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JP2001235099A - Remounting system of process gas supply unit - Google Patents

Remounting system of process gas supply unit

Info

Publication number
JP2001235099A
JP2001235099A JP2000043090A JP2000043090A JP2001235099A JP 2001235099 A JP2001235099 A JP 2001235099A JP 2000043090 A JP2000043090 A JP 2000043090A JP 2000043090 A JP2000043090 A JP 2000043090A JP 2001235099 A JP2001235099 A JP 2001235099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas supply
supply unit
valve
process gas
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000043090A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Sudo
良久 須藤
Kenichi Goshima
憲一 五島
Shinichi Nitta
慎一 新田
Yuji Matsuoka
祐二 松岡
Minoru Ito
稔 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CKD Corp
Original Assignee
CKD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CKD Corp filed Critical CKD Corp
Priority to JP2000043090A priority Critical patent/JP2001235099A/en
Publication of JP2001235099A publication Critical patent/JP2001235099A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a remounting system of a process gas supply unit capable of remounting a module corresponding to each variation, in the process gas supply unit compact and in light weight. SOLUTION: In this process gas supply unit 1, mounting a check valve 11, a purge valve 12, a regulator 13 with interrupting function, a supply valve 15, and either one of a mass flow controller 14 or a sensor pack in a single base block 10 formed with flow paths 21 to 26, the mass flow controller 14 and the sensor pack can be remounted relating to the same base block 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程で
使用されるプロセスガスの供給を行うためのプロセスガ
ス供給ユニットに関し、特にモジュールの載せ替えが可
能なプロセスガス供給ユニットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process gas supply unit for supplying a process gas used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly to a process gas supply unit capable of replacing modules.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造のウェハ処理工程には、ホト
レジスト加工(ホトレジスト塗布、露光、現像、エッチ
ング)のエッチング等にプロセスガスが使用され、数種
類の中から特定のプロセスガスをチャンバへ供給するた
めのガス供給回路が構成されている。ガス供給回路は、
プロセスガスの種類に従ってガス供給ラインが構成さ
れ、各プロセスガスをマスフローコントローラ等の流体
制御機器を介してチャンバへと送り込んでいる。また、
プロセスガスは腐食性、毒性があるため、窒素ガス等の
パージガスを使用してプロセスガスの置換を行い、更に
はガスの排気処理を行うため、そのガス供給ラインに
は、プロセスガス供給ラインに加えパージガス供給ライ
ン及びベントラインが組み合わされている。
2. Description of the Related Art In a wafer processing step of semiconductor manufacturing, a process gas is used for etching of photoresist processing (photoresist coating, exposure, development, etching) and the like. In order to supply a specific process gas from several types to a chamber. Is configured. The gas supply circuit
A gas supply line is configured according to the type of the process gas, and each process gas is sent to the chamber via a fluid control device such as a mass flow controller. Also,
Since the process gas is corrosive and toxic, the process gas is replaced by using a purge gas such as nitrogen gas, and the gas supply line is used in addition to the process gas supply line to perform the gas exhaust process. The purge gas supply line and the vent line are combined.

【0003】そのため、ガス供給ラインには、プロセス
ガスやパージガスの流れ、或いは排気を制御するための
複数の弁や、流量調整するためのマスフローコントロー
ラ等が必要となる。そして最近では、設置面積のコンパ
クト化や流路長さの短縮などの観点からこれら流体機器
のユニット化が進んでいる。ここで、図13は、従来の
プロセスガス供給ユニットの一例を示した一部断面の側
面図である。このプロセスガス供給ユニット(以下、単
に「ガス供給ユニット」とする)200は、上流側から
順にレギュレータ211、圧力トランスデューサ21
2、フィルタ203、遮断弁204、パージ弁211、
逆止弁212、マスフローコントローラ205、排気弁
221、逆止弁222、遮断弁223、そしてガス供給
弁206を並べて組み合わせたものである。
Therefore, the gas supply line requires a plurality of valves for controlling the flow or exhaust of the process gas or the purge gas, a mass flow controller for adjusting the flow rate, and the like. In recent years, these fluid devices have been unitized from the viewpoint of making the installation area compact and shortening the flow path length. Here, FIG. 13 is a partial cross-sectional side view showing an example of a conventional process gas supply unit. The process gas supply unit (hereinafter simply referred to as “gas supply unit”) 200 includes a regulator 211 and a pressure transducer 21 in order from the upstream side.
2, filter 203, shut-off valve 204, purge valve 211,
The check valve 212, the mass flow controller 205, the exhaust valve 221, the check valve 222, the shut-off valve 223, and the gas supply valve 206 are arranged side by side and combined.

【0004】これらガス供給ユニット200を構成する
レギュレータ211等のモジュールは、複数のマウント
ベース400a〜400bj(以下、まとめて「マウン
トベース400」とする)で接続され、そのマウントベ
ース400に形成された流路を介して一連のガス供給ラ
インが形成されている。そして、複数のマウントベース
400は、ベースプレート410上に固定され一体のガ
ス供給ユニット200が造られている。こうしたユニッ
ト全体の中で、レギュレータ211、圧力トランスデュ
ーサ212、フィルタ203、遮断弁204、マスフロ
ーコントローラ205及びガス供給弁206が、プロセ
スガスを供給するプロセスガスラインを構成し、入力ポ
ート501側がプロセスガス供給源に、そして出力ポー
ト502側がチャンバに配管されている。
The modules such as the regulator 211 constituting the gas supply unit 200 are connected by a plurality of mount bases 400 a to 400 bj (hereinafter collectively referred to as “mount base 400”) and formed on the mount base 400. A series of gas supply lines are formed via the flow path. The plurality of mount bases 400 are fixed on a base plate 410 to form an integrated gas supply unit 200. In such an entire unit, a regulator 211, a pressure transducer 212, a filter 203, a shutoff valve 204, a mass flow controller 205, and a gas supply valve 206 constitute a process gas line for supplying a process gas, and an input port 501 side supplies a process gas. The source and the output port 502 side are plumbed to the chamber.

【0005】また、パージ弁211及び逆止弁212
は、パージガス供給ラインを構成し、マウントベース4
00eのパージポートが窒素ガス供給源へと配管されて
いる。更に、排気弁221、逆止弁222及び遮断弁2
23は、プロセスガスを排気するためのベントラインを
構成し、マウントベース400h,400iの排気ポー
トが排ガス処理装置に配管されている。こうしたガス供
給ユニット200は、プロセスガスの種類に従って数個
のユニットが並べられ、それぞれが配管されて一つのガ
ス供給回路が構成される。
Further, a purge valve 211 and a check valve 212
Constitutes a purge gas supply line, and the mount base 4
A 00e purge port is plumbed to the nitrogen gas supply. Further, the exhaust valve 221, the check valve 222, and the shutoff valve 2
Reference numeral 23 denotes a vent line for exhausting a process gas, and exhaust ports of the mount bases 400h and 400i are connected to an exhaust gas treatment device. In the gas supply unit 200, several units are arranged according to the type of the process gas, and each unit is piped to form one gas supply circuit.

【0006】そこで、ガス供給回路を構成する一つのガ
ス供給ユニット200におけるガスの流れを見てみる。
入力ポート501から入ったプロセスガスは、圧力トラ
ンスデューサ212によるガス圧力の監視の下、レギュ
レータ211によって圧力調整されて二次側へと送られ
る。そして、フィルタ203によってプロセスガス内の
混入不純物が除去され、遮断弁204を通ってマスフロ
ーコントローラ205へと流れて所定流量に絞られる。
設定圧力及び設定流量に調整されたプロセスガスは、更
にガス供給弁206を通って出力ポート502からチャ
ンバへと送られる。
Therefore, the flow of gas in one gas supply unit 200 constituting a gas supply circuit will be examined.
The process gas entered from the input port 501 is regulated by the regulator 211 under monitoring of the gas pressure by the pressure transducer 212 and sent to the secondary side. Then, impurities mixed in the process gas are removed by the filter 203, flow to the mass flow controller 205 through the shutoff valve 204, and are reduced to a predetermined flow rate.
The process gas adjusted to the set pressure and the set flow rate is further sent from the output port 502 to the chamber through the gas supply valve 206.

【0007】また、パージ処理の場合には、流路内にあ
るガスを真空引きする真空ベントと、大気開放した流路
内にパージガスを加圧封入する大気ベントとを繰り返
す、サイクルパージが行われる。サイクルパージの際に
は、遮断弁204及びガス供給弁206が閉じられ、こ
の間の流路内にあるプロセスガスがパージ処理される。
そこで、真空ベント時には、マウントベース400hの
排気ポートから真空引きが行われ、流路内のガスが真空
排気される。一方、大気ベント時には、マウントベース
400eのパージポートから窒素ガスなどのパージガス
が加圧封入され、同時に大気開放されたマウントベース
400iの排気ポートから排気される。排気されたガス
はいずれも排気処理装置に送られ、そこで処理される。
[0007] In the case of the purging process, a cycle vent is performed in which a vacuum vent for evacuating a gas in a flow path and an atmospheric vent for pressurizing and sealing a purge gas in a flow path opened to the atmosphere are repeated. . At the time of cycle purging, the shutoff valve 204 and the gas supply valve 206 are closed, and the process gas in the flow path therebetween is purged.
Therefore, at the time of vacuum venting, vacuum evacuation is performed from the exhaust port of the mount base 400h, and the gas in the flow path is evacuated. On the other hand, at the time of venting to atmosphere, a purge gas such as nitrogen gas is pressurized and sealed from the purge port of the mount base 400e, and is simultaneously exhausted from the exhaust port of the mount base 400i that is opened to the atmosphere. All the exhausted gases are sent to an exhaust treatment device, where they are treated.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、こうし
た従来のガス供給ユニット200の場合、レギュレータ
211等、搭載するモジュールの数が多いため、ガス供
給ユニット200自体の重量が重く、またモジュールを
並べた長さ方向の寸法も大きかった。ガス供給ユニット
200は、チャンバへの配管が長くなってしまうと、特
性の変わりやすいプロセスガスを長い距離にわたって引
き回すことになるため、チャンバ近傍に設置することが
望まれる。特に、チャンバの炉体背面にはポートが出て
いることから、最も設置ポイントとして好適な場所であ
ると考えられる。ところが、従来の重く大きなガス供給
ユニット200は、チャンバの炉体背面はもちろんのこ
と、設置スペースの制限されたチャンバ近傍への配置が
困難であった。加えて、ユニット単体の重量が重いた
め、数個のユニットを組み合わせた場合にガス供給回路
全体の重さが相当なものとなり、作業者の取り扱いが非
常に不便であった。
However, in the case of such a conventional gas supply unit 200, since the number of modules to be mounted, such as the regulator 211, is large, the weight of the gas supply unit 200 itself is heavy, and the length in which the modules are arranged is long. The dimension in the vertical direction was also large. If the piping to the chamber becomes long, the gas supply unit 200 will circulate a process gas whose characteristics are liable to change over a long distance. Therefore, it is desirable to install the gas supply unit 200 near the chamber. In particular, since a port is exposed on the back side of the furnace body of the chamber, it is considered to be the most suitable place as the installation point. However, it is difficult to arrange the conventional heavy and large gas supply unit 200 not only on the back of the furnace body of the chamber but also in the vicinity of the chamber where the installation space is limited. In addition, since the weight of the unit itself is heavy, when several units are combined, the weight of the entire gas supply circuit becomes considerable, and handling by an operator is very inconvenient.

【0009】ところで、半導体製造装置に使用されるガ
ス供給ユニットには、先に説明したタイプの他にも様々
なバリエーションがある。即ち、マスフローコントロー
ラ205を使用すれば、精度良く流量調整することがで
きるが、実流量が設定流量に安定するまでの応答時間が
遅くなる。そのため、マスフローコントローラ205に
替えて温度センサをモジュールとして設け、音速域の流
体が圧力や温度など所定の条件下で一定流量流れること
などを利用したガス供給ユニットなどが採用されてい
る。しかし、そうした場合、従来のガス供給ユニット
は、マスフローコントローラ205と温度センサの寸法
の違いによって、全体を組み直したり、特別なマウント
ベースを使用するなど、全く異なるユニットとして生産
する必要があった。
Incidentally, there are various variations of the gas supply unit used in the semiconductor manufacturing apparatus in addition to the above-described type. That is, if the mass flow controller 205 is used, the flow rate can be adjusted with high accuracy, but the response time until the actual flow rate becomes stable at the set flow rate becomes slow. For this reason, a temperature sensor is provided as a module in place of the mass flow controller 205, and a gas supply unit or the like is employed which utilizes the fact that a fluid in the sonic range flows at a constant flow rate under predetermined conditions such as pressure and temperature. However, in such a case, the conventional gas supply unit needs to be produced as a completely different unit, for example, by reassembling the whole or using a special mount base due to the difference in the dimensions of the mass flow controller 205 and the temperature sensor.

【0010】そこで本発明は、前記課題解決を図るべ
く、コンパクトで軽量なプロセスガス供給ユニットであ
って、各バリエーションに対応したモジュールの載せ替
えが可能な、プロセスガス供給ユニットの載せ替えシス
テムを提供することを目的とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a compact and lightweight process gas supply unit, in which a module corresponding to each variation can be replaced. The purpose is to do.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明のプロセ
スガス供給ユニットの載せ替えシステムは、逆止弁、パ
ージ弁、遮断機能付きレギュレータ、及びガス供給弁、
並びにマスフローコントローラ又はセンサパックのいず
れか一方を、流路の形成された一つのベースブロックに
搭載したプロセスガス供給ユニットであって、前記マス
フローコントローラとセンサパックとを同一のベースブ
ロックに対して載せ替え可能にしたことを特徴とする。
Therefore, a process gas supply unit reloading system according to the present invention comprises a check valve, a purge valve, a regulator with a shut-off function, a gas supply valve,
A process gas supply unit in which one of the mass flow controller and the sensor pack is mounted on one base block having a flow path, wherein the mass flow controller and the sensor pack are mounted on the same base block. It is made possible.

【0012】また、本発明のプロセスガス供給ユニット
の載せ替えシステムは、逆止弁、パージ弁、ガス供給
弁、及び遮断機能付きレギュレータ又は圧力制御弁のい
ずれか一方、並びにマスフローコントローラ又はセンサ
パックのいずれか一方を、流路の形成された一つのベー
スブロックに搭載したプロセスガス供給ユニットであっ
て、前記遮断機能付きレギュレータと圧力制御弁、及び
前記マスフローコントローラとセンサパックを同一のベ
ースブロックに対して載せ替え可能にしたことを特徴と
する。
The process gas supply unit reloading system according to the present invention includes a check valve, a purge valve, a gas supply valve, a regulator with a shut-off function or a pressure control valve, and a mass flow controller or a sensor pack. Either one is a process gas supply unit mounted on one base block in which a flow path is formed, and the regulator with a shutoff function and the pressure control valve, and the mass flow controller and the sensor pack are connected to the same base block. It is characterized in that it can be mounted and replaced.

【0013】また、本発明のプロセスガス供給ユニット
の載せ替えシステムは、前記センサパックが、温度セン
サ及び圧力センサを内蔵したもの、又は圧力センサ及び
流量センサを内蔵したものであることを特徴とする。ま
た、本発明のプロセスガス供給ユニットの載せ替えシス
テムは、前記センサパックが温度センサ及び圧力センサ
を内蔵したものの場合に、当該センサパック二次側のベ
ースブロックとの流路接続部分に、オリフィスを備えた
流量調整用ガスケットを装填したことを特徴とする。
[0013] In the system for reloading a process gas supply unit according to the present invention, the sensor pack has a built-in temperature sensor and a pressure sensor, or has a built-in pressure sensor and a flow sensor. . Further, in the system for replacing a process gas supply unit of the present invention, when the sensor pack has a built-in temperature sensor and a pressure sensor, an orifice is provided at a flow path connecting portion with the base block on the secondary side of the sensor pack. It is characterized in that the provided gasket for adjusting the flow rate is provided.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係るプロセスガス
供給ユニットの載せ替えシステムに関する一実施形態に
ついて図面を参照して説明する。以下に説明する本実施
形態のプロセスガス供給ユニット(以下、全ての実施形
態において単に「ガス供給ユニット」とする)は、前述
した従来技術の課題解決に対応して小型、軽量化を図る
とともに、各バリエーションに対応したモジュールの載
せ替えを可能にしたものである。図1は、ガス供給ユニ
ットの載せ替えシステムにおける第1形態を示す一部断
面の側面図である。
Next, an embodiment of a process gas supply unit reloading system according to the present invention will be described with reference to the drawings. The process gas supply unit of the present embodiment described below (hereinafter, simply referred to as “gas supply unit” in all embodiments) is reduced in size and weight in response to the above-described problem of the related art. It is possible to replace modules corresponding to each variation. FIG. 1 is a partial cross-sectional side view showing a first embodiment of the gas supply unit replacement system.

【0015】先ず、ガス供給ユニット1は、従来のもの
に比べ(図13参照)、レギュレータ等、モジュールの
数を劇的に減少させ、マウントベース400のような各
ブロック毎の流路接続部品を使用せず、1本のベースブ
ロック10を接続流路に使用した、いわゆるモノスティ
ックタイプとして構成したものである。そして、そのベ
ースブロック10上には、図13面左から順に逆止弁1
1、パージ弁12、遮断機能付きレギュレータ(以下、
単に「レギュレータ」とする)13、マスフローコント
ローラ14、そしてガス供給弁15と、ユニットを構成
するモジュールが搭載されている。
First, the gas supply unit 1 dramatically reduces the number of modules, such as regulators, as compared with the conventional gas supply unit (see FIG. 13), and uses a flow path connecting component such as a mount base 400 for each block. It is configured as a so-called mono-stick type in which one base block 10 is used for a connection flow path without being used. Then, on the base block 10, the check valve 1 is arranged in order from the left of FIG.
1, purge valve 12, regulator with shut-off function (hereinafter, referred to as
A module that constitutes a unit is mounted, and a mass flow controller 14, a gas supply valve 15, and the like.

【0016】こうした小型、軽量化を目的としたガス供
給ユニット1は、その基本コンセプトとしたモノスティ
ック化を進めるに当たって、先ずユニットを構成するモ
ジュールを最低限必要なものに限定することが検討され
た。ここで、従来(図13参照)と本形態とのガス供給
ユニット(200,1)をモジュール単位で比較する
と、本形態のガス供給ユニット1には、従来のガス供給
ユニット200にあった圧力トランスデューサ212、
フィルタ203、遮断弁204、排気弁221、逆止弁
222、遮断弁223が除かれている。こうしたものを
削除したのは、以下の理由による。
In order to make the gas supply unit 1 aimed at miniaturization and weight reduction as a basic concept of a monostick, it was first considered to limit the modules constituting the unit to the minimum necessary. . Here, comparing the gas supply unit (200, 1) of the present embodiment (see FIG. 13) with that of the present embodiment on a module basis, the gas supply unit 1 of the present embodiment has a pressure transducer which is different from that of the conventional gas supply unit 200. 212,
The filter 203, the shutoff valve 204, the exhaust valve 221, the check valve 222, and the shutoff valve 223 are removed. We removed these for the following reasons:

【0017】先ず、圧力トランスデューサ212は、遮
断機能付きのレギュレータ13(詳細は後述する)を採
用したことにより、そのレギュレータ13を操作するパ
イロット圧を検出する圧力センサ28(図2参照)で代
替できるため、ユニットを構成するモジュールから除い
た。フィルタ203は、図1に示すように、ベースブロ
ック10の入力ポート17に挿入したインラインフィル
タ16に代替させた。遮断弁204は、レギュレータ1
3に遮断機能をもたせたことにより、遮断弁そのものが
不要になった。更に、排気弁221、逆止弁222及び
遮断弁223は、ベントラインを構成するものである
が、本来ウェハ処理工程ではチャンバ内のクリーニング
が行われていることから、別途処理装置への排気を行う
ことなく、チャンバ内のガスとの一括処理が可能である
との考えから、ベントラインそのものを排除した。
First, the pressure transducer 212 employs a regulator 13 having a shutoff function (details will be described later), and can be replaced by a pressure sensor 28 (see FIG. 2) for detecting a pilot pressure for operating the regulator 13. Therefore, it was excluded from the modules constituting the unit. The filter 203 was replaced with an in-line filter 16 inserted in the input port 17 of the base block 10, as shown in FIG. The shutoff valve 204 is a regulator 1
By giving the shut-off function to 3, the shut-off valve itself became unnecessary. Further, the exhaust valve 221, the check valve 222, and the shutoff valve 223 constitute a vent line. However, since the cleaning of the inside of the chamber is originally performed in the wafer processing step, the exhaust to the processing apparatus is separately performed. The vent line itself was eliminated from the idea that batch processing with the gas in the chamber was possible without performing it.

【0018】こうして、小型、軽量を目的としたガス供
給ユニットのモノスティック化を進めるに当たり、必要
なモジュールの選択及び開発により、その実現を図っ
た。そこで、以下、ガス供給ユニット1の具体的な構成
について説明する。ベースブロック10は、角柱形状の
ブロック体を横向きにしたものであり、レギュレータ1
3等のモジュールを固定するための取付面10aに不図
示のネジ穴が形成され、各モジュール間を連通する流路
の形成されたものである。
As described above, the realization of the monolithic gas supply unit for the purpose of miniaturization and weight reduction was achieved by selecting and developing necessary modules. Therefore, a specific configuration of the gas supply unit 1 will be described below. The base block 10 is formed by turning a prism-shaped block body sideways.
A screw hole (not shown) is formed in a mounting surface 10a for fixing a module such as a third module, and a flow path communicating between the modules is formed.

【0019】ベースブロック10には、長手方向の一端
面にプロセスガス供給源側に配管させる入力ポート17
が突設され、他端面にチャンバ側に配管させる出力ポー
ト18が突設されている。そして、ベースブロック10
内には、入力ポート17に連通する入力流路21がレギ
ュレータ13直下まで直線的に形成され、そこで直角に
折れて取付面10aへと伸びている。また、ベースブロ
ック10には、その上に配置された逆止弁11、パージ
弁12、レギュレータ13、マスフローコントローラ1
4及びガス供給弁15を、隣り合うもの同士連通させる
V字流路22,23,24,25が形成され、更にガス
供給弁15を出力ポート18へ連通させるL字形の出力
流路26が形成されている。
The base block 10 has an input port 17 connected to a process gas supply source at one end face in the longitudinal direction.
And an output port 18 for piping to the chamber side is provided on the other end surface. And the base block 10
Inside, an input flow path 21 communicating with the input port 17 is formed linearly right below the regulator 13, where it is bent at a right angle and extends to the mounting surface 10a. The base block 10 has a check valve 11, a purge valve 12, a regulator 13, a mass flow controller 1 disposed thereon.
V-shaped flow paths 22, 23, 24, and 25 for connecting adjacent ones of the gas supply valve 15 and the gas supply valve 15 are formed, and an L-shaped output flow path 26 for connecting the gas supply valve 15 to the output port 18 is formed. Have been.

【0020】一方、ガス供給ユニット1を構成するモジ
ュールは、前述したように逆止弁11、パージ弁12、
レギュレータ13、マスフローコントローラ14、そし
てガス供給弁15である。入力ポート17に連通したレ
ギュレータ13は、図2に示す遮断機能を備えたもので
あり、パイロット圧によってガス圧調整を行い、スプリ
ングによって遮断を行うよう構成されたものである(詳
細は後述する)。そして、そのレギュレータ13には、
V字流路24を介して流量調整を行うマスフローコント
ローラ14が連通し、更にマスフローコントローラ14
は、V字流路25を介してガス供給弁15が連通してい
る。ガス供給弁15は、シリンダをアクチュエータとし
た開閉弁である。なお、具体的には、後述する圧力制御
弁90(図9参照)とパージポートを除いて同じ構成を
なすものである。
On the other hand, the modules constituting the gas supply unit 1 include a check valve 11, a purge valve 12,
The regulator 13, the mass flow controller 14, and the gas supply valve 15. The regulator 13 connected to the input port 17 has a shut-off function shown in FIG. 2, and is configured to perform gas pressure adjustment by pilot pressure and shut off by a spring (details will be described later). . And the regulator 13 includes:
A mass flow controller 14 for adjusting a flow rate is communicated via a V-shaped flow path 24, and the mass flow controller 14
Is connected to the gas supply valve 15 via a V-shaped flow path 25. The gas supply valve 15 is an on-off valve using a cylinder as an actuator. Specifically, the pressure control valve 90 (see FIG. 9) described later has the same configuration as that of the purge port except for a purge port.

【0021】また、レギュレータ13は、パージガスを
送るための逆止弁11及びパージ弁12に接続され、特
に、パージ弁12の二次側にV字流路23を介して連通
している。逆止弁11とパージ弁12とは、V字流路2
2を介してに連通している。パージ弁12は、シリンダ
をアクチュエータとした開閉弁であり、これも後述する
圧力制御弁90(図9参照)とパージポートを除いて同
じ構成をなすものである。そして、こうした本形態のガ
ス供給ユニット1は、ユニット単位で専用のコントロー
ラ20Aを備え、半導体製造装置全体の制御を司るメイ
ンコントローラからの設定値入力に基づき、適切な圧力
調整制御及び流量調整制御が行われるようになってい
る。コントローラ20Aは、レギュレータ13を操作す
るレギュレータコントロール30(図2に示す電空レギ
ュレータ27及び圧力センサ28を指すものである)
と、マスフローコントローラ14に接続されている。
The regulator 13 is connected to a check valve 11 and a purge valve 12 for sending a purge gas. In particular, the regulator 13 is connected to a secondary side of the purge valve 12 via a V-shaped flow path 23. The check valve 11 and the purge valve 12 are connected to the V-shaped flow path 2
It is communicated through 2. The purge valve 12 is an open / close valve using a cylinder as an actuator, and also has the same configuration as a pressure control valve 90 (see FIG. 9) described later except for a purge port. The gas supply unit 1 of this embodiment includes a dedicated controller 20A for each unit, and performs appropriate pressure adjustment control and flow rate adjustment control based on a set value input from a main controller that controls the entire semiconductor manufacturing apparatus. Is being done. The controller 20A is a regulator control 30 for operating the regulator 13 (refers to the electropneumatic regulator 27 and the pressure sensor 28 shown in FIG. 2).
Are connected to the mass flow controller 14.

【0022】次に、ガス供給ユニット1を構成するレギ
ュレータ13及びマスフローコントローラ14について
説明する。先ず、図2は、レギュレータ13を示す断面
図である。レギュレータ13は、ダイアフラム31で仕
切った下方の調圧室32に、入力ポート33、出力ポー
ト34、そしてパージポート35が連通している。そし
て、入力ポート34の形成された流路には、途中、弁座
体36がはめ込まれ、その弁座体36と、ダイアフラム
31と一体の弁棒下端の弁体37とで流路を開閉する遮
断弁が構成されている。更にダイアフラム31には、上
方に突設したフランジ付きの操作ロッド38が一体に形
成され、弁体37が遮断機能を発揮するのに十分な強さ
のスプリング39によって、その操作ロッド38が上方
に付勢されている。そして、その操作ロッド38を覆う
ように、パイロットポート31を備えたカバー40が被
せられ、ダイアフラム31上に加圧室42が形成されて
いる。
Next, the regulator 13 and the mass flow controller 14 constituting the gas supply unit 1 will be described. First, FIG. 2 is a sectional view showing the regulator 13. In the regulator 13, an input port 33, an output port 34, and a purge port 35 communicate with a lower pressure regulation chamber 32 partitioned by a diaphragm 31. A valve seat 36 is fitted into the flow passage in which the input port 34 is formed, and the flow passage is opened and closed by the valve seat 36 and the valve body 37 at the lower end of the valve rod integrated with the diaphragm 31. A shutoff valve is configured. Further, an operation rod 38 with a flange projecting upward is integrally formed with the diaphragm 31, and the operation rod 38 is upwardly moved by a spring 39 having sufficient strength so that the valve body 37 exerts a shutoff function. Being energized. Then, a cover 40 having a pilot port 31 is covered so as to cover the operation rod 38, and a pressurizing chamber 42 is formed on the diaphragm 31.

【0023】また、こうしたレギュレータ13には、パ
イロットポート31に加圧室42内にエアを送り込むパ
イロット用の電空レギュレータ27が接続され、更にそ
のエア配管29上には圧力センサ28が設けられてい
る。そして、図1に示すガス供給ユニット1専用のコン
トローラ20Aは、この電空レギュレータ27と圧力セ
ンサ28とに接続されている。
The regulator 13 is connected to a pilot electropneumatic regulator 27 for feeding air into the pressurizing chamber 42 to the pilot port 31, and a pressure sensor 28 is provided on the air pipe 29. I have. The controller 20A dedicated to the gas supply unit 1 shown in FIG. 1 is connected to the electropneumatic regulator 27 and the pressure sensor 28.

【0024】次に、図3は、マスフローコントローラ1
4の内部を示した概略の構造図であり、図4は、流量セ
ンサを示した図3のA−A断面図である。マスフローコ
ントローラ14は、ボディカバー51にポートブロック
52が嵌合して形成された箱体内に構成されたものであ
り、ポートブロック52に穿設された入力ポート53及
び出力ポート54をつなぐ流路上に、流量センサ57と
コントロールバルブ58が設けられている。流量センサ
57とコントロールバルブ58は、ポートブロック52
と折返し流路55を備えた連結ブロック56との間に挟
まれ、それぞれポート53,54と折返し流路55とを
連通するように流路がつながれている。
Next, FIG. 3 shows the mass flow controller 1.
4 is a schematic structural diagram showing the inside of FIG. 4, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3 showing the flow sensor. The mass flow controller 14 is configured in a box formed by fitting a port block 52 to a body cover 51, and is provided on a flow path connecting an input port 53 and an output port 54 formed in the port block 52. A flow sensor 57 and a control valve 58 are provided. The flow sensor 57 and the control valve 58 are connected to the port block 52.
And a connection block 56 having a return flow path 55, and the flow paths are connected so that the ports 53 and 54 communicate with the return flow path 55, respectively.

【0025】流量センサ57は、入力ポート53と折返
し流路55とに連通した主流路59にバイパス流路60
が形成され、そのパイパス流路60に、ガス流量を測定
するための計測部61が設けられている。計測部61
は、感熱抵抗線を巻き付けた感熱コイルから構成された
ものである。一方、主流路59内には、ガスの流れを層
流状態にするための層流部材62が挿入されている。一
方、コントロールバルブ58は、巻回されたコイル63
の中心を通って流路64が形成され、その流路64延長
上に弁座65が形成されている。そして、弁座65に対
し、可動鉄心66が板バネ67の弾性力によって付勢さ
れ、可動鉄心66底面に固着された弁体68が弁座65
に当接している。こうしたマスフローコントローラ14
には、流量センサ57から送られる測定信号の送受信
や、コントロールバルブ58の駆動制御を行うための回
路をもった制御基板50がボディカバー51内に備えら
れている。
The flow sensor 57 includes a bypass flow path 60 in a main flow path 59 communicating with the input port 53 and the return flow path 55.
Is formed, and a measurement unit 61 for measuring a gas flow rate is provided in the bypass flow path 60. Measuring unit 61
Is composed of a heat-sensitive coil wound with a heat-sensitive resistance wire. On the other hand, a laminar flow member 62 for inserting a gas flow into a laminar flow state is inserted in the main flow path 59. On the other hand, the control valve 58 is
, A flow path 64 is formed, and a valve seat 65 is formed on an extension of the flow path 64. Then, the movable iron core 66 is urged against the valve seat 65 by the elastic force of the leaf spring 67, and the valve body 68 fixed to the bottom surface of the movable iron core 66 is moved to the valve seat 65.
Is in contact with Such a mass flow controller 14
In the body cover 51, a control board 50 having a circuit for transmitting and receiving a measurement signal sent from the flow sensor 57 and for controlling the drive of the control valve 58 is provided.

【0026】そこで、第1形態のガス供給ユニット1で
は、次のようにしてプロセスガスの供給が行われる。こ
のガス供給ユニット1へ送られたプロセスガスは、入力
ポート17のインラインフィルタ16によって不純物が
除かれ、入力流路21を通ってレギュレータ13へと流
れる。レギュレータ13は、ダイアフラム31にパイロ
ット圧がかかっていない場合には、スプリング39の付
勢力によって弁体37が上方へ引き上げられ、弁座体3
6と当接して流路を遮断している。一方、加圧室42内
に供給されたエアによってダイアフラム31が上方から
加圧され、スプリング39の付勢力に抗して下方へ撓む
と、それによって弁体37が弁座体36から離間して遮
断された流路が連通する。
Therefore, in the gas supply unit 1 of the first embodiment, the process gas is supplied as follows. The process gas sent to the gas supply unit 1 has impurities removed by the in-line filter 16 of the input port 17 and flows to the regulator 13 through the input flow path 21. When the pilot pressure is not applied to the diaphragm 31, the regulator 13 pulls the valve body 37 upward by the urging force of the spring 39, and the valve seat body 3
6 to block the flow path. On the other hand, when the diaphragm 31 is pressurized from above by the air supplied into the pressurizing chamber 42 and bends downward against the urging force of the spring 39, the valve body 37 is separated from the valve seat body 36 thereby. The blocked flow path communicates.

【0027】従って、レギュレータ13の入力ポート3
3から入ったプロセスガスは、調圧室32を通って出力
ポート34からマスフローコントローラ14へと流れ
る。このとき、プロセスガスは、レギュレータ13によ
って所定の圧力に調整される。一方、パージポート35
の方向へ流れたプロセスガスは、閉弁したパージ弁12
や逆止弁11によって止められ、同方向にそれ以上流れ
ることはない。レギュレータ13からマスフローコント
ローラ14へと流れたプロセスガスは、そこで流量調整
され、開弁したガス供給弁15を通って出力ポート18
からチャンバへと流れる。
Therefore, the input port 3 of the regulator 13
The process gas entering from 3 flows from the output port 34 to the mass flow controller 14 through the pressure regulating chamber 32. At this time, the process gas is adjusted to a predetermined pressure by the regulator 13. On the other hand, the purge port 35
The process gas flowing in the direction of
And it is stopped by the check valve 11 and does not flow any more in the same direction. The process gas flowing from the regulator 13 to the mass flow controller 14 is adjusted in flow there, passes through the opened gas supply valve 15, and passes through the output port 18.
To the chamber.

【0028】こうしてガス供給ユニット1を通って流れ
るプロセスガスは、レギュレータ13で圧力が、マスフ
ローコントローラ14で流量がそれぞれ調整され、安定
した状態でチャンバへと供給されることとなる。圧力及
び流量調整制御は、このガス供給ユニット1専用のコン
トローラ20Aによって行われる。コントローラ20A
には、メインコントローラから圧力・流量設定値が入力
され、その設定値に基づいてガス供給ユニット1のレギ
ュレータ13及びマスフローコントローラ14の制御が
行われる。
The pressure of the process gas flowing through the gas supply unit 1 is adjusted by the regulator 13 and the flow rate of the process gas is adjusted by the mass flow controller 14, and the process gas is supplied to the chamber in a stable state. The pressure and flow rate adjustment control is performed by the controller 20A dedicated to the gas supply unit 1. Controller 20A
, A pressure / flow rate set value is input from the main controller, and the regulator 13 and the mass flow controller 14 of the gas supply unit 1 are controlled based on the set values.

【0029】そこで、レギュレータ13の制御を行う場
合には、コントローラ20Aから所定の圧力設定値に基
づいた圧力設定信号が電空レギュレータ27へ入力され
る一方、電空レギュレータ27によってレギュレータ1
3へ供給されるエアのパイロット圧が圧力センサ28で
測定され、その測定圧力信号がコントローラ20Aへと
送り返される。レギュレータ13では、ダイアフラム3
1が加圧室42側のパイロット圧によって下方に撓み、
弁体37が下降して流路の遮断が解除される。これによ
り、入力ポート33から流入したプロセスガスは調圧室
32を通って出力ポート34へと二次側へ流れる。その
際、入力ポート33から調圧室32へ流れんだプロセス
ガスは、加圧室40内のパイロット圧に対応する圧力で
ダイアフラムに作動し、弁体36による流路断面が、そ
の二次側圧力とパイロット圧とが平衡するように調節さ
れる。
To control the regulator 13, a pressure setting signal based on a predetermined pressure set value is input from the controller 20 A to the electropneumatic regulator 27, while the electropneumatic regulator 27 controls the regulator 1.
The pilot pressure of the air supplied to 3 is measured by the pressure sensor 28, and the measured pressure signal is sent back to the controller 20A. In the regulator 13, the diaphragm 3
1 is bent downward by the pilot pressure of the pressurizing chamber 42 side,
The valve body 37 descends, and the cutoff of the flow path is released. As a result, the process gas flowing from the input port 33 flows through the pressure regulating chamber 32 to the output port 34 to the secondary side. At this time, the process gas flowing from the input port 33 to the pressure regulating chamber 32 operates on the diaphragm at a pressure corresponding to the pilot pressure in the pressurizing chamber 40, and the cross section of the flow path by the valve body 36 is moved to the secondary side. The pressure and the pilot pressure are adjusted so as to be balanced.

【0030】従って、圧力センサ28が測定するパイロ
ット圧から、二次側へ流れるプロセスガスのガス圧を換
算することができるので、コントローラ20Aは、圧力
センサ28からの測定圧力信号に従って電空レギュレー
タ27を制御することで、プロセスガスの圧力が設定値
になるようにレギュレータ13を制御することとなる。
こうして圧力調整されてマスフローコントローラ14へ
と流れたプロセスガスは、入力ポート53から入って流
量センサ57を通る(図4参照)。その際、一部のプロ
セスガスがバイパス流路60を通り、そこで計測部61
によって流量が測定される。
Therefore, since the gas pressure of the process gas flowing to the secondary side can be converted from the pilot pressure measured by the pressure sensor 28, the controller 20A operates the electropneumatic regulator 27 according to the measured pressure signal from the pressure sensor 28. Is controlled, the regulator 13 is controlled so that the pressure of the process gas becomes a set value.
The process gas that has been pressure-adjusted in this way and has flowed to the mass flow controller 14 enters through the input port 53 and passes through the flow sensor 57 (see FIG. 4). At that time, a part of the process gas passes through the bypass flow path 60, where the measuring unit 61
Measures the flow rate.

【0031】そして、その測定値が、測定流量信号とし
て流量センサ57から制御基板50を介してコントロー
ラ20Aへと送られ、そのコントローラ20Aからの流
量調整信号を受けた制御基板50によってコントロール
バルブ58が駆動制御される。コントロールバルブ58
は、コイル63への通電によって発生した磁界により下
側コアが励磁され、それに吸引された可動鉄心66が板
バネ67の弾性力に抗して上昇する。従って、弁体68
が弁座65から離間し、その弁開度によって所定流量の
プロセスガスが出力ポート54を通って二次側へと流れ
る。よって、レギュレータ13とマスフローコントロー
ラ14で圧力と流量の調整されたプロセスガスがチャン
バへと供給される。
The measured value is sent as a measured flow signal from the flow sensor 57 to the controller 20A via the control board 50, and the control valve 50 receives the flow adjustment signal from the controller 20A to control the control valve 58. Drive controlled. Control valve 58
The lower core is excited by a magnetic field generated by energizing the coil 63, and the movable core 66 attracted by the lower core rises against the elastic force of the leaf spring 67. Therefore, the valve element 68
Is separated from the valve seat 65, and a predetermined amount of process gas flows through the output port 54 to the secondary side depending on the valve opening. Therefore, the process gas whose pressure and flow rate have been adjusted by the regulator 13 and the mass flow controller 14 is supplied to the chamber.

【0032】次に、プロセスガス供給を済ませてパージ
を行う段階では、レギュレータ13のダイアフラム31
に対するパイロット圧を解除し、スプリング38によっ
て引き上げられた弁体36が弁座体35に当接して、調
圧室32と入力ポート33との間が遮断される。そうし
て、逆止弁11側から供給されたパージガスは、開弁し
たパージ弁12を通ってレギュレータ13へと流れる。
パージガスは、レギュレータ13(図2参照)のパージ
ポート35から調圧室32を通って出力ポート34へと
流れ、更にコントロールバルブ58を全開させたマスフ
ローコントローラ14を通り、ガス供給弁15からチャ
ンバ内へと排出される。
Next, at the stage of purging after supplying the process gas, the diaphragm 31 of the regulator 13 is turned on.
Is released, the valve body 36 pulled up by the spring 38 comes into contact with the valve seat body 35, and the space between the pressure regulation chamber 32 and the input port 33 is shut off. Then, the purge gas supplied from the check valve 11 side flows to the regulator 13 through the opened purge valve 12.
The purge gas flows from the purge port 35 of the regulator 13 (see FIG. 2) to the output port 34 through the pressure regulation chamber 32, passes through the mass flow controller 14 in which the control valve 58 is fully opened, and passes from the gas supply valve 15 to the inside of the chamber. Is discharged to

【0033】従って、レギュレータ13の二次側流路内
に充填されていたプロセスガスは、チャンバのクリーニ
ングに伴い、こうしたパージガスによる置換や真空排気
によってチャンバ内へ排出され、パージ処理される。本
形態では、このように、従来別ラインで排気処理装置へ
と送って行っていたプロセスガスの処理を、チャンバ内
のクリーニング処理と併せてパージ処理を行う方法を採
用している。
Therefore, the process gas filled in the secondary side flow path of the regulator 13 is discharged into the chamber by purging with such a purge gas or evacuating as the chamber is cleaned, and is purged. In this embodiment, the method of purging the process gas, which has been conventionally sent to the exhaust processing device on a separate line, together with the cleaning process in the chamber is employed.

【0034】よって、第1形態のガス供給ユニット1に
よれば、1本のベースブロック10上に必要最低限のモ
ジュール(レギュレータ13等)を搭載したモノスティ
ックタイプとしたので、非常に軽量コンパクトなものに
なった。そのため、設置面積の制限されたチャンバ近傍
に配置することが可能となり、特に、チャンバの炉体背
面への取付けが可能となった。これは、コンパクトにな
ったことはもちろん、軽量になったことによって作業者
が取り外しを容易に行えるようになった作業性向上の効
果も大きい。そして、チャンバ近傍に配置可能としたこ
とで、プロセスガスの配管内の引き回しが短くなり、プ
ロセスガスを安定してチャンバへと供給できるようにな
った。チャンバの炉体背面に取付けが可能になったこと
は、特に背面にポートが出ていることから配管を最短に
することができ、その効果は大きい。
Therefore, according to the gas supply unit 1 of the first embodiment, the gas supply unit 1 is a monostick type in which the minimum required modules (eg, the regulator 13) are mounted on one base block 10. Therefore, the gas supply unit 1 is extremely lightweight and compact. It became something. Therefore, it is possible to dispose it near the chamber whose installation area is limited, and in particular, it is possible to attach the chamber to the back of the furnace body. This has a great effect of improving workability, which is not only compact but also lightweight so that an operator can easily remove it. Further, since the process gas can be disposed in the vicinity of the chamber, the process gas can be routed within the pipe shortly, and the process gas can be stably supplied to the chamber. The fact that the chamber can be attached to the backside of the furnace body makes it possible to minimize the piping, especially since the port is provided on the backside, and the effect is great.

【0035】また、モジュール(レギュレータ13等)
の減少に伴って格段にシール箇所が減ったため、ガス漏
れに対する信頼性が高まった。また、本形態のガス供給
ユニット1によれば、マスフローコントローラ14前段
の流路が短くなって容積が極めて少なくなり、パージ時
間を短縮させることができた。これは、真空引きされる
ガスがマスフローコントローラ14で絞られるので、マ
スフローコントローラ14の一次側容積が少なくなった
ことの効果は大きい。また、このガス供給ユニット1の
場合、処理するプロセスガスもチャンバへ排気するた
め、チャンバ近傍にガス供給ユニット1を配置可能とし
たことは、こうしたパージ時間の短縮にも寄与してい
る。
Modules (eg, regulator 13)
As the number of seals was significantly reduced with the decrease in the number of pieces, reliability against gas leakage was improved. According to the gas supply unit 1 of the present embodiment, the flow path in front of the mass flow controller 14 is shortened, the volume is extremely reduced, and the purge time can be shortened. This is because the gas to be evacuated is throttled by the mass flow controller 14, and the effect of the decrease in the primary volume of the mass flow controller 14 is significant. Further, in the case of the gas supply unit 1, since the process gas to be processed is also exhausted to the chamber, the fact that the gas supply unit 1 can be arranged near the chamber also contributes to shortening of the purge time.

【0036】また、ガス供給ユニット1は、遮断機能付
きレギュレータ13によって圧力センサ及び遮断弁の2
モジュールを削除することができ、コンパクト化に大き
く寄与することになった。加えて、このレギュレータ1
3にパージポート35を形成したことにより、パージ弁
12の二次側にレギュレータ13を配置することができ
るので、パージガスがレギュレータ13内通り、プロセ
スガスをほとんど滞留させることなくパージさせること
ができるようになった。
The gas supply unit 1 is connected to a pressure sensor and a shutoff valve by a regulator 13 having a shutoff function.
The module can be eliminated, which greatly contributes to downsizing. In addition, this regulator 1
Since the purge port 35 is formed in the purge valve 3, the regulator 13 can be disposed on the secondary side of the purge valve 12, so that the purge gas passes through the regulator 13 and the process gas can be purged with little stagnation. Became.

【0037】更に、本形態のガス供給ユニット1では、
専用のコントローラ20Aを持たせたため、所定の圧力
・流量設定値に従った最適な状態のプロセスガス供給が
可能となった。従来、こうした圧力及び流量制御は、半
導体製造装置本体のメインコントローラによって行われ
ていた。即ち、メインコントローラが、半導体製造装置
を構成する多くのガス供給ユニットを一括して管理する
態勢にあった。しかし、同一のガス供給ユニット1が複
数個製造された場合、それぞれ公差によってユニット毎
に個性が生じる。つまり、各ガス供給ユニット1を同様
に制御しても、弁部の公差等によって微妙な圧力変化や
流量変化が生じることがある。本形態では、専用のコン
トローラ20Aが、こうした各ガス供給ユニット1毎の
個性に応じて微妙な制御を行うことで、各ユニット毎に
設定圧力及び設定流量に従ったプロセスガスの安定供給
を保証することができるようになった。また、コントロ
ーラ20Aでプロセスガス供給時の制御データを記憶さ
せておくようにすれば、不具合が生じた場合に、そのデ
ータに基づき問題を検証することができる。
Further, in the gas supply unit 1 of the present embodiment,
Since the dedicated controller 20A is provided, it is possible to supply the process gas in an optimum state according to the predetermined pressure and flow rate set values. Conventionally, such pressure and flow control has been performed by a main controller of a semiconductor manufacturing apparatus main body. That is, the main controller is in a state of collectively managing many gas supply units constituting the semiconductor manufacturing apparatus. However, when a plurality of identical gas supply units 1 are manufactured, each unit has individuality due to tolerance. That is, even if the respective gas supply units 1 are controlled in the same manner, a slight change in pressure or change in flow rate may occur due to a tolerance of the valve unit or the like. In the present embodiment, the dedicated controller 20A performs delicate control according to the individuality of each gas supply unit 1 to assure a stable supply of process gas according to the set pressure and set flow rate for each unit. Now you can do it. Further, if control data at the time of supply of the process gas is stored in the controller 20A, when a problem occurs, the problem can be verified based on the data.

【0038】ところで、前記第1形態のガス供給ユニッ
ト1は、半導体製造装置に使用されるバリエーションの
中の1つであって、そのモジュールの載せ替えによって
異なる形態のユニットにすることができる。そこで、以
下に異なるバリエーションのガス供給ユニットについて
説明する。なお、前記第1形態で説明したガス供給ユニ
ット1と同一の構成要素については同じ符号を付して説
明する。
Incidentally, the gas supply unit 1 of the first embodiment is one of variations used in a semiconductor manufacturing apparatus, and can be a unit of a different embodiment by changing the module. Therefore, a different variation of the gas supply unit will be described below. The same components as those of the gas supply unit 1 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and described.

【0039】先ず、図5は、ガス供給装ユニットの載せ
替えシステムにおける第2形態を示した一部断面の側面
図である。本形態のガス供給ユニット2は、図1に示す
ガス供給ユニット1のマスフローコントローラ14の代
わりにセンサパック70を載せ替えたものである。従っ
て、マスフローコントローラ14以外のモジュール、つ
まり逆止弁11、パージ弁12、レギュレータ13及び
ガス供給弁15は同一である。また、図6は、載せ替え
たセンサパック70の内部を示した概略の構造図であ
る。センサパック70は、圧力センサと温度センサを組
み合わせて一つのモジュールとし、その外形寸法をマス
フローコントローラ14と一致させている。
First, FIG. 5 is a partial cross-sectional side view showing a second embodiment of the gas supply unit replacement system. The gas supply unit 2 of the present embodiment has a sensor pack 70 replaced instead of the mass flow controller 14 of the gas supply unit 1 shown in FIG. Therefore, modules other than the mass flow controller 14, that is, the check valve 11, the purge valve 12, the regulator 13, and the gas supply valve 15 are the same. FIG. 6 is a schematic structural view showing the inside of the replaced sensor pack 70. The sensor pack 70 combines a pressure sensor and a temperature sensor into a single module, and its external dimensions are made to match the mass flow controller 14.

【0040】センサパック70は、ボディカバー71に
ポートブロック72が嵌合して形成された箱体内に構成
されたものであり、ポートブロック72に穿設された入
力ポート73及び出力ポート74をつなぐ流路上に、温
度センサ75と圧力センサ76が設けられている。温度
センサ75と圧力センサ76とは、ポートブロック72
と折返し流路77の形成された連結ブロック78との間
に挟まれている。温度センサ75と圧力センサ76は同
様の形態で形成されているため、図6のB−B断面及び
C−C断面の形態を示した図7によって合わせて説明す
る。即ち、温度センサ75及び圧力センサ76は、それ
ぞれ圧力又は温度を測定するセンサチップ81,82
が、ポート73,74と折返し流路77とを結ぶ接続流
路79,80の途中の分岐流路に設けられている。更
に、センサパック70には、こうした温度センサ75や
圧力センサ76から送られる測定信号の送受信を行うた
めの回路をもった制御基板83が、ボディカバー71内
に備えられている。
The sensor pack 70 is formed in a box body formed by fitting a port block 72 to a body cover 71, and a flow connecting an input port 73 and an output port 74 formed in the port block 72. A temperature sensor 75 and a pressure sensor 76 are provided on the road. The temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 are connected to the port block 72.
And the connection block 78 in which the return channel 77 is formed. Since the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 are formed in the same form, they will be described together with reference to FIG. 7 which shows the forms of the BB section and the CC section of FIG. That is, the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 are sensor chips 81 and 82 for measuring pressure or temperature, respectively.
Are provided in the branch flow paths in the middle of the connection flow paths 79 and 80 connecting the ports 73 and 74 and the return flow path 77. Further, in the sensor pack 70, a control board 83 having a circuit for transmitting and receiving measurement signals sent from the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 is provided in the body cover 71.

【0041】センサパック70は、入力ポート73及び
出力ポート74の位置がマスフローコントローラ14の
ものと一致するように設計されている。即ち、ポートブ
ロック52,72が同一のもので造られている。そのた
め、載せ替えによって、入力ポート73がレギュレータ
13二次側のV字流路24に、出力ポート74がガス供
給弁15一次側のV字流路25に接続される。また、こ
のガス供給ユニット2では、その出力ポート74とV字
流路25との接続部分に、リング状のガスケットを装填
した他の接続部分とは違い、流量調整用ガスケット85
が装填されている。流量調整用ガスケット78は、中心
孔を径が1mm以下のオリフィスにしたガスケットであ
る。
The sensor pack 70 is designed such that the positions of the input port 73 and the output port 74 match those of the mass flow controller 14. That is, the port blocks 52 and 72 are made of the same material. Therefore, the input port 73 is connected to the V-shaped flow path 24 on the secondary side of the regulator 13, and the output port 74 is connected to the V-shaped flow path 25 on the primary side of the gas supply valve 15. Also, in this gas supply unit 2, unlike the other connection part in which a ring-shaped gasket is mounted at the connection part between the output port 74 and the V-shaped channel 25, the gasket 85 for adjusting the flow rate is provided.
Is loaded. The flow rate adjusting gasket 78 is a gasket having a central hole formed as an orifice having a diameter of 1 mm or less.

【0042】ところで、音速域の流体では、一次側の圧
力及び温度条件によって、所定の流路断面を通過する流
体の流量が一定になる。そのため、プロセスガスの温度
及び圧力をある一定の値にすれば、流量調整用ガスケッ
ト78のオリフィス径によってプロセスガスの流量が分
かる。従って、ガス供給ユニット2では、そうして決定
した流量調整用ガスケット78を装着し、逆に圧力調整
を行うようにしている。そのため、センサパック70
は、前述したように温度センサ75と圧力センサ76を
備え、コントローラ20Bに接続されている。
By the way, in the fluid in the sonic range, the flow rate of the fluid passing through a predetermined flow path cross section becomes constant depending on the pressure and temperature conditions on the primary side. Therefore, if the temperature and pressure of the process gas are set to certain values, the flow rate of the process gas can be determined from the orifice diameter of the gasket 78 for adjusting the flow rate. Therefore, in the gas supply unit 2, the flow rate adjusting gasket 78 determined in this way is mounted, and conversely, the pressure is adjusted. Therefore, the sensor pack 70
Has the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 as described above, and is connected to the controller 20B.

【0043】一方、ガス供給ユニット2のレギュレータ
13には電空レギュレータ86が配管され、その電空レ
ギュレータ86がコントローラ20Bに接続されてい
る。従って、ガス供給ユニット2は、レギュレータ13
によって圧力調整のみが行われ、この圧力調整によって
他の温度及び流路断面との関係から所定の流量を得るた
めの制御が行われる。なお、本形態では温度調整を行っ
ていないが、ガス供給ユニット2にラバーヒータを取り
付け、そのヒータをコントローラ20Bで温度制御する
ようにしてもよい。
On the other hand, an electro-pneumatic regulator 86 is piped to the regulator 13 of the gas supply unit 2, and the electro-pneumatic regulator 86 is connected to the controller 20B. Therefore, the gas supply unit 2 is
Only the pressure adjustment is performed, and control for obtaining a predetermined flow rate is performed by the pressure adjustment based on the relationship with other temperatures and the flow path cross section. Although the temperature is not adjusted in this embodiment, a rubber heater may be attached to the gas supply unit 2 and the temperature of the heater may be controlled by the controller 20B.

【0044】そこで、本形態のガス供給ユニット2で
は、次のようにしてプロセスガスの供給が行われる。ガ
ス供給ユニット2へ送られたプロセスガスは(図5参
照)、前記第1形態の場合と同様に入力ポート17のイ
ンラインフィルタ16によって不純物が除かれ、入力流
路21を通ってレギュレータ13へと流れる。レギュレ
ータ13は、電空レギュレータ86の操作によってパイ
ロット圧が調節され、流路が遮断或いは連通する。そし
て、プロセスガスは、弁の開いたレギュレータ13を通
ってセンサパック70へと流れ、閉弁したパージ弁12
や逆止弁11によって同方向に流れることはない。
Therefore, in the gas supply unit 2 of the present embodiment, the process gas is supplied as follows. The process gas sent to the gas supply unit 2 (see FIG. 5) is subjected to removal of impurities by the in-line filter 16 of the input port 17 as in the case of the first embodiment, and passes through the input flow path 21 to the regulator 13. Flows. In the regulator 13, the pilot pressure is adjusted by the operation of the electropneumatic regulator 86, and the flow path is cut off or communicated. Then, the process gas flows to the sensor pack 70 through the regulator 13 with the valve open, and the purge gas 12 is closed.
It does not flow in the same direction by the check valve 11.

【0045】センサパック70へ流れたプロセスガスは
(図6参照)、入力ポート73から折返し流路77を通
って出力ポート74へ流れる。そのため、途中、温度セ
ンサ75及び圧力センサ76によって温度及び圧力が測
定される。即ち、そのセンサ75,76の接続流路7
9,80内のプロセスガスが(図7参照)、途中の分岐
流路に設けられたセンサチップ81,82によって温度
及び圧力が測定される。そして、センサチップ81,8
2からの測定温度信号及び測定圧力信号は、その信号を
受けた制御基板83を介してコントローラ20Bへと送
信される。
The process gas flowing to the sensor pack 70 (see FIG. 6) flows from the input port 73 to the output port 74 through the return channel 77. Therefore, the temperature and the pressure are measured by the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 on the way. That is, the connection flow path 7 of the sensors 75 and 76
The temperature and pressure of the process gas in the components 9 and 80 (see FIG. 7) are measured by the sensor chips 81 and 82 provided in the intermediate branch flow path. Then, the sensor chips 81, 8
The measured temperature signal and the measured pressure signal from 2 are transmitted to the controller 20B via the control board 83 having received the signals.

【0046】測定信号を受信したコントローラ20B
は、不図示のメインコントローラから入力された流量設
定値を記憶しており、その設置値に基づいてレギュレー
タ13の制御を行う。即ち、ガス供給ユニット2では、
メインコントローラからの流量設定値とセンサパック7
0からの測定信号とに基づき、コントローラ20Bによ
って流量調整制御が行われる。そこで、コントローラ2
0Bから所定の圧力設定信号が電空レギュレータ86へ
入力され、電空レギュレータ86の駆動によってレギュ
レータ13に所定のパイロット圧が作用する。これによ
って流量調整用ガスケット85のオリフィス断面と温度
とに応じ、所定の圧力にプロセスガスが調整され、その
流量調整用ガスケット85の二次側流量が調整される。
そして、流量調整されたプロセスガスは、ガス供給弁1
5を通って出力ポート18からチャンバへと供給され
る。なお、プロセスガスのパージ処理は前記第1形態の
場合と同様なので、ここでの説明は省略する。
Controller 20B receiving the measurement signal
Stores a flow rate set value input from a main controller (not shown), and controls the regulator 13 based on the set value. That is, in the gas supply unit 2,
Flow rate set value from main controller and sensor pack 7
The flow rate adjustment control is performed by the controller 20B based on the measurement signal from 0. So, controller 2
A predetermined pressure setting signal is input from 0B to the electropneumatic regulator 86, and a predetermined pilot pressure acts on the regulator 13 by driving the electropneumatic regulator 86. Thereby, the process gas is adjusted to a predetermined pressure in accordance with the orifice cross section and the temperature of the flow rate adjusting gasket 85, and the secondary flow rate of the flow rate adjusting gasket 85 is adjusted.
The process gas whose flow rate has been adjusted is supplied to the gas supply valve 1.
5 through the output port 18 to the chamber. The process of purging the process gas is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0047】よって、こうした本形態のガス供給ユニッ
ト2によれば、前記第1形態のガス供給ユニット1と同
様の効果を奏する。即ち、軽量コンパクト化によってチ
ャンバの炉体背面への取付けや、シール箇所の削減によ
るガス漏れに対する信頼性向上などの効果を奏する。ま
た、ガス供給ユニット2は、マスフローコントローラ1
4をセンサパック70に載せ替え、そして流量調整用ガ
スケット85を装着し、レギュレータ13の操作だけで
流量調整を行っている。そのため、供給されるプロセス
ガスの実流量が設定流量値に安定するまでの時間(応答
時間)がマスフローコントローラ14によって流量調整
する場合より格段に速い。従って、プロセスガス供給に
おけるサイクルタイムの短縮により生産性を向上させる
ことができる。また、センサパック70は安価に提供す
ることができ、ガス供給ユニット2自体のコストを下げ
ることができた。
Therefore, according to the gas supply unit 2 of this embodiment, the same effects as those of the gas supply unit 1 of the first embodiment can be obtained. That is, effects such as mounting of the chamber on the back of the furnace body by reducing the size and weight and improving reliability against gas leakage by reducing the number of sealing portions are exhibited. Further, the gas supply unit 2 includes a mass flow controller 1
4 is mounted on the sensor pack 70, a gasket 85 for adjusting the flow rate is attached, and the flow rate is adjusted only by operating the regulator 13. Therefore, the time (response time) until the actual flow rate of the supplied process gas stabilizes at the set flow rate value is much faster than when the flow rate is adjusted by the mass flow controller 14. Therefore, the productivity can be improved by shortening the cycle time in the process gas supply. Further, the sensor pack 70 can be provided at low cost, and the cost of the gas supply unit 2 itself can be reduced.

【0048】ところで、第2形態のガス供給ユニット2
の場合、レギュレータ13へのパイロット圧調節によっ
て、そのパイロット圧と二次側圧力とが平衡するよう
に、レギュレータ13内で流路断面、即ち弁開度の調節
が行われる。しかしながら、こうした圧力バランスによ
らなくとも弁開度を機械的に調節することによって圧力
調整を行うことはできる。そこで、図8に、ガス供給装
ユニットの載せ替えシステムにおける第3の形態を示
す。本形態のガス供給ユニット3は、第2形態のガス供
給ユニット2(図5参照)のレギュレータ13に代えて
圧力制御弁90を載せ替えたものである。
Incidentally, the gas supply unit 2 of the second embodiment
In this case, by adjusting the pilot pressure to the regulator 13, the flow path cross section, that is, the valve opening is adjusted in the regulator 13 so that the pilot pressure and the secondary pressure are balanced. However, even without such a pressure balance, the pressure can be adjusted by mechanically adjusting the valve opening. FIG. 8 shows a third embodiment of the gas supply unit replacement system. The gas supply unit 3 of the present embodiment is obtained by replacing the regulator 13 of the gas supply unit 2 of the second embodiment (see FIG. 5) with a pressure control valve 90.

【0049】ここで、図9は、圧力制御弁90を示した
断面図である。この圧力制御弁90は、パージ弁12及
びガス供給弁15と同様の構成をなすものであるが、パ
ージポートを備えている点で異なる。簡単に圧力制御弁
90の構成を説明する。圧力制御弁90は、シリンダ9
1内のピストン92に対し、その中心を貫いた操作ロッ
ド93が固定され、ダイアフラム94が操作ロッド93
下端の押圧ブロック95で弁座96に押し当てられるよ
うに構成されている。また、ピストン92は、スプリン
グ97によって常時下方に付勢される一方、操作ロッド
93に形成されたパイロット流路98を通って下側の加
圧室に送り込まれるエアによって、上向きにパイロット
圧がかかるよう構成されている。また、ポートブロック
99には、入力ポート101、出力ポート102そして
パージポート103が形成されている。そして、こうし
た圧力制御弁90には電空レギュレータ105が配管さ
れ、その電空レギュレータ105がコントローラ20C
へと接続されている。
FIG. 9 is a sectional view showing the pressure control valve 90. The pressure control valve 90 has the same configuration as the purge valve 12 and the gas supply valve 15, but differs in that it has a purge port. The configuration of the pressure control valve 90 will be briefly described. The pressure control valve 90 is connected to the cylinder 9
1, an operation rod 93 penetrating the center thereof is fixed to the piston 92, and the diaphragm 94 is connected to the operation rod 93.
The lower end pressing block 95 is configured to be pressed against the valve seat 96. The piston 92 is constantly urged downward by a spring 97, while the pilot pressure is applied upward by air sent into a lower pressurizing chamber through a pilot passage 98 formed in the operation rod 93. It is configured as follows. In the port block 99, an input port 101, an output port 102, and a purge port 103 are formed. An electropneumatic regulator 105 is connected to the pressure control valve 90, and the electropneumatic regulator 105 is connected to the controller 20C.
Connected to.

【0050】そこで、本形態のガス供給ユニット3で
は、前記第2形態のものと同様に、センサパック70の
温度測定値及び圧力測定値に基づきこの圧力制御弁90
が制御され、その圧力調整を行うことによって流量調整
が行われる。センサパック70から測定信号を受信した
コントローラ20Cは、不図示のメインコントローラか
ら入力された流量設定値を記憶しており、その流量設置
値に基づいて圧力制御弁90の制御を行う。
Therefore, in the gas supply unit 3 of the present embodiment, similarly to the second embodiment, the pressure control valve 90 based on the temperature measurement value and the pressure measurement value of the sensor pack 70 is used.
Is controlled, and the flow rate is adjusted by adjusting the pressure. The controller 20C that has received the measurement signal from the sensor pack 70 stores the flow rate setting value input from the main controller (not shown), and controls the pressure control valve 90 based on the flow rate setting value.

【0051】従って、コントローラ20Cから所定の圧
力設定信号が電空レギュレータ105へ入力され、その
電空レギュレータ105の駆動によって圧力制御弁90
が所定の弁開度で開弁する。即ち、電空レギュレータ1
05によって送られたエアは、パイロット流路98を通
ってピストン92下側に作用し、所定のパイロット圧に
よってピストン92及び操作ロッド93が上昇する。そ
のため、ダイアフラム94が押圧ブロック95から開放
され、入力ポート101から入ったプロセスガスが出力
ポート102へと流れる。その際、パイロット圧の調節
によって、ピストン92の変位にともなうダイアフラム
94の弁開度が調節され、二次側へ流れるプロセスガス
の圧力が調整される。
Accordingly, a predetermined pressure setting signal is input from the controller 20C to the electropneumatic regulator 105, and the pressure control valve 90 is driven by the driving of the electropneumatic regulator 105.
Opens at a predetermined valve opening. That is, the electropneumatic regulator 1
The air sent by 05 acts on the lower side of the piston 92 through the pilot flow path 98, and the piston 92 and the operating rod 93 rise by a predetermined pilot pressure. Therefore, the diaphragm 94 is released from the pressing block 95, and the process gas entered from the input port 101 flows to the output port 102. At this time, by adjusting the pilot pressure, the valve opening of the diaphragm 94 according to the displacement of the piston 92 is adjusted, and the pressure of the process gas flowing to the secondary side is adjusted.

【0052】これによってプロセスガスは、流量調整用
ガスケット85のオリフィス断面と温度とに応じて所定
の圧力に調整され、その流量調整用ガスケット85の二
次側流量が調整される。そして、流量調整されたプロセ
スガスは、ガス供給弁15を通って出力ポート18から
チャンバへと供給される。
As a result, the process gas is adjusted to a predetermined pressure in accordance with the orifice cross section and temperature of the flow rate adjusting gasket 85, and the secondary flow rate of the flow rate adjusting gasket 85 is adjusted. Then, the process gas whose flow rate has been adjusted is supplied from the output port 18 to the chamber through the gas supply valve 15.

【0053】よって、こうした本形態のガス供給ユニッ
ト3によっても、前記第1形態のガス供給ユニット1と
同様の効果を奏する。即ち、軽量コンパクト化によって
チャンバの炉体背面への取付けや、シール箇所の削減に
よるガス漏れに対する信頼性向上などの効果を奏する。
また、本形態のガス供給ユニット3は、前記第2形態の
ガス供給ユニット2と同様に、プロセスガスの実流量が
設定流量値に安定するまでの時間(応答時間)が速く、
生産性向上を図ることが可能となった。また、センサパ
ック70が安価であるのに加え、レギュレータ13に替
えてパージ弁12等とポートブロック99部分のみ異な
る圧力制御弁90を採用することで、モジュール相互の
共通化が図られ、ガス供給ユニット3自体のコストを下
げることができた。
Therefore, the gas supply unit 3 of the present embodiment has the same effects as the gas supply unit 1 of the first embodiment. That is, effects such as mounting of the chamber on the back of the furnace body by reducing the size and weight and improving reliability against gas leakage by reducing the number of sealing portions are exhibited.
Further, the gas supply unit 3 of the present embodiment has a short time (response time) until the actual flow rate of the process gas stabilizes at the set flow rate value, similarly to the gas supply unit 2 of the second embodiment.
It has become possible to improve productivity. In addition to the inexpensiveness of the sensor pack 70, the pressure control valve 90, which is different from the regulator 13 only in the port block 99 and the purge valve 12, etc., is used, so that the modules can be shared, and the gas supply is improved. The cost of the unit 3 itself could be reduced.

【0054】次に、図10は、ガス供給装ユニットの載
せ替えシステムにおける第4形態を示した一部断面の側
面図である。本形態のガス供給ユニット4は、図1に示
すガス供給ユニット1のマスフローコントローラ14に
替えてセンサパック110を載せ替えたものである。従
って、マスフローコントローラ14以外のモジュール、
つまり逆止弁11、パージ弁12、機能付きレギュレー
タ13及びガス供給弁15は、第1形態のものと同一で
ある。また、図11は、センサパック110の内部を示
した概略の構造図である。本形態のセンサパック110
は、圧力センサと流量センサを組み合わせて一つのモジ
ュールとしたものである。即ち、先に説明したマスフロ
ーコントローラ14の流量センサ57(図3参照)と、
センサパック70の圧力センサ76(図6参照)とを組
み合わせたものである。
Next, FIG. 10 is a partial cross-sectional side view showing a fourth embodiment of the gas supply unit reloading system. The gas supply unit 4 of the present embodiment is obtained by replacing the mass flow controller 14 of the gas supply unit 1 shown in FIG. Therefore, modules other than the mass flow controller 14,
That is, the check valve 11, the purge valve 12, the regulator with function 13, and the gas supply valve 15 are the same as those of the first embodiment. FIG. 11 is a schematic structural diagram showing the inside of the sensor pack 110. Sensor pack 110 of the present embodiment
Is a module in which a pressure sensor and a flow rate sensor are combined into one module. That is, the flow sensor 57 (see FIG. 3) of the mass flow controller 14 described above,
This is a combination of the pressure sensor 76 of the sensor pack 70 (see FIG. 6).

【0055】センサパック110は、ボディカバー11
1にポートブロック112が嵌合して形成された箱体内
に構成されたものであり、その流量センサ57と圧力セ
ンサ76とが、入力ポート113又は出力ポート114
と折返し流路115との間に設けられている。圧力セン
サ76は、図7に示すように、圧力を測定するセンサチ
ップ81が接続流路79の途中の分岐流路に設けられ、
一方の流量センサ57は、図4に示すように、層流部材
62が入れられた主流路59にバイパス流路60が形成
され、そのパイパス流路60に、ガス流量を測定する感
熱コイルが巻き付けられた計測部61が設けられたもの
である。そして、センサパック110には、こうした圧
力センサ76や流量センサ57からの測定信号の送受信
を行うための回路をもった制御基板116が備えられ、
このセンサパック110がコントローラ20Dに接続さ
れている。
The sensor pack 110 is mounted on the body cover 11.
1, a flow rate sensor 57 and a pressure sensor 76 are connected to an input port 113 or an output port 114.
And the return channel 115. As shown in FIG. 7, the pressure sensor 76 has a sensor chip 81 for measuring pressure provided in a branch flow path in the middle of the connection flow path 79.
As shown in FIG. 4, one flow rate sensor 57 has a bypass flow path 60 formed in a main flow path 59 containing a laminar flow member 62, and a heat-sensitive coil for measuring a gas flow rate is wound around the bypass flow path 60. The measuring unit 61 provided is provided. The sensor pack 110 includes a control board 116 having a circuit for transmitting and receiving measurement signals from the pressure sensor 76 and the flow rate sensor 57,
This sensor pack 110 is connected to the controller 20D.

【0056】更に、本形態のガス供給ユニット3は、レ
ギュレータ13に電空レギュレータ117が、そしてガ
ス供給弁15にも電空レギュレータ118が配管されて
いる。即ち、本形態では、前記第1乃至第3形態で単な
る開閉弁として使用していたガス供給弁15を開度調整
によって流量制御を行わせる流量制御弁として機能せさ
せるようにしたものである。但し、ガス供給弁15の構
成をなんら変えるものではない。そこで、本形態では
「ガス供給弁15」を「流量制御弁15」として説明す
る。更に、レギュレータ13及び流量制御弁15を操作
する電空レギュレータ117,118がコントローラ2
0Dに接続されている。
Further, in the gas supply unit 3 of this embodiment, an electropneumatic regulator 117 is connected to the regulator 13, and an electropneumatic regulator 118 is connected to the gas supply valve 15. That is, in the present embodiment, the gas supply valve 15 used as a simple on-off valve in the first to third embodiments is made to function as a flow control valve for controlling the flow rate by adjusting the opening degree. However, the configuration of the gas supply valve 15 is not changed at all. Therefore, in the present embodiment, the “gas supply valve 15” will be described as the “flow control valve 15”. Further, electropneumatic regulators 117 and 118 for operating the regulator 13 and the flow control valve 15 are provided by the controller 2.
0D.

【0057】そこで、本形態のガス供給ユニット4で
は、次のようにしてプロセスガスの供給が行われる。ガ
ス供給ユニット2へ送られたプロセスガスは(図10参
照)、前記第1形態の場合と同様に入力ポート17のイ
ンラインフィルタ16によって不純物が除かれ、入力流
路21を通ってレギュレータ13へと流れる。レギュレ
ータ13は、電空レギュレータ117の操作によってパ
イロット圧が調節され、流路が遮断或いは連通する。そ
して、プロセスガスは、弁の開いたレギュレータ13を
通ってセンサパック110へと流れ、閉弁したパージ弁
12や逆止弁11によって同方向に流れることはない。
Therefore, in the gas supply unit 4 of this embodiment, the supply of the process gas is performed as follows. The process gas sent to the gas supply unit 2 (see FIG. 10) is subjected to removal of impurities by the in-line filter 16 of the input port 17 as in the case of the first embodiment, and passes through the input flow path 21 to the regulator 13. Flows. In the regulator 13, the pilot pressure is adjusted by the operation of the electropneumatic regulator 117, and the flow path is cut off or communicated. Then, the process gas flows to the sensor pack 110 through the regulator 13 whose valve is open, and does not flow in the same direction by the purge valve 12 or the check valve 11 which is closed.

【0058】センサパック110へ流れたプロセスガス
は(図11参照)、入力ポート113から折返し流路1
15を通って出力ポート114へ流れる。そのため、途
中、圧力センサ76及び流量センサ57によって圧力及
び流量が測定される。即ち、その圧力センサ76の接続
流路80内プロセスガスは(図7参照)、途中の分岐流
路に設けられたセンサチップ82によって圧力が測定さ
れる。一方、流量センサ57のバイパス流路60を通る
一部のプロセスガスが(図4参照)、計測部61によっ
て流量が測定される。こうした測定圧力信号及び測定流
量信号は、その信号を受けた制御基板116を介してコ
ントローラ20Dへと送信される。
The process gas flowing to the sensor pack 110 (see FIG. 11) flows from the input port 113 to the return flow path 1
15 to the output port 114. Therefore, the pressure and the flow rate are measured by the pressure sensor 76 and the flow rate sensor 57 on the way. That is, the pressure of the process gas in the connection channel 80 of the pressure sensor 76 (see FIG. 7) is measured by the sensor chip 82 provided in the branch channel in the middle. On the other hand, the flow rate of a part of the process gas passing through the bypass flow passage 60 of the flow sensor 57 (see FIG. 4) is measured by the measuring unit 61. The measured pressure signal and the measured flow rate signal are transmitted to the controller 20D via the control board 116 receiving the signals.

【0059】そして、測定信号を受信したコントローラ
20Dは、不図示のメインコントローラから入力された
圧力・流量設定値を記憶しており、その設置値に基づい
てレギュレータ13及び流量制御弁15の制御を行う。
即ち、ガス供給ユニット4は、メインコントローラから
の圧力・流量設定値とセンサパック110からの測定信
号とに基づき、コントローラ20Dによって圧力及び流
量調整制御が行われる。そこで先ず、圧力調整を行うレ
ギュレータ13の制御は、コントローラ20Dから所定
の圧力設定信号が電空レギュレータ117へ入力され、
電空レギュレータ117の駆動によってレギュレータ1
3に所定のパイロット圧が作用する。そのため、プロセ
スガスは所定の圧力に調整されてセンサパック110へ
流れる。
The controller 20D that has received the measurement signal stores the pressure / flow rate set values input from the main controller (not shown), and controls the regulator 13 and the flow control valve 15 based on the set values. Do.
That is, in the gas supply unit 4, pressure and flow rate adjustment control is performed by the controller 20D based on the pressure / flow rate set value from the main controller and the measurement signal from the sensor pack 110. Therefore, first, the control of the regulator 13 that performs pressure adjustment is performed by inputting a predetermined pressure setting signal from the controller 20D to the electropneumatic regulator 117,
The regulator 1 is driven by the driving of the electropneumatic regulator 117.
A predetermined pilot pressure acts on 3. Therefore, the process gas is adjusted to a predetermined pressure and flows to the sensor pack 110.

【0060】次いで、流量調整を行う流量制御弁15の
制御は、コントローラ20Dから所定の流量設定信号が
電空レギュレータ118へ入力され、電空レギュレータ
118の駆動によって流量制御弁15に所定のパイロッ
ト圧が作用する。そのため、流量制御弁15は、ピスト
ンの位置がパイロット圧によって調節され、これによっ
て弁の開度が調整、即ちプロセスガスの流量が調整され
る。よって、プロセスガスは、このガス供給ユニット4
で圧力及び流量調され、出力ポート18からチャンバへ
と供給される。なお、プロセスガスのパージ処理は前記
第1形態の場合と同様なので、ここでの説明は省略す
る。
Next, the flow rate control valve 15 for controlling the flow rate is controlled by inputting a predetermined flow rate setting signal from the controller 20D to the electropneumatic regulator 118, and driving the electropneumatic regulator 118 to control the flow rate control valve 15 to a predetermined pilot pressure. Works. Therefore, the position of the piston of the flow control valve 15 is adjusted by the pilot pressure, whereby the opening degree of the valve is adjusted, that is, the flow rate of the process gas is adjusted. Therefore, the process gas is supplied to the gas supply unit 4.
The pressure and the flow rate are adjusted by the above, and supplied from the output port 18 to the chamber. The process of purging the process gas is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0061】こうした本形態のガス供給ユニット4によ
れば、前記第1形態のガス供給ユニット1と同様の効果
を奏する。即ち、軽量コンパクト化によってチャンバの
炉体背面への取付けや、シール箇所の削減によるガス漏
れに対する信頼性向上などの効果を奏する。また、本形
態のガス供給ユニット4は、マスフローコントローラ1
4をセンサパック110に載せ替え、ガス供給弁15を
流量調整を行う流量制御弁15として使用するようにし
たので、流量調整を行う弁の流路断面が大きく、流量レ
ンジを比較的大きくとることができる。また、センサパ
ック110は安価に提供することができ、ガス供給ユニ
ット4自体のコストを下げることができた。
According to the gas supply unit 4 of this embodiment, the same effects as those of the gas supply unit 1 of the first embodiment can be obtained. That is, effects such as mounting of the chamber on the back of the furnace body by reducing the size and weight and improving reliability against gas leakage by reducing the number of sealing portions are exhibited. Further, the gas supply unit 4 of the present embodiment includes the mass flow controller 1
4 is replaced with the sensor pack 110, and the gas supply valve 15 is used as the flow control valve 15 for adjusting the flow rate. Therefore, the flow path cross-section of the valve for adjusting the flow rate is large, and the flow range is relatively large. Can be. Further, the sensor pack 110 can be provided at low cost, and the cost of the gas supply unit 4 itself can be reduced.

【0062】ところで、第4形態のガス供給ユニット2
の場合、レギュレータ13内でパイロット圧と二次側圧
力とが平衡するように流路断面、即ち弁開度調節を行っ
ていたが、こうした圧力バランスによらず弁開度を機械
的に調節することによって圧力調整を行うこともでき
る。そこで、第4形態のガス供給ユニット4(図10参
照)に対しても、第3形態で示したと同様、レギュレー
タ13の変わりに圧力制御弁90(図9参照)を載せ替
えたガス供給ユニットを構成することができる。ここ
で、図12は、そうした圧力制御弁90の載せ替えを行
った、ガス供給装ユニットの載せ替えシステムにおける
第5形態を示した一部断面の側面図である。
Incidentally, the gas supply unit 2 of the fourth embodiment
In the case of (1), the cross section of the flow path, that is, the valve opening is adjusted so that the pilot pressure and the secondary pressure are balanced in the regulator 13, but the valve opening is mechanically adjusted regardless of such pressure balance. Thus, the pressure can be adjusted. Therefore, similarly to the third embodiment, a gas supply unit in which a pressure control valve 90 (see FIG. 9) is replaced instead of the regulator 13 is used for the gas supply unit 4 of the fourth embodiment (see FIG. 10). Can be configured. Here, FIG. 12 is a partial cross-sectional side view showing a fifth embodiment of the gas supply unit replacement system in which the replacement of the pressure control valve 90 has been performed.

【0063】そこで、本形態のガス供給ユニット5で
は、前記第4形態のものと同様に、センサパック110
の温度測定値及び圧力測定値に基づいて圧力調整を行う
ことによって圧力及び流量調整制御が行われる。センサ
パック110から測定信号を受信したコントローラ20
Eは、不図示のメインコントローラから入力された圧力
・流量設定値を記憶しており、その設置値に基づいて圧
力制御弁90及び流量制御弁15の制御が行われる。即
ち、メインコントローラからの流量設定値とセンサパッ
ク110からの測定信号とに基づいて圧力及び流量調整
制御が行われる。
Therefore, in the gas supply unit 5 of this embodiment, the sensor pack 110 is provided in the same manner as in the fourth embodiment.
The pressure and flow rate adjustment control is performed by adjusting the pressure based on the temperature measurement value and the pressure measurement value. Controller 20 receiving measurement signal from sensor pack 110
E stores a pressure / flow rate set value input from a main controller (not shown), and controls the pressure control valve 90 and the flow rate control valve 15 based on the set values. That is, pressure and flow rate adjustment control is performed based on the flow rate set value from the main controller and the measurement signal from the sensor pack 110.

【0064】コントローラ20Eからは、圧力設定信号
及び流量設定信号が電空レギュレータ121,122に
送られ、電空レギュレータ121,122の駆動によっ
て圧力制御弁90及び流量制御弁15に所定のパイロッ
ト圧が作用する。そのため、圧力制御弁90及び流量制
御弁15は、ピストンの位置がパイロット圧によって調
節され、これによって弁の開度が調整、即ちプロセスガ
スの圧力や流量が調整される。そして、プロセスガス
は、このガス供給ユニット5で圧力及び流量調され、出
力ポート18からチャンバへと供給される。
A pressure setting signal and a flow rate setting signal are sent from the controller 20E to the electropneumatic regulators 121 and 122, and a predetermined pilot pressure is applied to the pressure control valve 90 and the flow rate control valve 15 by driving the electropneumatic regulators 121 and 122. Works. Therefore, the positions of the pistons of the pressure control valve 90 and the flow control valve 15 are adjusted by the pilot pressure, whereby the opening degree of the valves is adjusted, that is, the pressure and the flow rate of the process gas are adjusted. Then, the pressure and flow rate of the process gas are adjusted by the gas supply unit 5, and the process gas is supplied from the output port 18 to the chamber.

【0065】よって、こうした本形態のガス供給ユニッ
ト5によれば、前記第1形態のガス供給ユニット1と同
様の効果を奏する。即ち、軽量コンパクト化によってチ
ャンバの炉体背面への取付けや、シール箇所の削減によ
るガス漏れに対する信頼性向上などの効果を奏する。ま
た、本形態のガス供給ユニット5は、マスフローコント
ローラ14をセンサパック110に載せ替え、ガス供給
弁15を流量調整を行う流量制御弁15として使用する
ようにしたので、流量調整を行う弁の流路断面が大き
く、流量レンジを比較的大きくとることができる。更
に、センサパック110が安価であるのに加え、レギュ
レータ13に替えてパージ弁12等とポートブロック9
9部分のみ異なる圧力制御弁90によってモジュールの
共通化によって、ガス供給ユニット3自体のコストを下
げることができた。
Therefore, according to the gas supply unit 5 of this embodiment, the same effects as those of the gas supply unit 1 of the first embodiment can be obtained. That is, effects such as mounting of the chamber on the back of the furnace body by reducing the size and weight and improving reliability against gas leakage by reducing the number of sealing portions are exhibited. In the gas supply unit 5 of the present embodiment, the mass flow controller 14 is replaced with the sensor pack 110 and the gas supply valve 15 is used as the flow control valve 15 for adjusting the flow rate. The road cross section is large, and the flow range can be relatively large. Further, in addition to the low cost of the sensor pack 110, the purge valve 12 and the like and the port block 9 are replaced with the regulator 13.
The cost of the gas supply unit 3 itself could be reduced by sharing the module with the pressure control valve 90 that differs only in nine parts.

【0066】以上、本実施形態のガス供給ユニットの載
せ替えシステムでは、第1形態から第5形態を例に挙げ
て説明したように、同じベースブロック10上のモジュ
ールを載せ替えることによって様々なバリエーションを
構成することができる。そして、これら各ガス供給ユニ
ットは、例えば次のようにそれぞれの特徴を有してい
る。第1形態のガス供給ユニット1(図1)は、マスフ
ローコントローラ14によって実流量を測定して制御し
ているため、精度良く流量調整することができる。その
一方で、実流量が設定流量に安定するまでの応答時間が
遅いという不具合がある。例えば、安定するまでに5〜
6秒といった数秒程度を要する。従って、ガス供給ユニ
ット1は、多少の実流量安定時間の遅れよりも、流量測
定精度を重視する場合に有効である。
As described above, in the gas supply unit replacement system of the present embodiment, as described with reference to the first to fifth embodiments as examples, various variations can be made by replacing modules on the same base block 10. Can be configured. Each of these gas supply units has the following features, for example. Since the gas supply unit 1 (FIG. 1) of the first embodiment measures and controls the actual flow rate by the mass flow controller 14, the flow rate can be adjusted with high accuracy. On the other hand, there is a problem that the response time until the actual flow rate is stabilized at the set flow rate is slow. For example, 5 to be stable
It takes several seconds such as six seconds. Therefore, the gas supply unit 1 is effective when the flow measurement accuracy is more important than the slight delay of the actual flow stabilization time.

【0067】また、第2及び第3形態のガス供給ユニッ
ト2,3(図5、図8)は、圧力調整のみでオリフィス
を通って流れるプロセスガスの流量調整をするため、実
流量が設定流量に安定するまでの応答時間が速い。例え
ば、1秒前後で安定する。その一方で、オリフィスによ
って流量制限されるため、流量レンジが小さくなってし
まう。従って、ガス供給ユニット2,3は、大流量を確
保する必要がないが、応答時間を速くして生産性を上げ
る必要がある場合に有効である。
The gas supply units 2 and 3 of the second and third embodiments (FIGS. 5 and 8) adjust the flow rate of the process gas flowing through the orifice only by adjusting the pressure. Fast response time until stable. For example, it stabilizes in about one second. On the other hand, since the flow rate is limited by the orifice, the flow rate range is reduced. Therefore, the gas supply units 2 and 3 do not need to secure a large flow rate, but are effective when it is necessary to increase the productivity by increasing the response time.

【0068】更に、第4及び第5形態のガス供給ユニッ
ト4,5(図10、図12)は、開閉弁(流量制御弁1
5)を利用して流量調整を行うため、応答時間が遅くな
るものの第1乃至第3形態のものに比べて流量レンジを
大きくとることができる。従って、ガス供給ユニット
4,5は、多少の実流量安定時間の遅れよりも、大流量
を確保した場合に有効である。
Further, the gas supply units 4 and 5 of the fourth and fifth embodiments (FIGS. 10 and 12) are provided with an on-off valve (flow control valve 1).
Since the flow rate is adjusted by using the method 5), the response time becomes longer, but the flow rate range can be made larger than that of the first to third embodiments. Therefore, the gas supply units 4 and 5 are more effective in securing a large flow rate than a slight delay in the actual flow rate stabilization time.

【0069】よって、本実施形態のガス供給ユニットの
載せ替えシステムによれば、半導体製造装置において、
必要に応じてそれぞれの特徴に合った構成のガス供給ユ
ニットを選択することができる。そして、各バリエーシ
ョンのガス供給ユニットは、ベースブロック10に搭載
したモジュールを載せ替えるだけで構成することができ
るため、組立が簡易になり、また、各ユニットが全て同
じベースブロック10上に搭載されているので、異なる
バリエーションのユニットに変更する際に寸法の違いが
なく、配管取付けにも便利である。
Therefore, according to the gas supply unit replacement system of the present embodiment,
If necessary, a gas supply unit having a configuration suitable for each characteristic can be selected. The gas supply unit of each variation can be configured simply by replacing the module mounted on the base block 10, so that the assembly is simplified, and all the units are mounted on the same base block 10. Therefore, there is no difference in dimensions when changing to a unit of a different variation, which is convenient for piping installation.

【0070】なお、本発明は、前記各形態に限定される
ものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更
が可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明は、逆止弁、パージ弁、遮断機能
付きレギュレータ、及びガス供給弁、並びにマスフロー
コントローラ又はセンサパックのいずれか一方を、流路
の形成された一つのベースブロックに搭載したプロセス
ガス供給ユニットであって、そのマスフローコントロー
ラとセンサパックとを同一のベースブロックに対して載
せ替え可能にしたので、コンパクトで軽量なプロセスガ
ス供給ユニットであって、各バリエーションに対応した
モジュールの載せ替えが可能な、プロセスガス供給ユニ
ットの載せ替えシステムを提供することができるように
なった。
According to the present invention, a check valve, a purge valve, a regulator with a shut-off function, a gas supply valve, and either a mass flow controller or a sensor pack are mounted on a single base block having a flow path. Process gas supply unit, and its mass flow controller and sensor pack can be mounted and replaced on the same base block, so that it is a compact and lightweight process gas supply unit, It is possible to provide a process gas supply unit reloading system capable of reloading.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプロセスガス供給ユニットの第1
形態を示す一部断面の側面図である。
FIG. 1 is a first view of a process gas supply unit according to the present invention.
It is a side view of a partial section showing an embodiment.

【図2】遮断機能付きレギュレータを示した断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a regulator with a cutoff function.

【図3】マスフローコントローラ14の内部を示した概
略の構造図である。
FIG. 3 is a schematic structural diagram showing the inside of the mass flow controller 14;

【図4】流量センサ57を示した図3のA−A断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3 showing the flow sensor 57;

【図5】本発明に係るプロセスガス供給ユニットの第2
形態を示す一部断面の側面図である。
FIG. 5 shows a second process gas supply unit according to the present invention.
It is a side view of a partial section showing an embodiment.

【図6】センサパック70の内部を示した概略の構造図
である。
FIG. 6 is a schematic structural view showing the inside of a sensor pack 70.

【図7】図6のB−B断面及びC−C断面の形態を示し
た温度センサ75と圧力センサ76の断面図である。
7 is a cross-sectional view of the temperature sensor 75 and the pressure sensor 76 showing the forms of the BB cross section and the CC cross section of FIG.

【図8】本発明に係るプロセスガス供給ユニットの第3
形態を示す一部断面の側面図である。
FIG. 8 shows a third process gas supply unit according to the present invention.
It is a side view of a partial section showing an embodiment.

【図9】圧力制御弁90を示した断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a pressure control valve 90.

【図10】本発明に係るプロセスガス供給ユニットの第
4形態を示す一部断面の側面図である。
FIG. 10 is a partial cross-sectional side view showing a fourth embodiment of the process gas supply unit according to the present invention.

【図11】センサパック110の内部を示した概略の構
造図である。
FIG. 11 is a schematic structural diagram showing the inside of the sensor pack 110.

【図12】本発明に係るプロセスガス供給ユニットの第
5形態を示す一部断面の側面図である。
FIG. 12 is a partial cross-sectional side view showing a fifth embodiment of the process gas supply unit according to the present invention.

【図13】従来のプロセスガス供給ユニットを示す一部
断面の側面図である。
FIG. 13 is a partial cross-sectional side view showing a conventional process gas supply unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2,3,4,5 プロセスガス供給ユニット 10 ベースブロック 11 逆止弁 12 パージ弁 13 遮断機能付きレギュレータ 14 マスフローコントローラ 15 ガス供給弁(流量制御弁) 16 インラインフィルタ 20A,20B,20C,20D,20E コントロ
ーラ 70 センサパック 90 圧力制御弁 110 センサパック
1, 2, 3, 4, 5 Process gas supply unit 10 Base block 11 Check valve 12 Purge valve 13 Regulator with shut-off function 14 Mass flow controller 15 Gas supply valve (flow control valve) 16 In-line filter 20A, 20B, 20C, 20D , 20E Controller 70 Sensor pack 90 Pressure control valve 110 Sensor pack

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 慎一 東京都千代田区内神田3丁目6番3号 シ ーケーディ株式会社シーケーディ第二ビル 内 (72)発明者 松岡 祐二 愛知県春日井市堀ノ内町850番地 シーケ ーディ株式会社春日井事業所内 (72)発明者 伊藤 稔 東京都千代田区内神田3丁目6番3号 シ ーケーディ株式会社シーケーディ第二ビル 内 Fターム(参考) 3H051 BB02 BB03 CC01 CC07 FF01 3J071 AA02 BB14 CC01 CC11 EE24 EE27 FF11 5F004 AA16 BC03 5F045 EC07 EE01 EE04 EE05 EE17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Shinichi Nitta 3-6-3 Uchikanda, Chiyoda-ku, Tokyo CKK2 Co., Ltd. CKD2 Building (72) Inventor Yuji Matsuoka 850 Horinouchicho, Kasugai-shi, Aichi Prefecture Address Kasugai Office, C.C. Co., Ltd. (72) Inventor Minoru Ito 3-6-3, Uchikanda, Chiyoda-ku, Tokyo F.C. CC01 CC11 EE24 EE27 FF11 5F004 AA16 BC03 5F045 EC07 EE01 EE04 EE05 EE17

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 逆止弁、パージ弁、遮断機能付きレギュ
レータ、及びガス供給弁、並びにマスフローコントロー
ラ又はセンサパックのいずれか一方を、流路の形成され
た一つのベースブロックに搭載したプロセスガス供給ユ
ニットであって、 前記マスフローコントローラとセンサパックとを同一の
ベースブロックに対して載せ替え可能にしたことを特徴
とするプロセスガス供給ユニットの載せ替えシステム。
1. A process gas supply in which one of a check valve, a purge valve, a regulator with a shut-off function, a gas supply valve, and a mass flow controller or a sensor pack is mounted on one base block having a flow path. A process gas supply unit replacement system, wherein the mass flow controller and the sensor pack can be replaced on the same base block.
【請求項2】 逆止弁、パージ弁、ガス供給弁、及び遮
断機能付きレギュレータ又は圧力制御弁のいずれか一
方、並びにマスフローコントローラ又はセンサパックの
いずれか一方を、流路の形成された一つのベースブロッ
クに搭載したプロセスガス供給ユニットであって、 前記遮断機能付きレギュレータと圧力制御弁、及び前記
マスフローコントローラとセンサパックを同一のベース
ブロックに対して載せ替え可能にしたことを特徴とする
プロセスガス供給ユニットの載せ替えシステム。
2. One of a check valve, a purge valve, a gas supply valve, a regulator with a shut-off function or a pressure control valve, and one of a mass flow controller or a sensor pack is connected to one A process gas supply unit mounted on a base block, wherein the regulator with a shut-off function and a pressure control valve, and the mass flow controller and a sensor pack are replaceable on the same base block. Supply unit replacement system.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のプロセス
ガス供給ユニットの載せ替えシステムにおいて、 前記センサパックは、温度センサ及び圧力センサを内蔵
したもの、又は圧力センサ及び流量センサを内蔵したも
のであることを特徴とするプロセスガス供給ユニットの
載せ替えシステム。
3. The process gas supply unit reloading system according to claim 1, wherein the sensor pack has a built-in temperature sensor and a pressure sensor, or has a built-in pressure sensor and a flow sensor. A process gas supply unit replacement system, characterized in that:
【請求項4】 請求項3に記載のプロセスガス供給ユニ
ットの載せ替えシステムにおいて、 前記センサパックが温度センサ及び圧力センサを内蔵し
たものの場合に、当該センサパック二次側のベースブロ
ックとの流路接続部分に、オリフィスを備えた流量調整
用ガスケットを装填したことを特徴とするプロセスガス
供給ユニットの載せ替えシステム。
4. The reloading system for a process gas supply unit according to claim 3, wherein the sensor pack has a built-in temperature sensor and a pressure sensor, and a flow path with the base block on the secondary side of the sensor pack. A process gas supply unit reloading system, wherein a flow rate adjusting gasket having an orifice is loaded in a connection portion.
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