JP2001024139A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、プリント配線基板のランドとの接地部の数
を減少させずにパッケージを縮小する技術に関し、例え
ば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)に利用
して有効なものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technology for reducing the size of a package without reducing the number of grounding portions between lands of a printed wiring board. , IC).
【0002】[0002]
【従来の技術】携帯形のパーソナルコンピュータや携帯
電話等の小形の電子機器に汎用的に使用されている標準
ロジックICのパッケージとしては、スモール・アウト
ライン・パッケージ(以下、SOPという。)やデュア
ル・インライン・パッケージ(以下、DIPという。)
が一般的に採用されている。SOPを備えているIC
(以下、SOP・ICという。)は、半導体素子を含む
集積回路が作り込まれた半導体ペレットと、半導体ペレ
ットに電気的に接続された複数本のリードと、半導体ペ
レットおよび各リードのインナ部(以下、インナリード
という。)を封止する樹脂封止体とを備えており、各リ
ードのアウタ部(以下、アウタリードという。)がガル
・ウイング形状に屈曲されてプリント配線基板に表面実
装されるように構成されている。2. Description of the Related Art Small outline packages (hereinafter, referred to as SOPs) and dual SOPs are generally used as packages for standard logic ICs generally used in small electronic devices such as portable personal computers and mobile phones. Inline package (hereinafter referred to as DIP)
Is generally adopted. IC with SOP
(Hereinafter referred to as an SOP IC) includes a semiconductor pellet in which an integrated circuit including a semiconductor element is built, a plurality of leads electrically connected to the semiconductor pellet, an inner portion of the semiconductor pellet and each lead ( (Hereinafter referred to as an inner lead). The outer part of each lead (hereinafter referred to as an outer lead) is bent into a gull-wing shape and surface-mounted on a printed wiring board. It is configured as follows.
【0003】なお、SOP・ICを述べてある例として
は、株式会社日経BP社1993年5月31日発行の
「VLSIパッケージング技術(下)」P82〜P8
4、がある。[0003] Examples of SOP ICs are described in "VLSI Packaging Technology (Lower)" P82 to P8 issued on May 31, 1993 by Nikkei BP Co., Ltd.
There are four.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】最近、携帯形のパーソ
ナルコンピュータや携帯電話等の小形の電子機器におい
てはより一層の小形化が要求されており、それに伴っ
て、これらのプリント配線基板に搭載される標準ロジッ
クICのパッケージの縮小が要求されている。しかし、
従来のSOP・ICにおいては、厚さが0.1〜0.2
mm程度の金属板に対してのプレス加工やエッチング加
工によって製造されたリードフレームが用いられてリー
ド群が形成されるため、加工精度等の条件によって隣合
うリード間の寸法の低減には限界があり、その結果、樹
脂封止体の平面の面積の縮小に限界がある。Recently, small electronic devices such as portable personal computers and portable telephones have been required to be further miniaturized, and accordingly, they have been mounted on these printed circuit boards. It is required to reduce the size of standard logic IC packages. But,
In a conventional SOP IC, the thickness is 0.1 to 0.2.
Since lead groups are formed using lead frames manufactured by pressing or etching metal plates of about mm, there is a limit to the reduction in the size between adjacent leads depending on conditions such as processing accuracy. As a result, there is a limit in reducing the planar area of the resin sealing body.
【0005】本発明の目的は、プリント配線基板のラン
ドとの接地数を減少させずにパッケージを縮小すること
ができる半導体装置の製造技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of reducing the size of a package without reducing the number of grounds to a land of a printed wiring board.
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.
【0008】すなわち、半導体装置は、半導体ペレット
に電気的にそれぞれ接続された一対のリードが絶縁膜を
挟み、一方のリードの接地部と他方のリードの接地部と
が同一位置に配置されて電気的に隔絶されていることを
特徴とする。That is, in a semiconductor device, a pair of leads electrically connected to a semiconductor pellet sandwich an insulating film, and a grounding portion of one lead and a grounding portion of the other lead are arranged at the same position. It is characterized by being isolated.
【0009】前記した手段によれば、一対のリードが絶
縁膜を挟み、両リードの接地部同士が同一位置に配置さ
れていることにより、パッケージにおけるリードの引出
し数を減少させることができるため、パッケージの平面
の面積を減少させることができる。他方、一対のリード
の接地部はいずれも確保されているため、プリント配線
基板に対する接地部の総数すなわち半導体装置の接続総
数は減少することはなく、従来と同一の接続総数を確保
することができる。According to the above-mentioned means, since the pair of leads sandwiches the insulating film and the grounding portions of both leads are arranged at the same position, the number of lead outs in the package can be reduced. The planar area of the package can be reduced. On the other hand, since the grounding portions of the pair of leads are both secured, the total number of grounding portions to the printed wiring board, that is, the total number of connections of the semiconductor device does not decrease, and the same total number of connections as before can be secured. .
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
SOP・ICの実装状態を示しており、(a)は左半分
が平面断面図で右半分が底面図、(b)は正面断面図で
ある。図2以降は本発明の一実施形態であるSOP・I
Cの製造方法を説明するための各説明図である。1A and 1B show a mounting state of an SOP IC according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan sectional view of a left half, a bottom view is a right half, and FIG. It is a front sectional view. FIG. 2 et seq. Show an embodiment of the present invention, SOP.I.
It is each explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of C.
【0011】図1に示されているように、本実施形態に
おいて、本発明に係る半導体装置はSOP・ICとして
構成されている。図1において、SOP・IC18は標
準ロジック回路が作り込まれた半導体ペレット(以下、
ペレットという。)12を備えており、ペレット12に
は複数本のリード8がワイヤ14によって電気的に接続
され、ペレット12、各リード8のインナ部群およびワ
イヤ14群は樹脂封止体16によって樹脂封止されてい
る。複数本のリード8は上側リード8Aと下側リード8
bとの一対宛に組み合わされて絶縁膜11によって接着
されており、各上下のリード8A、8Bは樹脂封止体1
6の外部のおいて一体的にガル・ウイング形状に屈曲さ
れている。樹脂封止体16の外部の上側リード8Aの先
端に形成された第一接地部aと、下側リード8Bの先端
に形成された第二接地部bとは同一位置において隣同士
に配置されており、隔絶部11Aを挟んで互いに電気的
に絶縁された状態になっている。そして、SOP・IC
18は以下のSOP・ICの製造方法によって製造され
たものである。As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the semiconductor device according to the present invention is configured as an SOP IC. In FIG. 1, an SOP / IC 18 is a semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a semiconductor pellet) in which a standard logic circuit is built.
It is called a pellet. ) 12, a plurality of leads 8 are electrically connected to the pellet 12 by wires 14, and the pellet 12, the inner group of the leads 8 and the group of wires 14 are resin-sealed by a resin sealing body 16. Have been. The plurality of leads 8 include an upper lead 8A and a lower lead 8
b and a pair of the upper and lower leads 8A and 8B are bonded to each other by the insulating film 11.
6 and is integrally bent to the gull wing shape outside. The first ground portion a formed at the tip of the upper lead 8A outside the resin sealing body 16 and the second ground portion b formed at the tip of the lower lead 8B are arranged next to each other at the same position. And are electrically insulated from each other with the isolation portion 11A interposed therebetween. And SOP ・ IC
18 is manufactured by the following SOP / IC manufacturing method.
【0012】以下、本発明の一実施形態であるSOP・
ICの製造方法を説明する。この説明により、前記した
SOP・ICの構成の詳細が共に明らかにされる。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
A method for manufacturing an IC will be described. With this description, the details of the configuration of the SOP IC will be clarified.
【0013】本実施形態に係るSOP・ICの製造方法
には、図2に示されている多連リードフレーム1が使用
される。多連リードフレーム1は多連リードフレーム製
造工程において製造されて予め準備されている。The multiple lead frame 1 shown in FIG. 2 is used in the SOP / IC manufacturing method according to the present embodiment. The multiple lead frame 1 is manufactured and prepared in advance in a multiple lead frame manufacturing process.
【0014】多連リードフレーム1は燐青銅や無酸素銅
等の銅系(銅またはその合金)材料から成る薄板、また
は、42アロイやコバール等の鉄系(鉄またはその合
金)材料から成る薄板が用いられて、打ち抜きプレス加
工またはエッチング加工等の適当な手段により一体成形
されている。多連リードフレーム1には複数の単位リー
ドフレーム2が一方向に一列に並設されている。但し、
以下の説明および図示は一単位について行われている。The multiple lead frame 1 is a thin plate made of a copper (copper or alloy thereof) material such as phosphor bronze or oxygen-free copper, or a thin plate made of an iron (iron or alloy thereof) material such as 42 alloy or Kovar. Is integrally formed by a suitable means such as a punching press process or an etching process. In the multiple lead frame 1, a plurality of unit lead frames 2 are arranged in a line in one direction. However,
The following description and illustration are made for one unit.
【0015】単位リードフレーム2は位置決め孔3aが
穿孔された外枠3を一対備えており、両外枠3、3は所
定の間隔で平行にそれぞれ延設されている。隣り合う単
位リードフレーム2、2間には一対のセクション枠4、
4が両外枠3、3間に互いに平行に配されて一体的に架
設されており、両セクション枠4、4の厚さは外枠3の
厚さよりも厚く形成されている。両外枠3、3および両
セクション枠4、4によって形成された長方形の枠体
(フレーム)内に単位リードフレーム2が構成されてい
る。The unit lead frame 2 has a pair of outer frames 3 having positioning holes 3a formed therein, and the outer frames 3, 3 extend in parallel at predetermined intervals. A pair of section frames 4 between adjacent unit lead frames 2, 2;
4 are arranged in parallel with each other between the outer frames 3 and 3 and are integrally bridged. The thickness of the section frames 4 and 4 is formed larger than the thickness of the outer frame 3. The unit lead frame 2 is formed in a rectangular frame (frame) formed by the outer frames 3 and 3 and the section frames 4 and 4.
【0016】各単位リードフレーム2において、両外枠
3、3には一対のタブ吊りリード5、5のそれぞれが直
角方向に配されて一体的に突設されており、両タブ吊り
リード5、5の先端間には長方形の平板形状に形成され
たタブ6が吊持されている。タブ吊りリード5が中間部
において屈曲されることにより、タブ6は後記するリー
ド群と平行な状態で一方向に下げられている(所謂タブ
下げである。)。In each unit lead frame 2, a pair of tab suspension leads 5, 5 are arranged on the outer frames 3, 3 at right angles to each other, and are integrally protruded. A tab 6 formed in a rectangular flat plate shape is suspended between the tips of 5. Since the tab suspension lead 5 is bent at the intermediate portion, the tab 6 is lowered in one direction in a state parallel to a lead group described later (so-called tab lowering).
【0017】両外枠3、3間には一対のダム部材7、7
がタブ6の両脇に対称形に配されて直角に架設されてお
り、両ダム部材7、7には複数本のリード8が長手方向
に等間隔に配されてダム部材7と直交するように突設さ
れている。各リード8のタブ側端部であるインナ部(以
下、インナリードという。)9の先端はタブ6に近接さ
れている。他方、各リード8の反タブ側端部であるアウ
タ部(以下、アウタリードという。)10の先端はセク
ション枠4に一体的に連結した状態になっている。そし
て、ダム部材7における隣り合うアウタリード10、1
0間の部分は樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止
めるダム7aを構成している。A pair of dam members 7, 7 are provided between the outer frames 3, 3.
Are arranged symmetrically on both sides of the tab 6 and are erected at right angles. A plurality of leads 8 are arranged on both dam members 7 and 7 at equal intervals in the longitudinal direction so as to be orthogonal to the dam member 7. It is projected. The tip of an inner portion (hereinafter, referred to as an inner lead) 9 which is a tab-side end of each lead 8 is close to the tab 6. On the other hand, the tip of an outer portion (hereinafter, referred to as an outer lead) 10 which is an end of the lead 8 on the side opposite to the tab is integrally connected to the section frame 4. Then, the adjacent outer leads 10, 1 in the dam member 7 are formed.
The portion between 0 constitutes a dam 7a for damping the flow of the resin during molding of the resin sealing body.
【0018】各リード8の下面には下側のリードを構成
するためのリード(以下、下側リードという。)8B
が、絶縁膜11を形成するための接着材によって接着さ
れている。すなわち、セクション枠4に連結された各リ
ード(以下、上側リード8Aという。)の下面には下側
リード8Bが絶縁膜11を形成した接着材膜によって接
着されており、各下側リード8Bにおける上側リード8
Aのインナリード9Aおよびアウタリード10Aに対応
した部分は、下側インナリード9Bおよび下側アウタリ
ード10Bを形成している。隣合う上側リード8Aと8
Aとのダム(以下、上側ダム7aという。)の下面には
下側ダム7bが絶縁膜11によって接着されており、各
下側ダム7bは隣接した下側リード8Bと8Bとにそれ
ぞれ連結されている。On the lower surface of each lead 8, a lead (hereinafter, referred to as a lower lead) 8B for constituting a lower lead is provided.
Are adhered by an adhesive for forming the insulating film 11. That is, a lower lead 8B is adhered to the lower surface of each lead (hereinafter, referred to as an upper lead 8A) connected to the section frame 4 by an adhesive film on which the insulating film 11 is formed. Upper lead 8
The portion of A corresponding to the inner lead 9A and the outer lead 10A forms a lower inner lead 9B and a lower outer lead 10B. Adjacent upper leads 8A and 8
A lower dam 7b is bonded to the lower surface of the dam A (hereinafter referred to as an upper dam 7a) by an insulating film 11, and each lower dam 7b is connected to the adjacent lower leads 8B and 8B, respectively. ing.
【0019】下側インナリード9Bの先端部は上側イン
ナリード9Aの先端よりも内側に突出されており、下側
アウタリード10Bの先端部は上側アウタリード10A
の先端よりも内側に引っ込んだ状態になっている。絶縁
膜11における下側アウタリード10Bが上側アウタリ
ード10Aよりも引っ込んだ部分には、上側アウタリー
ド10Aの下面と面一になった隔絶部11Aが形成され
ており、隔絶部11Aの径方向の両脇の上側アウタリー
ド10Aおよび下側アウタリード10Bの各先端部には
上側接地部aおよび下側接地部bがそれぞれ形成されて
いる。The tip of the lower inner lead 9B protrudes inward from the tip of the upper inner lead 9A, and the tip of the lower outer lead 10B is the upper outer lead 10A.
Is retracted inward from the tip. In a portion of the insulating film 11 where the lower outer lead 10B is recessed from the upper outer lead 10A, there are formed isolation portions 11A flush with the lower surface of the upper outer lead 10A, and both sides in the radial direction of the isolation portion 11A. An upper grounding portion a and a lower grounding portion b are formed at the distal ends of the upper outer lead 10A and the lower outer lead 10B, respectively.
【0020】下側リード8Bの上側リード8Aとの接着
は、例えば、下側ダム7b群と各下側ダム7bによって
連結された下側リード8B群との組立体の上面に接着材
を塗布した状態で、単位リードフレーム2を重ねること
により実施することができる。そして、この接着材膜に
よって上側リード8Aと下側リード8Bとを絶縁する絶
縁膜11が形成されることになる。For bonding the lower lead 8B to the upper lead 8A, for example, an adhesive is applied to the upper surface of an assembly of the lower dam 7b group and the lower lead 8B group connected by each lower dam 7b. It can be implemented by stacking the unit lead frames 2 in the state. Then, the insulating film 11 for insulating the upper lead 8A and the lower lead 8B is formed by the adhesive film.
【0021】以上のように構成された多連リードフレー
ムにおける各単位リードフレームにはペレットボンディ
ング工程においてペレットボンディングが実施され、続
いて、ワイヤボンディング工程においてワイヤボンディ
ングが実施され、図3に示されている組立体15が製造
される。Each unit lead frame in the multiple lead frame configured as described above is subjected to pellet bonding in a pellet bonding step, and subsequently to wire bonding in a wire bonding step, as shown in FIG. Assembly 15 is manufactured.
【0022】図3において、タブ6の上にはペレット1
2が半田材や銀ペースト等によって形成されたボンディ
ング層13によってボンディングされている。タブ6の
上にボンディングされたペレット12の電極パッドと、
各上側インナリード9Aおよび各下側インナリード9B
との間には各ワイヤ14がそれぞれ橋絡されている。こ
の状態において、ペレット12に作り込まれた標準ロジ
ック回路は電極パッド、ワイヤ14、各インナリード9
A、9Bおよび各アウタリード10A、10Bを介して
電気的に外部に引き出された状態になっている。In FIG. 3, the pellet 1 is placed on the tub 6.
2 are bonded by a bonding layer 13 formed of a solder material, a silver paste, or the like. An electrode pad of the pellet 12 bonded on the tab 6;
Each upper inner lead 9A and each lower inner lead 9B
And each wire 14 is bridged between them. In this state, the standard logic circuit built in the pellet 12 includes the electrode pad, the wire 14 and each inner lead 9.
A, 9B and the outer leads 10A, 10B are electrically drawn to the outside via the outer leads 10A, 10B.
【0023】以上のように組み立てられた組立体15に
は樹脂封止体成形工程においてトランスファ成形が実施
され、図4に示されているように、樹脂封止体16が各
単位リードフレーム2にそれぞれ成形された成形品17
が一括して成形される。The assembly 15 assembled as described above is subjected to transfer molding in a resin sealing body forming step, and as shown in FIG. 4, a resin sealing body 16 is attached to each unit lead frame 2. Molded products 17 each molded
Are molded at once.
【0024】図4において、樹脂封止体16はエポキシ
樹脂を主成分とした樹脂が使用されて、トランスファ成
形装置により略正方形の平盤形状に一体成形されてお
り、樹脂封止体16の内部には上下のインナリード9
A、9B群、ペレット12、ワイヤ14およびタブ6が
樹脂封止されている。この状態において、上下のアウタ
リード10A、10B群は樹脂封止体16における一方
の対辺からそれぞれ突出された状態になっている。In FIG. 4, the resin sealing body 16 is made of a resin containing an epoxy resin as a main component, and is integrally formed into a substantially square flat plate shape by a transfer molding apparatus. Upper and lower inner leads 9
Groups A and 9B, pellets 12, wires 14 and tabs 6 are sealed with resin. In this state, the upper and lower outer leads 10 </ b> A and 10 </ b> B are in a state of protruding from one opposite side of the resin sealing body 16, respectively.
【0025】以上のようにして樹脂封止体16が成形さ
れた成形品17は、その後、リード切断成形工程におい
て、タブ吊りリード5の樹脂封止体16からの突出部、
セクション枠4およびダム7aをそれぞれ切断され、上
下のアウタリード10A、10Bを樹脂封止体16の外
部においてガル・ウイング形状に屈曲される。この状態
において、図1に示されているSOP・IC18が製造
されたことになる。The molded article 17 on which the resin sealing body 16 has been formed as described above is then subjected to a projecting portion of the tab suspension lead 5 from the resin sealing body 16 in a lead cutting step.
The section frame 4 and the dam 7a are respectively cut, and the upper and lower outer leads 10A and 10B are bent outside the resin sealing body 16 into a gull-wing shape. In this state, the SOP IC 18 shown in FIG. 1 has been manufactured.
【0026】以上のようにして製造され構成されたSO
P・IC18は、例えば、図5に示されているプリント
配線基板20に表面実装される。The SO manufactured and constructed as described above
The P-IC 18 is, for example, surface-mounted on a printed wiring board 20 shown in FIG.
【0027】図5において、SOP・IC18が実装さ
れるプリント配線基板20は基板本体21を備えてお
り、基板本体21はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が
用いられて長方形の平盤形状に形成されている。基板本
体21の上面には電気配線(図示せず)にそれぞれ接続
された複数個のランド22が形成されており、各ランド
22は銅箔等の導電材料が用いられてリソグラフィー処
理等の適当な手段によりSOP・IC18の上下のアウ
タリード10A、10Bの接地部a、bよりも若干大き
めの微小な長方形の薄板形状に形成されている。In FIG. 5, the printed wiring board 20 on which the SOP / IC 18 is mounted has a board body 21. The board body 21 is formed in a rectangular flat plate shape using an insulating material such as glass epoxy resin. ing. A plurality of lands 22 respectively connected to electric wiring (not shown) are formed on the upper surface of the substrate main body 21. Each land 22 is made of a conductive material such as a copper foil and is formed of a suitable material such as a lithography process. By means, it is formed in a small rectangular thin plate shape slightly larger than the grounding portions a and b of the upper and lower outer leads 10A and 10B of the SOP IC 18.
【0028】複数個のランド22はSOP・IC18の
一対の上側アウタリード10Aの第一接地部aと下側ア
ウタリード10Bの第二接地部bとに対応されて一対宛
に組み合わされており、第一接地部aに対応するランド
(以下、第一ランドという。)22Aと、第二接地部b
に対応するランド(以下、第二ランドという。)22B
とは絶縁部23を挟んで隣合わせに配置されて四列に整
列されている。すなわち、二列の第一ランド22A群列
と二列の第二ランド22B群列とは外側と内側とで整合
した状態で並ぶように配列されている。図5において、
第一ランド22A群の列は五個の第一ランド22Aによ
って構成され、第二ランド22B群の列も五個の第二ラ
ンド22Bによって構成されている。The plurality of lands 22 correspond to the first grounding portion a of the pair of upper outer leads 10A of the SOP IC 18 and the second grounding portion b of the lower outer lead 10B, and are combined to a pair. A land (hereinafter, referred to as a first land) 22A corresponding to the ground portion a, and a second ground portion b
(Hereinafter referred to as a second land) 22B
Are arranged next to each other with the insulating portion 23 interposed therebetween and arranged in four rows. That is, the two rows of the first land 22A group row and the two rows of the second land 22B group row are arranged so as to be aligned with each other on the outside and inside. In FIG.
The row of the first lands 22A is composed of five first lands 22A, and the row of the second lands 22B is also composed of five second lands 22B.
【0029】SOP・IC18がプリント配線基板20
に表面実装される際、各ランド22の上に半田ペースト
が塗布され、SOP・IC18の第一接地部aおよび第
二接地部bが整合されて接着される。このようにSOP
・IC18がセットされた状態で、プリント配線基板2
0がリフロー半田付け処理されると、図5に示されてい
るように、各ランド22と各接地部a、bとの間には半
田付け部24が形成される。第一ランド22Aと第二ラ
ンド22Bとの間には絶縁部23が形成されているた
め、隣合う半田付け部24、24同士は短絡することは
ない。このようにして、SOP・IC18はプリント配
線基板20に電気的かつ機械的に接続され、図5に示さ
れているように表面実装された状態になる。The SOP IC 18 is a printed circuit board 20
When surface mounting is performed, a solder paste is applied on each land 22, and the first ground portion a and the second ground portion b of the SOP IC 18 are aligned and bonded. Thus SOP
-With the IC 18 set, the printed wiring board 2
When the reflow soldering process is performed on 0, soldering portions 24 are formed between the lands 22 and the grounding portions a and b, as shown in FIG. Since the insulating portion 23 is formed between the first land 22A and the second land 22B, there is no short circuit between the adjacent solder portions 24. In this way, the SOP IC 18 is electrically and mechanically connected to the printed wiring board 20, and is in a state of being surface-mounted as shown in FIG.
【0030】次に、使用方法の一例およびその作用を説
明する。Next, an example of the method of use and the operation thereof will be described.
【0031】従来の標準ロジックのSOP・ICが図6
(a)に示されているピン配置である場合には、本実施
形態に係る標準ロジックのSOP・IC18は図6
(b)に示されているピン配置になる。すなわち、従来
のSOP・ICの左上隅が一番ピンであり反時計周りに
二番ピン、三番ピン・・・と定義されて右上隅が二十番
ピンである場合においては、本実施形態に係るSOP・
IC18の左上隅の第一接地部aが一番ピンになり、一
番ピンの第一接地部aに対となった第二接地部bが二番
ピンになり、以降、反時計周りに第一接地部aが三番ピ
ン、三番ピンの第一接地部aに対となった第二接地部b
が四番ピン・・・と定義されて右上隅の第二接地部bが
二十番ピンになる。FIG. 6 shows a conventional standard logic SOP IC.
In the case of the pin arrangement shown in FIG. 6A, the SOP IC 18 of the standard logic according to the present embodiment is
The pin arrangement shown in FIG. That is, in the case where the upper left corner of the conventional SOP / IC is defined as the first pin and the second pin, the third pin, and so on in the counterclockwise direction and the upper right corner is the twenty pin, the present embodiment SOPs related to
The first ground portion a at the upper left corner of the IC 18 becomes the first pin, the second ground portion b paired with the first ground portion a of the first pin becomes the second pin, and thereafter, the second ground portion b is rotated counterclockwise. One grounding portion a is a third pin, and a second grounding portion b paired with the first grounding portion a of the third pin
Are defined as the fourth pin..., And the second ground portion b in the upper right corner becomes the twenty-second pin.
【0032】そして、従来のSOP・ICにおける十番
ピンがVSS端子であり、二十番ピンがVCC端子であ
る場合には、本実施形態に係るSOP・IC18におい
ても、十番ピン(第二接地部b)がVSS端子になり、
二十番ピン(第二接地部b)がVCC端子になる。When the tenth pin in the conventional SOP / IC is the VSS terminal and the twenty-third pin is the VCC terminal, the tenth pin (the second pin) is also used in the SOP / IC 18 according to the present embodiment. The grounding part b) becomes the VSS terminal,
The 20th pin (second grounding section b) becomes the VCC terminal.
【0033】図6(a)と(b)との比較から明らかな
通り、ピン数が従来のSOP・ICと同数にもかかわら
ず、本実施形態に係るSOP・IC18の樹脂封止体1
6の長さは従来のSOP・ICの樹脂封止体の長さの半
分になる。すなわち、本実施形態に係るSOP・IC1
8の実装面積は従来のSOP・ICのそれの半分に減少
されたことになる。As is clear from the comparison between FIGS. 6 (a) and 6 (b), although the number of pins is the same as that of the conventional SOP / IC, the resin sealing body 1 of the SOP / IC 18 according to the present embodiment is provided.
6 is half the length of the conventional resin-sealed body of the SOP / IC. That is, the SOP IC 1 according to the present embodiment
8 has been reduced to half that of the conventional SOP IC.
【0034】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
【0035】1) 上側アウタリードに下側アウタリード
を絶縁膜によって接着し、上側アウタリードの先端に形
成された第一接地部と下側アウタリードの先端に形成さ
れた第二接地部とを同一位置で隔絶部を挟んで隣合わせ
に配置することにより、プリント配線基板に対する接続
数を減少させることなくパッケージの面積を減少させる
ことができるため、プリント配線基板に対する実装面積
を大幅に減少させることができる。1) The lower outer lead is adhered to the upper outer lead with an insulating film, and the first ground portion formed at the tip of the upper outer lead and the second ground portion formed at the tip of the lower outer lead are separated at the same position. By arranging the portions adjacent to each other with the portion interposed therebetween, the area of the package can be reduced without reducing the number of connections to the printed wiring board, so that the mounting area on the printed wiring board can be significantly reduced.
【0036】2) パッケージが縮小されるにもかかわら
ず、ペレットの面積や電極パッドのレイアウトおよびそ
の他の仕様を変更しなくて済むため、既存のペレットを
そのまま使用することができる。2) Although the size of the package is reduced, the area of the pellet, the layout of the electrode pads, and other specifications do not need to be changed, so that the existing pellet can be used as it is.
【0037】3) ICおよびプリント配線基板のピン配
列の番号は準用することができるため、プリント配線基
板の仕様変更はランドに関しての形状および配列の最小
限に抑制することができる。3) Since the numbers of the pin arrangement of the IC and the printed wiring board can be applied mutatis mutandis, the specification change of the printed wiring board can be suppressed to the minimum in the shape and arrangement of the lands.
【0038】図7は本発明の実施形態2であるDIP・
ICの実装状態を示しており、(a)は一部切断正面
図、(b)は主要部の一部省略斜視図である。FIG. 7 shows a second embodiment of the present invention.
3A and 3B show a mounted state of an IC, wherein FIG. 3A is a partially cutaway front view, and FIG. 3B is a partially omitted perspective view of a main part.
【0039】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
DIPに構成されている点である。すなわち、第一接地
部aと第二接地部bとがプリント配線基板20のスルー
ホール26に挿入されて、スルーホール26の一対の側
面に形成された第一スルーホール導体部27Aと第二ス
ルーホール導体部27Bとにそれぞれ接続するように構
成されている。This embodiment is different from the above embodiment in that
That is, it is configured in the DIP. That is, the first grounding portion a and the second grounding portion b are inserted into the through-hole 26 of the printed wiring board 20, and the first through-hole conductor portion 27A formed on a pair of side surfaces of the through-hole 26 and the second through-hole are formed. It is configured to be connected to each of the hole conductors 27B.
【0040】図8は本発明の実施形態3であるDIP・
ICの実装状態を示しており、(a)は一部切断正面
図、(b)は主要部の一部省略斜視図である。FIG. 8 shows a third embodiment of the present invention.
3A and 3B show a mounted state of an IC, wherein FIG. 3A is a partially cutaway front view, and FIG. 3B is a partially omitted perspective view of a main part.
【0041】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
一対のリードが絶縁膜を挟んで内外二重構造に形成さ
れ、一対のアウタリードがDIPに構成されている点で
ある。すなわち、内側リード80Aが絶縁膜11を挟ん
で外側リード80Bによって被覆されており、内側リー
ド80Aの第一接地部aと外側リード80Bの第二接地
部bとがプリント配線基板20のスルーホール26に挿
入されて、スルーホール26の下部に形成された第一ス
ルーホール導体部28Aとスルーホール26の上部に形
成された第二スルーホール導体部27Bとにそれぞれ接
続するように構成されている。This embodiment is different from the above embodiment in that
The point is that a pair of leads are formed in an inner / outer double structure with an insulating film interposed therebetween, and a pair of outer leads are formed in a DIP. That is, the inner lead 80A is covered with the outer lead 80B with the insulating film 11 interposed therebetween, and the first ground portion a of the inner lead 80A and the second ground portion b of the outer lead 80B are formed in the through hole 26 of the printed wiring board 20. And is connected to a first through-hole conductor portion 28A formed below the through-hole 26 and a second through-hole conductor portion 27B formed above the through-hole 26, respectively.
【0042】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say.
【0043】例えば、一対のリードは信号線に使用する
に限らず、一方のリードを信号線に使用し、他方のリー
ドをグランドまたは電源(モーストネガティブ電位)線
として使用してもよい。殊に、一対のリードが絶縁膜を
挟んで内外二重構造に形成されたリードにおいて、内側
リードを信号線に使用し、外側リードをグランド線とし
て使用すると、高いノイズ低減効果を得ることができ
る。For example, a pair of leads is not limited to being used for a signal line, but one lead may be used for a signal line, and the other lead may be used as a ground or a power supply (most negative potential) line. Particularly, in a lead in which a pair of leads are formed in an inner / outer double structure with an insulating film interposed therebetween, a high noise reduction effect can be obtained by using the inner lead as a signal line and the outer lead as a ground line. .
【0044】パッケージはSOPおよびDIPに構成す
るに限らず、SOI(スモール・アウトライン・Iリー
リッドパッケージ)やQFP(クワッド・フラット・パ
ッケージ)およびQFI(クワッド・フラット・Iリー
リッドパッケージ)等に構成してもよい。The package is not limited to SOP and DIP, but may be SOI (Small Outline I-Lead Package), QFP (Quad Flat Package) and QFI (Quad Flat I-Lead Package). May be.
【0045】封止体は樹脂封止に構成するに限らず、気
密封止体に構成してもよい。The sealing body is not limited to the resin sealing, but may be a hermetic sealing body.
【0046】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である標準ロ
ジックICにつき説明したが、それに限定されるもので
はなく、他の用途に使用されるロジックICやメモリー
IC等の半導体装置全般に適用することができる。In the above description, the invention made by the present inventor has been mainly described with reference to the standard logic IC which is the application field as the background, but the invention is not limited to this, and the logic IC used for other applications is not limited thereto. And semiconductor ICs such as memory ICs.
【0047】[0047]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0048】一対のリードで絶縁膜を挟み一方のリード
の接地部と他方のリードの接地部とを同一位置に配置し
て電気的に隔絶することにより、プリント配線基板に対
する接続数を減少させずにパッケージの面積を減少させ
ることができるため、プリント配線基板に対する実装面
積を大幅に減少させることができる。The grounding portion of one lead and the grounding portion of the other lead are disposed at the same position with the insulating film interposed between the pair of leads and are electrically isolated from each other, so that the number of connections to the printed wiring board is not reduced. Since the area of the package can be reduced, the mounting area on the printed wiring board can be significantly reduced.
【図1】本発明の一実施形態であるSOP・ICを示し
ており、(a)は左半分が平面断面図で右半分が底面
図、(b)は正面断面図である。1A and 1B show an SOP IC according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan sectional view of a left half, a bottom view of a right half, and FIG.
【図2】本発明の一実施形態であるSOP・ICの製造
方法に使用される多連リードフレームを示しており、
(a)は一部省略平面図、(b)は正面断面図である。FIG. 2 shows a multiple lead frame used in a method for manufacturing an SOP / IC according to an embodiment of the present invention;
(A) is a partially omitted plan view, and (b) is a front sectional view.
【図3】ペレット・ワイヤボンディング工程後を示して
おり、(a)は一部省略平面図、(b)は正面断面図で
ある。3A and 3B show a state after a pellet wire bonding step, in which FIG. 3A is a partially omitted plan view, and FIG. 3B is a front sectional view.
【図4】樹脂封止体成形工程後を示しており、(a)は
(a)は一部省略平面図、(b)は正面断面図である。4A and 4B show a state after a resin sealing body forming step, in which FIG. 4A is a partially omitted plan view and FIG. 4B is a front sectional view.
【図5】本発明の一実施形態であるSOP・ICの実装
状態を示しており、(a)は平面図、(b)は主要部の
一部省略斜視図である。FIGS. 5A and 5B show a mounted state of an SOP / IC according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a partially omitted perspective view of a main part.
【図6】作用を説明するための各底面図であり、(a)
は従来の場合を、(b)は本実施形態の場合をそれぞれ
示している。FIGS. 6A and 6B are bottom views for explaining the operation, and FIG.
Shows the case of the related art, and (b) shows the case of the present embodiment.
【図7】本発明の実施形態2であるDIP・ICの実装
状態を示しており、(a)は一部切断正面図、(b)は
主要部の一部省略斜視図である。7A and 7B show a mounted state of a DIP IC according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 7A is a partially cutaway front view, and FIG. 7B is a partially omitted perspective view of a main part.
【図8】本発明の実施形態3であるDIP・ICの実装
状態を示しており、(a)は一部切断正面図、(b)は
主要部の一部省略斜視図である。8A and 8B show a mounted state of a DIP IC according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 8A is a partially cutaway front view, and FIG. 8B is a partially omitted perspective view of a main part.
1…多連リードフレーム、2…単位リードフレーム、3
…外枠、3a…位置決め孔、4…セクション枠、5…タ
ブ吊りリード、6…タブ、7…ダム部材、7a…上側ダ
ム、7b…下側ダム、8…リード、8A…上側リード、
8B…下側リード、9…インナリード、9A…上側イン
ナリード、9B…下側インナリード、10…アウタリー
ド、10A…上側アウタリード、10B…下側アウタリ
ード、11…絶縁膜、11A…隔絶部、12…ペレッ
ト、13…ボンディング層、14…ワイヤ、15…組立
体、16…樹脂封止体、17…成形品、18…SOP・
IC(半導体装置)、20…プリント配線基板(実装基
板)、21…基板本体、22…ランド、23…絶縁部、
24…半田付け部、26…スルーホール、27A、27
B…スルーホール導体部、28A、28B…スルーホー
ル導体部、80A…内側リード、80B…外側リード。1 ... multiple lead frame, 2 ... unit lead frame, 3
... Outer frame, 3a ... positioning hole, 4 ... section frame, 5 ... tab suspension lead, 6 ... tab, 7 ... dam member, 7a ... upper dam, 7b ... lower dam, 8 ... lead, 8A ... upper lead,
8B: lower lead, 9: inner lead, 9A: upper inner lead, 9B: lower inner lead, 10: outer lead, 10A: upper outer lead, 10B: lower outer lead, 11: insulating film, 11A: isolation part, 12 ... Pellets, 13 ... Bonding layer, 14 ... Wire, 15 ... Assembly, 16 ... Resin sealing body, 17 ... Molded product, 18 ... SOP
IC (semiconductor device), 20: printed wiring board (mounting board), 21: board body, 22: land, 23: insulating section,
24: soldering part, 26: through hole, 27A, 27
B: through-hole conductor, 28A, 28B: through-hole conductor, 80A: inner lead, 80B: outer lead.
Claims (10)
された一対のリードが絶縁膜を挟み、一方のリードの接
地部と他方のリードの接地部とが同一位置に配置されて
電気的に隔絶されていることを特徴とする半導体装置。A pair of leads electrically connected to a semiconductor pellet sandwich an insulating film, and a ground part of one lead and a ground part of the other lead are arranged at the same position and are electrically isolated from each other. A semiconductor device characterized in that:
上下で重ね合わされ、上側のリードの接地部と下側のリ
ードの接地部とが同一位置に配置されて電気的に隔絶さ
れていることを特徴とする半導体装置。2. The pair of leads are vertically stacked with the insulating film interposed therebetween, and the ground portion of the upper lead and the ground portion of the lower lead are arranged at the same position and are electrically isolated. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
内外二重構造に形成され、内側のリードの接地部と外側
のリードの接地部とが同一位置において電気的に隔絶さ
れていることを特徴とする半導体装置。3. The pair of leads are formed in an inner / outer double structure with the insulating film interposed therebetween, and the grounding portion of the inner lead and the grounding portion of the outer lead are electrically isolated at the same position. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
リードの接地部とが表面実装されるように構成されてい
ることを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導
体装置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the ground portion of the one lead and the ground portion of the other lead are surface-mounted.
リードの接地部とが挿入実装されるように構成されてい
ることを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導
体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the ground portion of the one lead and the ground portion of the other lead are inserted and mounted.
していることを特徴とする請求項1、2、3、4または
5に記載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein said pair of leads form different signal lines.
ネガティブ電位になるように設定されていることを特徴
とする請求項1、2、3、4または5に記載の半導体装
置。7. The semiconductor device according to claim 1, wherein one of the pair of leads is set to have a most negative potential.
であって、前記一方のリードを形成するためのリードフ
レームが前記他方のリードを形成するためのリードフレ
ームに前記絶縁膜を挟んで接着される工程を備えている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。8. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a lead frame for forming the one lead is provided with the insulating film interposed between lead frames for forming the other lead. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of bonding.
ル・ウイング形状に屈曲される工程を備えていることを
特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。9. The method according to claim 8, further comprising the step of bending the outer portions of the pair of leads into a gull-wing shape at the same time.
法であって、前記一方のリードが絶縁膜を挟んで他方の
リードによって被覆される工程を備えていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of covering said one lead with another lead via an insulating film. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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Country Status (1)
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- 1999-07-05 JP JP19020099A patent/JP2001024139A/en active Pending
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