JP2001156328A - 発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子 - Google Patents
発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子Info
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- JP2001156328A JP2001156328A JP34053499A JP34053499A JP2001156328A JP 2001156328 A JP2001156328 A JP 2001156328A JP 34053499 A JP34053499 A JP 34053499A JP 34053499 A JP34053499 A JP 34053499A JP 2001156328 A JP2001156328 A JP 2001156328A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光強度及び光取り出し効率を向上させるこ
とができる新規な発光素子用エピタキシャルウェハおよ
びこれを用いた発光素子の提供。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上の活性層９が複数の障
壁層７と井戸層８とを交互に積層した多重量子井戸構造
となっている発光素子用エピタキシャルウェハにおい
て、上記各井戸層８の厚さをそれぞれ変化させる。これ
によって、バンドギャップに分布を持たせて発光スペク
トルの幅（半値幅）を広くすることができるため、その
発光強度を大幅に向上させることができる。
とができる新規な発光素子用エピタキシャルウェハおよ
びこれを用いた発光素子の提供。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上の活性層９が複数の障
壁層７と井戸層８とを交互に積層した多重量子井戸構造
となっている発光素子用エピタキシャルウェハにおい
て、上記各井戸層８の厚さをそれぞれ変化させる。これ
によって、バンドギャップに分布を持たせて発光スペク
トルの幅（半値幅）を広くすることができるため、その
発光強度を大幅に向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ基板上の
活性層が複数の障壁層と井戸層とを交互に積層した多重
量子井戸構造となっている発光素子用エピタキシャルウ
ェハ及びこれを用いた発光素子に関するものである。
活性層が複数の障壁層と井戸層とを交互に積層した多重
量子井戸構造となっている発光素子用エピタキシャルウ
ェハ及びこれを用いた発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】図４
は、従来の発光ダイオード用エピタキシャルウェハのう
ち、発光波長６３０ｎｍの多重量子井戸構造からなる活
性層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタ
キシャルウェハの典型的な構造を示したものである。
は、従来の発光ダイオード用エピタキシャルウェハのう
ち、発光波長６３０ｎｍの多重量子井戸構造からなる活
性層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタ
キシャルウェハの典型的な構造を示したものである。
【０００３】図示するように、このエピタキシャルウェ
ハは、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）によってｎ
型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２を介し
てｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３を積層し、さらにこのクラッド層３上に多重量子井戸
活性層４とＰ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層５とＰ型ＧａＰ層６を順次積層した構造となっ
ている。
ハは、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）によってｎ
型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２を介し
てｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３を積層し、さらにこのクラッド層３上に多重量子井戸
活性層４とＰ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層５とＰ型ＧａＰ層６を順次積層した構造となっ
ている。
【０００４】また、この多重量子井戸活性層４は、同図
に示すように複数のｕｎ−( Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ障壁層７と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層
８とをそれぞれ交互に多重に積層した構造となってい
る。
に示すように複数のｕｎ−( Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ障壁層７と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層
８とをそれぞれ交互に多重に積層した構造となってい
る。
【０００５】そして、このような多重量子井戸活性層４
を有するエピタキシャルウェハによって得られる発光ダ
イオードにあっては、図５に示すように通常のダブルへ
テロ（ＤＨ）構造の発光ダイオードと比較してその輝度
が約１．５倍程度向上することから、高輝度仕様の発光
ダイオードとして頻繁に採用されてきている。
を有するエピタキシャルウェハによって得られる発光ダ
イオードにあっては、図５に示すように通常のダブルへ
テロ（ＤＨ）構造の発光ダイオードと比較してその輝度
が約１．５倍程度向上することから、高輝度仕様の発光
ダイオードとして頻繁に採用されてきている。
【０００６】一方、このような従来のエピタキシャルウ
ェハを用いた発光ダイオードにあっては、その輝度は約
１００ｍｃｄ程度が限界であることから、今後その適用
範囲を拡大するためには、さらなる高輝度仕様の発光ダ
イオードが望まれている。
ェハを用いた発光ダイオードにあっては、その輝度は約
１００ｍｃｄ程度が限界であることから、今後その適用
範囲を拡大するためには、さらなる高輝度仕様の発光ダ
イオードが望まれている。
【０００７】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るために案出されたものであり、その目的は、輝度を従
来のものよりも大幅に向上させることができる新規な発
光素子用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光
素子を提供するものである。
るために案出されたものであり、その目的は、輝度を従
来のものよりも大幅に向上させることができる新規な発
光素子用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光
素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】ところで、この多重量子
井戸活性層４では、図６に示すように量子効果によって
井戸層８の価電子帯Ｅｖ側及び伝導体Ｅｃ側にそれぞれ
量子準位が形成され、これら量子準位間のエネルギー差
が井戸層８の実質的なバンドギャップとなるが、このバ
ンドギャップを決定する量子準位の絶対値は、井戸層８
の膜厚又は組成、あるいは障壁層７側の膜厚又は組成に
よって変化することが知られている。
井戸活性層４では、図６に示すように量子効果によって
井戸層８の価電子帯Ｅｖ側及び伝導体Ｅｃ側にそれぞれ
量子準位が形成され、これら量子準位間のエネルギー差
が井戸層８の実質的なバンドギャップとなるが、このバ
ンドギャップを決定する量子準位の絶対値は、井戸層８
の膜厚又は組成、あるいは障壁層７側の膜厚又は組成に
よって変化することが知られている。
【０００９】そのため、従来の多重量子井戸活性層４に
あっては、図４及び図７に示すように、その各障壁層７
と井戸層８がそれぞれ全て同じ膜厚及び同じ組成となっ
ていることから、各井戸層８の量子準位の絶対値は全て
同一となり、結果的に実質的なバンドギャップも全ての
井戸層７で同一となっている。
あっては、図４及び図７に示すように、その各障壁層７
と井戸層８がそれぞれ全て同じ膜厚及び同じ組成となっ
ていることから、各井戸層８の量子準位の絶対値は全て
同一となり、結果的に実質的なバンドギャップも全ての
井戸層７で同一となっている。
【００１０】そして、このように各井戸層８の実質的な
バンドギャップが全て同一となっていると、発光スペク
トルの幅（半値幅）が狭くなるため、これを用いて得ら
れる発光ダイオードの輝度をさらに向上させることは困
難である。また、いずれの井戸層８のバンドギャップが
全て同一であると、光取り出し面から離れた位置にある
井戸層８の発光が光取り出し面に到達するまでに吸収さ
れてしまい、外部への光取り出し効率が低いものであっ
た。
バンドギャップが全て同一となっていると、発光スペク
トルの幅（半値幅）が狭くなるため、これを用いて得ら
れる発光ダイオードの輝度をさらに向上させることは困
難である。また、いずれの井戸層８のバンドギャップが
全て同一であると、光取り出し面から離れた位置にある
井戸層８の発光が光取り出し面に到達するまでに吸収さ
れてしまい、外部への光取り出し効率が低いものであっ
た。
【００１１】そこで、本発明は上記特許請求の範囲に記
載したように、ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記井
戸層側の膜厚又は組成のいずれか、あるいは障壁層側の
膜厚又は組成のいずれか、若しくは両層を単一でなくし
たものである。
載したように、ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記井
戸層側の膜厚又は組成のいずれか、あるいは障壁層側の
膜厚又は組成のいずれか、若しくは両層を単一でなくし
たものである。
【００１２】これによって、量子準位の絶対値が変化し
て実質的なバンドギャップに分布を持たせることができ
るため、発光スペクトルの幅（半値幅）を広くすること
が可能となって発光強度が向上し、これを用いた発光素
子の輝度を大幅に向上させることができる。
て実質的なバンドギャップに分布を持たせることができ
るため、発光スペクトルの幅（半値幅）を広くすること
が可能となって発光強度が向上し、これを用いた発光素
子の輝度を大幅に向上させることができる。
【００１３】また、各井戸層８の実質的なバンドギャッ
プを光取り出し面側になるに従って徐々に大きくするこ
とによって各井戸層８の実質的なバンドギャップが光取
り出し面側になるに従って徐々に大きくなるため、活性
層中での光の吸収が抑制され、外部への光取り出し効率
が向上してさらにその輝度を向上させることができる。
プを光取り出し面側になるに従って徐々に大きくするこ
とによって各井戸層８の実質的なバンドギャップが光取
り出し面側になるに従って徐々に大きくなるため、活性
層中での光の吸収が抑制され、外部への光取り出し効率
が向上してさらにその輝度を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明を実施する好適一形
態を添付図面を参照しながら説明する。
態を添付図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明に係る発光素子用エピタキシ
ャルウェハ（以下、エピタキシャルウェハと称す）の実
施の一形態を示したものである。
ャルウェハ（以下、エピタキシャルウェハと称す）の実
施の一形態を示したものである。
【００１６】図示するように、このエピタキシャルウェ
ハは、従来と同様に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）を用いてｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２を介してｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層３を成長させると共にこのクラッド層
３上に多重量子井戸活性層９（以下、活性層９と称す）
を形成し、さらにこの活性層９上にＰ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５とＰ型ＧａＰ層６を
順次成長させて多重に積層した構造となっている。
ハは、従来と同様に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）を用いてｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２を介してｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層３を成長させると共にこのクラッド層
３上に多重量子井戸活性層９（以下、活性層９と称す）
を形成し、さらにこの活性層９上にＰ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５とＰ型ＧａＰ層６を
順次成長させて多重に積層した構造となっている。
【００１７】また、この活性層９は、複数のｕｎ−( Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ障壁層７（以下、障壁
層７と称す）と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層８
（以下、井戸層８と称す）とをそれぞれ交互に成長させ
て多重に積層した構造となっている。
ｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ障壁層７（以下、障壁
層７と称す）と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層８
（以下、井戸層８と称す）とをそれぞれ交互に成長させ
て多重に積層した構造となっている。
【００１８】ここで、本実施の形態にあっては、各障壁
層７の膜厚は全て１０ｎｍとなっているのに対し、各井
戸層８は、積層方向になるに従って徐々に薄くなるよう
に全ての膜厚が異なっている。具体的には、図１及び図
２に示すようにこれら各井戸層８のうち、光取り出し面
から最も遠い位置にある井戸層８ａの厚さは６．３ｎｍ
であり、これより光取り出し面側になるに従ってそれぞ
れ０．１ｎｍずつ薄くなっており、最も光取り出し面側
に近い位置にある井戸層８ｇの膜厚は５．７ｎｍと最も
薄い状態となっている。
層７の膜厚は全て１０ｎｍとなっているのに対し、各井
戸層８は、積層方向になるに従って徐々に薄くなるよう
に全ての膜厚が異なっている。具体的には、図１及び図
２に示すようにこれら各井戸層８のうち、光取り出し面
から最も遠い位置にある井戸層８ａの厚さは６．３ｎｍ
であり、これより光取り出し面側になるに従ってそれぞ
れ０．１ｎｍずつ薄くなっており、最も光取り出し面側
に近い位置にある井戸層８ｇの膜厚は５．７ｎｍと最も
薄い状態となっている。
【００１９】このため、図２に示すように各井戸層８ａ
〜８ｇの量子準位の絶対値がそれぞれ異なることによっ
て実質的なバンドギャップが光取り出し面側になるに従
って徐々に広くなる。
〜８ｇの量子準位の絶対値がそれぞれ異なることによっ
て実質的なバンドギャップが光取り出し面側になるに従
って徐々に広くなる。
【００２０】従って、井戸層８の実質的なバンドギャッ
プに分布を持たせることができるため、発光スペクトル
幅（半値幅）が広がり、活性層９の発光強度が従来のそ
れに比べて大幅に向上する。また、各井戸層８ａ〜８ｇ
の実質的なバンドギャップが光取り出し面方向に徐々広
くなることによって活性層９中での光の吸収が抑制され
るため、外部への光取り出し効率が向上する。
プに分布を持たせることができるため、発光スペクトル
幅（半値幅）が広がり、活性層９の発光強度が従来のそ
れに比べて大幅に向上する。また、各井戸層８ａ〜８ｇ
の実質的なバンドギャップが光取り出し面方向に徐々広
くなることによって活性層９中での光の吸収が抑制され
るため、外部への光取り出し効率が向上する。
【００２１】また、このバンドギャップの変化は、井戸
層８の膜厚を変えるだけでなく、障壁層７側の膜厚ある
いは両層を適宜変えることによっても得ることができ、
さらに、これら井戸層８又は障壁層７の組成を変えるこ
とによっても達成することができるため、これらの方法
によっても上記と同様な作用・効果を得ることができ
る。また、井戸層８（又は障壁層７）の全ての層を変化
させなくとも一部のみを変化させるようにしても良い。
層８の膜厚を変えるだけでなく、障壁層７側の膜厚ある
いは両層を適宜変えることによっても得ることができ、
さらに、これら井戸層８又は障壁層７の組成を変えるこ
とによっても達成することができるため、これらの方法
によっても上記と同様な作用・効果を得ることができ
る。また、井戸層８（又は障壁層７）の全ての層を変化
させなくとも一部のみを変化させるようにしても良い。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の具体的実施例を説明する。
【００２３】（実施例）図１に示すように、先ず、ＭＯ
ＶＰＥ法によってｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型（Ｓｅド
ープ）ＧａＡｓバッファ層２を介してｎ型（Ｓｅドー
プ）（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３
を積層すると共にこのクラッド層３上に、発光波長６３
０ｎｍ付近の多重量子井戸活性層９を形成した。ここ
で、この多重量子井戸活性層９は、膜厚１０ｎｍのｕｎ
−( Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉｎ0.5Ｐ障壁層７を８層
と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層８とをそれぞれ交
互に多重に積層すると共に、井戸層８の膜厚を６．３ｎ
ｍ〜５．７ｎｍまでの範囲で０．１ｎｍずつ変えたもの
を光取り出し面方向に順に亘って薄くなるように積層し
た構造とした。
ＶＰＥ法によってｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型（Ｓｅド
ープ）ＧａＡｓバッファ層２を介してｎ型（Ｓｅドー
プ）（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３
を積層すると共にこのクラッド層３上に、発光波長６３
０ｎｍ付近の多重量子井戸活性層９を形成した。ここ
で、この多重量子井戸活性層９は、膜厚１０ｎｍのｕｎ
−( Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ) 0.5 Ｉｎ0.5Ｐ障壁層７を８層
と、ｕｎ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ井戸層８とをそれぞれ交
互に多重に積層すると共に、井戸層８の膜厚を６．３ｎ
ｍ〜５．７ｎｍまでの範囲で０．１ｎｍずつ変えたもの
を光取り出し面方向に順に亘って薄くなるように積層し
た構造とした。
【００２４】次いで、同じくＭＯＶＰＥ法によってこの
多重量子井戸活性層９上にｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５とｐ型（亜
鉛ドープ）ＧａＰ層６をそれぞれ１０μｍの厚さで積層
して本発明に係る発光素子用エピタキシャルウェハを形
成した。尚、全てのエピタキシャル層の成膜は、成膜温
度７００℃、成膜圧力５０Ｔｏｏｒ、成膜速度０．３〜
３．０ｎｍ／ｓ、Ｖ／III 比は１００〜６００で行っ
た。
多重量子井戸活性層９上にｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５とｐ型（亜
鉛ドープ）ＧａＰ層６をそれぞれ１０μｍの厚さで積層
して本発明に係る発光素子用エピタキシャルウェハを形
成した。尚、全てのエピタキシャル層の成膜は、成膜温
度７００℃、成膜圧力５０Ｔｏｏｒ、成膜速度０．３〜
３．０ｎｍ／ｓ、Ｖ／III 比は１００〜６００で行っ
た。
【００２５】次に、この発光素子用エピタキシャルウェ
ハに従来と同様な加工を施して発光ダイオードチップを
作製した。尚、このチップの大きさは３００μｍ角でチ
ップ下面全体にｎ型電極を形成し、チップ上面に直径１
５０μｍの円形のｐ型電極を形成した。ｎ型電極は、金
ゲルマニウム、ニッケル、金をそれぞれ６０ｎｍ，１０
ｎｍ，１０００ｎｍの順に蒸着し、ｐ型電極は、金亜
鉛、ニッケル、金をそれぞれ６０ｎｍ，１０ｎｍ，１０
００ｎｍの順に蒸着した。さらに、このチップをステム
組して、樹脂モールドまで行い、発光ダイオードの発光
特性を調べた。
ハに従来と同様な加工を施して発光ダイオードチップを
作製した。尚、このチップの大きさは３００μｍ角でチ
ップ下面全体にｎ型電極を形成し、チップ上面に直径１
５０μｍの円形のｐ型電極を形成した。ｎ型電極は、金
ゲルマニウム、ニッケル、金をそれぞれ６０ｎｍ，１０
ｎｍ，１０００ｎｍの順に蒸着し、ｐ型電極は、金亜
鉛、ニッケル、金をそれぞれ６０ｎｍ，１０ｎｍ，１０
００ｎｍの順に蒸着した。さらに、このチップをステム
組して、樹脂モールドまで行い、発光ダイオードの発光
特性を調べた。
【００２６】（従来例）上記多重量子井戸活性層とし
て、全ての障壁層と井戸層との膜厚を均一にした他は、
上記実施例１と同様な方法によって発光素子用エピタキ
シャルウェハを形成した後、発光素子用エピタキシャル
ウェハに従来と同様な加工を施して実施例と同様なサイ
ズの発光ダイオードを作製し、その発光ダイオードの発
光特性を調べた。
て、全ての障壁層と井戸層との膜厚を均一にした他は、
上記実施例１と同様な方法によって発光素子用エピタキ
シャルウェハを形成した後、発光素子用エピタキシャル
ウェハに従来と同様な加工を施して実施例と同様なサイ
ズの発光ダイオードを作製し、その発光ダイオードの発
光特性を調べた。
【００２７】先ず、実施例及び従来例の発光ダイオード
に対して２０ｍＡ通電した際の発光スペクトルを比較す
ると、図３に示すように本実施例では、従来例に比べて
発光スペクトルの幅が広くなっており、発光強度が従来
例よりも大きく向上した。
に対して２０ｍＡ通電した際の発光スペクトルを比較す
ると、図３に示すように本実施例では、従来例に比べて
発光スペクトルの幅が広くなっており、発光強度が従来
例よりも大きく向上した。
【００２８】また、両発光ダイオードの輝度を測定した
結果、従来例１００ｍｃｄであるのに対して、本実施例
は１３０ｍｃｄとなり、従来例に比べてその輝度が３０
％も向上した。
結果、従来例１００ｍｃｄであるのに対して、本実施例
は１３０ｍｃｄとなり、従来例に比べてその輝度が３０
％も向上した。
【００２９】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、多重量子
井戸活性層の井戸層又は障壁層の膜厚或いは組成を異な
らしめてバンドギャップに分布を持たせるようにしたた
め、発光スペクトルの幅が広くなり、これによって輝度
が向上する。また、このバンドギャップを光り取り出し
面側に近づくに従って実質的なバンドギャップを広くす
るようにしたため、発光の取り出し効率が向上し、その
輝度をさらに向上することができる等といった優れた効
果を発揮することができる。
井戸活性層の井戸層又は障壁層の膜厚或いは組成を異な
らしめてバンドギャップに分布を持たせるようにしたた
め、発光スペクトルの幅が広くなり、これによって輝度
が向上する。また、このバンドギャップを光り取り出し
面側に近づくに従って実質的なバンドギャップを広くす
るようにしたため、発光の取り出し効率が向上し、その
輝度をさらに向上することができる等といった優れた効
果を発揮することができる。
【図１】本発明に係る発光素子用エピタキシャルウェハ
の実施の一形態を示す構造図である。
の実施の一形態を示す構造図である。
【図２】本発明に係る発光素子用エピタキシャルウェハ
の多重量子井戸活性層におけるバンドギャップを示す概
念図である。
の多重量子井戸活性層におけるバンドギャップを示す概
念図である。
【図３】本発明に係る発光素子（発光ダイオード）と、
従来の発光ダイオードの発光スペクトルを比較した結果
を示すグラフ図である。
従来の発光ダイオードの発光スペクトルを比較した結果
を示すグラフ図である。
【図４】従来の発光素子用エピタキシャルウェハの典型
例を示す構造図である。
例を示す構造図である。
【図５】従来のダブルへテロ活性層を有する発光ダイオ
ードの発光スペクトルと、従来の多重量子井戸活性層を
有する発光ダイオードの発光スペクトルを示すグラフ図
である。
ードの発光スペクトルと、従来の多重量子井戸活性層を
有する発光ダイオードの発光スペクトルを示すグラフ図
である。
【図６】多重量子井戸活性層の量子効果による実質的な
バンドギャップを示す説明図である。
バンドギャップを示す説明図である。
【図７】従来の多重量子井戸活性層におけるバンドギャ
ップを示す概念図である。
ップを示す概念図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ バッファ層 ３，５ クラッド層 ４ 従来の多重量子井戸活性層 ６ ＧａＰ層 ７ 障壁層 ８ 井戸層 ９ 本発明の多重量子井戸活性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今野 泰一郎 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 金田 直樹 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 野口 雅弘 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 菊池 幸夫 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA14 CA05 CA22 CA34 CA65 5F073 AA74 CA07 CB07 DA05
Claims (7)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
井戸層の厚さが単一ではないことを特徴とする発光素子
用エピタキシャルウェハ。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
井戸層の組成が単一ではないことを特徴とする発光素子
用エピタキシャルウェハ。 - 【請求項３】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
障壁層の厚さが単一でないことを特徴とする発光素子用
エピタキシャルウェハ。 - 【請求項４】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
障壁層の組成が単一でないことを特徴とする発光素子用
エピタキシャルウェハ。 - 【請求項５】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
井戸層の実質的なバンドギャップが単一でないことを特
徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。 - 【請求項６】 ＧａＡｓ基板上の活性層が複数の障壁層
と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となって
いる発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各
井戸層の実質的なバンドギャップが光取り出し面側にな
るに従って大きくなっていることを特徴とする発光素子
用エピタキシャルウェハ。 - 【請求項７】 上記請求項１〜６のいずれかに記載の発
光素子用エピタキシャルウェハを用いて得られたことを
特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34053499A JP2001156328A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34053499A JP2001156328A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156328A true JP2001156328A (ja) | 2001-06-08 |
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ID=18337917
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP34053499A Pending JP2001156328A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001156328A (ja) |
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1999
- 1999-11-30 JP JP34053499A patent/JP2001156328A/ja active Pending
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