JP2001035868A - 非絶縁型半導体装置の製造方法 - Google Patents
非絶縁型半導体装置の製造方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止後の樹脂ばり取り工程を省略できる
非絶縁型半導体装置を提供する。 【解決手段】 ペレット１，ボンディングワイヤー３を
接続され放熱板を有するリードフレーム２と、樹脂４を
封入する封入金型７，８とを備えた非絶縁型半導体装置
の製造方法において、樹脂４の封入時、放熱板の外周と
封入金型とをかじらせ、放熱板面への樹脂もれを防止す
る。封入金型は、上型７および下型８の封入金型からな
り、上型７の封入金型は、樹脂４を樹脂ゲートから流入
させる。リードフレーム２の放熱板面外周にテーパ部を
設け、下型７の封入金型の放熱板接触箇所に凹部９を設
ける。
非絶縁型半導体装置を提供する。 【解決手段】 ペレット１，ボンディングワイヤー３を
接続され放熱板を有するリードフレーム２と、樹脂４を
封入する封入金型７，８とを備えた非絶縁型半導体装置
の製造方法において、樹脂４の封入時、放熱板の外周と
封入金型とをかじらせ、放熱板面への樹脂もれを防止す
る。封入金型は、上型７および下型８の封入金型からな
り、上型７の封入金型は、樹脂４を樹脂ゲートから流入
させる。リードフレーム２の放熱板面外周にテーパ部を
設け、下型７の封入金型の放熱板接触箇所に凹部９を設
ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非絶縁型半導体装
置の製造方法に関し、特に、放熱板面への樹脂漏れを防
止した非絶縁型半導体装置の製造方法に関する。
置の製造方法に関し、特に、放熱板面への樹脂漏れを防
止した非絶縁型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、非絶縁型の半導体装置では、放
熱板面に樹脂ばりを除去することが重要な要素の一つと
なっている。
熱板面に樹脂ばりを除去することが重要な要素の一つと
なっている。
【０００３】図６，図７は、従来の非絶縁型半導体装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【０００４】図６は、従来の半導体装置を示す断面図で
あり、図７は、従来の半導体装置におけるリードフレー
ムの拡大図である。まず、図６に示すように、ペレット
１，ワイヤー３，電極部１１が接続されたリードフレー
ム２を上下の封入金型（下型７，上型８）で挟んで固定
し、樹脂４を注入している。このときの状態は図７の拡
大図により詳細に示している。尚、放熱板面を露出させ
るため、放熱板と金型とを密着させて放熱板面へ樹脂４
が流れ込まないようにしている。樹脂４を封入後、放熱
板についた樹脂ばりを除去するため、水と研磨剤とを放
熱板面にあてて除去している。
あり、図７は、従来の半導体装置におけるリードフレー
ムの拡大図である。まず、図６に示すように、ペレット
１，ワイヤー３，電極部１１が接続されたリードフレー
ム２を上下の封入金型（下型７，上型８）で挟んで固定
し、樹脂４を注入している。このときの状態は図７の拡
大図により詳細に示している。尚、放熱板面を露出させ
るため、放熱板と金型とを密着させて放熱板面へ樹脂４
が流れ込まないようにしている。樹脂４を封入後、放熱
板についた樹脂ばりを除去するため、水と研磨剤とを放
熱板面にあてて除去している。
【０００５】上述した樹脂流入を防止した従来例とし
て、特許第２７３１１２３号公報記載の半導体装置があ
る。この半導体装置は、溝と溝とにより形成される突起
により樹脂漏れを阻止するものである。また、特公平７
−１１４２１３号公報記載の半導体装置用リードフレー
ムは、リードフレームの放熱板側面に、金型に押し潰さ
れて放熱板側面と金型との間の隙間の一部を埋める突起
を形成している。
て、特許第２７３１１２３号公報記載の半導体装置があ
る。この半導体装置は、溝と溝とにより形成される突起
により樹脂漏れを阻止するものである。また、特公平７
−１１４２１３号公報記載の半導体装置用リードフレー
ムは、リードフレームの放熱板側面に、金型に押し潰さ
れて放熱板側面と金型との間の隙間の一部を埋める突起
を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法では、放熱板に１０μｍ程度の凹凸が
あったため、封入時、封入金型と放熱板との間に隙間が
でき、放熱面を樹脂で覆った製品ができたため、樹脂封
入後の樹脂ばり取り工程でも全ての製品の樹脂ばりが除
去できないという問題があった。
た従来の製造方法では、放熱板に１０μｍ程度の凹凸が
あったため、封入時、封入金型と放熱板との間に隙間が
でき、放熱面を樹脂で覆った製品ができたため、樹脂封
入後の樹脂ばり取り工程でも全ての製品の樹脂ばりが除
去できないという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、樹脂封止後の樹脂ばり取り工程を省略でき
る非絶縁型半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
するために、樹脂封止後の樹脂ばり取り工程を省略でき
る非絶縁型半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の非絶縁型半導体装置の製造方法は、ペレッ
ト，ボンディングワイヤーを接続され放熱板を有するリ
ードフレームと、樹脂を封入する封入金型とを備えた非
絶縁型半導体装置の製造方法において、樹脂の封入時、
放熱板の外周と封入金型とをかじらせ、放熱板面への樹
脂もれを防止したことを特徴とする。
に、本発明の非絶縁型半導体装置の製造方法は、ペレッ
ト，ボンディングワイヤーを接続され放熱板を有するリ
ードフレームと、樹脂を封入する封入金型とを備えた非
絶縁型半導体装置の製造方法において、樹脂の封入時、
放熱板の外周と封入金型とをかじらせ、放熱板面への樹
脂もれを防止したことを特徴とする。
【０００９】また、封入金型は、上型および下型の封入
金型からなるのが好ましい。
金型からなるのが好ましい。
【００１０】さらに、上型の封入金型の樹脂ゲートから
樹脂を流入させるのが好ましい。
樹脂を流入させるのが好ましい。
【００１１】またさらに、リードフレームの放熱板面外
周にテーパ部を設け、下型の封入金型の放熱板接触箇所
に凹部を設けるのが好ましい。
周にテーパ部を設け、下型の封入金型の放熱板接触箇所
に凹部を設けるのが好ましい。
【００１２】また、リードフレームの放熱板面外周にテ
ーパ部を設け、下型の封入金型の放熱板接触箇所に凸部
を設けるのが好ましい。
ーパ部を設け、下型の封入金型の放熱板接触箇所に凸部
を設けるのが好ましい。
【００１３】さらに、樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を
省略するのが好ましい。
省略するのが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施例について詳細に説明する。
実施例について詳細に説明する。
【００１５】図１〜図４は、本発明の非絶縁型半導体装
置の製造方法の実施例を示す断面図である。図１は上面
図であり、図２は下面図である。図３は図１のＡ−Ａ’
断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ’断面図である。
置の製造方法の実施例を示す断面図である。図１は上面
図であり、図２は下面図である。図３は図１のＡ−Ａ’
断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００１６】まず、図１，図２に示すように、封入金型
の上型７の樹脂ゲート１０より樹脂４を流入させる。ま
た、本発明の非絶縁型半導体装置の全体構成は、図３に
示すように、ペレット１，リードフレーム２，ボンディ
ングワイヤー３，樹脂４，ソルダー５より構成され、リ
ードフレーム２が放熱板を有する非絶縁型半導体装置に
おいて、リードフレーム２の放熱板面外周にテーパ部６
を設け、封入金型のうち下型８の封入金型の放熱板接触
箇所に凹部９を設けている。
の上型７の樹脂ゲート１０より樹脂４を流入させる。ま
た、本発明の非絶縁型半導体装置の全体構成は、図３に
示すように、ペレット１，リードフレーム２，ボンディ
ングワイヤー３，樹脂４，ソルダー５より構成され、リ
ードフレーム２が放熱板を有する非絶縁型半導体装置に
おいて、リードフレーム２の放熱板面外周にテーパ部６
を設け、封入金型のうち下型８の封入金型の放熱板接触
箇所に凹部９を設けている。
【００１７】次に、図３，図４を参照して、本発明の実
施例の動作について説明する。
施例の動作について説明する。
【００１８】この半導体の製造に当たっては、図３に示
すように、ペレット１を搭載し、ボンディングワイヤー
３でペレット１と電極部１１とを接続したリードフレー
ム２を、上型７，下型８の封入金型にて挟み、図４に示
すように、上型７の封入金型に設けられた樹脂ゲート１
０から樹脂４を注入している。
すように、ペレット１を搭載し、ボンディングワイヤー
３でペレット１と電極部１１とを接続したリードフレー
ム２を、上型７，下型８の封入金型にて挟み、図４に示
すように、上型７の封入金型に設けられた樹脂ゲート１
０から樹脂４を注入している。
【００１９】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
る。
【００２０】図５は、本発明の非絶縁型半導体装置の他
の実施例を示す断面図である。上述した実施例では、下
型封入金型８の放熱板接触箇所を凹部９としていたが、
凸部としても適応することができる。すなわち、下型封
入金型８の放熱板接触箇所を凸部とすることができる。
その際の製造方法を図５に示す。本実施例では、ペレッ
ト１，リードフレーム２，ボンディングワイヤー３，樹
脂４，ソルダー５より構成され、放熱板を有する非絶縁
型半導体装置に関し、リードフレーム２の放熱板面外周
にテーパ部６を設け、下型８の封入金型の放熱板接触箇
所に凸部１２を設けている。
の実施例を示す断面図である。上述した実施例では、下
型封入金型８の放熱板接触箇所を凹部９としていたが、
凸部としても適応することができる。すなわち、下型封
入金型８の放熱板接触箇所を凸部とすることができる。
その際の製造方法を図５に示す。本実施例では、ペレッ
ト１，リードフレーム２，ボンディングワイヤー３，樹
脂４，ソルダー５より構成され、放熱板を有する非絶縁
型半導体装置に関し、リードフレーム２の放熱板面外周
にテーパ部６を設け、下型８の封入金型の放熱板接触箇
所に凸部１２を設けている。
【００２１】従って、本実施例における半導体装置の製
造方法に当たっては、ペレット１を搭載し、ボンディン
グワイヤー３でペレット１と電極部１１とを接続したリ
ードフレーム２を、上型７，下型８の封入金型にて挟
み、上型７の封入金型に設けられた樹脂ゲート１０から
樹脂４を注入している。樹脂４の封入時、リードフレー
ム２の放熱板面外周のテーパ部６を下型８の封入金型の
凸部１２でかじらせるため、放熱板面への樹脂４の流れ
込みを抑え、樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を削除でき
る。
造方法に当たっては、ペレット１を搭載し、ボンディン
グワイヤー３でペレット１と電極部１１とを接続したリ
ードフレーム２を、上型７，下型８の封入金型にて挟
み、上型７の封入金型に設けられた樹脂ゲート１０から
樹脂４を注入している。樹脂４の封入時、リードフレー
ム２の放熱板面外周のテーパ部６を下型８の封入金型の
凸部１２でかじらせるため、放熱板面への樹脂４の流れ
込みを抑え、樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を削除でき
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の非絶縁型
半導体装置の製造方法により、樹脂封入時、リードフレ
ーム２の放熱板面外周のテーパ部を下型の封入金型の凹
部でかじらせるため、放熱板面への樹脂の流れ込みを抑
え、樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を削除できるという
効果を奏する。
半導体装置の製造方法により、樹脂封入時、リードフレ
ーム２の放熱板面外周のテーパ部を下型の封入金型の凹
部でかじらせるため、放熱板面への樹脂の流れ込みを抑
え、樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を削除できるという
効果を奏する。
【図１】本発明の実施例を示す上面図である。
【図２】本発明の実施例を示す下面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図７】従来の半導体装置におけるリードフレームの拡
大図である。
大図である。
１ ペレット ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤー ４ 樹脂 ５ ソルダー ６ 放熱板テーパ部 ７ 下型（下型の封入金型） ８ 上型（上型のの封入金型） ９ 下型の凹部 １０ 樹脂ゲート １１ 電極部 １２ 下型の凸部
Claims (6)
- 【請求項１】ペレット，ボンディングワイヤーを接続さ
れ放熱板を有するリードフレームと、樹脂を封入する封
入金型とを備えた非絶縁型半導体装置の製造方法におい
て、 前記樹脂の封入時、前記放熱板の外周と前記封入金型と
をかじらせ、前記放熱板面への樹脂もれを防止したこと
を特徴とする非絶縁型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記封入金型は、上型および下型の封入金
型からなることを特徴とする、請求項１に記載の非絶縁
性半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記上型の封入金型の樹脂ゲートから前記
樹脂を流入させることを特徴とする、請求項２に記載の
非絶縁性半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記リードフレームの放熱板面外周にテー
パ部を設け、前記下型の封入金型の放熱板接触箇所に凹
部を設けることを特徴とする、請求項２または３に記載
の非絶縁性半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記リードフレームの放熱板面外周にテー
パ部を設け、前記下型の封入金型の放熱板接触箇所に凸
部を設けることを特徴とする、請求項２または３に記載
の非絶縁性半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記樹脂封入後の樹脂ばり取り工程を省略
することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載
の非絶縁性半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20728599A JP2001035868A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 非絶縁型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20728599A JP2001035868A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 非絶縁型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035868A true JP2001035868A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16537273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20728599A Pending JP2001035868A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 非絶縁型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001035868A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032233A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| JP2008283138A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8598693B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-12-03 | Renesas Electronics Corporation | Die pad package with a concave portion in the sealing resin |
-
1999
- 1999-07-22 JP JP20728599A patent/JP2001035868A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032233A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| JP2008283138A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4737138B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8598693B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-12-03 | Renesas Electronics Corporation | Die pad package with a concave portion in the sealing resin |
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