JP2001033782A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置において、面内輝度分布が小さ
く良好な表示特性を有し、かつ製造コストの低い液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置において、面光源の輝度分
布を相殺するように液晶表示素子の透過率分布を制御し
することにより、面光源に起因する輝度分布を抑制し
た。
く良好な表示特性を有し、かつ製造コストの低い液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置において、面光源の輝度分
布を相殺するように液晶表示素子の透過率分布を制御し
することにより、面光源に起因する輝度分布を抑制し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものである。さらに詳しくは、面光源の輝度分布を
抑制し、良好な表示特性を有する液晶表示装置に関する
ものである。
するものである。さらに詳しくは、面光源の輝度分布を
抑制し、良好な表示特性を有する液晶表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力
などの特長を有するため、腕時計、電卓などの表示装置
として広く用いられている。特に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などによりアクティブ駆動を行なう液晶表示装置
はワードプロセッサー、パーソナルコンピューターなど
の表示装置であるＣＲＴに置き換わりつつある。
などの特長を有するため、腕時計、電卓などの表示装置
として広く用いられている。特に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などによりアクティブ駆動を行なう液晶表示装置
はワードプロセッサー、パーソナルコンピューターなど
の表示装置であるＣＲＴに置き換わりつつある。
【０００３】液晶表示モードには、ツイステッドネマチ
ック（ＴＮ）モード、垂直配向モード、面内応答（ＩＰ
Ｓ）モードなどがある。最近、視野角が広い垂直配向モ
ードや面内応答モードが注目を集めている。
ック（ＴＮ）モード、垂直配向モード、面内応答（ＩＰ
Ｓ）モードなどがある。最近、視野角が広い垂直配向モ
ードや面内応答モードが注目を集めている。
【０００４】液晶表示装置は外部からの電気信号などに
より光の透過−遮断を行なう液晶表示素子と面光源など
を組み合わせて得られる。
より光の透過−遮断を行なう液晶表示素子と面光源など
を組み合わせて得られる。
【０００５】「液晶部品・材料ビジネス最前線」工業調
査会、Ｐ１１７〜Ｐ１２３に記載されているように、面
光源には直下型タイプと導光板タイプがある。導光板タ
イプは面光源のエッジ部分にランプが取り付けられてお
り、そこから導光板を通して発光する。この場合ランプ
に近い部分の輝度が高いため、現実にはマスクなどを用
い輝度分布を抑制（均一化）している。
査会、Ｐ１１７〜Ｐ１２３に記載されているように、面
光源には直下型タイプと導光板タイプがある。導光板タ
イプは面光源のエッジ部分にランプが取り付けられてお
り、そこから導光板を通して発光する。この場合ランプ
に近い部分の輝度が高いため、現実にはマスクなどを用
い輝度分布を抑制（均一化）している。
【０００６】直下型タイプはランプ上の輝度が大きくな
るため、ランプ上にマスクを設け直接ランプからの光を
遮り輝度分布を抑制している。さらに、これらの面光源
は拡散板などの光学フィルムの設置、光学設計の最適化
を行ない輝度分布の抑制を行なっている。
るため、ランプ上にマスクを設け直接ランプからの光を
遮り輝度分布を抑制している。さらに、これらの面光源
は拡散板などの光学フィルムの設置、光学設計の最適化
を行ない輝度分布の抑制を行なっている。
【０００７】しかしながら拡散板などを適用すると製造
コストが増加するため、輝度分布を抑制するためのシー
ト数を減らす場合が多く、現状では面内輝度分布は約１
０〜３０％程度残されている。
コストが増加するため、輝度分布を抑制するためのシー
ト数を減らす場合が多く、現状では面内輝度分布は約１
０〜３０％程度残されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の構成を
図１２に示す。図中、１は光源である面光源（断面
図）、２は面光源からの出射光、３は電圧により光の透
過／遮断を行なう液晶表示素子（液晶セル）の断面図、
４は液晶表示装置の出射光である。図１３（ａ）は液晶
表示装置の表示画面の左右方向のある走査線に沿った左
端（Ｘ）から右端（Ｙ）までの相対輝度分布、図１３
（ｂ）は液晶表示素子の相対透過率分布、図１３（ｃ）
は面光源の相対輝度分布を示す。
図１２に示す。図中、１は光源である面光源（断面
図）、２は面光源からの出射光、３は電圧により光の透
過／遮断を行なう液晶表示素子（液晶セル）の断面図、
４は液晶表示装置の出射光である。図１３（ａ）は液晶
表示装置の表示画面の左右方向のある走査線に沿った左
端（Ｘ）から右端（Ｙ）までの相対輝度分布、図１３
（ｂ）は液晶表示素子の相対透過率分布、図１３（ｃ）
は面光源の相対輝度分布を示す。
【０００９】液晶表示装置の明るさは「面光源照度×液
晶表示素子の透過率」として表わされる。このため図１
３（ｃ）に示すような輝度分布を有する面光源を用いた
場合、図１３（ｂ）のように相対透過率分布が均一な液
晶表示素子を用いると、図１３（ａ）に示すように表示
画面に面光源の輝度分布がそのまま反映され、均一な表
示が行なえない、また階調表示が設計通り行なえないな
ど、良好な表示特性が得られないという問題がある。ま
た、拡散板などの適用により面光源の面内輝度分布が抑
制されるが、完全に輝度分布を均一化するためには多く
のシートが必要であり製造コストが高くなってしまう。
このため面光源の面内輝度分布の改善だけでは、面内輝
度分布が小さく製造コストが低い液晶表示装置を提供す
ることが困難であった。
晶表示素子の透過率」として表わされる。このため図１
３（ｃ）に示すような輝度分布を有する面光源を用いた
場合、図１３（ｂ）のように相対透過率分布が均一な液
晶表示素子を用いると、図１３（ａ）に示すように表示
画面に面光源の輝度分布がそのまま反映され、均一な表
示が行なえない、また階調表示が設計通り行なえないな
ど、良好な表示特性が得られないという問題がある。ま
た、拡散板などの適用により面光源の面内輝度分布が抑
制されるが、完全に輝度分布を均一化するためには多く
のシートが必要であり製造コストが高くなってしまう。
このため面光源の面内輝度分布の改善だけでは、面内輝
度分布が小さく製造コストが低い液晶表示装置を提供す
ることが困難であった。
【００１０】本発明は、液晶表示素子の透過率の面内分
布を制御して面光源の輝度分布を相殺することにより、
製造コストが低く、面内輝度分布が面光源の輝度分布よ
り改善された表示品位の良好な液晶表示装置を得ること
を目的としている。
布を制御して面光源の輝度分布を相殺することにより、
製造コストが低く、面内輝度分布が面光源の輝度分布よ
り改善された表示品位の良好な液晶表示装置を得ること
を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は
電極基板および対向基板間に配向膜を介して液晶組成物
を挟持し、電極基板上にマトリクス状に配置された、複
数の映像信号と走査信号線に囲まれたスイッチング素子
を有する画素部を形成したアクティブマトリクス型液晶
表示素子および面光源からなる液晶表示装置において、
液晶表示素子の透過率分布が面光源の輝度分布を抑制す
る、すなわち、表示領域における面光源の輝度値の最大
値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶表示装置の輝度
値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉｎとした場合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ＞Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ を満足するようにしたものである。
電極基板および対向基板間に配向膜を介して液晶組成物
を挟持し、電極基板上にマトリクス状に配置された、複
数の映像信号と走査信号線に囲まれたスイッチング素子
を有する画素部を形成したアクティブマトリクス型液晶
表示素子および面光源からなる液晶表示装置において、
液晶表示素子の透過率分布が面光源の輝度分布を抑制す
る、すなわち、表示領域における面光源の輝度値の最大
値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶表示装置の輝度
値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉｎとした場合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ＞Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ を満足するようにしたものである。
【００１２】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、表示領域における、面光源の輝度値
の最大値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶表示装置
の輝度値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉｎとした
場合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ−Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ＞０．１ を満足するようにしたものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、表示領域における、面光源の輝度値
の最大値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶表示装置
の輝度値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉｎとした
場合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ−Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ＞０．１ を満足するようにしたものである。
【００１３】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶層厚みの表示領域内での最大値
と最小値の差Δｄが、０．０５μｍ≦Δｄ≦１．０μｍ
を満足するようにしたものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶層厚みの表示領域内での最大値
と最小値の差Δｄが、０．０５μｍ≦Δｄ≦１．０μｍ
を満足するようにしたものである。
【００１４】また、電極基板近傍の液晶配向方向と対向
基板近傍の液晶配向方向が９０度異なり、２枚の偏光板
の間に電極基板と対向基板が存在し、電極基板側と対向
基板側の偏光板の吸収軸が液晶配向方向と等しいかある
いは９０度ことなる液晶表示素子において、面光源の輝
度が最も高い領域に対応する液晶層厚みをｄ１、最も低
い領域に対応する液晶層厚みをｄ２、液晶の屈折率異方
性をΔｎ、波長をλとした場合、 ｄ１＜ｄ２ ｄ２＜（３）1/2λ／（２Δｎ） を満足するようにしたものである。
基板近傍の液晶配向方向が９０度異なり、２枚の偏光板
の間に電極基板と対向基板が存在し、電極基板側と対向
基板側の偏光板の吸収軸が液晶配向方向と等しいかある
いは９０度ことなる液晶表示素子において、面光源の輝
度が最も高い領域に対応する液晶層厚みをｄ１、最も低
い領域に対応する液晶層厚みをｄ２、液晶の屈折率異方
性をΔｎ、波長をλとした場合、 ｄ１＜ｄ２ ｄ２＜（３）1/2λ／（２Δｎ） を満足するようにしたものである。
【００１５】また、電極基板が櫛形電極を有する液晶表
示素子において、面光源の輝度が最も高い領域に対応す
る液晶層厚みをｄ１、最も低い領域に対応する液晶層厚
みをｄ２とした場合、液晶層に印加する電圧の最大値
が、液晶層厚みがｄ２の時に最大透過率を得る電圧より
低く、ｄ１＜ｄ２を満足するようにしたものである。
示素子において、面光源の輝度が最も高い領域に対応す
る液晶層厚みをｄ１、最も低い領域に対応する液晶層厚
みをｄ２とした場合、液晶層に印加する電圧の最大値
が、液晶層厚みがｄ２の時に最大透過率を得る電圧より
低く、ｄ１＜ｄ２を満足するようにしたものである。
【００１６】また、面光源の中央部の輝度値が最も高
く、周辺部へ行くに従って輝度値が低下するようにした
ものである。
く、周辺部へ行くに従って輝度値が低下するようにした
ものである。
【００１７】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、対向基板の透過率により、液晶表示
素子の透過率分布が決定されるようにしたものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、対向基板の透過率により、液晶表示
素子の透過率分布が決定されるようにしたものである。
【００１８】また、対向基板の開口率、すなわち光を透
過する領域の割合により、対向基板の透過率が決定され
るようにしたものである。
過する領域の割合により、対向基板の透過率が決定され
るようにしたものである。
【００１９】また、対向基板上にカラー表示を行なうた
めの色層が形成されており、この色層により対向基板の
透過率分布が決定されるようにしたものである。
めの色層が形成されており、この色層により対向基板の
透過率分布が決定されるようにしたものである。
【００２０】また、対向基板上にカラー表示を行なうた
めの色層が形成されており、色層の透過率が色層にカー
ボン粒子のように光を透過しない粒子を混合することに
より制御されるようにしたものである。
めの色層が形成されており、色層の透過率が色層にカー
ボン粒子のように光を透過しない粒子を混合することに
より制御されるようにしたものである。
【００２１】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶表示素子が透過率分布を有し、
電極基板の開口率、すなわち光を透過する領域の割合、
により液晶表示素子の透過率分布が決定されるようにし
たものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶表示素子が透過率分布を有し、
電極基板の開口率、すなわち光を透過する領域の割合、
により液晶表示素子の透過率分布が決定されるようにし
たものである。
【００２２】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶表示素子の観察者側あるいはそ
の反対側に透過率を制御する層を設け、液晶表示素子の
透過率分布を制御するようにしたものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれ
たスイッチング素子を有する画素部を形成したアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶
表示装置において、液晶表示素子の観察者側あるいはそ
の反対側に透過率を制御する層を設け、液晶表示素子の
透過率分布を制御するようにしたものである。
【００２３】また、電極基板が基板にほぼ平行な電界が
液晶層に印加されるような電極構造を有するようにした
ものである。
液晶層に印加されるような電極構造を有するようにした
ものである。
【００２４】また、電極基板および対向基板間に配向膜
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された複数の映像信号と走査信号線に囲まれた
スイッチング素子を有する画素部が形成されており、そ
の電極構造が櫛形であり、基板にほぼ平行な電界を発生
させ液晶分子を面内駆動させるアクティブマトリクス型
液晶表示素子および面光源からなる液晶表示装置におい
て、面光源の輝度が最も高い領域に対応する電極基板の
櫛形電極の電極間隔Ｌ１、最も低い領域に対応する櫛形
電極の電極間隔Ｌ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２を満足するよ
うにしたものである。
を介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス
状に配置された複数の映像信号と走査信号線に囲まれた
スイッチング素子を有する画素部が形成されており、そ
の電極構造が櫛形であり、基板にほぼ平行な電界を発生
させ液晶分子を面内駆動させるアクティブマトリクス型
液晶表示素子および面光源からなる液晶表示装置におい
て、面光源の輝度が最も高い領域に対応する電極基板の
櫛形電極の電極間隔Ｌ１、最も低い領域に対応する櫛形
電極の電極間隔Ｌ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２を満足するよ
うにしたものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の作用を次の例を用いて説
明する。
明する。
【００２６】図１は液晶表示装置の表示画面２４を正面
から見た図、図２（ａ）は、図１に示す表示画面２４上
のＸ−Ｙ間の破線Ｗに沿った位置での液晶表示装置の相
対輝度、図２（ｂ）は液晶表示素子（液晶セル）の相対
透過率、図２（ｃ）は面光源の相対輝度を示している。
から見た図、図２（ａ）は、図１に示す表示画面２４上
のＸ−Ｙ間の破線Ｗに沿った位置での液晶表示装置の相
対輝度、図２（ｂ）は液晶表示素子（液晶セル）の相対
透過率、図２（ｃ）は面光源の相対輝度を示している。
【００２７】図１、２に示すように、面光源の輝度分布
を相殺するように、液晶表示素子の透過率分布を制御す
ることにより、液晶表示装置の面内輝度分布が小さく表
示品位が良好な液晶表示装置を得ることができる。
を相殺するように、液晶表示素子の透過率分布を制御す
ることにより、液晶表示装置の面内輝度分布が小さく表
示品位が良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００２８】ここでは、中心部の輝度が高い面光源を例
に用いたが、どのような輝度分布を有する面光源を用い
ても、それを相殺するように液晶表示素子の透過率分布
を制御することにより同様の効果が得られる。ここで相
対輝度分布とは、表示領域内の輝度の最大値を最小値で
割った値である。同様に相対透過率分布とは、表示領域
内の透過率の最大値を最小値で割った値である。
に用いたが、どのような輝度分布を有する面光源を用い
ても、それを相殺するように液晶表示素子の透過率分布
を制御することにより同様の効果が得られる。ここで相
対輝度分布とは、表示領域内の輝度の最大値を最小値で
割った値である。同様に相対透過率分布とは、表示領域
内の透過率の最大値を最小値で割った値である。
【００２９】また、中間調表示時の方が輝度分布を認識
しやすいため、中間調での輝度分布を抑制すると効果的
である。ここでの中間調とは、主として相対透過率が１
０〜６０％のことを意味する。
しやすいため、中間調での輝度分布を抑制すると効果的
である。ここでの中間調とは、主として相対透過率が１
０〜６０％のことを意味する。
【００３０】さらに、液晶表示素子の透過率は面光源の
輝度分布を完全に相殺するように分布している必要はな
く、液晶表示装置の相対輝度分布が面光源の相対輝度分
布より小さくなるように分布していればよいが、１０％
以上抑制するか、または液晶表示装置としての相対輝度
分布を２０％程度以下に抑制することが望ましい。
輝度分布を完全に相殺するように分布している必要はな
く、液晶表示装置の相対輝度分布が面光源の相対輝度分
布より小さくなるように分布していればよいが、１０％
以上抑制するか、または液晶表示装置としての相対輝度
分布を２０％程度以下に抑制することが望ましい。
【００３１】液晶表示モードの代表的なものとして、Ｉ
ＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の
ような複屈折モードについて説明する。
ＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の
ような複屈折モードについて説明する。
【００３２】まず、近年考案され、視野角特性が優れて
いる点で注目を集めているＩＰＳ方式を例として、動作
原理を説明する。ここでは正の誘電異方性を有する液晶
組成物に関して説明するが、負の誘電異方性を有する液
晶組成物においても液晶分子の長軸方向と短軸方向を入
れ換えるこにより同様な表示が可能となる。
いる点で注目を集めているＩＰＳ方式を例として、動作
原理を説明する。ここでは正の誘電異方性を有する液晶
組成物に関して説明するが、負の誘電異方性を有する液
晶組成物においても液晶分子の長軸方向と短軸方向を入
れ換えるこにより同様な表示が可能となる。
【００３３】図３に面内応答型液晶表示装置の表示原理
を示す。図中、５は電極基板、６は対向基板、７は画素
電極、８は共通電極、９は液晶分子、１０、１１は偏光
板、１２、１３はそれぞれ偏光板１０、１１の透過軸、
１４は無電界時の液晶分子長軸方向、１５は入射光、１
６は電界方向、１７は楕円偏光、１８は透過光を示す。
液晶分子長軸方向１４と透過軸が平行になるように偏光
板１０を配置し、偏光板１１はその透過軸１３が偏光板
１０の透過軸１２と直交するよう配置する。ここで、液
晶層の厚さ（セルギャップ）をｄとする。
を示す。図中、５は電極基板、６は対向基板、７は画素
電極、８は共通電極、９は液晶分子、１０、１１は偏光
板、１２、１３はそれぞれ偏光板１０、１１の透過軸、
１４は無電界時の液晶分子長軸方向、１５は入射光、１
６は電界方向、１７は楕円偏光、１８は透過光を示す。
液晶分子長軸方向１４と透過軸が平行になるように偏光
板１０を配置し、偏光板１１はその透過軸１３が偏光板
１０の透過軸１２と直交するよう配置する。ここで、液
晶層の厚さ（セルギャップ）をｄとする。
【００３４】電圧ＯＦＦ時は、入射光１５が偏光板１０
を通過して入射直線偏光となり。これは液晶セル通過時
に複屈折効果を受けないため、偏光板１１を通過できず
暗状態となる。
を通過して入射直線偏光となり。これは液晶セル通過時
に複屈折効果を受けないため、偏光板１１を通過できず
暗状態となる。
【００３５】電圧ＯＮ状態で液晶分子９は基板５、６に
対して平行配向を保ちながら、電界１６の方向に回転す
る。このため、入射直線偏光は複屈折効果を受けて楕円
偏光１７に変化し液晶分子の回転角（θ）に応じた透過
光１８が偏光板を透過する。ここで、θは印加電圧
（Ｖ）の関数として表わされる。このように電圧のＯＮ
／ＯＦＦを行なうことにより、明暗の表示を行なうこと
ができる。
対して平行配向を保ちながら、電界１６の方向に回転す
る。このため、入射直線偏光は複屈折効果を受けて楕円
偏光１７に変化し液晶分子の回転角（θ）に応じた透過
光１８が偏光板を透過する。ここで、θは印加電圧
（Ｖ）の関数として表わされる。このように電圧のＯＮ
／ＯＦＦを行なうことにより、明暗の表示を行なうこと
ができる。
【００３６】この時の、透過光強度Ｉは式（１）で表わ
される。 Ｉ＝Ｉｏｓｉｎ2（πΔｎｄ／λ）ｓｉｎ2（２θ（Ｖ））・・・（１） ここで、Ｉｏは偏光板１０に入射する光の強度、λは波
長、Δｎは液晶９の常光屈折率ｎoと異常光屈折率ｎeの
差の絶対値（｜ｎo−ｎe｜）である屈折率異方性を示
す。
される。 Ｉ＝Ｉｏｓｉｎ2（πΔｎｄ／λ）ｓｉｎ2（２θ（Ｖ））・・・（１） ここで、Ｉｏは偏光板１０に入射する光の強度、λは波
長、Δｎは液晶９の常光屈折率ｎoと異常光屈折率ｎeの
差の絶対値（｜ｎo−ｎe｜）である屈折率異方性を示
す。
【００３７】式（１）から明らかなように、偏光板１１
を出射する透過強度は、入射する光の波長λとΔｎｄの
関係の影響を受ける項と電圧に対する液晶分子の応答の
項に分類される。
を出射する透過強度は、入射する光の波長λとΔｎｄの
関係の影響を受ける項と電圧に対する液晶分子の応答の
項に分類される。
【００３８】ここで、液晶討論会予稿集１９９６，Ｐ３
０７、講演番号３Ａ１４（日本化学会主催）に示される
ように、面内応答型液晶表示装置の電圧−透過率曲線は
液晶層厚みすなわちセルギャップｄにより変化すること
がわかる。
０７、講演番号３Ａ１４（日本化学会主催）に示される
ように、面内応答型液晶表示装置の電圧−透過率曲線は
液晶層厚みすなわちセルギャップｄにより変化すること
がわかる。
【００３９】つぎに、アレイ基板について図４を用いて
説明する。図中、５は電極基板、７は画素電極、８は共
通電極、１９は映像信号線、２０は走査信号線、２１は
共通信号線、２２はスイッチング素子たとえば薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を表わす。アレイ基板５上には映像
信号線１９、走査信号線２０、共通信号線２１、ＴＦＴ
２２および画素部２３が形成されている。さらに画素部
は画素電極７および画素電極７と一定間隔で平行に存在
する共通電極８からなる。画素電極７はＴＦＴ２２より
電圧を供給される。共通電極８は共通信号線２１より電
圧を供給される。
説明する。図中、５は電極基板、７は画素電極、８は共
通電極、１９は映像信号線、２０は走査信号線、２１は
共通信号線、２２はスイッチング素子たとえば薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を表わす。アレイ基板５上には映像
信号線１９、走査信号線２０、共通信号線２１、ＴＦＴ
２２および画素部２３が形成されている。さらに画素部
は画素電極７および画素電極７と一定間隔で平行に存在
する共通電極８からなる。画素電極７はＴＦＴ２２より
電圧を供給される。共通電極８は共通信号線２１より電
圧を供給される。
【００４０】この時、画素電極と共通電極の間に印加さ
れる電圧はいずれの箇所においても一定である。また、
画素電極と共通電極の間隔を電極間隔Ｌと呼ぶ。
れる電圧はいずれの箇所においても一定である。また、
画素電極と共通電極の間隔を電極間隔Ｌと呼ぶ。
【００４１】たとえば、前記液晶討論会予稿集１９９
６，Ｐ３０７，講演番号３Ａ１４に示されるように、面
内応答型液晶表示装置のしきい値電圧は式（２）で表わ
される。 Ｖｃ＝Ｅｃ×Ｌ＝π（Ｌ／ｄ）（Ｋ２／εｏ／｜Δε｜）1/2・・・（２）
６，Ｐ３０７，講演番号３Ａ１４に示されるように、面
内応答型液晶表示装置のしきい値電圧は式（２）で表わ
される。 Ｖｃ＝Ｅｃ×Ｌ＝π（Ｌ／ｄ）（Ｋ２／εｏ／｜Δε｜）1/2・・・（２）
【００４２】ここで、Ｖｃはしきい値電圧、Ｅｃはしき
い値電界、Ｋ2は液晶のツイスト弾性定数、εｏは真空
の誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性を示す。このよう
に液晶の応答は電界に対して成されるため、しきい値電
圧は電極間ギャップＬに比例し、セルギャップｄに反比
例する。
い値電界、Ｋ2は液晶のツイスト弾性定数、εｏは真空
の誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性を示す。このよう
に液晶の応答は電界に対して成されるため、しきい値電
圧は電極間ギャップＬに比例し、セルギャップｄに反比
例する。
【００４３】以上の結果から、面内応答型液晶表示装置
ではその印加電圧に対するパネル透過率がセルギャップ
ｄや電極間ギャップＬによって変化することがわかる。
ではその印加電圧に対するパネル透過率がセルギャップ
ｄや電極間ギャップＬによって変化することがわかる。
【００４４】ＴＮモードの動作原理をノーマリホワイト
モード（ＮＷモード）の場合を用いて説明する。ＴＮモ
ードでは、液晶分子が二枚の基板間で９０゜ツイストし
ている。入射側偏光板はその透過軸が液晶配向方向と平
行あるいは垂直となるように、出射光側はその透過軸が
入射光側の偏光板と垂直になるように設置する。
モード（ＮＷモード）の場合を用いて説明する。ＴＮモ
ードでは、液晶分子が二枚の基板間で９０゜ツイストし
ている。入射側偏光板はその透過軸が液晶配向方向と平
行あるいは垂直となるように、出射光側はその透過軸が
入射光側の偏光板と垂直になるように設置する。
【００４５】電圧無印加時、入射光は偏光板を通過し直
線偏光となり、液晶の旋光性により液晶分子の配向にそ
って回転し出射側の偏光板を通過し明状態となる。この
時の透過率は式（３）のように表わされる。（参考 液
晶（応用編）、培風館、Ｐ１６） Ｔ＝（１／２）［１−ｓｉｎ2｛（π／２）×（１＋Ｕ2）1/2｝／（１＋Ｕ2 ）］ Ｕ＝２×Δｎｄ／λ ・・・（３）
線偏光となり、液晶の旋光性により液晶分子の配向にそ
って回転し出射側の偏光板を通過し明状態となる。この
時の透過率は式（３）のように表わされる。（参考 液
晶（応用編）、培風館、Ｐ１６） Ｔ＝（１／２）［１−ｓｉｎ2｛（π／２）×（１＋Ｕ2）1/2｝／（１＋Ｕ2 ）］ Ｕ＝２×Δｎｄ／λ ・・・（３）
【００４６】ここで、Ｔは透過率を表わす。
【００４７】このように、透過率Ｔはセルギャップｄの
影響を受ける。
影響を受ける。
【００４８】上記のように、液晶表示素子は表示モード
に関わらずセルギャップやその電極構造により透過率が
変化することがわかる。このため、液晶表示素子のセル
ギャップや電極間隔を変えることにより、相対透過率の
面内分布を制御することができる。
に関わらずセルギャップやその電極構造により透過率が
変化することがわかる。このため、液晶表示素子のセル
ギャップや電極間隔を変えることにより、相対透過率の
面内分布を制御することができる。
【００４９】図１４は、ＴＮモードとＩＰＳモードのそ
れぞれについて、印加電圧と透過率の関係を液晶層の厚
さをパラメータとして示したものである。図中曲線Ｉは
ＴＮモードで液晶厚さが４．５μｍ、Ｊは５μｍの場合
を示し、ＫはＩＰＳモードで液晶厚さが４μｍ、Ｌは
３．６μｍの場合を示す。図に示されているように、Ｔ
ＮモードについてもＩＰＳモードについても、液晶厚さ
を大きくすると透過率が大きくなる条件範囲が存在して
いる。またＩＰＳモードでは電極間隔の変化による電界
強度の変化を利用して透過率を変化させることもでき
る。本発明は、このような条件範囲が存在することを利
用して液晶表示素子（液晶セル）の透過率の表示面内で
変化させ、この透過率の差によって面光源の輝度分布を
相殺して液晶表示装置全体としての表示面内の輝度分布
を均一化している。
れぞれについて、印加電圧と透過率の関係を液晶層の厚
さをパラメータとして示したものである。図中曲線Ｉは
ＴＮモードで液晶厚さが４．５μｍ、Ｊは５μｍの場合
を示し、ＫはＩＰＳモードで液晶厚さが４μｍ、Ｌは
３．６μｍの場合を示す。図に示されているように、Ｔ
ＮモードについてもＩＰＳモードについても、液晶厚さ
を大きくすると透過率が大きくなる条件範囲が存在して
いる。またＩＰＳモードでは電極間隔の変化による電界
強度の変化を利用して透過率を変化させることもでき
る。本発明は、このような条件範囲が存在することを利
用して液晶表示素子（液晶セル）の透過率の表示面内で
変化させ、この透過率の差によって面光源の輝度分布を
相殺して液晶表示装置全体としての表示面内の輝度分布
を均一化している。
【００５０】実施の形態１ 本発明液晶表示装置の実施の形態を、面内応答モード
（ＩＰＳモード）を用いた液晶表示装置を例にとって説
明する。
（ＩＰＳモード）を用いた液晶表示装置を例にとって説
明する。
【００５１】実施例１ 対向基板および電極基板の所定の領域に転写法により配
向膜溶液を塗布、焼成し配向膜を形成した。その後、画
素電極の櫛歯方向に対し１０゜の方向にラビング処理を
行なった。ラビング処理は重ね合わせたときに対向基板
と電極基板のラビング方向がほぼ平行になるように行な
った。
向膜溶液を塗布、焼成し配向膜を形成した。その後、画
素電極の櫛歯方向に対し１０゜の方向にラビング処理を
行なった。ラビング処理は重ね合わせたときに対向基板
と電極基板のラビング方向がほぼ平行になるように行な
った。
【００５２】ＴＦＴアレイ基板には、ディスペンサを用
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０５２（日本電気硝子製）
５．２μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０５２（日本電気硝子製）
５．２μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
【００５３】対向基板上には、直径３．３８μｍのミク
ロパールＳＰ２０３３８（積水ファインケミカル社製）
を散布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
ロパールＳＰ２０３３８（積水ファインケミカル社製）
を散布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
【００５４】電極基板と対向基板を所定の画素が一致す
るように重ね合わせ、加熱圧着することをにより、電極
基板と対向基板を接着させた。
るように重ね合わせ、加熱圧着することをにより、電極
基板と対向基板を接着させた。
【００５５】この一対の基板を目的の大きさになるよう
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０７
９、誘電率異方性が１０．４の液晶を注入し、液晶表示
素子を得た。画面中心部の液晶厚さが最も薄く液晶層の
厚みは３．６μｍとなった。この時、周辺シール近傍の
液晶層厚さは中心部より約０．２μｍ厚かった。この厚
さの差をΔｄとする。
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０７
９、誘電率異方性が１０．４の液晶を注入し、液晶表示
素子を得た。画面中心部の液晶厚さが最も薄く液晶層の
厚みは３．６μｍとなった。この時、周辺シール近傍の
液晶層厚さは中心部より約０．２μｍ厚かった。この厚
さの差をΔｄとする。
【００５６】この液晶表示素子の画面中央部と周辺部の
階調−透過率曲線の一例を図５に示す。同一階調での透
過率が周辺部の方が高いことがわかる。この液晶表示素
子と図６に示すような相対輝度分布を有する面光源を組
み合わせ液晶表示装置を作製した。図６、７、８におい
て、Ａ〜Ｄは相対輝度値の範囲を示す符号で、それぞれ
Ａは１．６０〜１．８０、Ｂは１．４０〜１．６０、Ｃ
は１．２０〜１．４０、Ｄは１．００〜１．２０の範囲
を示す。この面光源の最大相対輝度値（最大値／最小
値）は約１．６６であった。また、液晶表示素子に印加
する最大電圧を６Ｖとした。白表示時の液晶表示装置の
面内輝度分布を図７、中間調表示時（３０／６３階
調）、すなわち相対透過率２０％の表示時の面内輝度分
布を図８に示す。この時の最大相対輝度値は白表示時
（６３／６３階調）で約１．４７、中間調表示時（３０
／６３階調）で約１．２７となった。このように面内輝
度分布が改善され中間調表示時に輝度ムラが確認されな
くなり、従来よりも良好な表示特性を有する液晶表示装
置が得られた。
階調−透過率曲線の一例を図５に示す。同一階調での透
過率が周辺部の方が高いことがわかる。この液晶表示素
子と図６に示すような相対輝度分布を有する面光源を組
み合わせ液晶表示装置を作製した。図６、７、８におい
て、Ａ〜Ｄは相対輝度値の範囲を示す符号で、それぞれ
Ａは１．６０〜１．８０、Ｂは１．４０〜１．６０、Ｃ
は１．２０〜１．４０、Ｄは１．００〜１．２０の範囲
を示す。この面光源の最大相対輝度値（最大値／最小
値）は約１．６６であった。また、液晶表示素子に印加
する最大電圧を６Ｖとした。白表示時の液晶表示装置の
面内輝度分布を図７、中間調表示時（３０／６３階
調）、すなわち相対透過率２０％の表示時の面内輝度分
布を図８に示す。この時の最大相対輝度値は白表示時
（６３／６３階調）で約１．４７、中間調表示時（３０
／６３階調）で約１．２７となった。このように面内輝
度分布が改善され中間調表示時に輝度ムラが確認されな
くなり、従来よりも良好な表示特性を有する液晶表示装
置が得られた。
【００５７】実施例２ 実施例１と同様の方法で液晶表示装置を作製した。この
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．０μ
ｍのものを用いた。
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．０μ
ｍのものを用いた。
【００５８】この結果、面内輝度分布が改善され中間調
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
【００５９】実施例３ 実施例１と同様の方法で液晶表示装置を作製した。この
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．１μ
ｍのものを用いた。
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．１μ
ｍのものを用いた。
【００６０】この結果、面内輝度分布が改善され中間調
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
【００６１】実施例４ 実施例１と同様の方法で液晶表示装置を作製した。この
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．４μ
ｍのものを用いた。
時、シール材内に混合するマイクロロッド径が５．４μ
ｍのものを用いた。
【００６２】この結果、面内輝度分布が改善され中間調
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来よりも良好
な表示特性を有する液晶表示装置が得られた。
【００６３】実施例２、３、４において記載のない項目
は全て実施例１と同条件とした。
は全て実施例１と同条件とした。
【００６４】表１に実施例１から４で用いた液晶表示装
置の相対輝度分布および表示特性の改善状態を示す。表
１からわかるように、Δｄが０．０５〜０．４の範囲で
いずれの実施例でも改善がみられる。Δｄの値が大きい
ほうが改善の度合が大きい傾向が見られるが、Δｄの上
限は液晶層の光学的機能から制限されるので、Δｄの好
ましい範囲は０．０５〜１μｍとなる。
置の相対輝度分布および表示特性の改善状態を示す。表
１からわかるように、Δｄが０．０５〜０．４の範囲で
いずれの実施例でも改善がみられる。Δｄの値が大きい
ほうが改善の度合が大きい傾向が見られるが、Δｄの上
限は液晶層の光学的機能から制限されるので、Δｄの好
ましい範囲は０．０５〜１μｍとなる。
【００６５】
【表１】
【００６６】実施の形態２ 対向基板として画面中心部の開口率が最も低く、周辺に
向かって徐々に開口率が大きくなり、その相対透過率分
布が約１．４５であるカラーフィルタを用いた。対向基
板および電極基板の所定の領域に転写法により配向膜溶
液を塗布、焼成し配向膜を形成した。その後、画素電極
の櫛歯方向に対し１０°の方向にラビング処理を行なっ
た。ラビング処理は重ね合わせたときに対向基板と電極
基板のラビング方向がほぼ平行になるように行なった。
向かって徐々に開口率が大きくなり、その相対透過率分
布が約１．４５であるカラーフィルタを用いた。対向基
板および電極基板の所定の領域に転写法により配向膜溶
液を塗布、焼成し配向膜を形成した。その後、画素電極
の櫛歯方向に対し１０°の方向にラビング処理を行なっ
た。ラビング処理は重ね合わせたときに対向基板と電極
基板のラビング方向がほぼ平行になるように行なった。
【００６７】ＴＦＴアレイ基板には、ディスペンサを用
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０５０（日本電気硝子製）
５．０μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０５０（日本電気硝子製）
５．０μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
【００６８】対向基板上には、直径３．３８μｍのミク
ロパールＳＰ２０３３８（積水ファインケミカル社製）
を散布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
ロパールＳＰ２０３３８（積水ファインケミカル社製）
を散布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
【００６９】電極基板と対向基板を所定の画素が一致す
るように重ね合わせ、加熱圧着することにより、電極基
板と対向基板を接着させた。
るように重ね合わせ、加熱圧着することにより、電極基
板と対向基板を接着させた。
【００７０】この一対の基板を目的の大きさになるよう
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０７
９、誘電率異方性が１０．４の液晶を注入し、液晶表示
素子を得た。この時の液晶厚みは３．６μｍとなった。
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０７
９、誘電率異方性が１０．４の液晶を注入し、液晶表示
素子を得た。この時の液晶厚みは３．６μｍとなった。
【００７１】この液晶表示素子と実施の形態１と同様の
相対輝度分布（１．６６）を有する面光源とを組み合わ
せ液晶表示装置を得た。この時の最大印加電圧を６．５
Ｖとした。
相対輝度分布（１．６６）を有する面光源とを組み合わ
せ液晶表示装置を得た。この時の最大印加電圧を６．５
Ｖとした。
【００７２】この結果、液晶表示装置の面内相対輝度分
布が１．２となり面光源の相対輝度分布よりも改善さ
れ、従来よりも良好な表示特性が得られた。
布が１．２となり面光源の相対輝度分布よりも改善さ
れ、従来よりも良好な表示特性が得られた。
【００７３】実施の形態３ 対向基板として、カラーフィルタの色材の透過率が画面
中心部で最も低く、周辺に向かって徐々に大きくなり、
その相対透過率分布が約１．１５であるカラーフィルタ
を用いた。この対向基板と電極基板を用い、実施の形態
２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。この時色材
の色純度が変化しないようにカーボンを混合して透過率
を調整した。この液晶表示素子と画面中央部の輝度がも
っとも高く周辺に向かって輝度が低くなりその相対輝度
分布が１．３の面光源を用い液晶表示装置を作製した。
この時の最大印加電圧を６Ｖとした。
中心部で最も低く、周辺に向かって徐々に大きくなり、
その相対透過率分布が約１．１５であるカラーフィルタ
を用いた。この対向基板と電極基板を用い、実施の形態
２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。この時色材
の色純度が変化しないようにカーボンを混合して透過率
を調整した。この液晶表示素子と画面中央部の輝度がも
っとも高く周辺に向かって輝度が低くなりその相対輝度
分布が１．３の面光源を用い液晶表示装置を作製した。
この時の最大印加電圧を６Ｖとした。
【００７４】この結果、液晶表示装置の面内相対輝度分
布が１．２５となり面光源の相対輝度分布より改善され
中間調表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来より
も良好な表示特性が得られた。
布が１．２５となり面光源の相対輝度分布より改善され
中間調表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来より
も良好な表示特性が得られた。
【００７５】実施の形態４ 画面中央部の開口率が低く周辺部に向かって高くなり、
相対透過率分布が１．２の電極基板を用い、実施の形態
２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。この液晶表
示素子と実施の形態１で用いたのと同様に画面中央部の
輝度が高く、相対輝度分布が１．４の面光源を用い液晶
表示装置を作製した。この時の最大印加電圧を６Ｖとし
た。
相対透過率分布が１．２の電極基板を用い、実施の形態
２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。この液晶表
示素子と実施の形態１で用いたのと同様に画面中央部の
輝度が高く、相対輝度分布が１．４の面光源を用い液晶
表示装置を作製した。この時の最大印加電圧を６Ｖとし
た。
【００７６】この結果、液晶表示装置の面内相対輝度分
布が１．２５となり面光源の相対輝度分布より改善され
中間調表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来より
も良好な表示特性が得られた。
布が１．２５となり面光源の相対輝度分布より改善され
中間調表示時に輝度ムラが確認されなくなり、従来より
も良好な表示特性が得られた。
【００７７】実施の形態５ 実施の形態２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。
液晶表示素子の観察者側に透過率補正用のフィルムを貼
り付けた。この時フィルムと液晶表示素子間で反射など
がほとんど生じないように粘着材の屈折率を調整したも
のを用いた。このフィルムの透過率は中央部が最も低く
周辺に向かって高くなるような分布をしており、この時
相対透過率分布は１．２８となった。実施例１で用いた
のと同様に画面中央部の輝度が高く、相対輝度分布が
１．４の面光源を用い液晶表示装置を作製したところ、
液晶表示装置の面内輝度分布が１．１６となり面光源の
相対輝度よりも改善され中間調表示時に輝度ムラが確認
されなくなり、従来よりも良好な表示特性が得られた。
液晶表示素子の観察者側に透過率補正用のフィルムを貼
り付けた。この時フィルムと液晶表示素子間で反射など
がほとんど生じないように粘着材の屈折率を調整したも
のを用いた。このフィルムの透過率は中央部が最も低く
周辺に向かって高くなるような分布をしており、この時
相対透過率分布は１．２８となった。実施例１で用いた
のと同様に画面中央部の輝度が高く、相対輝度分布が
１．４の面光源を用い液晶表示装置を作製したところ、
液晶表示装置の面内輝度分布が１．１６となり面光源の
相対輝度よりも改善され中間調表示時に輝度ムラが確認
されなくなり、従来よりも良好な表示特性が得られた。
【００７８】本実施の形態では、液晶表示素子の観察者
側にフィルムを貼り付けたが、観察者と反対側に貼り付
けても同様の効果が得られる。また、フィルムを貼り付
けずに設置しても同様の効果が得られる。
側にフィルムを貼り付けたが、観察者と反対側に貼り付
けても同様の効果が得られる。また、フィルムを貼り付
けずに設置しても同様の効果が得られる。
【００７９】さらに、フィルムの代わりにたとえばガラ
ス基板上に不透明金属をマトリクス状に形成したものの
ように透過率を制御する層であってもよい。
ス基板上に不透明金属をマトリクス状に形成したものの
ように透過率を制御する層であってもよい。
【００８０】実施の形態６ 実施の形態２と同様の方法で液晶表示素子を作製した。
液晶表示素子の観察者側に透過率補正用のフィルムを貼
り付けた。この時フィルムと液晶表示素子間で反射など
がほとんど生じないように粘着材の屈折率を調整したも
のを用いた。図９に画面中心部（Ｚ）を通り走査線に平
行に左端（Ｘ）から右端（Ｙ）に移動したときのフィル
ムの相対透過率の変化を示す。この時相対透過率分布は
１．２となった。画面中心部を通り走査線に平行に移動
したときの面光源の輝度分布が図１０に示すように変化
し、相対輝度分布が１．３の面光源を用い液晶表示装置
を作製したところ、液晶表示装置の面内輝度分布が１．
０８となり面光源の相対輝度分布よりも改善され、中間
調表示時に輝度ムラが確認されなくなるなど、従来より
も良好な表示特性が得られた。
液晶表示素子の観察者側に透過率補正用のフィルムを貼
り付けた。この時フィルムと液晶表示素子間で反射など
がほとんど生じないように粘着材の屈折率を調整したも
のを用いた。図９に画面中心部（Ｚ）を通り走査線に平
行に左端（Ｘ）から右端（Ｙ）に移動したときのフィル
ムの相対透過率の変化を示す。この時相対透過率分布は
１．２となった。画面中心部を通り走査線に平行に移動
したときの面光源の輝度分布が図１０に示すように変化
し、相対輝度分布が１．３の面光源を用い液晶表示装置
を作製したところ、液晶表示装置の面内輝度分布が１．
０８となり面光源の相対輝度分布よりも改善され、中間
調表示時に輝度ムラが確認されなくなるなど、従来より
も良好な表示特性が得られた。
【００８１】本実施例では液晶表示素子の観察者側にフ
ィルムを貼り付けたが、観察者と反対側に貼り付けても
同様の効果が得られる。また、フィルムを貼り付けずに
設置しても同様の効果が得られる。
ィルムを貼り付けたが、観察者と反対側に貼り付けても
同様の効果が得られる。また、フィルムを貼り付けずに
設置しても同様の効果が得られる。
【００８２】実施の形態７ 表示エリア中心部の領域での電極間隔Ｌ１が１１μｍ、
周辺部２０ｍｍの領域での電極間隔Ｌ２が１１μｍであ
り、この電極基板の画面中心を通り走査線に平行に移動
したときの電極間隔の変化が図１１に示されるような電
極基板をもちいた。
周辺部２０ｍｍの領域での電極間隔Ｌ２が１１μｍであ
り、この電極基板の画面中心を通り走査線に平行に移動
したときの電極間隔の変化が図１１に示されるような電
極基板をもちいた。
【００８３】実施の形態１と同様の方法で電極基板上に
配向膜層を形成し、ラビング処理を行なった。その後、
液晶層厚みが均一になるように、シール材内スペーサ
径、面内スペーサ径を調整し所定のプロセスを行なうこ
とにより、液晶層厚み３．６μｍの液晶表示素子を作製
した。
配向膜層を形成し、ラビング処理を行なった。その後、
液晶層厚みが均一になるように、シール材内スペーサ
径、面内スペーサ径を調整し所定のプロセスを行なうこ
とにより、液晶層厚み３．６μｍの液晶表示素子を作製
した。
【００８４】図１４の曲線Ｌに示されているように、Ｉ
ＰＳモードでは印加電圧により透過率が変化するが、こ
の電圧依存性は式（１）の電圧（電界）依存性に対応し
たものであり、同じ印加電圧に対しても電極間隔を変え
て電界強度を変えることにより、透過率を変えることが
できる。図１４の曲線Ｌは中間調表示となる印加電圧５
Ｖ付近で印加電圧が１０％（０．５Ｖ）変わると透過率
が約２０％変化している。電極間隔を１０％減少させる
と電界強度は１０％増加し、透過率は約２０％増加する
が、電極の開口率が１０％減少すると仮定すると差引き
１０％の透過率の増加となる。
ＰＳモードでは印加電圧により透過率が変化するが、こ
の電圧依存性は式（１）の電圧（電界）依存性に対応し
たものであり、同じ印加電圧に対しても電極間隔を変え
て電界強度を変えることにより、透過率を変えることが
できる。図１４の曲線Ｌは中間調表示となる印加電圧５
Ｖ付近で印加電圧が１０％（０．５Ｖ）変わると透過率
が約２０％変化している。電極間隔を１０％減少させる
と電界強度は１０％増加し、透過率は約２０％増加する
が、電極の開口率が１０％減少すると仮定すると差引き
１０％の透過率の増加となる。
【００８５】この液晶表示素子と実施の形態１で用いた
面光源を用い液晶表示装置を作製したところ、中間調表
示時（相対透過率４０％）に面内輝度分布が中間調表示
時で改善され、従来よりも良好な表示特性が得られた。
面光源を用い液晶表示装置を作製したところ、中間調表
示時（相対透過率４０％）に面内輝度分布が中間調表示
時で改善され、従来よりも良好な表示特性が得られた。
【００８６】実施の形態８ 本発明の実施の形態は、ＴＮモードを用いた液晶表示装
置を例にとって説明する。
置を例にとって説明する。
【００８７】対向基板および電極基板の所定の領域に転
写法により配向膜溶液を塗布、焼成し配向膜を形成し
た。その後、画素電極の長辺方向に対し４５゜の方向に
ラビング処理を行なった。ラビング処理は重ね合わせた
ときに対向基板と電極基板のラビング方向がほぼ９０゜
ねじれるように行なった。
写法により配向膜溶液を塗布、焼成し配向膜を形成し
た。その後、画素電極の長辺方向に対し４５゜の方向に
ラビング処理を行なった。ラビング処理は重ね合わせた
ときに対向基板と電極基板のラビング方向がほぼ９０゜
ねじれるように行なった。
【００８８】ＴＦＴアレイ基板には、ディスペンサを用
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０６７（日本電気硝子製）
７．２μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
い所定のパターンになるようにシール材を塗布した。シ
ール材はマイクロロッドＰＦ０６７（日本電気硝子製）
７．２μｍのガラス製スペーサを約２ｗｔ％の割合で混
合したものを使用した。
【００８９】対向基板上には、直径４．８μｍのミクロ
パールＳＰ２０４８（積水ファインケミカル社製）を散
布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
パールＳＰ２０４８（積水ファインケミカル社製）を散
布密度約３００個／ｍｍ2で散布した。
【００９０】電極基板と対向基板を所定の画素が一致す
るように重ね合わせ、加熱圧着することにより、電極基
板と対向基板を接着させた。
るように重ね合わせ、加熱圧着することにより、電極基
板と対向基板を接着させた。
【００９１】この一対の基板を目的の大きさになるよう
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０８
７、誘電率異方性が７．６の液晶を注入し、液晶表示素
子を得た。画面中心部の液晶厚みが最も薄く液晶層の厚
みは５μｍとなった。この時、周辺シール近傍の液晶層
厚みは中心部より約０．５μｍ厚かった。
にパネル切断を行ない、その後屈折率異方性が０．０８
７、誘電率異方性が７．６の液晶を注入し、液晶表示素
子を得た。画面中心部の液晶厚みが最も薄く液晶層の厚
みは５μｍとなった。この時、周辺シール近傍の液晶層
厚みは中心部より約０．５μｍ厚かった。
【００９２】この液晶表示素子の相対透過率分布は中間
調表示時（３０／６３階調）で約１．２０となった。こ
の時の最大印加電圧を４Ｖとした。これと実施例１で使
用した面光源（相対輝度分布１．６６）を用い液晶表示
装置を作製した。液晶表示装置の中間調表示時の面内相
対輝度分布が１．３８となった。この結果、面内輝度分
布が改善され中間調表示時に輝度ムラが確認されなくな
り、従来よりも良好な表示特性を有する液晶表示装置が
得られた。
調表示時（３０／６３階調）で約１．２０となった。こ
の時の最大印加電圧を４Ｖとした。これと実施例１で使
用した面光源（相対輝度分布１．６６）を用い液晶表示
装置を作製した。液晶表示装置の中間調表示時の面内相
対輝度分布が１．３８となった。この結果、面内輝度分
布が改善され中間調表示時に輝度ムラが確認されなくな
り、従来よりも良好な表示特性を有する液晶表示装置が
得られた。
【００９３】ノーマリホワイトモードのＴＮモードで
は、液晶表示素子の透過率は式（３）で表わされ、Ｕ＝
（３）1/2のとき最大となる。図１４の曲線Ｉ、Ｊに示
すように液晶厚さが大きいときに透過率が大きくなる条
件では、面光源の輝度の最も高い領域での液晶厚みをｄ
１、最も低い領域での液晶厚みをｄ２とし、ｄ１＜ｄ
２、かつｄ２を式（３）の最大透過率に対応する液晶厚
み（３）1/2／（２Δｎλ）より小さくすることによっ
て面光源の相対輝度分布を抑制することができる。
は、液晶表示素子の透過率は式（３）で表わされ、Ｕ＝
（３）1/2のとき最大となる。図１４の曲線Ｉ、Ｊに示
すように液晶厚さが大きいときに透過率が大きくなる条
件では、面光源の輝度の最も高い領域での液晶厚みをｄ
１、最も低い領域での液晶厚みをｄ２とし、ｄ１＜ｄ
２、かつｄ２を式（３）の最大透過率に対応する液晶厚
み（３）1/2／（２Δｎλ）より小さくすることによっ
て面光源の相対輝度分布を抑制することができる。
【００９４】
【発明の効果】本発明によれば、面光源の輝度分布を抑
制するように、液晶表示素子のセルギャップ、開口率、
電極構造などのパネル構造を変えるなど、液晶表示素子
の透過率の面内分布を制御することにより、面内輝度分
布の小さい、良好な表示特性を有する液晶表示装置を得
ることができる。
制するように、液晶表示素子のセルギャップ、開口率、
電極構造などのパネル構造を変えるなど、液晶表示素子
の透過率の面内分布を制御することにより、面内輝度分
布の小さい、良好な表示特性を有する液晶表示装置を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の相対輝度と相対透過率
を示す表示画面上の位置を示す図である。
を示す表示画面上の位置を示す図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の走査線方向の相対輝度
および液晶表示素子の相対透過率および面光源の相対輝
度を示す図である。
および液晶表示素子の相対透過率および面光源の相対輝
度を示す図である。
【図３】面内応答型液晶表示装置の原理図である。
【図４】アレイ基板の構成図を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示素子の階調−透過率曲線を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明の液晶表示素子の面光源の面内相対輝度
分布を表わす図である。
分布を表わす図である。
【図７】本発明の液晶表示素子の白表示時の面内相対輝
度分布を表わす図である。
度分布を表わす図である。
【図８】本発明の液晶表示素子の中間調表示時の面内相
対輝度分布を表わす図である。
対輝度分布を表わす図である。
【図９】本発明の液晶表示素子の透過率補正フィルムの
面内透過率変化を表わす図である。
面内透過率変化を表わす図である。
【図１０】本発明の液晶表示素子の面光源の面内輝度変
化を表わす図である。
化を表わす図である。
【図１１】本発明の液晶表示素子の電極間隔の面内変化
を表わす図である。
を表わす図である。
【図１２】液晶表示装置の構成断面図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の走査線方向の相対輝度
および液晶表示素子の相対透過率および面光源の相対輝
度を表わす図である。
および液晶表示素子の相対透過率および面光源の相対輝
度を表わす図である。
【図１４】液晶表示素子の透過率の印加電圧依存性を示
す図である。
す図である。
１ 面光源 ２ 面光源からの出射光 ３ 液晶表示素子 ４ 出射光 ５ 電極基板 ６ 対向基板 ７ 画素電極 ８ 共通電極 ９ 液晶分子 １０ 偏光板 １１ 偏光板 １２ 偏光板１０の透過軸 １３ 偏光板１１の透過軸 １４ 液晶分子の長軸方向 １５ 入射光 １６ 電界方向 １７ 楕円偏光 １８ 透過光 １９ 映像信号線 ２０ 走査信号線 ２１ 共通信号線 ２２ スイッチング素子 ２３ 画素部 ２４ 表示画面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｃ０９４ ３４９ ３４９Ｃ ５Ｇ４３５ ３４９Ｂ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｂ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2H089 QA16 SA01 SA03 TA12 TA18 2H091 FA02Y FA41Z GA03 LA18 2H092 GA13 GA15 NA25 PA08 PA13 5C006 AA11 AA22 BB16 EA01 FA22 FA51 FA56 GA02 GA03 5C080 AA10 BB05 CC03 DD05 EE29 FF11 JJ05 JJ06 5C094 AA03 AA07 AA55 BA03 BA43 CA19 DA12 DA13 EA04 EA10 EB02 EC03 ED03 ED15 FA01 FA02 GB01 GB10 JA01 JA08 JA13 JA20 5G435 AA00 AA01 BB12 BB15 CC09 CC12 DD11 EE26 FF13 FF14 GG25
Claims (14)
- 【請求項１】 電極基板および対向基板間に配向膜を介
して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状に
配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれたス
イッチング素子を有する画素部を形成したアクティブマ
トリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表示
装置において、液晶表示素子の透過率分布が面光源の輝
度分布を抑制する、すなわち、表示領域における面光源
の輝度値の最大値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶
表示装置の輝度値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉ
ｎとした場合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ＞Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ を満足することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 電極基板および対向基板間に配向膜を介
して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状に
配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれたス
イッチング素子を有する画素部を形成したアクティブマ
トリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表示
装置において、表示領域における、面光源の輝度値の最
大値をＸｍａｘ、最小値をＸｍｉｎ、液晶表示装置の輝
度値の最大値をＺｍａｘ、最小値をＺｍｉｎとした場
合、 Ｘｍａｘ／Ｘｍｉｎ−Ｚｍａｘ／Ｚｍｉｎ＞０．１ を満足することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 電極基板および対向基板間に配向膜を介
して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状に
配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれたス
イッチング素子を有する画素部を形成したアクティブマ
トリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表示
装置において、液晶層厚みの表示領域内での最大値と最
小値の差Δｄが、０．０５μｍ≦Δｄ≦１．０μｍを満
足することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子お
よび面光源からなる液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記電極基板近傍の液晶配向方向と前記
対向基板近傍の液晶配向方向が９０度異なり、２枚の偏
光板の間に前記電極基板と対向基板が存在し、電極基板
側と対向基板側の偏光板の吸収軸が液晶配向方向と等し
いかあるいは９０度ことなる液晶表示素子において、面
光源の輝度が最も高い領域に対応する液晶層厚みをｄ
１、最も低い領域に対応する液晶層厚みをｄ２、液晶の
屈折率異方性をΔｎ、波長をλとした場合、 ｄ１＜ｄ２ ｄ２＜（３）1/2λ／（２Δｎ） を満足することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 電極基板が櫛形電極を有する液晶表示素
子において、面光源の輝度が最も高い領域に対応する液
晶層厚みをｄ１、最も低い領域に対応する液晶層厚みを
ｄ２とした場合、液晶層に印加する電圧の最大値が、液
晶層厚みがｄ２の時に最大透過率を得る電圧より低く、
ｄ１＜ｄ２を満足することを特徴とする請求項３記載の
液晶表示装置。 - 【請求項６】 面光源の中央部の輝度値が最も高く、周
辺部へ行くに従って輝度値が低下することを特徴とする
請求項１、２、３、４または５のいずれかに記載の液晶
表示装置。 - 【請求項７】 電極基板および対向基板間に配向膜を介
して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状に
配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれたス
イッチング素子を有する画素部を形成したアクティブマ
トリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表示
装置において、対向基板の透過率により、液晶表示素子
の透過率分布が決定されることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 対向基板の開口率、すなわち光を透過す
る領域の割合により、対向基板の透過率が決定されるこ
とを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 対向基板上にカラー表示を行なうための
色層が形成されており、この色層により対向基板の透過
率分布が決定されることを特徴とする請求項７記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１０】 対向基板上にカラー表示を行なうため
の色層が形成されており、色層の透過率が色層にカーボ
ン粒子のように光を透過しない粒子を混合することによ
り制御されることを特徴とする請求項９記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１１】 電極基板および対向基板間に配向膜を
介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状
に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれた
スイッチング素子を有する画素部を形成したアクティブ
マトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表
示装置において、液晶表示素子が透過率分布を有し、電
極基板の開口率、すなわち光を透過する領域の割合、に
より液晶表示素子の透過率分布が決定されることを特徴
とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 電極基板および対向基板間に配向膜を
介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状
に配置された、複数の映像信号と走査信号線に囲まれた
スイッチング素子を有する画素部を形成したアクティブ
マトリクス型液晶表示素子および面光源からなる液晶表
示装置において、液晶表示素子の観察者側あるいはその
反対側に透過率を制御する層を設け、液晶表示素子の透
過率分布を制御することを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１３】 電極基板が基板にほぼ平行な電界が液
晶層に印加されるような電極構造を有することを特徴と
する請求項１、２、３、５、６、７、８、９、１０また
は１１のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】 電極基板および対向基板間に配向膜を
介して液晶組成物を挟持し、電極基板上にマトリクス状
に配置された複数の映像信号と走査信号線に囲まれたス
イッチング素子を有する画素部が形成されており、その
電極構造が櫛形であり、基板にほぼ平行な電界を発生さ
せ液晶分子を面内駆動させるアクティブマトリクス型液
晶表示素子および面光源からなる液晶表示装置におい
て、面光源の輝度が最も高い領域に対応する電極基板の
櫛形電極の電極間隔Ｌ１、最も低い領域に対応する櫛形
電極の電極間隔Ｌ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２を満足するこ
とを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11203749A JP2001033782A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 液晶表示装置 |
| US09/614,733 US6313890B1 (en) | 1999-07-16 | 2000-07-12 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11203749A JP2001033782A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001033782A true JP2001033782A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16479218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11203749A Pending JP2001033782A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6313890B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001033782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010243967A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| US7969524B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-06-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel, manufacturing method of the same, and liquid crystal display apparatus |
| JP2015114582A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
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| JP4398602B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-01-13 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR20050073558A (ko) * | 2002-10-17 | 2005-07-14 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 필름 및 그 점착제 |
| JP2009122474A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW505799B (en) * | 1995-09-11 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | Color liquid crystal display device |
| CA2234447A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light-transmitting material, planar light source device and liquid crystal display device |
-
1999
- 1999-07-16 JP JP11203749A patent/JP2001033782A/ja active Pending
-
2000
- 2000-07-12 US US09/614,733 patent/US6313890B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7969524B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-06-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel, manufacturing method of the same, and liquid crystal display apparatus |
| JP2010243967A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
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Also Published As
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|---|---|
| US6313890B1 (en) | 2001-11-06 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
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