JP2006332205A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＳｉＣ基板を用いることにより、垂直型の発光素子としながら、基板と窒化物半導体層との格子不整合に伴う窒化物半導体層の膜質の低下に伴う発光出力の低下を防止し、かつ、基板側に進む光も有効に利用し得る窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１上に、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層される光反射層２が直接設けられ、その光反射層２上に、発光層形成部３を少なくとも有するように窒化物半導体層が積層される半導体積層部５が設けられている。そして、半導体積層部５の上面側に上部電極７が、ＳｉＣ基板１の裏面に下部電極８がそれぞれ設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、窒化物半導体を用いた半導体発光素子に関する。さらに詳しくは、基板にＳｉＣからなる半導体基板を用い、基板の裏面に一方の電極を設けながら、発光層形成部で発光する光を有効に取り出すことができ、外部量子効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子に関する。

従来の窒化物半導体を用いた半導体発光素子は、たとえばサファイア基板上に、バッファ層および発光層形成部を含む窒化物半導体積層部を成長し、その半導体積層部の一部をエッチングして半導体積層部の下層側の導電形層を露出させ、その露出させた下層側導電形層表面に下部電極を、半導体積層部の上面側に上部電極をそれぞれ設けることにより形成されている。このようなサファイアが基板として用いられると、サファイア基板は絶縁体であるため、半導体積層部の下層側の導電形層と接続する電極を基板の裏面に形成することができず、上述のように半導体積層部の一部をエッチングにより除去して下層の導電形層を露出させなければならない。そのため非常に製造工程が複雑になると共に、エッチングによるコンタミネーションが発光面や電極形成面などに付着して、発光出力の低下や電極接続部の電気抵抗の増大など電気的特性への問題も生じている。

このような問題を解決するため、基板としてＳｉＣからなる半導体基板を用い、その上に窒化物半導体を用いて、バッファ層を介してダブルヘテロ接合の発光層形成部を成長する構造の半導体発光素子も考えられている。すなわち、図３に示されるように、ＳｉＣ基板１０１上にバッファ層１０２が設けられ、その上に活性層１０４を下層半導体層１０３と上層半導体層１０５とでサンドイッチ構造にしたダブルヘテロ接合からなる発光層形成部１０６を積層し、その表面に上部電極１０７を、ＳｉＣ基板１０１の裏面に下部電極１０８を形成することにより、発光層形成部１０６などの半導体積層部の一部をエッチングすることなく、半導体積層部の下層導電形層に接続する下部電極１０８を半導体基板１０１裏面に形成するものである（たとえば特許文献１参照）。
米国特許明細書第５５２３５８９号

前述のように、ＳｉＣを基板として用いることにより、半導体積層部をエッチングしなくても基板の裏面に一方の電極を形成することができて好ましい。しかしながら、ＳｉＣ基板を用いても、窒化物半導体層との格子整合を完全に行うことはできず、その上に積層する窒化物半導体層の結晶性が悪いと発光効率が低下するという問題を有している。この場合、前述のように、ＳｉＣ基板１０１と発光層形成部１０６との間にバッファ層１０２を介在させることが提案されているが、窒化物半導体では、ＡｌＮがＳｉＣと格子定数が最も近く、できるだけＡｌの混晶比率の大きいＡｌＧａＮ系化合物（ＡｌとＧａとの混晶比率が一義的でなく、種々取り得る化合物であることを意味する、以下の「系」も同じ意味で使用する）をバッファ層として介在させることが好ましいが、ＡｌＮは絶縁層となり、半導電性にすることができず、ＡｌＧａＮ系化合物にしても、Ａｌの混晶比率を大きくすればするほどキャリア濃度を高くすることができず、ＳｉＣ基板裏面に一方の電極を形成しようとすると、バッファ層のキャリア濃度を充分に上げる必要があり、キャリア濃度の観点からＡｌの混晶比率を上げるのは０.２程度が限度である。そのため、ＳｉＣ基板と窒化物半導体層との格子不整合を充分に緩和させることができない。

さらに、ＳｉＣは窒化物半導体で発光する光を吸収する。そのため、たとえばサファイア基板であれば基板側に進む光でも基板の側面から出る光や、基板の裏面側で反射する光を利用することができるが、ＳｉＣ基板を用いると、基板側に進む光を殆ど利用することができないという問題がある。一方、発光層で発光する光は、四方に均等に放射され、光を取り出す半導体積層部の上面側と同程度の強さの光がＳｉＣ基板側にも進み、理論上発光する光の半分は無駄になるという問題がある。

本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、ＳｉＣ基板を用いることにより、基板の裏面に一方の電極を形成し、垂直型の発光素子としながら、基板と窒化物半導体層との格子不整合に伴う窒化物半導体層の膜質の低下に基づく発光出力の低下を防止し、かつ、基板側に進む光も有効に利用することにより、外部量子効率を向上させることができる構造の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。

本発明の他の目的は、光反射層として多層の半導体積層膜を有する場合でも、その積層膜を形成する場合に温度変化を極力避けることにより、短時間で積層することが可能な構造の窒化物を用いた半導体発光素子を提供することにある。

本発明による窒化物半導体発光素子は、ＳｉＣ基板と、該ＳｉＣ基板上に直接設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層される光反射層と、該光反射層上に設けられ、発光層形成部を少なくとも有するように窒化物半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の上面側および前記ＳｉＣ基板の裏面にそれぞれ設けられる電極とを有している。

ここに窒化物半導体とは、III族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物またはIII族元素のＧａの一部または全部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII族元素と置換したもの、および／またはＶ族元素のＮの一部がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した窒化物を意味する。また、低屈折率と高屈折率とは、両層間の相対的な屈折率の関係を意味し、屈折率の絶対値を問わない。さらに、超格子などの多層構造で層が形成されている場合の屈折率は、その平均的な屈折率を意味する。

前記光反射層が、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）とＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）との積層構造により形成されることにより、多層膜の成長工程を短時間で行うことができ、かつ、膜質の優れた窒化物半導体層を積層することができる。すなわち、ＡｌＧａＮ系化合物同士で屈折率を変えた半導体層を積層しようとすると、両層間の屈折率差を余り大きくできないが、ＩｎＧａＮ系化合物を高屈折率層として用いると低屈折率層のＡｌ_xＧａ_1-xＮのように、７００℃程度以上の高温で成長することができない。一方で窒化物半導体層は高温の方が結晶性のよい層を形成しやすいため、結晶性の優れた多層膜を形成しようとするとできるだけ高温で成長することが好ましい。そのため、高屈折率層としてＩｎＧａＮ系化合物を用いようとすると、低屈折率層と高屈折率層とで、一々成長温度を変えなければならず、非常に時間がかかると共に、全体の結晶性も低下するが、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）とＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）との積層構造にすることにより、高温のままで組成を変えて成長することができるため、非常に短時間で、かつ、膜質の優れた光反射層を形成することができる。膜質が優れることにより、光の反射特性も非常に向上する。

前記発光層形成部が活性層をｎ形層とｐ形層とでサンドイッチ構造にするダブルヘテロ構造に形成されることにより、キャリアを充分に閉じ込めることができ、発光効率の優れた半導体発光素子が得られる。

本発明によれば、ＳｉＣ基板表面に直接多層膜により光反射層が形成されているため、その上に積層される窒化物半導体層の膜質が向上すると共に、発光層で発光した光で、基板側に進む光でも光反射層により反射されて表面側から出射されやすくなる。すなわち、前述のように、ＳｉＣ基板と窒化物半導体とは、格子定数などは一致せず、たとえバッファ層を挿入しても、バッファ層はその導電性を確保するためにはＡｌの混晶比率をそれほど上げることができず、必ずしもバッファ層の役目を充分には果さず、膜質の良好な窒化物半導体層を成長することができない。しかし、多層膜にすることによりキャリア濃度を上げやすいと共に、格子定数などの異なる層でも積層しやすいため、Ａｌの混晶比率を上げてＳｉＣ基板の格子定数と近い層を成長することができ、その上に成長する窒化物半導体層の膜質を向上させることもできる。さらに、その多層膜が発光層で発光する光の反射膜になるような厚さで積層されることにより、基板側に進む光を反射させることができ、発光する光の殆ど全部を表面側に取り出すことができる。その結果、非常に外部量子効率を向上させることができ、発光効率の優れた窒化物半導体発光素子となる。

また、前述のように、光反射層をＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）とＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）との積層構造にすることにより、７００℃程度以上の高温のみで成長することができるため、とくに結晶性の優れた窒化物半導体層を積層することができると共に、ＩｎＧａＮ系化合物を挟むと、その層は６００℃程度以下の低温度で成長しなければならないため、多層膜を形成すのに温度の上げ下げを繰り返さなければならないが、その必要もなく非常に簡単に多層膜を成長することができる。しかも窒化物半導体層は高温で成長する方が膜質のよい半導体層を成長することができるため、より一層膜質のよい窒化物半導体層を得ることができる。

つぎに、本発明による窒化物半導体発光素子について、図面を参照しながら説明をする。本発明による窒化物半導体発光素子は、その一実施形態の断面説明図および光反射層のバンド図が図１に示されるように、ＳｉＣ基板１上に、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層される光反射層２が直接設けられ、その光反射層２上に、発光層形成部３を少なくとも有するように窒化物半導体層が積層される半導体積層部５が設けられている。そして、半導体積層部５の上面側に上部電極７が、ＳｉＣ基板１の裏面に下部電極８がそれぞれ設けられることにより形成されている。

ＳｉＣ基板１は、単結晶炭化ケイ素基板が用いられ、図１に示される例ではｎ形に形成されている。その基板１上に直接光反射層２が積層されている。光反射層２は、基板１と同じ導電形で、たとえばｎ形のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１、たとえばｘ＝０.３）からなる低屈折率層２１とｎ形のＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ、たとえばｙ＝０）からなる高屈折率層２２とが、それぞれλ／（４ｎ₁）、λ／（４ｎ₂）（λは発光する光の波長、ｎ₁、ｎ₂は低屈折率層および高屈折率層のそれぞれの屈折率）の厚さで交互に積層されて形成されている。このように、屈折率の異なる２つの層を交互に積層することにより、分布型ブラッグ反射層（ＤＢＲ；distributed Bragg reflection）が形成され、とくに各層がλ／（４ｎ）の厚さに形成されることにより、最もよく反射する。

この光反射層２は、たとえばＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１、たとえばｘ＝０.３）からなる低屈折率層２１とＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ、たとえばｙ＝０）からなる高屈折率層２２との積層構造により形成されることにより、共に７００〜１２００℃程度の高温で成長することができ、高温で結晶性のよい窒化物半導体層を積層することができると共に、両層を交互に積層する場合でも温度を変化させることなく成長することができるため好ましい。この場合、両層間の屈折率差を大きくし難いため、反射率を上げるためには層数を多くするか、低屈折率層２１のＡｌの混晶比率を大きくする必要がある。Ａｌの混晶比率を大きくしても、バッファ層のようにバルクで厚い層を形成するのではなく、ＧａＮ層との積層構造にするため、キャリア濃度を上げることができ、ＳｉＣ基板との格子定数も近づき良質の膜を形成しやすい。

しかし、余りＡｌの混晶比率を上げないで、または低屈折率層のＡｌ混晶比を大きくしながら、なおも屈折率差を大きくする場合には、高屈折率層２２としてＩｎ_zＧａ_1-zＮ（０＜ｚ＜１）からなる高屈折率層２２を用いることもできる。この場合、ＡｌＧａＮ系化合物は前述の高温で、ＩｎＧａＮ系化合物は４００〜６００℃程度の低温で成長する。

また、前述の低屈折率層２１や高屈折率層２２は、そのいずれかの層または両層共に、上述のバルク層ではなく、たとえば図２にバンド図で示されるように、さらに屈折率の異なる層、たとえばＩｎ_vＧａ_1-vＮ（０≦ｖ＜１、たとえばｖ＝０）からなる調整層２２２と、たとえばＡｌ_wＧａ_1-wＮ（０＜ｗ＜１、たとえばｗ＝０.１）からなる緩和層２２１との超格子構造に形成されても、それぞれの超格子構造の平均的な屈折率が低い層と高い層とになるように交互に積層されれば、同様に光反射層として寄与しながら、超格子構造による格子定数などの相違に基づく結晶欠陥の発生を抑制することができる。なお、低屈折率層２１および高屈折率層２２共に、前述の例に限定されるものではなく、屈折率の異なる層で光を反射しやすいように積層されておればよい。

発光層形成部３は、光反射層２上に直接または他の半導体層を介して形成され、図１に示される例では、Ａｌ_aＧａ_bＩｎ_1-a-bＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の一般式で表される窒化物材料により、活性層３２を挟むように、たとえば０.５μｍ程度のｎ形ＧａＮなどにより形成されるｎ形層３１と０.５μｍ程度のｐ形ＧａＮなどにより形成されるｐ形層３３が設けられたダブルヘテロ構造からなっている。活性層３２は、発光させる光の波長に応じたバンドギャップエネルギーを有する材料が選択され、たとえば波長が４４０〜４７０ｎｍの青色発光をさせる場合、０.０１〜０.１μｍ程度のＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎからなるバルク構造のもの、または１〜１０ｎｍ程度のＩｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎウェル層と１〜１０ｎｍ程度のＧａＮバリア層との単一もしくは多重の量子井戸構造に形成され、全体で０.０１〜０.１μｍ程度に形成される。この発光層形成部３は、ダブルヘテロ接合構造でなくても、シングルへテロ構造、またはホモ接合でｐｎ接合が形成されたものでもよく、電子と正孔との再結合による発光部が形成されるように半導体層が積層されていればよい。

活性層３２は通常ノンドープで形成されるが、ｐ形層もしくはｎ形層でも構わない。ｎ形層３１とｐ形層３３とは活性層にキャリアを閉じ込める意味からも、活性層３２よりもバンドギャップエネルギーの大きい材料が好ましく、前述のＧａＮの代りにＡｌＧａＮ系化合物でもよいし、他の組成の層との複層でそれぞれ設けられてもよいし、さらにはｎ形層３１とｐ形層３２とが異なる組成で形成されてもよく、必ずしもこれらには限定はされない。

この発光層形成部３を、たとえば面発光レーザのように、垂直方向の共振器として使用する場合には、全体の厚さがλ／ｎになるように調整されていることが共振器になりやすくて好ましい。この場合、ｎ形層３１およびｐ形層３３の厚さで調整される。また、垂直方向の共振器とする場合には、図示されていないが、この発光層形成部３の上に、第２の光反射層が形成される。この意味から、ｎ形層３１およびｐ形層３３はスペーサ層として機能したり、電子バリア層や正孔バリア層などとして機能したりするように、それらの組成や膜厚も適宜調整される。

発光層形成部３上に、たとえばｐ形ＧａＮからなるコンタクト層４が設けられることにより、前述の光反射層２、発光層形成部３と共に半導体積層部５が構成されている。コンタクト層４は、その上部に設けられる電極とのオーミックコンタクトを良好にすると共に、上部電極７からの電流を発光素子チップの全体に拡散させるために設けられるが、発光層形成部３の表面に直接透光性導電層が設けられてもよい。コンタクト層４が設けられる場合には、前述の目的からも、できるだけキャリア濃度を大きくすることが好ましいため、一般的にはＧａＮが用いられるが、ＡｌＧａＮ系化合物層またはＩｎＧａＮ系化合物層で形成されてもよい。

このコンタクト層４上に透光性導電層６が、たとえばＮｉ-Ａｕ層で２〜１００ｎｍ程度の厚さに形成されたり、ＺｎＯ層またはＩＴＯ層で０.１〜２μｍ程度の厚さに設けられたりすることにより形成されている。ＺｎＯ層またはＩＴＯ層は厚くしても透光性があるが、Ｎｉ-Ａｕ層は厚くすると透光性がなくなるので、薄く形成される。図１に示される例では、ＺｎＯ層が０.３μｍ程度の厚さに形成されている。この透光性導電層６は、窒化物半導体層、とくにｐ形窒化物半導体層はキャリア濃度を大きくし難く、電流をチップの全面に拡散し難いこと、および電極パッドとする金属膜からなる上部電極７とのオーミックコンタクトを取り難いこと、という問題を改良するために設けられるもので、これらの問題を解消できればなくても構わない。

上部電極７は、図１に示される例では半導体積層部５の上面側がｐ形からなる層であるため、ｐ側電極として形成されており、たとえばＴｉ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕまたはＮｉ-Ａｕなどの積層構造で、全体として０.１〜１μｍ程度の厚さに形成されている。また、ＳｉＣ基板１の裏面に下部電極（ｎ側電極）８が、たとえばＴｉ-Ａｌ合金またはＴｉ／Ａｕの積層構造などで、全体と０.１〜１μｍ程度の厚さに形成される。

前述の半導体積層部５をｎ形に形成するためには、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴｅをＨ_２Ｓｅ、ＳｉＨ₄ 、ＧｅＨ₄ 、ＴｅＨ₄ などの不純物原料ガスとして反応ガス内に混入すれば得られ、ｐ形にするためには、ＭｇやＺｎをシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂ Ｍｇ）やジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）の有機金属ガスとして原料ガスに混入する。ただしｎ形の場合は不純物を混入しなくても、成膜時にＮが蒸発しやすく自然にｎ形になりやすいため、その性質を利用することもできる。

つぎに、具体例で本発明の窒化物半導体発光素子の製法について簡単に説明する。まず、ＳｉＣ基板１を、たとえばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）装置内にセッティングし、成長する半導体層の成分ガス、たとえばトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム、アンモニアガス、ｎ形ドーパントガスとしてのＨ₂Ｓｅ、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、ＴｅＨ₄のいずれか、また、ｐ形ドーパントガスとしてＤＭＺｎもしくはＣｐ₂ Ｍｇのうちの必要なガスをキャリアガスのＨ₂ガスまたはＮ₂ガスと共に導入し、たとえば７００〜１２００℃程度の温度で、ｎ形のＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ低屈折率層２１とＧａＮ高屈折率層２２とを交互に度積層し、光反射層２を形成する。

ついで、ＧａＮからなり０.５μｍ程度厚のｎ形層３１、Ｉｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる井戸層と、ＧａＮからなる障壁層とを５周期程度交互に積層した量子井戸活性層３２、およびＧａＮからなり０.５μｍ程度厚のｐ形層３３とを順次積層することにより、発光層形成部３を成長する。ついで、ｐ形ＧａＮからなり０.０５〜２μｍ程度厚のｐ形コンタクト層４をそれぞれ順次エピタキシャル成長して、半導体積層部５を形成する。

その後ＳｉＯ₂ 保護膜をコンタクト層４表面全面に設け、４００〜８００℃、２０〜６０分間程度のアニールを行って、コンタクト層４およびｐ形層３３の活性化を行う。アニールが完了すると、ウェハをスパッタリング装置または真空蒸着装置に入れてコンタクト層４表面に、ＺｎＯからなる透光性導電層６を０.３μｍ程度形成し、さらにＴｉ、Ａｌなどを成膜することにより、上部電極７を形成する。その後、ＳｉＣ基板１の裏面側をラッピングすることにより、ＳｉＣ基板１を薄くして、基板１の裏面に、Ｔｉ、Ａｕなどの金属膜を同様に成膜することにより、下部電極８を形成する。最後に、スクライブしチップ化することにより、窒化物半導体発光素子のチップが得られる。

本発明によれば、窒化物半導体層を積層するのに、ＳｉＣ基板を用いているため、積層される半導体層の下層の導電形層と同じ導電形層に形成することができる。その結果、積層される半導体積層部の下層の導電形層と接続する下部電極を基板の裏面に形成することができ、積層した半導体積層部の一部をエッチングにより除去して下層の導電形層を露出させる必要がない。そのため、半導体積層部の一部をエッチングすることによるコンタミネーションの悪影響もなく、簡単に電極を形成することができる。

さらに、ＳｉＣ基板表面に直接光反射層が形成されているため、発光層形成部で発光して基板側に進む光もＳｉＣ基板に吸収されることなく、表面側に反射して表面側に向かった光と共に一緒に表面側から放射される。その結果、外部量子効率が大幅に向上し、非常に高輝度の窒化物半導体発光素子が得られる。さらに、光反射層は、屈折率の異なる層が、それぞれたとえばλ／（４ｎ）程度の厚さで交互に積層されるため、たとえばＡｌＧａＮ系化合物のＡｌの混晶比率の高い層でも比較的キャリア濃度を高くすることができ、ＳｉＣ基板と格子定数の近いＡｌＧａＮ系を成長することができる。その結果、ＳｉＣ基板とＧａＮ層などとの格子不整合を緩和させることができ、より結晶性に優れた窒化物半導体層を成長することができる。

以上のように、本発明によれば、基板の裏面に一方の電極を形成した垂直型の窒化物半導体発光素子が得られ、製造工程が容易で、しかも使用勝手のよい発光素子が得られると共に、窒化物半導体層の結晶性が優れて発光効率が向上し、さらに基板側に進む光も表面側に反射されて利用することができるため、外部量子効率が大幅に向上し、非常に高輝度の窒化物半導体発光素子が得られる。

前述の例では、基板をｎ形にして下層の半導体層をｎ形にしたが、基板をｐ形にしてｐ形層を下層にすることも可能である。また、発光層形成部を、活性層をｎ形層とｐ形層とで挟持するサンドイッチ構造のダブルヘテロ構造にしたが、さらに他の半導体層がいずれかの層間に挿入されたり、シングルへテロ構造にされたり、ホモｐｎ接合に形成されたりすることもできる。

本発明による窒化物半導体発光素子の断面およびバンド図の説明図である。 図１の光反射層の他の例を示すバンド図である。 従来の窒化物半導体発光素子の一例を示す断面説明図である。

符号の説明

１ ＳｉＣ基板
２ 光反射層
３ 発光層形成部
４ コンタクト層
５ 半導体積層部
７ 上部電極
８ 下部電極
２１ 低屈折率層
２２ 高屈折率層
３１ ｎ形層
３２ 活性層
３３ ｐ形層

Claims (3)

1. ＳｉＣ基板と、該ＳｉＣ基板上に直接設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層される光反射層と、該光反射層上に設けられ、発光層形成部を少なくとも有するように窒化物半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の上面側および前記ＳｉＣ基板の裏面にそれぞれ設けられる電極とを有する窒化物半導体発光素子。
2. 前記光反射層が、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）とＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）との積層構造により形成されてなる請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
3. 前記発光層形成部が活性層をｎ形層とｐ形層とでサンドイッチ構造にするダブルヘテロ構造に形成されてなる請求項１または２記載の窒化物半導体発光素子。

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