JP2001100646A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フィールドシーケンシャル方式で駆動する液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフィールドシーケンシャル方式
の液晶表示装置においては、バックライト１００とし
て、有機ＥＬ素子が用いられている。バックライト１０
０は、各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する
有機ＥＬ領域１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂをストライ
プ状に分散して配置したものである。そして、バックラ
イト１００においては、各有機ＥＬ領域１０９ｒ、１０
９ｇ、１０９ｂを各発光色毎に独立して駆動できるよう
になっている。これにより、ＲＧＢの発光色を高速に切
り替えることが可能となり、フィールドシーケンシャル
方式に好適なバックライトとなる。また、該バックライ
トを用いることにより、フィールドシーケンシャル方式
の液晶表示装置の薄型化、消費電力の低減を図ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ素子をバ
ックライトに用いたフィールドシーケンシャル方式で駆
動する液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、フィールドシーケンシャル方式を
用いた液晶表示装置が注目されている。液晶表示装置に
よるフルカラー表示の方式には、空間混合方式と時間差
混合方式があり、後者はフィールドシーケンシャル方式
と呼ばれている。

【０００３】空間混合方式は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の波長領域の光を重ねる加法混色を基本原理と
し、ＬＣＤにおいて、Ｒ・Ｇ・Ｂにそれぞれ光る画素を
近接して配置するとともに、各画素の輝度を変えること
により、これらの色を任意に混色して、任意の色光を得
るものである。また、空間混合方式によるＬＣＤにおい
ては、一般的にカラーフィルターが用いられている。

【０００４】対して、フィールドシーケンシャル方式と
は、「時分割」による混色を利用したカラー表示方式で
ある。すなわち、二色以上の光を継続的に切り替えて発
光させ、かつ、その切り替えの速さを人間の目の時間的
分解能を越えた速さとした場合に、人間が上述の二色以
上の色を混色して認識することを応用した方式である。

【０００５】フィールドシーケンシャル方式のフルカラ
ーＬＣＤにおいては、動画表示における各フィールド毎
に、それぞれ、バックライトをＲ・Ｇ・Ｂの三つの発光
色のうちの一つの発光色で発光可能とするとともに、各
フィールドごとに継続的にＲ・Ｇ・Ｂの発光色を切り替
えて（時分割して）発光させ、その切り替えの速さを充
分に速くすることにより任意の色光を得るようになって
いる。すなわち、フィールドシーケンシャル方式のフル
カラーＬＣＤにおいては、例えば、カラーの各フィール
ドを、それぞれ、あらかじめ、Ｒのフィールドと、Ｇの
フィールドと、Ｂのフィールドとに分光した状態に分
け、一つのカラーのフィールドを表示する際に、上述の
ＲＧＢの各フィールドを順番に時間差を付けてＬＣＤに
表示するとともに、Ｒのフィールドを表示する際には、
バックライトの発光を赤（Ｒ）とし、Ｂのフィールドを
表示する際には、バックライトの発光を青（Ｂ）とし、
Ｇのフィールドを表示する際には、バックライトの発光
を緑（Ｇ）としている。そして、上記ＬＣＤにおいて
は、上述のように時分割された三色のフィールドからな
るカラーの各フィールドを、三つの発光色を切り替えな
がら連続して表示することにより、カラーの動画を表示
できるようにしている。

【０００６】また、フィールドシーケンシャル方式以外
のフルカラーＬＣＤにおいては、一般的にカラーフィル
タが用いられる。しかし、カラーフィルターを導入する
と、バックライトからの光がカラーフィルターで大幅に
吸収されてしまう。カラーフィルターを要しないフィー
ルドシーケンシャル方式では、カラーフィルターに吸収
される分の光の損失にかける電力消費を抑えることがで
き、従来のＬＣＤと比較して低消費電力化が可能であ
る。さらに、カラーフィルターは、カラー液晶表示パネ
ルの部材費の中でも高価であり、カラーフィルタを無く
すことで大幅なコストダウンが図れる。

【０００７】なお、フィールドシーケンシャル方式で
は、各フィールドを、各々Ｒ・Ｇ・Ｂに充分に速く切り
替えて発光させる必要があるために、ＬＣＤを構成する
バックライトと液晶表示パネルともに、従来のＬＣＤの
ものと比較して、高速応答可能である必要がある。すな
わち、色の切り替えによる画像のちらつき（フリッカ）
が生じないようにするためには、フィールドを約１／６
０秒以下で切り替える必要があると言われている。従っ
て、１フィールドあたり１色の表示を行うのに、約１／
１８０秒以下、すなわち６ミリ秒以下で切り替える必要
がある。さらに、このフィールド内で、画像の書き込み
と液晶の応答、バックライトの点灯を行う必要があり、
液晶表示パネルには、さらに高速に駆動することが要求
される。従って、液晶表示パネルとしては、高速応答可
能な点から、強誘電液晶や反強誘電液晶が有利であると
言われている。ネマチック液晶の中では、ＴＮ液晶に対
して１０倍の応答速度を持つＯＣＢ液晶も提案されてい
る。以上のように、液晶表示パネルにおいては、高速応
答可能な液晶表示パネルの開発が進められている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、フィールド
シーケンシャル方式のバックライトについては、従来の
バックライトに使用されている冷陰極管やＬＥＤを用い
ることが考えられる。冷陰極管については、従来、ちら
つきのない白色光を得るために、残光時間の長いものが
要求されていたが、フィールドシーケンシャル方式に十
分に対応可能な高速駆動のためにはむしろ、残光時間が
短いものが要求されるという課題がある。また、ＬＥＤ
については、近年では、青色発光ＬＥＤが量産されてお
り、ＲＧＢ３色のバックライトが製造可能であると考え
られているが、フィールドシーケンシャル用のバックラ
イトとしては、未だ実用化には至っていない。

【０００９】一方、ＬＣＤの主な用途の一つとしては、
携帯可能な小型軽量の電子機器のディスプレイとして用
いられることが上げられる。この場合に、電子機器の小
型化を図るためのバックライトの薄型化と、携帯時に電
池駆動された場合の駆動時間の長期化を図るためのバッ
クライトの消費電力の低減とが望まれることになる。

【００１０】従って、フィールドシーケンシャル方式の
ＬＣＤに用いられるバックライトとしては、フィールド
シーケンシャル方式に十分に対応可能な高速応答性と、
薄くできる構造と、低い消費電力で駆動可能なこととが
要求されるが、これらの条件を満たすバックライトを備
えたフィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置は未
だ得られていない。

【００１１】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、バックライトとして、ＲＧＢの各色の発光を高速
で切り替えることが可能で、かつ、薄く、消費電力が小
さい有機ＥＬ素子を用いたフィールドシーケンシャル方
式の液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式で駆動
される液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面側に
設けられたバックライトとを備えた液晶表示装置であっ
て、上記バックライトにおいては、異なる色に発光する
二種以上の有機ＥＬ領域が、各種類毎に分散するように
透明基板上に配置され、かつ、順次異なる色に発光可能
となっていることを特徴とする。

【００１３】上記構成によれば、上記液晶表示パネルの
背面部に設けられた上記バックライトにおいて、異なる
色に発光する二種以上の有機ＥＬ領域を、発光色の異な
る有機ＥＬ領域が互いに分散して配置され（例えば、交
互に配置され）、かつ、発光色の異なる有機ＥＬ領域が
互いに独立してオンオフ可能となっていれば、異なる発
光色のほぼ面状の発光を切り替えて表示することができ
る。

【００１４】例えば、単独でＲ・Ｇ・Ｂに各々発光する
有機ＥＬ領域を設け、有機ＥＬ領域を発光させるために
電流を供給するための電極を、最低限Ｒ・Ｇ・Ｂごとに
分けて電力を供給できるような構成とするなどして、一
色ずつ個別に発光できるようにすれば、バックライトに
おいて、Ｒ・Ｇ・Ｂの三つの発光色を切り替えて、一様
な面状発光を行なうことができる。

【００１５】ここで、有機ＥＬ素子は、その静電容量が
極めて小さく、高速でスイッチングすることが可能であ
る。従って、高速にＲＧＢの各色の発光を切り替えるこ
とができるので、残光性を有する蛍光材を用いていた蛍
光管に比較して、フィールドシーケンシャル方式で駆動
される液晶表示装置に最適な極めて薄いバックライトと
して機能する。

【００１６】さらに、上記バックライトからの発光が、
フィールドシーケンシャル方式で駆動される液晶表示パ
ネルに導かれることにより、本発明のフルカラー液晶表
示装置が機能する。またここで、液晶表示パネルとして
は、周知の高速応答可能な液晶表示パネルを用いること
が好ましい。例えば、強誘電液晶や反強誘電液晶により
構成されるものなどを用いても良い。

【００１７】本発明の請求項２記載の液晶表示装置は、
請求項１記載の液晶表示装置において、上記バックライ
トの上記有機ＥＬ領域はストライプ状に形成され、上記
有機ＥＬ領域が、有機ＥＬ層と該有機ＥＬ層を挟み込む
ように配置されたアノードとカソードとを備え、上記透
明基板上の各有機ＥＬ領域の上記有機ＥＬ層同士の間
に、各有機ＥＬ層を分離する隔壁部がストライプ状の上
記有機ＥＬ領域に沿って形成され、これら隔壁部同士の
間に有機ＥＬ層の材料が注入されることにより、ストラ
イプ状に有機ＥＬ層が形成されていることを特徴とす
る。

【００１８】上記構成によれば、ストライプ状に配置し
ているので、各有機ＥＬ領域は、ほぼ線状（帯状）とな
る。そして、各有機ＥＬ領域が発光した場合に、各有機
ＥＬ領域がほぼ線状光源となり、各有機ＥＬ領域から離
れるに従って光が帯状に広がり、近傍にストライプ状に
配置された他の有機ＥＬ領域から広がる発光と重なるこ
とになる。また上記透明基板上の各有機ＥＬ領域の上記
有機ＥＬ層同士の間に各有機ＥＬ層を分離する隔壁部
が、ストライプ状の上記有機ＥＬ領域に沿って形成され
ているので、有機ＥＬ層、アノード及びカソードの形成
時に、上記隔壁部を利用することができる。例えば、隔
壁部同士の間に有機ＥＬ層の液状の材料を注入するよう
にすれば、容易にストライプ状の発光層を形成すること
ができる。また、隔壁部を形成した後に、隔壁部より薄
いカソードを、隔壁部が形成された透明基板上に面状に
形成した場合に、隔壁部の厚みによる段差で、カソード
が隔壁部で断線した状態となり、カソードを面状に形成
するものとしても、カソードを各有機ＥＬ領域毎に独立
した電極とすることができる。ところで上記の通り、フ
ィールドシーケンシャル方式で駆動される液晶表示装置
のバックライトとして用いるためには、例えば、ＲＧＢ
のそれぞれの色に順次切り替えて発光可能とする必要が
ある。そのためには、各発光色の有機ＥＬ領域毎に独立
して電圧を印加できる構成とする必要があるが、各有機
ＥＬ領域をストライプ状に配置することにより、他の構
成（各有機ＥＬ領域をモザイク状に配置したり、各有機
ＥＬ領域を小さな面状として細かく分散して配置した場
合など）に比較して、ＲＧＢ各色の有機ＥＬ領域毎に電
力を供給するための引き出し線等を最小限にして極めて
簡単に、ＲＧＢ各色の有機ＥＬ領域毎に独立して電圧を
印加できる構成とすることができる。また同時に、各有
機ＥＬ領域をストライプ状に配置することにより、その
製造についても他の方法と比較して容易に行うことがで
きる。

【００１９】そして、有機ＥＬ層やカソードは、隔壁部
のパターン形成の精度に基づいてパターニングされた状
態となり、ストライプ状に形成された有機ＥＬ領域同士
の間隔（ピッチ）を狭くすることが可能となる。そし
て、ストライプ状の光源から面状の発光を得る際に、視
認距離に対して十分にストライプ状の光源同士の距離が
近い必要がある。言い換えれば、液晶表示パネルとスト
ライプ状の光源との間に配置される透明基板を薄くする
には、ストライプ状の光源同士の距離が十分に近い必要
がある。従って、バックライトを薄くするためには、ス
トライプ状に形成された有機ＥＬ領域同士のピッチを狭
くする必要があり、逆に言えば、ストライプ状に形成さ
れた有機ＥＬ領域同士のピッチを狭くすることにより、
さらにバックライトを薄くすることが可能となる。

【００２０】なお、隔壁部は、例えば、周知の感光樹脂
からなるものであり、フォトリソグラフィによりパター
ン形成可能なものであることが好ましい。また、隔壁部
は、絶縁性であることが好ましい。また、隔壁部の厚さ
は、上述のように隔壁部同士の間に有機ＥＬ層の液状の
材料を注入したり、カソードを断線させたりする上にお
いて、５μｍ以上あることが好ましい。また、隔壁部
は、基本的にストライプ状の有機ＥＬ領域同士の間に、
ストライプ状の有機ＥＬ領域に沿って、それぞれ形成さ
れるので、隔壁部も基本的にストライプ状に形成される
ことになる。

【００２１】また、隔壁部によって、各有機ＥＬ領域を
確実に分離する上では、隔壁部が有機ＥＬ領域の周囲を
囲むように形成されることが好ましく、例えば、面状の
隔壁部内に、各有機ＥＬ領域となる開口部がストライプ
状に形成されていることが好ましい。なお、このように
面状の隔壁部内にストライプ状の開口部が形成される構
成とした場合も、有機ＥＬ領域に対応する部分だけをみ
れば、隔壁部はストライプ状となり、各有機ＥＬ領域同
士の間に、それぞれ、有機ＥＬ領域に沿って形成された
状態になる。また、隔壁部は、場合によっては、面状の
隔壁部内にストライプ状に多数の開口部を形成した状態
ではなく、各開口部の一端が解放された状態、すなわ
ち、櫛歯状の状態としても良い。なお、各発光色の有機
ＥＬ層をストライプ状に配置するに際しては、液晶表示
装置の液晶表示パネルには、バックライトからの一様な
ＲＧＢの光が導かれることが好ましいために、各ＲＧＢ
に発光する有機ＥＬ領域毎で、一種類毎の有機ＥＬ領域
の分布がほぼ同じ状態となっていることが好ましい。す
なわち、同じ種類の有機ＥＬ層は、ほぼ一定の間隔で配
置されていることが好ましく、各種類の有機ＥＬ層を一
つずつ含む一組の有機ＥＬ層が多数組ストライプ状に配
置されていることが好ましい。また、より一様なＲＧＢ
の発光を得るためには、同じ色に発光する各ストライプ
（同じ色に発光する各有機ＥＬ領域）間の距離が、視認
する距離（バックライトとして使用する場合に、照らす
液晶表示パネルまでの距離）に対して充分に狭いことが
望ましい。また、各有機ＥＬ領域は、基本的にアノード
とカソードと有機ＥＬ層とを含むものであるが、上記有
機ＥＬ領域となる部分が各々線状に発光するようになっ
ていれば、アノード、カソード、有機ＥＬ層の全てがス
トライプ状になっている必要はなく、アノード、カソー
ドの少なくともいずれか一つが面状に形成されるととも
に、複数の有機ＥＬ領域に跨って形成されていても良
い。

【００２２】本発明の請求項３記載の液晶表示装置は、
請求項１または２記載の液晶表示装置において、上記ガ
ラス基板上に、上記アノードが透明な共通電極として各
有機ＥＬ領域に渡って面状に形成され、上記アノード上
に、ストライプ状の上記有機ＥＬ層が形成されるととも
に、有機ＥＬ層同士の間に、上記アノードより低抵抗な
低抵抗配線が形成され、かつ、該低抵抗配線上に、該低
抵抗配線を覆うとともに、各有機ＥＬ層同士を分離する
隔壁部が形成され、上記有機ＥＬ層上に、上記カソード
が各有機ＥＬ領域毎もしくは同じ種類の有機ＥＬ領域毎
に独立した電極として形成されていることを特徴とす
る。

【００２３】上記構成によれば、有機ＥＬ層同士の間
に、上記アノードより低抵抗な低抵抗配線が形成されて
いるため、アノード電極全体としてシート抵抗が下が
り、均一な輝度の面状発光を得ることができる。また、
有機ＥＬ層がストライプ状に配置されていることによ
り、有機ＥＬ層同士の間に間隙があり、この発光領域以
外である間隙に低抵抗配線が形成されているため、有機
ＥＬ層の発光波長領域に対し不透明であっても高輝度で
発光することができる。なお、透明電極ではなく、低抵
抗配線が電源に接続され、低抵抗配線から透明電極に電
流が流れるようになっていることが好ましい。また、ガ
ラス基板上にＩＴＯにより配線を形成するよりも、ＩＴ
Ｏより抵抗値が低い低抵抗配線で上記配線を行うことに
より、消費電力の低減を図ることができる。

【００２４】また、本発明では、上記ガラス基板上に、
上記アノードが透明な共通電極として各有機ＥＬ領域に
渡って面状に形成され、上記アノード上の有機ＥＬ層同
士の間に、上記アノードより低抵抗な低抵抗配線が形成
されている。このため、低抵抗配線と上記アノードとが
確実に短絡した状態となる。また、上記アノード上の有
機ＥＬ層同士の間に、上記アノードより低抵抗な低抵抗
配線が形成されており、低抵抗配線と有機ＥＬ層とが互
いに離間して形成されているため、有機ＥＬ層へのキャ
リアの注入は上記アノードから行われる。このため、発
光する領域は上記アノードと重なる領域になり、低抵抗
配線が不透明であっても、低抵抗配線が有機ＥＬ層の光
の放射を妨げることなく、低抵抗配線によりバックライ
トの輝度が低下するのを防止することができる。

【００２５】すなわち、アノードとして一般的に用いら
れるＩＴＯは、電極としては高い抵抗を有し、例えば、
電源の接続部分から長い距離に渡って形成されている
と、ＩＴＯの抵抗により電源の接続部分から離れるに従
って有機ＥＬ層に流される電流が低下し、これにより輝
度も低下することになるが、上述のように低抵抗配線を
用いることで、このような事態を防止することができ
る。また、上記アノード上に低抵抗配線と有機ＥＬ層と
が互いに離間して形成され、かつ、低抵抗配線が各有機
ＥＬ層に沿って形成される場合には、低抵抗配線は、少
なくとも各有機ＥＬ層同士の間にそれぞれ形成されるこ
とになる。また、有機ＥＬ層が上記アノード全体を覆っ
た状態になっている場合には、低抵抗配線を形成する場
所がなくなってしまうので、上記アノードが有機ＥＬ層
の周囲にはみ出した状態に形成されている必要があり、
上記アノードが各有機ＥＬ層に渡って面状に形成され
て、各有機ＥＬ層で共通な共通電極となっていることが
好ましい。

【００２６】請求項４の液晶表示装置は、請求項１記載
の液晶表示装置において、上記有機ＥＬ領域が、有機Ｅ
Ｌ層と該有機ＥＬ層に電流を流すための第１電極及び第
２電極とを備え、上記有機ＥＬ層は、その電荷輸送領域
の一部が、透明基板上に設けられた上記第１電極に重な
って形成されるとともに、電荷輸送領域の他部が上記第
１電極と重ならないように形成されていることを特徴と
する。

【００２７】上記構成によれば、電荷輸送領域の他部を
介し発光された光は第１電極を介することなく出射する
ことができるので、光の吸収損失が少ないため低い消費
電力で高輝度に発光することができる。すなわち、基本
的に有機ＥＬ層は、アノード（例えば、第一電極）とカ
ソード（例えば、第二電極）とに挟まれた状態で電圧を
印加されて電流を流されることになり、二つの電極に挟
まれた状態の有機ＥＬ層から光を取出すには、例えば、
アノードを透明電極とする必要がある。しかし、透明電
極も光をある程度吸収するので、上記第一電極を例えば
透明電極とした場合には、電荷輸送領域の他部を介し発
光された光は第１電極を介することなく出射することが
できるので輝度の向上を図ることができる。また、この
場合に第一電極が透明電極でなくとも、有機ＥＬ層の光
を上記電荷輸送領域の他部から出射することが可能とな
り、透明電極を使用せずに発光を行なうことが可能とな
る。そして、例えば、アノード（ここでは第一電極）が
ストライプ状の上記有機ＥＬ層に電荷を印加できるよう
に、ストライプ状の各有機ＥＬ層のそれぞれの一部（例
えば、側縁部）に重なって形成されるとともに、上記ア
ノードが各有機ＥＬ層のそれぞれの上記一部を除く部分
（長さ方向に沿った中心部）に重ならないように形成さ
れるものとすれば、背面電極との関係において、有機Ｅ
Ｌ層のアノードと背面電極との間の電流の通り道となる
部分で、アノードと重なっていない部分からは、アノー
ドを通過せずに光が透明基板に入射されることになる。
従って、第一電極を不透明なものとしても、有機ＥＬ層
の発光を外部に取り出すことができる。そして、第一電
極を不透明なものとすれば、第一電極として使用可能な
導電材の選択肢が広がり、例えば、金属（合金を含む）
を使用することができる。そして、第一電極として金属
やその他のＩＴＯより抵抗率が低い導電材を使用すれ
ば、ＩＴＯを使用した場合に比較して、第一電極全体と
してシート抵抗が下げやすくなり均一な輝度の面発光を
得ることができる。

【００２８】また、第一電極としてＩＴＯではなく、金
属もしくはＩＴＯより低抵抗で柔軟性を有するものを用
いるものとすれば、第一電極がフィルム基板の変形に対
応できるものとなる。例えば、第一電極として金属を用
いれば、ＩＴＯのように脆弱ではなく、ある程度の柔軟
性等を有するので、透明フィルム基板との相性に優れて
おり、透明フィルム基板の可撓性、柔軟性といった特性
を生かした製造方法や使用方法を容易に適用することが
できる。本発明では、上記第一電極が不透明で低抵抗な
導電部材からなっているために、ＩＴＯの抵抗の高さ、
脆性等に基づく問題を解消することができる。そして、
第一電極を脆弱なＩＴＯから金属等の導電材に変更する
ことにより、歩留まりの向上を図ることができる。

【００２９】また、第１電極としてＩＴＯではなく、金
属もしくはＩＴＯより低抵抗で柔軟性を有するものを用
いるものとすれば、第１電極がフィルム基板の変形に対
応できるものとなる。例えば、第１電極として金属を用
いれば、ＩＴＯのように脆弱ではなく、ある程度の柔軟
性等を有するので、透明フィルム基板との相性に優れて
おり、透明フィルム基板の可撓性、柔軟性といった特性
を生かした製造方法や使用方法を容易に適用することが
できる。そして、第１電極を脆弱なＩＴＯから金属等の
導電材に変更することにより、耐久性の向上を図ること
ができる。また、上記構成では、第１電極を金属等の不
透明な導電材とした場合に、有機ＥＬ層と第１電極とが
重なった部分においては、光が透過せず、有機ＥＬ層と
第１電極とが重なっていない部分においては、有機ＥＬ
層の電荷輸送層のシート抵抗が高ければ必ずしもその部
分全体に電流が流れるとは限らない。しかし、有機ＥＬ
層が有機ＥＬ層から露出する部分においては、ＩＴＯの
ように比較的光透過率が悪い部材を通ることなく、光を
放射することができる。これらのことから、第１電極の
形状は、できるだけ発光に寄与する第２電極と平面的に
重ならない状態で、有機ＥＬ層のほぼ全体に電流が流れ
る状態とすることが好ましい。

【００３０】そして、本発明においては、各有機ＥＬ層
が線状に近い帯状にすることができるので、例えば、第
１電極が有機ＥＬ層の長さ方向に沿った側縁部に重なっ
て、有機ＥＬ層の一端部から他端部に渡って形成されて
いれば、有機ＥＬ層と第１電極とが重なる面積を最小限
のものとして、有機ＥＬ層のほぼ全体に電流を流すこと
ができる。従って、このようにすれば、従来のように光
透過率が高くないＩＴＯからなる第１電極を透過させた
場合よりも、輝度の向上を図ることが可能である。な
お、第１電極は、有機ＥＬ層全体になるべく均等に電流
が流れるようにする上では、有機ＥＬ層の左右の両側縁
部と重なるように形成されていることが好ましい。ま
た、第１電極を共通電極とする場合には、櫛歯状やスト
ライプ状の開口部を有する形状とすることが好ましく、
このような構成とすれば、容易に有機ＥＬ層の側縁部に
だけ第１電極が重なった状態とすることができる。

【００３１】また、第１電極と有機ＥＬ層とが重なった
部分の形状は、上述のように有機ＥＬ層の側縁部に第１
電極を重ねるものとすれば、一本もしくは二本の線状
（細い帯状）とすることができる。しかし、第１電極と
有機ＥＬ層とが重なった部分の形状は、必ずしも上述の
ものに限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ層の
周囲全体に第１電極が重なるようにして額縁状とした
り、有機ＥＬ層の一方の側縁部から他方の側縁部に渡る
多数のほぼ線状の第１電極を配置して縞状としたり、上
述の線状と縞状とを合わせて梯子状や櫛歯状としたりし
てもよい、また、第１電極と有機ＥＬ層とが重なる部分
が必ずしも連続していなくとも良い。また、さらに細く
第１電極を形成できるものならば、帯状の有機ＥＬ層内
に、該有機ＥＬ層に沿って線状に第１電極を配置しても
良いし、網目状に配置しても良い。

【００３２】また、有機ＥＬ層の少なくとも１つの電荷
輸送層は、シート抵抗が１０Ω／□以下であることが好
ましく、電荷輸送層が面内で電荷を輸送できる程度にシ
ート抵抗が低いので、有機ＥＬ層を介し第１及び第２電
極を平面的に完全に重ねなくても有機ＥＬ層は、広い面
積で発光することができる。また、背面のリフレクタと
して作用する部分の表面もしくは透明基板の表面に、光
を拡散させる拡散面が形成されていても良く、このよう
にすれば、有機ＥＬ層の発光をより多く透明基板の正面
から出射させることができる。

【００３３】また、第１電極は、その抵抗率が２×１０
^-4Ωｃｍ以下であることが好ましい。このように抵抗率
の低い材料を適用することで第１電極を薄く成膜しても
第１電極のシート抵抗を低くすることができるので、ス
ループットを向上することができる。同様に第１電極を
幅狭にしてもシート抵抗を低くすることができることか
らファインピッチで発光することができるので、上述の
ようにバックライトの薄型化を図ることができる。

【００３４】本発明の請求項５記載の有機ＥＬ装置は、
請求項１記載の液晶表示装置において、上記有機ＥＬ領
域が、透明基板上に形成され、内部に流れる電流に応じ
て発光する光が上記透明基板側に出射する有機ＥＬ層
と、上記有機ＥＬ層上に形成されたアノードと、上記有
機ＥＬ層上に上記アノードと離間して形成されたカソー
ドと、を備えることを特徴とする。

【００３５】上記構成によれば、有機ＥＬ層から発した
光はアノードを介することなく出射することができるの
で、光の損失が少ないため低い消費電力で高輝度に発光
することができる。なお、ここでは、有機ＥＬ層を上下
から挟むようにアノードとカソードが配置されるのでは
なく、透明基板上に形成された有機ＥＬ層の透明基板と
反対側の面にアノードとカソードとが配置されており、
有機ＥＬ層においては、アノードからカソードに有機Ｅ
Ｌ層の面方向に沿って電流が流れることになる。

【００３６】なお、有機ＥＬ層は、少なくとも正孔輸送
層と電子輸送層とを備えるものであり、アノードは正孔
輸送層に接して設けられ、カソードは電子輸送層に接し
て設けられ、正孔輸送層から電子輸送層側に向けて正孔
が移動し、電子輸送層側から正孔輸送層側に向けて電子
が移動する必要がある。従って、有機ＥＬ層の片面側に
アノードとカソードとを設ける場合には、有機ＥＬ層の
片面のアノードが設けられる部分に正孔輸送層が露出
し、カソードが設けられる部分に電子輸送層が露出した
状態となっている必要がある。そして、正孔輸送層と電
子輸送層とは、接しているか、発光層を介して配置され
ている必要がある。

【００３７】例えば、幅の広い正孔輸送層もしくは電子
輸送層上に幅の狭い電子輸送層もしくは正孔輸送層を設
けること、すなわち、幅の広い電荷輸送層の上に幅の狭
い電荷輸送層を設けることにより、有機ＥＬ層の片面側
に幅の広い電荷輸送層のうちの幅の狭い電荷輸送層に重
ならない部分が露出することで、有機ＥＬ層の片面側に
電子輸送層と正孔輸送層とが両方とも露出した状態とす
ることができる。

【００３８】また、このような構成とした場合には、上
述の幅の広い電荷輸送層においては、幅の狭い電荷輸送
層と重ならない部分に例えば第一電極が形成され、幅の
狭い電荷輸送層上にたとえば第二電極が設けられること
になり、幅の広い電荷輸送層においては、第一電極と重
なる部分と幅の狭い電荷輸送層と重なる部分との間で面
方向に電流が流れることになる。従って、幅の広い電荷
輸送層、すなわち、有機ＥＬ層に含まれる複数の有機電
荷輸送層の少なくとも一つの電荷輸送層においては、シ
ート抵抗が低いことが好ましく、例えば、シート抵抗が
１０⁸Ω／□以下であることが好ましい。また、アノー
ドとカソードとは、製造工程を簡略化する上で、同一の
材料からなることが好ましい。また、この際に、アノー
ドとカソードとは、背面電極として光の反射率が高いも
のであることが好ましい。

【００３９】請求項６記載の有機ＥＬ装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、上記有機ＥＬ領域が、透
明基板上に形成されたアノードと、上記アノード上に形
成され、面方向への電荷輸送自在で、かつ、有機ＥＬ層
の一部である第１電荷輸送層と、上記第１電荷輸送層に
形成されるとともに有機ＥＬ層の一部である第２電荷輸
送層と、平面的に上記アノードと重ならないように上記
第２電荷輸送層上に形成されたカソードと、を備えるこ
とを特徴とする。

【００４０】上記有機ＥＬ装置は、第１電荷輸送層面方
向への電荷輸送が自在なのでアノードとカソードとを平
面的に重ねなくても第２電荷輸送層全体に電荷を輸送す
ることができるため、広範囲に発光することができる。
すなわち、請求項５記載の構成では、アノードとカソー
ドを有機ＥＬ層の片面側に設けるものとしたが、この構
成において、有機ＥＬ層の透明基板の反対側に設けられ
ていたアノードを透明基板側の面に設けるものとして
も、請求項５記載の構成とほぼ同様の効果が得られる。

【００４１】すなわち、第１電荷輸送層において面方向
に電流が流れる構成とする場合に、アノードが有機ＥＬ
層のどちらの側面に形成されていても良い。また、アノ
ードは、有機ＥＬ層の発光が射出される透明基板側に設
けられることになる。しかし、上記構成においては、例
えば、第一電荷輸送層の幅が第二電荷輸送層の幅より広
くされ、第二電荷輸送層上にカソードが形成され、第一
電荷輸送層のカソードと上下に重ならない位置、すなわ
ち、第一電荷輸送層のカソードが形成された第二電荷輸
送層と上下にほぼ重ならない位置にアノードが形成され
ることなる。そして、有機ＥＬ層の発光する部分は、基
本的に、正孔輸送層と電子輸送層と（第一電荷輸送層と
第二電荷輸送層と）が上下に重なって配置される部分で
ある。そして、この部分と上下にほぼ重ならないように
アノードが配置されるので、アノードが有機ＥＬ層の透
明基板側にあっても、請求項１〜４の構成と同様にアノ
ードの影響をあまり受けずに有機ＥＬ層の透明基板側か
ら光を出射することができる。従って、アノードは、上
述の各請求項の構成の場合と同様に透明電極である必要
はなく、低抵抗の金属電極等を用いることができる。な
お、第一電荷輸送層は、請求項５記載の構成の場合と同
様にシート抵抗が低いことが好ましい。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の第
一例の液晶表示装置（ＬＣＤと略す場合がある）を図面
を参照して説明する。図１は、液晶表示パネルとバック
ライトとからなるＬＣＤの要部の断面を示すものであ
る。図１に示すように、第一例のＬＣＤは、バックライ
ト１００及び液晶表示パネル２００より構成される。

【００４３】上記、液晶表示パネル２００は、周知のＴ
ＦＴ方式により高速駆動されるフィールドシーケンシャ
ル方式用の液晶表示パネルである。該液晶表示パネルに
おいては、偏光板２０１を外面側に備えた二枚の透明基
板２０２、２０２（例えば、ガラス基板もしくは透明フ
ィルム基板）の間に液晶層２０６が挟まれている。下側
の透明基板２０２上には、画素電極２０４及び、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）２０３が形成されている。これは
ＴＦＴ方式における周知の構成と同様であり、透明基板
２０２上には、マトリクス状にデータ線２１０及び走査
線が配置されており、データ線２１０と走査線の交点
に、ＴＦＴ２０３及び画素電極２０４が配置されてい
る。これらの上方に、配向膜２０５が形成されており、
その上方は高速応答可能な液晶材料よりなる液晶層２０
６が封入されている。液晶層２０６は、上下の配向膜２
０５間に封入されている。また、液晶層２０６内には、
スペーサ２０８が配置されており、端部にはシール２０
９が形成されている。スペーサ２０８、シール２０９、
配向膜２０５により、液晶層２０６を封入する空間が構
成されている。そして、この液晶表示パネル２００に
は、カラーフィルターが設けられていない構成とされて
いる。

【００４４】そして、上記液晶表示パネル２００におい
ては、フィールドシーケンシャル方式によりフルカラー
の画像を表示するので、高速応答可能なものが要求され
るが、この例においては、周知の強誘電性液晶や反強誘
電液晶を用いた高速応答可能な液晶表示パネル２００を
用いるものとする。また、ＯＣＢ液晶を用いるものとし
ても良い。

【００４５】次に、図１、図２及び図３を参照して、本
発明の実施の形態の第一例のＬＣＤのバックライト１０
０の構成を説明する。なお、図２においては、有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）、導電性ペースト
を硬化した導電層１１０、１１０ｒ、１１０ｇ、１１０
ｂを、例えば、斜め格子状の図柄として透けた状態に図
示し、カソード１０４を透けた状態に図示し、図３にお
いては、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）、隔壁レジスト１０８を、例えば、斜め格子状や横
格子状の図柄として透けた状態に図示するとともに、カ
ソード１０４及び導電性層１１０、１１０ｒ、１１０
ｇ、１１０ｂの図示を省略している。そして、図２及び
図３は、同じ第一例のバックライト１００を図示したも
のである。

【００４６】図１、図２及び図３に示すように、第一例
のＬＣＤのバックライト１００は、透明基板１０１（例
えば、ガラス基板もしくは透明フィルム基板）上に、ス
トライプ状（帯状で互いにほぼ平行）にＩＴＯ（透明電
極）からなるアノード１０２及びアノード１０２と電気
的に離間してかつアノード１０２と同じ材料でなるカソ
ード端子１１１が形成され、透明基板１０１上及びアノ
ード１０２上に、アノード１０２の中央が開口されてい
る開口部１０８ａを備えた絶縁材料からなる隔壁レジス
ト１０８が形成されている。このアノード１０２に沿っ
た開口部１０８ａにより露出されたアノード１０２上に
ストライプ状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０
３ｂ）が形成され、それらの上に、隔壁レジスト１０８
上、並びに周縁の透明基板１０１上に渡って、周知の低
仕事関数の材料からなる背面電極であるカソード１０４
が、それぞれの段差に応じて堆積されている。そして、
一つのアノード１０２と該アノード１０２に重なる一つ
の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）と、カ
ソード１０４のうちの一つの上記有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）と重なる部分とから一つの有
機ＥＬ素子として機能する一つの有機ＥＬ領域（１０９
ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が形成されている。これによ
り、図２に示されるバックライト１００には、ストライ
プ状に有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）
が形成されている。なお、図２及び図３は、第一例のバ
ックライト１００の概略を図示したものであり、実際に
は、発光色がそれぞれ赤、緑、青にされた三本の有機Ｅ
Ｌ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互いに平行
に帯状に形成されるとともに、これら三本を一組とする
有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互い
に平行に多数配置されている。

【００４７】各アノード１０２は、各発光色の有機ＥＬ
領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に長さが異な
るようにされており、各アノード１０２のカソード端子
１１１側の他方の端部はその位置が揃えられ、一方の端
部は各発光色毎に異なる位置とされ（同じ発光色のもの
は揃えられ）ている。例えば、発光色が赤の有機ＥＬ領
域１０９ｒのアノード１０２は、一方の端部が短く、発
光色が青の有機ＥＬ領域１０９ｂのアノード１０２は、
一方の端部が長く、発光色が緑の有機ＥＬ領域１０９ｇ
のアノード１０２は、上述の二つのアノード１０２の間
の長さとされている。すなわち、発光色毎にアノード１
０２の一方の端部の位置が変えられるとともに、同じ発
光色のアノード１０２の一方の端子の位置は、アノード
１０２の長さ方向にほぼ直交する直線上にほぼ配置され
るようになっている。そして、全てのアノード１０２の
側方の透明基板１０１上には、有機ＥＬ領域（１０９
ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）の発光色の種類の数（ここで
は３つ）に対応する数のアノード端子１０２ｒ、１０２
ｇ、１０２ｂがＩＴＯから形成されている。

【００４８】上記アノード端子１０２ｒ、１０２ｇ、１
０２ｂは、アノード１０２及びカソード端子１１１を形
成する際に同時に形成されるとともに、その位置が、各
発光色毎のアノード１０２の一方の端部の位置に対応し
ており、同じ発光色に対応するアノード端子１０２ｒ、
１０２ｇ、１０２ｂと、アノード１０２の一方の端部が
アノード１０２の長さ方向にほぼ直交する線上に並んだ
状態となっている。また、隔壁レジスト１０８には、後
述するように、上記各アノード１０２の一方の端部に対
応する位置に、該端部が露出するように開口部１１２ａ
が形成されている。

【００４９】そして、図２に示すように、各導電性層１
１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂが同じ発光色に対応するア
ノード端子１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂと接続される
とともに、開口部１１２ａを介して同じ発光色に対応す
るアノード１０２の一方の端部に接続されるようになっ
ている。すなわち、発光色が赤となる有機ＥＬ領域１０
９ｒの全てのアノード１０２と、発光色が赤用のアノー
ド端子１０２ｒとが導電性層１１０ｒにより短絡させら
れ、発光色が緑となる有機ＥＬ領域１０９ｇの全てのア
ノード１０２と、発光色が緑用のアノード端子１０２ｇ
とが導電性層１１０ｇにより短絡させられ、発光色が青
となる有機ＥＬ領域１０９ｂの全てのアノード１０２
と、発光色が青用のアノード端子１０２ｂとが導電性層
１１０ｂにより短絡させられている。また、各導電性層
１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂは、互いに接触しないよ
うにほぼ平行に配置されている。従って、各アノード端
子１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂ毎に、駆動制御するこ
とができるので、ＲＧＢ各発光色の有機ＥＬ領域（１０
９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎にオンオフしたり、また
各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）毎に輝度を変えることが可能となっている。

【００５０】そして、上記隔壁レジスト１０８は、ここ
では、ＩＴＯからなるアノード１０２及びカソード端子
１１１が形成された透明基板１０１上に形成されるもの
であり、全ての有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０
３ｂ）が配置される部分より広い範囲に渡って形成され
ている。そして、隔壁レジスト１０８には、各有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が形成される部分
に開口部１０８ａが複数、ストライプ状に形成されると
ともに、各アノード１０２の一方の端部に対応する位置
に開口部１１２ａが形成されている。また、隔壁レジス
ト１０８は、例えば、周知の感光性樹脂からなり、フォ
トリソグラフィーによりパターニングされたものであ
る。そして、図１に示す隔壁レジスト１０８は、その厚
みＬ１が例えば、０．０１５ｍｍ（好ましくは、０．０
０５ｍｍ以上）とされている。

【００５１】また、上記カソード１０４は、隔壁レジス
ト１０８とその開口部１０８ａ内に形成された各有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）上に面状に形成
されるているが、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）の厚さとカソード１０４の厚さとの和はいず
れも隔壁レジスト１０８の厚さより薄いため、上記隔壁
レジスト１０８の開口部１０８ａの段差により、各開口
部１０８ａ毎に分離されて互いに絶縁された状態となっ
ている。しかし、第一例では、アノード１０２を各有機
ＥＬ領域１０９毎の独立電極とし、カソード１０４を各
有機ＥＬ領域１０９の全部に渡る共通電極としているの
で、隔壁レジスト１０８の開口部１０８ａの段差より厚
い導電性層１１０により各開口部１０８ａ内のカソード
１０４が互いに接続されて、実質的に同電位になってい
る。そして、透明基板１０１上の有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の他方の端部側で、かつ、該
有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）及びアノ
ード１０２から離間した位置にカソード端子１１１が形
成され、上記導電性層１１０と接続されている。カソー
ド端子１１１は外部回路と接続され、所定の電圧が供給
されている。なお、導電性層１１０は、周知の銀等の導
電性ペーストをコーティングして形成されたものであ
る。

【００５２】また、第一例においては、有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の導電性層１１０と重な
る他方の端部の下にアノード１０２が形成されていない
状態となっている。これは、導電性層１１０をコーティ
ングする際に、その圧力により、有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を挟んで対向配置されるアノ
ード１０２とカソード１０４とが短絡する可能性が僅か
でもあるのを考慮したものであり、歩留まりの向上を図
るために、導電性層１１０が形成される部分に、アノー
ド１０２を設けないものとしたものである。

【００５３】また、第一例のＬＣＤのバックライト１０
０においては、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０
３ｂ）を形成するに当たって、蒸着によりパターニング
した状態で有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）を形成するのではなく、湿式塗布により有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を形成するものとし
ている。そして、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１
０３ｂ）中の発光層に使用される発光材料としては、低
分子系と高分子系とがあり、湿式塗布により有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を形成する上では、
例えば、発光層の材料として高分子系材料が用いられる
ことになる。

【００５４】また、第一例において、有機ＥＬ層（１０
３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）は、高分子導電物からなる
正孔輸送層と、電子輸送層とを有するものとなってい
る。電圧の印加に応じ正孔を輸送する正孔輸送領域であ
る正孔輸送層は、いずれも、例えば、poly(3,4)etylene
dioxythiophene（以下、ＰＥＤＴ）及びpolystyrenesul
phonate（以下、ＰＳＳ）からなる。また、電子輸送層
は、再結合に伴い発光する領域であり、発光色に応じて
置換基が異なるpolyfluoreneまたはpolyfluoreneの誘導
体を有する。

【００５５】また、上述の液晶材料以外に、例えば、上
記高分子系材料としては、ポリビニルカルバゾール、ポ
リパラフェニレン、ポリアリーレンビニレン、ポリチオ
フェン、ポリフルオレン、ポリシラン、ポリアセチレ
ン、ポリアニリン、ポリピリジン、ポリピリジンビニレ
ン、ポリピロールなどが挙げられる。また、高分子材料
としては、上記高分子材料（ポリマー）を形成している
モノマーまたはオリゴマーの重合体や共重合体、或いは
モノマーまたはオリゴマーの誘導物の重合体及び共重合
体と、オキサゾール（オキサンジアゾール、トリアゾー
ル、ジアゾール）又はトリフェニルアミン骨格を有する
モノマーを重合した重合体及び共重合体を挙げることが
できる。また、これらポリマーのモノマーとしては、
熱、圧、ＵＶ、電子線などを与える事で上述の化合物を
形成し得るモノマー及びプレカーサポリマーを含むもの
である。また、これらモノマー間を結合する非共役系ユ
ニットを導入しても構わない。

【００５６】高分子材料の具体的な商品としては、ポリ
ビニルカルバゾール：東京化成、ポリトデシルチオフェ
ン：Rieke社、ポリエチレンジオキシチオフェン、ＰＳ
Ｓ（ポリスチレンスルフォン酸）分散体変性物 cpp１
０５：長瀬産業、ポリ９，９−ジアルキルフルオレン、
ポリ（チエニレン−９，９−ジアルキルフルオレン）、
ポリ（２，５−ジアルキルパラフェニレン−チエニレ
ン）、（ジアルキル：R=C1〜C20）：ＤＯＷケミカル
社、ＰＰＶ；ポリパラフェニレンビニレン、ＭＥＨ−Ｐ
ＰＶ；ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキ
シロキシ）−パラフェニレンビニレン）、ＭＭＰ−ＰＰ
Ｖ；ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル−ペンチ
ロキシ）−パラフェニレンビニレン）、ＰＤＭＰＶ ポ
リ（２，５−ジメチル−パラフェニレンビニレン）、Ｐ
ＴＶ；ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ＰＤＭＯ
ＰＶ；ポリ（２，５−ジメトキシパラフェニレンビニレ
ン）、ＣＮ−ＰＰＶ；ポリ（１，４−パラフェニレンシ
アノビニレン）：ＣＤＴ社などが挙げられる。

【００５７】また、湿式塗布可能な発光層の材料は、高
分子系材料に限られるものではなく、低分子材料をポリ
マー分散して用いるものとしても良い。また、低分子材
料の性質によっては、低分子材料を溶媒に溶かした状態
で湿式塗布して使用するものとしても良い。そして、低
分子材料をポリマー分散する際のポリマーとしては、周
知の汎用ポリマーを含む各種ポリマーを状況に応じて使
用することができる。そして、低分子の発光材料（発光
物質またはドーパント）としては、アントラセン、ナフ
タレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネ
ン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリ
レン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、
ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェ
ニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダ
ジン、ビスベンゾキゾリン、ビススチリル、ピラジン、
オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレ
ン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラ
ン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾ
ールキレート化オキシノイド化合物等、４−ジシアノメ
チレン−４Ｈ−ピラン及び４−ジシアノメチレン−４Ｈ
−チオピラン、ジケトン、クロリン系化合物やこれらの
誘導体が挙げられる。

【００５８】そして、低分子の発光材料となる具体的商
品としては、Ａｌｑ３、キナクリドン：同仁化学研究
所、Ａｌｍｑ３（Ａｌキノリノール錯体の誘導体）：ケ
ミプロ化成クマリン６、ＤＣＭ：アクロス社、ルモゲン
Ｆ：山本通商などが挙げられる。なお、発光材料は、上
述のものに限定されるものではなく、塗布により有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を形成すること
が可能な材料ならば良い。

【００５９】そして、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）の形成においては、透明基板１０１上に
上述のように開口部１０８ａを有する隔壁レジスト１０
８を形成することにより、上記開口部１０８ａの部分が
透明基板１０１上面（実際にはアノード１０２上面）を
底部とする溝状となる。この部分に、例えば、汎用の高
精度ディスペンサにより液状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）の材料を注入するようになってい
る。すなわち、ディスペンサのニードル（針）の先端を
各開口部１０８ａの位置に配置して開口部１０８ａ内に
液状の材料を注入する。注入時の有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料の状態は、それ自体が
溶融していても、溶剤に溶解した状態でも、溶媒内で均
一に分散された状態であってもよい。そして、このとき
に既に重合されていても、重合が開始されていても、重
合がまだ開始されていない状態でもよい。注入された有
機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料は、
後に硬化して有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）となるが、その際にその厚さが硬化前に比べ薄くな
る傾向がある。隔壁レジスト１０８は、十分に有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が発光できる程度
の厚さになるように開口部１０８ａ内に液状の有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料が注入され
ても開口部１０８ａの上からこぼれない程度の厚さに設
定して成膜されている。また、各有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が複数の電荷輸送層で構成さ
れている場合、例えば、全開口部１０８ａに最初に正孔
輸送層となる同じポリマー系材料を注入する。ディスペ
ンサのニードルから注入されたポリマー系材料は、毛細
管現象により隔壁レジスト１０８の開口部１０８ａに沿
って進み均一な厚さに堆積される。通常インクジェット
法で有機ＥＬ材料を吐出してマトリクス状に複数の発光
画素を形成した場合、有機ＥＬ材料がそれほど拡がらな
いため、有機ＥＬの発光最小ピッチは、吐出した有機Ｅ
Ｌ材料の量が小さいほど短くなり、最小吐出量が多いと
発光最小ピッチが長くなり、高精細なピッチの発光領域
が形成できないが、このように、ニードルから注入され
るポリマー系材料を開口部１０８ａに囲まれた細長いス
リット内に吐出すると、開口部１０８ａに沿って延びる
ので吐出量に対し最小発光ピッチをより短くし、均一な
厚さにできるとともに、そのピッチを容易に一定にする
ことができる。次いで、正孔輸送層が硬化した後に、同
様に赤に発光する有機ＥＬ層１０３ｒが形成される開口
部１０８ａと、緑に発光する有機ＥＬ層１０３ｇが形成
される開口部１０８ａと、青に発光する有機ＥＬ層１０
３ｂが形成される開口部１０８ａとに、それぞれ、発光
色に対応する異なる発光層のポリマー系材料（湿式塗布
可能ならば低分子材料でも可）を注入し、各開口部１０
８ａ内にそれぞれ均一な厚さに堆積される。そして、再
び、発光層が硬化した後に、全開口部１０８ａに電子輸
送層となるポリマー系材料を注入して硬化させ、有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を形成するよう
になっている。なお、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）が二層からなる場合には、例えば、正孔
輸送層を形成した後に、発光層を形成せずに、発光色毎
に異なる電子輸送層を形成する。

【００６０】上述のようにすることで、蒸着や、印刷方
式等を用いてストライプ状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）をパターニング形成した場合に比較
して、より細かいパターニングが可能となり（隔壁レジ
スト１０８のフォトリソグラフィーにおけるパターニン
グの精度に基づく）、各帯状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）同士の間隔（ピッチ）を短いもの
とすることができる。なお、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）のピッチを短いものとすることによ
り、視認距離が近くとも、例えば、赤の各有機ＥＬ領域
１０９ｒのみを発光させた場合、赤に発光する各有機Ｅ
Ｌ領域１０９ｒからの光が一様に重なり合い、一様な赤
の面状発光が得られる。従って、バックライト１００の
厚みを極めて薄いものとすることが可能となる。なお、
隔壁レジスト１０８の各開口部１０８ａ毎にディスペン
サーにより有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）の材料を注入する際には、ディスペンサによる最小
吐出精度が数μｌのオーダーとなり、十分に汎用の高精
度ディスペンサーによる塗布量制御が可能である。

【００６１】また、上述のように隔壁レジスト１０８を
使用するものとした場合に、隔壁レジスト１０８上に蓋
となる板体を例えば取り付けた状態もしくは押し付けた
状態とするとともに、該板体等に注入口及び排出口を形
成してもよい。そして、隔壁レジスト１０８の開口部１
０８ａが透明基板１０１と板体とにより上下の開口を閉
塞された状態となることにより、開口部１０８ａを管の
内部状とし、注入口から開口部１０８ａに有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料を注入するも
のとしても良い。このようにすれば、毛細管現象により
容易に開口部１０８ａ内に有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０
３ｇ、１０３ｂ）の材料を注入することができる。

【００６２】そして、図１に示されるバックライト１０
０の製造方法は、上述のように、透明基板１０１上にＩ
ＴＯによりアノード１０２及びカソード端子１１１をフ
ォトリソグラフィーにより短いピッチでパターン形成
し、次いで、隔壁レジスト１０８を形成後、透明基板１
０１上に有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）
を隔壁レジスト１０８の開口部１０８ａ内に形成し、次
いで、カソード１０４を例えば、蒸着成膜するものであ
る。そして、隔壁レジスト１０８の、開口部１０８ａ
に、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材
料を毛管注入する（開口部１０８ａは、溝状であるが、
溝を形成する左右の壁の間には、毛細管現象が作用す
る）。また、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）の注入に際しては、その層別に行なう。例えば、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層の順で、材料の注入、乾
燥（硬化）を繰り返し行なう。また、隔壁レジスト１０
８を設けた場合には、後述するようにカソード１０４が
開口部１０８ａ毎に独立した（絶縁された）状態となる
ので、導電性層１１０により各開口部１０８ａ内のカソ
ード１０４同士とカソード端子１１１とをそれぞれ短絡
する。また、上述の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）の形成方法は、後述する第二例以下の液晶表
示装置におけるバックライトにも適用することができ
る。

【００６３】第一例のＬＣＤにおいては、そのバックラ
イト１００によれば、有機ＥＬ素子により、低消費電力
で高い輝度を実現することができる。また、ＲＧＢに発
光する各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）（有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ））
をストライプ状に形成しているので、各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）をモザイク状に配置
したり、各領域を分散して配置した場合に比較して、各
領域を同じ発光色毎に独立して駆動する構成としても、
容易かつ安価に製造することができる。そして、バック
ライト１００は、透明基板１０１や封止部分等を除く素
子本体の部分が極めて薄く、元々薄型化が可能なもので
あるとともに、上述のように隔壁レジスト１０８を用い
て有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を形成
するものとして、ストライプ状に配置された有機ＥＬ領
域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）のピッチを狭くす
れば、透明基板１０１を薄くしても均一なＲ・Ｇ・Ｂの
面状発光を得られるので、バックライト１００をさらに
薄くすることができる。また、バックライト１００は、
基本的に発光体の電気容量が極めて小さく、高速にスイ
ッチングする事が可能なので（例えば、有機ＥＬ素子は
１００ｎｓｅｃ以下の高速応答が可能なので）、高速に
発光色を変更する必要があるフィールドシーケンシャル
方式で駆動する液晶表示装置のバックライトとして好適
に用いることができる。

【００６４】すなわち、第一例のフィールドシーケンシ
ャル方式のＬＣＤにおいては、そのバックライトがＲＧ
Ｂの発光色を高速に切り替えることができる。従って、
液晶表示パネル２００としてどんなに高速駆動が可能な
ものを用いても、バックライトが十分に液晶表示パネル
２００に追随して発光色を高速に切り替えることができ
る。また、バックライトが、低消費電力でかつ極めて薄
くすることが可能なので、フィールドシーケンシャル方
式のＬＣＤを小型軽量でかつ電池による長時間駆動が可
能なものとすることができる。

【００６５】また、上述のように各有機ＥＬ領域（１０
９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）（有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ））がストライプ状とされているの
で、アノード１０２やカソード１０４をストライプ状に
形成することで、有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、
１０９ｂ）をモザイク状に配置した場合や、有機ＥＬ領
域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）を細かく分散して
配置した場合に比較して、容易にアノード１０２やカソ
ード１０４を有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０
９ｂ）毎に独立したものとすることができる。

【００６６】また、ガラス基板上で同じ発光色の有機Ｅ
Ｌ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）のアノード１
０２が互いに接続されるとともに、同じ発光色用のアノ
ード端子１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂに接続されるこ
とになるので、透明基板１０１の外側で、各発光色毎に
アノード端子１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂを接続する
配線を必要とせず、バックライト１００の構成を簡略化
できる。

【００６７】なお、第一例においては、各発光色の有機
ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）（有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ））の幅をほぼ同じ
ものとして、ＲＧＢ各発光色の有機ＥＬ領域（１０９
ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）の面積をほぼ同じものとした
が、ＲＧＢ各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９
ｇ、１０９ｂ）は、使用される発光材料により、同じ電
力で駆動されてもその輝度が異なるので、各有機ＥＬ領
域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）の発光材料に基づ
く、Ｒ・Ｇ・Ｂ各々の輝度に対応して、各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に幅を変えてその
面積を異なるものとしても良い。

【００６８】また、隔壁レジスト１０８の形状につい
て、第一例においては、開口部１０８ａもストライプ状
に形成されているが、該開口部１０８ａには、それぞ
れ、液晶材料を注入する部分に拡幅部を形成しても良
い。ここで該拡幅部とは、開口部１０８ａの他の箇所に
比較して横方向の幅を広くされた部分である。上記拡幅
部を形成した場合には、ディスペンサーにより有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料を注入する
際に、ディスペンサーのニードルを配置する位置とする
ことができる。そして、上記拡幅部を設けることによ
り、ディスペンサーのニードル先端の位置精度を補償す
ることが可能となる。すなわち、隔壁レジスト１０８の
開口部１０８ａの上記ニードル先端を配置する位置の幅
が広くなっていることにより、ニードル先端をより容易
かつ確実に開口部１０８ａに合わせることができる。

【００６９】また、開口部１０８ａのニードルが配置さ
れる位置の幅を広くすることで、ニードルからの材料吐
出時に材料が開口部１０８ａの外にこぼれるのを防止す
ることができる。従って、開口部１０８ａに上記拡幅部
を設けた場合には、拡幅部を設けない場合と同様の作用
効果を奏することができるとともに、バックライト１０
０の製造において歩留まりの向上を図ることができる。

【００７０】また、上記例のバックライト１００の透明
基板１０１の表面に拡散板を配置しても良い。拡散板
は、基本的に透明で、かつ、表面に細かい多数の凹凸を
有する周知のものである。また、拡散板は、例えば、断
面三角形状の山と谷とが多数連続して配置され、多数の
プリズムが形成された状態となっている。そして、この
ような拡散板においては、様々な角度で透過する光を屈
折させて、前方に向かう光の成分を増加させることが知
られている。そして、例えば、透明基板１０１の表面に
拡散板を貼り付けるとともに、拡散板と透明基板１０１
との間に周知の光学オイルが充填された状態となるよう
にしても良い。なお、光学オイルの屈折率は、透明基板
１０１とほぼ等しいか、透明基板１０１より大きいこと
が好ましい。

【００７１】透明基板１０１の表面に拡散板を配置する
とともに、透明基板１０１と拡散板との間に光学オイル
を充填した場合には、バックライト１００からより多く
の光を取り出すことが可能となる。

【００７２】なお、透明基板１０１の表面に拡散板を貼
り付けるとともに、拡散板と透明基板１０１との間に光
学オイルを充填するものとする他に、例えば、透明基板
１０１の表面を加工して透明基板１０１の表面自体を拡
散面としても良い。また、透明基板１０１側に拡散面を
設けるものとするほかに、例えば、リフレクタとして作
用する背面電極の表面を拡散面としても良い。この場合
にも、バックライト１００からの光の取り出し効率を向
上することができる。

【００７３】次に、図４及び図５を参照して、本発明の
実施の形態の第二例の液晶表示装置を説明する。なお、
第二例の液晶表示装置は、第一例のバックライト１００
の一部の構成を変更したものであり、液晶表示パネル２
００については、第一例と同様のものを用いているため
説明を省略し、ここではバックライト１００Ａの説明を
行う。また、第一例のバックライト１００と同様の構成
要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。ま
た、図４においては有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）、導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂ
を、例えば、斜め格子状の図柄として透けた状態に図示
し、またカソード１０４を透けた状態にし、図５におい
ては有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）、隔
壁レジスト１１４を、例えば、斜め格子状や横格子状の
図柄として透けた状態に図示するとともに、カソード１
０４及び導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂの図示
を省略している。そして、図４及び図５は、同じバック
ライト１００Ａを図示したものである。

【００７４】図４及び図５に示される第二例のバックラ
イト１００Ａは、第一例と同様に、透明基板１０１上
に、アノード１１３、カソード端子１１１、隔壁レジス
ト１１４、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）、カソード１０４が形成されることにより、ストラ
イプ状に複数の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１
０９ｂ）が形成されたものである。そして、図４及び図
５は、第二例のバックライトの概略を図示したものであ
り、実際には、発光色がそれぞれ赤、緑、青にされた三
本の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が
互いに平行に帯状に形成されるとともに、図２に示され
る第一例のバックライト１００と同様に、これら三本を
一組とする有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）が互いに平行に多数配置されている。

【００７５】そして、第一例と、第二例とで異なる点
は、第一例のバックライト１００においては、各有機Ｅ
Ｌ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）のカソード１
０４を一つにまとめて共通電極とし、かつ、アノード１
０２を各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、
１０９ｂ）毎にまとめて、各発光色の有機ＥＬ領域毎に
駆動できるようにしていたのに対して、第二例の有機Ｅ
Ｌ領域においては、アノード１１３を一つにまとめて共
通電極とし、かつ、カソード１０４を各発光色の有機Ｅ
Ｌ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎にまとめ
て、各発光色の有機ＥＬ領域毎に駆動できるようにして
いることである。

【００７６】そして、第二例のバックライトは、上記透
明基板１０１と、該透明基板１０１上にアノード１１３
（アノード端子１１３ａを含む）、カソード配線１１５
ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ及びカソード端子１１６ｒ、１
１６ｇ、１１６ｂがそれぞれＩＴＯから形成されてい
る。アノード１１３は、第一例のように各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に形成されるので
はなく、一つのアノード１１３で全ての有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）に対応するように広
い面状に形成されて、そのまま共通電極となっている。
また、カソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂは、
アノード１１３上にストライプ状に形成される各有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）毎に一つずつ形
成されるようになっている。そして、各カソード配線１
１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂは、アノード１１３から離
れた位置において、対応する各有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）と一列になるようにそれぞれ配置
されている。

【００７７】また、各カソード配線１１５ｒ、１１５
ｇ、１１５ｂは、そのアノード１１３側（有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）側）の端部の位置
が、それぞれ、ストライプ状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）とほぼ直交する方向に沿った一直
線上にほぼ配置されるように揃えられ、他方の端部の位
置が、各色の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）に対応するカソード毎に変えられて異なるものとさ
れている。また、同じ色の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０
３ｇ、１０３ｂ）に対応するカソード配線１１５ｒ、１
１５ｇ、１１５ｂ同士は、一方の端部の位置がストライ
プ状の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）と
ほぼ直交する方向に沿った一直線上にほぼ配置されるよ
うに揃えられている。

【００７８】各カソード端子１１６ｒ、１１６ｇ、１１
６ｂは、透明基板１０１上のカソード配線１１５ｒ、１
１５ｇ、１１５ｂの側方に形成されるとともに、各発光
色に対応するカソード端子１１６ｒ、１１６ｇ、１１６
ｂと各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１
０９ｂ）に対応するカソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、
１１５ｂの一方の端部とがそれぞれ一列に並んだ状態に
配置されている。すなわち、カソード端子１１６ｒ、１
１６ｇ、１１６ｂには、それぞれ赤、緑、青の各発光色
に対応するものが一つずつあり、赤用のカソード端子１
１６ｒと全ての赤用のカソード配線１１５ｒの一方の端
部とが一列に並んで配置され、緑用のカソード端子１１
６ｇと全ての緑用のカソード配線１１５ｇの一方の端部
とが一列に並んで配置され、青用のカソード端子１１６
ｂと全ての青用のカソード配線１１５ｂの一方の端部と
が一列に並んで配置されている。

【００７９】また、透明基板１０１上のアノード１１３
とカソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂとの間に
は、これらを区切るように、発光材料用の塗れ制御層１
１７が形成されている。該塗れ制御層１１７は、第一例
のように隔壁レジスト１１４の開口部１１４ａに有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の液状の材料を
注入した際に、塗れ制御層１１７上に液状の材料が塗れ
ないようにするものであり、一種の撥水材として機能す
るものである。

【００８０】そして、塗れ制御層１１７の材料は、基本
的に表面エネルギーを低くする物質から構成される。そ
して、表面エネルギーを低くする物質としては、例え
ば、長鎖アルキル基、フッ素基、珪素基を有する物質を
挙げることができる。具体的に塗れ制御層１１７の材料
としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種の
コモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得ら
れる共重合体と、共重合主鎖に環状構造物を有する含フ
ッ素共重合体と、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチ
レン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフ
ルオロエチレンと、ジクロロジフルオロエチレンとの共
重合体と、アクリロニトリル、ステアリン酸ビニル、ス
テアリルビニルエーテル、（メタ）アクリル酸ステアリ
ル、その他フッ素原子が含まれるコモノマーと、これら
と共重合可能なコモノマー、例えば（メタ）アクリル
酸、（メタ）アクリル酸エステルや、ビニル基を有する
化合物として、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニ
ルとを共重合させて得られる共重合体とが挙げられる。
また、塗れ制御層１１７の材料となる具体的な商品とし
ては、フッ素系として、フルオネートＫ−７０３：大日
本インキ化学工業、フロリナート：住友スリーエム、サ
イトップＣＴＸ−１０５Ａ：旭硝子、フロロバリアー：
泰成商会、テフロンＡＦ：デュポン社、ＰＴＦＥグリー
ス：ニチアス、などが挙げられる。また、シリコーン樹
脂（ＳＨ２００：東レシリコーンなど）を汎用ポリマー
（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂）などに
ブレンドして塗布しても良い。また、塗れ制御層１１７
の材料としては、上述のものに限定されるものではな
く、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の液
状の材料をはじいて塗布できないようにできるものなら
ば良い。

【００８１】そして、アノード１１３、カソード配線１
１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ、カソード端子１１６ｒ、
１１６ｇ、１１６ｂ、塗れ制御層１１７が形成された透
明基板１０１上に、隔壁レジスト１１４が形成される。
隔壁レジスト１１４は、第一例の隔壁レジスト１０８と
同様に開口部１１４ａと、開口部１１８ａとが形成され
ている。そして、各開口部１１４ａは、一つのアノード
１１３上から各カソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１
５ｂの他方の端部に渡って形成されている。すなわち、
開口部１１４ａとカソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１
１５ｂとが一対一で対応し、各開口部１１４ａの一方の
端部とカソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの他
方の端部とが重なった状態とされ、各開口部１１４ａか
らは共通電極とされたアノード１１３と一つのカソード
配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの他方の端部とが露
出するようになっている。

【００８２】また、開口部１１４ａのアノード１１３が
露出する部分と、カソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１
１５ｂの端部が露出する部分との間に、上記塗れ制御層
１１７が露出するようになっている。そして、上記有機
ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）は、各開口部
１１４ａに上述の発光材料を注入することにより形成さ
れるが、この際に、液状の発光材料は、開口部１１４ａ
のアノード１１３が露出する部分に注入される。そし
て、開口部１１４ａに注入された発光材料は、開口部１
１４ａ内を開口部１１４ａに沿って流れて開口部１１４
ａ内に充填される際に、塗れ制御層１１７ではじかれる
ことにより、塗れ制御層１１７を越えてカソード配線１
１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの他方の端部が露出する部
分に流れこまないようにされている。

【００８３】従って、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）は、隔壁レジスト１１４の開口部１１４
ａのアノード１１３が露出する他方の端部から塗れ制御
層１１７の手前側までの間に形成され、開口部１１４ａ
から露出するカソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５
ｂの他方の端部上には形成されないようになっている。
一方、隔壁レジスト１１４の開口部１１８ａは、第一例
の場合のアノード１０２の一方の端部に変えて各カソー
ド配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの一方の端部が露
出するようになっている。そして、各カソード配線１１
５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの一方の端部の配置位置に対
応して開口部１１８ａの位置が決められている。

【００８４】上記カソード１０４は、隔壁レジスト１１
４の外周より内側に隔壁レジスト１１４の開口部１１４
ａの大部分を覆うように形成されている（なお、塗れ制
御層１１７より隔壁レジスト１１４の開口部１１８ａが
形成されている側には、カソード１０４を形成しないよ
うになっている）。そして、各開口部１１４ａ内のカソ
ード１０４の厚さと有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）の厚さとの和は、隔壁レジスト１１４の厚さ
より薄いため、上述のように隔壁レジスト１１４の各開
口部１１４ａの部分とそれ以外の隔壁の部分との段差に
より、開口部１１４ａで各開口部１１４ａ内のカソード
１０４は電気的に断線した状態に形成され、各開口部１
１４ａ内のカソード１０４は、他のカソード１０４の部
分と短絡しておらず、各開口部１１４ａ部分毎に独立し
た電極となっている。そして、各開口部１１４ａ内にお
いては、アノード１１３が露出する部分で、アノード１
１３とカソード１０４とが間に有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）を介在させた状態で対向させら
れ、カソード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの他方
の端部が露出する部分で、カソード配線１１５ｒ、１１
５ｇ、１１５ｂとカソード１０４が直接接触して短絡し
た状態となっている。従って、各開口部１１４ａ毎、す
なわち、各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）毎に独立したカソード１０４が、それぞれ別のカソ
ード配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂに接続されてい
る。

【００８５】そして、同じ発光色の有機ＥＬ領域（１０
９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）に対応するカソード配線１
１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂが露出した複数の開口部１
１８ａ上から、カソード端子１１６ｒ、１１６ｇ、１１
６ｂ上にわたって、隔壁レジスト１１４より厚い帯状の
導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂがそれぞれ連続
して形成されるようになっている。ここで、導電性層１
１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂは、隔壁レジスト１１４よ
り厚く形成されているので、導電性層１１０ｒが、発光
色が赤の有機ＥＬ領域１０９ｒに接続される全てのカソ
ード配線１１５ｒと開口部１１８ａで接続されるととも
にカソード端子１１６ｒに接続され、導電性層１１０ｇ
が、発光色が緑の有機ＥＬ領域１０９ｇに接続される全
てのカソード配線１１５ｇと開口部１１８ａで接続され
るとともにカソード端子１１６ｇに接続され、導電性層
１１０ｂが、発光色が青の有機ＥＬ領域１０９ｂに接続
される全てのカソード配線１１５ｂと開口部１１８ａで
接続されるとともにカソード端子１１６ｂに接続されて
いる。

【００８６】従って、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）は、共通電極とされたアノード１１３
と、隔壁レジスト１１４の開口部１１４ａの部分の段差
により各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）毎に独立した電極とされたカソード１０４とに挟ま
れた状態とされているので、各有機ＥＬ領域（１０９
ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）は、個別に駆動されるように
なっている。また、独立したカソード１０４は、開口部
１１４ａの一方の端部内において、各有機ＥＬ領域（１
０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に設けられたカソード
配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂに短絡させられてい
る。

【００８７】一方、開口部１１４ａ内には、ぬれ制御層
１１７上にも連続して形成されるのでカソード１０４が
一体に導通した状態で形成されており、有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）を挟んでアノード１１３
と対向したカソード１０４と、カソード配線１１５ｒ、
１１５ｇ、１１５ｂとが導通した状態となっている。す
なわち、開口部１１４ａ内のカソード１０４とカソード
配線１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂとを導電性ペースト
層を用いずに導通することができる。

【００８８】そして、各カソード配線１１５ｒ、１１５
ｇ、１１５ｂは、隔壁レジスト１１４の開口部１１８ａ
において、同じ発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０
９ｇ、１０９ｂ）に導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１
０ｂにより短絡させられるとともに、各発光色毎に一つ
ずつ形成されたカソード端子１１６ｒ、１１６ｇ、１１
６ｂに、それぞれ、発光色に対応する導電性層１１０
ｒ、１１０ｇ、１１０ｂが一対一で短絡させられた状態
となっている。従って、各カソード端子１１６ｒ、１１
６ｇ、１１６ｂ毎に駆動電圧（電流）を変えることによ
り、Ｒ・Ｇ・Ｂ各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１
０９ｇ、１０９ｂ）をオンオフすることで、順次Ｒ・Ｇ
・Ｂの面状発光を得ることが可能となっている。

【００８９】以上のような構成の第二例のバックライト
１００Ａによれば、第一例の場合と同様の作用効果を得
られる。また、カソード１０４は、特に各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に独立して形成さ
れるように微細にパターニングしなくとも、開口部１１
４ａを有する隔壁レジスト１１４により、各有機ＥＬ領
域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）に独立した形状と
することができるので、カソード１０４を極めて容易に
各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）に独
立した形状とすることができる。また、アノード１１３
も共通電極とされることで微細なパターニングを必要と
しない。従って、透明基板上への電極の形成を容易なも
のとすることができる。また、隔壁レジスト１１４の開
口部１１４ａ内に表面エネルギーの低い塗れ制御層１１
７を設けることにより、有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０
９ｇ、１０９ｂ）内のカソード１０４を容易に外部と接
続することができる。なお、第二例においても、開口部
１１４ａに拡幅部を形成するものとしても良い。また、
透明基板１０１上に、各発光色毎のカソード端子１１６
ｒ、１１６ｇ、１１６ｂを設けずに、各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に、カソード端子
を設けるものとしても良い。また、第二例において、上
記塗れ制御層１１７を設ける代わりに、隔壁レジスト１
０８の開口部１０８ａの塗れ制御層１１７が配置される
部分にボトルネック状に開口部１０８ａの幅を狭くした
挟幅部を設けるものとしても良い。このようにすれば、
開口部１０８ａ内のアノード１１３が露出する部分に有
機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の材料を注
入した際に、ボトルネックとなる挟幅部から先に材料が
流入しづらい状態となり、上記塗れ制御層１１７を設け
なくとも、塗れ制御層１１７を設けたのと同様の作用効
果を得ることができる。

【００９０】次に、図６及び図７を参照して、本発明の
実施の形態の第三例の液晶表示装置を説明する。なお、
第三例の液晶表示装置は、第二例の液晶表示装置と同様
に、第一例のバックライト１００の一部の構成を変更し
たものであり、液晶表示パネルについては、第一例と同
様のものを用いているため説明を省略し、ここではバッ
クライト１００Ｂの説明のみ行う。また、第二例のバッ
クライト１００Ａと同様の構成要素には、同一の符号を
付してその説明を省略する。また、図６においては有機
ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）、導電性層１
１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂを、例えば、斜め格子状の
図柄として透けた状態に図示し、カソード１０４を透け
た状態にし、図７においては有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）、隔壁レジスト１２０を、例えば、
斜め格子状や横格子状の図柄として透けた状態に図示す
るとともに、カソード１０４及び導電性層１１０ｒ、１
１０ｇ、１１０ｂの図示を省略している。そして、図６
及び図７は、同じバックライト１００Ｂを図示したもの
である。

【００９１】図６及び図７に示される第三例のバックラ
イト１００Ｂは、第一例と同様に、透明基板１０１上
に、アノード１１３、カソード端子１２２ｒ、１２２
ｇ、１２２ｂ、カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２
１ｂ、隔壁レジスト１２０、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）、カソード１０４、塗れ制御層１１
７、及び後述する低抵抗配線１１９が形成されることに
より、ストライプ状に複数の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、
１０９ｇ、１０９ｂ）が形成されたものである。また、
第二例の液晶表示装置と同様に、透明基板１０１上に
は、塗れ制御層１１７が形成されている。そして、図６
及び図７は、第三例のバックライト１００Ｂの概略を図
示したものであり、実際には、発光色がそれぞれ赤、
緑、青にされた三本の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９
ｇ、１０９ｂ）が互いに平行に帯状に形成されるととも
に、図２に示される第一例のバックライト１００と同様
に、これら三本を一組とする有機ＥＬ領域（１０９ｒ、
１０９ｇ、１０９ｂ）が互いに平行に多数配置されてい
る。

【００９２】また、第三例のＬＣＤのバックライト１０
０Ｂは、第二例のＬＣＤのバックライト１００Ａと同様
に、アノード１１３側を一つにまとめて共通電極とし、
かつ、カソード１０４を各発光色の有機ＥＬ領域（１０
９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎にまとめて、各発光色の
有機ＥＬ領域毎に駆動できるようにしている。カソード
側の配線のとりまとめは、基本的には第二例のものと同
様であり、配線の具体的な説明は省略するが、カソード
配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂ及びカソード端子１
２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂに使用する材料が第二例と
異なっている（後述する）。第三例と第二例の異なると
ころは、第一に、アノード１１３側からの電力の供給に
関して低抵抗配線１１９が設けられている点であり、第
二に、第二例の液晶表示装置においては、カソード配線
１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂ及びカソード端子１２２
ｒ、１２２ｇ、１２２ｂは、ＩＴＯから形成されていた
のに対して、第三例の液晶表示装置においては、後述す
る低抵抗な導電材からなる金属膜により形成されている
点である。

【００９３】図６、図７に示すように、第三例のバック
ライトは、透明基板１０１上に、四角面状にＩＴＯ（透
明電極）からなるアノード１１３が形成されている。な
お、アノード１１３は、図６、７において、後述する低
抵抗配線１１９と接続されており、低抵抗配線１１９と
重なる部分と、低抵抗配線１１９と重ならずに後述する
有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が上に堆
積される部分と、からなる。また、アノード１１３は、
後述する有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）
が配置される部分全体を含む範囲で形成される。

【００９４】そして、アノード１１３が形成された透明
基板１０１上には、図６に示すように、低抵抗配線１１
９と、各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）毎のカソード１０４部分を各発光色の有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に外部に接続させ
るための三つのカソード端子１２２ｒ、１２２ｇ、１２
２ｂと、各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９
ｂ）毎のカソード１０４部分にそれぞれ接続され、導電
性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂにより、各発光色の
有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎にま
とめられてカソード端子１２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂ
に接続されるカソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１
ｂとが形成されている。低抵抗配線１１９、カソード端
子１２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂ、カソード配線１２１
ｒ、１２１ｇ、１２１ｂは、例えば、アルミニウム、ネ
オジムまたはクロム等の金属単体或いはこれらのうち少
なくとも１つを含む合金からなる低抵抗な導電材からな
る金属膜を一括してパターニングすることにより得られ
ている。

【００９５】上記低抵抗配線１１９は、アノード１１３
を外部に接続するアノード端子１１９ａと、アノード１
１３上に該アノード１１３と直接重なって短絡した状態
に形成された複数の低抵抗配線部１１９ｂとからなるも
のである。そして、低抵抗配線部１１９ｂは、アノード
１１３上において、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）と互いにほぼ排他的に形成されており、有機
ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）がストライプ
状に形成されていることから、ストライプ状の有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の間にストライプ
状に低抵抗配線部１１９ｂが形成されている。また、低
抵抗配線部１１９ｂは、アノード端子１１９ａ側（カソ
ード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂの反対側）でス
トライプ状の部分が一体にまとめられた状態となってお
り、実際には、櫛歯状に形成され、各櫛歯間に、有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が形成されるよ
うになっている。

【００９６】なお、低抵抗配線部１１９ｂと有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）との境界部分におい
ては、低抵抗配線部１１９ｂがカソード１０４と接続し
てなければ、低抵抗配線部１１９ｂと有機ＥＬ層（１０
３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）との間に間隙があるものと
しても良いし、低抵抗配線部１１９ｂと有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）とが接触しているものと
しても良いし、低抵抗配線部１１９ｂと有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）とが僅かに重なっている
ものとしても良い。そして、アノード端子１１９ａと低
抵抗配線部１１９ｂとは、低抵抗配線１１９として一体
に導通した状態で形成されている。

【００９７】上記低抵抗配線１１９、カソード端子１２
２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂ及びカソード配線１２１ｒ、
１２１ｇ、１２１ｂは、同じ材料からなり、同一工程で
一緒に形成されることになる。なお、低抵抗配線１１
９、カソード端子１２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂ及びカ
ソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂは、例えば、
金属を蒸着により成膜することで形成されるが、その他
の方法で形成されるものとしても良く、ＩＴＯより低抵
抗で、かつ厚さ方向に酸化されにくい導電材料から形成
されていれば良い。

【００９８】また、上記透明基板１０１上には、塗れ制
御層１１７が形成されている。上記塗れ制御層１１７
は、カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂと、ア
ノード１１３並びにアノード１１３上の低抵抗配線１１
９との間に露出する透明基板１０１上に帯状に形成され
て、カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂと、ア
ノード１１３並びに低抵抗配線１１９とを区切るように
なっている。なお、塗れ制御層１１７は、後述するよう
に上述の配置位置において、隔壁レジスト１２０の開口
部１２０ａから露出する部分だけ形成されていれば良
く、必ずしも連続する帯状に形成されていなくとも良
い。

【００９９】そして、上述のように、アノード１１３、
低抵抗配線１１９、カソード端子１２２ｒ、１２２ｇ、
１２２ｂ、カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂ
及び塗れ制御層１１７が形成された透明基板１０１上
に、隔壁レジスト１２０が形成される。隔壁レジスト１
２０は、例えば、感光性樹脂からなるものであり、フォ
トリソグラフィーによりパターン形成されるものである
が、絶縁性で、かつ、後述する以上の厚みを有するもの
ならば良い。

【０１００】そして、隔壁レジスト１２０は、上述のア
ノード１１３、低抵抗配線１１９のうちの低抵抗配線部
１１９ｂ、カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂ
の全てを覆うように面状に形成されている。なお、低抵
抗配線１１９のうちのアノード端子１１９ａ及びカソー
ド端子１２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂは、隔壁レジスト
１２０から露出している。また、隔壁レジスト１２０に
は、第二例と同様に、開口部１２０ａが形成されている
のと同時に、各カソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２
１ｂの他方の端部の位置に、開口部１２３ａが形成され
ている。

【０１０１】そして、図６、図７に示されるバックライ
トの製造方法は、透明基板１０１上にＩＴＯからなるア
ノード１１３を形成し、次いで、例えば、蒸着等により
金属膜からなる低抵抗配線１１９、カソード端子１２２
ｒ、１２２ｇ、１２２ｂ及びカソード配線１２１ｒ、１
２１ｇ、１２１ｂをパターン形成する。また、透明基板
１０１上に塗れ制御層１１７を形成する。次に、アノー
ド１１３が露出するような開口部１２０ａ及びカソード
端子１２２ｒ、１２２ｇ、１２２ｂに接続するためにカ
ソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１２１ｂの一方の端部
が露出されるような開口部１２３ａを有する隔壁レジス
ト１２０をフォトリソグラフィーによりパターン形成す
る。次いで、隔壁レジスト１２０の開口部１２０ａに、
有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）のうち、
正孔輸送層（赤に発光する領域）、正孔輸送層（緑に発
光する領域）、正孔輸送層（青に発光する領域）となる
材料を注入して固化後、それらの上にそれぞれ電子輸送
層（赤に発光する領域）、電子輸送層（緑に発光する領
域）、電子輸送層（青に発光する領域）を注入し同様に
固化させて有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）を形成する。次いで、カソード１０４を例えば、蒸
着成膜する。なお、第三例においては、隔壁レジスト１
２０が、アノード１１３及び低抵抗配線部１１９ｂとカ
ソード１０４との間の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）が介在していない部分において、アノー
ド１１３及び低抵抗配線部１１９ｂとカソード１０４と
の間を絶縁する膜として機能している。

【０１０２】以上のような構成の第三例のバックライト
によれば、第一例と第二例の場合と同様の作用効果を得
られると同時に、アノード１１３側に低抵抗配線１１９
が形成されていることにより、以下の作用効果を得るこ
とができる。すなわち、アノード１１３として光透過率
が高く、かつ、抵抗値が高いＩＴＯを用いているので、
発光面を広いものとした場合に、電源との接続部からの
距離が長くなるほど高い抵抗値を示すので、電源との接
続部から近い部分と、遠い部分とでは、有機ＥＬ層を流
れる電流量が異なり、場所によって輝度のばらつきがで
る可能性がある。しかし、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）に沿って配置されるとともに、ほと
んどの部分でアノード１１３と短絡する低抵抗配線部１
１９ｂを設け、該低抵抗配線部１１９ｂに外部の電源と
接続されるアノード端子１１９ａを接続しているので、
発光面内の各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）の各位置においては、その位置の近傍のアノード１
１３部分まで低抵抗配線１１９側を流れた電流がアノー
ド１１３を介して有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１
０３ｂ）に流れることになり、発光面の位置によって、
有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）に流れる
電流が大きく異なることがなく、発光面の各位置におけ
る輝度を均質化することができる。従って、バックライ
トの発光面の各位置における輝度をより均質化できると
ともに、バックライトの発光面を大型化しても、発光面
内で輝度にばらつきが生じるのを防止することができ
る。なお、この第三例においては、第二例の場合と同様
に、各有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）
の発光材料に基づく輝度に対応して、各有機ＥＬ領域
（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に幅を変えてその
面積を異なるものとしても良い。また、隔壁レジスト１
２０の開口部１２０ａには、第二例の場合と同様に、該
開口部の幅を狭くした狭幅部を形成しても良い。また、
上記多層配線を構成するカソード端子１２２ｒ、１２２
ｇ、１２２ｂ及びカソード配線１２１ｒ、１２１ｇ、１
２１ｂは、低抵抗配線１１９を形成する際と同時に形成
することができる。

【０１０３】次に、図８、図９及び図１０を参照して、
本発明の実施の形態の第四例の液晶表示装置を説明す
る。なお、第四例の液晶表示装置は、第二例の液晶表示
装置と同様に、第一例のバックライト１００の一部の構
成を変更したものであり、液晶表示パネルについては、
第一例と同様のものを用いているため説明を省略し、こ
こではバックライト１００Ｃの説明のみ行う。また、第
二例または第三例のバックライト１００Ａ、１００Ｂと
同様の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省
略する。また、図８においては有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）、導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、
１１０ｂを、例えば、斜め格子状の図柄として透けた状
態に図示し、カソード１０４を透けた状態に図示し、図
９においては有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）、隔壁レジスト１２５を、例えば、斜め格子状や横
格子状の図柄として透けた状態に図示するとともに、カ
ソード１０４及び導電性層１１０ｒ、１１０ｇ、１１０
ｂの図示を省略している。そして、図８、図９及び図１
０は、同じ第四例のバックライト１００Ｃを図示したも
のである。

【０１０４】図８、図９及び図１０に示される第四例の
バックライト１００Ｃは、第一例と同様に、透明基板１
０１上に、アノード１２４、カソード端子１２９ｒ、１
２９ｇ、１２９ｂ、カソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、
１２８ｂ、隔壁レジスト１２５、有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）、カソード１０４、塗れ制御
層１１７が形成されることにより、ストライプ上に複数
の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が形
成されたものである。そして、図８及び図９は、第四例
のバックライト１００Ｃの概略を図示したものであり、
実際には、発光色がそれぞれ赤、緑、青にされた三本の
有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互い
に平行に帯状に形成されるとともに、図２に示される第
一例のバックライト１００と同様に、これら三本を一組
とする有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）
が互いに平行に多数配置されている。

【０１０５】また、第四例の液晶表示装置は、第三例の
液晶表示装置と同様に、後述する低抵抗な導電材からな
る金属膜により形成されるカソード１０４を、各発光色
の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎に
まとめて、各発光色の有機ＥＬ領域毎に駆動できるよう
にしている。カソード側の構成は、第三例のものと同様
であり説明は省略する。なお、上記のカソードに用いる
低抵抗な導電材からなる金属膜は、第三例の低抵抗配線
において使用したものである。そして、第四例と第三例
の異なるところは、第三例では、有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）に接続されているアノード側
の電極としてＩＴＯを用い、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）全体に均一に電力を供給するため
に、補助的に低抵抗配線１１９（低抵抗な導電材からな
る金属膜）を用いていたのに対して、第四例では、アノ
ード側の電極は、上記低抵抗な導電材からなる金属膜の
みから形成している点である。また、有機ＥＬ層（１０
３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）は、図１０に示すように、
有機ＥＬ層１０３ｒは高分子導電物からなる正孔輸送層
１０３ｒｈと電子輸送層１０３ｒｅとからなり、有機Ｅ
Ｌ層１０３ｇは高分子導電物からなる正孔輸送層１０３
ｇｈと電子輸送層１０３ｇｅとからなり、有機ＥＬ層１
０３ｂは高分子導電物からなる正孔輸送層１０３ｂｈと
電子輸送層８ｂｅとからなる。電圧の印加に応じ正孔を
輸送する正孔輸送領域である正孔輸送層１０３ｒｈ、１
０３ｇｈ、１０３ｂｈはいずれも、上述のＰＥＤＴ及び
ＰＳＳからなり、シート抵抗が１０⁸Ω／□以下、望ま
しくは１０⁷Ω／□以下であり正孔注入領域を兼ねてい
る。電子輸送層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅ
は、再結合に伴い発光する領域であり、発光色に応じて
置換基が異なるpolyfluoreneまたはpolyfluoreneの誘導
体を有する。なお、液晶材料として第一例と同様に他の
材料を用いるものとしても良い。

【０１０６】図８、図９及び図１０に示すように、第四
例のバックライト１００Ｃは、透明基板１０１（例え
ば、ガラス基板もしくは透明フィルム基板）上に、金属
膜等の低抵抗な導電材からなるアノード１２４と、各有
機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎のカソ
ード１０４部分を各発光色の有機ＥＬ領域（１０９ｒ、
１０９ｇ、１０９ｂ）毎に外部に接続させるための三つ
のカソード端子１２９ｒ、１２９ｇ、１２９ｂと、各有
機ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎のカソ
ード１０４部分にそれぞれ接続され、後述する導電性層
１１０ｒ、１１０ｇ、１１０ｂにより、各発光色の有機
ＥＬ領域（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）毎にまとめ
られてカソード端子１２９ｒ、１２９ｇ、１２９ｂに接
続されるカソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、１２８ｂと
が形成されている。

【０１０７】上記アノード１２４は、アノード端子１２
４ａと、この一例において同じ金属膜から一体に形成さ
れた櫛歯状の正孔注入配線部１２４ｂとを有する。ま
た、カソード端子１２９ｒ、１２９ｇ、１２９ｂ及びカ
ソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、１２８ｂも、アノード
１２４と同じ金属膜から形成されている。そして、アノ
ード１２４、カソード端子１２９ｒ、１２９ｇ、１２９
ｂ及びカソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、１２８ｂは、
上記金属膜を一括してパターニングすることにより得ら
れている。

【０１０８】そして、アノード１２４の正孔注入配線部
１２４ｂは、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）と互いにほぼ排他的に形成されており、有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）がストライプ状に形
成されていることから、ストライプ状の有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の間にストライプ状に形
成されている。また、アノード１２４は、アノード端子
１２４ａ側（カソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、１２８
ｂの反対側）でストライプ状の部分が一体にまとめられ
た状態となっている。

【０１０９】そして、アノード１２４と有機ＥＬ層（１
０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）との境界部分において
は、アノード１２４と有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）とが僅かに重なっている。すなわち、ス
トライプ状、すなわち、線状に近い帯状の各有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の左右の有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の長さ方向に沿った
側縁部が、正孔注入配線部１２４ｂと重なった状態とな
っている。そして、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）の左右両側縁部を除く中央部分は、アノード
１２４と重ならずに透明基板１０１上に直接形成された
状態となっている。

【０１１０】上記アノード１２４、カソード端子１２９
ｒ、１２９ｇ、１２９ｂ及びカソード配線１２８ｒ、１
２８ｇ、１２８ｂは、上述のように同じ材料から形成さ
れ、これらは、一つの金属膜をパターン形成することに
より、ほぼ同時に形成されているので、アノード１２
４、アノード端子１２４ａ、カソード端子１２９ｒ、１
２９ｇ、１２９ｂ及びカソード配線１２８ｒ、１２８
ｇ、１２８ｂは、同一工程で一緒に形成されることにな
る。なお、アノード１２４、カソード端子１２９ｒ、１
２９ｇ、１２９ｂ及びカソード配線１２８ｒ、１２８
ｇ、１２８ｂは、例えば、金属を蒸着により成膜するこ
とで形成されるが、その他の方法で形成されるものとし
ても良い。

【０１１１】そして、隔壁レジスト１２５は、上述のア
ノード１２４及びカソード配線１２８ｒ、１２８ｇ、１
２８ｂを覆うように面状に形成されている。なお、アノ
ード端子１２４ａ及びカソード端子１２９ｒ、１２９
ｇ、１２９ｂは、隔壁レジスト１２５に覆われないよう
になっている（一部が外部と接続するために露出してい
る必要がある）。隔壁レジスト１２５は、その厚みＬ１
が例えば、０．０１５ｍｍ（好ましくは、０．００５ｍ
ｍ以上）とされ、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）のピッチＬ２が０．１ｍｍ程度とされ、各有
機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の幅Ｌ３が
０．０６ｍｍ程度とされ、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０
３ｇ、１０３ｂ）同士の間隔Ｌ４（隔壁レジストの隔壁
の幅）が０．０４ｍｍ程度とされる。また、隔壁レジス
ト１２５の開口部１２５ａ…のピッチも０．１ｍｍ程度
であり、アノード１２４のピッチも０．１ｍｍ程度と設
定されている。

【０１１２】上記正孔注入配線部１２４ｂは、正孔輸送
層のシート抵抗が１０⁸Ω／□以下と低く、かつ正孔輸
送性に優れているため、開口部１２５ａに埋設された電
子輸送層に電子を注入するカソード１０４と、正孔輸送
層を介して完全に重なるような構成でなくてもよい。す
なわち正孔注入配線部１２４ｂは、正孔輸送層と部分的
に接続されていれば発光面に対し重ならなくていいた
め、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）から
発せられた光は、その多くが正孔注入配線部１２４ｂを
介することなく直接透明基板１０１に出射することがで
きるため、従来のようにアノード電極での光吸収による
光の減衰を抑制することができるとともに、アノード１
２４に適用される上記金属膜が、有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）から発せられた光に対して高
い透過率を示す必要もない。また正孔輸送層の低シート
抵抗性は、それ自体アノード電極として機能することを
意味しており、アノード１２４に適用される上記金属膜
が正孔注入性の観点から仕事関数が高くなければならな
いといった問題も解消するため、上記金属膜は、材料の
抵抗率が２．０×１０^-4Ωｃｍ以下でシート抵抗が１０
Ω／□以下であればよく、金属膜の材料の選択性にも優
れている。アノード１２４に適用される金属膜として
は、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、ネ
オジムまたはクロム等の金属単体或いはこれらのうちの
少なくとも１つを含む合金やＩＴＯのような透明金属か
らなるものが用いられる。ただしＩＴＯは、抵抗率が
１．６×１０^-4Ωｃｍ程度と比較的高いため、シート抵
抗を低くするためには、厚く成膜しなければならず、ス
ループットが低くなる。また、有機ＥＬ素子を広い面状
発光体を形成しようとすると、透明電極であるＩＴＯの
面積が増えると、ＩＴＯの電源との接続部分と、該接続
部分と最も離れた部分との距離が大きくなり、これらの
部分では、有機ＥＬ層に流れる電流量に差が生じる。従
って、有機ＥＬ素子からなる面状発光体をあまり大きな
ものとすると、面状発光体の位置によって輝度に明らか
な差が生じる可能性があった。さらに、透明基板として
は、可撓性、柔軟性を有する透明フィルム基板が用いら
れる場合があり、このような透明フィルム基板に有機Ｅ
Ｌ素子を形成するものとすれば、その可撓性、柔軟性に
基づいて、有機ＥＬ素子の応用範囲を広げることができ
る可能性がある。しかし、ＩＴＯは、脆性が高く、透明
フィルム基板を鋭い角度で曲げたり、何度も曲げたりす
ると、ＩＴＯが破損する可能性があり、透明基板を透明
フィルム基板としても、その特性を十分に生かすことが
できなかった。また、製造時においては、柔らかい透明
フィルム基板上に、硬くて脆弱なＩＴＯを形成するのが
難しく、歩留まりの低下を招く恐れがある。また、バッ
クライトの製造時に表面にＩＴＯが形成された透明フィ
ルム基板をロール状に丸めたりした場合にも、歩留まり
の低下を招く恐れがある。

【０１１３】このため、アノード１２４に適用される金
属膜は、むしろ１．０×１０^-5Ωｃｍ以下の金属単体ま
たは合金がより望ましく、延性、展性に優れていればさ
らに望ましい。そして、光の利用効率の観点から有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）から発せられた
光に対し反射率の高いものの方が望ましい。このような
構造のバックライトでは、幅Ｌ３が０．０６ｍｍ程度と
短く、正孔注入領域である正孔輸送層のシート抵抗が１
０⁸Ω／□以下なので、正孔注入配線部１２４ｂと部分
的に重なっているだけでも、正孔を正孔輸送層のほぼ全
面から電子輸送層に輸送することができるため、有機Ｅ
Ｌ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）のほぼ全面で発
光することができる。したがって、正孔注入配線部１２
４ｂは、電圧の印加に応じ電荷を輸送する電荷輸送領域
である正孔輸送層全面に接触しなくても十分発光するの
で、従来のようなアノードによる光の吸収損失を抑える
ことができる。

【０１１４】そして、図８、図９及び図１０に示される
バックライト１００Ｃの製造方法は、透明基板１０１上
に、例えば、蒸着等によりアルミニウム、チタン、タン
グステン、ネオジムまたはクロム等の金属単体或いはこ
れらのうちの少なくとも１つを含む合金やＩＴＯのよう
な透明金属等の低抵抗の金属膜からなるアノード１２
４、アノード端子１２４ａ、カソード端子１２９ｒ、１
２９ｇ、１２９ｂ及びカソード配線１２８ｒ、１２８
ｇ、１２８ｂをフォトリソグラフィーによりパターン形
成する。この後、０．６〜０．８Torr、２５０Ｗ、１
３．５６ＭＨｚで酸素プラズマ洗浄を行う。アルミニウ
ム等は表面に極薄い酸化膜が成膜されることがあるが、
初期電圧を印加すると酸化膜が絶縁破壊し、電流を流す
ことができるので十分駆動することができる。また、透
明基板１０１上に塗れ制御層１１７を形成する。次に、
隔壁レジスト１２５をフォトリソグラフィーによりパタ
ーン形成する。次いで、隔壁レジスト１２５の開口部１
２５ａに、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）のうち、正孔輸送層となるＰＥＤＴ及びＰＳＳの混
合物溶液をインクジェットやニードルにより注入して１
１０℃で１０分程度加熱して固化後、それらの上にそれ
ぞれ発光色に応じて置換基が異なるpolyfluoreneの誘導
体を有する電子輸送層を注入し４０〜６０℃で１．０〜
１．５時間加熱して固化させて有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）を形成する。成膜された正孔輸送
層はいずれもシート抵抗が１０⁸Ω／□以下、望ましく
は１０⁷Ω／□以下になっている。次いで、３００Å程
度のカルシウム層及び６０００Å〜１００００Å程度の
アルミニウム層を順次真空蒸着してカソード１０４を形
成する。なお、第一例においては、隔壁レジスト１２５
が、アノード１２４とカソード１０４との間の有機ＥＬ
層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が介在していない
部分において、アノード１２４とカソード１０４との絶
縁膜として機能している。また、隔壁レジスト１２５を
用いた場合には、注入された有機ＥＬ層（１０３ｒ、１
０３ｇ、１０３ｂ）の材料は毛細管現象により開口部１
２５ａ全域に拡散する（開口部１２５ａは、溝状である
が、溝を形成する左右の壁の間には、毛細管現象が作用
する）。このため、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）を極めて薄い膜厚にすることができる。

【０１１５】この第四例のバックライト１００Ｃにおい
ては、アノード１２４としてＩＴＯより抵抗率の低い金
属膜を適用することが望ましい。そして、アノード１２
４は、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の
両側縁部の部分でほぼ線状に重なるようになっている。
そして、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）
の両側縁部を除く中央部分は、直接透明基板１０１と接
触するようになっている。すなわち、透明基板１０１側
からみれば、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）の発光面となる部分の左右両側縁部がアノード１２
４に覆われた状態となっているが、有機ＥＬ層（１０３
ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の左右両側縁部を除く大部分
は、アノード１２４から露出した状態となっている。

【０１１６】以上のような構成の第四例のバックライト
１００Ｃによれば、第一例から第三例の場合と同様の作
用効果を得られると同時に、以下の作用効果を得ること
ができる。そして、アノード１２４とカソード１０４と
の間に電圧を印加した場合には、アノード１２４とカソ
ード１０４との間の有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）に電流が流れることになるが、この際に、元
々有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）が細い
帯状であり、正孔輸送層のシート抵抗が１０⁸Ω／□以
下となっているので、その両側縁部がアノード１２４に
接触した状態でアノード１２４とカソード１０４との間
に電圧を印加した場合に、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０
３ｇ、１０３ｂ）のほぼ全体に電流が流れた状態とな
り、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）のほ
ぼ全体が発光することになる。また、本発明は、基本的
に線状（帯状）の多数の光源からの光を混ぜて、高輝度
のＲ・Ｇ・Ｂ各々の面状発光を得ることを目的としてお
り、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の
長さ方向に直交する方向においては、明暗が繰り返され
る構成となっているとともに、有機ＥＬ層（１０３ｒ、
１０３ｇ、１０３ｂ）の幅は、もともと極めて狭いもの
とされている。従って、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３
ｇ、１０３ｂ）の左右側縁部が不透明なアノード１２４
に重なっていても特に問題がない。

【０１１７】そして、アノード１２４から露出する有機
ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）の大部分から
の発光は、そのまま透明基板１０１側に放射されること
になる。この際に、有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、
１０３ｂ）からの発光は、従来のように透明基板１０１
に比較して、光透過率の高くないＩＴＯを透過すること
がないので、出射した光はＩＴＯによる減衰分だけ光束
が増大する。

【０１１８】有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３
ｂ）の長さ方向の輝度のばらつきについては、アノード
１２４として、抵抗率が高いＩＴＯを用いた場合より
も、より抵抗率の低い金属膜を用いた方が少なくするこ
とができる。すなわち、抵抗率が高いＩＴＯを広い面状
もしくは長い帯状の電極として用いた場合には、位置に
よって流れる電流値が大きく異なって輝度にばらつきが
でる可能性があるが、抵抗率が１×１０^-5Ωｃｍ以下の
金属膜ならば、同じ膜厚でも位置によって流れる電流量
が大きく異なるようなことがなく、より輝度を均一にす
ることができる。

【０１１９】また、アノード１２４としてＩＴＯを用い
ずに金属膜を用いられるようになれば、金属膜は、一般
にＩＴＯに比較して強度が高く、かつ、柔軟性を有する
ので、脆性が高いＩＴＯを用いた場合よりも、歩留まり
の向上を図ることができる。また、透明基板１０１を柔
軟性が高い透明フィルム基板とした場合に、硬くて、脆
性が高いＩＴＯとの相性が悪く、柔軟性が高い透明フィ
ルム基板の特性を生かした製造方法や使用方法を用いる
ことが困難なものとなるが、アノード１２４としてＩＴ
Ｏを用いずに、金属膜を用いられれば、金属膜は、ある
程度の柔軟性を有し、強度が高いので、透明フィルム基
板の特性を生かした製造方法及び使用方法を用いること
ができる。また、透明基板１０１を透明フィルム基板と
した際の歩留まりの向上を図ることができる。

【０１２０】また、第二例と同様に、上記例のバックラ
イトの透明基板１０１の表面に拡散板を配置しても良
い。この際には、第二例と同様な作用効果が得られるの
と同時に、第四例においては、特に正孔注入配線部１２
４ｂをＩＴＯ以外の光反射性の金属膜で形成すれば、正
孔輸送層全面に亘ってＩＴＯが形成されていないので、
有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）から放射
された光は、反射を繰り返す間にＩＴＯで吸収されてし
まうことがなく、この変形例のように拡散板を用いた場
合には、従来のバックライトに拡散板を設けた場合より
も、輝度をより高めることができる。なお、例えば、透
明基板１０１の表面を加工して透明基板１０１の表面自
体を拡散面としても良い。またさらに、リフレクタとし
て作用する背面電極の表面を拡散面としても良い。ま
た、この際に、金属膜からなるアノード１２４がリフレ
クタとして機能する場合には、アノード１２４の表面を
拡散面としても良い。すなわち、本発明のバックライト
において、リフレクタとして機能する部分を拡散面とす
ればよい。この場合には、上述のようにアノード１２４
としての透過率の低いＩＴＯが存在しないことにより、
繰り返し反射した際の光の減衰率を低下させることがで
きるので、繰り返し反射させて光を取り出す際の光の減
衰が減少されてより多くの光を取り出すことができる。

【０１２１】次に、図１１及び図１２を参照して、本発
明の実施の形態の第五例のＬＣＤを説明する。なお、第
五例のＬＣＤは、第四例のＬＣＤのバックライト１００
Ｃにおいて、アノード１２４と隔壁レジスト１２５の開
口部１３０ａ…に埋設されたカソード１０４が部分的に
重なるように形成されていたのを、図１１、図１２に示
すように、アノード１２４と、カソード１０４を重なら
ないように形成したものである。第五例においても、第
一例と同様の液晶表示パネル２００が用いられるものと
なっており、液晶表示パネル２００の説明を省略する。
そして、図１１は、第五例のＬＣＤのバックライト１０
０Ｄを上から俯瞰した平面図であり、図１２は、図１１
のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図１１、１２にお
いて、第四例と同じ材料で同じ機能からなる部材には同
一の符号が付されている。

【０１２２】図中、バックライト１００Ｄの透明基板１
０１の下半分上には、ＰＥＤＴ及びＰＳＳからなり、シ
ート抵抗が１０⁸Ω／□以下、望ましくは１０⁷Ω／□以
下の正孔輸送層１０３ｈが形成されている。正孔輸送層
１０３ｈ上から透明基板１０１の上半分側の一部にかけ
て、発光色に応じて置換基が異なるpolyfluoreneまたは
polyfluoreneの誘導体を有する、ストライプ状の電子輸
送層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅの組がこの順
に複数、それぞれ平行に配置されている。そして、透明
基板１０１上から正孔輸送層１０３ｈ上に跨ってアノー
ド１２４が形成されている。アノード１２４の正孔注入
配線部１２４ｂは正孔輸送層１０３ｈ上の電子輸送層１
０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅ間に、電子輸送層１
０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅと離間して配置さ
れ、アノード端子１２４ａは透明基板１０１上に配置さ
れている。電子輸送層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３
ｂｅ上から透明基板１０１の上半分側にかけて、電子輸
送層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅと同じ幅或い
はより幅狭のストライプ状のカソード１０４が形成され
ている。そして図中、左上側に三つのカソード端子１２
９ｒ、１２９ｇ、１２９ｂが配置されている。アノード
１２４、カソード端子１２９ｒ、１２９ｇ、１２９ｂ、
並びにカソード１０４は、同一金属膜を一括パターニン
グして形成されている。アノード１２４は、正孔注入性
の良好な正孔輸送層１０３ｈのシート抵抗が低いため、
高仕事関数である必要がないが、カソード１０４は、仕
事関数が低い方が望ましいため、カソード１０４及びア
ノード１２４となる金属膜は、少なくともその一部に仕
事関数の低い材料を有する方が望ましい。また電子輸送
層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅとの密着性（接
触抵抗）の観点から３００Å程度のカルシウム層及びシ
ート抵抗を低くするためその上に設けられた６０００Å
〜１００００Å程度のアルミニウム層の２層構造が望ま
しいが、これに限らず他の低仕事関数の材料でもよい。
カソード１０４のうち透明基板１０１の上半分側は、絶
縁材からなる隔壁レジスト１２５により覆われ、その端
部は隔壁レジスト１２５の開口部１３０ｂ…から露出さ
れ、隔壁レジスト１２５上からカソード端子１２９ｒ、
１２９ｇ、１２９ｂに跨って形成される導電性層１１０
ｒ、１１０ｇ、１１０ｂに接続されている。なお、正孔
輸送層１０３ｈは、シート抵抗が低いので短絡防止のた
め正孔輸送層１０３ｈにカソード１０４を形成しない方
が望ましい。

【０１２３】第五例のＬＣＤのバックライト１００Ｄで
は、厚くなくてもシート抵抗の低い正孔輸送層１０３ｈ
を適用したため、アノードとカソードを重ねて形成しな
くてよいので、アノード１２４、カソード端子１２９
ｒ、１２９ｇ、１２９ｂ、並びにカソード１０４を同一
金属膜のパターニングにより形成することができるた
め、バックライト１００Ｄの生産性が高い。バックライ
ト１００Ｄでは、正孔輸送層１０３ｒｈ、１０３ｇｈ、
１０３ｂｈの上方にアノード１２４及びカソード１０４
を形成したが、透明基板１０１上に櫛歯状にパターニン
グされたアノード１２４及びアノード１２４の櫛歯間に
ストライプ状のカソード１０４を互いに離間させて形成
し、カソード１０４上にのみ端子部を除くカソード１０
４を覆うようにカソード１０４より幅広の電子輸送層１
０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０３ｂｅを形成し、アノード
１２４上から電子輸送層１０３ｒｅ、１０３ｇｅ、１０
３ｂｅ上にかけて連続した正孔輸送層１０３ｈを形成し
てもよい。

【０１２４】また、図１３に示すように、上記バックラ
イト１００Ｄの変形例としてのバックライト１００Ｅに
おいて、透明基板１０１上に櫛歯状のアノード１２４を
形成し、正孔注入配線部２ｂ上にシート抵抗が１０⁸Ω
／□以下、望ましくは１０⁷Ω／□以下の正孔輸送層１
０３ｈが形成し、正孔注入配線部１２４ｂ間の正孔輸送
層１０３ｈ上に、polyfluoreneまたはpolyfluoreneの誘
導体を有する、ストライプ状の電子輸送層１０３ｒｅ、
１０３ｇｅ、１０３ｂｅの組をこの順に複数それぞれ平
行に形成し、この上に電子輸送層１０３ｒｅ、１０３ｇ
ｅ、１０３ｂｅと同じ幅或いはより幅狭のストライプ状
のカソード１０４を形成した構造でもよい。なお、アノ
ード１２４とカソード１０４を別々の材料で形成するこ
とができる。上記各実施形態では、図１に示すように、
液晶表示パネル２００の各画素電極２０４が有機ＥＬ層
（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）のいずれか１つに対
応しているが、各有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１
０３ｂ）のピッチＬ２によっては、各有機ＥＬ層（１０
３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）のストライプ状に延在する
方向に対し直交する方向に隣接する２以上の各画素電極
２０４が有機ＥＬ層（１０３ｒ、１０３ｇ、１０３ｂ）
のいずれか１つに対応するように形成してもよい。

【０１２５】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、該バッ
クライトにおいては、異なる色に発光する二種以上の有
機ＥＬ領域が、各種類毎に分散するように透明基板上に
配置され、かつ、順次異なる色に発光可能となってい
る。例えば、有機ＥＬ領域の種類を三種類とし、これら
の発光色を光の三原色である赤、緑、青にすれば、有機
ＥＬ素子は高速応答が可能であるために、赤、緑、青の
有機ＥＬ領域をオンオフを高速で切り替えることができ
る。従って、このバックライトは、赤、緑、青の表示を
高速で切り替えることにより、カラーフィルター無し
で、フルカラーの表示が可能なフィールド・シーケンシ
ャル・フルカラーＬＣＤのバックライトとして好適に用
いることができる。

【０１２６】また、液晶表示装置のバックライトは有機
ＥＬ素子から構成されており、本発明の液晶表示装置の
動作には、各々Ｒ・Ｇ・Ｂに発光する有機ＥＬ素子を分
散するように配置すれば十分である。従って、Ｒ・Ｇ・
Ｂ各々単色に面状発光する有機ＥＬを用いればよく、複
数の異なる色に発光する発光材料を混在させたり積層さ
せたりすることにより非発光遷移を増大せて輝度を低下
させることなく、複数のストライプ状の有機ＥＬ領域か
らのＲＧＢ各々の発光を高輝度に行なうことができる。
従って、このバックライトを用いた場合には、例えば、
従来の蛍光管と導光板とを組み合わせたバックライトよ
り極めて薄く、かつ、高効率のものとすることができ、
ＬＣＤのさらなる薄型を図ることができる。

【０１２７】また、有機ＥＬ領域をストライプ状に配置
することにより、モザイク状やその他の状態に有機ＥＬ
領域を分散させた場合に比較して、カソードやアノード
や有機ＥＬ層を極めて容易に形成することができ、バッ
クライトの製造を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の第一例の液晶表示装置の
構造を説明するための図面である。

【図２】第一例の液晶表示装置のバックライトの構造を
説明するための図面である。

【図３】第一例の液晶表示装置のバックライトの構造を
説明するための図面である。

【図４】本発明の実施の形態の第二例の液晶表示装置の
バックライトの構造を説明するための図面である。

【図５】第二例の液晶表示装置のバックライトの構造を
説明するための図面である。

【図６】本発明の実施の形態の第三例の液晶表示装置の
バックライトの構造を説明するための図面である。

【図７】第三例の液晶表示装置のバックライトの構造を
説明するための図面である。

【図８】本発明の実施の形態の第四例の液晶表示装置の
バックライトの構造を説明するための図面である。

【図９】第四例の液晶表示装置のバックライトの構造を
説明するための図面である。

【図１０】第四例の液晶表示装置のバックライトの構造
を説明するための図面である。

【図１１】本発明の実施の形態の第五例の液晶表示装置
のバックライトの構造を説明するための図面である。

【図１２】第五例の液晶表示装置のバックライトの構造
を説明するための図面である。

【図１３】第五例の変形例の液晶表示装置のバックライ
トの構造を説明するための図面である。

【符号の説明】

１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１
００Ｅ バックライト １０１ 透明基板 １０２ アノード １０３ｒ 有機ＥＬ層（赤） １０３ｇ 有機ＥＬ層（緑） １０３ｂ 有機ＥＬ層（青） １０３ｒｅ 有機ＥＬ層（赤）の電子輸送層 １０３ｇｅ 有機ＥＬ層（緑）の電子輸送層 １０３ｂｅ 有機ＥＬ層（青）の電子輸送層 １０３ｈ 有機ＥＬ層の電子輸送層 １０３ｒｈ 有機ＥＬ層（赤）の電子輸送層 １０３ｇｈ 有機ＥＬ層（緑）の電子輸送層 １０３ｂｈ 有機ＥＬ層（青）の電子輸送層 １０４ カソード １０８ 隔壁レジスト １０８ａ 開口部 １０９ｒ 有機ＥＬ領域（赤） １０９ｇ 有機ＥＬ領域（緑） １０９ｂ 有機ＥＬ領域（青） １１３ アノード １１９ 低抵抗配線 １２４ カソード ２００ 液晶表示パネル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA41Z FA44Z GA11 HA12 HA18 LA11 LA16 3K007 AB02 AB17 BA01 CA01 CB01 DA02 EB00 FA01 5C094 AA07 AA10 AA15 AA22 BA03 BA12 BA29 BA43 BA44 CA19 CA24 EA04 EA05 EB02 ED02 ED14 FB01 5G435 AA03 AA16 AA18 BB05 BB12 BB15 CC12 EE26 FF05 GG12 GG25 GG26 GG27 LL07

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィールドシーケンシャル方式で駆動さ
   れる液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面側に設
   けられたバックライトとを備えた液晶表示装置であっ
   て、 上記バックライトにおいては、異なる色に発光する二種
   以上の有機ＥＬ領域が、各種類毎に分散するように透明
   基板上に配置され、かつ、順次異なる色に発光可能とな
   っていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置において、 上記バックライトの上記有機ＥＬ領域はストライプ状に
   形成され、上記有機ＥＬ領域が、有機ＥＬ層と該有機Ｅ
   Ｌ層を挟み込むように配置されたアノードとカソードと
   を備え、 上記透明基板上の各有機ＥＬ領域の上記有機ＥＬ層同士
   の間に、各有機ＥＬ層を分離する隔壁部がストライプ状
   の上記有機ＥＬ領域に沿って形成され、これら隔壁部同
   士の間に有機ＥＬ層の材料が注入されることにより、ス
   トライプ状に有機ＥＬ層が形成されていることを特徴と
   する液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の液晶表示装置に
   おいて、 上記ガラス基板上に、上記アノードが透明な共通電極と
   して各有機ＥＬ領域に渡って面状に形成され、上記アノ
   ード上に、ストライプ状の上記有機ＥＬ層が形成される
   とともに、有機ＥＬ層同士の間に、上記アノードより低
   抵抗な低抵抗配線が形成され、かつ、該低抵抗配線上
   に、該低抵抗配線を覆うとともに、各有機ＥＬ層同士を
   分離する隔壁部が形成され、上記有機ＥＬ層上に、上記
   カソードが各有機ＥＬ領域毎もしくは同じ種類の有機Ｅ
   Ｌ領域毎に独立した電極として形成されていることを特
   徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の液晶表示装置において、 上記有機ＥＬ領域が、有機ＥＬ層と該有機ＥＬ層に電流
   を流すための第１電極及び第２電極とを備え、 上記有機ＥＬ層は、その電荷輸送領域の一部が、透明基
   板上に設けられた上記第１電極に重なって形成されると
   ともに、電荷輸送領域の他部が上記第１電極と重ならな
   いように形成されていることを特徴とする液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の液晶表示装置において、 上記有機ＥＬ領域が、透明基板上に形成され、内部に流
   れる電流に応じて発光する光が上記透明基板側に出射す
   る有機ＥＬ層と、 上記有機ＥＬ層上に形成されたアノードと、 上記有機ＥＬ層上に上記アノードと離間して形成された
   カソードと、 を備えることを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１記載の液晶表示装置において、 上記有機ＥＬ領域が、透明基板上に形成されたアノード
   と、 上記アノード上に形成され、面方向への電荷輸送自在
   で、かつ、有機ＥＬ層の一部である第１電荷輸送層と、 上記第１電荷輸送層に形成されるとともに有機ＥＬ層の
   一部である第２電荷輸送層と、 平面的に上記アノードと重ならないように上記第２電荷
   輸送層上に形成されたカソードと、 を備えることを特徴とする液晶表示装置。