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JP2001286742A - 水素分離膜 - Google Patents

水素分離膜

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Publication number
JP2001286742A
JP2001286742A JP2000107842A JP2000107842A JP2001286742A JP 2001286742 A JP2001286742 A JP 2001286742A JP 2000107842 A JP2000107842 A JP 2000107842A JP 2000107842 A JP2000107842 A JP 2000107842A JP 2001286742 A JP2001286742 A JP 2001286742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydrogen
barrier layer
separation membrane
metal
hydrogen separation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000107842A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiro Kobayashi
敏郎 小林
Hideaki Takatani
英明 高谷
Yoji Nakano
要治 中野
Kazuto Kobayashi
一登 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP2000107842A priority Critical patent/JP2001286742A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期間の間使用しても、水素透過性能が低下
しにくい水素分離膜を提供する。 【解決手段】 複数の細孔3を有する金属多孔質支持体
5と水素透過性金属箔9との間にバリヤ層7を設けた水
素分離膜であって、上記バリヤ層7として、融点が18
00℃以上である高融点金属、又は、Ti,Si,A
l,Mg,Ca,Y,Zr,Hfの群から選択される1
種以上の元素とN,C,O,Bの群から選択される1種
以上の元素とからなり、かつ、気孔率が20%以下であ
るセラミックスを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度水素ガスの
製造装置や精製装置に適用される水素分離膜に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、高純度水素ガスの製造装置等
又は燃料電池と組み合わせた発電システムには、高純度
の水素を製造するために水素分離膜が用いられている。
この従来の水素分離膜101は、図7に示すように、多
数の細孔103を有する金属補強板を複数重ね合わせて
金属多孔質支持体105を作製し、該金属多孔質支持体
105の表面に水素透過性金属箔107を張り合わせた
ものである。該水素分離膜101を用いて水素を抽出す
る場合は、水素を含有する高圧力の原料ガスを上記水素
分離膜101の金属多孔質支持体105側に接触させる
ことによって、細孔103から原料ガス侵入させたの
ち、更に水素透過性金属箔107によって水素のみを透
過させて高純度の水素を得ることができる。しかしなが
ら、上記従来の水素分離膜101は、長期間使用すると
水素透過性能が低下し、該水素分離膜101が用いられ
る発電システム等に要求される水素透過性能を満足しな
いことがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解決し、長期間の間使用しても、水素透過性能が低下し
にくい水素分離膜を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明に係る水素分離膜
は、上記目的を達成するため、複数の流通孔を有する金
属多孔質支持体と水素透過性金属箔との間にバリヤ層を
設けた水素分離膜であって、上記バリヤ層として、融点
が1800℃以上である高融点金属を用いている。上記
バリヤ層がない場合は、金属多孔質支持体と水素透過性
金属箔が接触するため、水素透過性金属箔に含有されて
いる金属成分、例えばPd等が金属多孔質支持体中に拡
散してしまい、水素透過性金属箔の水素透過性能が低下
するおそれがある。しかし、上記バリヤ層を金属多孔質
支持体と水素透過性金属箔との間に介在させることによ
って、水素透過性金属箔に含有されている金属成分が直
接に金属多孔質支持体中に拡散することがなくなり、水
素透過性能の劣化を防止することができる。さらに、バ
リヤ層として用いる金属については、1800℃以上の
融点が必要であるが、2200〜3400℃が更に好ま
しい。
【0005】また、本発明に係る水素分離膜の一態様で
は、上記バリヤ層として、Ti,Si,Al,Mg,C
a,Y,Zr,Hfの群から選択される1種以上の元素
とN,C,O,Bの群から選択される1種以上の元素と
からなり、かつ、気孔率が20%以下であるセラミック
スを用いている。上記バリヤ層は、高融点金属以外にも
セラミックスを好適に用いることができる。また、上記
気孔率は、低ければ低いほど望ましく、20%以下、即
ち、0〜20%とする。なお、別の態様として、0%を
超えて20%以下とすることも可能である。さらに、本
発明に係る水素分離膜の別の態様では、上記バリヤ層を
単層又は複層に形成している。このバリヤ層を真空蒸
着、イオンフ゜レーティンク゛、CVD等の方法で形成する場合、そ
の結晶粒界が欠陥となるおそれがあり、また、結晶は膜
成長方向に成長するので結晶粒界も膜の成長方向につな
がる。そして、上記欠陥の存在場所は材質及び膜形成条
件によって決まる結晶の大きさに依存する。従って、同
種の膜を連続して積層させる場合に、欠陥が連続する可
能性が高いのに対し、異種の膜を積層する場合は、結晶
の大きさが異なるので、欠陥即ち結晶粒界の形成場所が
不連続となる可能性が大きくなる。このため、バリヤ層
を多層構造とすることによって連続欠陥が減少し、バリ
ヤ層による拡散防止効果が増し、単層以上に水素透過性
能の劣化を抑制することができる。
【0006】そして、本発明に係る水素分離膜の更に別
の態様では、上記金属多孔質支持体とバリヤ層との間、
又は上記水素透過性金属箔とバリヤ層との間に、Ag,
Au,Pt,Al,Pd,Niの群から選択される1種
以上の元素からなる金属層を更に設けている。上記金属
層を形成することによって、バリヤ層と金属多孔質支持
体、又はバリヤ層と水素透過性金属箔との接合強度が大
幅に向上し、高圧下においてもリークなどが発生するお
それがなくなる。また、本発明に係る水素分離膜の更に
別の態様では、上記金属層を、単層又は複数層に形成し
ている。なお、本発明に係る水素分離膜の更に別の態様
では、上記金属層の厚さを0.05〜1μmに形成して
いる。さらに、本発明に係る水素分離膜の更に別の態様
では、上記金属層を、上記金属多孔質支持体とバリヤ層
との間、及び上記水素透過性金属箔とバリヤ層との間の
双方に設けている。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の実
施形態に係る水素分離膜の一部を切断した斜視図、図2
は図1のA−A線による断面図である。この水素分離膜
1は、多数の細孔3が厚さ方向に貫通して設けられた金
属多孔質支持体5と、該金属多孔質支持体5の表面側に
設けられたバリヤ層7と、該バリヤ層7の表面側に設け
られた水素透過性金属箔9とから構成されている。ま
た、バリヤ層7は、図2のように単層のものに限定され
ず、図3に示すように2層あるいは3層以上に形成して
も良い。
【0008】上記金属多孔質支持体5は、材質が普通鋼
やステンレス鋼等のFe合金、純Ni、Ni合金、純T
i、Ti合金、Cr合金などであり、その形状は、金
網、不織布、板状体又はパイプに機械加工、打ち抜き又
はエッチングなどによって細孔3を穿設したものなど種
々の態様のものを用いることができる。上記バリヤ層7
は、金属多孔質支持体5と水素透過性金属箔9との間に
配設され、多数の流通孔11が厚さ方向に沿って設けら
れており、気孔率が小さい高融点金属又はセラミックス
で形成されている。この高融点金属は、融点が1800
℃以上の金属であり、例えばZr,Mo,Ta,W,C
r,Hf,Nb及びRuなどが挙げられる。また、上記
セラミックスは、Ti,Si,Al,Mg,Ca,Y,
Zr,Hfの群から選択される1種以上の元素とN,
C,O,Bの群から選択される1種以上の元素とからな
る化合物であり、例えばTiN,TiC,TiO2 ,T
iB,Si34,SiC,SiO2,AlN,Al
23,MgO,CaO2,AlSiOx,Y23,ZrO
2,TiAlN,MgO・Al23,2MgO・SiO2
などが挙げられる。また、バリヤ層7の厚さは0.5〜
20μmが好ましい。
【0009】さらに、上記水素透過性金属箔9は、Pd
箔、Pdを含有する合金からなる箔、5族元素(V,N
b,Ta)の箔、該5族元素を含有する合金からなる箔
が好適である。この水素透過性金属箔9の好ましい例と
しては、Pd合金、PdとAgからなる合金、Y及び希
土類元素からなる群から選ばれる1種以上の金属とPd
とからなる合金、5族元素単体、2種以上の5族元素の
合金、5族元素とNi,Co,Pd,Cu等の8族元素
の合金、5族元素とTi,Mo,Ag,Au,Cuの合
金金属の単層あるいは積層膜などが挙げられる。また、
水素透過性金属箔9の厚さは0.5〜20μmである。
【0010】上記水素分離膜1を用いて水素分離膜部材
を作製する方法を説明する。平板型の形状を有する水素
分離膜部材を作製する場合には、通気用の溝又は孔の開
いたベース板に上記水素分離膜1を重ね合わせて、ろう
付け、拡散接合、シール溶接等により外周部を接合す
る。また、管型のものを作製する場合には、通気用孔が
開いた管状のベースパイプの外周に水素分離膜1を巻き
付け、その外周部にシール溶接を施す。
【0011】図4と図5は、上記水素透過性金属箔9と
金属多孔質支持体5との間に、バリヤ層7に加えて、更
に金属層13を設けた水素分離膜21を示す断面図であ
る。この金属層13は、図4のように水素透過性金属箔
9とバリヤ層7との間、又は、図5のように金属多孔質
支持体5とバリヤ層7との間に形成する。また、これら
の図に示すように単層であっても良いが、異なる材質の
層を複数形成しても良く、さらに、水素透過性金属箔9
とバリヤ層7との間、及び、金属多孔質支持体5とバリ
ヤ層7との間の双方に配設しても良い。金属層13の材
質は、Ag,Au,Pt,Al,Pd,Niの群から選
択される1種以上の元素から構成する。この金属層13
によって、上記バリヤ層7と水素透過性金属箔9の接合
強度、又はバリヤ層7と金属多孔質支持体5の接合強度
を高めることができ、差圧が大きい環境下における使用
に際しても、リーク等が発生するおそれがなくなる。
【0012】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 [実施例1]水素透過性金属箔9と金属多孔質支持体5
との間にバリヤ層7を設けた水素分離膜1を形成し、図
6に示す管状のベースパイプ23に巻き付けて管状の水
素分離膜部材25を作製した。この水素分離膜部材25
に水素を含んだ混合ガスを550℃の温度下において3
000時間流し続けた後に水素透過量を測定し、混合ガ
スを流す前の水素透過量と比較して相対評価をした。こ
の結果を表1と表2に示すが、判定において、3000
時間経過後の水素透過量の相対値が90以上の場合は
○、60〜89の場合は△、59以下の場合は×とし
た。ここで、紙面のスペースの関係上、実施例1の結果
を形式的に表1と表2に分けたが、表2は表1に続くも
のである。また、上記水素透過性金属箔9、バリヤ層7
及び金属多孔質支持体5の材質や、バリヤ層7の形成方
法、気孔率(欠陥密度)及び厚みも、合わせて以下の表
1と表2に示す。なお、参考のため、表1と表2の元素
の融点を以下に示す。Zrが1852℃、Moが261
7℃、Taが2998℃、Wが3380℃、Crが18
75℃、Niが1453℃、Feが1536℃、Tiが
1670℃、Alが660℃である。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】これらの表1と表2から判るように、水素
透過性金属箔9と金属多孔質支持体5との間にバリヤ層
7を設けることによって、水素透過性能の低下を大幅に
抑制することができた。ただし、比較材1−2〜1−4
の結果をみると、バリヤ層7を設けても、該バリヤ層7
の気孔率が低い場合は水素透過性能の低下が大きいこと
が判る。さらに、本発明材1−43〜1−50の結果か
ら、上記バリヤ層7は、単層よりも複層の方が水素透過
性能の低下を効果的に防止することができることが判明
した。
【0016】[実施例2]次いで、水素分離膜部材を、
温度900℃、加圧力1kgf/cm2 でプレスして接
合し、接合強度を評価した。接合強度が0.1kgf/
cm2 以下では、差圧の大きな環境における使用中にリ
ークが発生するおそれがあるため、接合強度が0.1k
gf/cm2 以上のものを判定において合格(○)とし
た。その結果を表3に示す。
【0017】
【表3】
【0018】表3の比較材2−2に示すように、バリヤ
層7のみを設けた場合、50回で破損したが、水素透過
性金属箔9とバリヤ層7との間、バリヤ層7と金属多孔
質支持体5の間、又はその両方に金属層13を設けるこ
とにより、発停に対する耐久性が向上した。また、比較
材2−4に示すように、金属層13を設けても、その厚
さが0.02μmと薄い場合は接合強度が低くなること
が判明した。なお、比較材1−1はバリヤ層7がないた
め、比較の対象ではないが、参考値として掲載した。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、欠陥の少ない高融点金
属又はセラミックスから構成されたバリヤ層を設けたた
め、水素透過性金属箔に含有されている金属成分が直接
に金属多孔質支持に拡散することがなくなり、水素透過
性能の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る水素分離膜の一部を切断した斜視
図である。
【図2】図1のA−A線による断面図である。
【図3】図2のバリヤ層を2層に形成した水素分離膜を
示す断面図である。
【図4】図2のバリヤ層と水素透過性金属膜との間に金
属層を形成した水素分離膜を示す断面図である。
【図5】図2のバリヤ層と金属多孔質支持体との間に金
属層を形成した水素分離膜を示す断面図である。
【図6】ベースパイプの外周に水素分離膜を張り付けた
水素分離膜部材を示す斜視図である。
【図7】従来の水素分離膜の一部を切断した斜視図であ
る。
【符号の説明】
1,21 水素分離膜 3 細孔 5 金属多孔質支持体 7 バリヤ層 9 水素透過性金属箔 11 流通孔 13 金属層 23 ベースパイプ 25 水素分離膜部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 要治 広島県広島市西区観音新町四丁目6番22号 三菱重工業株式会社広島研究所内 (72)発明者 小林 一登 東京都千代田区丸の内二丁目5番1号 三 菱重工業株式会社内 Fターム(参考) 4D006 GA41 HA28 KE16Q MA02 MA03 MA06 MA08 MA24 MA31 MB16 MC01X MC02X MC03X MC87 NA31 NA45 NA50 PA01 PB20 PB66 PC80 4G040 FA02 FB09 FC01 FD07 FE01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の細孔を有する金属多孔質支持体と
    水素を透過させるための水素透過性金属箔との間にバリ
    ヤ層を設けた水素分離膜であって、上記バリヤ層とし
    て、融点が1800℃以上の高融点金属を用いたことを
    特徴とする水素分離膜。
  2. 【請求項2】 上記バリヤ層として、Ti,Si,A
    l,Mg,Ca,Y,Zr,Hfの群から選択される1
    種以上の元素とN,C,O,Bの群から選択される1種
    以上の元素とからなり、かつ、気孔率が20%以下であ
    るセラミックスを用いたことを特徴とする水素分離膜。
  3. 【請求項3】 上記バリヤ層を単層又は複層に形成した
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の水素分離膜。
  4. 【請求項4】 上記金属多孔質支持体とバリヤ層との
    間、又は上記水素透過性金属箔とバリヤ層との間に、A
    g,Au,Pt,Al,Pd,Niの群から選択される
    1種以上の元素からなる金属層を更に設けたことを特徴
    とする請求項1〜3のいずれかに記載の水素分離膜。
  5. 【請求項5】 上記金属層を、単層又は複数層に形成し
    たことを特徴とする請求項4に記載の水素分離膜。
  6. 【請求項6】 上記金属層の厚さを0.05〜1μmに
    形成したことを特徴とする請求項4又は5に記載の水素
    分離膜。
  7. 【請求項7】 上記金属層を、上記金属多孔質支持体と
    バリヤ層との間、及び上記水素透過性金属箔とバリヤ層
    との間の双方に設けたことを特徴とする請求項4〜6の
    いずれかに記載の水素分離膜。
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