閉時や事故電流遮断時の接
点面の軟化の状況をおきかえることが可能であり有益で
ある。

【００３９】また上記接点材料の焼結・溶浸後のＣｕ相
の硬度値Ｈｍが大で、常温にまで冷却した時のＣｕ相の
硬度値Ｈｏとの差（すなわちＨｍ／Ｈｏ］比）が大きい
程、再点弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。
[Ｈｍ／Ｈｏ］比として２．０を越えた接点を選択する
と、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相とＣｒ粒子との硬度の差
が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差に
よって安定した加工表面状態が得られず、目標とする低
再点弧化に対して好ましくない。

【００４０】更に請求項１２に記載の本発明は、Ｃｕ−
Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度が１０３
０℃〜１０８０℃であることを特徴とする請求項１１に
記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００４１】ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度
Ｔ１より低い温度（１０３０℃より低い温度）で熱処理
した時のＣｕ相の硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣ
ｕ相の硬さ値Ｈｂとが一致しない。その為、Ｔ１より低
い温度で熱処理した時のＣｕ相の硬さ値を使用すると、
[Ｈｍ／Ｈｏ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分
には対応が取れず製品の品質管理が出来なくなる。

【００４２】更に請求項１３に記載の本発明は、Ｃｕ又
はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より
成る導電性成分と、粒子径が０．１〜１５０μｍの範囲
にあるＣｒ粒子を所定比率以上含んだＣｒ粒子より成る
耐弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力
用真空遮断器の接点材料に於いて、焼結工程後若しくは
焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度
値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、非酸化性雰囲
気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温
度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを
常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の
硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の
［Ｈｍ／Ｈｏ］比を、１．０〜２．０の範囲としたこと
を特徴とする電力用真空遮断器の接点材料である。

【００４３】ここで、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気
として、非酸化性雰囲気を選択することは、特に再点弧
発生頻度の低減化に対して好ましい。

【００４４】更に請求項１４に記載の本発明は、Ｃｒの
一部を、Ｃｒ量に対して、５０％（重量％）以下のＴ
ｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つによって置換した
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか
に記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００４５】ここで、Ｃｒの一部をＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａの１つによって置換することによって、Ｃｕ−Ｃｒ接
点素材全体の機械的強度を大とし、Ｃｒ粒子の脱落が引
き金となって引き起こされる再点弧発生を軽減化する。
５０％（重量％）を越えるとこれらの元素が主因となる
熱電子放出が盛んとなり、遮断特性を低下させる。

【００４６】更に請求項１５に記載の本発明は、Ｃｕ相
中には、Ｃｕ量に対して２０％（重量％）以下のＣｒ，
Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを含有した
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか
に記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００４７】ここで、Ｃｕ相中でのＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｂ，Ｎｂ，Ｔａの存在は、再点弧発生レベルを一層低く
すると共に［Ｈｍ／Ｈｏ］比を一層低く安定化させる。

【００４８】更に請求項１６に記載の本発明は、導電性
成分としてのＣｕ相の量を１０〜９０％（重量％）、残
部が耐弧性成分としてＣｒを含有したことを特徴とする
請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の電力用真
空遮断器の接点材料である。

【００４９】ここで、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が
１０％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ
相の量が９０％を越えると、接点表面の消耗が大となり
再点弧発生頻度が増大する。

【００５０】更に請求項１７に記載の本発明は、導電性
成分としてのＣｕ相の量を１０〜９０％（重量％）、第
１補助成分としてＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を最大
１．０％（重量％）、残部が耐弧性成分としてＣｒを含
有したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のい
ずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００５１】ここで、所定量のＡｌ，Ｓｉの存在は、
［Ｈｍ／Ｈｏ］比を一層低く安定化させ、再点弧発生レ
ベルを低くすると共に、更に電流遮断特性も安定化させ
る。また、Ａｌ，Ｓｉの少なくとも一方の量が１％を越
えると、遮断時の大きなエネルギ処理の為の接点片表面
の荒れを招き、耐消耗特性と耐溶着特性の低下と再点弧
特性の不安定化を招く。

【００５２】更に請求項１８に記載の本発明は、第２補
助成分として１％（重量％）以下のＢｉ，Ｓｂの１つを
含有したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１７の
いずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材料である。

【００５３】ここで、Ｃｕ相中での所定量のＢｉ（又は
Ｓｂ）の存在は、１％以下なら電流遮断後の接点表面荒
れを安定化させ、再点弧発生レベルを一層低くする。１
％を越えた量のＢｉ（又はＳｂ）では再点弧発生の頻度
を増加させて好ましくない。

【００５４】更に請求項１９に記載の本発明は、第２補
助成分として５％（重量％）以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂの
１つを含有したことを特徴とする請求項１１乃至請求項
１７のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材料で
ある。

【００５５】ここで、Ｃｕ相中での所定量のＴｅ，Ｓ
ｅ，Ｐｂの存在も、電流遮断後の接点裏面荒れを安定化
させ、再点弧発生レベルを低くする。

【００５６】更に請求項２０に記載の本発明は、Ｃｒ粒
子は、平均粒子径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣ
ｒ粒子が、Ｃｒ粒子全体の少なくとも７５％（容積％）
を占めるＣｒ粉よりなることを特徴とする請求項１１乃
至請求項１９のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接
点材料である。

【００５７】ここで、平均粒子径が０．１〜１５０μｍ
の範囲のＣｒ粒子が少なくとも７５７５％（容積％）を
占める時、安定した再点弧特性を発揮する。Ｃｒ粒子の
平均粒子径が０．１μｍ未満では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の
Ｃｒ粒子の分布は、十分には分散出来ず凝集部分が存在
すると共に、Ｃｕ−Ｃｒ接点素材中のガス量が低域化出
来ず、いずれも再点弧発生を増長させている。Ｃｒ粒子
が１５０μｍを越えると、仕上げ加工した接点表面に
は、相対的にＣｕ相の幅も大となり、ＣｕのまくれやＣ
ｕ面に引っかき状の傷を残し平滑で均一な状態が得難
く、再点弧発生に大きなバラツキを示す。

【００５８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。

【００５９】Ｃｕ−Ｃｒ接点の材料状態と再点弧発生に
ついて、発明者らの観察では、遮断前後の材料特性と、
再点弧のバラツキ発生との間の関連性について、以下の
様な知見を得た。Ｃｕ−Ｃｒ接点は、研磨、研削や切
削手段によって仕上げ加工するのが一般である。しかし
Ｃｕ−Ｃｒの諸内容（製造条件や加工条件など）を一定
としても、なお再点弧の発生にバラツキが見られる。発
明者らの観察の結果、接点表面にはＣｒ粒子の脱落、Ｃ
ｕ相部分の脱落、流れ（ＣｕがＣｒ粒子上にまでかぶ
る）や剥離、Ｃｒ粒子端部の欠け、引っかき状の傷など
種々存在していた。その一因として接点面上の特にミク
ロ領域での加工性の差異、すなわち再点弧発生のバラツ
キとミクロ領域での硬度の均一度の違いとの間に相関性
を認めた。この傾向は、接点素材の製造ロット間で、お
よび１枚の接点のミクロ領域中でも観察された。更
に、定常電流開閉動作や事故電流遮断動作の経過によっ
て、次第に再点弧発生頻度は、ほぼ一定値に安定してゆ
く場合が認められた。この状況はアーク熱を受け接点面
が次第に変化（軟化）し最後には一定の硬度値となる現
象を示していると考えられる。

【００６０】そこで、実際の真空バルブに対して、事故
電流遮断動作を多数回与えてほぼ一定値となった接点の
Ｃｒ粒子の硬度値Ｈ_B、及びＣｕ相の硬度値Ｈｂを測定
した。その接点のＣｕ相部分の融解温度の直下温度を選
択し、その温度で十分加熱した後、常温にまで冷却した
時の、同接点中のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒ及びＣｕ相の硬
度値Ｈｏとそれぞれ対比すると、両者は、それぞれ、ほ
ぼ近似の値（Ｈ_B＝Ｈｒ、Ｈｂ＝Ｈｏ）を示しているこ
とが判った。更に、Ｃｒ粒子の硬度値については、焼
結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金
中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）を
Ｈｓとして、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直
下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ
−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース
硬さ値）をＨｒとした時、Ｈｓが大で、Ｈｒとの差が大
きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大の程）、再点弧
の発生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｓ／Ｈ
ｒ］比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−
Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大とな
り、接点の機械的仕上げ加工の際に好ましい加工表面状
態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましく
ない。これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比として１．６以
下好ましくは１．３以下の接点を選択すると、Ｃｒ粒子
とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕上げ
加工に際し、好ましい加工表面状態が得られ、常に一定
の安定した表面状態を得て、アークの停滞、集中が低減
化される結果、接点面の局部的異常蒸発現象の阻止や表
面荒れの軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に
遮断特性の向上に寄与する。

【００６１】また、Ｃｕ相の硬度値についても、焼結工
程後若しくは焼結・溶浸工程直後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中
のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ
として、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直下温
度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃ
ｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ
値）をＨｏとした時、Ｈｍが大で、Ｈｏとの差が大きい
程（すなわち［Ｈｍ／Ｈｏ］比が大の程）、再点弧の発
生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｍ／Ｈｏ］
比として２．０を越えた接点を選択すると、Ｃｒ粒子と
Ｃｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加
工の際に好ましい加工表面状態が得られず、目標とする
低再点弧化に対して好ましくない。これに対して、[Ｈ
ｍ／Ｈｏ]比として２．０以下好ましくは１．３以下の
接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が小
となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい加工
表面状態が得られ、常に一定の安定した表面状態を得
て、アークの停滞、集中が低減化される結果、接点面の
Ｃｕ相部分の局部的な異常蒸発現象を阻止、表面荒れの
軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に遮断特性
の向上に寄与する。このような接点に外部磁界（例え
ば縦磁界）を与えると、遮断により発生したアークは、
接点面上に一様に拡がり移動拡散し、電流遮断特性を向
上させることが出来る。観察によれば、一定値以上の電
流値を遮断すると、アークは予測出来ない一点もしくは
複数点の場所で停滞する傾向を示すが、〔Ｈｓ／Ｈｒ］
比が１．６以下の接点の方が、１．６を越えた接点より
もその程度は低く優れている傾向にあり、また［Ｈｍ／
Ｈｏ］比が２．０以下の接点の方が、２．０を越えた接
点よりもその程度は低く優れている傾向にある。最終的
には接点の一部分を異常融解させ遮断限界に至る。また
異常融解によって瞬時的爆発的な蒸発によって発生した
金属蒸気は、開極過程にあった真空遮断器の絶縁回復性
を著しく阻害し、遮断限界の一層の劣化を招く。さらに
異常融解は、巨大な融滴を作り接点面の荒れを招き耐電
圧特性の低下、再点弧発生率の増加、材料の異常な消耗
をも招く。これらの現象の一因となるアークが、接点面
上のどこで停滞するかは全く予測出来ない以上、発生し
たアークが停滞させることなく移動拡散できるような表
面条件と移動拡散を促進させる手段とを接点に与えるこ
とが望ましい。本発明では、その望ましい条件として、
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］
比、またはＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／
Ｈｏ］比が重要となる。

【００６２】［１］［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する実施例 上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化には、
合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度、粒度分布、Ｃ
ｒの偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依
存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層の安
定化には、上記に加えてＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子の挙
動が極めて重要であることが判った。すなわち真空バル
ブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｒの硬
度の変化について注目する必要があることが判った。

【００６３】そこで、まずＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子
に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整して接点材料を製造す
る実施例及び比較例について説明する。なお、実施例及
び比較例の試作の条件を図１及び図２に、またこれらの
実施例及び比較例の評価結果を図３及び図４に示す。

【００６４】（遮断特性の評価）表面粗さを５μｍに仕
上げたフラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１
００Ｒの凸状接点とを対向させ、両接点を、開閉機構を
持つ真空度１０^-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空
遮断実験装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−
２０ｋＡ〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回操り返
し、溶着や再点弧の発生が軽微の時を「合格」とし、投
入・遮断を１０回繰り返し、溶着や再点弧の発生多発の
時を「不合格」とした。

【００６５】（再点弧特性の評価）６ｋＶ×５００Ａの
回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台
の真空バルブについて測定した。発生率（×１０
^-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３〜１の範囲を
評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を評価
Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評価Ｚ
とした。

【００６６】（硬さの測定）Ｃｕ相部分、Ｃｒ粒子を個
別にマイクロビッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５
ｇｒ．にて測定した。

【００６７】（［Ｈｓ／Ｈｒ］比の調整）接点は固相焼
結法、固相・溶浸法のいずれでも製造は可能であるが、
ここではＣｒスケルトンを製造し、その空隙にＣｕを溶
浸させる方法で製造した例について示す。粒子直径が４
４〜６２μｍの範囲にあるＣｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜
９９％占める）を用意した。粒子直径が０．１〜１５０
μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占
める）の中から、これと近似した粒子直径を持つＣｕを
用意した。

【００６８】焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、
前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビ
ッカース硬さ値）をＨｓ、該Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相
の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで
冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値
（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ
／Ｈｒ］比は、次のようにして調整した。 Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜
８トン／ｃｍ²（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時
を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を
大とする時には、高加圧力値を選択する。 Ｃｒスケルトンを製造する時の焼結温度を、８００〜
１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする
時には、この温度範囲の中から低めの温度を選択する。 Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１
００〜１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大
とする時には、溶浸温度は低目を選択する。 溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１
〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば同比率を大とす
る時には、小さい冷却速度を選択する。 焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追
加し、その温度を、５００〜１０７０℃の範囲で調整す
る。例えば同比率を大とする時には、例えば低めの６５
０〜７５０℃での再加熱処理温度を選択する。 焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加圧処理を追
加し、再加圧力を４〜１０トン／ｃｍ²の範囲で調整す
る。例えば同比率を大とする時には、再加圧処理前の相
対密度が大となるよう、高めの再加圧力を選択する。 ［Ｈｓ／Ｈｒ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に
対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた
１つを適宜量添加する。 Ｃｒ粒子に対してＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた
１つ、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少な
くとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の
微調整は可能である。

【００６９】これらなどを適宜組合わ
せることによって［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整した接点を得
た。

【００７０】（実施例１〜３、比較例１〜２）上述のよ
うに用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相・溶浸法
によって所定の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する７５％Ｃｕ−
残部Ｃｒ合金を製造した（実施例１〜３、比較例１〜
２）。［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する為に、接点製造に際
しては上記〜の適宜選択又は組み合わせによって、
１．０〜１．６（実施例１〜３）、１．９〜２．３（比
較例１〜２）の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する接点を選出し
た。

【００７１】これらの接点を評価用真空パルプに搭載
し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０^-3％で示し
た数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝
１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再
点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良好な特性を発
揮した。遮断特性は、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功
し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の
観察によれば、Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほ
ぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した
接点表面状態を示し、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによ
る表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層
の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｒ粒子の脱
落もなかった（実施例１）。

【００７２】また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．３の場合で
は、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性は、２４ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相
部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見ら
れ、極めて安定した接点表面の加工状態を示し、Ｃｒ粒
子の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない
（実施例２）。

【００７３】更に、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．６の場合で
も、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を
発揮した。遮断特性は、２０ｋＡの１０回遮断に成功し
遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分
の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、Ｃ
ｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れはなく、極め
て安定した接点表面状態を示している（実施例３）。

【００７４】これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．９
の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し
再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツ
キも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テ
ストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。
遮断前の加工表面にはＣｒ粒子の脱落跡が観察されてい
る。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している
（比較例１）。

【００７５】また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝２．３の場合で
は、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に
大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テ
ストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。
加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比
較例２）。

【００７６】以上から、再点弧特性と遮断特性との両立
に対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比の管理が極めて重要である
と共に、同比率を１．０〜１．６の範囲を選択する時に
目的を達する。

【００７７】（実施例４〜６、比較例３〜４）前記実施
例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定と
した時の、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を変動させた場合の再点弧
特性と遮断特性に及ぼす効果を示したが、本発明技術は
Ｃｕ量７５％に限ることなく、Ｃｕの量が９０〜１０％
（実施例４〜６）に於いても効果を発揮する。

【００７８】すなわち、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．４に一
定とした時、Ｃｕ量が９０％の場合では、再点弧発生頻
度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特
性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例４）。

【００７９】Ｃｕ量が５０％の場合でも、再点弧発生頻
度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮
断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例５）。

【００８０】Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻
度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮
断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例６）。

【００８１】これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合で
は、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し、再点弧
特性に大福な劣化が見られると共に大きなバラツキも示
し好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成
功し遮断特性では「合格」であったが、総合的には目的
達成に対して好ましくない（比較例３）。

【００８２】一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発
生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣
化が見られる共に大きなバラツキも示し好ましくない。
遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断
不能を示し「不合格」である。遮断特性が著しく低下し
ていると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト
後の接触抵抗特性共に低下が顕著に示された（比較例
４）。

【００８３】（実施例７〜１２）前記実施例１〜６で
は、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中には、０．０１％のＣ
ｒ成分を含有したＣｕを使用した例についてその効果を
示したが、本発明技術はＣｕ相中の成分は、０．０１％
のＣｒに限ることなく効果を発揮する。

【００８４】すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を
７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．２％のＣｒ成
分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、
評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮
断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性
も「合格」である（実施例７）。

【００８５】Ｃｕ相中に、０．５％のＴｉを含有させた
接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良
好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮
断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例８）。

【００８６】Ｃｕ相中に、１．０％のＶを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断
に成功し遮断特性も「合格」である（実施例９）。

【００８７】Ｃｕ相中に、１．０％のＢを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断
に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。

【００８８】Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。

【００８９】Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例１２）。

【００９０】（実施例１３〜１６）Ｃｕ−Ｃｒ合金中の
Ｃｒ粒子中の成分として、Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有
したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の
安定化に有益である。

【００９１】すなわち、Ｃｒ粒子中１．０％のＴｉを含
有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）
を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３
１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」で
ある（実施例１３）。

【００９２】Ｃｒ粒子中２．０％のＶを含有させた接点
では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性
を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功
し遮断特性も「合格」である（実施例１４）。

【００９３】Ｃｒ粒子中２５％のＮｂを含有させた接点
では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な
特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に
成功し遮断特性も「合格」である（実施例１５）。

【００９４】Ｃｒ粒子中５０％のＴａを含有させた接点
では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性
を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功
し遮断特性も「合格」である（実施例１６）。

【００９５】（実施例１７〜１８、比較例５）前記実施
例１〜１６では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を
有するＣｒ粒子が全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）以上を
占める例についてその効果を示したが、本発明技術では
全Ｃｒ粒子中に占める０．１〜１５０μｍの平均粒子直
径を有するＣｒ粒子は９５％以上の場合に限ることなく
効果を発揮する。

【００９６】すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子
直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容積
％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評
価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２
４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である
（実施例１７）。

【００９７】全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１
〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）のＣｒを
使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）
を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの
１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例
１８）。

【００９８】これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均
粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率必５０％（容
積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、
評価（Ｂ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ
ると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性
も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に失敗とが
存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比
較例５）。

【００９９】（実施例１９〜２３、比較例６）Ｃｕ−Ｃ
ｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０
％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合に
は、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。

【０１００】すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを
含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜
Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋ
Ａの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実
施例１９）。

【０１０１】Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた
接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良
好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０
回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２
０）。

【０１０２】Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させ
た接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し
極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋ
Ａの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実
施例２１）。

【０１０３】Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有さ
せた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示
し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５
ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である
（実施例２２）。

【０１０４】Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させ
た接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し
極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋ
Ａの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実
施例２３）。

【０１０５】これに対して、Ｃｒ粒子中に１．５％のＡ
ｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ
〜Ｚ）を示し好ましくない。遮断特性も、３１．５ｋＡ
の遮断テストに於いて１０回中８回再点弧発生したバル
ブがあり「不合格」である（比較例６）。

【０１０６】（実施例２４〜２９、比較例７〜８）第２
の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有し
たＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点弧特性、遮
断特性の安定化に有益である。また他の第２の補助成分
として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣ
ｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、遮断特
性の安定化に有益である。

【０１０７】すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助
成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再
点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮し
た。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特
性も「合格」である（実施例２４）。

【０１０８】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として
１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度
は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断
特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例２５）。

【０１０９】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。
遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例２６）。

【０１１０】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。
遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例２７）。

【０１１１】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断
特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例２８）。

【０１１２】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。
遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例２９）。

【０１１３】また、第２の補助成分として、０．２％の
Ｐｂを含有させた接点でも同等の再点弧発生頻度および
遮断特性を発揮し「合格」である。

【０１１４】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、３．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化
が見られ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡ以下の遮
断で再点弧が多発し遮断特性は「不合格」である（比較
例７）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見ら
れる。接触抵抗にもバラツキが見られた。

【０１１５】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣化
が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。
遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に
失敗とが存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」で
ある（比較例８）。遮断テスト後の接点表面には著しい
荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。

【０１１６】（その他の実施例）焼結工程後若しくは焼
結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度または
Ｃｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にま
で冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼
結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度
値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、非酸化性雰囲
気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温
度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを
常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子
の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時
の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を、１．０〜１．６の範囲に調整す
ることとしてもよい。

【０１１７】このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰
囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特
に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。

【０１１８】［２］［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する実施例 また、上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化
には、合金中のＣｕ相の状態（表面荒れ、空孔の程
度）、Ｃｕ相の大きさ（粒度、粒度分布析の程度）など
に依存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層
の安定化には、上記に加えてＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相
の挙動が極めて重要であることが判った。すなわち真空
バルブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｕ
の硬度の変化について注目する必要があることが判っ
た。

【０１１９】そこで、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関す
る［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整して接点材料を製造する実施
例及び比較例について説明する。なお、実施例及び比較
例の試作の条件を図５及び図６に、またこれらの実施例
及び比較例の評価結果を図７及び図８に示す。

【０１２０】（遮断特性の評価）この［Ｈｍ／Ｈｏ］比
を調整する実施例の場合も、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整す
る実施例の場合と同様に、表面粗さを５μmに仕上げた
フラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１００Ｒ
の凸状接点とを対向させ、両接点を開閉機構を持つ真空
度１０^-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空遮断実験
装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−２０ｋＡ
〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回繰り返し、溶着や
再点弧の発生が軽徴の時を「合格」とした。投入・遮断
を１０回繰り返し、再点弧や溶着の発生多発の時を「不
合格」とした。

【０１２１】（再点弧特性の評価）６ｋＶ×５００Ａの
回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台
の真空バルブについて測定した。発生率（×１０
^-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３から〜１の範
囲を評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を
評価Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評
価Ｚとした。

【０１２２】（硬さの測定）Ｃｕ相部分を、マイクロビ
ッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５ｇｒ．にて測定
した。

【０１２３】（［Ｈｍ／Ｈｏ］の調整）接点は固相焼結
法、焼結・溶浸法のいずれでも製造は可能である。焼結
工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒ合金中の
Ｃｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に
加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合
金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）を
Ｈｏとした時の所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を持つ接点は、
次のようにして調整した。 （１）前者の固相焼結法を採用した製造では、粒子直径
が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中
に９５〜９９％占める）を用意し、これと近似した粒子
直径を持つＣｕとして、４４〜６２μｍの範囲にあるＣ
ｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜９９％占める）を用意する。
所定比率のＣｕとＣｒとを混合、成型した後、例えば１
０３０℃で固相焼結してＣｕ−Ｃｒ合金を製造する。な
おＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が５〜９５％の総ての範囲
の合金に対して採用可能であるが、主としてＣｕ量が６
０〜９５％、５〜４５％の範囲の合金に対して適用し
た。

【０１２４】Ａ）Ｃｕ−Ｃｒ混合粉を成形する時に混合
粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ²（Ｃｒを容器
に入れそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で
［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。

【０１２５】Ｂ）固相焼結後の常温にまで冷却する時の
冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例
えば冷却速度をより小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度値
Ｈｍは小となり、［Ｈｍ／Ｈｏ］比率を小とするのに有
益である。

【０１２６】Ｃ）固相焼結後の接点に対して、再加圧力
が４〜１０トン／ｃｍ²の範囲の再加圧処理を追加し、
[Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。

【０１２７】Ｄ）［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際
には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔ
ａより選ばれた１つを適宜量添加することによって、ま
たは第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一
方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は
可能である。これらＡ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）などを適宜組合わ
せることによって［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得
た。 （２）後者の溶浸法を採用した製造では、粒子直径が
０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に
９５〜９９％占める）を用意する。溶浸用のＣｕ塊を用
意する。このＣｒを用いて例えば１２００℃でＣｒスケ
ルトンを製造した後、その空隙にＣｕを溶浸させＣｕ−
Ｃｒ合金を製造する。なおＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が
４５〜６０％の範囲の合金に対して適用した。 Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜
８トン／ｃｍ²（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時
を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を
大とする時には、高加圧力値を選択する。 Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１
００〜１４００℃の範囲で調整する。 溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１
〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば冷却速度をより
小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度Ｈｍは小となり、［Ｈ
ｍ／Ｈｏ］比を小とするのに有益である。 溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追加し、その温
度を、５００〜１０７０℃の範囲、実質的には６５０〜
７５０℃での再加熱処理温度を選択し、［Ｈｍ／Ｈｏ］
比を小さく謂整する。 溶浸後の接点に対して、再加圧力が４〜１０トン／ｃ
ｍ²の範囲の再加圧処理を追加し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を
小さく調整する。 ［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に
対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた
１つを適宜量添加することによって、または第１の補助
成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加
することによって、前記比率の微調整は可能である。こ
れらなどを適宜組合わせることによって
［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得た。

【０１２８】（実施例３０〜３２、比較例９〜１０）上
述のように用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相焼
結法によって所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を有する７５％Ｃ
ｕ−残部Ｃｒ合金を製造した（実施例３０〜３２、比較
例９〜１０）。

【０１２９】[Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する為に、接点製
造に際しては上記Ａ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）の適宜選択又は組み
合わせによって、１．０〜２．０（実施例３０〜３
２）、２．６〜３．０（比較例９〜１０）の［Ｈｍ／Ｈ
ｏ］比を有する接点を選出した。

【０１３０】これらの接点を評価用真空バルブに搭載
し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０^-3％で示し
た数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝
１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再
点弧発生頻度は、評価（Ｓ）を示し極めて良好な特性を
発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功
し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の
観察によれば、Ｃｕ相部分は完全に均一に切削研磨され
た状況が見られ、極めて安定した接点表面状態を示し、
Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られてい
ない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最
表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった（実施例３
０）。なお［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０未満の合金でも特
性的には同等の良好な性能を発揮する。

【０１３１】また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．３とした場
合では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も２４ｋＡの１０回遮断に
成功し「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に切削研
磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面の加工
状態を示し、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れ
は見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的
観察でも、最表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった
（実施例３１）。

【０１３２】更に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．０とした場
合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も２０ｋＡの１０回遮断に成功
し遮断特性も「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に
切削研磨された状況が見られ、Ｃｕ相の脱落、研磨傷な
どによる表面荒れはなく、極めて安定した接点表面状態
を示している（実施例３２）。

【０１３３】これに対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．６
の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し
再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツ
キも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テ
ストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。
遮断前の加工表面にはＣｕ相の脱落跡が観察されてい
る。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している
（比較例９）。

【０１３４】また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝３．０の場合で
も、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に
大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テ
ストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。
加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比
較例１０）。

【０１３５】以上から、再点弧特性と遮断特性との両立
に対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比の管理が極めて重要である
と共に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を２．０以下の範囲を選択す
る時に目的を達する。

【０１３６】（実施例３３〜３５、比較例１１〜１２）
前記実施例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％
に一定とした時の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を変動させた場合
の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比が再点弧特性と遮断特性に及ぼす
効果を示したが、本発明技術ではＣｕ量は７５％に限る
ことなく、Ｃｕの量が９０〜１０％（実施例３３〜３
５）に於いても効果を発揮する。

【０１３７】すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．２〜
１．４に一定とした時，Ｃｕ量が９０％の場合では、再
点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発
揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮
断特性も「合格」である（実施例３３）。最表面層の顕
微鏡的観察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も
無く、評価後の接点面からもＣｕ相の脱落はなかった。

【０１３８】Ｃｕ量が６０％の場合でも、再点弧発生頻
度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特
性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例３４）。

【０１３９】Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻
度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮
断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例３５）。最表面層の顕微鏡的観
察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も無く、評
価後の接点面からのＣｕ相の脱落もなかった。

【０１４０】これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合で
は、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し再点弧特
性に大幅な劣化が見られると共に大幅なバラツキも示し
好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成功
し遮断特性では「合格」であったが、一部に溶着の発生
が見られ総合的には目的達成に対して好ましくない（比
較例１１）。

【０１４１】一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発
生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣
化が見られる共に大福なバラツキも示し好ましくない。
遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断
不能を示し「不合格」である。遮断特性の著しく低下し
ていると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト
後の接触抵抗特性の安定性に乏しい（比較例１２）。最
表面層の顕微鏡的観察では、加工面上には著しい加工傷
が見られた。この加工傷が原因となって静耐圧値が低下
している。また加工時の機械的衝撃によってＣｕ相部分
の一部に脱落が見られた。遮断評価後の接点面からもＣ
ｕ相の脱落が認められた。

【０１４２】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が９０〜１０％の時
にその効果を発揮する。

【０１４３】（実施例３６〜４１）前記実施例３０〜３
５では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に存在する成分に
ついては、注目していなかったが、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の
Ｃｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術
は、Ｃｕ相中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａを含有したＣｕを使用したＣｕ（Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）−Ｃｒ合金に対して
も、再点弧特性、遮断特性が安定化する。

【０１４４】すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を
７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．１％のＣｒ成
分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、
評価（Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、
２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」で
ある（実施例３６）。

【０１４５】Ｃｕ相中に、０．３％のＴｉを含有させた
接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良
好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮
断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３７）。

【０１４６】Ｃｕ相中に、０．５％のＢを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断
に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３８）。

【０１４７】Ｃｕ相中に、１．５％のＶを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例３９）。

【０１４８】Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断
に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４０）。

【０１４９】Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好
な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断
に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４１）。

【０１５０】実施例３６〜４１で示したように、Ｃｕ相
中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの添加
は、Ｃｕ相の脱落を抑制し再点弧特性の安定化に寄与す
る。

【０１５１】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、Ｃｕ相中に所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａのいずれか１つを含有したＣｕを採用したＣｕ−Ｃｒ
合金に対しても有効に発揮される。

【０１５２】（実施例４２〜４５）Ｃｕ−Ｃｒ合金中の
Ｃｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術
は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有
したＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
のいずれか１つ）合金に対しても、再点弧特性、遮断特
性が安定化する。

【０１５３】すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を１．２〜
１．４に一定とした上で、Ｃｒ粒子中に０．５％のＴｉ
を含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜
Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．
ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である
（実施例４２）。

【０１５４】Ｃｒ粒子中に２．０％のＶを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例４３）。

【０１５５】Ｃｒ粒子中に２５％のＮｂを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例４４）。

【０１５６】Ｃｒ粒子中に５０％のＴａを含有させた接
点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特
性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成
功し遮断特性も「合格」である（実施例４５）。

【０１５７】Ｃｒ粒子中での所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａの存在効果は、Ｃｕ相とＣｒ粒子との界面に作用し
合金全体としての耐消耗性や耐電圧特性を改善し、［Ｈ
ｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術との相乗的
効果によって、再点弧発生頻度のバラツキ幅を圧縮し接
点特性の安定化に寄与している。

【０１５８】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有
したＣｒを採用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
のいずれか１つ）合金に対しても有効に発揮される。

【０１５９】（実施例４６〜４７、比較例１３）前記実
施例３０〜４５では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直
径を有するＣｒ粒子が、全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）
以上（０．９５〜０．９９）を占める例についてその効
果を示したが、本発明技術では、全Ｃｒ粒子中に占める
０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子
は、９５％（容積％）以上のＣｕ−Ｃｒ合金の場合に限
ることなく適応が可能である。

【０１６０】すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子
直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容
積％）のＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ接点では、再点弧発
生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮
断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例４６）。

【０１６１】全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、
０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）の
Ｃｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ
〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０
ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である
（実施例４７）。

【０１６２】これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均
粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が５０％
（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度
は、評価（Ｃ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見
られると共に大幅なバラツキも示し好ましくない。遮断
特性も、評価したバルブのうちの１本のみ２０ｋＡの遮
断に成功しているが、他の５本の総てのバルブでは２０
ｋＡの遮断不能多発し、バラツキが大で遮断特性は「不
合格」である（比較例１３）。

【０１６３】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径の比率が７５％
（容積％）以上のＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ合金に
於いて有効に発揮される。

【０１６４】（実施例４８〜５２、比較例１４）Ｃｕ−
Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．
０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合に
は、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。

【０１６５】すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを
含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を
示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１
０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４
８）。

【０１６６】Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた
接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な
特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に
成功し遮断特性も「合格」である（実施例４９）。

【０１６７】Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させ
た接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し
極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋ
Ａの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実
施例５０）。

【０１６８】Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有さ
せた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ）を示し極
めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１
０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５
１）。

【０１６９】Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させ
た接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し
極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋ
Ａの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実
施例５２）。

【０１７０】いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定し
た接点面となっている。

【０１７１】これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒
子中の第１の補助成分として、１．５％のＡｌを含有し
たＣｒを使用した場合には、再点弧発生頻度は、評価
（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましく
ない。遮断特性も、１０回の２４ｋＡ遮断中に８回、２
０ｋＡ遮断中に２回の再点弧発生を記録し、遮断不能が
多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１４）。加
工直後の接点面にはすでにＣｕ相の脱落が見られ、これ
が最初の再点弧発生の引き金となっている。

【０１７２】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、Ｃｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下
のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ
合金に対しても適用が可能である。

【０１７３】（実施例５３〜５８、比較例１５〜１６）
第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含
有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点粉特
性、遮断特性の安定化に有益である。また他の第２の補
助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有
したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、
遮断特性の安定化に有益である。

【０１７４】すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助
成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再
点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮し
た。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特
性も「合格」である（実施例５３）。

【０１７５】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として
１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度
は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断
特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例５４）。

【０１７６】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。
遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例５５）。

【０１７７】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。
遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も
「合格」である（実施例５６）。

【０１７８】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断
特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例５７）。

【０１７９】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断
特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合
格」である（実施例５８）。

【０１８０】また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分
として、０．２％のＰｂを含有させた接点でも同等の再
点弧発生頻度および遮断特性を発揮し「合格」である。

【０１８１】いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定し
た接点面となっている。

【０１８２】これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の
補助成分として、３．０％のＢｉを含有させた接点で
は、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特
性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、２
０ｋＡ以下の遮断で再点弧が多発し遮断特性は「不合
格」である（比較例１５）。遮断テスト後の接点表面に
は著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見ら
れた。

【０１８３】Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分とし
て、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生
頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見
られれ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成
功と２０ｋＡの遮断失敗が多発し遮断特性は「不合格」
である（比較例１６）。遮断テスト後の接点表面には著
しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られ
た。

【０１８４】以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関
する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術
は、Ｃｒ粒子中の第２の補助成分として、１．０％以下
のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金、または他の第
２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂ
を含有したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても適用が可能であ
る。

【０１８５】（その他の実施例）焼結工程後若しくは焼
結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度または
Ｃｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にま
で冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼
結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値
（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、非酸化性雰囲気
中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度
またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常
温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬
度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の
［Ｈｍ／Ｈｏ］比を、１．０〜２．０の範囲に調整する
こととしてもよい。

【０１８６】このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰
囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特
に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。

【０１８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の
優れた電力用真空遮断器の接点材料を提供することがで
きるので、その工業的価値は大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価条件を示す表
図。

【図２】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価条件を示す表
図。

【図３】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価結果を示す表
図。

【図４】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価結果を示す表
図。

【図５】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価条件を示す
表図。

【図６】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価条件を示
す表図。

【図７】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価結果を示す
表図。

【図８】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の
実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価結果を示
す表図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/08 Ｃ２２Ｆ 1/08 Ｂ 1/11 1/11 Ｈ０１Ｈ 1/02 Ｈ０１Ｈ 1/02 Ｃ 11/04 11/04 Ｄ // Ｂ２２Ｆ 7/00 Ｂ２２Ｆ 7/00 Ａ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６２７ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６２７ ６２８ ６２８ ６６１ ６６１Ａ ６８７ ６８７ ６９１ ６９１Ｂ Ｈ０１Ｂ 1/02 Ｈ０１Ｂ 1/02 Ａ (72)発明者 草野 貴史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 山本 敦史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 Ｆターム(参考） 4K018 BB04 FA36 JA10 KA34 5G023 AA05 BA11 CA33 CA35 CA50 5G026 BA01 BB02 BB14 BB16 BB17 BB18 BB22 BC04 BC09 5G050 AA02 AA04 AA12 AA13 AA27 AA33 AA40 AA42 AA43 AA46 AA47 AA48 AA50 BA01 CA01 DA03 EA02 5G301 AA07 AA08 AD04 AE02

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構
   成されるＣｕ相より成る導電性成分と、粒子径が０．１
   〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子を所定比率以上含ん
   だＣｒ粒子より成る耐弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃ
   ｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料に於いて、
   焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ−Ｃ
   ｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ
   値）をＨｓ、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解
   温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時
   の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイク
   ロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］
   比を、１．０〜１．６の範囲としたことを特徴とする電
   力用真空遮断器の接点材料。
2. 【請求項２】前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解
   温度の直下温度が１０３０℃〜１０８０℃であることを
   特徴とする請求項１に記載の電力用真空遮断器の接点材
   料。
3. 【請求項３】Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構
   成されるＣｕ相より成る導電性成分と、粒子径が０．１
   〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子を所定比率以上含ん
   だＣｒ粒子より成る耐弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃ
   ｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料に於いて、
   焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ−Ｃ
   ｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ
   値）をＨｓ、非酸化性雰囲気中で、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金
   中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温
   度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時
   の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイク
   ロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］
   比を、１．０〜１．６の範囲に調整したことを特徴とす
   る電力用真空遮断器の接点材料。
4. 【請求項４】前記Ｃｒの一部を、Ｃｒ量に対して５０％
   （重量％）以下のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１
   つによって置換したことを特徴とする請求項１乃至請求
   項３のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材料。
5. 【請求項５】前記Ｃｕ相中には、Ｃｕ量に対して２０％
   （重量％）以下のＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより
   選ばれた１つを含有したことを特徴とする請求項１乃至
   請求項４のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材
   料。
6. 【請求項６】導電性成分としてのＣｕ相の量を１０〜９
   ０％（重量％）、残部が耐弧性成分としてＣｒを含有し
   たことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに
   記載の電力用真空遮断器の接点材料。
7. 【請求項７】導電性成分としてのＣｕ相の量を１０〜９
   ０％（重量％）、第１補助成分としてＡｌ，Ｓｉの少な
   くとも一方を最大１．０％（重量％）、残部が耐弧性成
   分としてＣｒを含有したことを特徴とする請求項１乃至
   請求項５のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接点材
   料。
8. 【請求項８】第２補助成分として１％（重量％）以下の
   Ｂｉ，Ｓｂの１つを含有したことを特徴とする請求項１
   乃至請求項７のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接
   点材料。
9. 【請求項９】第２補助成分として５％（重量％）以下の
   Ｔｅ，Ｓｅ，Ｐｂの１つを含有したことを特徴とする請
   求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電力用真空遮断
   器の接点材料。
10. 【請求項１０】前記Ｃｒ粒子は、平均粒子径が０．１〜
    １５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子が、Ｃｒ粒子全体の少
    なくとも７５％（容積％）を占めるＣｒ粉よりなること
    を特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の
    電力用真空遮断器の接点材料。
11. 【請求項１１】Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で
    構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、粒子径が０．
    １〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子を所定比率以上含
    んだＣｒ粒子より成る耐弧性成分とで構成されたＣｕ−
    Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料に於い
    て、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ
    −Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬
    さ値）をＨｍ、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融
    解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した
    時の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイク
    ロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の［Ｈｍ／Ｈｏ］
    比を、１．０〜２．０の範囲としたことを特徴とする電
    力用真空遮断器の接点材料。
12. 【請求項１２】前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融
    解温度の直下温度が１０３０℃〜１０８０℃であること
    を特徴とする請求項１１に記載の電力用真空遮断器の接
    点材料。
13. 【請求項１３】Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で
    構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、粒子径が０．
    １〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子を所定比率以上含
    んだＣｒ粒子より成る耐弧性成分とで構成されたＣｕ−
    Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料に於い
    て、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ
    −Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬
    さ値）をＨｍ、非酸化性雰囲気中で、前記Ｃｕ−Ｃｒ合
    金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解
    温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時
    の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロ
    ビッカース硬さ値）をＨｏとした時の［Ｈｍ／Ｈｏ］比
    を、１．０〜２．０の範囲としたことを特徴とする電力
    用真空遮断器の接点材料。
14. 【請求項１４】前記Ｃｒの一部を、Ｃｒ量に対して、５
    ０％（重量％）以下のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれ
    た１つによって置換したことを特徴とする請求項１１乃
    至請求項１３のいずれかに記載の電力用真空遮断器の接
    点材料。
15. 【請求項１５】前記Ｃｕ相中には、Ｃｕ量に対して２０
    ％（重量％）以下のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａよ
    り選ばれた１つを含有したことを特徴とする請求項１１
    乃至請求項１４のいずれかに記載の電力用真空遮断器の
    接点材料。
16. 【請求項１６】導電性成分としてのＣｕ相の量を１０〜
    ９０％（重量％）、残部が耐弧性成分としてＣｒを含有
    したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいず
    れかに記載の電力用真空遮断器の接点材料。
17. 【請求項１７】導電性成分としてのＣｕ相の量を１０〜
    ９０％（重量％）、第１補助成分としてＡｌ，Ｓｉの少
    なくとも一方を最大１．０％（重量％）、残部が耐弧性
    成分としてＣｒを含有したことを特徴とする請求項１１
    乃至請求項１５のいずれかに記載の電力用真空遮断器の
    接点材料。
18. 【請求項１８】第２補助成分として１％（重量％）以下
    のＢｉ，Ｓｂの１つを含有したことを特徴とする請求項
    １１乃至請求項１７のいずれかに記載の電力用真空遮断
    器の接点材料。
19. 【請求項１９】第２補助成分として５％（重量％）以下
    のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂの１つを含有したことを特徴とする
    請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載の電力用真
    空遮断器の接点材料。
20. 【請求項２０】前記Ｃｒ粒子は、平均粒子径が０．１〜
    １５０μｍの範囲にあるＣｒ粒子が、Ｃｒ粒子全体の少
    なくとも７５％（容積％）を占めるＣｒ粉よりなること
    を特徴とする請求項１１乃至請求項１９のいずれかに記
    載の電力用真空遮断器の接点材料。