JP2001126866A - 有機ｅｌ表示装置の製造方法および該方法により製造された有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、一対の基板間に光硬化性樹脂層を
介して有機ＥＬ素子が封止された有機ＥＬ表示装置を、
１対の基板から多数個を得る際の歩留まりを向上と、コ
スト低減をし得るようにした有機ＥＬ表示装置の製造方
を提供することを主たる目的とする。 【解決手段】 第１基板に有機ＥＬ素子を形成する工程
と、光硬化性樹脂で有機ＥＬ素子を覆う工程と、有機Ｅ
Ｌ素子の発光部を覆う前記光硬化性樹脂を選択的に硬化
させる工程と、前記基板の有機ＥＬ素子間をガラス切り
等で切断する工程とを含み、これにより複数の有機ＥＬ
表示装置を得るようにした有機ＥＬ表示装置の製造方法
を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばドットマト
リクス表示装置や、液晶表示器のバックライト等に使用
され、有機ＥＬ素子、有機エレクトロルミネセンス素
子、有機電界発光素子、有機ＬＥＤ素子等と称される有
機薄膜のエレクトロルミネセンス現象を利用した有機エ
レクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とい
う）を用いた有機ＥＬ表示装置に関するもので、詳しく
は複数個の有機ＥＬ表示素子を同一基板上に構成し、こ
れを切断分離して複数の有機ＥＬ表示装置を得るように
した有機ＥＬ表示装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機ＥＬ表示素子８０は、例えば
図１１に示すように構成されている。ガラス基板８１上
に設けたストライプ状のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）か
らなる陽極層８２と、その上に積層した、有機ＥＬ層８
３と、陽極層８２と直交するストライプ状の陰極層８４
と、から構成されている。

【０００３】このような構成の有機ＥＬ素子８０によれ
ば、一対の電極８２、８４間に図示しない電源から所望
の電力を供給することにより、電極８２、８４間に挟ま
れた有機ＥＬ層８３から発光が生じ、これが視認される
ものとなる。この例においては、ストライプ状の電極を
用いたドットマトリクス型としているので、ストライプ
状の陽極層８２および陰極層８４に所望の信号を入力す
ることにより、各電極間に挟まれた有機ＥＬ層８３をド
ット単位で発光を制御することができる。

【０００４】陽極層８２は、ニッケル、金、白金、パラ
ジウムやこれらの合金或いは酸化錫（ＳｎＯ_２）、沃化
銅などの仕事関数の大きな金属やそれらの合金、化合
物、更にはポリピロール等の導電性ポリマーなどを用い
ることができるが、一般にはＩＴＯ透明電極層が多く用
いられている。陰極層８４は、電子注入に有効な材料、
即ち電子注入効率の向上が図れる仕事関数の小さな金属
材料を用いることが好ましく、アルミニウム、マグネシ
ウム、マグネシウムインジウム合金、マグネシウムアル
ミニウム合金、マグネシウム銀合金や、アルミニウムリ
チウム合金等が用いられている。有機ＥＬ層８３は、陽
極層８２側から順に正孔輸送層８３ａと有機発光層８３
ｂの２層構造としており、正孔輸送層８３ａとしては
Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'―ビス（３−メチルフェ
ニル）１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（Trip
henyldiamine、以下ＴＰＤと略記する）を、有機発光層
８３ｂとしてはトリス（８−ヒドロキシキナリナト）ア
ルミニウム（Tris(8-hydroxyquinolinato)Aluminium、
以下Ａｌｑ_３と略記する）等が用いられている。

【０００５】このような構成の有機ＥＬ素子８０を大気
中でそのまま駆動した場合には、湿気や熱等により劣化
が促進され、発光特性が劣化する。特に、素子の周囲に
酸素や水分があった場合、酸化が促進され有機材料の変
質、膜の剥がれ、ダークスポット（非発光部）が成長し
発光しなくなるなどの現象が表れ、結果として寿命が短
いという問題がある。

【０００６】そこで、このような問題に対して、有機Ｅ
Ｌ素子が大気に触れないように封止することが提案され
ている。例えば図１０に示す有機ＥＬ表示装置９０は、
有機ＥＬ素子８０を形成した一方の素子基板８１と、有
機ＥＬ層８３等を覆うように対向配設した他方の封止基
板９１と、有機ＥＬ層８３が外気に曝されないよう両基
板８１、９１を接着固定して有機ＥＬ素子８０を囲むよ
うに設けたシール層９２と、該シール層９２よりも一部
が外側に引き出された陽極層８２および陰極層８４とか
らなる。また、特開平５−４１２８１号のように有機Ｅ
Ｌ素子８０と封止基板９１の間にフルオロカーボン油に
合成ゼオライト等の脱水剤を含有させた不活性液体など
を充填して封止することも提案されている。

【０００７】このような構成の有機ＥＬ表示装置９０に
よれば、有機ＥＬ素子８０が外部雰囲気に曝されること
がないので寿命を長くした有機ＥＬ表示装置が提供され
る。

【０００８】また、このような構成の有機ＥＬ表示装置
９０を大量に生産しようとする場合には、図８および図
９に示すような方法により製造することができる。複数
の有機ＥＬ素子８０を形成した一方の素子基板８１と、
他方の封止基板９１とを、素子基板８１内面に設けたシ
ール層９２を介して接着固定し、その後に隣接する各有
機ＥＬ表示素子８０間にスクライブ装置等により素子基
板８１に切り溝８８を、封止基板９１に切り溝９８ａ、
９８ｂを入れ、これらの箇所を押圧することで複数の有
機ＥＬ表示装置９０を切断分割して得ることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この切
断分割を行うために所定位置に切り溝８８，９８ａ，９
８ｂを設けたにもかかわらず、切り溝ではなく、切り溝
から離れた箇所が割れて、切り残し８７、９７や、割れ
８６、９６が生じることがある。切り残し８７、９７が
あると、所定形状よりも大きくなり、有機ＥＬ表示装置
９０を他の装置に取付けることが難しくなったり、有機
ＥＬ表示装置９０を駆動するために接続するフレキシブ
ルプリント基板等と接触してフレキシブルプリント基板
を傷付けたりする不具合が生じる。また、割れ８６、９
６があると、その箇所の電極端子が短くなって接続に不
具合をきたすなどの問題が生じる。特に、有機ＥＬ表示
装置９０の発光部の端縁から基板端縁までの距離を小さ
くした狭額縁の有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合に
おいて、上記した割れや切り残しがあると、かかる寸法
精度の悪化により、有機ＥＬ表示装置の歩留まりが低く
なり問題であった。

【００１０】本発明は、以上の点から、作業性がよく、
かつ正確な寸法形状が得られるような有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することを主たる目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明の第
一の態様によれば、有機ＥＬ素子が形成された第１基板
と、該有機ＥＬ素子を覆うように形成された光硬化性樹
脂層と、該光硬化性樹脂層を介して第１基板と対向配設
して固着された第２基板とを有する有機ＥＬ表示装置を
製造する方法であって、 前記第１基板に、複数の有機
ＥＬ表示装置分の電極層と有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ
素子を形成する工程と、 一方の基板表面を、液状の光
硬化性樹脂にて覆う工程と、 前記光硬化性樹脂の上面
に他方の基板を、積極的に上方へ凸に変形することがな
いようにして、前記光硬化性樹脂を覆う工程と、 有機
ＥＬ素子の発光領域の箇所を覆う光硬化性樹脂が選択的
に硬化するように、基板外側から前記発光領域の箇所に
光を照射して光硬化性樹脂を硬化する工程と、 前記し
た光硬化性樹脂の硬化工程の後に、第１基板もしくは第
２基板の切断予定位置に切断傷を設け、切断傷を設けた
基板とは異なる基板の、切断しようとする位置にある切
断傷に対向する位置もしくはその近傍に基板外方から押
力を加えて、前記切断傷の位置で、前記切断傷を設けた
基板を切断する工程とを含み、これにより第１基板に形
成した複数の有機ＥＬ表示装置を分割することを特徴と
する、有機ＥＬ表示装置の製造方法により、達成され
る。

【００１２】この第一の態様では、外部環境に曝されな
いように有機ＥＬ素子を封止基板により封止した、複数
の有機ＥＬ素子をまとめて製造することができる。ま
た、１枚の基板上に多数の有機ＥＬ素子を形成した後
に、封止し、その後に切断するものであるから、有機Ｅ
Ｌ表示装置を１個ずつ作成する場合に比べて格段に量産
性が向上する。さらに、切断する隣接する有機ＥＬ表示
装置間には、硬化していない光硬化性樹脂が存在するこ
とから、安定して切断することができ、欠けや割れとい
った不具合が発生し難くなり、歩留まりが向上する。こ
れにより、総合的な製造コストが低減され得る。

【００１３】本発明の第二の態様では、さらに前記した
光硬化性樹脂にて被覆する工程は、前記有機ＥＬ素子の
第１基板側とは反対側の表面に形成した電極上に前記光
硬化性樹脂を接触させて行うことを特徴とする、有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法により、本目的は達成される。こ
の第二の態様によれば、有機ＥＬ素子が光硬化性樹脂層
に直接に被覆され、厚みを薄くした有機ＥＬ表示装置を
歩留まりよく製造することができ得る。

【００１４】本発明の他の態様では、前記した有機ＥＬ
素子形成工程は、前記第１基板上に設けた他の極性の電
極層の上に、有機ＥＬ層及び反射性の電極層を順次設け
て両電極間に挟まれた発光部を備えた複数の有機ＥＬ素
子を形成する工程であり、前記した光硬化性樹脂にて被
覆する工程は、前記有機ＥＬ素子形成工程の後に各有機
ＥＬ素子の発光部を覆うように保護層を設け、その保護
層に前記光硬化性樹脂を接触させて行うことを特徴とす
る、有機ＥＬ表示装置の製造方法。さらに、前記保護層
が、酸化物若しくは窒化物からなることを特徴とする、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。または、さらに、前記保
護層は、前記有機ＥＬ素子の他の極性の電極の形成の後
に、連続して真空装置内にて形成することを特徴とす
る、有機ＥＬ表示装置の製造方法などにより本目的が達
成される。これらの態様によれば、有機ＥＬ素子を保護
層により覆うので、より一層外部環境に対する耐性を向
上させた複数の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
また、保護層を電極層に続いて形成することで、電極層
を形成した後から光硬化性樹脂層により覆うまでの間に
よる外部環境による影響を低減することができると共
に、更に水分等の外部環境の影響に起因する有機ＥＬ表
示装置の特性低下を防止し得る複数の有機ＥＬ表示装置
を高い歩留まりで得ることができる。

【００１５】さらに他の態様では、前記した第１基板の
厚みが０．２ｍｍ以上であり、且つ、有機ＥＬ表示装置
の全体の厚みが１．５ｍｍ以下であることを特徴とす
る、請求項１から請求項７の何れかの有機ＥＬ表示装置
の製造方法により製造された、有機ＥＬ表示装置を得る
ことができる。これにより、水分等の外部環境の影響に
起因する有機ＥＬ表示装置の特性低下を防止し得る、薄
型の有機ＥＬ表示装置を得ることができ得る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図７を参照しながら、詳細に説明する。

【００１７】図１および図２は、本発明による有機ＥＬ
表示装置の第一の実施形態の構成を示している。図１お
よび図２において、有機ＥＬ表示装置１０は、互いに平
行に上下に重ねて配設された二枚のガラス基板１１，１
２と、下側の第１ガラス基板１１の上に下側から順次に
積層された陽極層１３，有機ＥＬ層１４，陰極層１５と
からなる有機ＥＬ素子１６と、両基板を接着固定する光
硬化性樹脂層１７と、から構成されている。

【００１８】前記ＥＬ素子１６は、下側の第１上記ガラ
ス基板１１の内面（上面）に形成されている。陽極層１
３は、第１ガラス基板内面にＩＴＯ透明電極により形成
され、その一部は光硬化性樹脂層１７よりも外側の基板
端縁部まで延長され、図示しない外部電源に接続可能な
ようにされている。有機ＥＬ層１４は、前記陽極層１３
の上に積層され、外部雰囲気に触れないように陰極層１
５および光硬化性樹脂層１７により覆われている。陰極
層１５は、アルミニウムーリチウム合金等の低仕事関数
の材料により有機ＥＬ層１４の上に積層されていると共
に、その一部は光硬化性樹脂層１７よりも外側の基板端
縁部まで延長され、図示しない外部電源に接続可能なよ
うにされている。なお、この実施形態においては陽極層
１３および陰極層１５をそれぞれ対向する２方向に導出
している。

【００１９】上側の第２ガラス基板１２は光硬化性樹脂
を硬化するために必要な波長の光を透過する性質を有
し、有機ＥＬ層１４よりも大きく第１ガラス基板１１よ
りも小さな大きさとされている。光硬化性樹脂層１７
は、例えば紫外線硬化樹脂からなり、有機ＥＬ素子１６
を覆い、且つ封止基板である第２ガラス基板を接着固定
して有機ＥＬ素子１６を外部雰囲気から封止する。

【００２０】有機ＥＬ表示装置１０は上記のように構成
されており、使用する場合には、光硬化性樹脂より外側
に導出した陽極層１３および陰極層１５に図示しない外
部電源を接続して駆動信号を入力することにより、有機
ＥＬ層１４にて発光した光が第１ガラス基板１１を通っ
て外部に照射され、視認されるものとなる。

【００２１】次に、この有機ＥＬ表示装置１０の製造方
法について図３から図５を参照しながら説明する。

【００２２】図３は有機ＥＬ素子形成工程および光硬化
性樹脂被覆工程を示す。まず、洗浄したガラス基板１１
を用意し、複数の有機ＥＬ表示装置に対応した所定形状
の陽極層となるＩＴＯ透明電極層１３を形成する。この
複数の各ＩＴＯ透明電極層１３の上に、各有機ＥＬ表示
装置に対応した所定形状の開口部を設けた図示しない成
膜マスク等を用いて蒸着等の手段により有機ＥＬ層１４
を形成する。なお、有機ＥＬ層１４はＩＴＯ透明電極層
１３側から順に正孔輸送層、有機発光層を積層した２層
構造としている。正孔輸送層は、陽極からホールを注入
され易くする機能と電子をブロックする機能を有し、例
えばＴＰＤ等の低分子化合物を用いることができる。有
機発光層は、例えばＡｌｑ_３等を用いることができる。
また、有機ＥＬ層として２層構造とした例を示したが、
陰極から電子を注入され易くする機能を有する電子輸送
層を有機発光層上に設けたり、正孔注入層／正孔輸送層
／発光層／電子輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光
層、正孔輸送層／発光層／電子輸送層としたものなどの
多層構成としたものや、単層構成の有機ＥＬ層若しくは
バッファー層を介して単層構成の有機層を設けたものな
どを用いることもできる。

【００２３】次にＡｌ−Ｌｉなどの仕事関数の小さな金
属材料からなる陰極層１５を蒸着等の手段により有機Ｅ
Ｌ層１４上に形成する。陰極層１５も有機ＥＬ層１４と
同様に各有機ＥＬ表示装置１０に対応した形状とされて
いる。これにより図３（ａ）に示したように第１ガラス
基板１１上に複数の有機ＥＬ素子１６が配設される。

【００２４】次に、図３（ｂ）に示すように、複数の有
機ＥＬ素子１６を覆うように所定粘度に調整した光硬化
性樹脂を印刷法やスピンコート法、スプレー法もしくは
滴下法などにより光硬化性樹脂層１７を形成する。光硬
化性樹脂は、所定の波長の光線を照射することで硬化す
る性質を有する材質からなるもので、一般には光重合性
モノマー、光重合性オリゴマー、光重合開始剤等を調整
してなる。本発明で用いる光硬化性樹脂は、有機ＥＬ素
子１６に与える影響を少なくする観点から溶剤などの揮
発成分が少ないものが好ましく、アクリル系のものやエ
ポキシ系のものを好適に用いることができる。特に吸水
性の小さなエポキシ系のものを用いると、ダークスポッ
トの発生もしくは成長を抑止する傾向が見られた。ま
た、その粘度は、成膜性の観点から１０Ｐ〜１０００Ｐ
のものが好適である。さらに、硬化した後の状態におい
て、少なくとも０．１μｍ以上、好ましくは０．２〜
０．５μｍの厚みとすると実用的な強度を有する薄型の
有機ＥＬ表示装置を得ることができ好ましいものとな
る。

【００２５】光硬化性樹脂被覆工程が終えた後、第２ガ
ラス基板１２を光硬化性樹脂層１７を覆うようにして第
１ガラス基板１１に対向配設する貼り合わせ工程を実施
する。その際、図４（ａ）に示したように、第２ガラス
基板１２の中央部が上方に凸とならないように、その自
重等により下方にたわむようにして貼り合わせを行うと
良い。第２ガラス基板１２をその両辺にて持ち上げて第
１ガラス基板に貼付する際の最大たわみ量は、次の式
（１）により近似することができると考えられる。 δ_ｍａｘ＝Ｐ・ｌ^３／（３８４Ｅ・Ｉ） （１） ここで、Ｐは第２ガラス基板にかかる荷重、Ｅ・Ｉは曲
げこわさと呼ばれる弾性係数Ｅと断面二次モーメントの
積、ｌははりの長さ、即ち基板を抑えている２辺間の幅
である。また、断面二次モーメントは長方形状の断面で
あるからＩ＝（１／１２）・（ｂ・ｈ^３）により表現さ
れ、ｂは前記ｌとは反対側の基板の幅、ｈは基板断面に
おける縦長さ、即ち厚みである。

【００２６】上記式から判るように、たわみ量は大型の
ガラス基板を用いるほど大きくなる。従って、１枚の基
板に複数の有機ＥＬ素子１６を形成する本発明において
は、１個の有機ＥＬ表示装置毎に製造する場合に比べて
大型の第２ガラス基板１２を用いるものであるから、こ
のたわみ量を利用して、最もたわんでいる基板の中央部
から光硬化性樹脂に接触させ、徐々に辺部を接触するよ
うにして貼り合わせを実施すると良い。

【００２７】その後、図４（ｂ）に示すように各有機Ｅ
Ｌ素子１６の境界部分、すなわち、後の工程で切断分割
する箇所に光が照射しないように遮光部２１を形成した
露光マスク２０を位置合わせした後に、透光部２２を通
して水銀灯、キセノン灯などによる光照射を実施して、
各有機ＥＬ素子の発光部に対応する箇所を覆う光硬化性
樹脂層１７の領域を選択的に硬化させる硬化工程を実施
する。このようにして光照射することにより、第１ガラ
ス基板１１上に形成した各有機ＥＬ素子１６を硬化した
光硬化性樹脂層１７ａが覆うと共に、第２ガラス基板１
２を接着固定するものとなる。なお、後の工程で切断分
割する部分においては、光硬化をしていない光硬化性樹
脂層１７が存在しており、また、各有機ＥＬ素子１６の
ＩＴＯ透明電極層１３および陰極層１５の端部は、この
光硬化していない光硬化性樹脂層１７が存在する領域ま
で延長されている。

【００２８】次に有機ＥＬ表示装置の切断分割工程を実
施する。まず、隣接する有機ＥＬ素子１６間となる位置
に切断分割するための切断傷を付ける。切断傷は、ガラ
ス切り刃を備えたスクライブ装置等を用いて第１ガラス
基板１１および第２ガラス基板１２の外側表面に設け
る。図８に示した従来例と同様に縦横方向にて、第１ガ
ラス基板１１には切断傷として切り溝１８を、第２ガラ
ス基板１２には切り溝１９ａ，１９ｂを図５（ａ）のよ
うに設ける。

【００２９】その後、第２基板１２の切り溝１９ａ，１
９ｂの位置を切断するべく、第１基板１１の切り溝１９
ａに対応する位置および切り溝１９ｂに対応する位置
に、第１基板側１１から第２基板１２側に圧力を加えて
押し割りをする。続いて、反対側の第１基板を切り溝１
８の位置から切断するべく、第２基板１２の切り溝１８
に対応する位置に第２基板１２側から第１基板１１側に
圧力を加えて押し割りをする。なお、ガラス基板に押力
を加える際には、図５（ｂ）に示すように、相対的に上
下方向に移動可能な加圧片２５を備えた図示しないブレ
イキング装置により所定の圧力に調整して押し割りをす
ることが好ましい。

【００３０】このようにして、切断傷を設けたガラス基
板の反対側のガラス基板から、その切断傷に対応する位
置に押力を加えると、押力片２５と接するガラス基板の
反対側のガラス基板は、その切断傷の箇所から確実に割
れ線２６が入り、分割可能となる。よって、この工程を
続けて実施することで、図１に示したような複数の有機
ＥＬ表示装置１０を大量に得ることができる。

【００３１】このような製造方法によれば、例えば、厚
みが約１ｍｍのガラス基板を用いて、従来例の方法によ
り切断分割工程を実施した場合には、割れや欠け等とい
った不具合が約１％、シール層９２のごく近傍を切断し
て狭額縁化を図る場合には、約２％以上の確率で不具合
が生じていたが、上記した実施形態の製造方法の場合に
は、いずれも略半分以下の確率であった。これは、切断
分割工程において、本発明では切断分割する箇所に光硬
化性樹脂層１７がガラス基板１１、１２間に存在する。
そのため、従来の場合のように切断する領域の基板間の
状態が大気となっているものとは異なり、有機ＥＬ表示
素子１６を覆っている硬化した光硬化性樹脂層１７ａが
存在する領域と切断分割する領域との間で押圧する際の
圧力差が小さくなる。その結果として、応力差等が低減
され、これにより切断傷を設けた箇所以外の部分にクラ
ックが生じて、割れ残りや、欠け等といった切断分割工
程に起因する不具合が発生することなく、所望の切断傷
形成箇所にて安定して切断が可能となり、上記した問題
の発生が低減されたものと推定される。

【００３２】また、切断傷を設ける際においても、第１
ガラス基板１１と第２ガラス基板１２間の略全面に光硬
化性樹脂層１７が存在するするため、寸法精度良く、確
実に傷を付けることが可能となり、特に薄いガラス基板
を用いた場合に生じ易かった寸法精度の悪化、切断分割
不良等を大幅に低減することができる。これにより寸法
精度良く高い歩留まりで有機ＥＬ表示装置を得ることが
できる。そのため、例えば０．２〜０．７ｍｍの厚みの
基板を用いて総厚みを略１．５ｍｍ未満とした極めて薄
型の有機ＥＬ表示装置を得る場合において、本発明は特
に効果的であり、歩留まりが悪くなりやすい薄型の有機
ＥＬ表示装置を製造する場合に好適であった。

【００３３】また、従来の製造方法では、有機ＥＬ表示
装置の発光表示部の端部から有機ＥＬ素子を覆う第２ガ
ラス基板の端部までの距離の間にシール層を設ける必要
があった。そのためこの距離を小さくした狭額縁の表示
装置を得るためには、シール幅を狭くして狭額縁化の対
応をとる必要があるが、狭いシール幅を形成することは
難しく、また、シール幅を狭くすることは封止性能の低
下となるため、狭額縁の有機ＥＬ表示装置とすることが
難しかった。しかし、本発明の製造方法によれば、別途
シール層を設ける必要がないので、有機ＥＬ素子の発光
部の極めて近傍の位置まで、基板端部を狭めて設けるこ
とができる。これにより、例えば端子接続のために１ｍ
ｍ程度の電極端子引き出し部が存在するのみの極めて狭
額縁の有機ＥＬ表示装置１０を歩留まり良く得ることが
できる。よって、これを用いた装置の小型化を図ること
ができると同時に、同一の基板上から得ることのできる
有機ＥＬ表示装置の数を増加することができ、総じてコ
ストを低減することができ得る。

【００３４】次に図６を参照しながら第２の実施形態に
ついて説明する。有機ＥＬ素子形成工程および光硬化性
樹脂被覆工程までは、第１の実施形態と同一工程にて有
機ＥＬ素子１６を第１ガラス基板１１上に形成している
ので、ここでの説明は省略する。

【００３５】次の第２基板貼り合わせ工程および硬化工
程において、第１の実施形態においては、露光マスク２
０を介して光照射を行って光硬化性樹脂層を硬化させて
いるが、第２の実施形態においては、後の有機ＥＬ表示
装置の切断分割工程において切断する領域に遮光膜３１
を設けた第２ガラス基板３０を用いて、貼り合わせ工程
を実施し、硬化工程の際に露光マスク２０を使用しな
い。第２ガラス基板３０は、その内面もしくは外面にＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ等の所定パターンの開口部３２を備
えた金属遮光膜３１をフォトリソ工程を施して形成した
ものを用意する。この第２ガラス基板３０を、遮光膜３
１を形成した部分が隣接する有機ＥＬ素子１６間に位置
するように位置合わせを行いながら、第１の実施形態と
同様に基板中央部が下方にたわむ状態のまま紫外線硬化
樹脂１７を介して第１ガラス基板１１と貼り合わせを行
う。

【００３６】その後、遮光膜を設けた第２ガラス基板３
０の側から光照射を実施して光硬化性樹脂層１７の有機
ＥＬ素子１６の部分を硬化させる。続いて図６（ａ）に
示したように第１ガラス基板１１に切り溝１８を、第２
ガラス基板３０に切り溝３９ａ，３９ｂを設け、これら
の切断傷を設けた箇所に先の実施形態と同様に押力を加
えて切断分割して、複数の有機ＥＬ表示装置を得る。

【００３７】なお、図６（ｂ）に示すように第２ガラス
基板３０の遮光膜３１に小さな開口部３１ａを設けてお
き、この位置においても光硬化性樹脂が硬化して、小さ
な壁状もしくは、柱状の硬化樹脂層１７ｂを形成するよ
うにしておくこともできる。この場合には、切断分割す
る箇所においても硬化樹脂層１７ｂが存在するので、
０．５ｍｍ程度以下の薄いガラス基板を用いた場合の取
扱が容易になる。

【００３８】このような製造方法によれば、光硬化性樹
脂を硬化する際に露光マスクを用いる必要がないので、
貼り合わせ工程から硬化工程の間の取扱が容易になると
いった生産作業上の利点がある。また、遮光膜３１がガ
ラス基板に切断傷を設ける際の目印になり、作業性が向
上する。

【００３９】次に図７を参照しながら第３の実施形態に
ついて説明する。有機ＥＬ表示装置４０は、第１ガラス
基板１１と、ほぼ平行に対向配設した第２ガラス基板１
２と、第１ガラス基板１１上に形成した有機ＥＬ素子１
６と、有機ＥＬ素子１６を覆い第１ガラス基板と第２ガ
ラス基板を貼付けて固定すると共に、外部雰囲気から有
機ＥＬ素子１６を保護する光硬化性樹脂層１７とを有す
る点は、先の実施形態と同一であるが、第３の実施形態
においては、有機ＥＬ素子１６と光硬化性樹脂層１７と
の間に保護層４１を形成している点が異なる。

【００４０】保護層４１は、ＧｅＯ、ＳｉＯ_x、Ｓｉ
Ｎ、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物や窒化物等
の絶縁性の膜が好ましく、特に防湿性の高い絶縁膜が好
適である。保護層４１は、有機ＥＬ素子形成工程が終了
した時点から光硬化性樹脂被覆工程を実施する時点まで
の間における外部環境による悪影響をも効果的に予防す
る働きを得る観点から、有機ＥＬ素子形成工程が終えた
直後に、有機ＥＬ素子１６の陰極層１５を形成した成膜
装置と同一環境の成膜装置を用いて連続して成膜すると
良く、且つ、これらの工程において有機ＥＬ素子１６に
過度の熱が加わらないようにすることが好ましく、例え
ば蒸着法により真空を破ることなく連続して形成する。
また、保護層４１は少なくとも０．４μｍ以上、好まし
くしくは０．９μｍ以上の厚みがあると、有機ＥＬ表示
装置１０に生じるダークスポットの発生を効果的に抑止
する効果が高く、実用的には１〜２μｍの厚みとすると
良い。

【００４１】このような保護層４１を設けることで、有
機ＥＬ素子１６形成工程を終えてから、光硬化性樹脂に
よる塗膜工程に至るまでの間における外部雰囲気による
影響を低減することができ得る。また、完成した有機Ｅ
Ｌ表示装置４０において、外部雰囲気に対する耐性をよ
り向上させることができ得る。

【００４２】さらに、光硬化性樹脂層１７内にＢａＯ等
の乾燥機能を有する材料を１〜１０ｗｔ％混入させる
と、光硬化性樹脂層１７のみの場合に比べて耐湿性が改
善される。例えば、ＢａＯを光硬化性樹脂に５ｗｔ％混
入させたものを用いて光硬化性樹脂層１７を形成した実
施形態１の有機ＥＬ表示装置にあっては、６０℃、９０
％ＲＨの環境下における連続発光テストにおいて、２０
日経過した時点でもダークスポットの発生・成長は殆ど
観察されなかった。

【００４３】なお、上記した実施形態においては、有機
ＥＬ素子を形成した第１ガラス基板上に光硬化性樹脂層
を塗膜し、その上方から第２ガラス基板を貼り合わせる
工程を実施しているが、逆に第２ガラス基板の上に光硬
化性樹脂層を塗膜し、次にその上方から有機ＥＬ素子を
形成した第１ガラス基板を有機ＥＬ素子が内面となるよ
うにして貼り合わせる工程としても良いことは明らかで
ある。

【００４４】以下、具体的な実施例に沿って本発明を説
明する。 実施例１ 厚さ０．５ｍｍの１５０ｍｍ×１５０ｍｍの第１ガラス
基板１１および第２ガラス基板１２を用意し、第１ガラ
ス基板１１上には複数の有機ＥＬ表示装置に対応する所
定パターンのＩＴＯ透明電極を０．２μｍ形成し、その
上に、真空蒸着法により正孔輸送層としてＴＰＤおよび
有機発光層としてＡｌｑ_３をそれぞれ２０ｎｍずつ連続
して成膜した。その後、陰極層１５としてＡｌ−Ｌｉ合
金を所定パターンの開口部を設けた成膜マスクを用いて
５０ｎｍ蒸着して有機ＥＬ素子１６を形成した。次に、
前記有機ＥＬ素子１６の上に粘度７０００ｃＰのエポキ
シ系の紫外線硬化樹脂（株式会社スリーボンド社製の３
０Ｘ−３９６Ｇ）をスピンコート法にて塗膜して有機Ｅ
Ｌ素子１６を覆った。その後、第２ガラス基板の対向す
る２辺を持って、自重により中央部が下方にたわむよう
にして中央部から順に紫外線硬化性樹脂層１７に接触さ
せて、気泡が内部に入らないようにして、貼り合わせを
行った。次に、各有機ＥＬ素子上の紫外線硬化性樹脂層
１７に光照射が可能な露光マスクを介して、第２基板側
から約１５０００ｍＪ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）の露光量
で紫外線照射を行って各有機ＥＬ素子の発光部を覆う紫
外線樹脂層１７を選択的に硬化させた。硬化後の紫外線
樹脂層１７の厚みは約０．５μｍであった。最後に、各
有機ＥＬ素子１６間の位置の第１ガラス基板１１および
第２ガラス基板１２の外側表面にスクライブ装置にて切
り溝を設け、それぞれの切り溝の反対側の位置近傍から
圧力を加えて基板を切断した。このようにして製造した
１ロットから１５個の総厚みが約１ｍｍという薄い有機
ＥＬ表示装置１０を得た。これと同一工程にて４０ロッ
ト以上の有機ＥＬ表示装置１０を形成して、従来のシー
ル層を設けた有機ＥＬ表示装置を上記した従来技術にて
述べた有機ＥＬ素子作成工程を実施した比較サンプルと
比較したところ、本発明により製造した有機ＥＬ表示装
置には割れや欠け等といった不具合は発生せず、比較例
の製造方法に比べて不具合の発生確率は半分以下となり
歩留りが向上した。また、ダークスポットの発生・成長
等についても、６０℃、９０％ＲＨの環境下でテストし
たところ、ダークスポットの発生および成長を有効に低
減させており、優れた封止性能を示した。

【００４５】実施例２ 実施例１と同一構成の有機ＥＬ素子１６を第１ガラス基
板上に同一工程にて形成した。ただし、有機ＥＬ素子の
陰極層１５形成後に、陰極層１５と同一の真空成膜装置
を用いて、真空を破ることなく、連続してＧｅＯを１μ
ｍ蒸着した。以後の工程は、実施例１と同一とした。こ
の実施例により得た有機ＥＬ表示装置も、上記した比較
サンプルに比べて割れや欠け等の不具合はなく歩留まり
が向上した。また、ダークスポットの発生および成長に
ついても６０℃、９０％ＲＨの環境下におけるテストに
おいて、２０日経過した時点でも殆ど変化はなく、寿命
および歩留まりの双方が改善された。

【００４６】尚、上記した実施形態は、本発明の好適な
具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付さ
れているが、本発明の範囲はこれらの態様に限られるも
のではない。例えば、ガラス基板の代わりに、ＰＰ（ポ
リプロピレン）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルファイド）
等のプラスチックからなる第１基板および／または第２
基板を用いたものを用いたり、基板外側のみに切断傷を
設けるのではなく基板内面側にも切断傷を設けたりする
等の種々の変更も本発明に包含される。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、複
数の有機ＥＬ素子を第１基板上に形成し、それらをまと
めて封止した後に切断して、複数の有機ＥＬ表示装置を
製造することで、量産性が向上する。また、切断する隣
接する有機ＥＬ表示装置間には、硬化していない光硬化
性樹脂層が大部分を占めているので、安定して切断する
ことができ、歩留まりが向上する。これらより有機ＥＬ
表示装置の製造コストを低減することができ得る。ま
た、寸法精度を良く安定して切断が可能で、しかも、Ｅ
Ｌ素子発光領域の端部と基板端部との間に従来例のよう
なシール等を設ける必要がないので、有機ＥＬ表示装置
の狭額縁化を図ることができ得る。これにより、有機Ｅ
Ｌ表示装置における有機ＥＬ素子発光部の占める割合を
大きくとることができる。また、素子基板上にて隣接す
る有機ＥＬ表示装置間の占める割合を小さくすることが
できるので、切断により除去する基板の切りくずを少な
くすることができ、コストの低減を図ることができる。
さらに、１対の基板間に有機ＥＬ素子を封止した構成の
有機ＥＬ表示装置の厚みが１．５ｍｍ以下という、従来
の製造方法では製造が困難な薄型の有機ＥＬ表示装置
を、高い歩留まりで得ることができ得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の第一の実施形
態を示す概略正面図である。

【図２】図１の有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ部を示す概略
断面図である。

【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を製
造工程に沿って説明する概略図である。

【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を製
造工程に沿って説明する概略図である。

【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を製
造工程に沿って説明する概略図である。

【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法の第
二の実施形態を製造工程に沿って説明する概略図であ
る。

【図７】本発明による第三の有機ＥＬ表示装置の製造方
法で製造した有機ＥＬ表示装置を説明する概略断面図で
ある。

【図８】有機ＥＬ素子の製造方法の切断工程を説明する
概略正面図である。

【図９】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する概略正面図
である。

【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する概略正面
図である。

【図１１】有機ＥＬ素子を説明する概略斜視図である。

【符号の説明】

１０，４０，９０ 有機ＥＬ表示装置 １１，１２，３０，８１，９１ ガラス基板 １４，８３ 有機ＥＬ層 １５，８４ 陰極層 １６ 有機ＥＬ素子 １７ 光硬化性樹脂層 １８，１９ａ，１９ｂ，３９ａ，３９ｂ，８８，９８
ａ，９９ｂ 切り溝 ２０ 露光マスク ２１，３１ 遮光部（遮光膜） ２２，３２ 透光部（開口部） ４１ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 信之 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 酒井 悟 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 小日向 勝美 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB13 AB15 AB18 BA06 BB01 BB02 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機ＥＬ素子が形成された第１基板と、
   該有機ＥＬ素子を覆うように形成された光硬化性樹脂層
   と、該光硬化性樹脂層を介して第１基板と対向配設して
   固着された第２基板とを有する有機ＥＬ表示装置を製造
   する方法であって、 前記第１基板に、複数の有機ＥＬ表示装置分の電極層と
   有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を形成する工程と、 一方の基板表面を、液状の光硬化性樹脂にて覆う工程
   と、 前記光硬化性樹脂の上面に他方の基板を、積極的に上方
   へ凸に変形することがないようにして、前記光硬化性樹
   脂を覆う工程と、 有機ＥＬ素子の発光領域の箇所を覆う光硬化性樹脂が選
   択的に硬化するように、基板外側から前記発光領域の箇
   所に光を照射して光硬化性樹脂を硬化する工程と、 前記した光硬化性樹脂の硬化工程の後に、第１基板もし
   くは第２基板の切断予定位置に切断傷を設け、切断傷を
   設けた基板とは異なる基板の、切断しようとする位置に
   ある切断傷に対向する位置もしくはその近傍に基板外方
   から押力を加えて、前記切断傷の位置で、前記切断傷を
   設けた基板を切断する工程とを含み、 これにより第１基板に形成した複数の有機ＥＬ表示装置
   を分割することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記した光硬化性樹脂にて被覆する工程
   は、前記有機ＥＬ素子の第１基板側とは反対側の表面に
   形成した電極上に前記光硬化性樹脂を接触させて行うこ
   とを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の
   製造方法。
3. 【請求項３】 前記した有機ＥＬ素子形成工程は、前記
   第１基板上に設けた透光性の電極層の上に、有機ＥＬ層
   及び他の極性の電極層を順次設けて両電極間に挟まれた
   発光部を備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程であ
   り、 前記した光硬化性樹脂にて被覆する工程は、前記有機Ｅ
   Ｌ素子形成工程の後に各有機ＥＬ素子の発光部を覆うよ
   うに保護層を設け、その保護層に前記光硬化性樹脂を接
   触することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表
   示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記保護層が、酸化物若しくは窒化物か
   らなることを特徴とする、請求項３に記載の有機ＥＬ表
   示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記保護層は、前記有機ＥＬ素子の他の
   極性の電極の形成の後に、連続して真空装置内にて形成
   することを特徴とする、請求項３または請求項４に記載
   の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記した光硬化性樹脂にて被覆する工程
   は、第１基板の有機ＥＬ素子表面電極上に前記光硬化性
   樹脂層を塗膜して行うことを特徴とする、請求項１から
   請求項５の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記した光硬化性樹脂硬化工程が、後の
   工程で切断する領域に遮光膜を備えた第２基板の外側か
   ら光を照射することにより有機ＥＬ素子の発光領域の光
   硬化性樹脂を選択的に硬化させることを特徴とする、請
   求項１から請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装
   置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記した第１基板の厚みが０．２ｍｍ以
   上であり、且つ、有機ＥＬ表示装置の全体の厚みが１．
   ５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１から請求
   項７の何れかの有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造
   された、有機ＥＬ表示装置。