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JP2001217262A - Die attachment paste and semiconductor device - Google Patents

Die attachment paste and semiconductor device

Info

Publication number
JP2001217262A
JP2001217262A JP2000021104A JP2000021104A JP2001217262A JP 2001217262 A JP2001217262 A JP 2001217262A JP 2000021104 A JP2000021104 A JP 2000021104A JP 2000021104 A JP2000021104 A JP 2000021104A JP 2001217262 A JP2001217262 A JP 2001217262A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
meth
component
die attach
attach paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000021104A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3473943B2 (en
Inventor
Tomohiro Kagimoto
奉広 鍵本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2000021104A priority Critical patent/JP3473943B2/en
Publication of JP2001217262A publication Critical patent/JP2001217262A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3473943B2 publication Critical patent/JP3473943B2/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die attachment paste which maintains the characteristic of a conventional die attachment paste and which can be hardened in a very short time. SOLUTION: This die attachment paste is composed of (A) urethane di(metha) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (metha)acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate. The paste is composed of (B) a reactive diluent which comprises a (metha) acryl group. The paste is composed of (C) monoallyldiglycidye isocyanuric acid. The paste is composed of (D) (metha) acrylate which contains phosphorate group. The paste is composed of (E) alkoxysilane which comprises an epoxy group. The paste is composed of (F) an organic peroxide and/or an azo compound. The paste is composed of (G) an inorganic filler. The addition ratio of the component (F) is at 0.1 to 5 wt.% with reference to the total weight of the component (A) the component (B) and the component (C).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、接着性、速硬化性
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor bonding paste which is excellent in adhesiveness, rapid curing property and reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近のコンピューターの普及に伴い半導
体パッケージの生産量は年々増加しており、これに伴い
製造コストの削減は重要な課題となっている。半導体パ
ッケージ組立の中にダイアタッチペーストで半導体とリ
ードフレームを接着する工程が有るが、この工程におい
て時間短縮及び低温硬化がキーポイントになっている。
ダイアタッチペーストの硬化方法としては、バッチ式オ
ーブン法、インラインで硬化させる方法に大別される
が、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用いた
通常のダイマウントは、200℃以上の熱盤上で60秒
以上の時間をかけて行われる。しかし、更に低温、短時
間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
2. Description of the Related Art With the recent spread of computers, the production volume of semiconductor packages has been increasing year by year, and accordingly, reduction of manufacturing costs has become an important issue. In the process of assembling a semiconductor package, there is a process of bonding a semiconductor and a lead frame with a die attach paste. In this process, time reduction and low-temperature curing are key points.
The method of curing the die attach paste is roughly classified into a batch oven method and an in-line curing method. A normal die mount using a quick-curing paste used in the in-line is on a hot plate at 200 ° C. or higher. For more than 60 seconds. However, development of a paste that can be cured at a lower temperature for a shorter time is desired.

【0003】一方、パッケージとしての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、半田接着時に高温下
にさらされた場合でもダイアタッチペースト層の剥離か
ら生じるパッケージのクラックを阻止するために、ダイ
アタッチペーストには特に低応力性、吸湿処理後の接着
性が要求されている。
On the other hand, the reliability of the package is particularly important in terms of solder crack resistance. However, even if the package is exposed to a high temperature during solder bonding, it is necessary to prevent the package from cracking due to peeling of the die attach paste layer. In particular, the die attach paste is required to have low stress and adhesiveness after moisture absorption.

【0004】ダイアタッチペーストのベースレジンはエ
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等
が知られているが、例えば60秒以内に硬化が可能であ
り、それぞれの用途に適した特性(接着性、低応力性
等)を満足する材料は全く見いだされていなかった。
又、特性を満足したとしても常温での粘度上昇が激しす
ぎ、使用に適さない材料しかなかった。
As the base resin of the die attach paste, epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide resin and the like are known. For example, the resin can be cured within 60 seconds and has properties (adhesion, No material that satisfies low stress properties) has been found at all.
Further, even if the properties are satisfied, the viscosity at room temperature increases too much, and there are only materials that are not suitable for use.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のダイ
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a die attach paste which maintains the characteristics of a conventional die attach paste and can be cured in a very short time.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)ヒドロ
キシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリ
コール及びジイソシアネートを反応させて得られるウレ
タンジ(メタ)アクリレート、(B)(メタ)アクリル
基を有する反応性希釈剤、(C)モノアリルジグリシジ
ルイソシアヌル酸、(D)一般式(1)で示されるリン
酸基含有(メタ)アクリレート、(E)エポキシ基を有
するアルコキシシラン、(F)有機過酸化物及び/又は
アゾ化合物、(G)無機フィラーからなり、該(F)成
分の添加割合が、成分(A)、成分(B)及び成分
(C)の総重量に対し0.1〜5重量%であるダイアタ
ッチペーストである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to (A) urethane di (meth) acrylate and (B) (meth) acryl groups obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate. (C) monoallyldiglycidyl isocyanuric acid, (D) a phosphoric acid group-containing (meth) acrylate represented by the general formula (1), (E) an alkoxysilane having an epoxy group, (F) an organic It comprises a peroxide and / or an azo compound and (G) an inorganic filler, and the addition ratio of the component (F) is 0.1 to 0.1% based on the total weight of the components (A), (B) and (C). 5% by weight of die attach paste.

【化2】 Embedded image

【0007】更に好ましい形態としては、該(A)ヒド
ロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコール
及びジイソシアネートを反応させて得られるウレタンジ
(メタ)アクリレートと該(B)(メタ)アクリル基を
有する反応性希釈剤との重量比が80/20から20/
80であるダイアタッチペーストである。また、ダイア
タッチペーストを用いて製作された半導体装置である。
In a more preferred embodiment, (A) a urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkylacrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate with (B) a reactive diluent having a (meth) acrylic group Weight ratio of 80/20 to 20 /
80 is the die attach paste. Further, it is a semiconductor device manufactured using a die attach paste.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明に用いられるアクリレート
樹脂はヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリア
ルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させて
得られるウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤の重量比が80/20〜
20/80である事が好ましい。ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジ
イソシアネートを反応させて得られるウレタンジ(メ
タ)アクリレートの割合が、80/20より高いとペー
スト粘度が高すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、
20/80より小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The acrylate resin used in the present invention is a reactive diluent having a (meth) acrylic group and urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate. The weight ratio of the agent is 80 / 20-
Preferably, it is 20/80. If the ratio of urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate is higher than 80/20, the paste viscosity is too high, and the coating workability is significantly deteriorated. on the other hand,
If it is less than 20/80, the adhesiveness and heat resistance will be poor.

【0009】本発明に用いられるウレタンジ(メタ)ア
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル酸
又はメタクリル酸、ポリアルキレングリコール、ジイソ
シアネートの反応により合成される。ヒドロキシアルキ
ルアクリル酸又はメタクリル酸の例としては、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート等がある。ポリア
ルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコ
ールやポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコ
ール等がある。又、ジイソシアネートの例としてはヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシア
ネート、トルエンジイソシアネート及びその水素添加物
等がある。
The urethane di (meth) acrylate used in the present invention is synthesized by a conventional method by reacting hydroxyalkylacrylic acid or methacrylic acid, polyalkylene glycol, and diisocyanate. Examples of hydroxyalkyl acrylic acid or methacrylic acid include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate,
-Hydroxypropyl methacrylate and the like. Examples of the polyalkylene glycol include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutylene glycol and the like. Examples of diisocyanates include hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, toluene diisocyanate and hydrogenated products thereof.

【0010】ウレタンジ(メタ)アクリレートと混合す
る(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤の例として
は、
Examples of reactive diluents having (meth) acrylic groups which are mixed with urethane di (meth) acrylate include:

【化3】 等のモノ(メタ)アクリレートや、ジメチロールトリシ
クロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)
アクリレートが挙げられ、これらの内の1種類あるいは
複数種と併用可能である。
Embedded image (Meth) acrylates and polyfunctional (meth) acrylates such as dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate
Acrylates can be used, and one or more of these can be used in combination.

【0011】(C)モノアリルジグリシジルイソシアヌ
ル酸の添加量は成分(A)及び成分(B)の総重量に対
して、0.01≦C/(A+B)≦0.5であることが
好ましい。0.01を下回ると吸湿処理後の接着性に効
果を示さず、0.5より多いとペースト粘度が高すぎ塗
布作業性が著しく悪くなる。
(C) The amount of monoallyldiglycidyl isocyanuric acid to be added is preferably 0.01 ≦ C / (A + B) ≦ 0.5 based on the total weight of component (A) and component (B). . If it is less than 0.01, there is no effect on the adhesiveness after the moisture absorption treatment.

【0012】一般式(1)で示される成分(D)として
は、例えば、モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)
アシッドホスフェート、ジ(2−メタクリロイルオキシ
エチル)アシッドホスフェート、モノ(2−アクリロイ
ルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−アク
リロイルオキシエチル)アシッドホスフェート等があ
り、成分(E)としては、例えば、3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等
がある。
As the component (D) represented by the general formula (1), for example, mono (2-methacryloyloxyethyl)
Acid phosphate, di (2-methacryloyloxyethyl) acid phosphate, mono (2-acryloyloxyethyl) acid phosphate, di (2-acryloyloxyethyl) acid phosphate, and the like. As the component (E), for example, Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc.
There is.

【0013】次に、成分(D)と成分(E)の総添加量
は成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に対
して、0.001≦(D+E)/(A+B+C)≦0.
1であることが好ましい。0.001を下回ると接着性
に効果を示さず、0.1より多いと硬化中のボイドによ
り、接着性が低下する。
Next, the total added amount of component (D) and component (E) is 0.001 ≦ (D + E) / (based on the total weight of component (A), component (B) and component (C). A + B + C) ≦ 0.
It is preferably 1. When the amount is less than 0.001, no effect is exerted on the adhesiveness. When the amount is more than 0.1, the adhesiveness is reduced due to voids during curing.

【0014】本発明において成分(D)と成分(E)は
必須成分であり、一方が欠けても本発明を具現する事は
できない。その構成比は0.1≦D/E≦10であるこ
とが好ましい。0.1を下回るとリン酸基の濃度が低く
なり、リードフレーム界面への効果が低下する。また、
10を越えるとリン酸基の濃度が高くなり必要以上に接
着界面に作用し接着性を低下させてしまう。
In the present invention, component (D) and component (E) are essential components, and even if one of them is missing, the present invention cannot be realized. The composition ratio is preferably 0.1 ≦ D / E ≦ 10. If it is less than 0.1, the concentration of the phosphate group becomes low, and the effect on the interface of the lead frame decreases. Also,
If it exceeds 10, the concentration of the phosphate group becomes too high and acts on the bonding interface more than necessary, thereby lowering the adhesiveness.

【0015】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
Next, examples of the polymerization initiator include organic peroxides and azo compounds. The decomposition temperature of the organic peroxide in a rapid heating test (decomposition start temperature when 1 g of a sample is placed on an electric heating plate and heated at a rate of 4 ° C./min) is preferably from 40 ° C. to 140 ° C. When the decomposition temperature is lower than 40 ° C., the storage stability at room temperature becomes poor,
When the temperature exceeds ℃, the curing time becomes extremely long.

【0016】本発明で用いられる有機過酸化物の例とし
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
Examples of the organic peroxide used in the present invention include cumylperoxyneodecanate, t-butylperoxyneodecanate, 1-cyclohexyl-1-
Methyl ethyl peroxy neodecaneate, 1,1,3
3-tetramethyl peroxyneodecane, 1,1,
3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanate, bis (4-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, 1,1-bis (t-butylperoxy)- 3,3,5-trimethylcyclohexane, t-
Butyl peroxybenzoate, t-butyl peroxy 3,5,5-trimethyl hexanate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanate and the like.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobisisobutylnitrile and 1,1′-azobis (1-acetoxy-1
-Phenylethane).

【0017】これら有機過酸化物、アゾ化合物は単独あ
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
These organic peroxides and azo compounds can be used alone or in combination of two or more to control curability. Further, various polymerization inhibitors can be added in advance in order to improve the storage stability of the resin.

【0018】これら有機過酸化物、アゾ化合物の添加量
は、成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に
対して、0.1重量%から5重量%であることが好まし
い。5重量%より多いとペーストの粘度経時変化が大き
く作業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬
化性が著しく低下するので好ましくない。
The amount of the organic peroxide and azo compound to be added may be from 0.1% by weight to 5% by weight based on the total weight of the components (A), (B) and (C). preferable. If the content is more than 5% by weight, the viscosity of the paste changes with time, causing a problem in workability. If the amount is less than 0.1% by weight, the curability is remarkably reduced, which is not preferable.

【0019】本発明に用いる無機フィラーとしては、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include conductive fillers such as silver powder, gold powder, nickel powder, and copper powder, and insulating fillers such as aluminum nitride, calcium carbonate, silica, and alumina.

【0020】導電性を付与するフィラーとしては銀粉が
好ましく、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイ
オン性不純物の含有量は10ppm以下であることが好
ましい。また、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝
状、球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好まし
い。また、比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用
いることもでき、形状についても各種のものを便宜混合
してもよい。
Silver is preferable as the filler for imparting conductivity, and the content of ionic impurities such as halogen ions and alkali metal ions is preferably 10 ppm or less. In addition, as the shape of the silver powder, a flake shape, a tree shape, a spherical shape, or the like is used. The particle size of the silver powder to be used varies depending on the required viscosity of the paste, but usually the average particle size is preferably 2 to 10 μm and the maximum particle size is preferably about 50 μm. In addition, a mixture of relatively coarse silver powder and fine silver powder can be used, and various shapes may be conveniently mixed.

【0021】次に、絶縁フィラーの一つであるシリカフ
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
Next, the silica filler, which is one of the insulating fillers, preferably has an average particle size of 1 to 20 μm and a maximum particle size of 50 μm or less. If the average particle size is less than 1 μm, the viscosity increases, and if the average particle size exceeds 20 μm, bleeding occurs because the resin component flows out during coating or curing, which is not preferable.
On the other hand, if the maximum particle size exceeds 50 μm, it is not preferable because needle clogging occurs when applying the paste with a dispenser. Furthermore, a relatively coarse silica filler and a fine silica filler may be mixed and used, and various shapes may be conveniently mixed.

【0022】本発明におけるダイアタッチペーストは、
必要により消泡剤、界面活性剤、エラストマー等の添加
剤を用いることができる。
The die attach paste in the present invention is:
If necessary, additives such as an antifoaming agent, a surfactant, and an elastomer can be used.

【0023】本発明のダイアタッチペーストの製造方法
としては、例えば、予備混合し、三本ロール等を用いて
ペーストを得た後、真空下脱泡して製作する。本発明の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置
は、信頼性、生産性の高い半導体装置である。半導体装
置の製造方法は従来の公知の方法を使用することが出来
る。
As a method of producing the die attach paste of the present invention, for example, the paste is prepared by preliminarily mixing, obtaining a paste using a three-roll mill or the like, and then defoaming under vacuum. A semiconductor device manufactured using the die attach paste of the present invention is a semiconductor device having high reliability and high productivity. As a method for manufacturing a semiconductor device, a conventionally known method can be used.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 <実施例1〜8>ヒドロキシアルキルアクリル酸、ポリ
アルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させ
て得られるウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・
製、M−1600)、下記の構造式で示されるモノアク
リレート又はジアクリレート、モノアリルジグリシジル
イソシアヌル酸(四国化成工業(株)・製、MA−DG
IC)、カップリング剤としてリン酸基含有メタクリレ
ート(日本化薬(株)・製、PM−21)及び脂環式エ
ポキシアルコキシシラン(信越化学工業(株)・製、K
BM303)、重合開始剤として下記の有機過酸化物
1、2及びアゾ化合物、更に無機フィラーとして平均粒
径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉、又は平
均粒径5μm、最大粒径20μmのシリカフィラーを表
1のように配合し、3本ロールを用いて混錬し、脱泡後
ダイアッッチペーストを得た。得られたペーストを以下
の方法により評価した。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. <Examples 1 to 8> Urethane diacrylate obtained by reacting hydroxyalkylacrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate (Toagosei Co., Ltd.)
MA-1600), monoacrylate or diacrylate represented by the following structural formula, monoallyl diglycidyl isocyanuric acid (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., MA-DG)
IC), phosphate group-containing methacrylate (PM-21, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and alicyclic epoxyalkoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., K,
BM303), the following organic peroxides 1 and 2 and an azo compound as a polymerization initiator, and flake silver powder having an average particle size of 3 μm and a maximum particle size of 20 μm as an inorganic filler, or silica having an average particle size of 5 μm and a maximum particle size of 20 μm The filler was blended as shown in Table 1, kneaded using a three-roll mill, and defoamed to obtain a die paste. The obtained paste was evaluated by the following method.

【化4】 Embedded image

【0025】<評価方法> ・粘度:25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5rp
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ダイアタッチペーストを用いて、6×6m
mのシリコンチップを銅フレームにマウントし、所定の
硬化条件で硬化した。硬化後、及び硬化後85℃/85
%RH/72時間処理後、自動せん断強度測定装置(D
AGE社製、PC2400)を用いて250℃での熱時
ダイシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをダイアタッチペーストを用いてマウントし、
所定の硬化条件で硬化後、外観を目視でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。
<Evaluation method> Viscosity: 2.5 rpm at 25 ° C. using an E-type viscometer.
The viscosity in m was measured. -Storage property: The viscosity after standing for 72 hours in a thermostat at 25 ° C was measured. If the increase in viscosity was 10% or less of the initial viscosity, it was good, and if it exceeded 10%, it was bad.・ Adhesive strength: 6 × 6m using die attach paste
m silicon chips were mounted on a copper frame and cured under predetermined curing conditions. 85 ° C / 85 after curing and after curing
% RH / 72 hours treatment, then an automatic shear strength measuring device (D
AGE Co., PC2400) was used to measure the hot die shear strength at 250 ° C.・ Void: A glass chip of 10 mm × 10 mm is mounted on a lead frame using a die attach paste,
After curing under predetermined curing conditions, the appearance was visually checked for voids. Good if the void is 15% or less of the adhered area, 1
Those exceeding 5% were regarded as defective.

【0026】・ワイヤーボンディング処理時の剥離:リ
ードフレームに6mm×15mmのチップをダイアタッ
チペーストを用いてマウントし、所定の硬化条件で硬化
後、250℃にてワイヤーボンディング処理を行ない、
ペレットの接着状態を観察した。剥離が無ければ良好、
剥離が観察されれば不良とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00μmの銅フレームに6mm×15mm×0.3mm
のシリコンチップをダイアタッチペーストを用いてペー
スト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗さ計を用
いて、長手方向のチップの変位を測定しその高低差によ
り反り量を測定した。
Peeling at the time of wire bonding: A chip of 6 mm × 15 mm is mounted on a lead frame using a die attach paste, cured under predetermined curing conditions, and then subjected to wire bonding at 250 ° C.
The adhesion state of the pellet was observed. Good if there is no peeling,
If peeling was observed, it was determined to be defective. -Warpage: Warpage was measured as an evaluation of low stress. Thickness 2
6mm x 15mm x 0.3mm in a 00μm copper frame
Was bonded using a die attach paste so that the paste thickness became 20 μm, the displacement of the chip in the longitudinal direction was measured using a surface roughness meter, and the amount of warpage was measured based on the difference in height.

【0027】・耐パッケージクラック性:スミコンEM
E−7320(住友ベークライト(株)製)の封止材料
を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃/6
0%RH/168時間吸水処理した後、IRリフロー
(240℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラ
ックの数を測定し、耐パッケージクラック性の指標とし
た。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu(ダイアタッチペーストを用いて
リードフレーム上に上記のチップを接着) 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
Package crack resistance: Sumicon EM
Using a sealing material of E-7320 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), a package molded under the following conditions at 85 ° C./6
After water absorption treatment at 0% RH / 168 hours, the sample was subjected to IR reflow (240 ° C., 10 seconds), the number of internal cracks was measured by cross-sectional observation, and this was used as an index of package crack resistance. Package: 80pQFP (14 x 20 x 2mm thickness) Chip size: 7.5 x 7.5mm (aluminum wiring only) Lead frame: Cu (adhese the above chip on lead frame using die attach paste) Molding: 175 ° C, 2 minutes Post-mold cure: 175 ° C, 4 hours Total number of packages: 12

【0028】<比較例1〜7>表2に示した組成の各成
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
<Comparative Examples 1 to 7> Each component having the composition shown in Table 2 was blended, a paste was obtained in the same manner as in Example 1, and the same evaluation was performed.

【0029】評価結果を表1及び表2に示す。The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

【表1】 [Table 1]

【0030】[0030]

【表2】 [Table 2]

【0031】有機過酸化物1:日本油脂(株)製、キュ
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
Organic peroxide 1: Cumyl peroxyneodecanate manufactured by NOF Corporation (decomposition temperature in a rapid heating test: 65 ° C.) Organic peroxide 2: t-butyl manufactured by NOF Corporation Peroxyisopropyl monocarbonate (decomposition temperature in rapid heating test: 108 ° C) Azo compound: Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 2,2'-azoisobutylnitrile

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、柔軟
な構造のウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤との組み合わせにより低
応力性に優れ、更にモノアリルジグリシジルイソシアヌ
ル酸を加えることにより吸湿後の接着性が向上し、その
結果優れた耐半田クラック性が発現された速硬化性ペー
ストである。
The die attach paste of the present invention is excellent in low stress property by combining urethane di (meth) acrylate having a flexible structure and a reactive diluent having a (meth) acrylic group, and further has monoallyl diglycidyl isocyanur. By adding an acid, the adhesiveness after moisture absorption is improved, and as a result, it is a fast-curing paste having excellent solder crack resistance.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J027 AB32 AC03 AC06 AG04 BA07 BA13 BA16 CA29 4J040 FA072 FA131 FA132 FA141 FA142 FA151 FA152 FA212 GA11 GA27 HA136 HA196 HA206 HA306 HB41 HC14 HD32 JA05 JB02 JB10 KA03 KA04 KA14 KA24 KA27 KA32 KA42 MA02 MA04 NA20 5F047 BA21 BA22 BA23 BA32 BA33 BA34 BA51 BA52 BA54  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4J027 AB32 AC03 AC06 AG04 BA07 BA13 BA16 CA29 4J040 FA072 FA131 FA132 FA141 FA142 FA151 FA152 FA212 GA11 GA27 HA136 HA196 HA206 HA306 HB41 HC14 HD32 JA05 JB02 JB10 KA03 KA04 KA14 KA24 KA27 MA04 NA20 5F047 BA21 BA22 BA23 BA32 BA33 BA34 BA51 BA52 BA54

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)ヒドロキシアルキル(メタ)アク
リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
(C)モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸、(D)
一般式(1)で示されるリン酸基含有(メタ)アクリレ
ート、(E)エポキシ基を有するアルコキシシラン、
(F)有機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(G)無機
フィラーからなり、該(F)成分の添加割合が、成分
(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に対し0.
1〜5重量%であることを特徴とするダイアタッチペー
スト。 【化1】
1. (A) urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, (B) a reactive diluent having a (meth) acryl group,
(C) monoallyl diglycidyl isocyanuric acid, (D)
A phosphate group-containing (meth) acrylate represented by the general formula (1), (E) an alkoxysilane having an epoxy group,
(F) An organic peroxide and / or an azo compound, and (G) an inorganic filler, and the addition ratio of the component (F) is based on the total weight of the components (A), (B) and (C). 0.
1 to 5% by weight of a die attach paste. Embedded image
【請求項2】 該(A)ヒドロキシアルキル(メタ)ア
クリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネ
ートを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレ
ートと該(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈
剤との重量比が80/20から20/80である請求項
1記載のダイアタッチペースト。
2. A urethane di (meth) acrylate obtained by reacting (A) hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, and (B) a reactive diluent having a (meth) acryl group. The die attach paste according to claim 1, wherein the weight ratio of the die attach paste is from 80/20 to 20/80.
【請求項3】 該(C)モノアリルジグリシジルイソシ
アヌル酸の添加量が成分(A)及び成分(B)の総重量
に対して、0.01≦C/(A+B)≦0.5である請
求項1及び2記載のダイアタッチペースト。
3. The addition amount of (C) monoallyldiglycidyl isocyanuric acid is 0.01 ≦ C / (A + B) ≦ 0.5 based on the total weight of component (A) and component (B). The die attach paste according to claim 1.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のダイア
タッチペーストを用いて製作した半導体装置。
4. A semiconductor device manufactured using the die attach paste according to claim 1.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2006144018A (en) * 2004-11-24 2006-06-08 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Low temperature snap curing type material having suitable pot life
EP1715004A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-25 National Starch and Chemical Investment Holding Corporation Die attach adhesives with improved stress performance
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KR101309815B1 (en) * 2010-12-15 2013-09-23 제일모직주식회사 Dicing die bonding film

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085724A (en) * 2003-09-11 2005-03-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin paste for semiconductor, and semiconductor device
JP4635423B2 (en) * 2003-09-11 2011-02-23 住友ベークライト株式会社 Resin paste for semiconductor and semiconductor device
US7456280B2 (en) 2004-01-16 2008-11-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Maleimide resin with cyanurate core
JP2006144018A (en) * 2004-11-24 2006-06-08 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Low temperature snap curing type material having suitable pot life
EP1715004A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-25 National Starch and Chemical Investment Holding Corporation Die attach adhesives with improved stress performance
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