JP2001105164A - レーザ穴あけ加工方法及び加工装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 これまでのレーザ穴あけ加工方法に比べて短
い時間で多数の穴あけ加工を行うことのできるレーザ穴
あけ加工装置を提供する。 【解決手段】 レーザ発振器10と被加工部材としての
プリント配線基板20との間に、ポリゴンミラー11、
加工パターンを規定する一列状の複数の穴を持つマスク
12、ガルバノミラー16、加工レンズ17を順に配置
して、レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を順に
経由してプリント配線基板に照射されるようにする。ポ
リゴンミラーは、その一面のミラー毎にマスクの複数の
穴をスキャンするようにレーザ光を振らせることによ
り、プリント配線基板に前記複数の穴が一括して形成さ
れる。ガルバノミラーにより、プリント配線基板に対す
るレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせる。
い時間で多数の穴あけ加工を行うことのできるレーザ穴
あけ加工装置を提供する。 【解決手段】 レーザ発振器10と被加工部材としての
プリント配線基板20との間に、ポリゴンミラー11、
加工パターンを規定する一列状の複数の穴を持つマスク
12、ガルバノミラー16、加工レンズ17を順に配置
して、レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を順に
経由してプリント配線基板に照射されるようにする。ポ
リゴンミラーは、その一面のミラー毎にマスクの複数の
穴をスキャンするようにレーザ光を振らせることによ
り、プリント配線基板に前記複数の穴が一括して形成さ
れる。ガルバノミラーにより、プリント配線基板に対す
るレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ発振器から
のレーザ光をプリント配線基板やセラミック基板等の被
加工部材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工方法
及び加工装置に関する。
のレーザ光をプリント配線基板やセラミック基板等の被
加工部材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工方法
及び加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型化、高密度実装化に伴
い、プリント配線基板には高密度化が要求されている。
例えば、LSIチップを実装してパッケージ化するため
のプリント配線基板としてインターポーザと呼ばれるも
のが知られている。このようなLSIチップとインター
ポーザとの接続は、これまでワイヤボンディング法が主
流であったが、フリップチップ実装と呼ばれる方法が増
加する傾向にあり、パッケージの多ピン化も進んでい
る。
い、プリント配線基板には高密度化が要求されている。
例えば、LSIチップを実装してパッケージ化するため
のプリント配線基板としてインターポーザと呼ばれるも
のが知られている。このようなLSIチップとインター
ポーザとの接続は、これまでワイヤボンディング法が主
流であったが、フリップチップ実装と呼ばれる方法が増
加する傾向にあり、パッケージの多ピン化も進んでい
る。
【0003】このような傾向に伴い、インターポーザに
は、多数のビアホールと呼ばれる穴あけを小径かつ微小
ピッチで行うことが必要となる。
は、多数のビアホールと呼ばれる穴あけを小径かつ微小
ピッチで行うことが必要となる。
【0004】このような穴あけ加工は、機械的な微細ド
リルを用いる機械加工や露光(フォトビア)方式が主流
であったが、最近ではレーザ光が利用されはじめてい
る。レーザ光を利用した穴あけ加工装置は、微細ドリル
を用いる機械加工に比べて加工速度や、穴の径の微細化
に対応できる点で優れている。レーザ光としては、レー
ザ発振器の価格、ランニングコストが低いという点から
CO2 レーザや高調波固体レーザが一般に利用されてい
る。
リルを用いる機械加工や露光(フォトビア)方式が主流
であったが、最近ではレーザ光が利用されはじめてい
る。レーザ光を利用した穴あけ加工装置は、微細ドリル
を用いる機械加工に比べて加工速度や、穴の径の微細化
に対応できる点で優れている。レーザ光としては、レー
ザ発振器の価格、ランニングコストが低いという点から
CO2 レーザや高調波固体レーザが一般に利用されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】これまでのレーザ穴あ
け加工装置では、レーザ発振器からのレーザビームを反
射ミラー等を含む光学経路を経由させてX−Yスキャナ
あるいはガルバノスキャナと呼ばれる2軸のガルバノミ
ラーを備えたスキャン光学系に導き、このスキャン光学
系によりレーザビームを振らせて加工レンズを通してプ
リント配線基板に照射することにより穴あけを行ってい
る(例えば、特開平10−58178号公報参照)。す
なわち、プリント配線基板にあけられるべき穴の位置は
あらかじめ決まっているので、これらの穴の位置情報に
基づいてスキャン光学系を制御することで穴あけが1個
ずつ行われている。
け加工装置では、レーザ発振器からのレーザビームを反
射ミラー等を含む光学経路を経由させてX−Yスキャナ
あるいはガルバノスキャナと呼ばれる2軸のガルバノミ
ラーを備えたスキャン光学系に導き、このスキャン光学
系によりレーザビームを振らせて加工レンズを通してプ
リント配線基板に照射することにより穴あけを行ってい
る(例えば、特開平10−58178号公報参照)。す
なわち、プリント配線基板にあけられるべき穴の位置は
あらかじめ決まっているので、これらの穴の位置情報に
基づいてスキャン光学系を制御することで穴あけが1個
ずつ行われている。
【0006】しかしながら、X−Yスキャナあるいはガ
ルバノスキャナによるスキャン光学系を使用した1個ず
つの穴あけ加工では、プリント配線基板における穴の数
の増加に比例して加工時間が長くなる。因みに、ガルバ
ノスキャナの応答性は500pps程度であるため、毎
秒500穴以上の穴あけは困難である。また、例えば、
一辺が10mmの正方形のパッケージ基板に、50μm
径の穴が0.2mmのピッチで配列されるとすると、2
500個の穴が存在する。この場合、毎秒500穴の穴
あけを行ったとしても、2500/500=5secの
加工時間を必要とする。
ルバノスキャナによるスキャン光学系を使用した1個ず
つの穴あけ加工では、プリント配線基板における穴の数
の増加に比例して加工時間が長くなる。因みに、ガルバ
ノスキャナの応答性は500pps程度であるため、毎
秒500穴以上の穴あけは困難である。また、例えば、
一辺が10mmの正方形のパッケージ基板に、50μm
径の穴が0.2mmのピッチで配列されるとすると、2
500個の穴が存在する。この場合、毎秒500穴の穴
あけを行ったとしても、2500/500=5secの
加工時間を必要とする。
【0007】そこで、本発明の課題は、これまでのレー
ザ穴あけ加工方法に比べて短い時間で多数の穴あけ加工
を行うことのできるレーザ穴あけ加工方法を提供するこ
とにある。
ザ穴あけ加工方法に比べて短い時間で多数の穴あけ加工
を行うことのできるレーザ穴あけ加工方法を提供するこ
とにある。
【0008】本発明の他の課題は、上記の加工方法に適
したレーザ穴あけ加工装置を提供することにある。
したレーザ穴あけ加工装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ発振器
からのレーザ光を被加工部材に照射して穴あけを行うレ
ーザ穴あけ加工方法であり、前記レーザ光を、ポリゴン
ミラー、加工パターンを規定する複数の穴をマスクパタ
ーンとして持つマスク、少なくとも1つのガルバノミラ
ー、加工レンズを経由して照射するようにし、前記ポリ
ゴンミラーは、前記マスクの複数の穴をスキャンするよ
うに前記レーザ光を振らせることにより、前記被加工部
材に前記複数の穴が一括して形成されるようにし、前記
少なくとも1つのガルバノミラーにより、前記被加工部
材に対する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさ
せることを特徴とする。
からのレーザ光を被加工部材に照射して穴あけを行うレ
ーザ穴あけ加工方法であり、前記レーザ光を、ポリゴン
ミラー、加工パターンを規定する複数の穴をマスクパタ
ーンとして持つマスク、少なくとも1つのガルバノミラ
ー、加工レンズを経由して照射するようにし、前記ポリ
ゴンミラーは、前記マスクの複数の穴をスキャンするよ
うに前記レーザ光を振らせることにより、前記被加工部
材に前記複数の穴が一括して形成されるようにし、前記
少なくとも1つのガルバノミラーにより、前記被加工部
材に対する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさ
せることを特徴とする。
【0010】本発明の別の態様によるレーザ穴あけ加工
方法は、前記レーザ光を線状あるいは矩形状のレーザビ
ームに整形する整形光学系、ポリゴンミラー、加工パタ
ーンを規定する複数の穴をマスクパターンとして持つマ
スク、少なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを
経由して照射するようにし、前記ポリゴンミラーは、前
記マスクの複数の穴をスキャンするように前記レーザ光
を振らせることにより、前記被加工部材に前記複数の穴
が一括して形成されるようにし、前記少なくとも1つの
ガルバノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レ
ーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴と
する。
方法は、前記レーザ光を線状あるいは矩形状のレーザビ
ームに整形する整形光学系、ポリゴンミラー、加工パタ
ーンを規定する複数の穴をマスクパターンとして持つマ
スク、少なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを
経由して照射するようにし、前記ポリゴンミラーは、前
記マスクの複数の穴をスキャンするように前記レーザ光
を振らせることにより、前記被加工部材に前記複数の穴
が一括して形成されるようにし、前記少なくとも1つの
ガルバノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レ
ーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴と
する。
【0011】本発明によればまた、レーザ発振器からの
レーザ光を被加工部材に照射して穴あけを行うレーザ穴
あけ加工装置において、前記レーザ発振器と前記被加工
部材との間に、ポリゴンミラー、加工パターンを規定す
る複数の穴をマスクパターンとして持つマスク、少なく
とも1つのガルバノミラー、加工レンズを配置して、前
記レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を経由して
前記被加工部材に照射されるようにし、前記ポリゴンミ
ラーは、前記マスクの複数の穴をスキャンするように前
記レーザ光を振らせることにより、前記被加工部材に前
記複数の穴が一括して形成されるようにし、前記少なく
とも1つのガルバノミラーにより、前記被加工部材に対
する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせるこ
とを特徴とするレーザ穴あけ加工装置が提供される。
レーザ光を被加工部材に照射して穴あけを行うレーザ穴
あけ加工装置において、前記レーザ発振器と前記被加工
部材との間に、ポリゴンミラー、加工パターンを規定す
る複数の穴をマスクパターンとして持つマスク、少なく
とも1つのガルバノミラー、加工レンズを配置して、前
記レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を経由して
前記被加工部材に照射されるようにし、前記ポリゴンミ
ラーは、前記マスクの複数の穴をスキャンするように前
記レーザ光を振らせることにより、前記被加工部材に前
記複数の穴が一括して形成されるようにし、前記少なく
とも1つのガルバノミラーにより、前記被加工部材に対
する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせるこ
とを特徴とするレーザ穴あけ加工装置が提供される。
【0012】本発明の他の態様によるレーザ穴あけ加工
装置は、前記レーザ発振器と前記被加工部材との間に、
前記レーザ光を線状あるいは矩形状のレーザビームに整
形する整形光学系、ポリゴンミラー、加工パターンを規
定する複数の穴をマスクパターンとして持つマスク、少
なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを配置し
て、前記レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を経
由して前記被加工部材に照射されるようにし、前記ポリ
ゴンミラーは、その一面のミラー毎に前記マスクの複数
の穴をスキャンするように前記レーザ光を振らせること
により、前記被加工部材に前記複数列状の複数の穴が一
括して形成されるようにし、前記少なくとも1つのガル
バノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レーザ
光の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴とす
る。
装置は、前記レーザ発振器と前記被加工部材との間に、
前記レーザ光を線状あるいは矩形状のレーザビームに整
形する整形光学系、ポリゴンミラー、加工パターンを規
定する複数の穴をマスクパターンとして持つマスク、少
なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを配置し
て、前記レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を経
由して前記被加工部材に照射されるようにし、前記ポリ
ゴンミラーは、その一面のミラー毎に前記マスクの複数
の穴をスキャンするように前記レーザ光を振らせること
により、前記被加工部材に前記複数列状の複数の穴が一
括して形成されるようにし、前記少なくとも1つのガル
バノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レーザ
光の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴とす
る。
【0013】上記のいずれのレーザ穴あけ加工装置にお
いても、前記ガルバノミラーを2つ備える場合には、一
方のガルバノミラーにより前記被加工部材に対する前記
レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガル
バノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光
の照射域を前記一軸方向に直角な方向にシフトさせるこ
とを特徴とする。
いても、前記ガルバノミラーを2つ備える場合には、一
方のガルバノミラーにより前記被加工部材に対する前記
レーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガル
バノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光
の照射域を前記一軸方向に直角な方向にシフトさせるこ
とを特徴とする。
【0014】上記の他の態様によるレーザ穴あけ加工装
置においては、前記レーザ発振器と前記マスクとの間の
光路に更に、前記レーザ光の照射域をシフトさせる間の
前記レーザ光の照射を回避するマスキング機構を設ける
ことが望ましい。
置においては、前記レーザ発振器と前記マスクとの間の
光路に更に、前記レーザ光の照射域をシフトさせる間の
前記レーザ光の照射を回避するマスキング機構を設ける
ことが望ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】図1〜図3を参照して、本発明に
よるレーザ穴あけ加工装置の第1の実施の形態を、プリ
ント配線基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について
説明する。本装置は、レーザ発振器10と、ポリゴンミ
ラー11と、マスク12と、光学レンズ13と、反射ミ
ラー14、15と、ガルバノミラー16と、fθレンズ
とも呼ばれる加工レンズ17とを順に配置して成る。そ
して、レーザ発振器10からのレーザ光が上記の各要素
を順に経由して被加工部材、すなわちプリント配線基板
20に照射されるように構成されている。
よるレーザ穴あけ加工装置の第1の実施の形態を、プリ
ント配線基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について
説明する。本装置は、レーザ発振器10と、ポリゴンミ
ラー11と、マスク12と、光学レンズ13と、反射ミ
ラー14、15と、ガルバノミラー16と、fθレンズ
とも呼ばれる加工レンズ17とを順に配置して成る。そ
して、レーザ発振器10からのレーザ光が上記の各要素
を順に経由して被加工部材、すなわちプリント配線基板
20に照射されるように構成されている。
【0016】ポリゴンミラー11は、良く知られている
ように、正多角形の各辺に対応する部分に反射ミラーを
持ち、中心軸を中心として回転可能な多面反射ミラーで
あり、ある面の反射ミラーに入射したレーザ光を高速で
ある範囲に振らせることができる。マスク12は、図2
(b)に示されるように、プリント配線基板20に対す
る加工パターンを規定する一列状の複数の穴12aをマ
スクパターンとして持つ。図2(a)はポリゴンミラー
11に入射するレーザ光の断面形状を示している。ポリ
ゴンミラー11は、その一面当たりのミラー毎にマスク
12の複数の穴12aをスキャンするように入射レーザ
光を振らせる。この時、ガルバノミラー16は停止状態
におかれる。その結果、プリント配線基板20には、マ
スク12の複数の穴12aに対応する形状の複数の穴が
一括して形成される。
ように、正多角形の各辺に対応する部分に反射ミラーを
持ち、中心軸を中心として回転可能な多面反射ミラーで
あり、ある面の反射ミラーに入射したレーザ光を高速で
ある範囲に振らせることができる。マスク12は、図2
(b)に示されるように、プリント配線基板20に対す
る加工パターンを規定する一列状の複数の穴12aをマ
スクパターンとして持つ。図2(a)はポリゴンミラー
11に入射するレーザ光の断面形状を示している。ポリ
ゴンミラー11は、その一面当たりのミラー毎にマスク
12の複数の穴12aをスキャンするように入射レーザ
光を振らせる。この時、ガルバノミラー16は停止状態
におかれる。その結果、プリント配線基板20には、マ
スク12の複数の穴12aに対応する形状の複数の穴が
一括して形成される。
【0017】図3は、プリント配線基板20に形成され
る穴の加工パターンを示しており、ポリゴンミラー11
の一面につき、破線で示す照射領域内に複数の穴20a
が一括して形成される。
る穴の加工パターンを示しており、ポリゴンミラー11
の一面につき、破線で示す照射領域内に複数の穴20a
が一括して形成される。
【0018】ガルバノミラー16は、これも良く知られ
ているように、反射ミラーをモータ等の回転駆動機構に
より回転可能にしたものであり、反射ミラーに入射した
レーザ光を所望の位置に照射することができる。本形態
では、ガルバノミラー16により、プリント配線基板2
0に対するレーザ光の照射域(1回当たりの加工域)を
一軸方向にシフトさせるために使用している。ここで
は、ガルバノミラー16は、図3に実線で示すポリゴン
ミラー11によるスキャン方向に対して直角な方向に照
射域をシフトするために使用している。
ているように、反射ミラーをモータ等の回転駆動機構に
より回転可能にしたものであり、反射ミラーに入射した
レーザ光を所望の位置に照射することができる。本形態
では、ガルバノミラー16により、プリント配線基板2
0に対するレーザ光の照射域(1回当たりの加工域)を
一軸方向にシフトさせるために使用している。ここで
は、ガルバノミラー16は、図3に実線で示すポリゴン
ミラー11によるスキャン方向に対して直角な方向に照
射域をシフトするために使用している。
【0019】穴あけ加工について説明すると、レーザ発
振器10からのレーザ光がポリゴンミラー11のある反
射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミラー
の回転によって振られることによりマスク12をスキャ
ンする。マスク12の各穴12aを通過したレーザ光は
反射ミラー14、15、固定状態にあるガルバノミラー
16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板20
上の所定の照射域に連続して照射される。その結果、マ
スク12の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴
20aがプリント配線基板20に形成される。
振器10からのレーザ光がポリゴンミラー11のある反
射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミラー
の回転によって振られることによりマスク12をスキャ
ンする。マスク12の各穴12aを通過したレーザ光は
反射ミラー14、15、固定状態にあるガルバノミラー
16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板20
上の所定の照射域に連続して照射される。その結果、マ
スク12の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴
20aがプリント配線基板20に形成される。
【0020】続いて、ガルバノミラー16がわずかに回
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク12を
スキャンする。そして、マスク12の各穴12aを通過
したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミラー
16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板20
上の次の照射域に連続して照射される。その結果、プリ
ント配線基板20上の前回の照射域に隣接した領域にマ
スク12の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴
20aが形成される。以下、上記の動作を繰り返すこと
により、プリント配線基板20には、図3に示されるよ
うに、マスク12の複数の穴12aで規定される数の穴
20aを一列とする複数列の穴が連続して形成される。
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク12を
スキャンする。そして、マスク12の各穴12aを通過
したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミラー
16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板20
上の次の照射域に連続して照射される。その結果、プリ
ント配線基板20上の前回の照射域に隣接した領域にマ
スク12の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴
20aが形成される。以下、上記の動作を繰り返すこと
により、プリント配線基板20には、図3に示されるよ
うに、マスク12の複数の穴12aで規定される数の穴
20aを一列とする複数列の穴が連続して形成される。
【0021】上記の動作は、レーザ発振器10が連続状
のレーザ光を発生する場合を前提としている。ここで、
プリント配線基板20はその樹脂層の厚さにより、1回
のレーザ光の照射では所定の穴あけが完了しない場合が
ある。この場合には、同じ照射域に所定回数のレーザ光
照射が繰り返される。これは、ポリゴンミラー11によ
るマスク12のスキャン動作が、上記の所定回数と同じ
枚数の反射ミラーの分だけ繰り返されるまでガルバノミ
ラー16を固定状態におけば良い。一方、レーザ発振器
10がパルス状のレーザ光を発生する場合、パルス上の
レーザ光の発生周期がマスク12における各穴12aに
対するスキャン周期と一致するように制御される。そし
て、ガルバノミラー16の回動周期を上記と同様に設定
することにより、1穴当たり複数個のパルス状レーザ光
を照射することができる。このような動作は、以降で説
明される第2〜第4の実施の形態においても同様に適用
される。
のレーザ光を発生する場合を前提としている。ここで、
プリント配線基板20はその樹脂層の厚さにより、1回
のレーザ光の照射では所定の穴あけが完了しない場合が
ある。この場合には、同じ照射域に所定回数のレーザ光
照射が繰り返される。これは、ポリゴンミラー11によ
るマスク12のスキャン動作が、上記の所定回数と同じ
枚数の反射ミラーの分だけ繰り返されるまでガルバノミ
ラー16を固定状態におけば良い。一方、レーザ発振器
10がパルス状のレーザ光を発生する場合、パルス上の
レーザ光の発生周期がマスク12における各穴12aに
対するスキャン周期と一致するように制御される。そし
て、ガルバノミラー16の回動周期を上記と同様に設定
することにより、1穴当たり複数個のパルス状レーザ光
を照射することができる。このような動作は、以降で説
明される第2〜第4の実施の形態においても同様に適用
される。
【0022】ここで、ポリゴンミラー11によるレーザ
光のスキャン速度は、ガルバノミラー16のスキャン速
度に比べて十分に高いので、本装置による穴あけ加工速
度は、X−Yスキャナあるいはガルバノスキャナによる
1穴毎の加工方式に比べて十分に高い値が得られる。前
に述べたように、ガルバノミラーは500Hz程度の追
従動作しかできないので、1穴ずつ穴あけを行うと、5
00穴/秒程度が限界である。これに対し、ポリゴンミ
ラーによるスキャン速度は非常に高いので、レーザ発振
器10の発振周波数が加工速度の限界を与えるようにな
る。レーザ発振器10の発振周波数を2kHzとする
と、2000穴/秒程度の加工速度を期待できる。この
場合、例えば、一辺が10mmの正方形のパッケージ基
板に、50μm径の穴が0.2mmのピッチで2500
個形成するものとすると、2500/2000=1.2
5sec程度の加工時間で済む。
光のスキャン速度は、ガルバノミラー16のスキャン速
度に比べて十分に高いので、本装置による穴あけ加工速
度は、X−Yスキャナあるいはガルバノスキャナによる
1穴毎の加工方式に比べて十分に高い値が得られる。前
に述べたように、ガルバノミラーは500Hz程度の追
従動作しかできないので、1穴ずつ穴あけを行うと、5
00穴/秒程度が限界である。これに対し、ポリゴンミ
ラーによるスキャン速度は非常に高いので、レーザ発振
器10の発振周波数が加工速度の限界を与えるようにな
る。レーザ発振器10の発振周波数を2kHzとする
と、2000穴/秒程度の加工速度を期待できる。この
場合、例えば、一辺が10mmの正方形のパッケージ基
板に、50μm径の穴が0.2mmのピッチで2500
個形成するものとすると、2500/2000=1.2
5sec程度の加工時間で済む。
【0023】なお、加工レンズ17の大きさには制限が
あるので、上記の動作によりプリント配線基板20に多
数の穴を形成することのできる領域には制限がある。通
常、この領域は一辺が数cm程度の正方形のエリアであ
る。これに対し、本形態による穴あけ加工は、通常、図
4に示すように、複数の加工領域21が区画されている
多面取り用のプリント配線基板20に対して加工領域毎
に行われる。1つの加工領域21に対しては上記の動作
により穴あけ加工が行われるが、プリント配線基板20
を移動させないと、次の加工領域に対する加工を行うこ
とができない。このため、プリント配線基板20は、X
−Yステージ機構と呼ばれる駆動機構により駆動されて
X軸方向及びY軸方向に可動のテーブル30上に搭載さ
れる。テーブル30は、プリント配線基板20のチャッ
キング機構を有し、1つの加工領域21に対する穴あけ
加工が終了すると、次の加工領域を加工レンズ17の直
下に移動させる。このような制御は、図示しない制御装
置により行われる。そして、このようなX−Yステージ
機構、テーブル及び制御装置は周知であるので、詳しい
説明は省略する。
あるので、上記の動作によりプリント配線基板20に多
数の穴を形成することのできる領域には制限がある。通
常、この領域は一辺が数cm程度の正方形のエリアであ
る。これに対し、本形態による穴あけ加工は、通常、図
4に示すように、複数の加工領域21が区画されている
多面取り用のプリント配線基板20に対して加工領域毎
に行われる。1つの加工領域21に対しては上記の動作
により穴あけ加工が行われるが、プリント配線基板20
を移動させないと、次の加工領域に対する加工を行うこ
とができない。このため、プリント配線基板20は、X
−Yステージ機構と呼ばれる駆動機構により駆動されて
X軸方向及びY軸方向に可動のテーブル30上に搭載さ
れる。テーブル30は、プリント配線基板20のチャッ
キング機構を有し、1つの加工領域21に対する穴あけ
加工が終了すると、次の加工領域を加工レンズ17の直
下に移動させる。このような制御は、図示しない制御装
置により行われる。そして、このようなX−Yステージ
機構、テーブル及び制御装置は周知であるので、詳しい
説明は省略する。
【0024】図5、図6を参照して、本発明によるレー
ザ穴あけ加工装置の第2の実施の形態を、プリント配線
基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明す
る。本装置は、図1に示された反射ミラー15をガルバ
ノミラー16Aに置き換えたものであり、他の構成要素
は図1の形態とまったく同じである。前に述べたよう
に、ガルバノミラー16は、プリント配線基板20に対
するレーザ光の照射域を一軸方向(以下、これをX軸方
向と呼ぶ)にシフトさせるために使用されるが、ガルバ
ノミラー16Aは、プリント配線基板20に対するレー
ザ光の照射域を前記一軸方向に直角な方向(以下、これ
をY軸方向と呼ぶ)にシフトさせるために使用される。
ザ穴あけ加工装置の第2の実施の形態を、プリント配線
基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明す
る。本装置は、図1に示された反射ミラー15をガルバ
ノミラー16Aに置き換えたものであり、他の構成要素
は図1の形態とまったく同じである。前に述べたよう
に、ガルバノミラー16は、プリント配線基板20に対
するレーザ光の照射域を一軸方向(以下、これをX軸方
向と呼ぶ)にシフトさせるために使用されるが、ガルバ
ノミラー16Aは、プリント配線基板20に対するレー
ザ光の照射域を前記一軸方向に直角な方向(以下、これ
をY軸方向と呼ぶ)にシフトさせるために使用される。
【0025】穴あけ加工について説明すると、レーザ発
振器10からのレーザ光がポリゴンミラー11のある反
射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミラー
の回転によって振られることによりマスク12をスキャ
ンする。マスク12の各穴12aを通過したレーザ光は
反射ミラー14、15、固定状態にあるガルバノミラー
16A、16を経由してプリント配線基板20上の所定
の照射域に連続して照射される。その結果、マスク12
の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴20aが
プリント配線基板20に形成される。
振器10からのレーザ光がポリゴンミラー11のある反
射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミラー
の回転によって振られることによりマスク12をスキャ
ンする。マスク12の各穴12aを通過したレーザ光は
反射ミラー14、15、固定状態にあるガルバノミラー
16A、16を経由してプリント配線基板20上の所定
の照射域に連続して照射される。その結果、マスク12
の複数の穴12aで規定される形状及び数の穴20aが
プリント配線基板20に形成される。
【0026】続いて、ガルバノミラー16がわずかに回
動し、X軸方向に関するレーザ光の照射域のシフトが行
われる。その結果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラ
ーに入射したレーザ光が前述同様に振られることによ
り、マスク12をスキャンする。そして、マスク12の
各穴12aを通過したレーザ光は反射ミラー14、1
5、ガルバノミラー16A、16、加工レンズ17を経
由してプリント配線基板20上の次の照射域に連続して
照射される。その結果、プリント配線基板20上の前回
の照射域に隣接した領域にマスク12の複数の穴12a
で規定される形状及び数の穴20aが形成される。以
下、上記の動作を繰り返すことにより、プリント配線基
板20には、図6に示されるように、マスク12の複数
の穴12aで規定される数の穴20aを一列とする複数
列の穴がX軸方向に連続して形成される。このX軸方向
に関する加工領域の範囲XL は、加工レンズ17の大き
さで決まる。
動し、X軸方向に関するレーザ光の照射域のシフトが行
われる。その結果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラ
ーに入射したレーザ光が前述同様に振られることによ
り、マスク12をスキャンする。そして、マスク12の
各穴12aを通過したレーザ光は反射ミラー14、1
5、ガルバノミラー16A、16、加工レンズ17を経
由してプリント配線基板20上の次の照射域に連続して
照射される。その結果、プリント配線基板20上の前回
の照射域に隣接した領域にマスク12の複数の穴12a
で規定される形状及び数の穴20aが形成される。以
下、上記の動作を繰り返すことにより、プリント配線基
板20には、図6に示されるように、マスク12の複数
の穴12aで規定される数の穴20aを一列とする複数
列の穴がX軸方向に連続して形成される。このX軸方向
に関する加工領域の範囲XL は、加工レンズ17の大き
さで決まる。
【0027】次に、ガルバノミラー16Aがわずかに回
動して、レーザ光の照射域がY軸方向にシフトされる。
このシフト量は、レーザ光の照射域の長手方向の寸法分
である。この後、上記と同様の動作を繰り返すが、ガル
バノミラー16によるレーザ光の照射域のシフト方向
は、上記の動作とは逆方向となる。これは、ガルバノミ
ラー16の回動を、上記の場合とは反対方向、すなわち
上記の動作によりある角度だけ回動したものを戻す方向
に行うことを意味する。勿論、Y軸方向に関する加工領
域の範囲も加工レンズ17の大きさにより決まる。
動して、レーザ光の照射域がY軸方向にシフトされる。
このシフト量は、レーザ光の照射域の長手方向の寸法分
である。この後、上記と同様の動作を繰り返すが、ガル
バノミラー16によるレーザ光の照射域のシフト方向
は、上記の動作とは逆方向となる。これは、ガルバノミ
ラー16の回動を、上記の場合とは反対方向、すなわち
上記の動作によりある角度だけ回動したものを戻す方向
に行うことを意味する。勿論、Y軸方向に関する加工領
域の範囲も加工レンズ17の大きさにより決まる。
【0028】このように、Y軸方向へのシフト用のガル
バノミラー16Aを備えることにより、プリント配線基
板20には、図6に示されるように、マスク12の複数
の穴12aで規定される数の穴20aを一列とする複数
列の穴が、互いに隣接した複数の領域に連続して形成さ
れる。
バノミラー16Aを備えることにより、プリント配線基
板20には、図6に示されるように、マスク12の複数
の穴12aで規定される数の穴20aを一列とする複数
列の穴が、互いに隣接した複数の領域に連続して形成さ
れる。
【0029】図7〜図9を参照して、本発明によるレー
ザ穴あけ加工装置の第3の実施の形態を、プリント配線
基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明す
る。本装置は、図1に示されたマスク12を別のマスク
41に置き換えると共に、レーザ発振器10とポリゴン
ミラー11との間の光路に、整形光学系42とマスキン
グ機構43とを配置したものであり、他の構成要素は図
1の形態とまったく同じである。
ザ穴あけ加工装置の第3の実施の形態を、プリント配線
基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明す
る。本装置は、図1に示されたマスク12を別のマスク
41に置き換えると共に、レーザ発振器10とポリゴン
ミラー11との間の光路に、整形光学系42とマスキン
グ機構43とを配置したものであり、他の構成要素は図
1の形態とまったく同じである。
【0030】マスク41は、図8(b)に示されるよう
に、四角形状のエリアに同形状の多数の穴41aを等ピ
ッチでマトリクス状に形成したマスクパターンを持つ
が、これは一例であり、このようなマスクパターンに限
定されるものではない。整形光学系42は後で説明する
ように、レーザ発振器10からのレーザ光の断面形状を
線状あるいは矩形状のレーザ光に整形するものである。
マスキング機構43は、整形光学系42からのレーザ光
を別の経路にそらすためのものであり、これについても
後で説明する。
に、四角形状のエリアに同形状の多数の穴41aを等ピ
ッチでマトリクス状に形成したマスクパターンを持つ
が、これは一例であり、このようなマスクパターンに限
定されるものではない。整形光学系42は後で説明する
ように、レーザ発振器10からのレーザ光の断面形状を
線状あるいは矩形状のレーザ光に整形するものである。
マスキング機構43は、整形光学系42からのレーザ光
を別の経路にそらすためのものであり、これについても
後で説明する。
【0031】図10を参照して、レーザ発振器10から
のレーザ光は、例えば図10(a)に示すようなビーム
プロファイルを持つ。ビームプロファイルというのは、
レーザビームをその断面形状に関して観察した場合に、
一定のエネルギー値が持続する台形状波形のことであ
る。この場合、整形光学系42としてシリンドリカルレ
ンズを用いることにより、ビームプロファイルを持つ断
面円形状のレーザビームを、図10(b)に示すような
線状の断面形状を持つ線状ビームに整形することができ
る。シリンドリカルレンズによれば、線状ビームのサイ
ズを、幅1/10(mm)〜数(mm)、長さ数(c
m)に整形することができる。一方、シリンドリカルレ
ンズに代えて、フライアイレンズを用いることにより、
図10(c)に示すような矩形の断面形状を持つ矩形状
ビームに整形することができる。この場合、ビームサイ
ズは、一辺が数(mm)程度である。
のレーザ光は、例えば図10(a)に示すようなビーム
プロファイルを持つ。ビームプロファイルというのは、
レーザビームをその断面形状に関して観察した場合に、
一定のエネルギー値が持続する台形状波形のことであ
る。この場合、整形光学系42としてシリンドリカルレ
ンズを用いることにより、ビームプロファイルを持つ断
面円形状のレーザビームを、図10(b)に示すような
線状の断面形状を持つ線状ビームに整形することができ
る。シリンドリカルレンズによれば、線状ビームのサイ
ズを、幅1/10(mm)〜数(mm)、長さ数(c
m)に整形することができる。一方、シリンドリカルレ
ンズに代えて、フライアイレンズを用いることにより、
図10(c)に示すような矩形の断面形状を持つ矩形状
ビームに整形することができる。この場合、ビームサイ
ズは、一辺が数(mm)程度である。
【0032】図8(a)は線状に整形されたレーザ光の
断面形状を示し、その長手方向のサイズは、図8(b)
に示すマスク41の縦幅方向のサイズよりやや大きくな
るようにされる。以下では、線状のレーザビームにより
穴あけ加工を行う場合について説明する。
断面形状を示し、その長手方向のサイズは、図8(b)
に示すマスク41の縦幅方向のサイズよりやや大きくな
るようにされる。以下では、線状のレーザビームにより
穴あけ加工を行う場合について説明する。
【0033】ポリゴンミラー11は、その一面のミラー
毎にマスク41の複数列状の複数の穴41aから成るマ
スクパターン全面をスキャンするように線状のレーザビ
ームを振らせる。この間、ガルバノミラー16は停止状
態におかれている。その結果、プリント配線基板20に
は、マスク41のマスクパターンで規定される複数列状
の複数の穴が図9に破線で示す照射領域に一括して形成
される。
毎にマスク41の複数列状の複数の穴41aから成るマ
スクパターン全面をスキャンするように線状のレーザビ
ームを振らせる。この間、ガルバノミラー16は停止状
態におかれている。その結果、プリント配線基板20に
は、マスク41のマスクパターンで規定される複数列状
の複数の穴が図9に破線で示す照射領域に一括して形成
される。
【0034】ガルバノミラー16は、プリント配線基板
20に対するレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせ
るためのものである。このシフト量は、プリント配線基
板20における1回の照射領域の縦幅方向の寸法以上の
値である。
20に対するレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせ
るためのものである。このシフト量は、プリント配線基
板20における1回の照射領域の縦幅方向の寸法以上の
値である。
【0035】穴あけ加工について説明すると、整形光学
系42からの線状のレーザ光がポリゴンミラー11のあ
る反射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミ
ラーの回転によって振られることによりマスク41の全
面をスキャンする。マスク41の各穴41aを通過した
レーザ光は反射ミラー14、15、固定状態にあるガル
バノミラー16、加工レンズ17を経由してプリント配
線基板20上の所定の照射域に連続して照射される。そ
の結果、マスク41のマスクパターンで規定される複数
の穴20aがプリント配線基板20に一括して形成され
る。
系42からの線状のレーザ光がポリゴンミラー11のあ
る反射ミラーに入射すると、入射レーザ光はこの反射ミ
ラーの回転によって振られることによりマスク41の全
面をスキャンする。マスク41の各穴41aを通過した
レーザ光は反射ミラー14、15、固定状態にあるガル
バノミラー16、加工レンズ17を経由してプリント配
線基板20上の所定の照射域に連続して照射される。そ
の結果、マスク41のマスクパターンで規定される複数
の穴20aがプリント配線基板20に一括して形成され
る。
【0036】続いて、ガルバノミラー16がわずかに回
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク41全
面をスキャンする。そして、マスク41の各穴41aを
通過したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミ
ラー16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板
20上の次の照射域に連続して照射される。その結果、
プリント配線基板20上の前回の照射域に隣接した領域
にマスク41のマスクパターンで規定される複数の穴2
0aが形成される。以下、上記の動作を繰り返すことに
より、プリント配線基板20には、図9に示されるよう
に、マスク41のマスクパターンで規定される複数列の
穴20aが連続して形成される。
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク41全
面をスキャンする。そして、マスク41の各穴41aを
通過したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミ
ラー16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板
20上の次の照射域に連続して照射される。その結果、
プリント配線基板20上の前回の照射域に隣接した領域
にマスク41のマスクパターンで規定される複数の穴2
0aが形成される。以下、上記の動作を繰り返すことに
より、プリント配線基板20には、図9に示されるよう
に、マスク41のマスクパターンで規定される複数列の
穴20aが連続して形成される。
【0037】次に、線状のレーザ光に代えて、矩形状の
レーザ光を用いて穴あけ加工を行う場合について説明す
る。この場合のレーザ穴あけ加工装置は、矩形状のレー
ザ光の断面サイズが一辺数mmと小さいので、マスクの
サイズもこれに合わせて小さくする。
レーザ光を用いて穴あけ加工を行う場合について説明す
る。この場合のレーザ穴あけ加工装置は、矩形状のレー
ザ光の断面サイズが一辺数mmと小さいので、マスクの
サイズもこれに合わせて小さくする。
【0038】例えば、加工領域21のサイズが一辺10
mmの正方形であり、矩形状のレーザ光の断面サイズが
一辺5mmの正方形である場合、図11(a)に示すよ
うに、マスク41´のサイズを5mm×10mmとし、
図11(b)に示すように、加工領域21は2つの領域
21−1、21−2に等分される。そして、最初に領域
21−1に矩形状のレーザ光が照射されて、領域21−
1に一括してマスク41´のマスクパターンで決まる数
の穴あけが行われる。次に、ガルバノミラー16により
矩形状のレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせて領
域21−2に対する穴あけが行われる。
mmの正方形であり、矩形状のレーザ光の断面サイズが
一辺5mmの正方形である場合、図11(a)に示すよ
うに、マスク41´のサイズを5mm×10mmとし、
図11(b)に示すように、加工領域21は2つの領域
21−1、21−2に等分される。そして、最初に領域
21−1に矩形状のレーザ光が照射されて、領域21−
1に一括してマスク41´のマスクパターンで決まる数
の穴あけが行われる。次に、ガルバノミラー16により
矩形状のレーザ光の照射域を一軸方向にシフトさせて領
域21−2に対する穴あけが行われる。
【0039】なお、図2(b)、図8(b)に示したマ
スクパターンは作図上、穴の数を少なくしてあるが、実
際には微小な穴が微小なピッチで多数設けられているも
のである。
スクパターンは作図上、穴の数を少なくしてあるが、実
際には微小な穴が微小なピッチで多数設けられているも
のである。
【0040】ところで、この第3の形態においては、図
9で説明したガルバノミラー16による照射域のシフト
及び図11で説明した照射域のシフトには非常に短い時
間ではあるがある時間を必要とする。これに対し、レー
ザ発振器10の発振は続いているので、上記のシフトの
間に発生されるレーザ光をポリゴンミラー11に入射さ
せると、プリント配線基板20の予期しない領域にマス
ク41、41´のマスクパターンによる複数の穴あけが
行われてしまうおそれがある。
9で説明したガルバノミラー16による照射域のシフト
及び図11で説明した照射域のシフトには非常に短い時
間ではあるがある時間を必要とする。これに対し、レー
ザ発振器10の発振は続いているので、上記のシフトの
間に発生されるレーザ光をポリゴンミラー11に入射さ
せると、プリント配線基板20の予期しない領域にマス
ク41、41´のマスクパターンによる複数の穴あけが
行われてしまうおそれがある。
【0041】マスキング機構43は、これを防ぐための
ものであり、上記のシフトが行われている間、整形光学
系42からのレーザ光をポリゴンミラー11への入射経
路から外すように作用する。マスキング機構43の簡単
な例を言えば、回動可能な反射ミラーとターゲット部材
との組合わせで実現できる。すなわち、反射ミラーは通
常は整形光学系42からのレーザ光をポリゴンミラー1
1に入射させるようにし、上記のシフトの間はわずかに
回動させて整形光学系42からのレーザ光をターゲット
部材に入射させるようにする。このような制御も、図示
しない制御装置により行われる。なお、ターゲット部材
には、レーザ光の入射による発熱を抑制するために水冷
等の冷却手段を組合わせることが必要となる。このよう
なマスキング機構は、図1、図5において説明した第
1、第2の形態でも、シフト時間が無視できない長さで
ある場合には設置される必要がある。
ものであり、上記のシフトが行われている間、整形光学
系42からのレーザ光をポリゴンミラー11への入射経
路から外すように作用する。マスキング機構43の簡単
な例を言えば、回動可能な反射ミラーとターゲット部材
との組合わせで実現できる。すなわち、反射ミラーは通
常は整形光学系42からのレーザ光をポリゴンミラー1
1に入射させるようにし、上記のシフトの間はわずかに
回動させて整形光学系42からのレーザ光をターゲット
部材に入射させるようにする。このような制御も、図示
しない制御装置により行われる。なお、ターゲット部材
には、レーザ光の入射による発熱を抑制するために水冷
等の冷却手段を組合わせることが必要となる。このよう
なマスキング機構は、図1、図5において説明した第
1、第2の形態でも、シフト時間が無視できない長さで
ある場合には設置される必要がある。
【0042】図12、図13を参照して、本発明による
レーザ穴あけ加工装置の第4の実施の形態を、プリント
配線基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明
する。本装置は、図7に示された反射ミラー15をガル
バノミラー16Aに置き換えたものであり、他の構成要
素は図7の形態とまったく同じである。前に述べたよう
に、ガルバノミラー16は、プリント配線基板20に対
するレーザ光の照射域をX軸方向にシフトさせるために
使用されるが、ガルバノミラー16Aは、プリント配線
基板20に対するレーザ光の照射域をY軸方向にシフト
させるために使用される。
レーザ穴あけ加工装置の第4の実施の形態を、プリント
配線基板の樹脂層に穴あけ加工を行う場合について説明
する。本装置は、図7に示された反射ミラー15をガル
バノミラー16Aに置き換えたものであり、他の構成要
素は図7の形態とまったく同じである。前に述べたよう
に、ガルバノミラー16は、プリント配線基板20に対
するレーザ光の照射域をX軸方向にシフトさせるために
使用されるが、ガルバノミラー16Aは、プリント配線
基板20に対するレーザ光の照射域をY軸方向にシフト
させるために使用される。
【0043】線状のレーザ光による穴あけ加工について
説明すると、整形光学系42からの線状のレーザ光がポ
リゴンミラー11のある反射ミラーに入射すると、入射
レーザ光はこの反射ミラーの回転によって振られること
によりマスク41の全面をスキャンする。マスク41の
各穴41aを通過したレーザ光は反射ミラー14、1
5、固定状態にあるガルバノミラー16、加工レンズ1
7を経由してプリント配線基板20上の所定の照射域2
0Aに連続して照射される。その結果、マスク41のマ
スクパターンで規定される複数の穴20aがプリント配
線基板20に一括して形成される。
説明すると、整形光学系42からの線状のレーザ光がポ
リゴンミラー11のある反射ミラーに入射すると、入射
レーザ光はこの反射ミラーの回転によって振られること
によりマスク41の全面をスキャンする。マスク41の
各穴41aを通過したレーザ光は反射ミラー14、1
5、固定状態にあるガルバノミラー16、加工レンズ1
7を経由してプリント配線基板20上の所定の照射域2
0Aに連続して照射される。その結果、マスク41のマ
スクパターンで規定される複数の穴20aがプリント配
線基板20に一括して形成される。
【0044】続いて、ガルバノミラー16がわずかに回
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク41全
面をスキャンする。そして、マスク41の各穴41aを
通過したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミ
ラー16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板
20上の次の照射域20Bに連続して照射される。その
結果、プリント配線基板20上の前回の照射域20Aに
隣接した領域20Bにマスク41のマスクパターンで規
定される複数の穴20aが形成される。このX軸方向に
関する加工領域の範囲XL は、加工レンズ17の大きさ
で決まる。
動し、レーザ光の照射域のシフトが行われる。その結
果、ポリゴンミラー11の次の反射ミラーに入射したレ
ーザ光が前述同様に振られることにより、マスク41全
面をスキャンする。そして、マスク41の各穴41aを
通過したレーザ光は反射ミラー14、15、ガルバノミ
ラー16、加工レンズ17を経由してプリント配線基板
20上の次の照射域20Bに連続して照射される。その
結果、プリント配線基板20上の前回の照射域20Aに
隣接した領域20Bにマスク41のマスクパターンで規
定される複数の穴20aが形成される。このX軸方向に
関する加工領域の範囲XL は、加工レンズ17の大きさ
で決まる。
【0045】次に、ガルバノミラー16Aがわずかに回
動して、レーザ光の照射域がY軸方向にシフトされる。
このシフト量は、レーザ光の照射域の幅方向の寸法分で
ある。この後、上記と同様の動作を繰り返すが、ガルバ
ノミラー16によるレーザ光の照射域のシフト方向は、
上記の動作とは逆方向となる。これは、ガルバノミラー
16の回動を、上記の場合とは反対方向、すなわち上記
の動作によりある角度だけ回動したものを戻す方向に行
うことを意味する。勿論、Y軸方向に関する加工領域の
範囲も加工レンズ17の大きさにより決まる。
動して、レーザ光の照射域がY軸方向にシフトされる。
このシフト量は、レーザ光の照射域の幅方向の寸法分で
ある。この後、上記と同様の動作を繰り返すが、ガルバ
ノミラー16によるレーザ光の照射域のシフト方向は、
上記の動作とは逆方向となる。これは、ガルバノミラー
16の回動を、上記の場合とは反対方向、すなわち上記
の動作によりある角度だけ回動したものを戻す方向に行
うことを意味する。勿論、Y軸方向に関する加工領域の
範囲も加工レンズ17の大きさにより決まる。
【0046】このように、Y軸方向へのシフト用のガル
バノミラー16Aを備えることにより、プリント配線基
板20には、図13に示されるように、マスク41のマ
スクパターンで規定される複数列の穴20aが、互いに
隣接した複数の領域に連続して形成される。
バノミラー16Aを備えることにより、プリント配線基
板20には、図13に示されるように、マスク41のマ
スクパターンで規定される複数列の穴20aが、互いに
隣接した複数の領域に連続して形成される。
【0047】なお、この第4の実施の形態においては、
矩形状のレーザ光を使用して穴あけを行う場合、各照射
域20A、20B、20Cに対する穴あけ加工が図11
で説明した方法と同様の方法で行われる。マスキング機
構43は、第3の実施の形態で説明した動作と同様に動
作する。
矩形状のレーザ光を使用して穴あけを行う場合、各照射
域20A、20B、20Cに対する穴あけ加工が図11
で説明した方法と同様の方法で行われる。マスキング機
構43は、第3の実施の形態で説明した動作と同様に動
作する。
【0048】レーザ発振器10としては、YAGレーザ
発振器、CO2 レーザ発振器、その第2高調波(2
ω)、第3高調波(3ω)、第4高調波(4ω)を用い
たり、更にはエキシマレーザ発振器を用いることができ
る。また、被加工部材はプリント配線基板のような樹脂
材料に限らず、セラミックのような基板材料にも穴あけ
加工を行うことができる。
発振器、CO2 レーザ発振器、その第2高調波(2
ω)、第3高調波(3ω)、第4高調波(4ω)を用い
たり、更にはエキシマレーザ発振器を用いることができ
る。また、被加工部材はプリント配線基板のような樹脂
材料に限らず、セラミックのような基板材料にも穴あけ
加工を行うことができる。
【0049】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、これまでのレーザ穴あけ加工装置に比べて短い時間
で多数の穴あけ加工を行うことのできるレーザ穴あけ加
工方法及び加工装置を提供することができる。
ば、これまでのレーザ穴あけ加工装置に比べて短い時間
で多数の穴あけ加工を行うことのできるレーザ穴あけ加
工方法及び加工装置を提供することができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態によるレーザ穴あけ
加工装置の構成を示した図である。
加工装置の構成を示した図である。
【図2】図1の加工装置に使用されるレーザ光の断面形
状及びマスクのマスクパターンの一例を示した図であ
る。
状及びマスクのマスクパターンの一例を示した図であ
る。
【図3】図1の加工装置により形成される加工パターン
の一例を示した図である。
の一例を示した図である。
【図4】本発明による加工装置の加工対象となる多面取
り用のプリント配線基板の一例を示した図である。
り用のプリント配線基板の一例を示した図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態によるレーザ穴あけ
加工装置の構成を示した図である。
加工装置の構成を示した図である。
【図6】図5の加工装置により形成される加工パターン
の一例を示した図である。
の一例を示した図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態によるレーザ穴あけ
加工装置の構成を示した図である。
加工装置の構成を示した図である。
【図8】図7の加工装置に使用されるレーザ光の断面形
状及びマスクのマスクパターンの一例を示した図であ
る。
状及びマスクのマスクパターンの一例を示した図であ
る。
【図9】図7の加工装置により形成される加工パターン
の一例を示した図である。
の一例を示した図である。
【図10】本発明において使用されるレーザ光のビーム
プロファイルと、図7に示された整形光学系によるレー
ザ光の断面形状を示した図である。
プロファイルと、図7に示された整形光学系によるレー
ザ光の断面形状を示した図である。
【図11】図7に示された加工装置において矩形状のレ
ーザ光を用いて加工領域を4つの領域に分割して加工す
る場合の方法を説明するための図である。
ーザ光を用いて加工領域を4つの領域に分割して加工す
る場合の方法を説明するための図である。
【図12】本発明の第4の実施の形態によるレーザ穴あ
け加工装置の構成を示した図である。
け加工装置の構成を示した図である。
【図13】図12の加工装置により形成される加工パタ
ーンの一例を示した図である。
ーンの一例を示した図である。
10 レーザ発振器 11 ポリゴンミラー 12、41 マスク 13 光学レンズ 14、15 反射ミラー 16、16A ガルバノミラー 17 加工レンズ 20 プリント配線基板 21 加工領域 30 テーブル 42 整形光学系 43 マスキング機構
Claims (10)
- 【請求項1】 レーザ発振器からのレーザ光を被加工部
材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工方法におい
て、前記レーザ光を、ポリゴンミラー、加工パターンを
規定する複数の穴をマスクパターンとして持つマスク、
少なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを経由し
て照射するようにし、前記ポリゴンミラーは、前記マス
クの複数の穴をスキャンするように前記レーザ光を振ら
せることにより、前記被加工部材に前記複数の穴が一括
して形成されるようにし、前記少なくとも1つのガルバ
ノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レーザ光
の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴とするレ
ーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のレーザ穴あけ加工方法に
おいて、前記ガルバノミラーを2つ備え、一方のガルバ
ノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光の
照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガルバノミラー
により前記被加工部材に対する前記レーザ光の照射域を
前記一軸方向に直角な方向にシフトさせることを特徴と
するレーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項3】 レーザ発振器からのレーザ光を被加工部
材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工方法におい
て、前記レーザ光を線状あるいは矩形状のレーザビーム
に整形する整形光学系、ポリゴンミラー、加工パターン
を規定する複数の穴をマスクパターンとして持つマス
ク、少なくとも1つのガルバノミラー、加工レンズを経
由して照射するようにし、前記ポリゴンミラーは、前記
マスクの複数の穴をスキャンするように前記レーザ光を
振らせることにより、前記被加工部材に前記複数の穴が
一括して形成されるようにし、前記少なくとも1つのガ
ルバノミラーにより、前記被加工部材に対する前記レー
ザ光の照射域を一軸方向にシフトさせることを特徴とす
るレーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項4】 請求項3記載のレーザ穴あけ加工方法に
おいて、前記ガルバノミラーを2つ備え、一方のガルバ
ノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光の
照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガルバノミラー
により前記被加工部材に対する前記レーザ光の照射域を
前記一軸方向に直角な方向にシフトさせることを特徴と
するレーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項5】 請求項3あるいは4記載のレーザ穴あけ
加工方法において、前記レーザ発振器と前記マスクとの
間の光路にマスキング機構を配置することにより、前記
レーザ光の照射域をシフトさせる間の前記レーザ光の照
射を回避することを特徴とするレーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項6】 レーザ発振器からのレーザ光を被加工部
材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工装置におい
て、 前記レーザ発振器と前記被加工部材との間に、ポリゴン
ミラー、加工パターンを規定する複数の穴をマスクパタ
ーンとして持つマスク、少なくとも1つのガルバノミラ
ー、加工レンズを配置して、前記レーザ発振器からのレ
ーザ光が前記各要素を経由して前記被加工部材に照射さ
れるようにし、 前記ポリゴンミラーは、前記マスクの複数の穴をスキャ
ンするように前記レーザ光を振らせることにより、前記
被加工部材に前記複数の穴が一括して形成されるように
し、 前記少なくとも1つのガルバノミラーにより、前記被加
工部材に対する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフ
トさせることを特徴とするレーザ穴あけ加工装置。 - 【請求項7】 請求項6記載のレーザ穴あけ加工装置に
おいて、前記ガルバノミラーを2つ備え、一方のガルバ
ノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光の
照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガルバノミラー
により前記被加工部材に対する前記レーザ光の照射域を
前記一軸方向に直角な方向にシフトさせることを特徴と
するレーザ穴あけ加工装置。 - 【請求項8】 レーザ発振器からのレーザ光を被加工部
材に照射して穴あけを行うレーザ穴あけ加工装置におい
て、 前記レーザ発振器と前記被加工部材との間に、前記レー
ザ光を線状あるいは矩形状のレーザビームに整形する整
形光学系、ポリゴンミラー、加工パターンを規定する複
数の穴をマスクパターンとして持つマスク、少なくとも
1つのガルバノミラー、加工レンズを配置して、前記レ
ーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を経由して前記
被加工部材に照射されるようにし、 前記ポリゴンミラーは、前記マスクの複数の穴をスキャ
ンするように前記レーザ光を振らせることにより、前記
被加工部材に前記複数の穴が一括して形成されるように
し、 前記少なくとも1つのガルバノミラーにより、前記被加
工部材に対する前記レーザ光の照射域を一軸方向にシフ
トさせることを特徴とするレーザ穴あけ加工装置。 - 【請求項9】 請求項8記載のレーザ穴あけ加工装置に
おいて、前記ガルバノミラーを2つ備え、一方のガルバ
ノミラーにより前記被加工部材に対する前記レーザ光の
照射域を一軸方向にシフトさせ、他方のガルバノミラー
により前記被加工部材に対する前記レーザ光の照射域を
前記一軸方向に直角な方向にシフトさせることを特徴と
するレーザ穴あけ加工装置。 - 【請求項10】 請求項8あるいは9記載のレーザ穴あ
け加工装置において、前記レーザ発振器と前記マスクと
の間の光路に更に、前記レーザ光の照射域をシフトさせ
る間の前記レーザ光の照射を回避するマスキング機構を
設けたことを特徴とするレーザ穴あけ加工装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28630499A JP2001105164A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | レーザ穴あけ加工方法及び加工装置 |
KR10-2002-7003935A KR100477147B1 (ko) | 1999-10-07 | 2000-10-03 | 레이저천공 가공방법 및 가공장치 |
US10/089,063 US6720524B1 (en) | 1999-10-07 | 2000-10-03 | Method and apparatus for laser drilling |
CNB008139830A CN1170653C (zh) | 1999-10-07 | 2000-10-03 | 激光穿孔加工方法及加工装置 |
PCT/JP2000/006878 WO2001024964A1 (fr) | 1999-10-07 | 2000-10-03 | Procede et appareil pour perçage au laser |
EP00963076A EP1231013A4 (en) | 1999-10-07 | 2000-10-03 | METHOD AND DEVICE FOR LASER DRILLING |
TW089120952A TW460352B (en) | 1999-10-07 | 2000-10-06 | Laser drilling machining method and machining device |
HK03103091A HK1050867A1 (en) | 1999-10-07 | 2003-04-30 | Method and apparatus for laser drilling. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28630499A JP2001105164A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | レーザ穴あけ加工方法及び加工装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001105164A true JP2001105164A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17702657
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP28630499A Pending JP2001105164A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | レーザ穴あけ加工方法及び加工装置 |
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Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP1231013A4 (ja) |
JP (1) | JP2001105164A (ja) |
KR (1) | KR100477147B1 (ja) |
CN (1) | CN1170653C (ja) |
HK (1) | HK1050867A1 (ja) |
TW (1) | TW460352B (ja) |
WO (1) | WO2001024964A1 (ja) |
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KR20030075729A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | (주)삼성종합호스 | 비닐 천공호스, 그리고 상기 비닐 천공호스를 제조하기위한 제조장치 및 제조방법 |
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KR20140133741A (ko) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열전사용 마스크 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치 |
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WO2016002036A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 新日鐵住金株式会社 | レーザ加工装置 |
DE102017218130A1 (de) * | 2017-10-11 | 2019-04-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Stromableiters, Elektrode und Batteriezelle |
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JP2023045543A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | 川崎重工業株式会社 | レーザ加工方法 |
CN114193007A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-03-18 | 武汉元禄光电技术有限公司 | 多头fpc紫外激光钻孔装置及方法 |
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