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JP2001036309A - マルチチップモジュール接続構造 - Google Patents

マルチチップモジュール接続構造

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Publication number
JP2001036309A
JP2001036309A JP20183599A JP20183599A JP2001036309A JP 2001036309 A JP2001036309 A JP 2001036309A JP 20183599 A JP20183599 A JP 20183599A JP 20183599 A JP20183599 A JP 20183599A JP 2001036309 A JP2001036309 A JP 2001036309A
Authority
JP
Japan
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line
chip
connection structure
film
dielectric substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP20183599A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Ishikawa
誠 石川
Isao Izumi
勲夫 泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
Priority to JP20183599A priority Critical patent/JP2001036309A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】誘電体基板上の信号線路と、又は複数のMMI
Cチップ間を小型、且つ良好な特性で相互接続するMC
M(マルチチップモジュール)接続構造を提供する。 【解決手段】誘電体基板2上のマイクロストリップ線路
3又はコプレーナ線路151、150とMMICチップ
6の信号線路8とをフィルム状コプレーナ型接続線路1
00を用い、マイクロカプセル型異方導電性接着剤13
4によりインピーダンス整合して相互接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマルチチップモジュ
ール(MCM)接続構造、特にコプレーナ線路又は入出
力端にRF(無線周波数)プローバ測定部を有するMM
IC(モノリシックマイクロ波集積回路)チップ、マイ
クロストリップライン又はコプレーナ線路を構成する誘
電体基板であるマイクロ波回路要素間を接続線路を用い
て接続する接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波回路において、高周波トラン
ジスタ、FET(電界効果トランジスタ)、抵抗及びキ
ャパシタ(コンデンサ)等で構成したマイクロ波集積回
路を、半導体結晶(GaAs、Si等)等の基板上にモ
ノリシックに集積化するMMICチップは、小型、高信
頼性、低価格等の大きな利点を有している。
【0003】近年、斯かるMMICチップを複数個使用
して電子機器モジュールを構成するMCM技術が検討さ
れている。従来、このMCM技術は、金属又は全面導体
の誘電体基板から成るベース基板に、MMICチップ、
マイクロ波回路を構成する誘電体基板等をマウントし、
これらをボンディングワイヤ又はリボンで接続した構造
が一般的である。このMCM接続構造を使用する技術
は、例えば特開平9−148524号公報の「高周波回
路装置」に開示されている。即ち、擬似的なコプレーナ
線路による接続構造である。
【0004】斯かるMCM接続構造を図8乃至図10を
参照して説明する。図8は、従来のMCM接続構造の斜
視図、図9は上面図、図10は図9の線A−A’に沿う
断面図である。このMCM接続構造は、ベース基板16
0上に配置された複数のMMICチップ6を有する。各
MMICチップ6の裏面には接地導体9を有し、上面に
入出力信号線路端8を有する。各MMICチップ6の端
部近傍には、ビアホール7を介して接地導体9と接属さ
れたMMICチップ接地端子5を有する。対向配置され
たMMICチップ6の信号線路8同士及び接地端子5同
士は、金ワイヤ又は金リボン等で構成される接地導体付
き擬似コプレーナ線路11で相互接続される。また、こ
の従来技術において、接地導体付き擬似コプレーナ線路
11の直下には、高誘電体材料13を含んだ樹脂12を
有する。
【0005】このように構成された接地導体付き擬似的
コプレーナ接続線路は、接続部での特性インピーダンス
不整合を抑えることができる。また、誘電体樹脂12及
び内部に含まれる高誘電体材料の材質、混入密度を変更
して、接続線路の特性インピーダンスを広範囲で制御可
能である。
【0006】また、関連技術は、特開昭63−2335
46号公報の「入力信号伝送回路」、特開平7−245
11号公報の「混成集積回路」、特開平6−37202
号公報の「マイクロ波ICパッケージ」、特開平4−3
8855号公報の「マイクロ波帯IC用パッケージ」及
び特開昭61−234055号公報の「半導体装置」に開
示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
技術では、信号用及び設置用の3線路が独立の金ワイヤ
または金リボン等で構成される為に、接続線路の長さ
(L1)、接続線路間の幅(W1)及び高さ(h1)を
3線路とも等しく平行に接地することは不可能である。
また、振動や加速度により3線路が異なる形状へ変化す
るおそれもあり、これらは全て特性インピーダンスの変
動を生じることとなる。
【0008】本発明の目的は、MCMにおける接続部で
の特性インピーダンスを安定化させると共に、接続線路
の特性インピーダンスを広範囲にわたって定量的に制御
でき且つ簡単に接続できるMCM接続構造を提供するこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明によるマルチチップモジュール接続構造は、
次のような特徴的な構成を採用している。
【0010】(1)誘電体基板上にマイクロ波ICチッ
プを直接搭載し、該マイクロ波ICチップの信号線路と
前記誘電体基板上の信号線路との間を相互接続するマル
チチップモジュール接続構造において、前記誘電体基板
及び前記マイクロ波ICチップの接続部に、可撓性フィ
ルム上に線路が並列に被着形成されたフィルム状コプレ
ーナ型接続線路を設け、前記誘電体基盤と前記マイクロ
波ICチップの前記信号線路間を相互接続するマルチチ
ップモジュール接続構造。
【0011】(2)前記フィルム状コプレーナ型接続線
路と、前記信号線路間はマイクロカプセル型異方導電性
接着剤を用いて接続する上記(1)のマルチチップモジ
ュール接続構造。
【0012】(3)前記誘電体基板の前記信号線路は、
マイクロストリップ線路である上記(1)又は(2)の
マルチチップモジュール接続構造。
【0013】(4)前記誘電体基板の前記信号線路は、
信号線路と接地パターンとを有するコプレーナ線路であ
る上記(1)又は(2)のマルチチップモジュール接続
構造。
【0014】(5)誘電体基板上に直接搭載された複数
のマイクロ波ICチップの信号線路及び接地端子間を相
互接続するマルチチップモジュール接続構造において、
前記マイクロ波ICチップの対向部に、可撓性フィルム
上に線路が並列に被着形成されたフィルム状コプレーナ
型接続線路を設け、前記マイクロ波ICチップの前記信
号線路及び接地端子間を前記フィルム状コプレーナ型接
続線路により相互接続するマルチチップモジュール接続
構造。
【0015】(6)前記フィルム状コプレーナ型接続線
路は表面に塗布したマイクロカプセル型導電性接着剤を
用いて接続する上記(5)のマルチチップモジュール接
続構造。
【0016】(7)前記各マイクロ波ICチップは、裏
面に接地導体を有し、該接地導体と前記接地端子間をビ
アホールにより接続する上記(5)又は(6)のマルチ
チップモジュール接続構造。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるマルチチップ
モジュール(MCM)接続構造の好適実施形態例の構成
及び動作を添付図、特に図1乃至図7を参照して詳細に
説明する。尚、上述した従来技術の構成要素と対応する
構成要素には、便宜上同一参照符号を使用するものとす
る。
【0018】先ず、図1乃至図3は、本発明によるMC
M接続構造の第1実施形態例を示し、図1は斜視図、図
2は上面図及び図3は図2中の線A−A’に沿う断面図
である。
【0019】これら図1乃至図3のMCM接続構造は、
MMICチップ6を誘電体基板2に接続する例である。
誘電体基板2は、裏面に接地導体1を有すると共に、上
面にマイクロストリップ線路(信号線路)3及び接続部
接地パターン101を有する。他方、MMICチップ6
は、裏面に接地導体9を有し、上面に入出力信号線路8
及び接地端子5を有する。更に、MMICチップ6は、
裏面の接地導体1と接地端子5との間を連通するビアホ
ール7を有する。
【0020】誘電体基板2上のマイクロストリップ線路
3は、接続部接地パターン101との間にギャップgを
設けた構造であり、線路は接地導体付きコプレーナ線路
を形成する。接続部接地パターン101とマイクロスト
リップ線路3間のギャップg及びマイクロストリップ線
路3の幅及びそれらの形状は、マイクロストリップ線路
3を伝わる伝送信号が接地導体付きコプレーナ線路に効
率良く変換及び伝送されるよう設定する。
【0021】誘電体基板2とその上に搭載されるMMI
Cチップ6間は、フィルム状コプレーナ型接続線路10
0により相互接続される。このフィルム状コプレーナ型
接続線路100は、極めて可撓性が高く且つ耐熱性を有
する誘電体フィルムの表面に一定幅且つ一定間隔で平行
に配設された導電箔を有する。
【0022】図4は、上述したフィルム状コプレーナ型
接続線路100は、例えば特開平2−91956号公報
に開示されるコプレーナ線路を有する接地導体付きフィ
ルムキャリアを改良した線路である。このフィルム状コ
プレーナ型接続線路100は、可撓性の絶縁フィルム
(誘電体層)123の上面に接着剤層122を介して第
1接続線路120と、その両側の第2接続線路121を
被着形成する。更に、これら表面に、マイクロカプセル
型異方導電性接着剤134を塗布してコプレーナ型接続
線路とする。斯かる構成のフィルム状コプレーナ型接続
線路100によると、特性インピーダンスZ0は、第1
及び第2接続線路120、121の幅W3、W4、線路
120、121間のピッチ(間隔)P、誘電体厚h3、誘
電体の比誘電率、線路導体厚tにより決定されること当
業者に周知のとおりである。これらのパラメータを適当
に選択して、接続線路の特性インピーダンスZ0を所望
値に設定する。
【0023】図4に示す如きフィルム状コプレーナ型接
続線路100を、誘電体基板2上のマイクロストリップ
線路3とMMICチップ6の入出力端の接続部分におい
て、第1接続線路120は、マイクロストリップ線路3
とMMICチップ6の信号線路8を接続し、第2接続線
路121は、MMICチップ6の接地端子5及び誘電体
基板2上の接続部接地パターン101に接続する。接続
方法又は手段は、図5に拡大断面図で示す。即ち、表面
にマイクロカプセル型異方導電性接着剤134を塗布し
たフィルム状コプレーナ型接続線路100を上下反転
(フェースダウン)させ、各接続線路120、121の接
続部に上方から圧力を加える。これにより、マイクロカ
プセル型異方導電性接着剤134により電気的且つ機械
的に接続する。このマイクロカプセル型異方導電性接着
剤134は、電気的絶縁性及び耐湿性に優れた絶縁層
(樹脂)130でコーティングされた導電性金属粒子1
31が入った接着剤であり、接続部を加圧することによ
り、金属粒子131の外周のコーティングが破壊された
導電性金属粒子132を介して接続ライン133と接続
線路120、121間を電気的に接続する。
【0024】斯かる接続構造により、従来構造で特性イ
ンピーダンス変動の問題となる各接続線路の長さL2、
幅W2及び高さh2のばらつきを均一化できる。また、
熱や振動及び衝撃による接続線路の形状変化があって
も、その特性インピーダンスZ0は極めて安定であるこ
とに注目されたい。また、上述したように、接続線路1
00の特性インピーダンスは、パラメータを選択するこ
とにより、誘電体基板2上のマイクロストリップ線路3
及びMMICチップ6の信号線路8の特性インピーダン
スに合わせて広範囲に制御可能である。
【0025】図4に示す如き、フィルム状コプレーナ型
接続線路100を図5に示す如く接続方法で接続した図
1乃至図3のMCM接続構造によると、誘電体基板2上
のマイクロストリップ線路3の入力端から入力されるR
F信号は、マイクロストリップ線路3を伝送される。M
MICチップ6との接続部の手前でマイクロストリップ
線路3と接続部接地パターン101から成る接地導体付
きコプレーナ線路を伝送する信号に変換される。更に、
フィルム状コプレーナ型接続線路100を伝送してMM
ICチップ6の入力端に供給される。尚、MMICチッ
プ6の出力端と誘電体基板2のマイクロストリップ線路
間についても、図1乃至図3は図示しないが、入力端と
同様に動作する。フィルム状コプレーナ型接続線路10
0の特性インピーダンスをマイクロストリップ線路3及
びMMICチップ6の信号線路8の特性インピーダンス
と整合することにより、信号歪や損失なく相互接続が可
能である。
【0026】
【発明の他の実施形態例】次に図6及び図7を参照し
て、本発明によるマルチチップモジュール接続構造の他
の実施形態例を説明する。
【0027】図6は、本発明によるマルチチップモジュ
ール接続構造の第2実施形態例の斜視図である。このM
CM接続構造は、図1〜図3に示した第1実施形態例の
MCM接続構造と類似する。主要相違点は、誘電体基板
2’の上面に信号線路151と、これを包囲する接地パ
ターン150からなるコプレーナ線路が形成されている
ことである。このコプレーナ線路151、150をフィ
ルム状コプレーナ型接続線路100によりMMICチッ
プ6の信号線路8及び接地端子5と相互接続している。
MMICチップ6は、図1のMMICチップ6と同様に
上面に信号線路8と接地端子5、裏面に接地導体9を有
する。更に、ビアホール7により、接地端子5と接地導
体9間を接続している。このフィルム状コプレーナ型接
続線路100と、誘電体基板2及びMMICチップ6と
の接続は、図5で説明した方法で接続しても良い。
【0028】次に、図7は、本発明によるMCM接続構
造の第3実施形態例の斜視図である。このMCM接続構
造によると、誘電体基板160上に搭載した一対のMM
ICチップ6、6をフィルム状コプレーナ型接続線路1
00を使用して相互接続する場合を示す。即ち、金属又
は全面導体化された誘電体基板(ベース基板)160上に
載置された一対のMMICチップ6、6の信号線路8と
接地端子5同士をフィルム状コプレーナ型接続線路10
0にて相互接続する。このフィルム状コプレーナ型接続
線路100は、図4に示すフィルム状コプレーナ型接続
線路100と同じでよく、その線路120、121によ
り各MMICチップ6の信号線路8および接地端子5間
を特性インピーダンス整合状態で相互接続する。接続方
法も上述した如く、マイクロカプセル型異方導電性接着
剤を使用するのが好ましい。
【0029】以上、本発明によるMCM接続構造の好適
実施形態例の構成及び動作を詳述した。しかし、本発明
は上述した特定例のみに限定されるべきではなく、本発
明の要旨を逸脱することなく、種々の変形変更が可能で
ある。例えば、MMICチップは、入出力信号線路端の
みではなく、MMICチップ全面で接地導体付きコプレ
ーナ線路を構成しても良い。また、接続は導電性接着剤
以外の方法で行なってもよい。
【0030】
【発明の効果】上述の説明から理解される如く、本発明
のMCM接続構造によると、誘電体基板上のマイクロス
トリップ線路又はコプレーナ線路とMMICチップの信
号線路とをフィルム状コプレーナ型接続線路を用いて相
互接続することにより、安定的に特性インピーダンス整
合状態で接続可能である。また、マイクロカプセル型異
方導電性接着剤を使用することにより、簡単且つ自動化
して接続可能であるのでモジュールの小型化が可能であ
るという実用上の顕著な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるMCM接続構造の第1実施形態例
の斜視図である。
【図2】図1のMCM接続構造の上面図である。
【図3】図2のMCM接続構造の線A−A’に沿う断面
図である。
【図4】本発明によるMCM接続構造に使用するフィル
ム状コプレーナ型接続線路の好適例の斜視図である。
【図5】図4のフィルム状コプレーナ型接続線路の接続
状態を示す拡大断面図である。
【図6】本発明によるMCM接続構造の第2実施形態例
の斜視図である。
【図7】本発明によるMCM接続構造の第3実施形態例
の斜視図である。
【図8】従来のMCM接続構造の斜視図である。
【図9】図8のMCM接続構造の上面図である。
【図10】図9のMCM接続構造の線A−A’に沿う断
面図である。
【符号の説明】 1、9 接地導体 2、2’、160 誘電体基板(ベース基板) 3、8 信号線路 5 接地端子 6 マイクロ波ICチップ(MMICチ
ップ) 7 ビアホール 100 フィルム状コプレーナ型接続線路 101 接続部接地パターン 120、121 接続線路 123 誘電体層 130 絶縁層 131 金属粒子 134 マイクロカプセル型異方導電性接着
剤 150、151 コプレーナ線路

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体基板上にマイクロ波ICチップを直
    接搭載し、該マイクロ波ICチップの信号線路と前記誘
    電体基板上の信号線路との間を相互接続するマルチチッ
    プモジュール接続構造において、 前記誘電体基板及び前記マイクロ波ICチップの接続部
    に、可撓性フィルム上に線路が並列に被着形成されたフ
    ィルム状コプレーナ型接続線路を設け、前記誘電体基盤
    と前記マイクロ波ICチップの前記信号線路間を相互接
    続することを特徴とするマルチチップモジュール接続構
    造。
  2. 【請求項2】前記フィルム状コプレーナ型接続線路と、
    前記信号線路間はマイクロカプセル型異方導電性接着剤
    を用いて接続することを特徴とする請求項1に記載のマ
    ルチチップモジュール接続構造。
  3. 【請求項3】前記誘電体基板の前記信号線路は、マイク
    ロストリップ線路であることを特徴とする請求項1又は
    2に記載のマルチチップモジュール接続構造。
  4. 【請求項4】前記誘電体基板の前記信号線路は、信号線
    路と接地パターンとを有するコプレーナ線路であること
    を特徴とする請求項1又は2に記載のマルチチップモジ
    ュール接続構造。
  5. 【請求項5】誘電体基板上に直接搭載された複数のマイ
    クロ波ICチップの信号線路及び接地端子間を相互接続
    するマルチチップモジュール接続構造において、 前記マイクロ波ICチップの対向部に、可撓性フィルム
    上に線路が並列に被着形成されたフィルム状コプレーナ
    型接続線路を設け、前記マイクロ波ICチップの前記信
    号線路及び接地端子間を前記フィルム状コプレーナ型接
    続線路により相互接続することを特徴とするマルチチッ
    プモジュール接続構造。
  6. 【請求項6】前記フィルム状コプレーナ型接続線路は表
    面に塗布したマイクロカプセル型導電性接着剤を用いて
    接続することを特徴とする請求項5に記載のマルチチッ
    プモジュール接続構造。
  7. 【請求項7】前記各マイクロ波ICチップは、裏面に接
    地導体を有し、該接地導体と前記接地端子間をビアホー
    ルにより接続することを特徴とする請求項5又は6に記
    載のマルチチップモジュール接続構造。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2378045A (en) * 2001-07-25 2003-01-29 Marconi Caswell Ltd Electrical connection with flexible coplanar transmission line
US6807063B2 (en) 2002-03-14 2004-10-19 Fujitsu Limited High-frequency integrated circuit module
JP2005123894A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Matsushita Electric Works Ltd 高周波用マルチチップモジュール基板
KR100779168B1 (ko) 2006-12-07 2007-11-26 한국전자통신연구원 밀리미터파 대역용 신호 전송로
JP2010161416A (ja) * 2010-04-07 2010-07-22 Hitachi Ltd 電子装置
WO2012027081A3 (en) * 2010-08-25 2012-04-19 Oracle International Corporation Optical communication in a ramp-stack chip package
US8283766B2 (en) 2010-09-02 2012-10-09 Oracle America, Inc Ramp-stack chip package with static bends
US8373280B2 (en) 2010-09-01 2013-02-12 Oracle America, Inc. Manufacturing fixture for a ramp-stack chip package using solder for coupling a ramp component
EP2805427A1 (en) * 2012-01-18 2014-11-26 Tyco Electronics Corporation Waveguide structure for a contactless connector
US9082632B2 (en) 2012-05-10 2015-07-14 Oracle International Corporation Ramp-stack chip package with variable chip spacing

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2378045A (en) * 2001-07-25 2003-01-29 Marconi Caswell Ltd Electrical connection with flexible coplanar transmission line
US6807063B2 (en) 2002-03-14 2004-10-19 Fujitsu Limited High-frequency integrated circuit module
JP2005123894A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Matsushita Electric Works Ltd 高周波用マルチチップモジュール基板
KR100779168B1 (ko) 2006-12-07 2007-11-26 한국전자통신연구원 밀리미터파 대역용 신호 전송로
US7626473B2 (en) 2006-12-07 2009-12-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Signal transmission line for millimeter-wave band
JP2010161416A (ja) * 2010-04-07 2010-07-22 Hitachi Ltd 電子装置
WO2012027081A3 (en) * 2010-08-25 2012-04-19 Oracle International Corporation Optical communication in a ramp-stack chip package
US8290319B2 (en) 2010-08-25 2012-10-16 Oracle America, Inc. Optical communication in a ramp-stack chip package
US8373280B2 (en) 2010-09-01 2013-02-12 Oracle America, Inc. Manufacturing fixture for a ramp-stack chip package using solder for coupling a ramp component
US8283766B2 (en) 2010-09-02 2012-10-09 Oracle America, Inc Ramp-stack chip package with static bends
EP2805427A1 (en) * 2012-01-18 2014-11-26 Tyco Electronics Corporation Waveguide structure for a contactless connector
US9082632B2 (en) 2012-05-10 2015-07-14 Oracle International Corporation Ramp-stack chip package with variable chip spacing

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