JP2001126328A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気超解像再生と、青紫色レーザ光を用いる
ことの組み合わせによる場合の再生性能の向上を図る。 【解決手段】 記録再生磁性層が形成される下地面とな
る基板１０の表面、あるいはこの基板面上に形成される
誘電体膜５の表面粗さを０．３ｎｍ以下とするものであ
る。
ことの組み合わせによる場合の再生性能の向上を図る。 【解決手段】 記録再生磁性層が形成される下地面とな
る基板１０の表面、あるいはこの基板面上に形成される
誘電体膜５の表面粗さを０．３ｎｍ以下とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用してレーザ光により情報の再生を行う光磁気記録媒
体、特に再生層と記録層とを有して成り、レーザ光とし
て特に青紫色レーザすなわち３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの
レーザ光による磁気超解像再生がなされる光磁気記録媒
体に係わる。
用してレーザ光により情報の再生を行う光磁気記録媒
体、特に再生層と記録層とを有して成り、レーザ光とし
て特に青紫色レーザすなわち３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの
レーザ光による磁気超解像再生がなされる光磁気記録媒
体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度光記録方法とし
て、レーザ光の熱エネルギーを用いて、光磁気記録媒体
の磁性層を部分的にキュリー温度または補償温度を超え
て昇温し、この部分の保磁力を減少もしくは消滅させ、
例えば外部から印加される記録磁界の方向に磁化の向き
を反転させることによって情報磁区の形成、すなわち情
報の記録を行うことを基本原理とするものがある。
て、レーザ光の熱エネルギーを用いて、光磁気記録媒体
の磁性層を部分的にキュリー温度または補償温度を超え
て昇温し、この部分の保磁力を減少もしくは消滅させ、
例えば外部から印加される記録磁界の方向に磁化の向き
を反転させることによって情報磁区の形成、すなわち情
報の記録を行うことを基本原理とするものがある。
【０００３】この光磁気記録媒体は、例えばポリカーボ
ネート（ＰＣ）から成る透明基板の一主面に、例えば窒
化シリコンあるいは窒化アルミニウムによる誘電体層
と、例えば希土類−遷移金属合金非晶質膜より成り膜面
と垂直方向に磁化容易軸を有し優れた磁気光学効果特性
を有する記録磁性層と、例えば窒化シリコンあるいは窒
化アルミニウムによる誘電体層と、例えばアルミニウ
ム、金、銀より成る反射層と、例えば紫外線硬化型樹脂
よりなる保護層とが順次積層された構成とされる。
ネート（ＰＣ）から成る透明基板の一主面に、例えば窒
化シリコンあるいは窒化アルミニウムによる誘電体層
と、例えば希土類−遷移金属合金非晶質膜より成り膜面
と垂直方向に磁化容易軸を有し優れた磁気光学効果特性
を有する記録磁性層と、例えば窒化シリコンあるいは窒
化アルミニウムによる誘電体層と、例えばアルミニウ
ム、金、銀より成る反射層と、例えば紫外線硬化型樹脂
よりなる保護層とが順次積層された構成とされる。
【０００４】この光磁気記録媒体に対して、例えばその
透明基板側から、上述したレーザの照射がなされ、磁性
層に対する上述した情報磁区の形成、すなわち情報の記
録がなされ、その再生に当たっては、同様に、透明基板
側から再生レーザ光を照射して、上述した磁性層におけ
る情報磁区による磁気光学効果例えばカー効果による偏
光面の回転角を検出することによって記録情報の再生を
行う。
透明基板側から、上述したレーザの照射がなされ、磁性
層に対する上述した情報磁区の形成、すなわち情報の記
録がなされ、その再生に当たっては、同様に、透明基板
側から再生レーザ光を照射して、上述した磁性層におけ
る情報磁区による磁気光学効果例えばカー効果による偏
光面の回転角を検出することによって記録情報の再生を
行う。
【０００５】ところで、光磁気記録媒体に限らず、デジ
タルオーディオや、デジタルビデオディスクなどの光デ
ィスクにおいても、線記録密度は主として再生時のＳ／
Ｎによって決められており、また再生信号の信号量は、
記録されている信号のビット列の周期と再生光学系のレ
ーザ波長、対物レンズの開口数に依存する。すなわち、
再生光学系のレーザ波長λと、対物レンズの開口数Ｎ．
Ａ．によって決まる光学的な検出限界すなわち光の回折
限界によってビット周期ｆが決まる。すなわち、光学的
な検出限界ビット周期ｆは、ｆ＝λ／（２Ｎ．Ａ．）で
ある。
タルオーディオや、デジタルビデオディスクなどの光デ
ィスクにおいても、線記録密度は主として再生時のＳ／
Ｎによって決められており、また再生信号の信号量は、
記録されている信号のビット列の周期と再生光学系のレ
ーザ波長、対物レンズの開口数に依存する。すなわち、
再生光学系のレーザ波長λと、対物レンズの開口数Ｎ．
Ａ．によって決まる光学的な検出限界すなわち光の回折
限界によってビット周期ｆが決まる。すなわち、光学的
な検出限界ビット周期ｆは、ｆ＝λ／（２Ｎ．Ａ．）で
ある。
【０００６】したがって、光磁気記録媒体において、高
密度化を図るためには、再生光学系のレーザ波長λを短
くし、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を大きくする必要が
ある。しかしながら、現在の技術ではレーザ光の波長λ
や、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．の改善には限度があ
る。レーザ波長として青紫色レーザ光、すなわち３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光を得ることのできる半導体
レーザ、例えばＧａＮ半導体レーザによる波長４００ｎ
ｍ近傍のレーザが実現されており、一方、例えば樹脂モ
ールドによる対物レンズにおいては、Ｎ．Ａ．が０．７
程度である。
密度化を図るためには、再生光学系のレーザ波長λを短
くし、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を大きくする必要が
ある。しかしながら、現在の技術ではレーザ光の波長λ
や、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．の改善には限度があ
る。レーザ波長として青紫色レーザ光、すなわち３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光を得ることのできる半導体
レーザ、例えばＧａＮ半導体レーザによる波長４００ｎ
ｍ近傍のレーザが実現されており、一方、例えば樹脂モ
ールドによる対物レンズにおいては、Ｎ．Ａ．が０．７
程度である。
【０００７】そこで、光磁気記録媒体構成や、記録、再
生方法に関して多くの研究、開発、提案がなされてい
る。例えば記録方法については、情報マークを記録する
際、記録するマークの有無で情報を記録するいわゆるマ
ークポジション記録方式によるものではなく、記録する
マークの長さを変化させることで、そのエッジ部分に情
報を持たせ、線記録密度を上げる記録方式いわゆるマー
ク長記録方式が提案されている。
生方法に関して多くの研究、開発、提案がなされてい
る。例えば記録方法については、情報マークを記録する
際、記録するマークの有無で情報を記録するいわゆるマ
ークポジション記録方式によるものではなく、記録する
マークの長さを変化させることで、そのエッジ部分に情
報を持たせ、線記録密度を上げる記録方式いわゆるマー
ク長記録方式が提案されている。
【０００８】また、例えば記録方法において、磁界変調
記録で記録する際、記録するレーザ光を連続的に照射せ
ずに、その波形を記録外部磁界の位相に合わせて、パル
ス状に照射することにより、トラック方向の不要な拡大
を防ぎ、隣接したトラックへの書き込み、消去において
いわゆるクロスライト、クロスイレーズを改善し、トラ
ック記録密度を上げる記録方式、すなわちレーザパルス
照射磁界変調記録方式が提案されている。
記録で記録する際、記録するレーザ光を連続的に照射せ
ずに、その波形を記録外部磁界の位相に合わせて、パル
ス状に照射することにより、トラック方向の不要な拡大
を防ぎ、隣接したトラックへの書き込み、消去において
いわゆるクロスライト、クロスイレーズを改善し、トラ
ック記録密度を上げる記録方式、すなわちレーザパルス
照射磁界変調記録方式が提案されている。
【０００９】一方、再生方法として多くの磁気超解像再
生方法が提案されている。この磁気超解像再生方法にお
いては、特に少なくとも再生層と記録層とを有する光磁
気記録媒体が用いられ、高保磁力を有する記録層に記録
された情報を再生層に転写する過程を有し、再生層に対
するレーザ光の照射によって再生層における磁気光学効
果によって偏光面の回転を得てこれを検出することによ
って記録情報の再生を行うものであり、この場合、その
再生レーザ光のスポット内における再生層の温度分布を
利用して、スポット内に位置する再生層において記録情
報の一部を浮き出すとか、消滅させて、１つのスポット
内で例えば１つの情報磁区を限定的に読み出すようにし
て、上述した光学的検出限界ビット周期以下で、その再
生を可能にするものである。
生方法が提案されている。この磁気超解像再生方法にお
いては、特に少なくとも再生層と記録層とを有する光磁
気記録媒体が用いられ、高保磁力を有する記録層に記録
された情報を再生層に転写する過程を有し、再生層に対
するレーザ光の照射によって再生層における磁気光学効
果によって偏光面の回転を得てこれを検出することによ
って記録情報の再生を行うものであり、この場合、その
再生レーザ光のスポット内における再生層の温度分布を
利用して、スポット内に位置する再生層において記録情
報の一部を浮き出すとか、消滅させて、１つのスポット
内で例えば１つの情報磁区を限定的に読み出すようにし
て、上述した光学的検出限界ビット周期以下で、その再
生を可能にするものである。
【００１０】例えば特開平１−１４３０４１号公報、特
開平１−１４３０４２号公報に開示されているものであ
り、これらの磁気超解像再生方法における光磁気記録媒
体は、室温で互いに磁気的結合がなされた再生層、中間
層、記録層を有し、再生時において再生レーザ光のスポ
ット内で加熱された再生層の記録磁区を温度の高い部分
で拡大、あるいは縮小、または反転させることにより、
再生時の情報マーク間の干渉を減少させ、光の回折限界
以下の周期の再生を可能にすることで線記録密度、トラ
ック記録密度を高めるいわゆる磁気超解像再生方法が提
案されている。
開平１−１４３０４２号公報に開示されているものであ
り、これらの磁気超解像再生方法における光磁気記録媒
体は、室温で互いに磁気的結合がなされた再生層、中間
層、記録層を有し、再生時において再生レーザ光のスポ
ット内で加熱された再生層の記録磁区を温度の高い部分
で拡大、あるいは縮小、または反転させることにより、
再生時の情報マーク間の干渉を減少させ、光の回折限界
以下の周期の再生を可能にすることで線記録密度、トラ
ック記録密度を高めるいわゆる磁気超解像再生方法が提
案されている。
【００１１】また、磁気超解像再生として、例えば特許
第２８３９７８３号の再生方法を基本とする、すなわち
再生レーザ光のスポットの中央部の記録ビット（記録磁
区）のみを読み出すようになされたいわゆる中央検出型
磁気超解像再生（Center Aperture Detection-Magnetic
Super Resolution:以下ＣＡＤ−ＭＳＲと略称する）が
提案されている。
第２８３９７８３号の再生方法を基本とする、すなわち
再生レーザ光のスポットの中央部の記録ビット（記録磁
区）のみを読み出すようになされたいわゆる中央検出型
磁気超解像再生（Center Aperture Detection-Magnetic
Super Resolution:以下ＣＡＤ−ＭＳＲと略称する）が
提案されている。
【００１２】従来のこのＣＡＤ−ＭＳＲ再生方法に用い
られる光磁気記録媒体は、例えば図２にその概略断面図
を示すように、例えばポリカーボネートよりなる透明基
板１０上に、順次第１の誘電体膜５、再生層１、再生補
助層２、中間非磁性層４、記録層３、第２の誘電体層
６、熱制御層７が形成され、表面を覆って保護層８が形
成されて成る。
られる光磁気記録媒体は、例えば図２にその概略断面図
を示すように、例えばポリカーボネートよりなる透明基
板１０上に、順次第１の誘電体膜５、再生層１、再生補
助層２、中間非磁性層４、記録層３、第２の誘電体層
６、熱制御層７が形成され、表面を覆って保護層８が形
成されて成る。
【００１３】その基本構成および動作は、図３にその模
式的断面図を示すように、再生層１、再生補助層２、非
磁性中間層（切断層）４、記録層３とを有して成るもの
であり、再生層１および再生補助層２は面内磁気異方性
を有する磁性層によって構成され、記録層３は、垂直磁
気異方性を有する磁性層によって構成され、中間非磁性
層４は非磁性材層によって構成される。
式的断面図を示すように、再生層１、再生補助層２、非
磁性中間層（切断層）４、記録層３とを有して成るもの
であり、再生層１および再生補助層２は面内磁気異方性
を有する磁性層によって構成され、記録層３は、垂直磁
気異方性を有する磁性層によって構成され、中間非磁性
層４は非磁性材層によって構成される。
【００１４】記録層３には、記録信号に応じて記録され
た記録マークＭ、すなわち情報磁区が形成（記録）され
る。図３において、白抜き矢印は磁化の向きを模式的に
示したものである。
た記録マークＭ、すなわち情報磁区が形成（記録）され
る。図３において、白抜き矢印は磁化の向きを模式的に
示したものである。
【００１５】この光磁気記録媒体に対するＣＡＤ−ＭＳ
Ｒ再生方法による記録の読み出し、すなわち再生は、再
生レーザ光Ｌを、光学レンズ系、すなわち対物レンズ１
１を通じて光磁気記録媒体に照射することによってなさ
れ、このレーザ光の照射によって生じた昇温部Ｉにおい
て、再生補助層２の磁化を消失させ、此処に再生窓Ｗい
わゆるアパーチャを形成し、この再生窓Ｗを通じて、再
生層１が記録層３と磁気結合し、記録マークＭが再生層
１に転写され、この転写記録マークによって再生レーザ
光にカー回転を生じさせ、その戻り光のカー回転角を検
出することによって記録信号の読み出しを行うものであ
る。
Ｒ再生方法による記録の読み出し、すなわち再生は、再
生レーザ光Ｌを、光学レンズ系、すなわち対物レンズ１
１を通じて光磁気記録媒体に照射することによってなさ
れ、このレーザ光の照射によって生じた昇温部Ｉにおい
て、再生補助層２の磁化を消失させ、此処に再生窓Ｗい
わゆるアパーチャを形成し、この再生窓Ｗを通じて、再
生層１が記録層３と磁気結合し、記録マークＭが再生層
１に転写され、この転写記録マークによって再生レーザ
光にカー回転を生じさせ、その戻り光のカー回転角を検
出することによって記録信号の読み出しを行うものであ
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述したような各種磁
気超解像再生において、更に、波長が３５０ｎｍ〜４５
０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いて、その光の回折限
界を低めてその再生を行う場合、従来一般の波長が６０
０ｎｍ〜８００ｎｍ程度の赤色レーザ光を用いる磁気超
解像再生の２倍以上の記録面密度を得ることができるこ
とになる。しかしながら、このような青紫色レーザ光を
用いる場合、信号量（キャリアレベル）の減少、したが
って、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、ジッタ
の増加の問題が生じる。
気超解像再生において、更に、波長が３５０ｎｍ〜４５
０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いて、その光の回折限
界を低めてその再生を行う場合、従来一般の波長が６０
０ｎｍ〜８００ｎｍ程度の赤色レーザ光を用いる磁気超
解像再生の２倍以上の記録面密度を得ることができるこ
とになる。しかしながら、このような青紫色レーザ光を
用いる場合、信号量（キャリアレベル）の減少、したが
って、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、ジッタ
の増加の問題が生じる。
【００１７】従来の光磁気記録媒体として用いられてい
る希土類−遷移金属磁性膜は、例えばＴｂＦｅＣｏや、
ＧｄＦｅＣｏ等の合金非晶質薄膜は、上述したされる３
５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長の青紫色光領域で、光
磁気記録媒体の信号量（キャリアレベル）に比例する磁
気光学効果であるカー回転角もしくはファラデー回転角
が減少することが知られている。
る希土類−遷移金属磁性膜は、例えばＴｂＦｅＣｏや、
ＧｄＦｅＣｏ等の合金非晶質薄膜は、上述したされる３
５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長の青紫色光領域で、光
磁気記録媒体の信号量（キャリアレベル）に比例する磁
気光学効果であるカー回転角もしくはファラデー回転角
が減少することが知られている。
【００１８】また、同時に従来用いられてきた例えば再
生光の検出を行うＳｉフォトディテクタは、この３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長領域で、その量子効率が低
下し、記録媒体に記録された磁化情報から得られた光学
情報を電気信号に変換する際の信号量（キャリアレベ
ル）も減少することが知られている。
生光の検出を行うＳｉフォトディテクタは、この３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長領域で、その量子効率が低
下し、記録媒体に記録された磁化情報から得られた光学
情報を電気信号に変換する際の信号量（キャリアレベ
ル）も減少することが知られている。
【００１９】したがって、上述したように、波長が３５
０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いた光磁
気記録再生方法による場合、レーザ光の短波長化による
光学的検出限界の向上による利点がある反面、レーザ光
の短波長化に伴う磁気光学効果の減少とフォトディテク
タ感度の減少による信号量（キャリアレベル）の減少、
したがって、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、
ジッタの増加という不利益が生じるという問題がある。
０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いた光磁
気記録再生方法による場合、レーザ光の短波長化による
光学的検出限界の向上による利点がある反面、レーザ光
の短波長化に伴う磁気光学効果の減少とフォトディテク
タ感度の減少による信号量（キャリアレベル）の減少、
したがって、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、
ジッタの増加という不利益が生じるという問題がある。
【００２０】Ｃ／Ｎや、ランダムマーク信号を記録した
際のジッタなどは、光磁気記録媒体の各磁性の組成や膜
厚，成膜条件等依存するものの、これらを最適化して
も、磁気超解像再生を、従来の６００ｎｍ〜８００ｎｍ
程度の赤色レーザ光によって行った場合に比し、青紫色
レーザ光によって行った場合、劣化が見られる。表１
に、波長６３５ｎｍの赤色レーザでの再生を行った場
合、表２に、波長４０６の青紫色レーザ光での再生を行
った場合の、キャリアレベル、ノイズレベル、Ｃ／Ｎの
測定結果を列記する。
際のジッタなどは、光磁気記録媒体の各磁性の組成や膜
厚，成膜条件等依存するものの、これらを最適化して
も、磁気超解像再生を、従来の６００ｎｍ〜８００ｎｍ
程度の赤色レーザ光によって行った場合に比し、青紫色
レーザ光によって行った場合、劣化が見られる。表１
に、波長６３５ｎｍの赤色レーザでの再生を行った場
合、表２に、波長４０６の青紫色レーザ光での再生を行
った場合の、キャリアレベル、ノイズレベル、Ｃ／Ｎの
測定結果を列記する。
【００２１】この場合の測定は、赤レーザ光および青紫
色レーザ光のいずれについてもその磁気記録再生装置に
よる測定装置の対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．は０．６と
し，光磁気記録媒体のトラックピッチは０．５５μｍ，
記録マーク長は、０．４μｍと１．６μｍとした。
色レーザ光のいずれについてもその磁気記録再生装置に
よる測定装置の対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．は０．６と
し，光磁気記録媒体のトラックピッチは０．５５μｍ，
記録マーク長は、０．４μｍと１．６μｍとした。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】 表１および２より明らかなように、同じ記録マークの再
生において、青紫色レーザ光によるとき、キャリアレベ
ル、ノイズレベル、Ｃ／Ｎが劣化する。
生において、青紫色レーザ光によるとき、キャリアレベ
ル、ノイズレベル、Ｃ／Ｎが劣化する。
【００２４】本発明者らは、鋭意、研究考察を行った結
果上述した問題を効果的に改善することができる光磁気
記録媒体を見出すに至った。
果上述した問題を効果的に改善することができる光磁気
記録媒体を見出すに至った。
【００２５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明におい
ては、少なくとも基板上に再生層と記録層とを有し、青
紫色レーザによって磁気超解像再生がなされる光磁気記
録媒体であって、その再生層や記録層、すなわち記録再
生磁性層が形成される下地面となる基板面、あるいはこ
の基板面に形成される誘電体膜（以下この誘電体膜を第
１の誘電体膜という）の表面粗さＲａ（このＲａとは、
ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定されている中心平均粗さを指
称する。以下単に表面粗さという。）を０．３ｎｍ以下
とするものである。
ては、少なくとも基板上に再生層と記録層とを有し、青
紫色レーザによって磁気超解像再生がなされる光磁気記
録媒体であって、その再生層や記録層、すなわち記録再
生磁性層が形成される下地面となる基板面、あるいはこ
の基板面に形成される誘電体膜（以下この誘電体膜を第
１の誘電体膜という）の表面粗さＲａ（このＲａとは、
ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定されている中心平均粗さを指
称する。以下単に表面粗さという。）を０．３ｎｍ以下
とするものである。
【００２６】この本発明よる光磁気記録媒体に対する記
録、すなわち情報マーク（磁区）の形成は、通常におけ
ると同様に、例えば光変調記録方式あるいは磁界変調記
録方式によって行うことができる。
録、すなわち情報マーク（磁区）の形成は、通常におけ
ると同様に、例えば光変調記録方式あるいは磁界変調記
録方式によって行うことができる。
【００２７】そして、この光磁気記録媒体に記録された
磁化信号の再生は、特に青紫色レーザによる磁気超解像
再生によってなされるものであり、本発明においては、
上述した表面粗さを選定した構成とするものであるが、
この構成によってによってノイズの低減、したがってＣ
／Ｎ、ジッタの改善を図ることができることを見出し
た。
磁化信号の再生は、特に青紫色レーザによる磁気超解像
再生によってなされるものであり、本発明においては、
上述した表面粗さを選定した構成とするものであるが、
この構成によってによってノイズの低減、したがってＣ
／Ｎ、ジッタの改善を図ることができることを見出し
た。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明による光磁気記録媒体は、
磁気超解像再生方法を基本原理とするものの、その再生
もしくは記録再生が、特に青紫色レーザ（すなわち３５
０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度によってなされるという新しい
方法に適用される光磁気記録媒体である。
磁気超解像再生方法を基本原理とするものの、その再生
もしくは記録再生が、特に青紫色レーザ（すなわち３５
０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度によってなされるという新しい
方法に適用される光磁気記録媒体である。
【００２９】上述した本発明光磁気記録媒体が適用され
る磁気超解像再生の基本原理としては、前述したＣＡＤ
−ＭＳＲを始めとして、そのほか、例えば特開平９−１
７１６４３号公報等に記載された前方検出型磁気超解像
再生（Front Aperture Detection-Magnetic Super Reso
lution: 以下ＦＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例えば特
開平３−９３０５８号公報等に記載された後方検出型磁
気超解像再生（Rear Aperture Detection-Magnetic Sup
er Resolution:以下ＲＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例
えば特開平６−２９０４９６号公報等に記載された磁壁
移動検出光磁気記録再生（Domain Wall Displacement D
etection: 以下ＤＷＤＤと略称する）や、例えば特開平
８−７３５０号公報に記載された磁壁拡大検出光磁気記
録再生（ＭＡＭＭＯＳ）等が挙げられる。これら磁気超
解像再生方法においては、少なくとも再生層と記録層と
を有する光磁気記録媒体が用いられるものであり、その
記録層の記録ビットを再生層に転写する過程を有する。
る磁気超解像再生の基本原理としては、前述したＣＡＤ
−ＭＳＲを始めとして、そのほか、例えば特開平９−１
７１６４３号公報等に記載された前方検出型磁気超解像
再生（Front Aperture Detection-Magnetic Super Reso
lution: 以下ＦＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例えば特
開平３−９３０５８号公報等に記載された後方検出型磁
気超解像再生（Rear Aperture Detection-Magnetic Sup
er Resolution:以下ＲＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例
えば特開平６−２９０４９６号公報等に記載された磁壁
移動検出光磁気記録再生（Domain Wall Displacement D
etection: 以下ＤＷＤＤと略称する）や、例えば特開平
８−７３５０号公報に記載された磁壁拡大検出光磁気記
録再生（ＭＡＭＭＯＳ）等が挙げられる。これら磁気超
解像再生方法においては、少なくとも再生層と記録層と
を有する光磁気記録媒体が用いられるものであり、その
記録層の記録ビットを再生層に転写する過程を有する。
【００３０】本発明による光磁気記録媒体は、このよう
な磁気超解像再生がなされ、この場合に用いられるレー
ザ光が、特に短波長の前述の青紫色レーザであって、そ
の少なくとも再生層と記録層とを有する記録再生磁性層
の形成下地面、例えば基板面あるいはこれの上に第１の
誘電体膜が形成される場合においては、その表面の表面
粗さを０．３ｎｍ以下とする。この表面粗さは、０．３
ｎｍ以下であれば可能な範囲で小さくて良い。
な磁気超解像再生がなされ、この場合に用いられるレー
ザ光が、特に短波長の前述の青紫色レーザであって、そ
の少なくとも再生層と記録層とを有する記録再生磁性層
の形成下地面、例えば基板面あるいはこれの上に第１の
誘電体膜が形成される場合においては、その表面の表面
粗さを０．３ｎｍ以下とする。この表面粗さは、０．３
ｎｍ以下であれば可能な範囲で小さくて良い。
【００３１】この光磁気記録媒体に対する情報の記録
は、従来の光磁気記録媒体に対する通常の記録方法およ
び光磁気記録装置によって行うことができる。例えば光
変調記録あるいは磁界変調記録によって行うことができ
る。
は、従来の光磁気記録媒体に対する通常の記録方法およ
び光磁気記録装置によって行うことができる。例えば光
変調記録あるいは磁界変調記録によって行うことができ
る。
【００３２】本発明による一実施形態は、ＣＡＤ−ＭＳ
Ｒにおいて、青紫色レーザによる再生がなされる光磁気
記録媒体で、再生層にレーザ光を照射することにより、
この再生層の磁化状態信号が磁気光学効果（カー効果ま
たはファラデー効果）によって光学的信号に変換されて
読み出される。そして、磁気超解像再生においては、再
生レーザスポット径より小さい特定部位で、記録層の磁
化情報方向に応じて垂直磁化を示すことにより光の回折
限界以下の周期の信号が再生可能となるものである。
Ｒにおいて、青紫色レーザによる再生がなされる光磁気
記録媒体で、再生層にレーザ光を照射することにより、
この再生層の磁化状態信号が磁気光学効果（カー効果ま
たはファラデー効果）によって光学的信号に変換されて
読み出される。そして、磁気超解像再生においては、再
生レーザスポット径より小さい特定部位で、記録層の磁
化情報方向に応じて垂直磁化を示すことにより光の回折
限界以下の周期の信号が再生可能となるものである。
【００３３】このＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法につい
ては、図３で説明した通りであるが、本発明による光磁
気記録媒体が用いられるＣＡＤ−ＭＳＲは、レーザ光Ｌ
が、特にその波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫
色レーザとされる。
ては、図３で説明した通りであるが、本発明による光磁
気記録媒体が用いられるＣＡＤ−ＭＳＲは、レーザ光Ｌ
が、特にその波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫
色レーザとされる。
【００３４】図１は、本発明による光磁気記録媒体の一
例の概略断面図を示す。この光磁気記録媒体は、例えば
ＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法に用いられるが、言うま
でもなく本発明はこの構造に限られるものではない。図
１に示す例においては、例えばポリカーボネート、ガラ
ス等よりなる透明基板１０上に、順次第１の誘電体膜
５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層４、記録層
３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成され、表面を
覆って保護層８が形成されて成る。
例の概略断面図を示す。この光磁気記録媒体は、例えば
ＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法に用いられるが、言うま
でもなく本発明はこの構造に限られるものではない。図
１に示す例においては、例えばポリカーボネート、ガラ
ス等よりなる透明基板１０上に、順次第１の誘電体膜
５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層４、記録層
３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成され、表面を
覆って保護層８が形成されて成る。
【００３５】図１で示した例においては、その記録層３
が第１〜第３の磁性膜３１〜３３によって構成した場合
であり、この場合、第１〜第３の磁性膜３１および３２
は、それぞれ室温での組成が補償組成から遷移金属優勢
組成を有する希土類−遷移金属磁性膜より構成され、全
体として所望の温度範囲において高い飽和磁化を示す特
性に選定することができる。
が第１〜第３の磁性膜３１〜３３によって構成した場合
であり、この場合、第１〜第３の磁性膜３１および３２
は、それぞれ室温での組成が補償組成から遷移金属優勢
組成を有する希土類−遷移金属磁性膜より構成され、全
体として所望の温度範囲において高い飽和磁化を示す特
性に選定することができる。
【００３６】上述した本発明による光磁気記録媒体を用
いて、ＣＡＤ−ＭＳＲ再生方法をとった場合、特に再生
レーザとして、その波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青
紫色レーザを用いた場合においても、Ｃ／Ｎの向上や、
ジッタのの改善が図られた。
いて、ＣＡＤ−ＭＳＲ再生方法をとった場合、特に再生
レーザとして、その波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青
紫色レーザを用いた場合においても、Ｃ／Ｎの向上や、
ジッタのの改善が図られた。
【００３７】次に、本発明による光磁気記録媒体の実施
例を挙げて説明するが、この実施例についても、これら
に限られるものではない。 〔実施例１〕この実施例においては、直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍを有し、トラック溝（案内溝）が形成さ
れトラックピッチが０．４０μｍとされたポリカーボネ
ートより成り、表面粗さが０．２５ｎｍとされた透明基
板１０を用い、これに図１で説明したように、順次第１
の誘電体膜５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層
４、記録層３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成さ
れ、表面を覆って保護層８を形成した。
例を挙げて説明するが、この実施例についても、これら
に限られるものではない。 〔実施例１〕この実施例においては、直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍを有し、トラック溝（案内溝）が形成さ
れトラックピッチが０．４０μｍとされたポリカーボネ
ートより成り、表面粗さが０．２５ｎｍとされた透明基
板１０を用い、これに図１で説明したように、順次第１
の誘電体膜５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層
４、記録層３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成さ
れ、表面を覆って保護層８を形成した。
【００３８】各層の形成は、次の方法で行った。すなわ
ち、２つの真空チャンバを有するマグネトロンスパッタ
リング装置に、Ｓｉ，Ｔｂ，Ｇｄ，ＦｅＣｏ，Ｆｅ，Ａ
ｌの各ターゲットを取付け、上述した透明基板１０を基
板ホルダーに装着し、１×１０-5 [Pa] 以下の高真空に
なるまで真空チャンバ内をクライオポンプで真空排気し
た。
ち、２つの真空チャンバを有するマグネトロンスパッタ
リング装置に、Ｓｉ，Ｔｂ，Ｇｄ，ＦｅＣｏ，Ｆｅ，Ａ
ｌの各ターゲットを取付け、上述した透明基板１０を基
板ホルダーに装着し、１×１０-5 [Pa] 以下の高真空に
なるまで真空チャンバ内をクライオポンプで真空排気し
た。
【００３９】第１の真空チャンバ内に、真空排気しなが
らＡｒガスとＮ2 ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と３０
[sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が０．２
４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、Ｓｉタ
ーゲットの高周波（ＲＦ）反応性スパッタリングによ
り、透明基板１０上に窒化シリコン膜を厚さ４０ｎｍに
成膜して第１の誘電体膜５を形成した。
らＡｒガスとＮ2 ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と３０
[sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が０．２
４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、Ｓｉタ
ーゲットの高周波（ＲＦ）反応性スパッタリングによ
り、透明基板１０上に窒化シリコン膜を厚さ４０ｎｍに
成膜して第１の誘電体膜５を形成した。
【００４０】次いで、ＡｒガスとＮ2 ガスの導入バルブ
を閉じ、基板ホルダーを第１の真空チャンバから、第２
の真空チャンバに移動させた。その後、この第２の真空
チャンバ内を１×１０-5 [Pa] 以下の高真空になるまで
クライオポンプで真空排気した。第２の真空チャンバ内
に、真空排気しながらＡｒガスを１００ [sccm] をもっ
て導入し、チャンバ内の圧力が０．１２ [Pa] となるま
でメインバルブを調整した後、更に第１の誘電体膜５上
に、順次直流スパッタリングにより、それぞれ厚さ３０
ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる再生層１、厚さ８ｎｍのＧｄ
Ｆｅによる再生補助層２、厚さ４ｎｍのＡｌによる中間
非磁性層４、厚さ１０ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる記録層
３の第１の磁性膜３１、厚さ３０ｎｍのＴｂＦｅＣｏに
よる記録層３の第２の磁性膜３２、更に厚さ３０ｎｍの
ＴｂＦｅＣｏによる記録層３の第２の磁性膜３３を成膜
した。
を閉じ、基板ホルダーを第１の真空チャンバから、第２
の真空チャンバに移動させた。その後、この第２の真空
チャンバ内を１×１０-5 [Pa] 以下の高真空になるまで
クライオポンプで真空排気した。第２の真空チャンバ内
に、真空排気しながらＡｒガスを１００ [sccm] をもっ
て導入し、チャンバ内の圧力が０．１２ [Pa] となるま
でメインバルブを調整した後、更に第１の誘電体膜５上
に、順次直流スパッタリングにより、それぞれ厚さ３０
ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる再生層１、厚さ８ｎｍのＧｄ
Ｆｅによる再生補助層２、厚さ４ｎｍのＡｌによる中間
非磁性層４、厚さ１０ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる記録層
３の第１の磁性膜３１、厚さ３０ｎｍのＴｂＦｅＣｏに
よる記録層３の第２の磁性膜３２、更に厚さ３０ｎｍの
ＴｂＦｅＣｏによる記録層３の第２の磁性膜３３を成膜
した。
【００４１】次いで、Ａｒガスの導入バルブを閉じ、基
板ホルダーを第２真空チャンバから第１の真空チャンバ
に移動させた。その後、この第１の真空チャンバ内で、
基板ホルダーを第２の真空チャンバを１×１０-5 [Pa]
以下の高真空になるまでをクライオポンプで真空排気し
た。
板ホルダーを第２真空チャンバから第１の真空チャンバ
に移動させた。その後、この第１の真空チャンバ内で、
基板ホルダーを第２の真空チャンバを１×１０-5 [Pa]
以下の高真空になるまでをクライオポンプで真空排気し
た。
【００４２】そして、第１のチャンバ内に、真空排気し
ながらＡｒガスとＮ2 ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と
３０ [sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が
０．２４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、
ＳｉターゲットのＲＦ反応性スパッタリングにより、窒
化シリコン膜を厚さ２０ｎｍに成膜して第２の誘電体膜
６を形成した。
ながらＡｒガスとＮ2 ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と
３０ [sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が
０．２４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、
ＳｉターゲットのＲＦ反応性スパッタリングにより、窒
化シリコン膜を厚さ２０ｎｍに成膜して第２の誘電体膜
６を形成した。
【００４３】次いで、ＡｒガスとＮ2 ガスの導入バルブ
を閉じ、第１の真空チャンバ内を１×１０-5 [Pa] 以下
の高真空になるまでクライオポンプで真空排気した。
を閉じ、第１の真空チャンバ内を１×１０-5 [Pa] 以下
の高真空になるまでクライオポンプで真空排気した。
【００４４】そして、第１の真空チャンバ内に、真空排
気しながらＡｒガスを１００ [sccm] で導入し、チャン
バ内の圧力が０．２３ [Pa] となるまでメインバルブを
調整した後、第２の誘電体膜６上に、この実施例におい
ては、厚さ３０ｎｍのＡｌによる熱制御層７を直流スパ
ッタリングにより成膜した。
気しながらＡｒガスを１００ [sccm] で導入し、チャン
バ内の圧力が０．２３ [Pa] となるまでメインバルブを
調整した後、第２の誘電体膜６上に、この実施例におい
ては、厚さ３０ｎｍのＡｌによる熱制御層７を直流スパ
ッタリングにより成膜した。
【００４５】尚、上述した各磁性層、金属層の成膜は、
各ターゲットに印加するパワーを選定することによっ
て、その組成の選定がなされる。
各ターゲットに印加するパワーを選定することによっ
て、その組成の選定がなされる。
【００４６】その後、これら成膜がなされた透明基板１
０を、真空チャンバから取出し、Ａｌによる熱制御層７
を保護する保護膜８を、紫外線硬化樹脂の塗布および紫
外線照射による硬化を行って２０μｍの厚さに形成し
た。
０を、真空チャンバから取出し、Ａｌによる熱制御層７
を保護する保護膜８を、紫外線硬化樹脂の塗布および紫
外線照射による硬化を行って２０μｍの厚さに形成し
た。
【００４７】このようにして、光磁気記録媒体を作製し
た。この場合の、再生層１のＧｄＦｅＣｏの組成は、室
温で面内磁化を示し、１５０℃以上で垂直磁化を示し、
そのキュリー温度が３５０℃になるよう組成を調整し
た。また、再生補助層２のＧｄＦｅの組成は、室温から
キュリー温度まで遷移金属優勢組成の面内磁化膜で、そ
のキュリー温度が１５０℃になるように組成を調整し
た。
た。この場合の、再生層１のＧｄＦｅＣｏの組成は、室
温で面内磁化を示し、１５０℃以上で垂直磁化を示し、
そのキュリー温度が３５０℃になるよう組成を調整し
た。また、再生補助層２のＧｄＦｅの組成は、室温から
キュリー温度まで遷移金属優勢組成の面内磁化膜で、そ
のキュリー温度が１５０℃になるように組成を調整し
た。
【００４８】記録層３を構成する第１の磁性膜３１は、
ＧｄＦｅＣｏの組成は、室温からキュリー温度まで遷移
金属優勢組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３０
０℃になるように組成を調整した。記録層３を構成する
第２の磁性膜３２は、ＴｂＦｅＣｏの組成は、室温から
キュリー温度まで遷移金属優勢組成の垂直磁化膜で、そ
のキュリー温度が２８０℃になるように組成を調整し
た。記録層３を構成する第３の磁性膜３３は、ＴｂＦｅ
Ｃｏの組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢
組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３００℃にな
るように組成を調整した。
ＧｄＦｅＣｏの組成は、室温からキュリー温度まで遷移
金属優勢組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３０
０℃になるように組成を調整した。記録層３を構成する
第２の磁性膜３２は、ＴｂＦｅＣｏの組成は、室温から
キュリー温度まで遷移金属優勢組成の垂直磁化膜で、そ
のキュリー温度が２８０℃になるように組成を調整し
た。記録層３を構成する第３の磁性膜３３は、ＴｂＦｅ
Ｃｏの組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢
組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３００℃にな
るように組成を調整した。
【００４９】この実施例１の光磁気記録媒体を光ディス
ク番号１とする。
ク番号１とする。
【００５０】〔比較例１〕基板１０の表面粗さを０．３
５ｎｍとした以外は、実施例１と同様の方法および構成
として光磁気記録媒体を作製したこの光磁気記録媒体を
光ディスク番号２とする。
５ｎｍとした以外は、実施例１と同様の方法および構成
として光磁気記録媒体を作製したこの光磁気記録媒体を
光ディスク番号２とする。
【００５１】これら光ディスク番号１および２のいずれ
も、前述した測定方法において、赤色レーザ光（６３５
ｎｍ）を再生レーザ光として用いた場合、良好な磁気超
解像再生特性を示した。これら光ディスク番号１および
２について、前述したと同様の青紫色レーザ光磁気記録
再生装置で測定した記録ノイズレベル，Ｃ／Ｎ、ジッタ
の測定結果を表３に示す。
も、前述した測定方法において、赤色レーザ光（６３５
ｎｍ）を再生レーザ光として用いた場合、良好な磁気超
解像再生特性を示した。これら光ディスク番号１および
２について、前述したと同様の青紫色レーザ光磁気記録
再生装置で測定した記録ノイズレベル，Ｃ／Ｎ、ジッタ
の測定結果を表３に示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】尚、基板の表面粗さは、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）によって測定した。また、測定したトラック
ピッチは、前述したように、０．４０μｍとし、ジッタ
を測定したビット長は、０．１９μｍ、Ｃ／Ｎを測定し
たマーク長は、０．２５μｍと１．０μｍとした。
（ＡＦＭ）によって測定した。また、測定したトラック
ピッチは、前述したように、０．４０μｍとし、ジッタ
を測定したビット長は、０．１９μｍ、Ｃ／Ｎを測定し
たマーク長は、０．２５μｍと１．０μｍとした。
【００５４】表３から、各基板には、その構成、組成、
膜厚、成膜条件等が、調整、最適化されて磁性層が同一
に成膜されたＣＡＤ−ＭＳＲ媒体であるにもかかわら
ず、ノイズレベルは、基板の表面粗さに応じた差が生じ
ており、表面粗さが小さいほど、ノイズレベルが小さく
抑えられ、その結果、高いＣ／Ｎと低いジッタが得られ
ていることがわかる。
膜厚、成膜条件等が、調整、最適化されて磁性層が同一
に成膜されたＣＡＤ−ＭＳＲ媒体であるにもかかわら
ず、ノイズレベルは、基板の表面粗さに応じた差が生じ
ており、表面粗さが小さいほど、ノイズレベルが小さく
抑えられ、その結果、高いＣ／Ｎと低いジッタが得られ
ていることがわかる。
【００５５】〔実施例２〕この例においては、ポリカー
ボネート基板表面を紫外線照射によって表面粗さを、
０．２５ｎｍとした以外は、実施例１と同様の方法およ
び構成としたものである。このようにして作製した光磁
気記録媒体を光ディスク番号３とした。
ボネート基板表面を紫外線照射によって表面粗さを、
０．２５ｎｍとした以外は、実施例１と同様の方法およ
び構成としたものである。このようにして作製した光磁
気記録媒体を光ディスク番号３とした。
【００５６】〔実施例３〕この例においては、実施例２
と同様の方法および構成としたが、表面粗さを０．３０
とした。この光磁気記録媒体を光ディスク番号４とし
た。
と同様の方法および構成としたが、表面粗さを０．３０
とした。この光磁気記録媒体を光ディスク番号４とし
た。
【００５７】〔比較例２〕この例においては、実施例２
と同様の方法および構成としたが、この比較例２は、そ
の表面粗さを、０．３８ｎｍとした。この光磁気記録媒
体を光ディスク番号５とした。これら光ディスク番号３
〜５の上述したと同様の再生特性を測定した結果を表４
に示す。
と同様の方法および構成としたが、この比較例２は、そ
の表面粗さを、０．３８ｎｍとした。この光磁気記録媒
体を光ディスク番号５とした。これら光ディスク番号３
〜５の上述したと同様の再生特性を測定した結果を表４
に示す。
【００５８】
【表４】
【００５９】この場合においても、表面粗さが小さいほ
ど、ノイズレベルが小さく抑えられ、その結果、高いＣ
／Ｎと低いジッタが得られている。
ど、ノイズレベルが小さく抑えられ、その結果、高いＣ
／Ｎと低いジッタが得られている。
【００６０】尚、上述した例では、基板表面の表面粗さ
を変化させた場合であるが、実施例１と同様の方法およ
び構成によるものの、これにおける基板１０に形成した
第１の誘電体膜５の表面粗さを選定することもできる。
を変化させた場合であるが、実施例１と同様の方法およ
び構成によるものの、これにおける基板１０に形成した
第１の誘電体膜５の表面粗さを選定することもできる。
【００６１】〔実施例４〕実施例１において、その第１
の誘電体膜５の表面粗さを０．３０ｎｍとした。この光
磁気記録媒体を光ディスク番号６とする。
の誘電体膜５の表面粗さを０．３０ｎｍとした。この光
磁気記録媒体を光ディスク番号６とする。
【００６２】〔比較例３，４〕実施例１において、その
第１の誘電体膜５の表面粗さを０．４８ｎｍ、０．６９
ｎｍとした。これら光記録媒体をそれぞれ光ディスク番
号７，８とする。そして、これら光ディスク番号６〜８
の光ディスクについて、それぞれの前述したと同様の測
定方法によつＣ／Ｎ、ノイズ、ジッタの測定結果を表５
に示す。
第１の誘電体膜５の表面粗さを０．４８ｎｍ、０．６９
ｎｍとした。これら光記録媒体をそれぞれ光ディスク番
号７，８とする。そして、これら光ディスク番号６〜８
の光ディスクについて、それぞれの前述したと同様の測
定方法によつＣ／Ｎ、ノイズ、ジッタの測定結果を表５
に示す。
【００６３】
【表５】
【００６４】表５から分かるように、表面の粗さが荒く
なるほど特性の低下がみられる。尚、上述したいずれの
ディスクにおいても、赤色レーザ光（６３５ｎｍ）を再
生レーザ光として用いた場合、良好な磁気超解像再生特
性を示す光磁気記録媒体である。
なるほど特性の低下がみられる。尚、上述したいずれの
ディスクにおいても、赤色レーザ光（６３５ｎｍ）を再
生レーザ光として用いた場合、良好な磁気超解像再生特
性を示す光磁気記録媒体である。
【００６５】上述したところから明らかなように、基板
表面もしくはこの上に形成される第１の誘電体膜の表面
粗さを、０．３ｎｍ以下とすることによって磁気超解像
再生で、短波長の青紫色レーザ光を用いた場合において
もＣ／Ｎが高く、ジッタの改善、再生パワーマージン、
記録パワーマージンの高い光磁気記録媒体を実現できる
ものである。
表面もしくはこの上に形成される第１の誘電体膜の表面
粗さを、０．３ｎｍ以下とすることによって磁気超解像
再生で、短波長の青紫色レーザ光を用いた場合において
もＣ／Ｎが高く、ジッタの改善、再生パワーマージン、
記録パワーマージンの高い光磁気記録媒体を実現できる
ものである。
【００６６】尚、上述した形態では、ＣＡＤ−ＭＳＲに
よる磁気超解像再生を行った場合であるが、記録層の記
録マークを再生層に転写する過程を有する磁気超解像再
生、例えばＦＡＤ−ＭＳＲ、ＲＡＤ−ＭＳＲ、ＤＷＤ
Ｄ、ＭＡＭＭＯＳ等に適用される光磁気記録媒体に適用
して同様の効果を奏することができるものであり、この
場合において、少なくとも再生層と多層構造による記録
層とを有する構成とするものの、各層の構成は種々の変
更がなされ得る。
よる磁気超解像再生を行った場合であるが、記録層の記
録マークを再生層に転写する過程を有する磁気超解像再
生、例えばＦＡＤ−ＭＳＲ、ＲＡＤ−ＭＳＲ、ＤＷＤ
Ｄ、ＭＡＭＭＯＳ等に適用される光磁気記録媒体に適用
して同様の効果を奏することができるものであり、この
場合において、少なくとも再生層と多層構造による記録
層とを有する構成とするものの、各層の構成は種々の変
更がなされ得る。
【００６７】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、光の
回折限界以下の再生が可能な磁気超解像再生をなし、し
かもさらに青紫色レーザ光を用いて記録の高密度化を図
る場合において、その媒体性能であるＣ／Ｎ、ジッタ、
再生パワーマージンの改善を図ることができ、光の回折
限界以下の信号を良好に記録再生する光磁気記録媒体を
実現できたものである。
回折限界以下の再生が可能な磁気超解像再生をなし、し
かもさらに青紫色レーザ光を用いて記録の高密度化を図
る場合において、その媒体性能であるＣ／Ｎ、ジッタ、
再生パワーマージンの改善を図ることができ、光の回折
限界以下の信号を良好に記録再生する光磁気記録媒体を
実現できたものである。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一例の概略断面
図である。
図である。
【図２】光磁気記録媒体の比較例の概略断面図である。
【図３】磁気超解像再生方法の一例の説明図である。
１・・・再生層、２・・・再生補助層、３・・・記録
層、４・・・非磁性中間層、５・・・第１の誘電体層、
６・・・第２の誘電体層、７・・・熱制御層、８・・・
保護層、１０・・・透明基板、１１・・・対物レンズ、
３１・・・第１の磁性膜、３２・・・第２の磁性膜、３
３・・・第３の磁性膜
層、４・・・非磁性中間層、５・・・第１の誘電体層、
６・・・第２の誘電体層、７・・・熱制御層、８・・・
保護層、１０・・・透明基板、１１・・・対物レンズ、
３１・・・第１の磁性膜、３２・・・第２の磁性膜、３
３・・・第３の磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/125 Ｇ１１Ｂ 7/125 Ａ (72)発明者 下馬 隆司 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 CC11 EE03 FG03 FG04 FG17 5D119 AA09 BA01 EC50 FA05
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも基板上に再生層と記録層とを
有し、青紫色レーザによって磁気超解像再生がなされる
光磁気記録媒体であって、 上記基板の表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下とされたこと
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記基板表面に紫外線照射を施すことに
より、上記基板の表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下とされ
たことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 少くとも基板上に再生層と記録層とを有
し、青紫色レーザによって磁気超解像再生がなされる光
磁気記録媒体であって、 上記再生層と上記基板間に誘電体膜が形成され、該誘電
体膜の表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下とされたことを特
徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP30915399A JP2001126328A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 光磁気記録媒体 |
| TW089122317A TW504667B (en) | 1999-10-29 | 2000-10-24 | Magneto-optical recording medium |
| EP00123269A EP1096486A3 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-26 | Magneto-optical recording medium |
| US09/697,473 US6638597B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-26 | Magneto-optical recording medium |
| CN00135504A CN1301015A (zh) | 1999-10-29 | 2000-10-27 | 磁光记录介质 |
| KR1020000063941A KR20010060224A (ko) | 1999-10-29 | 2000-10-30 | 광 자기 기록 매체 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30915399A JP2001126328A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126328A true JP2001126328A (ja) | 2001-05-11 |
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ID=17989567
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1096486A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001126328A (ja) |
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| CN (1) | CN1301015A (ja) |
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| TW (1) | TW504667B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005353A1 (fr) | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique, disque original pour support d'enretistrement optique, et procede de fabrication du disque original |
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| WO2003060897A1 (fr) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Fujitsu Limited | Dispositif de stockage |
| WO2003060889A1 (fr) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement d'information optique |
| CN1689081A (zh) * | 2002-10-04 | 2005-10-26 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 高轨道密度超分辨率mo－rom介质 |
| JP2004185683A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 磁気記録媒体、記録装置、および再生装置 |
| US20060000814A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
| US7498092B2 (en) * | 2005-01-26 | 2009-03-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with magnetic torque layer coupled to the perpendicular recording layer |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06231498A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| CA2127059A1 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-03 | Masahiko Sekiya | Magneto-optical recording medium |
| JPH0817080A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Mitsubishi Chem Corp | 光磁気記録再生方法およびそれに用いる光磁気記録媒体 |
| JP2799544B2 (ja) * | 1994-04-28 | 1998-09-17 | 株式会社オハラ | 情報記録ディスク用結晶化ガラス |
| JPH08147782A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-06-07 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH08221827A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0740296A3 (en) * | 1995-04-26 | 1998-02-25 | Sanyo Electric Co. Ltd | Magneto-optical recording media |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JPH1064131A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH10134435A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP3538727B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2004-06-14 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3108397B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2000-11-13 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US6268073B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-07-31 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30915399A patent/JP2001126328A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-24 TW TW089122317A patent/TW504667B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-26 EP EP00123269A patent/EP1096486A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-26 US US09/697,473 patent/US6638597B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-27 CN CN00135504A patent/CN1301015A/zh active Pending
- 2000-10-30 KR KR1020000063941A patent/KR20010060224A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-30 ID IDP20000935A patent/ID27923A/id unknown
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| US6986152B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-01-10 | Sony Corporation | Optical information recording medium |
| US7294281B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-11-13 | Sony Corporation | Optical information recording medium, original disc for optical information recording medium, and method of manufacturing the same |
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